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삼성전자, 차세대 D램 'D0a' 로드맵 수정…하이브리드 본딩 앞당긴다

삼성전자가 차세대 D램 개발 전략을 수정했다. 기존 프로젝트성으로 개발되던 'B1b' 기술을 최근 정식 로드맵에 편입하고, 이를 첫 10나노미터(nm) 미만 D램인 'D0a'로 명명한 것으로 파악됐다. 당초 삼성전자 D0a은 수직트랜지스터(VCT) D램을 지칭하던 공정이었다. 대신 VCT D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분류됐다. 삼성전자가 D0a의 명칭을 변경한 이유는 범용 D램 내 최첨단 패키징 도입을 앞당기기 위한 조치이다. B1b는 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩을 적용해 내부 집적도를 높이는 기술을 뜻한다. 사안에 정통한 관계자는 "당초 B1b는 연구개발은 되고 있었으나 삼성전자의 정식 로드맵에는 없던 공정이다. 이번 전략 수정으로 D0a에 편입된 것"이라며 "삼성전자가 B1b D램의 발빠른 상용화를 적극적으로 추진 중이란 의미"라고 설명했다. 삼성전자, D0a 명칭 VCT D램→B1b로 전환 23일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 차세대 D램 D0a의 개념을 기존 VCT D램에서 B1b로 전환했다. D램은 내부 회로선폭을 줄이는 방식으로 진화해 왔다. 가장 최근 상용화된 D램은 1c(6세대 10나노급)다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 차세대 제품인 1d(7세대 10나노급)는 10~11나노로, 사실상 마지막 10나노급 D램에 해당한다. 다만 이때 선폭은 실제 물리적인 수치가 아닌, 성능을 가늠하기 위한 마케팅 용어다. 첫 10나노 미만 D램인 D0a를 구현하기 위해 삼성전자는 다양한 기술적 변혁을 시도해왔다. 대표적 기술이 B1b다. B1b는 메모리 셀과 주변부 구동회로인 페리를 각각 다른 웨이퍼에 제조한 뒤 붙이는 기술이다. 페리 위에 셀을 얹는 구조다. 기존 셀과 페리를 한 웨이퍼에 모두 집적하는 방식 대비 셀을 밀도 있게 배치하는 데 유리하다. 셀과 페리에 각각 최적화된 공정을 적용할 수 있다는 점도 장점이다. B1b에는 W2W 하이브리드 본딩을 적용한다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 연결해 붙인다. 작은 돌기(범프)로 칩을 연결하는 기존 패키징 대비 칩 집적도와 성능을 높일 수 있다. 400단 이상 고적층 낸드에서도 W2W 하이브리드 본딩 채용이 본격화된다. W2W는 웨이퍼와 웨이퍼를 붙인다는 의미다. B1b 서두르는 이유…"VCT D램 도입엔 시간 더 필요" 삼성전자 D0a 공정으로 불리던 VCT D램은 파생격인 D0a-V로 변경됐다. VCT는 D램 셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 내부에 수평으로 배치되던 트랜지스터를 수직으로 세우는 기술이다. 트랜지스터 구조를 수직으로 변경하면 셀 면적을 줄일 수 있다. 기존 셀 면적은 가로·세로 기준 치수(F:Feature)를 곱해 6F²(스퀘어)였다. VCT 적용 시 이를 4F스퀘어로 변경 가능하다. 셀 면적이 작아지면 동일한 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있다. 다만 VCT D램은 기술적 난이도가 매우 높은 것으로 평가받는다. 트랜지스터를 수직으로 형성하기 위한 고종횡비 식각 기술, 셀 면적 감소에 따른 누설 전류 증가를 해결하기 위한 신소재 적용 등이 필요하다. 반면 B1b와 같은 W2W 하이브리드 본딩은 CMOS 이미지센서, 고적층 낸드 등 기존 반도체 제조공정에서 이미 양산 적용된 바 있다. 이에 삼성전자는 D0a 공정 구현의 우선 순위를 기존 VCT D램에서 B1b로 변경한 것으로 풀이된다. 또 다른 관계자는 "디자인 상으로 VCT보다 B1b가 상용화 허들이 더 낮아서, 업계에서는 B1b 기술 선제 도입이 유력한 것으로 보고 있다"며 "삼성전자 내부에서도 VCT보다 B1b 도입을 더 서두르는 분위기"라고 말했다. B1b, 차세대 AI 메모리 사업에도 큰 영향 B1b는 삼성전자의 차세대 고대역폭메모리(HBM) 사업에서도 큰 역할을 할 수 있다. 현재 삼성전자는 B1b를 차세대 AI 메모리에 적용하는 방안을 검토하고 있다. 현재 삼성전자는 오는 2029년께 HBM5 양산에 들어갈 것으로 예상된다. 전작인 HBM4E 대비 동작속도를 약 50% 이상 높이는 것을 목표로 제품을 개발하고 있다. 한편 B1b 기반 D0a D램이 실제 상용화 궤도에 오르는 시점은 빨라야 2년 후 정도로 추산된다. 업계는 구체적인 양산 투자 일정이 내년 중반께 확정될 것으로 보고 있다. 물론 VCT D램도 지속 병행개발되고 있다. 향후에는 B1b를 기반으로 VCT D램, 3D D램 등이 개발될 가능성도 있다는 게 업계의 평가다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술로, VCT D램 이후 도입될 제품이다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "B1b는 궁극적으로 VCT D램이나 3D D램과 병행 적용될 것"이라며 "셀과 페리를 분리 제조할 경우 얻게되는 이점이 많아, 하이브리드 본딩은 하나의 플랫폼으로서 향후 D램 셀 아키텍처에 함께 적용될 것"이라고 설명했다.

2026.09.23 14:06장경윤 기자

삼성전자, 최신 퀄컴칩서 차세대 'LPDDR6' 업계 최초 검증 완료

삼성전자가 최근 퀄컴의 최첨단 모바일 칩셋 스냅드래곤8 엘리트 6세대에서 'LPDDR6' 검증을 완료했다. LPDDR6는 내년부터 본격 상용화 궤도에 오르는 차세대 저전력 메모리다. 삼성전자는 이번 검증을 통해 서버 및 엣지 AI 시장에서 D램 초격차를 유지할 수 있을 것으로 기대된다. 삼성전자는 자사 LPDDR6가 퀄컴의 최첨단 모바일 칩셋에서 검증을 완료했다고 23일 공식 블로그를 통해 밝혔다. LPDDR은 스마트폰, 서버 등에 탑재되는 저전력 D램이다. LPDDR6는 지난해 하반기 표준이 제정된 가장 최신 세대 규격에 해당한다. LPDDR6의 대역폭은 10.6~14.4Gbps로, 이전 세대(8.5~10.7Gbps) 대비 성능이 크게 향상됐다. 삼성전자는 최근 16GB 용량의 LPDDR6를 퀄컴의 최신 '스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대'에서 최대 10.7Gbps 속도로 업계 최초 검증하는 데 성공했다. 이번 성과는 초기 제품 개발 단계부터 이어져 온 삼성전자와 퀄컴 간 긴밀한 기술 협력을 바탕으로 이뤄졌다. 이를 통해 삼성 LPDDR6가 차세대 모바일 플랫폼의 요구 수준을 충족할 수 있음을 입증했으며, 양사는 고도화되는 온디바이스 AI 환경에 차세대 메모리 기술을 빠르게 접목할 수 있도록 협력을 이어가고 있다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "이번 검증으로 LPDDR6의 기술 경쟁력과 제품 완성도를 다시 한번 입증한 만큼, 향후 고객과 시장의 상용화 일정에 맞춰 고성능, 저전력 메모리 솔루션을 적기에 제공하고 차세대 AI 디바이스 시장을 선도해 나가겠다”고 말했다. 스마트폰 등 온디바이스 AI가 멀티모달 AI와 AI 에이전트로 고도화되면서, 업계에서는 고성능·저전력 LPDDR 수요가 확대되고 있다. 카운터포인트는 생성형 AI 스마트폰이 지난해 글로벌 스마트폰 출하량의 36%에서 2026년 45%, 2027년 52%로 확대돼 전체 스마트폰의 절반을 넘어설 것으로 전망했다. 실제로 스마트폰 출하량보다 메모리 탑재량이 빠르게 증가하는 추세다. 시장조사업체 옴디아 조사 결과 올해 1분기 글로벌 스마트폰 출하량은 전년 동기 대비 0.5% 증가한 반면, 스마트폰에 탑재된 전체 D램 용량은 6.1% 증가했다. 기기당 평균 D램 용량도 7.8GB에서 8.3GB로 5.5% 늘었다. 삼성전자는 이러한 시장 변화 속에서 글로벌 모바일 D램 시장 1위를 유지해 왔다. 옴디아에 따르면 올 1분기 삼성전자의 글로벌 모바일 D램 시장 점유율은 매출 기준 43%를 기록했다. 향후 LPDDR 시장에서는 LPDDR6 비중이 빠르게 확대될 전망이다. 옴디아는 전체 LPDDR 출하량 가운데 LPDDR6 비중이 2027년 3%에서 2028년 9%, 2029년 21%, 2030년 39%까지 확대될 것으로 내다봤다.

