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'반도체 파운드리'통합검색 결과 입니다. (263건)

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日총리 "반도체 투자 유치에 5년간 10조엔 지원"

이시바 시게루 일본 총리가 “일본이 세계 반도체 시장에서 중심 역할을 하도록 정부가 지원하겠다”고 말했다. 이시바 총리는 11일(현지시간) 일본 도쿄 빅사이트에서 열린 일본 최대 반도체 전시회 '세미콘 재팬' 개막식 축하 영상에서 이같이 밝혔다. 그는 “일본 경제를 살려야 한다”며 “반도체가 목표 달성의 열쇠”라고 강조했다. 이시바 총리는 “외국 기업이 일본에 더 많이 투자하도록 일본 반도체·인공지능(AI)에 앞으로 5년 동안 10조엔(약 94조원)을 지원하겠다”고 설명했다. 그러면서 세계 1위 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 대만 TSMC가 구마모토에 지은 반도체 공장을 투자 유치 사례로 들었다.

2024.12.12 17:43유혜진

화웨이 최신 폰 뜯어봤더니...구식 7나노 칩 탑재

중국 통신장비 업체 화웨이테크놀로지가 자체 반도체 기술을 발전시키는 데 한계를 겪는다고 미국 블룸버그통신이 11일(현지시간) 보도했다. 지난달 말 선보인 고사양 스마트폰 '메이트70'에 구식 칩이 들어가서다. 블룸버그에 따르면 캐나다 시장조사업체 테크인사이츠 연구원이 분해했더니 '메이트70프로플러스'에 들어간 프로세서는 화웨이가 지난해 '메이트60프로'에 썼듯 회로 선폭 7나노미터(1㎚=10억분의 1m) 기술로 제작된 것으로 나타났다. 블룸버그는 화웨이가 설계한 이 '기린9020' 칩을 중국 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 중신궈지(SMIC)가 생산했다고 전했다. 다만 화웨이는 칩에 대한 세부 정보를 공개하지 않았다. 화웨이가 올해 5나노 기술로 진보할 것이라는 기대를 충족하지 못했다고 블룸버그는 지적했다. 지난해에는 화웨이가 메이트60프로를 공개해 미국 기술 산업계가 놀랐다고 덧붙였다. 테크인사이츠는 화웨이 기술이 세계 1위 반도체 파운드리 기업 대만 TSMC에 5년 뒤진다고 평가했다. TSMC는 2018년 7나노 칩을 처음 출시했다. 현재 화웨이 칩 기술은 5년 전 TSMC가 네덜란드 반도체 장비 회사 ASML의 극자외선(EUV) 생산 기술을 처음 사용했을 때보다 좋지 않다는 지적이다. 알렉산드라 노구에라 테크인사이츠 연구원은 “2019년 TSMC가 7나노 EUV 기술로 설계한 프로세서보다 화웨이 칩이 더 느리고, 더 많은 전력을 쓰며, 수율이 낮을 것”이라고 말했다. 화웨이와 SMIC는 중국 첨단 산업의 가장 큰 희망이지만 TSMC와 삼성전자가 내년 2나노 기술로 양산하면 더 뒤처질 것이라고 블룸버그는 내다봤다. 그러면서 가장 진보된 칩은 애플 '아이폰'과 엔비디아 인공지능(AI) 칩에 쓰인다고 언급했다.

2024.12.12 15:53유혜진

세메스, 심상필 대표 취임...삼성 파운드리 부사장 출신

반도체 장비업체인 세메스는 심상필 (前)삼성전자 부사장이 제11대 신임 대표이사로 취임했다고 12일 밝혔다. 세메스의 대표이사 교체는 3년 만이다. 신임 심상필 대표이사는 1988년 삼성전자로 입사해 반도체연구소(상무), 미국 SAS 법인(전무), 파운드리 제조기술센터장(부사장), 파운드리 코퍼레이트 플레닝(Corporate Planning) 실장을 역임한 반도체 전문가다. 심상필 대표는 1965년생으로 서울대 전기전자공학(학사)을 졸업한 후 한국과학기술원(카이스트) 전기전자공학 석사와 박사 과정을 마쳤다. 세메스는 삼성전자 자회사로 반도체 장비 제조를 담당한다. 주요 제품은 세정, 포토, 에치 등의 반도체 장비, 웨이퍼 이송장치(OHT) 등이다. 최근에는 HBM 생산에 사용되는 TC 본더 장비, 플라즈마 타입의 반도체 건식 세정장비 '퓨리타스(PURITAS)' 등을 양산하고 있으며, HBM4용 하이브리드 본더 장비도 개발 중이다. 주요 고객사는 삼성전자·삼성디스플레이 등 삼성 계열사들이다.

2024.12.12 11:16이나리

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

삼양엔씨켐, EUV·HBM 시장 잡는다…"PR용 소재 개발"

