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'비파괴'통합검색 결과 입니다. (2건)

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GIST, 가짜 단결정 찾는 차세대 비파괴 검사 기술 개발..."웨이퍼 공정 바로 적용 가능"

단결정을 깨뜨리지 않고, 진짜와 가짜를 쉽게 구별할 수 있는 기술이 개발됐다. 광주과학기술원(GIST)은 화학과 임현섭 교수 연구팀이 차세대 반도체 소재 합성 정도를 시료 손상없이 정확히 판별할 수 있는 차세대 비파괴 분석 기술을 개발했다고 22일 밝혔다. 현재 반도체 주력 소재인 실리콘(Si)은 칩이 작아질수록 성능과 효율이 점점 떨어진다. 전력 소모 증가 등으로 성능 향상에 물리적인 제약도 있다. 이에 따라 주목받는 소재가 원자 한 층 두께에서도 우수한 전기적·광학적 특성을 구현할 수 있는 이차원 반도체 물질이다. 그 가운데서도 특히, 이황화몰리브덴(MoS₂)이 눈길을 끈다. 종이 한 장보다 훨씬 얇은 원자 한 층 두께의 초박막 구조를 지니고 있기 때문이다. 그러나 이 물질을 반도체 칩으로 활용하기 위해서는 모든 원자가 한 방향으로 정렬된 '완벽한 단결정' 상태를 유지해야 한다. 이유는 단결정과 그렇지 않은 결정들이 공존할 경우 경계면에서 전자 흐름이 방해받아 반도체 성능이 급격히 저하되고, 소자 신뢰성이 떨어지기 때문이다. 그래서 필요한 기술이 이차원 반도체 소재의 단결정 여부를 정확하게 가리는 평가 기술이다. 그런데 이 기술 구현이 생각만큼 쉽지 않다. 합성된 시료 원자가 겉으로는 질서정연하게 정렬된 완벽한 결정, 즉 '단결정'처럼 보여도, 실제는 원자 배열이 180도 뒤집힌 '가짜 결정(domain)'이 섞여 있는 경우가 종종 있다. 이를 정확히 파악하기 위해서 기존에는 시료를 절단했다. 또 시료 손상을 주지 않는 비파괴 검사는 얇은 원판 형태 재료를 가공하는 '웨이퍼 공정'에 적용하는 데 한계가 있었다. 웨이퍼 공정은 '전면 균일성'을 요구하는데, 비파괴 광학 기법은 국소 측정에 강해 대면적을 고속·고정밀로 스캔할수록 해석 오차와 시간이 급증한다. 연구팀은 이러한 한계 극복을 위해 '저에너지 전자회절(LEED) 기법에 주목했다. 이는 물질 표면에 낮은 에너지 전자빔을 조사하고, 전자가 원자 배열에 의해 회절되는 패턴을 분석해 표면 결정 구조와 배열 상태를 파악하는 분석 기법이다. 연구팀은 전자빔 에너지를 단계적으로 변화시키며 전자들이 원자 배열에 부딪혀 만들어내는 회절 패턴 강도 변화(회절 신호의 세기 변화)를 정밀 분석했다. 그 결과, 시료를 전혀 파괴하지 않고도 모든 결정이 한 방향으로 정렬된 '진짜 단결정'과 방향이 뒤섞인 결정이 포함된 시료를 명확히 구분하는 데 성공했다. 임현섭 화학과 교수는 "전자는 물질 가장 바깥 원자층에 민감하게 반응하기 때문에, LEED는 특히 원자 한 층 두께의 이차원 반도체와 같은 초박막 소재의 결정성 평가에 적합하다"고 설명했다. 임 교수는 또 "단층 이차원 반도체의 구조적 특성과 전자의 다중 산란 효과를 함께 고려해 결정이 얼마나 잘 정렬돼 있는지를 정량적으로 판단할 수 있는 방법(새로운 전자회절 해석 기준)을 제시, 단순한 이미지 관찰을 넘어 신뢰도 높은 단결정 판별 방법을 확립했다는 점에서 의미가 크다"고 말했다. GIST 기술사업화센터 문희곤 실장은 "새로운 분석 기법 제시에 그치지 않고, 산업 현장 적용 가능성을 함께 제시했다는 점에서도 주목된다"며 "아무리 우수한 반도체 소재가 개발되더라도, 이를 빠르고 정확하게 검사할 수 있는 기술이 없다면 대량 생산이 불가능하다"고 언급했다. 문 실장은 또 "이번에 공개한 분석법은 마치 엑스레이로 촬영하듯 웨이퍼 전체 단결정 품질을 한눈에 확인할 수 있어, 차세대 이차원 반도체 대량 생산 과정에서 정상 제품 비율, 즉 수율을 획기적으로 높일 핵심 기술로 기대된다"며 "차세대 반도체 공정 전반의 품질 관리 표준 기술로 확장될 가능성이 크다"고 덧붙였다. 임현섭 교수는 "실험실 수준에 머물던 이차원 반도체 연구를 산업 현장의 웨이퍼 공정으로 연결하는 중요한 가교 역할을 할 것”으로 기대했다. 연구는 GIST 화학과 임현섭 교수(교신저자)와 김도훈 석·박사통합과정생(논문 제1저자)이 수행했다. 과학기술정보통신부·한국연구재단 기초연구사업, 과학기술정보통신부 이노코어(InnoCORE) 사업으로부터 지원 받았다. 연구 결과는 국제학술지 '나노 레터스'에 온라인으로 공개됐다.

