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'삼성 파운드리'통합검색 결과 입니다. (195건)

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인텔, 1.4나노급 초미세공정 '인텔 14A' 로드맵 공개

인텔이 21일(미국 현지시간, 한국시간 22일 1시) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 진행된 파운드리 생태계 행사 'IFS 다이렉트 커넥트 2024'를 통해 최선단 반도체 생산 공정 '인텔 14A'를 공개하고 오는 2027년 경 이를 실현하겠다고 밝혔다. 인텔은 팻 겔싱어 CEO 취임 직후인 2021년 7월 말 "향후 4년 동안 5개 공정을 실현할 것"이라고 밝힌 바 있다. 현재까지 대만 TSMC와 삼성전자의 7-3나노급 공정에 해당하는 인텔 7·4·3 공정이 이미 양산에 들어갔거나 올 상반기 양산 예정이다. 당시 공개된 공정 로드맵 중 가장 마지막 단계에 있는 1.8나노급 공정 '인텔 18A'도 내년 상반기 가동 예정이다. 여기에 1.4나노급 '인텔 14A'로 2010년대 후반부터 10여 년 가까이 내 줬던 공정 우위를 되찾겠다는 것이 인텔 목표다. ■ EUV 대신 DUV 선택한 인텔, 초미세공정서 열세 인텔은 2010년 초반만 해도 "2015년 10나노급 공정 양산에 들어갈 것"이라고 밝혔다. 그러나 반도체 회로를 그리는 노광 기술에서 EUV(극자외선) 대신 DUV(심자외선)를 선택한 댓가로 TSMC·삼성전자 등 경쟁사 대비 초미세공정에 열세에 있다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 2021년 3월 "과거 인텔이 10·7나노급 공정 로드맵을 설계할 때만 해도 EUV 공정은 미성숙했다. 이에 DUV 기술을 활용했지만 복잡성이 늘어났고 10나노급 공정도 지연됐다"고 설명한 바 있다. 인텔이 처음 생산한 10나노급 제품은 2018년 소량 출시된 노트북용 '캐논레이크' 프로세서다. 양산품인 노트북용 10세대 코어 프로세서(아이스레이크)는 2019년에 나왔다. 데스크톱용 프로세서에 10나노급 공정이 적용된 것은 2021년 12세대 코어 프로세서(엘더레이크)부터다. ■ 인텔, 올 하반기 2나노급 공정으로 미세 공정 역전 인텔이 EUV 기반 4나노급 공정 '인텔 4'를 적용한 첫 제품인 코어 울트라 프로세서(메테오레이크)는 작년 하반기부터 양산에 들어갔다. 이를 통해 TSMC·삼성전자(2021년) 대비 격차를 2년 가까이 줄였다. 인텔 4 공정을 개량한 인텔 3 공정은 올 상반기 서버용 프로세서인 '시에라 포레스트'(E코어 기반), '그래나이트래피즈'(P코어 기반) 생산에 활용된다. 그러나 TSMC·삼성전자(2022년) 대비 2년 가까이 격차가 남아 있다. 반면 2나노급 공정부터는 인텔의 역전 가능성이 열려 있다. TSMC와 삼성전자는 2나노급 공정 가동 시점을 2025년으로 잡았다. 반면 인텔은 2나노급 '인텔 20A' 공정 기반 실제 제품을 경쟁사 대비 반 년 가량 앞선 올 하반기부터 투입 예정이다. 인텔은 지난 해 9월 '인텔 이노베이션' 행사에서 인텔 20A 기반 모바일(노트북)용 프로세서 '루나레이크' 시제품으로 생성 AI 구동 시연을 진행했다. 또 지난 1월 CES 2024에서는 시제품 실물도 공개됐다. ■ 고개구율 EUV 기반 '인텔 14A', 유럽에도 적용되나 인텔이 이날 공개한 '인텔 14A' 공정은 보다 세밀한 회로를 새길 수 있는 고개구율(High-NA) EUV를 활용한다. 이와 함께 새로운 트랜지스터 '리본펫'(RibbonFET), 후면 전력 전달 기술 '파워비아'(PowerVIA) 등도 함께 적용 예정이다. 인텔은 2022년 네덜란드 ASML과 고개구율 EUV 노광장비 공급 계약을 맺었다. 지난 1월 초 실제 장비인 '트윈스캔 EXE:5000'이 미국 오레곤 주 힐스보로 소재 인텔 시설에 전달됐다. 인텔 14A 공정은 2027년을 전후해 양산에 들어갈 예정이다. 인텔 관계자는 사전 브리핑에서 "인텔 14A 공정은 오레곤 소재 생산 시설에서 개발되며 전체 공정이 완성되면 세계 각지 생산 시설에 적용될 것"이라고 설명했다. 미국 오레곤 이외에 유럽도 생산 거점으로 예상된다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 1월 중순 진행된 다보스포럼에서 "독일 마그데부르크에 세울 반도체 생산 시설은 인텔 18A 공정 이후 1.5나노급 이하 선단공정을 다룰 것"이라고 밝힌 바 있다.

2024.02.22 03:40권봉석

SEMI "1분기 글로벌 메모리 설비투자 규모 10% 증가 전망"

