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'삼성전자 2014년형 갤럭시탭10.1'통합검색 결과 입니다. (2013건)

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3460명 투표서 꼽힌 '올해의 기업' 1위는?

진학사 캐치 조사 결과 2024년 올해의 기업 1위는 'SK하이닉스'가 차지했다. 반면 '삼성전자'는 6위에 그쳤다. 상위권 채용 플랫폼 캐치가 2024년을 대표하는 올해의 기업 순위를 12일 공개했다. 올해의 기업은 그해 캐치 '기업개요' 페이지 조회수가 가장 높았던 50개 기업을 대상으로 구직자 및 직장인 투표를 통해 선정된다. 올해는 총 3천460명이 투표에 참여했다. 입사/이직한다면 가고 싶은 2024 올해의 기업 1위는 'SK하이닉스'가 차지했다. 지난해 4위에서 3계단 상승한 순위였다. 작년에 1위였던 '네이버'는 올해 2위를 기록했다. 이어서 3위는 신흥 강자 'CJ올리브영'이 차지했다. 특히 눈길을 끄는 것은 삼성전자의 순위 변화다. 지난해 2위에 오르며 굳건한 모습을 보였던 삼성전자는 이번 조사에서 6위로 하락했다. 이와 함께 ▲LG전자(4위) ▲현대자동차(5위) ▲LG에너지솔루션(7위) ▲CJ제일제당(8위) ▲카카오(9위) ▲포스코(10위) 등이 상위권에 이름을 올렸다. 사회적 공헌과 ESG 경영 등 가장 칭찬하고 싶은 기업으로는 'LG전자'가 1위를 차지했으며, 이어 '삼성전자'가 2위, 'LG에너지솔루션'이 3위로 뒤를 이었다. 이외에 ▲SK하이닉스(4위) ▲현대자동차(5위) ▲네이버(6위) ▲유한양행(7위) ▲CJ제일제당(8위) ▲기아(9위) ▲CJ올리브영(10위) 순이었다. 2025년에 더욱 성장할 것으로 기대되는 기업으로도 'SK하이닉스'가 1위를 기록했으며, '현대자동차'와 'LG에너지솔루션'이 각각 2위와 3위를 차지했다. 이외에 ▲삼성전자(4위) ▲네이버(5위) ▲LG전자(6위) ▲기아(7위) ▲CJ올리브영(8위) ▲카카오(9위) ▲CJ제일제당(10위) 순이었다. 진학사 캐치의 김정현 부문장은 "이번 조사를 통해 구직자 및 직장인들이 바라보는 기업 선호도와 평가가 빠르게 변화하고 있음을 확인할 수 있었다"며 "특히 SK하이닉스는 올해 기술력을 인정받고 적극적으로 채용을 진행했던 점이 높은 평가를 받은 것으로 분석된다"고 말했다.

2024.12.12 08:40백봉삼

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

삼성 갤럭시S25 시리즈, 가격 오를까

삼성전자가 내년 초 출시할 예정인 '갤럭시S25' 시리즈의 가격 정보가 나왔다. 독일 IT매체 윈퓨처는 10일(현지시간) 유럽 소매업체 자료를 인용해 삼성 갤럭시S25 시리즈의 가격 정보를 전하며 가격이 전작에 비해 오르지 않을 수 있다고 보도했다. 보도에 따르면, 독일 및 유럽 시장에서 갤럭시S25 기본 모델의 시작 가격은 899유로(약 135만원)로 전작과 비슷한 수준이 될 전망이다. 갤럭시S24는 독일에서 시작가 899유로에 출시됐다. 갤럭시S25의 가격은 ▲128GB 모델 899유로 ▲256GB 모델 959유로(약 144만원), 갤럭시S25 플러스의 경우 ▲256GB 모델 1천149유로(약 173만원) ▲512GB 모델 1천269유로(약 191만원)다. 갤럭시S25 울트라의 경우 ▲256GB 모델 1천449유로(약 218만원) ▲512GB 모델 1천569유로 (약 236만원) ▲1TB 모델 1천809유로(약 272만원)가 될 예정이라고 해당 매체는 전했다. 이는 최근에 나온 전망과는 다소 차이를 보인다. 최근 한 국내 매체는 갤럭시S25 울트라 가격이 전작 갤S24 울트라 256GB 모델의 출고가 169만8천400원보다 소폭 오를 것이며, 기본 모델과 플러스 모델도 가격이 오를 가능성이 있다고 보도했다. 가격 상승의 원인은 삼성전자가 갤럭시S25 모든 모델에 퀄컴의 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 탑재할 가능성이 높다는 것이 꼽혔다. 그 동안 나온 소식에 따르면 삼성전자는 내년 1월 22일 미국 샌프란시스코에서 언팩 행사를 열고 갤럭시S25 시리즈를 공개할 예정이다.

