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삼성벤처투자 부사장에 양성훈 상무 발탁

삼성벤처투자가 신임 부사장에 양성훈(50) 상무를 내정했다고 25일 밝혔다. 양 부사장은 1975년생으로 서울대 재료공학 박사 출신이다. 삼성전자 기술기획그룹을 거쳐 삼성벤처투자 투자1팀 SVA 미주지사장을 지냈다. 삼성벤처투자 측은 "안정적인 경영 기반을 강화하고 미래 핵심기술을 선점하기 위해 이번 인사를 실시했다"고 전했다.

2025.11.25 17:20신영빈 기자

삼성벤처투자는 이종혁 삼성전자 부사장을 신임 대표이사 부사장으로 내정했다고 29일 밝혔다. 이종혁 신임 대표이사는 1996년 삼성SDI 기초연구LAB 책임연구원으로 입사해 삼성모바일디스플레이 OLED선행기술팀장, 삼성디스플레이 QD개발팀장 등을 거쳐 현재 삼성디스플레이 대형디스플레이사업부장으로 QD-OLED 사업을 총괄 중이다. 이 대표는 IT·전자부품 분야 기술전문성 및 풍부한 네트워크를 바탕으로 삼성벤처투자를 글로벌 최고의 CVC로 지속 성장시켜 나갈 것으로 기대된다.

