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'삼성 반도체'통합검색 결과 입니다. (427건)

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세메스, 심상필 대표 취임...삼성 파운드리 부사장 출신

반도체 장비업체인 세메스는 심상필 (前)삼성전자 부사장이 제11대 신임 대표이사로 취임했다고 12일 밝혔다. 세메스의 대표이사 교체는 3년 만이다. 신임 심상필 대표이사는 1988년 삼성전자로 입사해 반도체연구소(상무), 미국 SAS 법인(전무), 파운드리 제조기술센터장(부사장), 파운드리 코퍼레이트 플레닝(Corporate Planning) 실장을 역임한 반도체 전문가다. 심상필 대표는 1965년생으로 서울대 전기전자공학(학사)을 졸업한 후 한국과학기술원(카이스트) 전기전자공학 석사와 박사 과정을 마쳤다. 세메스는 삼성전자 자회사로 반도체 장비 제조를 담당한다. 주요 제품은 세정, 포토, 에치 등의 반도체 장비, 웨이퍼 이송장치(OHT) 등이다. 최근에는 HBM 생산에 사용되는 TC 본더 장비, 플라즈마 타입의 반도체 건식 세정장비 '퓨리타스(PURITAS)' 등을 양산하고 있으며, HBM4용 하이브리드 본더 장비도 개발 중이다. 주요 고객사는 삼성전자·삼성디스플레이 등 삼성 계열사들이다.

2024.12.12 11:16이나리

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

바이든 정부, 마이크론 반도체 지원금 8.8조원 확정

조 바이든 미국 행정부가 자국 내 반도체 공급망 강화를 위한 지원책에 속도를 내고 있다. 인텔·TSMC 등에 이어 마이크론도 상당한 규모의 반도체 보조금 지급을 확정받게 됐다. 10일 미국 상무부는 마이크론에 대해 61억6천500만 달러(한화 약 8조8천억원) 규모의 반도체 보조금을 지급을 확정했다고 밝혔다. 앞서 미 상무부는 지난 4월 마이크론과 반도체 보조금 지급과 관련한 예비거래각서(PMT)를 체결한 바 있다. 이번 보조금 지급 규모는 계약 당시와 동일하다. 현재 마이크론은 미국 뉴욕주와 아이다호주에 D램 등 메모리반도체 공장을 건설하고 있다. 뉴욕에는 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투자하기로 했다. 또한 버지니아주에 위치한 기존 공장의 증설에도 20억 달러 이상을 투입한다. 미 상무부는 전체 보조금 중 46억 달러를 뉴욕에, 15억 달러를 아이다호 투자에 할당할 예정이다. 이번 투자로 마이크론은 미국 내 메모리 생산능력 확장에 속도를 낼 것으로 전망된다. 미 상무부는 "마이크론에 대한 투자로 약 2만개의 일자리가 창출되고, 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝혔다. 한편 조 바이든 행정부는 임기 종료를 앞두고 반도체 보조금 지급을 서두르고 있다. 최근에도 인텔이 78억6천만 달러, TSMC가 66억 달러, 글로벌파운드리가 15억 달러의 보조금 수령을 확정했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업은 여전히 미 상무부와 보조금 지급 논의를 이어가고 있는 상황이다. 논의된 보조금 규모는 삼성전자가 64억 달러, SK하이닉스가 4억5천만 달러 및 최대 5억 달러의 대출 지원 등이다.

2024.12.11 09:54장경윤

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

"삼성전자 왜 위험해졌나...메모리·주문형 반도체 간과 탓"

"삼성전자가 위험해 진 것이 메모리·주문형 반도체를 간과했기 때문이다…HW 기술은 복제가 쉬워 양자분야에서는 SW를 전문으로 하는 큐노바같은 회사가 10~20개는 나와야 한다." 한국표준과학연구원(KRISS)이 블루포인트파트너스와 공동으로 6일 대전서 마련한 '양자컴퓨팅 양자전환(QX) 스케일업 밸리 육성사업 종합포럼'에서 이같은 얘기가 나와 관심을 끌었다. 이날 두 번째 개회사에 나선 블루포인트파트너스 이용관 대표는 "삼성전자가 왜 위험해졌나. 메모리·주문형 반도체를 간과한데서 비롯됐다"며 삼성의 처지를 거론한 뒤 "양자산업 전략이 우리에게는 전환점이자 기회"라고 강조했다. 이에 앞서 이호성 표준연 원장은 "양자가 기술혁신을 넘어 복잡한 문제를 해결할 가능성을 열어줄 게임 체인저"라고 설명했다. 장호종 대전과학부시장은 축사자로 나서 "양자 붐업과 자금조달 등에 대전시도 함께 나설 것"을 약속했다. 송기홍 JW & 파트너스 부회장(IBM 아시아 및 한국 전 총괄대표)은 '양자컴퓨팅 사업화 전략:해외사례 및 밸류체인'을 주제로 기조강연하며 "IBM도 현재 발전 방향이 바뀌었다. 큐비트를 늘리는 하드웨어 쪽보다 알고리즘으로 상용화 앞당기는 일이 관건이 됐다"고 언급했다. 송 부회장은 "현재 전 세계 정부가 양자분야에 마중물(투자)을 넣고 있다"며 "그러나 미국은 정부 투자단계를 지나 민간에서 벤처펀드를 투입한다"고 설명했다. 우리나라도 민간과 SW 투자를 염두에 둬야 한다는 시사점을 제시했다. "전 세계 258개의 퀀텀기술(QT) 스타트업 및 빅테크 기업 중 18%인 47개가 퀀텀컴퓨터 하드웨어 개발 및 제조에 집중하고 있습니다. QT투자의 70%가 HW기업입니다. 2020년 이후 HW경쟁에 신규 진입하는 스타트업이 현저하게 감소했습니다." SW업체는 총 131개다. 앱이 86개, 시스템이 45개로 나타났다. 송 부회장은 우리나라가 SW에 주안점을 둬야 하는 이유로 라우터 기술을 예로 들었다. 라우터를 개발한 시스코보다 이를 기반으로 검색엔진 등 SW에 치중한 구글 등이 어마어마하게 볼륨이 커졌다는 것이다. 컴퓨터 예도 마찬가지다. PC 개발업체보다 운영체계를 개발한 마이크로소프트가 주식시장 시가총액이 어마어마하게 크다는 의미다. 송 부회장은 양자기술 적용 가능 사례로 항공산업과 금융산업을 꼽았다. 송 부회장은 한국기업 성공 가능성이 높은 분야로 ▲초거대 AI모델 개발 ▲데이터 ▲양자보안솔루션 등 3개 분야를 꼽았다. "양자에 명령어를 어떻게 줄 것인지에 대한 표준도 없고, OS도 제각각입니다. 모두가 이제 시작이고, 우리에 기회입니다." 강연 말미에 송 부회장은 "우리나라도 큐노바 같은 양자 SW기업 10~20군데는 나와야 할 것"이라며 "이 가운데 반의 반이라도 성공기업이 나온다면 큰 밸류가 거기 있을 것"이라고 언급해 관심을 끌었다.송 부회장은 큐노바와 특별한 인연은 없는 것으로 파악됐다.

