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'삼성 파운드리'통합검색 결과 입니다. (176건)

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"반도체 클러스터 속도 더해야"…정부, 팹 조기 구축에 '한목소리'

삼성전자, SK하이닉스 등이 주도하는 국내 반도체 생태계 강화 전략에 정부가 지속적인 힘을 싣고 있다. 김정관 산업통상부 장관은 2일 서울 중구 페럼타워에서 열린 국민경제자문회의 공개 포럼에서 "3대 메가 프로젝트의 반도체 팹 가동 시점을 2년 이상 앞당기겠다"고 밝혔다. 김 장관은 "프로젝트의 민간 투자 규모는 총 1600조원 규모로, 사업 착수연도 국내총생산(GDP)의 약 60%에 달하는 압도적인 수준"이라며 "민간의 투자 계획이 차질 없이 집행되도록 인허가 일괄처리와 초광역특구법 제정 등을 속도감 있게 추진하겠다"고 말했다. 앞서 삼성전자, SK하이닉스는 기존 구축 중인 반도체 팹의 설비투자 속도를 높이는 한편, 용인 반도체 클러스터 구축 속도를 크게 앞당기겠다고 발표한 바 있다. 삼성전자는 용인 팹 완성 목표 시점을 당초 2047년에서 2040년, SK하이닉스는 2045년에서 2033년으로 단축했다. 서남권 지역에는 각각 400조원을 투입해, 메모리 전공정 팹 2기씩을 건설하기로 했다. 일각에서는 서남권 반도체 클러스터 부지 조성 미흡, 에너지 조달 문제 등으로 목표에 차질이 생길 수 있다는 우려를 제기해 왔다. 그러나 정부는 국내 반도체 생태계 강화를 위한 메가 프로젝트에 지속적인 힘을 싣고 있다. 이재명 대통령 역시 2일 오전 국회에서 2027년도 예산안 시정연설을 통해 “3대 메가프로젝트인 반도체, 피지컬AI, AI 데이터센터와 인공지능 투자에 올해보다 두 배 가까이 늘어난 21조 3000억 원을 투입한다”며 “수도권 팹의 조기 가동과 서남권 클러스터 구축 등 생산기반 확충에 2조원을 투자하겠다”고 강조했다.

2026.11.02 18:31장경윤 기자

코아시아세미, HPC향 최첨단 빅다이 칩 양산 출하

국내 반도체 디자인하우스(DSP) 코아시아세미가 최첨단 4nm(나노미터, 10억분의 1m) 빅다이(Big Die) 양산에 돌입했다. 코아시아세미는 고성능 컴퓨팅(HPC)용 네트워크 스위치 반도체의 양산용 웨이퍼 출하를 시작했다고 2일 밝혔다. 이번 프로젝트는 오는 2029년까지 총 1억 7500만달러(한화 약 2270억원) 규모로 추진되며, 지난 10월 중순 첫 출하를 기점으로 고객사의 제품 공급 일정에 따라 실적이 순차 반영될 예정이다. 이번에 양산된 반도체는 코아시아세미가 수주한 역대 프로젝트 중 최대 크기다. 반도체 업계에서 빅다이 생산은 칩 면적이 넓을수록 실리콘 웨이퍼 내 결함에 따른 수율 저하 위험이 급증하고 발열·전력계 설계가 까다로워 디자인하우스의 기술적 진입장벽이 가장 높은 분야로 평가받는다. 코아시아세미는 리벨리온, 텐스토렌트 등 국내외 대표 차세대 AI 팹리스들과 칩렛(Chiplet) 양산 협력을 맺은 데 이어, 지난 8월 3D IC 패키징 기반 SoC 양산에 성공하는 등 고부가가치 반도체 포트폴리오를 지속 확장해 왔다. 회사 측은 첫 제품 출하에 이어 해당 고객사와 후속 반도체 프로젝트 협업도 동시에 진행하며 HPC 시장 내 장기적인 매출 기반을 다지고 있다. 신동수 코아시아세미 대표는 "AI 시장 확대로 반도체 구조가 거대해지면서 디자인 서비스 기업의 가치도 단순 설계를 넘어 실제 양산 완수 능력으로 전환되고 있다"며 "이번 초대형 칩 양산 경험을 발판 삼아 HPC 등 프리미엄 반도체 시장에서 양산 레퍼런스를 빠르게 늘려가겠다"고 강조했다.

2026.11.02 13:26전화평 기자

삼성전자 "메모리, 2028년까지 수급 빠듯...내년 HBM 완판"

삼성전자가 메모리 반도체는 내년에도 공급이 부족하고, 2028년까지 수급이 빠듯할 것이라고 전망했다. 폭발적인 인공지능(AI) 수요로 내년 고대역폭메모리(HBM) 물량은 이미 완판됐다. 삼성전자는 29일 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "인공지능(AI) 인프라 구축 경쟁 가속과 퍼스널 AI 에이전트 확산으로 2027년 전례 없는 메모리 수요 강세가 이어질 것"이라고 전망했다. 동시에 "공급 측면에서는 내년에 공격적 설비투자를 단행하더라도 2028년 실제 비트(Bit·메모리 생산량 단위) 증가로 직결되기는 어렵다"고 평가했다. 김재준 메모리사업부 부사장은 "투자에서 큰 비중이 신규 공간 확보에 소요되고, 신규 팹 건설부터 웨이퍼 생산까지 긴 리드타임을 감안하면 실질적 생산 기여에는 어려움이 있다"고 설명했다. 김재준 부사장은 "향후 주력이 될 HBM4E와 HBM5는 다이(Die) 사이즈가 전 세대 대비 커지고 메탈 공정 레이어도 크게 증가해 물리적 공급 증가 제약은 여전히 불가피할 것"이라며 "이러한 측면을 종합하면 타이트한(빠듯한) 수급 상황은 2028년에도 이어질 전망"이라고 덧붙였다. 폭발적인 '초과수요'는 선주문으로 입증되고 있다. 김 부사장은 "2027년 HBM 공급 물량은 삼성전자 제품 경쟁력을 감안한 목표 수준 가격으로 협상이 완료돼 이미 솔드아웃(완판)된 상태"라며 "주요 고객들의 추가 HBM 공급 증량 요청이 계속 접수되고 있다"고 밝혔다. 물량을 안정적으로 확보하려는 고객과 체결한 장기공급계약(LTA)도 늘었다. 삼성전자는 이미 대형 고객사 10곳과 다년 계약을 체결했고, 현재 모바일·오토모티브·네트워크 등 고객사 10곳과 추가 다년 계약을 협상 중이다. 일부는 협상 완료 단계에 진입했다. 삼성전자는 2030년까지 전체 생산능력 60~70% 수준을 LTA 물량으로 묶어 장기적이고 안정적인 사업 모델을 정착시킨다는 방침이다. 파운드리(반도체 위탁생산) 사업도 뚜렷한 성장을 기대했다. 대형 하이퍼스케일러와 AI·고성능컴퓨팅(HPC) 고객을 중심으로 최선단 2나노미터(nm, 10억분의 1m) 공정 수주가 크게 늘었다. 올해 전체 2나노 수주 과제 수는 전년비 2배를 웃돌 것으로 예상된다. 삼성전자는 내년 파운드리 매출에서 HPC 비중이 전체 50%를 상회할 것으로 예상했다. 추가 증설도 본격화한다. 강석채 파운드리사업부 부사장은 "현재 선단 공정 생산능력 증설 속도가 실제 수요 증가분을 따라가지 못하고 있다"며 "급증하는 2나노 AI·HPC 고객 수요에 적기 대응하기 위해 미국과 국내 신규 팹 투자를 확대 추진하고 있다"고 밝혔다. 강 부사장은 "미국 텍사스 테일러 팹1은 현재 클린룸 가동과 설비 반입을 시작해 라인 셋업을 위한 웨이퍼 투입 등 일정대로 진행 중"이라며 "로직뿐 아니라 어드밴스드 패키징 생산능력도 적기에 구축해 초미세 공정부터 패키징까지 이어지는 통합 생태계를 기반으로 AI 시대 시장 대응력을 강화하겠다"고 강조했다. 삼성전자 3분기 전사 실적은 매출 195조 3000억원, 영업이익 107조 4000억원이다. 4분기 연속 최대 매출과 영업이익을 동시에 경신했다. 일등 공신은 반도체를 담당하는 DS부문이다. DS부문 영업이익은 전 분기보다 20% 증가한 106조 5000억원이다. HBM4와 서버용 SSD(eSSD) 등 고부가품 판매 호조 영향이다.

