검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'반도체 패키징'통합검색 결과 입니다. (135건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

삼성, 차세대 반도체 인재 전진배치…VCT D램·웨이퍼 본딩 주목

29일 삼성전자가 반도체 초격차 회복을 위한 '인적 쇄신'을 단행했다. 차세대 반도체 기술을 이끌어 갈 핵심 인재를 다수 등용하고, 메모리·시스템반도체 전 분야에서 역량이 검증된 젊은 인재를 발탁해 미래 성장동력을 확보한다는 전략이다. 특히 반도체(DS) 부문에서는 수직 채널 트랜지스터(VCT)·웨이퍼 본딩 등 차세대 반도체 시장의 경쟁력을 선점하기 위한 핵심 인재를 승진시켰다는 점이 주목된다. 임성수 DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을 주도해 왔다. VCT는 트랜지스터를 수평으로 배치하던 기존 D램과 달리, 트랜지스터를 수직으로 집적해 셀 밀도를 획기적으로 끌어올린 차세대 메모리다. 삼성전자는 내년 VCT D램의 초기 샘플 개발을 목표로 하는 등 관련 제품 상용화를 적극 준비 중인 것으로 알려져 있다. 문광진 DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 상무(51세)는 본딩·3D 집적 기술 전문가로, 차세대 제품용 웨이퍼 본딩 기술 개발을 주도하며 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보했다. 웨이퍼 본딩은 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 활용하지 않고 웨이퍼끼리 직접 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 반도체 다이(Die)를 서로 연결하는 D2D, 다이와 웨이퍼를 연결하는 D2W 방식에 비해 생산성이 뛰어나다. 또한 삼성전자는 40대 부사장을 다수 발탁해, 미래 경영자 후보군을 확대 및 강화했다. 배승준 DS부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 부사장(48세)은 D램 I/O 회로 설계 전문가로, DRAM 제품의 고속 I/O 특성 확보에 기여하며 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도했다는 평가다. 권오겸 DS부문 제조&기술담당 8인치 제조기술팀장 부사장(47세)은 로직 소자와 공정기술 전문가로 개발부터 양산 안정화, 고객 대응까지 프로세스 전반을 이끌며 레거시 제품 성능 및 사업 경쟁력을 강화했다. 한편 삼성전자는 이날 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 2025년 정기 임원 인사를 실시했다. 이번 인사에서는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명이 승진했다. 작년(143명) 보다 소폭 줄어든 규모다.

2024.11.29 11:10장경윤

LB세미콘, AI 반도체 고객사 확보…"내년 2분기 양산"

반도체 패키지 전문 기업 LB세미콘은 국내 인공지능(AI) 반도체 전문 팹리스 기업으로부터 '팬 인 웨이퍼 레벨 패키징(FI-WLP)'를 수주해 내년 2분기 양산을 시작한다고 26일 밝혔다. 구체적인 고객사명은 공개되지 않았다. 다만 해당 고객사는 온디바이스 AI에 특화된 최첨단 시스템 반도체 원천기술 시스템 보유하고 있으며, AI를 실현시키는 원천 기술과 관련해 400개 이상의 특허를 보유한 것으로 알려졌다. 양사는 보유한 반도체 지식재산권(IP)과 다양한 기술을 접목해 AI 영역에서 긴밀한 협업을 진행할 계획이다. LB세미콘 관계자는 “FI-WLP 패키지를 시작으로 향후 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FO- WLP)등 다양한 AI 반도체 패키지 영역으로 확장 계획”이라고 말했다. 한편 LB세미콘은 높아지는 온디바이스 AI 시장 요구에 부응하기 위해 국내외 인공지능(AI) 반도체 기업과 긴밀한 협업을 진행 중에 있으며, 전략적으로 협업을 통해 고객 맞춤형 솔루션을 제공할 계획이다.

2024.11.26 10:54장경윤

ISC, 글라스기판 테스트 소켓 세계 첫 공개…내년 양산 공급

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 독일 뮌헨에서 개최된 '세미콘 유로파(SEMICON EUROPA) 2024'에서 글라스기판과 'CoWoS' 등 첨단 패키징에 모두 적용 가능한 테스트 소켓 'WiDER-G'를 세계 최초로 공개했다고 25일 밝혔다. 차세대 반도체 기판으로 급부상하고 있는 글라스기판은 반도체 패키징 분야의 패러다임을 바꿀 혁신적인 기술로 패키징 사이즈 대형화, 초미세화, 초집적도는 물론 고주파수가 대세인 AI 서버, 데이터산업 등 업계 전반에서 주요한 역할을 할 것으로 예상된다. 아이에스시 측은 "WiDER-G는 글로벌 고객사에 대한 대응력 강화를 위해 업계 동향을 선제적으로 파악해 출시한 제품"이라고 설명했다. SKC 계열사인 앱솔릭스와 1년간의 공동 연구 개발 끝에 탄생한 'WiDER-G'는 SKC의 후공정 분야 투자사 간 시너지 효과를 보여주는 사례로 평가받고 있다. 아이에스시는 올해 4분기에 'WiDER-G'의 CoWoS 양산 테스트를 마무리하고, 내년 1분기부터 본격적인 공급에 나설 계획이다. 초기에는 북미 지역의 대형 빅테크 고객사들과 ASIC(특정 용도 주문형 반도체) 기업들을 중심으로 공급을 시작하고, 이후 점진적으로 공급 범위를 확대해 나갈 예정이다. 또한 "글라스기판 역시 주요 고객사의 마일스톤에 따라 적시에 공급할 수 있도록 철저히 준비하고 있다"고 말했다. 아이에스시는 이번 신제품 출시를 통해 AI 반도체 테스트 소켓 시장에서 선도적 위치를 더욱 공고히 할 것으로 기대하고 있다. 아이에스시 관계자는 "아이에스시만의 기술력으로 AI 반도체 테스트 소켓 시장 내 리더십을 강화하겠다"고 밝혔다.