국내 포토레지스트(PR, 감광액)용 소재 기업 삼양엔씨켐이 최첨단 반도체 시장 진입에 따른 회사 성장을 자신했다. 고난이도 노광 기술인 EUV(극자외선)용 소재의 상용화를 성공했으며, 차세대 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 분야에서도 내년 신규 소재를 상용화할 수 있을 것으로 기대된다. 정회식 삼양엔씨켐 대표는 6일 서울 여의도에서 IPO 기자간담회를 열고 회사의 핵심 사업 및 향후 전략에 대해 이같이 밝혔다. 지난 2008년 설립된 삼양엔씨켐은 반도체 포토레지스트용 재료를 전문으로 개발하는 기업이다. 포토레지스트는 반도체 웨이퍼 위에 반도체 회로를 새기는 노광 공정에 필수적으로 활용되는 소재다. 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키고, 이를 통해 웨이퍼에 특정한 패턴을 만들어낸다. 삼양엔씨켐은 이 포토레지스트를 만드는 데 필요한 폴리머(고분자), PAG(광산발생제)를 양산하고 있다. 두 소재 모두 기존 일본이 주도해 온 시장이었으나, 삼양엔씨켐이 지난 2012년경 국산화에 성공했다. 현재 국내외 복수의 포토레지스트 제조업체를 통해, 삼성전자·SK하이닉스 등에 제품을 공급하고 있다. 정회식 대표는 "삼양엔씨켐은 높은 정제 기술을 기반으로 국내는 물론 국내 시장에 진출한 해외 기업들과도 거래를 확대하고 있다"며 "지난해 986억원 수준의 매출을 오는 2030년까지 3천억원으로 끌어올리고, ArF와 EUV향 비중을 기존 10%에서 30%로 높이는 것이 목표"라고 강조했다. 포토레지스트는 노광 방식에 따라 KrF(불화크립톤), ArF(불화아르곤), EUV 등으로 나뉜다, 후순으로 갈수록 기술적 난이도가 높고, 첨단 반도체 공정에서 활용된다. 특히 EUV는 7나노미터(nm) 이하의 최첨단 공정, 1a(4세대 10나노급) D램 등에서 활용도가 높다. 이를 위해 삼양엔씨켐은 국내 포토레지스트 제조업체와 협력해 EUV용 포토레지스트 소재를 개발했다. 국내 메모리기업 2곳 중 한 곳에는 공급을 시작했고, 다른 한 곳은 공급을 추진 중이다. 또한 해외 협력사와 함께 파운드리용 EUV용 소재를 개발하고 있다. 해당 소재는 내년 양산 공급할 예정이다. 또한 삼양엔씨켐은 차세대 메모리로 각광받는 HBM 분야에도 진출했다. 지난 2020년부터 HBM용 범프 폴리머 협업을 시작해, 주요 고객사와 품질 테스트를 거치고 있다. 이르면 내년부터 상용화에 들어갈 수 있을 것으로 전망된다. 해당 제품 역시 기존에는 일본 기업이 시장을 독과점해 왔었다. 정 대표는 "국내 최대 반도체 PR 소재 전문기업으로서 EUV 및 HBM BUMP 폴리머 등 차세대 반도체 핵심 소재 개발을 진행하고 있다”며 “상장 이후 회사는 시장의 수요에 발맞춘 혁신적인 소재 개발을 통해 반도체 산업의 지속 가능한 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다. 한편 삼양엔씨켐은 이번 상장에서 110만주를 공모한다. 희망 공모가는 1만6천원~1만8천원으로 총 공모금액은 176억원~198억원이다. 수요예측은 2025년 1월 6일~10일 5일간 진행, 같은 달 16일~17일 양일간 일반 청약을 거쳐 2월 3일 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 상장 주관은 KB증권이 맡았다.

2024.12.06 14:29장경윤

삼성 파운드리, 美 팹리스 공략 시동…현지서 첫 '커넥트' 행사

삼성전자 파운드리 사업부와 핵심 파트너사들이 최근 미국에서 현지 고객사와의 접점을 확대하기 위한 행사를 진행한 것으로 확인됐다. 삼성전자가 이 같은 행사를 진행한 것은 이번이 처음이다. 첨단 파운드리 사업 확장에 난항을 겪는 가운데, 잠재 고객사가 밀집한 미국 시장 공략을 가속화하기 위한 전략으로 풀이된다. 실제로 삼성전자는 지난달 인사를 통해 미국 사업을 총괄하던 한진만 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시킨 바 있다. 6일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 이번 주 미국에서 'DSP(디자인솔루션파트너) 커넥트' 행사를 진행했다. DSP는 삼성전자의 공식 파트너 디자인하우스 기업을 뜻한다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스 사이에서 반도체 설계, 공정 최적화 등을 돕는 역할을 맡고 있다. 미국 산호세에 위치한 삼성 파운드리 미국법인에서 개최된 이번 DSP 커넥트는 삼성 파운드리의 잠재 고객사와 DSP간 접점을 확대하기 위해 마련됐다. 삼성 파운드리를 비롯해 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아세미 등 국내 디자인하우스 주요 인사들이 대거 참여한 것으로 알려졌다. 각 DSP는 프레젠테이션 발표 및 행사장 내 부스를 통해 현지 팹리스와 접촉했다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 미국 파운드리 사업을 본격적으로 추진하기 위해 이번 행사를 처음 기획한 것으로 알고 있다"며 "미국 팹리스 시장 규모가 크고, 삼성전자도 현지에 파운드리 공장을 건설하고 있는 만큼 삼성 측에서도 행사에 상당히 힘을 준 분위기"라고 설명했다. 이와 관련 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서도 파운드리 사업 강화를 위한 인적 쇄신을 단행한 바 있다. 삼성전자는 이번 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 현지 고객사와의 파트너십 확대, R&D 센터 설립 등을 주도해 왔다. 또한 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하는 등 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다. 남 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 것으로 알려져 있다. 현재 삼성전자는 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 대비 2.2%p 하락했다. 매출액도 전분기 38억3천300만 달러(한화 약 5조4천억원)에서 3분기 33억5천700만 달러(한화 약 4조7천억원)로 줄었다. 당초 예상보다 4나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서 고객사 확보가 부족했고, 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)인 '엑시노스 2500' 양산도 수율 문제로 차질을 겪은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 미국 테일러시에 건설 중인 파운드리 팹도 설비투자 계획이 지속 연기되는 추세다.

