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'삼성 반도체'통합검색 결과 입니다. (492건)

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삼성전자, 올해 시설 투자 56.7조원..."파운드리 부문 축소"

삼성전자는 올해 시설투자 금액이 총 56조7천억원으로 예상된다고 31일 공시를 통해 밝혔다. 사업별로는 반도체(DS) 부문이 47조9천억원, 디스플레이(SDC) 부문이 5조6천원 수준이다. 반도체의 경우 고부가가치 제품 대응을 위한 전환투자 및 연구개발(R&D), 후공정 투자에 투자가 집중된다. 디스플레이는 중소형 OLED 디스플레이 증설 투자에 주력한다. 삼성전자는 기대 효과에 대해 "부품 사업 중심의 기술 리더십 강화를 통한 사업 역량 제고"라고 설명했다. 삼성전자는 지난해 시설투자로 총 53조1천억원을 투입한 바 있다. 반도체가 48조4천억원, 디스플레이가 2조4천억원 수준이었다. 이를 고려하면 올해 시설투자 규모는 반도체가 1%가량 줄었다. 반면 디스플레이는 133%가량 늘었다. 한편 올 3분기 시설투자는 전분기 대비 3천억원 증가한 12조4천억원으로, 사업별로는 반도체가 10조7천억원, 디스플레이가 1조원 수준이다. 3분기 누계로는 35조8천억원이 집행됐다. 반도체가 30조3천억원, 디스플레이가 3조9천억원 수준이다. 삼성전자는 "메모리는 시황과 연계된 탄력적 설비 투자 기조를 유지하면서 HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 예정"이라며 "파운드리는 시황 및 투자 효율성을 고려해 투자 규모 축소가 전망된다"고 밝혔다. 디스플레이는 경쟁력 우위 유지를 위해 중소형 디스플레이 신규 팹(Fab)과 제조라인 보완에 적극적으로 투자할 계획이다.

2024.10.31 09:27장경윤

[1보] 삼성전자, 3분기 반도체 영업익 3.9조원…전분기比 40% 감소

삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 해당 분기 반도체(DS) 부문은 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 영업이익의 경우 전분기(6조4천500억원) 대비 40%가량 감소했다.

2024.10.31 09:00장경윤

듀폰, 삼성전자 '혁신 부문 베스트 파트너' 선정

듀폰이 삼성전자가 개최한 제3회 'M-day (Material Day)'에서 '베스트 파트너 어워즈' 수상자로 선정됐다고 30일 밝혔다. 삼성전자 소재기술그룹이 주관한 M-day는 반도체 소재 공급업체 및 기타 협력사들이 모여 소재와 기술의 최신 동향을 논의하고, 한 해 동안의 우수한 성과를 기념하는 행사다. 듀폰은 첨단 반도체 제조를 위한 연마 패드 개발에 대한 공로를 인정받아 상을 받았다.듀폰은 반도체 기판 평탄화 공정에 사용되는 CMP (Chemical Mechanical Planarization, 화학기계적연마) 기술을 선도하는 기업으로, 폴리싱 패드, 슬러리, 고급 세정 솔루션을 공급하고 있다. 특히 듀폰의 대표적인 CMP패드 브랜드 중 하나인 아이코닉(Ikonic) 패드는 첨단 기술 노드에서 반도체 웨이퍼를 효과적이고 일관되게 연마할 수 있도록 설계돼, 인공지능(AI), 5G, 데이터센터 등 첨단 반도체 공정에 사용되고 있다. 산제이 코타(Sanjay Kotah) 듀폰 전자 및 산업 부문의 CMP기술 글로벌 사업 리더는 "고객과의 지속적인 협력이 혁신의 원동력이 되며, 공정 요구 사항과 고객 피드백을 반영해 새로운 제품을 개발하고 최적화하고 있다"며 "CMP패드 혁신 부문 최우수 파트너 선정은 삼성전자와의 긴밀한 협력을 바탕으로 한 기술적 성과를 보여준다"고 말했다. 한편, 듀폰은 지난해 M-day 행사에서 반도체 소재 개발을 위한 협력으로 지속 가능한 공급망 구축에 기여한 공로를 인정받아 환경, 사회 및 거버넌스 (ESG) 부문에서 베스트 파트너로 선정된 바 있다.

2024.10.30 08:37이나리

삼성전기, 3분기 영업익 2249억원…AI·전장 등 고부가 사업 확대

삼성전기가 불투명한 경영 환경 속에서도 인공지능(AI)·전장 등 고부가제품 공급 확대로 전년 및 전분기 대비 실적이 개선됐다. 다만 4분기는 주요 부품 수요가 둔화될 전망으로, 이에 회사는 전장, AI 등 고부가 시장을 중점적으로 공략할 계획이다. 삼성전기는 지난 3분기에 연결기준으로 매출 2조 6천153억원, 영업이익 2천249억원을 기록했다고 29일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 2천586억원(11%), 영업이익은 368억원(20%) 증가했다. 전분기 대비로는 매출이 427억원(2%), 영업이익이 134억원(6%) 늘었다. 다만 올 3분기 영업이익은 기존 증권가 컨센서스인 2천526억원을 밑돌았다. 삼성전기는 "AI·전장·서버 등 시장 성장으로 AI용 MLCC 및 전장용 카메라 모듈과 서버용 반도체 패키지기판 등 고부가 제품 공급이 늘어 전년 동기, 전분기 대비 실적이 개선됐다"고 설명했다. 4분기는 연말 계절성에 따른 부품 수요 감소 등으로 일부 제품의 매출 약세가 예상된다. 다만 AI·전장·서버용과 같은 고성능 제품의 수요는 지속 성장할 것으로 전망된다. 삼성전기는 "기존 IT 위주에서 전장·산업용 등 고부가 제품 중심으로 거래선을 다변화하고 제품 경쟁력을 강화할 계획"이라고 밝혔다. 사업별로는 컴포넌트 부문의 매출이 1조1천970억원으로 전년동기 대비 9%, 전분기 대비 3% 증가했다. AI·서버·네트워크 등 산업용 및 전장용 MLCC 등 고부가 제품 중심으로 MLCC 공급이 확대된 덕분이다. 4분기는 연말 부품 재고 조정에 따른 MLCC 수요 둔화가 전망된다. 이에 삼성전기는 고온·고압 등 전장용 MLCC 라인업을 확대하고, IT용 소형·고용량 등 고부가제품 중심으로 판매를 강화할 계획이다. 특히 삼성전기는 AI서버용 MLCC 매출 선두권을 유지하고 있는 가운데, 관련한 올해 매출이 전년 대비 2배 이상 증가할 것으로 전망된다. 광학통신솔루션 부문의 3분기 매출은 전년동기 대비 5% 증가한 8천601억 원을 기록했다. 전략 거래선 향 신규 스마트폰용 고성능 카메라 모듈과 글로벌 거래선향 전장용 카메라 모듈 공급이 증가한 데 따른 효과다. 삼성전기는 고화소 폴디드줌 등 고성능 카메라모듈 요구에 양산을 적기 대응하고, 전천후 카메라 모듈 공급 등 전장용 제품의 공급 확대와 거래선 다변화를 추진할 계획이다. 패키지솔루션 부문은 고부가 제품 중심 수요 증가로 전년동기 대비 27%, 전분기 대비 12% 증가한 5천582억 원의 매출을 기록했다. 삼성전기는 "ARM CPU용 BGA 공급을 확대하고, 대면적·고다층 AI 서버용 및 전장용 FCBGA 기판 판매가 늘었다"며 "특히 AI와 서버용 FCBGA의 경우 CPU용을 중심으로 올해 지난해보다 약 두 배 성장이 예상된다"고 밝혔다. 4분기는 AI·서버·네트워크·전장용 등 고부가 기판의 수요가 지속 증가할 것으로 예상된다. 삼성전기는 서버용 FCBGA 공급을 늘리고 AI가속기용 FCBGA 등 고부가 제품의 비중을 확대할 예정이다. 또한 2분기부터 양산을 시작한 베트남 신공장 양산 안정화를 통해 하이엔드 패키지기판 사업을 지속 성장시킬 계획이다.

