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삼성전기, FC-BGA 미세화에 열중…차세대 'UV 레이저' 주목

삼성전기가 고성능 FC-BGA(플립칩-볼그레이드어레이) 상용화를 위한 기술 개발에 매진하고 있다. 특히 내부에 미세한 비아(Via)를 뚫을 수 있는 'UV 레이저'를 채택할 계획으로 이르면 오는 2027년 도입이 예상된다. 3일 이승은 삼성전기 파트장은 인천 송도 컨벤시아에서 열린 'KPCA Show 2025'에서 차세대 FC-BGA 가공 기술 로드맵에 대해 발표했다. 이날 '최신 고성능 반도체패키지 기판의 기술 개발 방향 및 도전'에 대해 발표한 이 파트장은 FC-BGA의 성능 강화를 위한 신기술 도입의 필요성을 강조했다. FC-BGA는 반도체 칩을 뒤집은(플립), 미세한 금속 돌기인 범프로 연결하는 패키지기판이다. 기존 패키지에 주로 쓰이던 와이어 본딩 대비 전기적·열적 특성이 높아 HPC(고성능컴퓨팅)·AI 반도체 등 고집적 칩에서 활용도가 높아지는 추세다. 특히 FC-BGA가 고성능 반도체에 대응하기 위해서는 범프를 더 촘촘하게 만들어야 하며, 기판 내부의 비아 직경도 좁혀야 한다. 비아는 전기 신호를 주고받을 수 있는 통로로, 통상 FC-BGA 내부에 수만 개가 형성된다. 현재 고성능 FC-BGA의 비아 직경은 40마이크로미터 내외다. 차세대 제품은 25마이크로미터로 예상된다. 이 직경까지는 기존 비아를 뚫는 데 쓰이던 CO2 레이저로 대응이 가능하다. CO2 레이저는 탄산가스를 주요 활성 매질로 사용하는 레이저로, 파장이 1만600nm(나노미터) 수준이다. 다만 차차세대 제품에서의 비아 직경은 10마이크로미터까지 줄어들 예정이다. 이 경우, 기존 CO2 레이저는 파장이 너무 길어 대응이 어렵다. 때문에 업계는 해당 시점부터 UV 레이저의 도입이 필요하다고 보고 있다. UV 레이저는 파장이 355나노 이하로 CO2 레이저 대비 훨씬 짧다. 때문에 더 정밀한 비아 형성에 유리하다. 이 파트장은 "FC-BGA의 비아 사이즈가 10마이크로미터로 작아지는 시점은 2027년 이후가 될 것"이라며 "이때라면 UV 레이저가 쓰일 거라고 본다"고 말했다.

2025.09.03 15:24장경윤

삼성전기, AI·서버·전장용 첨단 반도체 패키지기판 공개

삼성전기는 3일부터 5일까지 인천 송도 컨벤시아에서 열리는 'KPCA Show 2025'(국제 첨단 반도체 기판 및 패키징 산업전)에 참가해, AI·서버·전장용 반도체 패키지기판과 글라스코어 패키지기판 등 차세대 패키지 기술을 선보인다고 3일 밝혔다. 'KPCA Show'는 국내외 기판, 소재, 설비 기업들이 참가하는 국내 최대 규모의 PCB·반도체 패키징 전시회로, 전자회로 산업의 최신 기술 동향을 공유하는 자리다. 반도체 패키지기판(FCBGA)은 고집적 반도체 칩과 메인보드를 연결하여 전기적 신호와 전력을 전달하는 제품이다. 서버, AI, 클라우드, 전장 등 산업 패러다임 변화에 따라 반도체 패키지기판이 반도체 성능 차별화의 핵심이 되고 있으며, 반도체 고성능화에 따라 반도체 패키지기판도 내부 층수 증가, 미세회로 구현, 층간 미세 정합, 두께 슬림화 등 고난도 기술이 요구되고 있다. 삼성전기는 국내 최대 반도체 패키지기판 기업으로, 이번 전시회에서 ▲어드밴스드 패키지기판존 ▲AI & 전장 패키지기판존 두 개의 테마로 부스를 운영한다. 전시 부스 중앙에는 반도체 패키지기판이 적용된 제품분해도를 배치해 관람객들의 이해도를 높인다. 어드밴스드 패키지기판존에서는 현재 양산중인 하이엔드급 AI·서버용 FCBGA의 핵심 기술을 선보인다. 해당 제품은 일반 FCBGA 대비 면적이 10배 이상, 내부 층수는 3배 이상 구현된 최고난도 사양으로, 삼성전기는 국내 유일 서버용 FCBGA 양산 기업으로 업계 최고 수준의 기술력을 보유하고 있다. 또한 반도체 고성능화에 대응해 ▲ 실리콘 인터포저 없이 반도체와 반도체를 직접 연결하는 2.1D 패키지기판 기술▲ SoC(system on Chip)와 메모리를 하나의 기판에 통합한 Co-Package 기판 등을 선보인다. 특히 삼성전기는 차세대 기판으로 주목받고 있는 글라스코어 패키지기판을 소개한다. 글라스코어 패키지기판은 기존 기판 대비 두께를 약 40% 줄이고, 대면적 기판에서 발생하는 휨 특성과 신호 특성을 개선한 제품이다. 삼성전기는 핵심기술 확보와 고객사 협력을 강화해 향후 시장을 선도한다는 계획이다. AI & 전장 패키지기판존에서는 ▲ 글로벌 시장점유율 1위를 자랑하는 AI 스마트폰 AP용 FCCSP(Flip Chip Chip Scale Package) ▲ 자동차용 고신뢰성 FCBGA ▲ AI 노트북용 박형 UTC(Ultra Thin Core) 기판 ▲ 수동소자 내장 임베디드 기판 등을 전시한다. 김응수 삼성전기 부사장(패키지솔루션사업부장)은 “삼성전기는 AI, 자율주행, 서버 등 하이엔드 반도체 패키지기판 시장에서 차별화된 기술을 지속적으로 확보하고 있다”며 “고성능 반도체 패키지기판 기술력을 기반으로 글로벌 고객사와 협력을 확대해 미래 성장 시장을 집중 공략하겠다”고 밝혔다. 삼성전기는 2022년 10월 국내 최초로 AI·서버용 FCBGA 양산에 성공하며 업계 최고 수준의 기술력을 인정받았다. 삼성전기는 고성능 서버 및 네트워크, 자율주행 등 하이엔드 반도체 패키지기판 시장에서 초대면적·초고다층·초미세회로 구현 및 글라스 소재 활용 기술 확보에 역량을 집중하고 있다.

