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'삼성 파운드리'통합검색 결과 입니다. (195건)

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TSMC, 삼성電 반도체 또 넘었다...작년 年매출액 128조원 '폭풍 질주'

대만 주요 파운드리 TSMC가 지난해 130조원에 육박하는 연간 매출을 기록한 것으로 나타났다. 이는 역대 최대 실적으로 2년 연속 삼성전자 반도체(DS) 부문을 뛰어넘는 호실적이다. 종합반도체(IDM) 회사를 표방하는 삼성전자는 지난해 메모리·파운드리 등 반도체 부문에서 연간 110조원 수준의 매출을 기록한 것으로 관측된다. 당초 기대치를 뛰어넘는 TSMC의 실적은 글로벌 빅테크 고객사들의 견조한 AI 수요로 최첨단 공정 출하량이 증가한 덕분으로 풀이된다. 10일 TSMC는 지난해 12월 매출이 전년동월 대비 57.8% 증가한 2천781억 대만달러(한화 약 12조3천600억원)를 기록했다고 밝혔다. 전월 대비로는 0.8% 늘었다. 이로써 TSMC는 지난해 2조8943억 대만달러(약 128조6천700억원)의 연간 매출을 올렸다. 전년 대비로는 33.9% 증가한 수치다. TSMC의 지난해 실적은 회사의 기대치를 뛰어넘는 수준이다. 앞서 TSMC는 지난해 매출 전망치를 전년 대비 20% 중반대 상향으로 제시했으나, 이후 이를 30%로 상향 조정한 바 있다. TSMC는 AI 산업의 성장에 따른 수혜 효과를 톡톡히 보고 있다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI, HPC(고성능컴퓨팅)용 반도체는 가장 첨단 영역의 공정을 활용해야 한다. 글로벌 빅테크인 애플, 엔비디아, 퀄컴 등이 모두 TSMC에 제품을 의뢰하는 이유다. 실제로 TSMC의 지난해 3분기 전체 매출에서 3나노미터(nm) 공정이 차지하는 비중은 20%로 전분기 대비 5%p 늘었다. 5나노와 7나노 비중도 각각 32%, 17%로 높은 수준을 차지했다. TSMC의 매출 성장세는 올해에도 지속될 것으로 관측된다. 글로벌 CSP(클라우드서비스제공자)들의 적극적인 AI 데이터센터 투자가 이어지고 있고, 스마트폰 시장의 선도업체인 애플과의 협력도 공고하기 때문이다.

2025.01.10 17:21장경윤

삼성전자, 연간 영업익 32.7兆…총체적 수익 부진

우려가 현실이 됐다. 삼성전자의 사업 근간을 이루는 반도체·모바일·가전 등 3대 사업 부문이 지난해 수요 부진과 경쟁 심화로 내리막길을 걸었다. 메모리는 정체되고 파운드리 적자는 지속됐다. 그나마 분기당 3~4조원을 기록하며 구원투수 역할을 하던 스마트폰 사업마저 수익성이 약화되고 있다. 가전 역시 마찬가지다. 삼성전자는 지난해 연간 영업이익 32조7300억원을 기록하며, 시장 기대치(34조원)을 밑도는 실망스러운 성적표를 냈다. 아울러 4분기 영업이익은 당초 기대치(8조원대)를 크게 하회한 6조5천억원을 기록해 지난해 3분기에 이어 2개 분기 연속 어닝쇼크다. 삼성전자는 이례적으로 설명 자료를 내고 실적 부진에 대해 메모리 매출과 이익의 하락, 파운드리 가동률 감소 등을 원인으로 꼽았다. 삼성전자는 8일 잠정 실적공시를 통해 지난해 4분기 연결기준 매출 75조원을 기록했다고 발표했다. 이는 전년 동기 대비 10.65% 증가, 전기 대비 5.18% 감소한 수치다. 영업이익은 6조5천억원으로 전년 동기 대비 130.5% 증가, 전분기 대비 29.19% 감소했다. 금융정보업체 에프앤가이드가 전날 집계한 실적 컨센서스(증권사 전망치 평균)는 4분기 매출 77조4천35억원, 영업익은 7조9천705억원이었는데 이를 하회했다. 전날 일부 증권사는 영업이익을 7조5천억원으로 하향 조정했는데, 이 전망치 보다도 밑도는 실적을 낸 것이다. 삼성전자는 이날 부문별 4분기 실적은 공개하지 않았지만, 증권가에서는 DS 부문의 영업이익을 3조원 안팎으로 추정하고 있다. 이 외에도 △모바일경험(MX) 2조원 안팎 △네트워크사업부 2조원 안팎 △디스플레이 1조원 안팎 △TV·가전 3천억원 안팎으로 추정된다. 지난해 연간 실적 또한 하회했다. 이날 삼성전자는 지난해 연간 매출이 300조800억원, 영업이익은 32조7300억원을 기록했다고 잠정 발표했다. 이는 전년 동기 대비 각각 15.89%, 398.17% 오른 수치다. 연매출이 2년 만에 300조원대를 회복했다는 점에서는 긍정적이나, 영업이익은 전망치(34조원)에 못 미치는 실적이다. 이 같은 실적은 반도체를 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문의 실적 부진이 지속됨에 따른 결과다. 특히 삼성전자 파운드리와 시스템LSI 사업 적자가 지속된 것으로 파악된다. 삼성전자는 이날 성명서를 통해 "메모리 사업은 PC·모바일 중심 범용 제품 수요 약세 속 고용량 제품 판매 확대로 4분기 메모리 역대 최대 매출을 달성했다. 하지만 미래 기술 리더십 확보를 위한 연구개발비 증가·선단공정 생산능력 확대를 위한 초기 램프업(생산량 확대) 비용 증가 영향으로 실적이 감소했다"고 했다. 이어 "비메모리 사업은 모바일 등 주요 응용처 수요 부진 가운데, 가동률 하락 및 연구개발비 증가 영향으로 실적이 하락했다"고 설명했다. 디바이스경험(DX)부문에서도 모바일 신제품 출시 효과 감소와 업체 간 경쟁 심화로 실적이 감소한 것으로 나타났다. 증권가에서는 삼성전자의 메모리 수익성 감소 원인을 HBM(고대역폭메모리) 공급 지연을 꼽는다. 삼성전자는 HBM 5세대인 HBM3E 8단과 12단 제품을 AI 반도체 고객사인 엔비디아에 납품하기위한 품질(퀄) 테스트를 지난해부터 진행하고 있으나, 아직까지 공급 소식이 들려오지 않고 있다. 또 '범용 메모리 가격 하락'도 주요 원인이다. 수요 감소에 중국의 메모리 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)이 저가 물량 공세까지 더해지면서 최근 레거시 메모리 가격이 가파른 하락세를 보였다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품 DDR4 8Gb의 평균 고정 거래가격이 지난 7월 2.1달러에서 11월 1.35달러로 35.7% 하락했다. 김형태 대신증권 연구원은 "PC, 모바일 업황 둔화, 구형(레거시) 메모리 공급 과잉, 파운드리 가동률 하락, 주요 미국 고객사향 HBM3E 공급 시점 지연 등으로 기대보다 우려가 크다"고 진단했다. 김영건 미래에셋 연구원은 "북미 고객사향 HBM3E 8단 제품 공급 지연을 고려해 비트그로스를 -20%포인트 하향 조정됐고, 4분기 D램 계약가격 하락으로 인해 D램의 평균판매가격(ASP)이 3.3%포인트(p) 하향했다"고 했다. 채민숙 한국투자증권 연구원은 "모바일과 PC 고객사를 중심으로 다시금 재고 조정이 시작돼 컨벤셔널 메모리 수요가 예상보다 낮은 것으로 추정된다"며 “HBM의 경우 엔비디아 외 고객 판매로 전분기 대비 판매 수량은 70% 이상 증가하겠지만, 전체 D램 비트 성장률은 저조하다. 또 파운드리 역시 가동률 회복 지연과 일회성 비용 발생으로 적자를 지속할 전망이다"고 전했다.