지난해 부진했던 반도체 설비투자 및 가동률이 올 1분기부터 회복세에 접어들 전망이다. 특히 메모리 설비투자 규모가 1분기 전분기 및 전년동기 대비 각각 9%, 10% 증가할 것으로 관측된다. 21일 SEMI(국제반도체장비재료협회)는 반도체 전문 조사기관인 테크인사이츠와 함께 발행하는 반도체 제조 모니터링 보고서의 최신 자료를 통해 올해 전 세계 반도체 제조산업의 회복세를 예상했다. 전자 제품 판매는 지난해 4분기 전년동기 대비 1% 상승해, 2022년 하반기 이후 처음으로 증가세를 기록한 바 있다. 올해 1분기에도 전년 동기 대비 3%의 증가가 예상된다. 또한 반도체 수요 개선과 재고 정상화가 시작되면서, 지난해 3분기 집적회로(IC) 매출액은 작년 동기 대비 10% 상승했다. 이는 올해 1분기 18% 증가해 더 큰 성장세를 보일 것으로 예상된다. 설비투자액과 팹 가동률은 2023년 하반기에 큰 하락세를 겪은 뒤 올해 1분기부터 점차 회복되기 시작할 것으로 내다봤다. 올해 1분기 메모리 부문 설비투자액은 전분기 대비 9%, 전년동기 대비 10% 증가할 것으로 예상된다. 비메모리 부문은 설비투자액은 전분기 대비 16% 증가할 것으로 전망되나, 전년 동기보다는 낮을 것으로 보인다. 팹 가동률은 지난해 4분기 66%에서, 올 1분기 70%에 달해 소폭 개선될 것으로 전망된다. 한편 팹 생산능력은 지난해 4분기 1.3% 늘었으며, 올 1분기에도 이와 비슷하게 확장될 것으로 기대된다. 지난해 장비 투자액은 예상치를 상회했으나, 장비 구매가 보통 하반기께 진행되면서 올해 상반기의 장비 투자액은 대폭 감소할 것으로 예상된다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터는 "전자 제품과 집적회로(IC)시장은 지난해 부진으로부터 회복되고 있다"며 "지금은 공장 가동률이 낮더라도 올해 점차 개선될 것으로 보인다"고 밝혔다.

2024.02.21 15:43장경윤

삼성전자·Arm, 최첨단 파운드리 동맹 강화…'GAA' 경쟁력 높인다

성전자 파운드리 사업부가 글로벌 반도체 설계 자산(IP) 회사 Arm의 차세대 SoC(시스템온칩) 설계 자산을 자사의 최첨단 GAA(게이트-올-어라운드) 공정에 최적화한다고 21일 밝혔다. 삼성전자는 Arm과의 협력을 통해 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 계획이다. 계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 Design Platform개발실 부사장은 "Arm과의 협력 확대를 통해 양사 고객들에게 생성형 AI 시대에 걸맞은 혁신을 지원하게 됐다"며 "삼성전자와 Arm은 다년간 쌓아온 견고한 파트너십을 통해 최첨단 기술과 노하우를 축적해왔으며, 이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 Cortex-CPU를 선보이겠다"고 말했다. 이번 협업은 다년간 Arm CPU IP를 삼성 파운드리의 다양한 공정에 최적화해 양산한 협력의 연장선이다. 양사간 협업으로 팹리스 고객들은 생성형 AI 시대에 걸맞는 SoC 제품 개발 과정에서 ARM의 최신형 CPU 접근이 용이해진다. 삼성전자의 최선단 GAA 공정을 기반으로 설계된 Arm의 차세대 Cortex-X CPU는 우수한 성능과 전력효율로 최고의 소비자 경험을 제공할 것으로 기대된다. 삼성전자와 Arm의 협력은 팹리스 기업에게 적기에 제품을 제공하면서도 우수한 PPA(소비전력, 성능, 면적)를 구현하는 것에 초점을 맞춘다. 양사는 이를 위해 협력 초기부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 채택해 Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정의 PPA 개선 효과를 극대화했다. 생성형 AI는 새로운 소비자 경험을 제공하는 제품의 핵심 요소로 꼽히고 있다. 양사는 이번 파트너십으로 삼성전자의 GAA 공정을 기반으로 Arm의 차세대 Cortex-X CPU의 접근성을 극대화하고, 고객의 제품 혁신을 지원할 방침이다. 크리스 버기 Arm 클라이언트 사업부 수석 부사장 겸 총괄 매니저는 "삼성전자와의 오랜 협력관계를 통해 다년간 혁신을 지속할 수 있었다"며 "삼성 파운드리의 GAA 공정으로 Cortex-X와 Cortex-A 프로세서 최적화를 구현해 양사는 모바일 컴퓨팅의 미래를 재정립하고, AI 시대에 요구되는 성능과 효율을 제공하기 위해 혁신을 거듭할 것"이라고 말했다. 양사는 이번 협업을 계기로 다양한 영역에서 협력 확대를 위한 초석을 마련했다. 양사는 차세대 데이터센터 및 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 미래 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 획기적인 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보일 계획이다.

2024.02.21 08:46장경윤

삼성전자, 2세대 3나노 양산 임박...새로운 MBCFET 기술 공개

삼성전자가 올해 상반기 2세대 3나노미터(mn) 공정 칩 양산을 앞두고 2세대 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 기술을 내달 4일 세계 반도체 학회인 '전기전자공학자협회(IEEE EDTM) 2024'에서 발표한다. IEEE EDTM은 국제고체회로학회(ISSCC), VLSI와 함께 세계 3대 반도체 학술대회로 꼽힌다. IEEE EDTM은 2017년 일본 도야마에서 처음 시작해 1년에 한 번씩 세계 각지를 돌면서 반도체 최신 기술 동향을 발표하는 행사다. 올해 8회를 맞는 학회는 3월 3일부터 6일까지 인도 방갈루루 힐튼 호텔에서 개최된다. 지난해는 한국에서 개최된 바 있다. 삼성전자는 올해 학회에서 국내 기업으로는 유일하게 참가한다. 이상현 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 이번 학회에서 2세대 MBCFET 기술을 발표한다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 1세대 3나노 양산을 시작하면서 업계에서 처음으로 게이트올어라운드(GAA) 공정과 삼성 독자 기술인 MBCFET 구조를 적용했다. MBCFET은 4면을 채널로 하는 구조 변화를 통해 성능과 전력 효율을 핀펫(FinFET) 구조 보다 높일 수 있는 기술이다. 2세대 MBCFET은 1세대 보다 전력과 성능이 향상됐다. 앞서 삼성전자는 지난해 5월 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에 참가해 2세대 3나노 공정 스펙을 처음으로 공개한 바 있다. 당시 삼성전자는 2세대 3나노(SF3)는 1세대(SF3E) 보다 향상된 GAA 공정을 적용해 삼성전자의 이전 4나노 핀펫 공정 대비 성능이 22% 빨라지고, 전력 효율은 34% 향상됐으며, 로직 면적은 21% 더 작은 크기를 제공한다고 발표했다. 다만 1세대 3나노 공정 스펙과는 비교는 알려지지 않았다. 삼성전자는 올해 상반기 중으로 2세대 3나노 공정 양산을 개시할 계획이다. 앞서 지난 1월 말 4분기 컨퍼런스콜에서 삼성전자는 "우리는 수율 개선과 2세대 3나노 GAA 공정 최적화에 집중하고 있다"고 밝혔다. 한편, 경쟁사인 TSMC도 올해 상반기에 2세대 3나노(N3E) 공정을, 하반기에 고급 공정인 3나노(N3P)에서 칩 양산을 시작할 계획이다. 삼성전자가 3나노부터 GAA 공정을 적용했다면, TSMC는 3나노에서 핀펫(FinFET) 공정을 유지한다. TSMC는 2나노 공정부터 GAA 공정을 도입할 방침이다.