2025.09.03 09:57장경윤

가온칩스, 삼성 파운드리 2나노 기반 AI칩 만든다

국내 디자인하우스 가온칩스는 삼성전자 파운드리 2nm(나노미터, 10억분의 1) 공정 기반 AI 반도체 설계 과제를 수주했다고 2일 밝혔다. 이번 프로젝트를 통해 온디바이스 AI반도체 기업 딥엑스의 차세대 칩 'DX-M2'를 개발한다. 딥엑스는 이번 삼성 2나노 계약으로 초저전력 생성형 AI 온디바이스 추론을 위한 차세대 제품 'DX-M2'의 본격 반도체 제작에 착수하게 돼 삼성 파운드리 2나노 공정의 국내 상용 고객이 된다. 시제품 제작을 위한 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)는 2026년 상반기 팹인 예정으로, 양산은 2027년으로 예상된다. 이번 프로젝트는 2나노 시스템 반도체 생태계 조기 구축에 중요한 견인차 역할이 될 것으로 기대된다. 앞서 가온칩스는 지난 7월부터 양산 중인 딥엑스 1세대 제품 'DX-M1' 양산에 참여한 바 있다. 이 칩은 삼성 5나노 공정을 기반으로 하며, 온디바이스 AI 엣지 디바이스 시장에서 큰 주목을 받고 있다. 초소형 IoT 기기부터 고성능 로봇까지 다양한 환경에서 최소 전력으로도 강력한 AI 연산이 가능해 2025년 1월 미국 EE Times의 '2024 올해의 제품상'과 CES 2024 혁신상 3관왕 수상 등 글로벌 시장에서도 기술 경쟁력을 인정받았다. 가온칩스는 'DX-M1' 칩의 디자인 솔루션 파트너로서 성공적인 개발과 양산 성과를 달성한 바 있으며, 이번 'DX-M2' 프로젝트 역시 이러한 기술적 신뢰를 바탕으로 한 협력의 확장으로 평가된다. 김녹원 딥엑스 대표는 “생성형 AI와 멀티모달 AI을 위한 2세대 NPU 설계 초안이 마무리 되고 있어, 2세대 제품 'DX-M2'의 본격 제작에 착수하게 되어 매우 뜻 깊다”며 “2나노 공정 기술을 시도하는 만큼, 2나노 공정의 가진 잠재력을 최대한 끌어내서 5와트의 전력 소모로 100B 상당의 생성형 AI가 온디바이스에서 구동되는 혁신을 완성하겠다”고 밝혔다. 정규동 가온칩스 대표는 “이번 2나노 신규 프로젝트는 최첨단 공정과 차세대 설계 기술이 요구되는 중요한 이정표로, 당사의 기술력을 신뢰하고 협력을 결정해주신 딥엑스에 깊이 감사드린다”며 “딥엑스의 혁신적인 AI 아키텍처가 최적의 성능과 전력 효율을 구현할 수 있도록 설계 최적화에 전력을 다하겠다”고 전했다.

2025.09.02 16:00전화평

SK·삼성, 韓 대표 AI반도체 리벨리온 잡기 혼신

한국 대표 AI반도체 업체로 발돋움하고 있는 리벨리온을 두고 삼성과 SK간 미묘한 신경전이 오가고 있다. 차세대 AI 칩 시장에서 입지를 선점하고 주도권을 놓지 않으려는 대기업들의 이해관계가 얽혀 있어 향후 리벨리온의 전략적 행보가 주목된다. 2일 반도체 업계에 따르면 리벨리온은 시리즈C 투자 유치를 진행하고 있다. 최대 2억달러(2천800억원) 규모로, 예상되는 기업 가치는 1조5천500억원 수준이다. 국내 투자사를 넘어 ▲카타르 국부펀드 카타르투자청(QIA) ▲싱가포르 라이온엑스벤처스 ▲미국 소로스 캐피털 매니지먼트 등 글로벌 투자사까지 확보하며 밸류에이션 제고에 가속도가 붙었다. 주목할만한 대목은 이번 투자에 삼성증권과 삼성벤처투자가 참여했다는 점이다. 삼성은 이전 몇차례 진행된 투자에는 참여한 바 없다. 업계에 따르면 삼성 투자사들의 자금 중 일부는 삼성전자에서 나온 것으로 전해진다. 삼성전자가 간접적으로 투자한 셈이다. 구체적인 투자 규모는 공개되지 않았다. 삼성의 투자, SK그룹에 대한 견제구일까 일각에서는 이번 삼성의 투자를 SK그룹에 대한 견제구로 해석하고 있다. 당초 리벨리온은 삼성전자와 긴밀한 비즈니스 관계를 구축해왔다. 자사 제품에 삼성전자의 HBM(고대역폭메모리) 등 메모리 반도체를 탑재해왔으며, 양산도 삼성 파운드리(반도체 위탁생산)를 통해 진행한다. 차세대 칩인 리벨 쿼드(Rebel Quad)의 경우 디자인하우스 없이 삼성전자와 직접적으로 소통하며, 긴밀하게 협력을 이어간다는 입장이다. 현재 리벨리온은 SK텔레콤의 자회사인 사피온반도체와 합병으로 SK그룹이 최대 주주로 올라선 상황이다. 사피온은 SK텔레콤에 있던 내부 R&D(연구개발) 조직이 분사해 설립된 AI반도체 기업으로, 지난해 8월 리벨리온과 합병했다. 실제로 리벨리온은 차세대 칩 리벨부터 파운드리를 이원화한다. 칩 양산부터 패키징 전반은 삼성 파운드리를 통해 진행하지만, I/O(입출력) 다이는 TSMC를 통해 양산하는 것이다. 다만 해당 계약은 사피온의 X430 프로젝트를 인계받아 진행됐다. TSMC VCA인 미국 알파웨이브세미가 사피온과 596억원 규모의 계약을 체결했으나, 합병과 함께 해당 계약이 리벨리온으로 넘어갔다. 계약의 위약금 규모가 다소 커 리벨리온 입장에선 진행할 수 밖에 없었다는 후문이다. 사피온과 합병 후 HBM 전환 등 사업 협력 구도 변화에 주목 핵심 쟁점은 HBM(고대역폭 메모리)이다. 현재 리벨리온은 여러 변수로 HBM 벤더를 공식 공개하지 않았다. 업계에서는 삼성전자와 밀접한 관계를 이어온 만큼 삼성전자 HBM을 사용할 것으로 예상하고 있다. 다만 삼성과 SK그룹 모두 HBM을 생산해 다양한 변수가 존재한다. SK하이닉스 HBM이 리벨리온 반도체에 탑재될 가능성도 있는 셈이다. 통상적으로 HBM 부문 기술력은 SK하이닉스가 삼성전자보다 앞서고 있다는 게 중론이다. SK그룹 입장에선 SK하이닉스의 HBM 탑재를 추진하기 좋은 기회가 될 수 있다. 이 때 HBM 벤더 선택이 추후 칩 양산에도 영향을 줄 가능성이 존재한다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "(SK그룹이) SK하이닉스 HBM을 공급해줬을 때 삼성 파운드리를 이용하게 할 가능성은 매우 낮다"며 HBM의 전환이 파운드리 전환으로 이어질 수 있다는 가능성을 제시했다. 일각에선 리벨리온이 글로벌 AI반도체 시장에서 차별화된 기술 경쟁력을 확보할 경우, 삼성과 SK 양사 모두가 견제와 동시에 이익을 얻는 효과도 누릴 것이라는 기대의 목소리도 나온다. AI반도체 업계 관계자는 "삼성, SK, KT 등 우리나라 굴지의 기업들이 합심해서 지원하는 모습이 외국에서 리벨리온을 주목하는 이유"라며 "결국 AI칩은 반도체 생태계 싸움"이라고 설명했다. 한편 리벨리온은 리벨-CPU 등 추후 제품 라인업에서도 삼성 파운드리와 협업 예정이라고 밝힌 바 있다.

