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'반도체 파운드리'통합검색 결과 입니다. (312건)

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김두호 퀄리타스반도체 대표 "올 하반기 PCIe·UCIe IP 수주 본격화"

국내 반도체 IP(설계자산) 전문기업 퀄리타스반도체가 올 하반기부터 해외 시장 공략에 속도를 낸다. 핵심 협력사인 삼성전자 파운드리의 4~8나노미터(nm) 공정 기반 IP를 다수 확보해, 미국 및 중국 고객사와 적극적인 공급 논의를 진행하고 있다. 김두호 퀄리타스반도체 대표는 최근 경기 성남시 소재 본사에서 기자와 만나 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 4·5·8나노 PCIe IP 라인업 확보…해외 시장서 성과 기대 지난 2017년 설립된 퀄리타스반도체는 초고속 인터페이스 IP를 전문으로 개발하는 기업이다. 인터페이스는 여러 반도체 소자 간의 데이터를 상호연결하는 기술이다. 적용처에 따라 MIPI(카메라모듈), PCIe(서버·컴퓨팅), UCIe(칩렛), 서데스(네트워크) 등 다양한 규격을 가진다. 퀄리타스반도체는 4개 규격을 모두 개발하고 있다. 특히 퀄리타스반도체가 최근 가장 주목하는 분야는 PCIe다. PCIe는 컴퓨터 메인보드와 프로세서(CPU·GPU 등), 스토리지(SSD 등)를 연결하기 위한 인터페이스 표준이다. 퀄리타스반도체는 세대에 따라 PCIe 4.0, 5.0, 6.0용 IP를 확보한 상태다. PCIe 6.0의 경우 지난 2022년 표준이 제정됐다. 이전 세대인 PCIe 5.0 대비 2배 빠른 64GT/s의 데이터 전송 속도를 갖춘 것이 특징으로, 내년 혹은 내후년부터 본격적인 상용화 궤도에 오를 것으로 전망된다. 퀄리타스가 보유한 PCie 4.0, 5.0, 6.0용 IP는 삼성전자 파운드리 4나노, 5나노, 8나노 공정을 기반으로 한다. 해당 공정은 인공지능, 자율주행, 데이터센터용 고성능 반도체에 활발히 활용되는 공정으로, 견조한 수요세가 지속될 것이라는 게 퀄리타스반도체의 시각이다. 김 대표는 "PCIe용 4~8나노 공정 IP는 현재 실리콘 검증을 마쳤다"며 "미국과 중국 시장을 중심으로 고객사 논의를 진행하고 있고, 특히 중국 시장에서는 올 하반기 계약 체결을 이뤄내는 것을 목표로 하고 있다"고 설명했다. 삼성전자 파운드리의 4~8나노 공정이 이전 대비 고객사에 많은 주목을 받고 있다는 점도 긍정적이다. 최근 삼성전자는 최첨단 공정의 무리한 개발 대신 기존 공정 최적화에 무게를 두고 있다. 또한 중국 팹리스 기업들은 공급망 안정화를 위해 대만 TSMC 대신 삼성전자에 위탁 생산을 문의하는 경우가 늘어나는 추세다. 첨단 패키징 '칩렛' 기술 대두에 UCIe IP도 주목 삼성전자 4나노, 5나노 공정 기반의 UCIe IP도 퀄리타스반도체의 주요 성장동력이다. UCIe는 칩렛간의 효율적인 고성능 통신을 위한 개방형 표준을 뜻한다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 최첨단 패키징 기술이다. 한 번에 칩 전체를 만드는 기존 모놀리식 방식 대비 수율 향상에 유리하며, 복잡한 구성의 칩을 보다 효율적으로 제조할 수 있게 만든다. 특히 고성능 컴퓨팅 구현이 필요한 AI 산업에서 수요가 증가할 것으로 예상된다. UCIe는 유망한 기술이지만, 그만큼 기술적 난이도가 높다. 때문에 관련 IP를 실리콘 검증까지 마친 기업은 퀄리타스반도체와 케이던스, 시높시스, 알파웨이브 등 소수에 불과하다. 이 중 알파웨이브는 지난 5월 퀄컴에 인수돼 내부 IP 사업 강화에 집중할 것으로 관측된다. 김 대표는 "PCIe와 UCIe를 중심으로 퀄리타스반도체의 IP 포트폴리오를 전년 대비 2배 가량 확충했다"며 "고성능 컴퓨팅과 첨단 패키징 기술을 검토하는 해외 고객사들과의 논의도 많아지고 있어, 다양한 분야에서 고객사 수주를 활발히 받을 수 있을 것"이라고 강조했다.

2025.07.23 10:50장경윤

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤

삼성전자 "D램, 3D 시대 온다…핀펫 기술 적용 가속"

“BCAT 기반 기존 D램은 10nm(나노미터, 10억분의 1m) 미만에서 한계에 달할 것으로 전망됩니다.” 오정훈 삼성전자 마스터는 15일 소노캄 여수에서 진행 중인 '2025년도 반도체공학회 하계종합학술대회'에서 이같이 전망했다. BCAT(Buried Channel Array Transistor)은 메모리 셀의 누설 전류를 줄이기 위해 개발된 트랜지스터 구조다. 채널 길이를 줄여 D램 셀의 크기를 줄이고 집적도를 높인다. 10나노 이하의 극미세 공정에서는 트랜지스터 크기를 줄여도 소자 간 간격이 좁아져 소자 간 연결을 위한 메탈의 저항이 커지고, 발열 문제가 발생할 수 있다. 오 마스터는 “셀 트랜지스터 공간을 다른 형태로 확장해서 써야한다”며 3D D램을 대안으로 제시했다. 3D D램은 메로리를 수직으로 쌓은 제품이다. 기존 D램은 셀이 수평으로 배치됐다. 기존 D램 대비 더 많은 셀을 집적할 수 있기 때문에 용량을 늘리고, 성능도 상승한다. 삼성전자는 3D D램 구현에 핀펫(FinFET) 공정을 적용한다. 핀펫은 반도체 소자의 성능 향상을 위해 개발된 3차원 구조 공정 기술이다. 평면(2D) 구조 한계를 극복하고 채널을 3면으로 둘러싼 게이트를 통해 전류 흐름을 효과적으로 제어한다. 과거 주로 파운드리(반도체 위탁생산)에 활용되던 기술이다. 오 마스터는 “컨벤셔널 D램에서도 핀펫을 전 제품에 쓰는 시대가 찾아올 것”이라고 말했다. 그러면서 “핀펫이 적용된 칩이 언젠가는 나오겠지만 시점에 대해서는 언급할 수 없다”며 “열심히 개발하고 있는 단계”라고 전했다. 다만 핀펫 공정은 페리 트랜지스터에만 적용된다. 페리는 D램에서 셀 주변의 회로를 제어하는 트랜지스터다. 4F스퀘어 적용 여부에 대해서는 발표하지 않았다. 4F스퀘어는 현재 시장 주류 기술인 6F 스퀘어에서 셀 면적을 더 줄인 구조로, 집적도를 높일 수 있는 차세대 기술로 평가받는다. 그러나 삼성전자가 4F스퀘어를 기반으로 D램 구조를 바꾼 뒤, 3D D램을 개발한다는 점을 고려하면 4F스퀘어부터 핀펫 공정이 적용될 가능성이 크다. 그는 파운드리 기술이 메모리 공정으로 적용이 가속화되는 상황이냐는 질문에 “그렇다”고 긍정했다.