2025.01.08 10:14이나리

TSMC 승승장구에도 '톱 디자인하우스' GUC는 왜 추락했을까

TSMC의 디자인하우스(VCA) 중 업계 1위였던 GUC가 지난해 연 매출이 하락한 것으로 나타났다. TSMC가 최첨단 공정 수요 증가로 고성장을 기록한 것과는 상반된 행보다. AI 고객사를 선제적으로 확보하지 못한 데 따른 부진으로, 삼성전자와 국내 디자인하우스 업계도 AI 시장에 보다 발빠르게 대응해야 한다는 지적이 제기된다. 7일 업계에 따르면 대만 GUC는 최근 지난해 연간 총 매출액을 약 250억 대만달러(한화 약 1조1천156억원)로 집계했다. 업계 1위 디자인하우스서 '2위'로…패인은 'AI' 앞서 GUC는 지난 2023년 연 매출액으로 262억 대만달러를 기록한 바 있다. 이에 따라 GUC의 지난해 연 매출은 전년 대비 4.6% 감소했다. GUC는 대만 주요 파운드리인 TSMC의 핵심 디자인하우스다. 전세계 디자인하우스 업계에서 오랜 시간 1위를 지켜 온 기업이다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스를 이어주는 기업을 뜻한다. 이들 사이에서 칩이 원활히 설계 및 양산이 될 수 있도록 다양한 기술적 서비스를 제공한다. 다만 GUC는 TSMC의 급격한 성장세에도 수혜를 보지 못하고 있다. TSMC는 AI, HPC(고성능컴퓨팅) 등 최선단 공정 제품 수요 증가에 힘입어, 지난해 매출 전망치를 기존 20% 중반대에서 30%로 상향 조정한 바 있다. 실제로 TSMC의 지난해 1~11월 누적 매출액은 2조6천161억 대만달러로 전년동기 대비 31.8% 증가했다. 업계는 AI를 비롯한 첨단 산업에 발빠르게 대응하지 못한 것이 GUC가 매출 역성장을 거둔 주요 원인이라고 지목한다. 시스템반도체 업계 관계자는 "GUC의 주요 경쟁사인 알칩(Alchip)의 경우 아마존 등 신흥 AI 반도체 강자로 떠오르는 기업들과 손잡고 현재 제품 양산을 시작하는 상황"이라며 "반면 GUC는 초기 AI 고객사를 확보하지 못하면서 알칩과의 경쟁에서 지속적으로 밀리게 됐다"고 설명했다. 실제로 알칩의 연 매출은 지난 2022년까지는 GUC에 크게 미치지 못했다. 당시 양 사의 매출액은 GUC가 240억 대만달러, 알칩이 137억 대만달러 수준이다. 그러나 알칩은 2023년 초부터 매출이 크게 성장해, 2023년 연 매출 305억 대만달러로 GUC(262억 대만달러)를 역전하는 데 성공했다. 지난해 1~11월까지의 누적 매출액도 475억 대만달러로 이미 전년 매출액을 크게 넘어섰다. 12월 매출액까지 고려하면 GUC와 사실상 2배의 차이가 나는 셈이다. 삼성 DSP도 AI서 활로 찾아야…"경쟁력 충분" 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아 등 삼성전자 디자인하우스(DSP) 기업들은 지난해에 이어 올해에도 녹록치 않은 경영 환경에 놓여있다. 삼성 파운드리는 3나노미터(nm) 등 최선단 공정에서 엔비디아·애플· 퀄컴 등 주요 팹리스를 고객사로 확보하지 못했다. 중국 판세미·일본 PFN·미국 암바렐라 등의 수주를 따내기는 했으나, 규모 면에서는 아쉽다는 평가다. 레거시 공정에서도 TSMC와 치열한 경쟁을 벌여야 하는 형국이다. 다만 국내 DSP 기업들은 삼성 파운드리와 DSP도 AI 산업에서의 성장 기회가 충분하다고 보고 있다. DSP 업계 관계자는 "삼성 파운드리의 경우 4·5 나노 공정으로 AI 서버용 칩에 대응하고, 온디바이스 AI용 칩으로는 14나노급 공정으로 대응하면 경쟁력이 충분하다"며 "삼성 파운드리와 DSP들이 최근 미국과 일본, 중국 등 해외 시장 공략에 적극 나서고 있어, 올 상반기부터 성과들이 나올 것으로 기대한다"고 말했다. 한편 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 미국 기업들과의 협력 강화를 주도해 왔다. 삼성전자는 동시에 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하며 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다.

2025.01.07 14:02장경윤

TSMC, 새해 1분기 美공장서 4나노 반도체 양산 개시

세계 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 업체 대만 TSMC가 새해 1분기 미국 공장에서 제품을 양산한다고 대만 일간지 자유시보가 29일(현지시간) 보도했다. 소식통에 따르면 TSMC는 최근 미국 애리조나 피닉스 1공장(P1)의 1단계(1A) 구역에서 회로 선폭 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 양산할 준비를 하고 있다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빠른 고성능 반도체를 생산할 수 있다. TSMC는 새해 1분기 피닉스 1공장 1단계 구역에서 일단 12인치(300㎜) 웨이퍼를 월 1만장 생산할 계획이다. 이어 새해 중순 1공장 1단계 시설을 100% 가동해 월 2만장을 만들기로 했다. 여기서 만든 제품은 애플·엔비디아·AMD·퀄컴에 공급된다. 소식통은 TSMC가 지난 4월부터 이들 고객사용 인공지능(AI)·고성능컴퓨팅(HPC) 제품을 시험 생산하고 있다고 전했다. TSMC는 피닉스 1공장의 2단계(1B) 구역도 완공했다. 소식통은 TSMC가 이곳에 장비를 설치하고 있다며 새해 중순부터 양산할 예정이라고 설명했다. TSMC는 피닉스 2공장(P2)과 3공장(P3)도 짓고 있다. 2공장에서는 2028년 2나노 생산을, 3공장은 2030년 말이 되기 전에 2나노나 A16(1.6나노 공정) 생산을 계획한다고 소식통은 전했다. TSMC 애리조나 공장 면적은 445만㎡(약 135만평)로 알려졌다. 대규모 반도체 공장과 연구시설 등이 함께 있다.

