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'반도체 패키징'통합검색 결과 입니다. (132건)

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한화세미텍, FO-PLP 장비 상용화 순항…美 우주항공 기업 고객사로 확보

한화세미텍이 올 하반기 첨단 패키징용 '팬아웃-패널레벨패키징(FO-PLP)' 장비를 공급할 계획인 것으로 파악됐다. 해당 장비는 싱가포르 소재 패키징 외주업체 팹에 도입돼, 미국 우주·항공업체 스페이스X의 네트워크용 칩을 양산하는 데 쓰인다. 12일 업계에 따르면 한화세미텍은 최근 해외 고객사와 FO-PLP 본더 공급계약을 체결했다. FO-PLP는 데이터 전송통로인 입출력(I/O) 단자를 칩 밖으로 빼내, 반도체 성능과 집적도를 높이는 첨단 패키징 기술이다. 동시에 기존 웨이퍼(직경 300mm) 단에서 패키징을 진행하는 웨이퍼레벨패키징(WLP) 대비 면적이 넓은 사각형 패널을 사용해 생산효율이 높다. 한화세미텍은 복수 협력사와 FO-PLP용 다이 본더를 개발해, 국내외 주요 외주반도체패키징테스트(OSAT) 기업들과 제품 공급을 논의해 왔다. 이에 대한 성과로, 한화세미텍은 올 상반기 싱가포르에 본사를 둔 OSAT 기업으로부터 양산용 FO-PLP 본더를 수주했다. 초도 계약 규모만 수백억원에 이르는 것으로 관측된다. 이르면 올 3분기부터 본격 납품이 예상된다. 앞서 한화세미텍은 올 1분기 실적발표 자료에서 "FO-PLP 장비에 대한 신규 고객사 및 오더를 확보했다"고 밝힌 바 있다. 반도체 장비업계 한 관계자는 "한화세미텍이 이번 싱가포르 OSAT로부터 발주받은 장비 물량이 50대 이상인 것으로 안다"며 "해당 OSAT의 주요 임원진들이 한국인이기 때문에, 한화세미텍이 유리한 입지를 점한 것도 있다"고 설명했다. 한화세미텍의 FO-PLP 본더는 미국 저궤도 인공위성 기업 스페이스X의 네트워크용 칩을 양산하는 데 쓰일 예정이다. 스페이스X는 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO) 주도로 설립된 회사로, 우주 발사체 양산을 확대하고 있다. 또다른 업계 관계자는 "해외 경쟁사는 납기 문제 등이 있어 한화세미텍이 주요 FO-PLP 공급사 지위를 획득한 것으로 안다"며 "저궤도 위성 통신 서비스 성장성이 유망한 만큼, 한화세미텍이 해당 시장에 진출했다는 것 자체만으로도 의미가 있다"고 말했다.

2026.05.12 10:19장경윤 기자

SK하이닉스, 인텔과 2.5D 패키징 협력 추진…AI칩 공급망 변동 예고

SK하이닉스가 인텔과 최첨단 패키징 분야에서 협력 도모에 나서 주목된다. 현재 인텔로부터 2.5D 패키징 기술을 도입해 고대역폭메모리(HBM) 및 시스템반도체를 집적하는 테스트를 진행 중인 것으로 파악됐다. 2.5D 패키징 업계 선두주자인 대만 TSMC가 최근 극심한 공급난을 겪는 가운데, AI 가속기용 2.5D 패키징 공급망이 다변화될 수 있다는 기대가 나온다. 11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 인텔과 2.5D 패키징 기술에 대한 연구개발(R&D)을 진행하고 있다. 2.5D 패키징은 반도체와 기판 사이에 얇은 막 형태의 인터포저를 삽입해, 칩 성능을 향상시키는 기술이다. 대표적인 적용처로는 엔비디아·AMD 등 글로벌 빅테크가 개발하는 AI 가속기가 있다. AI 가속기는 GPU 등 각종 고성능 시스템반도체와 HBM을 2.5D 패키징으로 결합해 만들어진다. 현재 글로벌 빅테크의 2.5D 패키징 공급망은 대만 주요 파운드리인 TSMC가 사실상 독점하고 있다. SK하이닉스 역시 TSMC와 긴밀한 협력관계를 맺고, HBM 및 2.5D 패키징과 관련한 연구개발을 함께 진행해 왔다. 나아가 SK하이닉스는 인텔의 2.5D 패키징 기술인 '임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB)' 도입을 검토하고 있다. 인텔로부터 EMIB 내장 기판을 공급받아 HBM 및 시스템반도체를 결합하는 테스트를 진행 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "아직은 초기 연구개발 단계이긴 하나, SK하이닉스가 인텔 EMIB로 2.5D 패키징을 구현하는 테스트를 적극적으로 진행하고 있다"며 "실제 양산 적용에 필요한 소재·부품 후보도 물색하고 있는 상황"이라고 밝혔다. SK하이닉스와 인텔 간 협력 논의는 양사 간 이해관계가 잘 맞물려 있는 것으로 풀이된다. TSMC의 2.5D 패키징 기술인 '칩-온-웨이퍼-온-서브스트레이트(CoWoS)'는 최근 AI 반도체 호황으로 극심한 공급난을 겪고 있다. 때문에 여러 빅테크 기업들은 인텔 EMIB를 CoWoS의 유망한 대체재로서 주목하고 있다. SK하이닉스 입장에서도 인텔 EMIB에 대한 선제적인 연구개발이 필요하다. SK하이닉스가 2.5D 패키징을 직접 양산하지는 않지만, 2.5D 패키징의 구조 및 특성을 고려해 HBM을 개발하면 수율 및 안정성을 높이는 데 유리하기 때문이다. 실제로 SK하이닉스는 국내에 2.5D 패키징을 연구개발하기 위한 소규모 라인을 가동하고 있다. 또한 양사 협력을 통해 인텔은 자사 최첨단 패키징 사업을 크게 확장할 수 있을 것으로 기대된다. 인텔 EMIB는 넓게 펼쳐진 인터포저 대신 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 인텔이 SK하이닉스와 주요 OSAT를 대상으로 EMIB 기술을 적극 프로모션하고 있다"며 "중장기적으로는 AI 가속기용 2.5D 패키징 공급망에 인텔 EMIB가 추가될 것으로 예상된다"고 설명했다.

2026.05.11 15:02장경윤 기자

레이저쎌 면 레이저 본딩, 글로벌 CPO 제조사 뚫었다…"양산용 첫 수주"