2024.12.06 15:42박희범

50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

삼성 파운드리, 美 팹리스 공략 시동…현지서 첫 '커넥트' 행사

삼성전자 파운드리 사업부와 핵심 파트너사들이 최근 미국에서 현지 고객사와의 접점을 확대하기 위한 행사를 진행한 것으로 확인됐다. 삼성전자가 이 같은 행사를 진행한 것은 이번이 처음이다. 첨단 파운드리 사업 확장에 난항을 겪는 가운데, 잠재 고객사가 밀집한 미국 시장 공략을 가속화하기 위한 전략으로 풀이된다. 실제로 삼성전자는 지난달 인사를 통해 미국 사업을 총괄하던 한진만 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시킨 바 있다. 6일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 이번 주 미국에서 'DSP(디자인솔루션파트너) 커넥트' 행사를 진행했다. DSP는 삼성전자의 공식 파트너 디자인하우스 기업을 뜻한다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스 사이에서 반도체 설계, 공정 최적화 등을 돕는 역할을 맡고 있다. 미국 산호세에 위치한 삼성 파운드리 미국법인에서 개최된 이번 DSP 커넥트는 삼성 파운드리의 잠재 고객사와 DSP간 접점을 확대하기 위해 마련됐다. 삼성 파운드리를 비롯해 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아세미 등 국내 디자인하우스 주요 인사들이 대거 참여한 것으로 알려졌다. 각 DSP는 프레젠테이션 발표 및 행사장 내 부스를 통해 현지 팹리스와 접촉했다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 미국 파운드리 사업을 본격적으로 추진하기 위해 이번 행사를 처음 기획한 것으로 알고 있다"며 "미국 팹리스 시장 규모가 크고, 삼성전자도 현지에 파운드리 공장을 건설하고 있는 만큼 삼성 측에서도 행사에 상당히 힘을 준 분위기"라고 설명했다. 이와 관련 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서도 파운드리 사업 강화를 위한 인적 쇄신을 단행한 바 있다. 삼성전자는 이번 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 현지 고객사와의 파트너십 확대, R&D 센터 설립 등을 주도해 왔다. 또한 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하는 등 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다. 남 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 것으로 알려져 있다. 현재 삼성전자는 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 대비 2.2%p 하락했다. 매출액도 전분기 38억3천300만 달러(한화 약 5조4천억원)에서 3분기 33억5천700만 달러(한화 약 4조7천억원)로 줄었다. 당초 예상보다 4나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서 고객사 확보가 부족했고, 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)인 '엑시노스 2500' 양산도 수율 문제로 차질을 겪은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 미국 테일러시에 건설 중인 파운드리 팹도 설비투자 계획이 지속 연기되는 추세다.

2024.12.06 10:51장경윤

아이에스티이, HBM 이어 PECVD 시장 진출…"SK하이닉스 등 공급"

