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'삼성 투자'통합검색 결과 입니다. (70건)

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삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM 상용화 총력…범용 D램 가격 상승 '압박'

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 총력을 기울이고 있다. 이에 따라 범용 D램 생산능력 및 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 가격 상승 압박을 받고 있다. 4일 업계에 따르면 올해 하반기 및 내년 초 범용 D램 가격은 당초 예상보다 상승할 것으로 전망된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 올해부터 엔비디아향 HBM4(6세대 HBM) 공급 준비에 집중하고 있다. 올 3분기 엔비디아가 HBM4 샘플을 대량으로 요청함에 따라, 두 회사 모두 HBM4 샘플 제작을 위한 웨이퍼 투입량을 늘리고 있는 것으로 파악됐다. 추산 규모는 월 1만~2만장 수준으로, 샘플인 점을 고려하면 매우 많은 양에 해당한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 상용화된 HBM3E는 8단과 12단 적층으로 제작된다. 현재 샘플 단계에서 테스트가 진행 중인 HBM4 역시 12단이다. 다만 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 많고, D램 크기가 확대되는 등 기술적 진보가 많아 초기 수율 확보에 불리하다. 수율이 낮을 경우, 고객사 조건을 맞추기 위해선 웨이퍼 투입량을 더 늘릴 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들이 내년 엔비디아향 HBM 사업 확대를 위한 준비에 사활을 걸고 있다"며 "HBM에 투입되는 웨이퍼가 많아질수록 범용 D램 수급은 더 타이트해지고, 올 하반기와 내년 가격 인상을 부추길 수 있다"고 설명했다. 설비투자도 대부분 HBM에 집중되면서, 범용 D램 생산능력이 점차 줄어드는 추세다. 삼성전자는 HBM4에 탑재될 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력을 올해 월 6만장까지 늘리기 위한 투자를 집행 중이다. SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력 확대를 위한 전환투자를 꾸준히 진행해 왔다. 실제로 시장조사업체 옴디아는 최근 서버용 64GB(기가바이트) DDR5의 올 4분기 가격 전망치를 당초 255달러에서 276달러로 상향 조정했다. 모바일 8GB DDR5도 18.7달러에서 19.2달러, PC 16GB DDR5는 44.7달러에서 46.5달러로 높였다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "설비투자가 사상 최고 수준임에도 웨이퍼 캐파는 HBM이 점점 더 많이 잠식하고 있어 레거시(성숙) D램은 구조적으로 제약을 받는다"며 "범용 D램의 수요가 증가해도 생산을 공격적으로 확대하지 못하는 구조적 불균형이 내년에도 재현될 수 있어, 시장이 급격한 가격 상승에 직면할 수 있다"고 밝혔다.

2025.09.04 13:23장경윤

美, 삼성·SK VEU 지위 철회…소부장 업계도 '전전긍긍'

미국 정부가 삼성전자, SK하이닉스 등 한국 반도체 기업을 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 제외하면서 국내 반도체 소재·부품·장비(소부장) 업계에 긴장감이 돌고 있다. 중국 내 삼성전자와 SK하이닉스 공장의 설비 교체·업그레이드 지연으로 매출 둔화 우려가 제기되고 있기 때문이다. 다만, 유예 기간이 남아있는만큼 좀더 기다려봐야 한다는 목소리도 나온다. 2일 업계에 따르면 미국 상무부는 지난달 29일(현지시간) 삼성전자와 SK하이닉스를 VEU 프로그램에서 제외한다고 발표했다. VEU는 미국 정부가 지정한 기업에 대해 별도의 승인 없이 장비·소재 수출을 허용하는 제도다. 삼성전자와 SK하이닉스의 공장은 VEU에 포함돼 있어, 그간 미국과 동맹국 기업들의 원활한 장비 반입이 가능했다. 하지만 이번에 명단에서 제외되며, 향후 이들 공장에 반도체 장비나 소재를 도입하려면 미국 상무부의 개별 승인이 필요하게 됐다. 삼성전자 시안 공장은 전체 낸드플래시 생산의 약 40%를 담당하고 있다. SK하이닉스는 우시 공장에서 D램의 40%를, 다롄 공장에서는 낸드플래시 일부를 양산하고 있다. 다만 단기적으로는 큰 타격이 없을 것으로 전망된다. 국내 양사의 중국 공장 3곳 모두 한국에 있는 최첨단 공장 대비 1~2세대 뒤처진 공정 과정을 운영 중으로, 첨단 장비를 반입할 필요성이 다소 떨어지기 때문이다. 긴장하는 소부장...”VEU 유예 기간, 최종 조치 나와봐야” 국내 소부장(소재·부품·장비) 업계에는 긴장감이 가득하다. 삼성전자, SK하이닉스의 중국 내 신규 투자가 사실상 막히게 되면 협력 장비업체 역시 영향을 받을 수 밖에 없다. 반도체 장비 업계 관계자는 “삼성전자와 SK하이닉스에 대한 이 같은 조치는 국내 소부장 업체에게 영향을 줄 수 밖에 없다”며 “VEU 유예 기간이 끝날 때까지 협상을 해야만 한다”고 말했다. 임영진 저스템 대표는 “삼성과 SK가 팹에 투자를 해야 장비 업체들의 매출도 올라가는데, 투자 자체를 하기 어려운 상황이 되다보니 업계 전반이 데미지를 입을 것으로 예상된다”고 설명했다. 중국 수출길도 막힐 공산이 크다. 현재 한미반도체, 주성엔지니어링 등 국내 업체들은 중국 기업을 고객사로 두고, 반도체 장비를 공급 중이다. VEU 명단 제외가 직접적인 영향을 주지는 않지만, 중국에 대한 미국의 압박이 거세진다는 점에서 간접적으로 수출 문턱이 높아질 수 있는 셈이다. 아울러 이 같은 상황은 중국 반도체 생태계의 국산화율까지 더 끌어올릴 수 있다는 분석이 나온다. 임 대표는 “중국 장비 업체들의 국산화율이 굉장히 많이 올라와 있다”며 “지금 한국에서 생산하는 장비의 수준은 중국에서 이미 내재화됐을 가능성이 높다”고 밝혔다. 다만 VEU 박탈까지 120일 동안의 유예기간이 있는 만큼 이 기간 내 동향을 좀 지켜봐야 한다는 의견도 제언된다. 메모리 업계 관계자는 “미국의 VEU 철회 결정이 이달 2일 관보에 게시된 후 실제 실행까지는 120일의 유예기간이 있는 만큼 이 기간 내 협상 여지를 좀 지켜봐야 하는 단계로 파악하고 있다"고 말했다.