2025.07.15 16:14전화평

SK키파운드리, LB세미콘과 '다이렉트 RDL' 공동 개발

SK키파운드리는 LB세미콘과 8인치 기반의 반도체 패키징 핵심 기술 Direct RDL(재배선)을 공동 개발하고, 신뢰성 평가까지 성공적으로 마쳤다고 15일 밝혔다. 이로써 회사는 본격적인 차세대 반도체 패키징 기술 고도화와 차량용 반도체 제품 경쟁력을 강화하게 됐다. RDL은 반도체 칩 위에 전기적 연결을 위한 금속 와이어와 절연층을 형성하는 것으로, 주로 WLP(웨이퍼레벨패키징) 및 FOWLP(팬아웃-웨이퍼레벨패키징) 공정에 적용해 칩과 기판 간의 연결성을 높이고 신호 간섭을 최소화하는 역할을 한다. 이번에 SK키파운드리가 LB세미콘과 함께 개발한 Direct RDL은 모바일이나 산업용 뿐 아니라 차량용으로도 적용 가능한 경쟁사 대비 높은 전류 용량의 전력 반도체에 적합한 수준인 15um까지의 배선 두께와 칩면적 70%까지의 배선 밀도를 확보했다. 또한 혹독한 환경에서 작동 신뢰성을 평가하는 AEC-Q100 차량용 반도체 국제 품질 표준 등급을 만족하는 –40℃부터 +125℃ 동작 온도 범위의 Auto grade-1 등급을 충족해 경쟁사와 달리 차량용 제품 지원도 가능하다. 이와 함께, 디자인 가이드 및 개발킷 제공을 통해 고객이 필요로 하는 작은 칩 크기, 낮은 소비 전력 및 저렴한 패키징 비용 특성을 갖춘 공정 솔루션을 지원한다. 반도체 패키징 및 테스트 전문 기업 LB세미콘은 SK키파운드리의 반도체 공정 전반에 걸친 이해와 숙련된 제조 역량 활용을 통해 개발 기간을 크게 단축할 수 있었다. LB세미콘의 후공정과 SK키파운드리의 파운드리 공정 기술 결합을 통한 최적화된 웨이퍼 레벨의 Direct RDL 형성을 통해 생산 효율성 극대화가 기대된다. 김남석 LB세미콘 대표는 “Direct RDL 공동 개발을 통해, SK키파운드리와 LB세미콘 간의 기술 경쟁력을 높이는 중요한 계기가 됐다"며 "양사 간 긴밀한 협력을 통해, 차세대 반도체 패키징 시장에서 높은 신뢰성을 바탕으로 주도권을 확보해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “반도체 패키징 전문기업 LB세미콘과의 공동 개발은 회사의 반도체 공정 전반에 걸친 고도화된 제조 역량을 첨단 반도체 패키징 공정 개발에 접목해 냈다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “SK키파운드리는 반도체 전문기업인 LB세미콘과의 지속적인 협업을 통해, 반도체 시장에서 명실상부한 전력반도체 명품 파운드리 달성을 위해 거듭 발전해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

2025.07.15 08:55장경윤

위로 쌓는 3D 반도체 시대 도래...핵심은 '극저온 식각'

지난날 반도체는 수평으로 배치됐다. 현재 상보형 금속 산화 반도체(CMOS) 공정 기반 칩이 단층의 수평 평면에 트랜지스터를 배치하는 데 최적화됐기 때문이다. 또, 전류가 흐를 때도 수평 배치된 금속 배선이 더 짧고 균일하게 설계 가능하다는 점도 반도체가 수평 배치되던 이유다. 그러나 오늘날 수평 배치는 집적도의 한계에 부딪혔다. 동일한 평면 위에 넣을 수 있는 트랜지스터 수에 물리적 제한이 걸린 탓이다. 3D 반도체, 평면의 끝에서 시작된 입체 전쟁 이에 반도체 업계에서 주목하는 기술이 3D 반도체다. 3D 반도체는 칩을 쌓아올린 기술이다. 기존 평면(2D) 반도체보다 집적도와 성능이 향상되면서도 전력 효율이 좋다. 3D 기술은 D램, 낸드플래시, SoC(시스템 온 칩) 등 다양한 반도체에 적용될 전망이다. 국내외 기업의 경우 제조업체를 중심으로 3D 반도체 개발에 한창이다. 삼성전자는 로직(시스템 반도체), 메모리, 패키징 전 영역에서 3D 반도체를 구현하려는 유일한 기업이다. 특히 3나노 이하 로직 반도체에 세계 최초로 적용한 GAA(게이트 올 어라운드) 기술에 3D 구조를 적용한다. GAA는 트랜지스터 핵심 구성요소인 채널 4개면을 게이트가 둘러싼 형태로, 기존 3개면이 접합된 핀펫(FinFET) 대비 고성능·저전력 반도체를 쉽게 구현할 수 있다. 삼성전자가 현재 연구 중인 3D GAA 구조는 '3DSFET'으로 불리며, 3D 적층과 GAA를 결합하고 있다. SK하이닉스의 경우 최근 실적을 견인하고 있는 HBM(고대역폭 메모리)이 D램 다이를 적층하고 TSV(실리콘 관통전극)로 연결한 3D 메모리다. 시장 1위인 HBM 기술력을 앞세워 단순 D램, 낸드 등 메모리 제조에서 벗어나, AI·고성능 연산에 적합한 프리미엄 메모리 중심의 기술 리더십 확보에 집중하고 있다. TSMC는 세계 1위 파운드리 기업답게, 3D 패키징과 칩렛 아키텍처에서 독보적인 경쟁력을 보여주고 있다. SoIC(system on Integrated Chips)이 TSMC의 대표적인 수직 적층 3D 기술이다. SoIC는 다양한 기능의 칩을 수직 방향으로 연결해 성능을 높이고 전력 손실을 줄이는 기술로 애플, AMD, 브로드컴 등 글로벌 기업들이 SoIC 기술을 활용하고 있다. 아울러 TSMC는 공정 미세화와 3D 패키징 결합을 통해 파운드리 경쟁력을 유지하며, 고부가가치 설계 기업들과의 파트너십을 적극 강화 중이다. 3D 반도체 핵심 기술 '극저온 식각' 이를 위해 필요한 기술이 바로 '극저온 식각' 기술이다. 식각은 반도체 웨이퍼 표면을 원하는 패턴대로 깎아내는 공정으로, 극저온 식각은 영하 60~70°C 환경에서 식각을 진행한다. 기존 식각 대비 30~40°C 가량이 더 낮은 환경에서 식각을 진행하는 것이다. 이처럼 낮은 온도에서 극저온 식각을 진행하는 이유는 정밀한 식각이 가능하기 때문이다. 해당 기술이 적용될 때 플라즈마는 실리콘 표면을 화학적으로 반응해 깎아낸다. 이후 산소가 산화막을 형성해, 저온 상태에서 고체 보호막으로 표면에 남는다. 이 보호막이 식각 방향성을 제어하며 옆면이 깎이지 않도록 보호하는 것이다. 보호막은 식각 후 온도를 올리거나 플라즈마로 제거한다. 반도체 장비 업계 관계자는 “극저온 식각은 반도체에서 금속간 연결을 담당하는 비아(Via)를 더 일정하고 깊게 팔 수 있도록 돕는다”며 “3D 기술 상용화를 위한 필수 기술”이라고 강조했다. 한편 삼성전자 등 제조사는 램리서치와 도쿄일렉트론(TEL)의 극저온 식각 장비를 테스트하고 있다.

2025.07.14 16:12전화평

TSMC, 2분기 매출 43.7조원...전년比 39%↑

TSMC가 올 2분기 9천338억 대만달러(한화 약 43조7천억원) 수준의 매출을 거둔 것으로 집계됐다. 업계 예상에 부합하는 수준으로 견조한 AI 수요가 성장세를 견인한 것으로 풀이된다. TSMC는 지난 6월 연결 기준 약 2천637억 대만달러의 매출을 기록했다고 10일 밝혔다. 전월 대비로는 17.7% 감소했으나, 전년동월 대비로는 26.9% 증가한 수치다. 이로써 TSMC는 올 2분기 총 9천338억 대만달러의 매출을 기록하게 됐다. 전분기 대비 11%, 전년동기 대비 39% 증가했다. 증권가 컨센서스인 9천241억 대만달러도 소폭 상회했다. 다만 환율 영향에 따라 달러 기준 실적은 달라질 가능성이 있다. 최근 TSMC는 AI용 반도체 수요 확대에 따라 최첨단 공정 매출을 크게 확대해 왔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 1분기 파운드리 시장 점유율은 67.6%로 전분기 대비 0.5%p 증가했다. 반면 주요 경쟁사인 삼성전자의 점유율은 7.7%로 전분기인 8.1% 대비 0.4%p 하락했다.

2025.07.10 16:05장경윤

美 글로벌파운드리, MIPS 인수…RISC-V CPU·AI 반도체 본격화

미국 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 글로벌파운드리가 RISC-V(리스크파이브) CPU와 AI 반도체 사업에 본격 나선다. 톰스하드웨어는 글로벌파운드리가 리스크파이브 CPU와 AI IP(설계자산) 기술력을 보유한 팹리스(반도체 설계전문) MIPS를 인수한다고 현지시간 8일 보도했다. 회사는 이번 인수로 반도체 설계부터 제조까지 가능한 '풀스택' 반도체 기업으로 도약한다는 전략이다. 글로벌파운드리는 MIPS의 리스크파이브 아키텍처 기반 CPU와 AI 가속기 IP, 센서 연산 기술 등을 자사 포트폴리오에 통합할 계획이다. 인수 금액은 공개되지 않았으며, 거래는 규제 승인 등을 거쳐 올 하반기 완료될 예정이다. MIPS는 지난 수년간 리스크파이브 ISA(명령어 세트 아키텍처)를 기반으로 저전력 고성능 프로세서와 AI 추론 플랫폼 '아틀라스(Atlas)' 등을 개발해온 IP 전문 기업이다. 특히 엣지 AI 및 차량용·산업용 시스템에 최적화된 기술을 갖추고 있어, 글로벌파운드리의 제조 기술과 결합될 경우 시장 경쟁력을 크게 끌어올릴 수 있을 것으로 평가된다. 글로벌파운드리는 이번 인수를 통해 리스크파이브 생태계에 직접 참여하며, 자사의 제조 공정에 최적화된 리스크파이브 기반 CPU와 관련 IP를 통합 공급할 수 있게 됐다. 이를 바탕으로 자동차, 데이터센터, 산업용 IoT 등 다양한 분야에서 맞춤형 반도체 솔루션을 제공할 예정이다. 닐스 안더스코브(Niels Anderskouv) 글로벌파운드리 최고운영책임자(COO)는 “이번 인수는 글로벌파운드리가 고성능·고효율 연산이 필요한 산업 분야에서 차세대 반도체 기술을 이끌어갈 수 있는 발판이 될 것”이라고 밝혔다. 사미어 와손(Sameer Wasson) MIPS 최고경영자(CEO)는 “GF의 글로벌 제조 역량과 결합해 엣지 AI와 RISC-V CPU 분야에서 혁신을 가속화할 수 있을 것”이라고 말했다. 한편 글로벌파운드리는 미국 국방부의 '신뢰할 수 있는 파운드리'로 지정된 기업 중 하나로, 이번 인수를 통해 보안성과 신뢰성이 요구되는 국방·항공우주 분야에서도 수요 확대가 기대된다.