2024.12.30 10:53유혜진

삼성전자-TSMC, 25년 2나노 시대 개막…수율이 핵심

한국 경제가 대통령 탄핵정국과 트럼프 2기 정부 출범을 앞두고 을사년 새해를 맞게 됐습니다. 비상계엄 해제 이후에도 환율과 증시가 출렁이는 불확실성 속에 우리 기업들이 새해 사업과 투자 전략을 짜기가 더욱 어려워졌습니다. 정책 혼돈과 시시각각 변화는 글로벌 경제 환경에 어떻게 대처해야 하는지 지디넷코리아가 각 산업 분야별 새해 전망을 준비했습니다. [편집자주] 새해 삼성전자, 대만 TSMC, 미국 인텔 등이 2나노미터(nm) 공정으로 반도체 양산을 시작하며 경쟁에 돌입한다. 삼성전자는 2022년 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하며 선두를 내세웠지만, 수율(생산품 대비 정상품의 비율)을 확보하는 데 어려움을 겪으면서 TSMC에게 주도권을 내주게됐다. 이에 삼성전자는 2나노 공정에서는 수율 개선에 총력을 기울여 고객 신뢰도 회복하겠다는 목표다. TSMC는 3나노 공정에서 확보한 리더십을 2나노 공정에서도 이어가고자 양산 준비에 박차를 가하고 있다. 최근 TSMC는 2나노 공정 시험생산에서 60% 수율을 달성하며 내년 양산에 대한 자신감을 보이고 있다. 삼성, 3나노 실책 인정하고 2나노에 승부수…美 테일러 팹 2나노 집중 삼성전자는 3나노의 실책을 인정하고, 2나노에서 경쟁력 회복을 위해 기술 개발에 전력을 다하고 있다. 삼성전자는 내년 상반기 2나노 공정 시험생산을 시작으로 하반기 양산체제에 돌입할 계획이다. 이달 초 삼성전자 파운드리 사업의 새로운 수장으로 선임된 한진만 사장은 임직원 대상 첫 메시지에서 “2나노 공정의 빠른 램프업(ramp-up)”을 가장 중요한 첫 번째 과제로 꼽으며 “게이트올어라운드(GAA) 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤄냈지만 사업화에 있어서는 아직 부족함이 너무나 많다”고 말했다. 이어 “기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다”고 덧붙였다. 이렇듯 삼성전자의 2나노 공정은 파운드리 사업의 향방을 좌우할 핵심 과제다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 파운드리 시장에서 삼성전자 점유율은 9.3%로 하락해 TSMC(64.9%)와의 격차가 55.6%P(포인트) 벌어진 상황이다. 삼성전자는 2022년부터 3나노 공정에서 세계 최초로 GAA 공정을 적용했던 노하우를 바탕으로 2나노 GAA 공정에서 수율을 확보한다는 목표다. TSMC는 3나노에서 기존 핀펫(FinFET) 공정을 유지했으나, 2나노부터는 GAA 공정을 도입한다. 양사 모두 2나노 공정부터 GAA 기술을 적용한다는 점에서 업계의 관심이 집중되고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 3나노 GAA 초기 공정에서 얻은 최적화 노하우를 바탕으로 트랜지스터 미세화를 통해 2나노 공정에서 향상된 수율을 달성할 것으로 전망된다"고 분석했다. 삼성전자는 내년 상반기 2나노 공정 시험생산을 위해 올해 4분기부터 화성사업장 파운드리 라인 'S3′에 2나노 생산 장비를 순차적으로 반입하고 있다. 2나노 공정 첫 고객사로 일본 AI 스타트업 프리퍼드네트웍스(PFN)의 AI 가속기용 칩을 수주했으며, 내년 하반기 양산할 예정이다. 최근 삼성전자는 미국 테일러 공장에서 2나노 공정에 주력한다는 계획을 새롭게 수립했다. 삼성전자는 지난 4월 미국 상무부와 예비거래각서(PMT) 발표 시 테일러시에 2022년부터 건설 중인 파운드리 1공장 외에도 2공장, 첨단 패키징 공장, 연구개발(R&D) 센터를 건설하겠다고 밝혔다. 그러나 삼성전자는 지난 20일 미국 정부로부터 반도체 보조금을 확정 지으면서 미국 테일러 팹의 생산 계획을 '2, 4나노 대량생산'에서 '2나노 대량생산'으로 변경했고, 첨단 패키징 팹 투자는 보류하기로 결정했다. 이는 테일러공장의 가동 시기가 당초 2024년에서 2026년으로 연기됨에 따라 최첨단 2나노 공정에 역량을 집중하겠다는 전략으로 해석된다. 또한 미국에서 파운드리-패키징을 턴키 서비스를 제공할 계획이었으나, 내년 하반기 양산 예정인 HBM4부터 외주 파운드리와 협력하기로 결정하면서 미국 패키징 팹 시설 구축 일정을 재조정한 것으로 분석된다. TSMC, 2나노 시험생산 수율 60%...첫 고객사로 애플 확보 TSMC는 최근 2나노 시험생산에서 60% 수율을 확보했으며, 2025년부터 본격적인 양산 체제에 돌입할 예정이다. TSMC는 대만 신주과학단지 바오산 지역의 20팹에서 2나노 생산을 시작하며, 이후 타이중 중부과학단지 신규 공장에서도 2026년부터 단계적으로 대량 생산을 개시할 계획이다. 미국 애리조나 공장에서도 2나노 공정 도입을 예정하고 있다. TSMC는 애리조나주에 650억 달러(약 90조원)를 투자해 3개의 반도체 공장을 건설 중이며, 2025년 초 가동 예정인 1공장에서는 4나노 제품을 생산한다. 2028년 완공 예정인 2공장에서는 2나노와 3나노 공정이 도입된다. TSMC는 2나노 공정의 고객사로 애플을 확보했다. 애플은 아이폰17 탑재 예정인 AP(애플리케이션 프로세서)에 2나노 공정을 적용할 계획이다. 애플은 앞서 2023년 출시된 아이폰15 프로 시리즈에는 TSMC의 3나노 공정이 적용된 A17 AP가 탑재된 바 있다. 인텔과 라피더스도 2나노 개발 가속화 인텔은 올해 2나노(인텔20A) 공정 양산 계획을 백지화하고, 내년 1.8나노급(인텔 18A) 공정 양산에 주력하고 있다. 인텔은 올해 중순 20A 공정 시범 생산에서 고객사 브로드컴의 테스트를 통과하지 못하면서, 대량 생산에 적합하지 않다고 판단해 과감하게 접기로 했다. 대신 18A 공정에 총력을 기울이며, AWS(아마존웹서비스), 마이크로소프트 등 6개 기업을 고객사로 확보했다고 발표했다. 일본 라피더스는 내년 4월 2나노 공정으로 시험생산을 시작으로 2027년부터 본격적으로 양산에 들어간다. 고이케 아쓰요시 라피더스 사장(CEO)은 지난 18일 기자간담회에서 처음으로 극미세 공정 필수 장비인 'EUV(극자외선) 노광 장비'를 반입했다고 발표하며, “현재 건설 중인 팹은 88% 정도 진척된 수준”이라며 “내년 시험 가동 후, 대량 양산 라인을 구축해 2027년에는 2나노 파운드리 기업으로 도약할 것”이라고 말했다. 라피더스는 2022년 11월 토요타, 소니, 키오시아, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 8개 기업이 각각 10억 엔을 출자해 설립한 반도체 기업으로, 일본 정부의 적극적인 지원을 받고 있다.