2025.09.02 16:43전화평

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

삼성전자, 지난해 R&D 투자 증가율 71% '1위'

지난해 주요 반도체 기업들이 적극적인 연구개발(R&D) 투자를 집행한 것으로 나타났다. 특히 삼성전자의 투자 규모가 급격히 늘어나, 향후 실적에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대된다. 1일 반도체 전문분석기관 테크인사이츠에 따르면 지난해 R&D 투자 상위 20개 반도체 기업의 총 투자액은 986억8천만 달러(한화 약 128조원)로 전년 대비 17% 증가했다. 이는 전체 반도체 산업 R&D 지출의 약 96%를 차지한다. 상위 20개 기업의 매출 대비 R&D 지출은 평균 15.8%로 나타났다. 20개 기업 중 15개는 R&D 지출을 늘렸고, 5개 기업은 줄였다. 1위는 인텔로, 165억 5천만 달러의 R&D 투자를 기록했으나 증가율은 전년 대비 3.1% 늘어나는데 그쳤다. 2위인 엔비디아는 125억 달러, 증가율 47%를 기록했다. 3위인 삼성전자는 가장 큰 상승폭을 기록했다. 지난 2023년 R&D 투자액 7위(55억 달러)였던 삼성전자는 지난해 전년 대비 71.3% 증가한 95억 달러를 R&D에 투자함으로써 순위를 3위로 끌어올렸다. 삼성전자의 R&D 지출 상승은 향후 실적에도 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 예상된다. SK하이닉스는 R&D 투자액은 지난해 10위를 유지했으나, 투자 증가율은 32.7%를 기록했다. 매출 대비 R&D 투자 비율은 6.9%로 상위 20개 기업 중 가장 낮았다. 지난해 상위 10개 R&D 지출 기업 가운데 6개는 미국, 2개는 대만, 2개는 한국에 본사를 두고 있다. 상위10개 중 5개 기업은 팹리스 반도체 기업이며, 퀄컴, 엔비디아, AMD, 브로드컴, 미디어텍이다. 4개는 IDM(인텔, 삼성전자, 마이크론, NXP)이다. R&D 투자 상위 11~20위 기업 중 IDM은 9개, 팹리스는 1개다. 7위를 차지한 TSMC는 10억 달러 이상 R&D를 투자한 기업 중 유일한 순수 파운드리이다. TSMC는 2010년에 처음으로 R&D 상위 10위 기업에 진입(10위)했다. 2010년 9억4천300만 달러였던 R&D 지출은 13년만인 2023년 63억6천만 달러로 574% 증가했다. 연평균 성장률(CAGR)은 14.6%에 이른다. TSMC는 1999년 이후 R&D 투자를 지속적으로 늘려오고 있다.