2024.11.25 09:31장경윤

엠디바이스, 코스닥 상장 예비심사 승인…"SSD 시장 적극 공략"

반도체 스토리지 전문기업 엠디바이스는 한국거래소로부터 코스닥 상장을 위한 예비심사 승인을 받았다고 21일 밝혔다. 엠디바이스는 증권신고서 제출을 위한 제반 사항을 준비한 뒤 본격적인 공모 절차에 착수할 예정이다. 상장 주관사는 삼성증권이다. 엠디바이스는 지난 9월 2일 한국거래소에 테슬라 요건(이익 미실현 특례상장)으로 코스닥 예비심사신청서를 제출했다. 테슬라 요건은 성장 잠재력이 큰 기업에게 상장자격을 완화해주는 제도이다. 이에 상장 주관사는 3개월 간 일반 청약자에게 풋백옵션(환매청구권)을 부여하게 된다. 2009년에 설립된 엠디바이스는 반도체 기반 스토리지 시스템을 설계하고 제작하는 전문기업이다. 글로벌 반도체 스토리지 시장에서 엠디바이스는 독보적인 기술력과 자체 생산능력을 기반으로 지속적인 성장을 이뤄왔다. 초소형 및 고용량 저장장치 수요가 급증하는 가운데, 엠디바이스는 2017년 컨트롤러, 낸드플래시, D램 등을 하나의 칩 속에 넣은 'BGA SSD'를 세계에서 네 번째로 독자 개발에 성공했다. 이러한 첨단 반도체 기술과 고용량 제품을 앞세워 중국과 유럽 시장 진출에 성공한 엠디바이스는 2021년 말부터 반도체 스토리지 산업의 성장 가능성에 주목하며 SSD를 중심으로 저장장치 사업을 본격적으로 확대하고 있다. 글로벌 경기 둔화 및 반도체 업황 부진의 여파로 2022년부터 2023년 상반기까지 실적 부진을 겪었지만, 지난해 하반기부터 반도체 업황 반등과 기업용 SSD 수요 증가에 힘입어 실적 회복세를 보이고 있다. 특히 올해 3분기 누적 매출액은 360억원, 영업이익은 32억원으로 전년 대비 큰 성장세를 보이며 흑자전환에 성공했다. 엠디바이스는 실적 회복세를 바탕으로 대규모 데이터센터용 고사양 SSD의 양산과 중국 및 유럽 시장 내 수주 확대를 통해 수출 물량을 늘려갈 계획이다. 아울러 매출 구조 다각화를 위해 첨단 패키징 사업을 새롭게 추진 중이며, 내년 양산 체제 구축과 제품 테스트 완료를 목표로 사업을 진행하고 있다고 밝혔다. 엠디바이스의 회사 관계자는 “전 세계적으로 SSD 시장 규모가 확대됨에 따라 당사의 성장세도 지속될 것으로 전망한다”고 밝혔다. 이어 “엠디바이스는 반도체 저장장치 제품을 핵심 동력으로 지속적인 연구개발을 통해 경쟁력을 확보하고 업계를 선도해왔다”며 “향후 당사 반도체 스토리지 기술 역량을 기반으로 인공지능, 전기차, 빅데이터 등 다양한 미래 성장 산업으로 당사 사업의 외연 확장 및 고도화를 진행할 예정"이라고 말했다.

2024.11.22 09:50장경윤

한미반도체, 故 곽노권 회장 1주기 추모 애니메이션 제작

한미반도체는 회사의 창업자 고(故) 곽노권 회장 별세 1주기인 오늘 반도체 장비 업계 선구자로서의 삶을 담은 고인을 기념하는 애니메이션을 공개했다고 22일 밝혔다. 곽노권 회장은 1938년생으로 1967년 모토로라코리아 입사 후 14년간의 근무경험을 바탕으로 1980년 한미금형(현 한미반도체)을 설립해 당시 불모지였던 대한민국 반도체 장비 기술력을 글로벌 수준으로 끌어올렸다는 평가를 받고 있다. 곽노권 회장은 경영 일선에서 물러날 때까지 약 42년간 현장을 진두지휘했다. 고인은 국내 반도체 장비 1세대 기업인으로서 고객만족을 최우선 가치에 두고 차별화된 제품과 서비스를 제공하는데 평생을 바쳤다. 그 결과 곽노권 회장이 1998년 개발한 비전플레이스먼트(VISION PLACEMENT)는 200여개의 특허 등 한미반도체의 핵심 역량을 적용해 2004년부터 현재까지 세계시장 점유율 1위를 기록하고 있다. 또한 인공지능 반도체용 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더(DUAL TC BONDER)를 개발해, 한미반도체가 시가총액 약 8조원에 육박하며 글로벌 반도체 장비기업으로 도약하는데 기틀을 마련했다. 이후 2010년에는 1억불, 2021년에는 2억불 수출의 탑을 수상했고, 최근 10년간 매출 대비 수출 비중 약 77%를 차지하는 등 해외에서 더욱 경쟁력을 인정받는 회사로 발전시켰다. 2022년부터 2024년까지 3년 연속 글로벌 반도체 리서치 전문기관인 테크인사이츠가 선정하는 세계 10대 반도체 장비 기업에 ASML, 램리서치, 어플라이드 머티리얼즈 등과 함께 국내 기업 중 유일하게 선정되기도 했다. 이와 같은 열정과 노력으로 곽노권 회장은 2013년 우수자본재 개발유공자로 선정돼 기업인으로서는 최고의 영예인 금탑산업훈장을 수훈했다. 또한 곽노권 회장은 취약 계층 아동을 위한 의료 지원, 장학 사업, 교육 사업 등을 후원하며 평소 사회적 책임 실천에도 앞장섰다. 한미반도체 관계자는 “창업자 곽노권 회장님의 뜻을 이어받아 끊임없는 노력과 기술력을 바탕으로 고객만족을 극대화하며 더욱 발전하는 한미반도체가 될 수 있도록 노력하겠다”고 밝혔다.

