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삼성전기, 퀄컴 'AI200'용 FC-BGA 양산…데이터센터로 협력 확장

삼성전기가 퀄컴의 첫 데이터센터용 인공지능(AI) 가속기에 탑재되는 패키지기판 양산을 시작했다. 이번 공급으로 양사 협력이 기존 모바일·PC에서 데이터센터로 확장될 것으로 기대된다. 22일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전기는 부산사업장에서 최근 퀄컴의 최신형 AI 가속기 'AI200'용 플립칩-볼그리드어레이(FC-BGA) 양산에 돌입했다. AI200은 퀄컴이 지난해 10월 공개한 첫 데이터센터용 AI 가속기다. AI 추론 영역에 특화했다. 자체 개발한 '오라이온(Oryon)' CPU와 '헥사곤(Hexagon)' NPU를 탑재했으며, 전력효율이 뛰어난 저전력 D램인 LPDDR5을 결합했다. 퀄컴의 AI200의 출시 목표 시점은 올해 하반기다. 이에 맞춰 삼성전기도 FC-BGA 양산을 시작한 것으로 보인다. 삼성전기가 퀄컴 AI200용으로 양산하는 FC-BGA는 초도물량인 만큼 당장 물량은 많지 않은 것으로 알려졌다. 다만 삼성전기와 퀄컴의 협력이 기존 모바일, PC에서 데이터센터용 반도체로 확장된다는 점에서 의미가 있다는 평가가 나온다. 그간 삼성전기는 퀄컴의 IT 기기용 애플리케이션 프로세서(AP)에 탑재되는 패키지 기판을 공급해 왔다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전기가 퀄컴과 오랜 협력을 맺어온 만큼 AI 가속기향 FC-BGA 공급도 수월하게 타결된 것으로 보인다"며 "퀄컴이 올해 AI200과 내년 AI250 칩을 연달아 내놓을 계획으로, 삼성전기도 이에 따른 매출처 다변화 효과를 누릴 수 있다"고 밝혔다. LG이노텍 역시 퀄컴 AI200용 FC-BGA 공급망을 추진 중인 것으로 파악됐다. 앞서 LG이노텍은 지난 16일 미디어 행사에서 "서버용 학습 및 추론 반도체에 탑재되는 FC-BGA는 내년 양산이 목표"라고 밝힌 바 있다. 또 다른 관계자는 "AI 추론에 특화된 AI200은 고대역폭메모리(HBM) 기반의 AI 가속기 대비 FC-BGA에 요구되는 성능치가 낮다"며 "FC-BGA 업계 후발주자인 LG이노텍에도 진입장벽이 비교적 낮을 것"이라고 밝혔다. FC-BGA는 반도체 칩과 기판을 '플립칩 범프(칩을 뒤집는 방식)'로 연결하는 패키지기판이다. 기존 패키지에 주로 쓰이던 와이어 본딩 대비 전기·열적 특성이 높아, 고성능 반도체를 중심으로 수요가 높다. AI200용 FC-BGA는 내부 층(레이어)이 10층 초중반대로 형성돼 있다. FC-BGA는 구리로 배선된 회로층과 아지노모토빌드업필름(ABF)이라는 절연체를 층층이 쌓은 구조로 돼 있는데, 층 수가 높을수록 성능이 높아진다. 초고성능 데이터센터용 AI 가속기의 경우 20층 이상을 쌓아야 한다.

2026.06.22 14:26장경윤 기자

메모리 시장, 올해 4배 성장 전망...AI 수요가 견인

전 세계 메모리 반도체 시장이 인공지능(AI) 인프라 수요에 힘입어 올해 폭발적 성장세를 보이고 있다. 서버용 메모리가 전체 메모리에서 차지하는 비중도 절반을 넘어설 것으로 예상된다. 20일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 전 세계 메모리 시장은 전년(360조원) 대비 4배 증가한 1500조원에 이를 것으로 관측된다. 가장 큰 요인은 AI 인프라 투자를 위한 서버용 메모리 수요 확대다. 전체 메모리 제품에서 서버용 제품 비중은 지난해 37%에서 올해 56%까지 확대될 전망이다. 카운터포인트리서치는 "서버용 메모리 수요 확대로 인한 수급 불균형 심화가 메모리 가격 상승을 견인하고 있다"며 "이러한 상승세는 2027년 상반기까지 이어질 것으로 예상된다"고 밝혔다. 메모리 가격이 급상승하면서 범용 D램의 기가비트(Gb) 당 가격이 고대역폭메모리(HBM)를 상회하는 현상도 발생하고 있다. HBM의 경우, 통상 연간 단위로 고객사와 공급량 및 가격을 논의하기 때문에 업황에 비교적 둔감하다. 다만 내년에는 HBM 가격도 추가 상승할 가능성이 높다. 카운터포인트리서치는 "공정이 더 복잡하고 제조비용이 높은 HBM도 향후 추가 가격 상승 가능성이 커서 메모리 시장의 추가 성장 여력은 충분하다"고 평가했다.

2026.06.20 14:00장경윤 기자

SK하이닉스, 시총 2000조원 첫 돌파…삼성전자와 나란히 신고가

SK하이닉스가 사상 처음으로 시가총액 2000조원 고지를 돌파했다. 삼성전자도 장중 신고가를 경신하며 반도체 주도 랠리를 이끌었다. 19일 오전 9시 46분 기준 코스피 시장에서 SK하이닉스는 전 거래일 대비 상승세를 이어가며 283만원에 거래 중이다. 앞서 장 초반에는 한때 285만원까지 치솟으며 사상 최고가를 다시 썼고, 시가총액은 2031조원까지 늘어나기도 했다. 삼성전자 역시 동반 강세를 나타내며 전일비 3500원(0.97%) 상승한 36만 6000원을 기록하고 있다. 삼성전자는 장중 37만 4500원까지 상승하며 신고가를 경신했다. 두 종목의 최고가 기준 시가총액 격차는 158조원 수준까지 좁혀졌다. 삼성전자는 지난달 29일 우선주를 포함한 시가총액이 2000조원을 돌파했고, 이달 초 보통주 기준 2000조원을 넘어섰다. 국내에서 단일 종목 기준으로 시가총액 2000조원을 돌파한 것은 삼성전자가 처음이었다. 19일 주요 반도체 주 급등으로 관련 지분 보유 기업 주가도 강세를 보이고 있다. SK하이닉스 지분을 가진 SK스퀘어는 6% 이상 급등하며 주당 180만원을 돌파했다. 삼성전자 지분을 보유한 삼성생명(7.04%)과 삼성물산(13.08%)도 동반 상승 중이다. 현재 국내 증시는 반도체 업종이 견인하는 흐름이 뚜렷하다. 12개월 선행 영업이익 기준 연초 이후 코스피 실적 증가분의 97%를 반도체 업종이 견인했다. 코스피 전체 영업이익 중 반도체 비중은 74%에 달한다. 시가총액 내 반도체 비중은 60% 수준을 기록하고 있다. 이번 국내 반도체 주 동반 랠리는 간밤 뉴욕 증시의 기술주 급등 영향으로 풀이된다. 뉴욕 증시에서는 필라델피아 반도체 지수가 6% 이상 급등했으며, 지수를 구성하는 30개 종목이 일제히 상승 마감했다. 인텔이 10.6% 폭등한 것을 비롯해 엔비디아(3%대), 마이크론(9%대) 등이 일제히 지수를 끌어올렸다. 이러한 미국 내 반도체주 강세는 도널드 트럼프 미국 대통령의 발표가 도화선이 됐다. 트럼프 대통령은 애플과 인텔이 협력해 미국 현지에서 칩을 설계하고 생산하기로 합의했다고 발표했다. 이 발표가 국내 반도체 대형주에도 긍정적인 투자 심리로 작용한 것으로 분석된다.