2025.11.21 09:53신영빈 기자

[인사] 삼성벤처투자

▲ 승 진 삼성디스플레이 대형디스플레이사업부장 겸)IT사업팀장 이종혁 부사장 → 삼성벤처투자 대표이사 부사장

2025.11.21 09:42신영빈 기자

삼성전자와 함께 크는 스타트업…디지털헬스·AI·로봇 등 성과 빛났다

삼성전자가 스타트업과 손잡고 미래 혁신 산업을 발굴한다. 디지털헬스와 AI, 로봇, IoT, ESG 등 다양한 분야의 유망 스타트업이 삼성전자 'C랩'을 통해 제품 개발 및 시장 진출에 속도를 내고 있다. C랩에 참여한 AI 기반 로봇·기계장치 설계 소프트웨어 업체 아이디오션 관계자는 "당사 솔루션은 현대자동차와 PoC(개념증명) 등을 진행해 설계 속도를 약 12배 정도 빠르게 진전시켰다는 평가를 받은 바 있다"며 "내년 하반기부터 소포트웨어를 정식으로 상용화할 예정"이라고 밝혔다. 삼성전자는 20일 서울 서초구 삼성전자 서울R&D캠퍼스에서 '2025 C랩 스타트업 데모데이'를 개최했다. 이번 행사는 삼성전자가 직접 육성한 C랩 아웃사이드 7기 스타트업들의 성과를 공유하고, 투자 유치와 사업 협력 기회를 확대하기 위해 마련됐다. 'C랩과 함께, 한계를 넘어(Rise Beyond, Together)'를 주제로 진행된 이번 행사에는 C랩 아웃사이드 7기 30개 스타트업이 참여해 성과 발표와 패널 토의를 진행했으며 행사장에는 전시 부스도 별도로 마련됐다. 또한 뤼튼테크놀로지스 등 5개 졸업사도 참석해 성장 스토리를 공유했다. 현장에는 더불어민주당 이언주 의원, 삼성전자 CR 담당 박승희 사장을 비롯해 C랩 자문위원, 업계 관계자 및 삼성전자 임직원 등 400여 명이 참석했다. 삼성전자와 '미래 산업' 그리는 유망 스타트업 이번 데모데이에는 ▲AI ▲디지털헬스 ▲로봇 ▲ESG 등 미래 유망 분야에서 새로운 시장을 개척 중인 35개 스타트업이 참가했다. 이 중 ▲로봇용 힘·토크 센서 개발 기업 '에이딘로보틱스' ▲친환경 정수 플랜트 솔루션 '지오그리드' ▲로봇 자동설계 AI 솔루션 '아이디어오션' ▲탄소배출권 인증을 위한 AI 솔루션 '땡스카본' ▲나노 섬유 기반 복합 신소재 개발 기업 '소프엔티' 등 10개사는 지난 1년간의 성과를 직접 발표했다. 이들은 삼성전자와의 협력을 통해 성장한 대표 스타트업으로 주목받았다. 에이딘로보틱스는 삼성전자의 로봇 개발에 핵심 부품을 공동 개발 중이며, 지오그리드는 자체 개발한 친환경 플랜트 솔루션을 삼성전자 수원사업장에 적용하고 있다. 소프엔티는 직접 개발한 나노 섬유 기반 복합 신소재를 삼성전자 제품에 적용하기 위해 협력하고 있다. C랩 아웃사이드 7기 스타트업 30개사는 프로그램 기간 동안 총 218명의 신규 인력을 채용해 청년 일자리 창출에 기여했고, 총 345억원 규모의 투자를 유치하며 성장 잠재력을 입증했다. 김기현 지오그리드 대표는 "C랩의 체계적인 지원 덕분에 기업의 역량을 한층 강화할 수 있었다"며 "특히 C랩이 제공한 전문 컨설팅 프로그램이 사업 방향을 구체화하는 데 큰 도움이 됐고 삼성전자와의 협업을 통해 글로벌 시장 도약의 발판을 마련했다"고 말했다. 특히 행사에서 발표한 C랩 아웃사이드 4기 졸업사인 '뤼튼테크놀로지스'는 생성형 AI 플랫폼 스타트업 최초로 누적투자 1천300억원을 유치했고, AI 전환(AX) 사업에 진출해 노동시간 단축과 생산성 증가 등의 성과를 거뒀다. 정부·산업계, "C랩은 대표적 개방형 혁신 모델, 스타트업 성장 지원" 이언주 더불어민주당 의원은 "스타트업은 대한민국의 새로운 성장엔진이자 미래 경쟁력의 핵심"이라며 "삼성전자가 혁신 스타트업과의 상생을 통해 함께 성장할 수 있도록 지속적인 관심과 지원을 당부드린다"고 밝혔다. 박승희 삼성전자 CR담당 사장은 "삼성전자 C랩은 대기업과 스타트업이 함께 성장하는 대표적인 '개방형 협력 플랫폼'으로 자리매김했다"며 "앞으로도 사업 협력과 투자를 통해 스타트업의 성장을 적극 지원하고 함께 미래를 개척하는 동반자로서 책임과 역할을 다하겠다"고 강조했다. 한성숙 중소벤처기업부 장관, 국민의힘 김성원 의원, 강기정 광주광역시장, 이철우 경상북도지사, 김정기 대구시장 권한대행은 영상으로 축사를 전했다. 한성숙 장관은 축사 영상을 통해 "삼성전자 C랩은 대기업의 기술력과 글로벌 네트워크에 스타트업의 창의성과 빠른 실행력이 더해져 새로운 혁신을 만들어 온 대한민국의 대표적인 개방형 혁신 모델"이라며 "결국 사람과 기업이 서로 협력할 때 비로소 큰 성과가 창출되는 만큼 이러한 개방형 혁신의 의미가 크다"고 밝혔다. C랩 아웃사이드 7기 졸업…스타트업 발굴∙육성 1천개 돌파 눈앞 삼성전자는 임직원들이 자유롭게 아이디어를 제안하고 도전할 수 있는 창의적 조직 문화를 조성하기 위해 2012년 12월 사내벤처 육성 프로그램인 'C랩 인사이드'를 도입했다. 2015년부터는 우수 사내벤처 과제가 스타트업으로 분사할 수 있도록 스핀오프 제도도 운영하고 있다. 2018년에는 사내벤처 육성 경험과 노하우를 외부로 확장해, 혁신적인 아이디어를 가진 스타트업을 발굴하고 성장을 지원하는 개방형 혁신 프로그램 'C랩 아웃사이드'를 신설했다. 삼성전자는 C랩 아웃사이드를 통해 국내 창업 생태계 활성화와 양질의 청년 일자리 창출에 기여하고 있다. 2023년에는 'C랩 아웃사이드'를 대구, 광주, 경북 등 지역으로 확대하며 지역 기반 스타트업 생태계의 활성화에 나서고 있다. 수도권 중심의 창업 인프라 한계를 보완하기 위해 지역 거점을 통해 혁신 스타트업을 직접 발굴하고 맞춤형으로 육성하는 것이 핵심이다. 현재까지 이들 지역에서 40개의 스타트업을 발굴∙육성하는 등 지역 창업 생태계 활성화에 기여하고 있으며 장기적으로는 지역에서 글로벌 유니콘 기업이 나오기를 기대하고 있다. 현재까지 삼성전자는 총 959개(사내 423개, 사외 536개)의 사내벤처와 스타트업을 육성하며, 내년 중 1천개 돌파를 앞두고 있다