2024.10.29 13:21장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

SK하이닉스, HBM으로 사상 최대 실적…삼성도 제쳤다

SK하이닉스가 AI 메모리 고대역폭메모리(HBM) 출하 증가에 힘입어 3분기 매출과 영업이익에서 분기 최대 실적을 달성했다. SK하이닉스의 3분기 영업이익은 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적보다 1조5천억원 가량 많은 것으로 추정된다. SK하이닉스는 24일 실적 발표를 통해 3분기 영업이익이 7조300억원으로 전년대비 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 40%, 순이익 5조7천534억원(순이익률 33%)을 기록했다. 3분기 영업이익과 순이익은 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기 기록(영업이익 6조4천724억원, 순이익 4조6천922억원)을 크게 뛰어넘었다. 매출은 17조5천731억 원으로 지난해 같은 기간보다 93.8, 전기에 비해 7% 늘었다. 기존 최대 기록인 지난 2분기 매출(16조4천233억원)보다도 1조원 이상 많았다. SK하이닉스의 실적은 메모리 업계 경쟁사인 삼성전자와 대비된다. 삼성전자는 지난 8일 잠정실적에서 전체 영업이익 9조1천억원을 기록, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 이날 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 추정하며 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석했다. 메모리 분야 만년 2위인 SK하이닉스가 1위 삼성전자 실적을 제친 것이다. ■ HBM 연매출 전년比 330% 상승…내년 HBM4 출하, TSMC와 '원팀' SK하이닉스 실적 상승의 일등공신은 HBM이다. SK하이닉스는 "데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐고, 이에 맞춰 회사는 HBM(고대역폭메모리), eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 창사 이래 최대 매출을 달성했다"며 "특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다"고 강조했다. 이어서 "수익성 높은 고부가가치 제품 중심으로 판매가 늘며 D램 및 낸드 모두 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 전 분기 대비 10%대 중반 가량 상승해 사상 최대 영업이익을 거두게 됐다"고 설명했다. HBM 매출 성장은 내년에도 지속될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝히며 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라고 말했다. 또 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 덧붙였다. 이에 따라 SK하이닉스 3분기 전체 D램 매출에서 30%에 달했던 HBM 비중은 4분기에는 40%에 이를 전망이다. 이어 SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 고객 맞춤형 제작을 요하는 HBM4에서는 대만 파운드리 업체 TSMC와 협력을 강화한다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 말했다. ■ 범용 메모리 재고, 내년 상반기에 정상화…시설투자 늘려 HBM 공급 강화 최근 메모리 업계는 범용 메모리와 HBM과 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 AI향 제품 가격의 양극화가 심화됐다. 스마트폰, PC 시장 등의 침체로 인해 범용 메모리의 재고가 쌓인데 따른 결과다. 범용 메모리 재고는 내년 상반기 정상화가 될 전망이다. SK하이닉스는 "PC와 모바일 수요 개선이 지연되고 중국 공급사가 레거시 제품에 진출을 가속하는 등 D램 수급에 부정적 영향이 증가하고 있다"면서 "DDR4나 LPDDR4 등 레거시 제품과 HBM, DDR5, LPDDR5 등 프리미엄 제품의 수급 상황이 크게 달라 각 제품 가격의 변동 방향도 서로 다르게 나타났다"고 설명했다. 또 중국 메모리 업체의 공급 증가와 관련한 우려에 대해서는 후발 업체와 선두 업체 사이의 기술 격차가 크다고 짚었다. SK하이닉스는 중국 업체와 격차를 더 벌리고 수익성을 강화하기 위해 범용 메모리 생산 규모는 줄이고 HBM, DDR5, LPDDR5 등 선단 공정으로 전환을 앞당겨서 추진할 계획이다. 낸드에서도 SK하이닉스는 투자 효율성과 생산 최적화 기조에 무게를 두면서 시장 수요가 가파르게 늘고 있는 고용량 엔터프라이즈향 SSD의 판매를 확대한다. SK하이닉스는 프리미엄 메모리 공급 확대를 위해 시설투자 규모를 연초 계획보다 늘려 10조 중후반대를 집행했고, 내년에는 올해보다 더 늘릴 계획이다. 회사는 "올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM(고대역폭메모리) 수요 대응과 (청주에 위치한) M15X 팹 투자 결정을 반영해서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조원 중후반대가 예상된다"며 "내년에는 아직 구체적 투자 규모는 확정되지 않았지만 안정적 공급을 위한 투자, DDR5 및 LPDDR5 양산 확대를 위한 전환 투자, M15X, 용인 반도체 클러스터 투자 등을 감안하면 올해보다 소폭 (투자 금액이) 증가할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 다만, 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라, R&D, 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적일 전망이다.

2024.10.24 14:16이나리

삼성 위기론 속 이재용 취임 2년...기술 중심·책임 경영 목소리 더 커져

삼성전자 위기론 속에 이재용 회장이 오는 27일로 취임 2주년을 맞이한다. 이 회장의 지난 2년간 경영에 대한 평가는 냉혹하다. 고(故) 이건희 선대회장의 기술중심 리더십과 비교해 이 회장의 리더십이 눈에 띄지 않았다는 지적이다. 물론 이유는 여럿 있다. 8년째 이어지고 있는 오랜 재판으로 인한 스피드경영의 기본인 오너십 부재와 막강한 글로벌 경쟁자들의 급부상이다. IT 산업, 특히 반도체를 중심으로 한 공급망 시장 질서 급변과 미래 AI기술 경쟁의 격변기 속에 D램·파운드리·시스템LSI·스마트폰·무선네트워크장비·가전 등 여러 사업을 진행하는 삼성전자가 '선택과 집중'을 하지 못하고 경쟁에서 뒤쳐지고 있는게 아니냐는 우려가 높다. '승어부(勝於父·아버지를 능가함)'를 통한 더 탄탄한 초일류 기업 도약을 다짐했던 이재용 회장이 이같은 위기론에 기술 중심과 책임 경영에 더 적극적으로 나서야 한다는 목소리가 나온다. 재계 관계자들은 "삼성이 위기에 처했다. 이제 이재용 회장이 책임경영을 실질적으로 보여줘야 할 시점"이라며 변화가 절실하다고 입을 모은다. 위기 극복을 위해서는 대대적인 조직 개편, 컨트롤타워의 재건, 그리고 인적 쇄신이 반드시 필요하다는 지적이 이어지고 있다. ■ 이재용 2년 성과는 '물음표'...'5만 전자' 주가가 보여주는 성적표 이재용 회장은 2022년 10월 27일 회장 취임 당시 사내 게시판을 통해 "안타깝게도 지난 몇년간 우리는 앞으로 나아가지 못했다. 새로운 분야를 선도하지 못했고, 기존 시장에서는 추격자들의 거센 도전을 받고 있다"며 "어렵고 힘들 때일수록 앞서 준비하고 실력을 키워나가야 한다"고 강조했다. 2년이 지난 지금 삼성전자의 상황은 더 안 좋아졌다. 첨단 반도체 수요에 미리 대비하지 못하면서 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스에 밀렸고, 범용 메모리 제품은 중국의 추격에 쫓기고 있다. 이 회장은 2019년 '반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체 분야에서 세계 1위 달성 목표를 세웠지만, 파운드리 시장에서 1위인 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어진 상태다. 파운드리와 시스템LSI를 포함한 시스템반도체 부문은 2년 연속 수조원의 적자를 낸 것으로 추정된다. 지난 8일 삼성전자는 시장 기대치 보다 낮은 3분기 잠정실적(매출 79조원, 영업익 9.1조원)을 발표하면서 시장에 큰 충격을 줬다. 이에 반도체 사업 수장인 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장)이 이례적으로 사과문까지 발표하며 위기를 인정했을 정도다. 삼성전자 모바일 브랜드 갤럭시도 세계 휴대폰 출하량 1위지만 긴장을 놓을 수 없는 상황이다. 애플은 지난해 스마트폰 출하량 기준에서 삼성전자를 제치고 1위를 차지했다. 애플이 스마트폰 시장에서 1위를 차지한 것은 2007년 아이폰 사업을 시작한 이후 사상 처음이다. 시장조사업체 테크인사이츠는 내년 스마트폰 출하량 기준에서 애플이 다시 1위를 한다는 전망을 내놓았다. 삼성전자는 2017년 하만 인수 이후 100조원에 달하는 순현금을 쌓았음에도 불구하고 대형 인수합병(M&A) 소식이 들려오고 있지 않고 있다. 삼성전자 주가는 회사의 위기 상황을 상징적으로 보여주고 있다. 한때 '10만 전자' 돌파 전망까지 나왔던 삼성전자의 주가는 최근 5만원대로 하락하며 위기론을 가중시키고 있다. 기업분석업체 CXO연구소의 오일선 연구소장은 "이재용 회장이 취임 2년 차를 맞이한 올해는 작년에 비해 실적이 다소 개선되었으나, 적절한 시기에 시장이 요구하는 최상의 기술력을 선보이지 못해 성장을 위한 기회를 충분히 활용하지 못했다"라며 "이로 인해 외국인 투자자들에게 메리트가 감소했고, 이는 주가 하락에도 영향을 미친 것으로 보인다"라고 분석했다. 또한 그는 "올해 노조 파업 문제도 원활하게 해결되지 않아, 노사 간 신뢰가 다소 훼손되면서 위기가 더욱 심화됐다"고 덧붙였다. ■ 컨트롤타워 부재…재무 중심 경영으로 초격차 기술 잃어 삼성전자의 위기는 구조적인 문제도 한몫 한다. 삼성은 컨트롤타워 역할을 하던 '미래전략실'이 국정농단 사태 이후인 지난 2017년 2월 해체되면서 계열사 자율경영 체제로 운영하고 있다. 삼성전자(사업지원TF), 삼성생명(금융경쟁력제고TF), 삼성물산(EPC경쟁력강화TF) 등 3개사가 각각 태스크포스(TF)를 만들어 계열사들을 관리하는 방식이다. 현재까지 삼성 계열사들을 유기적으로 컨트롤하고 경영전략을 제시하는 조직이 존재하지 않는다. 이런 구조로 지난 7년간 정현호 부회장이 이끈 사업지원 태스크포스(TF)의 영향력은 더욱 커졌다. 재계에서는 재무 출신인 정 부회장이 과감한 기술투자 보다는 현상을 유지하는 경영을 지속하면서 삼성이 초격차 기술을 잃었다는 평가가 압도적이다. 익명을 요구한 삼성전자 관계자는 "재무 전문가들은 캐팩스(자본적지출), ROI(투자수익률)로 설명이 되어야만 의사결정을 내리지만, 엔지니어들은 장기적인 기술 투자를 중시한다"라며 "그런 관점에서 과거 삼성은 메모리 사업이 잘되고 있는데, 시장이 언제 열릴지 모르고 성공도 불확실한 HBM에 투자하지 않았던 것"이라고 비판했다. 오일선 소장은 "현재와 같은 지배구조 상황에서는 그룹 전반을 깊이 이해하는 적임자를 통해 문제를 해결할 수밖에 없다"며 "현재 정현호 부회장이 이러한 역할을 수행하고 있지만, 2인자에게 지나치게 많은 권한이 집중되면 전체적인 균형을 유지하기 어려울 수 있다. 권한을 적절하게 분산시키는 것도 필요하다"고 조언했다. ■ 이재용, 등기이사 복귀 '책임경영' 절실…사법리스크 해결도 시급 이재용 회장이 5대 그룹 총수 중 유일한 미등기임원이란 점도 리더십 부재에 영향을 미친다. 재계에서는 이 회장이 책임경영을 위해 등기이사로 복귀하고, 그룹 컨트롤타워를 재건해야 한다는 의견이 나온다. 최근 이찬희 삼성 준법감시위원회 위원장도 "삼성은 사면초가의 어려움 속에 최고경영자의 등기임원 복귀 등 책임경영 실천을 위한 혁신적인 지배구조 개선이 있어야 한다”며 이같은 의견에 힘을 실었다. 류영재 ESG(환경·사회·지배구조) 평가 전문기관 서스틴베스트 대표는 "이재용 회장이 등기이사로 포함돼서 의사결정을 해야만 한다"며 "보드는 주식회사에 있어서 핵심적인 중요한 의사결정을 내리는 회의체인데, 실질적인 의사결정 권한을 갖고 있는 사람들이 참여하지 않고, 보드 바깥에서 의사결정을 하는 것은 책임지지 않는 권한을 뜻한다"고 말했다. 사법 리스크 해결도 시급하다. 이 회장은 지난 2017년 2월 '국정농단' 사건으로 첫 구속된 이후, '삼성물산과 제일모직 불법합병 및 불법 회계' 혐의로 재판장을 오간 시간만 횟수로 8년째다. 재판은 일주일에 1∼2회 열리는데 이 회장은 피고인이 공판에 직접 출석해야 한다는 형사소송법 규정에 따라 매번 직접 출석하느라 글로벌 주요 행사에 참석할 수 없었다. 이 회장은 취임 후 재판으로 해외출장이 제약되는 상황 속에서도 글로벌 전역을 돌며 현장 경영에 힘쓰는 모습을 보였지만, 장기 일정을 소화하기에는 한계가 따랐다. 이 회장은 지난 2월 삼성그룹 경영권 불법 승계 및 회계 부정 의혹 사건 1심에서 무죄를 선고받으며 한숨 놓았지만, 다시 2심 항소심 재판을 받고 있다. ■ 기술 중심의 '인적쇄신' 필요…연말 인사 주목 삼성전자가 위기를 극복하기 위해서는 기술 중심의 인적쇄신이 필요하다는 게 중론이다. 조직개편 뿐 아니라 삼성의 주력 사업인 반도체 분야에서 오랜 경력을 쌓은 전문가들을 사외이사로 영입할 필요성이 있다는 지적이다. 삼성전자의 사외이사는 6명으로 전직관료가 2명, 전직 은행임원이 1명, 대학교수가 2명, 금융전문가가 1명이다. 반면 경쟁기업인 TSMC 사외이사는 전직 글로벌 기업 경영자 5명, 전 MIT총장에 전 타이완 행정원장으로 구성돼 있다. 류영재 서스틴베스트 대표는 "현재 사내이사들은 새로운 기술에 대한 대규모 투자를 결정하는 데 어려움을 겪고 있다. 유망한 기술이라도 막대한 투자를 결정하고 나서 결과물이 나오지 않으면, 사내이사들이 그 책임을 지고 퇴사해야 할 수 있어 보수적인 태도를 취할 수밖에 없다"고 설명했다. 그는 이어 "반면 임기가 보장된 사외이사들은 상대적으로 위험 부담이 적기 때문에, 더욱 과감한 결정을 내릴 수 있다. 사외이사들의 프로필을 글로벌 최고 수준의 기술 전문가들로 대폭 강화해야 한다"고 조언했다. 삼성전자는 연말에 대대적인 인사와 조직개편을 앞두고 있다. 통상 삼성전자는 12월초에 사장단임원 인사를 발표했지만, 올해는 11월 중순으로 당겨질 전망이다.