2025.07.09 14:25전화평

"韓 반도체, 공급 역량 확충에 사활 걸어야"

국내 반도체 산업이 기회와 위기를 동시에 맞고 있다. AI·데이터센터 투자로 첨단 메모리 및 파운드리 수요가 급증할 것으로 보이지만, 미국·중국의 적극적인 투자 속 경쟁력을 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. 실제로 국내 기업의 투자비용 대비 정부 지원 비율은 5.25%로, 미국(27.5%) 대비 5분의 1 수준에 불과한 것으로 집계됐다. 또한 중국 주요 파운드리의 경우 매출 대비 시설투자액 비율이 98%로, 20~40% 수준인 삼성전자·SK하이닉스를 크게 앞선 것으로 나타났다. 9일 산업연구원(KIET)은 '반도체 글로벌 지형 변화 전망과 정책 시사점' 보고서를 통해 "반도체 패권 경쟁 승리를 위해 향후 5년간 우리 민관의 역량을 적지 집중 투입해야 한다"고 밝혔다. 中 메모리·파운드리 추격…SMIC, 매출 대비 시설투자액 98% 달해 반도체 시장은 향후 5년간 AI·데이터센터 산업 발전에 따라 급격한 성장세를 나타낼 전망이다. 맥킨지에 따르면, 데이터센터향 반도체 시장 규모는 올해 최소 718조원에서 2030년 3천892억원까지 증가할 것으로 예상된다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정도 초과 수요에 직면할 가능성이 높다. 경희권 연구위원은 "삼성바이오로직스가 장기간 빅파마 발주 가뭄 상황을 버티다 COVID-19 사태 당시 백신 품귀로 일약 동북아의 핵심 공급 파트너로 부상한 것처럼, 오랜 시간 수주의 구조적 불리함 속에 고군분투해 왔던 우리 파운드리에 짧지만 강력한 기회의 창(Windows)이 열린 상황일 수 있다"고 평가했다. 다만 중국의 레거시 메모리 및 파운드리 산업 추격은 국내 반도체 산업에 대한 실존적인 위협으로 다가오고 있다. 일례로 지난 2021년 낸드 시장 점유율이 2.7%에 불과했던 양쯔메모리(YMTC)의 2024년 점유율은 9%에 육박했다. 전년비 매출액 증가율은 160%다. 이준 선임연구위원은 "2022~2024년 기간 중국 집성전로기금 등 정부 지원에 힘입어 국적 파운드리 기업 SMIC의 매출 대비 시설투자액 비율은 98%(삼성전자·SK하이닉스 20~40% 선)를 기록했다"며 “과거 미국·일본·대만과 우리 경험을 바탕으로 중국 메모리·파운드리 기업들의 추격 속도를 상정하는 것은 매우 위험한 일”이라 강조했다. 美 기업도 비용 구조 개선 전망…"韓도 적기 공급 역량 확보에 사활 걸어야" 미국이 추진하고 있는 자국 내 반도체 공급망 강화 정책도 주요 변수 중 하나다. 미국은 지난 4일 '하나의 크고 아름다운 법', 이른바 트럼프 감세법을 발효했다. 덕분에 인텔 등 한 해 연구개발비를 20조 원 이상 지출하는 기업들은 국내·적격 연구개발(R&D) 지출 즉시 비용 처리가 영구화된다. 뿐만 아니라 시설투자(장비·기계·SW 등) 비용 100% 당해 과세연도 즉시 비용 처리 역시 영구화된다. 5년 기간 한정은 있지만, 신규 제조 시설 건물·공장 투자액까지 100% 비용 처리된다. 경희권 연구위원은 이번 법안으로 인텔·마이크론의 비용 구조가 급진적으로 개선될 가능성이 있다고 내다봤다. 그는 "인텔의 2022~2024년 기간 연구개발 지출 총액은 거의 700억 달러(96조 원)로, 칩스법의 투자세액공제와 직접보조금 외에 거액의 별도 세액공제 수혜 가능성이 있다”고 설명했다. 실제로 지난해 12월 제출된 반도체특별위원회 보고서에 따르면, 투자비용 대비 정부 지원 비율은 우리나라가 5.25%로 미국(27.5%), 일본(54.0%), EU(30.0%)에 비해 현저히 낮은 것으로 나타났다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 과감한 지원 정책이 필요함을 보여주는 대목이다. 경희권 연구위원은 "초과 수요로 인한 기회의 창은 길지 않다"며 "적기 공급 역량 확충을 위한 반도체특별법 합의안 도출과 통과, 그리고 토지·전력·용수 등 인프라 적시 공급 체계 확립이 매우 시급하다"고 말했다. 이준 선임연구위원은 "국가기간전력망확충특별법을 적극 활용하고, 새 정부의 AI 정책자금 역시 우리 인공지능 반도체와 양산 주력 기업에 조달 정책 형태로 투입하는 방안도 고려할 수 있다"며 "민관의 총력전이 진행 중인 21세기의 오늘, 우리 정부와 기업, 수많은 이해관계자들의 중지(衆志)를 모아 다시금 도약의 시대를 열어야 한다"고 강조했다.

2025.07.09 11:30장경윤

팻 겔싱어 "인텔 퇴임은 어려운 결단...AI 영향력 과소평가"

인텔 퇴임 후 미국 팔로알토 기반 벤처캐피털 '플레이그라운드 글로벌'에서 반도체 부문 투자 책임자로 활동하는 팻 겔싱어가 최근 닛케이아시아, 임프레스 PC워치 등 인터뷰에서 인텔 관련 견해를 밝혔다. 팻 겔싱어는 2021년 2월 15일 취임 후 3년 10개월만인 지난 해 12월 초 인텔을 퇴임했다. 이후 올 3월 말 플레이그라운드 글로벌의 반도체 부문 투자 책임자로 취임했다. 일본 임프레스 PC워치에 따르면 팻 겔싱어는 "인텔에서 물러나기로 결정한 것은 매우 어려운 결단이었고 스스로 시작한 일을 직접 마무리하고 싶었지만 기회가 주어지지 않았다"고 밝혔다. 인텔은 지난 해 출시한 AI 가속기 '가우디3' 부진, 올해 출시 예정이었던 서버용 GPU 가속기 '팰콘 쇼어'(Falcon Shore) 출시 중단 등으로 AI 관련 분야에서 상당 부분 경쟁력을 상실한 상황이다. 팻 겔싱어는 닛케이 아시아와 인터뷰에서 "나 뿐만 아니라 많은 사람들이 AI가 미칠 영향력을 과소평가했다. 오늘날 AI 반도체는 AI에 필요한 연산 성능을 계속 향상시키고 있지만 이들 반도체의 전력 효율은 3세대에 가까이 변화가 없다"고 밝히기도 했다. 그는 또 "한 회사가 반도체 제조와 생산 시설을 동시에 제조하는 것은 여전히 옳은 일"이라고 밝히기도 했다. 팻 겔싱어는 취임 후 '반도체종합기업(IDM) 2.0' 슬로건 아래 내부 파운드리 경쟁력 강화, 외부 파운드리 활용 등을 내세워 체질 개선에 앞장섰다. 지난 해 1분기부터 인텔 파운드리 서비스(IFS)와 반도체 제조 기술 관련 부문을 한데 묶어 '인텔 파운드리' 그룹으로, 반도체 설계와 상품화 관련 조직을 '인텔 프로덕트' 그룹으로 분리하고 전사적자원관리(ERP)도 분리했다. 그러나 인텔이 외부 고객사 확보 핵심으로 꼽은 1.8나노급 인텔 18A(Intel 18A) 공정은 아마존과 마이크로소프트, 미국 국방부 등 극히 소수 고객사만 확보했다. 최근에는 립부 탄 현 CEO가 인텔 18A 공정 외부 고객사 확대를 중단하는 대신 이후 공정인 '인텔 14A'(Intel 14A)에 역량을 집중할 수 있다는 보도도 나왔다. 인텔 14A 공정은 일러도 2027년에야 실제 생산에 들어갈 예정이다.