2024.12.06 10:51장경윤

"TSMC, 美애리조나서 엔비디아 AI칩 '블랙웰' 생산 논의"

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국 애리조나 신규 팹에서 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '블랙웰' 시리즈를 양산하는 방안을 논의 중이라고 로이터통신이 5일 보도했다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 지금까지 블랙웰은 TSMC의 대만 공장에서 제조돼 왔다. 이번 논의가 현실화되는 경우, TSMC는 미국 내 파운드리 사업 확대에 박차를 가할 수 있을 것으로 전망된다. 현재까지 TSMC는 현지 공장에서 애플, AMD 등을 고객사로 확보한 것으로 알려졌다. 앞서 TSMC는 미국 애리조나주에 650억 달러(한화 약 90조원)를 투자해 첨단 반도체 공장 3개를 건설하기로 했다. 이 중 1공장은 지난 9월부터 4나노 공정으로 웨이퍼를 투입해 시생산을 시작하고 있다. 다만 애리조나 공장은 블랙웰 칩의 전공정 양산만을 담당할 예정이다. TSMC의 첨단 패키징 기술인 'CoWoS'를 양산할 생산라인이 없기 때문이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높였다. 로이터는 "TSMC가 애리조나에서 엔비디아 블랙웰 칩을 생산할 계획이지만, 칩은 여전히 패키징 공정을 위해 대만으로 다시 운송돼야 한다"며 "TSMC의 CoWoS 생산능력은 모두 대만에 있다"고 설명했다. 한편 TSMC는 지난달 미국 상무부와 반도체 공장 건설 보조금·대출에 대한 구속력 있는 계약 협상을 마쳤다. 앞서 TSMC는 지난 4월 총 66억 달러 규모의 지보조금을 받기로 미국 상무부와 잠정 합의한 바 있다.

2024.12.06 10:21장경윤

아이에스티이, HBM 이어 PECVD 시장 진출…"SK하이닉스 등 공급"

"아이에스티이는 차별화된 기술력을 토대로 HBM용 풉 클리너를 국내 최초로 상용화하는 등 성과를 거두고 있다. 신규 장비인 PECVD 장비도 내년 SK하이닉스 메모리 공정에 공급할 예정이다. 현재 품질 테스트에서 유일하게 고객사의 요구치를 달성했다." 조창현 아이에스티이 대표는 5일 서울 여의도에서 기업공개(IPO) 기자간담회를 열고 코스닥 상장 후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 풉(FOUP) 클리너(세정장비) 개발에 성공, 삼성전자와 SK하이닉스, SK실트론 등 주요 고객사에 제품을 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다. 기존 풉 세정 장비는 커버와 바디를 한번에 세정하고 건조시키는 방식을 채용해 왔다. 반면 아이에스티이는 분리 세정이 가능한 장비를 자체 개발해, 세정력과 건조 효율성, 생산 효율성을 모두 높였다. 또한 아이에스티이는 첨단 패키징 시장에서도 성과를 거두고 있다. 올해에는 국내 최초로 HBM(고대역폭메모리)용 400mm 풉 클리너 장비 개발에 성공했다. 해당 장비는 SK하이닉스에 공급 완료했으며, 삼성전자와도 공급을 논의 중이다. PLP(패널레벨패키징)용 600mm 풉 클리너는 세계 최초로 개발 완료했다. 해당 장비는 삼성전기, 네패스 등에 공급을 완료했다. 조창현 대표는 "성능과 가격 경쟁력을 기반으로 글로벌 풉 세정장비 시장 점유율을 2022년 14%에서 2030년 40%로 끌어올리는 것이 목표"라며 "이를 위해 해외 주요 반도체 기업 및 연구기관을 고객사로 적극 확보하고 있다"고 설명했다. 이외에도 아이에스티이는 차세대 반도체 공정용 장비인 PECVD(플라즈마화학기상증착) 장비 연구개발을 통해 신규 사업을 추진하고 있다. 증착이란 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정이다. 아이에스티이는 지난 2021년 절연막의 일종인 'SiCN' PECVD 장비를 국내 최초로 국산화해, SK하이닉스와의 퀄(품질) 테스트를 진행했다. 테스트 통과 후 현재는 본격적인 양산 검증을 거치고 있어, 내년 공급이 기대된다. 조창현 대표는 "SK하이닉스의 D램용 SiCN PECVD 장비 국산화를 위해 당사를 포함해 3개 업체가 경쟁했으나, 최종적으로는 아이에스티이만이 요구 성능을 충족해 공급사로 단독 선정됐다"며 "향후 HBM의 적층 수가 늘어나고, 하이브리드 본딩과 같은 신기술이 도입되면 패키징에서도 SiCN PECVD 수요가 증가하기 때문에 매우 유망한 사업 분야"라고 강조했다. 한편 아이에스티이는 상장을 통해 확보한 공모자금을 생산능력 확장을 위한 신규 공장 부지 취득과 PECVD장비 개발 및 사업화를 위한 운영 자금, 채무 상환 등에 활용할 예정이다. 아이에스티이의 총 공모 주식수는 160만주로, 1주당 공모 희망가액은 9천700원~1만1천400원, 총 공모금액은 155억원~182억원이다. 12월 2일부터 12월 6일까지 기관 수요예측을 진행해 공모가를 확정한 뒤, 12월 10일과 11일 이틀 동안 일반 투자자들을 대상으로 청약을 진행해 12월 20일 코스닥 시장에 입성할 예정이다. 주관사는 KB증권이다.