2024.10.24 11:05이나리

삼성 파운드리 부사장 "기술력 부족하지 않아...HBM에 3.5D 패키징 적용"

"삼성전자가 경쟁사 대비 기술력이 부족하다고는 생각하지 않는다. 고객사에 맞춰 설계와 공정을 최적화하는 단계에서, 삼성전자는 시너지 효과를 발휘할 수 있다. 이를 위해 실리콘 캐퍼시터, 3.5D 패키징 등 여러 기술을 준비하고 있다." 정기태 삼성전자 파운드리 부사장은 23일 오전 서울 코엑스에서 열린 '제7회 반도체 산학연 교류 워크샵'에서 이같이 밝혔다. 이날 '스마트 월드에서 파운드리 기술의 역할'을 주제로 발표한 정 부사장은 자율주행, AR·VR, 엣지 컴퓨팅 등의 산업 발전을 위해서는 여러 첨단 파운드리 기술 및 시스템반도체가 필요함을 강조했다. 정 부사장은 "첨단 산업의 발전은 반도체 시장에도 무궁무진한 성장 가능성을 부여한다"며 "삼성전자에서도 많은 자원을 투입해야 하고, 그만큼 얻을 과실도 많다고 생각한다"고 밝혔다. TSMC 등 주요 기업과의 경쟁력과 관련한 질문에는 "삼성전자의 기술적 능력이 부족하다고는 생각하지 않는다"며 "물론 차이는 있으나, 삼성전자는 메모리와 파운드리, LSI 등을 모두 개발하고 있어 공정 최적화 등 시너지 효과를 낼 수 있다"고 강조했다. 이를 위해 삼성전자는 최첨단 공정 기술을 지속적으로 고도화하고 있다. 대표적인 사례가 '실리콘 캐퍼시터'다. 커패시터는 도체에 많은 양의 전하를 일시적으로 저장하는 부품이다. 칩에 전류가 안정적으로 공급될 수 있도록 돕는 역할을 한다. 실리콘 커패시터의 경우, 기존 쓰여 온 MLCC(적층세라믹콘덴서) 대비 고온·고주파 등의 환경에서 신뢰성이 높다. 발열 및 전력효율성을 높이는 데에도 유리하다. 덕분에 HPC(고성능컴퓨팅)과 모바일 분야에서 점차 활용처가 늘어나고 있다. 정 부사장은 "실리콘 커패시터는 이전 D램에서 활용하던 20나노미터(nm) 공정을 기반으로 하기 때문에 기술적으로 별다른 문제가 없다"며 "구체적인 상용화 일정 등은 밝힐 수 없으나, 이미 양산을 위한 준비는 마무리했다고 보면 된다"고 설명했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 위한 패키징 로드맵에 대해서도 소개했다. 삼성전자는 향후 HBM에 3.5D 패키징을 적용해, '액티브 인터포저' 등 각종 첨단 기술을 도입할 계획이다. 3.5D 패키징은 칩을 수직으로 쌓는 3D 패키징과, 기판 사이에 인터포저라는 부품을 삽입하는 2.5D 패키징을 결합한 기술이다. 액티브 인터포저는 금속 배선을 통해 칩과 기판을 연결하는 기존 인터포저에서 한발 더 나아가, 전력을 제어하는 기능을 포함한다.

2024.10.23 15:06장경윤

가온칩스, '제 17회 반도체의 날'서 동탑산업훈장 수훈 영예

가온칩스는 정규동 대표가 제17회 반도체의 날 기념식에서 반도체 산업 발전에 기여한 공로로 동탑산업훈장을 수여했다고 22일 밝혔다. 산업통상자원부가 주최하고 한국반도체산업협회(KSIA)가 주관하는 반도체의 날은 우리나라 반도체 수출액이 최초로 100억 달러를 돌파한 1994년 10월 29일을 기념해, 2008년부터 제정해 개최해 오고 있다. 올해로 17번째를 맞이하는 이날 행사에는 산업통상자원부 안덕근 장관, 한국반도체산업협회 곽노정 협회장 등 업계 관계자 550여 명이 참석한 가운데 'K-CHIPS, THE LEADER OF AI'라는 슬로건으로 진행됐다. 가온칩스 정규동 대표이사는 국내 반도체 발전을 위한 사명감으로 지난 26년간 시스템반도체 경쟁력 강화와 디자인 솔루션 개발을 통해 산업 발전에 기여한 공로를 인정받아 동탑산업훈장의 영예를 안았다. 특히 ▲반도체 디자인 솔루션 산업 발전 및 기술 선도 ▲반도체 설계 전문 인력 양성 및 역량 강화 ▲시스템반도체 가치사슬(Value Chain)에서 파운드리·팹리스·IP·OSAT 기업과의 협력 강화를 통해 반도체 산업 발전에 공헌했음을 인정받았다. 정 대표는 “이번 수상은 가온칩스 모든 임직원의 노력 덕분”이라며 “앞으로도 반도체 산업 발전을 위한 기술 개발 및 고도화를 위해 더욱 정진하겠다”고 수훈 소감을 밝혔다. 한편 가온칩스는 인공지능 및 차량용 반도체를 중심으로 해외 시장 진출을 통한 사업 확대 등 다양한 모멘텀을 통해 성장을 지속해 나가고 있다. 특히 올해 초 삼성 파운드리 최첨단 2nm(나노미터-10억분의 1m) 공정을 통한 인공지능 반도체 개발 수주에 성공하며 초미세공정 기반에 특화된 설계 기술력을 입증받았다.

2024.10.22 19:06장경윤

박용인 삼성전자 사장, "엑시노스 2500 개발 열심히 할 것"

삼성전자 시스템LSI사업부장 사장이 '엑시노스 2500', HBM(고대역폭메모리)용 로직다이 등 차세대 제품 개발에 대한 의지를 다졌다. 박 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 이같이 말했다. 이날 박 사장은 하반기 실적 전망에 대해 묻는 기자들의 질문에 "지켜보고 있다"고 답변했다. 또한 시스템LSI의 차세대 제품인 엑시노스 2500, HBM4용 로직다이의 개발 현황에 대해서는 "열심히 하겠다"고 밝혔다. 엑시노스 2500은 2세대 3나노 공정(SF3) 기반의 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)다. 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰인 '갤럭시S25' 시리즈용으로 개발해 온 칩셋이다. 다만 엑시노스 2500은 수율 부족 등으로 최근 갤럭시S25향 탑재가 어렵다는 설이 제기되고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 삼성전자는 6세대 제품인 HBM에 필요한 로직다이를 시스템LSI를 통해 설계할 계획이다. 특히 초미세 공정 적용으로 성능을 강화한다는 전략이다. 로직다이는 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다.