2025.07.06 09:36권봉석

2나노에 묶인 삼성 '엑시노스' 로드맵…최적화가 성패 가른다

향후 2~3년간 삼성전자의 자체 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)인 '엑시노스' 개발 방향에 큰 변화가 생길 전망이다. 삼성전자가 당초 오는 2027년 1.4나노미터(nm) 공정을 양산하겠다는 계획을 일시 보류했기 때문이다. 엑시노스는 삼성전자의 차세대 공정을 가장 먼저 사용하는 제품으로, 삼성 파운드리 공정 로드맵의 변화에 가장 민감하게 대응할 수밖에 없다. 실제로 엑시노스를 설계하는 시스템LSI사업부는 향후 스텝을 면밀히 고민하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 삼성전자 시스템LSI 사업부는 차세대 모바일 AP 개발에서 2나노 공정 최적화에 중점을 둘 것으로 분석된다. 삼성, 1.4나노 공정 연기…차세대 '엑시노스'도 2나노 채택 지속 모바일 AP는 스마트폰 등 IT 기기의 두뇌 역할을 담당하는 칩으로, CPU·GPU·메모리 등 고성능 시스템반도체를 동시에 집적한다. 삼성전자는 시스템반도체를 설계하는 시스템LSI 사업부를 통해 자체 모바일 AP인 '엑시노스' 시리즈를 개발해 왔다. 모바일 AP는 최선단 파운드리 공정을 가장 빠르게 적용하는 반도체이기도 하다. 엑시노스의 경우 삼성전자 파운드리 사업부가 양산을 전담한다. 올 하반기에는 1세대 2나노(SF2) 공정 기반의 '엑시노스 2600'를 양산할 예정으로, 내년 1분기 출시 예정인 '갤럭시S26'가 핵심 적용처다. 나아가 시스템LSI 사업부는 차세대 AP 개발을 구상하고 있다. 삼성 파운드리의 공정 로드맵에 맞춰, 내년에는 2세대 2나노인 'SF2P' 공정을 활용한다. 다만 차차세대 AP 제품부터는 전략 수정이 불가피하다. 당초 삼성 파운드리는 오는 2027년께 1.4나노 공정인 'SF1.4'를 양산화할 계획이었다. 그러나 최근 최선단 파운드리 공정 개발에 난항을 겪으면서, 이를 늦추기로 했다. 업계에서는 빨라야 오는 2028~2029년에 1.4나노 공정이 양산될 것으로 보고 있다. 일례로 삼성전자는 이달 초 미국에서 진행한 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2025'에서 고객사 및 협력사에 "차세대 공정 개발을 우선하기보다는 2나노, 4나노 등 기존 공정을 안정화하고 수율을 개선하는 데 집중할 것"이라는 뜻을 전달한 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "통상 삼성 시스템LSI의 모바일 AP 개발 계획은 삼성 파운드리 로드맵과 연동되는 구조기 때문에, 중장기적으로 전략을 새롭게 구상해야 할 것"이라며 "삼성 파운드리가 1.4나노 대신 2나노 공정 고도화에 집중하면, 차세대 엑시노스 역시 2나노 공정을 지속 활용해야 한다"고 설명했다. 한계 다다른 공정 미세화…최적화가 미래 모바일 AP 시장 좌우 이에 따라 삼성전자는 향후 2~3년간 모바일 프로세서를 위한 신규 2나노 공정 개발에 집중할 것으로 전망된다. 삼성전자는 2027년에 SF2A·SF2Z 등 신공정을 내놓을 계획이지만, 이들 공정은 모바일 프로세서에 적합한 공정은 아니다. 전자는 차량용 반도체, 후자는 서버 및 HPC(고성능컴퓨팅) 분야가 주요 타겟이다. SF2Z의 경우 전력 공급선을 칩 후면에 배치하는 BSPDN(후면전력공급) 기술이 적용되는데, 비용에 민감한 모바일 AP에 적용하기엔 무리가 있다는 평가다. 업계 또 다른 관계자는 "스마트폰 가격은 크게 상승하지 못하는 반면, 최선단 파운드리 공정은 가격이 크게 뛰기 때문에 모바일 프로세서의 성능을 무작정 높이는 방향은 한계를 맞고 있다"며 "중기적으로는 2나노 공정에서 'DTCO(설계 기술 공동 최적화)'를 얼마나 잘 이뤄내는지가 모바일 AP 시장의 성패를 결정하게 될 것"이라고 말했다. DTCO는 반도체 설계와 제조 공정 기술 간의 최적화를 뜻한다. 기술적 성숙도가 낮은 최선단 공정에서 더 중요한 의미를 가진다.

2025.07.01 10:02장경윤

TSMC 계열사 VIS, 싱가포르 반도체 공장 조기 가동 검토

세계 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 TSMC 계열사인 VIS(Vanguard International Semiconductor)가 싱가포르에서 건설 중인 신규 반도체 생산라인의 가동 시점을 당초보다 앞당기는 방안을 검토 중이다. 블룸버그는 VIS가 싱가포르 내 신규 팹(반도체 생산공장) 생산을 2027년 상반기에서 2026년 하반기로 앞당기는 방안을 고려하고 있다고 현지시간 28일 보도했다. VIS는 이 같은 내용을 대만 타오위안에서 열린 기자간담회에서 발표했다. 팽 러우(Fang Leuh) VIS 회장은 “최근 지정학적 불확실성이 커지면서, 고객사들로부터 안정적인 공급망 확보에 대한 요구가 더욱 높아졌다”며 “이에 따라 조기 양산 가능성을 검토하고 있다”고 말했다. 이번 공장은 VIS와 네덜란드 반도체 기업 NXP가 공동 설립한 합작법인을 통해 추진되고 있다. 총 투자 규모는 약 80억달러(한화 약 11조원)로, 전기차(EV) 및 산업용 반도체에 주로 사용되는 300mm(12인치) 웨이퍼 기반의 제품 생산을 목표로 한다. VIS는 지난해 4분기에 해당 공장의 착공을 시작했으며, 현재는 1단계 라인의 조기 가동에 초점을 맞추고 있다. 향후 2단계 증설은 내부 검토를 거쳐 공식 승인을 받은 이후 추진할 계획이다. 다만, 팽 회장은 “미·중 무역 갈등과 관련된 통상 리스크가 여전히 생산 일정에 영향을 줄 수 있는 변수로 작용하고 있다”고 설명했다. 그럼에도 불구하고 VIS는 올해 하반기 매출이 전년 대비 소폭 증가할 것으로 내다봤다.