2024.11.22 09:41장경윤

韓, 반도체 자율공장 표준 리더십 활동..."美·日 대비 부족해"

"반도체 기업이 표준을 활용해 새로운 기술을 검토하면 개발 속도나 효율성을 높일 수 있다는 장점이 있습니다. 현재 한국에서도 자율공장과 관련한 표준 제정 위원회 2개 분야에 속해 있다. 다만 일본, 미국 등에 비하면 참가 수가 적은 것이 현실입니다." 최진혁 삼성전자 수석은 18일 서울 양재 엘타워에서 열린 '2024 반도체 표준화 포럼'에서 국내 반도체 업계의 자율공장 관련 표준화 노력 현황에 대해 이같이 밝혔다. 해당 포럼은 글로벌 반도체 표준을 개발하는 국제전기기술위원회(IEC), 국제반도체표준협의회(JEDEC) 및 국제 반도체 관련 협회 SEMI의 전문가들이 모인 자리다. 또한 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들도 참석했다. 이날 '한국 자율공장 워킹그룹'에 대해 발표를 진행한 최 수석은 한국을 비롯한 여러 국가의 표준화 활동에 대해 소개했다. 현재 SEMI에서 표준을 제정할 수 있는 기술 위원회(Global Technical Committee)는 총 21개로 구성돼 있다. 이 중 자율공장과 관련한 위원회는 ▲시설(Facilities) ▲가스(Gases) ▲액체 소재(Liquid Chemicals) ▲정보 및 제어(Information & Control) ▲자동화 기술(Automation Technology) ▲이력관리(Traceability) 등 9개다. 이 중 한국은 시설과 정보 및 제어 2개 분야의 위원회에 속해 있다. 일본은 9개 분야 모두에 속해 있으며, 미국은 8개, 유럽은 6개, 대만은 3개 분야다. 전 세계 반도체 시장에서 한국이 차지하는 위상을 고려하면, 표준 제정에 대한 리더십이 다소 약하다는 평가가 나온다. 이와 관련 최 수석은 "타 국가에 비해 한국이 참여하는 위원회 수가 적은 것은 사실"이라며 "이에 가입을 추진할 수 있는 기술 분야를 몇 가지 고려하고 있고, 특히 이력관리 분야를 주목하고 있다"고 설명했다. 또한 국표원은 포럼에서 지난 5월 발표한 '첨단산업 국가표준화 전략'의 한 분야인 '차세대 반도체 표준화 전략'과 IEC에 제안한 인공지능용 반도체 '뉴로모픽 소자 특성평가' 표준의 개발 성과를 발표했다. 반도체 표준화 전략은 2027년까지 첨단 패키징, 전력반도체 등 차세대 분야 신규 국제표준 15종, 2031년까지 총 39종을 개발하고, 한·미 양국 및 JEDEC, SEMI와의 협력 등 글로벌 표준화 우호국 확보를 위한 계획을 담고 있다. 오광해 국표원 표준정책국장은 “이번 포럼은 글로벌 반도체 표준을 주도하는 IEC, JEDEC, SEMI 세 기구의 전문가들이 함께 모여 상호 협력 방안을 모색하는 뜻깊은 자리"라며 “우리나라의 반도체 초격차 기술 확보를 지원하고, 국제기구에서 표준 리더십 강화를 위해 산·학·연 전문가의 국제 표준화 활동을 다방면으로 지원해 나가겠다”고 밝혔다.

2024.11.18 16:27장경윤

SK하이닉스 "16단 HBM3E, 검증 단계서 12단과 '동등 수율' 확보"

SK하이닉스가 이달 공개한 16단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 신뢰성 확보를 자신했다. 회사의 테스트 결과, 검증 단계에서의 16단 HBM3E 패키지 수율은 양산 단계에서의 12단 HBM3E과 사실상 동등한 수준인 것으로 확인됐다. 16단 HBM3E가 실제 양산되는 경우 수율이 하락할 수는 있으나, 개발 초기부터 제품의 신뢰성을 크게 확보했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스는 여기에 그치지 않고, 16단 HBM3E 구현의 핵심인 '어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)' 기술을 고도화할 계획이다. HBM4와 HBM4E, HBM5 등 차세대 제품의 16단 적층에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용하는 것은 물론, 20단 적층에서도 적용 가능성을 보기 위한 기술 개발도 지속한다. 5일 권종오 SK하이닉스 PL은 5일 오후 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 행사에서 16단 HBM 적층을 위한 본딩 기술을 소개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. D램을 더 높이 쌓을수록 더 높은 용량과 성능 구현에 용이하다. 때문에 업계에서는 HBM의 세대 진화와 더불어 D램을 8단, 12단, 16단 등으로 더 높이 쌓는 방안을 강구해 왔다. 특히 SK하이닉스는 이달 업계 최초의 16단 HBM3E(5세대 HBM)을 공개해 내년 초 샘플을 공급하겠다는 계획을 발표했다. 현재 상용화된 HBM의 최고 단수는 12단이다. SK하이닉스의 16단 HBM3E 개발의 핵심은 패키징이다. SK하이닉스는 이번 16단 HBM3E에 12단 HBM3E와 같은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 해당 기술은 고적층으로 갈수록 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있어, 12단 적층부터는 신뢰성 확보가 어렵다. 이에 SK하이닉스는 일차적으로 열을 가해 D램을 임시로 붙인 뒤, MR-MUF를 진행하는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 고안해냈다. 권 PL은 "HBM3E를 12단에서 16단으로 쌓으면서 D램 사이의 공간(갭-하이트)이 기존 대비 절반 수준으로 줄어드는 등의 난점이 있었다"며 "그러나 기술 개발을 통해 좁아진 갭-하이트를 비롯한 주요 문제의 신뢰성을 통과하는 등의 결과를 얻었다"고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 지속 고도화해 차세대 HBM에도 적용할 계획이다. 권 PL은 "HBM4와 4E, HBM5에서도 16단 제품은 어드밴스드 MR-MUF를 계속 활용해야 한다고 보고 있다"며 "경쟁사가 HBM4E에서는 하이브리드 본딩을 적용할 것으로 전망되는데, 당사는 16단이나 20단에서 두 본딩 기술의 이점을 비교하고 적용 계획을 수립할 것"이라고 밝혔다.