2024.02.18 10:20이나리

국내 파운드리 3사, MPW 대폭 확대...팹리스 키운다

삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 파운드리 업체가 올해 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스 수를 작년보다 늘린다. 3사는 지난해 총 62회를 제공했다면 올해 총 72회를 제공한다는 방침이다. 아울러 정부도 시제품 지원비를 2배 늘리고 10나노미터(mn) 공정 이하에도 지원한다. 이를 통해 팹리스 업체들의 시제품 제작 기회가 확대될 것으로 기대된다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 MPW 서비스를 총 32회(12인치 18회, 8인치 14회) 제공하며 전년(29회) 보다 3회 늘렸다. 지난해 MPW 서비스를 2022년 보다 6회 늘린 데 이어 올해 더 확대한 것이다. SK키파운드리는 올해 MPW 서비스를 총 12회 제공하며 작년(7회) 보다 5회 늘린다. DB하이텍 또한 2022년, 2023년 각각 26회를 제공하다가 올해 횟수를 2회 늘려 총 28회 제공한다는 방침이다. MPW 서비스는 한 장의 웨이퍼에 다양한 종류의 반도체를 찍어 만드는 것을 말한다. 팹리스 업체는 반도체를 출시하기에 앞서 파운드리(생산라인)에서 시제품을 만드는 MPW 과정을 거친다. 그 다음 고객사에 시제품을 공급하고, 주문받은 후 대량 양산에 들어간다. 파운드리 업체의 MPW 서비스 할당이 많을수록 팹리스 기업들이 시제품을 생산할 기회가 많아지는 셈이다. 파운드리 업체 또한 잠재 고객을 확보하기 위해서 MPW 서비스 지원은 반드시 필요하다. 올해 국내 파운드리 업체들이 MPW 횟수를 늘린 것은 국내 팹리스 업체에 시제품 제작 지원을 확대하기 위한 취지다. 업계 관계자는 “MPW 운영이 큰 수익을 내는 것이 아님에도 횟수를 늘린다는 것은 팹리스 업체에 다양한 칩 생산 기회를 제공하기 위한 목적이 크다”고 말했다. 아울러 지난해부터 반도체 수요 감소에 따라 팹 가동률이 낮아진 점도 MPW 할당을 늘릴 수 있는 배경이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 기준 전 세계 8인치 파운드리 업계의 가동률은 70%대로 집계됐다. 기업별로는 삼성전자 65%, DB하이텍 73%, 키파운드리 60% 등이다. 100% 가동률을 기록하던 2021년과 대비된다. 2022년 파운드리 업계는 반도체 공급부족(숏티지) 현상이 심화되면서 MPW 횟수를 대폭 줄인 바 있다. 당시 삼성전자는 연 23회를 제공하며 전년 보다 14회나 줄였고, SK키파운드리는 MPW 서비스를 아예 중단했다. MPW 축소는 대형 고객사의 대량 주문을 우선순위로 웨이퍼를 할당할 수밖에 없었기 때문에 전세계 파운드리 업계의 공통된 상황이었다. 정부 또한 팹리스 업체의 시제품 제작을 위해 올해 MPW 국비 지원을 전년(24억원) 보다 2배 늘려 50억원을 지원한다는 계획이다. 또 팹리스의 첨단 칩 개발 지원을 위해 10나노 이하 초미세 공정에 대한 국비 지원도 올해 신설했다. 산업통상자원부는 팹리스가 개발한 칩의 성능·검증을 위한 '검증지원센터' 구축도 확정지었다. 산업부 관계자는 "국내 파운드리 강점을 기반으로 팹리스 육성을 통한 반도체 밸류체인을 완성하는 것이 목표"라며 "네트워킹, 자금, 시제품 제작기회 해결에 주력하겠다"고 말했다.

