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SK하이닉스, AI 추론 병목 줄이는 '커스텀 HBM' 정조준

SK하이닉스가 향후 다가올 커스텀 HBM(고대역폭메모리) 시대를 위한 무기로 '스트림DQ(StreamDQ)'를 꺼내 들었다. 기존 GPU가 담당해 추론 과정에서 병목 현상을 일으키던 작업을, HBM이 자체적으로 수행해 데이터 처리 성능을 끌어올리는 것이 골자다. GPU 업체 입장에서도 HBM으로 일부 기능을 이전할 수 있기 때문에 칩 설계를 보다 유연하게 할 수 있다는 이점이 있다. SK하이닉스는 해당 기술을 통해 엔비디아 등 주요 고객사와 협의를 진행할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 지난 6일(현지시간) 미국 라스베이거스 베니션 호텔에서 'CES 2026' 프라이빗 전시관을 마련하고 커스텀 HBM 기술을 공개했다. 커스텀 HBM 시장 정조준…고객사에 '스트림DQ' 기술 제안 커스텀 HBM은 차세대 버전인 HBM4E(7세대 HBM)부터 본격적으로 적용될 것으로 전망되는 제품이다. 기존 HBM이 표준에 따라 제작됐다면, 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 베이스 다이에 추가하는 것이 가장 큰 차별점이다. 베이스 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)로 연결한다. 기존에는 메모리 회사가 이를 제조했으나, 다양한 로직 기능이 추가되면서 HBM4부터는 주로 파운드리 공정을 통해 양산된다. SK하이닉스는 커스텀 HBM 상용화를 위해 고객사에 스트림DQ라는 기술을 제안하고 있다. 얼마전 막을 내린 CES 2026 전시관이 고객사 대상으로 운영된 만큼, 엔비디아 등 글로벌 빅테크에 적극적인 프로모션을 진행했을 것으로 예상된다. SK하이닉스 관계자는 "스트림DQ는 커스텀 HBM의 한 사례로서, SK하이닉스는 해당 기술을 논문으로도 냈다"며 "고객사가 커스텀 HBM 관련 기술을 우리에게 제안하기도 하지만, 반대로 SK하이닉스가 제시하기도 한다"고 설명했다. GPU 일부 기능 HBM으로 이전…빅테크 부담 덜어준다 스트림DQ 기술은 기존 GPU 내부의 컨트롤러 기능 일부를 HBM의 베이스 다이로 이전하는 것이 주 골자다. 이렇게 되면 GPU 제조사는 칩 내부 공간을 더 넓게 쓸 수 있어, 시스템반도체의 성능 및 효율성 향상을 도모할 수 있다. SK하이닉스 입장에서는 베이스 다이에 GPU 컨트롤러 등을 추가하더라도 큰 부담이 없다. 대만 주요 파운드리인 TSMC의 선단 공정을 적용하기 때문이다. 또한 SK하이닉스는 해당 베이스 다이에 UCIe 인터페이스를 적용해 칩의 집적도를 더 높였다. UCIe는 칩을 기능별 단위로 분할해 제조한 후, 서로 연결하는 최첨단 기술이다. HBM이 '역양자화' 대신 처리…LLM 처리 속도 7배 향상 가능 AI 가속기의 데이터 처리 성능 역시 획기적으로 높아진다. 대규모언어모델(LLM)은 메모리 사용량을 효율적으로 감축하기 위해 낮은 비트 정수로 데이터를 압축하는 '양자화(Quantization)' 과정을 거친다. 이후 실제 연산 과정에서는 데이터를 다시 압축 해제하는 '역양자화(Dequantization)'를 진행한다. 기존 역양자화 작업은 GPU가 담당했다. 그런데 GPU가 역양자화를 진행하면 전체 LLM 추론 시간의 최대 80%를 잡아먹는 메모리 병목 현상을 일으키는 문제가 발생해 왔다. 반면 스트림DQ는 양자화된 정보를 그대로 GPU에 보내는 것이 아니라, HBM 내부에서 데이터가 흘러가는 과정에서 역양자화를 곧바로(on-the-fly) 진행한다. 덕분에 GPU는 별도의 작업 없이 곧바로 연산 작업을 진행할 수 있게 된다. 이처럼 흘러가는(스트림) 데이터를 곧바로 역양자화(DQ)한다는 관점에서 스트림DQ라는 이름이 붙었다. 이를 통해 병목 현상이 발생했던 LLM 추론 처리 속도가 약 7배 이상으로 개선될 수 있다는 게 SK하이닉스의 설명이다. 전체 AI 가속기의 추론 속도 역시 크게 향상될 것으로 기대된다. SK하이닉스 관계자는 "방대한 양의 데이터를 처리하는 시스템반도체를 메모리 근처에 가져다 놓고 데이터 결과값만 받게 하면 시스템적으로 굉장히 효율적"이라며 "프로세싱 니어 메모리(PNM)의 개념으로 볼 수 있다"고 말했다.

