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'삼성 파운드리'통합검색 결과 입니다. (140건)

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대만 UMC·뱅가드 칩 가격 인상…'탈중국' 공급망 재편 영향

반도체 공급망에서 중국과 비(non)-중국 디커플링 효과가 정점을 찍으면서, UMC와 뱅가드 등 대만의 티어-2 파운드리 업체가 칩 가격을 높일 수 있었다는 평가가 나왔다. 수년간 공급망이 재편되면서 가격 메리트 이점이 줄었기 때문이다. TSMC가 선단 공정에 집중하는 것도 이들 티어-2 파운드리 업체에 긍정적으로 작용했다. 노무라증권은 지난 15일 '대만 티어-2 파운드리 업체: 가격 인상 현실화' 보고서에서 UMC와 뱅가드가 칩 가격을 인상할 계획이고, 팹 가동률도 높아졌다며 이처럼 분석했다. 한 대만 언론은 뱅가드가 4월부터 모든 플랫폼 파운드리 가격을 10% 인상할 계획이라고 보도했다. UMC는 하반기 파운드리 가격을 조정할 것이라고 고객사에 통지했다. 모두 원가 상승분 전가와 빡빡한 공장 가동률 등이 원인이다. 노무라증권은 두 업체 칩 가격 인상 배경 중 하나로 '공급망 디커플링 영향 감소(피크아웃)'를 꼽았다. 지난 2~3년간 중국 파운드리로 물량을 옮기려던 업체들의 이동이 사실상 끝나면서, UMC와 뱅가드 입장에서 고객 이탈 우려가 줄었다. 지정학 위험에 따른 공급망 다변화가 중요해지면서 생산의 유연한 이동이 감소했고, 가격 인하 메리트도 예전만 못하다. 대만 파운드리 업체가 중국 경쟁사의 치킨 게임에 동조할 이유도 줄었다. TSMC 전략 변화도 중요하다. TSMC가 2028년 이후 가동할 차세대 팹 준비와 선단 공정 최적화에 역량을 집중하면서 성숙 공정이 우선순위에서 밀려났다. 노무라증권은 뱅가드의 가격 인상 근거로 르네사스의 인공지능(AI) 서버용 전력관리반도체(PMIC) 위탁생산 물량 증가와 퀄컴 내 점유율 확대 등을 꼽았다. 180나노미터 이하 공정 제품은 생산 즉시 출고하는 수급 흐름을 보이고 있다. 1분기 뱅가드의 팹 가동률은 80~85%까지 상승한 것으로 추산됐다. UMC의 1분기 8인치와 12인치 팹 가동률은 각각 70%, 80%로 추산됐다. 2분기 이후 8인치와 12인치 팹 모두 80%를 돌파할 것으로 전망됐다. 노무라증권은 UMC 매출 20%를 차지하는 종합반도체업체(IDM)의 아날로그·혼성신호 칩 수요가 실적을 견인 중이라고 분석했다. 또, 올해 애플 기기 판매 호조도 UMC 팹 가동률 상승에 기여하고 있다. 노바텍과 삼성전자 시스템LSI가 설계하는 애플 제품용 유기발광다이오드(OLED) 구동칩(DDI), 그리고 삼성전자 시스템LSI의 이미지신호프로세서(ISP) 물량이 대표적이다. 이들 제품은 주로 22·28나노 공정에서 만든다. 노무라증권은 UMC의 2분기 매출이 전 분기보다 7~9% 증가하며 시장 컨센서스(2%)를 크게 웃돌 것으로 전망했다. 뱅가드는 가격 인상 효과가 본격 반영되면서 2분기 매출이 같은 기간 15% 이상 성장할 것으로 예상됐다. 마찬가지로 시장 컨센서스(6%)를 크게 상회한다.

2026.04.18 16:28이기종 기자

'첨단 패키징' 역량 키우는 삼성 파운드리 생태계…2.5D 공정서 성과

삼성전자 디자인솔루션파트너(DSP) 기업 가온칩스가 최첨단 패키징 기술인 2.5D 기반 칩 샘플을 만들었다. 해당 샘플은 단일 주문형반도체(ASIC)와 4개의 고대역폭메모리(HBM)을 집적한 구조로 돼 있다. DSP는 삼성 파운드리와 팹리스 고객사를 이어주는 '가교' 역할을 담당한다. DSP 기업들이 최첨단 패키징 기술을 고도화하면, 삼성 파운드리도 고객사 저변을 확대할 수 있다. 18일 가온칩스에 따르면 이 회사는 최근 2.5D 패키징을 활용한 고성능 인공지능(AI) 반도체 칩 샘플을 제작했다. 2.5D 패키징은 반도체와 기판 사이에 '인터포저(Interposer)'라는 얇은 막을 삽입하는 기술이다. 기판만 사용하는 기존 패키징 대비 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있어, 고성능컴퓨팅(HPC) 분야에서 수요가 증가하고 있다. 2.5D 패키징은 삼성전자·SK하이닉스 등이 주도하는 HBM과 관련이 깊다. 현재 엔비디아·AMD·구글 등 빅테크 기업들은 시스템반도체와 HBM을 단일 패키지에 집적하기 위해 2.5D 패키징 기술을 활용하고 있다. 가온칩스는 실리콘 인터포저 위에 단일 시스템반도체와 4개의 HBM을 집적해, 2.5D 패키징을 구현했다. 칩의 실제 작동성과 안정성 여부를 판별하기 위한 테스트 샘플(DCTV:Daisy Chain Test Vehicle) 제조에 성공했다. 가온칩스는 다음 단계 샘플도 만들고 있다. 오는 6~7월께 2.5D 패키징 상용화 준비를 마치는 것이 목표다. 가온칩스의 이번 성과는 삼성 파운드리 생태계 측면에서도 의미가 크다. 가온칩스는 삼성전자의 주요 DSP 기업 중 하나로, 삼성 파운드리와 팹리스 간 칩 개발과 양산을 돕는다. DSP 기업은 고객사의 고성능 반도체 양산을 수주하기 위해 최첨단 패키징 기술을 선제 확보해야 한다. 이번 2.5D 패키징 기술 개발도 삼성 파운드리와 협력으로 이뤄졌다. 현재 삼성전자는 '큐브(Cube)'라는 자체 브랜드명으로 2.5D 패키징 기술을 개발 중이다. 또 다른 삼성 DSP인 에이디테크놀로지, 세미파이브 등도 최첨단 패키징 역량 확보에 열중하고 있다. 에이디테크놀로지는 2나노 공정과 Arm의 '네오버스(Neoverse) V3' 아키텍처를 결합하고, 2.5D 패키징을 지원하는 차세대 중앙처리장치(CPU) 플랫폼 'ADP 620'을 개발하고 있다. 세미파이브는 반도체를 수직 적층하는 '3D IC' 플랫폼을 개발 중이다.

2026.04.18 08:00장경윤 기자

인텔, 삼성 파운드리 30년 재직한 한승훈 부사장 영입

인텔이 16일(현지시간) 삼성전자 파운드리 출신 인사를 영입했다. 파운드리 부문 외부 고객사 확대 등을 노린 행보로 보인다. 나가 찬드라세카란 인텔 파운드리 제조 및 공급망 부문 최고 글로벌운영책임자(COO)는 16일 링크드인에 "인텔 파운드리가 강력한 고객 중심 전략을 실행하는 과정의 일환으로 경영진에 한승훈 부사장 겸 총괄을 영입하게 돼 기쁘다"고 설명했다. 한승훈 부사장은 1984년 고려대학교 금속공학과(현 신소재공학부) 학사, 1991년 미국 아이오와 주립대학교에서 재료공학 석사, 1995년 박사 과정을 마치고 1996년 전자에 입사했다. 2021년까지 삼성전자 파운드리 사업부 내 마케팅팀 전무로 매 분기 실적발표 후 컨퍼런스 콜 등에서 업황과 전략 등을 소개했다. 이후 최근까지 미국 새너제이에서 삼성전자 파운드리 세일즈 부문을 담당했다. 나가 찬드라세카란 COO는 "한승훈 부사장은 1996년부터 다양한 공정 개발에 관여하는 등 30년간 반도체 업계에서 얻은 귀중한 경험을 인텔 파운드리에 가져올 것"이라고 설명했다. 한승훈 부사장은 5월부터 인텔 파운드리 마케팅 부문을 맡으며 나가 찬드라세카란 COO에 직접 보고 예정이다.