2026.09.23 10:40장경윤 기자

'반도체 초격차 신화' 권오현 전 삼성회장, KAIST 이사장에

대한민국 반도체 초격차를 이끈 권오현 전 삼성전자 대표이사 회장·오렌지플래닛 창업재단 이사장이 KAIST 이사장을 맡게 됐다. KAIST 이사회는 9월 21일 서울에서 제298회 임시이사회를 열고, 권오현 전 삼성회장을 신임 이사장으로 선임했다. 권 신임 이사장은 1975년 서울대 전기공학과를 졸업했다. 1977년 KAIST에서 전기공학 석사와 1985년 미국 스탠퍼드대학교에서 전기공학 박사학위를 취득했다. 1985년 미국 삼성반도체연구소 연구원으로 삼성에 합류한뒤 1992년 세계 최초 64Mb DRAM 개발을 이끌며 삼성전자 '초격차 전략'의 토대를 닦았다. 이후 삼성전자 반도체사업부 사장(2008~2011년), 대표이사 부회장(2012~2017년), 대표이사 회장 겸 종합기술원 회장(2017~2020년)을 지내며 한국 반도체 산업을 세계 1위로 끌어올린 엔지니어 출신 전문경영인으로 한 시대를 풍미했다. 경영 일선에서 물러난 뒤에는 한국발명진흥회 회장(2021~2022년), 서울대학교 제7대 이사장(2023~2025년)을 지냈다. 2025년 9월부터 기업인 출신으로는 처음으로 기획예산처(당시 기획재정부) 중장기전략위원회 위원장을 맡았다. 2021년부터는 청년 창업을 지원하는 오렌지플래닛 창업재단 이사장으로 활동하고 있다. 금탑산업훈장(2009년), 대한민국 최고과학기술인상(2014년), 인촌상 산업기술 부문(2012년), 다산기술상(1997년) 등을 받았으며, 저서로 '초격차(2018년)'와 '다시, 초격차(2020년)'가 있다. KAIST 동문인 권 이사장은 2018년 동문 최초로 KAIST 명예경영학박사 학위를 받았고, 창의적이고 도전적인 신진 연구자를 지원하는 '권오현조교수' 제도가 마련되는 데 힘을 보태 매년 물리·수학·화학·생명·공학 분야의 젊은 교원을 뒷받침하는 등 모교와 인연을 이어 왔다. 지난 8월 제297회 임시이사회에서 KAIST 이사로 선임된 데 이어 이번 이사회에서 이사장으로 선임됐다. 권 이사장의 임기는 부총리 겸 과학기술정보통신부 장관의 승인일부터 이사 임기 만료일인 2029년 8월 19일까지다.

2026.09.21 19:21박희범 기자

"中, 2030년 세계 메모리 생산 비중 20% 차지…韓도 '원팀' 필요"

세계 메모리 반도체 시장에서 중국 후발주자들의 생산능력 비중이 오는 2030년 20% 수준까지 확대될 것이라는 분석이 제기됐다. 21일 오전 서울 여의도 의원회관에서 열린 '대한민국 AI·반도체 메카프로젝트 지원을 위한 글로벌 반도체&AI 산업 세미나'에서 국내 반도체 생태계도 기업 간 경쟁 체제는 유지하되, 국가 인프라와 인재, 표준 등을 '원팀(One Team)'처럼 공동자산으로 활용해야 한다는 목소리가 나왔다. 中, 전체 메모리 생산서 향후 비중 20%…기술 진보도 빨라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 반도체 산업은 현재 글로벌 AI 인프라 투자에 따라 전례없는 호황을 맞고 있다. 테크인사이츠에 따르면 올해 메모리 전체 매출은 약 9000억 달러(한화 약 1247조원)로, 과거 최고치였던 전년 대비 4배 수준으로 예상된다. 주요 기업들의 영업이익률도 80%에 육박할 전망이다. 다만 중국 기업들이 메모리 시장을 본격적으로 공략하고 있어, 국내 기업들에게는 위험 요소로 작용하고 있다. 댄 킴 테크인사이츠 최고전략책임자(CSO)는 "중국은 정부 주도의 자본 투자로 사이클에 좌우되지 않는 막대한 투자를 집행 중"이라며 "전체 메모리 생산능력 중 중국이 차지하는 비중은 올해 10% 초반대에서 2030년 20%로 유의미한 수준까지 확대될 것"이라고 말했다. 대표적인 기업으로는 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT, 낸드 제조업체인 YMTC가 거론된다. 이들 기업은 단순한 설비투자 확대를 넘어, AI 인프라향 고부가 메모리도 매우 빠른 속도로 상용화하고 있다는 평가를 받고 있다. 특히 CXMT는 최근 차세대 모바일용 D램인 LPDDR6를 양산하기 시작한 것으로 알려졌다. 15나노미터(nm)급으로 알려진 'G5' 공정도 양산화했다. 고대역폭메모리(HBM)도 현지 서버 기업들과 지속적인 양산 검증을 거치고 있다. 中, 자체 완결형 AI 생태계가 강점…韓도 '원팀' 갖춰야 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "중국은 자체적으로 완성형 AI 생태계를 가지고 있다는 것이 가장 큰 강점"이라며 "AI 칩 설계 기업과 시스템 기업, 대규모 수요의 내수 시장, 장비기업, 정부 정책 등이 모두 연결돼 있다"고 말했다. 다만 중국 기업들의 추격 속도를 단순히 공정 세대만으로 파악해서는 안 된다는 것이 전문가의 조언이다. 최 부사장은 "셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 면적을 축소해도 수율이 낮거나 전력효율성이 떨어지면 효용이 없다"며 "공정 세대 명칭보다는 적용 기술이나 양산 완성도를 봐야한다"고 강조했다. 국내 기업들은 고부가 AI 메모리 분야에서 탄탄한 양산 경험을 보유하고 있다. 테크인사이츠는 이를 토대로 한국 반도체 산업이 국가 차원의 'One AI 팩토리'를 구축할 필요가 있다고 주장했다. 최 부사장은 "삼성전자의 통합형 AI 플랫폼, SK하이닉스의 고객형 계층 메모리 등을 잘 발전시킴과 동시에, 소부장이 공정 고도화를 담당해야 한다"며 "동시에 학계 밎 정부가 개별 기업이 해결하기 어려운 부분을 해결해, 기업 간 간경쟁 속에서도 국가 인프라 및 표준을 공동 자산으로 만들어야 한다"고 말했다.

2026.09.21 16:52장경윤 기자

"BOE, 반도체 패키징 전략 분명...삼성·LGD 관심은 중간"

전 세계 주요 패널 업체 중 BOE와 이노룩스만 첨단 반도체 패키징 전략이 분명하다는 관측이 나왔다. 시장조사업체 옴디아는 이달 중순 중국에서 개최한 컨퍼런스에서 "대부분의 패널 업체가 첨단 반도체 패키징 시장을 어느 정도 평가했다"며 이처럼 밝혔다. 삼성디스플레이와 LG디스플레이의 반도체 패키징 기술에 대한 관심은 '중간'(medium)으로 분류했다. 여기서 말하는 첨단 반도체 패키징 기술은 팬아웃(FO)-패널레벨패키징(PLP)과 반도체 유리기판 등을 말한다. 최근 수익성이 떨어졌거나 가동을 중단한 액정표시장치(LCD) 팹을 다시 활용하기 위해, 또는 신사업을 모색하기 위해 국내외 패널 업체는 반도체 패키징에 관심을 보이고 있다. 반도체 패키징 기술에 관심이 '높음'(high)으로 분류된 패널 업체는 BOE와 이노룩스, 한스타, JDI 4곳이다. 이들 기업 중 BOE와 이노룩스 2곳은 관련 전략이 분명하다고 평가됐다. 옴디아는 BOE가 510x515mm 기판을 사용하는 파일럿 라인을 구축했고, 유리 코어 등 일부 제품 샘플을 잠재 고객에 보냈다고 밝혔다. 양산 시기는 빨라야 2028년 이후로 추정됐다. BOE는 510x515mm 라인을 여러 단계에 걸쳐 확대하는 것을 포함해 장기 전략을 수립했다고 평가됐다. BOE는 ES윈(ESWIN) 지분을 보유하고 있다. ES윈의 자회사 이친트(Echint)는 현재 600x600mm FO-PLP 개발 라인을 보유하고 있다. BOE는 마이크로 발광다이오드(LED) 공동패키징광학(CPO) 기술을 개발 중이고, 화웨이 자회사 하이실리콘과도 협력 중이다. 마이크로 LED CPO에서 마이크로 LED는 기존 광통신에서 사용하던 레이저 광원을 대체한다. CPO는 기존 메인보드 가장자리에 꽂던 광섬유 모듈(트랜시버)을 연산 칩과 같은 기판 위에 통합한다. 마이크로 LED CPO는 데이터 전송효율을 높일 수 있다. 이노룩스는 전력반도체(PMIC) FO-PLP를 만드는 팹1 가동률을 높이고 있다. 이노룩스는 팹4와 팹2는 매각했고, 팹3와 팹5 매각을 검토 중이다. 이노룩스는 지난 6월 TSMC, 이비덴과 CoPoS(Chip on Panel on Substrate) 협력 파트너십을 체결했다. CoPoS는 유리(사각형) 인터포저를 사용하는 유리기판 기술이다. 파트너십으로 이노룩스는 유리관통전극(TGV)에, 이비덴은 빌드업 층에 집중할 것으로 예상됐다. TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)는 실리콘(원형) 인터포저를 사용하는 점에서 CoPoS와 다르다. 옴디아는 삼성디스플레이의 반도체 패키징 기술에 대한 관심이 중간이라고 평가했다. 이어 "(삼성그룹 계열사 중) 삼성전기가 삼성전자 반도체 사업을 지원하는 주요 패키징 업체"라며 "삼성디스플레이는 삼성전자와 함께 유리 인터포저 기술을 개발하고 있다"고 설명했다. LG디스플레이의 반도체 패키징 기술에 대한 관심도 중간으로 추정됐다. 옴디아는 "LG전자가 LG이노텍 등 그룹 계열사와 전략·기술을 구체화하고 있다"고 밝혔다. 이어 "LG디스플레이가 가동을 중단한 팹을 반도체 패키징용으로 사용할 수 있다"며 "LG디스플레이는 일부 기술 개발에 관여할 수 있다"고 덧붙였다.