2024.12.11 14:07이정현

바이든 정부, 마이크론 반도체 지원금 8.8조원 확정

조 바이든 미국 행정부가 자국 내 반도체 공급망 강화를 위한 지원책에 속도를 내고 있다. 인텔·TSMC 등에 이어 마이크론도 상당한 규모의 반도체 보조금 지급을 확정받게 됐다. 10일 미국 상무부는 마이크론에 대해 61억6천500만 달러(한화 약 8조8천억원) 규모의 반도체 보조금을 지급을 확정했다고 밝혔다. 앞서 미 상무부는 지난 4월 마이크론과 반도체 보조금 지급과 관련한 예비거래각서(PMT)를 체결한 바 있다. 이번 보조금 지급 규모는 계약 당시와 동일하다. 현재 마이크론은 미국 뉴욕주와 아이다호주에 D램 등 메모리반도체 공장을 건설하고 있다. 뉴욕에는 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투자하기로 했다. 또한 버지니아주에 위치한 기존 공장의 증설에도 20억 달러 이상을 투입한다. 미 상무부는 전체 보조금 중 46억 달러를 뉴욕에, 15억 달러를 아이다호 투자에 할당할 예정이다. 이번 투자로 마이크론은 미국 내 메모리 생산능력 확장에 속도를 낼 것으로 전망된다. 미 상무부는 "마이크론에 대한 투자로 약 2만개의 일자리가 창출되고, 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝혔다. 한편 조 바이든 행정부는 임기 종료를 앞두고 반도체 보조금 지급을 서두르고 있다. 최근에도 인텔이 78억6천만 달러, TSMC가 66억 달러, 글로벌파운드리가 15억 달러의 보조금 수령을 확정했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업은 여전히 미 상무부와 보조금 지급 논의를 이어가고 있는 상황이다. 논의된 보조금 규모는 삼성전자가 64억 달러, SK하이닉스가 4억5천만 달러 및 최대 5억 달러의 대출 지원 등이다.

2024.12.11 09:54장경윤

"갤럭시S25, 차세대 Qi2 무선충전 기술 탑재"

삼성전자가 내년 초 출시할 예정인 갤럭시S25 시리즈에 차세대 Qi2 무선 충전 기술을 탑재할 것이라는 전망이 나왔다고 폰아레나 등 외신들이 10일(현지시간) 보도했다. IT 팁스터 주칸로스레브(@Jukanlosreve)는 엑스를 통해 유명 IT팁스터 아이스유니버스가 갤럭시S25 시리즈가 Qi2 무선충전을 지원할 수 있다고 밝혔다고 전했다. 최근 출시된 오포의 파인드X8 시리즈를 비롯해 중국 스마트폰 브랜드들은 자석 기반의 무선 충전방식을 제공하고 있으며, 최대 50W의 무선 충전을 지원한다. 이는 삼성 스마트폰의 유선 충전 속도보다도 빠른 편이다. 삼성 갤럭시S24 울트라의 경우 45W 유선충전, 15W 무선충전을 지원한다. Qi2 무선 충전은 애플의 맥세이프 표준과 다르기 때문에 동일한 액세서리가 호환되지 않을 수 있다고 폰아레나는 전했다. 이 같은 소문이 사실이라면, 삼성은 폰 케이스부터 외부 배터리 팩까지 갤럭시S25 시리즈를 위한 자석 기반 충전 액세서리 라인을 출시할 것으로 예상된다. Q1 무선 충전은 오늘날 널리 사용되고 있으나, 차세대 Qi2 기반 무선충전을 지원하는 안드로이드폰은 핀란드 HMD의 'HMD SKYLINE'이 유일하다. 이후 구글 픽셀9 시리즈와 원플러스 13 등도 Qi2 기술을 채택할 것으로 예상됐으나 결국 채택되지 않았다고 나인투파이브구글은 전했다. Qi2 무선 충전의 특징은 ▲자석 기반 무선충전 ▲최대 15W 무선 충전 ▲향상된 전력 효율성 ▲향상된 편의성이다. 나인투파이브구글은 “안드로이드 플래그십폰 중 가장 인기 있는 제품이 Qi2를 채택한다면, 이는 업계 표준의 본격적인 전환점이 될 것”이라며, “다른 브랜드에서도 Qi2를 채택하는 분위기가 형성될 수 있다”고 평했다.

2024.12.11 09:51이정현

TSMC 창업자 "삼성전자, 韓 정치 혼란과 기술 문제로 어려움 겪어"