2026.04.17 10:26권봉석 기자

테슬라 "AI6는 삼성, AI6.5는 TSMC"...차세대 2나노 칩도 이원화

테슬라의 자체 인공지능(AI) 반도체 양산 로드맵이 구체화되고 있다. 최근 2나노미터(nm) 공정 기반의 'AI5' 설계를 완료한 데 이어, 차세대 칩인 'AI6' 및 '도조(Dojo) 3'도 한창 개발 중이다. 주요 파운드리 기업인 삼성전자와 TSMC가 모두 수혜를 입을 전망이다. 당초 테슬라는 AI6 칩 제조 기업으로 삼성전자만 거론한 바 있다. 그러나 테슬라는 AI6의 업그레이드 버전인 'AI6.5'를 추가하고, 이를 TSMC에서 위탁생산하기로 했다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 16일 X(구 트위터)에 이 같은 내용의 자체 AI 반도체 개발 현황을 공개했다. 일론 머스크 CEO는 "회사 칩 설계 팀의 AI5의 테이프-아웃(칩 설계를 완료하고, 도면을 파운드리 회사에 이관하는 과정) 달성을 축하한다"며 "AI6, 도조3, 기타 흥미로운 칩들도 작업 중"이라고 밝혔다. AI5는 테슬라가 자사 자율주행, 휴머노이드 로봇 등에 활용하기 위해 자체 설계한 AI 반도체다. 최첨단 파운드리 공정인 2나노 공정을 채택했다. 머스크 CEO는 "이 칩 생산을 지원한 TSMC와 삼성전자에 감사한다"며 "역사상 가장 많이 생산된 AI칩 중 하나가 될 것"이라고 말하기도 했다. 차세대 칩 정보도 구체화됐다. 현재 테슬라는 AI5의 다음 버전인 AI6와, AI6를 패키징 공정에서 수십 개 집적하는 슈퍼 칩 도조3도 개발하고 있다. 핵심은 공급망 변동이다. 앞서 테슬라는 지난해 8월 삼성전자와 22조7600억원 규모 반도체 위탁생산 계약을 체결한 바 있다. 당시 머스크 CEO는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념할 것"이라고 강조했다. 이에 업계는 AI5를 삼성전자와 TSMC가 양산하고, AI6를 삼성전자가 독점 양산할 것이라는 관측을 내놓았다. 그러나 머스크 CEO는 16일 추가 설명을 통해 "AI6는 텍사스의 삼성 2나노 팹을 사용해 AI5 대비 동일한 칩 사이즈에서 2배 성능 향상을 제공할 것"이라며 "AI6.5는 애리조나의 TSMC 2나노 공정을 사용해 성능을 더욱 높일 것"이라고 밝혔다. AI6 외에도 업그레이드 버전인 AI6.5 칩이 개발되고 있고, 이를 TSMC에 양산 의뢰한다는 사실을 공개한 것은 이번이 처음이다. 이로써 AI5와 AI6 칩 모두 삼성전자와 TSMC로 공급망을 이원화화게 됐다.

2026.04.16 07:55장경윤 기자

삼성 파운드리, 2나노 발열·면적 효율 동시에 잡았다

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 등 최선단 극미세 공정의 최대 난제인 발열과 면적 효율을 동시에 해결할 새로운 온도 센서 설계자산(IP)을 내놓으며 초격차 경쟁력 확보에 나섰다. 6일 ISSCC 2026 발표 자료에 따르면 삼성전자는 기존 칩 하단(FEoL)에 위치했던 온도 센서를 상단 배선층(BEoL)으로 끌어올리는 기술을 개발했다. 이를 통해 칩 내부 공간 낭비를 줄일 수 있을 것으로 관측된다. 한계 부딪힌 미세공정, '상단 배치(BEoL)'로 공간 확보 반도체 공정이 미세화될수록 칩 내부의 열밀도는 급격히 상승한다. 열이 제대로 제어되지 않으면 누설전류가 기하급수적으로 늘어나 전력 효율을 심각하게 훼손하게 된다. 그동안 팹리스(반도체 설계 전문)들은 온도를 감시하기 위해 칩 하단부인 FEoL(Front-End-of-Line) 영역에 온도 센서를 심어왔다. 하지만 이 방식은 칩의 두뇌 역할을 하는 트랜지스터 등 실제 연산 소자가 들어가야 할 공간을 센서가 차지해버린다는 치명적인 단점이 있었다. 한 IP 업계 관계자는 "미세 공정으로 갈수록 열밀도와 누설 전류 증가 폭이 커지기 때문에 온도 센서의 정확도와 배치가 칩 전체의 성능을 좌우한다"며 "기존처럼 FEoL 영역을 사용하면 연산 소자 배치를 위한 황금 같은 영역이 낭비될 수밖에 없다"고 설명했다. 업계는 이를 해결하기 위해 칩 상단의 금속 배선층(BEoL)에 위치하는 '메탈 저항'을 온도 센서로 활용하는 방안을 꾸준히 연구해 왔다. 문제는 정확도였다. 통상적으로 상단 배선층을 이용하면 하단 센서보다 온도 감지 정확도가 떨어졌고, 정확도를 높이려다 보면 데이터 변환 시간이 느려지는 반비례 관계에 부딪혔기 때문이다. 삼성전자의 이번 2나노 온도 센서 IP는 바로 이 난제를 극복했다. 상단 배선층(BEoL)을 사용해 하단 코어 면적을 전혀 차지하지 않으면서도, 정확도를 대폭 끌어올리고 변환 시간을 획기적으로 단축한 것이다. 촘촘한 '멀티 포인트 센싱'으로 칩 내부 열 지도 작성 업계에서는 이번 기술이 공정 미세화에 따른 단순한 개선을 넘어, 차세대 칩 설계의 핵심 대안이 될 것으로 평가하고 있다. 센서가 코어 면적을 차지하지 않기 때문에 칩 내부에 수십, 수백 개의 센서를 부담 없이 촘촘히 박아 넣을 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "메탈 저항을 활용한 상단 배치 온도 센서는 공간 효율성과 미세 공정에서의 안정성 덕분에 차세대 반도체 설계에서 매우 유망한 기술로 평가받는다"며 "특히 칩 내부 곳곳의 온도를 파악해 실시간 '열 지도'를 그리는 멀티 포인트 센싱에 최적화된 방식"이라고 설명했다. 열이 집중되는 핫스팟을 사각지대 없이 실시간으로 감지해 내면, 발열로 인한 강제 성능 저하(스로틀링)를 극도로 정밀하게 방어할 수 있다는 분석이다. 전력 효율 발목 잡던 '엑시노스'의 구원투수 될까 파운드리 시장의 최대 관심사는 이 기술의 실제 적용 여부다. 현재 2나노 PDK(공정 설계 키트)에 어느 정도 수준까지 통합되었는지는 구체적으로 확인되지 않았다. 다만, 업계에서는 삼성전자가 자체 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)인 엑시노스 등 고성능 칩에 이 기술을 적극적으로 도입 검토할 것으로 내다보고 있다. 최근 엑시노스는 성능 개선에도 불구하고 미세 공정에서의 누설전류 제어와 전력 효율 최적화에서 난항을 겪어왔다. 상단 배치 온도 센서는 이러한 고질적인 문제를 해결할 실마리가 될 수 있기 때문이다. IP 업계 관계자는 "동일한 SoC(시스템 온 칩)을 제작할 때 상단 메탈 저항 방식을 쓰면, 기존 센서가 차지하던 하단 면적을 모두 실제 연산 소자나 메모리로 채울 수 있다"며 "결과적으로 똑같은 성능의 칩을 더 작게 만들거나, 똑같은 크기의 칩에 더 많은 기능을 넣을 수 있는 강력한 설계 이점을 제공한다"고 말했다.