2025.09.02 10:04전화평

'파죽지세' TSMC, 파운드리 시장점유율 70% 돌파…삼성과 격차 확대

올 2분기 파운드리 업계 전반의 가동률이 상승한 것으로 나타났다. 특히 업계 1위 TSMC는 매출 성장세로 사상 최대 시장 점유율을 기록하게 됐다. 삼성전자 역시 해당 분기 매출이 증가했으나, TSMC와의 격차를 좁히는 데에는 실패했다. 1일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 세계 파운드리 매출액은 전분기 대비 14.6% 증가한 417억 달러로 사상 최고치를 기록했다. 해당 분기 업계 1위 TSMC의 매출은 302억4천만 달러로 전분기 대비 18.5% 증가했다. 시장 점유율은 70.2%로 사상 최대치를 기록했다. 전분기(67.6%) 대비 2.6%p 증가했다. 주요 스마트폰 고객사의 제품 양산 주기에 들어섰고, 및 AI용 GPU·노트북·PC 출하량이 증가한 덕분이다. 삼성전자 파운드리 사업부는 전분기 대비 9.2% 증가한 31억6천만 달러의 매출을 기록했다. 스마트폰 수요 및 닌텐도 스위치 2용 반도체 양산에 따른 효과다. 다만 2분기 시장 점유율은 7.3%로 전분기(7.7%) 대비 0.4%p 감소했다. 이로써 TSMC와의 격차는 1분기 59.9%p에서 2분기 62.9%p로 확대됐다. TSMC의 매출 성장세가 도드라지면서 삼성전자를 비롯한 후발 업체들의 시장 점유율이 전반적으로 줄어들었기 때문이다. 실제로 업계 3위 중국 SMIC의 시장 점유율은 1분기 6.0%에서 2분기 5.1%로, 4위 UMC도 4.7%에서 4.4%로 소폭 감소했다. 3분기에도 전 세계 파운드리 업계는 전반적인 가동률 상승세를 이어갈 것으로 전망된다. IT 신제품이 출시되는 시기에 맞춰 최첨단 공정과 성숙 공정 모두 수요가 증가하는 추세기 때문이다. 트렌드포스는 "2분기 상위 10대 파운드리 업체의 가동률 및 웨이퍼 출하량이 모두 크게 개선됐다"며 "3분기에도 가동률 상승에 따른 매출 성장세가 지속될 것이나, 성장률은 다소 완만해질 것"이라고 밝혔다.

2025.09.01 17:10장경윤

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

삼성전자, 지난해 R&D 투자 증가율 71% '1위'

지난해 주요 반도체 기업들이 적극적인 연구개발(R&D) 투자를 집행한 것으로 나타났다. 특히 삼성전자의 투자 규모가 급격히 늘어나, 향후 실적에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대된다. 1일 반도체 전문분석기관 테크인사이츠에 따르면 지난해 R&D 투자 상위 20개 반도체 기업의 총 투자액은 986억8천만 달러(한화 약 128조원)로 전년 대비 17% 증가했다. 이는 전체 반도체 산업 R&D 지출의 약 96%를 차지한다. 상위 20개 기업의 매출 대비 R&D 지출은 평균 15.8%로 나타났다. 20개 기업 중 15개는 R&D 지출을 늘렸고, 5개 기업은 줄였다. 1위는 인텔로, 165억 5천만 달러의 R&D 투자를 기록했으나 증가율은 전년 대비 3.1% 늘어나는데 그쳤다. 2위인 엔비디아는 125억 달러, 증가율 47%를 기록했다. 3위인 삼성전자는 가장 큰 상승폭을 기록했다. 지난 2023년 R&D 투자액 7위(55억 달러)였던 삼성전자는 지난해 전년 대비 71.3% 증가한 95억 달러를 R&D에 투자함으로써 순위를 3위로 끌어올렸다. 삼성전자의 R&D 지출 상승은 향후 실적에도 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 예상된다. SK하이닉스는 R&D 투자액은 지난해 10위를 유지했으나, 투자 증가율은 32.7%를 기록했다. 매출 대비 R&D 투자 비율은 6.9%로 상위 20개 기업 중 가장 낮았다. 지난해 상위 10개 R&D 지출 기업 가운데 6개는 미국, 2개는 대만, 2개는 한국에 본사를 두고 있다. 상위10개 중 5개 기업은 팹리스 반도체 기업이며, 퀄컴, 엔비디아, AMD, 브로드컴, 미디어텍이다. 4개는 IDM(인텔, 삼성전자, 마이크론, NXP)이다. R&D 투자 상위 11~20위 기업 중 IDM은 9개, 팹리스는 1개다. 7위를 차지한 TSMC는 10억 달러 이상 R&D를 투자한 기업 중 유일한 순수 파운드리이다. TSMC는 2010년에 처음으로 R&D 상위 10위 기업에 진입(10위)했다. 2010년 9억4천300만 달러였던 R&D 지출은 13년만인 2023년 63억6천만 달러로 574% 증가했다. 연평균 성장률(CAGR)은 14.6%에 이른다. TSMC는 1999년 이후 R&D 투자를 지속적으로 늘려오고 있다.

2025.09.01 10:41장경윤

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤

TSMC, 美 첨단 패키징 선점 속도…삼성전자는 투자 부담 '신중'

미국 정부가 자국 내 반도체 공급망 강화 전략에 열을 올리고 있는 가운데 대만 주요 파운드리 TSMC는 현지 최첨단 파운드리 및 패키징 팹 구축에 적극 나서고 있다. 반면 삼성전자 역시 첨단 파운드리 팹을 건설 중이나, 패키징 투자에는 부담을 느끼는 것으로 알려져 향후 두 회사의 행보에 관심이 쏠린다. 29일 업계에 따르면 TSMC는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력 확보를 위한 설비투자에 적극적으로 나서고 있다. TSMC, 美 첨단 패키징 팹 2곳 신설…글로벌 빅테크 대응 준비 앞서 TSMC는 지난 3월 미국 내 첨단 반도체 설비투자에 1천억 달러(한화 약 138조원)의 신규 투자 프로젝트를 발표한 바 있다. 구체적으로 신규 파운드리 팹 3곳, 첨단 패키징 팹 2곳, 대규모 R&D(연구개발) 팹 등이 건설될 계획이다. 이 중 TSMC의 첨단 패키징 팹 2곳은 모두 애리조나주에 부지를 조성할 것으로 알려졌다. 명칭은 AP1·AP2로, 내년 하반기부터 착공에 돌입해 오는 2028년 양산이 시작될 전망이다. 대만 현지 언론에 따르면 AP1은 SoIC(system-on-Integrated-Chips)를 주력으로 양산한다. SoIC는 각 칩을 수직으로 적층하는 3D 패키징의 일종으로, 기존 칩 연결에 필요한 작은 돌기인 범프(Bump)를 쓰지 않는다. 덕분에 칩 간 간격을 줄여, 데이터 송수신 속도 및 전력효율성이 대폭 개선된다. AP2는 CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate) 기술을 주력으로 담당할 예정이다. CoPoS는 칩과 기판 사이에 얇은 막을 삽입하는 2.5D 패키징을 바탕으로 한다. 기존 2.5D 패키징은 원형 모양의 웨이퍼에서 진행됐으나, CoPoS는 이를 직사각형 패널 상에서 수행한다. 패널의 면적이 웨이퍼 보다 넓고, 인터포저를 더 효율적으로 배치할 수 있어 생산성 향상 및 대면적 칩 제조에 유리하다. 이처럼 TSMC가 미국 내 최첨단 반도체 패키징 생산능력을 확보하려는 배경에는 공급망 문제가 영향을 미치고 있다는 평가다. 최근 미국 정부는 자국 내 반도체 산업 강화를 위해 보조금 지급, 관세 압박 등 다양한 전략을 펼치고 있다. 이에 글로벌 빅테크 기업들은 자사 칩의 양산 및 패키징을 미국 내에서 진행하는 구조를 선호하고 있다. 삼성전자, 2나노 양산에 역량 집중…첨단 패키징 투자에 부담 삼성전자 파운드리 역시 대형 고객사 확보를 위해서는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 미리 갖춰야 할 것으로 관측된다. 다만 삼성전자는 이러한 투자에 부담을 느끼고 있는 것으로 알려졌다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 확대하기 어렵고, 최첨단 파운드리 공정 개발 및 미국 내 신규 팹 구축에 이미 상당한 자원을 투자하고 있어서다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 해당 팹은 올 연말부터 양산라인을 구축할 계획으로, 추후 지난달 약 22조원의 반도체 위탁생산 계약을 맺은 테슬라의 첨단 반도체 'AI6'를 양산하는 것이 목표다. AI6는 플립칩 본딩(칩 패드 위에 범프를 형성해 칩과 기판을 연결하는 기술) 등 기존 레거시 패키징 기술이 쓰인다. 다수의 AI6 칩을 대형 모듈로 제조하는 데에는 최첨단 패키징이 필요하지만, 현재 해당 영역은 인텔의 수주가 유력하다. 때문에 삼성전자 입장에서는 당장 미국에 최첨단 패키징 생산능력을 확보할 요인이 부족한 상황이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 테슬라 2나노 칩을 성공적으로 양산하는 데만 해도 많은 과제를 떠안고 있고, 실패 시 되돌아올 리스크가 매우 크다"며 "이러한 상황에서 최첨단 패키징 분야까지 막대한 자원을 투자하기에는 여러 측면에서 무리가 있을 것"이라고 설명했다.