2024.12.05 14:36장경윤

韓 반도체 장비업계, 대중국 수출 규제에도 "기회 요소 충분"

미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위가 갈수록 높아지고 있다. 이에 따라 우리나라도 내년부터 중국 기업에 대한 반도체 장비 규제 대상에 포함될 예정이다. 다만 국내 반도체 장비기업들은 일부 최첨단 분야를 제외하면 영향은 적을 것으로 관측된다. 또한 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 규제 제외에 따른 단기적 수혜도 예상된다. 3일 업계에 따르면 국내 반도체 장비기업은 미국의 신규 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향을 면밀히 파악하고 있다. 불확실성 높아지지만…"세부사항 따라 영향 無" 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 국내 반도체 장비업계도 이번 미국의 결정을 예의주시하고 있다. 미국이 중국에 대한 반도체 장비 규제 대상국가에 한국, 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만을 포함했기 때문이다. 구체적으로 미국은 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴을 규제품에 명시했다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 사실상 주요 공정 대부분이 포함됐다. 반도체 업계 고위 관계자는 "이번 미국의 규제는 HBM과 HBM의 근간이 되는 D램용 전공정 분야에 특히 초점이 맞춰져 있다"며 "국내 투자가 위축된 상황에서 중국으로 활로를 찾았던 국내 장비업계로서는 사업에 대한 불확실성이 높아질 수 있다"고 설명했다. 다만 반도체 장비업계는 규제에 따른 여파를 면밀히 살펴봐야 한다는 입장이다. 미국의 규제가 공정 전반을 다루고는 있으나, 대체로 첨단 반도체 제조에만 국한돼 있기 때문이다. 중국 반도체 기업들은 국내 장비 협력사로부터 주로 레거시 반도체 제조용 장비를 수급하고 있다. 일례로 미국은 계측 장비에 대한 규제로 "21나노미터(nm) 이하의 결함을 검사할 수 있는 장비"라는 기준을 제시했다. 넥스틴 등 국내 기업이 상용화한 제품은 30나노급으로 계측이 가능해, 규제 기준에 포함되지 않는다. 21나노 급은 계측장비 업계 1위인 미국 KLA의 제품 중에서도 하이엔드급만 성능을 충족하는 것으로 알려져 있다. CXMT 규제 제외…내년도 수혜 지속 오히려 이번 미국의 대중 반도체 수출 규제에 안도의 한숨을 내쉰 기업들도 있다. 미국이 중국 내 반도체 및 제조장비 140여곳을 '우려거래자(Entity List)'에 포함시켰으나, CXMT는 명단에서 제외했기 때문이다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 레거시 제품의 생산능력을 지난해 월 12만장에서 올해 월 20만장으로 확장하고 있다. 이를 위해 국내 복수의 반도체 전공정, 인프라 장비업체로부터 설비를 발주해 왔다. 나아가 CXMT는 내년에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 건설할 계획이다. 최근 국내 장비업계와 구체적인 장비 도입을 논의한 것으로 파악됐다. 구체적인 설비 공급 시기나 규모는 각 장비업체마다 다르지만, CXMT는 신규 공장을 통해 최대 월 10만장 규모의 생산능력을 확충할 것으로 관측된다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 주요 고객사들이 투자에 소극적으로 나서면서 중국 시장의 비중이 커진 협력사들이 여럿 있다"며 "CXMT가 규제 명단에 올라가지 않으면서 국내 기업들도 장비를 지속 공급할 수 있게 됐다는 기대감이 나오고 있다"고 설명했다. 中 내재화 빨라질수도…장기적으론 '악재' 다만 중국 장비 기업의 기술 자립화가 빨라지고 있다는 점은 국내 반도체 장비업계의 장기적 악재로 지목된다. 현재 중국에는 중웨이반도체(AMEC), 나우라(Naura) 등이 첨단 반도체 제조장비 개발에 열을 올리고 있다. 식각 공정에 강점을 둔 AMEC는 대만 주요 파운드리 TSMC에 5나노 공정용 건식 식각장비를 공급했으며, 나우라 역시 14나노급 식각장비 개발에 성공한 바 있다. 이들 기업은 현지 정부의 지원과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 급격한 성장세를 기록해 왔다. 특히 미국의 규제를 의식해, 기술력 향상에 온 힘을 쏟고있다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "아직 성과가 나오려면 시간이 걸리는 분야도 있지만, 중국 반도체 장비기업들은 반도체 공정 전 분야에 걸쳐 기술 내재화를 적극 추진하고 있다"며 "장비 업계에서도 중장기적으로는 중국향 매출이 점차 줄어들 것으로 예측하는 곳이 많다"고 밝혔다.

2024.12.04 16:21장경윤

LB세미콘-DB하이텍, 전력반도체 개발 협업키로…내년 1분기 양산 목표

LB세미콘은 DB하이텍과 협력해 고전력소자 제품용 RDL(재배선층) 개선 제품을 개발 중이라고 4일 밝혔다. 양사는 2025년 1분기 양산을 목표로 RDL 기술 개발을 진행 중이다. 현재 제품 신뢰성을 높이는데 중점을 두고 있으며, 이를 위해 제품 구조 개선과 소재를 변경했다. LB세미콘은 특히 저비용을 목표로 하는 전력 반도체 RDL 개선 제품 개발에 집중하고 있다. DB하이텍과의 협업에는 LB루셈도 참여한다. LB세미콘은 프런트 사이드(Front Side) 공정을 맡고, LB루셈은 백 사이드(Back Side) 공정을 담당해 각사의 기술적 강점을 최대한 활용한다는 계획이다. 또한 LB세미콘은 DB하이텍의 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 제품 개발에도 참여한다. DB하이텍은 현재 8인치 SiC·GaN 반도체 신사업을 추진 중이다. SiC와 GaN은 차세대 전력 반도체 소재다. 기존 실리콘 기반 반도체보다 물성이 좋아 전기차, 에너지저장장치(ESS), 인공지능(AI) 응용처 등에 쓰인다. LB세미콘과 LB루셈은 이번 협업을 통해 안정적인 파운드리 파트너를 확보하게 됐다. 또 빠른 성장이 예상되는 전력 반도체 사업에 진출할 수 있는 기반을 마련하게 됐다는 점에서도 의미가 크다. 회사는 이번 협력을 바탕으로 전력 반도체의 신뢰성과 기술력을 더욱 높이겠다는 방침이다. 시장조사기관 야노경제연구소에 따르면 2022년 전 세계 전력반도체 시장은 239억 달러(한화 약 32조2천230억원)에서 2030년 370억 달러(약 48조원)로 성장할 전망이다. LB세미콘 관계자는 "DB하이텍과의 기술 협력을 통해 미래 성장 동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 말했다.