2025.11.20 11:26장경윤 기자

삼성, 국내에 5년간 450조원 '통 큰' 투자…P5도 착공 추진

삼성이 향후 5년간 연구개발(R&D)을 포함한 국내 투자에 총 450조원을 투입하는 등 공격적인 투자에 나선다. 삼성전자는 최근 임시 경영위원회를 열고 평택사업장 2단지 5라인(P5)의 골조 공사를 추진하기로 결정했다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 글로벌 AI 시대가 본격화되면서 메모리 반도체 중장기 수요가 확대될 것으로 보고, 시장 변화에 신속하게 대응하기 위해 생산라인을 선제적으로 확보할 계획이다. 평택사업장 2단지에 새롭게 조성되는 5라인은 2028년부터 본격 가동될 예정이다. 또 안정적인 생산 인프라 확보를 위해 각종 기반 시설 투자도 병행 추진된다. 향후 5라인이 본격 가동되면 글로벌 반도체 공급망과 국내 반도체 생태계에서 평택사업장의 전략적 위상은 더욱 커질 전망이다. 삼성SDS는 AI 인프라 확대를 위해 전남에 국가 컴퓨팅센터와 구미 AI데이터센터 등 다거점 인프라 전략을 추진하고 있다. 삼성SDS는 국가 AI컴퓨팅센터를 건립할 SPC(특수목적회사) 컨소시엄의 주사업자로, 전남에 대규모 AI데이터센터를 건립할 계획이다. 이 센터는 2028년까지 1만5천장 규모의 GPU를 확보하고 학계, 스타트업, 중소기업 등에 이를 공급함으로써 글로벌 AI G3로 도약하겠다는 정부의 목표를 뒷받침하게 될 것이다. 또한 삼성SDS는 경북 구미 1공장에 대규모 AI데이터센터를 건립할 계획을 수립하고 있다. AI 특화 데이터센터로 리모델링할 예정인 이 데이터센터는 삼성전자를 비롯한 삼성 관계사 중심으로 AI서비스를 제공할 계획이다. 완공 목표 시점은 2028년이다. 삼성전자는 11월 초 인수 완료한 플랙트그룹(이하 플랙트)의 한국 생산라인 건립을 통해 AI데이터센터 시장을 집중 공략할 계획이다. 삼성전자는 유럽 최대 공조기기 업체 플랙트 인수를 통해 삼성의 개별 공조와 플랙트 중앙공조 사업을 결합해 시너지를 확대할 방침이다. 플랙트는 한국 진출을 본격화하기 위해 광주광역시에 생산라인 건립을 검토중이며, 인력 확충도 추진 중이다. 삼성SDI는 이른바 '꿈의 배터리'로 불리는 전고체 배터리 등 차세대 배터리의 국내 생산 거점을 구축하는 방안을 추진 중으로, 유력한 후보지로 울산 사업장을 검토하고 있다. 지난 2023년 3월 국내 배터리 업계 최초로 전고체 파일럿 라인을 수원 SDI연구소에 설치한 삼성SDI는 같은해 말부터 시제품 생산에 돌입해 현재 여러 고객사에 샘플을 공급하고 테스트를 진행 중이며, 2027년 양산 돌입을 목표로 하고 있다. 특히 최근 독일 BMW와 '전고체 배터리 실증 프로젝트' 관련 업무협약을 체결하는 등 전고체 배터리 상용화를 위한 차별화된 경쟁력을 지속적으로 확보해 가고 있다. 삼성디스플레이는 충남 아산사업장에 구축중인 8.6세대 IT용 OLED(유기발광다이오드) 생산 시설에서 내년부터 본격적으로 제품을 양산 예정이다. 이 라인은 올해 말 시험 가동에 들어가 내년 중순경 IT기기에 들어가는 디스플레이 제품을 양산할 계획이다. 이 외 삼성디스플레이는 지난해 오픈한 충남테크노파크 혁신공정센터에 노광기를 포함한 유휴설비 14종을 올해 기증했다. 삼성전기는 2022년부터 고부가 반도체 패키지기판 거점 생산 기지인 부산에 생산 능력 강화를 위한 투자를 진행하고 있다. 삼성전기는 반도체 고성능화, AI·서버 시장 확대 등에 따라 급증하는 하이엔드급 패키지기판 시장을 적극 공략 중이다. 부산사업장에서는 국내 최초로 기술 난이도가 매우 높은 서버용 패키지기판을 개발해 양산 중임. 부산사업장에서 양산 중인 FC-BGA를 기존 빅테크에 공급 확대하고, AI 가속기용 신규 고객사 다변화를 강화해 정부의 AI 기반 성장 기조에 힘을 줄 계획이다. 청년 일자리 창출에도 나선다. 삼성은 "상황이 어렵더라도 향후 5년간 6만명을 신규 채용하기로 했다"며 "직접 채용 이외에도 사회적 난제인 '청년실업 문제' 해소에 기여하고자 다양한 '청년 교육 사회공헌사업'을 펼치고 있다"고 밝혔다. 삼성의 청소년 교육·상생 협력 관련 CSR 프로그램은 직·간접적으로 8천개 이상의 일자리를 만들어내고 있다.