2026.10.29 12:21전화평 기자

영업익 100조 시대 연 삼성 반도체, 내년 공급부족 대비 85조 설비투자

삼성전자가 인공지능(AI) 반도체 수요 강세에 힘입어 3분기 반도체 사업에서 100조원이 넘는 영업이익을 올렸다. 역대 최대 실적이다. 올해 84조원대의 대규모 시설투자를 단행해 내년에도 이어질 AI 메모리 '초과 수요' 시장 주도권을 확고히 쥔다는 방침이다. 삼성전자는 29일 3분기 실적발표에서 반도체 사업을 담당하는 DS부문 실적이 매출 147조 1000억원, 영업이익 106조 5000억원이라고 밝혔다. 전년 동기 대비 매출은 344%, 영업이익은 1421% 급증했다. 올해 3분기 전사 매출은 195조 2532억원, 영업이익은 107조 4405억원이다. 호실적은 메모리 사업부가 견인했다. 3분기 메모리 매출만 140조 7000억원이었다. 역대 최대 실적을 갈아치웠다. 삼성전자는 "수요 모멘텀이 높은 서버 응용을 필두로 전 응용 시장 가격이 상승했다"며 "특히 업계 최고 제품 경쟁력을 갖춘 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 판매 대폭 확대와 서버용 SSD(eSSD) 수요 증가에 적극 대응한 것이 주효했다"고 설명했다. 시스템LSI와 파운드리(반도체 위탁생산) 사업도 실적 개선세를 이어갔다. 시스템LSI는 모바일 시스템온칩(SoC)과 센서의 하반기 신모델 진입으로 매출이 성장했고, 플래그십향 SoC와 2억 화소 센서의 안정적 양산체제를 구축했다. 파운드리는 HBM 베이스 다이 매출 성장과 함께 2나노미터(nm, 10억분의 1m) 2세대 모바일 신제품 및 4나노 신경망처리장치(NPU) 본격 양산을 시작하며 선단 공정 확판에 속도를 냈다. 삼성전자는 4분기에도 AI 시장 선점을 위한 인프라 투자가 지속될 것으로 보고, AI용 제품 중심 운영전략을 강화한다. 신규 GPU·CPU향 제품 위주로 메모리 수요가 추가 확대될 것으로 예상됨에 따라 HBM과 서버향 D램, SSD 판매비중을 높일 계획이다. 내년 메모리 시장 전망도 낙관적이다. 삼성전자는 "AI 생태계 확장 기조가 유지되며 AI 서버 인프라 투자가 가속될 전망"이라며 "AI 연관 제품 주도 메모리 수요 증가폭이 매우 높아 공급부족(쇼티지)은 올해 대비 오히려 심화될 것"으로 내다봤다. 삼성전자는 폭발적인 AI 수요와 중장기 성장에 대비하기 위해 올해 연간 84조 4000억원 규모 시설투자를 집행할 예정이다. 부문별로 DS부문이 76조 8000억원, 디스플레이가 3조 9000억원 수준이다. DS부문 내 메모리는 견조한 AI 수요와 중장기 대응을 위한 신규 팹 등 인프라 확충에 나서고, 파운드리는 급증하는 AI·고성능컴퓨팅(HPC) 시장과 고객 수요에 대응하기 위해 미국 테일러 팹을 중심으로 투자할 계획이다.

2026.10.29 10:35전화평 기자

삼성전자, 테일러 1공장 후속 설비투자…2나노 생산거점 완성 수순

삼성전자가 미국 테일러 1공장 후속 설비투자를 시작했다. 기존 유휴공간을 모두 채우는 마무리 투자 개념이다. 내년 하반기에는 2나노미터(nm) 공정 생산능력을 모두 월 2만장까지 확보할 수 있다. 테일러 1공장은 삼성전자의 미국 내 첫 파운드리 양산라인이다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 2나노 공정 기준 월 6000장 수준 생산능력에 대응할 수 있는 장비를 발주한 것으로 파악됐다. 테일러 1공장에 반입하는 장비다. 삼성전자는 이미 지난해 말부터 테일러 1공장에 반입하기 위해 월 1만장 규모 설비투자를 집행해왔다. 여기에 테일러 1공장 투자 초기에 구축한 파일럿 라인 생산능력까지 더하면, 내년 하반기 전체 2만장 규모 2나노 공정 생산능력을 확보한다. 반도체 업계 관계자는 "최근 삼성전자가 올 연말부터 설비를 추가 도입하기 위해 발주를 시작했다"며 "이르면 내년 하반기부터 출하량 확대에 기여할 수 있을 것"이라고 설명했다. 이번 추가 설비투자가 끝나면 테일러 1공장 핵심 설비투자는 마무리 수순에 접어들 전망이다. 설계 기준 테일러 1공장의 최대 생산능력이 월 2만장이기 때문이다. 테일러 파운드리 팹은 삼성전자가 최첨단 파운드리 공정 양산을 위해 지난 2021년 투자를 결정한 팹이다. 초기 투자 규모만 170억 달러(약 23조 7000억원)다. 주요 고객에 테슬라가 포함된다. 다음 투자대상은 테일러 2공장이다. 삼성전자는 오는 2030년 가동을 목표로 올 연말 2공장을 착공할 계획이다. 현재 여러 반도체 장비 협력사에 설비 도입을 위한 안정성 인증 조기 획득을 요청하고 있다. 한편 2나노는 파운드리 업계 선두주자인 삼성전자, TSMC, 인텔 등 소수 기업만 양산 가능한 첨단 공정이다. 최근 인공지능(AI) 반도체에 요구되는 성능이 기하급수적으로 증가하면서, 2나노는 향후 파운드리 사업 향방을 가를 핵심요소로 부상했다.

2026.10.23 11:49장경윤 기자

유창식 교수 "맞춤형 D램 수요 폭발…D램 팹리스·파운드리 분업화 시대 올 것"

인공지능(AI) 시스템 발전으로 고객 맞춤형 메모리 수요가 급증하면서, 시스템 반도체 전유물로 여겨지던 '팹리스(설계)'와 '파운드리(위탁생산)' 생태계가 D램 시장에도 등장할 것이라는 전망이 나왔다. 유창식 성균관대 교수(반도체융합공학과)는 15일 서울 강남 코엑스에서 열린 제9회 반도체 산학연 교류 워크숍에서 'AI 시스템을 위한 D램 기술'을 주제로 발표했다. 유 교수는 지난 2002년부터 2020년까지 한양대 교수(융합전자공학부)로 재직했고, 2020년부터 2025년까지 삼성전자 메모리사업부 부사장을 역임한 바 있다. 유 교수는 컴퓨팅 연산장치(CPU·GPU) 발전속도에 비해 메모리 성능 개선이 뒤처지면서 전체 시스템 성능을 제한하는 '메모리 월(Memory Wall)' 현상이 심화하고 있다고 진단했다. 특히 코어 수 증가와 AI 모델 사이즈 급성장에 비해 메모리 용량 개선 속도가 크게 뒤처져 한계에 직면했다는 설명이다. 기존 D램 미세화(스케일링) 작업이 한계에 부딪힌 점도 지적했다. 셀 간격이 좁아지면서 인접한 셀의 데이터를 훼손하는 '로해머(Row Hammer)' 현상이 발생하고 있고, 이를 방어하기 위해 D램 내부에 에러 정정 코드(On-die ECC) 등 복잡한 회로를 추가하면서 6.25% 이상 큰 면적 손실(오버헤드)이 발생하고 있다. 유 교수는 이러한 물리적 한계를 극복하기 위해 차세대 D램의 구조적 변곡점이 임박했다고 강조했다. 그는 "4F²(4F스퀘어) D램은 트랜지스터 채널이 수평으로 있지 않고 수직으로 서 있으며, 수직으로 서 있는 트랜지스터 위에 바로 커패시터를 쌓는 구조"라며 "앞으로는 포스퀘어 D램을 쓰거나 낸드처럼 셀을 100층, 200층 쌓는 D램을 사용할 것이고, 여기서 한 번의 큰 변곡점이 생길 것"이라고 전망했다. 이어 "셀과 주변 회로를 각각 다른 웨이퍼에 제작한 뒤 결합하는 '웨이퍼 투 웨이퍼 본딩' 공정이 도입돼 면적 효율을 극대화할 것"으로 내다봤다. 구조적 진화와 함께 가장 주목할 만한 산업적 변화는 '커스텀(Custom) D램' 시장 부상이다. 규격화된 범용(Commodity) D램 시장과 별개로 특정 고객 요구에 맞춘 커스텀 시장이 새롭게 커질 것이란 전망이다. 유 교수는 "D램 회사들이 기존 범용 제품에 더해 커스텀 D램까지 추가 생산해야 하는데 아마도 모두 감당하지 못할 것"이라며 "메이저 회사들이 대형 고객사를 위한 설계와 개발은 해주겠지만, 중소 바이어나 소규모 고객은 지원하지 않을 것"이라고 예상했다. 그러면서 "이러한 틈새시장을 겨냥해 커스텀 D램 설계를 전문으로 지원하는 'D램 팹리스'와 이를 위탁받아 생산하는 'D램 파운드리' 비즈니스가 앞으로 새롭게 생겨날 것"이라고 전망했다.