2024.12.29 09:43이나리

삼성전자 메모리사업부 성과급 200% '역대 최대'

삼성전자가 메모리사업부 직원들에게 하반기 성과급으로 월 기본급의 200%를 성과급으로 지급하기로 결정했다. 이는 기존 제도상 최대한도인 100%를 크게 웃도는 수준으로 직원들에게 사기 진작 차원에서 예외 규정을 적용한 것으로 보인다. 삼성전자는 20일 사내 게시판을 통해 하반기 사업부별 '목표달성 장려금'(TAI) 지급 계획을 공지했다. TAI는 삼성의 성과급 제도 중 하나로 매년 상·하반기 한차례씩 실적을 고려해 월 기본급의 최대 100%까지 지급한다. DS(디바이스솔루션) 부문에서 메모리사업부는 최대 지급률의 2배인 200%를 받게 되며, 반도체 창립 50주년을 기념해 200만원의 특별 지원금도 추가된다. 같은 반도체 부문인 파운드리사업부와 시스템LSI사업부는 각각 기본급의 25%를 받는다. DX(디바이스경험) 부문의 경우 사업부별로 차등 지급된다. TV·모바일·의료기기·전장사업부가 75%로 가장 높고, 생활가전사업부 37.5%, 네트워크사업부가 25%다. 스마트폰을 담당하는 MX사업부는 올해 갤럭시 스마트폰의 판매 호조로 비교적 높은 성과급이 책정된 것으로 분석된다. 업계 관계자는 "DS부문 직원들의 사기 진작을 위해 파격적인 성과급을 결정한 것으로 보인다"고 설명했다. 이전에 삼성전자 DS 부문은 실적 호조로 2025년부터 2021년 상반기까지 TAI 100%를 받아왔다. 그러나 2022년 말부터 글로벌 경기침체로 인한 반도체 수요 부진으로 2022년 하반기 TAI 50%로 반토막이 났으며, 지난해 하반기에는 메모리반도체 12.5%, 파운드리·시스템LSI 0% 등으로 책정되며 업계 불황을 실감케 했다. 이는 TAI 제도 시행 후 8년 만에 역대 최저였다. 올해 상반기에는 ▲메모리 사업부 75% ▲ 파운드리 사업부 37.5% ▲ 시스템LSI 37.5% ▲ 반도체연구소 50% 등으로 책정된 바 있다.

2024.12.20 11:30이나리

美 정부 "SK하이닉스, 세계 최고 HBM 생산 업체"

미국 정부가 SK하이닉스를 세계 최고의 고대역폭메모리(HBM) 생산 업체라고 극찬했다. 외신도 SK하이닉스가 경쟁사를 앞지른다고 치켜세웠다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 차세대 AI 메모리 제품이다. 조 바이든 미국 행정부는 19일(현지시간) SK하이닉스에 4억5천800만 달러(약 6천600억원)의 보조금과 5억 달러 대출금을 제공하기로 확정 계약했다. SK하이닉스는 지난 4월 미국 인디애나주에 38억7천만 달러(약 5조6천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징(advanced packaging) 생산 기지와 연구개발(R&D) 시설을 짓겠다고 발표한 바 있다. 지나 라이몬도 미국 상무부 장관은 “SK하이닉스는 세계적인 고대역폭메모리 칩 생산 업체”라며 “SK하이닉스 덕분에 미국은 지구의 어떤 나라도 따라올 수 없는 방식으로 AI 하드웨어 공급망을 강화할 것”이라고 말했다. 그러면서 “SK하이닉스가 새로 짓는 공장에서만 일자리가 1천개, 건설 일자리도 수백개 생긴다”며 “SK하이닉스의 투자는 미국 경제와 안보를 발전시키는 데 중요한 역할을 한다”고 기대했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 “미국 정부 등과 힘을 모아 미국에서 강력한 AI 반도체 공급망을 구축하겠다”고 말했다고 상무부는 전했다. 미국 블룸버그통신은 “SK하이닉스는 인공지능 소프트웨어를 만드는 컴퓨터에 필수인 HBM 칩을 생산하는 업체”라며 “경쟁사 삼성전자를 앞질러 새로운 칩을 출시해 엔비디아의 주요 공급 업체가 됐다”고 소개했다. 이어 “SK하이닉스는 여전히 아시아에서 칩을 만든다”면서도 “칩을 장치에 연결하기 위해 감싸는 패키징 공정이라도 미국으로 확장해 입지를 다각화하려는 욕구를 나타냈다”고 평가했다. 영국 로이터통신은 “상무부는 세계 5대 반도체 제조 업체에 대규모 보조금을 주기로 했다”며 “미국 인텔과 마이크론, 대만 TSMC, SK하이닉스는 확정했지만 삼성전자만 확약하지 못했다”고 지적했다. 삼성전자는 지난 4월 상무부로부터 64억 달러(약 8조9천억원)의 보조금을 받기로 예비 계약했다. 삼성전자는 미국 텍사스주에 반도체 위탁생산(파운드리) 공장 2개와 첨단 패키징 공장, R&D 시설을 짓기로 했다. 바이든 행정부에서 제정된 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러(약 73조원)를 지원하는 내용을 담았다.

2024.12.20 10:39유혜진

현대차, '차량용 반도체' 파운드리 선정 임박…삼성 5나노 유력

현대자동차가 자율주행 차량용 반도체 개발을 위한 파운드리(위탁생산)과 디자인솔루션파트너(DSP) 업체 선정을 앞두고 있다. 이는 지난 6월 말 DSP 업체를 대상으로 입찰(비딩)을 진행한지 약 6개월 만이다. 19일 업계에 따르면 최근 현대차는 비딩에 참여한 DSP 업체들에게 차량용 반도체 개발 프로젝트 선정 결과를 이달 중 발표하겠다고 공지했다. 연말 연휴기간을 고려하면, 내년 1월 중 계약이 체결될 것으로 예상된다. 현대차가 삼성전자 파운드리 5나노(SF5A) 공정과 계약할 가능성이 유력한 것으로 전해진다. 통상적으로 DSP 업체 비딩 후 선정까지 3~4개월이 소요된다는 점을 감안하면, 현대차는 파운드리와 DSP 업체 선정에 신중을 기하고 있는 것으로 보인다. 비딩에 참여한 DSP 업체는 에이디테크놀로지, 가온칩스, 세미파이브, 코아시아 등 삼성전자 파운드리 DSP 파트너와 GUC, 에이직랜드 등 TSMC 밸류체인얼라이언스(VCA) DSP 업체들이다. 업계 관계자는 “현대차는 삼성전자와 TSMC의 첨단 공정을 두고 검토했으나, TSMC의 팹과 DSP, IP(설계자산) 가격이 삼성 보다 비싸서 개발비 부담을 가졌다”며 “결국 삼성전자와 계약하는 방향으로 기울인 것으로 보인다”고 전했다. 차량 반도체용 IP는 범용 반도체나 AI용 반도체 IP 보다 사용료가 더 비싸다. 자동차는 스마트폰, PC, 서버 시장에 비해 출하량이 적은데다 생명과 직결된 산업인 만큼 기능안전성 인증도 별도로 요구되기 때문이다. 특히 Arm의 차량용 반도체 IP의 높은 가격을 두고 현재 현대차는 Arm과 가격협상을 진행 중인 것으로 알려졌다. 차량용 반도체 하나의 개발에 필요한 Arm IP의 비용만 수십억원에 달하며, 하나의 반도체에 수십 개의 IP가 필요해 전체 개발비에서 IP가 차지하는 비중이 크다. 여기에 개발자 인건비까지 더해지면 차량용 반도체 개발은 최소 1천억원 이상의 비용이 투입되는 대형 프로젝트다. 또 개발된 반도체가 양산차에 탑재돼 출시되기까지 최소 4~5년이 소요되는 롱 텀(장기간) 프로젝트라는 점에서 개발비는 중요한 요소다. 다만, 현대차가 IP 계약 체결에 따라 TSMC 팹을 선택하거나, 삼성전자 차량용 4나노 공정을 선택할 가능성도 열려 있다. 삼성전자는 내년부터 차량용 4나노(SF4A) 공정 생산을 시작할 예정이다. 현대차의 차량용 반도체 개발 총괄은 송창현 AVP(첨단차 플랫폼) 본부장 겸 포티투닷 사장이 총괄하고 있다. 현대자동차그룹은 올해 1월 현대 기아차의 모빌리티 연구개발(R&D) 역량과 소프트웨어(SW) 기술 개발을 통합하기 위해 AVP 본부를 신설했다. 앞서 지난해 6월 현대차는 반도체 개발실을 신설하거 삼성전자 시스템LSI 사업부에서 차량용 시스템온칩(SOC) 엑시노스 오토를 연구한 김종선 상무를 영입한 바 있다.

