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[AI는 지금] 5000억 달러 '스타게이트' 제동…오픈AI 전략 차질에 반도체도 영향 받나

오픈AI와 소프트뱅크, 오라클이 추진해온 미국 초대형 인공지능(AI) 데이터센터 프로젝트 '스타게이트'가 1년 넘게 본격 가동되지 못한 것으로 알려졌다. 5000억 달러(약 720조원) 규모로 발표되며 글로벌 AI 인프라 경쟁의 상징으로 주목받았지만, 파트너십 구조를 둘러싼 이견과 자금 조달 문제 등이 겹치며 사실상 전략 수정 국면에 들어갔다는 평가가 나온다. 미국 IT 전문매체 디인포메이션은 23일(현지시간) 복수 소식통을 인용해 오픈AI·소프트뱅크·오라클이 프로젝트 발표 직후부터 역할 분담과 지배구조를 두고 의견 차이를 보여왔고, 이로 인해 사업이 실질적 진전을 이루지 못하고 있다고 보도했다. 스타게이트는 초기 1000억 달러를 투입해 10GW(기가와트) 규모의 AI 전용 컴퓨팅 인프라를 구축하는 것을 1단계 목표로 제시했다. 그러나 현재까지 핵심 인력 충원은 물론 오픈AI 주도의 데이터센터 개발도 착수 단계에 이르지 못한 것으로 전해졌다. 업계에선 초대형 인프라 사업 특성상 자산 소유권과 운영 통제권, 수익 배분 구조가 명확히 정리되지 않으면 금융 조달과 건설 일정이 동시에 지연될 수밖에 없다고 보고 있다. 특히 데이터센터 자산을 누가 보유할 것인지, 기술 통제권을 어디까지 인정할 것인지를 두고 3사 간 견해차가 컸던 것으로 알려졌다. 오픈AI는 한때 직접 데이터센터 구축을 추진했지만, 금융권이 상환 능력에 의문을 제기하면서 자금 조달이 보류된 것으로 전해졌다. AI 인프라는 선투자 규모가 막대하고 회수 기간이 긴데, 그래픽처리장치(GPU) 등 고가 연산 장비의 감가상각 부담과 기술 진화 속도까지 고려하면 금융기관 입장에서는 위험도가 높은 사업으로 분류된다. 결국 오픈AI는 3자 공동 추진 대신 소프트뱅크·오라클과 각각 개별 계약을 맺는 방식으로 방향을 틀었다. 오라클과는 미국 내 여러 지역에서 4.5GW 규모 데이터센터를 개발하고, 텍사스 밀럼 카운티 1GW 프로젝트는 소프트뱅크와 협력하는 구조다. 데이터센터 자산은 파트너가 보유하고, 오픈AI는 설계와 지식재산권(IP) 통제에 집중한다는 방침이다. 프로젝트 지연은 재무 부담으로도 이어졌다. 2030년까지의 컴퓨팅 비용 전망치는 기존 4500억 달러에서 6650억 달러로 상향 조정된 것으로 전해졌다. 한때 1조4000억 달러에 달했던 투자 계획도 최근에는 6000억 달러 수준으로 축소된 것으로 알려졌다. 공격적 확장에서 재무 안정성 중심 전략으로 기조가 이동하고 있는 것이다. 스타게이트 난항은 반도체 업계에도 영향을 미칠 수 있을 것으로 보인다. 초대형 AI 데이터센터 프로젝트는 대규모 GPU 발주와 이에 연동된 고대역폭메모리(HBM) 수요를 수반하기 때문이다. 프로젝트가 지연될 경우 관련 장비와 부품의 발주 일정 역시 조정될 가능성이 있다. 다만 업계에선 이를 AI 수요 위축으로 단정하기는 이르다는 분위기다. 스타게이트와 같은 초대형 단일 프로젝트가 지연될 경우 GPU 및 HBM 수요의 '총량'이 줄어들기보다는 대규모 발주의 집행 시점이 뒤로 밀리면서 시장 체감 성장 속도가 완만해질 가능성이 크다고 봤다. AI 인프라 투자가 중장기적으로 이어지는 흐름은 유지되더라도 데이터센터 건설 일정이 늦춰지면 반도체 업계의 실적 반영 시점 역시 후행할 수 있다는 의미다. 업계 관계자는 "스타게이트 사례는 AI 산업이 기술 경쟁을 넘어 자본 조달과 거버넌스 안정성이라는 현실적 과제에 직면했음을 보여주는 것"이라며 "인프라 확장의 방향성은 유지되지만, 속도와 방식은 조정되는 국면에 접어든 것으로 보인다"고 평가했다.

2026.02.24 10:41장유미 기자

삼성전자, 6세대 SSD 양산준비 본격화…상반기 테스터 도입

삼성전자가 6세대(Gen6) SSD 상용화를 위한 본격적인 준비에 나선다. 올 상반기부터 전용 테스트 장비를 도입할 것으로 파악됐다. AI 인프라에서 고성능 스토리지의 역할이 점차 중요해지고 있는 만큼, 시장을 빠르게 선점하기 위한 전략으로 풀이된다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 올 상반기 Gen6 SSD용 테스터를 도입할 계획이다. SSD는 낸드플래시 기반의 데이터 저장장치다. 현재 Gen5까지 상용화가 이뤄졌다. Gen5란, SSD와 컴퓨터 메인보드·프로세서(CPU·GPU 등)을 연결하기 위한 인터페이스 표준인 PCIe(PCI 익스프레스) 5.0 세대가 적용됐음을 뜻한다. Gen6의 기반이 되는 PCIe 6.0는 지난 2022년 표준이 제정된 바 있다. 삼성전자는 올 상반기부터 Gen6 SSD 전용 테스트 장비를 도입할 예정이다. 초기 발주 규모는 소량으로, 연구개발(R&D) 및 초도 생산에 대응할 것으로 관측된다. 본격적인 양산용 발주는 올 하반기에 진행될 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "Gen6 SSD 양산을 위해서는 전송 속도를 검사하는 테스터 장비가 선제적으로 도입돼야 한다"며 "현재 AI 산업 주도로 고성능 SSD 수요가 높아지는 만큼, 삼성전자가 상용화를 적극 준비하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 실제로 삼성전자는 올해 회사의 첫 Gen6 SSD인 'PM1763' 출시를 목표로 하고 있다. 앞서 삼성전자는 지난해 8월 미국 캘리포니아주에서 열린 FMS(퓨처 메모리 앤 스토리지) 행사에서 해당 제품을 첫 선보인 바 있다. PCIe 6.0의 데이터 전송 통로 당 속도는 최대 8GB/s로, 이전 세대 대비 2배 향상됐다. 총 16개 레인 활용 시에는 초당 최대 128GB/s를 전송할 수 있어, 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 데이터센터에서 수요가 강력할 것으로 기대된다. 주요 경쟁사인 마이크론도 지난 13일(현지시간) 업계 최초로 Gen6 SSD(모델명 마이크론 9650) 양산을 발표하는 등 시장 선점에 나서고 있다. 마이크론은 "마이크론 9650이 양산에 들어가 주요 OEM 및 AI 데이터센터 고객사로부터 인증을 받았다"며 "고성능 스토리지는 더 이상 선택이 아닌 필수 요소가 됐고, 데이터 전송과 관련된 아키텍쳐 설계가 AI 워크로드에 있어 매우 중요해지는 전환점을 맞았다"고 강조했다.