2026.04.06 10:50전화평 기자

삼성·SK 반도체 슈퍼사이클인데…소재·부품 업계 '시름', 왜?

글로벌 반도체 빅2인 삼성전자, SK하이닉스가 전례 없는 메모리 슈퍼사이클 효과로 올해 역대 최대 수익성을 거둘 것으로 전망되고 있지만 이들과 협력 관계인 국내 소재·부품 협력사들의 시름은 오히려 깊어지고 있어 주목된다. 삼성전자와 SK하이닉스가 연말연초 성과급 잔치를 벌였지만 이들 기업이 반도체 호황에도 웃지 못하는 가장 큰 원인은 최근 진행된 공급 협상에서 지난해에 이어 올해에도 단가가 인하됐기 때문이다. 동시에 중동 전쟁 등 거시경제 불확실성이 높아지고 환율이 상승하는 등 제조 비용에 대한 부담도 커지고 있다. 소재·부품 업계는 국내 반도체 공급망의 '뿌리' 역할을 담당한다. 단기적으로는 개별 기업들의 실적 악화에 그치겠으나, 중장기적으로 국내 소재·부품 업계의 경쟁력 약화로까지 이어질 수 있다는 우려의 목소리가 나온다. 1일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 1분기까지 주요 반도체 소재·부품 기업과의 단가 협상을 완료했다. 통상 삼성전자, SK하이닉스는 연말연시께 소재·부품 기업들과 당해년도 제품 공급에 대한 단가 협상을 진행한다. 각 기업별로 차이는 있지만, 삼성전자·SK하이닉스가 주력으로 양산하는 메모리반도체용 소재·부품은 올해 전반적으로 단가가 인하됐다. 복수의 업계 관계자에 따르면 하락폭은 한 자릿수 수준이다. 지디넷코리아 취재에 따르면 전공정과 후공정 분야 모두 단가 인하가 결정된 기업이 있는 것으로 파악된다. 앞서 삼성전자, SK하이닉스는 지난해 초에도 복수의 협력사와 소재·부품 단가를 10% 이상 인하하기로 한 바 있다. 이를 고려하면 소재·부품 단가 인하폭은 다소 축소됐다는 평가다. 그러나 지난해와 올해 국내 반도체 업계의 환경은 크게 변화했다. 전세계 IT 기업들이 공격적인 AI 인프라 투자를 진행하면서, 메모리반도체 가격은 지난해 상반기부터 고부가 및 범용 제품을 가리지 않고 크게 상승했다. 이에 삼성전자(43조6000억원), SK하이닉스(47조2063억원)는 나란히 지난해 역대 최대 실적을 기록했다. 올해 역시 양사 영업이익이 도합 400조원에 달할 수 있다는 전망이 제기될 정도로 업황이 초호황이다. 반면 소재·부품 단가는 오히려 인하되면서, 국내 기업들은 반도체 슈퍼사이클 속에서도 낙수 효과를 제대로 누리기 힘들어졌다. 설상가상으로 대외적 불확실성은 높아졌다. 지속적인 환율 상승과 더불어, 최근 불거진 이란 전쟁의 여파로 금·은·구리·알루미늄·쿼츠 등 핵심 원자재 가격이 전반적으로 급등했기 때문이다. 물류비 역시 크게 오르고 있다. 익명을 요청한 국내 한 반도체 소재·부품 업계 임원은 "올해 단가 인하율이 전년 대비 줄어들기는 했으나, 최근 물가 및 원자재 비용의 상승 현상을 반영하면 국내 소재·부품의 실질적인 이익은 감소하는 것과 다름없다"며 "제도적으로 완충 장치가 필요한 상황"이라고 어려움을 토로했다. 매년 비용 효율화를 실현해야 하는 삼성전자, SK하이닉스 구매 부서 입장에서는 단가 인하가 핵심 과업에 속한다. 그러나 소재·부품의 수익성 하락 압박이 커질 경우, 중견 협력사들의 연구개발(R&D)에 투입되는 비용이 줄어드는 등 중장기적으로 국내 반도체 생태계가 약화될 가능성도 거론된다. 또 다른 업계 임원은 "원가 압박을 탈피하기 위해서는 결국 제품 개발이나 설비 투자에 필요한 재원을 줄이는 방향으로 나아가게 될 것"이라며 "중국 기업들의 추격이 거센 가운데, 국내 소재·부품 기업들이 경쟁력을 유지하기 위해서는 수요기업과 공급기업 간 균형 잡인 이익 분배가 실현돼야 한다"고 강조했다.

2026.04.01 14:46장경윤 기자

'파운드리 2.0' 시대 활짝…TSMC 38%, 삼성전자 4%

세계 파운드리(반도체 위탁생산) 산업이 단순 제조를 넘어 설계부터 패키징까지 아우르는 통합 생태계로 진화하는 가운데, 대만 TSMC가 압도적인 시장 지배력을 과시하며 독주 체제를 굳히고 있다. 반면 삼성전자는 한 자릿수 점유율에 머물렀다. 31일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 지난해 글로벌 파운드리 2.0 시장 규모는 전년 대비 16% 증가한 3200억 달러(약 491조원)로 집계됐다. 파운드리 2.0은 고객의 칩을 단순히 위탁 생산하는 기존 순수 파운드리(1.0) 모델에서 한발 나아가, IDM(종합 반도체 기업), OSAT(후공정), 포토마스크 등 반도체 제조 생태계 전반을 통합 제공하는 플랫폼형 사업을 뜻한다. 이같은 패러다임 변화 속에서 최대 수혜를 입은 곳은 TSMC다. TSMC는 지난해 파운드리 2.0 시장에서 38%의 점유율을 기록하며 확고한 1위를 차지했다. 엔비디아, AMD, 브로드컴 등 글로벌 빅테크들의 AI 가속기 수요를 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 및 5나노 첨단 공정으로 독점한데다, 핵심 인프라로 자리 잡은 CoWoS 첨단 패키징 역량까지 동시 확보한 것이 경쟁사들의 추격을 따돌린 결정적 비결로 꼽힌다. 반면 삼성전자의 점유율은 4%에 그쳤다. 삼성은 현재 안정적인 4나노 공정 수요를 바탕으로 활로를 모색 중이며, 향후 본격화될 2나노 초미세 공정 양산을 기점으로 고부가가치 AI 칩 설계를 대거 수주해 분위기 반전을 꾀한다는 전략이다. 한편, 자국 중심의 강력한 공급망 강화 정책을 등에 업은 중국 파운드리 업체들의 맹추격도 시장의 주요 변수로 떠올랐다. 중국 최대 파운드리인 SMIC와 넥스칩은 내수 시장의 든든한 수요를 바탕으로 전년 대비 각각 16%, 24%에 달하는 가파른 매출 증가율을 기록하며 파운드리 생태계 내 입지를 빠르게 넓히고 있다.