2026.09.21 02:16이기종 기자

피지컬 AI·반도체·보안·양자까지 한눈에...AI 대축제 열린다

생성형 AI를 넘어 피지컬·에이전틱 AI로 급변하는 기술 전환기를 맞아, 글로벌 빅테크와 국내 대표 기업들이 AI 생태계의 현주소와 다가올 미래 확장성을 한눈에 조망하는 자리가 마련된다. 과학기술정보통신부 AI 주간(AI Week) 공식 행사인 'AI 페스타 26'이 10월 6일부터 8일까지 사흘간 서울 코엑스에서 열린다. 올해 행사는 216개 기업, 501개 부스 규모로 마련돼 역대 최대 규모로 개최되며, 글로벌 빅테크와 국내 주요 기업, 공공기관, 스타트업이 참여해 AI 산업의 현재와 미래를 조망하는 장이 될 전망이다. 이 행사는 과학기술정보통신부, 한국인공지능·소프트웨어산업협회(KOSA), AI페스타조직위원회가 주최·주관한다. 이번 AI 페스타에는 구글 딥마인드, AWS, 앤트로픽, 화웨이, 젠스파크, IBM, 퍼플렉시티, 유니티, 밀라(Mila) 등 글로벌 AI 기업·기관 관계자들이 연사로 참여한다. 여기에 KT, 삼성SDS, 야놀자, 롯데이노베이트, 두산로보틱스, 메가존클라우드, NHN클라우드, 한컴그룹, 티맥스소프트, 더존비즈온 등 국내 주요 기업들도 대거 합류해 AI 산업 전반의 최신 흐름을 공유할 예정이다. 행사장은 코엑스 3층 C홀과 300호, 317호, 4층 403호, 웨스틴 파르나스 서울 아틀라스홀 등으로 구성된다. 전시장에서는 생성형 AI를 넘어 피지컬 AI, AI 반도체, AI 인프라, 국방 AI, 보안·양자, 에이전틱 AI 등으로 확장되는 산업 지형 변화를 한눈에 확인할 수 있을 전망이다. 글로벌 연사부터 산업 현장 사례까지…AI 기술·비즈니스 전략 총망라 행사 첫날에는 메인 무대 프로그램인 'AI 서밋'이 열린다. 이 자리에는 글로벌 AI 업계를 대표하는 주요 연사들이 무대에 올라 기술 진화 방향과 산업 전략을 공유할 예정이다. 먼저 구글 딥마인드의 로라 아로요 박사가 글로벌 키노트를 맡아 AI 기술 발전 흐름과 산업 전반의 변화를 짚는다. 이어 AWS의 프레데리코 코스타 APAC AI 정책총괄이 아시아태평양 지역의 AI 정책 및 산업 확산 흐름을 소개하며, 글로벌 AI 경쟁 구도 속 기업들의 대응 방향을 제시할 예정이다. 계속해 글로벌 AI기업과 국내 주요기업 핵심 리더가 차례로 무대에 올라 올해의 AI 기술 진화 방향과 산업 적용 전략을 공유할 계획이다. 둘째날에는 AI페스타 대표 미래 기술 컨퍼런스인 퓨처 테크 컨퍼런스가 이어진다. 이날은 피지컬 AI와 로보틱스, 엔터프라이즈 AI 전환, 차세대 산업 혁신이 핵심 화두다. 특히 글로벌 세션에서는 화웨이코리아의 발리안 왕 대표, 젠스파크의 케이 주 최고개발책임자 겸 공동창업자, IBM의 셴커 V 셀바두라이 APAC 부사장 겸 최고개발책임자(CTO), 퍼플렉시티의 모리타 준 APAC 총괄대표 그리고 세계 최고 수준의 인공지능 연구기관인 밀라(Mila)의 프레데릭 로랑 파트너십 총괄 등이 연사로 참여해 글로벌리즘 AI 시장의 변화와 기업 전략, 차세대 기술 방향을 공유할 예정이다. 기업 현장에 적용되는 AI의 실제 변화와 미래 전략을 함께 확인할 수 있다는 점에서 업계 관심이 집중될 것으로 보인다. 인공지능 분야 9개 특별관 운영…피지컬AI AI반도체 에이전틱AI까지 확장 올해 AI 페스타는 전시 구성도 한층 세분화했다. 현장에는 ▲독자 AI 파운데이션 모델 특별관 ▲AI 경진대회 특별관 ▲피지컬 AI&로봇 특별관 ▲K-AI 파트너십 특별관 ▲에이전틱 AI+X 특별관 ▲AI 반도체 특별관 ▲AI 인프라 특별관 ▲국방 AI 특별관 ▲보안&양자 특별관 등 총 9개 테마 특별관이 운영된다. 이를 통해 대형 AI 모델과 서비스 경쟁을 넘어 로봇, 반도체, 인프라, 국방, 보안, 양자기술 등으로 확장되는 AI 산업의 흐름을 폭넓게 소개할 계획이다. 특히 AI 경진대회 특별관은 과학기술정보통신부가 추진하는 전국민 AI 경진대회와 연계해 전문가와 대학생은 물론 어린이·청소년 참가자들의 주요 성과물을 한자리에서 선보이는 공간으로 꾸며진다. AI가 특정 전문가 집단에 머무르지 않고 다양한 세대와 계층의 활용 역량으로 확산되고 있음을 보여준다는 점에서 의미가 있다. 네트워킹 시상 스타트업 교류까지… AI 산업 생태계 연결의 장 올해 행사는 전시와 콘퍼런스에 더해 네트워킹 프로그램도 강화했다. 행사 첫날 저녁에는 AI 리더스 디너가 열려 업계 주요 인사들이 교류하는 자리가 마련된다. 이 자리에서는 국가AI대상 시상도 함께 진행돼 혁신기업 10곳과 혁신가 1명을 선정할 예정이다. 또한 올해 신설 프로그램으로는 AIR(AI Realization) Showcase, 2026 AI 밍글링(Mingling), AI 융합인재개발포럼 등이 준비됐다. 이를 통해 참가 기업과 기관, 스타트업, 투자자, 업계 관계자들이 기술과 사업 협력 가능성을 구체적으로 모색하는 기회가 될 것으로 보인다. 업계에서는 이번 행사가 단순 전시를 넘어 국내 AI 생태계의 현재 역량과 향후 협력 가능성을 집약적으로 보여주는 무대가 될 것으로 보고 있다. 글로벌 빅테크와 국내 기업, 공공기관, 스타트업이 한 자리에 모이는 만큼 기술 경쟁력은 물론 산업 간 연결과 확장 가능성도 함께 확인할 수 있을 것이라는 평가다. 행사 참여는 공식 홈페이지를 통해 신청이 가능하며 사전 등록시 전시와 일부 컨퍼런스 프로그램은 무료로 참여할 수 있다. 마감은 10월 2일 오후 6시다.

2026.09.17 11:09백봉삼 기자

0.7nm 두께 단층 2차원 반도체 언제 나올까

서로 다른 두 종류의 초박막 반도체에 전기를 원활하게 공급할 수 있는 '범용 반데르발스 터널링 주입기'가 개발됐다. 차세대 저전력·고집적 소자로 주목받고 있는 0.7nm 두께의 단층 2차원 반도체 개발에 한발 더 다가설 것으로 예측됐다. KAIST는 서준기 생명화학공학과 교수 연구팀(제1저자 조한빈 박사과정생)이 연세대학교, 한국과학기술연구원(KIST), 울산과학기술원(UNIST)을 비롯한 삼성전자 및 중국 베이징 계산과학연구센터와 국제 공동연구로 '범용 반데르발스 터널링 주입기'를 개발했다고 16일 밝혔다. 특징은 이셀레늄화주석(SnSe₂)을 재료로 사용해 서로 다른 두 종류의 초박막 반도체에 전기를 원활하게 공급할 수 있다. 궁극적인 목표는 단층 2차원 반도체 공정 완성이다. 단층 2차원 반도체는 게이트가 채널 전체를 효과적으로 제어할 수 있어 차세대 저전력·고집적 소자의 후보로 주목받고 있다. 그러나 채널 자체의 우수한 특성에도 불구하고, 외부 전극에서 채널로 전하를 주입하는 접촉부에 문제가 있다. 금속을 직접 증착하면 단층 결정이 손상되거나 불균일한 계면이 형성된다. 금속과 반도체 사이의 에너지 장벽도 전류를 제한한다. 특히 p형과 n형 반도체는 요구되는 에너지 정렬이 달라 일반적으로 서로 다른 금속과 접촉 공정을 사용해야 한다. 연구팀이 이 문제를 이셀레늄화주석으로 해결했다. 이셀레늄화주석은 주석(Sn)과 셀레늄(Se)으로 이루어진 얇은 층상 소재다. 다른 반도체와 강한 화학결합을 하는 대신 원자 사이의 약한 인력인 '반데르발스 힘'으로 포개지듯 맞닿기 때문에, 원자 수준으로 얇은 반도체의 손상을 줄이면서 매끄러운 접촉면을 만들 수 있다. 이셀레늄화주석은 연결되는 반도체에 따라 전자나 정공이 지나가기 좋은 길을 다르게 만들어준다. p형 이셀레늄화텅스텐(WSe₂)에서는 높은 에너지 장벽을 넘어가지 않고 마치 터널을 통과하듯 지나가는 '밴드 간 터널링'이 일어난다. n형 이황화몰리브덴(MoS₂)에서는 전기장을 이용해 전자가 지나가야 할 장벽을 얇게 만들어 터널링을 유도한다. 실험결과 이셀레늄화주석을 적용한 p형 WSe₂ 트랜지스터는 기존 니켈 전극을 사용한 소자보다 최대 구동 전류가 1,000배 이상 증가했다. n형 MoS₂ 트랜지스터도 전류를 켜고 끄는 성능이 개선돼 '온·오프 전류비'가 10억 이상을 기록했다. 스위치를 켰을 때는 전기가 잘 흐르고, 껐을 때는 거의 흐르지 않도록 뚜렷하게 제어할 수 있다는 뜻이다. 연구팀은 n형과 p형 트랜지스터를 결합한 실제 반도체 회로의 기본 구조인 'CMOS 인버터'도 제작, 반복적인 전기 신호에도 안정적으로 작동하는 것을 확인했다. 서준기 교수는 "향후 대면적 제조와 집적 공정 기술이 더해지면 원자 수준으로 얇은 2차원 반도체를 아파트처럼 여러 층으로 쌓아 같은 공간에 더 많은 트랜지스터를 넣는 3차원 반도체로 발전시킬 수 있을 것"으로 기대했다. 연구결과는 국제학술지 '어드밴스드 머티리얼즈'에 온라인으로 게재됐다.