2025.11.16 17:55장경윤 기자

삼성전자, 사업지원실 내 M&A 신설…추가 '빅딜' 속도 내나

삼성전자가 지난주 상설화한 사업지원실 내에 인수·합병(M&A) 팀을 신설한 것으로 파악됐다. 최근 삼성전자가 회사의 신성장동력 확보를 위한 투자에 적극 나서고 있는 만큼, 미래 M&A 전략에 힘이 실릴 것으로 기대된다. 13일 재계에 따르면 삼성전자는 사업지원실 내 M&A 담당 인력들을 모아 M&A팀을 구성했다. 앞서 삼성전자는 지난 주 임시 조직이었던 사업지원 T/F(태스크포스)를 사업지원실로 격상시킨 바 있다. 사업지원 T/F는 삼성 그룹의 컨트롤타워 역할을 맡았던 미래전략실이 지난 2017년 국정농단 사태 여파로 해체된 뒤, 역할을 대신하고자 만들어진 조직이다. 이번 개편으로 사업지원실에는 ▲전략팀 ▲경영진단팀 ▲피플팀 ▲M&A팀 등이 신설됐다. 이 중 M&A팀은 안중현 삼성전자 사장이 팀장 자리에 올랐다. 임병일 부사장과 최권영 부사장, 구자천 상무 등도 M&A팀에 배치됐다. 안 사장은 지난 1986년 삼성전자에 입사해 2015년 미래전략실, 사업지원T/F에서 근무했다. 지난 2022년 사장으로 승진하며 삼성글로벌리서치로 이동했다가 지난해 다시 삼성전자로 돌아왔다. 복귀 당시에도 삼성전자가 본격적으로 M&A에 시동을 건다는 해석이 많았다. 안 사장이 관여한 크고 작은 딜만 50건이 넘는 것으로 알려져 있다. 대표적인 사례가 2016년 단행된 전장 자회사 하만 인수다. 삼성전자는 당시 하만을 80억 달러(약 9조3천억원)에 인수해 국내 기업 사상 최대 규모 M&A를 기록했다. 2014년 삼성토탈·삼성종합화학의 한화그룹 매각, 이듬해 삼성SDI 케미칼 부문과 삼성정밀화학 지분의 롯데케미칼 매각 등도 안 사장이 관여한 딜로 꼽힌다. 업계는 삼성전자가 새롭게 구성된 M&A팀을 통해 반도체·인공지능(AI)·로봇·바이오 등 미래 신성장동력 확보를 위한 투자에 속도를 낼 것으로 보고 있다. 이재용 삼성전자 회장이 사법리스크를 벗어난 만큼, 향후 초대형 M&A를 단행할 것이란 전망도 나온다. 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "AI와 냉난방공조(HVAC), 전장, 부품 등 다양한 신성장 분야 기술 리더십을 확보하기 위해 M&A 후보 업체를 검토 중"이라고 공식적으로 밝힌 바 있다. 삼성전자 지난해부터 로봇 플랫폼 기업 레인보우로보틱스와 미국 오디오 사업부 마시모, 독일 중앙공조 플렉스 그룹, 디지털헬스케어 플랫폼 젤스 등을 인수해 왔다.

2025.11.13 11:53장경윤 기자

삼성전자, 올해 연간 시설투자 47.4조원 집행 예정

삼성전자가 올해 연간 시설투자를 약 47조4천억원 규모로 집행할 예정이다. 부문별로는 DS부문(반도체)이 40조9천억원, SDC(삼성디스플레이)가 3조3천억원 수준이다. 이는 전년 대비 다소 축소된 규모다. 삼성전자는 지난해 시설 투자에만 53조6천억원을 집행했다. 올해 투자와 6조2천억원 차이난다. 삼성전자는 “DS부문은 고부가가치 제품 수요 대응을 위한 첨단공정 전환 및 기존 라인 보완 투자에 집중하고 SDC는 기존 라인 보완 및 성능 향상을 위해 투자할 예정”이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 86조1천억원, 영업이익 12조2천억원을 기록했다고 30일 밝혔다. 전사 매출은 전분기 대비 15%, 전년동기 대비 8.8% 증가하며 역대 최대 분기 매출을 기록했다. 영업이익도 전분기 대비 160.18%, 전년동기 대비 32.48% 증가했다.

2025.10.30 10:09전화평 기자

삼성, '혈액 채취로 암 조기진단' 美 그레일에 1.1억 달러 투자

삼성물산·삼성전자는 증상이 없는 사람의 혈액 채취만으로 암을 조기 진단하는 미국 생명공학 기업 '그레일(Grail)'에 1억1천만 달러(한화 약 1천500억원) 투자한다고 16일(현지시간) 밝혔다. 그레일은 혈액 내 수억 개의 DNA 조각 중 암과 연관된 미세한 DNA 조각을 최적으로 선별하고, 이를 AI 기반 유전체(Genome) 데이터 기술로 분석해 암 발병 유무 뿐 아니라 암이 발생한 장기 위치까지 예측할 수 있는 기술을 보유한 업체다. 다양한 임상시험 결과로 출시한 제품 '갤러리(Galleri)'는 단 한 번의 혈액검사로 50여 종의 암을 조기에 발견할 수 있다. 2021년 출시 이후 현재까지 약 40만건의 누적 검사 실적을 보유하고 있으며, 영국에서도 국립보건서비스(NHS)와 함께 대규모 임상을 진행하고 있다. 갤러리 검사를 활용하면 췌장암, 난소암 등 표준화된 선별 검사가 없는 암을 조기에 발견할 가능성이 높아 암 치료의 부담을 줄여줄 것으로 예상된다. 그레일은 자사의 갤러리 검사를 내년 중 美 FDA에 승인 신청할 계획이다. 삼성물산은 이번 투자를 통해 한국에서 갤러리 검사를 독점 유통할 수 있는 권리를 확보했으며, 향후 싱가폴, 일본 등에서도 그레일과 협력할 예정이다. 삼성전자는 그레일의 기술력과 축적된 유전자 기반 암 조기진단 데이터를 삼성 헬스 플랫폼과 연계해 활용하는 전략적 협력을 모색할 예정이다. 이를 통해 삼성 헬스 사용자에게 보다 혁신적인 건강 관리 경험을 제공할 계획이다. 김재우 삼성물산 라이프 사이언스 사업 담당(부사장)은 "그레일은 유전자 기반 다중암 조기진단 분야 1위 회사로, 삼성물산은 금번 투자와 전략적 협력을 통해 유전자와 AI가 융합된 기술 분야로 삼성물산의 바이오·헬스케어 투자 포트폴리오를 확대하는 계기를 마련하게 됐다"고 밝혔다. 박헌수 삼성전자 MX사업부 디지털 헬스팀 팀장은 "그레일 투자 및 전략적 협력은 기술을 통해 일상에서부터 건강을 개선하겠다는 비전을 실현하기 위한 노력의 일환"이라며 "삼성전자의 디지털 헬스 플랫폼에 그레일의 임상 유전자 데이터, 기술력을 접목해 개인 맞춤화된 디지털 헬스 경험을 제공하기 위해 노력할 것"이라고 강조했다. 하팔 쿠마르 그레일 해외 사업 담당 사장은 "한국을 시작으로 아시아에서 다중암 조기진단 서비스를 제공하기 위해 삼성과의 파트너십을 맺게 됐다"며 "삼성의 이번 투자로 미국과 주요 시장에서 갤러리 검사의 보험 적용을 위한 주요 이정표 달성에 큰 도움을 받게 됐다"고 말했다. 한편, 삼성물산은 삼성바이오로직스, 삼성바이오에피스와 공동으로 출자한 라이프 사이언스 펀드를 통해 미국의 혈액 기반 알츠하이머 검사 기술 기업 'C2N'과, 미국 플래그십 파이오니어링 8호 펀드 등에 투자한 바 있다. 삼성전자는 헬스케어 분야 강화를 위해 미국 DNA 분석 장비 기업인 '엘리먼트 바이오사이언스'에 투자를 진행했고, 최근에는 미국 디지털 헬스케어 회사 '젤스(Xealth)'를 인수한 바 있다.