2024.10.22 18:43장경윤

삼성 HBM4 희망 불씨...'1c D램' 성과에 달렸다

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 개발 중인 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 반도체 업계 최대 화두로 떠오르고 있다. 1c D램은 삼성전자, SK하이닉스 등이 내년 양산을 본격화할 것으로 예상되는 차세대 메모리다. 삼성전자의 경우 1c D램의 초도 양산라인을 올해 연말 구축할 계획이다. 1c D램이 삼성전자에게 중요한 이유는 반도체 시장 성장을 이끌고 있는 HBM(고대역폭메모리) 때문이다. 삼성전자는 내년 말 출시를 앞둔 6세대 HBM, HBM4의 코어 다이(core die)로 1c D램을 채용하기로 했다. 삼성전자는 이전 세대인 HBM3, HBM3E 등에서 주요 고객사인 엔비디아향 양산이 지연되는 등 차질을 빚어 왔다. HBM3E에 경쟁사가 1b D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 낮은 1a D램을 활용한 것이 성능 부진의 주된 요소로 지목된다. 반대로 HBM4에는 삼성전자가 1c D램을, SK하이닉스·마이크론이 1b D램을 채택했다. 삼성전자가 경쟁사보다 집적도를 높인 D램 채용으로 그동안 탈많은 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이다. ■ "관례 뒤집는 승부수"…삼성 1c D램 성능 안정성 여부 의문 다만 삼성전자의 HBM 로드맵에 업계의 우려 섞인 시선도 적지 않다. 그간 D램 및 HBM이 개발돼 온 기술적인 절차와 관례를 삼성전자가 이번 HBM4부터 뒤집을 가능성이 높기 때문이다. 이유는 이렇다. HBM은 범용 D램을 기반으로 만들어지기 때문에, 범용 D램의 성능을 안정적으로 확보하는 것이 중요하다. 이에 업계는 먼저 컴퓨팅과 모바일 등으로 D램 제품을 개발하고, 이후 이를 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 그러나 현재 삼성전자의 행보를 봤을때 이러한 과정을 생략하거나 축소할 가능성이 크다. 삼성전자는 당초 연내 1c D램의 초도 양산을 시작하겠다는 계획을 세운 바 있다. 설비투자 시점을 고려하면 본격적인 양산은 빨라도 내년 상반기에나 가능하다. 이 경우, HBM4의 목표 양산 시점과의 간격이 1년도 채 되지 않는다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "통상 D램은 컴퓨팅을 코어로 개발하고 모바일, HBM 등으로 파생되는 순서를 거쳐야 안정적"이라며 "반면 삼성전자는 양산 일정을 고려하면 HBM이 사실상 신규 D램의 가장 빠른 주 적용처가 되는 것으로, 이례적인 시도"라고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 지난 8월 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했으나, HBM4에는 적용하지 않는다. 시장 상황을 고려해 성능 향상 보다는 안정성에 무게를 두는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. ■ '희망 불씨' 봤다지만…확실한 성과 보여줘야 이달 삼성전자는 1c D램 개발 과정에서 처음으로 '굿 다이'(Good die)를 확보했다. 굿 다이란 제대로 작동하는 반도체 칩을 뜻하는 단어다. 이에 회사 내부에서는 "희망이 생겼다"는 긍정적인 평가가 나오기도 한 것으로 전해졌다. 다만 삼성전자가 1c D램을 안정적으로 양산하기 위해선 아직 많은 준비와 절차가 필요하다는 지적이 제기된다. 이번 개발 과정에서 삼성전자가 확보한 굿 다이의 수는 웨이퍼 투입량 대비 매우 적은 수준이다. 수율로 환산하면 10%를 밑도는 것으로 산출된다. 또한 반도체 공정은 굿 다이 확보 이후 해당 칩을 패키징까지 완료하는 엔지니어링 샘플(ES), 고객사향 품질 인증을 마치기 위한 커스터머 샘플(CS) 등 상용화를 위한 여러 과정을 거쳐야 한다. 업계 관계자는 "삼성전자가 빠른 시일 내에 1c D램에서 수율과 성능 안정성 등 두 마리 토끼를 모두 잡아야 하는 상황"이라며 "최근 성과가 무의미한 것은 아니나, HBM의 경쟁력을 크게 끌어올리기 위해서는 더 많은 진전을 이뤄야 한다"고 설명했다.

2024.10.21 14:43장경윤

삼성전자, '칩렛' 최적화 RISC-V 칩 기술 공개

삼성전자가 인공지능(AI) 성장을 지원하는 리스크파이브(RISC-V) 반도체 기술 개발에 힘을 쏟는다. 18일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 22일~23일 미국 산타클라라에서 개최되는 '리스크파이브(RISC-V) 서밋'에 참가해 RISC-V 설계 기술과 2.5D, 3D 첨단 패키징 솔루션을 공개할 예정이다. 이 행사는 RISC-V 아키텍처와 관련된 최신 기술, 개발 동향, 응용 사례 등을 공유하는 자리다. 삼성전자는 첨단 패키징 기술인 칩렛 최적화를 통해 구축한 RISC-V 칩 기술을 발표한다. 또 임베디드 도메인에 RISC-V CPU를 채택한 성공 사례를 소개하고, 삼성이 개발한 적응형 인터럽트 아키텍처 기술도 소개할 예정이다. Arm 대항마로 떠오른 RISC-V는 2010년 UC버클리에서 개발한 오픈소스(개방형) 아키텍처다. Arm의 IP를 이용하는 기업은 허락받고 사용료를 내야 한다. 반면 RISC-V는 특정 기업이 소유하지 않는 구조이기에 기술을 저렴하게 사용할 수 있어서 장점이다. 삼성전자는 RISC-V 기술 개발에 적극적으로 참여하고 있다. 작년 6월부터 삼성은 비영리 단체 리눅스재단이 발족한 오픈소스 소프트웨어 개발 프로젝트 'RISE(RISC-V Software Ecosystem, 라이즈)'의 운영 이사회 멤버로 활동하고 있다. RISE에는 삼성 외에도 인텔, 엔비디아, 구글 퀄컴, 미디어텍 등이 참여한다. 삼성전자는 지난 10월 3일 미국 새너제이에서 개최한 삼성 개발자 컨퍼런스(SDC)에서 NPU(신경망처리장치) 칩과 타이젠 OS를 TV를 비롯해 더 많은 가전에 적용해 온디바이스AI 기능을 지원하게 됐다고 밝혔다. 또 삼성전자는 개발자들을 위한 RISC-V 기반 타이젠 OS 구축을 완료하고, 관련 SDK(소프트웨어 개발키트)를 2026년에 공개할 예정이다. 삼성전자는 RISC-V 개발 조직 인력도 강화했다. 올해 초 삼성전자 SAIT는 미국 실리콘밸리에서 AI 칩 설계 관련 연구 조직인 어드밴스드프로세서랩(APL)을 만들고 RISC-V 기반 반도체 기술을 중점적으로 개발하고 있다.

2024.10.18 16:42이나리

'절치부심' 삼성 1b D램 수율 향상 본궤도...HBM 로드맵엔 없어

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 현재 국내 D램 업계는 중국 후발주자들로부터 거센 추격을 받고 있다. DDR5·LPDDR5X(저전력 D램) 등 최선단 분야에서는 여전히 기술 격차가 공고하지만, DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙)는 현지 중국 정부의 막대한 지원 하에 생산량을 확대해 왔다. 특히 중국 최대 메모리 제조업체로인 창신메모리(CXMT)의 약진이 눈에 띈다. CXMT는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장에서 2023년 12만장, 올해 20만장 수준으로 늘릴 계획이다. 중국이 D램 출하량을 급격히 확대하는 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 기존 업체들의 매출 및 수익성은 감소할 수밖에 없다. 실제로 삼성전자는 최근 발표한 3분기 잠정실적 자료에서 "중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 따른 실적 하락"을 언급한 바 있다. ■ 中 추격에 최선단 1b D램 공정 전환 속도 삼성전자는 이 같은 상황을 타개하기 위한 방안으로 '1b D램(5세대 10나노급 D램)'에 주목하고 있다. 해당 D램은 삼성전자가 개발에 어려움을 겪었던 이전 세대 제품, 1a D램의 부진을 만회하기 위해 절치부심의 심정으로 개발한 메모리다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공했다. 생산능력 역시 빠르게 확대할 전망이다. 올해 말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확대하기 위한 투자가 진행되고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자도 협력사에 중국 D램 제조기업의 동향을 물어볼 만큼 관련 사안에 관심이 많다"며 "현재 1b D램으로 공정 전환을 서두르는 이유 중 하나가 중국 기업들 때문"이라고 설명했다. 1b D램이 삼성전자에게 더욱 중요한 이유는 AI 산업 확대에 있다. 삼성전자의 32Gb D램은 서버 시장을 메인 타깃으로 개발된 제품으로, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있도록 설계됐다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. ■ 수율 향상 본궤도 올랐지만…HBM 로드맵엔 배제 메모리 경쟁력의 핵심인 수율은 비교적 견조한 수준으로 끌어올린 것으로 관측된다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 올 3분기 말 기준으로 삼성전자 1b D램의 평균 수율은 60%를 넘어선 것으로 전해졌다. 세부적으로 16Gb 제품의 수율은 더 높고, 32Gb 제품 수율은 아직 60% 수준에는 미치지 못한 것으로 알려졌다. 통상 D램 양산에 이상적인 수율(80~90%)보다는 낮지만, 올해 초중반 대비 수율을 향상시키는 데에는 성공했다는 평가다. 다만 삼성전자 1b D램이 HBM(고대역폭메모리) 로드맵에서 배제돼 있다는 점은 한계로 지적된다. 삼성전자는 HBM3와 HBM3E에 1a D램을 채용하고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램을 채용하고 있다는 점을 감안하면 한 세대 뒤쳐졌다. 반대로 내년 말 양산을 목표로 하고 있는 HBM4와 관련해, 삼성전자는 차세대 1c D램을 적용할 계획이다. 성능 극대화를 위한 전략으로도 볼 수 있으나, 기술적인 면에서도 1b D램이 HBM에 적용될 가능성은 현재로선 매우 낮은 것으로 관측된다. 사안에 정통한 관계자는 "1b D램은 설계 당시부터 HBM 적용을 고려하지 않아, 현재 계획 상에서는 HBM향 개조 등이 어려운 상황"이라며 "범용 D램 쪽에서 수율 향상에 집중하고 있다"고 말했다.