반도체 후공정 장비기업 레이저쎌이 차세대 패키징 기술 '공동패키징형광학(CPO)' 분야에서 성과를 올렸다. 최근 글로벌 톱 CPO 모듈 제조사로부터 레이저 본딩 장비 '양산 1호기' 발주를 받았다. 추가 수주도 논의 중이다. CPO는 차세대 AI 데이터센터를 구현하기 위한 핵심 기술로 평가받는다. 현재 엔비디아·브로드컴·시스코 등 글로벌 빅테크가 앞다퉈 CPO 상용화를 추진 중이다. 레이저쎌도 관련 시장에서 매출 발생을 기대하고 있다. 안건준 레이저쎌 대표는 최근 경기 화성 본사에서 기자와 만나 회사 핵심 사업전략과 전망을 이같이 밝혔다. 지난 2015년 설립한 레이저쎌은 자체 레이저 기술을 토대로 반도체·디스플레이·배터리 등 산업에 필요한 후공정 장비를 개발하고 있다. 지난 2022년 기술특례상장으로 코스닥 시장에 입성했다. 레이저쎌 핵심 기술은 '면광원 레이저'다. 면광원 에어리어 레이저는 레이저의 점(Spot) 광원을 면 형태로 전환해 넓은 면적에도 균일한 레이저 빔을 조사하는 기술이다. 안 대표는 "레이저쎌의 빔 균일도는 90% 이상으로, 80%대인 경쟁사보다 높다"고 자평했다. 그는 "레이저 빔을 수입하는 경쟁사와 달리, 레이저쎌은 면레이저 원천 설계기술과 관련 광학 시스템을 모두 자체 개발했다는 점에서 차별홛점을 가진다"며 "해당 기술들은 모두 특허로 보유 중"이라고 덧붙였ㄷ. LSR 장비로 글로벌 톱 CPO 모듈 제조사서 양산 1호기 수주 레이저쎌은 최첨단 패키징 시장을 공략하고 있다. 특히 레이저 셀렉티브 리플로우(LSR) 장비에서 최근 성과가 있었다. LSR은 원하는 부위에만 레이저를 짧게 조사할 수 있는 면레이저 본딩 장비다. 본딩 부위 외 열적 손상이 없어, 패키지 전체에 열을 가하는 기존 매스리플로우(MR) 본딩 대비 반도체 파손 및 워피지(휨) 현상이 적다. 레이저쎌은 올 1분기 글로벌 톱 CPO 모듈 제조사로부터 LSR 장비를 수주했다. 해당 고객사와 약 2년간 협업과 테스트를 거쳐, 실제 양산용으로 장비를 처음 도입한다는 점에서 의미가 크다. 현재 데이터센터는 외부의 장거리 및 고속 전송 구간에서 매우 빠른 광(빛) 신호를 사용하고, 칩 내부에서 전기 신호로 데이터를 처리한다. 빛과 전기 신호를 바꾸기 위해서는 광 송수신 모듈(트랜시버)을 사용한다. CPO는 광 트랜시버에서 광 송수신 기능을 분리해 초소형 모듈 형태 광 엔진으로 구현하고, 이를 반도체 패키지 인근에 통합하는 기술이다. 칩과 광 모듈간 거리가 좁혀진 만큼 데이터를 더 빠르고 효율적으로 주고받을 수 있다. 엔비디아와 브로드컴, 마벨, 시스코 등 주요 빅테크가 앞다퉈 CPO 개발에 뛰어든 이유다. 또한 CPO는 기술 난도가 높아, 올해 들어서야 본격 상용화 움직임을 보이고 있다. 레이저쎌 입장에서는 CPO용 본딩 시장을 초기에 선점할 기회를 잡은 셈이다. 이번 레이저쎌의 고객사는 복수의 엔드 유저(End-User)로부터 의뢰를 받아 CPO 모듈을 제조하는 일종의 파운드리 기업이다. CPO 시장 확대 시 본딩 장비에 본격 투자할 것으로 관측된다. 추가 수주도 논의…"CPO서 면레이저 본딩 외 대안 없을 것" 레이저쎌은 해당 고객사와 추가 수주를 논의 중이다. LSR 장비 후속 발주, 면레이저 본딩에 압착 기능을 더한 레이저 압착 본더(LCB) 신규 발주 등 검토가 이뤄지고 있다. 안 대표는 "최근 레이저쎌의 면레이저 본딩 장비가 고객사의 CPO 모듈향으로 '양산 1호기' 발주가 나왔다"며 "올 하반기와 내년에 본격적인 발주 확대를 기대 중이고, CPO를 개발 중인 복수 기업들이 장비 구매 의향을 내비치고 있다"고 강조했다. 면레이저 본딩이 CPO 시장에서 주목받는 이유는 기술 특성에 있다. 광 엔진 내부는 다양한 유리 소재로 구성된다. 유리는 압력과 고온에 민감할 뿐만 아니라, 실리콘 기반 칩과 물성이 다르다. 때문에 고온·고압을 활용하는 열압착(TC) 본딩, MR 본딩 등 기존 방식으로는 접합이 까다롭다. 반면 레이저쎌의 면레이저 기술은 필요한 부위에 선택적으로, 각 특성에 맞춰 레이저를 조사하므로 광 엔진 접합에 유리하다. 안 대표는 "실리콘과 유리가 동시에 집적되는 CPO 모듈을 구현하려면 LSR 본딩 외에는 대안이 없다고 본다"며 "주요 고객사들이 CPO 개발 단계에서부터 레이저쎌과 긴밀히 협력해 온 이유도 여기에 있다"고 강조했다. 생산능력 향후 '5배'까지 확장…최첨단 패키징 시장 다방면 공략 비단 CPO 뿐만이 아니다. 레이저쎌은 면레이저 본딩 기술을 기반으로 고성능 반도체 패키지 기판인 플립칩-볼그레이드어레이(FC-BGA), 첨단 패키징 일종인 시스템인패키지(SiP), 패널레벨패키징(FOPLP) 등 여러 시장을 동시 공략하고 있다. 레이저쎌은 본사 장비 생산능력을 연 600억원 수준에서 1200억원 수준으로 확장하기 위한 공사를 진행 중이다. 안 대표는 "회사 성장성과 고객사 수요를 고려해 생산능력을 기존 대비 2배 늘리는 공사를 진행 중이고, 향후에는 부지 확장으로 생산능력을 3000억원까지 끌어올릴 계획"이라며 "CPO를 포함한 여러 최첨단 반도체 패키징 사업에서 성과를 낼 것"이라고 말했다.

2026.05.07 09:00장경윤 기자

한미반도체, '세미콘 동남아시아' 참가...2.5D 패키징용 TC 본더 소개

한미반도체가 오는 5일부터 7일까지 말레이시아 쿠알라룸푸르 국제 무역 전시 센터 (MITEC)에서 열리는 '2026 세미콘 동남아시아' 전시회에 참가한다고 4일 밝혔다. 한미반도체는 이번 전시회에서 올해 출시 예정인 신규 장비 '2.5D TC 본더 40'과 '2.5D TC 본더 120'를 소개하며 AI 반도체 패키징 시장 공략을 강화할 계획이다. 2.5D TC 본더 시리즈는 실리콘 인터포저(Interposer) 위에 GPU, CPU, HBM 등 여러 칩을 하나의 패키지로 통합하는 AI 첨단 패키징 장비다. 이번 신제품은 한미반도체가 HBM 생산용 TC 본더 이외에 고부가가치 AI 반도체 2.5D 패키징 시장으로 영역을 확대한다는 점에서 의미가 있다. 한미반도체 '2.5D TC 본더 40'은 40mm x 40mm 크기의 칩과 웨이퍼 본딩이 가능하고, '2.5D TC본더 120'은 웨이퍼와 기판(Substrates)과 같은 보다 넓은 크기의 대형 인터포저 패키징까지 지원한다. 대표적인 2.5D 패키징 기술로는 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)가 꼽힌다. CoWoS는 AI 반도체 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야의 핵심 기술로, 엔비디아, AMD 등 글로벌 AI 반도체 기업들이 적극 채택하고 있으며 향후 CoPoS (Chip on Panel on Substrate), 3D SoIC (Sytem on Integrated Chips)로 진화하고 있다. 글로벌 시장조사업체 욜그룹에 따르면 2.5D·3D이 포함된 어드밴스드 패키징 시장은 2024년 460억 달러(약 67조6476억원)에서 2030년 794억 달러(약 110조1479억원)로 연평균 9.5% 성장할 것으로 전망된다. 한미반도체는 전시회에서 7세대 '마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 6.0 그리핀' 등 주력 장비도 함께 선보인다. 7세대 MSVP는 207개 이상의 특허와 무인 자동화 기술을 집약해 생산성이 대폭 향상된 점이 특징이다. 한미반도체는 1998년 MSVP 1세대를 출시한 이후 2004년부터 23년 연속 세계 1위를 기록하고 있다. MSVP는 반도체 패키지를 절단·세척·건조·검사·선별·적재까지 수행하는 반도체 생산 필수 장비로, D램·낸드플래시·HBM·시스템반도체 등 여러 공정에서 사용되고 있다. 최근 AI 반도체 성장으로 반도체 기업들의 시설투자가 확대되면서 MSVP 수요도 동반 확대되고 있다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 '2026 세미콘 동남아시아' 전시회는, 동남아시아 최대 반도체 산업 전시회다. 올해는 마이크론, 샌디스크, 어플라이드머티리얼즈, 램리서치, 글로벌파운드리, 도쿄일렉트론, KLA 등 글로벌 반도체 기업들이 대거 참가한다. 한미반도체는 오는 6월 대만 '컴퓨텍스', 9월 '세미콘 타이완' 전시회에도 참가하며 글로벌 마케팅을 지속 확대해 나갈 계획이다.

2026.05.04 09:52장경윤 기자

세미나허브, CPO 기술·상용화 전략 세미나 개최

세미나허브는 오는 6월 26일 서울 여의도 FKI타워 컨퍼런스센터에서 'AI 시대 광통신 기반 공동패키징형광학(CPO; Co-Packaged Optics) 기술과 상용화 전략 세미나'를 개최한다고 30일 밝혔다. CPO는 반도체 칩과 광 인터페이스를 하나의 패키지로 통합하는 구조다. 데이터 전송 경로를 줄여 전력 효율을 높이고 대역폭 확장이 가능한 방식으로, 차세대 인터커넥트 기술로 언급된다. 글로벌 반도체·네트워크 기업들도 관련 기술 개발과 적용 검토를 이어가고 있다. 이와 함께 실리콘 포토닉스와 첨단 패키징 기술도 주요 기술로 언급된다. 데이터센터 환경에서 광통신 기반 인터커넥트 적용을 둘러싼 논의가 이어지는 흐름이다. 이번 세미나는 CPO 구현에 필요한 광모듈, 실리콘 포토닉스, 첨단 패키징 기술을 중심으로 관련 흐름을 짚는 자리다. 프로그램은 ▲CPO Echo system과 부품 포지셔닝 전략 ▲AI 데이터센터 시대, CPO 도입 가속화와 글로벌 빅테크 전략 ▲CPO 와 하이브리드 본딩 : EIC와 PIC 광칩렛 이종 집적 첨단패키징 ▲차세대 광통신 인터커넥트와 CPO 전환 전략 ▲ELSFP 중심으로 살펴본 데이터센터 용 광모듈 및 레이저 광원 기술 ▲CPO 상용화를 위한 접합 기술 ▲최근 CPO 기술 현황 및 실리콘 포토닉스 기술 소개 ▲AI 반도체 시대를 선도하는 광패키징 혁신과 CPO 핵심 기술 전략 ▲기업별 CPO 개발 전략과 공급망 분석 등으로 구성된다. 세미나허브 관계자는 “AI 데이터센터 환경 변화에 따라 광통신 기반 기술에 대한 논의가 이어지고 있다”며 “관련 기술 흐름을 공유하는 자리가 될 것”이라고 말했다.