2024.11.05 14:50장경윤

TSMC, 내년 반도체 CoWoS 패키징 가격 인상…엔비디아, 수긍

세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 회사 대만 TSMC가 내년 첨단 패키징 기술 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 가격을 인상하는 데 엔비디아가 받아들였다고 대만 시장조사업체 트렌드포스가 4일(현지시간) 보도했다. 엔비디아는 세계 인공지능(AI) 반도체 1위 업체다. 제조 물량을 모두 TSMC에 맡기는 것으로 알려졌다. 트렌드포스는 미국 투자은행(IB) 모건스탠리 보고서를 인용해 TSMC가 CoWoS 패키징 가격 10~20% 인상을 검토 중이며, 엔비디아로부터 내년 가격 인상을 승인받았다고 전했다. 모리스 창 TSMC 창업자는 최근 3분기 실적을 발표하며 “CoWoS 수요가 공급을 훨씬 앞지른다”고 밝힌 바 있다. TSMC가 올해 CoWoS 생산량을 지난해보다 2배 이상 늘릴 계획임에도 불구하고 여전히 공급이 부족하다는 설명이다. TSMC는 공급망을 안정하기 위해 패키징·테스트 회사와 손잡고 생산 능력을 확대하고 있다. CNA가 인용한 업계 소식통에 따르면 ASE와 그 자회사 스필(SPIL)이 백엔드 CoWoS-S oS(on-Substrate) 공정에서 TSMC와 협력하고 있다. ASE는 내년까지 TSMC의 CoWoS-S oS 패키징 물량의 40~50%를 처리할 전망이다. ASE그룹은 고급 패키징에 투자하며 TSMC와 발 맞추고 있다. ASE는 2026년 10월 완공 예정인 대만 가오슝 K28 공장에서 CoWoS 생산량을 늘릴 것이라고 지난달 발표했다. SPIL은 센트럴타이완사이언스파크 부지에 4억1천900만 대만 달러(약 181억원)를 투자해 CoWoS 제조 역량을 키웠다. 추가 부지를 확보하는 데 필요한 37억2천만 대만 달러도 배정했다. 다음 달 미국 공장 완공을 앞둔 TSMC는 InFO 및 CoWoS 패키징 용량을 확장하기 위해 현지 후공정 업체 앰코와도 업무협약을 맺었다. CNA는 업계 소식통을 통해 미국 애플이 TSMC 애리조나 4나노미터(1㎚=10억분의 1m) 공정에서 애플리케이션 프로세서(AP)를 위탁생산하면, 앰코의 CoWoS 물량을 활용할 수 있다고 전했다. TSMC 공장에서 주문형반도체(ASIC)와 그래픽처리장치(GPU)를 만드는 다른 미국 인공지능(AI) 반도체 기업도 앰코의 CoWoS 패키징을 사용할 것으로 예상된다.

2024.11.05 13:22유혜진

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

과기정통부, 30일 반도체 패키징 기술 교류회

과학기술정보통신부는 30일 제주에서 '반도체 첨단 패키징 기술교류회'를 개최했다. 이 행사에는 올해 착수한 반도체 첨단패키징 핵심원천기술 개발, 연구인프라 구축, 인력양성사업 등에 참여 중인 연구책임자들과 산·학·연 전문가들이 참여했다. 반도체 첨단패키징은 복수의 반도체 칩을 통합, 하나의 패키지로 만들어 성능과 경제성을 동시에 달성할 수 있는 기술이다. 과기정통부는 첨단패키징 관련 소재, 고방열 설계, 차세대 인터포저 및 초미세기판 등의 핵심원천기술 확보와 첨단패키징 연구인프라 구축, 전문인력양성 사업에 올해부터 향후 7년간 3천억 원을 투입할 계획이다. 권현준 기초원천연구정책관은 “지난해 4월 제시한 '반도체 미래기술 로드맵'을 바탕으로 체계적이고 전략적인 R&D와 인력양성을 지속 추진할 것”이라고 말했다.

2024.10.29 20:59박희범

엔비디아, '블랙웰' AI칩 브랜드 정비…첨단 패키징·HBM 수요 촉진

엔비디아가 출시를 앞둔 고성능 GPU의 라인업을 재정비하고, AI 데이터센터 시장을 적극 공략할 계획이다. 이에 따라 대만 주요 파운드리인 TSMC의 첨단 패키징 수요도 크게 늘어날 것으로 전망된다. 22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 엔비디아는 최근 '블랙웰' 울트라 제품을 'B300' 시리즈로 브랜드를 변경했다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정 및 첨단 패키징을 기반으로, 이전 세대(H100) 대비 데이터 연산 속도를 2.5배가량 높였다. 블랙웰 시리즈는 전력 소모량에 따라 B100, B200 등의 모델로 나뉜다. 두 모델은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 제품이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 상위 모델인 B200 울트라를 설계하고, 여기에 HBM3E 12단을 적용하기로 한 바 있다. 이번 리브랜딩에 따라, B200 울트라는 B300으로 이름이 바뀌었다. '그레이스' CPU와 결합된 'GB200 울트라' 모델은 'GB300'으로 불린다. 기존 AI 반도체에서 성능을 일부 하향 조정한 'B200A 울트라'와 'GB200A 울트라' 역시 각각 'B300A', 'GB300A'로 변경됐다. B300 시리즈는 내년 2분기와 3분기 사이에 출시될 것으로 예상된다. 기존 B200과 GB200 등은 올 4분기부터 내년 1분기 사이 양산이 시작될 전망이다. 트렌드포스는 "엔비디아는 당초 서버 고객사를 위해 B200A를 출시할 계획이었으나, 설계 과정에서 B300A로 전환해 성능을 하향 조정한 GPU의 수요가 예상보다 약하다는 것을 나타냈다"며 "또한 GB200A에서 GB300A로 전환하는 기업의 경우 초기 비용이 증가할 수 있다"고 설명했다. 또한 엔비디아의 고성능 GPU 출시는 TSMC의 'CoWoS' 패키징 수요를 크게 촉진할 것으로 분석된다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높인 것이 특징이다. 트렌드포스에 따르면 올해 CoWoS 수요는 전년 대비 10% 이상 증가할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "최근 변화에 비춰볼 때 엔비디아는 CoWoS-L 기술을 활용하는 북미 서버 고객사에 B300 및 GB300 제품을 공급하는 데 집중할 가능성이 높다"고 밝혔다. CoWoS-L는 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용하는 기술이다.