2025.09.01 10:41장경윤

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤

SK하이닉스 미래 성장성, HBM4 가격협상·수익 방어에 달렸다

SK하이닉스가 올 2분기 역대 최대 실적을 기록한 가운데, 미래 AI 메모리 수요 대응을 위한 제품 개발·설비투자에 적극 나선다. 특히 내년에도 HBM(고대역폭메모리) 시장 우위를 지속하기 위한 준비에 주력한다는 계획이다. 관건은 수익성 방어다. 차세대 제품인 HBM4는 제조비용 상승, 후발주자와의 경쟁 심화 등으로 내년 견조한 공급량 및 가격 확보가 쉽지 않을 것으로 전망된다. 다만 SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 및 수익성 악화 등 대내외적인 우려에 대해 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"며 적극적인 대응을 시사했다. SK하이닉스는 지난 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 실적은 역대 최대 분기 실적에 해당한다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. SK하이닉스의 호실적은 당초 예상을 웃도는 D램·낸드 출하량 덕분이다. 또한 고부가 제품인 HBM3E 12단의 본격적인 판매 확대도 영향을 미쳤다. 하반기 역시 급격한 수요 감소 가능성은 낮을 것으로 내다봤다. 차세대 제품 개발·설비투자 확대로 미래 수요 대응 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조를 유지하나, 향후 시황 개선에 대비한 제품 개발을 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 또한 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로, HBM 매출을 전년 대비 약 2배로 성장시키겠다는 기존 계획을 유지했다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 올해 설비투자 규모는 당초 계획 대비 확대될 전망이다. 특히 올해 말까지 구축 예정인 M15X는 내년부터 SK하이닉스의 HBM 생산에 크게 기여할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 “내년 HBM 공급 가시성이 확보되면서 적기 대응을 위한 선제적 투자를 결정했다”며 “올해 투자 규모는 기존 계획 대비 증가하며, 대부분 HBM 장비 투자에 활용할 계획”이라고 밝혔다. 차세대 D램인 1c(6세대 10나노급) D램 전환투자도 올 하반기 시작된다. 본격적인 램프 업은 내년에 진행될 예정으로, 현재 구체적인 계획을 수립하는 중이다. 내년 HBM 사업 불확실성에도…'수익성 고수' 자신 다만 업계는 SK하이닉스의 내년 메모리 사업에 대한 불확실성을 우려해 왔다. 주요 고객사인 엔비디아와 HBM4 등 차세대 제품에 대한 공급 협의가 당초 예상보다 길어지고 있고, 삼성전자·마이크론 등 후발주자 진입에 따른 HBM 경쟁 과열이 예상된다는 시각에서다. 특히 SK하이닉스는 HBM4 사업에서 수익성 하락 압박을 받고 있다. HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수 증가, 코어 다이 면적 증가, 베이스 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. SK하이닉스가 이를 HBM4 판매 가격에 온전히 반영하지 못할 경우, 견조한 이익을 거두기 힘들다. 이를 위해선 HBM4의 Gb(기가바이트)당 판매 가격이 이전 세대 대비 20~30%가량 증가해야 한다는 것이 업계의 분석이다. SK하이닉스는 이에 대해 "내년 HBM 고객사와의 협의는 계획대로 진행되고 있고, 고객사 프로젝트 다앙성이 증가하며 제품 믹스와 가격 등을 긴밀히 협의하고 있다"며 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"고 강조했다. 내년 주요 경쟁사와의 경쟁에 대해서도 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 "HBM은 리딩 사업자가 일정한 협상력을 가질 수 있는 시장으로 변모했다고 판단한다"며 "SK하이닉스의 고객 지향적인 마인드와 이를 뒷받침하는 탄탄한 조직 팀워크 등 소프트한 경쟁력 요소들은 남들이 쉽게 카피할 수 없을 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 12:13장경윤

삼성전자 美 테일러 팹 내년 초 양산라인 투자

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 양산 준비를 가속화한다. 그간 지속적으로 늦춰졌던 인프라 시설 공사를 최근 재개한 데 이어, 내년 초 양산 설비를 처음 반입하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 테일러 파운드리 팹에 빠르면 내년 1~2월부터 2나노미터(nm) 공정용 양산설비를 도입하는 방안을 논의 중이다. 내년 초 양산라인 구축 준비…투자 계획 구체화 삼성전자 테일러 파운드리 팹은 지난 2021년 투자가 결정된 신규 공장이다. 당초 4나노 공정 양산을 목표로 했으나, 시장 상황 등을 고려해 2나노를 주력 공정으로 삼았다. 다만 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 완공과 양산라인 구축 시기를 여러 차례 미뤄왔다. 2나노 공정 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 진행할 경우 막대한 비용 손실이 우려되기 때문이다. 그러나 삼성전자는 올 2분기 테일러 팹의 클린룸 마감 공사를 재개했다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 클린룸이 구축된 뒤에야 각종 부대 설비 및 제조설비를 도입할 수 있다. 클린룸 구축 마감 시점은 올 연말이다. 삼성전자는 곧바로 내년 1~2월부터 양산라인을 구축하기 위해 유틸리티 등 설비를 도입하는 방안을 구상하고 있다. 현재 내부적으로 테일러 파운드리 팹용 장비 선정을 마무리하고, 조만간 협력사에 세부적인 투자 및 발주 계획을 구체화할 것으로 알려졌다. 일부 협력사의 경우 이미 내년 초 미국 내 장비 반입을 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 초도 양산라인 구축인 만큼 당장의 투자 규모는 크지 않은 것으로 추산된다. 다만 삼성전자의 차세대 파운드리 양산 준비가 본격화된다는 점에서, 업계의 기대감이 커지고 있다. 2나노 고객사 적기 확보가 중요…"현지 생산, 美 빅테크에 매력적" 향후 공장 가동의 관건은 대형 고객사 확보다. 삼성전자 2나노 공정(SF2)은 이르면 올 하반기 양산이 시작되는 초미세 파운드리 공정이다. 현존 가장 고도화된 3나노(SF3) 공정 대비 성능은 12%, 전력효율성은 25% 뛰어나면서도 면적은 5% 줄일 수 있다는 게 회사 측 설명이다. 그동안 삼성전자는 국내·일본 AI 반도체 팹리스를 2나노 공정 고객사로 확보했다. 그러나 주요 경쟁사인 TSMC와 달리 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하지는 못했다. 이에 삼성전자는 최근 잠재 고객사들과 2나노 공정 양산에 대한 협의를 적극 진행하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "테일러 파운드리 팹은 미국 내 첨단 반도체 생산을 원하는 고객사들에게 매력적인 선택지가 될 것"이라며 "공사 재개가 진행됐고, 그간 불확실했던 양산 라인 구축에 대한 논의도 구체화되면서 모처럼 활기가 도는 분위기"라고 말했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자와 협력사들이 미국 내 부품·장비 반입을 위한 인증 절차를 밟기 시작한 것으로 안다"며 "다만 실제 고객사 확보 성과에 따라 투자 계획에 변동성이 생길 수는 있다"고 설명했다.