2026.04.30 14:08장경윤 기자

ISC, 1분기 영업익 236억원…전년比 237% 증가

반도체 테스트 플랫폼 기업 아이에스시(ISC)는 2026년 1분기 매출 683억원, 영업이익 236억원(영업이익률 35%)의 경영실적을 기록했다고 27일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출은 115%, 영업이익은 237% 증가하며 AI 수요 확대에 따른 실적 성장과 수익성 개선이 동시에 나타났다. 1분기는 계절적 비수기임에도 불구하고 AI GPU, ASIC, 하이엔드 메모리 수요 증가에 힘입어 역대 분기 최대 영업이익을 달성했다. 회사는 이를 단기 회복이 아닌 구조적 성장 국면에 본격 진입한 신호로 판단하고 있다. 사업 부문별로는 AI 반도체 테스트 소켓(GPU·ASIC) 매출이 전년 대비 191% 성장했으며, 시스템레벨테스트(SLT) 비중이 60%를 상회하면서 고부가 중심의 수익 구조 전환이 가속화되고 있다. 메모리 부문 역시 HBM 중심으로 소켓과 장비·소재 간 시너지가 확대되며 159% 성장했다. 어플리케이션별로는 AI 데이터센터향 매출이 221% 증가했으며, 글로벌 ASIC 신규 고객을 확보하며 고객 및 제품 포트폴리오 다변화도 지속되고 있다. 회사는 AI 확산에 따라 반도체 테스트가 단순 기능 검증을 넘어 시스템 기반·고신뢰성 테스트 중심으로 전환되고 있으며, 이에 따라 시스템레벨테스트 수요가 구조적으로 확대될 것으로 전망했다. 이에 아이에스시는 대면적·고주파 환경에 최적화된 테스트 솔루션 경쟁력을 기반으로 HBM 후속 기술 및 CPO(Co-Packaged Optics) 등 차세대 영역으로 사업을 확장할 계획이다. 한편, 아이에스시는 증가하는 수요에 대응하기 위해 CAPEX 투자를 확대한다. 베트남 1공장 증설을 조기 완료해 10월부터 본격 가동하고 베트남 2공장 신설을 연내 완료해 생산능력을 극대화한다는 계획이다. 아울러 국내 생산 통합 및 제조 AX 적용을 통해 생산성과 운영 효율을 동시에 강화할 방침이다. 김정렬 아이에스시 대표는 “AI 중심 시장 재편 속에서 당사의 기술력과 전략이 실적으로 입증되고 있다”며 “테스트 소켓을 넘어 AI 인프라 핵심 테스트 플랫폼 기업으로 도약해 지속적인 성장과 주주가치 제고를 실현하겠다”고 밝혔다.

2026.04.27 11:15장경윤 기자

한미반도체 곽동신 회장, 자사주 30억 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 30억원 규모 자사주를 취득했다고 27일 공시했다. 이번 매입은 지난달 30일 공시한 자사주 취득 계획 이행이다. 취득 단가는 31만5407원으로 총 30억원 규모다. 곽동신 회장은 지난 2023년부터 총 565억원 규모 자사주를 취득했다. 곽 회장의 한미반도체 지분율은 33.57%로 높아졌다. 한미반도체는 "곽 회장의 잇따른 자사주 취득은 글로벌 고대역폭메모리(HBM) 장비 시장에서 열압착(TC) 본더 기술력과 성장에 대한 확신과 자신감을 시장에 전달하기 위한 것"이라고 설명했다. 한미반도체는 글로벌 HBM 생산용 TC 본더 시장 점유율 1위다. 한미반도체는 "HBM4 양산이 본격화된 올해 글로벌 제조사에 TC 본더 4 공급을 선도하며 시장 주도권을 이어가고 있다"고 자평했다. 올해 말에는 와이드 TC 본더를 출시해 차세대 HBM 생산을 지원할 계획이다. 와이드 TC 본더는 기존 HBM 대비 다이 면적을 확장한 차세대 HBM 생산에 특화한 장비다. 메모리 용량과 대역폭 요구가 높아지는 차세대 인공지능(AI) 인프라 수요에 대응하는 제품이다. 또한 2029년 본격 양산 적용이 전망되는 하이브리드 본딩 시장을 겨냥해 '2세대 하이브리드 본더' 프로토타입을 연내 출시할 계획이다. 내년 상반기에는 '하이브리드 본더 팩토리' 가동을 본격 시작하고, 차세대 반도체 패키징 시장 주도권을 확보할 예정이다. 한미반도체 관계자는 "자사주 취득은 책임경영을 실천하겠다는 곽동신 회장의 의지 표명"이라며 "글로벌 반도체 장비 산업 '퍼스트 무버'로서 지속 가능한 성장을 지속하겠다"고 밝혔다.

2026.04.27 10:42장경윤 기자

SK하이닉스, HBM 생산기지 P&T7 착공..."AI 메모리 리더십 완결"

SK하이닉스는 이병기 양산총괄을 비롯한 임직원 125명 및 구성원 가족 40명과 공사를 맡은 SK에코플랜트 임직원 20명이 참석한 가운데 'P&T7 착공식'을 개최했다고 22일 밝혔다. 이날 착공식은 공장 건설 경과보고를 시작으로, 안전을 다짐하는 퍼포먼스와 기공을 알리는 터치버튼 세리니가 뒤이어 진행됐다. 참가자들은 예기치 않은 안전사고 없이 공사가 순조롭게 진행되기를 기원하며 열렬한 박수와 환호를 보냈다. P&T7은 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제조에 필수적인 어드밴스드 패키징 전용 팹(FAB)이다. 수조 원을 들여 청주 테크노폴리스 산업단지 내 약 23만㎡(7만 평) 규모로 조성될 예정이며, 웨이퍼레벨패키지(WLP) 공정 라인 3개 층 약 6만㎡(약 1만8000 평)와 웨이퍼테스트(WT) 공정 라인 7개 층 약 9만㎡(약 2만8000 평)을 합치면, 클린룸 면적만 약 15만㎡(4만6000 평)에 달한다. 착공 후 2027년 10월에는 WT 라인을 준공하고, 2028년 2월에는 WLP 라인까지 순차적으로 준공하는 것을 목표로 공사가 진행된다. 최근 WLP와 같이 미세화 한계를 뛰어넘을 핵심 기술들이 속속 개발되면서, 후공정은 개발된 제품의 신뢰성을 확보하고 패키징을 완료하는 기존 역할에서 한발 더 나아가, AI 반도체의 성능을 결정짓는 핵심 변수로 부상했다. 이에 첨단 공정 기술이 집약될 P&T7은 완공 이후 급증하는 글로벌 AI 메모리 수요에 선제적으로 대응하고 현재의 기술 초격차를 유지하기 위한 전략적 요충지가 될 전망이다. SK하이닉스 이병기 양산총괄은 인사말을 통해 “P&T7은 SK하이닉스의 AI 메모리 리더십을 완결 짓는 핵심 생산기지”라며 “이곳에서 생산될 첨단 제품들이 글로벌 AI 인프라의 표준이 될 수 있도록 제조 역량을 집중하는 한편, 지역 사회와 긴밀히 소통하며 국가 산업 경쟁력 강화와 지역 상생이라는 두 마리 토끼를 모두 잡는 성공적인 사업 모델을 완성하겠다”고 말했다. SK하이닉스는 P&T7 부지 선정 단계부터 지역 균형 성장의 중요성과 산업 생태계 전반에 미칠 영향을 깊이 고민해 청주를 최종 선택했다. 중장기적으로 국가 산업 기반을 강화하고 수도권에 쏠린 무게추를 지방으로 옮겨, 수도권과 지방이 함께 성장하는 선순환을 이뤄내겠다는 전략적인 판단이었다. P&T7는 M11, M12, M15, 그리고 M15X에 이어 SK하이닉스가 청주에 건설하는 다섯 번째 생산시설이기도 하다. 완공 후 본격적으로 인접 생산 거점과 시너지를 내기 시작하면, 청주는 명실상부한 SK하이닉스의 새로운 AI 메모리 핵심 거점으로 자리매김하게 된다. 지역 사회에 미칠 긍정적인 파급 효과도 클 것으로 전망된다. 우선 공사 기간 동안 현장에 일평균 320명, 최대 9000명에 달하는 인력이 투입돼, 지역 경제에 활기를 불어넣을 것으로 기대된다. 완공 이후에도 P&T7 운영을 위해 약 3000명의 사내 인력이 근무할 예정이라, 지역 경제에 미칠 긍정적인 영향력은 지속될 전망이다. 이와 함께 대규모 산업단지가 활성화되면 교통망을 비롯한 인근 인프라가 확충돼, 지역 주민들의 정주 여건도 크게 개선될 것으로 예상된다. 또한 청주 지역 내 협력사가 늘어나는 만큼, SK하이닉스는 기존 운영 중인 동반성장 프로그램(기술 개발, 경영컨설팅, 금융 지원 등)도 더욱 확대할 방침이다. 이를 통해 지역 산업 생태계 전반의 경쟁력을 높이고, 강화된 협력사의 기술력이 SK하이닉스의 제품 경쟁력에 즉각적으로 반영되는 선순환 구조를 공고히 한다는 구상이다. SK하이닉스는 “P&T7은 생산시설을 증설하는 의미를 넘어, 지역과 기업이 함께 쌓아온 신뢰의 결실로써 지역 균형 성장을 이끌어 나갈 핵심 축이 될 것”이라며 “앞으로도 지역 사회와의 상생 협력에 진심을 다해 국가 균형 발전을 위해 성공적인 이정표를 세우겠다”고 말했다. 한편 SK하이닉스는 AI 수요 대응을 위한 후공정 팹의 추가 확충을 고려 시, 지역 균형 발전에 기여할 수 있는 국내 거점 다변화 방안을 지속적으로 검토해 나간다는 계획이다.