2025.06.30 16:26전화평

삼성 파운드리 '2세대 2나노' 공정 본격화...외부 고객사 확보 첫 발

삼성전자가 차세대 파운드리 경쟁력 회복을 위한 준비에 나섰다. 최근 2세대 2나노(SF2P) 공정에 대한 기초 설계를 완료하고, 협력사들과 고객사 유치를 위한 프로모션에 돌입했다. 삼성전자는 지난해 에이디테크놀로지, Arm, 리벨리온과 협력 개발하기로 공개한 차세대 AI 컴퓨팅 칩렛 플랫폼도 최근 SF2P 공정을 채택한 것으로 파악됐다. 내부 고객사인 시스템LSI의 차세대 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)를 제외하면 첫 활용 사례다. 27일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리와 디자인하우스(DSP) 기업들은 최근 SF2P 공정에 대한 프로모션을 본격화했다. SF2P 공정, 외부 고객사 유치 준비 마무리…설계 키트도 곧 완성 SF2P는 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 2세대 2나노 공정이다. 올 하반기 양산될 예정인 1세대 2나노(SF2) 공정 대비 성능은 12% 향상됐으며, 소비 전력은 25%, 면적은 8% 줄일 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다. 그동안 삼성전자와 DSP 협력사들은 잠재 고객사들과 SF2P 공정 수주에 대한 물밑작업을 진행해 왔다. 내부 고객사인 시스템LSI와도 SF2P 공정 기반의 차세대 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 설계 및 양산을 준비하고 있다. 나아가 올 2분기에는 외부 고객사들을 대상으로 SF2P 공정에 대한 프로모션에 나서기 시작했다. PDK(공정 설계 키트) 등 칩 설계를 위한 기본 준비가 마무리됐다는 판단에서다. PDK는 파운드리 기업이 고객사인 팹리스에 제공하는 소프트웨어다. 특정 공정 기반에 맞춰 칩 설계가 가능하도록 회로 도면과 특성, 시뮬레이션 도구 등 다양한 정보를 포함하고 있다. SF2P 공정의 PDK는 현재 0.9 버전까지 제작됐다. 통상 반도체 업계에서는 1.0 버전이 제작돼야 외부 고객사에 배포가 가능한 것으로 본다. SF2P 공정의 PDK 1.0 버전은 다음달에 개발될 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "SF2P 공정에 대한 제반 기술들이 갖춰지면서, 최근 삼성전자와 DSP 기업들이 SF2P 공정에 대한 수주 프로젝트를 진행하기 시작했다"며 "올해 삼성전자와 2나노 칩을 설계하려는 고객사들은 대부분 SF2P 공정을 쓰게될 것"이라고 설명했다. AI CPU 칩렛 플랫폼도 SF2P 공정 채택 실제로 삼성전자 SF2P 공정은 상용화 궤도에 오르고 있다. 삼성전자 파운드리 사업부와 DSP 기업 에이디테크놀로지, IP(설계자산) 기업 Arm, 국내 AI 반도체 팹리스인 리벨리온이 협력 개발하는 'AI CPU 칩렛(Chiplet) 플랫폼'이 최근 SF2P 공정을 채택한 것으로 파악됐다. 해당 프로젝트는 리벨리온의 AI 반도체 '리벨(REBEL)'에 에이디테크놀로지가 설계한 CPU 칩렛을 통합하는 것이 주 골자다. CPU 칩렛은 Arm의 '네오버스 컴퓨팅 서브 시스템(Arm Neoverse Compute Subsystems) V3'를 기반으로 설계되며, 삼성전자의 2나노 공정을 통해 양산된다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 최첨단 패키징 기술로, 복잡한 구성의 칩을 보다 효율적으로 제조할 수 있다는 장점이 있다. 해당 프로젝트는 지난해 9월 말 첫 공개됐다. 당시 참여 기업들은 삼성전자의 2나노 공정을 활용하기로 했으나, 구체적으로 어느 세대의 공정을 채택할 지는 확정하지 않았다. 그러나 이들 기업은 최근 SF2P 공정 채택을 확정하고 기술 개발에 돌입했다. 프로젝트 일정이 당초 예상보다 다소 지연되면서, 시기적으로 SF2P 공정을 활용하는 것이 더 적절하겠다는 판단이 작용한 것으로 풀이된다. 업계 또 다른 관계자는 "아직 구체적인 양산 사례가 있는 것은 아니지만, 삼성전자가 내부적으로 SF2P 공정에 대한 수율과 성능에 자신감을 드러내고 있는 것으로 안다"며 "삼성전자 파운드리에서도 DSP 기업들에게 SF2P 공정에 대한 프로모션을 적극 권장하고 있다"고 말했다.

2025.06.27 10:48장경윤

삼성 파운드리 사업 전략 수정…1.4나노 개발보다 2·4나노 수율 집중

삼성전자 파운드리가 위기 극복을 위해 사업 전략을 수정했다. 1.4나노미터(nm) 등 차세대 공정의 개발을 당초 계획보다 미루는 대신 기존 최선단 공정의 수율 개선과 고객사별 최적화에 역량을 집중하기로 했다. 최근 이 같은 기조를 협력사 측에 설명한 것으로 파악됐다. 25일 업계에 따르면 삼성전자는 2·4나노 등 최선단 공정의 수율 안정화 및 최적화 작업에 집중할 계획이다. 앞서 삼성전자는 지난 3일 미국 캘리포니아주 산호세 삼성 반도체 캠퍼스에서 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2025'를 개최한 바 있다. SAFE 포럼은 삼성 파운드리와 핵심 파트너, 고객사의 주요 인사들이 모여 첨단 기술과 향후 로드맵을 공유하는 자리다. 당시 포럼에 참석한 복수의 관계자에 따르면, 삼성전자는 1.4나노(SF1.4) 공정의 양산을 기존 로드맵 대비 늦출 계획이다. SF1.4는 당초 삼성 파운드리 로드맵에서 오는 2027년 양산을 목표로 한 차차세대 공정이다. 대신 삼성전자는 2·4나노 등 최선단 공정의 수율 안정화와 최적화에 주력하겠다는 뜻을 파트너 및 고객사에 전달했다. 특히 2나노미터는 삼성전자가 이르면 올 하반기 양산을 시작하는 첨단 공정이라는 점에서 주목된다. 첫 번째 공정인 SF2의 경우, 기존 3나노(SF3) 대비 성능이 12%, 전력효율성이 25% 가량 향상됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 최근 1.4나노 등 최선단 공정에 대한 도전보다는 기존 공정에 대한 안정성을 높이겠다는 뜻을 강조하고 있다"며 "구체적으로 2나노 등 첨단 공정의 수율 개선과 커스터마이즈 서비스 강화, 삼성 메모리를 활용한 턴키 서비스 제공 등을 약속했다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 파운드리 사업부가 기존 공정에 대한 고객사들의 반응이 대체로 좋지 않았다는 점을 받아들이고, 안정성에 초점을 맞추기로 했다"며 "1.4나노 공정의 구체적인 양산 시기를 재설정하지는 않았으나, 최소 2028~2029년이 될 것"이라고 말했다. 한편 삼성 파운드리 사업부는 초미세 공정에서 애플, 엔비디아, 퀄컴 등 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하지 못하면서 최근까지 부진을 겪어 왔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 삼성전자의 올 1분기 파운드리 시장 점유율은 7.7%로 전분기 8.1% 대비 0.4%p 하락했다. 같은 기간 주요 경쟁사인 대만 TSMC는 67.1%에서 67.6%로 0.5%p 증가한 것으로 나타났다.

2025.06.25 11:11장경윤

삼성전자 美 테일러 팹 내년 초 양산라인 투자

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 양산 준비를 가속화한다. 그간 지속적으로 늦춰졌던 인프라 시설 공사를 최근 재개한 데 이어, 내년 초 양산 설비를 처음 반입하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 테일러 파운드리 팹에 빠르면 내년 1~2월부터 2나노미터(nm) 공정용 양산설비를 도입하는 방안을 논의 중이다. 내년 초 양산라인 구축 준비…투자 계획 구체화 삼성전자 테일러 파운드리 팹은 지난 2021년 투자가 결정된 신규 공장이다. 당초 4나노 공정 양산을 목표로 했으나, 시장 상황 등을 고려해 2나노를 주력 공정으로 삼았다. 다만 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 완공과 양산라인 구축 시기를 여러 차례 미뤄왔다. 2나노 공정 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 진행할 경우 막대한 비용 손실이 우려되기 때문이다. 그러나 삼성전자는 올 2분기 테일러 팹의 클린룸 마감 공사를 재개했다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 클린룸이 구축된 뒤에야 각종 부대 설비 및 제조설비를 도입할 수 있다. 클린룸 구축 마감 시점은 올 연말이다. 삼성전자는 곧바로 내년 1~2월부터 양산라인을 구축하기 위해 유틸리티 등 설비를 도입하는 방안을 구상하고 있다. 현재 내부적으로 테일러 파운드리 팹용 장비 선정을 마무리하고, 조만간 협력사에 세부적인 투자 및 발주 계획을 구체화할 것으로 알려졌다. 일부 협력사의 경우 이미 내년 초 미국 내 장비 반입을 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 초도 양산라인 구축인 만큼 당장의 투자 규모는 크지 않은 것으로 추산된다. 다만 삼성전자의 차세대 파운드리 양산 준비가 본격화된다는 점에서, 업계의 기대감이 커지고 있다. 2나노 고객사 적기 확보가 중요…"현지 생산, 美 빅테크에 매력적" 향후 공장 가동의 관건은 대형 고객사 확보다. 삼성전자 2나노 공정(SF2)은 이르면 올 하반기 양산이 시작되는 초미세 파운드리 공정이다. 현존 가장 고도화된 3나노(SF3) 공정 대비 성능은 12%, 전력효율성은 25% 뛰어나면서도 면적은 5% 줄일 수 있다는 게 회사 측 설명이다. 그동안 삼성전자는 국내·일본 AI 반도체 팹리스를 2나노 공정 고객사로 확보했다. 그러나 주요 경쟁사인 TSMC와 달리 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하지는 못했다. 이에 삼성전자는 최근 잠재 고객사들과 2나노 공정 양산에 대한 협의를 적극 진행하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "테일러 파운드리 팹은 미국 내 첨단 반도체 생산을 원하는 고객사들에게 매력적인 선택지가 될 것"이라며 "공사 재개가 진행됐고, 그간 불확실했던 양산 라인 구축에 대한 논의도 구체화되면서 모처럼 활기가 도는 분위기"라고 말했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자와 협력사들이 미국 내 부품·장비 반입을 위한 인증 절차를 밟기 시작한 것으로 안다"며 "다만 실제 고객사 확보 성과에 따라 투자 계획에 변동성이 생길 수는 있다"고 설명했다.