2024.12.04 09:44장경윤

격변의 파운드리...삼성·인텔 수장 교체하고 위기 극복 나서

파운드리 업계가 격변의 시기에 놓여 있다. 삼성전자는 2030년까지 시스템반도체 1위를, 인텔도 2030년 파운드리 시장 점유율 2위로 도약하겠다는 야심 찬 목표를 세웠지만, 양사는 업계 1위인 대만 TSMC의 높은 벽을 넘지 못하고 파운드리 사업에서 부진에서 벗어나지 못하고 있다. 결국 인텔은 최고경영자(CEO)를, 삼성전자는 파운드리 사업부문 사장을 각각 교체하며 사업 쇄신에 나섰다. 이 같은 리더십 변화는 사업을 재정비하고 시장에서 잃어버린 신뢰를 다시 회복하겠다는 강력한 의지로 풀이된다. 인텔 파운드리 재도전 이끈 팻 겔싱어 CEO, 사실상 경질 인텔은 2일(현지시간) 2021년 취임해 약 3년 9개월간 인텔을 이끌었던 팻 겔싱어 CEO가 12월 1일자로 사임했다고 밝혔다. 전격 은퇴를 선언한 팻 CEO는 이사회로부터 신뢰를 잃고 사실상 경질된 것으로 알려졌다. 블룸버그통신은 소식통을 인용해 지난주 인텔 이사회는 팻 겔싱어 CEO와 사업 회복을 논의하면서 충돌이 극에 달했고, 결국 팻 CEO에게 은퇴 또는 해임의 선택권을 줬다고 보도했다. 인텔은 이사회가 새로운 CEO를 찾는 동안 데이비드 진스너 인텔 수석 부사장 겸 CFO(최고 재무 책임자)와 미쉘 존스턴 홀타우스 인텔 프로덕트의 CEO를 임시 공동 CEO로 임명했다. 이 같은 소식은 인텔이 지난달 26일 미국 정부로부터 78억6천만 달러의 보조금을 받는 것을 확정한지 일주일도 채 지나지 않아 발표돼 업계의 적지 않은 충격을 줬다. 팻 겔싱어 CEO는 한때 인텔의 구원투수로 주목받았다. 2021년 2월 인텔에 복귀한 겔싱어 CEO는 파운드리 사업 재진출을 선언하며 마국 내 4개 팹에 2년간 250억 달러(35조1천875억원)를 투자했지만, 뚜렷한 성과를 내지 못했다. 또 인텔이 칩 사업에서 가장 큰 기업이었던 시절 보다 더 많은 인력(13만2000명)을 고용하며 막대한 지출을 했다. 로이터통신은 겔싱어 CEO에 대해 "돈을 흥청망청 썼다"고 표현할 정도다. 인텔은 지난 3분기에만 166억달러(23조원)의 적자를 기록했고, 결국 1만5천명을 감축하는 고강도 구조조정에 들어갔으며 배당금 지급도 중단했다. 아울러 인텔은 파운드리 사업 외에도 엔비디아 등 경쟁 기업이 치고 나간 AI 반도체 시장에서 기회를 잡지 못해 선두와의 격차가 벌어지고 있다는 평가를 받는다. 이 같은 인텔의 사업 부진은 주식 시장에서도 여실히 드러났다. 겔싱어 CEO 취임 후 인텔 주가는 61% 하락했다. 반도체 업계 관계자는 "겔싱어 전 CEO의 비전과 전략은 과감했지만, 실행 과정에서의 성과 부족이 시장의 부정적 평가를 불러왔다"며 "이번 CEO 교체는 인텔이 시장 신뢰를 회복하기 위한 새로운 돌파구를 찾겠다는 의지로 보인다"고 분석했다. 블룸버그통신은 팻 겔싱어 CEO의 사임으로 인텔의 새로운 거래의 문이 열렸다고 평가했다. 파운드리 사업 분사, 알테라 및 모빌아이 사업부 매각, 알폴로가 인텔에 투자 제안 등의 여러 가능성이 열렸다. 삼성, 전영현·한진만 체제로 변화…메모리 경쟁력 회복, 파운드리 재정비 삼성전자 또한 지난달 27일 정기 사장단 인사를 통해 반도체 수장을 교체하며 쇄신에 나섰다. 2021년부터 약 3년간 삼성전자 파운드리 사업을 담당하던 최시영 사장이 물러나고, 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장이 파운드리 사장이 새로 임명됐다. 메모리 사업에서도 이정배 사장이 물러나면서 전영현 DS부문 대표이사(부회장)가 메모리 사업부장을 겸임하는 체제로 변화했다. 삼성전자는 핵심인 메모리 사업에서 고대역폭메모리(HBM) 등을 중심으로 경쟁력을 강화하고, 파운드리 사업에서는 공정의 수율 문제를 해결하고 고객 신뢰도를 회복하는 데 집중할 방침이다. 삼성전자는 2017년 파운드리 사업부를 출범하고 2019년 '시스템반도체 2030' 비전을 발표하며 2030년까지 시스템반도체 1위 달성 목표를 세웠지만 실상은 1위인 TSMC와 점유율 격차가 점차 벌어졌다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 파운드리 점유율은 TSMC 62.3%, 삼성전자 11.5%를 각각 기록 중이다. 이는 1년 전(TSMC 56.4%, 삼성전자 11.7%)과 비교해 두 기업간 점유율 격차가 더울 벌어진 상태다. 삼성전자는 첨단 패키징 기술 개발과 수율 향상을 통해 TSMC와의 기술 격차를 좁히고, 파운드리 사업에서 점유율을 확대해야 하는 과제를 안고 있다. 업계 관계자는 "삼성과 인텔 모두 이번 리더십 교체를 계기로 기술 혁신과 시장 전략을 강화해야 한다"며 "파운드리 사업에서는 TSMC와의 기술 격차를 좁히는 데 성공 여부가 중요하다"고 평가했다.