2026.10.15 17:52전화평 기자

가온칩스, Arm '피지컬 AI 토탈 디자인' 국내 첫 합류

디자인 솔루션 기업 가온칩스가 영국 반도체 설계자산(IP) 기업 Arm의 자율 시스템 생태계인 '피지컬 AI 토탈 디자인(Arm Total Design for Physical AI)'에 공식 파트너로 참여한다고 14일 밝혔다. 국내 참여 기업 중 디자인 솔루션 기업 참여는 가온칩스가 최초다. 피지컬AI 토탈 디자인은 Arm이 고도화된 기술 파트너들과 함께 구축한 글로벌 피지컬 AI 생태계다. AI, 소프트웨어, 실리콘, 클라우드 기업을 비롯해 글로벌 티어(Tier) 1 및 OEM 등 80개 이상 기업이 대거 참여해 Arm 기반 풀스택 솔루션을 공동 개발·검증한다. 이를 통해 자동차, 로보틱스 등 피지컬 AI 시스템의 개발 리스크를 낮추고 상용화 시기를 앞당기는 것을 목표로 한다. 가온칩스는 그간 Arm 디자인 파트너로서 AI, 차량용 등 첨단 시스템반도체의 턴키 설계 및 물리구현 경험을 탄탄히 쌓아왔다. 특히 삼성파운드리 8나노·4나노 공정을 거쳐 차세대 2나노 공정에 이르는 첨단 노드 전반에서 설계 대응 능력을 입증해 왔다. 이번 파트너십 참여를 계기로 단순 SoC 설계 및 물리구현을 넘어 패키지, 보드 연계, 브링업, 실측 및 검증까지 아우르는 '실리콘-투-시스템' 역량을 본격 확장할 방침이다. 피지컬 AI 반도체는 고성능 연산뿐만 아니라 실시간성, 전력 효율, 극도의 안전성과 장기 신뢰성이 필수적이다. 가온칩스는 자동차 분야에서 다져온 고신뢰 설계 노하우를 로보틱스, 산업용 AI, 방산 및 항공 등 다양한 첨단 산업군으로 적극 확대할 계획이다. 장기적으로는 기존 디자인하우스의 강점을 극대화하여 칩 설계부터 시스템 구현과 제품화까지 고객의 성공적인 AI 제품 개발을 총괄하는 AI 시스템 디자인 기업으로 도약한다는 구상이다. 더못 오드리스콜 Arm 피지컬 AI GTM 부사장은 "피지컬 AI 혁신을 상용 제품으로 실현하려면 실리콘 설계, 통합, 검증을 관통하는 깊이 있는 전문성이 필수적"이라며 "가온칩스는 첨단 공정 전반에 걸친 풍부한 경험을 바탕으로 생태계의 지능형 시스템 구축·확장 역량을 크게 높여주고 있다"고 평가했다. 우정호 가온칩스 부사장은 “이번 생태계 합류는 가온칩스가 축적해 온 Arm 기반 설계 경험과 고신뢰 반도체 역량을 피지컬 AI 영역으로 확장하는 중요한 분기점”이라며 “첨단공정 기반의 AI 시스템 구현을 적극 지원하고, 고객의 개발 기간과 리스크를 획기적으로 줄여주는 전략적 기술 파트너로 자리매김하겠다”고 포부를 밝혔다.

2026.10.14 11:22전화평 기자

삼성전자, AI 반도체 '풀 라인업' 공개…360조 용인 산단 청사진도 제시

삼성전자가 HBM4E부터 첨단 패키징에 이르는 AI 반도체 통합 역량을 선보인다. 전 세계적으로 급증하는 AI 인프라 수요에 대응하기 위한 전략으로, 생산능력 확보를 위한 용인 반도체 클러스터 구축 계획도 함께 공개할 예정이다. 삼성전자는 14일부터 16일까지 서울 코엑스에서 열리는 'SEDEX 2026'에 참가해 AI 응용처별 주요 반도체 제품과 솔루션을 선보인다. 삼성전자는 이번 전시회에서 '아키텍칭 AI 시스템즈(Architecting AI systems)'를 주제로 ▲차세대 기술 ▲클라우드 AI ▲엣지 AI ▲피지컬 AI ▲반도체 클러스터 ▲상생협력 등 총 6개 존으로 전시공간을 구성한다. 특히 올해는 '반도체 클러스터존'을 신설해 주요 생산·개발 거점과 새롭게 조성될 용인 국가산단을 소개하고, 반도체 생산 인프라 확대 계획을 제시한다. 삼성전자는 용인 국가산단에 약 360조원을 투자할 계획으로, 2027년 부지 조성과 착공을 시작해 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 하고 있다. 산단에는 약 70개 소재·부품·장비 및 팹리스 기업이 입주할 예정으로, 제조와 연구개발, 협력사가 유기적으로 연결되는 반도체 생태계가 구축될 것으로 기대된다. 메모리는 AI용 고성능 메모리 HBM4E와 메모리 내부에 연산 기능을 통합한 LPDDR-PIM 등을 전시한다. 연산 장치와 메모리 사이의 물리적 거리를 줄이는 3D 메모리 아키텍처 기반 zHBM(목업), 엣지 AI에 최적화된 3D NAND 솔루션인 zNAND-O(목업)도 선보인다. 파운드리는 4나노 공정을 적용한 HBM4E 베이스다이와 실리콘 브릿지 기반의 확장형 초고집적 패키징 기술 '2.3D Cube-E', 3D 패키징 기술 '3D Cube-H'를 전시한다. 전기 신호를 광신호로 변환해 데이터를 전송하는 CPO 기반 광 인터커넥트 모형도 선보일 예정이다. 시스템LSI는 서버용 메모리 모듈의 안정적인 작동에 필요한 핵심 칩을 통합적으로 제공하는 'DIMM 솔루션', 2억 화소 이미지 센서 'ISOCELL HPC', 모바일 프로세서 '엑시노스 2600' 등을 전시한다.