2025.08.29 14:08장경윤

삼성 파운드리, '2세대 2나노' 존재감 커진다…국내·외 채택 가속

삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 2세대 2나노(SF2P) 공정의 존재감이 커지고 있다. 글로벌 빅테크인 테슬라와 국내 AI 반도체 팹리스 등이 올 하반기 SF2P 공정을 채택해, 내년부터 본격적인 개발 및 수율 향상이 가능할 것으로 관측된다. 26일 업계에 따르면, 삼성전자 파운드리 사업부는 SF2P에 대한 국내외 고객사 유치에 적극 나서고 있다. SF2P는 삼성전자가 내년 양산을 목표로 차세대 공정이다. 올 하반기 양산될 예정인 1세대 2나노(SF2) 공정 대비 성능은 12% 향상됐으며, 소비 전력은 25%, 면적은 8% 가량 줄일 수 있다. SF2P는 최근 PDK(공정 설계 키트) 등 칩 설계를 위한 기본 설계가 마무리됐다. 이에 따라 삼성전자는 최근 국내외 빅테크 및 팹리스 기업들을 대상으로 SF2P 공정 수주에 열을 올리는 추세다. 가장 대표적인 기업이 테슬라다. 앞서 삼성전자는 지난달 테슬라와 22조원 규모의 반도체 위탁생산 계약을 체결한 바 있다. 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등 전반에 활용될 수 있는 고성능 시스템반도체 'AI6' 양산이 주 골자다. AI6는 삼성전자의 SF2P 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 이에 삼성전자는 국내 파운드리 및 패키징 설비를 통해 AI6칩의 초도 샘플 제작을 진행하고, 이후 테일러시에 구축 중인 신규 파운드리 팹에서 본격적인 양산에 나설 계획이다. 테일러 파운드리 팹은 올해 말부터 양산용 설비투자가 시작돼, 내년부터 가동이 시작된다. AI 반도체 사업 확대를 노리는 국내 팹리스 기업들도 SF2P 공정에 주목하고 있다. 이달 중순 딥엑스는 삼성 파운드리 및 DSP(디자인솔루션파트너)인 가온칩스와 협력해 차세대 생성형 AI 반도체인 'DX-M2'를 개발하겠다고 밝혔다. DX-M2는 SF2P 공정을 기반으로 한다. DX-M2는 내년 상반기 시제품 생산 격인 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 거쳐 2027년 양산될 예정이다. 삼성전자가 에이디테크놀로지, Arm, 리벨리온과 협력 개발하기로 한 차세대 AI 컴퓨팅 칩렛 플랫폼도 SF2P 공정을 채택했다. 반도체 업계 관계자는 "SF2P는 삼성전자의 최첨단 파운드리 공정의 성패가 걸린 공정으로, 자체 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)인 '엑시노스'와도 관련이 깊다"며 "당장 수율이 안정화된 단계는 아니지만, 지속적인 과제 수행을 통해 올 하반기 본격적으로 고도화될 것"이라고 설명했다.

2025.08.28 10:27장경윤

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

에이텍솔루션, 코스닥 상장 위한 예비심사청구서 제출

재생웨이퍼 전문기업 에이텍솔루션은 지난 22일 코스닥 상장을 위한 예비심사청구서를 제출했다고 25일 밝혔다. 상장 주관사는 대신증권이다. 2009년 설립된 에이텍솔루션은 반도체 공정에 사용되는 '모니터링 웨이퍼 리클레임(Monitoring Wafer Reclaim)' 사업을 국내 최초로 개발 및 양산하는데 성공했다. 해당 사업을 통해 928억원의 수입대체 효과를 창출했으며, 2018년 삼성전자 'Best Contribution Award'를 수상하면서 삼성전자와의 파트너십 강화 및 기술력을 입증했다. 웨이퍼 리클레임 사업은 반도체 제조 과정에서 사용 후 폐기되던 모니터 웨이퍼를 정밀연마 및 세정 등의 기술을 활용해 재사용할 수 있게 하는 사업이다. 에이텍솔루션은 재생 과정에서 해외 경쟁사 대비 약 10배 가량 재 사용 횟수를 높여 고객 만족도를 향상시키고 있다. 이외에도 MFC(가스 유량 제어기) 판매 사업, 반도체 부품 정밀 세정, 실리콘 부품 공급 등 다양한 반도체 공정 핵심 분야의 사업을 펼치면서, 반도체 산업의 핵심 플레이어로 부상하고 있다. 박병호 에이텍솔루션 대표는 “첨단기술 발전으로 인한 반도체 수요 증가로 웨이퍼 리클레임 사업 또한 수요가 높아질 것으로 전망한다”며 “성장하는 반도체 산업에서 보유 기술의 고도화를 통해 웨이퍼 리클레임 시장의 선두주자가 되겠다”고 말했다.