2024.10.23 10:01장경윤

삼성 HBM4 희망 불씨...'1c D램' 성과에 달렸다

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 개발 중인 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 반도체 업계 최대 화두로 떠오르고 있다. 1c D램은 삼성전자, SK하이닉스 등이 내년 양산을 본격화할 것으로 예상되는 차세대 메모리다. 삼성전자의 경우 1c D램의 초도 양산라인을 올해 연말 구축할 계획이다. 1c D램이 삼성전자에게 중요한 이유는 반도체 시장 성장을 이끌고 있는 HBM(고대역폭메모리) 때문이다. 삼성전자는 내년 말 출시를 앞둔 6세대 HBM, HBM4의 코어 다이(core die)로 1c D램을 채용하기로 했다. 삼성전자는 이전 세대인 HBM3, HBM3E 등에서 주요 고객사인 엔비디아향 양산이 지연되는 등 차질을 빚어 왔다. HBM3E에 경쟁사가 1b D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 낮은 1a D램을 활용한 것이 성능 부진의 주된 요소로 지목된다. 반대로 HBM4에는 삼성전자가 1c D램을, SK하이닉스·마이크론이 1b D램을 채택했다. 삼성전자가 경쟁사보다 집적도를 높인 D램 채용으로 그동안 탈많은 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이다. ■ "관례 뒤집는 승부수"…삼성 1c D램 성능 안정성 여부 의문 다만 삼성전자의 HBM 로드맵에 업계의 우려 섞인 시선도 적지 않다. 그간 D램 및 HBM이 개발돼 온 기술적인 절차와 관례를 삼성전자가 이번 HBM4부터 뒤집을 가능성이 높기 때문이다. 이유는 이렇다. HBM은 범용 D램을 기반으로 만들어지기 때문에, 범용 D램의 성능을 안정적으로 확보하는 것이 중요하다. 이에 업계는 먼저 컴퓨팅과 모바일 등으로 D램 제품을 개발하고, 이후 이를 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 그러나 현재 삼성전자의 행보를 봤을때 이러한 과정을 생략하거나 축소할 가능성이 크다. 삼성전자는 당초 연내 1c D램의 초도 양산을 시작하겠다는 계획을 세운 바 있다. 설비투자 시점을 고려하면 본격적인 양산은 빨라도 내년 상반기에나 가능하다. 이 경우, HBM4의 목표 양산 시점과의 간격이 1년도 채 되지 않는다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "통상 D램은 컴퓨팅을 코어로 개발하고 모바일, HBM 등으로 파생되는 순서를 거쳐야 안정적"이라며 "반면 삼성전자는 양산 일정을 고려하면 HBM이 사실상 신규 D램의 가장 빠른 주 적용처가 되는 것으로, 이례적인 시도"라고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 지난 8월 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했으나, HBM4에는 적용하지 않는다. 시장 상황을 고려해 성능 향상 보다는 안정성에 무게를 두는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. ■ '희망 불씨' 봤다지만…확실한 성과 보여줘야 이달 삼성전자는 1c D램 개발 과정에서 처음으로 '굿 다이'(Good die)를 확보했다. 굿 다이란 제대로 작동하는 반도체 칩을 뜻하는 단어다. 이에 회사 내부에서는 "희망이 생겼다"는 긍정적인 평가가 나오기도 한 것으로 전해졌다. 다만 삼성전자가 1c D램을 안정적으로 양산하기 위해선 아직 많은 준비와 절차가 필요하다는 지적이 제기된다. 이번 개발 과정에서 삼성전자가 확보한 굿 다이의 수는 웨이퍼 투입량 대비 매우 적은 수준이다. 수율로 환산하면 10%를 밑도는 것으로 산출된다. 또한 반도체 공정은 굿 다이 확보 이후 해당 칩을 패키징까지 완료하는 엔지니어링 샘플(ES), 고객사향 품질 인증을 마치기 위한 커스터머 샘플(CS) 등 상용화를 위한 여러 과정을 거쳐야 한다. 업계 관계자는 "삼성전자가 빠른 시일 내에 1c D램에서 수율과 성능 안정성 등 두 마리 토끼를 모두 잡아야 하는 상황"이라며 "최근 성과가 무의미한 것은 아니나, HBM의 경쟁력을 크게 끌어올리기 위해서는 더 많은 진전을 이뤄야 한다"고 설명했다.