2024.12.03 17:11이나리

인텔, 美 정부 보조금 받는 대신 매각·분사 어려워져

인텔이 최근 미국 상무부와 합의한 108억 달러(약 15조 843억원) 규모 반도체지원법(CHIPS Act) 보조금에 인텔 인수·매각이나 파운드리 분사·상장을 제한하는 조건이 상당 수 포함됐다. 미국 상무부는 인텔에 직접 지급하는 78억 6천만 달러(약 10조 9천764억원), 국방부 소요에 따른 시큐어 인클레이브 기술 개발을 위한 30억 달러(약 4조 1천886억원)를 합쳐 총 108억 6천만 달러를 지원 예정이다. 인텔은 미국 상무부와 합의 직후 자금 조달, 유상증자 등 중요 변화 관련 8-K 보고서를 미국 증권거래위원회(SEC)에 제출했다. 이 보고서에 따르면 인텔의 지분이나 의사결정권 중 35% 이상을 제3자에 넘겨줄 수 없으며 인수나 합병 등으로 지배권에 변동이 생길 경우 보조금 지급이 중단된다. 인텔이 파운드리 사업을 분사할 때도 지분이나 의결권 중 50.1%는 인텔 소유여야 한다. 분사한 회사를 상장할 때도 인텔이 최대 주주로 남아야 하며 제3자의 지분률도 35% 미만으로 제한했다. 인텔이 파운드리 부문을 떼어낸 뒤 인수/합병으로 지배권이 바뀌어도 분사한 파운드리에서 반도체 웨이퍼를 구매하라는 조건도 딸려 있다. 이를 충족하지 못하는 거래가 발생할 것으로 예상되면 미국 상무부의 사전 승인을 거치도록 했다. 인텔이 상무부와 합의한 조건에서 지분율 제한, 매각 후 웨이퍼 구매 등을 명시하면서 지난 8월 이후 쏟아졌던 인텔 피인수설도 당분간 잦아들 것으로 전망된다. 9월 말 로이터통신과 월스트리트저널이 보도했던 퀄컴의 인텔 인수설도 동력을 잃은 것으로 보인다. 블룸버그통신은 최근 "퀄컴은 파운드리 매각이나 각국 경쟁당국 기업결합 심사 등 복잡한 요소가 많아 인텔 전체 인수에 흥미를 가지지 않는다"며 "퀄컴이 인텔 사업부 중 일부를 인수하거나, 혹은 나중에 다시 검토할 수 있다"고 보도했다. 10월 말 미국 하와이에서 진행된 퀄컴 연례 기술행사 '스냅드래곤 서밋' 중 기자와 마주친 크리스티아노 아몬 퀄컴 CEO는 '인텔의 전부, 혹은 일부를 살(buy) 의사를 가지고 있느냐'는 질문에 "나는 스냅드래곤 X 엘리트가 들어간 PC를 살 것"이라며 즉답을 피하기도 했다.

2024.12.01 12:03권봉석

삼성, 차세대 반도체 인재 전진배치…VCT D램·웨이퍼 본딩 주목

29일 삼성전자가 반도체 초격차 회복을 위한 '인적 쇄신'을 단행했다. 차세대 반도체 기술을 이끌어 갈 핵심 인재를 다수 등용하고, 메모리·시스템반도체 전 분야에서 역량이 검증된 젊은 인재를 발탁해 미래 성장동력을 확보한다는 전략이다. 특히 반도체(DS) 부문에서는 수직 채널 트랜지스터(VCT)·웨이퍼 본딩 등 차세대 반도체 시장의 경쟁력을 선점하기 위한 핵심 인재를 승진시켰다는 점이 주목된다. 임성수 DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을 주도해 왔다. VCT는 트랜지스터를 수평으로 배치하던 기존 D램과 달리, 트랜지스터를 수직으로 집적해 셀 밀도를 획기적으로 끌어올린 차세대 메모리다. 삼성전자는 내년 VCT D램의 초기 샘플 개발을 목표로 하는 등 관련 제품 상용화를 적극 준비 중인 것으로 알려져 있다. 문광진 DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 상무(51세)는 본딩·3D 집적 기술 전문가로, 차세대 제품용 웨이퍼 본딩 기술 개발을 주도하며 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보했다. 웨이퍼 본딩은 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 활용하지 않고 웨이퍼끼리 직접 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 반도체 다이(Die)를 서로 연결하는 D2D, 다이와 웨이퍼를 연결하는 D2W 방식에 비해 생산성이 뛰어나다. 또한 삼성전자는 40대 부사장을 다수 발탁해, 미래 경영자 후보군을 확대 및 강화했다. 배승준 DS부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 부사장(48세)은 D램 I/O 회로 설계 전문가로, DRAM 제품의 고속 I/O 특성 확보에 기여하며 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도했다는 평가다. 권오겸 DS부문 제조&기술담당 8인치 제조기술팀장 부사장(47세)은 로직 소자와 공정기술 전문가로 개발부터 양산 안정화, 고객 대응까지 프로세스 전반을 이끌며 레거시 제품 성능 및 사업 경쟁력을 강화했다. 한편 삼성전자는 이날 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 2025년 정기 임원 인사를 실시했다. 이번 인사에서는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명이 승진했다. 작년(143명) 보다 소폭 줄어든 규모다.