2026.06.19 09:58전화평 기자

에스엠, 반도체 가스 누출 0.5초내 감지…"반도체 라인에 적용 준비"

초음파 센서로 단 0.5초만에 반도체 가스 누출을 감지하는 시스템을 대기업에 납품하고, 현재 반도체 라인 적용을 준비중이다." 올해로 창업 20년을 맞은 김영기 에스엠인스트루먼트(에스엠) 대표는 18일 가진 '비전선포 및 기자간담회'에서 "가스와 전기새는 소리 분야에 집중하고 있다. 최근엔 신제품 '배트캠-씨엑스(BATCAM CX)'로 글로벌 반도체 가스 캐비닛 시장을 공략 중"이라며 이같이 말했다. 배트캠-씨엑스 모델은 반도체 가스 캐비닛용 초음파 누출감지 솔루션이다. 방폭형 모델로 '배트캠-이씨엑스'(BATCAM eCX)도 함께 출시했다. 방폭은 가연성 가스 등 폭발 위험이 있는 장소나 설비를 막는다는 말이다. 김 대표는 "그동안 실증 단계에 머물던 초음파 기반 가스누출 감지 기술을 실제 반도체 양상 라인에 즉시 투입 가능한 수준으로 제품화한 것은 에스엠이 업계 최초"라고 말했다. 에스엠은 원천기술로 오로라(AURORA) 플랫폼을 개발, 보유하고 있다. 오로라는 산업 현장에서 발생하는 다양한 신호를 통합적으로 분석하는 멀티모달 AI 엔진이다. 음향과 영상 데이터를 결합해 기존에는 감지하기 어려웠던 이상 징후를 정밀하게 식별한다. 특히 복잡하고 노이즈가 많은 환경에서도 핵심 이상 신호를 선별적으로 추출하고, 설비 상태와 잠재적 문제를 실시간으로 분석한다. 김 대표는 "오로라는 단순 이상 감지를 넘어 다양한 산업 영역으로 확장되는 지능형 플랫폼으로 진화하고 있다"고 말했다. 이번에 출시한 '배트캠 씨엑스'도 오로라를 기반으로 그동안 반도체 가스 누출 감지에 수분 이상 걸리던 것을 0.5초 이내로 감지할 수 있는 것이 특징이다. 반도체 공정은 수소, 실란, 암모니아 등 위험한 독성 및 가연성 가스로 구성돼 있어, 초동 대처가 중요하다. 그러나 기존의 농도기반 가스센서는 누출된 가스를 센서로 탐지할 때까지 짧게는 수십초에서 길게는 수분까지 걸리는 단점이 있었다. '배트캠 씨엑스'는 가스가 새어 나올 때 발생하는 미세한 초음파를 최대 200m까지 떨어져 있어서 0.5초 이내에 잡아낼 수 있다. 실제 이날 5층에 마련된 포럼 장 시연에서 10m 정도 떨어져 뿌린 미세한 스프레이 소리를 즉각 검출했다. 김영기 대표는 "S반도체 기업 등에서도 실증을 진행 중"이라며 "대기업 S사와 또다른 S사 반도체 공정에만 수요가 8만대 정도, 시장 규모는 3,000억~5,000억 원 대 시장이 열릴 것으로 예상한다"고 말했다. 에스엠은 올해 매출 130억 원을 예상했다. 글로벌 시장 점유율이 35% 정도된다는 것이 김 대표 설명이다. 에스엠은 지난 2006년 KAIST 창업보육센터에 처음 둥지를 틀었다. 김 대표가 LG전자를 다니다, 한국항공우주연구원으로 자리를 옮겨 위성 개발 부문에서 음향을 담당하다 소리 매력에 빠져 창업한 케이스. 소음·진동 전문가인 김양한 KAIST 기계공학과 교수 지원을 받았다. 미국 뉴어크 공항에는 항공사 유나이티드에 항공기보조동력장치(APU) 모니터링 시스템 5대를 공급했다. 이는 항공기가 대기중 불필요한 시동으로 매년 수백 억원씩 연료가 낭비되는 요인을 막을 수있다. 또 에스엠은 대전 유성구 갑동에 지능형 교통소음 단속 시스템을 실증 중이다. 오토바이 소음을 진단, 정확한 위치를 실시간 제공한다. 김영기 대표는 "올해가 20주년, 전환점이다. 비전도 '산업지능'으로 정했다. 코스닥 상장할 때도 됐다. 내년 상장을 목표로 주간사도 선정했다"며 "향후 세계시장을 장악한 글로벌 기업 플루크와 본격적으로 경쟁해 나갈 것"이라고 덧붙였다.

2026.06.18 18:00박희범 기자

삼성전자, 2분기 상여금 충당 최소 15조…메모리 훈풍에 성과급도 '껑충'

삼성전자가 메모리 슈퍼사이클로 당초 예상을 크게 웃도는 2분기 실적을 기록할 것이란 전망이 나온다. 임직원 성과급 재원 마련을 위한 상여금 충당 규모도 확대될 가능성이 커졌다. 1분기 미반영분을 합하면 상여금 충당 규모는 최소 15조원에 이를 수 있다. 상여금 충당은 임직원에게 지급해야 할 전체 성과급 규모를 예측해 반영하는 금액이다. 18일 증권가에 따르면 삼성전자의 올 2분기 실적 전망치는 당초 예상보다 긍정적이다. 이수림 DS투자증권 연구원은 최근 보고서에서 "올 2분기에 상반기 성과급을 일시 반영할 것으로 추정한다"며 "성과급 효과를 제외한 2분기 영업이익은 100조원을 상회할 것"이라고 밝혔다. 지난 1분기 삼성전자 DS(반도체)부문은 53조 7000억원 영업이익을 기록한 바 있다. 2분기 예상 영업이익인 100조원을 더하면, 상반기에만 150조원 이상 수익을 거두는 셈이다. 여기에 삼성전자의 특별경영성과급(영업이익의 10.5%) 기준을 대입하면, 상여금으로 최소 15조원을 충당해야 한다. 통상 삼성전자는 매 분기 상여금을 충당해 왔다. 그러나 지난 1분기에는 노사 협의가 마무리되지 않아, 상여금 충당을 반영하지 않았다. 이후 삼성전자 노사가 지난달 24일 성과급 협상을 타결하면서, 올 2분기에 상반기 전체 상여금 충당을 반영하게 됐다. 삼성전자는 영업이익의 1.0~1.5%를 성과인센티브(OPI) 재원으로 마련하기로 했다. 또한 DS부문은 지급률 한도 없이 영업이익의 10.5%를 특별경영성과급으로 받는다. 반도체 업계 관계자는 "현재 논의되고 있는 반도체 영업이익 규모를 고려하면 1분기 5조~6조원, 2분기 10조원 이상이 상여금으로 책정될 것"이라며 "2분기에 모두 합산 반영될 것으로 전망된다"고 설명했다. 다만 대규모 상여금 충당이 예상보다 강력한 메모리 슈퍼사이클에서 기인한 만큼, 삼성전자의 견조한 수익성에는 큰 흠결이 생기지 않을 것이라는 게 업계의 시각이다. 당초 삼성전자의 올 2분기 D램 및 낸드 평균판매가격(ASP)은 전 분기 대비 20~30% 상승할 것으로 관측돼 왔다. 그러나 메모리 공급난이 심해지면서, 최근에는 가격 상승률이 50~60% 수준까지 도달한 것으로 알려졌다.