2026.09.16 20:52박희범 기자

中CXMT, 상하이 신규 팹 설비투자 준비…韓 맹추격

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 공격적인 설비투자 준비에 돌입했다. 최근 협력사와 신규 팹에 도입할 설비 입찰을 시작하는 한편, 추가 팹 증설계획도 구체화하고 있다. 투자가 차질없이 진행되면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업과 생산능력 격차를 빠르게 좁힐 것으로 예상된다. 11일 업계에 따르면 CXMT는 최근 상하이 신규 팹 건설을 위한 협력사 장비 입찰 과정에 착수했다. CXMT는 현재 허페이 팹 2기, 베이징 팹 1기 등에서 D램을 양산하고 있다. 생산능력은 현재 월 20만장 중반대로 추산된다. 연말에는 최대 월 30만장을 넘어설 것으로 관측된다. 추가 팹 증설 계획도 가시화되고 있다. 협력사 등과 논의한 내용에 따르면 CXMT는 올 4분기 상하이 소재 신규 팹을 오픈할 계획이다. 해당 팹 관련 장비 입찰도 최근 시작됐다. 한 반도체 장비업계 관계자는 "CXMT가 상하이 신규 팹을 두 단계에 걸쳐 확대할 계획"이라며 "최근 장비 입찰 규모를 고려하면, 해당 팹에서만 월 10만장 이상을 크게 웃도는 생산능력을 확보할 것으로 보인다"고 말했다. CXMT는 이후 허페이 신규 팹을 내년 상반기, 베이징 신규 팹을 이르면 내년 하반기 순차 오픈한다. 내후년 상반기에도 허페이 지역 추가 팹 오픈을 목표로 하고 있다. 또 다른 장비업계 관계자는 "CXMT가 최근 중국 현지 복수의 팹 구축 계획 시점을 정하고 관련 사항을 공유하고 있다"며 "현지 정부의 막대한 보조금 정책과 메모리 수요 급증으로 증설 의지가 강력하다"고 설명했다. 설비투자 계획이 모두 실행되는 경우, CXMT는 올해부터 2028년까지 최소 월 7만~8만장 수준 신규 생산능력을 매년 꾸준히 확보할 수 있다. 장기적으로는 월 60만장 이상으로 생산능력이 확대될 것이라는 관측도 제기된다. 이는 D램 시장 선두업체의 현재 생산능력과 맞먹는 수준이다. 국내 삼성전자와 SK하이닉스의 총 D램 생산능력은 각각 월 70만장, 월 60만장 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자와 SK하이닉스도 최근 메모리 반도체 공장 증설에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 평택 제4캠퍼스(P4) 내에 D램 양산라인을 구축해 왔다. 올 하반기부터 차세대 생산기지 P5 클린룸 공사를 시작했다. SK하이닉스는 올해 1분기부터 M15X 조기 가동을 시작해, 현재 생산능력 확대를 위한 투자를 지속하고 있다. 용인 대규모 반도체 클러스터인 Y1도 올 3분기 설비발주를 시작했다.

2026.09.11 11:15장경윤 기자

삼성전기·LG이노텍, 인텔 'EMIB-T' 기판 상용화 추진…日이비덴에 도전

삼성전기와 LG이노텍이 인텔 '임베디드 멀티 다이 인터커넥트 브리지(EMIB)'용 고부가 반도체 기판 공급을 추진하고 있다. EMIB는 최근 고성능 인공지능(AI) 반도체 시장에서 수요가 늘고 있는 첨단 패키징 기술이다. 일본 이비덴이 주도적 기업이다. 9일 업계에 따르면 삼성전기와 LG이노텍 등이 인텔 EMIB-T용 패키지 기판 공급망 진입을 목표로 제품 개발과 테스트를 진행 중이다. 인텔 EMIB-T, AI칩 시장서 각광…삼성전기·LG이노텍도 관심 EMIB는 최근 AI 반도체 업계에서 주목받는 첨단 패키징 공법이다. 현재 업계는 고대역폭메모리(HBM)와 시스템 반도체를 하나의 패키지로 연결하기 위해 실리콘 인터포저라는 얇은 막을 삽입한다. 인터포저를 활용하면 각 칩의 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 통상 '2.5D 패키징'이라고 부른다. EMIB는 인터포저 대신 소형 실리콘 브리지로 칩과 칩을 연결한다. 필요한 부분에만 실리콘 브리지를 배치하는 기술이다. 인터포저 대비 비용 효율성이 높다. 칩을 보다 여유롭게 배치할 수 있다는 것도 장점이다. 인텔이 그간 EMIB를 자체 칩 제작에만 활용했기 때문에, 시장 수요는 한정적이었다. 그러나 최근 인텔이 'EMIB-T'라는 개량 버전을 개발하면서, 외부 판매가 본격 확대되고 있다. 구글도 내년 하반기 출시할 차세대 AI 가속기(TPU)에 EMIB-T를 처음 적용한다. EMIB-T는 실리콘 브리지에 전력 전송 통로 역할을 하는 실리콘관통전극(TSV)을 삽입하는 기술이다. TSV로 기판과 칩 사이 전력 전달 경로를 단축함으로써, 전력 효율과 신호 무결성을 개선했다. 삼성전기와 LG이노텍도 EMIB-T 성장세에 주목해, 전용 패키지 기판 공급망 진입을 시도하고 있다. 해당 제품은 기존 고성능 반도체 패키지 기판인 플립칩-볼그리드어레이(FC-BGA)에 실리콘 브리지를 내장하므로 기술 난도가 높다. 삼성전기의 경우 해당 기판을 2.1D 패키지 기판이라는 개념으로 개발하고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전기가 수년 전부터 EMIB용 기판 샘플을 개발해 왔고, 최근 EMIB-T 상용화 추세에 따라 공급망 진입을 적극 추진 중"이라고 말했다. LG이노텍은 최근 SK하이닉스에 EMIB-T용 패키지 기판을 보내, 샘플 테스트 중이다. LG이노텍과 SK하이닉스는 HBM을 기판 위에 실장하며 제품 특성을 파악 중인 것으로 알려졌다. FC-BGA 1위 日이비덴에 도전…대규모 투자는 부담 인텔 EMIB-T용 패키지 기판 공급망 진입은 삼성전기, LG이노텍의 목표인 고부가 FC-BGA 사업 확장을 위한 주요 과제 중 하나다. 현재 EMIB-T용 패키지 기판은 일본 이비덴과 신코덴키, 대만 유니마이크론, 오스트리아 AT&S 등 4곳이 공급하고 있다. 이비덴은 FC-BGA 업계 1위 기업이다. 인텔과 공고한 협력관계를 구축해왔다. 올해 상반기에는 기존 유휴 팹을 활용해 인텔 EMIB-T 전용 기판 양산라인을 착공하기로 결정했다. 투자 규모는 약 2조원이다. 구글·아마존·인텔 등 빅테크에서 선수금을 받은 것으로 알려졌다. 삼성전기와 LG이노텍은 관련 공급망 후발주자로서, EMIB-T용 기판 상용화를 위해 기술·시장 과제를 해결해야 할 것으로 관측된다. 기판 업계 한 관계자는 "이비덴, 유니마이크론 등은 인텔 EMIB 관련 기판을 7~8년 양산해오며 안정적인 기술력과 생산능력을 구축했다"며 "EMIB-T에서 사업기회가 확대되는 것은 맞지만, 국내 기업은 먼저 대규모 투자해야 한다는 리스크가 있다"고 설명했다.

2026.09.09 14:40장경윤 기자

삼성전기·LG이노텍, 'KPCA쇼'서 AI용 대면적·유리기판 기술력 공개

삼성전기와 LG이노텍이 인공지능(AI) 반도체에 대응할 수 있는 대면적 기판과 유리기판 기술력을 9~11일 인천에서 열리는 KPCA쇼(국제반도체기판및첨단패키징산업전)에서 전시한다고 9일 밝혔다. 삼성전기, 2.5D·2.1D·유리기판 등 차세대 기판 5개 전시 삼성전기는 전시회에서 ▲2.5D 패키지기판 ▲2.1D 패키지기판 ▲유리기판 ▲자동차용 FC-BGA ▲UTCSP(Ultra Thin Chip Scale Paackage) 기판 등 AI·서버부터 데이터센터, 모바일, 자율주행 등 응용처에 사용할 수 있는 차세대 패키지기판 기술을 소개한다. 생성형 AI 확산으로 AI 가속기 연산 성능이 높아지면서 데이터 입출력(I/O)이 급증하고 있다. 기판도 대면적·고다층 구조와 높은 회로밀도, 대규모 범프 구현 능력이 요구된다. 삼성전기는 대면적·고다층 기판 휨을 줄이는 기술과 고속 신호 전달, 고밀도 연결 기술 등 AI 가속기용 2.5D 패키지기판 핵심 기술을 소개한다. 또한 실리콘 인터포저 없이 반도체 칩 간 직접 연결이 가능한 2.1D 패키지기판 기술도 선보인다. 미세회로와 고밀도 연결 기술을 통해 AI 반도체에 필요한 고속·고집적 칩 연결 경쟁력을 강화하고 있다. 유리 소재에 미세한 연결통로를 형성하고 이를 금속으로 채우는 기술, 표면을 정밀하게 가공하는 기술 등 유리기판 핵심 기술도 소개한다. 유리기판은 코어 소재로 유리를 적용해 기판 휨을 줄이고, 층수를 낮추면서도 신호 특성과 전력 효율을 확보하는 기술이다. AI 반도체 대형화·고집적화로 기존 유기 소재 기반 기판보다 강성과 치수 안정성이 높고 신호·전력·방열 특성을 개선할 수 있는 기판 기술 필요성이 커지고 있다. LG이노텍, AI 가속기 FC-BGA 처음 공개 LG이노텍은 수요가 급증하고 있는 FC-BGA를 비롯해 패키지 서브스트레이트, 테이프 서브스트레이트 혁신품과 기술을 전시한다. LG이노텍은 AI 가속기용 FC-BGA를 처음 공개한다. AI 가속기용 FC-BGA는 대량의 데이터를 빠르게 처리하는 GPU·NPU 등 고성능 반도체에 적용하는 만큼, 일반 FC-BGA보다 더 많은 회로와 부품을 탑재해야 한다. 높은 회로 집적도와 대면적 설계 기술이 요구된다. 이번에 전시하는 AI 가속기용 FC-BGA는 한 변의 길이가 100mm를 넘는 대면적 기판이다. 지난 50여 년간 LG이노텍이 기판 사업에서 축적한 초미세 회로 구현 및 고다층화 등 핵심 기술을 집약했다. LG이노텍은 AI 가속기를 포함한 AI 학습 및 추론용 고부가 FC-BGA를 2027년 양산한다는 목표다. 공개된 성능표에 따르면, LG이노텍의 AI 가속기용 FC-BGA는 최대 120x120mm 면적으로 구현한다. 레이어 수는 최대 22층이다. LG이노텍은 FC-BGA에 최적화된 차세대 패키징 솔루션으로 주목받는 유리기판 기술도 소개한다. 유리기판은 기존 기판 내부 코어를 유리 소재에서 유리로 대체해, 기판 휨 현상과 회로 왜곡을 최소화할 수 있다. LG이노텍은 2028년 유리기판 양산을 목표로 기술 개발에 속도를 내고 있다.