2025.06.23 14:13장경윤

삼성전자, 하반기 반도체 전략 수립 착수…HBM·美 투자 돌파구 '절실'

삼성전자가 올 하반기 반도체 사업 전략 구상에 착수한다. 삼성전자 반도체 사업은 메모리·시스템반도체 분야 전반에서 고전을 겪고 있는 상황으로, 특히 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 따라 성패가 크게 좌우될 것으로 보인다. 향후 미국의 반도체 수출 관세 및 보조금 정책 향방도 삼성전자에게 큰 변수로 작용할 전망이다. 18일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장 주재로 글로벌 전략회의를 진행한다. 매년 6·12월 개최되는 삼성전자 글로벌 전략회의는 각 사업 부문의 상반기 실적 공유 및 하반기 사업 전략 등을 논의하는 자리다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부의 관세 정책, 미중 패권 전쟁, 중동 전쟁 등 거시경제의 불확실성이 날로 높아지는 만큼, 이에 따른 대응 전략을 집중 논의할 것으로 관측된다. 특히 반도체 사업의 부진을 타개할 돌파구 마련이 시급한 상황이다. 삼성전자 반도체 사업은 크게 D램과 낸드를 양산하는 메모리반도체, 파운드리, 시스템LSI 등 3개 축으로 나뉘어져 있다. 현재 삼성전자는 3개 사업부 모두 위기를 맞고 있다는 평가가 나온다. 메모리 사업, 1c D램 및 HBM4 상용화에 성패 삼성전자의 올 하반기 메모리반도체 사업 성패는 HBM(고대역폭메모리)에 크게 좌우될 것으로 예상된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 차세대 메모리다. AI 데이터센터에서 수요가 빠르게 급증해 왔으나, 삼성전자의 경우 지난해 HBM3E(5세대 HBM) 8단·12단 제품을 핵심 고객사인 엔비디아에 납품하는 데 실패한 바 있다. 이에 삼성전자는 HBM3E에 탑재되는 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 당초 공급 목표 시기는 6~7월경이었으나, 현재 업계는 양산을 확정짓기까지 더 많은 시간이 필요할 것으로 보고 있다. HBM4(6세대 HBM)와 1c(6세대 10나노급) D램도 주요 안건에 오를 전망이다. 삼성전자는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 HBM4에 탑재해, 올 연말까지 양산에 나설 계획이다. 이를 위해 올해 초부터 평택캠퍼스에 1c D램용 양산 라인 구축을 시작했으며, 1c D램의 수율 확보에 총력을 기울이고 있다. 올 3분기께 1c D램의 양산 승인(PRA)을 무리없이 받아낼 것이라는 게 삼성전자 내부의 분위기다. 물론 PRA 이후에도 대량 양산을 위한 과제가 별도로 남아있는 만큼, 낙관은 금물이라는 게 업계 전언이다. TSMC와 벌어지는 격차…2나노 적기 양산 시급 삼성전자 파운드리 사업부는 3나노미터(nm) 이하의 초미세 공정에서 애플, 엔비디아, 퀄컴 등 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하는 데 난항을 겪고 있다. 이에 업계 1위 대만 TSMC와의 격차가 지속 확대되는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 삼성전자의 올 1분기 파운드리 시장 점유율은 7.7%로 전분기 8.1% 대비 0.4%p 하락했다. 같은 기간 TSMC는 67.1%에서 67.6%로 0.5%p 늘었다. 이르면 올 하반기 양산에 돌입하는 2나노 공정 역시 TSMC가 한 발 앞서있다는 평가다. 최소 60%대의 안정적인 수율을 기반으로, 대만 내 공장 두 곳에서 양산을 준비 중인 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자도 복수의 잠재 고객사와 2나노 공정에 대한 양산 협의를 진행하고 있다는 점은 긍정적이다. 지난해 일본 AI반도체 팹리스인 PFN(Preferred Networks)의 2나노 칩 양산을 수주한 데 이어, 최근에는 퀄컴·테슬라에도 적극적인 대응을 펼치고 있다. 자체 모바일 AP(애플리케이션프로세서)인 '엑시노스 2600'는 내년 '갤럭시S26' 시리즈를 목표로 개발이 진행되고 있다. 회사는 1분기 보고서를 통해 "올 하반기에는 2나노 모바일향 제품을 양산해 신규로 출하할 예정"이라며 "성공적인 양산을 통해 주요 고객으로부터 수요 확보를 추진하고 있다"고 밝힌 바 있다. 복잡해지는 미국 투자 셈법…파운드리 삼성전자가 미국 테일러시에 건설 중인 신규 파운드리 팹도 면밀한 대응책이 필요한 상황이다. 앞서 삼성전자는 해당 지역에 총 370억(약 50조원) 달러를 들여 2나노 등 최첨단 파운드리 공장을 짓기로 했다. 첫 번째 공장은 현재 공사가 대부분 마무리됐다. 올 2분기에도 협력사에 클린룸 마감 공사를 의뢰한 것으로 파악됐다. 이에 미국 정부도 칩스법에 따라 지난해 말 삼성전자에 47억4천500만 달러의 보조금을 지급하기로 했다. 다만 트럼프 2기 행정부는 칩스법의 혜택을 받는 기업들이 자국 내 투자를 더 확대하도록 압박하고 있다. 실제로 TSMC는 향후 4년 간 미국에 최소 1천억 달러(약 146조원)를, 마이크론은 기존 대비 투자 규모를 300억 달러(약 41조원)를 추가 투자하기로 했다. 삼성전자로서도 투자 확대 압박을 느낄 수 밖에 없는 상황이다. 그러나 삼성전자는 테일러 파운드리 팹에 선제적인 투자를 진행하기 어렵다. 고객사의 중장기적 수요가 확보되지 않은 상태에서 생산능력을 확장하면 막대한 투자비 및 운영비를 떠안아야 되기 때문이다. 현재 삼성전자가 첫 번째 테일러 파운드리 팹에 제조설비 반입 시기를 늦추고 있는 것도 같은 연유에서다. 반도체 업계 관계자는 "미국 오스틴 팹의 가동률도 저조한 상황에서, 테일러 팹에 설비를 도입하고 가동하는 순간 바로 수익성에 타격이 올 수밖에 없다"며 "삼성전자가 미국 내 투자 전략에 상당히 고심하고 있는 이유"라고 말했다.

2025.06.18 09:01장경윤

램리서치, 업계 최초 '솔리드 형태' 플라즈마 기술로 식각 장비 승부수

램리서치가 업계 최초로 솔리드(Solid) 형태의 플라즈마 소스를 활용한 식각 장비로 차세대 반도체 시장을 공략한다. 기존 대비 식각의 정밀성과 생산 효율성을 모두 높인 것이 특징으로, 수직 구조의 차세대 D램과 2나노미터(nm) 이하의 초미세 파운드리 분야에 적용될 것으로 기대된다. 실제로 해당 장비는 주요 고객사의 양산 및 R&D(연구개발) 라인에 이미 도입되기 시작한 것으로 알려졌다. 5일 램리서치는 서울 강남에서 기자간담회를 열고 회사의 최신형 식각 장비인 '아카라(Akara)'의 기술력 및 시장 전략에 대해 소개했다. 혁신 기술로 이온 반응 속도 100배 향상…종횡비 최고 수준 구현 아카라는 램리서치의 최신형 컨덕터 식각 장비다. 식각이란 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. D램·낸드 등 메모리반도체는 물론, 시스템반도체 분야에서도 필수적으로 쓰인다. 아카라는 기존 램리서치의 식각 공정에서 한층 진보된 기술을 대거 탑재했다. 크게 ▲다이렉트드라이브(DirectDrive) ▲템포(TEMPO) ▲스냅(SNAP) 세 가지로 나눌 수 있다. 이를 통해 식각의 정밀성과 생산 효율성을 극대화할 수 있다는 게 램리서치의 설명이다. 다이렉트드라이브는 식각 업계 최초로 솔리드 스테이트 릴레이(전자 스위치 장치)를 활용해 플라즈마(식각을 위한 이온화된 물질)를 제어하는 기술이다. 기존 기계식 플라즈마 소스 대비 반응 속도가 100배 빨라, 보다 정밀한 식각을 가능하게 한다. 템포는 고성능 플라즈마 펄싱(플라즈마를 껐다 켜며 강도를 조절하는 기술)을 뜻한다. 웨이퍼의 손상을 최소화하고 균일한 식각 품질을 확보할 수 있는 기술이다. 스냅은 플라즈마에 존재하는 이온 에너지를 제어하는 시스템으로, 원자 단위의 식각 성능을 구현한다. 조상준 램리서치코리아 부사장은 "아카라는 고성능 플라즈마 기술을 기반으로 현존하는 최고 식각 성능인 200대 1의 종횡비를 구현한다"며 "단순히 200대 1의 종횡비를 구현하는 기술은 타사에도 있으나, 웨이퍼 손상 없이 효율적인 식각을 구현하는 기술은 아카라가 보유한 장점"이라고 설명했다. 종횡비는 패턴의 높이(깊이)와 너비의 비율로, 수치가 높을수록 식각 능력이 뛰어나다고 볼 수 있다. VCT·3D D램, 초미세 파운드리 공정 목표…"이미 양산 적용" 램리서치는 아카라를 통해 차세대 반도체 시장을 공략할 계획이다. 현재 주요 고객사의 차세대 D램, GAA(게이트-올-어라운드) 파운드리 공정 등에 채택돼, R&D 및 양산 라인에 도입되고 있는 것으로 알려졌다. D램의 경우 차세대 제품인 7세대 10나노급(1d) D램은 물론, VCT(수직 채널 트랜지스터) 등 새로운 셀 구조의 D램에도 아카라가 적용될 것으로 기대된다. VCT는 기존 수평으로 배치하던 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 크기를 획기적으로 줄일 수 있다. 나아가 셀 자체를 수직으로 쌓는 3D D램에서도 수요가 예상된다. 두 기술 모두 정밀하고 깊은 식각 기술을 필요로 하기 때문이다. 박준홍 램리서치코리아 대표는 "기존 평면 D램에서도 아카라가 활용될 수 있는 공정이 있고, 차세대 D램에서도 모두 수요가 있을 것"이라며 "시스템반도체는 2나노부터 1.4나노, 1나노급의 공정도 모두 아카라가 충분히 대응할 수 있다"고 강조했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있어 TSMC와 삼성전자 등 주요 파운드리 기업들이 초미세 공정에 도입한 바 있다.