2026.06.18 14:59장경윤 기자

특허법원 "HPSP 특허 유효, 예스티 비침해" 판결

특허법원이 HPSP의 고압수소어닐링(HPA) 장비 특허 1건에 대해 유효하다는 판단과, 예스티가 HPSP 특허를 침해하지 않았다는 판결을 각각 내렸다. 18일 특허법원은 HPSP와 예스티가 각각 제기한 심결취소소송 3건을 모두 기각했다. 특허법원이 이번에 판단한 특허는 HPSP의 '반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치'(등록번호 1553027, 아래 '027 특허)다. 앞서 특허심판원은 무효심판에선 특허권자 HPSP 주장(유효)을, 소극적 권리범위확인심판에선 청구인 예스티 주장(비침해)을 받아들였다. 소극적 권리범위확인심판은 상대 특허를 침해하지 않았다고 주장하는 분쟁이다. 유효 판단에 대해선 예스티가 불복했고, 비침해 판단에 대해선 HPSP가 불복하며 특허법원에 심결취소소송 3건이 접수됐다. 특허법원이 이번에 예스티가 HPSP의 '027 특허를 침해하지 않았다고 판단하면서 예스티가 우세해졌다. 특허법원이 '027 특허가 유효하다고 판단했지만, '027 특허는 특허심판원 정정심판을 거치면서 권리범위가 좁혀졌다. 정정심판은 특허가 무효가 될 위기에 처했을 때 특허권자가 사용하는 절차다. 예스티는 정정심판 결과에 대해 별도의 불복 절차를 밟지 않았다. 지난 4월 중순 소극적 권리범위확인심판에 대한 심결취소소송 변론기일에서 HPSP는 정정 이전 특허 권리범위를, 예스티는 정정 이후 특허 권리범위를 대상으로 판단해야 한다고 맞서기도 했다. 당시 특허법원 재판부는 양측에 각자 주장을 뒷받침하는 판례 등을 이후 제출하라고 밝혔다. '027 특허는 HPSP가 예스티를 상대로 2023년 8월 서울중앙지방법원에 첫 번째 특허침해소송을 제기할 때 사용한 특허다. 전체 분쟁에서 가장 중요한 기술이다. 이번 특허법원 판결에 대해 양쪽은 상고할 수 있다. 또, 해당 특허로 서울중앙지법에서 시작한 특허침해소송도 아직 진행 중이다. 이번 특허법원 판단과, 서울중앙지법 판단은 다를 수 있다. 다만, 특허 정정으로 권리범위가 좁혀졌기 때문에 공방 내용도 달라진다. 한편, 예스티는 HPSP가 첫 번째 특허침해소송을 제기할 때 사용한 특허 1건('027 특허) 외에, HPSP의 또 다른 특허 5건을 상대로도 특허심판원에 무효심판과 소극적 권리범위확인심판 등을 청구했다. 예스티 입장에서 HPSP의 특허 공격 가능성이 있다고 판단한 특허 5건에 대해 선제 대응했다. 예스티는 지난달 하순 특허심판원에서 HPSP의 또 다른 특허 '고압가스 열처리를 위한 방법 및 장치'(등록번호 0766303)에 대해 무효라는 판단을 받았다. HPSP는 특허심판원 판단에 불복하고 특허법원에 심결취소소송을 제기했다. 이 특허는 HPSP가 예스티를 상대로 두 번째 특허침해소송을 제기하며 사용한 특허다. 나머지 특허 4건에 대한 분쟁은 모두 끝났다. 소극적 권리범위확인심판 2건은 예스티와 HPSP가 서로 다른 기술을 사용 중이란 점을 서로 인정하면서 각하됐다. 무효심판 2건에선 HPSP가 특허를 정정하면서 권리범위가 축소됐고, 무효심판은 기각됐다. 두 업체는 고압수소어닐링(HPA) 장비 시장을 놓고 특허분쟁 중이다. 고압수소어닐링 장비는 반도체의 실리콘 산화물(SiO) 표면 결함을 고압수소·중수소로 치환해 특성을 개선할 때 사용한다. HPSP가 과거엔 이 시장을 독점했지만, 예스티가 지난해 말부터 시장에 진입했다. 지난 3월 예스티는 고압수소어닐링 장비 첫 출하식을 열었다.

2026.06.18 14:25이기종 기자

삼성전자, 업계 최소 크기 3D 적층 트랜지스터 구현

삼성전자가 최첨단 파운드리 공정 개발에서 괄목할 성과를 거뒀다. 기존 평면에 배치되던 트랜지스터를 위아래로 쌓는 '수직 적층 트랜지스터(3D Stacked FET)' 기술을, 업계 게이트 간격으로 구현하는 데 성공했다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 업계 최소 크기의 수직 적층 트랜지스터 구현한 성과로 미국 주요 반도체 학회인 'VLSI 2026' 심포지엄에서 최우수 논문 타이틀을 얻었다. 트랜지스터는 전기 신호를 증폭하거나 제어하는 장치로, 반도체 성능을 좌우하는 핵심 요소로 꼽힌다. 이에 반도체 업계는 트랜지스터 내에서 전류가 흐르는 채널을 1개에서 3개로, 3개에서 4개로 늘리는 방식으로 기술적 진보를 이뤄왔다. 삼성전자가 이번에 발표한 논문은 트랜지스터 구조를 크게 바꾸는 기술이다. 기존 트랜지스터는 평면으로만 배치됐으나, 삼성전자는 이를 수직(3D)으로 쌓았다. 수직 적층 구조는 메모리 반도체에 먼저 도입된 개념이다. 낸드 플래시의 V-낸드, D램의 고대역폭메모리(HBM)가 적층을 통해 면적 한계를 돌파한 대표적인 사례다. 이러한 적층 구조가 이제는 시스템반도체 분야에서도 적용될 것으로 기대된다. 트랜지스터를 수직으로 쌓게 되면, 차지하는 면적이 절반으로 줄어들어 이론적으로 단위 면적당 집적도가 2배 증가하는 효과를 가져온다. 같은 면적의 웨이퍼에 두 배의 트랜지스터를 넣을 수 있다. 이번 논문 발표 전까지 수직 적층 트랜지스터의 업계 최소 게이트 간격(Gate Pitch; 트랜지스터의 가로 길이)은 48나노미터(nm)였다. 연구팀은 이를 42nm로 낮추며 더 미세한 공정을 구현하는 데 성공했다. 1 나노미터(nm)는 10억분의 1 미터다. 전력 효율은 같은 면적 안에 들어가는 트랜지스터 개수에 비례한다. 수직 적층 구조를 적용하면, 같은 면적당 트랜지스터 개수가 2배로 늘어나므로 전력 효율도 2배 개선된다. 기존 반도체 공정은 세대를 거듭할수록 성능이 약 15%씩 개선되는 것이 일반적이다. 반면 수직 적층 구조는 트랜지스터 수가 단숨에 2배 늘어나는 만큼, 이론적으로 성능도 100% 향상되는 효과를 가져올 수 있다. 삼성전자는 "해당 논문은 VLSI 심포지엄에서 10점 만점에 8.29점이라는 높은 점수로 1000편이 넘는 제출 논문 중 최상위권에 기재됐다"며 "수직 구조는 동일한 크기에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어, 차세대 로직 반도체를 발전시키는 새로운 길을 열어준다"고 강조했다.

2026.06.17 16:30장경윤 기자

삼성전자, 내년 상반기 10나노급 7세대 '1d D램' 양산 준비

삼성전자의 차세대 D램 양산 계획이 구체화되고 있다. 현재 복수의 협력사들과 7세대 10나노급(1d) D램 양산을 위한 장비 개발을 진행 중으로, 이르면 내년 2분기 도입을 목표로 하고 있는 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 내년 상반기부터 1d D램에 대한 초도 양산 준비에 나설 예정이다. 1d는 회로 선폭이 10~11나노미터(nm) 수준인 D램이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 6세대 10나노급(1c) D램의 경우 선폭이 11~12나노 수준으로 평가된다. 선폭이 좁을수록 D램의 성능 및 전력효율이 개선된다. 그간 삼성전자는 1d D램의 초기 샘플 제작 등 양산을 위한 내부 평가를 거쳐 왔다. 일각에서는 삼성전자가 이르면 올해 1d D램 양산에 나설 것으로 전망하기도 했으나, 현실성이 떨어진다는 지적이 제기된다. 1d D램 제조에 쓰일 주요 장비들이 아직 개발 단계에 머물러 있기 때문이다. 현재 삼성전자가 협력사와 논의 중인 1d D램용 양산 장비의 도입 목표 시점은 내년 2분기인 것으로 알려졌다. 실제 양산 준비에 필요한 시간을 고려하면, 삼성전자가 1d D램의 초도 양산에 나설 수 있는 시점은 빨라야 내년 말께로 분석된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 주요 협력사들과 1d D램의 수율 및 성능 안정화를 위한 연구개발을 적극 진행하고 있다"며 "일정은 변동될 수 있으나 내년 2분기 혹은 3분기에 양산장비를 도입하는 것이 목표"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자의 1d D램은 비교적 개발 진척도가 높은 공정으로, 내년 양산이 시작될 수 있을 것으로 보고 있다"며 "올 연말께 계획이 구체화될 전망"이라고 말했다. 삼성전자의 1d D램은 자체 AI 메모리 사업에 있어 매우 중요한 역할을 차지할 것으로 기대된다. 특히 오는 2029년 상용화가 예상되는 9세대 고대역폭메모리(HBM5E)의 코어(Core) 다이로 채택될 예정이다.