2026.09.09 11:14장경윤 기자

삼성전자, 프랑스 미스트랄 AI에 지분 투자…반도체 특화 AI 공동 개발

삼성전자가 프랑스 대표 인공지능(AI) 기업 '미스트랄 AI'에 투자하고, 반도체 특화 인공지능(AI) 모델을 공동 개발한다. 한국·프랑스 정상회담에 맞춰 성사된 이번 협력에서 삼성전자는 미스트랄 AI와 전략 파트너십을 체결했다고 8일 밝혔다. 삼성전자는 미스트랄 AI와 전략적 협력관계를 강화하기 위해 지분을 투자했다. 삼성전자와 미스트랄 AI는 장기 기술 협력과 공동 사업 추진 기반을 마련했다. 구체적 투자 규모는 밝히지 않았다. 양사는 삼성전자 반도체(DS) 부문의 반도체 기술력·제조 데이터와 미스트랄 AI의 고효율 AI 모델 역량을 결합하기로 했다. 이를 통해 반도체 업무 전반 생산성과 정밀도를 높이는 '반도체 특화 AI'를 구축한다는 구상이다. 삼성전자는 미스트랄 AI의 대형언어모델(LLM) '미스트랄 라지' 등을 기반으로 반도체 부문 고유 데이터에 최적화한 AI 모델을 개발할 계획이다. 개발된 모델은 반도체 설계·제조 현장 데이터 분석, 결함 예측, 공정 최적화 등에 단계적으로 투입할 예정이다. 해당 AI 모델은 삼성전자 내부 인프라에서 운영하는 온프레미스 방식으로 구현돼, 반도체 관련 데이터의 외부 유출을 막는다. 삼성전자는 이번 협력을 ▲메모리 ▲파운드리 ▲로직 등 반도체 부문 전반으로 확대하고, 향후 고객과 파트너 업체까지 연계할 수 있는 AI 기반 반도체 생태계를 구축할 계획이다. 미스트랄 AI는 구글 딥마인드와 메타 출신 연구진이 주축이 돼 설립한 유럽 대표 AI 기업이다. 미스트랄 AI는 금융·제조·에너지 등 보안이 핵심인 산업군을 겨냥해 기업 내부 인프라에서 AI를 직접 구동하는 온프레미스 맞춤형 모델 구축에 강점을 지닌 것으로 평가받는다. 전영현 삼성전자 DS부문장은 "반도체 설계와 제조 복잡성이 커지면서 방대한 데이터를 안전하고 정교하게 다루는 AI 역량이 경쟁력으로 떠올랐다"며 "미스트랄 AI와 함께 반도체 산업에 특화된 모델과 플랫폼을 완성해 AI 기반 반도체 혁신의 기준을 세우겠다"고 말했다.

2026.09.09 01:00진운용 기자

[유미's 픽] ASML 이어 삼성도 베팅…'프랑스 AI' 미스트랄, 반도체 핵심 파트너로 급부상

글로벌 반도체 기업들이 프랑스 인공지능(AI) 기업 미스트랄에 잇따라 베팅하고 나섰다. 지난해 세계 최대 반도체 노광장비 기업 ASML이 투자 라운드를 이끈 데 이어 이번에는 삼성전자 DS부문이 전면에 나서면서 미스트랄의 AI 기술이 반도체 장비를 넘어 실제 제조 현장으로 확산될 가능성이 커진 분위기다. 미스트랄은 시리즈 D 투자 라운드에서 30억 유로를 유치해 210억 유로 이상의 기업가치를 인정받았다고 8일 밝혔다. 삼성전자 DS부문이 이번 투자를 주도했으며 EQT가 운용하는 스케일업 유럽 펀드와 기존 투자사 PSG 에쿼티가 공동 주도 투자자로 참여했다. 삼성전자의 구체적인 투자액은 아직 공개되지 않았으나, 이날 중 회사 측이 관련 입장을 발표할 것으로 알려졌다. 앞서 지난 7월 삼성전자가 미스트랄의 신규 투자 라운드 참여를 협상하고 있다는 사실이 알려졌을 당시에는 수억 유로에서 최대 10억 유로 규모가 거론됐다. 당시 약 200억 유로 수준으로 예상됐던 미스트랄의 기업가치도 이번 투자에서 210억 유로 이상으로 높아졌다. 반도체 장비서 제조까지…미스트랄, AI 적용 범위 확대 삼성 계열과 미스트랄의 관계는 지난 2024년부터 이어졌다. 당시 시리즈 B에는 삼성벤처투자가 투자자로 참여했지만 이번에는 실제 반도체 사업을 맡는 삼성전자 DS부문이 투자 라운드를 직접 이끌었다는 점에서 더 주목받고 있다. 벤처투자 조직의 초기 투자에서 반도체 사업부문의 전략적 협력으로 관계가 한 단계 더 깊어졌기 때문이다.미스트랄과 반도체 산업의 결합은 지난해 ASML이 시리즈 C를 주도하면서 본격화됐다. ASML은 당시 미스트랄에 13억 유로를 투자해 약 11%의 지분을 확보하고 장기 전략적 협력 계약을 체결했다. 또 단순 투자에 그치지 않고 미스트랄의 AI 모델을 자사 제품과 연구개발(R&D), 운영 전반에 적용해 반도체 장비의 성능과 개발 효율을 높이는 데 활용하기로 했다. 이후 실제 적용 사례도 나오고 있다. ASML은 미스트랄과 함께 광학근접보정(OPC) 과정에서 레시피 품질과 처리 속도를 높이는 작업을 진행했으며 올해 1월 첫 생성형 AI 기능에 대한 고객사 초기 검증도 마쳤다. 여기에 반도체 극자외선(EUV) 광원 설정 최적화와 장비 진단 등 반도체 생산을 지원하는 복잡한 엔지니어링 업무에도 AI 적용 범위를 넓히고 있다. 미스트랄이 반도체에 특화된 AI 기업은 아니지만 ASML과의 협력을 통해 실제 반도체 산업에서 모델을 적용한 경험을 확보했다는 점은 삼성전자에도 매력적인 요소로 꼽힌다. 미스트랄도 제조업을 주요 산업군으로 두고 설계와 생산, 품질관리, 이상 탐지, 예지정비 등에 AI를 적용하는 사업을 확대하고 있다. 삼성전자와의 협력은 미스트랄의 반도체 AI 적용 영역을 장비에서 실제 제조 현장으로도 넓힐 가능성이 있다. 삼성전자 DS부문은 생산 과정에서 생성되는 데이터를 활용해 제조 효율과 공정 경쟁력을 높이는 데 미스트랄 AI를 활용하는 방안을 검토 중인 것으로 전해졌다. 삼성전자의 이번 결정은 미스트랄이 오픈웨이트와 소버린 AI를 내세우고 있다는 점이 큰 영향을 준 것으로 평가된다. 반도체 생산 현장에선 수율과 공정 레시피, 장비 로그 등 외부 반출이 어려운 정보가 대량으로 생성되는 만큼, 모델과 데이터를 자체 인프라에서 통제할 수 있는지가 중요하기 때문이다. 또 기업이 자체 인프라에 AI를 구축해 모델을 필요에 맞게 조정하고 핵심 데이터를 외부에 노출하지 않는 방식을 미스트랄이 강조하고 있다는 점도 주효했다. 이에 따라 삼성전자 역시 미스트랄의 모델을 그대로 가져다 쓰기보다 협업 과정에서 제조 AI 기술을 내부에 축적하는 방식을 택할 가능성이 높다.삼성전자가 국내 AI 기업 대신 미스트랄과 손잡은 데에는 직접적인 사업 경쟁 관계가 적다는 점도 영향을 준 것으로 보인다. 앞서 삼성전자는 네이버와 추론용 AI 가속기 '마하' 공동 개발에 나섰지만 2024년 협력을 중단한 바 있다. 당시 양산 제품의 경쟁력과 판매 범위를 놓고 양측의 입장 차가 있었던 것으로 알려졌다.업계 관계자는 "삼성전자가 단순히 미스트랄의 AI를 가져다 쓰는 개념보다는 협업을 통해 자체 기술 인력과 AI 역량을 끌어올리는 차원으로 보면 이해할 수 있다"며 "오픈웨이트 모델을 활용해 삼성 내부에 기술을 내재화하는 형태의 협력이 될 가능성이 있다"고 말했다. 제조 AI 넘어 메모리 협력까지…삼성·미스트랄 접점 확대 양사의 협력 범위가 제조 AI를 넘어 반도체 공급으로 확대될 가능성 있다는 점도 눈여겨 볼 요소다. 미스트랄은 이번에 확보한 자금을 프런티어 모델 연구개발과 컴퓨팅 역량 확충, 인프라 투자에 사용할 예정이어서 AI 모델의 규모가 커질수록 대규모 반도체 확보 필요성도 함께 커질 수밖에 없다. 이에 삼성전자 입장에선 미스트랄 AI를 제조 현장에 적용하는 동시에 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 D램, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 AI 인프라용 반도체의 잠재 고객을 확보할 수 있을 것으로 보인다. 또 미스트랄은 삼성전자에 AI 기술을 제공하고, 삼성전자는 미스트랄의 AI 인프라에 필요한 반도체를 공급하는 구조로 협력이 확대될 가능성도 있다. 다만 구체적인 메모리 공급 계약은 아직 확인되지 않았다. 양사는 이번 투자가 논의되기 전부터 반도체 협력 가능성을 검토해 왔다. 지난 4월 에마뉘엘 마크롱 프랑스 대통령의 한국 국빈방문 당시 아서 멘슈 미스트랄 최고경영자(CEO)는 삼성전자 경영진과 만나 AI 반도체 공급망과 메모리 분야의 협력 가능성을 논의한 것으로 알려졌다. 또 이번 투자 발표 시점이 이재명 대통령의 프랑스 국빈방문과 겹친다는 점도 눈길을 끈다. 이 대통령은 이날 에마뉘엘 마크롱 프랑스 대통령과 정상회담을 갖고 양국 기업들이 참여하는 한·프 비즈니스 라운드테이블에 참석한다. 그러나 이번 투자가 정상외교를 통해 성사됐는지에 대해서는 삼성전자나 양국 정부가 공식적으로 밝힌 내용이 없다. 미스트랄 입장에선 지난해 ASML에 이어 삼성전자 DS부문까지 전략적 투자자로 확보하면서 반도체 생태계와의 연결을 한층 강화하게 됐다. ASML에서 쌓은 반도체 장비·공정 분야의 AI 경험이 삼성전자의 제조 현장으로 이어지고 향후 AI 인프라용 반도체 공급까지 확대될 경우 양사 협력의 범위도 크게 넓어질 수 있다. 멘쉬 CEO는 "이번 투자 유치를 계기로 연구개발(R&D)과 제품, 인프라 분야에 대한 투자를 더욱 가속화할 것"이라며 "기업과 기관이 각자의 환경에 맞춰 AI를 대규모로 운영할 수 있도록 지속적으로 지원할 것"이라고 말했다.