2024.12.19 17:11이나리

"올해 반도체 시장 규모 900조원…메모리가 동력"

올해 전 세계 반도체 시장이 아시아 시장을 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라는 분석이 나왔다. 삼정KPMG는 '반도체 산업 6대 이슈 및 대응 방안' 보고서를 통해 올해 전 세계 반도체 시장이 전년 대비 19% 성장한 6천269억 달러(한화 약 900조원)에 이를 것이라고 17일 밝혔다. 보고서에 따르면 지난해 하락세를 보였던 미주와 아시아·태평양 지역의 반도체 시장이 올해부터 급격히 성장세로 전환될 것으로 예상되며, 특히 메모리 반도체가 시장 성장을 견인하는 주요 동력으로 작용하고 있다. 올해 메모리 반도체는 전년 대비 81%의 높은 성장률을 기록하며 반도체 시장의 성장을 이끌고 있으며, 내년에는 반도체 시장에서도 IC(집적회로) 중심의 확장세가 두드러질 전망이다. 한국 반도체 시장 상황 또한 긍정적이다. 지난해 한국 반도체 수출이 글로벌 공급망 불안과 최대 수출국인 중국의 경기 둔화로 인해 전년 대비 감소했지만, 올해 상반기에는 수출이 전년 동기 대비 52.2% 증가하며 반등에 성공했다. 특히 메모리 반도체 수출은 같은 기간 78.9%의 성장세를 보이며, AI(인공지능) 반도체와 같은 신성장동력을 중심으로 국내 반도체 산업의 회복이 이뤄지고 있는 것으로 분석됐다. 삼성KPMG는 보고서를 통해 "반도체 산업의 6대 주요 이슈를 제시하며, AI, 전력 반도체, 첨단 패키징 기술 등의 혁신 요소가 산업 성장을 주도할 것"이라고 밝혔다. 먼저 AI 시대 고성능 반도체의 필요성이 더욱 강조되면서, AI 반도체가 핵심 기술로 주목받고 있다. 챗GPT와 같은 생성형 AI를 운용하기 위해 대규모 데이터 처리 역량이 필수적이며, 병렬형 구조로 더 많은 데이터를 효율적으로 처리하는 GPU 기반 AI 반도체와 HBM(고대역폭메모리) 기술이 주목받고 있다. 특히 HBM은 적층 기술을 활용하여 메모리 반도체 분야에서 핵심 기술로 자리 잡았으며, 국내 메모리 반도체 기업들은 AI 가속기(AI Accelerator)와 결합된 HBM 제품 개발에 집중하고 있다. 데이터센터와 전기차 등 고전력 소비시설의 증가로 인해 전력 반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. 전력 반도체는 전력 흐름을 효율적으로 관리하며, 에너지 소비를 최적화하는 데 핵심적인 역할을 한다. 기존 실리콘(Si) 소재에서 SiC(실리콘 카바이드)와 GaN(질화갈륨)으로의 전환이 가속화되고 있으며, 이러한 소재 혁신은 전력 손실을 줄이고 고전력 처리 성능을 높이는 데 기여하고 있다. 반도체의 고성능화와 소형화에 대한 수요가 증가하면서 첨단 패키징 기술이 필수적인 요소로 자리 잡았다. 과거와 같이 적층 기술을 통해 생산성 향상을 지속 추구하는 동시에, 현재 각 산업의 요구에 맞춘 맞춤형 패키징 기술을 더해 경쟁력을 확보하고 있다. 효율적인 열 관리와 생산 비용 절감이 중요한 과제로 떠오르며, 기업들은 첨단 패키징 기술 개발에 대규모 투자를 진행 중이다. AI와 고성능 컴퓨팅 애플리케이션 수요가 증가하면서 팹리스(Fabless) 시장도 급격히 변화하고 있다. 국내외 AI 반도체 특화 팹리스 스타트업에 대한 투자가 지속적으로 확대되고 있으며, 빅테크 기업 등 비(非)반도체 기업의 반도체 시장 진출도 가속화되고 있다. 이러한 변화로 반도체 전문 인력 확보 경쟁이 심화되며, 효과적인 인재 유치와 육성을 위한 기업의 전략이 강화되고 있다. 미중 갈등 심화와 보호무역주의 강화로 인해 글로벌 반도체 공급망의 불확실성이 확대되고 있다. 특히 고강도 보호무역주의를 예고한 미국 트럼프 대통령의 재선으로, AI 등 첨단 기술의 핵심인 반도체를 둘러싼 미국의 자국 중심 정책 강화 및 대중국 반도체 규제 범위 및 수준이 확대될 것으로 예상된다. 미국의 대중 규제 동참 압박 등으로 국내 반도체 전후방 산업에 걸쳐 일부 시장 기회 축소 및 불확실성 확대가 우려되나, 새로운 공급망 형성과 시장 재편 과정에서 반사이익을 얻을 가능성 또한 기대된다. 글로벌 반도체 시장에서는 AI 시대의 데이터 수요 증가에 대응하기 위해 AI 반도체, 전력 반도체, 첨단 패키징 분야에서 대규모 M&A(인수∙합병)이 활발히 진행되고 있다. 국내에서도 AI 반도체 스타트업 딥엑스, 퓨리오사AI, 모빌린트 등이 주목받고 있으며, 차세대 메모리 기술인 CXL(Compute Express Link) 전문 IP(지식재산권) 스타트업 파네시아도 국내외 투자를 유치하며 성장하고 있다. 이는 반도체 후공정 밸류체인 강화와 산업 경쟁력 제고로 이어질 전망이다. 염승훈 삼정KPMG 테크놀로지 산업리더 겸 부대표는 "다양한 산업 내 AI 기술의 적용이 본격화되며, 확대되고 있는 첨단 반도체 수요에 빠르게 대응하기 위해 기업 간 파트너십 및 투자 활용 전략을 적극 검토해야 한다”며 “첨단 반도체 기술 역량 강화 및 반도체 전 밸류체인에 걸친 글로벌 경쟁력 강화를 위한 중·장기적인 스케일의 투자 지원책이 마련돼야 한다”고 강조했다.