2026.03.31 15:32전화평 기자

삼성, 차차세대 엑시노스 '뱅가드' 연내 설계 목표…2나노 고도화 지속

삼성전자가 차차세대 모바일 어플리케이션프로세서(AP)인 '엑시노스 2800(코드명 뱅가드)'의 설계를 연내 완료한다. 이전 세대와 마찬가지로 2나노 공정을 채택해 개발 및 수율 안정성을 담보할 수 있을 것으로 기대된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 연내 테이프아웃(Tape-out; 설계 완료)을 목표로 차차세대 모바일 AP인 엑시노스 2800을 개발 중이다. 엑시노스 2800의 코드명은 '뱅가드(Vanguard)'다. 삼성전자 내부에서는 엑시노스의 코드명을 세대에 따라 알파벳 순으로, 또한 전 세계에 존재하는 산맥의 이름으로 붙인다. 예컨대 엑시노스 2500부터 2700까지의 코드명은 솔로몬(Solomon)-테티스(Thetis)-율리시스(Ulysses) 순이다. 현재 삼성전자 시스템LSI 사업부는 올해 연말 설계완료를 목표로 엑시노스 2800을 개발하고 있다. 테이프아웃은 칩 설계를 완료하고 도면을 제조(파운드리) 공정에 넘기는 과정을 뜻한다. 이후 샘플 제작 및 테스트를 거쳐야만 실제 칩 제작이 가능하다. 엑시노스 2800은 삼성전자의 최첨단 공정인 2나노미터(nm)로 양산된다. 그 중에서도 2세대 2나노(SF2P) 공정의 개선 버전인 'SF2P+'가 적용된 것으로 알려졌다. 당초 삼성전자는 2027년부터 1.4나노 공정(SF1.4) 양산에 나설 예정이었다. 그러나 급진적인 공정 개발보다는 수율 안정화 및 최적화에 초점을 맞추기로 하면서, 1.4나노 공정 양산 일정을 2년가량 미뤘다. 대신 올해 양산을 앞둔 SF2P의 개선 버전인 SF2P+을 추가하기로 했다. 우선 SF2P는 1세대 2나노(SF2) 대비 성능이 12% 향상됐다. 동시에 소비전력은 25%, 면적은 8% 줄었다. SF2P+는 여기에 광학 기술 최적화로 반도체 회로의 크기를 일정 비율로 축소하는 옵틱 슈링크(Optic Shrink) 기술을 적용한다. 전체적으로 칩 면적을 줄여 성능 및 전력효율성 향상에 유리할 것으로 관측된다. 2나노 공정 채택 지속에 따른 이점도 있다. 이전 세대와 동일하게 2나노를 기반으로 설계하기 때문에, 시스템LSI 사업부 입장에서는 설계 난이도를 낮출 수 있다. 파운드리 측면에서의 수율 안정화에도 유리하다. 실제로 삼성전자가 올해 양산을 목표로 한 엑시노스 2700(율리시스)도 설계가 비교적 순조롭게 진행됐던 것으로 전해진다. 반도체 업계 관계자는 "이전만큼 모바일 AP에서 매년 공정 미세화를 진행하는 것이 현실적으로 불가능하다는 게 삼성전자 시스템LSI 내부의 중론"이라며 "대안으로 DTCO(설계 기술 공동 최적화)에 주목하고 있다"고 설명했다. DTCO는 반도체 설계와 제조 공정 기술 간의 최적화를 뜻한다. 기술적 성숙도가 낮아 수율 향상에 불리한 최선단 공정에서 더 중요한 의미를 가진다.

2026.03.26 10:36장경윤 기자

퀄컴·삼성, 깊어지는 협력…모바일·컴퓨팅 이어 '로보틱스'로 확장

퀄컴이 삼성전자와 '에이전틱 인공지능(AI)' 시장을 공략한다. 최신 칩셋을 삼성전자 플래그십 스마트폰·모바일 PC 등에 공급한 데 이어, 로보틱스 분야로 협력을 확장하려 논의 중인 것으로 알려졌다. 퀄컴은 20일 JW 메리어트 서울에서 '스냅드래곤 엘리트 데이 기자 간담회'를 열고 사업 전략과 삼성전자와의 파트너십을 밝혔다. "스냅드래곤, 에이전틱 AI 시대 프로세서로 발돋음" 퀄컴이 바라보는 IT 시장 핵심 트렌드는 AI다. AI가 사용자 업무를 스스로 지원하는 에이전틱 AI 기능이 도입되면서, 스마트폰·모바일 PC용 애플리케이션프로세서(AP)에 요구되는 성능도 급격하게 높아지고 있다. 퀄컴은 지난해 하반기 최신형 모바일 AP '스냅드래곤 8 엘리트 5세대'와 모바일 PC용 AP '스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림' 등을 출시했다. 스냅드래곤 8 엘리트 5세대는 대만 파운드리 TSMC의 3나노 공정을 채택한 AP다. 전작 대비 성능이 20% 향상된 3세대 퀄컴 오라이온(Oryon) 중앙처리장치(CPU)를 탑재했다. 그래픽처리장치(GPU)·신경망처리장치(NPU) 성능도 각각 23%, 37%가량 향상됐다. 스냅드래곤 X2 엘리트도 3나노 공정을 기반으로, 이전 세대(최대 12개) 대비 크게 늘어난 최대 18개의 코어(12 프라임 코어+6 퍼포먼스 코어)를 갖췄다. CPU와 GPU 성능이 크게 개선됐고, 현존하는 노트북 시장에서 가장 빠른 NPU를 탑재했다. 돈 맥과이어 퀄컴 총괄 부사장 겸 최고마케팅책임자(CMO)는 "스냅드래곤은 에이전틱 AI 시대 프로세서로 자리잡고 있다"며 "스냅드래곤은 전세계 35억개 이상 디바이스를 구동하고 있고, 단순 사양이 아닌 경험 중심 설계로 안드로이드 진영에서 가장 선호되는 브랜드가 됐다"고 말했다. 삼성전자와 긴밀한 협력…모바일·컴퓨팅 넘어 '로보틱스'로 확장 퀄컴은 핵심 고객 삼성전자와의 협력 확대에 전력을 기울일 것으로 예상된다. 퀄컴 스냅드래곤 칩셋은 삼성전자 갤럭시S 시리즈 등 플래그십폰과 모바일 PC, 가전제품 등 폭넓게 채택되고 있다. 크리스 패트릭 퀄컴 수석 부사장 겸 모바일 핸드셋 부문 본부장은 "하나의 플랫폼 개발에는 약 3년이 걸리는데, 퀄컴과 삼성은 하나의 팀처럼 제품을 설계한다"며 "지금부터 3년 뒤의 제품을 함께 고민한다"고 밝혔다. 이어 "이것이 협력의 깊이"라며 "서로 기술 로드맵을 공유하고 신뢰를 기반으로 협력한다"고 강조했다. 양사 협력은 AI의 유망한 신규 적용처인 로보틱스 산업으로 확장될 전망이다. 퀄컴은 최근 첨단 로봇 분야 진출을 발표하고, 맞춤형 프로세서 '드래곤윙 IQ 10' 시리즈 및 'IQX' 산업용 PC 제품을 출시했다. 삼성전자는 자회사 레인보우로보틱스를 통해 AI 휴머노이드 로봇 시장 진출을 꾀하고 있다. 김상표 퀄컴코리아 사장은 "퀄컴 드래곤윙 플랫폼은 고성능·저전력 특성을 앞세워 사물인터넷(IoT)과 로보틱스 분야에서 적극 프로모션하는 단계"라며 "삼성전자뿐만 아니라 국내 다양한 업체와 얘기하고 있고, 2029년까지 명확한 목표를 세우고 모든 역량을 다해 사업을 확장할 계획"이라고 설명했다. 삼성전자 파운드리 활용에 대해서는 '멀티 파운드리 전략'이라는 원론적 입장을 고수했다. 현재 퀄컴은 최신형 칩셋을 주로 대만 파운드리 TSMC에서 양산한다. 다만 최근 TSMC의 공급난이 심해지고 있고, 2나노 등 최첨단 공정 웨이퍼 가격 급등으로 삼성전자 파운드리가 대안으로 떠올랐다. 크리스 패트릭 부사장은 "현재 삼성 파운드리 협력에 대해 구체적으로 발표할 내용은 없다"면서도 "퀄컴과 삼성은 수십 년 동안 매우 강력한 파트너였고, 양사 협력과 혁신은 더 깊어질 것"이라고 밝혔다.