2026.02.23 11:02장경윤 기자

LPDDR6' 시대 성큼…AI·HPC 수요 확대 기대감↑

차세대 저전력 D램(LPDDR)인 'LPDDR6'가 당초 업계 예상보다 빠르게 시장에 안착될 것으로 전망된다. 서버 및 엣지 AI 분야에서 고성능·고효율 D램에 대한 필요성이 급격히 높아졌기 때문이다. 실제로 여러 최첨단 반도체 설계 기업이 현재 LPDDR5X와 LPDDR6 IP(설계자산)를 병행 채택하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다. 삼성전자와 퀄컴 등 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 설계 기업들도 차세대 제품부터 LPDDR6를 지원할 계획이다. 20일 업계에 따르면 고성능 반도체 설계 기업들은 자사 칩에 선제적인 LPDDR6 IP 탑재를 검토하고 있다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램 표준이다. 현재 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 차세대 제품인 LPDDR6는 지난해 7월 표준이 제정됐다. LPDDR6의 경우 대역폭이 10.6Gbps에서 14.4Gbps까지 구현 가능하다. 이전 세대인 LPDDR5X가 8.5Gbps에서 최대 10.7Gbps까지 지원한다는 점을 고려하면, 성능이 약 1.5배 가량 향상되는 셈이다. LPDDR6가 본격적으로 상용화되는 시점은 빨라야 올해 하반기로 예상된다. 기본적인 표준은 제정됐으나, LPDDR6와 관련한 물리계층(PHY)·컨트롤러·인터페이스 IP(설계자산) 등 제반 사항이 아직 제대로 갖춰지지 않았기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 LPDDR6는 12.8Gbps 정도까지 실제적으로 구현이 가능하고, 내년이 되면 14.4Gbps까지 성능을 끌어올릴 수 있을 것"이라며 "이를 위해 국내외 주요 기업들이 IP 개발에 매진하고 있다"고 설명했다. 그럼에도 상당수 인공지능(AI) 및 고성능컴퓨팅(HPC) 반도체 설계 기업들이 LPDDR6 탑재를 이미 추진 중인 것으로 파악된다. 당장은 LPDDR5X를 탑재하되, LPDDR6가 대량 양산되는 시점에 맞춰 성능을 한 차례 끌어올리겠다는 전략이다. LPDDR6 도입이 가속화되고 있는 가장 큰 요인은 AI에 있다. 당초 LPDDR의 주요 적용처였던 스마트폰은 온디바이스 AI 탑재로 더 뛰어난 성능의 LPDDR 제품을 요구하고 있다. 이에 삼성전자, 퀄컴 등 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 개발하는 기업들이 차세대 칩에 LPDDR6 IP를 탑재할 계획이다. 동시에 방대한 양의 데이터를 상시 처리해야 하는 AI 데이터센터가 도입되면서, 서버 부문에서도 고성능 LPDDR에 대한 필요성이 급격히 대두됐다. 글로벌 빅테크인 엔비디아 역시 LPDDR 수급에 적극적으로 나서고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 고성능 반도체 설계 기업 중 절반 이상이 LPDDR5X 및 LPDDR6 IP를 병행 탑재하는 방안을 검토하고 있다"며 "특히 4나노미터(nm) 및 그 이하의 최첨단 반도체를 설계하는 기업들에게서 수요가 예상보다 빠르게 나타나고 있다"고 설명했다.

2026.02.20 10:17장경윤 기자

삼성전자, 다음달 18일 정기주총…김용관 DS 경영전략총괄 이사 선임건

삼성전자가 다음달 주주총회를 열고 김용관 디바이스솔루션(DS) 부문 경영전략총괄을 신임 사내이사로 선임한다. 다만 이재용 삼성전자 회장의 사내이사 선임 관련 안건은 포함되지 않았다. 삼성전자는 13일 주주총회소집결의 공시를 통해 다음달 18일 오전 경기 수원컨벤션센터에서 '제57기 정기 주주총회'를 개최한다고 밝혔다. 이날 주주총회에는 5건의 주요 안건이 상정된다. 이 중 김용관 DS부문 경영전략총괄을 사내이사로 신규 선임하는 안도 올랐다. 김용관 사내이사 내정자는 지난 2011년 메모리사업부 지원팀장, DS부문 기획팀장을 맡아 이후 미래전략실, 의료기기사업부 등을 거쳤다. 2024년부터는 DS부문으로 돌아와 현재 경영전략총괄을 맡고 있다. 반도체 사업에 대한 이해 및 글로벌 역량을 바탕으로 재무·투자, 기획·전략 등 경영지원 전반에서 사업을 폭넓게 지원할 수 있는 인물로 평가받는다. 삼성전자는 김 내정자에 대해 "반도체 사업에 대한 이해 및 글로벌 역량을 바탕으로 경영지원 전반에서 사업을 폭넓게 지원하고 대외 협력과 소통 역할을 수행하는 등 회사 가치 제고에 기여하고 있다"며 "미국 테일러 팹 운영을 위해 수주 협상을 주도 장기계약을 이끌어 내는 성과를 창출했다"고 밝혔다. 허은녕 서울대 교수의 감사위원 선임 건도 상정된다. 허 내정자는 1996년부터 서울대 공대 교수로 재직 중으로, 국민경제자문회의 민간위원, 세계에너지경제학회 부회장, 한국자원경제학회 회장 등을 거쳐 현재 한국공학한림원 정회원, 한국에너지법연구소 원장 등을 맡고 있다. 다만 이재용 회장의 사내이사 선임 안건은 포함되지 않았다. 앞서 이 회장은 지난 2016년부터 2019년까지 삼성전자 등기이사를 맡은 바 있다. 이후 지난해 이 회장이 경영권 불법 승계 의혹과 관련해 대법원에서 무죄 판결을 받으면서, 재계에서는 이 회장의 등기이사 복귀 가능성을 주목해 왔다.

2026.02.13 13:03장경윤 기자

송재혁 삼성전자 CTO "커스텀 HBM으로 AI 메모리 벽 깬다"

삼성전자가 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 총집결한 '커스텀 HBM(고대역폭메모리)을 앞세워 AI 반도체의 고질적 난제인 '메모리 벽' 돌파에 나선다. 메모리 칩 내부에 직접 연산 기능을 넣는 파격적인 설계와 최첨단 로직 공정을 결합해, 단순한 부품 공급자를 넘어 AI 아키텍처의 설계자로서 주도권을 잡겠다는 전략이다. 송재혁 삼성전자 CTO(사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 '비욘드(Beyond) ZFLOPS: AI 시스템의 미래 아키텍팅'을 주제로 삼성의 차세대 반도체 로드맵을 발표했다. 송 사장은 "현재 GPU(그래픽처리장치) 성능은 비약적으로 성장하고 있지만, 메모리 대역폭의 증가 속도는 이를 따라가지 못해 AI 시스템 발전의 허들이 되고 있다"고 진단했다. 이러한 불균형을 해결할 삼성전자의 핵심 병기는 '커스텀 HBM'이다. 기존 HBM이 데이터를 전달하는 통로 역할에 충실했다면, 삼성의 커스텀 HBM은 메모리 하단부인 '베이스 다이' 내부에 '컴퓨트 코어'를 이식하는 '컴퓨트 인 베이스 다이' 아키텍처를 채택했다. 이 기술을 적용하면 GPU와 메모리 사이의 불필요한 데이터 이동이 최소화되어 연산 효율이 극대화된다. 삼성전자에 따르면 커스텀 HBM 기반 시스템은 기존 GPU 구조 대비 전력 대비 성능이 약 2.8배 향상되는 것으로 확인됐다. "메모리+파운드리" 원팀 시너지… "삼성만이 가능한 영역" 송 사장은 삼성 커스텀 HBM의 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 동력으로 삼성전자의 '토탈 솔루션' 역량을 강조했다. 회사는 최첨단 D램, 초미세 로직 공정 파운드리(반도체 위탁생산), 어드밴스드 패키징 기술을 전 세계에서 유일하게 보유했다. 이러한 강점을 살려 시장 리더십을 차지하겠다는 계획이다. 송 사장은 "단일 기업 내에서 메모리와 로직의 시너지를 극대화함으로써 AI 시장이 요구하는 폭발적인 기능을 가장 효율적으로 지원할 것"이라고 자신했다. HBM4 넘어 'zHBM'으로…3D 메모리 시대 예고 삼성전자는 이날 기조연설에서 HBM4(6세대) 이후의 미래형 아키텍처인 'zHBM'의 세부 사양도 처음으로 공개했다. zHBM은 기존 평면적인 배치를 넘어 완전한 3D 적층 구조를 지향한다. 제품의 명칭이 zHBM인 것도, HBM을 패키징할 때 z축(수직)으로 쌓았기 때문이다. zHBM은 멀티 웨이퍼 투 웨이퍼 본딩 기술을 통해 수만 개의 I/O(입출력 단자)를 확보하며, 이를 통해 차세대 HBM 대비 대역폭은 4배 이상 높이고 전력 소비는 75% 절감하는 혁신적인 성능을 목표로 하고 있다. 또한 소자 레벨에서 혁신도 가속화한다. 삼성은 차세대 트랜지스터 구조인 CFET 연구 결과를 공유하며, 기존 구조 대비 채널 반응 속도가 20% 이상 빨라졌음을 확인했다고 밝혔다. 아울러 저전력 구현을 위한 산화물 반도체 채널 적용 등 미세 공정의 한계를 넘기 위한 기술 개발도 순항 중임을 시사했다. 송 사장은 "가상 세계를 넘어 현실을 인식하고 행동하는 '피지컬 AI(Physical AI)' 시대가 머지않았다"며 "삼성 반도체는 최적화된 시너지 솔루션을 통해 인류의 진화에 기여할 준비가 되어 있다"고 말했다.