2024.11.29 11:10장경윤

삼성電 파운드리, 두 마리 토끼 잡는다

삼성전자가 2025년 정기 사장단 인사를 통해 파운드리 사업의 근원적인 경쟁력을 강화한다. 시스템반도체 강국인 미국에서 사업 경험을 쌓은 한진만 사장과 메모리 수율 향상의 주역인 남석우 사장을 동시에 배치해 파운드리의 핵심 두 축인 '고객사 네트워크'와 '수율'을 모두 챙기겠다는 전략이다. 27일 삼성전자는 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 이와 더불어 삼성전자는 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정했다. 파운드리는 반도체를 설계하는 팹리스 고객사로부터 수주를 받아 칩을 대신 제작해주는 사업이다. 때문에 안정적인 양산 기술은 물론, 고객사와의 긴밀한 네트워크 형성이 경쟁력의 핵심이다. 다만 삼성전자는 최근 파운드리 사업에서 고전을 면치 못하고 있다. 선두업체인 TSMC에 비해 IP(설계자산) 등이 부족하고, EUV(극자외선) 등 첨단 기술을 안정적으로 도입하지 못한 것이 원인으로 지목된다. 이로 인해 삼성전자는 최선단 파운드리 영역에서 애플·엔비디아·퀄컴 등 주요 고객사를 TSMC에 내주고 있다. 올 3분기 파운드리 사업부가 기록한 적자 규모도 1조5천억원에 달하는 것으로 추산된다. 이러한 위기 상황을 극복하기 위해 삼성전자는 이번 인사를 통해 파운드리 사업의 핵심인 수율, 고객사 협업을 동시에 강화하려는 것으로 풀이된다. 삼성전자 출신의 반도체 업계 고위 임원은 "한진만 사장은 근래 미국 비즈니스를 담당하며 현지 기업들과 끈끈한 관계를 쌓아 왔다"며 "미국이 팹리스 강국인 만큼, 한진만 사장이 고객사 비즈니스를 주력으로 챙길 것으로 보인다"고 말했다. 이 관계자는 이어 "남석우 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 인물 중 하나"라며 "최근 삼성전자가 최선단 파운드리 공정 수율 확보에 어려움을 겪고 있어 남석우 사장이 투입됐을 것"이라고 덧붙였다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘하고 있다. 남석우 사장은 반도체 공정개발 및 제조 전문가로, 반도체연구소에서 메모리 전제품 공정개발을 주도한 바 있다. 메모리·파운드리 제조기술센터장, DS부문 제조&기술담당 등의 역할을 수행하며 선단공정 기술확보와 제조경쟁력 강화에 기여해 왔다.

2024.11.27 11:28장경윤

삼성전자, 반도체 쇄신 속 한종희-전영현 '투톱 체제' 유지

삼성전자가 기존 한종희 DX(디바이스경험) 부문장(부회장)과 전영현 DS부문장(부회장) 투톱체제를 유지한 가운데 반도체 경쟁력 강화를 위해 메모리 사업부를 대표이사 직할 체제로 강화하고, 파운드리 사업부장을 교체하는 쇄신 인사를 단행했다. 특히 전영현 DS부문 부회장이 직접 메모리사업를 진두지휘하면서 위기 상황인 반도체 초격차 기술력 회복을 책임지게 됐다. 삼성전자는 27일 이 같은 내용을 골자로 하는 사장 승진 2명, 위촉 업무 변경 7명 등 총 9명 규모의 2025년 정기 사장단 인사를 발표했다. 삼성전자는 지난 5월 '원포인트' 인사를 통해 전격 투입된 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장)을 대표이사로 내정하면서 2인 대표이사 체제도 복원했다. 대표이사로 내정된 전영현 DS부문 부회장은 메모리사업부장과 SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장도 겸임한다. 메모리 경쟁력 회복에 총력을 기울인다는 취지다. 아울러 한종희 디바이스경험(DX) 부문장(부회장) 산하에 품질혁신위원회를 신설하고 한 부회장을 위원장으로 위촉, 전사 차원의 품질 역량을 강화하기로 했다. 삼성전자는 "2인 대표이사 체제를 복원해 부문별 사업책임제 확립과 핵심사업의 경쟁력 강화, 지속성장 가능한 기반 구축에 주력할 계획이다"고 밝혔다. 위기론이 불거진 파운드리 사업에서는 한진만 삼성전자 DS부문 DSA총괄 부사장을 DS부문 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 DRAM/Flash설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했으며 '22년말 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘해 왔다. 김용관 삼성전자 DS부문 경영전략담당 사장은 반도체 기획/재무업무를 거쳐 미래전략실 전략팀, 경영진단팀 등을 경험한 전략기획 전문가로 2020년 의료기기사업부장에 보임됐다. 비즈니스를 안정화 궤도에 올린 후 지난 5월 사업지원T/F으로 이동해 반도체 지원담당으로서 기여해왔다. 사장급 최고기술책임자(CTO) 보직을 신설해 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 남석우 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 CTO 사장은 반도체 공정개발 및 제조 전문가로 반도체연구소에서 메모리 전제품 공정개발을 주도했다. 메모리/파운드리 제조기술센터장, DS부문 제조&기술담당 등의 역할을 수행하며 선단공정 기술확보와 제조경쟁력 강화에 기여했다. 이원진 삼성전자 DX부문 글로벌마케팅실장 사장은 2014년 구글에서 영입된 광고/서비스 비즈니스 전문가로 삼성의 서비스 비즈니스를 만들고 성장시키며 경영자로서의 역량과 리더십을 입증했다. 고한승 삼성전자 미래사업기획단장 사장은 2008년 그룹 신사업팀과 바이오사업팀에서 현재의 삼성바이오에피스를 만들어낸 창립멤버다. 지난 13년간 대표이사로 재임하며 사업을 성장시킨 베테랑 경영자임 그룹 신수종 사업을 일궈낸 경험과 그간 축적된 경영노하우를 바탕으로 다시 한번 삼성의 새로운 미래먹거리 발굴을 주도할 예정이다.