2026.04.22 14:33장경윤 기자

中 D램 업체, HBM3 개발 난항…韓 추격 아직 '시기 상조'

중국 창신메모리(CXMT)가 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 상용화 시기를 늦출 가능성이 높아지고 있다. 당초 올 상반기 상용화에 나서는 것이 목표였지만, 아직까지 관련 소재·부품 협력사에 양산 수준의 발주를 진행하지 못한 것으로 파악된다. 20일 업계에 따르면 CXMT는 당초 올해 상반기를 목표로 했던 HBM3 양산 일정에 차질을 빚고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 전세계 기준 D램 시장 점유율은 권외 수준이지만, DDR5·LPDDR5X 등 최신 규격의 D램 상용화에 성공했을 정도로 기술을 빠르게 고도화했다는 평가를 받고 있다. CXMT는 AI 데이터센터용 고성능 D램인 HBM 시장에도 문을 두드리고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리 반도체다. 전공정·후공정 모두 매우 높은 수준의 기술을 요구한다. CXMT가 중점적으로 개발 중인 제품은 HBM3다. HBM 중 4세대에 해당하는 제품으로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 속한다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 기업들은 올해 HBM4의 본격적인 양산에 돌입하고 있다. 다만 CXMT의 HBM3는 아직 테스트 단계에 머물러 있다는 게 업계의 평가다. 당초 이르면 올해 상반기에 양산에 나서는 것이 목표였으나, 사실상 일정이 지속 연기되고 있다. 현재 HBM3에 필요한 소재·부품 발주량이 샘플 제조 수준에 머무르고 있는 것으로 파악된다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT의 기술적 진보는 빠른 수준이나, HBM3 양산 일정은 계속 미뤄지고 있다"며 "개발 진척 상황을 보면 연내 양산은 어려울 것으로 관측된다"고 설명했다. 한편 CXMT는 HBM3의 코어 다이로 G4(16나노미터급) D램을 채용했다. 지난해 양산이 본격화된 D램으로, CXMT 기준으로는 최신 공정에 해당한다. D램을 층층이 이어붙이는 후공정 기술로는 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 채택했다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 기술이다. 이후 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 도포한다. 현재 SK하이닉스가 MR-MUF 공정을 활용하고 있다.

2026.04.21 10:55장경윤 기자

TEL, 첨단 패키징용 개별 칩 검사장비 '프렉사 SDP' 출시

도쿄일렉트론(TEL)코리아는 개별 칩(웨이퍼에서 다이 단위로 분리된 칩) 테스트 수요에 대응하는 반도체 검사장비인 신형 프로버 '프렉사(Prexa) SDP'를 출시했다고 17일 밝혔다. 최근 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 성능에 대한 수요가 급증하면서 여러 개의 칩을 하나로 통합하는 2.5D·3D 패키징 기술에 대한 관심이 커졌다. 이들 제품 최종 수율을 높이려면 패키징 조립 전 단계에서 결함이 없는 완벽한 우량 칩(이하 KGD)을 선별하는 과정이 필수다. 첨단 KGD 선별 테스트 주요 과제는 테스트 중 극심한 열을 효과적으로 흡수하고 발열을 정밀 제어하는 것이다. 이에 따라 기존 웨이퍼 단위 검사를 넘어, 개별 칩 단위의 고정밀 테스트 장비에 대한 중요성이 커지고 있다. 이번에 출시한 프렉사 SDP는 이미 검증된 도쿄일렉트론의 프렉사 웨이퍼 프로버 플랫폼을 기반으로 하며, 고발열 반도체를 위한 독자 발열 제어 기술을 탑재해 개별 칩 테스트에 최적화했다. 신규 시스템은 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 비롯해, 기존 웨이퍼 프로버가 갖춘 고정밀 콘택트, 웨이퍼 핸들링 및 프로브 마크 검사 기술을 계승했다. 여기에 고발열 칩 처리를 위한 뛰어난 열 흡수 능력과 고정밀 능동형 발열 제어(Active Thermal Control) 기술을 갖춘 서멀 헤드를 장착해, 안정적인 칩 핸들링과 정확한 우량 칩(KGD) 선별을 보장한다. 사토 요헤이 도쿄일렉트론 ATS 사업부총괄(GM)은 "첨단 패키징이 적용된 반도체 제품 최종 수율 향상을 위한 테스트 공정 중요성 커졌다"며 "새로운 프렉사 SDP는 축적된 프로버 기술과 독자 발열 제어 기술을 결합해 첨단 패키징 공정에 필수인 테스트 품질과 시스템 신뢰성을 제공한다"고 말했다.

2026.04.17 15:16장경윤 기자

SK하이닉스, 올해 HBM4 물량 하향 조정...HBM3E 등 확대

SK하이닉스가 올해 엔비디아향 6세대 고대역폭메모리(HBM) 출하량을 당초 계획 대비 20~30% 가량 줄이는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 엔비디아가 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 양산 확대에 어려움을 겪으면서 발생한 영향으로 풀이된다. 다만 줄어드는 SK하이닉스의 HBM4 물량은 이전 세대인 HBM3E와 서버용 D램 등으로 수요가 대체될 전망이다. 각 제품별로 마진율이 상이한 만큼, 올해 사업 실적에 미칠 영향은 더 지켜봐야 한다는게 업계의 전언이다. 14일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 올해 할당했던 엔비디아향 HBM4 출하량 중 일부를 HBM3E 및 서버용 D램 물량으로 변경할 계획이다. HBM4는 올해 본격적으로 상용화되는 최신 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올 하반기 출시를 목표로 하고 있는 AI 반도체 '베라 루빈'에 첫 탑재된다. 이에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 모두 엔비디아향 HBM4 공급에 총력을 기울이고 있다. 다만 업계는 올해 루빈 시리즈의 출하량이 당초 계획보다 줄어들 것으로 보고 있다. 루빈 플랫폼을 구성하는 여러 구성 요소의 최적화가 아직 완벽히 이뤄지지 않았다는 분석에서다. 대표적으로, 엔비디아는 HBM4의 데이터 처리 성능을 업계 표준에서 크게 높인 11Gbps대로 요구한 바 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 최근 발간한 보고서에서 "HBM4 검증에 필요한 시간 외에도 네트워크 인터커넥트 전환과 전력 소비량 증가, 더 고도화된 액체 냉각 솔루션 최적화 등 여러 과제가 남아있다"며 "결과적으로 엔비디아의 고성능 GPU 출하량에서 루빈 시리즈가 차지하는 비중은 기존 29%에서 22%로 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 반면 엔비디아가 현재 가장 주력으로 양산 중인 '블랙웰(Blackwell)' 시리즈의 출하량 비중은 기존 61%에서 71%로 크게 늘어날 전망이다. 블랙웰은 HBM3E를 탑재한다. 이에 국내 메모리 업계도 HBM 사업 전략을 수정 중인 것으로 파악됐다. 특히 SK하이닉스의 사업 변동성이 가장 큰 폭으로 나타나고 있다. SK하이닉스가 HBM 시장의 지배적 사업자로서 엔비디아향 HBM4 및 HBM3E에서 가장 많은 출하량 비중을 차지하고 있기 때문이다. 사안에 정통한 관계자는 "올해 출하되는 루빈 시리즈 자체의 양이 줄어들면서 SK하이닉스의 HBM4 출하량 계획도 수정이 불가피한 상황"이라며 "대신 해당 물량이 HBM3E나 다른 서버용 LPDDR(저전력 D램) 쪽으로 이관되기 때문에, 메모리 수요 총량이 줄어드는 것은 아니다"고 설명했다. 당초 SK하이닉스는 올해 엔비디아향으로 60억Gb(기가비트) 수준의 HBM4 출하를 계획했었다. 현재 논의되고 있는 물량은 이보다 20~30% 적은 수준이다. 감소되는 물량의 일부가 블랙웰 시리즈용으로 전환됨에 따라, HBM3E 물량도 당초 전망치인 80억Gb를 상회할 것으로 관측된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 내부적으로 HBM4의 물량 일부를 HBM3E 및 서버용 LPDDR로 전환하는 방안을 논의 중"이라며 "실제로 HBM4 양산을 위한 소재·부품 발주량도 당초 예상보다 더디게 증가하고 있다"고 말했다.