2026.02.11 15:07전화평 기자

D램 구조적 공급 부족 직면…"생산능력 매년 5% 미만 성장"

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계가 주도하는 D램 시장이 중장기적인 공급 부족 현상에 직면할 전망이다. AI 인프라 투자 규모가 매년 빠르게 확대되는 반면, D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 지난해부터 오는 2030년까지 연평균 4.8% 수준으로 비교적 낮은 성장세가 예상되기 때문이다. 클락 청 세미(SEMI) 연구위원은 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기자간담회에서 향후 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 클락 청 위원은 "전세계 빅테크 기업들이 AI를 중심으로 투자 속도를 앞당기고 있다"며 "특히 메모리 반도체와 패키징이 AI 인프라에서 중요해지고 있어, 한국의 반도체 생태계가 강점을 지닐 것"이라고 밝혔다. 실제로 마이크로소프트, 구글, 아마존, 메타 등 4대 CSP(클라우드서비스제공자)의 AI 인프라 지출은 크게 늘어나는 추세다. 지난 2024년에서 오는 2028년까지 연간 지출 규모 성장률은 38%에 이를 전망이다. 클락 청 위원은 "오는 2027년에는 글로벌 반도체 매출 규모와 4대 CSP를 포함한 전체 기업들의 AI 인프라 투자가 각각 1조 달러를 넘어서게 될 것"이라고 강조했다. 당초 업계는 글로벌 반도체 매출이 1조 달러를 기록하는 시점을 2030년으로 전망해 왔는데, 크게 앞당겨진 셈이다. 거대한 AI 수요로 D램 시장은 장기적인 공급 부족 현상에 직면할 가능성이 크다. SEMI에 따르면, 연간 D램 생산능력 증가율은 지난해부터 오는 2030년까지 4.8%로 전망된다. AI 인프라 투자 성장률을 고려하면 낮은 수준이다. 클락 청 위원은 "메모리 공급사들이 원칙적으로 신규 투자를 보수적으로 하고 있고, 캐파 증가분도 상당량을 고대역폭메모리(HBM)가 흡수할 것"이라며 "또한 공정 기준으로는 15나노미터(nm) 이하의 선단 분야에 투자가 집중돼, 레거시 및 특수 목적의 D램 공급은 더 제한될 예정"이라고 설명했다. 다만 AI 수요가 예상보다 빠르게 증가함에 따라, 향후 3년간 D램 생산능력 전망이 상향 조정될 가능성도 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업들의 팹 투자 규모는 확대될 전망이다. 클락 청 위원은 "한국의 팹 투자 규모는 2026~2028년 연간 400억 달러 수준으로 크게 확대될 것"이라며 "80% 이상이 D램과 낸드와 관련한 투자로, 일부 첨단 로직 투자는 미국에서 진행될 것"이라고 말했다.

2026.02.11 10:17장경윤 기자

머크, 차세대 낸드 소재 한국서 양산…"올해 공급 목표"

독일 화학소재기업 머크가 한국에 차세대 반도체 소재 양산 라인을 구축한다. 올해 최첨단 낸드에 공급하는 것이 목표로, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업과의 협력 강화가 예상된다. 머크는 10일 2026 미디어 간담회를 열고 차세대 반도체 양산을 위한 몰리브덴(Mo) 전구체(프리커서)를 소개했다. 최첨단 낸드에 적용되는 몰리브덴…머크, 국내 양산 체제 갖춘다 전구체는 반도체 제조에 필수적인 증착(웨이퍼 위에 박막을 입히는 공정)에 쓰이는 핵심 소재 중 하나다. 전구체는 화학 반응으로 특정 물질이 되기 전 단계의 용매 물질을 뜻한다. 기존 증착 공정용 전구체에는 텅스텐이 활발히 쓰였다. 텅스텐은 반도체 내에서 전류를 제어하는 전극 형성에 쓰인다. 그런데 근래 반도체 회로 선폭이 수 나노미터(nm) 수준으로 미세화되면서 텅스텐보다 '비저항'이 낮은 대체 물질의 필요성이 높아지게 됐다. 비저항은 소재가 전류에 얼마나 강하게 저항하는 지 나타내는 척도다. 금속의 비저항이 낮을수록 신호 속도가 빨라져 칩의 성능은 좋아지게 된다. 이에 머크는 텅스텐을 대체할 차세대 몰리브덴 소재 기반의 전구체(MoO2Cl2)를 개발해냈다. 몰리브덴은 텅스텐 대비 비저항이 낮아, 더 얇은 두께로도 고성능 박막을 구현할 수 있다. 김우규 한국머크 대표이사는 "음성 공장에서 몰리브덴 전구체 소재를 양산하기 위한 투자를 진행 중으로, 올해 안에 한국 내에서 고객사에 납품하기 위한 준비를 하고 있다"며 "이후 필요에 따라 아시아권의 타국에도 음성 공장에서 양산한 몰리브덴 전구체를 공급할 예정"이라고 설명했다. 몰리브덴 전구체가 가장 먼저 적용되는 분야는 낸드다. 낸드는 세대를 거듭할 수록 셀(메모리의 최소 단위)을 더 많이 쌓아 만드는데, 각 층을 밀도있게 구현하려면 배선 폭이 줄어들어야 하기 때문이다. 낸드의 구성요소 중에서도 워드라인(특정 셀에 전압을 인가하는)에 선제 적용됐다. 국내 삼성전자, SK하이닉스도 가장 최신 세대의 낸드인 9세대 제품부터 몰리브덴을 적용할 것으로 알려져 있다. 머크는 국내에서 몰리브덴 전구체를 양산함으로써, 이들 기업과의 협력 강화를 도모하려는 전략으로 풀이된다. 통합 공급 솔루션으로 경쟁력 확보…"시장 잠재력 커" 이후 몰리브덴은 파운드리, 3D D램 등으로 확장될 전망이다. 장기적으로는 텅스텐을 몰리브덴이 완전히 대체하면서, 관련 시장이 크게 성장할 것이라는 게 머크의 시각이다. 김 대표는 "정확한 숫자를 제시할 수는 없지만, 반도체 전반에서 상당 부분의 텅스텐을 몰리브덴이 대체할 것"이라며 "굉장히 높은 시장 잠재력이 있다"고 말했다. 한편 몰리브덴 전구체는 미국 인테그리스 등도 시장 확대를 추진 중이다. 머크는 경쟁사와의 차별점으로 맞춤형 소재 공급 시스템인 '쳄키퍼(CHEMKEEPER)'를 제시하고 있다. 쳄키퍼는 전구체를 일정한 압력으로 균일하게 공급하는 장치로, 양산 공정에서 신뢰성을 확보하게 해준다. 또한 대용량 용기 내부의 소재를 99.5%까지 온전히 사용할 수 있어 고객사 총소유비용(TCO) 절감에도 용이하다. 케서린 데이 카스 머크 일렉트로닉스 비즈니스 부사장은 "몰리브덴과 같은 소재는 그 자체만이 아니라 공급 시스템까지 함께 갖춰져야 하기 때문에, 머크의 통합 솔루션이 큰 장점이 될 것"이라며 "머크의 공급 시스템은 실린더 전체에 열을 고르게 가해 훨씬 더 일관성 있게 압력을 유지할 수 있다"고 강조했다.