대만 파운드리 업체 TSMC 창업자 모리스 창(Morris Chang) 회장이 "삼성전자가 어려움을 겪는 이유는 한국의 혼란스러운 정치 상황과 기술적 문제 때문이다"고 진단했다. 10일 대만 공상시보 보도에 따르면 창 창업자는 전날 열린 자서전 기념 기자간담회에서 삼성전자의 현재 상황에 대한 질문에 이 같이 답했다. 창 창업자는 "한국의 혼란스러운 상황이 회사 경영에 역풍이 될 것"이라고 말했다. 지난 3월 윤석열 대통령의 비상계엄 선포 사태와 그에 따른 정국 혼란이 기업 경영에 악영향을 미칠 수 있다고 관측한 것이다. 이어 "삼성이 전략적 문제가 아닌 기술적으로 문제가 있다"고 말했다. 삼성이 TSMC와의 경쟁에 앞서기 위해 2022년 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하고 선도적으로 최신 기술인 게이트 올어라운드(GAA)를 도입했지만, 수율에서 어려움을 겪고 있는 점을 지적한 것이다. 창 창업자는 인텔의 문제점에 대해서도 언급했다. 그는 "인텔이 이사회 차원의 핵심 사업 전략을 수립하지 않으면 4년 전과 같은 곤경에 처할 것"이라고 경고했다. 인텔은 지난주 팻 겔싱어 CEO의 전격 사임을 발표했다. 겔싱어 전 CEO는 약 4년간의 재임 기간 동안 인텔의 과거 영광 재현을 시도했으나 끝내 성과를 거두지 못하고 물러나게 됐다. 창 창업자는 "인텔이 4년 전 회사를 구할 수 있는 전략을 이사회에 제시할 수 있는 새로운 CEO를 찾고 있을 때 겔싱어를 영입했다"며 "당시 그의 뛰어난 언변이 인텔의 새 수장이 되는데 주효했다"고 설명했다. 창 창업자에 따르면, 겔싱어의 전략과 포부는 인텔의 과거 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 재개해 자체 설계와 생산을 모두 수행하는 것이었다. 그러나 현재 인텔은 CEO도, 전략도 없는 4년 전과 같은 어려운 상황에 직면해 있다고 지적했다. 특히 창 창업자는 인텔의 실패 원인에 대해 "AI 붐의 기회를 놓친 것"이라고 분석했다. 인텔은 엔비디아 GPU에 대응하기 위해 뒤늦게 '가우디' GPU를 선보였지만, AI 시장에서 성과를 내지 못하고 있다. 그는 "겔싱어가 AI 칩 개발에 대해서도 언급했지만, 파운드리 사업을 AI보다 선호한 것으로 보인다"고 평가했다. 한편, 모리스 창 창업자(1931년생)는 미국 반도체 기업 텍사스인스트루먼츠(TI)에서 수십 년간 근무하며 반도체 기술 개발을 선도했고, 1987년 대만 정부의 지원을 받아 최초의 파운드리 전문 업체 TSMC를 설립했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 1위, 삼성전자는 9.3%로 2위를 기록하며 양사의 점유율 격차는 더 벌어졌다.

2024.12.10 17:37이나리

"갤럭시S25·S25 플러스, 전작처럼 엑시노스 칩 탑재"

삼성전자가 내년 초 출시할 갤럭시S25 시리즈에도 전작과 같은 엑시노스 칩이 사용될 가능성이 있다는 보도가 나왔다. IT매체 샘모바일은 9일(현지시간) 삼성 갤럭시S25, 갤럭시S25 플러스에 과거 갤S24 엑시노스 2400 칩의 후속 모델인 엑시노스 2500 칩이 탑재될 가능성이 높다고 보도했다. 그 동안 갤럭시S25에 어떤 칩이 탑재될 지에 대해 여러 가지 전망이 나왔다. 갤럭시S25 울트라는 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 칩이 탑재될 가능성이 높다고 알려져 있으나, 갤럭시S25 표준 모델과 플러스 모델의 경우 삼성 엑시노스 칩 또는 미디어택 디멘시티 칩 탑재설도 나왔다. 삼성전자의 3나노 공정 수율 문제로 갤S25 시리즈에 스냅드래곤 8 엘리트 칩셋이 전량 채택될 수 있다는 보고서도 이전에 나온 상태다. 하지만, 샘모바일은 갤럭시S25, 갤럭시S25 플러스의 북미·중국 모델을 제외한 나머지 시장 제품은 엑시노스 2500 칩이 사용될 것으로 전망했다. 이어 “갤럭시S25 울트라는 전 지역에서 스냅드래곤 8 엘리트 칩을 사용한다는 것이 확실하다”며, 갤럭시S24 표준, 플러스 모델과 비교해 퀄컴 스냅드래곤 칩이 더 많은 국가에서 갤럭시S25, 갤럭시S25 플러스 모델에 채택될지는 불분명하다고 밝혔다. 또, 갤S25 라인업에 대만 미디어텍의 칩이 들어갈 가능성은 전혀 없다고 언급하며, 향후 출시되는 갤S25 FE 모델에 채택될 가능성도 있으나 아직 확실치 않다고 설명했다.

2024.12.10 14:37이정현

갤럭시S25 울트라 카메라, 이렇게 바뀐다

삼성전자가 내년 초 출시할 예정인 갤럭시S25 울트라의 카메라 사양 정보가 추가로 확인됐다고 IT매체 91모바일이 9일(현지시간) 보도했다. 해당 매체는 카메라 FV-5 데이터베이스에서 모델번호 SM-S938U의 갤럭시S25 울트라 미국 모델의 카메라 정보를 확인해 공개했다. 동일한 모델번호는 얼마 전 미국 연방통신위원회(FCC) 인증 정보에서 발견됐다. 카메라 FV-5 데이터베이스에 공개된 카메라 센서 정보는 하나로 삼성이 초광각, 망원 카메라에 사용할 5천만 화소 센서로 보인다. 공개된 자료에 따르면, 5천만 화소 센서는 디테일과 저조도 성능을 개선하는 '4-in-1 픽셀 비닝'을 사용해 1천250만 화소 사진을 촬영할 예정이다. 상세 사양은 ▲4080 X 3060 화소 해상도 ▲전자식 손떨림 방지기능(OIS) 기능 ▲f/1.7 조리개 값 ▲23.2mm 초점 거리 등을 지원한다. 이로 인해 갤럭시S25 울트라는 더 넓은 프레임 각도와 더 많은 빛을 모아 풍경 사진과 단체 사진을 더 잘 찍게 돼 전작보다 사진 품질이 향상될 것으로 예상된다고 폰아레나 등 외신들은 전했다. 다른 카메라 센서의 정보는 공개되지 않았으나 갤럭시S25 울트라는 2억 화소 삼성 HP2 메인 카메라에 5천만 화소 삼성 JN3 초광각 렌즈, 5천만 화소 망원 5배 렌즈, 1천만 화소 망원 3배 센서를 포함한 쿼드 카메라 구성을 특징으로 할 것으로 예상되고 있다. 내년에 출시될 다른 플래그십폰과 마찬가지로 갤럭시S25 시리즈의 카메라에도 인공지능(AI) 기능이 대폭 강화될 것으로 기대된다. AI 알고리즘을 통해 인물 사진 모드에서 흐림 제거나 객체 분리 기능 향상과 같은 신기능이 추가될 가능성이 있다고 폰아레나는 전했다.