2024.02.15 16:21이나리

삼성, TSMC 제치고 日서 2나노 AI 반도체 수주

삼성전자가 지난달 컨퍼런스콜에서 수주를 공식화한 2나노미터(mn) 파운드리 고객사는 일본 주요 인공지능(AI) 기업인 것으로 파악됐다. 이는 경쟁사인 TSMC를 제치고 거둔 성과다. 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리)과 첨단 패키징 기술을 턴키 솔루션으로 제공할 수 있다는 점을 적극 내세운 것으로 알려졌다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 일본 PFN(Preferred Networks)의 2나노 공정 기반 AI 가속기 칩을 수주했다. 지난 2014년 설립된 PFN은 일본의 주요 AI 딥러닝 전문 개발업체다. 자체 개발한 딥러닝 프레임워크인 '체이너(Chainer)'를 기반으로 다양한 산업에 AI 솔루션을 공급하고 있다. 자동차 제조업체 도요타, 통신업체 NTT, 로봇 업체 화낙(Fanuc) 등 현지 여러 대기업으로부터 투자를 유치할 만큼 기술력이 뛰어나다는 평가를 받는다. 또한 PFN은 슈퍼컴퓨터용 AI 칩을 자체 개발해 왔다. PFN이 삼성전자에 생산을 맡긴 공정은 2나노로, 삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리가 오는 2025년부터 양산화를 목표로 하고 있는 최선단 기술에 해당한다. 업계는 이번 삼성전자의 2나노 수주가 의미있다는 평가를 내리고 있다. 최선단 파운드리 분야의 고객사를 확보했다는 점도 긍정적이지만, 주요 경쟁사인 TSMC와의 경합에서 승기를 잡았기 때문이다. 그간 PFN은 자사의 AI칩인 'MN-코어' 시리즈 제조에 TSMC를 활용하다 2나노에서 삼성전자와 삼성전자의 DSP(디자인솔루션파트너)에 파운드리와 설계를 맡기기로 했다. PFN이 삼성전자를 채택한 주요 배경은 HBM 및 첨단 패키징 기술의 턴키(일괄)에 대한 장점 때문으로 알려진다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 이번 수주전에서 2나노 공정과 HBM3, 2.5D 패키징 등을 연계해 시너지 효과를 낼 수 있다는 점을 강조한 것으로 안다"며 "공격적인 마케팅으로 이뤄낸 성과"라고 밝혔다. 삼성전자는 메모리 및 파운드리 사업을 동시에 영위하는 기업이다. 덕분에 AI 칩 제작과 HBM 공급, 그리고 이들 칩을 하나로 집적하기 위한 2.5D 패키징 등을 모두 다룰 수 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. AI 산업의 필수 요소로 자리잡고 있으나, 고난이도의 첨단 패키징 기술을 요구하기 때문에 수요 과잉이 지속되고 있다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저로 반도체 다이(Die)를 연결하는 기술이다. HBM 및 고성능 AI 칩은 데이터를 주고받는 I/O(입출력 단자) 수가 너무 많기 때문에, 기존 2D 패키징이 아닌 2.5D 패키징을 활용해야 한다. 삼성전자의 경우 자체 개발 중인 2.5D 패키징에 '아이큐브'라는 브랜드를 붙이고 있다. 다만 삼성전자의 PFN 수주가 2나노 파운드리 공정 자체의 경쟁력 강화를 의미하지는 않는다는 지적도 제기된다. 파운드리 업계 관계자는 "PFN을 비롯한 팹리스 입장에서 아직 상용화도 되지 않은 삼성전자, TSMC의 각 2나노 공정 성능을 평가하기엔 변수가 너무 많다"며 "공정 상 이점보다는 HBM의 원활한 수급과 TSMC에 대한 의존도 탈피 등 공급망 측면에 방점을 뒀을 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.02.15 14:46장경윤

美테일러 팹 7월 가동 소식에…삼성 "예정대로 연말 가동" 입장

삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 반도체 제조공장(팹)이 오는 7월부터 가동을 시작한다는 소식이 현지에 전해졌다. 하지만 삼성전자 측은 "예정대로 올해 말에 가동을 시작할 예정"이라고 입장을 밝혔다. 텍사스주 윌리엄슨카운티의 빌 그래벨(Bill Gravell) 카운티장은 6일(현지시간) 열린 정기 회의에서 "최근 한국에서 열린 반도체 회의에 참석해 삼성전자 최고재무책임자(CFO)를 만나 테일러 팹 운영 및 제조 일정에 대한 세부 사항을 확인했다"며 "테일러 팹이 늦어도 7월 1일까지 직원을 받기 시작하고 그 기간에 제조를 시작할 것"이라고 말했다. 그는 또 "테일러 단지에서 2공장을 짓기 위한 기초공사를 시작한 것을 파악했다"라며 "완공되면 이 건물이 미국에서 가장 큰 단일 건물이 될 것"이라고 덧붙였다. 빌 그래벨 카운티장은 이달 초 삼성동 코엑스에서 개최된 반도체 전시회 '세미콘 코리아 2024' 미주 포럼 참석과 경기 용인시와 우호 교류 의향서 교환 등의 일정을 위해 한국에 방문한 바 있다. 이에 대해 지디넷코리아의 문의에 삼성전자는 "테일러 팹은 예정대로 연말에 가동을 시작할 예정이다"고 말했다. 삼성전자는 2021년 11월 170억 달러(약 21조원) 규모의 테일러 파운드리 공장 설립을 발표하고, 2022년 상반기 착공에 돌입했다. 테일러 공장 부지는 약 500만㎡(150만평) 규모이며, 삼성 텍사스 공장 보다 약 4배 크다. 테일러 팹은 최첨단 4나노미터(nm) 공정을 활용해 5세대(5G) 이동통신, 고성능컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 등 반도체를 생산할 계획이다. 삼성전자는 이곳에서 미국 AI 반도체 스타트업인 그로크의 차세대 칩, 캐나다 텐스토렌트의 AI 칩을 4나노(SF4X) 칩렛 공정으로 생산할 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다. 최시영 삼성전자 DS(반도체)부문 파운드리사업부 사장은 지난해 말 미국에서 열린 국제반도체소자학회(IEDM) 2023 기조연설에서 텍사스 테일러 공장의 첫 웨이퍼 생산을 내년 하반기, 대량 양산 시기를 2025년으로 밝혔다. 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄 부사장은 지난달 초 'CES 2024'에서 열린 한국 기자 대상 간담회에서 "테일러 팹 건설이 예정대로 잘 진행되고 있다"면서 "고객 니즈를 파악하며 미국 정부와 협상을 진행 중이다. 조만간 구체적 일정을 밝힐 수 있을 것"이라고 말했다.