2024.10.21 14:43장경윤

한미반도체, 3Q 창사 최대 '분기 실적' 달성…HBM용 TC본더 공급 영향

한미반도체는 3분기 매출 2천85억원, 영업이익 993억원으로 창사 최대 분기 실적을 달성했다고 17일 밝혔다. 올해 누적 매출은 4천93억원, 누적 영업이익은 1천834억원이다. 한미반도체는 올해 3분기부터 시작된 인공지능 반도체의 핵심인 HBM용 TC 본더의 본격 납품과 2025년 말 완공 목표로 추진 중인 HBM TC 본더 전용 신규 공장 증설로 향후 지속적인 매출 성장이 전망된다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "현재 한미반도체는 HBM용 TC 본더 세계 시장 점유율 1위"라며 "이러한 배경에는 1980년 설립 이후 45년 축적된 업력과 노하우를 바탕으로, 한미 인천 본사에서는 SK하이닉스 전담 A/S을 창설했고 한미차이나와 한미타이완에서는 마이크론테크놀러지 대만 공장 전담 A/S팀을 창설해 고객만족을 위한 끊임없는 노력이 더해졌기에 가능하다"고 밝혔다. 그는 이어 "영국에 '못 하나가 없어서' 라는 속담이 있다. 못 하나가 없어서 말 발굽을 사용하지 못하고 이로 인해 결국 전쟁에서 진다는 이야기"라며 "인공지능 반도체의 핵심인 HBM 생산에서 TC 본더가 아주 중요한 핵심 공정 장비라고 생각한다"고 말했다. 회사의 경쟁력에 대해서는 "한미반도체와 경쟁하고 있는 ASMPT는 중국 선전, 청두 공장에서 장비를 생산하고 있어, 조립 품질과 장비의 성능면에서 메이드인 코리아인 한미반도체에는 확연히 뒤쳐지고 있다"고 설명했다. 미국 빅테크(M7) 기업의 AI 전용칩(HBM) 개발 수요가 지속적으로 증가할 것으로 보고 있기에, AI 반도체 시장의 주요 고객으로 부상할 미국 현지 고객 밀착 서비스를 위해 미국 법인 설립과 미국 현지 고객사에 A/S 제공이 가능한 에이전트를 선별 중에 있다고 밝혔다. 한미반도체는 지난달 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장에 대한 미래 가치 자신감을 바탕으로 400억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결하며 최근 3년동안 총 2천400억 원 규모의 자사주 취득 신탁 계약을 체결했다. 대표이사 곽동신 부회장 역시 2023년부터 현재까지 개인적으로 353억 원 규모의 자사주를 매수했다. 한편 한미반도체는 올해 상반기부터 글로벌 반도체 제조사의 요청으로 6세대 HBM4 생산용 마일드 하이브리드 본더를 개발하고 있다.

2024.10.17 10:01장경윤

TSMC, 앰코와 손잡고 美 파운드리 사업 힘준다

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국 파운드리 시장 공략에 속도를 낸다. 미국 주요 OSAT(외주반도체패키지테스트) 기업 앰코와 협력해 고성능 칩 제조를 위한 첨단 패키징 기술을 강화할 예정이다. 6일 업계에 따르면 TSMC는 앰코와 첨단 패키징 분야 협력을 위한 업무협약(MOU)을 체결했다. 이번 협약에 따라 TSMC는 미국 애리조나주 팹에 앰코가 피오리아에 건설 중인 첨단 패키징 및 테스트 서비스를 적용할 계획이다. 이를 통해 파운드리 사업 전반에 필요한 전공정·후공정 기술을 동시에 강화하겠다는 게 TSMC의 전략이다. 특히 양사 협업은 TSMC의 팬아웃 기술인 'InFO', 'CoWoS(칩-온-웨이퍼)' 등에 초점을 맞춘다. 팬아웃은 데이터를 주고받는 입출력단자(I/O)를 칩 외부로 빼는 기술이다. 기존 방식 대비 더 많은 I/O를 배치할 수 있고, 반도체와 기판 사이의 배선 길이가 줄어들어 칩의 성능 및 효율을 높일 수 있다. CoWoS는 TSMC의 2.5D 패키징 기술 브랜드명이다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술로, 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 현재 IT 업계에서 각광받는 AI 가속기도 시스템반도체와 HBM(고대역폭메모리)를 2.5D 패키징으로 엮어 만든다. 앰코는 "이번 협약은 전공정 및 후공정에서 고객사의 요구 사항을 지원하고 미국 내 포괄적인 반도체 제조 생태계를 조성하기 위한 것"이라고 밝혔다. TSMC는 "고객사들은 AI, 모바일, 고성능 컴퓨팅 분야에서 점점 더 많이 첨단 패키징 기술에 의존하고 있다"며 "앰코와의 협력으로 TSMC 파운드리 팹의 가치를 극대화하고, 미국 내 고객사에게 더 넓은 서비스를 제공할 수 있기를 기대한다"고 강조했다. 한편 TSMC는 미국 애리조나주 피닉스에 약 400억 달러를 들여 첨단 파운드리 공장 2곳을 건설하고 있다. 또한 2나노미터(nm) 이하의 최선단 파운드리 공장도 추가로 지을 계획이다. 이에 미국 정부는 TSMC에 66억달러 규모의 보조금을 지원하고, 50억달러 규모의 저리 대출을 제공하기로 하는 등 막대한 지원책을 펼치고 있다.