2025.08.25 10:41장경윤

퀄컴칩 비싸다?...삼성 옥죄는 모바일 AP 비용 부담의 진짜 이유

삼성전자 스마트폰 사업이 비용 부담에 시달리고 있다. 핵심 부품인 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)의 가파른 가격 상승세 때문이다. 자체 칩인 '엑시노스'의 탑재 비중을 확대하면 매입 원가를 낮출 수 있지만, 제품 성능 및 시장성을 고려하면 당장 퀄컴 칩을 대체하기 힘든 상황이다. 대신 업계는 '첨단 파운드리 공급망' 변화에 주목한다. 현재 최첨단 AP 양산은 대만 파운드리 TSMC가 사실상 독식하는 구조로, TSMC는 매우 높은 이익을 거두고 있다. 향후 삼성 파운드리가 기술 경쟁력을 충분히 확보하는 경우, 경쟁 체제 전환으로 AP 제조비용을 구조적으로 낮출 수 있다는 분석이 나온다. 22일 업계에 따르면 주요 모바일 AP 제조업체들은 최첨단 파운드리 공정 사용에 따른 비용 압박에 직면해 있다. 모바일 AP 가격 상승세…스마트폰 업계 원가 부담으로 모바일 AP는 스마트폰 등 IT 기기의 두뇌 역할을 하는 핵심 반도체다. CPU·GPU 등 다양한 시스템반도체를 단일 칩에 집적한 구조로 만들어진다. 성능에 매우 민감한 제품이기 때문에, 글로벌 빅테크를 중심으로 매년 최첨단 파운드리 공정을 채택한 신규 AP가 개발되고 있다. 그만큼 AP 단가도 꾸준히 상승하는 추세다. 삼성전자 정기보고서에 따르면, 이 회사의 올 상반기 모바일 AP 평균 매입 가격은 전년 연평균 대비 약 12% 상승했다. 일차적인 원인은 삼성전자의 모바일 AP 채택 전략에 있다. 일례로 삼성전자가 올해 1분기 출시한 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈는 미국 팹리스 퀄컴이 설계한 '스냅드래곤 8 엘리트' AP를 전량 탑재했다. 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 '엑시노스' AP를 자체 설계 및 양산하고는 있으나, 성능·안정성 등을 이유로 퀄컴 칩을 채택한 것으로 알려졌다. 때문에 삼성전자가 퀄컴 칩 대신 엑시노스의 비중을 높여야 AP 매입 원가에 대한 압박을 완화할 수 있다는 의견도 제기된다. TSMC가 '진짜 수혜자'…독점 구도로 고마진 챙겨 업계는 첨단 파운드리 시장의 구조적 요인이 AP 매입 비용 상승에 더 큰 영향을 미치고 있다고 보고 있다. 겉으로는 삼성전자가 퀄컴의 최신형 칩 구매에 더 많은 돈을 투자하고는 있지만, 퀄컴 역시 위탁생산을 하는 TSMC의 첨단 공정에 의존하면서 수익성을 대폭 끌어올리지 못하고 있기 때문이다. 일례로 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트는 TSMC의 2세대 3나노(N3E) 공정을 활용한다. 해당 공정의 가격은 웨이퍼 당 1만8천500달러로 알려져 있다. 이전 공정인 4·5나노(1만5천달러) 대비 23%가량 비싸다. 나아가 TSMC는 최근 3나노 등 주력 공정의 가격을 최대 8%까지 인상할 계획인 것으로 알려졌다. 재주는 곰이 부리지만 실제 돈을 버는 쪽은 TSMC 격인 셈이다. 류영호 NH투자증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "현재 TSMC의 대체 기업이 없는 만큼 가격인상에 반대할 고객사는 없을 것으로 예상한다"며 "올해 말 신제품을 출시하는 퀄컴도 이에 따른 가격 인상을 반영할 예정이기 때문에 스마트폰 제조업체에는 부정적"이라고 평가했다. 실제로 TSMC는 첨단 파운드리 시장 내 독점적인 구조로 업계 최상위권의 수익성을 유지하고 있다. TSMC의 올 2분기 매출은 9천337억9천만 대만달러, 영업이익은 4천634억2천300만 대만달러로 집계됐다. 영업이익률은 무려 49.6%에 달한다. 비슷한 시기 퀄컴의 모바일 AP 사업이 포함된 QCT 분야 영업이익률은 30% 수준이다. 이러한 독점 구조에 따른 AP 가격 상승 추세는 공정 고도화가 진행될수록 심화될 전망이다. 퀄컴이 올해 말 출시하는 '스냅드래곤 8 엘리트 2'는 TSMC의 3세대 나노 공정인 N3P를 주력으로 채용한다. 구체적인 정보는 아직 드러나지 않았으나 N3E 대비 높은 가격 책정이 불가피하다. 또한 TSMC의 2나노 공정 채택 시에는 가격이 웨이퍼 당 3만 달러에 달할 것으로 예상된다. 삼성전자 파운드리 공정 가격은 TSMC보다 저렴하지만, 공정 제조비용을 고려하면 단가 상승률은 TSMC와 비슷할 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "파운드리 공정이 개선될수록 비용이 최소 10~15% 가량 상승하는 반면, 스마트폰 판매가격은 인상폭이 제한적이기 때문에 현재 AP 설계 업체들은 모두 딜레마에 빠져있는 상황"이라며 "매년 첨단 공정을 써야 하는 당위성이 점차 사라지고 있어, 이러한 사업 구조가 언제까지 지속될 수 있을지에 대한 의문을 품어야 하는 시기"라고 토로했다. TSMC 독점 구조 깨고 '이원화'가 해법…삼성 파운드리 약진에 기대 걸어야 지속적인 스마트폰 AP 단가상승은 고(高)마진 전략을 취하는 TSMC의 최첨단 파운드리 공정의 독점 구도가 깨져야만 완화될 것으로 관측된다. 결과적으로 삼성 파운드리의 기술력 및 시장성 향상이 가장 중요한 변수로 작용할 전망이다. 기초 구조는 이미 마련됐다. 삼성전자는 지난달 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체 위탁생산 계약을 체결했다. 테슬라의 차세대 자율주행, 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 'AI6' 칩을 2나노 공정으로 양산하는 것이 주 골자다. 애플도 최근 삼성전자 텍사스 오스틴 파운드리 팹에서 차세대 이미지센서를 양산하기로 했다. 삼성 파운드리가 이들 글로벌 빅테크의 칩을 성공적으로 양산하는 경우, 다른 고객사들을 추가로 확보하기가 수월해진다. 고객사 입장에서도 TMSC와 삼성 파운드리 간의 저울질을 통해 단가를 낮출 수 있다는 이점을 누리게 된다. 실제로 퀄컴은 스냅드래곤 8 엘리트 2 칩을 TSMC 3나노 공정, 삼성전자 2나노 공정에서 모두 개발하고 있다. 삼성전자가 실제 양산할 물량은 적은 수준으로 평가되지만, 최첨단 모바일 AP 공급망 구조에 변화를 촉발 시킬 수 있다는 점에서는 의의가 있다. 반도체 업계 관계자는 "파운드리 간의 경쟁 체제는 최근 급격하게 증가하고 있는 AP 제조비용을 근본적으로 저감할 수 있는 좋은 기회"라며 "AP 비용 상승 억제는 스마트폰 등 IT 기기의 가격에도 영향을 미쳐, 소비자들의 부담을 덜 수 있는 결과로도 작용하게 될 것"이라고 말했다.