2025.10.17 09:32장경윤 기자

탄력 받는 메모리 3강 '1c D램' 투자…AI·HBM 시장 겨냥

주요 메모리 기업들이 1c(6세대 10나노급) D램 투자에 속도를 낸다. 삼성전자는 올 상반기부터 이미 양산라인 구축을 시작했으며, SK하이닉스는 최근 전환투자를 위한 구체적인 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 마이크론 역시 이달 일본 정부로부터 1c D램 신설에 대한 보조금을 지급받았다. 21일 업계에 따르면 주요 메모리 기업들은 1c D램 양산을 위한 신규 및 전환투자에 집중하고 있다. 1c D램은 주요 메모리 기업들이 올 하반기 양산을 목표로 둔 차세대 D램이다. 삼성전자의 경우 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 1c D램을 채용하기로 했다. SK하이닉스·마이크론은 서버 등 범용 D램에서부터 1c D램을 활용할 계획이다. 삼성전자는 1c D램 생산능력 확대에 가장 공격적으로 나서고 있다. 현재 평택 제4캠퍼스(P4)에서 신규 1c D램 양산라인을 구축하고 있으며, 화성 17라인에서도 1c D램에 대한 전환 투자를 추진 중이다. 연말까지 확보할 생산능력은 최대 월 6만장으로 추산된다. SK하이닉스는 지난 7월 2025년 2분기 실적발표에서 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝힌 바 있다. 업계에 따르면 해당 전환투자는 이천 M14 팹에서 진행될 가능성이 유력하다. M14는 기존 일부 낸드 라인을 D램 양산으로 용도를 변경해 온 팹이다. 현재 SK하이닉스는 이곳의 구형 D램 설비를 들어내고 1c D램 라인을 도입하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "1c 공정은 서버용 고부가 D램은 물론, HBM4E(7세대 HBM)에도 활용될 수 있어 SK하이닉스가 주목하고 있는 분야"라며 "아직 설비투자가 확정된 것은 아니나 내년 전공정 분야에 활발한 투자가 집행될 것으로 보고 있다"고 설명했다. 마이크론 역시 1c D램 투자에 속도를 낼 것으로 관측된다. 일본 경제산업성(METI)는 이달 중순 마이크론이 히로시마 지역에 신설 중인 D램 공장에 최대 5천360억엔(한화 약 4조7천억원)의 보조금을 지원한다고 발표했다. 해당 공장은 마이크론의 1γ(감마) 공정 양산을 주력으로 양산할 계획이다. 가동 목표 시기는 오는 2027년이다. 1γ는 국내 반도체 업계에서는 1c D램에 대응하는 공정으로, 마이크론 역시 HBM4E에 해당 공정을 채용할 것으로 예상된다.

2025.09.21 09:40장경윤 기자

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤 기자

삼성·SK, 차세대 HBM 상용화 총력…범용 D램 가격 상승 '압박'