2024.11.27 09:52이나리

[1보] 삼성전자 파운드리 사업부장에 한진만 사장

삼성전자 27일 2025년 사장단 인사를 통해 한진만 삼성전자 반도체(DS) 부문 미주총괄 부사장을 삼성전자 DS부문 파운드리 사업부장 사장으로 승진 및 선임했다.

2024.11.27 09:10이나리

FT "삼성전자, 혹독한 시험대 올라"

이재용 삼성전자 회장이 사업가로서 가장 혹독한 시험을 겪고 있다고 영국 경제일간지 파이낸셜타임스(FT)가 23일(현지시각) 보도했다. 파이낸셜타임스는 삼성전자가 세계 최대 메모리 반도체 칩 제조업체이지만 인공지능(AI) 기기에 필요한 고대역폭메모리(HBM) 분야에서는 경쟁사 SK하이닉스에 뒤처졌다고 지적했다. 반도체 위탁생산(파운드리) 분야에서도 삼성전자가 2030년까지 대만 TSMC를 추월하고 세계 1위에 오르겠다는 야망도 거의 진전을 이루지 못했다고 비판했다. 이에 삼성전자는 반도체 사업부 조직과 경영진을 개편할 계획이라고 전했다. 삼성전자가 지배하던 디스플레이와 스마트폰 분야에서도 중국 경쟁사에 시장 점유율을 빼앗기고 있다고 파이낸셜타임스는 덧붙였다. 삼성전자 직원과 투자자도 불만이라고 파이낸셜타임스는 꼬집었다. 삼성전자 노동조합은 임금과 근무 조건이 불만족스러워 지난 7월 사상 첫 파업에 나섰다. 지난해 말 7만8천500원이던 삼성전자 주가는 지난주 5만6천원으로 30% 가까이 떨어졌다. 삼성전자는 주주 가치를 높이고자 자사주를 10조원어치 사들이겠다고 최근 발표했다. 파이낸셜타임스는 이 회장이 오랜 기간 재판을 받고 있는 사실도 언급했다. 이 회장은 경영권 승계를 위해 삼성물산과 제일모직이 부당하게 합병하도록 하고 삼성바이오로직스 4조5천억원 분식회계에 관여한 혐의로 기소됐다. 서울고등법원은 25일 오후 2시 자본시장과 금융투자업에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 이 회장에 대한 항소심 결심공판을 연다. 검찰이 구형하고 이 회장 측은 최후진술할 예정이다. 1심 재판부는 이 회장의 19개 혐의에 모두 무죄를 선고했다.

2024.11.25 11:11유혜진

美 바이든 정부 "트럼프 오기 전 반도체 보조금 확정 목표"

미국 조 바이든 정부가 도널드 트럼프 대통령 당선인이 취임하기 전 반도체 보조금을 모두 지급하기로 확정하는 게 목표라고 밝혔다. 지나 라이몬도 미국 상무부 장관은 20일(현지시각) 미국 정치신문 폴리티코와의 인터뷰에서 “바이든 정부가 떠날 때까지 거의 모든 보조금을 의무화하는 게 목표”라며 “대기업과 관련해 발표하고 싶다”고 말했다. 바이든 행정부에서 제정된 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러를 지원하는 내용을 담았다. 미국 인텔과 마이크론, 삼성전자와 SK하이닉스 등이 상무부가 확약하기를 기다리고 있다. 지금까지 대만 TSMC, 미국 글로벌파운드리와 폴라반도체가 상무부와 구속력 있는 계약 협상을 마쳤다. 라이몬도 장관은 “마감일은 행정부가 바뀌는 날”이라고 언급했다. 내년 1월 20일 트럼프 당선인이 취임할 예정이다. 라이몬도 장관은 공화당이 반도체 보조금 예산을 없앨 가능성에는 선을 그었다. 그는 “반도체법은 국가 안보”라며 “오늘날까지도 양당의 강력한 지지를 받고 있다”고 강조했다. 미국에서 반도체 보조금이 삭감될 수 있다는 우려가 나오는 이유는 트럼프 당선인이 반도체법에 적대적이기 때문이다. 트럼프 당선인은 대통령 선거 후보 시절 인터뷰에서 반도체법을 “정말 나쁜 거래”라고 깎아내렸다. 이어 “기업에 보조금을 주는 대신 관세를 부과해 미국에 공장 짓게 만들어야 한다”고 주장했다.

2024.11.22 09:48유혜진

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