2026.02.11 09:00장경윤 기자

AI 인프라 투자 300조 더 는다…삼성·SK 메모리 슈퍼사이클 '청신호'

세계 4대 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 올해 AI 인프라 투자에 6,600억 달러(한화 약 970조원)을 투자한다. 지난해 대비 2,000억 달러(약 293조원) 가까이 증가한 규모다. 최근 불거진 'AI 거품론' 속에서도 투자 공세를 이어가겠다는 기조로, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들도 상당한 수혜를 입을 것으로 기대된다. 7일 업계에 따르면 글로벌 주요 CSP 기업들은 올해 AI 인프라 투자 규모를 당초 예상보다 크게 늘리고 있다. 최근 실적을 발표한 아마존은 올해 AI 인프라 투자 규모를 2,000억 달러(약 293조원)로 제시했다. 이는 증권가 전망치인 1446억 달러를 크게 웃도는 수치다. 지난해 총 투자규모인 1250억 달러와 비교해도 60%나 증가했다. 앤디 재시 아마존 CEO는 "기존 서비스에 대한 강력한 수요와 AI·반도체·로봇공학·저궤도 위성 등 중대한 기회를 고려한 것"이라며 "투자 자본에 대해 장기적으로 높은 수익률을 기대한다"고 설명했다. 메타는 올해 AI 관련 설비투자 규모가 최대 1,350억 달러에 이를 것이라고 밝혔다. 지난해 투자 규모인 772억 달러 대비 74%가량 늘었다. 구글은 최대 1850억 달러, 마이크로소프트는 1,400억 달러로 역시 전년 대비 규모가 크게 늘었다. 이들 4개 기업의 총 투자 규모는 6,600억 달러에 이른다. 4,000억 달러대인 지난해와 비교하면 2,000억 달러 가량 늘어난 수준이다. 최근 IT 업계는 막대한 투자 대비 불확실한 매출 성장으로 'AI 거품론'에 휩싸이고 있다. 여기에 AI 데이터센터에 필수적인 메모리 반도체 수급난이 심화되면서, 투자 비용 역시 급증하는 추세다. 그럼에도 CSP 기업들은 AI 인프라 투자를 오히려 가속화하고 있다. 이는 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 기업들의 강력한 매출 성장 전망치에 힘을 실어주는 기폭제가 될 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스는 AI 가속기에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 시장을 주도하고 있다. 또한 이들 기업이 생산하는 서버용 D램, 기업용 SSD(eSSD) 등은 AI 데이터센터 시장에서 수요가 매우 높다. 반도체 업계 관계자는 "최근 메모리 공급난이 극심함에도 불구하고, CSP 기업들은 이번 실적발표를 통해 투자비용에 대한 부담 대신 더 공격적인 기조를 나타냈다"며 "AI 고도화의 주역인 메모리반도체 기업들 입장에서는 매우 반가운 소식"이라고 밝혔다.

2026.02.08 08:58장경윤 기자

삼성·SK, 낸드 마진율 역대 최대치 찍는다…"10년 간 없던 일"

삼성전자·SK하이닉스가 올 상반기에도 공격적인 낸드 가격 인상에 나선다. 이에 양사의 낸드 마진율이 40~50%대를 기록할 가능성이 유력하다. 업계는 지난 2017년 메모리 슈퍼사이클 이후 근 10년만에 낸드 제품이 사상 최대의 수익성을 거둘 것으로 기대하고 있다. 4일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 상반기 낸드 마진율은 40~50%에 육박할 것으로 관측된다. 양사의 낸드 마진은 지난해 4분기 기준으로 20%대까지 상승한 것으로 추산된다. 세부적으로는 쿼드레벨셀(QLC) 비중이 더 높은 SK하이닉스가 삼성전자 대비 수익성이 더 높았다. QLC는 메모리의 최소 저장 단위인 셀(Cell) 하나에 4비트를 저장하는 기술로, 고용량 구현에 용이해 서버용 SSD에 활발히 채택되고 있다. 최근 전 세계 빅테크 기업들이 공격적인 AI 인프라 투자를 진행하면서, 서버용 SSD 수요는 빠르게 증가하고 있다. 특히 엔비디아가 QLC만이 아니라 트리플레벨셀(TLC; 셀 당 3비트 저장) 제품까지 적극 주문하는 추세다. 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기에도 고부가 제품을 중심으로 낸드 가격을 크게 올릴 계획이다. 시장조사업체 트렌드포스는 낸드의 평균판매가격(ASP)이 지난해 4분기 33~38% 증가하고, 올해 1분기에는 55~60%로 더 큰 폭의 상승세를 기록할 것으로 분석했다. 이에 삼성전자, SK하이닉스의 낸드 마진은 올 상반기 40~50%에 도달할 가능성이 유력하다. 업계에선 그간 발생했던 메모리 슈퍼사이클 중에서도 전례를 찾기 힘들 정도의 높은 수익성으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "낸드 마진율이 40~50%대에 달하는 건 지난 2017년, 메모리 슈퍼사이클과 3D 낸드가 본격적으로 성장하던 시기 이후 처음 있는 일"이라며 "30%대 마진율 달성도 매우 어려운데, 이렇게 단기간에 수익성이 높아지다니 매우 놀랍다"고 말했다. 또 다른 관계자는 "낸드 가격이 올 1분기와 2분기 계단식으로 상승할 것이라는 전망은 이미 확실시된 상황"이라며 "메모리 공급사가 낸드용 설비투자에 보수적으로 나섰던 게 극심한 공급난을 일으키고 있다"고 설명했다.

2026.02.04 09:29장경윤 기자

갤럭시S26 가격 엇갈린 전망…"30% 인상 vs 동결"

삼성전자가 이달 중 공개할 것으로 예상되는 갤럭시S26 시리즈 가격을 둘러싼 엇갈린 전망이 나오고 있어 주목된다. IT매체 폰아레나는 3일(현지시간) IT 팁스터 아르센 뤼핀(@MysteryLupin)을 인용해 갤럭시S26 시리즈 일부 모델의 가격이 약 30%까지 인상될 수 있다고 보도했다. 해당 팁스터에 따르면 갤럭시S26 기본형 256GB 모델의 시작 가격은 1199유로(약 205만원), 갤럭시S26 울트라 1TB 모델은 2329유로(약 399만원)에 이를 가능성이 있다. 그가 제시한 가격은 불가리아 시장 기준 가격으로, 전작 대비 평균 약 30% 인상된 수준이다. 모델별 가격 차이는 갤럭시S26 기본형 256GB 모델 기준 약 230유로(약 39만원)에서 시작해, 1TB 저장용량을 탑재한 갤럭시S26 울트라와 갤S25 울트라 간에는 최대 450유로(약 77만원)에 달하는 것으로 추산된다. 다만 폰아레나는 불가리아가 최근 유로화를 도입한 국가인 만큼, 지난해 가격이 다른 유럽 국가들과 정확히 일치하지 않았다는 점을 감안할 필요가 있다고 전했다. 반면 가격 인상 폭이 제한적일 것이라는 전망도 나온다. IT매체 테크매니악스는 최근 삼성전자가 갤럭시 S26 시리즈에서 단기적인 수익 확대보다는 경쟁력 유지와 시장 점유율 방어에 초점을 둔 가격 정책을 검토하고 있다고 보도했다. 해당 보도에 따르면 갤럭시S26 울트라의 시작 가격은 전작과 비슷한 수준에서 책정될 가능성이 크다. 갤럭시S26 기본 모델의 경우 기본 저장용량이 기존 128GB에서 256GB로 확대될 경우에만 가격 인상이 이뤄질 것으로 예상되며, 512GB 모델은 오히려 소폭 인하될 가능성도 거론된다. 또한 갤럭시S26 플러스 256GB 모델은 가격 변동이 없을 것으로 보이며, 512GB 모델 역시 소비자가 체감할 만한 큰 변화는 없을 것이라는 관측이다. 최근 메모리 반도체와 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 가격이 빠르게 상승하면서 갤럭시S26 시리즈의 가격에 대한 관심은 더욱 커지고 있다. 폰아레나는 올해 스마트폰 가격 인상 가능성은 꾸준히 제기돼 왔지만, 아르센 뤼핀이 전망한 수준의 급격한 인상은 예상하지 못했다며 향후 상황을 좀 더 지켜볼 필요가 있다고 평가했다.