2024.12.10 09:53이정현

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

트럼프 "관세는 가장 아름다운 단어"

도널드 트럼프 미국 대통령 당선인이 대통령에 당선된 뒤 처음 응한 TV 인터뷰에서 “관세는 가장 아름다운 단어”라고 말했다. 트럼프 당선인은 8일(현지시간) 미국 NBC와의 인터뷰에서 “관세는 가장 아름다운 말”이라며 “경제 외적인 것을 얻기 위한 매우 강력한 도구”라고 강조했다. 그러면서 “관세를 알맞게 쓰면 많은 목적을 이룰 수 있다”며 “관세는 미국을 부유하고 안전하게 만들 것”이라고 기대했다. 트럼프 당선인은 2018년 1월 긴급 수입 제한 조치(세이프가드)로 한국산 세탁기에 50%까지 관세를 부과한 바 있다. 그는 “한국과 중국이 미국에 세탁기를 싼 값에 막 팔아 미국 가전 업체 월풀이 세탁기 사업을 접을 것이란 전화를 받았다”며 “한국·중국산 세탁기에 관세를 물려 월풀을 비롯한 미국 업체가 성장했고 일자리 수만 개를 구했다”고 자평했다. '관세 비용이 미국 소비자에게 전가되지 않도록 어떻게 하겠느냐'는 질문에는 “관세를 적절하게 사용하면 아무 비용도 들지 않는다”며 “시장이 처리할 것이고, 그렇지 않으면 우리가 어느 정도 조정할 것”이라고 답했다.

2024.12.09 11:11유혜진

삼성전자, '1c D램' 양산 투자 개시…차세대 HBM4 본격화

삼성전자가 '1c D'램 양산 투자를 시작한다. 최근 관련 협력사에 제조설비를 발주해, 내년 2월께 설치 작업에 돌입할 것으로 파악됐다. 1c D램이 삼성전자의 차세대 HBM4 경쟁력을 좌우할 핵심 요소인 만큼, 제품을 적기에 양산하기 위한 준비에 나서는 것으로 보인다. 9일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 양산라인을 구축하기 위한 장비 발주를 시작했다. 1c D램은 6세대 10나노급 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 1b(5세대) D램보다 한 세대 앞선 제품으로, 내년부터 본격적인 상용화에 이를 것으로 예상된다. 때문에 그동안 삼성전자도 1c D램 개발에 주력해 왔다. 지난 3분기에는 처음으로 1c D램의 '굿 다이'(Good die; 정상적으로 작동하는 칩)를 확보하는 등 가시적인 성과도 얻었다. 나아가 삼성전자는 1c D램을 본격 양산하기 위한 준비에 나섰다. 최근 P4 내 신규 D램 라인에 1c D램 양산용 설비투자를 진행한 것으로 파악됐다. 그간 1c D램은 파일럿(시생산) 라인에서만 제조돼 왔다. 이에 따라 램리서치 등 주요 장비업체의 설비가 내년 1분기부터 반입될 예정이다. 당장의 투자 규모는 전체 D램 생산량 대비 그리 크지 않은 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자 안팎에서는 추가 투자에 대한 논의도 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 내년 2월경 1c D램 양산용 설비 도입을 시작할 것으로 안다"며 "추가 투자는 1c D램의 수율 안정화가 어느 정도 이뤄진 후에 나오게 될 것"이라고 설명했다. 삼성전자의 1c D램은 차세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4(6세대 HBM) 공급 경쟁에서도 큰 의미를 가진다. 삼성전자는 5세대 HBM인 HBM3E까지 1a(4세대) D램을 채용했으나, HBM4에서는 1c D램을 활용할 계획이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론은 HBM3E에 이어 HBM4에서도 1b D램을 유지한다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. 때문에 코어 다이인 D램의 성능이 HBM의 성능에 큰 영향을 미친다. 삼성전자가 HBM4에 1c D램을 성공적으로 적용하는 경우, 차세대 HBM 시장에서 주도권을 회복할 수 있다는 기대감이 나오는 이유도 여기에 있다. 다만 삼성전자가 1c D램 및 HBM4를 성공적으로 양산할 수 있을 지는 아직 판단하기 어렵다. 삼성전자가 1c D램 개발에 총력을 기울이고는 있으나, 아직 안정적인 수율을 구현하지는 못했기 때문이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 둔 만큼 이를 위한 설비투자를 진행하는 것으로 보인다"며 "관건은 D램 및 HBM의 수율을 얼마나 빠르게 향상시킬 수 있는가가 될 것"이라고 말했다.