2026.10.14 10:00장경윤 기자

HBM 다음은?...삼성전자, 차세대 AI 메모리 제품군 확장

삼성전자가 AI 인프라 성능 고도화에 대응하기 위한 맞춤형 반도체 전략을 강화한다. 기존 고대역폭메모리(HBM)에 이어 컴퓨트익스프레스링크(CXL), 차세대 SSD 등을 개발할 계획이다. AMD 등 빅테크와의 접점도 확대될 것으로 기대된다. 삼성전자는 지난 12일 개최된 'OCP 글로벌 서밋 2026'에서 차세대 메모리·스토리지 기술 전략과 글로벌 파트너 협업 성과를 공개했다고 13일 밝혔다. AMD·엔비디아 등 글로벌 빅테크와 AI 반도체 전방위 협력 강화 삼성전자는 이번 행사에서 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 솔루션을 공동 시연했다. 삼성전자는 CMM-D 기반 메모리 풀링 기술을 통해 여러 시스템에서 메모리 자원을 효율적으로 활용하고, AI 환경에서 필요한 메모리 용량을 유연하게 확보할 수 있는 기술을 선보였다. 그록(Groq) LPU 웨이퍼와 엔비디아 그록 3 LPX 시스템도 전시했다. 해당 칩은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 통해 양산된다. 업계 최첨단 공정인 2나노 GAA 웨이퍼도 함께 공개됐다. 삼성전자의 차세대 메모리 및 파운드리 기술은 AI 인프라 성능 개선을 위한 핵심 요소로, 글로벌 빅테크와 AI 인프라 구축을 위한 협력 확대가 기대된다. 실제로 리사 수 AMD CEO가 최근 삼성전자와 회동하는 등 올해 글로벌 빅테크 기업들의 삼성전자 방문이 잇따르고 있다. 리사 수 CEO는 이달 초순 방한 기간 삼성전자를 포함한 국내 기업들과의 협력 가능성을 언급하며 메모리와 파운드리 분야에서 협력 기회를 지속적으로 모색하고 있다고 밝혔다. AMD는 지난 3월 삼성전자와 차세대 AI 메모리·컴퓨팅 기술 협력을 확대하는 업무협약을 체결한 바 있다. AI 메모리 요구 성능 폭증…HBM, CXL 등 맞춤형 제품 개발 또한 이번 OCP 행사에서 심호준 삼성전자 AE팀 상무는 'AI 시대 혁신 확장(Scaling Innovation for the AI Era: Keep Your Compute Running at Full Throttle with Highly Scalable Memory)'를 주제로 발표를 진행했다. AI 모델이 대형화되고 추론 과정에서 처리해야 할 데이터와 KV 캐시 용량이 증가하면서, AI 시스템의 성능을 높이기 위해서는 메모리 대역폭뿐 아니라 용량 확장과 데이터 저장·관리 기술도 중요해지고 있다. 심 상무는 이러한 AI 인프라의 요구에 대응하기 위해 ▲HBM5·커스텀 HBM 등 고성능 메모리 ▲CXL 기반 메모리 확장 기술 ▲차세대 SSD를 활용한 데이터 저장·관리 기술을 공개하며 AI 인프라의 성능을 높이기 위한 세 가지 기술 방향을 제시했다. 속도 측면에서는 HBM5·커스텀 HBM·zHBM·PIM 등 차세대 메모리 기술을 통해 데이터 처리 속도와 연산 효율 향상을 꾀한다. 메모리 확장성에서는 CMM-D와 CXL 기반기술을 활용해 AI 시스템의 메모리 용량을 확장하고 데이터 관리 효율 개선한다. 데이터 영속성에서는 차세대 SSD·QLC·FDP 등 스토리지 기술로 대규모 AI 데이터의 저장 성능과 용량, 관리 효율을 향상할 계획이다.

2026.10.13 10:12장경윤 기자

삼성·TSMC, 올 3분기도 파운드리 '희비교차'…점유율 격차 확대 전망

삼성전자, TSMC 간 파운드리 사업의 희비가 엇갈렸다. 삼성전자 파운드리 사업부의 경우, 올 3분기 매출이 전년동기 및 전분기 대비 소폭 증가하는 데 그쳤다. 반면 TSMC는 두 자릿 수의 성장세로 삼성전자와의 격차를 더 확대할 수 있게 됐다. 9일 업계에 따르면 삼성전자, TSMC의 파운드리 사업 매출은 기업별로 상이한 흐름을 보이고 있다. 앞서 삼성전자는 올 3분기 연결기준 잠정 실적으로 매출 195조원, 영업이익 107조 4000억원을 기록했다. 사상 첫 영업이익 100조원 돌파로, 반도체(DS) 부문이 AI 메모리 수요에 힘입어 호실적을 이끌었다. 반면 파운드리 및 시스템LSI 사업부가 포함된 비메모리반도체 부문은 해당 분기 2조원 안팎의 적자를 기록한 것으로 분석된다. 팹 가동률이 전반적으로 상승하고는 있으나, 미국 신규 팹 구축 및 성과급 충당에 따른 일회성 비용이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 매출 역시 뚜렷한 성장세를 보이지 않고 있다는 평가다. IBK투자증권은 최근 보고서를 통해 삼성전자 올 3분기 비메모리 사업부 매출을 6조6970억원으로 전망했다. 전년동기(6조3850억원) 및 전분기(6조6860억원) 대비 소폭 증가에 그쳤다. 반면 TSMC는 월별 매출 집계를 통해 최근 올 3분기 매출이 전년동기 대비 51% 늘어난 1조4900억 대만달러(한화 약 62조6000억원)로 집계됐다고 밝혔다. 전분기 매출인 1조2700억 대만달러와 비교해도 17% 늘었다. 이를 고려하면 양사의 전 세계 파운드리 시장 점유율 격차는 3분기에 더 확대될 가능성이 크다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, TMSC의 지난 2분기 파운드리 시장 점유율은 72.5%로 집계됐다. 전분기 대비 0.3%p 증가했다. 삼성전자는 1분기 6.5%에서 2분기 5.9%로 오히려 0.6%p 감소한 바 있다. 물론 삼성전자가 4나노미터(nm) 등 최첨단 공정을 중심으로 가동률을 끌어올리고 있다는 점은 고무적이다. 삼성전자 4나노 공정은 AI 반도체는 물론, 고대역폭메모리(HBM)에 탑재되는 로직 다이 양산에도 활용된다. 업계는 삼성전자가 2나노 공정에서 추가 고객사를 확보하는 것이 성장동력 확보에 있어 가장 중요할 것으로 보고 있다.

2026.10.09 11:30장경윤 기자

"AI가 스마트폰 교체 수요 이끈다"… 퀄컴, 삼성과 동맹 강화

[마우이(미국)=지디넷코리아 전화평 기자] "스마트폰 가치가 높아질수록 소비자가 더 높은 사양 제품을 택하거나 과거보다 빨리 신제품으로 교체할 가능성이 높습니다." 크리스 패트릭 퀄컴 수석 부사장 겸 모바일 핸드셋 본부장은 23일(현지시간) 미국 하와이 마우이에서 열린 '스냅드래곤 서밋 2026'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다. 온디바이스 기반의 에이전틱 인공지능(AI)이 스마트폰 교체 수요(슈퍼사이클)를 본격 자극할 것이라는 기대다. 패트릭 부사장은 "에이전틱 AI가 스마트폰에 이미 있지만 사용자가 활용하지 못했던 기능까지 대신 찾아 활용할 수 있다는 점에 주목해야 한다"며 "현재 사용자가 스마트폰 기능 일부만 직접 활용한다면, 향후 AI 에이전트는 사용자 의도를 이해하고 나머지 기능까지 대신 활용하는 구조로 발전할 수 있다"고 말했다. AI가 기기의 실질적 효용을 극대화하면서, 소비자가 더 나은 경험을 위해 기꺼이 고사양 단말기로 바꿀 것이란 전망이다. 고성능 에이전틱 AI를 초소형 기기에서 매끄럽게 구현하려면 칩셋과 메모리 등 하드웨어 혁신이 필수다. 퀄컴은 삼성전자와 전방위적 기술 협력을 이어가고 있다. 패트릭 부사장은 "한국의 삼성은 퀄컴 모바일 사업에서 전 세계적으로 가장 강력한 파트너"라고 치켜세우며, 수십 년에 걸쳐 축적된 깊이 있는 기술 동맹을 강조했다. 특히 차세대 모바일 칩셋 생산과 관련해 삼성 파운드리와 끈끈한 협력 관계를 재확인했다. 패트릭 부사장은 "퀄컴은 TSMC뿐만 아니라 삼성 파운드리와도 긴밀한 파트너십을 유지하고 있으며, 삼성의 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정 기술과 관련해서도 상당히 심도 있는 작업(In-depth work)을 진행 중"이라고 밝혔다. 이어 "현재 향후 제품에 삼성 2나노 기술을 어떻게 적용할 수 있을지 이해하고 평가하는 단계"라며 "삼성 파운드리는 퀄컴의 오랜 핵심 파트너이자 향후에도 중요한 파트너로 남을 것"이라고 힘줘 말했다. AI 연산 폭증으로 인한 메모리 병목 현상을 해결하기 위해 차세대 메모리 분야에서도 굳건한 공조를 이어간다. 퀄컴은 삼성전자 메모리 사업부와 협력해 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 상용화를 준비하고 있다. LPDDR6 도입에 따른 새로운 시그널링 방식과 메모리 채널 관리 등 기술 복잡성을 양사 엔지니어링 팀이 함께 해결하는 중이다. 나아가 퀄컴은 근본적인 데이터 병목 현상을 타개할 차세대 무기로 PIM(Processing-in-Memory) 기술을 적극 검토하고 있다. 대규모 언어 모델(LLM) 구동 시 데이터 처리량이 AI의 답변 생성 속도를 결정하는 핵심 요소로 부상했기 때문이다. 패트릭 부사장은 "AI 발전으로 오랫동안 유지돼 온 칩셋(SoC)과 외부 메모리 중심의 시스템 아키텍처를 새롭게 검토할 필요성이 커졌다"며 "연산을 메모리에 가깝게 배치해 대역폭 문제를 해결하는 PIM이나 고대역폭 컴퓨팅(HBC)은 매우 흥미로운 솔루션"이라고 평가했다. 이어 "에지 AI 환경에서도 모델 구조가 빠르게 복잡해지는 만큼, 전체 시스템 차원의 성능 향상을 위해 관련 기술을 연구개발(R&D) 단계에서 적극적으로 살펴보고 있다"고 덧붙였다.