2026.06.17 14:25장경윤 기자

삼성 파운드리, 美클라로스와 맞손…AI 데이터센터용 전력반도체 양산

삼성전자 파운드리 사업부가 미국 전력관리 솔루션 스타트업 클라로스(Claros)와 전략적 제조 협력 계약을 체결하고, 인공지능(AI) 데이터센터용 차세대 전력 반도체를 양산한다. 클라로스는 16일(현지시간) 배포한 보도자료에서 삼성 파운드리 공정 기술을 활용해 자사 핵심 제품 '통합전압조정기(IVR)' 대량 생산체제를 구축하기로 합의했다고 밝혔다. 이번 협력은 글로벌 하이퍼스케일러들의 난제로 꼽히는 데이터센터 전력 소비 문제를 해결하기 위한 조치다. 클라로스가 개발한 IVR은 데이터센터 전력을 프로세서 직전 단계에서 정밀 제어하는 고성능 전력 반도체다. 기존 800VDC(직류) 데이터센터 환경에서는 전력 수송 과정의 손실이 컸으나, 이 기술을 적용하면 프로세서 유닛 수 밀리미터(mm) 거리에서 전력을 직접 조절해 에너지 손실을 최대 30%까지 줄일 수 있다. 삼성전자는 미국 내에 위치한 14nm(나노미터, 10억분의 1m) 핀펫(FinFET) 미세 공정 라인을 제공해 클라로스의 차세대 IVR 제품을 생산할 예정이다. 마가렛 한 삼성전자 미국 파운드리사업부 부사장은 "프로세서 레벨의 전력 공급은 현재 AI 인프라가 직면한 핵심 도전과제 중 하나"라며 "클라로스의 혁신적 IVR 솔루션을 삼성의 핀펫 기술을 통해 구현해 기쁘고, 향후 이 기술이 데이터센터를 넘어 산업용 및 차량용 반도체 분야까지 확대될 것으로 기대한다"고 밝혔다. 최근 3000만 달러(약 453억원) 규모 시드 투자를 유치한 클라로스는 이번 삼성전자와의 첫 제조 계약을 발판 삼아 AI 가속기 시장의 전력 인프라 병목 현상 해결에 속도를 낼 계획이다. 다니엘 컬트란 클라로스 공동창업자 겸 최고경영자(CEO)는 "데이터센터 운영사들과 논의에서 큰 걸림돌은 대량 공급 가능 여부였다"며 "삼성 파운드리와의 이번 계약을 통해 공급 불확실성을 해소했고, 고객사들이 신뢰할 수 있는 구체적인 생산 타임라인을 마련했다"고 강조했다.

2026.06.17 09:37전화평 기자

삼성 파운드리, 내년 MPW '2나노' 공정까지 연다…AI칩 협력 강화

삼성전자 파운드리 사업부가 내년 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 공정을 2나노미터(nm)까지 확대한다. 2나노 공정은 현재 상용화된 가장 최첨단 공정으로, 국내 팹리스 기업의 초고성능 인공지능(AI) 반도체 개발에 속도가 붙을 것으로 기대된다. 송태중 삼성전자 파운드리사업부 상무는 15일 오후 서울 양재 엘타워에서 열린 'M.AX 얼라이언스 상반기 총회'에서 이같이 밝혔다. MPW는 파운드리 기업이 웨이퍼 하나에 복수의 팹리스가 개발한 칩을 올려서 시제품을 양산하는 서비스다. 웨이퍼 전체 비용을 낼 필요가 없기 때문에 팹리스 입장에서 개발비용 부담을 덜 수 있다. 삼성전자는 자사 파운드리 생태계 강화를 위해 매년 다양한 공정의 MPW 서비스를 진행해 왔다. 지난해와 올해의 경우, 가장 최첨단 공정은 4나노까지 개방했다. 내년부터는 2나노 공정까지 MPW를 진행한다. 2나노는 파운드리 업계에서 상용화된 가장 최신 공정이다. 제조 난도가 높아 AI, 고성능컴퓨팅(HPC) 등 일부 초고성능 반도체 분야에만 적용하고 있다. 세부적으로 2나노 및 4나노 공정은 내년 7회, 5~28나노 공정은 내년 11회의 MPW를 진행할 예정이다. 구형에 속하는 8인치 공정까지 고려하면 총 MPW 진행 수는 더 늘어날 것으로 예상된다. 송 상무는 "삼성 파운드리는 'SAFE'라는 이름으로 주변 생태계와 함께 최첨단 공정을 확장 개발하고 있다"며 "또한 AI 반도체 M.AX 얼라이언스를 통해 K-온디바이스 수요 기업, 팹리스, 파트너 기업들이 목표를 달성하도록 최선을 다하겠다"고 말했다. M.AX 얼라이언스 상반기 총회에는 수요기업, 팹리스, 파운드리, 반도체 IP 기업, 반도체산업협회, 한국산업기술기획평가원(KEIT) 등 업계·관계자 150여 명이 참석했다. 이번 행사는 '반도체 제조지원 TF' 업무협약 체결식, 'K-온디바이스 AI반도체 기술개발 사업' 설명회 등 국산 AI칩 확보 전략을 논의하기 위해 마련됐다.

2026.06.15 16:25장경윤 기자

삼성전기, "턴키로 실리콘 커패시터 판매 확대…우주·광통신 기업도 겨냥"

삼성전기가 실리콘 커패시터를 적층세라믹커패시터(MLCC), 고성능 반도체 기판과 함께 토탈 솔루션으로 공급한다. 삼성전기는 기존 제품과 시너지 효과로 실리콘 커패시터를 우주항공과 광통신 기업에도 판매할 계획이다. 김원기 삼성전기 그룹장은 지난 11일 서울 중구에서 진행된 실리콘 커패시터 설명회에서 "패키지(기판), MLCC, 실리콘 커패시터 담당자가 같이 다니며 마케팅을 하고 있다"며 "고객사는 공급사와 MLCC와 실리콘 캐패시터 중 어떤 걸 쓰는 게 좋을지, 그리고 실리콘 커패시터를 반도체 기판 내부와 외부 중 어디에 탑재하는 것이 나을지 협의해야 한다. 이게 바로 삼성전기 장점이다. 실리콘 커패시터만 하는 회사는 이러한 논의가 불가능하다"고 강조했다. 실리콘 커패시터는 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 고속·고밀도 전자장치 전력 안정성을 높이고 부품 집적도를 높일 때 사용한다. 커패시터는 전기를 일시 저장했다가 반도체가 필요로 할 때 안정적으로 공급하는 댐 역할, 그리고 미세한 전기 노이즈를 걸러내는 필터 역할을 한다. 기존에는 MLCC를 사용했지만 좁은 공간에서 더 높은 성능을 구현하기 위해 실리콘 커패시터를 탑재하는 경우가 늘고 있다. 김 그룹장은 "일반 시장에는 MLCC로 거의 커버되고, 아주 높은 성능 파워가 정확히 필요한 곳에는 실리콘 커패시터가 사용된다"며 "예전에는 실리콘 캐패시터가 MLCC 시장을 잡아먹는 것 아니냐는 는논의가 있었는데, 지금 시장 흐름은 MLCC가 커버 못 하는 부분을 실리콘 커패시터가 담당하는 모습"이라고 설명했다. 그러면서 "삼성전기는 이미 가지고 있는 마케팅망과, 이미 판매 중인 패키지 기판에 실리콘 커패시터를 빨리 덧붙여서 토탈 솔루션을 공급해 시장 주도권을 확대하는 게 중요하다"고 덧붙였다. 삼성전기는 실리콘 커패시터와 기존 제품을 단순히 묶음 판매하는 것에 그치지 않고, 하나의 제품으로 융합해 판매 중이다. 김 그룹장은 "플립칩-볼그리드어레이(FC-BGA)에 임베디드(내장)된 실리콘 커패시터를 이제 막 램프업하고 있고, (생산)비중으로 보면 기판 안에 넣은 게 좀 많은 것 같다"고 말했다. FC-BGA는 고성능 반도체 기판으로 인공지능(AI) 데이터센터, PC 중앙처리장치(CPU) 등에 쓰인다. "고온에서도 안정적 성능…저궤도 위성에 제격" 우주항공 분야 기업도 실리콘 커패시터 사용을 적극 검토하고 있다. 그는 "파워(전압)가 변할 때와 온도가 많이 변할 때 실리콘 커패시터가 우수한 성능을 낸다"며 "저궤도 위성이 하루에 10번 지구를 돈다면 그 중 절반은 태양열을 받아 뜨겁고, 나머지 절반은 그늘에 들어가 차가울 것이다. 이럴 때 성능이 들쭉날쭉하면 시스템 설계가 어렵다. 기업들이 성능이 일정하게 유지되는 실리콘 커패시터를 찾고 있다"고 설명했다. 광통신 분야도 기대하고 있다. 김 그룹장은 "데이터센터는 랙으로 구성돼 있고, 랙은 광통신으로 연결돼 있다"며 "광통신에 사용되는 주파수가 굉장히 높아 여기에 쓸 수 있는 소재가 한정돼 있다. MLCC로는 이 정도 주파수 특성을 잘 내지 못하기 때문에 실리콘 커패시터 사용을 고려하고 있다"고 말했다. 앞서 삼성전기는 지난달 글로벌 대형 기업에 1조 5570억원 규모 실리콘 커패시터 공급 계약을 체결했다고 공시했다. 계약 상대는 미국 빅테크로 추정된다. 이번 판매는 삼성전기가 신성장 동력으로 육성해 온 실리콘 커패시터 사업의 첫 대규모 공급 성과다. 당시 장덕현 삼성전기 사장은 "이번 계약은 삼성전기가 AI 시대 핵심 부품 토털 솔루션 공급자로서 입지를 다지는 중요한 이정표"라며 "향후 제품 라인업을 확대해 글로벌 고객사와 협력을 강화하겠다"고 말했다.