2024.12.09 11:09장경윤

"삼성 AR 글래스, 디스플레이 없어…메타 레이벤 글래스와 경쟁"

삼성전자가 개발 중인 증강현실(AR) 글래스에 대한 새로운 정보가 나왔다. IT매체 폰아레나는 8일(현지시간) IT 팁스터 주칸로스레브(@Jukanlosreve)를 인용해 삼성전자가 개발 중인 첫 번째 AR 글래스에는 디스플레이가 탑재되지 않을 것이라고 보도했다. 주칸로스레브는 엑스를 통해 “삼성의 첫 번째 AR 기기는 메타의 레이밴 글래스처럼 디스플레이가 탑재되지 않을 것”이라며, “마이크로 LED 기술이 아직 미성숙하기 때문”이라고 밝혔다. 그는 “대신 삼성은 2026년에 마이크로 LED를 탑재한 2세대 또는 3세대 AR 기기를 출시할 계획이다. 메타도 비슷한 시기에 마이크로 LED를 탑재한 AR 기기를 출시할 것으로 예상된다”고 덧붙였다. 삼성전자는 내년 초 언팩 행사에서 갤럭시S25 라인업과 함께 AR 글래스를 공개할 것으로 예상되고 있다. 이 제품은 기능과 형태면에서 메타의 레이벤 글래스와 직접 경쟁할 것으로 보인다. 메타의 레이벤 글래스가 처음 출시됐을 때는 기능이 아주 단순했으나, 출시 직후 제품에 인공지능(AI) 기능을 도입하면서 사용자와 대화하고 길거리의 표지판을 번역해주고 길을 알려주는 등 점차 진화한 모습을 보였다. 삼성 AR 글래스도 갤럭시AI를 사용해 레이벤 글래스와 동일한 방식으로 작동할 가능성이 매우 높다며, 디스플레이가 없다는 점은 실망스럽지만 지금 시점에 안경을 출시하는 것은 사업적 관점에서 의미가 있다고 폰아레나는 전했다.

2024.12.09 10:53이정현

"갤럭시S25 울트라, 16GB 램 탑재…AI 기능 때문"

삼성전자가 내년 초 출시할 예정인 갤럭시S25 울트라에 16GB 램이 탑재될 전망이다. 이 같은 조치는 온디바이스 인공지능(AI) 기능과 관련이 있다는 분석에 힘이 실리고 있다. IT매체 폰아레나는 8일(현지시간) IT 팁스터 주칸로스레브(@Jukanlosreve)를 인용해 갤럭시S25 울트라의 사양 정보를 보도했다. 주칼로스레브는 엑스를 통해 갤럭시S25 울트라가 ▲ 12GB 램·256GB 스토리지 ▲ 16GB 램·512GB 스토리지 ▲ 16GB 램·1TB 스토리지 옵션으로 나올 것이라고 밝혔다. 해당 전망이 정확하다면 갤럭시S25 울트라 모델의 램 용량은 전작에 비해 늘어나게 된다. 그 동안 나왔던 갤럭시 울트라 모델 중 16GB 램을 탑재한 모델은 갤럭시S21 울트라였으며 이후에는 모두 12GB 램을 지원했다. 이처럼 램 용량을 확충하는 것은 온디바이스 인공지능(AI) 기능 탑재와 관련이 있는 것으로 분석되고 있다. 애플도 최근 출시한 아이폰16 시리즈에서 애플의 새 AI 시스템 '애플 인텔리전스' 지원을 위해 램 용량을 8GB로 늘렸다. 삼성의 갤럭시AI도 새롭게 출시되는 갤럭시S25 라인업에 맞춰 새로운 기능을 추가할 가능성이 크며 이를 위해 램 용량을 확대할 가능성이 높다고 폰아레나는 전했다. 갤럭시S25 울트라의 경우 이전 모델과 달리 각진 모서리가 아닌 둥근 모서리를 갖춰 디자인 변화를 꾀할 예정이며 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 칩을 탑재할 예정이다.