"아이에스티이는 차별화된 기술력을 토대로 HBM용 풉 클리너를 국내 최초로 상용화하는 등 성과를 거두고 있다. 신규 장비인 PECVD 장비도 내년 SK하이닉스 메모리 공정에 공급할 예정이다. 현재 품질 테스트에서 유일하게 고객사의 요구치를 달성했다." 조창현 아이에스티이 대표는 5일 서울 여의도에서 기업공개(IPO) 기자간담회를 열고 코스닥 상장 후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 풉(FOUP) 클리너(세정장비) 개발에 성공, 삼성전자와 SK하이닉스, SK실트론 등 주요 고객사에 제품을 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다. 기존 풉 세정 장비는 커버와 바디를 한번에 세정하고 건조시키는 방식을 채용해 왔다. 반면 아이에스티이는 분리 세정이 가능한 장비를 자체 개발해, 세정력과 건조 효율성, 생산 효율성을 모두 높였다. 또한 아이에스티이는 첨단 패키징 시장에서도 성과를 거두고 있다. 올해에는 국내 최초로 HBM(고대역폭메모리)용 400mm 풉 클리너 장비 개발에 성공했다. 해당 장비는 SK하이닉스에 공급 완료했으며, 삼성전자와도 공급을 논의 중이다. PLP(패널레벨패키징)용 600mm 풉 클리너는 세계 최초로 개발 완료했다. 해당 장비는 삼성전기, 네패스 등에 공급을 완료했다. 조창현 대표는 "성능과 가격 경쟁력을 기반으로 글로벌 풉 세정장비 시장 점유율을 2022년 14%에서 2030년 40%로 끌어올리는 것이 목표"라며 "이를 위해 해외 주요 반도체 기업 및 연구기관을 고객사로 적극 확보하고 있다"고 설명했다. 이외에도 아이에스티이는 차세대 반도체 공정용 장비인 PECVD(플라즈마화학기상증착) 장비 연구개발을 통해 신규 사업을 추진하고 있다. 증착이란 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정이다. 아이에스티이는 지난 2021년 절연막의 일종인 'SiCN' PECVD 장비를 국내 최초로 국산화해, SK하이닉스와의 퀄(품질) 테스트를 진행했다. 테스트 통과 후 현재는 본격적인 양산 검증을 거치고 있어, 내년 공급이 기대된다. 조창현 대표는 "SK하이닉스의 D램용 SiCN PECVD 장비 국산화를 위해 당사를 포함해 3개 업체가 경쟁했으나, 최종적으로는 아이에스티이만이 요구 성능을 충족해 공급사로 단독 선정됐다"며 "향후 HBM의 적층 수가 늘어나고, 하이브리드 본딩과 같은 신기술이 도입되면 패키징에서도 SiCN PECVD 수요가 증가하기 때문에 매우 유망한 사업 분야"라고 강조했다. 한편 아이에스티이는 상장을 통해 확보한 공모자금을 생산능력 확장을 위한 신규 공장 부지 취득과 PECVD장비 개발 및 사업화를 위한 운영 자금, 채무 상환 등에 활용할 예정이다. 아이에스티이의 총 공모 주식수는 160만주로, 1주당 공모 희망가액은 9천700원~1만1천400원, 총 공모금액은 155억원~182억원이다. 12월 2일부터 12월 6일까지 기관 수요예측을 진행해 공모가를 확정한 뒤, 12월 10일과 11일 이틀 동안 일반 투자자들을 대상으로 청약을 진행해 12월 20일 코스닥 시장에 입성할 예정이다. 주관사는 KB증권이다.

2024.12.05 14:36장경윤

중국, 올해 반도체 수출액 1조위안 넘었다

중국의 반도체 수출액이 올해 1조 위안(약 194조원)을 넘어선 것으로 추산됐다. 미국의 강력한 규제에도 불구하고 중국이 첨단 반도체 분야에서도 자립의 기반을 닦고 있는 모양새다. 5일 중국 관영 중국중앙텔레비전(CCTV)에 따르면 올들어 10월까지 중국의 반도체 수출액은 9천311억7천만 위안으로 지난해 같은 기간보다 21.4% 늘었다. 이런 추세라면 11월까지 중국 반도체 수출액이 1조 위안을 넘은 것으로 CCTV는 추산했다. CCTV는 미국 정부가 2019년부터 매년 중국 반도체 업계를 압박하는 정책을 내놨지만 중국 반도체 산업은 계속 성장했다고 평가했다. 이어 중국은 자체 개발하며 1조 위안보다 더 먼 곳에 도달할 것이라고 강조했다. 지난 2일 미국 정부가 반도체 중국 수출 제한을 강화하자 중국은 원자재 미국 수출을 막으며 맞불을 놨다. 미국은 중국이 첨단 기술로 군사력을 키울 수 있다며 중국에 반도체 수출하는 기업을 규제하고 있다.

2024.12.05 13:55유혜진

마이크로칩, 1.6억 달러 美 반도체 보조금 안받는다...첫 사례

미국 마이크로칩테크놀로지가 미국 정부로부터 반도체 보조금을 받지 않기로 했다. 이는 미국 반도체지원법(Chips Acts·칩스법) 프로그램에서 처음으로 중단한 사례다. 블룸버그통신은 3일(현지시간) "마이크로칩이 반도체 보조금 수령 절차를 일시 중단하기로 했다"고 밝혔다. 당초 마이크로칩은 미국 오리건과 콜로라도 공장 건설을 위해 미국 정부로부터 1억6천200만 달러(2천280억원)의 보조금을 받을 예정이었다. 이후 마이크로칩은 경영 악화로 인해 애리조나주 펨피 공장을 지난 2일부터 폐쇄하기로 결정했으며, 이에 따라 직원 500명이 일자리를 잃게됐다. 또 오리곤 시설에서 두 번이나 근로자 강제 휴직을 단행한 바 있다. 스티브 상히 마이크로칩 최고경영자(CEO)는 3일 UBS 컨퍼런스에서 "미국 정부와 반도체 보조금을 받기 위한 협상을 일단 보류했다"며 "정부가 투자 비용의 15%를 지원하지만, 나머지 85%를 부담해야 하는 상황에서 굳이 1억 달러를 투자할 이유가 없다"고 밝혔다. 이어서 그는 "이 보조금 예비계약은 거의 1년전에 체결했는데, 그 당시 업계에서는 반도체 팹 용량이 충분하지 못해 투자가 필수적이라고 생각했다"라며 "하지만 오늘날 반도체 용량이 너무 많다"고 지적했다. 마이크로칩은 심각한 매출 부진을 겪고 있다. 올해 연간 매출이 전년 보다 40% 감소할 전망이며, 주가는 올해 27% 하락하며 필라델피아 증권거래소 반도체 지수에서 최악의 성과를 거둔 기업 중 하나로 꼽혔다. 미국 상무부가 마이크로칩에 배정됐던 보조금을 재분배할지 여부가 불투명하다. 미국 상무부 대변인은 성명을 통해 "마이크로칩과 반도체법에 대해 소통하고 있으며, 장기 계획에 대해서도 생산적인 대화를 이어가고 있다"고 말했다. 미국 정부가 2022년에 만든 반도체법은 자국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다. 지금까지 미국 상무부는 총 20개 기업과 예비양해각서(PMT)를 체결했으며, 대만 TSMC, 인텔 등 총 6개 기업과 최종 계약을 체결했다. 인텔은 반도체 예비양해각서 체결 금액 보다 보조금 액수가 줄었다. 당초 85억 달러(11조9천억원) 보조금을 받기로 했으나, 지난 25일 최종적으로 6억4천만 달러가 줄어든 78억6천만 달러(11조원)를 받기로 결정됐다. TSMC는 약속대로 66억 달러(9조원)를 받기로 최종 체결했다. 삼성전자와 SK하이닉스의 보조금 규모도 주목된다. 삼성전자는 반도체 보조금 64억 달러(약 8조8천505억원), SK하이닉스는 보조금 4억5천만 달러(약 6천200억원)와 5억 달러의 대출, 최대 25% 세제혜택 지원이 예비 협상을 통해 결정됐지만, 현재 최종 계약을 기다리고 있는 중이다.