2024.10.17 14:06장경윤

삼성, 위기라는데…

모든 기업은 위기를 맞는다. 위기는 기업에게 숙명과도 같다. 그래서일까, 대한민국을 대표하는 삼성은 더 많은 위기를 마주하게 마련이다. 아마도 그 때문일 것이다. 삼성은 우리 경제의 역경과 고난, 그리고 성장과 늘 함께 했던 것 같다. 마치 모든 인간은 죽는다는 필연적 예측을 근거로 삼성의 안위는 언제나 우리의 화두였다. 삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯하다. 인공지능(AI)과 양자(Quantum) 시대, 기술 선진국들의 다툼 속에 미래 반도체 산업이 국가 경제안보로까지 대두되는 현실과 궤를 같이한다. 지난 9월 국내 ICT 수출액에서 반도체 분야가 차지하는 비중이 60%를 넘어섰다는 사실도 30년째 세계 메모리 반도체 1위를 지키고 있는 삼성에 거는 기대치가 그만큼 커졌다는 것을 반증한다. 그럼 지금의 삼성전자의 위기 수위는 어느 정도일까. 삼성전자는 지난 3분기 매출 79조원, 영업이익 9.1조원을 잠정 기록했다. 직전 분기에는 74조원에 10.4조원, 1분기엔 72조원에 6.6조원을 했다. 작년 한해 반도체 불황 탓에 연간 영업익 6.6조원을 기록한 것에 비하면 솔찬하다. 삼성전자는 올해 연간 영업익이 39조원에서 40조원 사이로 관측되는데 반도체 호황기로 불리는 2017년(53.6조원), 2018년(58.9조원)과 비교해 실망하기에는 아직 이르다. '분기당 9조원 넘게 돈을 버는 회사가 위기인가?'라는 물음이 나올만했다. 반도체 부문만 놓고 봐도 그렇다. 이달 말 공식 발표가 나와 봐야 알겠지만 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5.3조원으로 지난 2분기(6.46조원) 보다는 감소한 것으로 관측된다. 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 약 4조원대, 낸드 1조원대를 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원이라는 게 증시 예측이다. 메모리 위주인 SK하이닉스가 HBM 시장 선점을 등에 업고 3분기 영업이익이 6조원대로 추정되는 것과 비교하면 '잘했다'며 등을 두드려주기 어렵다. 하지만 삼성전자가 대만 TSMC가 독점하다시피한 파운드리 사업에 쏟고 있는 노력과 비용을 감안해야 한다. 돌이켜볼때 2019년 4월 메모리에 이어 '2030 시스템반도체 1등'을 외칠때 SK하이닉스가 HBM에 힘을 더 싣고 준비를 잘 해왔다는 점은 삼성 입장에서 뼈 아픈 실기였다. 구조적으로 어려운 시스템반도체 시장에서 1등을 하려다 메모리까지 잃어서는 안 된다. 그럼에도 한 가지 짚고 가야할 일은 이번 삼성 위기설이 과거 안기부 엑스파일이나 검사떡값, 최순실 국정농단 사건으로 비화된 정치·경제·사회적으로 통제되지 않는 삼성의 힘과 자본의 지배력을 향한 질타와는 결이 다르다는 데 있다. 그래서 더 깊은 내적 성찰과 위기극복의 대안이 시급히 마련돼야 한다. 무엇보다 경쟁사에 뒤쳐진 HBM(고대역폭메모리)으로 대변되는 AI 메모리 사업에 대한 삼성전자의 결단과 분발이 요구된다. 또한 하드웨어(공정)도 중요하지만 반도체가 고성능화될 수록 소프트웨어(설계), 알고리즘 분야가 차지하는 비중이 더 늘어나기 때문에 관련 분야의 기술인력 육성에 좀 더 힘을 쏟았으면 한다. 무사안일도 경계해야 하지만 사회적 위기 과잉도 좋을 게 없다. 조롱과 빈정거림이 난무하고 책임을 전가하는 소통은 필패뿐이다. 위기 과잉은 공포와 피로감을 초래한다. 두려움과 무서움은 혁신과 도전을 망설이게 한다. 그래서는 미래로 갈 수 없다. 세계 유수의 빅테크와 미·중 패권 전쟁 속에 지금, 삼성에게 필요한 것은 무엇일까. 전영현 부회장이 두 번째 사과문을 내는 일이 없기를 바란다.

2024.10.16 11:11정진호

리벨리온, 삼성·ARM·에이디테크놀로지와 AI CPU '칩렛' 플랫폼 개발 추진

리벨리온은 Arm, 삼성전자 파운드리사업부, 에이디테크놀로지(ADT테크놀로지)와 협력해 AI CPU 칩렛(Chiplet) 플랫폼을 개발한다고 15일 밝혔다. 최근 데이터센터 및 HPC(고성능컴퓨팅) 영역에서 AI 워크로드에 대한 수요가 커짐에 따라 첨단 칩렛 기술을 활용해 성능과 에너지효율성을 갖춘 AI 인프라를 제공하기 위함이다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 첨단 패키징 기술이다. 이번 협업은 4개 사의 기술적 강점을 살려 이뤄진다. 리벨리온은 자사 AI반도체 '리벨(REBEL)'에 에이디테크놀로지가 설계한 CPU 칩렛을 통합한다. 이 CPU 칩렛은 Arm의 '네오버스 컴퓨팅 서브 시스템(Arm Neoverse Compute Subsystems) V3'를 기반으로 설계되며, 삼성전자 파운드리는 최첨단 2나노 공정 기술을 활용해 CPU 칩렛을 생산한다. 이렇게 만들어진 통합 플랫폼은 '라마(Llama) 3.1 405B'를 비롯한 초거대언어모델 연산에 있어 2배 이상의 에너지 효율성 향상을 보일 것으로 예상된다. 리벨리온은 이러한 업계 선도 파트너사들과 협력해 AI 추론에 특화된 고효율 칩렛 솔루션 개발에 속도를 더할 계획이다. 특히 리벨리온의 칩 설계 전문성과 파트너사들이 보유한 방대한 경험을 결합해, AI 컴퓨팅 역량을 향상시킬 뿐 아니라 반도체 솔루션의 확장가능성과 효율성의 새로운 기준을 제시하는 계기가 될 것으로 기대된다. 오진욱 리벨리온 CTO는 “리벨리온은 반도체 스타트업으로선 전례 없는 속도로 칩렛 기술을 도입해 AI모델 개발사, 하이퍼스케일러 등 다양한 종류의 AI 워크로드 수요에 대응하고 있다”며 “리벨리온이 보유한 AI반도체 기술과 경험을 살려 생성형AI 시대의 혁신을 이끌고, 훌륭한 파트너들과 함께 칩렛 생태계의 새로운 지평을 열어가게 되어 매우 뜻깊게 생각한다”고 말했다. 황선욱 Arm코리아 사장은 “이번 다자간 협업으로 빠르게 변화하는 AI 인프라 시장의 다양한 요구에 대응할 수 있을 것으로 기대한다"며 "리벨리온이 그간 선제적으로 개발해 온 칩렛 기술과 Arm의 반도체 플랫폼 및 에코시스템이 결합한 만큼 높은 수준의 성능과 효율성을 갖춘 플랫폼으로 AI 혁신을 이끌 것”이라고 밝혔다. 송태중 삼성전자 파운드리사업부 Business Development팀 상무는 “삼성전자 파운드리사업부 또한 이번 다자협력에서 최첨단 공정 기술과 첨단 패키징 솔루션을 활용하는 만큼 이번 기회가 AI반도체 분야의 미래와 생태계 구축에 있어 중요한 이정표가 될 것”이라고 말했다. 박준규 에이디테크놀로지 대표는 “Arm 토탈 디자인 생태계의 일환으로 진행 되는 프로젝트”라며 “에이디테크놀로지는 CPU 클러스터와 인터페이스 설계를 통해 연산 성능과 에너지 효율성을 극대화하여 AI 반도체 시장에서 독보적인 경쟁력을 확보 할 것”이라 강조했다.