2025.06.23 14:13장경윤

"美, 삼성·SK 中 반도체 공장에 미국산 장비 반입 제한 압박"

미국 도널드 트럼프 정부가 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업들의 중국 내 공장에 미국산 장비가 도입되는 것을 제한하는 방안을 추진 중이라고 월스트리트저널(WSJ)이 20일 보도했다. WSJ는 익명의 소식통을 인용해 "제프리 케슬러 미국 상무부 수출 통제 부문 책임자가 이번 주 삼성전자, SK하이닉스, 대만 TSMC에 이 같은 내용을 고지했다"며 "기업들에게는 미국 핵심 기술이 중국으로 넘어가는 것을 막기 위한 조치라고 설명했다"고 밝혔다. 앞서 미국은 바이든 정부 시절인 지난 2022년 10월 미국 반도체 장비 기업들이 중국 반도체 제조공장에 제품을 수출할 때 사전 허가를 받도록 했다. 사실상 중국향 수출을 금지하는 조치로 해석된다. 규제 대상은 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드, 14나노 이하 로직 반도체 등이다. 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 그동안 국내 기업들은 미국 정부로부터 수출 규제에 대한 유예 조치를 받아 왔다. 그러나 이번 미국의 규제 방향이 변경될 경우, 국내 및 대만 반도체 기업들은 중국 내 설비투자를 진행할 때마다 미국 정부에 개별 허가를 받아야 될 것으로 전망된다. 다만 이 같은 미국 정부의 방침이 아직 확정된 것은 아니다. WSJ는 "케슬러가 주도하는 상무부 산업안보국의 이 같은 입장은 미 정부 내 다른 부처의 동의를 얻지는 못한 상태"라며 "케슬러와 같은 강경파들이 친기업 성향 관계자들과 갈등을 빚고 있다"고 설명했다.

2025.06.21 23:10장경윤

삼성전자, 차세대 'V10 낸드' 양산 투자 고심…내년 상반기로 늦출 듯

삼성전자가 차세대 낸드인 V10(10세대) 양산 전략을 두고 고심하고 있다. 올 하반기까지 공급망 구성을 위한 평가가 진행될 예정으로, 당초 예상보다 늦은 내년 상반기에나 본격적인 양산 투자가 가능할 전망이다. 고적층 낸드 수요의 불확실성, 신기술 도입 및 비용에 대한 부담감이 발목을 잡는 것으로 풀이된다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 V10 낸드용 양산 설비투자를 내년 상반기로 미루는 방안을 논의 중이다. 삼성전자의 V10 낸드는 셀(Cell; 데이터를 저장하는 최소 단위)을 430단대로 쌓은 차세대 제품이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 V9(290단대 추정) 대비 100단 이상 높다. 업계는 삼성전자가 이르면 올 하반기 V10 낸드에 대한 양산 투자를 진행할 것으로 전망해 왔다. 다만 삼성전자는 이달까지 식각 등 낸드용 핵심 장비에 대한 공급망을 확정짓지 못했다. 고적층 낸드에 대한 수요 불확실하고, 신규 공정 도입에 따른 비용 효율성 문제가 투자의 발목을 잡고 있어서다. 식각이란 웨이퍼 상에서 불필요한 물질을 제거하는 공정이다. 기존에는 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫기 위해 -20~-30°C 수준의 저온 환경이 필요했으나, V10 낸드에 들어서는 -60~-70°C 수준의 극저온 환경이 구축될 것으로 예상돼 왔다. 온도가 낮을수록 화학적 반응성이 낮아져, 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 이를 위해 삼성전자는 주요 전공정 장비업체인 미국 램리서치·일본 TEL(도쿄일렉트론) 등으로부터 극저온 식각 장비를 도입해, 시생산 등 품질 평가를 진행해 왔다. 그러나 실제 평가 결과 극저온 식각을 곧바로 양산 적용하기에는 어렵다는 결론이 지배적인 것으로 알려졌다. 이에 삼성전자는 램리서치, TEL와 식각 온도를 일부 높여 다시 장비 평가를 진행하는 방안을 추진하고 있다. 식각 및 관련 장비에 대한 추가 평가는 올 하반기경 진행될 예정이다. 평가 일정을 고려하면, 공급망 확정 및 실제 양산 투자가 진행되는 시기는 빨라야 내년 1분기가 될 것으로 전망된다. 신규 장비 도입에 따른 투자 비용 역시 삼성전자가 V10 낸드 양산 투자를 늦추는 주요 요인으로 지목된다. 삼성전자는 기존 낸드용 식각 공정에 대부분 램리서치 장비를 활용해 왔다. TEL을 공급망에 편입하면 장비 이원화를 추진할 수 있으나, 기존 램리서치의 장비 활용도가 감소하고 양사 장비 간의 호환성을 높여야 한다는 문제점이 발생한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 V10, V11 등 차세대 낸드의 양산 수율 확보, 투자 비용, 시장 상황 등 다방면에서 고심을 겪고 있는 것으로 안다"며 "공급망이 확정되는 시점을 고려하면 빨라야 내년 중반에 양산이 시작될 것으로 보인다"고 말했다.