2024.02.08 10:39이나리

8인치 파운드리 업계, '가격 하락' 압박 지속 전망

지난해 극심한 부진을 겪은 8인치(200mm) 파운드리 업계가 올 초에도 회복의 기미를 보이지 못하고 있다. 현재 국내외 일부 기업이 공격적인 단가 인하 기조를 이어가고 있는 상황으로 수익성이 더 악화될 것이라는 우려의 목소리가 나온다. 6일 업계에 따르면 세계 8인치 파운드리 시장은 올해 상반기까지 가격 하락 압박이 지속될 전망이다. 8인치 파운드리는 웨이퍼 직경이 8인치인 공정이다. 주로 성숙(레거시) 반도체 제조에 활용된다. DDI(디스플레이구동칩)이나 PMIC(전력관리반도체), CIS(CMOS 이미지센서) 등이 대표적인 제품이다. 현재 국내 삼성전자, DB하이텍, SK하이닉스시스템IC, 키파운드리 등이 8인치 파운드리 사업을 영위하고 있다. 이들 기업은 지난 2021년경 레거시 반도체의 호황으로 100%에 가까운 가동률을 기록했으나, 2022년 하반기부터 가동률이 하락하기 시작했다. 트렌드포스 등 시장조사기관에 따르면 지난해 4분기 기준 8인치 파운드리 업계의 가동률은 70%대로 나타났다. 기업별로는 삼성전자 65%, DB하이텍 73%, SK하이닉스시스템IC 50%, 키파운드리 60% 등이다. 공정 가격 역시 지난해 하반기 전분기 대비 10%가량 하락한 것으로 알려졌다. 나아가 8인치 파운드리 가격의 하락 압박은 올해 상반기에도 지속될 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "일부 국내외 8인치 파운드리 기업들이 가동률 향상을 위해 공격적인 가격 인하를 시행하고 있어, 올해 상반기에도 어려운 흐름이 지속될 것"이라며 "수요 회복이 더딘 시점에서 한국과 대만·중국 기업 간의 신경전도 영향을 미치고 있다"고 설명했다. 실제로 DB하이텍은 최근 발표한 자료에서 올해 연 매출이 10% 감소하고, 영업이익률이 10% 초반으로 역성장을 기록할 것으로 내다봤다. 특히 영업이익률의 경우 지난해 기록인 23%의 절반 수준으로 큰 폭의 감소가 예상된다. 다만 올 상반기 8인치 공정의 가격 인하 폭은 이전만큼 크지 않을 것이라는 게 업계의 관측이다. 공정 가격이 이미 바닥에 다다랐고, 추가 가격 하락에 따른 가동률 상승 효과에도 한계가 있기 때문이다. 또 다른 관계자는 "지금도 적자를 기록하는 기업들이 있어 가격 하락폭이 두 자릿 수로 가지는 않을 것"이라며 "하반기부터 다시 업황과 가동률이 개선될 것으로 기대하고 있다"고 밝혔다.

2024.02.06 13:30장경윤

'하이 NA EUV 장비' 2027년 국내 온다...삼성 1.4나노 생산

삼성전자와 네덜란드 장비업체 ASML이 공동으로 투자하는 반도체 첨단공정 연구개발(R&D) 센터에 2027년부터 하이(High) NA EUV(극자외선) 장비가 반입될 예정이다. 이를 통해 삼성전자 파운드리는 1.4나노 공정부터 하이 NA EUV 장비를 적용할 것으로 보인다. 삼성전자는 2025년 2나노 공정, 2027년에는 1.4나노 공정으로 칩을 양산한다는 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다. 이우경 ASML 코리아 사장은 31일 서울 인터콘티넨탈 파르나스 호텔에서 열린 '세미콘코리아 인터스트리 리더십 디너'에서 기자들을 만나 "EUV R&D 센터에 장비 반입이 2027년에 될 것 같다"며 "장비를 빨리 들여오는 것이 목표다. 인허가 받는 과정이 있기 때문에 빠르면 올해 12월에 (R&D 센터를) 착공하거나 내년에 시작할 것으로 보인다"고 말했다. 그는 이어 "EUV R&D센터 건립을 위해 AMSL 화성 뉴캠퍼스 바로 앞에 부지를 구입했다. 신규 센터를 지을 때 전력 등 인허가가 나기까지 보통 3개월 소요되는데, 이번 건은 빠르게 진행되면서 다음주 또는 구정 후에 결과를 받을 것 같다. R&D 센터 건물만 4천500억원, 장비만 해도 1조원 규모"라며 "이런 인프라가 한국에 있다는 것만 해도 큰 가치(밸류)일 것"이라고 덧붙였다. EUV R&D 센터는 지난해 12월 한국과 네덜란드의 반도체 동맹을 계기로 삼성전자와 ASML이 공동으로 1조원을 투자해 국내에 짓는 센터다. 이 곳에서는 ASML의 EVU 장비를 삼성전자의 공정에 최적화하는 기술을 연구할 계획이다. 양사의 공동 R&D 센터 건립 체결 당시 이재용 삼성전자 회장과 경계현 삼성전자 DS부문 사장이 직접 참석해 주목받기도 했다. 파운드리 업계에서 초미세 공정 기술 경쟁이 갈수록 심화되는 가운데 삼성전자는 ASML과 협력을 통해 경쟁력을 미리 확보할 것으로 기대된다. ASML은 반도체 미세공정을 위한 EUV를 전 세계에서 유일하게 생산하는 장비 업체로 '슈퍼 을(乙)'로 불린다. 삼성전자와 ASML의 공동 R&D 센터에 반입되는 하이 NA EUV 장비(트윈스EXE:5000)는 2나노 이하의 공정에서 반드시 필요하다. 하이 NA EUV 장비는 이전 장비(NXE 시스템) 보다 1.7배 더 작은 트랜지스터를 인쇄할 수 있다. ASML은 지난해 12월 인텔에 처음으로 하이 NA EUV 장비를 공급했으며, 대량 양산은 2025~2026년을 목표로 하고 있다. 인텔 또한 하이-NA EUV 장비로 18A(1.8나노급) 반도체를 양산할 계획이다. 삼성전자를 비롯해 TSMC 또한 하이 NA EUV 장비를 발주했다. 삼성전자는 ASML과 반도체 공동연구소를 통해 EUV 기술 선점에 경쟁 우위를 갖을 것으로 기대한다. 지난해 12월 경계현 사장은 ASML과 협력체결 후 공항에 입국하면서 기자들에게 "앞으로 하이 NA EUV 장비에 대한 기술적 우선권을 삼성이 갖게 될 것 같다. 장비를 빨리 들여온다는 관점보다는 ASML와 삼성의 엔지니어가 같이 공동연구를 하는 것"이라며 "삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺어가는 것이 중요하다"고 말했다.