2026.01.14 13:48장경윤 기자

SK, HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현...마이크론 발등에 불?

SK하이닉스가 12일 내년 시장이 본격 개화되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 개발을 완료하고 세계 첫 양산 체제를 구축했다고 발표하면서 기술 경쟁력을 한껏 뽐내고 있다. 경쟁사 대비 빠른 속도로, 동작속도 역시 업계 표준을 웃도는 10Gbps 이상을 구현한 것도 SK하이닉스의 시장 지배력 지속을 위한 긍정 신호로 평가되는 대목이다. 또한 주요 고객사인 엔비디아가 최근 HBM4에 필요한 동작속도 요구치를 올린 데 따른 대응으로 풀이된다. 반면 주요 경쟁사인 미국 마이크론은 위기를 맞았다는 평가다. HBM의 동작속도를 높이기 위해서는 '베이스 다이'의 성능이 중요한데, 마이크론의 경우 SK하이닉스, 삼성전자 대비 공정의 기술적 수준이 낮기 때문이다. 이에 업계는 마이크론이 오는 23일(현지시간) 진행하는 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표에서 어떠한 대응책을 제시할 지 주목하고 있다. HBM4 동작속도 10Gbps 이상 구현…개발 속도 올려 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM4는 6세대 제품으로, 엔비디아가 내년 출시할 최신 AI 가속기인 '루빈' 칩에 채택될 예정이다. SK하이닉스의 이번 HBM4 개발 완료 발표는 업계의 예상을 앞서는 수준이다. 당초 엔비디아 측이 메모리사와 논의한 공식적인 퀄(품질) 테스트 시점은 내년 초쯤이다. 이에 따라 각 메모리 기업들은 올 3분기 엔비디아에 샘플을 대량으로 공급하며 개발 일정을 소화해 왔다. 다만 SK하이닉스는 이와 별개로 최근까지 HBM4에 대한 내부 인증을 마무리 수순까지 끌어올렸다. 이를 기반으로 개발 완료 일정을 최대한 앞당긴 것으로 풀이된다. HBM4에 구현한 동작속도도 눈에 띈다. SK하이닉스는 HBM4에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작속도를 구현했는데, JEDEC(국제반도체표준화기구)의 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘은 성과다. SK하이닉스가 동작속도를 강조한 이유는 바로 엔비디아에 있다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 AI 가속기 '루빈(Rubin)' 칩에 채택될 예정이다. 당초 엔비디아는 HBM4에 8~9Gbps 수준의 동작속도를 요구했으나, 최근에는 기준을 10Gbps 이상으로 높인 것으로 알려졌다. 베이스 다이서 '열위' 평가 받는 마이크론…실적 발표서 대응 주목 HBM의 동작 속도 향상을 위해서는 HBM의 베이스(로직) 다이 성능이 중요하다는 게 업계 전문가들의 시각이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이전까지 HBM의 로직 다이를 D램 공정에서 제조해 왔다. 그러나 HBM4부터는 대만 주요 파운드리인 TSMC의 12나노미터(nm) 공정에 로직다이 양산을 맡겼다. 삼성전자도 자사 파운드리 사업부의 4나노 공정을 활용해, 성능 우위를 꾀하고 있다. 반면 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정에서 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수하기로 했다. 때문에 업계에서는 마이크론이 삼성전자·SK하이닉스 대비 엔비디아의 HBM4 동작속도 요구치에 부합하기 힘들 것이라는 전망이 우세해지고 있다. 이 경우 마이크론은 엔비디아의 하이엔드 제품향 HBM4 공급에 제한이 생길 수밖에 없다. 마이크론의 공식 대응이 주목되는 이유다. 마이크론은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 기업보다 한 달 앞서 분기 실적 발표를 진행한다. 마이크론의 회계연도 4분기 실적발표는 오는 23일로 예정돼 있다.

2025.09.12 13:29장경윤 기자

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