2025.08.22 08:58장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

美 "보조금 줄게, 지분 내놔"...삼성·SK까지 확대되나

도널드 트럼프 2기 행정부가 반도체과학법(CHIPS Act) 보조금을 지분 투자로 전환하는 정책을 공식화했다. 반대 급부 없는 보조금 지원을 추진했던 조 바이든 행정부와 달리 투자에 대한 이득을 챙기겠다는 의도로 해석된다. 미국 백악관이 19일(이하 현지시각) 보조금을 활용한 인텔 지분 10% 투자를 공식 확인한 데 이어, 같은 날 하워드 러트닉 미국 상무부 장관도 "도널드 트럼프 대통령이 반도체지원법 보조금을 받은 다른 기업에도 비슷한 거래를 시도할 수 있다"고 밝혔다. 따라서 TSMC, 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체과학법 지원을 받은 글로벌 주요 반도체 기업에게도 유사한 정책이 적용될 가능성이 크다. 보조금 지급 속도가 빨라질 가능성이 있는 반면 미국 정부가 의결권이나 경영권 등에 간섭할 수 있다는 우려는 여전히 남는다. 특정 기업의 주식이나 지분을 직접 가질 수 없는 미국 정부가 지분을 어떻게 관리할 지도 문제다. 백악관 "인텔 지분 확보, 납세자에게도 이익" 지난 18일 블룸버그통신은 핵심 관계자를 인용해 "미국 정부가 전임 조 바이든 행정부가 확정한 반도체과학법 보조금 중 일부, 혹은 전부를 인텔 투자에 활용해 최대 10% 지분을 확보할 수 있다"고 밝혔다.(관련기사 참조) 19일(미국 현지시간) 진행된 미국 백악관 정례 브리핑에서는 "미국 정부가 보조금 대가로 인텔 지분을 얻는 문제에 대한 대통령 입장은 무엇인가"라는 현지 언론 질문이 나왔다. 캐롤라인 래빗 백안관 대변인은 "10% 투자 관련 하워드 러트닉 상무부 장관이 세부사항을 조율 중이다. 이는 미국 납세자에게도 이익이 돌아가며 핵심 공급망을 미국으로 되돌리는 창의적인 아이디어"라고 답했다. 러트닉 상무장관 "인텔 외 다른 기업에도 지분 요구 가능성" 하워드 러트닉 상무부 장관도 같은날 미국 CNBC와 인터뷰에서 "바이든 행정부가 약속한 반도체과학법 보조금을 인텔에 지급할 것이고 그 대가로 지분을 받게 될 것"이라고 밝혔다. 그는 "미국 정부가 얻을 지분은 의결권이 없는 보통주이며 경영권도 부여하지 않을 것이다. 단지 트럼프 행정부와 미국 국민을 위해 바이든 행정부 때의 보조금을 지분으로 전환하는 것 뿐"이라고 설명했다. 이어 도널드 트럼프 대통령이 반도체과학법 보조금을 받은 다른 기업에도 비슷한 거래를 시도할 수 있다고 덧붙였다. 수혜 기업에 대규모 금액 일시 지급 가능 트럼프 행정부가 보조금 지급 대신 해당 기업 지분과 맞바꾸는 투자 형태로 전환하는 것은 수혜 기업들에게는 일정 부분 이득일 수 있다. 대규모 금액을 한 번에 받아 시설 투자 등 속도를 높일 수 있기 때문이다. 조 바이든 행정부가 반도체과학법을 통과시킨 것은 지난 2022년 7월이다. 그러나 실제로 보조금 지급이 시작된 것은 올 초부터다. 신제품 생산이나 반도체 생산시설 건설 상황을 확인하며 보조금을 순차 지급하겠다는 미국 상무부의 정책 기조가 이를 지연시켰다. 가장 큰 수혜업체로 꼽혔던 인텔도 지난 해 2월 200억 달러 규모의 오하이오 생산 시설 건립을 일시 중단한 바 있다. 전임 CEO인 팻 겔싱어 역시 "보조금 지급이 늦어지고 있다"며 여러 번 불만을 드러냈다. 의결권·경영 간섭 우려는 여전히 남아 반면 반도체과학법 수혜 기업은 보조금 규모에 따라서는 적지 않은 지분을 미국 정부에 맡겨야 한다는 부담이 따른다. 현재까지 미국 정부의 공식적인 입장은 '의결권 없는 일반주 확보'이며 경영에도 참여하지 않겠다는 것이다. 특히 반도체지원법 보조금은 삼성전자, SK하이닉스, TSMC 등 외국 기업까지 지급 대상에 포함됐다. 외국 기업 경영에 간섭한다는 우려를 피하려면 다른 기업에도 인텔과 동일한 정책이 적용될 가능성이 크다. 단 트럼프 행정부가 입장을 뒤집고 경영권 등을 요구할 수 있다는 불확실성은 여전히 남아 있다. 또한 이를 빌미로 기업의 장비 선택권이나 제조 우선 순위에 영향력을 행사할 수 있다는 우려가 나온다. 삼성전자는 미국 텍사스주 내 첨단 파운드리 팹 구축에 370억 달러를 투자할 계획이다. 이에 미 상무부는 47억5천만 달러의 보조금을 지급하기로 한 바 있다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 해, 미 상무부와 4억5천800만 달러의 보조금과 5억 달러의 대출금을 제공하는 계약을 체결했다. 美 정부, 기업 지분 직접 소유 불가능...관리 누가 하나 미국 정부가 보조금 대가로 얻은 여러 반도체 기업의 주식을 어떻게 관리할 지도 문제다. 이해충돌 방지, 시장 중립성 유지, 개입 최소화 등 원칙에 따라 미국 정부 부처가 특정 기업의 주식이나 지분을 직접 소유할 수 없기 때문이다. 단 연방직원퇴직제도(FERS) 등 정부 연·기금이 주요 기업 주식에 투자하는 것은 허용된다. 또 2008년 금융위기 당시 파산 위기에 몰렸던 은행과 보험사 주식을 미국 정부가 매입할 수 있도록 특별법이 제정되기도 했다. 이에 따라 기존 반도체지원법을 보완하거나, 관련 지분을 관리할 새로운 정부 산하 투자사 등 설립이 필요할 수 있다.

2025.08.20 11:07권봉석

"美정부, 인텔 이어 삼성·TSMC 지분 인수 검토"

미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 미국 내 설비투자로 보조금을 받는 기업들의 지분을 인수하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 현지 투자를 계획 중인 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 이에 따른 영향이 불가피할 것으로 전망된다. 20일 로이터통신은 하워드 러트닉 미국 상무부 장관이 반도체지원법(칩스법)의 보조금을 받는 반도체 제조기업들의 지분을 연방 정부가 인수하는 방안을 검토 중이라고 보도했다. 로이터는 소식통을 인용해 "미국이 인텔의 지분을 사들이는 계획을 확장해 삼성전자·TSMC·마이크론 등 다른 기업들에 대해서도 칩스법 보조금 제공 시 지분을 확보하는 방안을 논의하고 있다"며 "아직 상당수의 자금이 지급되지 않았다"고 밝혔다. 앞서 캐롤라인 리빗 백악관 대변인은 러트닉 장관이 인텔 지분 10%를 확보하는 논의를 진행 중이라고 밝힌 바 있다. 이 경우 미국 정부는 인텔의 최대 주주로 올라서게 된다. 러트닉 장관은 CNBC와의 인터뷰에서 "미국 정부는 인텔의 경영에 간섭하고자 하는 것이 아니다"라고 했으나, 외신은 기업에 대한 미국 정부의 영향력이 확대되는 단초가 될 수 있다고 지적했다. 로이터는 "비슷한 사례로 트럼프 대통령은 올해 초 일본 니폰제철의 미국 US스틸 인수 건을 승인하면서, 투자 약속 이행을 보장하기 위해 '황금주(Golden share)' 조건을 붙인 바 있다"며 "이는 투자 축소 및 해외 이전, 공장 폐쇄 등을 대통령 승인 없이는 하지 못하게 하는 장치"라고 설명했다. 한편 삼성전자는 미국 텍사스주 내 첨단 파운드리 팹 구축에 370억 달러를 투자할 계획이다. 이에 따라 미 상무부는 47억5천만 달러의 보조금을 지급하기로 한 바 있다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 해, 미 상무부와 4억5천800만 달러의 보조금과 5억 달러의 대출금을 제공하는 계약을 체결했다.