2024.02.01 14:00이나리

"삼성, 올해도 TSMC 제치고 설비투자 규모 1위 전망"

"삼성전자는 올해 333억 달러의 설비투자로 모든 종합반도체기업 및 파운드리 중에서 1위를 기록할 것으로 전망된다. 지난 2010년부터 1위를 유지하고 있는 것으로, 매우 고무적인 일이다." 31일 안드레아 라티 테크인사이츠 디렉터는 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기자간담회에서 전 세계 반도체 설비투자 현황에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 소재의 반도체 전문 시장조사기관이다. 테크인사이츠는 올해 반도체 시장 규모가 6천370억 달러로 전년 대비 15% 성장할 것으로 내다봤다. 분야 별로는 D램, 낸드 등 메모리반도체의 성장이 가장 두드러질 전망이다. D램은 올해 770억 달러로 전년 대비 50%, 낸드는 520억 달러로 전년 대비 32%의 성장세가 예상된다. 로직, 차량용 반도체 등이 10%대로 성장하는 것에 비해 가파르다. 올해 전 세계 반도체 기업들의 설비투자 규모는 전년 대비 2% 증가한 1천587억 달러를 기록할 것으로 추산된다. 지난해 투자 규모는 반도체 시장 및 거시경제 악화로 전년 대비 9% 감소한 바 있다. 기업별로는 삼성전자가 지난해에 이어 올해에도 가장 큰 규모의 투자를 진행할 것으로 분석된다. 삼성전자의 투자 규모는 지난해 347억 달러, 올해 333억 달러로 추산된다. 2위 TSMC는 올해 305억 달러, 내년 300억 달러를 투자할 전망이다. 안드레아 라티 디렉터는 "삼성전자는 지난 10년간 가장 많은 반도체 설비투자를 집행해 왔다는 점에서 고무적"이라며 "상위 5개 기업(삼성전자, TSMC, 인텔, SMIC, SK하이닉스)가 전체 투자의 3분의 2를 차지하고 있다"고 밝혔다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터도 주요 기업들의 활발한 설비투자로 반도체 장비 시장이 견조한 성장세를 보일 것으로 예상했다. 클락 청 디렉터는 "세계 반도체 장비 매출액은 지난해 1천9억 달러에서 올해 1천53억 달러로, 내년에는 1천241억 달러로 성장할 것"이라며 "세계 각국의 공급망 강화 전략 및 인센티브 정책 등으로 중장기적인 성장세가 예견된다"고 설명했다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 이번 행사는 글로벌 반도체 산업 관계자들이 한 자리에 모여 첨단 반도체 기술 및 시장 현황에 대해 짚고자 마련됐다. 올해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 반도체 제조기업과 소부장 기업들이 500여곳이 참여했다.