2026.01.22 17:44박희범 기자

SFA, HBM용 비파괴 검사장비 기술 개발 국책과제 선정

에스에프에이(이하 SFA)는 산업통상부가 주관하는 'AI 팩토리 선도사업'의 일환으로 향후 4년간 총 100억원에 달하는 규모의 'HBM의 불량 검출 및 분석을 위한 AI 기반 비파괴 장비 기술 개발' 국책과제의 주관 연구기관으로 선정됐다고 18일 밝혔다. 산업통상부는 우리나라의 2030년 제조 AI 최강국 진입을 목표로 기존의 'AI 자율제조 얼라이언스'를 확대 개편해 우리나라를 대표하는 각 산업별 제조기업은 물론 학계 및 연구기관이 참여하는 민관협의체 'AI 팩토리 M.AX 얼라이언스'를 발족하며 'AI 팩토리 선도사업'을 전개하고 있다. 이 사업은 각 산업별 제조 데이터 공유·협력체계 강화 및 제조 AI 파운데이션 모델 개발 등을 기반으로 제조공정에 AI를 접목하여 제조 생산성을 획기적으로 높이고 제조비용과 탄소 배출 등을 감축하는 프로젝트다. 이 사업에 적극적으로 참여한 SFA는 반도체부문에서 HBM의 품질혁신을 이끌어내는 AI 기반의 비파괴 검사장비 개발과제의 주관 연구기관으로 선정됐다. 이 과제에는 국내 반도체 대표기업이 수요기업으로 참여하고 있고, 한국전자기술연구원, 포항공과대학교, 충남테크노파크, 아이피투비 등이 공동 연구기관으로 참여한다. SFA는 이 과제를 통해 AI 기반의 고해상도 전기발열 검사 기능과 고속 나노급의 CT검사 기능을 통합한 검사장비를 개발해 HBM 검사시간을 획기적으로 단축할 수 있는 혁신을 이를 예정이다. 현재 해외 장비사가 공급한 CT장비는 HBM 칩 1개 검사에 수 시간이 소요되는 상황인데, 이를 30분 이내로 단축하는 품질혁신을 이루어 HBM 수율의 획기적인 개선 및 HBM 제조라인의 생산성 제고에 크게 기여할 것으로 기대된다. 구체적인 목표는 영상·이미지 활용 기반의 비파괴 검사를 통한 검사시간 25% 이상 단축 및 품질검사 정확도 99% 이상 확보 등이다. HBM은 AI 및 데이터센터 등의 폭발적인 확산에 힘입어 글로벌 수요가 급증하는 상황으로, 2028년까지 연평균 100% 이상의 급격한 성장이 예상되나 공급이 수요를 따라가지 못하고 있는 실정이다. 이는 HBM 그 자체의 특성에 따른 3D DRAM 적층 구조의 복잡성과 TSV(Through Silicon Via) 결함, Micro Bump 결함 및 복잡한 2.5D 패키징 구조 등의 여러가지 공정 변수로 인해 DRAM 대비 불량율이 높아 수율이 매우 낮기 때문이다. 즉 적층형 반도체인 HBM은 단층형 DRAM의 불량 위험이 층층이 쌓이는 구조라서 태생적으로 층수가 누적될수록 상기의 다양한 공정 변수에 의한 불량 위험이 배가될 수밖에 없어 그만큼 검사항목이 급증하게 된다. 하지만 현행 HBM 검사공정은 아직 자동화가 미진한 영역으로, 해외 장비사 공급 CT장비의 검사시간이 길어 추출된 일부 샘플을 물리적으로 절단(파괴)해서 검사인력이 일일이 내부 구조를 분석하고 있기 때문에 검사시간 과다 소요, 검사항목 누락 및 숙련도에 따른 검사결과 편차 발생 등의 품질 위험이 존재하는 상황이다. 이에 따라 각 세부 공정별로 불량 여부에 대한 신속하고도 정확한 확인을 통해 수율 개선을 이룰 수 있도록 검사공정의 혁신이 절실한 상황인데, 검사공정 혁신의 대안으로 In-line 3D CT 장비와 같은 고정밀/비파괴 검사장비가 손꼽히고 있다. 인-라인(In-line) 자동화를 통한 검사 시간 단축은 물론, 검사 정확도 제고 및 검사결과 일관성 확보 등 AI 기술 기반의 획기적인 검사 효율성 제고를 통해 품질혁신 및 수율 개선을 이룰 것으로 기대되기 때문이다. SFA 관계자는 "고도성장 중인 HBM 반도체 제조장비 분야에서도 성공적인 물류시스템 시장 진입은 물론 CT장비 개발 및 정밀분석장비인 FIB-SEM 시스템 개발 등을 통해 검사측정 영역까지 아우르는 강력한 성장동력을 확보해 나가고 있다"고 밝혔다.

2025.12.18 11:20장경윤 기자

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