2025.08.20 08:43장경윤

삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤

삼성전자, 초대형 반도체 패키징 시장 겨냥 'SoP' 상용화 추진

삼성전자가 최첨단 패키징 기술의 일종인 'SoP(시스템온패널)'를 개발하고 있는 것으로 파악됐다. SoP는 초대형 패널 위에 반도체를 집적하기 때문에, 기존 반도체 대비 상당히 큰 모듈을 제작할 수 있다는 장점이 있다. SoP 기술이 빠르게 고도화되는 경우, 삼성전자는 테슬라의 차세대 '도조(Dojo)' 패키징 공급망에 진입할 수 있을 것으로 기대된다. 현재 테슬라는 도조에 탑재될 'AI6' 칩을 삼성전자 파운드리에, 패키징을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중이다. 12일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자는 초대형 반도체 패키징 모듈을 위한 SoP의 상용화를 추진하고 있다. 패널 상에서 초대형 모듈 패키징…TSMC SoW 대항마 SoP는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 사각형 패널 위에서 여러 반도체를 직접 이어붙이는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 삼성전자는 기존 FOPLP 등 패널 레벨 패키징에서 쌓아온 기술력을 토대로, 현재 415 x 510mm 크기의 SoP를 연구 개발하고 있다. SoP에 대응하는 가장 대표적인 패키징 기술은 TSMC의 SoW(시스템온웨이퍼)다. 전반적인 구조는 SoP와 유사하나, 패널이 아닌 웨이퍼 상에서 패키징을 진행한다는 점이 다르다. 테슬라·세레브라스 등이 SoW 기술을 통해 슈퍼컴퓨팅용 반도체를 양산한 바 있다. 또한 TSMC는 지난 4월 SoW의 차세대 기술인 'SoW-X'를 공개한 바 있다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩과 80개의 HBM4 모듈을 집적할 수 있다. 양산 목표 시점은 오는 2027년이다. 반면 삼성전자는 패널이 지닌 장점에 주목하고 있다. 첨단 반도체 제조에 주로 쓰이는 웨이퍼는 300mm로, 내부에 가장 큰 직사각형 모듈을 구현할 시 크기가 210 x 210mm 수준이다. 반면 415 x 510mm의 패널에서는 한쪽 면이 210mm을 넘어가는 모듈도 제작이 가능하다. 예컨데 240 x 240mm 급의 초대형 반도체 모듈은 SoW로 양산이 불가능하지만, SoP에서는 2개까지 제작이 가능하다. 다만 SoP를 상용화하기 위해서는 해결해야 할 과제들이 많다는 지적도 나온다. 패널 크기가 매우 큰 만큼, 한 번에 집적된 수 많은 칩들을 안정적으로 연결하거나 평탄화하는 데 어려움이 있기 때문이다. 또한 SoP와 같은 초대형 반도체 모듈 패키징은 반도체 업계에서 아직 수요가 적은 '니치 마켓'에 속한다. 고객사 확보를 통한 레퍼런스 확보가 어렵다는 뜻이다. 테슬라, 전용 칩 대신 '패키징'으로 도조 구현…삼성전자에 중장기 기회 그럼에도 삼성전자가 SoP를 개발하는 이유는 해당 기술의 성장 잠재력에 있다. AI 산업이 고도화로 요구되는 데이터 처리량이 기하급수적으로 늘어나면서, 일부 기업들은 고성능 AI 반도체를 수십 개까지 집적하는 초대형 반도체 모듈을 개발하고 있다. 대표적인 사례가 테슬라다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇 등에 활용될 수 있는 반도체다. 또한 테슬라의 독자적인 슈퍼컴퓨팅 도조 시스템에도 탑재된다. 당초 테슬라는 'D1' 등 도조용 칩을 자체 개발했으나, 최근 관련 프로젝트 팀을 해체하고 향후 출시될 AI6와 3세대 도조를 통합하기로 했다. 두 칩의 아키텍처를 통일해 개발 효율성을 높이기 위한 선택으로 풀이된다. 이와 관련해 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 X(구 트위터)에 "모든 경로가 AI6에 수렴한다는 것이 분명해진 후, 도조 2가 진화의 막다른 길에 도달했기 때문에 프로젝트 철회 및 몇 가지 어려운 인사 결정을 해야 했다"며 "도조 3는 단일 보드에 많은 수에 AI6 칩을 탑재한 형태로 계속 사용될 것"이라고 밝혔다. 결과적으로 테슬라는 최첨단 패키징을 통해 자율주행과 로봇, 데이터센터 등에 필요한 AI 반도체를 차별화할 계획이다. 이에 따라 주요 반도체 기업들의 초대형 반도체 모듈용 패키징 기술 수요가 증가할 것으로 기대된다. 실제로 테슬라는 도조 3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 파악됐다. EMIB는 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결하는 인텔의 자체 2.5D 패키징 기술이다. 이 같은 계약이 성사되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리와 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트)가 결합되는 전례없는 공급망이 구성될 전망이다. 삼성전자 역시 SoP 개발을 통해 차세대 도조용 패키징 공급망 진입을 추진하고 있는 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "결정권을 쥔 테슬라가 당장은 인텔의 패키징을 선호하고는 있으나, 삼성전자도 SoP의 수율 개선을 위해 다양한 기술 변혁을 시도하고 있는 것으로 안다"며 "SoP 기술이 얼마나 빨리 고도화되느냐에 따라 도조용 패키징 공급망 진입의 판도가 달라지게 될 것"이라고 설명했다.