2026.03.20 13:03장경윤 기자

삼성전자 노조 총파업 가시화…화성·평택 등 반도체 생산 차질 우려

삼성전자 노조가 압도적인 찬성률로 쟁의권(파업권)을 확보하면서, 오는 5월 총파업이 가시화됐다. 실제 파업 시 삼성전자의 주력 사업인 메모리는 물론, 파운드리 부문도 생산 차질이 불가피할 것으로 전망된다. 18일 업계에 따르면 삼성전자노동조합 공동투쟁본부(이하 노조)의 2026년 임금교섭 쟁의행위 찬반투표는 찬성률 93.1%로 가결됐다. 노조, 쟁의행위 투표 압도적 찬성률…5월 총파업 예고 앞서 노조는 초과이익성과급(OPI) 상한제(초과 이익의 20% 범위에서 연봉의 최대 50%) 폐지 등을 위해 지난 9일부터 이날까지 쟁의행위 찬반투표를 실시한 바 있다. 소속된 3개 노조 재적 조합원은 약 9만명으로, 이 중 6만6019명이 투표에 참여(참여율 73.5%)했다. 이 중 6만1456명이 찬성했다. 노조는 "이번 찬반투표의 압도적 결과를 조합원의 엄중한 명령으로 받아들인다"며 "이는 삼성전자 노동자 절대다수가 현 사측 제시안이 '인재제일' 경영원칙에 부합하지 않음을 분명히 선언한 것이며, 요구 관철을 위해 행동에 나서라는 경영진을 향한 강력한 경고"라고 밝혔다. 이에 따라 노조는 오는 4월 23일 집회를 거쳐 5월 총파업에 돌입한다는 계획이다. 내일(19일) 이와 관련한 제1호 지침이 선포될 예정이다. 파업 장기화 시 메모리·파운드리 전 분야서 생산 차질 불가피 업계는 파업이 현실화될 경우 삼성전자 반도체 사업에 미칠 악영향을 우려하고 있다. 현재 삼성전자는 엔비디아향 고대역폭메모리(HBM) 공급 본격화와 더불어 AI 투자 활황에 따른 고부가 D램, 낸드 생산 비중을 적극 확대하고 있다. 또한 파운드리 사업부는 국내외 고객사 확보에 따라 4나노 이상 공정을 중심으로 가동률 회복세를 기록하고 있다. 엔비디아도 어제 'GTC 2026' 행사에서 차세대 AI 가속기인 '베라 루빈'과 결합하는 그록의 언어처리장치(LPU) '그록3 LPU'를 삼성 파운드리에서 양산하겠다고 밝힌 바 있다. 이러한 상황에서 삼성전자의 주요 공장 가동에 차질이 생길 경우, 메모리 및 파운드리 사업 모두 적잖은 타격을 받을 수 밖에 없다. 특히 평택은 삼성전자의 최선단 공정이 집중돼있어, 파급력이 더 크다는 분석이다. 노조 관계자는 "노조의 투쟁 지침은 전 사업장에서 파업을 진행하는 것이고, 그 중에서도 집회 등의 활동을 평택 사업장에서 진행할 계획"이라며 "예컨데 평택 사업장은 직원 수가 1만4000명인데, 조합원 수가 1만1000명 이상이기 때문에 생산 차질이 불가피할 것"이라고 말했다. 반도체 업계 관계자는 "기본적으로 공장 가동이 멈추지는 않겠지만, 파업이 장기화되면 설비 에러나 유지보수 관리가 어려워 설비가 하나씩 멈추게 되는 상황이 발생할 수 있다"며 "노사 갈등이 얼마나 빨리 해결되는지가 관건"이라고 설명했다. 다만 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 당장의 노사 갈등 해결은 쉽지 않은 상황이다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 경영진 측에서는 성과급 한도 폐지 시 향후 중장기적으로 소요될 비용이 너무 크다고 판단하고 있다"며 "경쟁사가 올해에도 매우 막대한 규모의 성과급 지급이 사실상 확실시된 만큼, 노조와 사측 모두 합의점을 찾기가 쉽지 않아 보인다"고 밝혔다.

2026.03.18 16:46장경윤 기자

"반도체, 다년계약으로 불확실성 최소화" 전영현 삼성전자 부회장

"올해 GTC(엔비디아 개발자 컨퍼런스)에는 파운드리(반도체 위탁생산)와 메모리가 함께 참여했습니다. 각 부문 간 시너지라는 삼성전자 반도체의 잠재력이 발휘될 것 같습니다." 한진만 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 18일 경기도 수원컨벤션센터에서 열린 제57기 정기주주총회 '주주와의 대화'에서 파운드리 실적 반등을 묻는 주주 질문에 이같이 답했다. 한 사장은 테슬라를 대표 사례로 제시하며 "자율주행이나 피지컬 인공지능(AI)으로 나아가는 시대에 삼성 파운드리가 한층 더 도약할 수 있는 기회"라며 "테슬라와 지난해 7월 말 전략적 계약을 완료했고, 내년 말 (미국) 테일러 팹에서 2나노 최선단 과제 양산을 시작할 예정"이라고 했다. 그러면서 "파운드리는 최소 3년 이상 긴 호흡이 필요한 사업이다. 1~2년 정도 더 기다려달라"고 덧붙였다. 최근 반도체 시황 변동에 대한 주주들의 우려에 삼성전자는 '다년 공급계약'으로 답했다. 전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)은 "건전한 수급 환경을 유지하는 게 중요하다"며 "중장기적인 불확실성을 최소화하고 사업 성장을 꾸준하게 이어가기 위해 주요 고객들과 다년 공급계약을 추진하고 있다"고 밝혔다. 수요 변동을 사전에 파악하고 투자 규모를 탄력적으로 조정해 기업가치 안정성을 확보하겠다는 구상이다. 고대역폭메모리(HBM)에 대한 자신감도 내비쳤다. 최근 젠슨 황 엔비디아 CEO가 삼성전자 전시 부스를 방문해 HBM4 웨이퍼에 '어메이징(Amazing)'이라고 서명한 사례를 언급하며 구체적 타임라인을 제시했다. 전 부회장은 "HBM4는 2026년 샘플 공급, 2027년 양산이 목표"라며 "모든 분야에서 연구 정진해 탁월한 제품이 되도록 만들겠다"고 전했다. DX 부문(세트)은 'AI 컴패니언'과 신규 폼팩터를 통한 혁신을 강조했다. 노태문 삼성전자 MX사업부장(사장)은 "고객 일상을 함께하는 AI 컴패니언이 되겠다"며 "차기 플래그십 갤럭시 S26에는 초개인화 AI 기술을 탑재하고, 2026년 하반기 출시를 목표로 '갤럭시 Z 트라이폴드'(2번 접는 폴더블폰)를 개발 중"이라고 밝혔다. 신사업으로 육성 중인 공조(HVAC) 사업 청사진도 제시됐다. 김철기 삼성전자 DA사업부 부사장은 지난해 11월 인수한 '플랙트(Flakt)'를 언급하며 "HVAC 사업을 DA사업부 성장동력으로 육성하고자 한다"며 "데이터센터를 포함해 공조 분야에 진출하는 만큼 글로벌 톱티어 종합 공조회사로 거듭날 수 있도록 노력하겠다"고 말했다. 미래 실적 지속성에 대한 주주 질문에는 적극적인 투자 의지로 답했다. 김용관 DS부문 경영전략총괄(사장)은 "DS부문은 단기적 성과 개선보다는 지속적인 경쟁력 강화를 위해서 미래 준비를 위한 필수 투자를 계속 진행하고 있고, 앞으로도 강화할 것"이라며 "올해 시설투자(CAPEX)는 AI 수요 지속에 따라 지난해 대비 상당 수준 증가할 것으로 예상된다"고 말했다. 그러면서 "신규 단지 확장과 핵심 설비를 선제 확보하기 위한 적극적인 투자도 집행할 계획"이라며 "투자 효율 제고를 통해 시장 리더십을 공고히 하겠다"고 강조했다.