2024.10.15 22:00장경윤

TSMC, 내년 3나노 공정 주문 늘었다…삼성과 격차 더 벌리나

대만의 반도체 파운드리(위탁생산) 업체인 TSMC는 내년 3나노 공정의 주문량이 올해보다 늘어나면서 수익성이 증가할 전망이다. 또한 TSMC 미국 애리조나 팹은 애플에 이어 AMD를 고객사로 신규 확보했다. 인공지능(AI) 가속기뿐 아니라 올해부터 본격적인 3나노 공정 기반의 모바일용 애플리케이션 프로세서(AP)가 출시되면서 3나노 공정 수요 증가를 견인한 것으로 분석된다. TSMC의 대표적인 고객사는 엔비디아, AMD, 애플, 퀄컴 등이다. ■ 3나노 고객사 엔비디아·애플·미디어텍·AMD...신규 고객사 인텔·구글 확보 TSMC의 첫 3나노 공정 고객사였던 애플은 내년에도 TSMC 팹을 이용할 예정이다. 애플은 내년 아이폰17시리즈에 탑재될 'A19 프로' AP를 TSMC 3나노 3세대 공정(N3P)에서 생산할 예정이다. 신규 고객사인 구글도 내년에 출시하는 스마트폰 픽셀 10시리즈용 '텐서 G5' AP를 TSMC 3나노 공정에서 제조하기로 결정했다. 대만 팹리스 업체 미디어텍은 올해 TSMC 3나노 2세대 공정에서 '디멘시티 9400′ AP를 생산한 데 이어 내년에도 차세대 AP를 같은 공정에서 생산할 예정이다. 또 미디어텍은 엔비디아와 공동 개발한 PC용 칩도 내년 TSMC 3나노 공정을 채택했다. 해당 칩은 내년 2분기에 출시돼 3분기부터 양산에 들어갈 예정이다. TSMC 주요 고객사인 엔비디아는 올해 4분기 4나노 공정에서 생산되는 AI 가속기 '블랙웰' 시리즈 출시에 이어 2026년 출시되는 '루빈' 시리즈를 TSMC 3나노 공정에서 생산하기로 결정했다. AMD도 TSMC와 파트너십을 강화한다. AMD가 내년에 출시하는 신규 AI 가속기 'MI350' 시리즈는 3나노 공정에서 생산될 예정이며, TSMC를 선택할 가능성이 높다. 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 지난 10일(현지시간) AMD '어드밴싱 AI 2024' 행사에서 “최신 AI 칩 생산을 위해 현재로서는 대만의 TSMC 외에 다른 칩 제조 업체를 사용할 계획은 없다”면서 “대만 이외 TSMC의 애리조나 공장에도 관심이 많다”고 언급했다. 인텔 또한 3나노 공정 외주물량(아웃소싱)을 TSMC에 맡기기로 했다. 인텔은 신규 PC용 중앙처리장치(CPU) '루나레이크'를 인텔 20A에서 생산할 계획이었으나, 이를 취소하고 내년 TSMC 3나노 공정으로 생산을 전환했다. 이에 따라 내년 TSMC의 3나노 공정 주문량이 더욱 증가할 전망이다. ■ 美 애리조나 팹, 내년 양산 준비 순항...애플·AMD 확보 TSMC의 미국 애리조나주 피닉스 팹도 내년에 본격 가동을 시작하면서 고객사를 확보했다. 피닉스 1공장(팹21)은 4나노, 5나노 공정 노드를 제공한다. 이 팹에서 애플이 'A16' 칩은 4나노 공정에서 시험생산 중이며, 내년에는 물량이 더 늘어날 전망이다. 또 AMD도 내년 TSMC 피닉스 팹에서 칩 생산을 조율 중인 것으로 알려진다. 올해 2분기 기준으로 TSMC의 전체 매출에서 3나노 공정이 차지하는 비중은 15%, 5나노 공정은 35%로 총 절반에 달한다. TSMC의 3나노 공정 매출 비중은 내년에 더 늘어날 것으로 전망된다. 이로써 TSMC는 파운드리 시장에서 점유율을 더 늘릴 것으로 보인다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 전세계 파운드리 시장에서 TSMC는 62.3%, 삼성전자는 11.5% 점유율을 기록했다. 이는 지난해 2분기와 비교해 TSMC는 56.4%에서 5.9%포인트(p) 증가하고, 삼성전자는 11.7%에서 0.2%p 감소한 수치다. TSMC는 고객사 주문에 힘입어 첨단 공정에서 공격적인 투자도 이어간다. 대만 가오슝 난쯔 과학단지에 2나노 칩을 생산하는 1, 2공장(PI, P2)을 건설 중이며, 추가로 3나노 칩을 생산하는 3공장(P3) 건설도 이달 시작했다. 또 미국 애리조나주에서는 1공장에 이어 2, 3공장 건설도 추진 중이다.

2024.10.15 17:01이나리

삼성, 1a D램 재설계 고심…HBM 경쟁력 회복 '초강수' 두나

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 위기를 맞았다. 반도체를 비롯해 가전, MX, SDC 등 전 사업부가 난항을 겪고 있지만, 주력 사업인 메모리 분야가 올 3분기 호황 사이클에서도 빛을 발하지 못했다는 점이 특히 뼈아프다. 그 중에서도 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대한 시장의 실망감은 컸다. 삼성전자는 당초 엔비디아향 HBM3E 공급을 올해 3분기부터 본격화하기 위한 물밑 작업을 진행해 왔다. 그러나 아직까지 8단 제품의 퀄 테스트도 통과하지 못한 상황이며, 12단의 경우 내년 2·3분기까지 지연될 가능성이 농후하다. 삼성전자의 HBM 사업화 지연에는 복합적인 이유가 작용한다. 그러나 근본적으로 HBM의 문제는 코어(Core) 다이인 D램의 문제라는 게 전문가들의 지적이다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 연결하는 HBM 구조 상, D램의 성능이 HBM 성능으로 직결될 수밖에 없다. EUV 선제 적용했지만…1a D램 경쟁력 흔들 이러한 관점에서 삼성전자가 D램 기술력 1위의 지위가 크게 흔들린 시점은 '1a D램' 부터로 지목된다. 10나노급 D램은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대) 순으로 진화해 왔다. 1a D램은 선폭이 14나노미터(nm) 수준이다. 삼성전자의 경우 지난 2021년 하반기부터 양산을 시작했다. 삼성전자는 1a D램을 경쟁사 대비 빠르게 양산하지는 못했으나, EUV(극자외선) 등 첨단 기술을 더 적극적으로 도입하는 방식으로 경쟁력을 높이고자 했다. 삼성전자가 1a D램에 적용한 EUV 레이어 수는 5개로, 경쟁사인 SK하이닉스(1개) 대비 많았다. 그러나 이 같은 시도는 현재로선 성공적인 결과로 이어지지 않았다는 평가가 지배적이다. EUV는 기존 노광(반도체에 회로를 새기는 공정) 공정인 ArF(불화아르곤) 대비 선폭 미세화에 유리하다. 때문에 공정 효율성을 높여, 메모리의 핵심인 제조 비용을 저감할 수 있다는 게 EUV가 지닌 장점이었다. 다만 EUV는 기술적 난이도가 높아, 실제 양산 적용 과정에서 공정의 안정성을 떨어뜨리는 요인으로 작용했다. 이로 인해 삼성전자 1a D램의 원가가 당초 예상대로 낮아지지 않았다. D램 설계 자체도 완벽하지 못했다는 평가다. 특히 서버용 제품 개발에서 차질을 겪어, 경쟁사 대비 DDR5 적용 시점이 늦어진 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 지난해 1월 인텔로부터 1a D램 기반의 서버용 DDR5 제품을 가장 먼저 인증받기도 했다. HBM 사업화 지연 속 '재설계' 논의…대변혁 시도하나 삼성전자가 최근 부진을 겪고 있는 엔비디아향 HBM3E 양산 공급에도 1a D램의 성능이 발목을 잡고 있다는 지적이 나온다. 최근 삼성전자는 평택캠퍼스에서 엔비디아와 HBM3E 8단 제품에 대한 실사를 진행한 바 있다. 엔비디아 측은 실사 자체에 대해 별 문제없이 마무리했다. 그러나 HBM의 데이터 처리 속도가 타 제품 대비 낮다는 평가를 내린 것으로 알려졌다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 삼성전자 HBM3E 8단의 데이터 처리 속도(Gbps)는 SK하이닉스·마이크론 대비 10%대 수준으로 떨어진다. 구체적인 수치는 테스트 결과 및 고객사에 따라 차이가 있으나, 1b D램을 활용하는 두 경쟁사 대비 성능이 부족하다는 데에는 이견이 없다. 이에 삼성전자는 전영현 부회장 체제 하에서 서버용 D램 및 HBM의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 '초강수'를 고려하고 있다. 전 부회장은 최근 3분기 잠정실적 발표 후 사과문을 통해 "무엇보다, 기술의 근원적 경쟁력을 복원하겠다"며 "기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심"이라고 언급했다. 또 "단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다"며 "더 나아가, 세상에 없는 새로운 기술, 완벽한 품질 경쟁력만이 삼성전자가 재도약하는 유일한 길이라고 생각한다"고 했다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 최근 삼성전자는 1a D램의 회로 일부를 재설계(revision)하는 방안을 내부적으로 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 한 관계자는 "메모리 전략을 고심 중인 삼성전자가 1a D램을 재설계해야한다는 결론을 내놓고 있다"며 "다만 최종 결정은 나오지 않았고, 이를 위해서는 여러 위험 부담을 안아야하기 때문에 과감한 결단력이 필요한 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자가 1a D램을 재설계하는 경우, 제품이 완성되려면 최소 6개월 이상이 소요될 것으로 전망된다. 내년 2분기는 돼야 양산이 가능해지는 셈이다. 재설계가 문제없이 마무리 되더라도, 시장 상황을 고려하면 제품을 적기에 공급하기가 사실상 쉽지 않다. 또 다른 관계자는 "일정이 늦더라도 HBM3E 공급망 진입을 끝까지 시도하느냐, 아니면 HBM3E를 사실상 포기하느냐는 1a D램 개조 여부에 달려있다"며 "전영현 부회장도 이러한 문제점을 인식하고 있기 때문에, 조만간 구체적인 변화가 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