2025.06.13 14:43장경윤

마이크론, 美 D램·HBM 공급망에 271조 '통큰 투자'…메모리 경쟁 격화

미국 마이크론이 현지 최첨단 메모리 생산 능력과 기술력 강화에 총 271조원을 투자한다. 회사의 전체 D램의 40%를 미국 내에서 생산하는 것이 목표로, AI 산업에 필수적인 HBM(고대역폭메모리) 생산 능력도 확충할 계획이다. 마이크론은 도날드 트럼프 행정부와 함께 미국 내 메모리 제조에 약 1천500억 달러, 연구개발(R&D)에 500억 달러를 투자하겠다고 12일(현지시간) 밝혔다. 총 투자 규모는 2천억 달러(한화 271조원)에 달한다. 이번 발표로 마이크론은 기존 계획 대비 투자 규모를 300억 달러 확대하게 됐다. 추가 투자 방안으로는 아이다호주 보이시에 두 번째 첨단 메모리반도체 공장 건설, 버지니아주 매너서스의 기존 제조 시설 확장 및 현대화, 미국 내 HBM 패키징 제조라인 도입 등이 포함됐다. 이로써 마이크론은 아이다호주에 2개의 최첨단 대량 양산 공장, 뉴욕주에 최대 4개의 최첨단 대량 양산 공장, 버지니아주 제조 시설의 확장 및 현대화, 고급 HBM 패키징 라인 및 연구개발 시설 등 총 2천억 달러에 이르는 미국 내 대규모 투자 로드맵을 완성했다. 마이크론은 "이러한 투자는 시장 수요 대응 및 시장 점유율 유지, D램의 40%를 미국 내에서 생산하겠다는 목표를 달성하기 위한 설계"라며 "특히 2개의 아이다호주 제조 공장은 R&D 시설과 인접해 규모의 경제를 실현하고, HBM을 포함한 첨단 제품의 시장 출시 기간을 단축하는 데 일조한다"고 강조했다. 마이크론의 아이다호주 첫 번째 공장은 오는 2027년부터 D램 양산을 시작할 예정이다. 두 번째 공장 역시 연말께 부지 조성을 시작하는 뉴욕주의 첫 번째 공장보다 먼저 가동될 것으로 예상된다. 아이다호주의 두 공장이 완공되면, 마이크론은 미국에 첨단 HBM 패키징 설비를 도입할 계획이다. 또한 마이크론은 칩스법에 따라 버지니아주 설비투자에 2억7천500만 달러의 자금을 지원받기로 확정했다. 해당 투자는 올해 시작된다. 미국 내 전체 투자에 대한 지원금으로는 64억 달러를 받을 예정이다. 마이크론의 투자 발표에 마이크로소프트, 엔비디아, 애플, 델테크놀로지스, 아마존웹서비스(AWS), AMD, 퀄컴 등 미국 빅테크 기업들은 일제히 환영의 뜻을 밝혔다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 "마이크론과 트럼프 행정부의 미국 내 첨단 메모리 및 HBM 투자는 AI 생태계를 위한 중대한 진전"이라며 "마이크론의 고성능 메모리 산업 리더십은 엔비디아가 주도하는 차세대 AI 혁신을 가능케 하는 데 있어 매우 귀중하다"고 말했다.

2025.06.13 10:11장경윤

美 상무장관 "칩스법 보조금 너무 관대해"…삼성·SK 피해 우려

하워드 러트닉 미국 상무장관이 자국 내 투자를 계획한 반도체 기업에게 제공하기로 한 보조금 일부를 재협상하고 있다고 로이터통신이 5일 보도했다. 이에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 기업의 보조금 축소가 우려된다. 러트닉 장관은 최근 열린 청문회에서 "바이든 행정부 당시 책정한 보조금 중 일부가 너무 관대한 것 같았고, 우리는 이를 재협상할 수 있었다"며 "목적은 미국 납세자에게 혜택을 주는 것"이라고 말했다. 앞서 바이든 행정부는 지난 2022년 반도체지원법(칩스법)에 서명한 바 있다. 미국 내 반도체 공급망 강화를 위한 투자에 390억달러, 연구개발(R&D) 지원에 132억달러 등 5년간 총 527억달러를 지원하는 것이 주 골자다. 칩스법에 따라 삼성전자는 지난해 말 미국 정부로부터 47억4천500만 달러의 보조금 지급을 확정 받았다. SK하이닉스 역시 미국내 반도체 패키징 공장 설립과 관련 4억5천800만 달러의 보조금과 대출 지원 5억 달러, 투자 금액의 최대 25%의 세제혜택을 받기로 했다. 그러나 도널드 트럼프 2기 행정부가 들어서면서 해당 법안에 대한 기류는 크게 바뀌었다. 트럼프 대통령은 취임 초기부터 "칩스법은 끔찍하다. 아무런 의미가 없다"는 등 거센 비판을 이어갔다. 러트닉 장관도 대만 주요 파운드리 TSMC의 사례를 거론하며 반도체 기업들이 미국에 대한 투자 규모를 확대해야 한다는 뜻을 내비쳤다. TSMC는 당초 미국 반도체 제조설비에 650억 달러를 투자하기로 계획하고, 66억 달러 규모의 보조금 지급을 약속 받았다. 그러나 지난 3월 미국에 대한 투자 규모를 1천억 달러로 확대하겠다고 발표했다.