2024.12.04 14:37이나리

격변의 파운드리...삼성·인텔 수장 교체하고 위기 극복 나서

파운드리 업계가 격변의 시기에 놓여 있다. 삼성전자는 2030년까지 시스템반도체 1위를, 인텔도 2030년 파운드리 시장 점유율 2위로 도약하겠다는 야심 찬 목표를 세웠지만, 양사는 업계 1위인 대만 TSMC의 높은 벽을 넘지 못하고 파운드리 사업에서 부진에서 벗어나지 못하고 있다. 결국 인텔은 최고경영자(CEO)를, 삼성전자는 파운드리 사업부문 사장을 각각 교체하며 사업 쇄신에 나섰다. 이 같은 리더십 변화는 사업을 재정비하고 시장에서 잃어버린 신뢰를 다시 회복하겠다는 강력한 의지로 풀이된다. 인텔 파운드리 재도전 이끈 팻 겔싱어 CEO, 사실상 경질 인텔은 2일(현지시간) 2021년 취임해 약 3년 9개월간 인텔을 이끌었던 팻 겔싱어 CEO가 12월 1일자로 사임했다고 밝혔다. 전격 은퇴를 선언한 팻 CEO는 이사회로부터 신뢰를 잃고 사실상 경질된 것으로 알려졌다. 블룸버그통신은 소식통을 인용해 지난주 인텔 이사회는 팻 겔싱어 CEO와 사업 회복을 논의하면서 충돌이 극에 달했고, 결국 팻 CEO에게 은퇴 또는 해임의 선택권을 줬다고 보도했다. 인텔은 이사회가 새로운 CEO를 찾는 동안 데이비드 진스너 인텔 수석 부사장 겸 CFO(최고 재무 책임자)와 미쉘 존스턴 홀타우스 인텔 프로덕트의 CEO를 임시 공동 CEO로 임명했다. 이 같은 소식은 인텔이 지난달 26일 미국 정부로부터 78억6천만 달러의 보조금을 받는 것을 확정한지 일주일도 채 지나지 않아 발표돼 업계의 적지 않은 충격을 줬다. 팻 겔싱어 CEO는 한때 인텔의 구원투수로 주목받았다. 2021년 2월 인텔에 복귀한 겔싱어 CEO는 파운드리 사업 재진출을 선언하며 마국 내 4개 팹에 2년간 250억 달러(35조1천875억원)를 투자했지만, 뚜렷한 성과를 내지 못했다. 또 인텔이 칩 사업에서 가장 큰 기업이었던 시절 보다 더 많은 인력(13만2000명)을 고용하며 막대한 지출을 했다. 로이터통신은 겔싱어 CEO에 대해 "돈을 흥청망청 썼다"고 표현할 정도다. 인텔은 지난 3분기에만 166억달러(23조원)의 적자를 기록했고, 결국 1만5천명을 감축하는 고강도 구조조정에 들어갔으며 배당금 지급도 중단했다. 아울러 인텔은 파운드리 사업 외에도 엔비디아 등 경쟁 기업이 치고 나간 AI 반도체 시장에서 기회를 잡지 못해 선두와의 격차가 벌어지고 있다는 평가를 받는다. 이 같은 인텔의 사업 부진은 주식 시장에서도 여실히 드러났다. 겔싱어 CEO 취임 후 인텔 주가는 61% 하락했다. 반도체 업계 관계자는 "겔싱어 전 CEO의 비전과 전략은 과감했지만, 실행 과정에서의 성과 부족이 시장의 부정적 평가를 불러왔다"며 "이번 CEO 교체는 인텔이 시장 신뢰를 회복하기 위한 새로운 돌파구를 찾겠다는 의지로 보인다"고 분석했다. 블룸버그통신은 팻 겔싱어 CEO의 사임으로 인텔의 새로운 거래의 문이 열렸다고 평가했다. 파운드리 사업 분사, 알테라 및 모빌아이 사업부 매각, 알폴로가 인텔에 투자 제안 등의 여러 가능성이 열렸다. 삼성, 전영현·한진만 체제로 변화…메모리 경쟁력 회복, 파운드리 재정비 삼성전자 또한 지난달 27일 정기 사장단 인사를 통해 반도체 수장을 교체하며 쇄신에 나섰다. 2021년부터 약 3년간 삼성전자 파운드리 사업을 담당하던 최시영 사장이 물러나고, 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장이 파운드리 사장이 새로 임명됐다. 메모리 사업에서도 이정배 사장이 물러나면서 전영현 DS부문 대표이사(부회장)가 메모리 사업부장을 겸임하는 체제로 변화했다. 삼성전자는 핵심인 메모리 사업에서 고대역폭메모리(HBM) 등을 중심으로 경쟁력을 강화하고, 파운드리 사업에서는 공정의 수율 문제를 해결하고 고객 신뢰도를 회복하는 데 집중할 방침이다. 삼성전자는 2017년 파운드리 사업부를 출범하고 2019년 '시스템반도체 2030' 비전을 발표하며 2030년까지 시스템반도체 1위 달성 목표를 세웠지만 실상은 1위인 TSMC와 점유율 격차가 점차 벌어졌다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 파운드리 점유율은 TSMC 62.3%, 삼성전자 11.5%를 각각 기록 중이다. 이는 1년 전(TSMC 56.4%, 삼성전자 11.7%)과 비교해 두 기업간 점유율 격차가 더울 벌어진 상태다. 삼성전자는 첨단 패키징 기술 개발과 수율 향상을 통해 TSMC와의 기술 격차를 좁히고, 파운드리 사업에서 점유율을 확대해야 하는 과제를 안고 있다. 업계 관계자는 "삼성과 인텔 모두 이번 리더십 교체를 계기로 기술 혁신과 시장 전략을 강화해야 한다"며 "파운드리 사업에서는 TSMC와의 기술 격차를 좁히는 데 성공 여부가 중요하다"고 평가했다.