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 총력을 기울이고 있다. 이에 따라 범용 D램 생산능력 및 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 가격 상승 압박을 받고 있다. 4일 업계에 따르면 올해 하반기 및 내년 초 범용 D램 가격은 당초 예상보다 상승할 것으로 전망된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 올해부터 엔비디아향 HBM4(6세대 HBM) 공급 준비에 집중하고 있다. 올 3분기 엔비디아가 HBM4 샘플을 대량으로 요청함에 따라, 두 회사 모두 HBM4 샘플 제작을 위한 웨이퍼 투입량을 늘리고 있는 것으로 파악됐다. 추산 규모는 월 1만~2만장 수준으로, 샘플인 점을 고려하면 매우 많은 양에 해당한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 상용화된 HBM3E는 8단과 12단 적층으로 제작된다. 현재 샘플 단계에서 테스트가 진행 중인 HBM4 역시 12단이다. 다만 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 많고, D램 크기가 확대되는 등 기술적 진보가 많아 초기 수율 확보에 불리하다. 수율이 낮을 경우, 고객사 조건을 맞추기 위해선 웨이퍼 투입량을 더 늘릴 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들이 내년 엔비디아향 HBM 사업 확대를 위한 준비에 사활을 걸고 있다"며 "HBM에 투입되는 웨이퍼가 많아질수록 범용 D램 수급은 더 타이트해지고, 올 하반기와 내년 가격 인상을 부추길 수 있다"고 설명했다. 설비투자도 대부분 HBM에 집중되면서, 범용 D램 생산능력이 점차 줄어드는 추세다. 삼성전자는 HBM4에 탑재될 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력을 올해 월 6만장까지 늘리기 위한 투자를 집행 중이다. SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력 확대를 위한 전환투자를 꾸준히 진행해 왔다. 실제로 시장조사업체 옴디아는 최근 서버용 64GB(기가바이트) DDR5의 올 4분기 가격 전망치를 당초 255달러에서 276달러로 상향 조정했다. 모바일 8GB DDR5도 18.7달러에서 19.2달러, PC 16GB DDR5는 44.7달러에서 46.5달러로 높였다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "설비투자가 사상 최고 수준임에도 웨이퍼 캐파는 HBM이 점점 더 많이 잠식하고 있어 레거시(성숙) D램은 구조적으로 제약을 받는다"며 "범용 D램의 수요가 증가해도 생산을 공격적으로 확대하지 못하는 구조적 불균형이 내년에도 재현될 수 있어, 시장이 급격한 가격 상승에 직면할 수 있다"고 밝혔다.

2025.09.04 13:23장경윤 기자

美, 삼성·SK VEU 지위 철회…소부장 업계도 '전전긍긍'

미국 정부가 삼성전자, SK하이닉스 등 한국 반도체 기업을 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 제외하면서 국내 반도체 소재·부품·장비(소부장) 업계에 긴장감이 돌고 있다. 중국 내 삼성전자와 SK하이닉스 공장의 설비 교체·업그레이드 지연으로 매출 둔화 우려가 제기되고 있기 때문이다. 다만, 유예 기간이 남아있는만큼 좀더 기다려봐야 한다는 목소리도 나온다. 2일 업계에 따르면 미국 상무부는 지난달 29일(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스를 VEU 프로그램에서 제외한다고 발표했다. VEU는 미국 정부가 지정한 기업에 대해 별도의 승인 없이 장비·소재 수출을 허용하는 제도다. 삼성전자와 SK하이닉스의 공장은 VEU에 포함돼 있어, 그간 미국과 동맹국 기업들의 원활한 장비 반입이 가능했다. 하지만 이번에 명단에서 제외되며, 향후 이들 공장에 반도체 장비나 소재를 도입하려면 미국 상무부의 개별 승인이 필요하게 됐다. 삼성전자 시안 공장은 전체 낸드플래시 생산의 약 40%를 담당하고 있다. SK하이닉스는 우시 공장에서 D램의 40%를, 다롄 공장에서는 낸드플래시 일부를 양산하고 있다. 다만 단기적으로는 큰 타격이 없을 것으로 전망된다. 국내 양사의 중국 공장 3곳 모두 한국에 있는 최첨단 공장 대비 1~2세대 뒤처진 공정 과정을 운영 중으로, 첨단 장비를 반입할 필요성이 다소 떨어지기 때문이다. 긴장하는 소부장...”VEU 유예 기간, 최종 조치 나와봐야” 국내 소부장(소재·부품·장비) 업계에는 긴장감이 가득하다. 삼성전자, SK하이닉스의 중국 내 신규 투자가 사실상 막히게 되면 협력 장비업체 역시 영향을 받을 수 밖에 없다. 반도체 장비 업계 관계자는 “삼성전자와 SK하이닉스에 대한 이 같은 조치는 국내 소부장 업체에게 영향을 줄 수 밖에 없다”며 “VEU 유예 기간이 끝날 때까지 협상을 해야만 한다”고 말했다. 임영진 저스템 대표는 “삼성과 SK가 팹에 투자를 해야 장비 업체들의 매출도 올라가는데, 투자 자체를 하기 어려운 상황이 되다보니 업계 전반이 데미지를 입을 것으로 예상된다”고 설명했다. 중국 수출길도 막힐 공산이 크다. 현재 한미반도체, 주성엔지니어링 등 국내 업체들은 중국 기업을 고객사로 두고, 반도체 장비를 공급 중이다. VEU 명단 제외가 직접적인 영향을 주지는 않지만, 중국에 대한 미국의 압박이 거세진다는 점에서 간접적으로 수출 문턱이 높아질 수 있는 셈이다. 아울러 이 같은 상황은 중국 반도체 생태계의 국산화율까지 더 끌어올릴 수 있다는 분석이 나온다. 임 대표는 “중국 장비 업체들의 국산화율이 굉장히 많이 올라와 있다”며 “지금 한국에서 생산하는 장비의 수준은 중국에서 이미 내재화됐을 가능성이 높다”고 밝혔다. 다만 VEU 박탈까지 120일 동안의 유예기간이 있는 만큼 이 기간 내 동향을 좀 지켜봐야 한다는 의견도 제언된다. 메모리 업계 관계자는 “미국의 VEU 철회 결정이 이달 2일 관보에 게시된 후 실제 실행까지는 120일의 유예기간이 있는 만큼 이 기간 내 협상 여지를 좀 지켜봐야 하는 단계로 파악하고 있다"고 말했다.