2024.12.17 13:45장경윤

지금 위기인데...'반도체법' 골든타임 또 놓쳤다

"국가 패권 전쟁의 최전선에서 우리는 무기 없이 홀로 싸우고 있습니다." 최근 만난 반도체 업계 관계자의 한숨 섞인 목소리가 여전히 귓가에 맴돈다. 반도체 업계가 숙원하던 'K칩스법(조세특례제한법 개정안)'이 또 다시 물거품이 됐다. 윤석열 대통령의 비상계엄 여파와 탄핵 정국으로 국회의 행정이 거의 올스톱됐기 때문이다. 정치권에서 탄핵에 관심이 쏠리면서 반도체법에 대한 관심이 뒷전으로 밀려났다. K칩스법은 현재 15%인 반도체 투자세액공제율을 20%로 높이고, 연구개발(R&D) 시설투자 세액공제율도 지금보다 높이는 내용이다. 여야와 기획재정부까지 합의했던 법안으로 업계에서 기대가 컸으나, 야당이 탄핵정국을 이유로 태도를 바꾸면서 지난 10일 본회의에서 무산됐다. 결국 올해 말까지 적용되는 기존 세액공제율 15%를 3년 연장하는 내용만 통과해 '반쪽짜리' 법안이 된 것이다. 반도체 R&D 종사자의 주 52시간 근로 규제 완화와 직접 보조금 방안이 포함된 '반도체 특별법'은 산업통상자원중소벤처기업위원회(산중위)에서 심사할 예정이었으나, 이 또한 계엄 여파로 표류 중이다. 지난 9일 대만 파운드리 업체 TSMC 창업자 모리스 창 회장이 외신과 인터뷰에서 삼성전자 위기의 원인을 "한국의 정치적 불안과 기술 문제 때문"이라고 짚을 정도다. 전세계는 지금 반도체 전쟁 중이다. 미국은 반도체지원법(CHIPS Act)으로 520억 달러를 쏟아붓고, 유럽연합은 430억 유로를 투자한다고 선언했다. 중국도 1조 위안 규모 반도체 펀드를 조성했다. 일본은 자국 기업 라피더스에 2조엔 보조금을 주고, TSMC의 일본 팹 건설비용 50%를 지원하며 파격적인 세액공제뿐 아니라 직접 보조금을 주고 있다. 그야말로 주요 선진 국가들이 반도체 강국으로 도약하기 위해 몸부림 치고 있다. 우리나라는 어떠한가. "기업이 알아서 하겠지"라는 안일한 태도로 강 건너 불구경 하는 듯 일관하고 있다. 소액의 세액만 공제해 줄 뿐이다. 대한민국 수출의 20%를 차지하는 반도체 산업의 위기는 곧 국가경제 위기와 직결된다. 하지만 최근 메모리 반도체는 중국의 맹추격으로 위협을 받고 있으며, 시스템반도체 분야에서는 여전히 3~4%대의 저조한 점유율에 머물러 있다. 파운드리 시장에서 삼성전자는 3분기 점유율이 10% 아래로 떨어지면서 대만의 TSMC와 경쟁자라고 말하기도 민망스러울 정도다. 미국 또한 자국 기업 인텔을 살리기 위해 보조금과 세제혜택으로 대놓고 도와주고 있는 마당에 우리나라도 기업을 적극 지원해줘야 하지 않을까. 일각에서 K칩스법이 특정 기업에게 주는 특혜라고 반대의 목소리를 낸다. 자본력이 있는 삼성전자, SK하이닉스에게 국가가 왜 지원해주냐는 논리다. 하지만 이는 편협한 근시안적인 시각이다. 삼성전자와 관련된 국내 1차 협력사는 700여곳에 달한다. 3차까지 합하면 2000여 곳이 이 반도체 생태계 안에 있다. 삼성전자 국내 직원수와 협력사 직원수만 합해도 65만명에 이른다. 이들과 생계를 같이 하는 가족수만 수백만에 달할 것이다. 삼성전자가 어려워져 투자를 줄이면, 우리나라 중소·중견 기업까지 영향을 받게 되는 구조다. 실제로 삼성전자는 최근 낸드, 파운드리 사업에서 수주 물량이 줄자 시설투자를 대폭 줄였다. 삼성전자를 비롯한 국내 소부장 업체들이 작금의 위기를 극복하려면 R&D에 몰입하고 기술 투자를 더 강화해야 한다. 용인 반도체 클러스터 투자가 예정된 상황에서 국가적 차원의 지원과 제도적 뒷받침이 절실하다. K칩스법 무산은 단순한 법안 하나의 실패가 아니라 대한민국 반도체 산업의 미래가 걸린 골든타임을 놓치는 순간이다.

2024.12.13 08:35이나리

화웨이 최신 폰 뜯어봤더니...구식 7나노 칩 탑재

중국 통신장비 업체 화웨이테크놀로지가 자체 반도체 기술을 발전시키는 데 한계를 겪는다고 미국 블룸버그통신이 11일(현지시간) 보도했다. 지난달 말 선보인 고사양 스마트폰 '메이트70'에 구식 칩이 들어가서다. 블룸버그에 따르면 캐나다 시장조사업체 테크인사이츠 연구원이 분해했더니 '메이트70프로플러스'에 들어간 프로세서는 화웨이가 지난해 '메이트60프로'에 썼듯 회로 선폭 7나노미터(1㎚=10억분의 1m) 기술로 제작된 것으로 나타났다. 블룸버그는 화웨이가 설계한 이 '기린9020' 칩을 중국 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 중신궈지(SMIC)가 생산했다고 전했다. 다만 화웨이는 칩에 대한 세부 정보를 공개하지 않았다. 화웨이가 올해 5나노 기술로 진보할 것이라는 기대를 충족하지 못했다고 블룸버그는 지적했다. 지난해에는 화웨이가 메이트60프로를 공개해 미국 기술 산업계가 놀랐다고 덧붙였다. 테크인사이츠는 화웨이 기술이 세계 1위 반도체 파운드리 기업 대만 TSMC에 5년 뒤진다고 평가했다. TSMC는 2018년 7나노 칩을 처음 출시했다. 현재 화웨이 칩 기술은 5년 전 TSMC가 네덜란드 반도체 장비 회사 ASML의 극자외선(EUV) 생산 기술을 처음 사용했을 때보다 좋지 않다는 지적이다. 알렉산드라 노구에라 테크인사이츠 연구원은 “2019년 TSMC가 7나노 EUV 기술로 설계한 프로세서보다 화웨이 칩이 더 느리고, 더 많은 전력을 쓰며, 수율이 낮을 것”이라고 말했다. 화웨이와 SMIC는 중국 첨단 산업의 가장 큰 희망이지만 TSMC와 삼성전자가 내년 2나노 기술로 양산하면 더 뒤처질 것이라고 블룸버그는 내다봤다. 그러면서 가장 진보된 칩은 애플 '아이폰'과 엔비디아 인공지능(AI) 칩에 쓰인다고 언급했다.

2024.12.12 15:53유혜진

세메스, 심상필 대표 취임...삼성 파운드리 부사장 출신

반도체 장비업체인 세메스는 심상필 (前)삼성전자 부사장이 제11대 신임 대표이사로 취임했다고 12일 밝혔다. 세메스의 대표이사 교체는 3년 만이다. 신임 심상필 대표이사는 1988년 삼성전자로 입사해 반도체연구소(상무), 미국 SAS 법인(전무), 파운드리 제조기술센터장(부사장), 파운드리 코퍼레이트 플레닝(Corporate Planning) 실장을 역임한 반도체 전문가다. 심상필 대표는 1965년생으로 서울대 전기전자공학(학사)을 졸업한 후 한국과학기술원(카이스트) 전기전자공학 석사와 박사 과정을 마쳤다. 세메스는 삼성전자 자회사로 반도체 장비 제조를 담당한다. 주요 제품은 세정, 포토, 에치 등의 반도체 장비, 웨이퍼 이송장치(OHT) 등이다. 최근에는 HBM 생산에 사용되는 TC 본더 장비, 플라즈마 타입의 반도체 건식 세정장비 '퓨리타스(PURITAS)' 등을 양산하고 있으며, HBM4용 하이브리드 본더 장비도 개발 중이다. 주요 고객사는 삼성전자·삼성디스플레이 등 삼성 계열사들이다.