2024.12.03 17:11이나리

美 규제 비껴간 中 CXMT, 내년 신규 팹 증설…삼성·SK에 위협

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 미국의 새로운 대중(對中) 반도체 수출 규제 여파를 비껴갔다. 이에 따라 중국의 레거시 D램 생산능력은 지속적으로 확대될 것으로 보여, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게는 일부 악영향을 끼칠 것으로 분석된다. 실제로 CXMT는 내년에도 신규 D램 제조공장을 건설할 계획이다. 이를 위해 최근 협력사들과 구체적인 장비 공급 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다. 3일 업계에 따르면 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 팹을 마련해 D램 생산능력을 확대할 계획이다. CXMT는 지난 2016년 설립된 중국 주요 D램 제조업체다. 중국 정부의 막대한 지원 하에 기술력과 생산능력을 빠르게 끌어올렸다는 평가를 받고 있다. CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 생산품목이 18~16나노미터(nm)급의 레거시 D램에 집중돼있기는 하나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게도 수익성 악화를 초래할 수 있을 정도의 규모로 분석된다. CXMT의 적극적인 투자 기조는 내년에도 지속될 것으로 관측된다. 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 내년 초부터 시행되는 이번 규제로 중국 내 반도체 및 제조장비 140여 곳이 미국의 강력한 수출규제를 받는 '우려거래자(Entity List)'에 포함됐다. 다만 CXMT는 업계의 예상과 달리 명단에서 제외됐다. 삼성증권은 관련 리포트를 통해 "미국이 원론적으로 CXMT의 저가 D램 기술이 국가 안보를 위협할 만한 수준은 아니라고 판단했을 것"이라며 "2~3년 뒤 1a(14나노급) D램이나 HBM(고대역폭메모리)를 생산하기 시작하면 규제 대상에 오를 수 있으나, 당장 내년에는 규제가 없을 가능성이 높아 (우리나라 등)메모리 경쟁사에 위협으로 느껴질 수 있다"고 설명했다. 실제로 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 D램 제조공장을 설립할 계획이다. 올 4분기 관련 협력사들과 구체적인 설비 도입 논의를 시작한 상황으로, 내년 상반기부터 본격적인 설비투자에 나설 것으로 파악됐다. 현재 업계가 추산하는 CXMT 신규 D램 공장의 생산능력은 월 최대 10만장이다. 기존 생산능력을 고려하면 중장기적으로 최대 월 30만장의 생산능력을 확보하게 되는 셈이다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT가 올해에 이어 내년에도 D램 생산능력 확장에 적극적인 모습을 보이고 있다"며 "다만 삼성전자와 SK하이닉스는 1a D램 이상의 고부가 제품 전환에 집중하고 있어, 국내 메모리 시장에 미칠 악영향은 우려 대비 축소될 수 있다"고 말했다.