2024.10.06 09:28장경윤

韓 AI칩 팹리스, 최첨단 패키징 '칩렛' 도입 본격화

기존 글로벌 빅테크의 전유물처럼 여겨지던 첨단 패키징 기술인 '칩렛' 분야에 국내 팹리스들도 본격적으로 발을 디딘다. AI 반도체 스타트업 리벨리온을 시작으로, 넥스트칩과 퓨리오사AI 등이 차세대 칩 성능 강화를 위해 칩렛 도입을 추진 중인 것으로 알려졌다. 30일 업계에 따르면 국내 팹리스 기업들은 차세대 반도체 제작에 칩렛 기술을 적용하는 방안을 적극 검토하고 있다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 최첨단 패키징 기술이다. 한 번에 칩 전체를 만드는 기존 모놀리식 방식 대비 수율 향상에 유리하며, 복잡한 구성의 칩을 보다 효율적으로 제조할 수 있게 만든다. 기존 칩렛의 수요처는 엔비디아·AMD·인텔 등 해외 거대 팹리스가 주류를 차지해 왔다. 칩렛의 기술적 난이도가 매우 높고, 최선단 공정 기반의 칩에만 적용되고 있기 때문이다. 다만 국내 팹리스 기업들도 최근 들어 칩렛 적용 계획을 구체화하고 있다. 차량용 ADAS(첨단운전자보조시스템) AP(애플리케이션 프로세서)인 '아파치' 시리즈를 개발하는 넥스트칩은 차세대 제품에 칩렛을 적용하는 방안을 적극 검토 중이다. 김경수 넥스트칩 대표는 최근 기자와 만나 "다음 세대인 '아파치7'는 아파치6 대비 10배 정도 강화된 컴퓨팅 성능을 구현하는 것으로 방향을 잡았다"며 "이를 위해서는 칩 사이즈가 커지는데, NPU(신경망처리장치)·GPU(그래픽처리장치) 등을 각각 따로 만들어 집적하는 칩렛 기술이 필요하다"고 설명했다. 국내 데이터센터용 AI 반도체 스타트업 리벨리온은 이르면 올해 칩렛 기술을 적용한 차세대 칩을 선보일 계획이다. 리벨리온은 올 연말 차세대 NPU인 '리벨'을 출시하고, 이를 기반으로 리벨 칩 4개를 칩렛 구조로 묶은 '리벨-쿼드'를 상용화하기로 했다. 리벨은 삼성 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 기반으로 12단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)를 탑재한다. 리벨-쿼드의 경우 총 4개의 HBM3E가 연결돼 메모리 용량이 144GB, 대역폭이 4.8TB/s까지 확장된다. 또 다른 스타트업 퓨리오사AI도 올해 출시하는 2세대 NPU '레니게이드'의 다음 제품에 칩렛을 적용하겠다고 밝힌 바 있다. 3나노 공정, HBM4 등 최선단 기술을 채용한 것이 또 다른 특징이다. 국내 시스템반도체 업계 관계자는 "기존에는 높은 비용과 한정된 적용처로 국내 팹리스가 칩렛을 고려하지 않았으나, 최근에는 데이터센터와 자율주행을 중심으로 일부 기업들이 도입을 준비하는 분위기"라며 "칩렛을 위한 각종 표준 및 IP(설계자산)도 어느 정도 준비가 된 상황"이라고 설명했다.

2024.09.30 13:40장경윤

SK하이닉스, 12단 HBM3E 세계 첫 양산…엔비디아 공략 속도

SK하이닉스가 현존 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM3E는 5세대 제품에 해당된다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. 회사는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 또 한번 괄목할 만한 성과를 거뒀다. SK하이닉스는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어HBM3E까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다. 회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 회사는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 회사는 자사 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 기술이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “당사는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.

2024.09.26 09:57장경윤

정부, 내년 반도체 R&D 예산 12% 증액…업계 "성장동력 기대"

정부가 내년 반도체 연구개발(R&D) 예산을 올해보다 12% 늘리며 시스템반도체와 첨단 패키징 등을 집중 지원할 방침이다. 이는 다른 분야와 비교해 높은 예산 증가율로, 반도체 업계는 이번 R&D 예산 증액이 반도체 경쟁력 강화에 성장동력이 될 것이라고 평가했다. 정부는 지난달 28일 2025년 R&D 예산을 올해보다 3조2천억원(11.8%) 늘어난 29조7천억원으로 역대 최대 규모로 책정했다. 올해 R&D 예산(26조5천억원)은 작년(29조3천억원) 보다 큰 폭으로 줄어든 바 있다. 이번 예산 증액은 정부가 반도체를 비롯해 디스플레이, 이차전지, AI, 첨단바이오, 양자 분야 등 초격차 기술을 적극적으로 육성하려는 의지가 반영된 것이다. 지디넷코리아 취재에 따르면 2025년 R&D 예산에서 반도체 부문은 2천억원 중반으로 전년 보다 약 12% 증가했다. 특히 정부는 시스템반도체와 팹리스 기업을 적극 육성한다는 목표로 시스템반도체 기술 개발에 집중 지원하기로 했으며, 반도체 인재 양성에도 지원을 확대하기로 결정했다. 작년과 비교해 R&D 예산 규모가 늘어난 사업은 ▲시스템반도체 수요연계 온라인플랫폼 지원 ▲시스템반도체 IP(설계자산) 뱅크 플랫폼 구축 ▲팹리스 기업 첨단 장비 공동 이용 지원 ▲첨단 반도체 양산연계형 미니팹 기반구축 ▲고신뢰 반도체 상용화 위한 팹리스 검사검증지원 등이 대표적이다. 그 중 시스템반도체 수요 연계 온라인플랫폼 지원 사업인 '콤파스(COMPAS)'는 시스템반도체 분야 수요가 있는 기업과 기술을 가진 반도체 공급 기업을 매칭하고, 상용화를 위한 시제품 개발에 필요한 사업비를 지원해주는 사업이다. 내년 콤파스 R&D 예산이 늘어남에 따라 수요와 공급(팹리스, IP, 디자인하우스, 패키징, 파운드리)의 시스템반도체 생태계 조성에 기여할 것으로 기대된다. 또한 미래 먹거리로 꼽히는 화합물 전력반도체와 첨단 패키징은 시스템반도체 강국을 위해 반드시 필요한 기술로, 정부가 본격적으로 육성하는 신사업이다. 지난 6월 출범한 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 사업은 올해부터 2028년까지 총 1384억6천만원(국비 938억8천만원, 민간 445억8천만원)이 투입된다. 반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업은 내년부터 2031년까지 2천744억원을 지원할 예정이다. 안기현 반도체산업협회 전무는 "반도체는 대한민국 산업의 기반이 되는 핵심 사업으로, R&D를 통해서 경쟁력을 확보하는 것이 중요하다"며 "글로벌 경쟁이 치열한 반도체 산업에서 이번 예산 증액은 업계에 매우 긍정적인 소식으로, 새로운 성장동력이 될 것으로 기대된다"고 말했다.