2024.12.09 08:45이정현

3Q 파운드리 삼성전자 점유율 한자릿수...TSMC와 격차 더 벌어져

세계 3분기 파운드리 시장에서 1위 TSMC와 2위 삼성전자간 점유율 격차가 더 벌어졌다. TSMC는 65%에 육박하는 점유율을 차지한 반면 삼성전자는 처음으로 한 자릿 수로 떨어졌다. 또한 삼성전자는 상위 10대 업체 중에서 유일하게 매출이 감소하면서 파운드리 사업에 대한 우려가 커졌다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 3분기 파운드리 시장에서 TSMC는 64.9% 점유율로 전분기(62.3%) 보다 2.6%P(포인트) 늘었다. TSMC 3분기 매출은 235억2천700만 달러(33조3천200억원)으로 전분기보다 13% 증가했다. 삼성전자 3분기 매출은 33억5700만 달러(4조7500억원)로 전분기 보다 12.4% 줄었다. 이로써 삼성전자 3분기 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 보다 2.2%p 감소했다. TSMC와 삼성전자간 점유율 격차는 55.6%P에 달한다. 양사의 점유율은 매분기 격차가 더 벌어지고 있는 상황이다. 지난해 3분기 45.5%P에서 4분기에 49.9%P로 벌어졌고, 올해 1분기 50.7%P, 2분기 50.8%P 격차를 보였다. 트렌드포스는 “스마트폰 관련 주문 확보 등 일부 성과에도 불구하고, 주요 첨단 공정 고객사의 주문 주기가 종료에 가까워지면서 신규 매출 창출에 제한이 있었다”라며 “또한, 성숙 공정에서 중국 업체들과 경쟁이 심화되면서 가격 인하 압박을 받았다”고 분석했다. 그 밖에 파운드리 시장에서 3위 SMIC(6%), 4위 UMC(5.2%), 5위 글로벌파운드리(4.8%), 6위 화홍그룹(2.2%) 순으로 차지했다. 3분기 파운드리 상위 10개 기업의 매출은 전분기 보다 9.1% 증가하며 349억 달러를 기록했다. 이는 고가의 3나노 공정이 매출 증가에 기여하면서 팬데믹 기간에 세운 기록을 깼다. 트렌드포스는 4분기에도 3, 4, 5나노 공정이 주요 매출 성장을 이끌 것으로 내다봤다. AI와 플래그십 스마트폰, PC 프로세서 수요가 연말까지 지속되고, CoWoS 고급 패키징이 계속해서 공급 부족에 직면할 것으로 예상했다. 반면 28나노 이상의 성숙 공정은 수요가 감소세다. TV SoC, LDDI, 패널 관련 PMIC 등의 재고가 늘어나면서 내년 1분기 수요가 더욱 악화될 가능성이 높다고 전망했다.

2024.12.06 17:27이나리

"삼성전자 왜 위험해졌나...메모리·주문형 반도체 간과 탓"

"삼성전자가 위험해 진 것이 메모리·주문형 반도체를 간과했기 때문이다…HW 기술은 복제가 쉬워 양자분야에서는 SW를 전문으로 하는 큐노바같은 회사가 10~20개는 나와야 한다." 한국표준과학연구원(KRISS)이 블루포인트파트너스와 공동으로 6일 대전서 마련한 '양자컴퓨팅 양자전환(QX) 스케일업 밸리 육성사업 종합포럼'에서 이같은 얘기가 나와 관심을 끌었다. 이날 두 번째 개회사에 나선 블루포인트파트너스 이용관 대표는 "삼성전자가 왜 위험해졌나. 메모리·주문형 반도체를 간과한데서 비롯됐다"며 삼성의 처지를 거론한 뒤 "양자산업 전략이 우리에게는 전환점이자 기회"라고 강조했다. 이에 앞서 이호성 표준연 원장은 "양자가 기술혁신을 넘어 복잡한 문제를 해결할 가능성을 열어줄 게임 체인저"라고 설명했다. 장호종 대전과학부시장은 축사자로 나서 "양자 붐업과 자금조달 등에 대전시도 함께 나설 것"을 약속했다. 송기홍 JW & 파트너스 부회장(IBM 아시아 및 한국 전 총괄대표)은 '양자컴퓨팅 사업화 전략:해외사례 및 밸류체인'을 주제로 기조강연하며 "IBM도 현재 발전 방향이 바뀌었다. 큐비트를 늘리는 하드웨어 쪽보다 알고리즘으로 상용화 앞당기는 일이 관건이 됐다"고 언급했다. 송 부회장은 "현재 전 세계 정부가 양자분야에 마중물(투자)을 넣고 있다"며 "그러나 미국은 정부 투자단계를 지나 민간에서 벤처펀드를 투입한다"고 설명했다. 우리나라도 민간과 SW 투자를 염두에 둬야 한다는 시사점을 제시했다. "전 세계 258개의 퀀텀기술(QT) 스타트업 및 빅테크 기업 중 18%인 47개가 퀀텀컴퓨터 하드웨어 개발 및 제조에 집중하고 있습니다. QT투자의 70%가 HW기업입니다. 2020년 이후 HW경쟁에 신규 진입하는 스타트업이 현저하게 감소했습니다." SW업체는 총 131개다. 앱이 86개, 시스템이 45개로 나타났다. 송 부회장은 우리나라가 SW에 주안점을 둬야 하는 이유로 라우터 기술을 예로 들었다. 라우터를 개발한 시스코보다 이를 기반으로 검색엔진 등 SW에 치중한 구글 등이 어마어마하게 볼륨이 커졌다는 것이다. 컴퓨터 예도 마찬가지다. PC 개발업체보다 운영체계를 개발한 마이크로소프트가 주식시장 시가총액이 어마어마하게 크다는 의미다. 송 부회장은 양자기술 적용 가능 사례로 항공산업과 금융산업을 꼽았다. 송 부회장은 한국기업 성공 가능성이 높은 분야로 ▲초거대 AI모델 개발 ▲데이터 ▲양자보안솔루션 등 3개 분야를 꼽았다. "양자에 명령어를 어떻게 줄 것인지에 대한 표준도 없고, OS도 제각각입니다. 모두가 이제 시작이고, 우리에 기회입니다." 강연 말미에 송 부회장은 "우리나라도 큐노바 같은 양자 SW기업 10~20군데는 나와야 할 것"이라며 "이 가운데 반의 반이라도 성공기업이 나온다면 큰 밸류가 거기 있을 것"이라고 언급해 관심을 끌었다.송 부회장은 큐노바와 특별한 인연은 없는 것으로 파악됐다.