2024.12.03 15:01장경윤

삼성·LG·현대차, AI 스타트업 텐스토렌트에 투자

삼성과 LG전자, 현대자동차그룹이 캐나다 인공지능(AI) 반도체 스타트업 텐스토렌트에 투자했다고 미국 블룸버그통신이 보도했다. 2일(현지시간) 짐 켈러 텐스토렌트 창업자는 미국 블룸버그통신과의 인터뷰에서 “삼성·LG전자·현대차, 세계 최대 전자상거래 업체 아마존 창업자 제프 베이조스의 투자 회사 익스페디션과 미국 금융사 피델리티 등으로부터 총 7억 달러(약 9천800억원)를 투자 받았다”고 말했다. 텐스토렌트는 고대역폭메모리(HBM) 대신 일반 D램으로 기존 AI 가속기를 대체할 수 있다며 이를 개발하고 있다. 켈러 창업자는 “값비싼 HBM을 써서는 엔비디아를 이길 수 없다”며 “HBM으로는 가격을 낮출 수 없다”고 강조했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 올린 고성능 메모리 반도체로, AI 가속기를 구동하는 데 쓰인다. AI 가속기 시장을 독점하고 있는 엔비디아는 세계 최고 AI 반도체 기업으로 평가된다. 켈러 창업자는 “텐스토렌트는 2년마다 새로운 AI 프로세서를 선보일 것”이라고 설명했다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 “매년 신제품을 발표하겠다”고 한 바 있다. 텐스토렌트는 이번에 조달한 자금을 기술 인재와 공급망을 확충하는 데 쓰기로 했다. 기술을 시연할 수 있는 대규모 AI 훈련 서버도 구축할 계획이다.

2024.12.03 11:21유혜진

美, 반도체 장비 中 수출 또 규제…HBM도 포함

미국 정부가 한국을 비롯한 다른 나라에서 만든 반도체 장비를 중국에 수출하지 못하게 하는 법안을 마련하기로 했다. 일본과 네덜란드산은 규제를 피했다. 영국 로이터통신은 2일(현지시간) 미국 정부가 중국 140개 기업에 이 같은 내용의 수출을 제한하는 내용을 발표할 예정이라고 보도했다. 반도체 기업 20개사와 반도체 장비 업체 100여개사가 포함됐다. 이에 따라 중국 반도체 장비 기업 나우라테크놀로지그룹, 파이오테크, 사이캐리어테크놀로지 등에 수출이 제한된다. 중국 사모펀드 와이즈로드캐피털과 윙테크테크놀로지도 제재 대상이다. 미국 업체가 이 기업들에 수출하려면 미국 정부로부터 허가 받아야 한다. 중국 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 중신궈지(SMIC)에도 규제가 가해진다. SMIC는 2020년 제재 대상에 올랐으나 정책상 이유로 예외가 인정돼 지금껏 수십억 달러 규모 수출이 허가됐다고 로이터는 설명했다. 미국·일본·네덜란드 반도체 장비 업체가 다른 나라에서 만든 장비도 중국에 보낼 수 없다. 말레이시아·싱가포르·이스라엘·대만·한국에서 만든 장비도 마찬가지다. 일본산과 네덜란드산은 예외다. 로이터는 미국 정부가 일본·네덜란드와 오래 협의해 이같이 결정했다고 분석했다. 로이터는 미국 반도체 장비 업체 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)·램리서치·KLA 등이 타격을 입을 것으로 내다봤다. 인공지능(AI) 반도체에 필수로 꼽히는 고대역폭메모리(HBM)도 중국 수출이 금지된다. 로이터는 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 3개사가 만드는 HBM2 이상 제품을 중국에 수출할 수 없다며 업계는 삼성전자가 이번 조치의 영향을 받을 것으로 본다고 전했다.

2024.12.02 17:20유혜진

삼성전기, 글로벌 CSP기업에 AI가속기용 'FC-BGA' 공급 추진

삼성전기가 서버용 FC-BGA(플립칩-볼그리드어레이) 사업 확대에 속도를 낸다. 글로벌 CSP(클라우드서비스제공업체) 고객사의 최신형 AI 반도체에 FC-BGA를 공급하기 위해 최근 퀄(품질) 테스트에 돌입한 것으로 파악됐다. 2일 업계에 따르면 삼성전기는 올 하반기 글로벌 IT기업 A사에 FC-BGA 공급망 진입을 위한 퀄 테스트를 진행하고 있다. FC-BGA는 반도체 칩과 기판을 '플립칩 범프(칩을 뒤집는 방식)'로 연결하는 패키지기판이다. 기존 패키지에 주로 쓰이던 와이어 본딩 대비 전기적·열적 특성이 높아 HPC(고성능컴퓨팅)·AI 반도체 등 고집적 칩에서 활용도가 높아지는 추세다. 특히 서버용 FC-BGA는 대면적, 고다층으로 구현되기 때문에 일부 기업만이 양산 가능한 고부가 제품으로 주목받고 있다. 현재 삼성전기는 부산, 베트남 등에서 서버용 FC-BGA를 생산하고 있다. AMD·AWS(아마존웹서비스) 등을 주요 고객사로 확보했으며, 세계 복수의 CSP(클라우드서비스제공업체)와도 거래선을 확대하기 위한 논의를 지속해 왔다. 이에 대한 성과로, 삼성전기는 A사와의 협업을 구체화하고 있다. A사는 전세계 CSP 업계에서 5위권 내에 진입한 기업이다. 올 하반기 A사로부터 칩 디자인을 받아, 이를 기반으로 서버용 FC-BGA를 공급하기 위한 퀄(품질) 테스트에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전기의 FC-BGA가 채용될 칩은 A사가 올해 공개한 최신형 AI가속기다. 이전 세대 대비 칩단 최대 컴퓨팅 성능을 4배 이상 향상시킨 것이 특징이다. 퀄 테스트가 순항하는 경우, 삼성전기는 이르면 내년 초부터 FC-BGA 사업에서 유의미한 성과를 거둘 것으로 전망된다. 기존 A사는 대만 유니마이크론의 FC-BGA만을 활용해 왔다. AI가속기의 출하량 자체가 적어, 단일 공급망으로도 대응이 충분했기 때문이다. 그러나 A사는 AI 산업 확대에 따라 최신형 AI가속기의 출하량을 크게 늘릴 계획이다. 이에 따라 삼성전기도 멀티 벤더로서 FC-BGA 공급망에 추가 진입할 수 있는 기회를 얻게 됐다. 실제로 A사는 AI업계를 주도하는 엔비디아의 '블랙웰' GPU 시리즈를 활용해 내년부터 클라우드 서비스를 크게 확장하겠다는 전략을 세운 바 있다. 삼성전기 측은 "고객사와 관련해 말씀드릴 수 있는 사안은 없다"고 말했다.