2026.09.27 09:00전화평 기자

AI發 메모리 호황에 D램 가격, TSMC 첨단 공정 추월

인공지능(AI) 열풍에 따른 메모리 수요 폭증으로 D램 가격이 사상 최고치 행진을 이어가는 가운데, 단위 면적당 메모리 칩의 가치가 TSMC의 최첨단 연산용 웨이퍼 가격마저 추월했다는 분석이 나왔다. 24일 반도체 분석 업체 커널 인사이트에 따르면 최신 공정 기반의 D램이 창출하는 단위 면적당 매출 가치는 TSMC의 N2(2나노) 및 N3(3나노) 공정 웨이퍼 가격을 웃도는 것으로 집계됐다. 커널 인사이트는 TSMC의 N3 공정으로 가공된 300mm 웨이퍼 가격을 2만 달러, N2 공정 웨이퍼는 3만 달러로 추정했다. 이를 면적으로 환산하면 mm²당 명목 가격은 각각 약 0.283달러와 0.424달러 수준이다. 이 계산은 비공식 업계 추정치에 기반한 것으로, 실제 칩 생산 시 발생하는 웨이퍼 가장자리 손실, 절단(다이싱) 손실, 수율 및 결함 등은 반영되지 않았다. 반면 D램의 단위 면적당 가치 평가는 밀도를 바탕으로 산출됐다. 커널 인사이트는 D램 가격을 기가비트(Gb)당 1.50달러로 설정하고 세대별 비트 밀도를 적용한 결과, 밀도가 0.219Gb/mm²인 1y D램은 mm²당 0.329달러, 0.273Gb/mm² 밀도의 1z D램은 mm²당 0.410달러로 나타났다. 0.436Gb/mm² 밀도를 갖춘 최신 1b D램의 경우 mm²당 가치가 0.654달러에 달해 TSMC N2 웨이퍼의 가격을 50% 이상 웃돌았다. 10나노급 D램 공정은 1y, 1z, 1a, 1b 순으로 더 미세 공정을 뜻한다. 커널 인사이트가 가정한 Gb당 1.50달러는 최근 DDR5 현물 가격 흐름과 맞닿아 있다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 지난 21일 기준 16Gb DDR5 eTT 칩의 평균 거래 가격은 24.80달러로, Gb당 약 1.55달러다. DDR5 메모리 생산 비용이 TSMC 첨단 로직 공정보다 저렴하다는 점을 감안할 때, 메모리 제조사들의 웨이퍼당 수익성은 유례없는 수준으로 치솟은 셈이다. 다만 이 같은 비교에는 구조적인 한계가 따른다. TSMC의 수치는 고객사로부터 수취하는 웨이퍼 가공 가격인 반면, D램 수치는 제조사가 완제품 메모리를 판매해 거둘 수 있는 총매출 잠재력을 나타낸다. 아울러 로직 칩 제조에 필수적인 첨단 패키징 비용이 배제된 데다, TSMC의 실제 웨이퍼 공급가는 주문 수량과 고객사별 계약 조건에 따라 큰 편차를 보인다. D램 지표 역시 소량·산발적으로 거래되는 현물가를 기준으로 삼아, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 공급사 매출의 대다수를 차지하는 장기 고정거래(계약) 가격과는 차이가 있다. 시장 전문가들은 비공개로 유지되는 D램 고정거래 가격이 최근 강세를 보이는 만큼 현물가에는 영향을 미치지 못했을 것으로 본다. 이에 메모리 업체들의 웨이퍼당 가격은 TSMC를 더욱 크게 앞설 가능성이 있다.

2026.09.24 11:29진운용 기자

삼성전자, 커스텀 HBM서 '핵심 칩' 공급망 변화…내부·TSMC '투트랙' 추진

삼성전자의 고대역폭메모리(HBM)용 베이스 다이 공급 전략이 커스텀 HBM(cHBM) 시대에 큰 변화를 맞을 전망이다. 기존 내부 파운드리를 통한 자체 생산에서 벗어나, TSMC 공정 기반의 베이스 다이를 함께 활용하는 '투트랙' 전략을 추진 중이다. 커스텀 HBM은 엔비디아 등 글로벌 빅테크가 원하는 로직 기능을 칩 내부에 일부 탑재할 수 있어, 향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 시장이다. 삼성전자도 다양한 고객 수요에 대응하기 위해, 베이스 다이 공급망 유연성을 높이려는 것으로 풀이된다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 커스텀 HBM용 베이스 다이에 삼성 파운드리와 TSMC 공정을 동시에 활용할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직 적층한 코어 다이와, 그 밑에 베이스 다이를 배치한 구조로 이뤄져 있다. 베이스 다이는 메모리와 시스템 반도체를 연결해, 고속으로 데이터를 송수신한다. 베이스 다이 중요성은 HBM 세대가 진화할수록 커지고 있다. 삼성전자·SK하이닉스는 올해 양산을 시작한 HBM4부터 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정에서 베이스 다이를 제조하기 시작했다. 파운드리 공정은 D램 공정 대비 베이스 다이에 더 많은 기능을 집적하고, 성능 및 전력 효율성을 높이는 데 유리하다. 다가오는 커스텀 HBM 시대…'NVHBM' 등장 커스텀 HBM 시대에 베이스 다이는 또 한번 큰 변화를 맞을 전망이다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 베이스 다이에 맞춤형으로 탑재하는 개념이다. 제품 설계부터 제조에 이르는 전 과정에서 고객사와 메모리, 파운드리 기업 간 협력이 요구된다. 대표 사례가 NVHBM이다. NVHBM은 엔비디아가 지난달 발표한 커스텀 HBM 구조다. 메모리 컨트롤러 기능을 기존 인공지능(AI) 가속기에서 HBM 베이스 다이로 옮기는 것이 핵심이다. HBM4E부터 적용할 예정이다. 표준 HBM4E 대비 메모리 대역폭은 최대 30% 높이면서 전력 소모는 15%까지 낮출 수 있다. NVHBM 첫 적용 고객은 아마존이 거론된다. 아마존 내 반도체 개발 조직인 안나푸르나 랩스가 NV링크 퓨전, NVHBM 기술을 통해 차세대 AI 가속기 '트레이니엄4'를 설계하기로 했다. 삼성전자, 베이스 다이 공급망 '투트랙' 전략 공급망 구조도 바뀐다. 그간 삼성전자는 내부 시스템LSI 사업부와 파운드리 사업부를 통해, HBM에 쓰일 베이스 다이를 자체 조달해 왔다. 그러나 NVHBM 등 커스텀 HBM에서는 TSMC 베이스 다이도 함께 채택할 예정이다. 삼성전자 HBM 코어 다이를 두고, 고객 요구에 따라 삼성 파운드리에서 제조된 베이스 다이와 TSMC에서 제조된 베이스 다이가 혼용 탑재되는 구조다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 고객 요청에 따라 NVHBM용 베이스 다이를 내부 파운드리 및 TSMC 투트랙으로 활용할 계획"이라며 "구체적인 채택 여부와 비중은 최종 고객 수요에 따라 달라질 것"이라고 말했다. 턴키 고집보다 공급망 유연성…메모리사업부가 주축 삼성전자 HBM용 베이스 다이를 TSMC가 제조하는 경우, 관련 칩 설계와 최적화 지원은 삼성전자 메모리 사업부가 담당하는 것으로 파악됐다. 내부 시스템LSI 사업부는 삼성전자 파운드리향 제품만 설계한다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 메모리 사업부로 넘어간 시스템LSI 사업부 인력들이 존재한다. TSMC 베이스 다이 관련 작업은 해당 인력들이 담당하는 구조"라며 "이미 삼성전자 HBM 코어 다이와 TSMC 공정 기반 베이스 다이로 제품을 설계 중인 고객이 있다"고 설명했다. 한편 삼성전자의 커스텀 HBM용 베이스 다이 이원화는 공급망 측면에서 고립을 피하기 위한 전략으로 풀이된다. 현재 TSMC는 자사 파운드리 및 패키징 공정으로 엔비디아 등 글로벌 빅테크와 탄탄한 공급망을 구축하고 있다. 안정성과 성능 면에서 고객 선호도가 높다. 이 같은 상황에서 삼성전자가 자사 파운드리 턴키(일괄 생산)만을 고집할 경우, 고객사의 다양한 맞춤형 수요를 충족하지 못할 가능성이 커진다.