2024.12.06 15:42박희범

50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

삼성 파운드리, 美 팹리스 공략 시동…현지서 첫 '커넥트' 행사

삼성전자 파운드리 사업부와 핵심 파트너사들이 최근 미국에서 현지 고객사와의 접점을 확대하기 위한 행사를 진행한 것으로 확인됐다. 삼성전자가 이 같은 행사를 진행한 것은 이번이 처음이다. 첨단 파운드리 사업 확장에 난항을 겪는 가운데, 잠재 고객사가 밀집한 미국 시장 공략을 가속화하기 위한 전략으로 풀이된다. 실제로 삼성전자는 지난달 인사를 통해 미국 사업을 총괄하던 한진만 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시킨 바 있다. 6일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 이번 주 미국에서 'DSP(디자인솔루션파트너) 커넥트' 행사를 진행했다. DSP는 삼성전자의 공식 파트너 디자인하우스 기업을 뜻한다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스 사이에서 반도체 설계, 공정 최적화 등을 돕는 역할을 맡고 있다. 미국 산호세에 위치한 삼성 파운드리 미국법인에서 개최된 이번 DSP 커넥트는 삼성 파운드리의 잠재 고객사와 DSP간 접점을 확대하기 위해 마련됐다. 삼성 파운드리를 비롯해 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아세미 등 국내 디자인하우스 주요 인사들이 대거 참여한 것으로 알려졌다. 각 DSP는 프레젠테이션 발표 및 행사장 내 부스를 통해 현지 팹리스와 접촉했다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 미국 파운드리 사업을 본격적으로 추진하기 위해 이번 행사를 처음 기획한 것으로 알고 있다"며 "미국 팹리스 시장 규모가 크고, 삼성전자도 현지에 파운드리 공장을 건설하고 있는 만큼 삼성 측에서도 행사에 상당히 힘을 준 분위기"라고 설명했다. 이와 관련 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서도 파운드리 사업 강화를 위한 인적 쇄신을 단행한 바 있다. 삼성전자는 이번 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 현지 고객사와의 파트너십 확대, R&D 센터 설립 등을 주도해 왔다. 또한 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하는 등 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다. 남 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 것으로 알려져 있다. 현재 삼성전자는 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 대비 2.2%p 하락했다. 매출액도 전분기 38억3천300만 달러(한화 약 5조4천억원)에서 3분기 33억5천700만 달러(한화 약 4조7천억원)로 줄었다. 당초 예상보다 4나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서 고객사 확보가 부족했고, 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)인 '엑시노스 2500' 양산도 수율 문제로 차질을 겪은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 미국 테일러시에 건설 중인 파운드리 팹도 설비투자 계획이 지속 연기되는 추세다.

2024.12.06 10:51장경윤

아이에스티이, HBM 이어 PECVD 시장 진출…"SK하이닉스 등 공급"

"아이에스티이는 차별화된 기술력을 토대로 HBM용 풉 클리너를 국내 최초로 상용화하는 등 성과를 거두고 있다. 신규 장비인 PECVD 장비도 내년 SK하이닉스 메모리 공정에 공급할 예정이다. 현재 품질 테스트에서 유일하게 고객사의 요구치를 달성했다." 조창현 아이에스티이 대표는 5일 서울 여의도에서 기업공개(IPO) 기자간담회를 열고 코스닥 상장 후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 풉(FOUP) 클리너(세정장비) 개발에 성공, 삼성전자와 SK하이닉스, SK실트론 등 주요 고객사에 제품을 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다. 기존 풉 세정 장비는 커버와 바디를 한번에 세정하고 건조시키는 방식을 채용해 왔다. 반면 아이에스티이는 분리 세정이 가능한 장비를 자체 개발해, 세정력과 건조 효율성, 생산 효율성을 모두 높였다. 또한 아이에스티이는 첨단 패키징 시장에서도 성과를 거두고 있다. 올해에는 국내 최초로 HBM(고대역폭메모리)용 400mm 풉 클리너 장비 개발에 성공했다. 해당 장비는 SK하이닉스에 공급 완료했으며, 삼성전자와도 공급을 논의 중이다. PLP(패널레벨패키징)용 600mm 풉 클리너는 세계 최초로 개발 완료했다. 해당 장비는 삼성전기, 네패스 등에 공급을 완료했다. 조창현 대표는 "성능과 가격 경쟁력을 기반으로 글로벌 풉 세정장비 시장 점유율을 2022년 14%에서 2030년 40%로 끌어올리는 것이 목표"라며 "이를 위해 해외 주요 반도체 기업 및 연구기관을 고객사로 적극 확보하고 있다"고 설명했다. 이외에도 아이에스티이는 차세대 반도체 공정용 장비인 PECVD(플라즈마화학기상증착) 장비 연구개발을 통해 신규 사업을 추진하고 있다. 증착이란 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정이다. 아이에스티이는 지난 2021년 절연막의 일종인 'SiCN' PECVD 장비를 국내 최초로 국산화해, SK하이닉스와의 퀄(품질) 테스트를 진행했다. 테스트 통과 후 현재는 본격적인 양산 검증을 거치고 있어, 내년 공급이 기대된다. 조창현 대표는 "SK하이닉스의 D램용 SiCN PECVD 장비 국산화를 위해 당사를 포함해 3개 업체가 경쟁했으나, 최종적으로는 아이에스티이만이 요구 성능을 충족해 공급사로 단독 선정됐다"며 "향후 HBM의 적층 수가 늘어나고, 하이브리드 본딩과 같은 신기술이 도입되면 패키징에서도 SiCN PECVD 수요가 증가하기 때문에 매우 유망한 사업 분야"라고 강조했다. 한편 아이에스티이는 상장을 통해 확보한 공모자금을 생산능력 확장을 위한 신규 공장 부지 취득과 PECVD장비 개발 및 사업화를 위한 운영 자금, 채무 상환 등에 활용할 예정이다. 아이에스티이의 총 공모 주식수는 160만주로, 1주당 공모 희망가액은 9천700원~1만1천400원, 총 공모금액은 155억원~182억원이다. 12월 2일부터 12월 6일까지 기관 수요예측을 진행해 공모가를 확정한 뒤, 12월 10일과 11일 이틀 동안 일반 투자자들을 대상으로 청약을 진행해 12월 20일 코스닥 시장에 입성할 예정이다. 주관사는 KB증권이다.