2026.06.14 09:00진운용 기자

비씨엔씨, 램리서치 디자인 2건 무효화 무산...특허법원 항소 관심

램리서치와 반도체 공정용 에지 링 관련 산업재산권 분쟁 중인 비씨엔씨가 램리서치 디자인 2건 무효화를 노렸지만 일단 무위로 돌아갔다. 비씨엔씨는 이번 특허심판원 판단에 대해 불복할 수 있다. 비씨엔씨가 램리서치 특허 3건을 상대로 특허심판원에 청구했던 무효심판 3건 중 2건은 무효, 1건은 유효라는 판단을 받은 상태다. 이들 판단에 대해선 램리서치와 비씨엔씨가 각각 항소했다. 디자인과 특허분쟁 모두 진행 중이다. 링은 반도체 공정 식각장비 내부에 장착하는 실리콘 부품이다. 식각장비 내부에서 생성된 플라스마가 웨이퍼 바깥으로 퍼지지 않도록 물리적으로 가두는 역할을 한다. 링은 주로 내플라즈마·내열성이 우수한 쿼츠 재질을 사용한다. 14일 업계에 따르면 특허심판원은 지난 5월 하순 램리서치의 디자인 '반도체 제조장치용 에지 링'(등록번호 1026248, 1026250) 2건은 유효하다고 판단(심결)했다. 비씨엔씨가 지난 2024년 11월 해당 디자인 2건이 무효라며 무효심판을 청구했는데, 특허심판원이 기각했다. 비씨엔씨가 특허심판원 심결에 불복할 경우 특허법원에 항소(심결취소소송)할 수 있다. 비씨엔씨는 램리서치와 서울중앙지방법원에서 디자인침해소송도 진행 중이다. 원고는 램리서치, 피고는 비씨엔씨다. 눈여겨볼 것은 비씨엔씨가 램리서치와 벌이고 있는 특허분쟁이다. 비씨엔씨는 램리서치 디자인 2건을 상대로 무효심판을 청구한 지난 2024년 11월, 램리서치의 특허 2건 '하단 링 및 중간 에지 링'(등록번호 2182298, 2254224)에 대해서도 무효심판을 청구했다. 당시 청구한 무효심판 2건에 대해선 특허심판원이 지난해 9~10월 무효라고 심결했다. 이 심결에 대해선 램리서치가 특허법원에 심결취소소송을 제기했다. 비씨엔씨가 2025년 4월 무효심판을 청구한 램리서치의 또 다른 특허 '기판 프로세싱 시스템을 위한 감소된 커패시턴스 변화를 갖는 이동식 에지 링들'(등록번호 2646633)에 대해 특허심판원은 2025년 10월 유효하다고 심결했다. 이에 대해선 비씨엔씨가 2025년 12월 특허법원에 항소했다. 두 업체가 분쟁 중인 램리서치의 쟁점 특허와 디자인 가운데, 특허가 최종 무효가 되더라도 디자인이 유효라는 최종 판결, 그리고 비씨엔씨가 해당 디자인을 침해했다는 판결이 나오면 비씨엔씨는 제품을 다시 설계해야 할 가능성도 있다. 다만, 반도체 공정용 에지 링이 다품종 소량생산 제품이어서, 분쟁 관련 품목이 비씨엔씨의 전체 링 매출에서 차지하는 비중은 작을 수 있다. 세계 식각장비 1위 램리서치는 삼성전자와 SK하이닉스 등에 반도체 공정 부품을 공급하는 국내 애프터마켓 업체를 상대로 산업재산권 분쟁 중이다. 비씨엔씨 외에 CMTX(씨엠티엑스), SHM, 플라텍, 윌비에스엔티, 월덱스 등이 램리서치와 싸우고 있다. 지난 5월 램리서치는 CMTX를 상대로 특허법원에 항소했다. 지난 4월 특허심판원이 램리서치의 '한정 링'(C-링) 특허를 CMTX가 침해하지 않았다고 심결했는데, 램리서치가 이에 불복하고 특허법원에 심결취소소송을 제기했다. 같은 달, 플라텍은 램리서치의 '캠 고정 전극 클램프' 특허가 유효라는 특허심판원 심결에 불복하고 특허법원에 심결취소소송을 제기했다.

2026.06.14 00:15이기종 기자

삼성·SK "온디바이스 AI, PIM으로 뚫는다"…메모리 연산 시대 본격화

기기 자체에서 AI를 구동하는 '온디바이스 AI' 시장이 폭발적으로 성장하면서, 이에 최적화된 하드웨어 기술로 PIM(프로세싱 인 메모리)이 부상하고 있다. 거대언어모델(LLM)을 기기 내부에서 매끄럽게 돌리기 위해서는 막대한 데이터 대역폭이 필수적인데, 스스로 연산 기능을 품은 PIM이 이 병목을 해결할 구원투수로 낙점된 것이다. 온디바이스 AI 시장 선점을 위해 삼성전자와 SK하이닉스는 PIM 기술 개발에 열을 올리고 있다. 12일 KAIST 서울캠퍼스에서 열린 '제1회 AI-PIM 반도체 워크숍'에서는 국내 반도체 양사의 지능형 메모리 연구 현황과 향후 전략이 나란히 공개됐다. 삼성전자, 시뮬레이터 실증 딛고 'LPDDR6-PIM' 표준화 주도 삼성전자는 기술의 범용성과 생태계 표준화를 무기로 내세웠다. 이석한 삼성전자 수석은 하드웨어·소프트웨어 통합 시뮬레이터 'LPDDR5X-PIM Sim'을 소개했다. 삼성전자는 이 시뮬레이터를 통해 가상 환경에서 PIM을 구동, 데이터 이동 전력을 획기적으로 줄여 전체 에너지 효율 상승을 실증했다. 이 수석은 “고객사나 SoC 업체 입장에서는 완전히 새로운 PIM 명령어를 바닥부터 다시 학습하고 적용하는 게 큰 장벽”이라며 “'LP5X-PIM Sim' 시뮬레이터는 기존 HBM-PIM 때부터 맞춰온 표준 프로토콜(BCPP) 호환성을 그대로 유지하면서 작동하도록 설계돼 실물 반도체 없이도 가상 환경에서 데이터 타입(FP16·BF16·INT32)이나 레이아웃 호환성을 미리 매끄럽게 맞춰볼 수 있도록 지원하는 것이 핵심”이라고 설명했다. 특히 이 수석은 차세대 'LPDDR6-PIM'에 대한 구체적인 표준화 전망을 내놨다. 그는 "현재 JEDEC(국제반도체표준협의기구)의 태스크그룹에서 LPDDR6-PIM 표준화를 논의 중"이라며 "향후 과거 x86 CPU 시장처럼 명령어 세트 표준은 공유하되, 내부 아키텍처 설계는 삼성이나 SK 등 각 벤더의 역량과 전략에 따라 완전히 다르게 분화되는 흥미로운 경쟁이 벌어질 것"이라고 내다봤다. SK하이닉스, '어텐션 가속' 특화…투랭크로 용량 한계 돌파 SK하이닉스는 LLM 구동 환경에서 가장 부하가 큰 핵심 연산 부위만을 타깃 가속하는 실전 지향형 전략을 펼치고 있다. 추론 과정의 80~90%를 차지하는 '어텐션 연산'을 전담해 가속하는 독자적인 'GDDR6-AiM' 아키텍처가 대표적이다. 뱅크 내부에서 데이터를 재사용하는 구조를 통해 내부 대역폭을 16배 확보하고, 에너지 효율은 4배 가까이 개선했다. 특히 SK하이닉스는 검증되지 않은 메모리를 위해 메인 컨트롤러를 쉽사리 변경하지 않는 글로벌 고객사들의 진입 장벽을 깨기 위해, PCIe 카드 형태의 가속기 인프라인 'AX 시스템'을 직접 제작해 성능을 증명해 왔다. 최해랑 SK하이닉스 팀장은 "GDDR6 표준 스펙의 한계를 소프트웨어 레벨에서 극복해 투랭크(Two-Rank) 시스템을 제어, 용량을 32GB까지 확장하는 데 성공했다"며 "실물 칩으로 완전 전환할 경우 일반 시스템 대비 최대 12배의 성능 향상이 가능하다"고 강조했다. 물리적 변화·전력망 디자인 등 상용화 위한 '제조 숙제' 다만 이날 워크숍에서 양사 관계자는 PIM 반도체가 글로벌 상용화와 대량 양산 체제로 진입하기 위해 반드시 해결해야 할 과제가 있다고 밝혔다. 이 수석은 연산기 탑재로 인한 D램의 물리적 변화와 트레이드 오프(상충 관계)를 지적했다. 그는 "메모리 내부에 연산 블록을 넣다 보니 D램 다이 면적이 커져 비용 상승 압박이 발생하고, 순간적인 대량 연산 시 전력망이 버티지 못하고 흔들리는 파워 드롭 현상이 필연적으로 동반된다"며 "특히 연산할 때 발생하는 열이 D램 셀의 데이터 누설을 심화시키기 때문에, 시스템 PMIC(전력관리반도체) 용량 확장이나 패키징 단의 발열 제어 연구가 완벽히 받쳐주지 않으면 실전 상용화가 어렵다"고 털어놓았다.