2026.09.15 13:56장경윤 기자

"개발기간 9개월로 단축"… 삼성 파운드리, 2나노·DTCO로 AI칩 승부수

삼성전자 파운드리 사업부가 팹리스 고객이 칩 제조사를 고를 때 가장 중시하는 공정 경쟁력, 개발속도, 인프라 준비 3대 수요를 정조준한 맞춤형 솔루션으로 인공지능(AI) 반도체 생태계 주도권 확보에 나섰다. 김낙신 삼성전자 파운드리 사업부 SAFE-IP그룹 그룹장은 15일 'IP-SoC 데이 코리아 2026'에서 맞춤형 전략과 함께 주요 고객사 성공 사례를 공유했다. 김 그룹장은 "AI 패러다임 전환으로 릴리스 속도가 빨라지면서 고객사는 1년 안에 새로운 칩을 만들어야 하는 상황에 직면했다"며 "삼성 파운드리는 고객의 3대 핵심 수요를 완벽히 지원하는 맞춤형 솔루션으로 생태계 주도권을 확보하고 있다"고 강조했다. IP-SoC 데이는 반도체 설계자산(IP) 마켓플레이스를 운영하는 디자인&리유즈(D&R)에서 개최하는 컨퍼런스다. 매년 한국, 미국, 중국, 유럽 등에서 열린다. 공정·속도·인프라 3박자 갖춘 맞춤형 솔루션 삼성 파운드리는 설계기술 공정 최적화(DTCO)를 앞세울 계획이다. 향후 2년 내 양산이 목표인 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정과 2029년 양산을 준비 중인 1.4나노를 통해 공정 경쟁력을 강화해 공략하는 것이다. 김 그룹장은 "선단 공정으로 갈수록 트랜지스터 자체 개선보다 DTCO를 통한 성능 향상 비중이 커지고 있다"며 "최소한의 금속층만으로 설계를 최적화하는 혁신적 디자인 플로를 통해 고객이 자사 애플리케이션에 맞게 성능을 조정할 수 있고, 이를 통해 최대 30% 파워 개선을 달성했다"고 설명했다. 이어 "여기에 AI 가속기용 커스텀 S램을 적용하면 포트 구성에 따라 최대 2배까지 성능·전력·면적(PPA) 개선 효과를 볼 수 있다"고 덧붙였다. 설계 병목도 해소해 개발 가속화를 돕는다. 삼성 파운드리는 공정 미세화와 함께 늘어나는 튜닝 옵션을 효율적으로 관리하도록 자동화 스크립트 세트 'PPA 패키지'를 제공한다. 이를 통해 적은 반복만으로 목표 성능에 도달할 수 있다. 케이던스, 시놉시스와 함께 개발한 AI 기반 마이그레이션 툴을 적용하면 기존 설계를 새 공정으로 전환하는 시간을 최대 64%까지 단축할 수 있다는 게 김 그룹장 설명이다. 고객이 공정을 선택하는 즉시 설계에 착수할 수 있는 환경도 구축한다. 김 그룹장은 "AI 칩 설계 시 S램 요구량이 폭증하는 추세에 맞춰 S램 포트폴리오를 지난해 대비 60% 이상 늘려 올해 121개까지 확대했다"며 "차세대 고속 인터페이스 IP도 선단 공정부터 성숙 공정까지 선제적으로 준비해 고객 선택지를 넓혔다"고 말했다. 이론을 현실로 증명한 3대 성공 사례 삼성 파운드리는 맞춤형 솔루션이 실제 시장 성과로 이어지고 있다며 주요 고객사 세 가지 성공사례를 공유했다. 첫 번째는 국내 대표 AI 가속기 기업 사례다. 삼성의 4나노 공정을 활용해 고대역폭메모리(HBM), 신경망처리장치(NPU) 등 다수의 다이를 실리콘 인터포저 위에 집적한 멀티다이 제품이다. 총체적인 전력·신호 무결성(PI/SI) 솔루션 지원으로 전력 효율을 최적화하며 현재 양산 중이다. 김 그룹장이 밝히진 않았지만, 해당 기업은 리벨리온으로 추정된다. 두 번째는 거대한 칩 면적을 가진 그록의 초대형 LPU 가속기 사례다. 700㎟ 이상 대형 다이에 4GB 이상 맞춤형 S램을 집적하면서도 안정적인 수율을 확보하는 난제를 해결했다. 고속 인터페이스 IP 브링업과 로직 리던던시 기술을 통해 수율과 목표 성능(PPA)을 모두 잡았다. 해당 사례 주인공은 엔비디아에 인수된 그록으로 보인다. 세 번째는 차세대 자율주행 시장을 이끄는 2나노 차량용 칩이다. 통상 2~3년이 걸리는 개발기간을 9개월로 단축하는 데 성공했다. 설계 마이그레이션 솔루션과 초기 PPA 분석, AI·머신러닝 기반 자동화 플랫폼을 총동원해 초고속 테이프아웃을 이뤘다. 해당 기업은 미국 테슬라로 추정된다. 김 그룹장은 "혁신적인 개발기간 단축은 단순 우연이 아니라 삼성 파운드리의 철저한 인프라 준비와 세이프 에코시스템 파트너들과 긴밀한 협력이 만든 결과"라고 강조했다.

2026.09.15 12:33전화평 기자

시높시스, 삼성 2나노 공정 AI칩 설계 22% 줄였다…"韓 생태계 전방위 협력"