2024.12.05 14:36장경윤

엑시노스 2500 탑재 갤럭시S25 플러스, 성능 테스트 결과는?

삼성전자 엑시노스 2500 칩이 탑재된 갤럭시S25 플러스 시제품의 벤치마크 결과가 공개됐다고 IT매체 안드로이드헤드라인이 4일(현지시간) 보도했다. IT팁스터 주칸로스레브(@Jukanlosreve)는 긱벤치6에서 삼성 엑시노스 2500 칩이 탑재된 갤럭시S25 플러스 시제품의 벤치마크 테스트 결과를 포착해 공개했다. 긱벤치 자료에 따르면, 엑시노스 2500 칩 기반 갤럭시S25 플러스 시제품의 성능은 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 칩보다 최대 37% 낮았다고 해당 매체는 전했다. 단일 코어 점수는 2천358점, 멀티코어 점수는 8천211점을 획득했는데 하드웨어 성능도 애플 A18 프로 칩보다 떨어졌다. 테스트한 갤럭시S25 플러스는 12GB 램에 안드로이드 15을 실행한다. 현재 스냅드래곤 8 엘리트 칩은 멀티코어 성능에서 애플 A18 프로 칩보다 더 높은 것으로 알려져 있다. 또 엑시노스 2500 칩은 최대 클럭 속도 3.30GHz 10코어 CPU를 탑재했다. 참고로 스냅드래곤 8 엘리트 칩은 클럭 속도가 최대 4.32GHz, A18 프로 칩의 경우 최대 3.78GHz다. 클럭 속도의 차이도 성능에 영향을 미쳤을 가능성이 있다고 안드로이드헤드라인은 전했다. 엑시노스 2500 칩과 스냅드래곤 8 엘리트 칩의 상당한 성능 차이로 인해 삼성전자가 갤럭시S25일부 모델에 엑시노스 2500 칩을 지원하는 것이 어려울 것으로 보인다고 해당 매체는 전했다. 삼성은 예전에도 성능 차이가 있는 엑스노스 칩, 스냅드래곤 칩 기반 모델을 교차 출시한 적이 있으나, 이 격차는 그 어느 때보다 크다는 게 해당 매체의 분석이다. 물론, 삼성전자가 칩 성능을 개선할 수 있는 시간이 아직 몇 개월 남아 있다. 삼성은 칩 대량 생산을 위해 3나노 공정의 수율 향상을 위해 적극적으로 노력 중인 것으로 알려졌다.

2024.12.05 14:15이정현

중국, 올해 반도체 수출액 1조위안 넘었다

중국의 반도체 수출액이 올해 1조 위안(약 194조원)을 넘어선 것으로 추산됐다. 미국의 강력한 규제에도 불구하고 중국이 첨단 반도체 분야에서도 자립의 기반을 닦고 있는 모양새다. 5일 중국 관영 중국중앙텔레비전(CCTV)에 따르면 올들어 10월까지 중국의 반도체 수출액은 9천311억7천만 위안으로 지난해 같은 기간보다 21.4% 늘었다. 이런 추세라면 11월까지 중국 반도체 수출액이 1조 위안을 넘은 것으로 CCTV는 추산했다. CCTV는 미국 정부가 2019년부터 매년 중국 반도체 업계를 압박하는 정책을 내놨지만 중국 반도체 산업은 계속 성장했다고 평가했다. 이어 중국은 자체 개발하며 1조 위안보다 더 먼 곳에 도달할 것이라고 강조했다. 지난 2일 미국 정부가 반도체 중국 수출 제한을 강화하자 중국은 원자재 미국 수출을 막으며 맞불을 놨다. 미국은 중국이 첨단 기술로 군사력을 키울 수 있다며 중국에 반도체 수출하는 기업을 규제하고 있다.

2024.12.05 13:55유혜진

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