2026.04.14 14:23장경윤 기자

한미반도체, 김민현 사장 부회장으로 승진

한미반도체는 14일 김민현 사장을 부회장으로 승진 인사를 단행했다고 밝혔다. 김민현 부회장은 1996년 한미반도체에 입사해 2011년 부사장, 2014년 사장을 거쳐 이번에 부회장으로 승진하며 30년간 회사의 핵심 사업을 총괄해 왔다. 한미반도체 이전에는 1986년 삼성전자 해외영업부를 시작으로 반도체 산업에 첫발을 내딛었으며, 1992년 로얄소브린 코리아 지사장을 역임했다. 한미반도체는 AI 반도체 시장의 핵심인 HBM(고대역폭메모리)용 TC 본더 시장에서 글로벌 1위를 기록하고 있으며, 2002년부터 지적재산권 강화에 주력해 현재 출원예정을 포함한 HBM 장비 관련 특허 163건을 확보했다. 또한 반도체 후공정 핵심 장비인 '마이크로 쏘 & 비전 플레이스먼트(MSVP)' 시장에서도 2004년부터 23연속 글로벌 1위를 차지하고 있다. 한미반도체는 "이번 인사를 계기로 경영 리더십을 더욱 강화하고, 차세대 반도체 패키징 장비 분야에서 글로벌 선도 기업으로서의 위상을 더욱 공고히 해나갈 계획"이라고 밝혔다.

2026.04.14 08:47장경윤 기자

삼성전자, ASMPT와 HBM TC본더 평가...공급망 다변화 지속

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 열압착(TC) 본딩 장비 공급망 다변화를 지속 추진하고 있다. 최근 해외 반도체 장비기업 ASMPT와 HBM용 TC 본더에 대한 데모 테스트를 마무리하고, 다음 협력 단계를 추진하기로 한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT와 HBM용 TC본더에 대해 JEP(Joint evaluation Project 공동평가프로젝트)를 진행할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리다. 삼성전자의 경우 각 D램 사이에 비전도성 접착 필름(NCF)를 넣고, 열압착을 가해 붙이는 공정을 채택하고 있다. 이 접합 과정에서 쓰이는 장비가 TC본더다. 삼성전자의 HBM용 TC본더는 자회사인 세메스가 주력으로 공급해 왔다. 그러나 지난해부터는 국내외 후공정 장비업체들을 추가로 공급망에 편입하는 조치를 추진해 왔다. 이 중 ASMPT는 삼성전자와 올 1분기까지 HBM용 TC본더에 대한 초기 테스트를 진행해 왔다. 해당 테스트는 연구소 단계에서 데모 장비를 시연해보는 수준이다. 나아가 양사는 최근 TC본더에 대한 JEP를 추진하기로 합의한 것으로 파악된다. JEP는 이미 개발된 장비를 고객사의 양산 라인에 설치해, 장비의 성능 및 신뢰성 등을 검증하는 프로젝트다. 장비의 실제 적용 가능성을 평가하는 단계로 볼 수 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM용 TC본더 공급망 다변화를 지속적으로 검토해 왔다"며 "ASMPT와의 JEP도 이러한 전략의 일환으로, 양사 간 테스트가 점차 진전을 보이고 있다는 움직임"이라고 설명했다. 물론 삼성전자가 ASMPT의 HBM용 TC본더를 실제 양산 공정에 도입할 지는 아직 확신할 수 없다. 양산 공정에서 장비 성능이 만족스럽지 못하거나, 가격 협상이 잘 이뤄지지 않는 등 상용화까지 많은 변수가 남아있기 때문이다. 삼성전자의 하이브리드 본딩 장비 도입 시점도 TC본더 공급망 다변화에 많은 영향을 끼칠 것으로 보인다. 하이브리드 본딩은 기존 D램과 D램 사이의 마이크로 범프를 쓰지 않고, 칩을 직접 연결하는 기술이다. TC본딩 대비 칩 성능 강화에 유리해 차세대 HBM용 본딩 공정으로 주목받고 있다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 높아, HBM용 본딩 분야에서 아직 상용화된 전례가 없다. 또한 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 차세대 HBM의 두께 기준을 완화하는 방안을 추진 중이다. 두께가 더 두꺼워지면 기존 TC본딩 기술을 유지하는 데 용이하다. 또 다른 업계 관계자는 "아직 하이브리드 본딩 기술이 완성되지 않았고, 실제 도입 시에도 일부 층에만 적용하는 등 제한된 방안이 논의되고 있어 TC본딩 기술이 예상 대비 더 성장할 가능성이 있다"며 "이러한 상황에서 삼성전자도 TC본더 공급망 다변화에 더 큰 수요를 느끼게 될 것"이라고 말했다.

2026.04.13 14:32장경윤 기자

한미반도체, 2세대 하이브리드 본더 연내 출시

한미반도체는 2029년 본격 양산적용되는 하이브리드 본딩 수요에 발맞춰 선제적으로 대응한다고 9일 밝혔다. 한미반도체는 차세대 HBM 생산을 위한 '2세대 하이브리드 본더' 프로토타입을 연내 출시하고, 고객사와 협업에 나선다. 아울러 내년 상반기 하이브리드 본더 팩토리 가동을 앞두고 있다. 앞서 한미반도체는 경쟁사보다 먼저 2020년 '1세대 HBM 생산용 하이브리드 본더'를 출시하며 핵심 기술과 검증 노하우를 축적한 바 있다. 2세대 장비는 1세대 개발 경험과 원천 기술을 집약해 나노미터 단위의 정밀도, 공정 안정성, 수율 등 완성도를 한층 높여 개발됐다. 또한 한미반도체는 하이브리드 본딩과 관련해 국내 여러 반도체 장비 기업과 플라즈마, 클리닝, 증착 기술에서 긴밀히 협력하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리(Cu) 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 솔더 범프(Solder Bump)를 제거해 패키지 두께를 줄이면서도 방열 성능과 데이터 전송 속도를 높일 수 있어, 20단 이상의 고적층 HBM에서 필요로 하고 있다. 한미반도체는 차세대 장비 생산을 위한 인프라 구축에도 속도를 내고 있다. 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 총 1000억원을 투자해 연면적 4415평(1만4570.84m2), 지상 2층 규모로 하이브리드 본더 팩토리를 지난해부터 건립 중이며, 내년 상반기 완공을 목표로 한다. 팩토리 내에는 반도체 전공정에 준하는 최고 수준의 '100 클래스(Class 100)' 클린룸이 구축될 예정이다. 해당 클린룸은 공기 중 먼지를 상단에서 바닥으로 밀어내고 벽면과 바닥에서 즉시 흡입하는 첨단 공조 기술을 적용해 나노미터 단위 초정밀 공정에 걸맞은 청정 환경을 구현한다. 한미반도체는 업계 1위인 TC 본더 공급도 공고히 할 계획이다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 HBM 패키지 높이 기준을 기존 775㎛에서 900㎛ 수준으로 완화하는 방안을 검토함에 따라, 하이브리드 본딩의 본격적인 양산 도입 시점은 2029~2030년경이 예상된다. 그 전까지 한미반도체는 HBM 다이 면적을 넓힌 '와이드 TC 본더'를 올해 하반기 출시해 시장 수요에 대응할 계획이다. '와이드 TC 본더'는 TSV(실리콘관통전극) 수와 I/O(입출력 인터페이스) 수를 안정적으로 늘릴 수 있어 이전 기술 대비 메모리 용량과 대역폭을 확장할 수 있다. 이와 함께 한미반도체는 TC 본더로 안정적인 수익을 유지함과 동시에 하이브리드 본더의 완성도를 높이는 '투트랙' 전략을 구사한다는 계획이다. 한미반도체 관계자는 “HBM용 TC 본더 1위 노하우를 HBM용 하이브리드 본더 기술에 적용했다”며 “고객사가 차세대 HBM 양산에 돌입하는 시점에 완성도 높은 장비를 적기에 공급하겠다"고 밝혔다.