2024.12.12 11:16이나리

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

TSMC 창업자 "삼성전자, 韓 정치 혼란과 기술 문제로 어려움 겪어"

대만 파운드리 업체 TSMC 창업자 모리스 창(Morris Chang) 회장이 "삼성전자가 어려움을 겪는 이유는 한국의 혼란스러운 정치 상황과 기술적 문제 때문이다"고 진단했다. 10일 대만 공상시보 보도에 따르면 창 창업자는 전날 열린 자서전 기념 기자간담회에서 삼성전자의 현재 상황에 대한 질문에 이 같이 답했다. 창 창업자는 "한국의 혼란스러운 상황이 회사 경영에 역풍이 될 것"이라고 말했다. 지난 3월 윤석열 대통령의 비상계엄 선포 사태와 그에 따른 정국 혼란이 기업 경영에 악영향을 미칠 수 있다고 관측한 것이다. 이어 "삼성이 전략적 문제가 아닌 기술적으로 문제가 있다"고 말했다. 삼성이 TSMC와의 경쟁에 앞서기 위해 2022년 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하고 선도적으로 최신 기술인 게이트 올어라운드(GAA)를 도입했지만, 수율에서 어려움을 겪고 있는 점을 지적한 것이다. 창 창업자는 인텔의 문제점에 대해서도 언급했다. 그는 "인텔이 이사회 차원의 핵심 사업 전략을 수립하지 않으면 4년 전과 같은 곤경에 처할 것"이라고 경고했다. 인텔은 지난주 팻 겔싱어 CEO의 전격 사임을 발표했다. 겔싱어 전 CEO는 약 4년간의 재임 기간 동안 인텔의 과거 영광 재현을 시도했으나 끝내 성과를 거두지 못하고 물러나게 됐다. 창 창업자는 "인텔이 4년 전 회사를 구할 수 있는 전략을 이사회에 제시할 수 있는 새로운 CEO를 찾고 있을 때 겔싱어를 영입했다"며 "당시 그의 뛰어난 언변이 인텔의 새 수장이 되는데 주효했다"고 설명했다. 창 창업자에 따르면, 겔싱어의 전략과 포부는 인텔의 과거 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 재개해 자체 설계와 생산을 모두 수행하는 것이었다. 그러나 현재 인텔은 CEO도, 전략도 없는 4년 전과 같은 어려운 상황에 직면해 있다고 지적했다. 특히 창 창업자는 인텔의 실패 원인에 대해 "AI 붐의 기회를 놓친 것"이라고 분석했다. 인텔은 엔비디아 GPU에 대응하기 위해 뒤늦게 '가우디' GPU를 선보였지만, AI 시장에서 성과를 내지 못하고 있다. 그는 "겔싱어가 AI 칩 개발에 대해서도 언급했지만, 파운드리 사업을 AI보다 선호한 것으로 보인다"고 평가했다. 한편, 모리스 창 창업자(1931년생)는 미국 반도체 기업 텍사스인스트루먼츠(TI)에서 수십 년간 근무하며 반도체 기술 개발을 선도했고, 1987년 대만 정부의 지원을 받아 최초의 파운드리 전문 업체 TSMC를 설립했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 1위, 삼성전자는 9.3%로 2위를 기록하며 양사의 점유율 격차는 더 벌어졌다.

2024.12.10 17:37이나리

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

3Q 파운드리 삼성전자 점유율 한자릿수...TSMC와 격차 더 벌어져

세계 3분기 파운드리 시장에서 1위 TSMC와 2위 삼성전자간 점유율 격차가 더 벌어졌다. TSMC는 65%에 육박하는 점유율을 차지한 반면 삼성전자는 처음으로 한 자릿 수로 떨어졌다. 또한 삼성전자는 상위 10대 업체 중에서 유일하게 매출이 감소하면서 파운드리 사업에 대한 우려가 커졌다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 전분기(62.3%) 보다 2.6%P(포인트) 늘었다. TSMC 3분기 매출은 235억2천700만 달러(33조3천200억원)으로 전분기보다 13% 증가했다. 삼성전자 3분기 매출은 33억5700만 달러(4조7500억원)로 전분기 보다 12.4% 줄었다. 이로써 삼성전자 3분기 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 보다 2.2%p 감소했다. TSMC와 삼성전자간 점유율 격차는 55.6%P에 달한다. 양사의 점유율은 매분기 격차가 더 벌어지고 있는 상황이다. 지난해 3분기 45.5%P에서 4분기에 49.9%P로 벌어졌고, 올해 1분기 50.7%P, 2분기 50.8%P 격차를 보였다. 트렌드포스는 “스마트폰 관련 주문 확보 등 일부 성과에도 불구하고, 주요 첨단 공정 고객사의 주문 주기가 종료에 가까워지면서 신규 매출 창출에 제한이 있었다”라며 “또한, 성숙 공정에서 중국 업체들과 경쟁이 심화되면서 가격 인하 압박을 받았다”고 분석했다. 그 밖에 파운드리 시장에서 3위 SMIC(6%), 4위 UMC(5.2%), 5위 글로벌파운드리(4.8%), 6위 화홍그룹(2.2%) 순으로 차지했다. 3분기 파운드리 상위 10개 기업의 매출은 전분기 보다 9.1% 증가하며 349억 달러를 기록했다. 이는 고가의 3나노 공정이 매출 증가에 기여하면서 팬데믹 기간에 세운 기록을 깼다. 트렌드포스는 4분기에도 3, 4, 5나노 공정이 주요 매출 성장을 이끌 것으로 내다봤다. AI와 플래그십 스마트폰, PC 프로세서 수요가 연말까지 지속되고, CoWoS 고급 패키징이 계속해서 공급 부족에 직면할 것으로 예상했다. 반면 28나노 이상의 성숙 공정은 수요가 감소세다. TV SoC, LDDI, 패널 관련 PMIC 등의 재고가 늘어나면서 내년 1분기 수요가 더욱 악화될 가능성이 높다고 전망했다.

2024.12.06 17:27이나리

50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

삼성 파운드리, 美 팹리스 공략 시동…현지서 첫 '커넥트' 행사

삼성전자 파운드리 사업부와 핵심 파트너사들이 최근 미국에서 현지 고객사와의 접점을 확대하기 위한 행사를 진행한 것으로 확인됐다. 삼성전자가 이 같은 행사를 진행한 것은 이번이 처음이다. 첨단 파운드리 사업 확장에 난항을 겪는 가운데, 잠재 고객사가 밀집한 미국 시장 공략을 가속화하기 위한 전략으로 풀이된다. 실제로 삼성전자는 지난달 인사를 통해 미국 사업을 총괄하던 한진만 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시킨 바 있다. 6일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 이번 주 미국에서 'DSP(디자인솔루션파트너) 커넥트' 행사를 진행했다. DSP는 삼성전자의 공식 파트너 디자인하우스 기업을 뜻한다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스 사이에서 반도체 설계, 공정 최적화 등을 돕는 역할을 맡고 있다. 미국 산호세에 위치한 삼성 파운드리 미국법인에서 개최된 이번 DSP 커넥트는 삼성 파운드리의 잠재 고객사와 DSP간 접점을 확대하기 위해 마련됐다. 삼성 파운드리를 비롯해 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아세미 등 국내 디자인하우스 주요 인사들이 대거 참여한 것으로 알려졌다. 각 DSP는 프레젠테이션 발표 및 행사장 내 부스를 통해 현지 팹리스와 접촉했다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 미국 파운드리 사업을 본격적으로 추진하기 위해 이번 행사를 처음 기획한 것으로 알고 있다"며 "미국 팹리스 시장 규모가 크고, 삼성전자도 현지에 파운드리 공장을 건설하고 있는 만큼 삼성 측에서도 행사에 상당히 힘을 준 분위기"라고 설명했다. 이와 관련 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서도 파운드리 사업 강화를 위한 인적 쇄신을 단행한 바 있다. 삼성전자는 이번 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 현지 고객사와의 파트너십 확대, R&D 센터 설립 등을 주도해 왔다. 또한 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하는 등 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다. 남 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 것으로 알려져 있다. 현재 삼성전자는 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 대비 2.2%p 하락했다. 매출액도 전분기 38억3천300만 달러(한화 약 5조4천억원)에서 3분기 33억5천700만 달러(한화 약 4조7천억원)로 줄었다. 당초 예상보다 4나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서 고객사 확보가 부족했고, 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)인 '엑시노스 2500' 양산도 수율 문제로 차질을 겪은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 미국 테일러시에 건설 중인 파운드리 팹도 설비투자 계획이 지속 연기되는 추세다.