2024.12.02 13:00장경윤

반도체 세액공제 '3년' 늘린다지만…"美·日 등은 최대 10년"

정부가 반도체 등 국가전략기술에 대한 세액공제 적용기한을 올해 말에서 2027년 말로 3년 연장한다. 다만 미국·일본 등 주요 국가에서는 각각 5년·10년에 달하는 지원책을 펼치고 있어, 우리나라도 반도체 산업의 특성을 고려한 중장기적 대책이 필요하다는 목소리가 나오고 있다. 30일 업계에 따르면 반도체 산·학·연 전문가들은 국내 기업들의 장기적 투자를 지원하기 위한 대응책이 필요하다는 분석을 내놓고 있다. 앞서 정부는 지난 2022년 반도체 등 첨단 산업을 국가전략기술로 지정하고, 연구개발비 및 설비투자에 대해 높은 세액공제율을 적용한 바 있다. 설비투자의 경우 삼성전자·SK하이닉스 등 대기업은 최대 25%의 세액공제 혜택을 받을 수 있다. 다만 국가전략기술 세액공제율 적용 기간은 3년으로, 올해 말이 되면 일몰기한이 도래한다. 이에 정부는 지난 6월 세법개정안을 통해 기간을 3년 연장하기로 했다. 그러나 업계에서는 보다 장기적인 시각의 지원이 필요하다는 지적이 꾸준히 제기되고 있다. 초기 투자부터 공장 가동까지 최소 3~4년의 시간이 소모되는 반도체 업계 특성 상, 최소 10년 이상의 일관된 투자 지원 정책이 필요하기 때문이다. 일례로 삼성전자는 경기 용인시 남사읍에 약 300조원을 투입해 710만 제곱미터 규모의 시스템반도체 클러스터를 구축한다. 해당 클러스터에는 파운드리 팹이 총 6개 지어지며, 관련 생태계 기업도 150여곳이 들어선다. 투자 기간은 지난해부터 오는 2043년까지다. SK하이닉스도 용인시 원삼면에 415만 제곱미터 규모의 반도체 클러스터를 구축하고 있다. 약 122조원을 투입해 메모리 팹 4기를 구축하고 소부장 협력사 50여곳을 유치한다. 해당 클러스터의 구축지난 2022년부터 시작돼, 오는 2046년까지 진행될 예정이다. 반도체 업계 고위 관계자는 "반도체 산업은 장기적이고 지속적인 전략적 투자가 필요한데, 투자에 대한 불확실성을 없애야만 실질적 움직임이 가능하다"며 "반도체 공급망 확보에 힘쓰고 있는 미국 일본 등도 최대 10년 이상의 장기적인 지원책을 시행 중"이라고 설명했다. 한국반도체산업협회가 최근 추산한 자료에 따르면, 미국은 지난 2022년 8월 '칩스법'을 통해 반도체 또는 반도체 장비 제조용 첨단제조시설에 필수적인 자산 도입 투자액의 25%에 세액공제를 적용하고 있다. 세액공제는 2022년 12월 31일 이후 가동이 시작됐거나, 2027년 1월 1일 이전에 착공이 시작된 공장을 대상으로 한다. 이를 고려하면 지원 기간이 5년 가까이 되는 셈이다. 일본 역시 2024년 세제개정안에 '전략분야 국내생산 촉진세제'를 신설했다. 반도체를 비롯한 5개 전략분야의 현지 설비투자 시 최대 20%의 법인세를 공제해주는 것이 주 골자다. 해당 법안은 오는 2027년 3월 말까지 승인된 사업계획을 대상으로 한다. 세액공제 혜택은 사업계획 승인일 이후 10년 이내의 각 회계연도에 적용된다.

2024.12.01 14:45장경윤

블룸버그 "SK 최태원은 한국의 젠슨 황"

미국 블룸버그통신이 28일(현지시각) 최태원 SK그룹 회장을 '한국의 젠슨'이라고 평가했다. 세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)를 빗대 최 회장을 치켜세웠다. 그동안 삼성전자 그늘에 가렸던 SK하이닉스가 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM)를 공급하며 아시아에서 가장 두드러지는 수혜주가 됐다고 블룸버그는 소개했다. SK하이닉스 기술자들은 최 회장과 마찬가지로 자부심을 갖고 “HBM은 '하이닉스의 베스트 메모리(Hynix's Best Memory) 약자”라고 말한다고 전했다. 블룸버그는 2012년 매우 위험한 도박을 하듯 최 회장이 빚에 시달리던 하이닉스반도체를 인수하며 SK하이닉스가 탄생했다고 짚었다. SK그룹은 현대전자로부터 하이닉스반도체를 인수해 연구개발에 수십억 달러를 썼다. 특히 HBM팀을 사실상 해체한 삼성전자와 달리 꾸준히 HBM을 개발한 게 지금의 SK하이닉스를 만들었다고 블룸버그는 분석했다. AI 물결이 일자 이에 올라탈 준비가 됐던 SK하이닉스가 기회를 잡았다는 얘기다. SK하이닉스는 한국 시가총액 2위가 됐다. 1위는 삼성전자다.