2025.06.05 16:56장경윤

TSMC, 3나노 양산 5개 분기만에 '풀가동'…"2나노는 더 빨라"

대만 주요 파운드리 TSMC가 AI 반도체 수요 확대에 힘입어 최선단 공정 비중을 크게 늘리고 있다. 특히 3나노 공정은 양산 개시 시점부터 5개 분기만인 지난해 하반기 '풀가동' 체제를 기록한 것으로 나타났다. 나아가 2나노 공정의 가동률은 이보다 더 빠르게 올라올 전망이다. 21일 카운터포인트리서치(이하 '카운터포인트')에 따르면 TSMC의 3나노미터(nm) 공정은 양산 이후 5분기 만에 처음으로 가동률 100%에 도달했다. 이는 애플의 A17 프로 및 A18 프로를 비롯해 x86 PC용 CPU와 기타 애플리케이션 프로세서(AP SoC)의 수요가 급증한 덕분이다. 향후에도 엔비디아의 루빈 GPU 및 구글의 TPU v7, AWS의 트레이니엄3 등 AI 반도체 도입이 본격화되면서 높은 가동률이 유지될 것으로 전망된다. 반면 구형 공정인 7·6나노 및 5·4나노는 주로 스마트폰 시장에 초점을 맞추면서 생산 확대가 상대적으로 더디게 진행됐다. 7·6나노 공정 가동률은 2020년 스마트폰 수요 급증으로 정점을 찍었고, 5·4나노 공정은 2023년 중반부터 모멘텀이 반등하며 점진적 회복세를 보였다. 이러한 회복세는 주로 엔비디아의 H100, B100, B200, GB200 등 AI 가속기에 대한 수요 급증에 기인하며, 이는 AI 데이터 센터 확장에 기여하면서 5/4나노 공정의 전체 가동률을 다시 끌어올렸다. TSMC의 2나노 공정은 양산 이후 4분기 만에 완전 가동률에 도달할 것으로 전망된다. 이는 역대 어떤 공정보다 빠른 속도로, 스마트폰과 AI 관련 수요가 동시에 강하게 작용한 결과로 풀이된다. TSMC 역시 2025년 1분기 실적 발표에서 “2나노 기술 양산 초기 2년 동안의 새로운 설계는 3나노 및 5/4나노보다 많을 것으로 예상되며, 스마트폰과 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션이 수요를 견인할 것이다”고 밝힌 바 있다. 애플 외에도 퀄컴, 미디어텍, 인텔, AMD 등 주요 반도체 업체들이 2나노 기술 도입을 검토 중인 것으로 알려졌다. 이러한 기업들의 2나노 기술 채택은 2나노 공정의 높은 가동률을 유지하는데 기여할 것으로 전망된다. TSMC는 지정학적 위험을 완화하고, 미국 소비자 수요 증가에 발맞추기 위해 애리조나 공장에 최대 1천650억 달러를 투자하고 있다. 해당 공장은 4나노, 3나노는 물론, 향후 2나노 및 그 이후의 첨단 공정까지 생산할 계획이며, 장기적으로는 전체 2나노 생산능력의 약 30%가 미국에서 충당될 수 있을 것으로 보인다. TSMC는 핵심 연구개발과 공정 설계는 대만에 유지하면서도, 미국 내 생산 확장으로 2나노 공정 및 이후 공정 생산 능력의 최대 30%를 미국에서 생산했다. 이러한 이원화 전략은 TSMC의 지정학적 리스크를 낮춰주는 한편, 고객 요구에 맞춘 생산 능력을 제공할 것으로 보인다.

2025.05.21 17:31장경윤

K-반도체 육성, 기존 틀 깨야 불확실성 돌파…새 정부 과제 '산적'