2026.03.18 13:41전화평 기자

"어메이징 HBM4"…젠슨 황, 삼성전자 부스 방문

16일(현지시간) 엔비디아 젠슨 황 CEO는 'GTC 2026'에서 삼성전자 부스에 방문해 기념사진을 촬영했다. 이날 현장에는 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 한진만 파운드리 사업부장 사장도 함께 자리했다. 삼성전자 주요 임원진들은 HBM4 코어다이 웨이퍼와 그록(Groq) LPU 파운드리 4나노 웨이퍼를 손에 들었다. 각 웨이퍼에는'어메이징(AMAZING) HBM4'와 '그록 슈퍼 패스트(Groq Super FAST)'라는 젠슨 황 CEO의 친필 서명이 적혀있다. 앞서 젠슨 황 CEO는 GTC 2026 기조연설을 통해 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '베라 루빈' 시스템에 그록 LPU 칩을 결합한다고 밝혔다. 해당 칩은 삼성전자 파운드리가 양산을 담당한다. 또한 삼성전자는 엔비디아 베라 루빈향으로 HBM4을 양산 공급할 계획이다. 이번 공급으로 삼성전자는 엔비디아와 메모리, 파운드리에 이르는 폭넓은 AI 생태계 협력을 구축할 것으로 기대된다.

2026.03.17 11:26장경윤 기자

삼성전자, 엔비디아 '4나노' 새 추론 칩 만든다

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 삼성전자 파운드리와의 협력을 공식적으로 언급했다. 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '베라 루빈' 기반 시스템과 결합되는 그록(Groq)의 언어처리장치(LPU)를 삼성 파운드리에서 양산하는 구조다. 젠슨 황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 'GTC 2026' 기조연설에서 AI 칩 생산 파트너를 소개하는 과정에서 "삼성전자가 그록3 LPU 칩을 제조하고 있다"고 밝혔다. 그록은 엔비디아가 지난해 말 약 29조원을 들여 우회 인수한 팹리스 스타트업이다. 거대언어모델(LLM)의 추론 작업 속도를 높이는 LPU를 전문으로 개발해 왔다. 그록3 LPU는 이 기업의 최신 칩으로, 4나노미터(nm) 공정 기반으로 알려졌다. 젠슨 황 CEO는 "삼성이 우리를 위해 그록3 LPU 칩을 제조하고 있다. 지금 가능한 한 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다"며 "삼성에게 정말 감사드린다"고 강조했다. 그록3 LPU는 현재 양산 단계에 들어갔다. 젠슨 황 CEO가 예상한 출하 시점은 오는 3분기다. 이번 발언은 삼성 파운드리가 엔비디아의 차세대 AI 칩 생산에 참여하고 있음을 공개적으로 언급한 것으로, AI 반도체 공급망에서 양사의 협력이 긴밀하게 이어지고 있음을 보여주는 대목으로 평가된다. 또한 삼성전자는 지난 2월 엔비디아향 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산 출하를 공식 발표한 바 있다. 이를 통해 삼성전자는 엔비디아 AI 생태계 확장을 위한 메모리·파운드리 공급사로서 협력 영역을 더 확장할 수 있게 됐다.

2026.03.17 09:34장경윤 기자

삼성전자, GTC서 'HBM4E' 최초 공개…엔비디아와 AI 동맹 강화

삼성전자가 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력을 강화한다. 엔비디아 연례 행사에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 실물을 첫 공개할 계획이다. 해당 칩은 핀당 속도 16Gbps·대역폭 4TB/s을 지원한다. 삼성전자는 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가한다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 이번 전시에서 차세대 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 기술력과 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세운다. 먼저 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. '엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다. 이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리(AI 데이터센터), 로컬 AI(온-디바이스 AI), 피지컬 AI 세 개의 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다. 한편 행사 둘째 날인 3월 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다. 차세대 HBM4E 칩 및 코어 다이 웨이퍼 최초 공개 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월'을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(열압착본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 본딩) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다. 하이브리드 본딩은 구리(Copper) 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리하다. 한편 삼성전자는 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다. 삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다. 삼성전자 "베라 루빈 플랫폼용 모든 메모리 솔루션 공급" 특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. 삼성전자는 'Nvidia Gallery'를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해, 양사의 협력을 강조했다. 삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다. SCADA는 GPU가 CPU 병목 현상을 우회해 스토리지 I/O를 직접 시작하고 제어할 수 있어 AI 워크로드 성능을 극대화할 수 있도록 설계된 기술이다. 뿐만 아니라 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, 부스 내 AI 팩토리 존에서 제품을 확인할 수 있다.

2026.03.17 05:30장경윤 기자

다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 로직(베이스) 다이(Die) 공정을 고도화하는 가운데, 다소 상이한 입장 차이를 보이고 있다. 삼성전자는 성능을 최우선으로 초미세 공정을 적극 채용할 계획이다. SK하이닉스 역시 고객사 요구에 맞춰 공정 미세화를 추진하고 있지만 기본적으로 비용 효율화에 무게를 두는 전략을 구사하고 있다. 양 사의 전략적 기술 판단이 향후 어떤 시장 판도 변화나 결과를 초래할지 관심이 쏠린다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM용 로직 다이 공정 개발에서 다른 전략을 취하고 있다. ■ 삼성전자, 로직 다이 공정 고도화 '전념'…2나노까지 설계 로직 다이는 HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해 있다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해, 데이터를 고속으로 주고받을 수 있도록 만든다. HBM에서 로직 다이가 차지하는 중요도는 점차 높아지는 추세다. HBM 세대가 진화할수록 핀 당 처리 속도 향상, D램 적층 수 증가 등으로 로직 다이에 요구되는 성능도 올라가야 하기 때문이다. 이에 삼성전자·SK하이닉스는 HBM4부터 로직 다이를 기존 D램 공정에서 더 미세화된 파운드리 공정으로 옮겨 제조하고 있다. 로직 다이에서 선단 공정을 가장 적극적으로 채택하고 있는 기업은 삼성전자다. 앞서 삼성전자는 지난 2023년께 HBM4에 적용될 로직 다이 공정을 당초 8나노미터(nm)에서 4나노로 상향 조정한 바 있다. 나아가 삼성전자는 HBM4E부터 본격화될 커스텀 HBM 시대를 준비하기 위해, 로직 다이를 4나노에서 최대 2나노로 설계하고 있다. 2나노는 지난해 하반기부터 양산이 시작된 최첨단 파운드리 공정이다. 현재 시스템LSI사업부 내 커스텀SoC 팀에서 각 고객사에 최적화된 칩 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "HBM 고객사들은 차세대 제품에 더 낮은 전력과 더 높은 대역폭을 동시에 달성하기 원하는데, 삼성전자 내부에서는 이에 대한 근원적 해법을 로직 다이 공정 고도화로 보고 있다"며 "올해 해당 연구개발에 대한 구체적인 성과가 나올 것"이라고 강조했다. ■ SK하이닉스, 미세 공정 준비하면서도 '비용 최적화'에 무게 SK하이닉스는 대만 주요 파운드리 TSMC를 통해 로직 다이를 양산하고 있다. HBM4에는 12나노 공정을 적용했다. SK하이닉스 역시 HBM4E에서는 최대 3나노 공정을 적용할 계획이다. 당초에는 최대 4나노 공정을 채택할 계획이었지만, 고객사 요구 및 성능 향상 등을 이유로 최근 상향 조정한 것으로 알려졌다. 다만 고객사 요구가 크게 반영되지 않는 HBM4E 제품은 기존 HBM4와 마찬가지로 12나노 공정을 채택할 계획이다. 최근 HBM4에서 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 로직 다이 성능이 뒤떨어진다는 지적이 제기돼 왔음에도 기존 공정을 고수하기로 했다. 업계는 SK하이닉스가 로직 다이의 무조건적인 성능 향상보다는 비용 최적화에 무게를 둔 것으로 해석하고 있다. 실제로 회사 안팎의 이야기를 종합하면, SK하이닉스는 HBM4E용 로직다이 공정 고도화에 다소 보수적인 입장을 취하고 있다. 그보다는 신규 패키징 공법 등 다른 분야에서 기술적 진보를 이뤄내겠다는 전략이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 현재의 로직 다이 공정으로도 HBM4E 대응이 충분히 가능하다고 판단하고 있다. 성능에 심각한 문제가 있다고 인지했다면 공정에 변화를 줬을 것"이라며 "경쟁사와 달리 로직 다이 공정의 급격한 고도화가 효용이 떨어진다고 보고 있다"고 말했다.

