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'반도체 파운드리'통합검색 결과 입니다. (263건)

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반도체 수요 회복세↑...새해 신규 공장 가동 수 '껑충'

올해 전 세계 반도체 생산능력이 전년 대비 6.4% 성장할 것이라는 분석이 나왔다. 세계 각국이 추진해 온 반도체 공급망 강화 전략에 따른 효과로, 올해 신규 가동되는 공장의 수도 크게 늘어날 것으로 전망된다. 3일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 올해 전 세계에서 가동을 시작하는 신규 반도체 공장의 수는 42개를 기록할 전망이다. 전 세계 신규 반도체 공장 가동 수는 2022년 29개, 지난해 11개를 기록한 바 있다. 올해는 전년 대비 4배 가까이 증가한 수치로, 이를 반영한 전 세계 반도체 월간 생산능력은 전년 대비 올해 6.4% 성장한 3150만 장에 달할 것으로 예상된다. SEMI는 "지난해에는 반도체 수요 감소와 재고 조정으로 설비투자가 위축됐으나, 올해는 세계 각국의 인센티브 정책에 힘입어 다시 투자가 급증하고 있다"며 "국가 및 경제 안보에서 반도체 공급망의 중요성이 높아지면서 이러한 추세는 지속될 것"이라고 설명했다. 국가 별로는 중국의 움직임이 가장 활발하다. 중국 반도체 제조기업들은 올해 18개의 신규 라인 가동으로 생산능력이 전년 대비 13% 증가한 월 860만 장을 기록할 전망이다. 대표적으로 현지 최대 파운드리인 SMIC는 올해 상하이, 톈진 신규 공장의 가동을 시작할 예정이다. 두 공장에 투자된 규모만 160억 달러(한화 약 20조 원)에 달하며, 28나노미터(nm) 공정을 주력 양산할 것으로 알려졌다. TSMC, UMC 등 주요 파운드리가 위치한 대만도 올해 5개의 신규 공장 가동에 나선다. 생산능력은 전년 대비 4.2% 증가한 월 570만 장을 기록할 것으로 예상된다. 한국은 신규 공장 1개가 가동되면서 생산능력이 전년 대비 5.4% 증가한 월 510만 장이 될 것으로 관측된다. SEMI가 보고서에 기술한 신규 공장은 SK하이닉스가 2022년 착공에 나선 청추 'M15X'로, 3D 낸드를 양산할 것으로 내다봤다. 다만 SK하이닉스가 관련 투자를 집행한 사례는 아직 포착된 바 없어, 실제 가동 시기 및 생산 제품에 대해서는 상황을 더 지켜봐야 한다는 의견도 제기된다. 미국은 6개의 신규 공장이 가동을 시작하면서 생산능력이 전년 대비 6% 증가한 월 310만장을 기록할 것으로 보인다. 절대적인 생산 규모는 타 국가에 비해 작지만, 미국에는 삼성전자와 TSMC, 인텔 등 주요 기업들의 첨단 공정 투자가 이어지고 있다. 특히 삼성전자는 올 하반기 미국 테일러시의 신규 파운드리 공장에서 4나노 공정 초도 물량 생산을 시작할 예정이다. 지난해 하반기부터 이를 위한 장비를 발주하기 시작했다. 현재까지 확정된 생산능력은 월 5천장 수준인 것으로 알려졌다.