2026.04.09 09:24장경윤 기자

삼성디스플레이, '글래스 인터포저' 시장 진출 시사…"내부 점검 중"

삼성디스플레이가 최첨단 반도체 소재로 꼽히는 '글래스(유리) 인터포저' 시장 진출 가능성을 공식적으로 언급했다. 이청 삼성디스플레이 사장은 12일 서울 잠실 롯데호텔 월드에서 열린 '한국디스플레이산업협회 정기총회'를 앞두고 기자들과 만나 "글래스 인터포저는 매우 중요한 기술"이라며 "내부적으로 기술을 점검하고 있다"고 말했다. 인터포저는 최첨단 반도체 제조에 쓰이는 2.5D 패키징용 소재다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에서 얇은 막 형태 인터포저를 삽입해, 칩 성능을 끌어올리는 기술이다. 글래스 인터포저는 기존 실리콘 소재 대비 표면이 매끄럽기 때문에 세밀한 회로 구현이 가능하다. 고온에 대한 내구성과 전력효율성도 뛰어나, 패키징 공정 안정성도 높일 수 있다. 글래스 인터포저는 AI 가속기 등 고성능 칩에서 수요가 증가할 수 있다. 삼성디스플레이는 패널 업체로서 유리기판 관련 기술력을 축적했다. 그룹 계열사인 삼성전자·삼성전기도 반도체 패키징 관련 사업을 진행하고 있어, 그룹 차원의 시너지 효과도 도모할 수 있다. 올해 사업 전망은 다소 불확실성이 많을 것으로 내다봤다. 메모리 반도체 가격의 급격한 상승이 세트 수요에 영향을 미치고 있고, 최근 발발된 미국-이란 전쟁으로 원재료 수급·물류비 상승 등이 예상되기 때문이다. 이 사장은 "디스플레이는 석유 기반 소재를 많이 활용하기 떄문에 전쟁이 장기화되면 영향이 커질 것"이라며 "극복 방법은 사실상 없기 때문에, 원가구조 혁신과 협력사와 노력으로 경쟁력을 끌어올려야할 것"이라고 말했다. 올해 양산이 본격화되는 8.6세대 IT 유기발광다이오드(OLED)에 대해서는 "전체적으로 잘 진행되고 있고, 생산도 정상적으로 될 것이라고 생각한다"며 "IT 시장이 다시 한 번 붐을 일으키는 것이 중요할 것"이라고 밝혔다. 협회 차원에서 국내 디스플레이 업계 기술 유출 방지 중요성도 강조했다. 이 사장은 "기술 하나가 유출되면 산업에 어마어마한 타격을 입힐 수 있다"며 "간첩죄 수준 법안이 상정돼 있는 것으로 알고 있고, 협회 차원에서도 정책 보완을 위해 노력할 것"이라고 말했다.

2026.03.12 10:57장경윤 기자

차세대 HBM '두께 완화' 본격화…삼성·SK 본딩 기술 향방은

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 주요 반도체 기업들이 20단 적층이 필요한 차세대 고대역폭메모리(HBM) 두께 표준을 완화하는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 올해 본격 상용화되는 HBM4(6세대 HBM)의 두께인 775마이크로미터(μm)를 넘어, 825~900마이크로미터 수준까지 거론되고 있는 상황이다. 6일 지디넷코리아 취재를 종합하면 국제반도체표준화기구(JEDEC) 참여사들은 차세대 HBM의 두께를 기존 대비 크게 완화하는 방안을 논의 중이다. 차세대 HBM 두께 표준, 825~900μm 이상 논의 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 각 D램 사이를 미세한 범프로 연결한 차세대 메모리다. 앞서 HBM 표준은 HBM3E까지 두께가 720마이크로미터였으나, HBM4에 들어서며 775마이크로미터로 상향된 바 있다. HBM4의 D램 적층 수가 12단·16단으로 이전 세대(8단·12단) 대비 더 많아진 것이 주된 영향을 미쳤다. 나아가 업계는 HBM4E·HBM5 등 D램을 20단 적층하는 차세대 HBM의 표준 두께 완화를 논의하고 있다. 현재 거론되고 있는 두께는 825마이크로미터에서부터 900마이크로미터 이상이다. 900마이크로미터 이상으로 표준이 제정되는 경우, 이전 상승폭을 크게 상회하게 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "JEDEC에서는 제품이 상용화되기 1년~1년 반 전에 중요한 표준을 제정해야 하기 때문에, 현재 차세대 HBM 두께에 대한 논의가 활발히 진행되고 있다"며 "벌써 900마이크로미터 이상의 두께까지 거론되는 상황"이라고 말했다. JEDEC은 반도체 제품의 규격을 정하는 국제반도체표준화기구다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업은 물론 인텔, TSMC, 엔비디아, AMD 등 전세계 주요 반도체 기업들이 참여하고 있다. 당초 업계는 HBM의 두께 상승을 매우 엄격히 제한해 왔다. HBM이 무한정 두꺼워질 경우, 함께 수평으로 집적되는 GPU 등 시스템반도체와의 두께를 동일하게 맞추기 어려워진다. D램 간 간격이 너무 멀어지면 데이터 전송 통로가 길어져, 성능 및 효율이 저하되는 문제도 발생한다. 때문에 메모리 기업들은 HBM 두께를 완화하기 위한 갖가지 기술을 시도해 왔다. 코어 다이인 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이기 위한 본딩 기술 등이 대표적이다. 메모리·파운드리 모두 HBM 두께 표준 완화 원해 그럼에도 반도체 업계가 차세대 HBM의 두께 완화를 적극 논의하는 데에는 크게 두 가지 이유가 있다. 우선 차세대 HBM이 20단으로 적층되기 때문이다. 기존 업계에서 채용해 온 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이는 본딩 기술 등으로는 HBM을 더 얇게 만드는 데 한계를 보이고 있다. 주요 파운드리 기업인 TSMC의 신규 패키징 공정도 영향을 미치고 있다는 분석이다. 현재 TSMC는 HBM과 GPU를 단일 AI 가속기로 패키징하는 2.5D 공정(CoWoS)을 사실상 독점으로 수행하고 있다. 2.5D란, 칩과 기판 사이에 넓다란 인터포저를 삽입해 패키징 성능을 높이는 기술이다. TSMC가 구상 중인 2.5D 패키징의 다음 세대는 'SoIC(system-on-Integrated Chips)'다. SoIC는 시스템반도체를 매우 미세한 간격으로 수직(3D) 적층한다. AI 가속기에 적용되는 TSMC-SoIC의 경우 적층된 시스템반도체와 HBM을 결합하는 구조다. TSMC-SoIC가 적용되면 시스템반도체의 두께는 기존 775마이크로미터에서 수십 마이크로미터 이상 두꺼워지게 된다. HBM의 두께 표준도 자연스럽게 완화될 수밖에 없는 구조다. 현재 엔비디아·아마존웹서비스(AWS) 등이 TSMC-SoIC 채택을 계획 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "단순히 메모리 공급사만이 아닌, 파운드리 기업 입장에서도 차세대 HBM 두께 완화에 대한 니즈가 있다"며 "실제 채택 가능성을 확언할 수는 없는 단계이지만, 주요 기업들 사이에서 논의가 오가는 것은 사실"이라고 설명했다. 업계 "하이브리드 본딩 수요 낮아질 수 있어" 업계는 해당 논의가 하이브리드 본딩과 같은 신규 본딩 공정의 도입 속도를 늦추는 요인이 될 것으로 해석하고 있다. 본딩은 HBM 내부의 각 D램을 접합하는 공정으로, 현재는 열과 압착을 이용한 TC 본딩이 주류를 이루고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아 D램간 간격이 사실상 '0'에 수렴한다. HBM 전체 패키지 두께를 줄이는 데 매우 유리한 셈이다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 매우 높다. ▲각 칩을 공백없이 접합하기 위해서는 칩 표면의 미세한 오염물질을 모두 제거해야 하고 ▲칩 표면을 완벽히 매끄럽게 만드는 CMP(화학기계연마) 공정 ▲각 구리 패드를 정확히 맞물리게 하는 높은 정렬도를 갖춰야 한다. 20개에 달하는 칩을 모두 접합하는 과정에서 수율도 급격히 하락할 수 있다. 때문에 주요 메모리 기업들은 하이브리드 본딩을 지속 연구개발해왔으나, 아직까지 HBM 제조 공정에 양산 적용하지는 않고 있다. 하이브리드 본딩을 가장 적극적으로 개발 중인 삼성전자도 빨라야 HBM4E 16단에서 해당 기술을 일부 적용할 것으로 전망된다. 이러한 상황에서 차세대 HBM의 두께 표준이 완화되면 메모리 기업들은 TC 본더를 통한 HBM 양산을 지속할 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "업계에서는 HBM 두께가 50마이크로미터 이상만 완화돼도 20단 적층 HBM을 구현할 수 있다는 의견도 나오고 있는 상황"이라며 "하이브리드 본딩이 도입되더라도 기존 설비를 전면 교체할 수 없고, 투자에 막대한 비용이 드는 만큼 메모리 기업들이 차세대 HBM 두께 완화에 우호적인 것으로 안다"고 말했다.