2026.06.12 17:31전화평 기자

삼성전자, '엑시노스 2600' AI 성능 자신감..."전작 대비 두 배 향상"

삼성전자가 최신형 모바일 어플리케이션 프로세서(AP)인 '엑시노스 2600'의 온디바이스 AI 성능을 자신했다. 최근 진행된 테스트 결과 해당 칩셋은 다양한 AI 모델에서 전작(엑시노스 2500) 대비 2배 이상의 성능을 기록한 것으로 나타났다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엑시노스 2600에 대한 AI 성능 벤치마크 테스트 결과를 공개했다. 엑시노스 2600은 삼성전자의 최신형 모바일 AP로, 최첨단 파운드리 공정인 2나노미터(nm)를 기반으로 한다. 올해 초 출시된 플래그십 스마트폰 '갤럭시S26' 시리즈의 일반 및 플러스 모델에 채용됐다. 엑시노스 2600은 온디바이스 AI에 초점을 맞춰 설계됐다. 삼성전자 내부 테스트 결과 칩에 탑재된 신경망처리장치(NPU)의 생성형 AI 성능은 전작 대비 113% 향상된 것으로 집계된 바 있다. 실제로 삼성전자가 지난 10일 MLPerf 테스트를 진행한 결과, 엑시노스 2600은 전작 대비 AI 성능이 크게 개선됐다. MLPerf는 하드웨어 및 소프트웨어의 다양한 AI 성능을 평가할 수 있는 공신력 있는 벤치마크다. 세부적으로 모바일용 자연어처리(NLP) 모델인 'Mobile-BERT' 분야에서 1199.57QPS(초당 처리 쿼리 수)를 기록했다. 전작 대비 2.1배 이상 향상된 수준이다. QPS는 시스템이 1초간 얼마나 많은 데이터를 처리할 수 있는지를 나타낸 것으로, AI 모델의 추론 성능을 가늠하는 지표로 활용된다. 이미지를 생성하는 AI 모델 '스테이블 디퓨전(Stable Diffusion)'에서는 0.53QPS를 달성했다. 전작 대비 2.4배 이상 향상됐다. 삼성전자는 "자사의 최신 MLPerf 테스트 결과는 엑시노스의 큰 도약을 입증한 것"이라며 "엑시노스는 반응성이 뛰어난 에이전틱 AI부터 이미지 생성까지 온디바이스 AI 기술을 지속 발전시키고 있다"고 설명했다.

2026.06.12 08:30장경윤 기자

삼성전자 반도체 모멘텀의 마지막 퍼즐은 '패키징'

삼성전자 반도체 사업이 고대역폭메모리(HBM), 파운드리를 중심으로 본격 반등세에 올랐다. 그러나 인공지능(AI) 칩 제조 핵심으로 부상한 최첨단 패키징 분야에서는 아직 뚜렷한 존재감을 드러내지 못하고 있다. 업계에선 특히 2.5D 패키징에서 대형 고객 확보가 시급하다는 평가가 나온다. 8일 업계에 따르면 삼성전자의 자체 2.5D 패키징 기술 '큐브(Cube)' 누적 출하량은 아직 소량인 것으로 파악됐다. 현재 확보한 수주도 스타트업 초도물량이나 단기 프로젝트성 비중이 큰 것으로 알려졌다. 주요 경쟁사인 TSMC·인텔이 2.5D 패키징 사업을 적극 확대하는 것과 대비된다. TSMC·인텔 치고 나가는데…삼성전자, 2.5D 패키징 대형 고객사 부재 2.5D 패키징은 반도체 칩과 기판 사이에 얇은 막 형태 인터포저를 삽입해, 칩 성능을 높이는 기술이다. 반도체 업계에서 중요성이 점차 커지고 있다. AI 데이터센터 필수요소인 AI 가속기가 고성능 시스템 반도체와 HBM 등을 2.5D 패키징으로 집적해 만들기 때문이다. 실제 삼성전자는 HBM 시장이 확대되던 시기, 자사 파운드리와 HBM, 2.5D 패키징을 턴키(Tunr-key)로 제공하는 비즈니스를 무기로 삼아 왔다. 삼성전자가 패키징 분야에서는 지난 2024년부터 자체 2.5D 패키징 기술 큐브 시장 확대에 힘써 왔다. 그러나 삼성전자 2.5D 패키징 기술이 빅테크의 AI 가속기에 채택된 사례는 아직 확인된 바 없다. 현재 삼성전자의 2.5D 패키징을 활용 중인 고객은 미국 IBM과 국내 AI 팹리스 스타트업인 리벨리온 등으로 파악된다. 패키징 업계 한 관계자는 "삼성전자 2.5D 패키징 플랫폼을 채택한 고객은 아직 출하량이 적거나 수개월 단위 단기 프로젝트성 생산에 머무르고 있다"며 "최첨단 패키징이 칩 성능을 크게 좌우하는 시대가 된 만큼 삼성전자도 해당 분야 경쟁력을 집중 보강할 필요가 있다"고 설명했다. 삼성전자 주요 경쟁사인 TSMC, 인텔이 각각 2.5D 패키징에서 괄목할 만한 성장을 거두는 것과 대비된다. 전 세계 파운드리 시장을 선도하는 TSMC는 자체 2.5D 패키징 '칩-온-웨이퍼-온-서브스트레이트(CoWoS)' 생산능력을 지난해 말 월 3만 5000장 수준에서 올해 말 13만장 수준까지 확대하는 투자를 집행 중이다. 인텔은 자사 2.5D 패키징 '임베디드-멀티다이-인터커넥트-브릿지(EMIB)' 상용화를 본격화하고 있다. 구글이 자체 AI 반도체 텐서처리장치(TPU) 양산에 EMIB를 채택해, 내년부터 양산에 나설 것으로 알려졌다. 칩 대형화...삼성전자, PLP로 반전 가능성 삼성전자에 기회가 없는 것은 아니다. 현재 삼성전자는 2.5D 패키징 개발 방향성을 기존 웨이퍼레벨패키징(WLP)에서 패널레벨패키징(PLP)으로 선회하고 있다. 패널레벨패키징은 넓은 사각형 패널 위에서 패키징을 진행하는 공정이다. 기존 웨이퍼(직경 300mm) 상 패키징 대비 면적이 넓고, 칩을 효율적으로 배치할 수 있어 생산성이 높다. 특히 최근 AI 반도체는 성능 향상을 위해 칩 사이즈가 커지고 있어, PLP 적용성은 확대될 전망이다. 이에 삼성전자는 큐브에 WLP 대신 PLP를 적용하는 한편, 초대형 칩을 위한 '시스템온패널(SoP)' 상용화를 추진 중이다. SoP는 대형 사각형 패널 위에서 여러 반도체를 이어 붙이는 기술로, 현재 415x510mm 크기로 개발되고 있다. 또 다른 패키징 업계 관계자는 "삼성전자가 메모리 반도체 대비 시스템 반도체용 최첨단 패키징 기술의 양산 개발에 소홀했던 것이 향후 사업 경쟁력을 저해하는 요소로 작용할 위험이 있다"며 "AI 칩 분야에서 PLP 적용이 본격화되는 시점에 아이큐브 고객사를 빠르게 확보해야 할 것"이라고 밝혔다. 한편, 2.5D 패키징을 제외하면 삼성전자 반도체 사업은 전체적으로 올해 뚜렷한 개선세를 보이고 있다. 글로벌 빅테크의 공격적 AI 인프라 투자로 최첨단 반도체 수요가 크게 증가했고, 최첨단 공정 개발도 속도가 붙었다. 삼성전자는 지난 2월 엔비디아향 HBM4(7세대 HBM) 양산 출하를 시작했다. 부진했던 HBM 사업을 반등시킬 초석을 마련했다. 올해 HBM 출하량을 전년비 3배 이상 확대한다는 계획도 세우고 있다. 파운드리 사업은 이르면 올해 하반기 흑자 전환할 것이란 기대가 나온다. 최근 테슬라, 엔비디아, 그록 등을 최첨단 공정 고객사로 유치했다.