2025.09.02 16:43전화평 기자

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤 기자

삼성전자, 지난해 R&D 투자 증가율 71% '1위'

지난해 주요 반도체 기업들이 적극적인 연구개발(R&D) 투자를 집행한 것으로 나타났다. 특히 삼성전자의 투자 규모가 급격히 늘어나, 향후 실적에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대된다. 1일 반도체 전문분석기관 테크인사이츠에 따르면 지난해 R&D 투자 상위 20개 반도체 기업의 총 투자액은 986억8천만 달러(한화 약 128조원)로 전년 대비 17% 증가했다. 이는 전체 반도체 산업 R&D 지출의 약 96%를 차지한다. 상위 20개 기업의 매출 대비 R&D 지출은 평균 15.8%로 나타났다. 20개 기업 중 15개는 R&D 지출을 늘렸고, 5개 기업은 줄였다. 1위는 인텔로, 165억 5천만 달러의 R&D 투자를 기록했으나 증가율은 전년 대비 3.1% 늘어나는데 그쳤다. 2위인 엔비디아는 125억 달러, 증가율 47%를 기록했다. 3위인 삼성전자는 가장 큰 상승폭을 기록했다. 지난 2023년 R&D 투자액 7위(55억 달러)였던 삼성전자는 지난해 전년 대비 71.3% 증가한 95억 달러를 R&D에 투자함으로써 순위를 3위로 끌어올렸다. 삼성전자의 R&D 지출 상승은 향후 실적에도 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 예상된다. SK하이닉스는 R&D 투자액은 지난해 10위를 유지했으나, 투자 증가율은 32.7%를 기록했다. 매출 대비 R&D 투자 비율은 6.9%로 상위 20개 기업 중 가장 낮았다. 지난해 상위 10개 R&D 지출 기업 가운데 6개는 미국, 2개는 대만, 2개는 한국에 본사를 두고 있다. 상위10개 중 5개 기업은 팹리스 반도체 기업이며, 퀄컴, 엔비디아, AMD, 브로드컴, 미디어텍이다. 4개는 IDM(인텔, 삼성전자, 마이크론, NXP)이다. R&D 투자 상위 11~20위 기업 중 IDM은 9개, 팹리스는 1개다. 7위를 차지한 TSMC는 10억 달러 이상 R&D를 투자한 기업 중 유일한 순수 파운드리이다. TSMC는 2010년에 처음으로 R&D 상위 10위 기업에 진입(10위)했다. 2010년 9억4천300만 달러였던 R&D 지출은 13년만인 2023년 63억6천만 달러로 574% 증가했다. 연평균 성장률(CAGR)은 14.6%에 이른다. TSMC는 1999년 이후 R&D 투자를 지속적으로 늘려오고 있다.