윤석열 전 대통령의 탄핵 이후 들어서는 새 정부는 정치 혼란 속에서도 산업과 기술의 방향성을 다시 세울 중대한 책임을 떠안게 됐다. 동시에 전 세계는 기술의 또 다른 거대한 전환점을 맞이하고 있다. AI가 특정 산업의 기술을 넘어, 모든 산업에 스며드는 '기반 인프라'로 자리 잡고 있는 것. 자동차에서 헬스케어, 게임, 미디어, 금융에 이르기까지 AI는 이미 산업 생태계의 기초 체력으로 작동하기 시작했다. 지디넷코리아는 창간 25주년을 맞아 이 격변의 시점에서 AI 기반 산업 대전환기에 진입한 대한민국의 산업 현장을 진단하고, 각 산업 분야 전문가들과 함께 'AI시대, 새 정부가 해야 할 일'을 짚어본다. [편집자주] 국내 반도체 산업이 어느 때보다 높은 불확실성에 휩싸였다. 거시경제의 악화로 전방산업 수요가 빠르게 회복되지 않는 가운데, 중국 후발주자들의 거센 추격으로 탄탄했던 경쟁력을 잃어가고 있다는 우려가 제기된다. 최근 심화된 미·중간 패권 다툼도 국내 반도체 생태계를 위협하는 요소 중 하나다. 이 같은 글로벌 국면에서 다음 달 출범하는 새 정부는 수 많은 과제들을 시급히 해결해야 하는 과제를 떠안고 있다. 전문가들은 엄중한 현실에 맞춘 실용적인 반도체 설비투자 및 R&D(연구개발) 지원 정책, 근원적인 시스템반도체 경쟁력 회복을 위한 전략 및 인력 양성 계획 수립이 필요하다고 지적한다. 자유무역 시대 지나가…"기존 틀 깨고 반도체 육성에 집중해야" 미국은 지난해부터 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위를 꾸준히 높여가고 있다. 지난해 말에는 국내 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 기업이 시장을 주도하는 HBM(고대역폭메모리)에 대한 수출 제한과 함께, 반도체 제조장비에 대한 수출 규제 범위를 대폭 넓혔다. 올해 트럼프 2기 행정부에 들어서는 전 세계 무역질서 변화와 IT 수요 감소를 야기하는 관세 정책이 발효됐다. 나아가 트럼프 대통령은 반도체 분야에 대한 별도의 관세율 부과를 계획하고 있으며, 자국 내 투자를 계획한 반도체 기업들에 대한 보조금(Chips Act) 지급도 재검토에 나서는 등 업계의 불안감을 키우고 있다. 중국은 이에 맞서 자국 내 반도체 공급망 자립화에 속도를 내는 분위기다. 지난해 5월 발표된 3기 반도체 투자기금의 경우 자본금 규모가 3천440억 위안(한화 약 64조원)으로 2기(약 2천억 위안) 대비 크게 늘어났다. 덕분에 현지 주요 파운드리인 SMIC와 메모리 기업인 CXMT·YMTC 등은 물론, 나우라·AMEC 등 장비기업들도 기술력을 빠르게 끌어 올렸다. 이처럼 반도체 산업은 단순히 시장경제를 넘어 국가 안보의 핵심 수단으로서 주목받고 있다. 우리나라 정부 역시 국제 정세를 반영해, 반도체 산업을 집중 육성하기 위한 정책을 펼쳐야 한다는 주장이 나온다. 김정회 한국반도체산업협회 부회장은 "자유무역 시대가 지나가면서, 정부에서도 기존 정책적인 틀 자체를 바꿔서 새로운 시도를 해야 한다"며 "이전에는 개별 업종에 대한 보조금 지급에 대해 정부나 WTO 등에서 거부감을 드러냈으나, 물리적 환경이 바뀐 지금은 반도체 산업에 초점을 맞춘 지원책이 필요하다"고 말했다. 반도체 정책 진두지휘할 '컨트롤 타워' 절실 보다 과감한 국가 반도체 육성 전략을 위해서는 두 가지 선별 과제가 제시된다. 먼저 김형준 차세대지능형반도체사업단장은 국내 반도체 산업 정책을 총괄할 수 있는 컨트롤 타워의 필요성을 강조했다. 김 단장은 "현재 반도체 투자에 대한 지원은 산자부, 과기부, 중기부 등에서 각각 관리하고, 인력은 교육부가 담당하는 등 분산 및 중복이 되는 사례들이 있다"며 "장치산업으로서 대규모 투자가 필요한 반도체를 지원하려면 범부처 성격의 통합적인 컨트롤 타워가 세워져야 한다"고 강조했다. 정부의 반도체 산업 육성 전략도 현실성과 속도에 무게를 둬야 한다는 게 전문가들의 시각이다. 최근 반도체 시장의 부진으로 기업들의 수익성 확보가 어렵고, AI 등 첨단 산업에 대한 생태계 구축이 시급한 만큼 단기적으로 성과를 낼 수 있는 분야에 주력해야 한다는 이슈에서다. 김 단장은 "최근 출범한 양자전략위원회처럼 장기적 관점에서의 성장 동력을 확보하는 것도 물론 중요하지만, 지금 당장 국내 반도체 산업은 대내외적으로 위기를 맞고 있다"며 "반도체가 우리나라 전체 수출에 20% 이상을 기여하고 있음에도, 매출액 대비 지원 규모는 미국·중국에 비해 떨어지는 것이 현실"이라고 꼬집었다. 김용석 가천대 반도체교육원장 겸 반도체공학회 고문은 "국내 반도체 기업들의 성장을 촉진하기 위한 요소는 결국 자금으로, 충분한 투자비를 지원해주는 것이 가장 시급하다"며 "R&D(연구개발) 속도를 높이기 위해서는 연구인력에 대한 주 52시간 근무 예외 적용도 더는 지체되서는 안 된다"고 강조했다. 시스템반도체 육성도 중요…토종 팹리스서도 '한강 작가' 나와야 국내 반도체 시장이 강세를 보이는 분야는 단연 D램·낸드 등 메모리반도체다. 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 기업들을 중심으로 한국은 전 세계 메모리 시장에서 60% 수준의 점유율을 기록하고 있다. 반면 시스템반도체 시장 점유율은 3%대에 불과하다. 시스템반도체의 핵심인 양질의 설계 인력이 부족하고, 팹리스·디자인하우스·파운드리 등 관련 생태계가 주요 경쟁국 대비 미흡한 탓이 크다. 한 팹리스 기업 대표는 "(대만)엔비디아가 세계에서 기업 가치가 가장 높은 것 처럼, 시스템반도체 설계를 잘 하면 빠른 시간 내에 부가가치를 올릴 수 있다"며 "한강 작가의 책이 전 세계에서 사랑을 받았듯이, 뛰어난 아이디어와 설계 실력을 갖춘 팹리스가 한국에서 나온다면 시스템반도체 시장에 변혁을 가져올 수 있다"고 말했다. 때문에 새 정부는 시스템반도체와 관련한 소프트웨어 기술력 및 인재 육성에 집중할 필요가 있다. 팹리스 기업들을 위한 체계적인 인력 양성 정책, 원활한 R&D 환경 구축을 위한 기금 조성 등이 선결 과제로 꼽힌다. AI 산업의 주요 트렌드로 자리잡고 있는 온디바이스AI에 대해서도 발빠른 준비가 필요하다. 온디바이스 AI는 서버 및 클라우드를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술로, 가전과 로봇, 드론 등에 활발히 채용될 것으로 전망된다. 김용석 원장은 "우리나라는 전통적으로 제조업이 강한 나라로, 제품에 탑재되는 반도체가 가장 중요한 차별화 요소"라며 "자동차, 스마트홈 등 여러 산업과 두루 연관이 있어 이 분야를 집중적으로 투자해야 미래 경쟁력 확보가 가능할 것"이라고 말했다. "반도체 육성 결국 자금과 R&D, 주52시간제 근무 예외 적용 더 지체 안돼" [전문가 인터뷰] 김용석 가천대학교 반도체교육원장 겸 반도체공학회 고문 -차기 정부의 시급한 반도체 육성 정책은 무엇인가. "국내 반도체 기업들의 성장을 촉진하기 위한 요소는 결국 자금으로, 충분한 투자비를 지원해주는 것이 가장 시급하다. R&D(연구개발) 속도를 높이기 위해서는 연구인력에 대한 주 52시간 근무 예외 적용도 더는 지체되서는 안 된다." -한국 반도체 산업에서 시스템 반도체 분야가 가장 취약한데. "국내 시스템반도체 산업을 키우려면 시스템 아키텍트, 시스템 소프트웨어 인재를 육성하고, 산업체 출신을 전임, 정년보장 트랙 교수로 채용해 기업이 원하는 수준으로 실무 교육을 강화해야 한다. 많은 기업 경영자를 만나보면, 대학에서 배운 지식이 실제 산업계에 활용되지 않는다는 것에 아쉬움이 많다. 이를 개선하기 위해서는 교육 커리큘럼을 이론 중심에서 벗어나 실습 위주로 전면 개편해야 한다." -한국 반도체 산업에 미래를 걸어야 하는 이유는. "우리나라는 전통적으로 제조업이 강한 나라로, 제품에 탑재되는 반도체가 가장 중요한 차별화 요소"라며 "자동차, 스마트홈 등 여러 산업과 두루 연관이 있어 이 분야를 집중적으로 투자해야 미래 경쟁력 확보가 가능하다." ■김용석 원장은 김용석 가천대학교 반도체대학 석좌교수이자, 가천반도체교육원 초대 원장은 삼성전자에 1983년 입사해 31년간 시스템반도체, 이동통신 소프트웨어, 갤럭시 스마트폰 개발 등 다양한 분야에서 경력을 쌓은 시스템반도체 전문가다. 최근 김 교수는 반도체 전쟁과 신제조업 경쟁을 다룬 'AI 반도체 전쟁'이란 책을 출간했다.

2025.05.16 13:37장경윤

DB하이텍, 1분기 영업익 525억원…전년比 28% 증가

DB하이텍은 1분기 설적이 연결 기준 매출액 2천974억원, 영업이익 525억원(영업이익률 18%)으로 잠정 집계됐다고 28일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출액은 14%, 영업이익은 28% 증가했다. DB하이텍은 미국 관세에 대비한 선주문과 중국 양산 내재화 및 내수 활성화로 전력반도체 수요가 급증하며 개선된 실적을 기록했다. 응용분야 별로는 자동차·의료기기의 매출이 상승했다. 회사 관계자는 “당사 1분기 공장 가동률이 90%대로 상승하였으며, 2분기에도 이와 같은 분위기가 이어질 것으로 기대된다”며 “전력반도체 등 주력 제품을 중심으로 기술 차별화와 고도화를 지속하는 동시에, 신규사업 준비도 차질 없이 진행하며 사업 경쟁력을 지속 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 DB하이텍은 이달 28일과 29일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2025년 1분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2025.04.28 09:08장경윤

삼성·인텔 지붕 쳐다보나...TSMC "2028년 1.4나노 공정 양산"

대만 주요 파운드리 TSMC가 1.4나노미터(nm)급 공정을 오는 2028년 양산 개시할 계획이다. 삼성전자·인텔 등 경쟁사들과의 기술 격차를 유지하기 위한 초미세 공정 개발에 속도를 내려는 전략으로 풀이된다. TSMC는 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 '2025 북미 테크 컨퍼런스'를 열고 회사의 차세대 기술 로드맵을 공개했다. 이날 TSMC는 A14(1.4나노) 공정을 공개하면서 "오는 2028년 양산될 것으로 예상한다"고 밝혔다. 1.4나노는 초미세 공정의 영역으로, 주요 파운드리 기업들은 올해 하반기부터 2나노급 공정 양산에 돌입한다. 또한 후면전력공급(BSPDN)을 적용한 A14 공정은 2029년 출시할 예정이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. A14은 2나노 공정인 N2 대비 성능은 최대 15% 향상되며, 전력 소모량은 30% 저감할 수 있다. 칩의 집적도는 최소 1.2배 높아진다. 세부적으로 A14에는 TSMC의 2세대 GAA(게이트-올-어라운드) 나노시트 트랜지스터가 적용된다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다.

2025.04.24 09:58장경윤

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