2024.10.15 16:55장경윤

한국 반도체 위기, 메모리도 긴장…정부 직접 보조금 절실

“한국 반도체 업계가 위기입니다.” “남들과 비슷한 수준으로 해서는 돌파구를 찾지 못합니다. 훨씬 담대한 계획을 세워 기술 초격차를 이어가고, 정부의 강력한 지원이 있어야 합니다.” 역대 산업부장관들은 한국 반도체 산업이 위기에 봉착했다고 진단하면서 정부가 이전 보다 더욱 과감한 방식으로 반도체 산업을 지원해야 한다고 의견을 모았다. 이대로 가다가는 메모리 기술에서는 중국에 쫓기고, AI 반도체에서 밀릴 수 있다는 우려가 나온다. 한국경제인협회(이하 한경협)는 14일 오후 서울 영등포구 FKI타워에서 역대 산업부 장관들을 초청해 특별대담을 개최했다. 대담회에는 이윤호 前지식경제부 장관, 윤상직 前산업부 장관(現법무법인율촌 고문), 성윤모 前산업부 장관(現김앤장 법률사무소 고문, 중앙대 석좌교수), 이창양 前산업부 장관(現카이스트 경영대학원 교수), 이종호 前과기부 장관(現서울대 전기정보공학부 교수) 등이 토론에 참가했고, 황철성 서울대학교 석좌교수가 주제발제와 함께 토론 사회를 맡았다. 국내 반도체 경쟁력을 확보하기 위해서는 ▲직접 보조금 지원 ▲소·부·장 맞춤 지원 ▲반도체 인프라․인력 확보 위한 지원 ▲안정적 전력공급 긴요 ▲반도체 연구 조직 마련 등을 강화해야 한다는 주장이다. 황철성 교수는 “파운드리 시장에서 1위 TSMC와 2위 삼성전자의 점유율 격차가 점차 벌어지고 있으며, 단기간에 개선되기엔 쉽지 않을 것 같다. 더 심각한 것은 D램 초격차가 중국과 좁혀지고 있다는 것”이라며 중국의 급격한 추격을 경계했다. 황 교수는 “창신메모리(CXMT)는 DDR4 메모리 반도체를 생산하고 있지만 (기술력을) 무시 못할 수준으로 올라왔다”며 “한국의 메모리 분야 경쟁력이 약화될 수 있다”고 우려했다. 올해 1분기 기준 D램 캐패시티(용량)에서 삼성전자 33%, SK하이닉스 21%인데, 중국 양쯔강메모리(YMTC)가 9%로 올라왔다는 점에서 주목된다. 낸드 시장에서 삼성전자 30%, SK하이닉스 23%를 차지했으며, 양쯔강메모리(YMTC)가 13%로 크게 올라왔다. ■ 美中日 정부 처럼...한국도 반도체 직접 보조금 지급해야 한다 이윤호 전 장관은 한국도 반도체 기업에 직접 보조금을 지급해야 한다고 주장했다. 이윤호 전 장관은 “중국 D램 업체와 삼성 간의 격차가 시간으로 따지면 한 3~4년 정도 될 것”이라며 “우리가 늘 믿고 잘해 나간다고 했던 삼성도 국내에서 SK하이닉스한테 HBM에서 밀리고 있고, 비메모리 쪽은 더 취약하다”라며 “반도체 전쟁 시대에 무기가 필요한데, 남들(다른 국가)은 대포를 쏘는데, 우리는 소총가지고는 안될 것 같다. 우리가 해야 할 숙제가 많고, 발전시켜야 할 부분이 너무 많다”고 말했다. 이어서 그는 “반도체 산업에 대한 지원을 단순히 개별 기업에 대한 혜택으로 봐서는 안 된다.”고 하며 “미국, 중국, 일본이 막대한 보조금 지원을 결정한 것은 반도체가 단순한 산업을 넘어 국가 경쟁력과 직결되기 때문”이라고 강조했다. 미국 정부는 반도체 과학법으로 527억 달러를 직접 지원, 중국은 이미 6천500억 위안을 직접 지원했고, 올해 추가로 3천억 위안 이상을 반도체에 쏟아붓고 있다. 일본도 TSMC의 일본 팹에 투자금의 50%를 지원했다. 성윤모 전 장관은 “반면 우리 정부가 지원하는 것은 세액 공제가 대표적이다. 반도체 시설투자에 15%, 연구개발 투자에 30~40% 세액을 공제할 뿐”이라고 지적하며 “정부는 지원 범위를 보다 확대하고, 직접 보조금을 지급해야 한다”고 주장했다. ■ 일본 화이트리스트 조치의 교훈…소·부·장 지원 강화 필요 정부는 반도체 소재·부품·장비 산업에 대한 지원을 대폭 강화해 흔들리지 않는 대한민국 반도체 산업 생태계를 조성해야 한다. 성윤모 전 장관은 대담에서 “반도체 공급망을 안정시키기 위해 소부장 산업을 키워야한다”며 “우리는 반도체 산업에 30년 넘게 매진했는데, 왜 시스템반도체는 잘 못하고 있는지 분석하고, 우리 생태계에 맞는 방향으로 조성해야 한다”고 말했다. 지난 2019년 일본이 화이트리스트 조치로 반도체·디스플레이 제조에 필요한 3대 핵심 소재(불화수소·포토레지스트· 불화폴리이미드)를 한국에 수출 금지한 바 있다. 이를 계기로 한국은 해당 소재에 대한 기술 자립에 성공했다. 성 전 장관은 “당시 정부와 우리 민간 기업이 합심한 결과 3개 품목에 대한 수급 안정성을 회복하고 기술적인 독립에도 성공했다”라며 “동진세미켐이 2021년 포토레지스트 R&D에 성공하고, 시험평가 인증을 거쳐 생산현장에 납품을 하는 성과를 냈다. 켐트로닉스는 EUV 노광공정의 핵심 원료인 PGMEA 개발에 성공해 성능테스트를 통과했다”고 예시로 설명했다. ■ 반도체 인프라 확보하고, 양질의 인력 키워야 이종호 전 장관은 AI 시대의 기술 혁신 필요성을 역설했다. “산학연 협력을 통해 AI의 엄청난 전력 소비를 줄일 수 있는 저전력 반도체 기술 개발이 신속하고 실효적으로 이루어져야 한다.”며 “우리나라가 가진 특장점을 적극 활용해야 세계를 선도할 수 있다”고 주장했다. 이창양 전 장관은 “정부는 소자 기술, 첨단 패키징에 대한 R&D에 많은 신경을 써야 한다”며 “미국은 반도체 기업은 매출액 대비 R&D 지출액이 20% 가까이된다. 반면 우리나라 반도체 기업의 매출액 대비 R&D는 9% 수준이다. 물론 미국은 팹리스 비중이 높고, 우리나라는 메모리 생산비중이 많아 단순 비교할 수는 없지만, 기본적으로 우리나라는 R&D 투자가 부족한 것으로 보인다”라며 “팹리스 기업에 정부가 상당 규모의 R&D 지원이 필요하다”고 제안했다. 인력 수급도 시급하다. 이창양 전 장관은 “우리나라도 반도체 인력 수급을 위해서 특성화 대학 및 대학원을 만들며 노력하고 있지만, 이 정도로 부족하다. 앞으로는 질적 인력이 더 중요한 시대다. 기업의 인력 육성 투자에 대해서는 정부가 상당한 세제 혜택을 주거나 직접 보조금을 줄 필요가 있다”고 말했다. 대학과 기업의 연구개발을 위한 컴퓨팅 인프라 구축과 지원이 시급하며 AI 관련 기업 지원 펀드 조성도 필요하다. 우리나라 인력만으로 반도체 산업 끌고 나가는 것이 부족하기 때문에 글로벌 인재 허브를 우리나라에 구축하는 것 중요하다. 이창양 전 장관은 “벨기에 IMEC은 글로벌 인재 허브의 역할을 하고 있는데, 우리도 한국형 IMEC을 만드는 것이 필요하고, 또 반도체 산업과 정책을 분석하는 연구소, 씽크탱크도 마련되어야 한다”고 주장했다. 이윤호 전 장관은 “더 나아가서 정부에서 반도체 관련 계획을 세우고, 자금을 배분하고, 생태계를 키울 수 있는 전담 조직이 필요하다”고 덧붙였다. 심각한 전력 수급 문제도 지적됐다. 윤상직 전 장관은 “반도체 산업발전을 위해서는 기술인력, 자금력, 전력, 데이터 4가지 필수 전제조건이 충족되어야 한다”며 “2030년경에는 현재 발전용량('23년 기준 약 144GW)의 50% 이상이 추가로 필요할 것”이라며 구체적 수치를 제시했다. 아울러 용인 반도체 클러스터만 최소 10GW 전력이 필요하고, 2029년까지 신규 데이터센터 전력수요만 49GW에 달할 것이라면서 “특별법 제정을 통해 지체되고 있는 송전망 건설을 조속히 완공하고, 신규 원전건설과 차세대 SMR(소형모듈원전) 조기 상용화도 시급하다”고 강조했다.