2024.01.31 16:43장경윤

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

인텔·대만 UMC 파운드리 동맹…삼성 고객 빼앗나

미국 인텔과 대만 UMC가 12나노미터(mn, 10억분의 1m) 공정에서 파운드리 협력에 나선다. 이번 협력은 파운드리 재진출을 선언한 인텔과 대만에서 파운드리 2위 업체인 UMC가 손잡는다는 점에서 업계의 주목을 받는다. 양사의 파운드리 협력이 삼성전자에 어떤 영향을 미칠지 관심이 쏠린다. 반도체 업계 전문가들은 삼성전자가 성숙(레거시) 공정보다는 7나노 이하의 첨단(어드밴스드) 공정에 주력하고 있기 때문에 인텔과 UMC의 협력이 파운드리 사업에 단기적으로 큰 영향을 받지 않을 것으로 평가했다. 다만, 삼성전자가 10나노대 공정에서도 파운드리 사업을 하고 있다는 점에서 장기적으로 인텔에 고객사를 빼앗길 가능성이 우려된다는 목소리도 나온다. 인텔과 UMC가 12나노 공정 외에도 협력을 확장할 가능성이 있기에 양사의 동맹을 계속 주목해야 한다는 의견이다. 인텔·UMC 12나노 파운드리 동맹…2027년부터 생산 인텔과 UMC는 지난 25일(현지시간) 12나노 공정 파운드리 협력을 발표했다. 인텔은 3차원 트랜지스터 구조 핀펫(FinFET) 공정 기술을 제공하고, UMC는 그동안 레거시 파운드리 공정에서 쌓은 설계자산(IP)과 PDK(공정개발킷)을 지원한다. 양사는 애리조나주 챈들러에 위치한 기존 인텔 팹22와 팹32에서 2027년부터 12나노 공정으로 반도체를 생산할 계획이다. 김형준 차세대지능형반도체 사업단장은 “인텔은 수익성이 높은 인텔20A(2나노급), 18A(1.8나노급) 등 초미세 공정 개발에 주력하고 있는데, UMC로부터 12나노 IP를 공급받게 되면서 파운드리 스펙트럼을 넓힐 수 있게 됐다”며 “UMC는 파운드리 노하우를 인텔에 제공하고, 인텔은 첨단 공정 기술을 제공해 상호 보완할 것으로 보인다”고 설명했다. 결과적으로 인텔은 이번 협력을 통해 IDM에서 파운드리 비즈니스 모델로 수월하게 전환하면서, 2나노 및 3나노와 같은 첨단 프로세스 개발에 더 집중할 수 있게 됐다. 그동안 22나노 및 28나노 공정에 주력했던 UMC는 과도한 투자비용 부담 없이 10나노대 공정에서 필수인 핀펫 기술을 확보할 수 있게 됐다. UMC는 2017년부터 14나노 공정을 개발해 왔지만 아직 대량 생산에 이르지 못했고, 12나노 공정은 아직 R&D 단계에 머무는 수준이었기 때문이다. 아울러 UMC는 인텔의 미국 팹을 공동으로 관리하면서 글로벌 시장에서 입지를 강화할 것으로 기대된다. 시장조사업체 트렌드포스는 “양사가 인텔의 기존 팹을 활용함으로써 생산 장비 재배치, 배관 설치 등에 대한 투자 비용을 80% 절감할 수 있게 됐다. UMC는 인텔의 파운드리 비즈니스 협상을 돕는 데 중요한 역할을 할 전망”이라며 “앞으로 이 파트너십이 순조롭게 진행된다면 인텔이 UMC와 추가로 1Xnm 핀펫 시설을 공동 관리하면서 잠재적으로 아일랜드의 팹24 및 오레곤의 D1B, D1C로 확장을 고려할 수도 있다”고 내다봤다. 삼성전자, 미세공정 파운드리에 주력...양사 동맹 예의주시 필요 삼성전자는 수익성이 높은 7나노 이하의 첨단 공정에 주력하고 있지만, 10나노대 공정에서도 파운드리 사업을 하고 있기에 인텔과 UMC의 협력에 경계심을 갖고 예의주시해야 한다는 의견이 나온다. 삼성전자 미국 오스틴 공장은 14∼65나노 공정을 기반으로 모바일 애플리케이션(AP), 솔리드스테이트드라이브(SSD) 컨트롤러, 디스플레이드라이버 IC(DDI), CMOS 이미지센서, RF 칩 등 IT용 반도체를 주로 생산하고 있다. 인텔이 2027년 12나노 공정에서 반도체를 생산을 시작하면, 삼성전자는 고객사 이탈에 대한 우려가 따를 수밖에 없다. 유재희 반도체공학회 부회장(홍익대 전자전기공학부 교수)은 “삼성전자가 10나노대의 매출을 공개하고 있지 않아서 알 수는 없지만, 이 시장 또한 놓칠 수 없는 시장인 것은 분명하다”라며 “5나노 이하 공정이 부가가치가 높더라도 모든 칩이 2나노, 3나노 공정이 필요한 것은 아니며, 삼성이 2나노 3나노 공정에서 많은 수주를 한다는 보장이 없다. 인텔과 UMC의 협력의 영향은 정도의 문제일 뿐, 영향을 안 받는다고 볼 수는 없을 것”이라고 말했다. 유 부회장은 이어 “인텔이 2나노, 3나노 공정에 막대한 투자를 하면서 이번에 UMC와 협력한다는 것은 현금 흐름을 위해서 어느 정도 10나노대에서 사업을 일으켜 보겠다는 의도가 확실해 보인다”고 덧붙였다. 김형준 차세대지능형반도체 사업단장도 “삼성전자는 40나노 60나노에는 리소스가 한정돼 있어서 과감하게 포기하고 20나노 및 10나노 이하에 주력하고 있다. 현재 삼성전자의 파운드리 사업은 미세공정에 초점이 맞춰져 있지만, 10나노대 사업도 중요하기에 인텔을 신경써야 할 것”라며 “경쟁에서 누가 캐파를 많이 갖고, 수율을 높이느냐가 관건일 것”이라고 말했다. 반면, 양사의 협력이 삼성전자의 사업에 크게 영향을 주지 않을 것이라는 의견도 나온다. 황철성 서울대학교 전자재료공학 석좌교수는 “삼성전자는 선단 노드에서 TSMC와 경쟁하기에도 바쁘다. 레거시 노드는 삼성이 서포트할 수 없고 이윤이 많이 안남기 때문에 할 이유도 없다고 본다. TSMC가 레거시 노드까지 다 서비스하는 이유는 오래전부터 해온 사업이고, 팹을 놀리는 것보다 돌리는 것이 낫다고 판단하고 있기 때문일 것”이라고 설명했다. 이어 그는 “삼성전자 파운드리 사업은 전자 반도체 사업에 30%도 안 되고, 그 중에서 레거시 반도체 생산 비중은 매우 적다. 반면 인텔은 CPU 만들다가 파운드리로 전환하는 과정에서 TSMC와 경쟁하기 위해 다양한 포트폴리오를 갖추려고 하는 것”이라며 “그러다 보니 직접 12나노 공정 기술을 개발하는 것은 비용 부담이 돼, UMC와 협력한 것으로 보인다”고 말했다.

2024.01.30 17:14이나리

삼성전자 DS부문, 올해 임원 연봉 동결…"경영 정상화 결의"

지난해 1~4분기 연속으로 적자를 기록한 삼성전자 DS부문(반도체 사업)이 경영 정상화를 위한 특단의 조치를 시행한다. 삼성전자 DS부문은 오늘(17일) 긴급 임원회의를 열고 올해 임원 연봉을 동결하기로 결정했다고 밝혔다. 삼성전자는 "경영진과 임원들이 경영 실적 악화에 대해 특단의 대책 마련과 솔선수범이 절실한 시점이라는 공감대를 형성했다"며 "연봉 동결과 함께 조속한 경쟁력 확보와 경영정상화를 위한 결의를 다졌다"고 밝혔다. 한편 삼성전자는 지난해 4분기 연결 기준 매출 67조원, 영업이익 2조8천억원의 실적을 기록한 것으로 잠정 집계됐다. 전년동기 대비 각각 4.91%, 35.03% 감소한 수치다. 특히 삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 DS부문은 지난해 1~3분기 연속 영업손실을 기록하면서 총 누적 적자액 12조6천900억원을 기록한 바 있다. 4분기에도 1조원대의 영업손실이 일어난 것으로 관측된다.