2024.11.29 16:39유혜진

美 반도체 규제 추가 조짐에 中 "필요한 조치할 것"

미국이 중국에 대해 반도체 규제를 강화할 것이라는 소식에 중국이 자국 기업을 보호하기 위해 필요한 조치를 취하겠다고 밝혔다. 28일(현지시각) 영국 로이터통신에 따르면, 허야둥 중국 상무부 대변인은 이날 정례 기자회견에서 “중국은 미국이 중국 기업을 겨냥한 통제를 남용하는 데 강력히 반대한다”고 말했다. 허 대변인은 “미국의 이런 행위는 국제 경제와 무역 질서를 심각하게 해친다”며 “세계 산업 안보를 흔들고, 중국과 미국의 협력 노력과 세계 반도체 산업에 피해를 준다”고 주장했다. 그러면서 “미국이 고집스럽게 더 통제하면 중국은 중국 기업의 권익을 지키기 위해 필요한 조치를 취할 것”이라고 덧붙였다. 미국이 이르면 다음 주 중국 반도체 수출을 규제하는 방안을 또 내놓을 것이라는 전망에 중국이 이같이 나선 것으로 보인다. 미국 조 바이든 행정부는 반도체 장비와 인공지능(AI) 메모리 반도체를 중국에 팔지 못하게 하는 방안을 추가할 계획이라고 미국 블룸버그통신이 이날 보도했다. 미국은 중국이 첨단 기술로 군사력을 키울 수 있다고 보고 중국에 반도체를 수출하는 기업을 규제해왔다.

2024.11.29 12:39유혜진

삼성, 차세대 반도체 인재 전진배치…VCT D램·웨이퍼 본딩 주목

29일 삼성전자가 반도체 초격차 회복을 위한 '인적 쇄신'을 단행했다. 차세대 반도체 기술을 이끌어 갈 핵심 인재를 다수 등용하고, 메모리·시스템반도체 전 분야에서 역량이 검증된 젊은 인재를 발탁해 미래 성장동력을 확보한다는 전략이다. 특히 반도체(DS) 부문에서는 수직 채널 트랜지스터(VCT)·웨이퍼 본딩 등 차세대 반도체 시장의 경쟁력을 선점하기 위한 핵심 인재를 승진시켰다는 점이 주목된다. 임성수 DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을 주도해 왔다. VCT는 트랜지스터를 수평으로 배치하던 기존 D램과 달리, 트랜지스터를 수직으로 집적해 셀 밀도를 획기적으로 끌어올린 차세대 메모리다. 삼성전자는 내년 VCT D램의 초기 샘플 개발을 목표로 하는 등 관련 제품 상용화를 적극 준비 중인 것으로 알려져 있다. 문광진 DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 상무(51세)는 본딩·3D 집적 기술 전문가로, 차세대 제품용 웨이퍼 본딩 기술 개발을 주도하며 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보했다. 웨이퍼 본딩은 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 활용하지 않고 웨이퍼끼리 직접 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 반도체 다이(Die)를 서로 연결하는 D2D, 다이와 웨이퍼를 연결하는 D2W 방식에 비해 생산성이 뛰어나다. 또한 삼성전자는 40대 부사장을 다수 발탁해, 미래 경영자 후보군을 확대 및 강화했다. 배승준 DS부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 부사장(48세)은 D램 I/O 회로 설계 전문가로, DRAM 제품의 고속 I/O 특성 확보에 기여하며 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도했다는 평가다. 권오겸 DS부문 제조&기술담당 8인치 제조기술팀장 부사장(47세)은 로직 소자와 공정기술 전문가로 개발부터 양산 안정화, 고객 대응까지 프로세스 전반을 이끌며 레거시 제품 성능 및 사업 경쟁력을 강화했다. 한편 삼성전자는 이날 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 2025년 정기 임원 인사를 실시했다. 이번 인사에서는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명이 승진했다. 작년(143명) 보다 소폭 줄어든 규모다.

2024.11.29 11:10장경윤

"美, 中 반도체 수출 추가 규제 수위 낮춘다"

미국 조 바이든 행정부가 반도체 장비와 인공지능(AI) 메모리 반도체를 중국에 팔지 못하게 하는 방안을 내놓으려 하지만 계획보다 제재 수위가 낮아질 것이라고 미국 블룸버그통신이 28일(현지시각) 보도했다. 블룸버그가 인용한 소식통에 따르면 바이든 행정부는 중국 통신장비 기업 화웨이테크놀로지의 6개 협력업체를 겨냥하려 했으나 일부만 규제할 방침이다. AI 메모리 칩 기술을 개발하는 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제재 대상에서 빠진 것으로 알려졌다. 블룸버그는 유명 반도체 장비 기업을 둔 일본과 네덜란드 같은 동맹국과 미국 반도체 장비 회사들이 추가 규제에 반발했다고 전했다. 네덜란드 ASML은 반도체 미세 공정에 쓰는 극자외선(EUV) 노광 장비를 세계에서 유일하게 생산한다. 미국이 제재해 ASML은 첨단 장비를 중국에 수출할 수 없다. ASML을 포함해 미국 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)·램리서치·KLA, 일본 도쿄일렉트론(TEL)이 세계 5대 반도체 장비 회사로 꼽힌다. 다만 고대역폭 메모리(HBM) 관련 조항이 이번 규제에 들어갈 것으로 소식통은 예상했다. 그러면서 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론테크놀로지가 영향을 받을 것으로 내다봤다. HBM은 AI 기기에 알맞은 고부가가치 메모리 반도체로 평가된다.

2024.11.29 10:52유혜진

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