2026.06.09 14:38장경윤 기자

HBF 시장 노리는 후공정 장비업계…국내외 기업 모두 참전

반도체 후공정 장비업계가 차세대 인공지능(AI) 메모리 고대역폭플래시(HBF)에 주목하고 있다. 국내외 주요 후공정 장비기업들이 대부분 HBF용 열압착(TC) 본더 개발에 뛰어든 것으로 5일 파악됐다. HBF는 데이터 저장장치로 쓰이는 낸드플래시를 수직 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)으로 연결해 대역폭을 끌어올린 차세대 메모리다. 현재 AI 데이터센터의 핵심 요소로 자리잡은 고대역폭메모리(HBM)와 구조가 유사하다. HBF는 미국 샌디스크가 표준화와 개발을 주도하고 있다. 샌디스크는 올해 하반기 HBF 첫 샘플, 내년 초에는 AI 칩과 결합된 샘플을 출시할 계획이다. 1세대 제품은 낸드를 16단으로 적층하는 게 목표다. SK하이닉스도 샌디스크와 표준화 작업 등에서 협력하고 있다. HBF 시장 규모를 예단할 수는 없으나, 업계는 HBF 상용화 시 TC 본더 업계가 즉각 수혜를 볼 수 있다고 기대한다. TC 본더는 각각의 메모리를 열과 압력으로 붙일 때 사용한다. 한 반도체 장비업체 관계자는 "HBM과 HBF용 TC 본더는 근본적으로 기술 구조가 동일해, 커스터마이징 수준으로도 대응이 가능할 것으로 보고 있다"며 "아직 표준이 확정되지 않았으나, HBF의 경우 HBM 대비 본딩 피치(간격)가 더 여유로울 것으로 보여 기술 난도가 낮을 것으로 예상한다"고 설명했다. 국내외 주요 후공정 장비기업은 HBF용 장비 개발에 뛰어들었다. 국내에서는 한미반도체와 한화세미텍이, 해외에서는 ASMPT와 쿨리케앤소파(K&S) 등이 공급망 진입을 추진 중이다. 한미반도체는 올 하반기 고객사에 HBF용 TC 본더 초도 물량 납품을 준비하고 있다. 진척 속도가 가장 빠르다는 평가를 받고 있다. 관건은 미세한 열과 압력 조절 능력이다. 낸드는 D램 대비 열과 압력에 취약하기 때문에, HBF 제조를 위해서는 TC 본딩 과정에서 발생하는 크랙(깨짐) 현상을 최대한 방지해야 한다. 또 다른 장비업계 관계자는 "샌디스크가 협력 관계에 있는 외주반도체패키징테스트(OSAT)를 통해 HBF 상용화를 적극 준비하고 있다"며 "후공정 장비기업 입장에서는 HBF가 HBM에 이어 또다른 격전지가 될 수 있다"고 전망했다.

2026.06.05 14:06장경윤 기자

브로드컴 "HBM 물량 2029년까지 확보 계획"

브로드컴이 맞춤형 인공지능(AI) 반도체 사업 성장을 자신했다. 구글·메타·앤트로픽 등 빅테크의 공격적인 AI 인프라 투자 확대가 주요 배경이다. 브로드컴은 고대역폭메모리(HBM) 물량에 대해 "올해와 내년에 필요한 물량은 안정적으로 확보했고, 2028년과 2029년 물량 확보 작업 중"이라고 밝혔다. 브로드컴은 3일(현지시간) 2026회계연도 2분기(2~4월) 실적발표 컨퍼런스콜에서 AI 반도체 사업전략을 소개하며 이러한 내용을 밝혔다. 시장 기대 못 미쳤지만…AI 반도체 매출 성장세 재확인 브로드컴의 2분기(2~4월) 매출은 221억 8700만 달러(약 33조 9300억원)로 전년 동기 대비 47.9%, 전 분기 대비 14.9% 증가했다. 순이익은 일반회계기준(GAAP) 93억 1000만 달러(약 14조 2400억원)로 같은 기간 88% 뛰었다. 실적 성장은 반도체가 견인했다. 반도체 사업부 매출은 150억 달러(약 22조 9400억원)로 전년 동기 대비 78.5%, 전 분기 대비 19.9% 증가했다. AI 부문 매출이 108억 달러(약 16조 5200억원)로 전년비 143% 급성장했다. 맞춤형 AI 가속기와 네트워크 수요가 강세였다. 호크 탄 브로드컴 최고경영자(CEO)는 "AI 반도체 매출 가속 성장으로 2분기 사상 최대 매출, 영업이익을 달성했다"며 "3분기(5~7월) AI 반도체 매출은 전년비 200% 이상 증가한 160억 달러(약 24조 4700억원)에 이를 것으로 예상한다"고 밝혔다. 3분기 매출 전망(160억 달러)은 시장 기대에는 미치지 못했다. 블룸버그가 집계한 시장 예상치는 172억 달러다. 2027회계연도(2026년 11월~2027년 10월) AI 반도체 매출 전망치 1000억 달러(약 162조 9600억원)는 앞서 제시했던 전망과 같다. 다만 브로드컴은 고객사들의 AI 인프라 투자가 여전히 견고하다고 강조했다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타·앤트로픽 등 고객사의 맞춤형 AI 반도체(XPU)를 위탁 개발하고 있다. 현재 확보한 고객사는 6곳이다. 호크 탄 CEO는 "앤트로픽에 대해서는 2026회계연도(2025년 11월~2026년 10월) 동안 1기가와트(GW) 이상 브로드컴 TPU 기반 컴퓨팅 접근을 제공하고 있고, 2027회계연도(2026년 11월~2027년 10월)부터 5GW를 추가 접근할 수 있는 계약을 지난 4월 체결했다"며 "오픈AI는 이미 실리콘을 공급해 올해 말 양산에 들어갈 것"이라고 강조했다. AI칩이 HBM 수요 촉진…"2028~2029년 물량 확보 중" 메타와도 지난 4월 여러 세대 AI 칩 공급 파트너십을 체결했다. 2028년 말까지 총 3GW 규모다. 다른 고객사 2곳도 2026회계연도 말부터 칩 출하를 시작하고, 2027회계연도에 양산이 확대될 예정이다. 브로드컴은 "2027회계연도 AI 칩 총 출하량이 10GW에 달하고, 2028회계연도에도 성장세가 지속될 것"이라고 기대했다. 브로드컴의 AI 반도체 사업 확대는 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 기업의 메모리 수요를 강력하게 촉진하고 있다. 최근 메모리 공급난 심화로 빅테크 기업들은 HBM 등을 중장기적으로 선제 확보하려는 움직임을 보이고 있다. 브로드컴도 이미 3년 뒤 반도체 공급까지 논의 중이다. 호크 탄 CEO는 반도체 웨이퍼와 HBM 물량 관련 질문에 "이미 올해와 내년에 필요한 물량을 안정적으로 확보했다"며 "현재는 2028년과 2029년 물량 확보 작업을 진행 중"이라고 밝혔다. 그는 이어 "지난 몇달 간 고객사들이 브로드컴을 찾아 추가 공급을 요청했고, 앞으로 이러한 흐름이 계속될 것"이라며 "(웨이퍼 및 HBM에 대해) 대체로 확보할 수 있다고 보고 있다"고 덧붙였다.