2026.09.08 15:46장유미 기자

시높시스, 삼성 2나노 공정 AI칩 설계 22% 줄였다…"韓 생태계 전방위 협력"

글로벌 1위 반도체 설계 자산(EDA) 기업 시높시스가 삼성전자 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 적용해 칩 면적을 20% 이상 줄이는 데 성공했다. 회사는 메모리 반도체 중심의 기존 한국 시장 비즈니스를 삼성 파운드리 선단 공정 생태계와 국내 주요 인공지능(AI) 반도체 기업 전반으로 확대할 계획이다. 시높시스는 8일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스에서 개막한 '시높시스 컨버지 코리아 2026'에서 이 같은 기술 협력 성과와 향후 청사진을 발표했다. 이날 기조연설에 나선 샹카 크리슈나무티 시높시스 최고 제품 개발 책임자(CDO)는 차세대 디지털 설계 솔루션인 '퓨전 컴파일러'에 삼성전자 파운드리의 '디자인·공정 최적화(DTCO)' 기술을 내재화한 성과를 전면에 내세웠다. 현장에서 공개된 실측 지표에 따르면 시높시스 툴과 삼성전자 SF2P(2나노) 공정을 결합해 신경망처리장치(NPU)를 설계한 결과 기존 대비 다이(Die) 면적이 22% 감소했다. NPU 코어 면적이 줄어들면 웨이퍼당 생산 칩 수가 늘어나 제조 원가를 낮추고 전력 효율을 높일 수 있다. 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 설계와 공정을 동시에 최적화하는 DTCO의 중요성이 커지는 가운데, 글로벌 1위 EDA 툴이 삼성 2나노 생태계의 성숙도를 객관적으로 증명한 셈이다. 아울러 시높시스는 '다중 물리(Multiphysics)' 해석을 결합한 3D-IC 첨단 패키징 비전을 제시했다. 이는 시높시스가 지난해 7월 시뮬레이션 기업 앤시스(Ansys)를 인수한 이후 국내에서 처음 선보이는 '실리콘 투 시스템' 통합 솔루션이다. 크리슈나무티 CDO는 "과거 3D-IC 설계는 프로토타이핑, 구조 설계, 검증 환경이 파편화되어 있었다"며 "이를 단일 플랫폼으로 통합해 열 분석과 신호 무결성(EM/IR) 검증을 설계 초기 단계부터 수행할 수 있게 됐다"고 설명했다. 실제로 글로벌 주요 고성능컴퓨팅(HPC) 고객사는 '3D-IC 컴파일러'를 도입해 통상 2~3개월 걸리던 고대역폭메모리(HBM) 인터포저 라우팅 및 검증 일정을 수일 내로 단축하는 성과를 냈다. 또한 검증 주기를 길어지게 만드는 칩 개발 병목을 '디지털 트윈' 솔루션으로 돌파하고 있다. 칩 시제품이 나온 뒤에야 소프트웨어 검증을 진행하던 기존 순차적 방식에서 벗어나, 하드웨어 개발과 동시에 소프트웨어를 병렬 검증함으로써 상용화 일정을 1년 이상 앞당긴다는 구상이다. 이어 진행된 간담회에서 시높시스는 한국 내 파트너십 확장 의지를 분명히 했다. 시높시스는 현재 엔비디아, 마이크로소프트(MS) 등 글로벌 빅테크는 물론 삼성전자, SK하이닉스와 차세대 시스템 및 워크로드 검증 분야에서 긴밀히 협력 중이다. 패드메쉬 맨들로이 시높시스 S&A 부문 아태지역 애플리케이션 엔지니어링 총괄 부사장은 "한국 시장 내 매출은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 비중이 주력인 것은 맞다"면서도 "삼성 파운드리의 선단 공정 인프라 확충 및 모바일용 엑시노스 프로젝트 협력을 지속하고 있다"고 밝혔다. 이어 "나아가 리벨리온, 퓨리오사AI 등 국내 주요 AI 반도체 팹리스로 다중 물리 및 자율형 설계 툴인 에이전틱 AI(Agentic AI) 지원을 확대해 비메모리 영역의 기여도를 끌어올릴 것"이라고 덧붙였다. 통합 라이선스 정책에 대한 시장의 우려도 일축했다. 시높시스 관계자는 "앤시스 인수 이후 툴 가격이나 라이선스 비용을 인위적으로 인상할 계획은 없다"고 선을 그었으며, 기존 국내 우주항공 스타트업을 대상으로 진행하던 정부 협업 프로그램 '에스크(ASK)' 지원 대상을 반도체 분야까지 확대 운영하겠다고 밝혔다.

2026.09.08 15:26전화평 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

삼성, 하반기 공채 돌입…반도체·AI 인재 확보

삼성이 오는 8일부터 올해 하반기 신입사원을 공개 채용한다고 7일 밝혔다. 공채에는 삼성전자, 삼성물산, 삼성바이오로직스, 삼성SDI, 삼성SDS 등 관계사 19곳이 참여한다. 입사 지원은 15일까지 삼성 채용 홈페이지 '삼성커리어스'에서 가능하다. 9월 직무적합성평가 후 10월 삼성직무적성검사(GSAT), 11월 면접, 건강검진 순으로 전형이 진행된다. 소프트웨어(SW) 직군은 실기 테스트, 디자인 직군은 포트폴리오 심사로 GSAT를 대체한다. 삼성은 지난 1957년 국내 최초로 신입사원 공채를 도입한 이후 제도를 70년째 이어오고 있다. 국내 4대 그룹 중 현재까지 공채 제도를 유지하는 곳은 삼성이 유일하다. 삼성은 1990년대 외환위기 등 특수 시기를 제외하고는 오일쇼크와 글로벌 금융위기 등 대내외 불확실성 속에서도 정기 공채를 지속해 왔다. 삼성은 반도체와 인공지능(AI), 바이오, 배터리 등 첨단 산업을 중심으로 국내 투자를 이어가며 청년 고용을 확대하고 있다. 앞서 이재용 삼성전자 회장은 지난해 8월 대통령 간담회에서 "국내에서 지속적으로 양질의 일자리를 창출하고, 고부가가치 산업을 육성할 수 있도록 관련 투자를 계속할 것" 이라고 말한 바 있다. 삼성은 무상교육 프로그램 '삼성청년SW·AI아카데미(SSAFY)'를 운영하며 청년 인재 역량 강화를 지원하고 있다. 또 전국기능경기대회 입상자를 특별 채용하는 등 다각적인 인재 육성 노력을 병행하고 있다.

2026.09.07 14:00진운용 기자

삼성전자, 2분기 HBM 점유율 33%로 급등…SK하이닉스와 격차 축소

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 업계 1위 SK하이닉스와 격차를 좁혔다. 올 2분기 양사 점유율 차이는 17%p로, 전년 동기(43%p), 전 분기(37%p) 대비 크게 줄었다. 3일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 전세계 HBM 시장 점유율(매출액 기준)은 SK하이닉스가 50%로 1위를 유지했다. 다만 점유율 수치는 지속 감소하고 있다. SK하이닉스의 올 2분기 점유율(50%)은 전 분기 대비 8%p, 전년 동기 대비 14%p 감소했다. 반면 삼성전자는 올 2분기 33% 점유율로 SK하이닉스와 격차를 17%p로 좁혔다. 전 분기 대비 12%p, 전년 동기 대비 18%p 개선했다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자가 HBM4 출하를 본격화하면서 점유율이 점차 늘어날 것"이라고 내다봤다. HBM4는 올해 본격 상용화된 최신형 HBM이다. 엔비디아의 고성능 인공지능(AI) 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 시리즈에 탑재된다. 마이크론은 시장 점유율 변동폭이 비교적 작았다. 마이크론은 올 2분기 18% 점유율을 기록했다. 전 분기 및 전년 동기 대비 3%p 감소했다. 카운터포인트리서치는 "현재 HBM 매출 대부분은 HBM3E에서 발생한다"며 "HBM4 출하는 올 하반기부터 본격 가시화될 전망"이라고 밝혔다.