글로벌 1위 반도체 설계 자산(EDA) 기업 시높시스가 삼성전자 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 적용해 칩 면적을 20% 이상 줄이는 데 성공했다. 회사는 메모리 반도체 중심의 기존 한국 시장 비즈니스를 삼성 파운드리 선단 공정 생태계와 국내 주요 인공지능(AI) 반도체 기업 전반으로 확대할 계획이다. 시높시스는 8일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스에서 개막한 '시높시스 컨버지 코리아 2026'에서 이 같은 기술 협력 성과와 향후 청사진을 발표했다. 이날 기조연설에 나선 샹카 크리슈나무티 시높시스 최고 제품 개발 책임자(CDO)는 차세대 디지털 설계 솔루션인 '퓨전 컴파일러'에 삼성전자 파운드리의 '디자인·공정 최적화(DTCO)' 기술을 내재화한 성과를 전면에 내세웠다. 현장에서 공개된 실측 지표에 따르면 시높시스 툴과 삼성전자 SF2P(2나노) 공정을 결합해 신경망처리장치(NPU)를 설계한 결과 기존 대비 다이(Die) 면적이 22% 감소했다. NPU 코어 면적이 줄어들면 웨이퍼당 생산 칩 수가 늘어나 제조 원가를 낮추고 전력 효율을 높일 수 있다. 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 설계와 공정을 동시에 최적화하는 DTCO의 중요성이 커지는 가운데, 글로벌 1위 EDA 툴이 삼성 2나노 생태계의 성숙도를 객관적으로 증명한 셈이다. 아울러 시높시스는 '다중 물리(Multiphysics)' 해석을 결합한 3D-IC 첨단 패키징 비전을 제시했다. 이는 시높시스가 지난해 7월 시뮬레이션 기업 앤시스(Ansys)를 인수한 이후 국내에서 처음 선보이는 '실리콘 투 시스템' 통합 솔루션이다. 크리슈나무티 CDO는 "과거 3D-IC 설계는 프로토타이핑, 구조 설계, 검증 환경이 파편화되어 있었다"며 "이를 단일 플랫폼으로 통합해 열 분석과 신호 무결성(EM/IR) 검증을 설계 초기 단계부터 수행할 수 있게 됐다"고 설명했다. 실제로 글로벌 주요 고성능컴퓨팅(HPC) 고객사는 '3D-IC 컴파일러'를 도입해 통상 2~3개월 걸리던 고대역폭메모리(HBM) 인터포저 라우팅 및 검증 일정을 수일 내로 단축하는 성과를 냈다. 또한 검증 주기를 길어지게 만드는 칩 개발 병목을 '디지털 트윈' 솔루션으로 돌파하고 있다. 칩 시제품이 나온 뒤에야 소프트웨어 검증을 진행하던 기존 순차적 방식에서 벗어나, 하드웨어 개발과 동시에 소프트웨어를 병렬 검증함으로써 상용화 일정을 1년 이상 앞당긴다는 구상이다. 이어 진행된 간담회에서 시높시스는 한국 내 파트너십 확장 의지를 분명히 했다. 시높시스는 현재 엔비디아, 마이크로소프트(MS) 등 글로벌 빅테크는 물론 삼성전자, SK하이닉스와 차세대 시스템 및 워크로드 검증 분야에서 긴밀히 협력 중이다. 패드메쉬 맨들로이 시높시스 S&A 부문 아태지역 애플리케이션 엔지니어링 총괄 부사장은 "한국 시장 내 매출은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 비중이 주력인 것은 맞다"면서도 "삼성 파운드리의 선단 공정 인프라 확충 및 모바일용 엑시노스 프로젝트 협력을 지속하고 있다"고 밝혔다. 이어 "나아가 리벨리온, 퓨리오사AI 등 국내 주요 AI 반도체 팹리스로 다중 물리 및 자율형 설계 툴인 에이전틱 AI(Agentic AI) 지원을 확대해 비메모리 영역의 기여도를 끌어올릴 것"이라고 덧붙였다. 통합 라이선스 정책에 대한 시장의 우려도 일축했다. 시높시스 관계자는 "앤시스 인수 이후 툴 가격이나 라이선스 비용을 인위적으로 인상할 계획은 없다"고 선을 그었으며, 기존 국내 우주항공 스타트업을 대상으로 진행하던 정부 협업 프로그램 '에스크(ASK)' 지원 대상을 반도체 분야까지 확대 운영하겠다고 밝혔다.

2026.09.08 15:26전화평 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

엔비디아, '그록 3 LPX' 대량 양산 돌입…삼성전자·전기 수혜

엔비디아의 최첨단 인공지능(AI) 추론 가속기 '그록(Groq) 3 LPX'가 상용화 궤도에 올랐다. 칩 위탁생산을 맡은 삼성전자와, 기판을 공급하는 삼성전기의 수혜 효과도 본격화할 것으로 기대된다. 엔비디아는 24일(현지시간) 공식 뉴스룸에서 그록 3 LPX가 대량 양산을 시작했다고 밝혔다. 그록 3 LPX는 256개의 그록 3 언어처리장치(LPU)를 탑재한 AI 추론 전용 랙이다. 그록은 엔비디아가 지난해 말 약 29조원을 들여 우회 인수한 팹리스 스타트업이다. 거대언어모델(LLM)의 추론 작업 속도를 높이는 LPU를 개발해 왔다. 본격 생산에 들어간 그록 3 LPX의 첫 고객사는 네덜란드에 본사를 둔 네오클라우드 업체 네비우스다. 네비우스는 자사 엔터프라이즈급 AI 추론 플랫폼 '네비우스 토큰 팩토리'에 그록 3 LPX를 도입하기로 했다. 엔비디아의 이번 발표로 삼성전자, 삼성전기 등 국내 주요 협력사도 수혜 효과를 기대하고 있다. 삼성전자 파운드리는 첨단 공정인 4나노(SF4X)로 그록 3 LPU를 양산하고 있다. 초기 삼성 파운드리가 설정한 그록3 LPU향 웨이퍼 투입량은 월 1만장 수준으로 추산된다. 반도체 업계 한 관계자는 "그록 LPU가 엔비디아 생태계에 편입되면서 물량이 크게 늘고 있고, 삼성 파운드리도 내년 웨이퍼 투입량을 월 1만 5000장 이상까지 확대할 계획획"이라며 "그록의 차세대 LPU로 추가 수주하는 것이 관건"이라고 설명했다. 삼성전기도 그록3 LPU용 플립칩-볼그레이드어레이(FC-BGA)를 올 2분기부터 양산에 들어간 것으로 파악된다. 앞서 삼성전기는 올해 초 삼성 파운드리와 연계해 그록 3 LPU용 FC-BGA에 대한 '퍼스트 벤더(공급량 1위 업체)' 지위를 확보한 바 있다. FC-BGA는 반도체 칩과 기판을 '플립칩 범프(칩을 뒤집는 방식)'로 연결하는 패키지 기판이다. 기존 와이어 본딩 대비 전기·열적 특성이 높아, AI 반도체에서 적극 채용되고 있다. 한편, 그록 3 LPX는 엔비디아가 올 하반기 공급을 시작한 최첨단 AI 플랫폼 '베라 루빈(Vera Rubin)'과 결합 가능한 확장형 제품이다. 엔비디아는 "그록 3 LPX는 차세대 에이전트형 AI를 위한 초고속 토큰 생성으로 베라 루빈의 추론 성능을 지원한다"며 "오픈소스 에이전트 모델 'Gemma 4 31B'를 사용한 벤치마킹에서 초당 3400개의 토큰 출력으로, 해당 모델서 최고 성능을 기록했다"고 밝혔다.

2026.08.25 09:12장경윤 기자

삼성 파운드리 훈풍 타고…국내 DSP 5곳, 반년만에 작년 매출 70% 채웠다

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부 가동률 상승과 실적 개선에 힘입어, 핵심 파트너인 디자인솔루션파트너(DSP) 업계 실적도 가파르게 치솟고 있다. 인공지능(AI)·고성능컴퓨팅(HPC)·자율주행용 반도체 수요가 폭증하면서 대규모 개발용역 수주와 양산 전환이 본격화한 결과다. 24일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 국내 주요 디자인하우스 5곳(세미파이브, 코아시아세미, 에이디테크놀로지, 가온칩스, 알파칩스)의 2026년 상반기 합산 매출액이 약 3494억원으로 집계됐다. 이는 지난해 연간 총매출(약 4970억원)의 70%에 달하는 수치다. 세미파이브 韓 DSP 중 '최대 매출'… 코아시아세미, 반년만에 작년 실적 돌파 국내 DSP 중 올해 상반기 가장 많은 매출을 올린 곳은 세미파이브다. 상반기 연결기준 매출은 947억원으로, 지난해 연간 매출(1210억원)의 78%를 반년 만에 채웠다. 영업손익은 109억원 손실로, 전년 동기(281억원 손실)보다 손실폭이 172억원 줄었다. 4나노 AI 플랫폼 및 3D 패키징 대형과제 수주가 실적으로 이어졌다. 매출 2위는 비상장사 코아시아세미다. 상반기 매출은 902억원으로 2025년 연간 매출(608억원)의 1.5배 수준이다. 반년 만에 지난해 연 매출을 넘어선 곳은 코아시아세미가 유일하다. 업계에선 보수적으로 보더라도 코아시아세미의 올해 연 매출이 1400억원을 돌파할 것이란 전망이 나온다. 가온칩스, 2분기 흑자전환… ADT·알파칩스, 견조한 페이스 가온칩스는 상반기 매출 419억원으로 지난해 연간 매출(685억원)의 61%를 채웠다. 상반기 누적 영업손실 36억원을 기록했지만, 2분기에는 3억원 흑자였다. 차량용(55%)·AI(31%) 양산 물량이 실적 개선을 이끌었다. 에이디테크놀로지는 상반기 매출 820억원으로 지난해 연간 매출(1645억원)의 절반을 달성했다. 영업손익은 연결기준 15억원 적자, 별도기준 22억원 흑자를 각각 기록했다. HPC(36%)·AI(21%) 선단 공정 용역이 주효했다. 알파칩스도 상반기 매출 407억원으로 2025년 연간 매출(823억원)의 절반에 근접했다. 관리종목 해제와 사업 재편을 거치며 상반기 영업손실을 16억원(전년 33억원 적자)으로 절반가량 줄였다. 코아시아세미 작년 매출 96.9% 증가…가온칩스·알파칩스는 반등 채비 디자인하우스 업계 동반 실적 상승은 삼성전자 파운드리의 가동률 상승 및 고객 다변화 전략과 맞닿아 있다. 삼성 파운드리 4나노 라인이 풀 캐파를 유지하는 가운데, 2나노 선행개발 과제와 5·8나노 성숙 공정 물량이 DSP 진영으로 대거 쏠리고 있다. 이러한 성장 흐름은 지난 2025년 연간 실적에서도 확인된다. 2024년 대비 2025년 연 매출 증가율이 가장 높은 곳은 코아시아세미다. 연 매출이 2024년 309억원에서 2025년 608억원으로 96.9% 늘었다. 국내 DSP 5개 업체 중 성장세가 가장 가팔랐다. 같은 기간 에이디테크놀로지는 1065억원에서 1645억원으로 54.4%, 세미파이브는 1118억원에서 1210억원으로 8.2% 늘었다. 2025년 가온칩스(-29.0%)와 알파칩스(-3.5%) 매출은 전년비 줄었지만, 올해가 반등의 원년이 될 것이란 관측이 나온다. 가온칩스는 K-온디바이스 AI 반도체 개발과제에 참여한 것으로 전해진다. 하반기 반등 기대감이 크다. 알파칩스는 디자인하우스 외 사업을 정리하며 '선택과 집중' 전략을 펴고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성 파운드리 상승세와 함께 디자인하우스 업황도 좋아졌다"며 "하반기 양산이 본격화되면 수익성 개선세가 더 뚜렷해질 것"이라고 전망했다.