2025.08.12 14:31장경윤

[단독] 테슬라, 슈퍼컴 '도조' 공급망 삼성·인텔 낙점

테슬라가 자사 슈퍼컴퓨팅 시스템인 '도조(Dojo)'의 공급망에 삼성전자와 인텔을 낙점하고 대대적인 변화를 시도한다. 테슬라가 기존 TSMC에 공정 전체를 일임하던 구조에서 벗어나, 삼성전자·인텔 양사에 각각 특정 공정을 맡기는 이원화된 방안을 추진 중으로 파악돼 향후 공급망에 큰 변화도 예상된다. 도조용 칩 제조는 삼성전자 파운드리가, 모듈 제작을 위한 특수 패키징 기술은 인텔이 각각 담당하는 구조다. 그동안 삼성전자·인텔은 첨단 파운드리 및 패키징 산업에서 오랜시간 경쟁 구도를 형성해 왔다. 하지만 테슬라를 필두로 AI 반도체 업계에 새로운 협력 구조와 공급망 체제가 결성될 수 있을 지 귀추가 주목된다. 7일 지디넷코리아 취재를 종합하면 테슬라는 3세대 도조 양산에 삼성전자·인텔을 동시 활용하는 방안을 두고 각 사와 논의 중이다. 삼성 파운드리·인텔 OSAT 활용 추진…"전례 없는 협력 구조" 테슬라는 완전자율주행(FSD)과 관련한 데이터를 AI 모델로 학습시키기 위한 슈퍼컴퓨팅 시스템 도조를 자체 개발해 왔다. 도조에는 테슬라의 맞춤형 AI 반도체인 'D 시리즈' 칩이 다수 집적된다. 예를 들어, 1세대 도조는 D1 칩을 25개 패키징한 모듈로 구성돼 있다. 도조 1·2는 모두 대만 주요 파운드리인 TSMC가 양산을 전담한 것으로 알려져 있다. 그러나 도조3부터는 공급망이 전면적으로 바뀔 예정이다. 현재 테슬라는 도조3용 'D3' 칩의 전공정을 삼성전자에, 모듈용 패키징 공정을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "테슬라가 도조3 공급망 논의에서 칩 양산과 모듈용 패키징을 분리하는 계획을 제안하고 있다"며 "이 같은 계획을 토대로 협력사와 구체적인 계약 체결을 논의 중"이라고 설명했다. 계약이 최종 합의되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리 사업과 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트) 사업간의 협업이 업계 최초로 이뤄질 예정이다. 양사 모두 파운드리와 패키징 사업을 운영중이지만, 이 같은 협력 구조가 공식적으로 성사된 사례는 아직까지 확인된 바 없다. 우선 도조3용 칩 양산은 삼성전자의 수주가 사실상 확실시되고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 반도체로, 2나노 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 또한 테슬라는 도조3에 탑재할 칩을 별도로 설계하지 않고, AI6와 도조3용 칩을 단일 아키텍처로 통합하겠다고 밝힌 바 있다. 일론 머스크 CEO는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "도조3와 AI6 칩을 기본적으로 동일하게 사용하는 방향을 생각하고 있다"며 "예를 들어 자동차나 휴머노이드에는 칩을 2개 사용하고, 서버에는 512개를 사용하는 방식"이라고 말했다. 도조, 초대형 반도체 위한 특수 패키징 필요 테슬라가 도조3용 칩과 패키징 협력사를 이원화하려는 배경에는 기술과 공급망 요소가 모두 작용하고 있다는 분석이다. 테슬라의 도조는 일반적인 시스템반도체와 달리, 패키징 과정에서 매우 큰 사이즈로 제작된다. 때문에 테슬라는 TSMC의 SoW(시스템-온-웨이퍼) 패키징 기술을 채택한 바 있다. SoW는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB) 등을 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 웨이퍼 전체를 사용하기 때문에 초대형 반도체에도 대응 가능하다. D1의 경우 TSMC 7나노미터(nm) 공정 기반의 654제곱밀리미터(mm²) 단일 칩을 활용한다. 이를 웨이퍼에 5x5 배열로 총 25개 배치한 뒤, 각 칩을 전기적으로 연결해 하나의 모듈로 만든다. 웨이퍼 전체를 일종의 기판처럼 사용하는 방식이다. 다만 SoW는 초대형 반도체를 타겟으로 한 특수 패키징으로, 양산되는 칩의 수량이 비교적 적다. 당장의 매출 규모가 크지 않은 만큼 전공정·후공정 모두 TSMC 측의 적극적인 지원을 받기가 힘든 상황이다. 반면 삼성전자·인텔은 대형 고객사 확보가 절실한 상황으로, 각각 테슬라에 우호적인 조건을 제시했을 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 역시 초대형 반도체에 대응할 수 있는 첨단 패키징 기술을 고도화하고 있는 것으로 안다"며 "도조3 모듈 패키징은 인텔이 선제 진입할 예정이나, 기술 개발 상황에 따라 향후 삼성전자도 공급망 진입이 가능할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 인텔, EMIB 기반으로 테슬라 대응 유력 한편 테슬라는 도조3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 알려졌다. EMIB는 인텔의 독자적인 2.5D 패키징 기술이다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 '실리콘 인터포저'라는 얇은 막을 삽입해 각 칩을 연결하는 방식을 뜻한다. EMIB는 기존 2.5D 패키징처럼 칩 아래에 인터포저를 넓게 까는 대신, 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 인터포저 크기에 따라 다이 사이즈 확장에 제약을 받는 2.5D 패키징과 달리, 더 넓은 면적에 걸쳐 다이를 구성하는 데에도 유리하다. 다만 EMIB도 현재 상용화된 기술 수준으로는 웨이퍼 수준의 초대형 칩 제작이 어렵다는 평가를 받는다. 때문에 업계는 인텔이 도조 3를 위한 새로운 EMIB 기술 및 설비투자 등을 검토하고 있을 것으로 보고 있다.

2025.08.07 15:14장경윤

트럼프 "수입 반도체에 100% 관세"…삼성·SK 악영향 우려

미국이 수입 반도체에 대해 100%에 달하는 막대한 관세 부과를 예고했다. 구체적인 시기나 세부 조건 등은 밝혀지지 않았으나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들의 대미 수출에 악영향을 끼칠 것이라는 우려가 제기된다. 다만 한국은 최근 미국과의 무역합의 과정에서 반도체와 의약품의 경우 다른 나라와 비교해 불리하지 않은 최혜국 대우를 받도록 요구했고, 미국도 이를 수용한다는 입장이어서 이보다는 낮은 품목 관세만 적용받을 가능성이 있다. 도널드 트럼프 미국 대통령이 수입 반도체에 100%의 관세를 부과하겠다고 밝혔다고 블룸버그통신 등이 7일 보도했다. 다만 미국 내에 생산시설을 이전하는 기업은 관세를 면제 받는다. 트럼프 대통령은 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO)와의 대담에서 반도체 관세에 대한 내용을 직접 언급했다. 이날 애플은 미국 내 1천억 달러의 신규 투자 계획을 발표했다. 트럼프 대통령은 "우리는 칩과 반도체에 매우 높은 관세를 부과할 것"이라며 "그러나 애플과 같은 회사들에게 좋은 소식은 미국에서 제품을 생산을 하거나, 의심의 여지 없이 미국에서 생산하기로 약속했다면 아무런 관세도 부과되지 않을 것이라는 것"이라고 말했다. 그동안 트럼프 대통령은 철강 및 알루미늄, 자동차, 반도체 등 주요 산업에 대해 별도의 관세 기준을 고려해 왔다. 반도체 산업에 적용되는 관세는 타 산업 대비 매우 높은 수준으로, 발효 시 전 세계 공급망에 상당한 영향을 줄 것으로 관측된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들도 영향권에 들 것이라는 우려가 제기된다. 현재 삼성전자는 미국 텍사스 오스틴에 파운드리 팹을 두고 있으며, 약 370억 달러(한화 약 48조원)를 들여 테일러 신규 파운드리 팹과 R&D 팹 등을 건설 중이다. SK하이닉스도 미국 애리조나주에 패키징 시설을 들일 계획이다. 다만 이들 기업은 주력 제품인 D램, 낸드 등 메모리반도체를 한국과 중국에서 양산하고 있다. 해당 제품을 미국으로 수출하는 경우 관세가 부과될 가능성이 있다.

2025.08.07 09:18장경윤

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