2026.09.03 16:43장경윤 기자

中 낸드, 글로벌 1위 되기 어려운 이유

글로벌 낸드(NAND) 플래시 메모리 산업 지형도가 급변하고 있다. 선두업체를 추격하기 위해, 해외 후발주자 기업들이 앞다퉈 공격적인 증설 계획을 꺼내들고 있다. 특히 중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)의 투자 속도가 매우 빠른 것으로 평가된다. 반면 시장점유율 1위인 삼성전자의 낸드 투자는 증설보다 세대 전환에 초점이 맞춰져 있어, 총 생산능력이 오히려 감소하는 추세다. 때문에 삼성전자와 후발주자간 낸드 생산능력 격차가 2~3년 내 빠르게 좁혀질 것이라는 우려도 제기된다. 다만 기업 간 낸드 경쟁을 단순히 생산능력만으로 평가할 수는 없다는 게 업계 전문가들의 중론이다. 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 복수로 쌓는 낸드 특성 상, 동일한 양의 웨이퍼를 투입하더라도 적층 수에 따라 메모리 총량이 크게 달라지기 때문이다. 시장 측면에서의 한계도 존재한다. YMTC의 총 낸드 출하량은 삼성전자·SK하이닉스를 위협하는 추세지만, AI 데이터센터에 필요한 기업용 SSD(eSSD) 매출은 아직 5위권 밖에 머물러 있다. 중국 현지 외 글로벌 고객사 확보가 어렵다는 점도 문제다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 최근 기자와의 서면 인터뷰를 통해 "중국 YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력에서 선두권에 진입할 가능성은 있지만, 선두업체들이 고적층 낸드를 통해 공급하는 메모리 총량이 더 크다는 점을 고려해야 한다"며 "글로벌 매출과 수익성 측면에서는 중국 기업이 단기간에 1위에 오를 가능성은 매우 낮다"고 분석했다. YMTC, 공격적인 증설 속도…"부지 확보 충분" 최근 업계 낸드의 최대 화두는 중국 YMTC의 공격적인 설비 투자다. YTMC는 중국 최대 낸드 제조업체로, 우한시에 주요 생산거점을 두고 있다. 올해 말에는 신규 3공장의 가동을 앞두고 있다. 업계가 추산하는 YMTC의 생산능력은 웨이퍼 투입량 기준 월 16만~17만장 수준이다. 우한 3공장이 본격 가동되는 내년에는 월 20만장을 넘어설 것으로 전망된다. 중장기적으로는 생산능력을 월 30만~40만장 수준까지 확대할 계획을 세우고 있는 것으로 전해진다. YMTC 협력사인 한 반도체 장비업계 관계자는 "YMTC가 내년 및 내후년에도 생산능력을 추가 확보할 계획을 세우고 있다"며 "팹을 10개까지 지을 수 있는 부지를 이미 갖추고 있어, 낸드 제조기업 중 증설 속도가 가장 빠르다고 평가 받는다"고 설명했다. YMTC의 최근 발언도 향후 증설 계획에 대한 자신감을 근간에 둔 것으로 풀이된다. 앞서 YMTC는 기업공개(IPO)를 앞두고 투자자들과 만나 내년 말까지 글로벌 낸드 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표를 제시한 바 있다. 삼성·SK 신규 팹 구축 시점 아직 멀어…최소 2028~2029년 반면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 신규 증설보다 최첨단 낸드용 전환투자에 집중하고 있다. 때문에 절대적인 생산능력은 근 2~3년간 정체를 기록해 왔다. 일례로 업계 1위인 삼성전자의 낸드 총 생산능력은 월 39만장 수준으로 추산된다. 화성 일부 라인에서 구형 낸드를 양산하던 시점에는 생산능력이 50만장을 넘어선 적도 있었으나, 구형 낸드 양산을 순차적으로 종료하면서 수치가 감소했다. 최첨단 낸드 생산능력은 신규 팹이 아닌 평택·중국 시안 라인에 대한 전환투자로 확충해 왔다. 삼성전자가 가장 최근 구축한 낸드 전용 라인은 지난 2022년 가동을 시작한 P3 Ph1(페이즈1)다. 당초 P4에서도 낸드 라인을 구축하려고 했으나, 시황을 고려해 D램을 함께 양산하는 하이브리드 라인으로 조성했다. 삼성전자가 신규 낸드 양산 라인을 가장 빠르게 구축할 수 있는 곳은 P5다. P5는 올 하반기부터 클린룸 구축이 시작된 팹으로, 가동 목표 시점은 오는 2027년 말이다. 다만 P5도 현재로선 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 라인 조성에 우선순위 둘 가능성이 높다. 때문에 삼성전자의 낸드 생산능력이 크게 확대되는 시점은 아무리 빨라도 2028년께가 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 경우 근 3년간 대규모 낸드 라인 증설이 없었고, 현재도 전환투자에 집중하고 있어 후발주자와의 생산능력 격차는 2~3년 내 크게 축소될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스의 경우 청주 및 중국 다롄 지역에서 낸드 팹을 운영하고 있다. 현재 생산능력은 월 25만장 내외로 추산된다. 현재 다롄 2공장 증설을 위한 설비투자가 시작됐으나, 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 규모다. SK하이닉스의 대규모 낸드 생산능력 확보는 청주 신규 낸드 팹인 M17이 준공된 뒤에나 가능하다. M17은 오는 2028년 말 첫 클린룸 오픈을 목표로 하고 있다. 생산능력만으론 1위 어려워…eSSD 키우고 해외 시장 뚫어야 그러나 YMTC가 낸드 업계 선두권으로 진입하기 위해서는 아직 해결해야 할 과제들이 많다는 지적이 제기된다. 최 부사장은 "낸드의 지속적인 고단화로 적층 수가 400~500단 이상이 되면 웨이퍼 당 비트(Bit) 출하량은 더욱 증가하게 된다"며 "YMTC가 실제 내년 말까지 비트 출하량 1위를 기록하려면 신규 팹에 대한 제조 장비의 국산화, 300~400단 이상의 차기 제품들에 대한 수율 및 생산성 확보, 낸드에 탑재되는 컨트롤러의 고객 인증을 동시에 모두 해결해야 한다"고 평가했다. 현재 YMTC는 267단 낸드까지 상용화에 성공한 것으로 알려져 있다. 낸드는 구성 요소인 셀과 페리를 각각 제조해 칩과 칩을 직접 이어 붙이는 하이브리드 본딩 방식으로 제조된다. YMTC는 이를 '엑스태킹(Xtacking)'이라고 부른다. 국내 기업들은 300~400단 낸드에 이미 진입한 상태다. 삼성전자는 지난달부터 420단대의 V10(10세대) 낸드의 초도 양산을 시작했다. 당장의 출하량은 크지 않지만, 업계 최초로 400단 이상의 낸드에 진입했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스도 지난해 321단 낸드 상용화에 이어, 올해에는 375단 적층의 10세대 낸드 양산을 계획하고 있다. 시장적인 한계도 존재한다. 특히 AI 데이터센터에서 각광받는 eSSD의 경우, 현지 최대 고객사인 화웨이가 YMTC 제품만을 고집하기 어려운 상황이다. eSSD는 일반 소비자용 SSD 대비 높은 제품 성능 및 안정성을 요구한다. 또한 YMTC의 전체 낸드 출하량에서 eSSD가 차지하는 비중은 아직 낮은 것으로 평가된다. 시장조사업체 트렌드포스가 집계한 올 2분기 eSSD 시장 점유율은 삼성전자가 35.1%로 1위, SK하이닉스가 21.1%로 2위다. 그 뒤로 마이크론·키오시아·샌디스크가 뒤를 따르고 있다. 최 부사장은 "YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력과 중국 내 출하량에서는 선두권에 진입할 가능성은 있다"며 "그러나 글로벌 매출과 수익성, eSSD 비중까지 고려한 업계 1위는 1~2년 내에 달성하기가 사실상 어렵다"고 말했다.

2026.09.02 14:56장경윤 기자

삼성전자, 3D 적층 메모리 선점 나선다…'CUBE' 전략 공개

삼성전자가 차세대 메모리 반도체 시장 선점을 위한 수직(3D) 적층 기술력을 통해 초격차 경쟁력 우위를 강조하고 나섰다. 3D는 기존 수평 배치 구조의 메모리 대비 칩의 집적도 및 전력효율성을 높일 수 있어, AI 산업에서 크게 각광받을 것으로 기대된다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 1일 타이베이에서 진행된 '세미콘 타이완 2026'에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 '큐브(CUBE)' 전략을 발표했다. 최장석 상무는 '메모리 고위급 서밋(Memory executive Summit)' 기조연설에서 ▲Capacity(용량) ▲Utilization(최적화) ▲Bandwidth(대역폭) ▲Efficiency(전력·열 효율) 기술 향상을 통해 메모리 기술 주도권을 강화해 나가겠다는 비전을 공유했다. 최 상무는 "이제 더 이상 PCB 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것"이라며 "3D는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심으로, 삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "다이 사이의 거리를 획기적으로 단축함으로써 수직 고속도로를 형성해 대역폭을 획기적으로 개선할 수 있다"며 "또한 삼성전자는 구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하고 있다"고 말했다. 한편 삼성전자는 HBM2부터 HBM4E, HBM5까지 세대별로 ▲용량 ▲대역폭 ▲전력 효율 ▲열 관리 기술을 지속적으로 고도화해왔으며, AI 연산 수요 증가에 맞춰 기술 개발 속도를 높이고 있다. 특히 HBM5는 HBM4E 대비 ▲성능 2배 ▲와트당 성능 20% 향상 ▲열 저항 20% 감소를 실현하는 것이 목표다. zHBM은 HBM4E 대비 ▲성능 8배 ▲와트당 성능 3배 향상 ▲열 저항 75~90% 감소를 목표로 하고 있으며 성능과 효율성 측면에서 기존의 벽을 뛰어넘는 혁신적인 제품이 될 것으로 기대된다. zNAND-O는 D램보다 10배 높은 비트 밀도를 제공해 LLM에 필요한 대규모 용량을 지원하는 한편, 낸드보다 7배 더 높은 읽기 대역폭과 전력 효율성을 제공한다. zNAND-O는 D램과 가 가진 고유한 한계를 극복하는 제품이며, 삼성전자는 2028년 샘플링을 시작할 계획이다.