2024.09.12 17:48이나리

ACM 리서치, 첨단 패키징용 'Ultra C bev-p' 베벨 에칭 장비 출시

반도체 장비기업 ACM리서치는 팬아웃 패널 레벨 패키징(FOPLP) 애플리케이션을 위한 'Ultra C bev-p' 패널 베벨 에칭 장비를 출시한다고 11일 밝혔다. 이번 신규 장비는 구리 관련 공정의 베벨 에칭 및 세정용으로 특별히 설계된 것으로, 단일 시스템 내에서 패널 베벨 에칭의 앞면과 뒷면을 모두 처리할 수 있어 공정 효율성과 제품 신뢰성을 향상시킨다. 데이비드 왕 ACM 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "FOPLP는 집적도, 비용 효율성 및 설계 유연성 면에서 이점을 제공하기 때문에 향후 크게 각광을 받을 것”이라며 “우리는 새로운 Ultra C bev-p 장비가 수평 패널 애플리케이션에 양면 베벨 에칭을 사용하는 최초의 장비들 중 하나라고 생각한다”고 말했다. Ultra C bev-p 장비는 FOPLP 공정의 핵심 요소이며, 베벨 에칭 및 구리 잔류물 제거를 위해 특별히 설계된 습식 에칭 기술을 활용한다. 이 공정은 전기적 단락을 방지하고, 오염 위험을 최소화하며, 후속 처리 단계의 무결성을 유지해 디바이스의 장기적인 신뢰성을 보장하는 데 있어서 매우 중요하다. 이 장비의 효율성의 핵심은 정사각형 패널 기판의 고유한 문제를 해결하는 ACM의 특허 기술이다. 기존 원형 웨이퍼와 달리, ACM의 혁신적인 설계는 휘어진 패널에서도 베벨 영역에 국한된 정밀한 베벨 제거 공정을 보장한다. 이러한 기술적 진보는 에칭 공정의 무결성을 유지하고 첨단 반도체 기술이 요구하는 높은 성능과 신뢰성을 달성하는 데 필수적이다. 또한 이 시스템은 ±0.2 밀리미터의 베벨 제어 정확도와 0~20 밀리미터의 독보적인 제어 범위를 제공한다. 또한 평균 무고장 시간(MTBF) 500시간, 가동 시간 95%로 설계되어 탁월한 신뢰성과 일관된 성능, 운영 효율성을 보장한다.

2024.09.11 15:35장경윤

정부, 반도체 첨단패키징 키운다...7년간 2744억원 지원

정부가 반도체 강국을 위해 첨단 패키징 기술에 7년간 2천744억원 지원에 나선다. 산업통상자원부는 반도체 첨단패키징 산업 생태계 강화를 위한 반도체 첨단패키징 산업 협력체계 구축을 위해 11일 오후 2시 서울 엘타워에서 업무 협약식을 개최했다. 이번 행사는 반도체 후공정 분야 최초로 예비타당성 조사를 통과한 '반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업'의 성공적인 추진을 위한 자리다. 정부는 반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업은 내년부터 2031년까지 2천744억원을 지원하기로 결정했다. 이날 삼성전자, SK하이닉스, LG화학, 하나마이크론, 한미반도체 등 반도체 후공정(OSAT), 소부장, 팹리스 등 10개 기업이 참여해 업무협약을 체결했다. 이를 통해 OSAT, 소부장 기업들은 첨단패키징 기술개발에 필요한 성능평가, 기술자문, 테스트웨이퍼 등을 칩 제조기업으로 제공 받아 수요기업 연계형 기술개발을 추진할 예정이다. 첨단패키징은 반도체 공정 미세화 한계 및 AI 기술 발전에 따른 고성능·다기능·저전력 반도체 수요증가에 따라 개별 칩들의 단일 패키지화 필요 증대로 핵심 기술로 부상했다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 첨단 패키징 시장은 2022년 443억 달러에서 2028년 786억 달러로 연평균 10% 성장할 전망이다. 산업부는 우리 기업이 취약한 첨단패키징 기술을 선점해 글로벌 반도체 공급망내 기술 경쟁 우위를 확보하기 위해 해외 기술 선도기관과 연계한 연구개발(R&D) 사업을 추진 중이다. 또 예비타당성 통과 사업을 통해 첨단패키징 초격차 선도 기술개발, 소부장, OSAT 기업의 핵심 기술 확보, 차세대 기술 선점을 위한 해외 반도체 전문 연구기관과의 협력 체계 구축 등을 추진 할 계획이다. 이와 함께 첨단패키징 기술개발에 필요한 인력양성 등 후공정 산업 육성을 위한 지원을 지속 추진할 예정이다. 이승렬 산업정책실장은 "글로벌 반도체 첨단패키징 기술 경쟁력 확보를 위해 우리 기업들의 적극적인 기술개발 협력을 요청한다"고 당부하며 "정부도 업계의 노력에 발맞춰 반도체 후공정의 견고한 선순환적 생태계 조성을 위해 필요한 모든 지원을 아끼지 않겠다"고 밝혔다.

2024.09.11 14:50이나리

SK하이닉스, 이달 말부터 'HBM3E 12단' 제품 양산 시작

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 양산을 차질없이 진행한다. 올해 초 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급한 데 이어, 이달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 예정이다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra 담당)은 4일 '세미콘 타이완'에서 'AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다'를 주제로 키노트를 진행했다. 이날 김 사장은 AI 산업 발전에 대응하기 위한 메모리 반도체의 중대한 요소로 전력 문제를 짚었다. 오는 2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다. 또한 데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼, 효과적인 방열 솔루션을 찾아야 한다. 이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다. 김 사장은 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나, AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다"고 설명했다. 이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD와 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이며, 이번달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다. 한편 일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 회사는 TSV 기술 기반 서버용 256GB DIMM을 공급 중이다. 또한 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이다. 미래를 위한 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다. SK하이닉스는 HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이다. 베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이다. 낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다. 제품, 기술 개발을 위한 R&D 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이다. 김 사장은 "SK하이닉스는 부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정으로, 이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것"이라며 "SK하이닉스는 2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.04 17:30장경윤

Prev 1 2 3 4 5 6 7 Next