2026.02.04 09:04이정현 미디어연구소

삼성·SK, 2분기 최첨단 낸드 전환투자 본격화

삼성전자, SK하이닉스의 최첨단 낸드 투자가 본격화된다. 그간 D램에 우선순위가 밀려 일정이 연기돼왔으나, 최근 구체적인 투자 계획이 잡히고 있는 것으로 파악됐다. AI 산업 주도로 수요가 급증하는 낸드 시장에 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 2분기 최첨단 낸드에 대한 전환투자를 진행할 계획이다. 삼성전자는 지난 2024년 9월 280단대의 V9(9세대) 낸드 양산을 시작한 바 있다. 다만 현재까지 생산능력은 매우 적은 수준으로, 도합 월 1만5천장 내외로 추산된다. 당시 삼성전자가 시장 수요 부족 등으로 평택캠퍼스에 초도양산 라인만을 도입했기 때문이다. 다만 올 2분기부터는 V9 낸드 생산능력 확대를 위한 투자가 진행될 예정이다. 거점은 중국 시안에 위치한 X2 라인이다. 현재 해당 라인에서는 6~7세대급 구형 낸드가 양산되고 있다. 인근 X1 라인의 경우 8세대 낸드로 전환이 대부분 마무리됐다. 논의되고 있는 전환투자 규모는 월 4~5만장 수준이다. 설비투자 시점을 고려하면, V9 낸드는 내년부터 램프업(Ramp-up; 양산 본격화) 단계에 접어들 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "당초 삼성전자가 1분기에 시안 X2 라인에서 V9 낸드 전환을 진행하려고 했으나, 일정이 다소 밀려 2분기에 시작될 예정"이라며 "평택 제1캠퍼스(P1)에서도 V9 낸드 전환투자가 준비되고 있어, 제품 생산 비중이 내년 크게 늘어날 수 있다"고 말했다. SK하이닉스 역시 2분기 321단의 9세대 낸드 전환투자를 계획하고 있다. 올 2분기 청주 M15에서 월 3만장 내외의 V9 생산능력을 확보하는 것이 주 골자다. 현재 해당 낸드 생산능력이 월 2만장 수준임을 감안하면, 적지 않은 투자 규모다. 업계 관계자는 "삼성전자, SK하이닉스 모두 최첨단 낸드 수요 확대 전망에 대응하기 위해 전환투자를 계획 중"이라며 "그간 양사 설비투자 전략이 D램에만 집중돼 왔으나, 낸드 역시 빠르게 품귀현상이 나타나고 있는 상황"이라고 설명했다.

2026.02.02 15:42장경윤 기자

HBM 공급 프로세스 달라졌다…삼성·SK 모두 리스크 양산

고대역폭메모리(HBM) 상용화 프로세스가 변화하고 있다. 기존 반도체는 샘플을 통한 고객사와 퀄(품질) 테스트를 완료한 뒤, 공식적으로 양산에 들어서는 것이 일반적이었지만 HBM 공급 과정에서는 핵심 고객사 수요에 맞추기 위해 인증 완료 전 양산을 선제적으로 진행 중이다. 1일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM 수요에 대응하기 위해 테스트가 마무리되기 전부터 HBM4를 선제적으로 양산하고 있다. 리스크 안고 선제 양산…삼성·SK 모두 HBM4 상용화 자신감 먼저 실적을 발표한 SK하이닉스는 "HBM4는 지난해 9월 양산체제 구축 이후 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. SK하이닉스 안팎의 이야기를 종합하면, 해당 양산은 실무단에서 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산이란 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. 리스크 양산을 진행하는 이유는 리드타임(제품 공급에 필요한 총 시간)에 있다. 통상 HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해 4개월가량 시간이 소요된다. 인증을 완료한 뒤 제품 양산에 돌입하면 내년 엔비디아의 AI가속기 출시 스케쥴에 맞춰 HBM을 적기 공급하기가 사실상 어렵다. 생산능력이 제한돼 있고, 초기 수율 저하 문제로 출하량을 단기간에 크게 늘릴 수도 없다. 리스크 양산은 수요가 불확실해지거나 제품에 심각한 오류가 발생하는 경우, 공급사가 재고를 떠안게 된다는 점에서 손실 위험이 존재한다. 그만큼 내부적으로 상용화에 대한 의지나 확신이 없으면 진행하기가 힘들다는 뜻이다. 삼성전자 역시 실적발표에서 "당사 HBM4는 성능에 대한 고객사 평가로 이미 정상적으로 제품을 양산 투입해 생산 중"이라며 "고객사 요청으로 2월부터 최상위 등급인 11.7Gbps 제품을 포함해 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자도 지난해 하반기부터 HBM4 리스크 양산에 돌입한 것으로 풀이된다. 이달 말 기준으로, 삼성전자·SK하이닉스 모두 엔비디아향 HBM4 테스트를 아직 진행 중에 있다. 엔비디아가 제시한 공식적인 퀄 테스트 종료 시점은 1분기 말이다. 삼성전자는 이전 제품인 HBM3E까지 엔비디아향 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 다만 HBM4에서는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램, 더 고도화된 베이스 다이(HBM)의 컨트롤러 역할을 담당하는 칩를 채용해 성능을 끌어올렸다. 이를 통해 삼성전자는 엔비디아가 요구하는 최대 11.7Gbps급 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 내부에서는 "곧 엔비디아와 테스트가 마무리될 예정"이라는 이야기도 나온다. 이번 양산 출하 발표 역시 이러한 분위기에 기인했다는 평가다. SK하이닉스는 공식적인 언급은 피하고 있으나, 최근까지 HBM4 샘플에 대한 개선작업을 진행한 것으로 파악된다. 가혹한 환경 조건에서 11.7Gbps급 성능 구현이 삼성전자 대비 힘들다는 의견도 제기되고 있다. 결함의 경중 정도나 핵심 원인에 대해서는 업계 내부에서도 의견이 엇갈린다. 다만 SK하이닉스가 본격적인 양산 램프업(본격화) 시점을 당초 대비 다소 미루고 있다는 점은 확실시되고 있다. HBM4 양산용 소재·부품 발주 스케줄이 이달까지 확정되지 않고 있어서다. 개별 공급 시기보다 공급망 전체 상황 봐야…"결국 윈-윈" 최근 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급망을 두고 날선 신경전을 벌이고 있다. 두 회사 중 누가 먼저 HBM4에 대한 정식 PO(구매주문)을 발표할 지에 대한 시장의 관심도 또한 높다. 그러나 업계는 현재 공급되는 샘플에 심각한 불량이 발생하지 않는 한, 삼성과 SK 모두 엔비디아향 HBM4 공급을 순조롭게 진행할 수 있을 것으로 보고 있다. 이유는 공급과 수요 간 '균형'에 있다. 현재 엔비디아가 요구하는 HBM4 최고 전송속도 성능은 11.7Gbps다. 다만 삼성전자·SK하이닉스가 최고등급(Bin1) 제품만을 선별하는 경우, 수율 및 안정성 문제로 충분한 양을 공급하지 못할 가능성이 크다. HBM4는 전작인 HBM3E 대비 데이터를 주고 받는 입출력단자(I/O) 수가 2배로 늘어 수율 확보가 더 어렵다. 삼성전자·SK하이닉스 입장에서도 생산능력을 확대할 여력이 없다. 올해 HBM 공급은 공격적인 AI 인프라 투자로 전체 수요를 따라가지 못하고 있다. 특히 구글 등 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 HBM 수급 비중을 크게 늘리면서, 전년에 비해 공급난은 훨씬 심각해진 상황이다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 활용할 것으로 예상하고 있다. 실제로 삼성전자·SK하이닉스는 그간 엔비디아와 다양한 속도의 HBM4 샘플 테스트를 진행해온 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "현재 업계 전반에서 삼성전자의 HBM4 기술력을 SK하이닉스 대비 더 높게 평가하는 것은 사실이나, 전체 HBM 시장 관점에서는 두 기업 모두 무난하게 HBM 사업이 확대될 가능성이 유력하다"며 "HBM4 속도 외에도 제품 신뢰성, 공급망 안정성 등 고려해야할 요소가 많다"고 설명했다.