2026.03.06 10:41장경윤 기자

한미반도체, 주당 800원 총 760억원 배당 결정…창사 이래 최대 규모

한미반도체가 2025년 회계년도 현금배당으로 주당 800원, 총 약 760억원의 창사 최대 규모의 배당을 지급한다고 4일 밝혔다. 이는 기존 최대인 2024년 배당 총액(약 683억원, 주당 720원)를 뛰어넘는 규모다. 배당을 받고자 하는 주주들은 2026년 3월 7일까지 한미반도체 주식을 보유하고 있어야 한다. 인천 서구 주안국가산업단지에 총 9만2867m2(2만8092평), 7개 공장의 반도체 장비 생산 클러스터를 보유한 한미반도체는 주물생산부터 설계, 부품가공, 소프트웨어, 조립 그리고 검사공정까지 외주 가공없이 모두 직접 진행하는 '수직 통합 제조 (Vertical Integration)'을 통해 지난해 창사 최대 매출 5767억원, 영업이익률 43.6%로 업계 최고 수준의 수익성을 기록했다. 생산하는 모든 장비에 슈퍼 아이언 캐스팅 공법으로 제작한 '원 프레임 바디(One FRAME Body)'를 적용해 진동을 최소화하고 경쟁사 대비 월등히 높은 정밀도와 생산성을 실현하는 점은 한미반도체만이 갖고있는 특징이다. TC본더 시장에서 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 시장을 주도하고 있는 한미반도체는 지난해 HBM4 생산용 'TC 본더4'를 출시한데 이어, 올해 하반기에 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 와이드 HBM은 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. 이와 동시에 한미반도체는 2020년 이미 개발한 HBM 하이브리드 본더 원천 기술을 기반으로, 2029년경으로 예상되는 16단 이상 HBM 양산 시점에 맞춰 차세대 첨단 하이브리드 본더 출시를 위해 글로벌 고객사와 긴밀히 소통하고 있다. 부가가치가 높은 AI 패키징 분야에서도 신규 장비를 선보였다. 지난주 세계 최초로 BOC(Board On Chip)와 COB(Chip On Board)공정을 한 대의 장비에서 생산 가능한 'BOC COB 본더'를 출시했다. 고성능 적층형 GDDR과 적층형 낸드플래쉬칩 생산 필수 공정 장비로 글로벌 메모리 고객사 인도 구자라트 공장에 공급했다. 또한 올해 '빅다이 FC 본더'를 시작으로 '빅다이 TC 본더', '다이 본더' 등 라인업을 지속 확대하며 중국과 대만의 파운드리, OSAT 기업에 공급을 확대할 계획이다. 한미반도체 관계자는 “이번 760억원의 창사 최대 배당을 시작으로 앞으로 배당 성향을 계속 확대할 계획이며, 주주 환원과 기업 가치 제고를 위해 더욱 노력하겠다”고 밝혔다. 한편 한미반도체는 지난달 28일 인도 구자라트주 사난드에서 개최된 마이크론 테크놀로지 인도 최초 반도체 공장 오픈식에 참석하며, 마이크론 인도 공장의 가장 중요한 장비 공급사의 위상을 다시 한번 확인했다.

2026.03.04 09:52장경윤 기자

SK하이닉스, HBM4 '성능 점프' 비책 짰다…新패키징 기술 도입 추진

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)용 패키징 기술 변혁을 꾀한다. 대대적인 공정 전환 없이 HBM의 안정성과 성능을 강화할 수 있는 기술을 고안해, 현재 검증을 진행 중인 것으로 파악됐다. 실제 상용화가 이뤄지는 경우, 엔비디아가 요구하는 HBM4(6세대)의 최고 성능 달성은 물론 차세대 제품에서의 성능 강화도 한층 수월해질 것으로 예상된다. 이에 해당 기술의 성패에 업계의 이목이 쏠린다. 3일 지디넷코리아 취재를 종합하면 SK하이닉스는 HBM 성능 강화를 위한 새로운 패키징 기술 적용을 추진하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)를 뚫어 연결한 메모리다. 각 D램은 미세한 돌기의 마이크로 범프를 접합해 붙인다. HBM4의 경우 12단 적층 제품부터 상용화된다. SK하이닉스는 현재 HBM4의 초도 양산을 시작했다. HBM4의 리드타임(제품 양산, 공급에 필요한 전체 시간)이 6개월 내외인 만큼, 엔비디아와의 공식적인 퀄(품질) 테스트 마무리에 앞서 선제적으로 제품을 양산하는 개념이다. HBM4 공급은 문제 없지만…최고 성능 구현 고심 그간 업계에서는 SK하이닉스 HBM4의 성능 및 안정성 저하를 우려해 왔다. 엔비디아가 HBM4의 최대 성능(핀 당 속도)을 당초 제품 표준인 8Gbps를 크게 상회하는 11.7Gbps까지 요구하면서, 개발 난이도가 급격히 상승한 탓이다. 실제로 SK하이닉스 HBM4는 AI 가속기를 결합하는 2.5D 패키징 테스트 과정에서 최고 성능 도달에 어려움을 겪어, 올해 초까지 일부 회로의 개선 작업을 거쳐 왔다. 이에 따라 본격적인 램프업(대량 양산) 시점도 당초 업계 예상보다 일정이 늦춰진 상황이다. 다만 업계 이야기를 종합하면, SK하이닉스가 엔비디아향 HBM4 공급에 큰 차질을 겪을 가능성은 현재로선 매우 낮은 수준이다. 주요 배경은 공급망에 있다. 엔비디아가 HBM4에 높은 사양을 요구하고 있긴 하지만, 이를 고집하는 경우 올 하반기 최신형 AI 가속기 '루빈'을 충분히 공급하는 데 제약이 생길 수 있다. 현재 HBM4에서 가장 좋은 피드백을 받고 있는 삼성전자도 수율, 1c D램 투자 현황 등을 고려하면 당장 공급량을 확대하기 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 초기 수급하는 HBM4의 성능 조건을 10Gbps대로 완화할 가능성이 유력하다고 보고 있다. 반도체 전문 분석기관 세미애널리시스는 최근 보고서를 통해 "엔비디아가 루빈 칩의 총 대역폭을 당초 22TB/s로 목표했으나, 메모리 공급사들은 엔비디아의 요구 사항을 충족하는 데 어려움을 겪고 있는 것으로 파악된다"며 "초기 출하량은 이보다 낮은 20TB/s(역산하면 HBM4 핀 당 속도가 10Gbps급)에 가까울 것으로 예상한다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순 속도가 아니라 수율·공급망 안정성 등 어려 요소가 고려돼야 하기 때문에, SK하이닉스가 가장 많은 물량을 공급할 것이라는 전망은 여전히 유효하다"며 "다만 최고 성능 도달을 위한 개선 작업도 지속적으로 병행하는 등 기술적으로 안주할 수 없는 상황"이라고 말했다. HBM 성능 한계 돌파할 '신무기' 준비…현재 검증 단계 이와 관련, 현재 SK하이닉스는 HBM4 및 차세대 제품에 적용하는 것을 목표로 새로운 패키징 공법 도입을 시도하고 있다. 업계가 지목하는 HBM4 성능 제약의 가장 큰 요인은 입출력단자(I/O) 수의 확장이다. I/O는 데이터 송수신 통로로, HBM4의 경우 이전 세대 대비 2배 증가한 2048개가 구현된다. 그런데 I/O 수가 2배로 늘면 밀집된 I/O끼리 간섭 현상이 발생할 수 있다. 또한 전압 문제로 하부층의 로직 다이(HBM 밑에서 컨트롤러 역할을 담당하는 칩)에서 가장 높은 상부층까지 전력이 충분히 전달되기가 어렵다. 특히 SK하이닉스는 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 한 세대 이전의 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한다. 로직 다이도 TSMC의 12나노미터(nm) 공정으로, 삼성전자(삼성 파운드리 4나노) 대비 집적도가 낮다. 때문에 기술적으로 I/O 수 증가에 따른 문제에 취약하다. 대대적 공정 전환 없이 HBM 성능·안정성 향상…상용화 여부 주목 이에 SK하이닉스는 새로운 패키징 공법으로 새로운 비책을 마련하고 있는 것으로 파악됐다. 핵심은 ▲코어 다이 두께 향상, 그리고 ▲D램 간 간격(Gap) 축소다. 우선 일부 상부층 D램의 두께를 이전보다 두껍게 만든다. 기존엔 HBM4의 패키징 규격(높이 775마이크로미터)을 맞추기 위해 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정이 적용된다. 다만 D램이 너무 얇아지면 칩 성능이 저하되거나 외부 충격에 쉽게 손상을 받을 수 있다. 때문에 SK하이닉스는 D램의 두께 향상으로 HBM4의 안정성을 강화하려는 것으로 풀이된다. 또한 D램 간 간격을 더 줄여, 전체 패키징 두께가 늘어나지 않도록 하는 동시에 전력 효율성을 높였다. 각 D램의 거리가 가까워지면 데이터가 더 빠르게 도달하게 되고, D램 최상층으로 전력이 도달하는 데 필요한 전력이 줄어들게 된다. 관건은 구현 난이도다. D램 간 간격이 줄어들면 MUF(몰디드언더필) 소재를 틈에 안정적으로 주입하기 힘들어진다. MUF는 D램의 보호재·절연체 등의 역할을 담당하는 소재로, 고르게 도포되지 않고 공백(Void)가 생기면 칩의 불량을 야기할 수 있다. SK하이닉스는 이를 해결할 수 있는 새로운 패키징 기술을 고안해냈다. 구체적인 사안은 밝혀지지 않았으나, 대대적인 공정 및 설비 변화 없이 D램 간격을 안정적인 수율로 줄일 수 있는 것이 주 골자다. 최근 진행된 내부 테스트 결과 역시 긍정적인 것으로 알려졌다. 만약 SK하이닉스가 해당 기술을 빠르게 상용화하는 경우, HBM4 및 차세대 제품에서 D램 간격을 효과적으로 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 반대로 해당 기술이 양산 적용에 난항을 겪을 가능성도 남아 있다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 기존 HBM의 한계를 극복하기 위한 새로운 패키징 공법을 고안해, 현재 검증 작업을 활발히 거치고 있다"며 "대규모 설비투자 없이 HBM 성능을 개선할 수 있기 때문에 상용화 시에는 파급 효과가 적지 않을 것"이라고 설명했다.