2025.06.05 10:03장경윤

삼성전자, 화성 H1 사업장 '패키징' 라인으로 전환 추진

삼성전자가 화성 사업장 내 구형 메모리 라인을 정리하고, 패키징 라인으로 전환한다. 이를 위한 설비 이관을 이르면 올 하반기부터 진행할 계획인 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자는 화성 H1 사업장 내 구형 메모리 제조라인을 패키징 주력 라인으로 변경하는 방안을 추진 중이다. H1은 삼성전자의 12라인, 13라인 등이 위치한 곳이다. 12라인은 낸드를, 13라인은 D램을 생산해 왔다. 두 제품 모두 국내 메모리 시장에서 출하량이 줄어들고 있는 구형 제품을 담당하고 있다. 13라인의 경우 CIS(이미지센서)로의 전환을 준비하기도 했으나, CIS 업황 부진으로 계획이 지속 지연된 바 있다. 삼성전자는 활용도가 저조해진 H1 사업장을 패키징 라인으로 활용할 계획이다. 이르면 올 하반기부터 내후년까지 구형 메모리 설비를 빼내고, 빈 공간을 패키징 설비로 채우는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 서버용 D램 등에 쓰이는 TSV(실리콘관통전극) 설비도 소량 입고될 예정이다. 삼성전자는 투자비용 효율화 및 첨단 D램 수요에 대비해 이 같은 전략을 구상한 것으로 관측된다. H1 사업장은 인근에 위치한 타 라인 대비 제조 환경이 오래됐다. 때문에 해당 사업장에 전공정 투자를 진행한다 하더라도, 최신 세대의 메모리로 라인을 전환하기가 매우 어렵다. 일례로 H1 사업장보다 앞선 세대의 D램을 양산해 온 15·16 라인은 이미 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되고 있다. 반면 후공정은 비교적 기술적 난이도가 낮아 라인 전환을 진행하기에 용이하다. 또한 인근 라인에 소량 투입된 패키징 설비를 한 데 모아, 관리 및 투자의 효율성을 높일 수 있다는 장점도 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 구형 메모리 사업 정리와 패키징 생산능력 확대를 동시에 이뤄내기 위해 H1 사업장에 관련 설비를 들이려는 것으로 안다"며 "인근 라인 도 패키징 설비를 빼내면서 첨단 D램의 전환 투자를 늘릴 수 있는 여유 공간을 확보하게 됐다"고 설명했다.

2025.05.28 14:16장경윤

삼성전자, 평택 이어 화성서도 '1c D램' 투자 준비…HBM4 양산 채비

삼성전자가 평택에 이어 화성 팹에도 1c D램(6세대 10나노급 D램)의 양산 라인 구축 계획을 세운 것으로 파악됐다. 이르면 올 연말께 투자가 진행될 예정으로, 수율 향상에 대한 내부 자신감이 반영된 행보로 풀이된다. 1c D램은 삼성전자 'HBM4(6세대 고대역폭메모리)'에 적용될 핵심 제품이기도 하다. 그간 삼성전자가 최신형 HBM 상용화에서 난항을 겪어 온 만큼 적극적인 양산 의지를 보이고 있다는 평가가 나온다. 22일 업계에 따르면 삼성전자는 올 하반기 화성·평택 지역에서 1c D램 생산능력을 추가하기 위한 투자에 나설 계획이다. 앞서 삼성전자는 올해 초부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램 양산 라인을 처음으로 구축하기 시작했다. 당시 투자 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 수준이다. 삼성전자는 우선 1c D램의 초도 양산을 준비하고, 향후 제품의 개발 진척도에 따라 투자를 확대하겠다는 전략을 추진해 왔다. 이후 삼성전자는 올 하반기 P4에 1c D램 생산능력을 확대하기 위한 추가 투자를 논의하고 있다. 규모는 최소 월 4만장에 이를 것으로 관측된다. 나아가 화성 17라인에서도 이르면 올 연말께 1c D램에 대한 전환 투자가 이뤄질 예정이다. 현재 내부 계획을 수립하고 협력사들과 구체적인 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다. 삼성전자 화성 17라인은 1z(10나노급 3세대) D램 등을 주력으로 제조해 온 라인이다. 해당 D램은 레거시 공정에 속해, 생산 비중이 빠르게 줄어들고 있다. 삼성전자는 이미 인근에 위치한 화성 15·16 라인에서도 1b D램 전환 투자를 진행한 바 있다. 삼성전자가 화성·평택 팹 전반에서 1c D램 투자 계획을 구체화한 배경에는 수율 향상에 대한 자신감이 반영된 것으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 내부에서 1c D램의 수율 개선 현황을 긍정적으로 인식하고 있다. 오는 3분기에는 재설계 제품에 대한 PRA(내부 양산 준비 승인)을 받는 것이 목표"라며 "PRA 이후에도 실제 양산을 위해 해결해야 할 과제들은 여전히 많지만, 설비투자 계획은 견조하게 진행 중"이라고 설명했다. 1c D램은 삼성전자가 이르면 올 연말 양산할 예정인 가장 최신 세대의 D램이다. 해당 D램이 삼성전자에게 있어 중요한 이유는 HBM 주도권 때문이다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM4에 1b D램을 채택한 것과 달리, 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하기로 했다. 이를 통해 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 코어 다이(Core Die)의 성능을 대폭 끌어올릴 가능성이 높다. 반면 높은 기술적 난이도로 제품의 수율이 저하된다는 한계점도 동시에 지닌다. 판세를 바꿀 수 있는 과감한 도전이기 때문에 삼성전자는 1c D램의 칩 사이즈를 초안 대비 키우는 방식으로 안정성을 보완하고 있다.