2026.06.04 15:06장경윤 기자

삼성전자, HBM5서 기술 초격차 시동…발열 낮춘 'HPB' 적용 추진

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장의 주도권 선점을 위한 기술 초격차에 나선다. 8세대 제품인 HBM5 목업(Mock-up)을 첫 공개하는 한편, HBM의 방열 특성 강화를 위한 신기술을 적용할 계획이다. 2일 삼성전자 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 대만 컴퓨텍스 2026 전시장에서 차세대 메모리 솔루션을 공개했다. 이날 송 사장은 "급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리, 파운드리, 로직, 패키징까지 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다"며 "특히 AI 시스템이 초고성능·초고집적 구조로 진화하면서 단순 메모리 성능뿐 아니라 데이터 처리 효율과 열관리 기술까지 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다"고 말했다. 특히 삼성전자는 이번 전시에서 HBM5 목업을 처음 공개했다. 목업은 제품 개발을 완성하기 전 실제와 동일하게 외형을 제작한 샘플을 뜻한다. HBM5 대응을 위한 차세대 기술 중 하나는 히트패스블록(HPB)이다. HPB는 AI 메모리 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 물리계층(PHY) 영역에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 만든다. 송 사장은 "삼성전자의 HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높인 것이 강점"이라며 "향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 시스템 전반의 효율 향상에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다"고 설명했다. 나아가 삼성전자는 이미 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현 및 검증을 마쳤다. 삼성전자는 "제품 설계, 메모리, 패키징까지 아우르는 종합 반도체 역량에서 비롯된 것"이라며 "향후 HBM5에 본격 적용해 제품 성능과 안정성을 더욱 고도화해나갈 계획"이라고 강조했다. 또한 삼성전자는 HBM5에 2나노 베이스 다이를 선제적으로 적용하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 웨이퍼 및 칩셋도 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이가 결합된 구조로, 삼성전자만의 토탈 솔루션 경쟁력이 집약된 제품이다. 지난 달 29일 삼성전자가 업계 최초로 샘플 출하를 마친 HBM4E는 핀당 14Gbps로 안정적으로 동작하며, 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 구현 가능해 한층 진화된 HBM 기술 경쟁력을 입증했다. 송 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획"이라고 말했다.

2026.06.02 14:31장경윤 기자

삼성 파운드리, 미세공정 우위·전력 비용 효율 '투트랙' 공략 나섰다

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 2나노미터(nm, 10억분의 1m) 미래 선점과 5·8나노 공정 가동률 상승 등 '투트랙 정공법'을 본격화했다. 미세 공정 기술 우위를 구축하는 동시에 전력과 비용 효율을 무기로 당장의 시장 수요를 흡수한다는 전략으로 풀이된다. 4나노 공정 생산능력은 이미 내년 물량까지 사실상 완판된 상태다. 2일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국에서 개최된 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2026'을 기점으로 2나노 공정 마케팅에 속도를 내고 있다. 미국 테일러 팹 1호기에 올해 2나노 장비 반입을 시작해 2027년 본격 양산에 돌입한다는 타임라인도 공식화했다. 마거릿 한 삼성전자 미국 파운드리 사업 총괄 부사장(EVP)은 "올해부터 미국 테일러 팹 1호기에 최첨단 2나노 캐파(CAPA, 생산능력) 장비를 설치하고, 2027년부터 본격 양산에 돌입할 것"이라고 발표했다. 동시에 국내외 디자인하우스(DSP) 업체에 5·8나노 공정 영업 강화를 직접 지시하며 실리콘 물량 확보를 위한 쌍끌이 전략을 펴고 있다. 단기 실적 강화 차원이다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자 파운드리가 2나노 영업을 본격화하는 것 같다"며 "이와 함께 5나노, 8나노 영업 강화를 요청했다"고 말했다. 현재 삼성 파운드리의 4나노 공정 캐파는 내년 물량까지 사실상 솔드아웃 상태로 파악된다. 이에 따라 삼성은 단기 잔여 캐파를 소화하기 위해 국내외 핵심 디자인하우스에 5나노와 8나노 공정 영업력을 강화하라는 지침을 내린 것이다. 선단 공정 병목을 피해 안정적인 5·8나노 라인으로 중소형 팹리스 물량을 흡수하겠다는 전략이다. 테슬라, SF2P 공정 낙점...시놉시스 "4나노 설계 2나노로 전환 가능" 이날 포럼에 참석한 글로벌 기술 기업의 기조연설도 삼성 파운드리가 제시한 투트랙 정공법 타당성을 뒷받침했다. 2나노 공정을 통한 미래 시장 선점과 전력·비용 효율이 검증된 5·8나노 공정 가치가 동시에 조명됐다. 아쇼크 엘루스 테슬라 AI팀 부사장은 "자율주행차와 옵티머스 로봇의 미래 두뇌가 될 차세대 'AI5' 칩 설계를 TSMC와 삼성전자 양사 공정 기반으로 동시 진행 중"이라고 말했다. 테슬라는 이번 포럼에서 삼성 파운드리 2나노 공정인 'SF2P'를 낙점해 개발을 이어가고 있다고 공식화했다. 테슬라는 이미 차량에 탑재하는 자율주행 칩 'HW 4.0(AI 4)'을 삼성 5나노 공정으로 대량 양산해 도로 위에서 안전성을 입증한 바 있다. 또 다른 반도체 업계 관계자는 "이번 포럼에서 논의된 2나노와 5나노 공정을 테슬라가 모두 이용 중인 점은 삼성 파운드리와 협력사 모두에 고무적"이라고 평했다. 글로벌 반도체 설계 자동화(EDA) 1위 시놉시스는 기술 난도가 높은 2나노 선단 공정 진입 문턱을 낮췄다. 사신 가지 시놉시스 최고경영자(CEO)는 "팹리스 고객사가 기존에 개발한 4나노 공정 기반 칩 설계를 2나노 공정으로 마이그레이션(공정 전환)하는 레이아웃 자동화 툴이 완벽하게 작동한다"고 밝혔다. 이 기술은 선단 공정 진입 과정에서 발생하는 3D IC 패키징의 열과 구조적 병목을 설계 초기부터 해결하는 기술이다. 토니 피알리스 퀄컴 데이터센터 부문 부사장은 에이전트 인공지능(AI) 시대 인프라가 직면한 새로운 병목 현상과 평가지표 변화를 짚었다. 피알리스 부사장은 "AI 에이전트가 구동되는 일련의 워크로드를 분석한 결과, 전체 연산 지연 시간의 90% 이상은 그래픽처리장치(GPU)가 아닌 '비(Non)-GPU 영역'에서 소비되며 GPU가 실제 100% 가동되는 백분율 시간은 55%에 불과하다"며 실증 데이터를 제시했다. 이어 "향후 AI 인프라의 핵심 평가지표가 단순 연산 성능에서 '와트당 성능(전력 효율)'과 '달러당 처리력(비용 효율)'으로 완전히 재편될 것"이라고 강조했다.

2026.06.02 10:32전화평 기자

젠슨 황 "베라 루빈 본격 양산…삼성·SK·마이크론 HBM4 탑재"

엔비디아가 차세대 AI 가속기인 '베라 루빈(Vera Rubin)'이 본격적인 양산 체제에 돌입했다고 강조했다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 1일 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026' 기조연설에서 "컴퓨팅 수요는 믿을 수 없을 정도로 높다"며 "베라 루빈이 본격적인 양산에 들어갔다(Vera Rubin in Full Production)"고 강조했다. 베라 루빈은 엔비디아가 올 하반기 공식 출시할 예정인 차세대 AI 가속기다. 해당 칩은 엔비디아가 자체 설계한 베라 CPU와 루빈 GPU, NV링크 6 스위치, 블루필드-4 DPU, 그록3 LPU 등 7개 요소로 구성된다. 젠슨 황 CEO는 "베라 루빈을 위한 공급망은 이전 세대인 '그레이스 블랙웰' 대비 2배나 크다"며 "랙 조립 시간도 이전 2시간이 걸렸던 것에 비해, 이제는 5분밖에 걸리지 않는다"고 말했다. 베라 루빈 양산을 위한 파트너사들과의 협력도 강조했다. 젠슨 황 CEO는 연설 도중 재생한 영상을 통해 "베라 루빈은 TSMC의 3나노미터(nm) 공정과 2.5D 패키징을 거친다"며 "마이크론, SK하이닉스, 삼성전자의 7세대 고대역폭메모리(HBM4)가 탑재된다"고 설명했다.

2026.06.01 13:32장경윤 기자

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