2026.02.01 10:05장경윤 기자

반도체특별법 국회 본회의 통과…'R&D 주52시간 예외'는 빠져

반도체산업 경쟁력 강화 및 지원에 관한 특별법(이하 '반도체특별법') 제정안이 29일 국회 본회의를 통과했다. 이번 특별법 제정으로 경쟁국의 기술 추격, 대규모 보조금 지급 등 반도체 산업 지원 경쟁 심화에 대응해 메모리·시스템 반도체, 설계·제조·패키징, 소재·부품·장비 등 반도체 산업 전(全) 공급망을 체계적으로 지원하기 위한 제도적 기반이 마련됐다. 핵심 쟁점이었던 '주 52시간제 예외 적용' 조항은 노동계 반발로 이번 법안에서 삭제된 바 있다. 특히 그간 개별 사업·예산으로 분산되어 있던 반도체 지원 정책을 ▲대통령 소속 '반도체산업경쟁력강화특별위원회' 설치 ▲반도체 산업 경쟁력 강화 기본계획 수립 ▲반도체산업경쟁력강화특별회계 설치 등을 통해 종합·상시로 반도체 산업을 뒷받침 할 수 있게 됐다. 또한 ▲지역균형발전을 고려한 반도체 클러스터 지정 ▲클러스터 산업기반시설 조성·운영 지원 ▲클러스터 입주 기업·기관 지원 등을 통해 비수도권 반도체 산업에 대한 집중 지원을 추진할 수 있게 됐다. 아울러 ▲기술개발 및 실증센터 구축 사업 ▲소부장·위탁생산(파운드리)·시스템반도체 생태계 육성 ▲인력양성·해외인재 유치 지원 ▲규제·인허가·예비타당성조사 특례 등 다양한 기업 지원방안에 대한 근거가 포함됐다. 김정관 산업통상부장관은 “반도체는 우리나라 최대 수출 산업이면서, AI 시대에 국가·경제 안보를 좌우하는 전략 자산”이라며 “이번 반도체특별법 제정을 계기로 K-반도체의 초격차를 유지·강화하고, AI 반도체를 둘러싼 글로벌 경쟁에서 주도권을 확보할 수 있도록 하위법령을 신속히 마련하고 현장에서 체감되는 지원이 이뤄지도록 하겠다”고 밝혔다. 반도체 특별법은 향후 정부 이송 및 국무회의 의결을 거쳐 공포되며, 하위법령 등이 마련되는 대로 이르면 올해 3분기 중 시행될 예정이다.

2026.01.29 16:45장경윤 기자

삼성전자 "파운드리 2나노 하반기 양산 순항"…미·중 고객 수주 확대

삼성전자가 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 중심으로 한 선단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술 개발과 고객 수주가 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 테슬라 수주 이후 미국과 중국 대형 고객사들과의 협업 논의도 확대되고 있으며, 인공지능(AI) 응용처를 중심으로 수주 과제가 빠르게 늘고 있다는 설명이다. 삼성전자는 29일 2025년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "2나노 공정은 하반기 양산을 목표로 수율과 성능 목표를 달성하며 순항 중"이라며 "고객사들과 BPA(Benchmark Performance Assessment) 평가 및 협업을 병행하고 있고, 양산 전 기술 검증도 계획대로 진행되고 있다"고 전했다. 삼성전자는 모바일과 고성능컴퓨팅(HPC) 고객을 대상으로 제품 및 사업화 협업을 확대하고 있다. 특히 테슬라 수주 이후 미국과 중국의 대형 고객들과 AI 응용처 중심의 과제를 논의 중이며, 2나노 관련 수주 과제는 전년 대비 30% 이상 증가할 것으로 기대하고 있다. 차세대 공정인 1.4나노는 2029년 양산을 목표로 주요 마일스톤을 차질 없이 수행 중이다. 삼성전자는 이를 통해 고객사의 조기 설계 착수와 선단 공정 생태계 선점을 추진한다는 전략이다. 로직·파운드리·메모리·패키징을 아우르는 '턴키(Turnkey)'를 시스템반도체 경쟁력 강화의 핵심으로 제시했다. 턴키는 반도체 설계부터 파운드리, 메모리, 패키징까지 전 공정을 통합 제공하는 서비스다. 이를 통해 삼성전자는 올해 두 자리수 이상 매출 성과를 목표로 한다. 삼성전자는 보도자료를 통해 "파운드리는 첨단 공정 중심으로 두 자리 이상 매출 성장과 손익 개선을 추진할 방침"이라며 "하반기에는 2나노 2세대(SF2P) 공정이 적용된 신제품을 양산하고, 4나노의 성능 및 전력을 최적화해 기술 경쟁력을 지속 강화할 계획"이라고 설명했다.

2026.01.29 13:51전화평 기자

삼성전자 "올해 HBM 매출 전년比 3배 목표"…출하량 100억Gb 넘을 듯

삼성전자가 올해 메모리 반도체 공급난이 지속될 것으로 내다봤다. 1분기 D램과 낸드 모두 출하량 성장이 제한되면서 가격 상승이 불가피할 전망이다. 특히 HBM(고대역폭메모리)은 전 세계 AI 인프라 투자에 따라 수요를 따라가지 못하는 상황이다. 이에 삼성전자는 올해 HBM 매출을 전년 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세웠다. 용량 기준으로는 100억Gb(기가비트)를 넘길 전망이다. 29일 삼성전자는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 메모리 시장 전망에 대해 밝혔다. 메모리 공급사들은 지난해 하반기 심화된 공급부족 현상에 따라, D램 및 낸드에서 빠르게 수익성을 개선하고 있다. 삼성전자의 경우 지난해 4분기 D램 ASP(평균판매가격)가 전분기 대비 40% 수준 상승한 것으로 나타났다. 낸드 역시 전분기 대비 20% 수준으로 상승했다. 올 1분기에도 메모리 빗그로스(출하량 증가율)는 제한적일 전망이다. D램과 낸드가 각각 전분기 대비 한자릿수 초반, 한자릿수 중반대에 그칠 것으로 보인다. 이에 메모리 가격은 추가적인 상승 압박을 받고 있다. 삼성전자는 "최근 AI에서 수요가 가파르게 증가하고 있어 메모리 공급 확대가 제한적이고, 범용 메모리와 HBM(고대역폭메모리) 전반적으로 당분간 이런 상황이 지속될 것"이라며 "이에 GPU 및 ASIC(주문형반도체) 업체와 하이퍼스케일러 등 대형 고객사와 다년 계약을 접수하고 있다"고 설명했다. 이에 삼성전자는 올해 최첨단 공정 기반의 D램 및 낸드 생산능력 확대에 속도를 낼 계획이다. 1c D램과 9세대 낸드를 중심으로 신규 및 전환 투자가 진행될 것으로 전망된다. 올해 HBM 사업 확대도 자신했다. 삼성전자는 "HBM4는 재설계 없이 작년 공급한 샘플로 순조롭게 고객 평가를 진행 중"이라며 "현재 퀄(품질테스트) 완료 단계에 진입했다"고 밝혔다. 회사는 이어 "정상적으로 HBM4 제품을 양산 투입해 생산 진행 중"이라며 "주요 고객사의 요청에 따라 2월부터 최상위품인 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 덧붙였다. 삼성전자가 제시한 올해 HBM 매출 목표는 전년 대비 3배 이상이다. 삼성전자의 지난해 HBM 총 공급량이 40억Gb대로 추산된다는 점을 고려하면, 올해 공급량은 100억Gb 이상을 공급할 수 있을 것으로 예상된다. 삼성전자는 "공급 확대 노력에도 불구하고 올해 HBM 수요는 당사 공급 규모를 넘어서고 있다"며 "주요 고객은 2027년 및 이후 물량에 대해서도 공급 협의를 조기 확정하길 희망한다"고 밝혔다.