2026.03.11 15:35장경윤 기자

세미파이브, 나이오븀과 완전동형암호 가속기 개발

글로벌 AI 맞춤형 반도체(ASIC) 전문 기업 세미파이브는 미국 완전동형암호(FHE) 하드웨어 가속기 플랫폼 기업 나이오븀과 FHE 가속기 개발을 위한 턴키 프로젝트를 수주했다고 19일 밝혔다. 약 100억원(미화 686만달러) 규모의 이번 계약은 나이오븀의 고성능 완전동형암호 하드웨어 가속기 개발을 목표로 한다. 해당 제품은 실제 클라우드 및 AI 인프라 환경에서 활용 가능한 속도로 암호화 연산을 구현하도록 설계되며, 동종 기술 중 세계 최초로 상용화가 가능한 FHE 가속기가 될 것으로 기대된다. 완전동형암호는 암호화된 데이터를 복호화하지 않고도 암호화된 상태 그대로 연산할 수 있는 기술로, 암호화 컴퓨팅 분야에서 가장 복잡한 기술 영역 중 하나로 꼽힌다. 이 기술은 개인정보 보호 중심의 워크로드, 프라이빗 클라우드 서비스, 제로 트러스트 컴퓨팅 환경 및 프라이빗 AI 등 차세대 데이터 보호 아키텍처에서 핵심 요소로 부각되고 있다. 이번 협력을 통해 개발되는 나이오븀의 FHE 가속기는 소프트웨어 기반 암호화 방식 대비 성능과 효율 측면에서 의미 있는 개선 효과를 제공하는 것을 목표로 하며, 이를 통해 고성능 데이터 처리를 구현할 것으로 기대된다. 해당 FHE 가속기에 탑재될 칩은 삼성 파운드리의 8나노(8LPU) 공정을 기반으로 개발된다. 세미파이브는 설계부터 패키징, 테스트에 이르는 전 과정을 아우르는 엔드투엔드(End-to-End) ASIC(맞춤형 반도체) 솔루션을 제공하며, 효율적인 공급망 관리를 통해 나이오븀 FHE 가속기의 신속한 상용화를 지원할 계획이다. 이번 프로젝트를 발판으로 세미파이브는 첨단 ASIC 분야에서 글로벌 혁신 기업들이 신뢰하는 핵심 설계 파트너로서의 입지를 지속적으로 강화해 나간다는 방침이다. 케빈 요더 나이오븀 대표는 “세미파이브 및 삼성 파운드리와의 협력을 통해 그동안 축적해 온 R&D 성과를 암호화된 클라우드 및 AI 환경에서 양산 가능한 반도체로 구현하는 단계에 있다”며 “이는 프로토타입 단계를 넘어 실제 고객사에 도입할 수 있는 수준으로 개발 단계가 진입했다는 중요한 전환점”이라고 덧붙였다. 조명현 세미파이브 대표는 “나이오븀은 암호화 컴퓨팅의 최전선에 있는 기업으로, 이들의 FHE 가속기 플랫폼은 프라이버시 중심 컴퓨팅에서 핵심적인 차세대 아키텍처 중 하나”라며 “세미파이브의 검증된 SoC 플랫폼 기반 개발 역량과 실행력을 바탕으로 나이오븀의 최첨단 FHE 혁신 기술을 양산 가능한 반도체로 구현하는 데 기여하게 되어 기쁘다”고 말했다. 송태중 삼성전자 테크놀로지 플래닝 팀장은 “암호화 컴퓨팅은 미래 AI 및 클라우드 시스템에서 점점 더 핵심적인 역할을 하게 될 것”이라며 “삼성 파운드리의 선단 공정 기술과 SAFE 파트너 생태계를 통해 세미파이브와 나이오븀이 차세대 프라이빗 컴퓨팅 반도체를 글로벌 시장에 선보이는 과정을 적극 지원하게 되어 뜻깊게 생각한다”고 밝혔다.

2026.02.19 15:10전화평 기자

송재혁 삼성전자 사장 "HBM4에서 삼성 본래 모습 다시 보여줄 것"

삼성전자가 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산을 앞두고 기술 경쟁력에 대한 강한 자신감을 내비쳤다. AI 반도체 수요 확대 국면에서 메모리·파운드리·패키지를 모두 갖춘 삼성전자의 통합 역량이 본격적으로 드러날 것이라는 설명이다. 송재혁 삼성전자 CTO(최고기술책임자, 사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 현장에서 기자들과 만나 HBM4 차별화 경쟁력에 대해 “삼성의 원래 모습을 다시 보여주는 것”이라며 “그동안 고객이 요구하는 것을 세계 최고 수준의 기술로 대응해왔던 삼성의 모습을 잠시 보여드리지 못했지만, 이제 다시 보여드리는 단계”라고 말했다. HBM4 성능에 대한 고객사 평가와 관련해서는 “아주 만족스럽다”며 기술 완성도에 대한 자신감을 나타냈다. AI 반도체 수요 급증으로 이어지고 있는 HBM 공급 부족 현상에 대해서는 “올해와 내년까지도 수요가 강할 것으로 보고 있다”며 “현재 AI 수요는 과거 모바일이나 PC 중심의 수요와는 성격이 완전히 다르다”고 진단했다. 단기적인 사이클이 아닌 구조적 성장 국면이라는 인식이 깔린 발언으로 해석된다. 삼성전자가 HBM 최고 속도를 구현할 수 있었던 배경으로는 내부 밸류체인을 꼽았다. 송 CTO는 “삼성은 메모리, 파운드리, 패키지를 모두 내부에 보유하고 있다”며 “지금 AI가 요구하는 제품을 만드는 데 가장 좋은 환경을 갖고 있고, 이를 적합하게 시너지 내고 있다고 보면 된다”고 설명했다. 파운드리 4나노 공정 적용 여부와 수율 관련 질문에는 “수율 수치를 숫자로 말하기는 어렵지만 내부적으로는 좋은 수준”이라고 답했다. 엔비디아 공급 물량 규모, 고객사 샘플 일정 등 구체적인 사업 내용에 대해서는 “고객 관련 사안”이라며 언급을 피했다. 일부 외신에서 제기된 '양산 품질 확보 이전 시점 시핑' 보도에 대해서도 “비즈니스적으로 고객과 일정을 협의해 진행하는 문제”라고 선을 그었다. 차세대 HBM 로드맵에 대해서는 HBM4E와 HBM5까지 이어지는 기술 준비 상황을 강조했다. 송 CTO는 “앞으로도 삼성의 모습을 계속 보여드리기 위해 준비하고 있다”며 “HBM4E와 5에서도 업계 최고 수준의 기술을 목표로 하고 있다”고 말했다. 다만 HBM 시장 점유율 목표에 대해서는 “포트폴리오 운영은 비즈니스 영역”이라며 구체적인 수치를 제시하지 않았다.