2024.01.17 17:57장경윤

한진만 삼성전자 "AI 시대, 파운드리 메모리 시너지 본격화…주문 늘었다"

[라스베이거스(미국)=이나리 기자] “생성형 AI 시장에서 삼성전자가 파운드리와 메모리의 융합을 통해 2~3년 뒤에 강자가 될 것으로 자신한다.” 삼성전자 반도체(DS) 부문 미주지역을 총괄하는 한진만 DSA 부사장은 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 진행된 기자간담회에서 이 같이 밝혔다. 삼성전자는 메모리와 파운드리를 동시에 갖고 있는 전세계 유일한 회사로 메모리 반도체 시장에서 1위, 파운드리(위탁생산) 시장에서 2위를 차지한다. 한 부사장은 “과거 미주 지역 고객사들은 모바일 중심이었지만, 최근에 HBM(고대역폭메모리)과 같은 AI 가속기용 메모리 수요가 증가하면서, 파운드리와 결합되는 새로운 비즈니스가 나오고 있다”며 “특히 하이퍼포먼스 컴퓨팅 고객사들로부터 HBM 수요가 늘어나면서 삼성전자의 강점인 메모리와 파운드리의 진짜 시너지가 본격적으로 일어나고 있다”고 자신했다. 이어서 한 부사장은 “최근 고객사들은 파운드리 로직 공정에 자신의 IP나 새로운 IP를 넣어서 기존 메모리와 다른 맞춤형(커스터마이징) 솔루션을 만들고 싶다는 요구를 많이 한다”라며 “이것이 진정한 메모리와 파운더리의 시너지다”고 강조했다. 최근 AI 서버 시장이 제너럴 서버 시장의 성장을 견인하면서 삼성전자의 수요 측면에서 긍정적이다. 한 부사장은 “삼성전자는 시설투자를 통해 선단 공정 전환을 가속화하고 미국 서버 시장에서 50% 이상 점유율을 확보하기 위해 노력할 예정”이라며 “지난해는 시장이 침체돼 있었지만, 2025년에는 메모리 수요가 공급을 초과할 것으로 보고, 올해 그 시장을 대비해 나가겠다”고 말했다. 삼성전자는 올해 HBM 시설투자를 전년 보다 2.5배 늘릴 계획이다. 한 부사장은 “작년에 시황이 어려웠지만 HBM 시설투자는 상당히 높게 유지했듯이, 올해 2.5배 늘리고, 내년에도 올해 수준으로 진행할 것으로 보인다”라며 “HBM 등 고성능 고용량 메모리 수주가 늘어나면 2~3년 뒤에는 시설투자에 대한 이슈가 나오게 된다. 삼성전자 대표이사의 철학은 시장 수요가 높고 낮음에 따라 시설투자를 변화하는 과거의 형태는 이제 맞지 않는다고 생각이다”고 덧붙였다. 삼성전자가 올해 양산을 목표로 건설 중인 미국 테일러 파운드리 공장에 대해서는 “예정대로 잘 진행되고 있다”라며 “양산 시점 등은 미국 정부와 협상을 계속 진행 중이다”라고 답했다. 반도체 업황은 올해 회복할 것으로 전망된다. 그는 “중국 스마트폰 시장이 반등을 보이고 있고, 미국에서는 온디바이스 AI를 사용한 AI PC가 본격적으로 출시되면서, 올해부터 반도체 시장이 본격적으로 반등할 것으로 보이고, 실제로 고객들의 주문량이 늘어나고 있다”고 말했다. 이어 “하지만 여전히 시장 불확실성 때문에 조심스러운 것은 사실이다”고 덧붙였다.

2024.01.12 04:49이나리

반도체 수요 회복세↑...새해 신규 공장 가동 수 '껑충'

올해 전 세계 반도체 생산능력이 전년 대비 6.4% 성장할 것이라는 분석이 나왔다. 세계 각국이 추진해 온 반도체 공급망 강화 전략에 따른 효과로, 올해 신규 가동되는 공장의 수도 크게 늘어날 것으로 전망된다. 3일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 올해 전 세계에서 가동을 시작하는 신규 반도체 공장의 수는 42개를 기록할 전망이다. 전 세계 신규 반도체 공장 가동 수는 2022년 29개, 지난해 11개를 기록한 바 있다. 올해는 전년 대비 4배 가까이 증가한 수치로, 이를 반영한 전 세계 반도체 월간 생산능력은 전년 대비 올해 6.4% 성장한 3150만 장에 달할 것으로 예상된다. SEMI는 "지난해에는 반도체 수요 감소와 재고 조정으로 설비투자가 위축됐으나, 올해는 세계 각국의 인센티브 정책에 힘입어 다시 투자가 급증하고 있다"며 "국가 및 경제 안보에서 반도체 공급망의 중요성이 높아지면서 이러한 추세는 지속될 것"이라고 설명했다. 국가 별로는 중국의 움직임이 가장 활발하다. 중국 반도체 제조기업들은 올해 18개의 신규 라인 가동으로 생산능력이 전년 대비 13% 증가한 월 860만 장을 기록할 전망이다. 대표적으로 현지 최대 파운드리인 SMIC는 올해 상하이, 톈진 신규 공장의 가동을 시작할 예정이다. 두 공장에 투자된 규모만 160억 달러(한화 약 20조 원)에 달하며, 28나노미터(nm) 공정을 주력 양산할 것으로 알려졌다. TSMC, UMC 등 주요 파운드리가 위치한 대만도 올해 5개의 신규 공장 가동에 나선다. 생산능력은 전년 대비 4.2% 증가한 월 570만 장을 기록할 것으로 예상된다. 한국은 신규 공장 1개가 가동되면서 생산능력이 전년 대비 5.4% 증가한 월 510만 장이 될 것으로 관측된다. SEMI가 보고서에 기술한 신규 공장은 SK하이닉스가 2022년 착공에 나선 청추 'M15X'로, 3D 낸드를 양산할 것으로 내다봤다. 다만 SK하이닉스가 관련 투자를 집행한 사례는 아직 포착된 바 없어, 실제 가동 시기 및 생산 제품에 대해서는 상황을 더 지켜봐야 한다는 의견도 제기된다. 미국은 6개의 신규 공장이 가동을 시작하면서 생산능력이 전년 대비 6% 증가한 월 310만장을 기록할 것으로 보인다. 절대적인 생산 규모는 타 국가에 비해 작지만, 미국에는 삼성전자와 TSMC, 인텔 등 주요 기업들의 첨단 공정 투자가 이어지고 있다. 특히 삼성전자는 올 하반기 미국 테일러시의 신규 파운드리 공장에서 4나노 공정 초도 물량 생산을 시작할 예정이다. 지난해 하반기부터 이를 위한 장비를 발주하기 시작했다. 현재까지 확정된 생산능력은 월 5천장 수준인 것으로 알려졌다.

2024.01.03 13:50장경윤

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