2026.01.29 13:19장경윤 기자

삼성전자, 작년 매출 333조·영업익 43.6조 '사상 최대치'

삼성전자가 반도체 슈퍼사이클에 힘입어 지난해 연간 매출이 사상 최대치를 기록하고 영업이익은 역대 네번째를 달성하는 성과를 냈다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM(고대역폭메모리)과 서버용 DDR5 판매 증가로 반도체를 담당하는 DS부문이 실적 개선을 주도한 가운데, 회사는 올해에도 반도체 중심의 성장 흐름이 이어질 것으로 전망했다. 다만 세트 사업을 담당하는 DX부문은 수익성 회복이 과제로 지목됐다. 삼성전자는 29일 연결 기준으로 2025년 연간 매출 333조6천59억원, 영업이익 43조6천11억원을 기록했다. 전년 대비 매출은 10.9%, 영업이익은 33.2% 각각 증가했다. 연간 영업이익률은 13.1%로 전년 대비 상승했다. 실적 견인 DS부문·수익성 둔화 DX부문... 희비 엇갈려 반도체를 담당하는 DS부문은 지난해 연간 영업이익 24조9천억원을 기록했다. 이는 2024년 15조1천억원과 비교해 약 65% 급증한 수치이다. 같은 기간 매출은 111조1천억원에서 130조1천억원으로 확대됐다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM과 DDR5 판매 증가, 메모리 가격 상승이 연간 수익성 개선의 핵심 요인으로 작용했다. 특히 서버용 DDR5와 기업용 SSD 등 고부가 제품 비중이 확대되며 이익 체력이 크게 강화됐다. 시스템LSI는 계절적 수요 변동에도 불구하고 2억 화소 이미지센서 등 고사양 제품 판매 확대에 힘입어 연간 매출 성장세를 유지했다. 파운드리는 2나노 공정 양산을 본격화하며 매출 기반을 확대했지만, 충당 비용 등의 영향으로 수익성 개선은 제한적이었다. 세트 산업을 담당하는 DX부문은 지난해 연간 매출 188조원을 기록하며 전년 대비 성장했으나, 영업이익은 12조9천억원으로 수익성은 둔화됐다. 이는 전년 영업이익(12조4천억원) 대비 약 4% 증가한 수준이다. 매출은 같은 기간 174조9천억원에서 188조원으로 늘었지만, 수익성 개선은 제한적이었던 셈이다. 모바일을 담당하는 MX 사업은 플래그십 제품 판매에도 불구하고 스마트폰 시장 경쟁 심화와 비용 부담으로 수익성이 제한됐다. 영상디스플레이(VD)는 프리미엄 TV 판매 확대에도 경쟁 심화 영향으로 수익성 압박을 받았고, 생활가전(DA) 역시 글로벌 관세와 비용 증가 영향이 실적에 부담으로 작용했다. 올해 DS부문, AI 반도체 중심 성장 지속 삼성전자는 올해 1분기에도 AI 및 서버 중심의 수요 강세가 이어지며 반도체 사업의 성장 흐름이 지속될 것으로 전망했다. 메모리 부문에서는 HBM4 양산 출하를 본격화하고, 고용량 DDR5와 AI용 SSD 판매를 확대해 제품 믹스 개선에 집중할 계획이다. 파운드리는 계절적 비수기 영향으로 1분기 매출 감소가 예상되지만, HPC와 모바일 분야 대형 고객사를 중심으로 수주 확대를 추진한다. 연간 기준으로는 첨단 공정 중심의 매출 성장과 손익 개선을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 갖춘 '원스톱 솔루션' 경쟁력을 바탕으로 AI 반도체 시장 주도권을 강화하겠다는 전략이다. DX부문, 플래그십·AI로 수익성 회복 추진 세트 중심의 DX부문은 1분기 갤럭시S 26 등 플래그십 스마트폰 신제품 출시를 계기로 판매 확대를 추진한다. 모바일 사업에서는 에이전틱(Agentic) AI 경험을 강화한 AI 스마트폰을 앞세워 시장 리더십을 공고히 한다는 방침이다. 영상디스플레이는 마이크로 RGB TV와 OLED 등 프리미엄 제품을 중심으로 매출 성장과 수익성 개선을 노린다. 생활가전은 AI 기능이 강화된 프리미엄 제품과 계절적 수요 회복을 통해 실적 개선을 추진할 계획이다. 삼성전자는 반도체 중심의 실적 개선 흐름 속에서, 올해 DX부문의 수익성 회복 여부가 전사 실적의 추가 상승을 좌우할 핵심 변수로 작용할 것으로 보고 있다.

2026.01.29 09:54전화평 기자

삼성전자, 4분기 영업이익 20조원 돌파…반도체 '사상 최대'

삼성전자가 지난해 4분기 반도체 사업 호조에 힘입어 시장 기대를 웃도는 실적을 기록했다. HBM(고대역폭메모리)과 서버용 DDR5 등 고부가 메모리 판매 확대가 실적 반등의 핵심 동력으로 작용했다. 삼성전자는 연결 기준 2025년 4분기 확정 영업이익으로 20조1천억원을 기록했다고 29일 공시했다. 전년 동기 대비 209.2% 증가한 규모다. 매출은 93조8천억원으로 지난해 동기와 비교해 23.8% 올랐다. 영업이익률(OPM)은 21.4%로 1년 전보다 12.8%p(포인트) 개선됐다. DS부문, HBM·DDR5 앞세워 사상 최대 분기 실적 이번 실적 개선은 반도체를 담당하는 DS부문이 이끌었다. DS부문은 4분기 매출 44조원, 영업이익 16조4천억원을 기록하며 사상 최대 분기 실적을 달성했다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM과 DDR5 판매 증가, 메모리 가격 상승이 맞물리며 수익성이 크게 개선됐다. 특히 메모리 부문에서는 범용 D램 수요 강세에 적극 대응하는 한편, 서버용 DDR5와 기업용 SSD 등 고부가 제품 비중을 확대해 영업이익이 큰 폭으로 늘었다. 삼성전자는 기술 경쟁력을 기반으로 HBM 공급을 확대하며 AI 반도체 시장에서 존재감을 강화하고 있다. 시스템LSI는 계절적 비수기 영향으로 전분기 대비 실적이 다소 둔화됐지만, 2억 화소 이미지센서와 빅픽셀 5천만 화소 신제품 판매 확대에 힘입어 매출 성장세를 유지했다. 파운드리(반도체 위탁생산)는 2나노 1세대 공정 양산을 본격화하고 미국·중국 거래선 수요가 늘며 매출이 증가했으나, 충당 비용 영향으로 수익성 개선은 제한적이었다 . “1분기도 반도체 성장 지속”…HBM4·파운드리 수주 확대 회사 측은 1분기에도 반도체 사업의 성장 흐름이 이어질 것으로 전망했다. AI 및 서버 중심의 수요 강세가 지속되는 가운데, HBM4 양산 출하와 고부가 메모리 판매 확대를 통해 시장 대응에 나선다는 계획이다. 파운드리 역시 HPC와 모바일 분야 대형 고객사를 중심으로 수주 확대를 추진한다는 방침이다. 삼성전자는 “DS부문은 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 아우르는 원스톱 솔루션 경쟁력을 바탕으로 AI 반도체 시장 주도권 확보에 나설 것”이라며 “불확실한 경영 환경 속에서도 수익성 중심의 안정적 경영 기조를 이어가겠다”고 밝혔다. DX부문, 매출 늘었지만 영업이익은 40%대 감소 세트 산업을 담당하는 DX부문은 다소 부진했다. DX부문은 4분기 매출 44조3천억원, 영업이익 1조3천억원을 기록했다. 전년 동기 실적과 비교해 매출(40조5천억원)은 9% 상승했으나, 영업이익(2조3천억원)은 43.5% 감소했다. DX부문 실적 하락의 중심에는 모바일 사업을 담당하는 MX 사업본부가 있다. 스마트폰 신모델 출시 효과가 약화되고 경쟁이 심화되면서 전분기 대비 실적이 둔화됐다는 게 삼성전자의 설명이다. 다만 네트워크 사업은 북미 지역 매출 증가로 전분기 및 전년 대비 실적이 개선됐다. 영상디스플레이(VD)는 Neo QLED와 OLED TV 등 프리미엄 제품의 견조한 판매와 연말 성수기 수요 대응으로 전분기 대비 매출이 확대됐다. 반면 생활가전(DA)은 계절적 비수기와 글로벌 관세 영향이 겹치며 수익성이 악화됐다. 삼성디스플레이(SDC)는 4분기 매출 9조5천억원, 영업이익 2조원을 기록했다. 중소형 디스플레이는 주요 고객사의 스마트폰 수요 확대와 IT·자동차용 패널 판매 증가에 힘입어 견조한 실적을 이어갔으며, 대형 디스플레이 역시 연말 성수기 수요에 대응하며 매출이 늘었다. 하만은 4분기 매출 4조6천억원, 영업이익 3천억원을 기록했다. 유럽 시장을 중심으로 전장 제품 공급이 확대된 데다, 오디오 시장 성수기를 맞아 포터블 및 TWS(True Wireless Stereo) 신제품을 출시하며 매출 성장세를 이어갔다.