2026.02.11 10:52전화평 기자

D램 구조적 공급 부족 직면…"생산능력 매년 5% 미만 성장"

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계가 주도하는 D램 시장이 중장기적인 공급 부족 현상에 직면할 전망이다. AI 인프라 투자 규모가 매년 빠르게 확대되는 반면, D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 지난해부터 오는 2030년까지 연평균 4.8% 수준으로 비교적 낮은 성장세가 예상되기 때문이다. 클락 청 세미(SEMI) 연구위원은 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기자간담회에서 향후 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 클락 청 위원은 "전세계 빅테크 기업들이 AI를 중심으로 투자 속도를 앞당기고 있다"며 "특히 메모리 반도체와 패키징이 AI 인프라에서 중요해지고 있어, 한국의 반도체 생태계가 강점을 지닐 것"이라고 밝혔다. 실제로 마이크로소프트, 구글, 아마존, 메타 등 4대 CSP(클라우드서비스제공자)의 AI 인프라 지출은 크게 늘어나는 추세다. 지난 2024년에서 오는 2028년까지 연간 지출 규모 성장률은 38%에 이를 전망이다. 클락 청 위원은 "오는 2027년에는 글로벌 반도체 매출 규모와 4대 CSP를 포함한 전체 기업들의 AI 인프라 투자가 각각 1조 달러를 넘어서게 될 것"이라고 강조했다. 당초 업계는 글로벌 반도체 매출이 1조 달러를 기록하는 시점을 2030년으로 전망해 왔는데, 크게 앞당겨진 셈이다. 거대한 AI 수요로 D램 시장은 장기적인 공급 부족 현상에 직면할 가능성이 크다. SEMI에 따르면, 연간 D램 생산능력 증가율은 지난해부터 오는 2030년까지 4.8%로 전망된다. AI 인프라 투자 성장률을 고려하면 낮은 수준이다. 클락 청 위원은 "메모리 공급사들이 원칙적으로 신규 투자를 보수적으로 하고 있고, 캐파 증가분도 상당량을 고대역폭메모리(HBM)가 흡수할 것"이라며 "또한 공정 기준으로는 15나노미터(nm) 이하의 선단 분야에 투자가 집중돼, 레거시 및 특수 목적의 D램 공급은 더 제한될 예정"이라고 설명했다. 다만 AI 수요가 예상보다 빠르게 증가함에 따라, 향후 3년간 D램 생산능력 전망이 상향 조정될 가능성도 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업들의 팹 투자 규모는 확대될 전망이다. 클락 청 위원은 "한국의 팹 투자 규모는 2026~2028년 연간 400억 달러 수준으로 크게 확대될 것"이라며 "80% 이상이 D램과 낸드와 관련한 투자로, 일부 첨단 로직 투자는 미국에서 진행될 것"이라고 말했다.

2026.02.11 10:17장경윤 기자

[단독] 삼성 파운드리, 4·8나노 공정 가격 인상 추진

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 일부 공정에 대해 가격 인상을 추진한다. 대상은 4나노미터(nm, 10억분의 1m)와 8나노 공정으로, 인상 폭은 약 10% 안팎으로 관측된다. 4일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 파운드리는 최근 주요 협력사에 일부 공정 가격 조정 가능성을 공유했다. 수요가 몰리고 있는 공정을 중심으로 가격 인상을 검토하고 있는 것이다. 디자인하우스 관계자는 “최근 삼성 파운드리 쪽에서 캐파가 빠듯한 공정이 있다는 이야기가 나오고 있다”며 “실무단에서 가격 인상 이야기가 오간다”고 말했다. 업계에 전해진 가격 인상 대상 공정은 4나노와 8나노다. 두 공정은 수율 안정화 단계를 지나 성숙 공정에 접어들었다. 성능을 우선시 하는 고객은 4나노로, 가격 경쟁력을 우선하는 고객은 8나노를 선택해 칩을 양산한다. 이에 해당 공정들은 사실상 생산 한계 수준에 도달한 것으로 전해진다. 업계 관계자에 따르면 인상 금액은 10% 안팎으로 전해진다. 세부적인 인상 폭은 고객별·공정별로 달라질 가능성이 있다. 또 다른 가격 인상 배경에는 파운드리 1위 대만 TSMC가 있다. TSMC는 꾸준히 공정 가격을 인상한 바 있다. AI 수요 급등으로 주문량이 지속적으로 증가했기 때문이다. 올해에도 인건비, 원자재, 에너지 등 원가 상승을 이유로 가격 인상이 예고됐다. 업계에서는 일부 공정에서는 최고 20% 가격 상승 이야기까지 나온다. 삼성전자 파운드리가 10%를 올리더라도 가격 경쟁력을 유지하는 셈이다. 반도체 업계 관계자는 “삼성이 가격을 인상하더라도 TSMC와의 격차는 여전히 큰 편”이라며 “가격 민감도가 높은 고객사 입장에서는 삼성 파운드리가 여전히 매력적인 선택지”라고 말했다. 한편 삼성전자 파운드리는 이번 가격 조정을 통해 중장기적인 수익성 개선과 함께 공정 투자 여력을 확보할 것으로 보인다.

2026.02.04 15:31전화평 기자

삼성전자 "파운드리 2나노 하반기 양산 순항"…미·중 고객 수주 확대

삼성전자가 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 중심으로 한 선단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술 개발과 고객 수주가 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 테슬라 수주 이후 미국과 중국 대형 고객사들과의 협업 논의도 확대되고 있으며, 인공지능(AI) 응용처를 중심으로 수주 과제가 빠르게 늘고 있다는 설명이다. 삼성전자는 29일 2025년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "2나노 공정은 하반기 양산을 목표로 수율과 성능 목표를 달성하며 순항 중"이라며 "고객사들과 BPA(Benchmark Performance Assessment) 평가 및 협업을 병행하고 있고, 양산 전 기술 검증도 계획대로 진행되고 있다"고 전했다. 삼성전자는 모바일과 고성능컴퓨팅(HPC) 고객을 대상으로 제품 및 사업화 협업을 확대하고 있다. 특히 테슬라 수주 이후 미국과 중국의 대형 고객들과 AI 응용처 중심의 과제를 논의 중이며, 2나노 관련 수주 과제는 전년 대비 30% 이상 증가할 것으로 기대하고 있다. 차세대 공정인 1.4나노는 2029년 양산을 목표로 주요 마일스톤을 차질 없이 수행 중이다. 삼성전자는 이를 통해 고객사의 조기 설계 착수와 선단 공정 생태계 선점을 추진한다는 전략이다. 로직·파운드리·메모리·패키징을 아우르는 '턴키(Turnkey)'를 시스템반도체 경쟁력 강화의 핵심으로 제시했다. 턴키는 반도체 설계부터 파운드리, 메모리, 패키징까지 전 공정을 통합 제공하는 서비스다. 이를 통해 삼성전자는 올해 두 자리수 이상 매출 성과를 목표로 한다. 삼성전자는 보도자료를 통해 "파운드리는 첨단 공정 중심으로 두 자리 이상 매출 성장과 손익 개선을 추진할 방침"이라며 "하반기에는 2나노 2세대(SF2P) 공정이 적용된 신제품을 양산하고, 4나노의 성능 및 전력을 최적화해 기술 경쟁력을 지속 강화할 계획"이라고 설명했다.

2026.01.29 13:51전화평 기자

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