2024.10.15 02:55이나리

삼성 반도체 위기론에...전직 장관들 "조직문화 바꾸고, 기술 매진해야"

“삼성의 위기는 인텔의 위기와 다르다.” ”삼성은 지난 30년간 D램의 성공을 즐기면서, 조직 긴장도가 떨어져 있었던 것 같다.” ”그동안 경각심이 부족했다. 오히려 지금의 위기가 기회가 될 수 있을 것이다.” 한국경제인협회(이하 '한경협')는 14일 역대 산업부 장관을 초청해 '반도체 패권 탈환을 위한 한국의 과제'란 주제로 특별 대담회를 열었다. 이날 대담회에서 '삼성전자의 위기와 극복을 위한 조언에 대한 질문에 역대 산업부 장관들은 삼성전자가 위기를 돌파하려면, 조직문화를 바꾸고, 기본으로 돌아가 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 대담회에는 이윤호 前지경부 장관, 윤상직 前산업부 장관(現법무법인율촌 고문), 성윤모 前산업부 장관(現김앤장 법률사무소 고문, 중앙대 석좌교수), 이창양 前산업부 장관(現카이스트 경영대학원 교수), 이종호 前과기부 장관(現서울대 전기정보공학부 교수) 등이 토론에 참가했고, 황철성 서울대학교 석좌교수가 주제발제와 함께 토론 사회를 맡았다. 이윤호 전 장관은 “삼성이 D램의 성공에 너무 오래 엔조이(enjoy)하면서 조직 긴장도가 많이 떨어져 있지 않나 생각한다”며 “최근 D램 쪽에서 압박을 받고 파운드리가 약화되는 것은 오히려 삼성에 경각심을 불러일으킬 수 있는 좋은 기회”라고 말했다. 이어서 그는 “아마 삼성도 준비하고 있지만 내부적으로 정비하고 새롭게 전략을 짠다면, (위기에서) 빠져나올 저력이 충분히 있다고 본다”고 덧붙였다. 윤상직 전 장관은 “삼성위 위기는 인텔의 위기와 다르다. 최근 삼성은 위기 극복을 위해 근원적인 기술 경쟁력을 제공하겠다고 밝혔는데, 이를 어디서부터 출발해야 하는 것인지 잘 진단해야 한다”고 말했다. 이어서 그는 “반도체는 생태계 싸움이다. 삼성은 생태계를 만들어야 하고, 무엇보다 조직문화를 바꿔야 한다”고 강조했다. 이창양 전 장관은 “삼성은 크게 도약하기 위한 내부 정리와 새로운 목표 설정들을 시도할 때다”라며 “삼성전자는 오픈 이노베이션이 취약하고, 개방된 혁신이 부족하다”고 지적했다. 이어 그는 “선두에 선 기업은 앞에 무슨 일이 벌어질지 모르기 때문에 경영 안테나가 필요하다. 안테나 능력이 취약하면 뒤에 무슨 일이 벌어지는지 예측하는 데 둔감해질 수 있다”고 말했다. 이 장관은 삼성은 안테나를 높게 세우고 경쟁사들이 뭘 하고 있는지 예시하면서, 그 중에서 좋은 기술이 있으면 받아 들어야 한다고 조언했다. 필요시에는 인수합병(M&A)과 협력을 발휘해야 한다는 주장이다. 이종호 전 장관은 협업을 강조했다. 그는 “삼성은 유의미한 산업협력을 제대로 해야한다. 앞으로 어떤 기술이 나올지, 어떻게 될지를 한 회사에서 다 하기는 어려운 시대가 됐다. 회사와 출연 연구소, 또는 대학 사이에 장벽을 낮추고 하나가 돼서 체계적으로 소통하고 협력한다면 어려움을 슬기롭게 잘 타개할 수 있을 것으로 생각한다”고 말했다. 성윤모 전 장관은 결국에는 기본으로 돌아가서 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 그는 “삼성은 D램 초격차를 가지고 30년 동안 1등을 해온 저력을 가지고 있는 기업이다. 어려움에 닥쳤을 때 우리가 선택하고 갈 수 있는 길은 기본으로 돌아가는 것”이라며 “현재 사업과 계획이 방향에 맞게 하고 있는 건지, 하고 있는 속도가 맞는 건지, 끊임없이 점검하고 반성하고 새로운 도전을 해야한다”고 강조했다. 한편, 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적에서 시장 기대치에 못미치는 실적을 내면서 반도체 위기론이 커지고 있다. AI 메모리로 부상한 고대역폭메모리(HBM)에서는 SK하이닉스에 밀렸고, 파운드리 사업에서는 1위인 대만 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어진 상태다. 잠정실적 발표 후 반도체 사업 수장인 전영현 DS부문 부회장은 이례적으로 “시장의 기대에 미치지 못하는 성과로 걱정을 끼쳐 고객, 투자자, 임직원에게 송구하다”며 사과문을 직접 발표하며 “기술 경쟁력 복원해, 극복에 앞장서겠다”고 밝혔다.

2024.10.14 18:42이나리

"삼성·TSMC 모두 적용"…AMAT, 2나노향 최초 신기술 꺼냈다

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 2나노미터(nm) 이하 등 차세대 반도체 제조를 위한 공정 기술을 공개했다. 특히 AMAT가 업계 최초로 상용화한 구리 배선 기술의 경우, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 기업의 양산 공정에 이미 적용된 것으로 알려졌다. 14일 AMAT코리아는 서울 선릉 세바시X데마코홀에서 미디어 라운드 테이블을 열고 회사의 신규 구리 배선 및 저유전체 기술을 발표했다. ■ '초미세' 공정용 구리 배선 기술로 삼성전자·TSMC 공략 이날 AMAT는 2나노 공정 구현을 위한 구리 칩 배선 기술을 강조했다. 2나노 공정은 반도체 업계에서 '초미세' 영역에 해당하는 기술이다. 전 세계 주요 파운드리인 삼성전자, TSMC, 인텔 등이 내년부터 본격적으로 2나노 공정을 본격적으로 양산할 계획이다. AMAT는 이를 위해 '엔듀라 쿠퍼 배리어 써드 IMS'를 개발했다. 배선 공정은 반도체 회로 패턴에 전기가 잘 통하는 성질의 금속을 도금하는 공정을 뜻한다. 해당 금속으로는 구리가 주로 쓰이며, 구리가 잘 배선될 수 있도록 틀을 잡아주는 역할의 라이너·배리어 2개 층을 입힌다. 그러나 회로 선폭이 줄어들면서 배선 공정도 기술적인 한계점에 부딪히고 있다. 선폭이 미세화될수록 배선되는 구리의 두께도 얇아져야 하는데, 구리의 함량이 너무 많이 줄어들면 전기의 저항성이 높아지기 때문이다. 배리어 층의 간격이 짧아져 간섭이 발생한다는 문제도 있다. 이는 칩의 전력효율성 및 신뢰성을 감소시키는 결과로 이어진다. AMAT가 제시한 해결 방안은 라이너의 두께를 대신 줄이는 것이다. 기존 라이너에는 코발트 소재가 쓰였는데, 30옹스트롬(1옹스트롬 당 0.1나노미터) 정도의 두께다. 반면 AMAT는 라이너 소재로 기존 코발트에 '루테늄'을 더해 라이너 두께를 20옹스트롬 수준으로 줄였다. 이를 통해 표면 물성을 개선하고, 전기 배선 저항을 최대 25%까지 낮췄다. AMAT는 코발트, 루테늄 증착 등을 비롯한 6개의 공정을 하나의 고진공 시스템(IMS)으로 조합해, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 업체의 양산용 공정에 공급하는 데 성공했다. 이은기 AMAT 박막기술총괄은 "AMAT의 차세대 구리 배선 기술은 2나노 이하의 최선단 공정과 그 너머까지 지원할 수 있다"며 "학계에서 연구된 바는 있으나 이를 양산 공정에 적용한 것은 AMAT가 업계 최초"라고 설명했다. ■ 향상된 Low-k 소재 개발…"3나노서 이미 적용 중" 또한 AMAT는 차세대 반도체 기술인 3D 적층을 위한 신규 Low-k(저유전율) 유전체소재에 대해 발표했다. 유전체는 구리를 배선하기 전에 먼저 증착되는 소재로, 배선 사이의 간섭을 막는 역할을 담당한다. 3D 적층은 기존 수직으로 집적하던 트랜지스터를 수직으로 적층하는 기술이다. 기존 반도체 미세화 공정의 한계를 뛰어넘는 대안 기술로, 삼성전자가 2030년께 상용화를 목표로 한 3D D램, GAA(게이트-올-어라운드)를 한층 발전시킨 '3DSFET' 등이 대표적인 사례다. 3D 적층을 구현하기 위해서는 유전율을 낮추는 것이 핵심이다. 유전율이란 동일한 전압에서 전하를 얼마나 잡아둘 수 있는지 나타내는 척도다. 유전율이 낮으면 전기 저항이 낮아 전류를 빠른 속도로 흐르게할 수 있다. 이를 활용하면 전하의 축적량을 낮춰, 각 배선 사이에 발생할 수 있는 간섭 현상을 줄이고 전력 소비량을 줄일 수 있다. 덕분에 3D 칩과 같이 배선이 빼곡하게 들어서는 구조에 적합하다는 평가를 받고 있다. AMAT는 이 Low-k 유전체를 '블랙다이아몬드' 라는 브랜드명으로 개발해 왔다. 이번에 공개한 신규 물질은 실리콘과 탄소 등을 포함한 'SiCoH'를 기반으로 한다. 이은기 총괄은 "특정 고객사는 신규 블랙다이아몬드 물질을 3나노 파운드리 공정에 이미 적용해 사용 중"이라며 "선도적인 로직 및 D램 제조기업들의 채택되고 있음은 물론, 향후에는 BSPDN(후면전력공급)와 같은 차세대 기술에도 적용될 수 있다"고 설명했다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자의 경우 차세대 2나노 공정, 3D D램 등에 적용할 것으로 기대된다. 한편 삼성전자, TSMC 등 고객사들도 AMAT의 차세대 공정 솔루션에 깊은 관심을 기울이고 있다. 김선정 삼성전자 파운드리 개발팀 상무는 "패터닝 발전이 소자의 지속적인 스케일링을 견인하고 있으나 인터커넥트 배선 저항, 정전용량, 신뢰성 등 풀어야 할 과제가 남아있다"며 "삼성은 이 문제를 해결하기 위해 스케일링의 이점을 가장 진보한 공정까지 확대하는 다양한 재료 공학 혁신을 채택하고 있다"고 밝혔다. 미위제 TSMC 수석부사장은 "AI 컴퓨팅의 지속 가능한 성장을 위해 반도체 업계는 에너지 효율적인 성능을 획기적으로 개선해야 한다"며 "인터커넥트 저항을 낮추는 신소재는 다른 혁신과 함께 전반적인 시스템 성능과 전력을 개선하며 반도체 산업에서 중요한 역할을 할 것"이라고 강조했다.

2024.10.14 13:26장경윤

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