2025.05.22 14:00장경윤

中 BOE, OLED 이어 반도체도 손 뻗는다…제조공장 설립 추진

중국 최대 디스플레이 업체 BOE가 OLED에 이어 '반도체' 사업 진출을 타진하고 있어 관심이 쏠린다. 최근 협력사들을 대상으로 시스템반도체 팹(공장) 설립을 위한 설비 도입을 문의한 것으로 파악됐다. 그간 반도체 산업에 대한 간접적 투자는 있었으나, BOE가 직접 반도체 팹을 지으려는 시도는 처음으로 알려졌다. 당장은 레거시(성숙) 공정에 국한될 것으로 보이나, BOE가 중국 정부로부터 막대한 지원을 받고 있는 만큼 국내를 비롯한 반도체 공급망에 적잖은 여파를 미칠 수 있다는 관측도 제기된다. 16일 업계에 따르면 BOE는 시스템반도체를 직접 양산하기 위한 설비투자 계획을 논의하고 있다. BOE는 중국 최대 디스플레이 제조업체다. LCD 시장에서 전 세계 점유율 1위를 기록하고 있으며, OLED 분야 역시 삼성디스플레이·LG디스플레이 등 국내 주요 기업들과의 점유율 격차를 빠르게 좁혀나가고 있다. 화웨이 등 현지 대형 세트업체들을 등에 업은 효과다. 나아가 BOE는 28~65나노미터(nm) 급의 시스템반도체 공장을 설립할 계획이다. 이를 위해 올해 상반기 복수의 장비업체와 물밑 접촉을 진행한 것으로 파악됐다. 아직은 초기 단계의 논의지만, 협력사에 관련 설비 도입을 적극적으로 문의하고 있는 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 한 관계자는 "BOE가 베이징 정부, 현지 소규모 레거시 반도체 기업들과 협업해 12인치 반도체 팹 신설 프로젝트를 진행하고 있다"며 "디스플레이용 칩만이 아닌 다양한 제품을 생산하는 것이 목적으로, 현재 공급망을 구축 중"이라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "중국이 AI·자율주행 등 첨단 산업을 적극적으로 키우는 상황에서 BOE도 시스템반도체 공급망 자립화에 동참하기 위한 투자를 준비 중"이라며 "초기 투자는 레거시 분야로 진행하지만, 그 이상의 공정도 목표로 하고 있는 것으로 안다"고 말했다. BOE가 실제로 시스템반도체 팹을 신설하는 경우, 중장기적으로 세계 반도체 공급망에 적잖은 변화가 일어날 것으로 예상된다. BOE의 최대 주주는 베이징시 소유의 기금인 만큼 현지 정부로부터 설비투자 및 R&D(연구개발)과 관련한 막대한 지원을 받을 수 있기 때문이다. 일례로 BOE가 청두시에 설립 중인 8.6세대 OLED 제조라인 투자금만 해도 삼성디스플레이(4조1천억원)의 3배 수준인 630억 위안(약 12조원)에 달한다. 이 중 청두시 투자플랫폼이 BOE에 투자한 금액은 180억 위안(약 3조4천억원)이다. BOE가 투입한 자기자본은 200억 위안에 불과하다. BOE가 과거 반도체 공급망에 투자한 사례도 이미 존재한다. 이 회사는 지난해 말 중국 국유기업인 베이징전자(BEC)의 자회사 베이징전자IC제조가 진행하는 12인치 웨이퍼 팹 프로젝트에 직접 투자했다. 투자 규모는 약 20억 위안으로, 프로젝트 전체 지분의 10%에 해당한다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 지난해 발표한 자료에 따르면, 중국의 12인치 반도체 생산능력 점유율은 지난 2021년 19%에서 2026년 29%로 증가할 것으로 예상된다. 시스템반도체와 연계된 파운드리 산업의 경우 점유율이 2021년 23%에서 2026년 42%로 성장세가 더 가파를 전망이다.