2026.03.03 14:29장경윤 기자

한미반도체, 마이크론 印 반도체 공장 오픈식 참석...핵심 협력사 지위 굳건

한미반도체는 지난달 28일 인도 구자라트주 사난드에서 개최된 마이크론 테크놀로지 인도 최초 반도체 공장 오픈식에 참석했다고 3일 밝혔다. 이번 마이크론 인도 공장 오픈식에는 나렌드라 모디 인도 총리가 참석해 기념사를 발표했으며, 인도 정부 관계자, 마이크론 산자이 메로트라 회장과 주요 임원진 등이 대거 참석했다. 한미반도체는 마이크론 인도 공장의 가장 중요한 장비 공급사로 초청받으며 핵심 협력사의 위상을 확립했다. 마이크론 인도 공장은 총 27억5000만 달러(약 4조원)가 투자된 첨단 패키징 공장이다. 인도 반도체 산업 육성을 위해 인도 정부가 50%, 구자라트주가 20%의 보조금을 각각 지원하며 국가 전략 프로젝트로 추진됐다. 50만 평방피트(약 1만4000평)에 달하는 세계 최대 규모의 단일층 클린룸을 갖추고 있으며, 이는 축구장 7개 규모에 달하는 면적이다. 앞으로 적층형 GDDR(그래픽 D램)과 기업용 eSSD(기업용 SSD) 등 고성능 AI 메모리의 테스트, 패키징 거점으로 운영될 계획이다. 현재 인도 구자라트에서 생산하고 있는 DDR5 D램은 마이크론 최첨단 D램 공정이 적용된 최신의 1감마 공정 제품으로 올해 수천만 개의 칩을 패키징·테스트를 시작하고 내년에는 수억 개로 생산량을 확대할 계획이라고 밝혔다. 이에 따라 AI 메모리 반도체칩을 적층 생산하는 TC본더와 같은 첨단 반도체 패키징 장비에 약 1조원에서 2조원이 투자될 예정이다. 인도 반도체 미션의 승인을 받은 첫 번째 프로젝트이자 인도 최초의 반도체 공장이라는 역사적 의미도 지닌다. 이는 인도가 글로벌 반도체 공급망에서 핵심 제조 거점으로 도약하는 중요한 이정표로 평가받는다. 인도 정부는 '세미콘 인디아' 정책을 통해 약 100억 달러(약 14조5000억원) 규모의 보조금을 가동하며 글로벌 반도체 제조 허브로 도약을 추진하고 있다. 신규 공장의 안정적 가동을 위해서는 첨단 정밀 본딩 기술과 신속한 기술 지원이 필수적이다. 한미반도체는 마이크론의 핵심 협력사로서 인도 현지에 엔지니어를 파견해 밀착형 기술을 지원하고, 교육 프로그램을 운영하는 등 장기적 협력을 이어나갈 방침이다. 지난해 한미반도체는 마이크론으로부터 '탑 서플라이어'상을 수상하며 최우수 협력사로 선정된 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 인도 공장 오픈식과 라운드 테이블 참석은 한미반도체가 글로벌 반도체 공급망의 핵심 협력사로서 위상을 다시 한번 인정받는 계기”라며 “인도 현지에 엔지니어를 파견하고 적극적인 기술을 지원으로 고객 만족을 위해 노력하겠다”고 밝혔다.

2026.03.03 08:51장경윤 기자

삼성 HBM4 자신감의 근원 '1c D램'…다음 목표는 수율 개선

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자가 AI 산업 인프라의 핵심 메모리인 6세대 HBM4(고대역폭메모리) 시장 경쟁에서 강한 자신감을 내보이고 있다. HBM의 핵심 기술요소에 경쟁사 대비 진일보된 공정을 사용하면서, 최대 고객사인 엔비디아(NVIDIA)가 요구하는 최고 성능을 가장 최적으로 달성했다는 평가가 나오고 있다. 특히 삼성전자는 코어 다이인 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 키우는 결단을 내린 바 있다. 칩 사이즈가 커지면 D램 및 HBM4의 안정성을 동시에 높일 수 있다. 반면 이 같은 결정은 웨이퍼 당 생산 가능한 칩 수량을 줄어들기 때문에 수익성 측면에서는 불리하게 작용한다. 또한 1c D램의 수율이 아직 60% 내외인 만큼, 삼성전자가 최대한 빠르게 공정 고도화에 나서야 한다는 의견도 제기된다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아향 HBM4 선제 양산 출하와 더불어 1c D램 수율 고도화에 집중하고 있다. HBM4는 올해 본격적인 상용화가 예상되는 차세대 HBM이다. 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '루빈' 칩에 본격 채용되며, 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가한 2048개로 성능을 크게 높였다. 특히 엔비디아는 메모리 공급사에 HBM4에 요구되는 성능 기준을 꾸준히 높일 것을 요청해 왔다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)의 HBM4 성능 표준은 8Gbps 급이었으나, 최근 메모리 공급사는 이를 11.7Gbps까지 높여 엔비디아와 테스트를 진행한 바 있다. 삼성 HBM4 자신감의 근원 1c D램…"칩 사이즈 키워 안정화" 아직 정식 퀄테스트 일정이 최종적으로 완료된 것은 아니지만, 삼성전자는 내부적으로 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 지난 12일 HBM4 양산 출하식을 선제적으로 진행한 것이 대표적인 예시다. 당시 삼성전자는 "HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정했다"며 "재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 강조했다. 이같은 자신감의 근간은 HBM4에 적용된 최선단 공정이다. 삼성전자는 HBM4 코어 다이에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 채용했다. 또한 HBM의 컨트롤러 역할을 담당하는 베이스(로직) 다이를 자사 파운드리의 4나노미터(nm) 공정으로 양산했다. TSMC의 12나노 공정을 적용한 SK하이닉스 대비 상당히 미세화된 공정이다. 당초 업계는 삼성전자의 이같은 기술 승부수에 적잖은 우려를 나타냈다. HBM3E와 동일한 코어 다이(1b D램)를 HBM4에 탑재한 SK하이닉스·마이크론 대비, 수율 측면에서 안정성이 크게 떨어질 수 있어서다. 실제로 삼성전자는 1c D램 개발 초기 단계에서 수율 저조로 문제를 겪은 바 있다. 삼성전자의 돌파구는 1c D램의 '칩 사이즈 확대'였다. 삼성전자는 지난 2024년 말께 1c D램의 설계 일부를 수정하기로 결정했다. 핵심 회로의 선폭은 유지하되, 주변부 회로의 선폭 기준은 일부 완화해 양산 난이도를 낮춘 것이 주 골자다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 1c D램 사이즈 확대는 크게 두 가지 효과를 거뒀다. 먼저 1c D램의 수율 향상이다. 주변부 회로의 구현이 이전 대비 수월해지면서, 삼성전자의 1c D램 수율은 비교적 견조한 속도로 개선되고 있다. 업계가 추산하는 삼성전자의 HBM4용 1c D램 수율은 이달 기준 50~60%대다. 또한 칩 사이즈 확대로 HBM 제조에 필수적인 TSV(실리콘관통전극) 공정에서 안정성을 확보했다는 평가다. HBM4는 이전 대비 I/O 수가 늘어나면서 D램에 TSV 홀(구멍)을 더 많이 뚫어야 한다. 삼성전자 1c D램은 가용 면적이 넓어 TSV를 비교적 여유롭게 배치할 수 있는데, 이 경우 TSV 밀도를 완화해 열 관리와 신뢰성 확보에 용이하다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4의 적기 상용화를 위해 1c D램 칩 사이즈 확대 등 여러 안전 장치를 마련해 온 것으로 안다"며 "덕분에 내부적으로도, 고객사 기준으로도 HBM4에 대한 평가가 좋은 상황"이라고 설명했다. 수익성 측면은 다소 불리…수율 고도화 필요 다만 삼성전자 HBM4의 수익성이 경쟁사 대비 부족하다는 평가도 나온다. 통상 D램 공정이 고도화되면 칩 사이즈가 줄어들어, 동일한 웨이퍼에서 생산량이 더 많아진다. 그러나 삼성전자의 HBM4용 1c D램은 당초 계획 대비 칩 사이즈가 커져 수익성 측면에서 불리하다. 수율 역시 현재 기준으로는 HBM3E와 동일한 코어 다이를 활용하는 경쟁사 대비 낮을 수 밖에 없다. 여기에 각 D램을 쌓고 연결하는 패키징(TC-NCF; 열압착-비전도성 접착 필름)공정 적용 시 수율은 구조적으로 낮아지게 된다. 삼성전자가 HBM4에 적용한 4나노 공정의 가격도 TSMC 12나노 공정 대비 단가가 비싸다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용된 코어 다이 및 베이스 다이의 원가 모두 경쟁사보다는 높기 때문에, 빠르게 수율을 높이는 것이 관건"이라고 말했다. 맥쿼리 증권도 최근 리포트를 통해 "삼성전자의 HBM 영업이익률은 낸드보다 낮은 50% 미만으로, 불리한 거래 조건과 낮은 생산 수율, 작은 생산규모로 인한 것"이라며 "추가적인 가격 인상과 수율, 규모 개선을 통해 HBM 마진을 높일 필요가 있다"고 평가했다.

2026.02.27 14:42장경윤 기자

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