2026.01.29 08:40전화평 기자

삼성전자, 지난해 설비투자 52.7조원…계획 대비 11% 증가

삼성전자가 지난해 연간 설비투자 규모를 당초 계획 대비 11%가량 확대한 것으로 나타났다. 29일 삼성전자는 2025년 연간 설비투자 규모가 52조7천억원으로 집계됐다고 공시를 통해 밝혔다. 당초 삼성전자는 지난해 설비투자 규모 예상치로 47조4천억원을 제시한 바 있다. 계획 대비로는 11%가량 늘었다. 주된 배경은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문에 있다. DS부문은 당초 40조9천억원의 투자가 예상됐으나, 총 47조5천억원으로 6조원 넘게 증가했다. 평택 내 최첨단 메모리 생산기지인 P4를 비롯해 팹 전반에서 고부가가치 제품 비중 확대를 위한 투자를 집행한 것으로 관측된다. 반면 디스플레이(SDC)는 당초 3조3천억원의 투자가 예상됐으나, 2조8천억원을 투자한 것으로 집계됐다. 한편 이번 시설투자 규모는 역대 최대인 전년(53조6천억원) 대비로는 줄었다. 삼성전자의 2024년 시설투자 규모는 DS부문이 46조3천억원, SDC가 4조8천억원 수준이었다.

2026.01.29 08:26장경윤 기자

메모리 가격 급등에 노트북도 '껑충'…갤럭시S26도 오를까

메모리 반도체 가격이 가파르게 오르면서 IT 전자기기 전반의 가격 인상 압박이 커지고 있다. 노트북을 비롯한 주요 전자제품 가격이 이미 상승세를 보이는 가운데, 차세대 스마트폰인 갤럭시 S26 시리즈 역시 가격 인상이 불가피할 것이라는 전망이 나온다. 27일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 최근 D램과 낸드플래시 가격은 뚜렷한 상승세를 보이고 있다. 지난달 PC용 D램 범용 제품(DDR4 8Gb 1Gx8)의 평균 고정거래가격은 전달보다 14.181% 오른 9.3달러, 낸드플래시 범용 제품(128Gb 16Gx8 MLC)은 전월 대비 10.56% 상승한 5.74달러를 기록했다. AI 서버 수요 확대와 공급 조절이 맞물리며 메모리 가격 상승세가 이어지고 있는 것이다. 이 같은 흐름은 IT 기기 가격에 반영되고 있다. 삼성전자가 26일 공개한 신제품 노트북이 대표적이다. 갤럭시북6 프로(14인치)의 출고가는 341만원으로, 지난해 공개된 갤럭시북5 프로(176만원)의 두 배에 육박한다. 메모리와 고성능 부품 가격 인상이 복합적으로 작용한 결과로 풀이된다. 업계에서는 스마트폰 역시 예외가 되기 어렵다고 보고 있다. 통신사 요금제 추천 사이트 모요는 차기작 갤럭시 S26 울트라(256GB)의 출고가를 최대 176만원으로 예상했다. 이는 전작 대비 약 7만원가량 오른 수준이다. 삼성전자가 아직 공식 가격을 공개하지 않았지만, 메모리 가격 급등이 이어질 경우 인상 가능성을 배제하기 어렵다는 시각이 우세하다. 소비자들의 걱정도 커지고 있다. 한 갤럭시 이용자는 “원육 가격이 내려가도 한 번 오른 치킨 가격은 잘 내려가지 않는다”며 “스마트폰 가격도 결국 비슷한 흐름을 보일 것 같아 걱정된다”고 말했다. 또 다른 소비자는 “출고가가 계속 오르면 스마트폰 교체 주기가 더 길어질 수밖에 없다”고 지적했다. 다만 삼성전자가 시장 반발을 고려해 가격 인상 폭을 최소화할 가능성도 거론된다. 그동안 삼성전자는 글로벌 경기 둔화와 수요 위축 국면에서 가격 동결 또는 제한적 인상 전략을 유지해왔다. 그러나 메모리 가격 상승세가 장기화할 경우, 갤럭시 S26 시리즈를 포함한 프리미엄 스마트폰 가격 인상은 불가피할 것이라는 전망이 나온다. 한편 갤럭시 S26 시리즈의 최종 출고가는 다음달 2월 예정된 삼성전자 언팩 행사에서 공개된다.

2026.01.27 16:34전화평 기자

'큰손' 애플도 백기...삼성·SK, 아이폰용 LPDDR 가격 인상

최근 삼성전자·SK하이닉스가 애플에 공급되는 저전력 D램(LPDDR) 가격을 전분기 대비 2배 가까이 올린 것으로 파악됐다. 애플은 주요 스마트폰 제조업체로서의 지위를 활용해 비교적 저가로 LPDDR을 수급해 온 기업이다. 그러나 지난해 중반부터 메모리 공급난이 심화되면서, 애플 역시 가격 인상 추세를 거스르지 못한 것으로 풀이된다. 반면 삼성전자·SK하이닉스는 올 1분기에도 D램 사업의 수익성을 극대화할 수 있게 됐다. 27일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 애플과의 협상을 통해 아이폰용 LPDDR 가격을 크게 인상하기로 했다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램이다. 스마트폰을 비롯한 IT 기기에 필수적으로 탑재되며, 현재 7세대 제품인 LPDDR5X가 가장 활발하게 쓰이고 있다. 애플은 이 LPDDR의 핵심 고객사 중 하나다. 애플이 출시하는 아이폰의 연간 출하량은 지난해 기준 2억5천만대 내외로 추산된다. 최근 LPDDR5를 비롯한 메모리 가격은 급격한 상승세를 보이고 있다. 전세계 빅테크의 공격적인 AI 인프라 투자에 따라 D램 수요가 늘어난 반면, 공급사들은 HBM(고대역폭메모리)에 높은 생산 비중을 두면서 공급 부족 현상을 심화시켰기 때문이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스는 애플과의 협상을 통해 올 1분기 공급하는 아이폰용 LPDDR 가격을 크게 올렸다. 세부적으로 삼성전자는 전분기 대비 80% 이상, SK하이닉스는 100% 내외의 인상폭을 제시한 것으로 파악됐다. 올 하반기 애플향 LPDDR 가격이 추가 상승할 가능성도 존재한다. 해당 시점에 애플이 최신형 플래그십 스마트폰인 '아이폰 18'을 출시하기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "애플은 통상 연간 단위의 메모리 장기공급계약(LTA)을 진행하나, 최근 불거진 메모리 대란을 반영해 단가는 올 상반기까지만 협상을 완료한 것으로 안다"며 "하반기 신제품 출시에 맞춰 가격이 추가적으로 상승할 수 있다"고 설명했다. 다만 애플향 LPDDR 가격이 절대적으로 비싼 것은 아니다. 애플은 메모리 시장의 '큰손'으로서, 우월한 지위를 활용해 타 기업 대비 낮은 가격에 LPDDR을 수급해 왔다. 실제 단가는 극비에 부쳐지고 있으나, 업계는 이번 협상을 통해 애플과 메모리 공급사 간의 불균형이 크게 해소된 것으로 평가하고 있다. 애플향 메모리 단가 인상이 반영되면 올 1분기 메모리 공급사들의 전반적인 수익성은 더욱 높아질 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 해당 분기 범용 D램의 가격이 전분기 대비 55~60% 상승할 것으로 내다봤다. 또 다른 관계자는 "LPDDR 가격은 올 4분기에도 이미 40%가량 오른 바 있다"며 "1분기에는 인상폭이 더 커지면서 마진율이 최소 60%대 이상을 기록하게 될 것"이라고 말했다.

2026.01.27 14:25장경윤 기자

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