2026.09.01 15:37장경윤 기자

HBM만으론 부족해?...AI 메모리 신기술 뜬다

인공지능(AI) 반도체 시장에서 메모리 기술 경쟁의 축이 고대역폭메모리(HBM)의 대역폭 확대에서 새로운 저장구조와 시스템으로 이동하고 있다. AI 모델이 커지면서 연산 성능뿐 아니라 메모리 용량과 데이터 이동에 따른 전력 소모, 발열 등이 새로운 병목으로 떠오르면서다. 28일 반도체 업계에 따르면 미국 스탠퍼드대에서 지난 23~26일 열린 '핫칩스(Hot Chips) 2026'에서도 이 같은 흐름이 부각됐다. 삼성전자와 SK하이닉스의 차세대 HBM 기술을 비롯해 3D D램, HBF(고대역폭플래시), PIM(프로세싱 인 메모리), CXL(컴퓨트익스프레스링크) 등 기존 HBM의 한계를 보완하기 위한 차세대 신기술이 잇따라 공개됐다. 현재 AI 가속기의 핵심 메모리로 자리 잡은 HBM은 GPU와 가까운 위치에서 초고속으로 데이터를 처리할 수 있다는 장점이 있다. 하지만 적층 수가 늘어날수록 패키징 난도가 높아지고 발열과 두께, 수율 등의 문제가 커진다. HBM만으로 AI가 요구하는 대역폭과 용량을 모두 충족하기 어려워질 수 있다. HBM도 진화…베이스 다이·패키징에 힘 주는 삼성·SK 삼성전자는 HBM의 핵심 구성요소인 베이스 다이를 고도화하는 방향을 제시했다. 베이스 다이에 더 많은 로직 기능을 집적해 단순히 데이터를 전달하는 역할을 넘어 AI 가속기의 연산과 시스템 특성에 맞는 기능을 수행하도록 만드는 방식이다. HBM을 범용 메모리에서 고객 맞춤형 메모리로 확장하려는 전략으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM의 물리적 한계를 해결하기 위한 첨단 패키징에 초점을 맞췄다. 메모리 적층이 증가할수록 칩 사이 연결과 열 관리가 중요해지는 만큼 하이브리드 본딩 등 차세대 기술을 통해 더 많은 메모리를 안정적으로 쌓는 기술 경쟁에 나서고 있다. 업계에서는 HBM의 발전 방향이 단순히 '더 많이 쌓고 더 빠르게 만드는 것'에서 벗어나고 있다는 분석이 나온다. 한 반도체 업계 관계자는 "AI 반도체에서는 연산 성능만 높이는 방식으로 전체 시스템 성능을 끌어올리는 데 한계가 있다"며 "결국 향후 메모리에서 데이터를 얼마나 효율적으로 처리하고 이동시키느냐가 중요한 경쟁 요소가 될 것"이라고 말했다. HBM 넘어 PIM·CXL·3D D램으로…메모리 역할 확대 실제로 이번 '핫칩스' 행사에서는 HBM을 대체하거나 보완할 새로운 메모리 기술도 등장했다. D-매트릭스(Matrix)와 메타는 3D D램 기반 생성형 AI 추론 가속기를 소개했고, HBF를 활용한 AI 컴퓨팅 기술도 발표됐다. 메모리를 단순한 저장 공간으로 활용하는 데서 벗어나 연산과 데이터 처리에 보다 적극적으로 활용하려는 움직임이다. 삼성전자가 공개한 LPDDR5X-PIM도 같은 연장선상에 있다. PIM은 메모리 내부에서 일부 연산을 수행해 CPU나 AI 가속기로 데이터를 옮기는 횟수를 줄이는 기술이다. 삼성전자는 이번 행사에서 LPDDR5X-PIM의 AI 추론 성능을 공개했으며, 메타의 라마3.1을 활용한 테스트에서 기존 LPDDR5X 대비 약 3배의 토큰 처리 성능을 제시했다. CXL을 활용한 메모리 컴퓨팅도 주목받았다. 삼성전자와 엑시나(XCENA)는 CXL 기반 컴퓨테이셔널 메모리 기술을 선보이며 용량 확장뿐 아니라 메모리 가까이에서 연산을 수행하는 구조를 제시했다. AI 서버가 필요로 하는 대규모 메모리를 여러 시스템이 공유하면서 동시에 데이터 이동을 줄이는 방향이다. 이 같은 변화는 차세대 AI 메모리 시장이 하나의 제품에 모든 기능을 집중하는 구조에서 벗어날 가능성을 보여준다. HBM은 높은 대역폭을 담당하고, CXL 기반 메모리는 대용량 메모리 확장과 풀링을 지원하며, PIM이나 컴퓨테이셔널 메모리는 데이터 이동을 줄이는 역할을 맡는 방식이다. 업계 관계자는 "앞으로는 HBM의 성능 자체뿐 아니라 HBM과 다른 메모리 계층을 어떻게 조합해 AI 시스템 전체의 효율을 높이느냐가 중요해질 것"이라며 "메모리 업체들도 단순히 D램을 공급하는 데서 벗어나 연산과 패키징, 인터페이스까지 함께 설계하는 방향으로 사업 영역을 넓힐 필요가 있다"고 말했다.

2026.08.28 15:58전화평 기자

[르포] "삼성전자 밀착 지원"…TEL의 핵심 R&D 거점, TTCK-2 센터를 가다

경기 화성에 위치한 도쿄일렉트론(TEL)코리아의 연구개발(R&D) 센터 'TEL 테크놀로지 센터 코리아(TTCK-2)'. 지난 26일 방문한 센터 내 클린룸에는 수십대의 첨단 장비들이 들어서 있었다. 웨이퍼가 분주히 평가 중인 모습은 실제 양산 팹을 방불케 했다. TTCK-2는 TEL코리아의 세 번째 국내 R&D 센터다. 지난 2024년 10월 준공했다. 연면적 3만 9200제곱미터(㎡) 규모로, 지하 2층~지상 8층 건물로 조성됐다. 삼성전자에 맞춤형 R&D 지원…"고객사 웨이퍼 평가, 24시간 내 가능" TTCK-2의 가장 큰 특징은 '고객 대응형' R&D에 초점을 맞춘 점이다. 고객사로부터 웨이퍼를 반입하고, 이를 기반으로 공정 기술을 개발하고 있다. 식각·증착·세정 등 여러 공정 모듈화, 부품 평가 등을 폭넓게 수행한다. 진경환 센터장은 "TTCK-2는 국내 주요 고객 중 하나인 삼성전자 전용 연구개발 팹으로, 고객과 가까워 24시간 이내에 고객 웨이퍼를 평가할 수 있다는 장점이 있다"며 "실시간 피드백도 가능하고, 고객사가 직접 TTCK-2에 방문해 모든 평가 과정을 공동으로 수행할 수 있다"고 설명했다. TTCK-2 5층 클린룸에선 실제 공정별 평가 장비가 시연되고 있었다. 입실 전 방진복을 착용하고, 공기세정(에어 샤워)을 하는 등 절차를 거쳤다. 초미세 회로를 다루는 반도체 클린룸은 작은 먼지 한 톨로도 큰 결함이 발생할 수 있어, 철저한 관리가 필요하다. 고성능 식각·증착·계측 장비 보유…고객 첨단 공정 모두 지원 600평에 달하는 클린룸 내부는 크게 3개의 공간으로 나뉜다. TEL의 핵심 사업인 식각 및 증착 설비들이 좌우측에 위치해 있고, 가운데는 공정 결과를 확인할 수 있는 계측실로 조성했다. 각 설비를 통해, TTCK-2 센터에서 반도체 웨이퍼가 투입되고 여러 공정 평가를 받는 과정을 실시간 확인할 수 있었다. 이후 배출된 웨이퍼를 CD-SEM으로 실제 계측하는 과정도 있다. SD-SEM은 주사전자현미경으로, 웨이퍼 상 회로 패턴 선폭(임계치수)이 설계대로 구현됐는지 확인하는 데 사용된다. 진 센터장은 "구체적으로 말씀드리기 어렵지만, 고객의 첨단 D램과 낸드, 파운드리 공정을 모두 지원할 수 있다"고 말했다. 한국산 부품 75% 활용해 차세대 장비 개발도 이후 찾아간 TTCK-2 8층에는 TEL의 주요 특허 및 기술을 확인할 수 있는 자료들이 전시돼 있었다. 가장 이목을 끄는 건 차세대 장비 개발 현황이었다. 현재 TEL코리아에서는 본사인 TEL과는 별도로, 차세대 플라즈마 식각 장비 등을 개발하고 있다. 진 센터장은 "현재 TEL코리아 엔지니어들은 한국산 부품을 75%가량 활용한 반도체 장비를 개발하고 있다"며 "원제형 TEL코리아 회장 등 주요 임원진들이 출원한 특허가 기반이 되고 있다"고 설명했다. TTCK-2 투어에는 대학 8곳이 추천한 이공계 대학생 40명도 함께 참석했다. 미래 반도체 엔지니어를 꿈꾸는 이들은 식각·증착 공정에 쓰이는 가스는 무엇인지, 자동화는 얼마나 이뤄졌는지 등 질문을 쏟아냈다. TEL은 산학협력 대학생을 대상으로 회사 소개부터 센터 참관, 현직 엔지니어 멘토링 등을 진행하는 반도체 인재 양성 프로그램 'TEL-인 캠프(텔인캠프)'를 운영하고 있다.

2026.08.28 09:00장경윤 기자

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