2025.09.01 10:41장경윤 기자

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤 기자

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤 기자

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤 기자

삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤 기자

SK하이닉스 미래 성장성, HBM4 가격협상·수익 방어에 달렸다

SK하이닉스가 올 2분기 역대 최대 실적을 기록한 가운데, 미래 AI 메모리 수요 대응을 위한 제품 개발·설비투자에 적극 나선다. 특히 내년에도 HBM(고대역폭메모리) 시장 우위를 지속하기 위한 준비에 주력한다는 계획이다. 관건은 수익성 방어다. 차세대 제품인 HBM4는 제조비용 상승, 후발주자와의 경쟁 심화 등으로 내년 견조한 공급량 및 가격 확보가 쉽지 않을 것으로 전망된다. 다만 SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 및 수익성 악화 등 대내외적인 우려에 대해 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"며 적극적인 대응을 시사했다. SK하이닉스는 지난 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 실적은 역대 최대 분기 실적에 해당한다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. SK하이닉스의 호실적은 당초 예상을 웃도는 D램·낸드 출하량 덕분이다. 또한 고부가 제품인 HBM3E 12단의 본격적인 판매 확대도 영향을 미쳤다. 하반기 역시 급격한 수요 감소 가능성은 낮을 것으로 내다봤다. 차세대 제품 개발·설비투자 확대로 미래 수요 대응 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조를 유지하나, 향후 시황 개선에 대비한 제품 개발을 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 또한 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로, HBM 매출을 전년 대비 약 2배로 성장시키겠다는 기존 계획을 유지했다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 올해 설비투자 규모는 당초 계획 대비 확대될 전망이다. 특히 올해 말까지 구축 예정인 M15X는 내년부터 SK하이닉스의 HBM 생산에 크게 기여할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 “내년 HBM 공급 가시성이 확보되면서 적기 대응을 위한 선제적 투자를 결정했다”며 “올해 투자 규모는 기존 계획 대비 증가하며, 대부분 HBM 장비 투자에 활용할 계획”이라고 밝혔다. 차세대 D램인 1c(6세대 10나노급) D램 전환투자도 올 하반기 시작된다. 본격적인 램프 업은 내년에 진행될 예정으로, 현재 구체적인 계획을 수립하는 중이다. 내년 HBM 사업 불확실성에도…'수익성 고수' 자신 다만 업계는 SK하이닉스의 내년 메모리 사업에 대한 불확실성을 우려해 왔다. 주요 고객사인 엔비디아와 HBM4 등 차세대 제품에 대한 공급 협의가 당초 예상보다 길어지고 있고, 삼성전자·마이크론 등 후발주자 진입에 따른 HBM 경쟁 과열이 예상된다는 시각에서다. 특히 SK하이닉스는 HBM4 사업에서 수익성 하락 압박을 받고 있다. HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수 증가, 코어 다이 면적 증가, 베이스 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. SK하이닉스가 이를 HBM4 판매 가격에 온전히 반영하지 못할 경우, 견조한 이익을 거두기 힘들다. 이를 위해선 HBM4의 Gb(기가바이트)당 판매 가격이 이전 세대 대비 20~30%가량 증가해야 한다는 것이 업계의 분석이다. SK하이닉스는 이에 대해 "내년 HBM 고객사와의 협의는 계획대로 진행되고 있고, 고객사 프로젝트 다앙성이 증가하며 제품 믹스와 가격 등을 긴밀히 협의하고 있다"며 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"고 강조했다. 내년 주요 경쟁사와의 경쟁에 대해서도 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 "HBM은 리딩 사업자가 일정한 협상력을 가질 수 있는 시장으로 변모했다고 판단한다"며 "SK하이닉스의 고객 지향적인 마인드와 이를 뒷받침하는 탄탄한 조직 팀워크 등 소프트한 경쟁력 요소들은 남들이 쉽게 카피할 수 없을 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 12:13장경윤 기자

삼성전자 美 테일러 팹 내년 초 양산라인 투자

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 양산 준비를 가속화한다. 그간 지속적으로 늦춰졌던 인프라 시설 공사를 최근 재개한 데 이어, 내년 초 양산 설비를 처음 반입하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 테일러 파운드리 팹에 빠르면 내년 1~2월부터 2나노미터(nm) 공정용 양산설비를 도입하는 방안을 논의 중이다. 내년 초 양산라인 구축 준비…투자 계획 구체화 삼성전자 테일러 파운드리 팹은 지난 2021년 투자가 결정된 신규 공장이다. 당초 4나노 공정 양산을 목표로 했으나, 시장 상황 등을 고려해 2나노를 주력 공정으로 삼았다. 다만 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 완공과 양산라인 구축 시기를 여러 차례 미뤄왔다. 2나노 공정 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 진행할 경우 막대한 비용 손실이 우려되기 때문이다. 그러나 삼성전자는 올 2분기 테일러 팹의 클린룸 마감 공사를 재개했다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 클린룸이 구축된 뒤에야 각종 부대 설비 및 제조설비를 도입할 수 있다. 클린룸 구축 마감 시점은 올 연말이다. 삼성전자는 곧바로 내년 1~2월부터 양산라인을 구축하기 위해 유틸리티 등 설비를 도입하는 방안을 구상하고 있다. 현재 내부적으로 테일러 파운드리 팹용 장비 선정을 마무리하고, 조만간 협력사에 세부적인 투자 및 발주 계획을 구체화할 것으로 알려졌다. 일부 협력사의 경우 이미 내년 초 미국 내 장비 반입을 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 초도 양산라인 구축인 만큼 당장의 투자 규모는 크지 않은 것으로 추산된다. 다만 삼성전자의 차세대 파운드리 양산 준비가 본격화된다는 점에서, 업계의 기대감이 커지고 있다. 2나노 고객사 적기 확보가 중요…"현지 생산, 美 빅테크에 매력적" 향후 공장 가동의 관건은 대형 고객사 확보다. 삼성전자 2나노 공정(SF2)은 이르면 올 하반기 양산이 시작되는 초미세 파운드리 공정이다. 현존 가장 고도화된 3나노(SF3) 공정 대비 성능은 12%, 전력효율성은 25% 뛰어나면서도 면적은 5% 줄일 수 있다는 게 회사 측 설명이다. 그동안 삼성전자는 국내·일본 AI 반도체 팹리스를 2나노 공정 고객사로 확보했다. 그러나 주요 경쟁사인 TSMC와 달리 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하지는 못했다. 이에 삼성전자는 최근 잠재 고객사들과 2나노 공정 양산에 대한 협의를 적극 진행하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "테일러 파운드리 팹은 미국 내 첨단 반도체 생산을 원하는 고객사들에게 매력적인 선택지가 될 것"이라며 "공사 재개가 진행됐고, 그간 불확실했던 양산 라인 구축에 대한 논의도 구체화되면서 모처럼 활기가 도는 분위기"라고 말했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자와 협력사들이 미국 내 부품·장비 반입을 위한 인증 절차를 밟기 시작한 것으로 안다"며 "다만 실제 고객사 확보 성과에 따라 투자 계획에 변동성이 생길 수는 있다"고 설명했다.

2025.06.23 14:13장경윤 기자

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