2026.08.24 16:16전화평 기자

삼성전자, 美 테일러팹 2기 구축 속도…공급망에 장비 '선제 인증' 주문

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 생산능력 확대에 속도를 내고 있다. 올해 연말 테일러 파운드리 2기 팹 착공을 앞두고, 최근 협력사의 설비 도입을 위한 인증을 선제적으로 진행하고 있다. 20일 업계에 따르면 삼성전자는 주요 협력사들을 대상으로 미국 테일러 파운드리 2기 팹 투자를 위한 인증 획득을 요청하고 있다. 테일러 팹은 삼성전자의 최첨단 파운드리 양산을 전담할 팹이다. 1기 팹의 경우 올해 연말 가동을 목표로 장비 입고 및 설치가 진행되고 있다. 주력 양산 타겟은 업계 최첨단 공정인 2나노미터(nm)로, 미국 주요 빅테크인 테슬라가 핵심 고객사로 거론된다. 삼성전자는 최근 테일러 2기 팹 착공 계획도 공식화했다. 회사는 지난달 30일 진행한 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "증가하는 고객 수요에 적기 대응하고자 미국 테일러 2기 팹 역시 2030년 양산을 목표로 올해 말 공사 착수를 준비 중"이라고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 테일러 2기 팹 투자에 대해 강한 의지를 내비치고 있는 것으로 관측된다. 최근 복수의 반도체 장비 협력사들을 대상으로, 해당 팹에 설비를 도입하기 위한 'SEMI' 인증을 미리 획득할 것을 요청한 상황이다. SEMI 인증은 반도체 장비의 안전성을 평가하는 기준으로, 장비의 해외 반출 전에 필수적으로 획득해야 한다. 반도체 장비업계 관계자는 "아직 테일러 2기 팹의 구체적인 스펙이 확정되지도 않았음에도, 삼성전자 파운드리 사업부가 예상보다 빠르게 대응에 나서고 있다"며 "구체적인 계획은 올 연말께 가시화되겠으나, 그만큼 투자를 적극적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 설명했다. 관건은 최첨단 공정에 대한 대형 고객사 확보다. 앞서 삼성전자는 테일러 1기 팹 구축 초기에 고객사 확보 난항 및 시황 악화로 투자 계획을 지속 연기한 바 있다. 그러나 테슬라가 삼성 파운드리와 지난해 3분기 22조7600억원 규모의 반도체 위탁생산계약을 체결하면서, 팹 구축 속도가 다시 빨라졌다. 테일러 2기 팹 역시 테슬라향 공급량 확대, 혹은 추가 고객사 확보 여부에 따라 실제 양산 가동까지의 로드맵이 달라질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "건설 부문 관련사인 삼성이앤에이(삼성E&A)에서도 테일러 2공장 건설을 위한 수십명의 인력을 현지에 파견하는 방안을 추진 중인 것으로 안다"며 "다만 삼성전자가 클린룸 구축 후 실제 양산 라인까지 빠르게 구축하기 위해서는 대형 고객사 확보가 선제적으로 확보돼야 할 것"이라고 말했다.

2026.08.20 11:24장경윤 기자

삼성전자, 기흥 신규 R&D팹 '파운드리' 활용 추진…엔비디아 수요 선제 대응

삼성전자가 기흥에 구축 중인 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 용도를 변경할 예정이다. 현재 해당 라인은 파운드리 생산능력 확대에 활용하기로 가닥을 잡은 것으로 14일 파악됐다. 당초 D램 양산용 라인으로도 투자가 논의됐으나 최근 계획이 수정됐다. 이곳에서 주력으로 노리는 양산품은 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 2나노미터(nm) 베이스(로직) 다이다. 엔비디아 등 핵심 고객 주도로 HBM 공급이 확대될 전망인 만큼, 관련 생산능력을 미리 확보하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 기흥에 구축 중인 NRD-K 2라인 용도를 기존 R&D에서 파운드리 라인으로 활용하는 방안을 추진 중이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 최첨단 복합 연구개발단지다. 오는 2030년까지 약 20조원을 투입해 총 3개 라인을 조성하기로 했다. 이 중 첫 번째 라인은 지난 2024년 말 준공됐다. 올해부터 NRD-K 2라인 조성을 준비하고 있다. 기흥캠퍼스 내 옛 종합기술원 건물을 철거하고, 현재 부지 조성 등 기초공사 중이다. 다만 NRD-K 2라인 용도는 당초 계획에서 크게 변경될 확률이 높다. 최근 삼성전자는 해당 라인을 파운드리용 센드팹(Send-Fab)으로 활용하는 방안을 추진 중이다. 센드팹은 타 양산라인에서 웨이퍼를 받아 와 특정 공정을 대신 처리하는 보조 팹 개념이다. 목표로 검토 중인 주력 양산품은 엔비디아에 공급하는 HBM용 2나노 베이스 다이로 알려졌다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, HBM과 그래픽처리장치(GPU) 등 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 성능을 좌우하는 요소 중 하나다. HBM은 글로벌 빅테크의 공격적인 인공지능(AI) 인프라 투자에 따라 수요가 지속 확대될 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 향후 상용화될 커스텀 HBM과 HBM5(8세대 HBM)에 업계 최첨단 공정인 2나노 기술을 적용해, 경쟁사보다 성능 우위를 확보할 계획이다. 기흥 신규 팹을 활용해 관련 생산능력을 빠르게 확보하려는 것도 같은 이유로 보인다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 2028년 하반기 개소를 목표로 NRD-K 2라인을 구축 중이고, 파운드리용 팹으로 활용하는 것으로 가닥을 잡았다"며 "NRD-K 2라인의 경우 팹 사이즈가 비교적 작은 편에 속하기 때문에, 센드팹 방식으로 최첨단 반도체 생산능력 확대에 기여할 것"이라고 설명했다. 물론 팹 오픈 시점이 2년가량 남은 만큼, NRD-K 2라인 용도가 또다시 변경될 수도 있다는 게 업계 시각이다. 또 다른 관계자는 "(삼성전자) 내부적으로는 확정 수준이긴 하나, 실제 설비 구매주문(PO)이 나오려면 시간이 더 필요하다"며 "반도체 시황이 언제든 급변할 수 있어, 구체적인 투자 방향과 규모가 수정될 가능성도 배제할 수 없다"고 말했다. 실제 삼성전자는 지난달까지 NRD-K 2라인을 D램용 센드팹으로 활용하는 방안도 검토했다. 이를 위해 화성 메모리 사업부가 관련 투자계획도 수립했다. 다만 삼성전자가 이달 계획을 수정하면서, D램 양산은 평택캠퍼스로 집중될 가능성이 커졌다.

2026.08.14 14:36장경윤 기자

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