2025.05.16 15:39장경윤

빅테크, AI 인프라에 공격적 투자…삼성·SK도 서버용 메모리 집중

글로벌 빅테크들이 최근 실적발표를 통해 공격적인 AI 인프라 투자 계획을 밝혔다. 최근 대외적 불확실성이 높아진 상황에서도 AI 서버에 대한 수요가 여전히 높다는 판단에서다. 국내 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업들도 올해 서버용 메모리 사업 확대에 나설 것으로 관측된다. 4일 업계에 따르면 글로벌 주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들은 올해 AI 인프라 투자 규모를 확대하기로 했다. 메타는 지난 1일 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 자본 지출액 전망치를 기존 600억~650억 달러에서 640억~720억 달러로 상향했다. 데이터센터 및 AI 인프라 관련 파드웨어의 예상되는 비용 증가를 반영했다. 전년 투자규모(392억) 대비 크게 늘어난 수치다. 경쟁사들 역시 올해 AI 인프라 투자 비용을 당초 계획대로 전년 대비 크게 늘리기로 했다. 최근 도날드 트럼프 미국 행정부의 관세 정책에 따른 시장 위축 우려에도, 여전히 AI 데이터센터 수요가 공급을 웃돌고 있다는 판단이 작용한 것으로 풀이된다. 같은 날 실적을 발표한 아마존은 올해 1천억 달러를 투자한다. 전년 대비 20%가량 증가한 규모다. 회사는 컨퍼런스콜에서 "투자의 대부분은 AWS(아마존웹서비스) 성장을 지원하기 위한 인프라에 쓰일 것으로 예상한다"고 밝혔다. 마이크로소프트도 올해 AI 데이터센터에 전년 대비 약 44% 증가한 800억 달러를 투자하겠다는 기존 계획을 견지했다. 구글(알파벳)도 전년 대비 43% 증가한 750억 달러를 AI 인프라에 쏟는다. 이에 따라 국내 주요 반도체 기업들도 AI 서버용 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. 현재 이들 기업은 최선단 공정 기반의 DDR5와 HBM(고대역폭메모리), 서버용 eSSD 비중을 크게 늘려나가고 있다. 삼성전자는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올 하반기 신규 GPU 출시와 맞물려 AI 서버향 수요 견조세가 지속될 전망"이라며 "순연됐던 데이터센터 프로젝트들이 재개되면서 서버용 SSD 수요도 반등을 기대한다"고 밝혔다. 구체적으로, 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 12단 개선품과 128GB(기가바이트) 이상의 고용량 DDR5 판매를 늘릴 예정이다. 낸드에서는 가장 진보된 PCIe Gen5 SSD 수요에 대응하기로 했다. SK하이닉스도 고용량 서버 시장의 중장기적 성장 가능성을 높게 평가하고 있다. 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델 역시 메모리 수요를 견인할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 "올해 생성형 AI 서비스에 대한 요구가 증대되면서 추가적인 메모리 및 인프라가 필요해지고 있다"며 "D램 및 HBM 뿐만 아니라 고성능 TLC(트리플레벨셀) eSSD 수요가 증가할 것으로 기대되고, 고용량 QLC(쿼드레벨셀) eSDD 시장에서도 유의미한 변화가 예상된다"고 강조했다.

2025.05.04 10:30장경윤

TSMC, AI칩 수요 견조 재확인…삼성·SK, HBM 사업 성장세 '쾌청'

대만 파운드리 업체 TSMC가 최근 높아진 거시경제 불확실성 속에서도 당초 계획한 첨단 패키징 투자를 유지했다. AI 반도체 수요가 중장기적으로 견조할 것이라는 전망에 따른 전략이다. 주요 메모리 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 공급 과잉 우려를 덜었다는 평가와 전망이 제기된다. 21일 업계에 따르면 글로벌 빅테크의 지속적인 AI 가속기 투자에 따라 올해 삼성전자, SK하이닉스 등의 HBM 수요도 견조할 것으로 관측된다. AI 가속기 수요 굳건…TSMC, 2.5D 패키징 생산능력 2배 확대 앞서 TSMC는 지난 17일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 설비투자(CapEx) 규모를 380억~420억 달러를 제시했다. 최근 중국 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델의 등장, 미국의 관세 압박 등으로 AI 인프라 투자에 대한 불확실성이 높아졌으나, 지난해 발표한 계획을 그대로 유지했다. TSMC는 "이전보다는 상황이 개선됐으나, AI 수요가 여전히 공급을 초과하는 상황으로 많은 설비능력 확장이 필요하다"며 "관제 및 지정학적 이슈에 대해 고객사의 행동 변화가 관찰되지 않아 기존 수요를 유지한다"고 설명했다. TSMC가 전망하는 2024~2029년 AI 가속기 관련 매출의 연평균 성장률은 45%에 달한다. 올해 매출액도 전년 대비 2배 성장할 전망이다. 이에 TSMC는 'CoWoS' 생산능력을 2배(월 7만장)로 확장할 계획이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징으로, 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 반도체 성능을 높이는 기술이다. 특히 고성능 시스템반도체와 HBM 등을 함께 집적하는 AI 가속기의 필수 요소로 각광받고 있다. HBM 수요 불확실성 걷어…삼성·SK·마이크론 등 대응 분주 최첨단 패키징 투자 확대는 HBM을 공급하는 메모리 업계에도 수혜로 작용한다. 특히 SK하이닉스는 AI 산업을 주도하는 엔비디아는 물론, 구글·AWS(아마존웹서비스) 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들의 ASIC(주문형반도체)에 최신형 HBM을 공급하고 있다. 일례로 엔비디아는 올 1분기 '블랙웰' 시리즈의 최신 칩인 'GB200'를 출시했다. 구글의 경우 올해 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'를 올 하반기 출시할 예정이다. 두 제품 모두 HBM3E(5세대 HBM)이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 올해 하반기 HBM4를 탑재한 '루빈' 칩을 출시한다. SK하이닉스도 이에 맞춰 올 상반기 고부가 HBM 생산 비중을 확대하고 있다. 올 상반기 전체 HBM3E의 출하량에서 12단 제품의 비중을 절반 이상으로 확대하는 것이 목표다. 실제로 SK하이닉스 내부에서는 최선단 제품의 생산능력을 확대하기 위한 준비에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "SK하이닉스의 HBM 입지는 올해에도 유지될 것으로 예상되며, 생산 능력도 글로벌 최대 규모 수준일 것"이라며 "올 하반기는 HBM3E 12단이 주력 제품이 될 것으로 기대된다"고 밝혔다. 한편 삼성전자·마이크론도 HBM 사업 확대에 매진하고 있다. 삼성전자는 HBM3E 개선품을 개발해 엔비디아와 재공급을 위한 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 올 2분기 중 결과가 나올 전망이다. 마이크론 역시 HBM3E 12단까지 개발을 완료해, 엔비디아향 공급을 추진 중이다.

2025.04.21 13:41장경윤

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