2024.12.06 10:51장경윤

아이에스티이, HBM 이어 PECVD 시장 진출…"SK하이닉스 등 공급"

"아이에스티이는 차별화된 기술력을 토대로 HBM용 풉 클리너를 국내 최초로 상용화하는 등 성과를 거두고 있다. 신규 장비인 PECVD 장비도 내년 SK하이닉스 메모리 공정에 공급할 예정이다. 현재 품질 테스트에서 유일하게 고객사의 요구치를 달성했다." 조창현 아이에스티이 대표는 5일 서울 여의도에서 기업공개(IPO) 기자간담회를 열고 코스닥 상장 후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 풉(FOUP) 클리너(세정장비) 개발에 성공, 삼성전자와 SK하이닉스, SK실트론 등 주요 고객사에 제품을 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다. 기존 풉 세정 장비는 커버와 바디를 한번에 세정하고 건조시키는 방식을 채용해 왔다. 반면 아이에스티이는 분리 세정이 가능한 장비를 자체 개발해, 세정력과 건조 효율성, 생산 효율성을 모두 높였다. 또한 아이에스티이는 첨단 패키징 시장에서도 성과를 거두고 있다. 올해에는 국내 최초로 HBM(고대역폭메모리)용 400mm 풉 클리너 장비 개발에 성공했다. 해당 장비는 SK하이닉스에 공급 완료했으며, 삼성전자와도 공급을 논의 중이다. PLP(패널레벨패키징)용 600mm 풉 클리너는 세계 최초로 개발 완료했다. 해당 장비는 삼성전기, 네패스 등에 공급을 완료했다. 조창현 대표는 "성능과 가격 경쟁력을 기반으로 글로벌 풉 세정장비 시장 점유율을 2022년 14%에서 2030년 40%로 끌어올리는 것이 목표"라며 "이를 위해 해외 주요 반도체 기업 및 연구기관을 고객사로 적극 확보하고 있다"고 설명했다. 이외에도 아이에스티이는 차세대 반도체 공정용 장비인 PECVD(플라즈마화학기상증착) 장비 연구개발을 통해 신규 사업을 추진하고 있다. 증착이란 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정이다. 아이에스티이는 지난 2021년 절연막의 일종인 'SiCN' PECVD 장비를 국내 최초로 국산화해, SK하이닉스와의 퀄(품질) 테스트를 진행했다. 테스트 통과 후 현재는 본격적인 양산 검증을 거치고 있어, 내년 공급이 기대된다. 조창현 대표는 "SK하이닉스의 D램용 SiCN PECVD 장비 국산화를 위해 당사를 포함해 3개 업체가 경쟁했으나, 최종적으로는 아이에스티이만이 요구 성능을 충족해 공급사로 단독 선정됐다"며 "향후 HBM의 적층 수가 늘어나고, 하이브리드 본딩과 같은 신기술이 도입되면 패키징에서도 SiCN PECVD 수요가 증가하기 때문에 매우 유망한 사업 분야"라고 강조했다. 한편 아이에스티이는 상장을 통해 확보한 공모자금을 생산능력 확장을 위한 신규 공장 부지 취득과 PECVD장비 개발 및 사업화를 위한 운영 자금, 채무 상환 등에 활용할 예정이다. 아이에스티이의 총 공모 주식수는 160만주로, 1주당 공모 희망가액은 9천700원~1만1천400원, 총 공모금액은 155억원~182억원이다. 12월 2일부터 12월 6일까지 기관 수요예측을 진행해 공모가를 확정한 뒤, 12월 10일과 11일 이틀 동안 일반 투자자들을 대상으로 청약을 진행해 12월 20일 코스닥 시장에 입성할 예정이다. 주관사는 KB증권이다.

2024.12.05 14:36장경윤

삼성전자 조직개편 마무리…사업 효율성·AI 역량 강화

삼성전자가 연말 조직개편을 통해 사업 운영의 효율성을 강화한다. 기존 분산된 인공지능(AI) 관련 조직을 모아 센터를 신설하고, 메모리 및 파운드리 사업부의 각 특성에 맞춰 조직을 세분화했다. 최근 정기 임원인사를 통해 공석이 됐던 주요 직책들도 후속 인사를 마무리했다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 후속 임원인사와 조직개편안을 확정하고 구성원을 대상으로 설명회를 진행했다. 삼성전자는 이번 조직개편을 통해 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문 내에 AI 센터를 신설했다. 기존 DS 부문에서 자율 생산 체계, AI 및 데이터 활용 등을 담당하던 조직을 단일 센터로 통합해 만들었다. AI 센터의 신임 센터장으로는 송용호 메모리사업부 솔루션개발실장 부사장이 임명됐다. 또한 삼성전자는 기존 DS부문의 제조&기술담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부 전담 조직으로 각각 나눴다. 메모리와 파운드리의 공정 성격이 상이한 만큼, 각 사업부의 역량을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 메모리 제조&기술담당은 기존 통합된 제조&기술담당 조직에서 메모리제조센터기술장을 맡았던 신경섭 부사장이 이끌 예정이다. 파운드리 제조&기술담당의 장은 통합 조직에서 파운드리제조기술센터장을 역임한 홍영기 부사장이 내정됐다. 한진만 DS부문 파운드리사업부장 사장이 맡았던 미주총괄(DSA) 직책은 조상연 부사장이 담당한다. 조 부사장은 DSA 담당 임원으로, 1999년 삼성전자에 엔지니어로 입사해 2004년 피츠버그대 컴퓨터공학과 교수로 자리를 옮겼다. 이후 2012년 다시 삼성전자에 합류한 바 있다. DX부문 경영지원실 지원팀장을 맡고 있는 박순철 부사장은 박학규 사업지원TF 사장이 맡던 DX부문 경영지원실장을 맡게 됐다. 박 부사장은 삼성전자 미래전략실 출신으로, 네트워크 사업부, MX(모바일경험) 사업부와 사업지원TF를 두루 거쳤다. 지금까지 삼성전자의 CFO 자리는 미래전략실 출신 재무통 임원이 맡아왔다. 한편 연말 인사와 조직개편을 마무리한 삼성전자는 이달 중순부터 글로벌 전략회의에 돌입할 예정이다.

2024.12.04 17:14장경윤

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