2024.01.03 13:50장경윤

삼성 vs TSMC, 새해 '2세대 3나노 공정' 진검승부...수율이 관건

삼성전자와 대만 TSMC가 연내에 2세대 3나노미터(mn) 공정 양산을 시작하며 경쟁에 돌입할 예정이다. 두 회사는 2022년 1세대 3나노 공정에 이어 약 2년 만에 차세대 공정에서 칩을 생산한다는 점에서 주목된다. 2세대 3나노 공정은 성능뿐 아니라 수율 향상 여부에 따라 대형 고객사 확보에 영향을 미칠 것으로 보인다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 3나노(SF3E) 공정 양산을 시작한데 이어 올해 2세대 3나노(SF3) 공정 양산을 앞두고 있다. 앞서 삼성전자가 지난해 5월 일본 도쿄에서 개최된 글로벌 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에서 공개한 정보에 따르면 2세대 3나노 공정은 1세대(SF3E) 보다 향상된 게이트올어라운드(GAA) 공정을 적용했다. 그 결과 2세대 3나노 공정은 삼성전자의 이전 4나노 핀펫(FinFET) 공정 대비 성능이 22% 빨라지고, 전력 효율은 34% 향상됐으며, 로직 면적은 21% 더 작은 크기를 제공한다. 삼성전자는 2세대 3나노 공정에서 글로벌 서버향 업체를 고객사로 확보한 것으로 알려졌다. TSMC 또한 2022년 12월 3나노(N3) 공정 양산에 이어 올해 상반기 2세대 3나노(N3E) 공정을, 하반기에 고급 공정인 3나노(N3P)에서 칩 양산을 시작할 계획이다. TSMC에 따르면 1세대 3나노(N3) 공정이 5나노 공정(N5) 보다 성능이 10~15% 증가하고 전력소비가 25~30% 감소했다면, 2세대 3나노(N3E) 공정은 성능이 18% 증가하고 전력소비 32% 감소하며 업그레이드됐다. 또 N3P 공정은 N3E 보다 성능이 5% 향상, 전력소비가 5~10% 감소, 칩 밀도가 1.04배 증가했다. TSMC는 2세대 3나노 공정 고객사로 애플, 미디어텍, AMD, 엔비디아, 퀄컴 등을 확보한 것으로 알려져 있다. N3E 공정에서 생산되는 칩은 하반기에 출시되는 아이폰16용 모바일 프로세서(AP) 'A18 프로'가 대표적이다. 삼성 3나노부터 GAA 선제적 도입, TSMC 핀펫 유지…수율 확보 중요 3나노 공정은 삼성전자가 차세대 트랜지스터 구조인 GAA를 채택했고, TSMC는 기존 공정인 핀펫(FinFET) 구조를 유지하고 있다는 점에서 차이가 있다. GAA는 채널의 3개 면을 감싸는 기존 핀펫구조와 비교해, 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 기술로 꼽힌다. TSMC는 2나노 공정부터 GAA 구조를 적용할 계획이다. 삼성전자 파운드리 사업에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 GAA를 일찍 도입한 결과 2세대 3나노 성능이 1세대 보다 안정화됐다"라며 "첨단 공정이 궁극적으로 GAA 구조로 가고 있는 만큼, 먼저 노하우를 쌓은 삼성전자가 유리할 수 있다"고 말했다. 이 관계자는 또 "삼성전자가 2세대 3나노 공정에서 수율을 높인다면, '반격'의 계기를 마련해 TSMC와 진검승부를 할 것"이라고 덧붙였다. TSMC도 2세대 3나노 공정에서 수율 확보가 절실한 상황이다. 그동안 TSMC는 수율이 70%를 넘어야 애플로부터 웨이퍼의 제값을 받아 왔는데, 1세대 3나노 공정 수율이 70%에 도달하지 못하자, 동작하는 칩(KGD·known good die)만 판매하기로 계약한 바 있다. TSMC 입장에서는 손해를 보더라도 애플과 같은 대형 고객사를 유지하는 것이 낫다고 판단했기 때문이라는 해석이다. 업계 관계자는 "작년에 TSMC가 3나노의 낮은 수율 때문에 투입된 웨이퍼 단위로 가격을 받지 않고, 양품의 칩만을 애플에 청구하는 방식으로 계약한 것은 이례적인 케이스"라며 "TSMC도 2세대 3나노 공정 수율을 높여 애플 외에 여러 고객사를 확보하는 것을 목표로 할 것이다"고 말했다. 한편, 삼성전자와 TSMC는 내년부터 2나노 공정 기반으로 칩 양산을 목표로 한다. 삼성전자는 오는 2025년 모바일 향 중심으로 2나노 공정(SF2)을 양산하고, 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC)향 공정, 2027년 오토모티브향 공정으로 확대할 계획이다. 1.4나노 공정은 2027년 양산을 목표로 하고 있다. TSMC는 내년에 2나노 공정(N2), 2026년에는 업그레이드된 2나노 공정 N2P와 N2X를 각각 선보일 예정이다. 아울러 인텔도 가세해 올해 하반기에 인텔 20A(2나노급) 공정, 내년에 인텔 18A(1.8나노급) 공정으로 양산을 목표로 세웠다.

2024.01.03 13:09이나리

키파운드리, 'SK키파운드리'로 사명 변경

8인치 파운드리 기업 키파운드리는 사명을 'SK키파운드리'로 변경했다고 3일 밝혔다. 변경된 사명은 최근 주주총회에서 승인을 받았으며, 2024년 1월 1일부터 사용한다. SK키파운드리는 지난 해 말 국내 및 해외 상표권 출원을 마쳤다. SK키파운드리는 2020년 9월 매그나칩 반도체의 파운드리 사업부가 분사해 설립한 8인치 파운드리 기업으로, 2022년 8월 SK하이닉스의 자회사로 편입됐다. 이후 인수 후 통합(PMI) 과정을 진행하면서 사명 변경을 추진해 왔으며, 기존 고객과의 비즈니스 연속성을 고려하여 SK키파운드리로 최종 결정했다. SK키파운드리는 사명 변경을 계기로 대외 신인도를 향상시켜 비즈니스를 확대하는 데에 탄력을 받을 것으로 기대하고 있다. SK키파운드리는 청주에 위치한 월 10만장 규모의 팹에서 다품종 소량 생산에 적합한 8인치 웨이퍼 기반의 전력 반도체와 디스플레이구동칩(DDI), 마이크로컨트롤유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 주로 위탁 생산 중이다. 특히 최근 전력 반도체 시장에서 고속 전력 전달과 높은 전력 효율을 위해 100V 이상의 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 수요가 증가 중인데, SK키파운드리는 이러한 고전압 BCD 공정의 리딩 파운드리로서 차량용 산업용 전력 반도체 시장을 적극 공략하고 있다. 또한 SK키파운드리는 전력 반도체 공급의 연속성을 위해 차세대 전력 반도체로 언급되는 질화갈륨(GaN) 공정 개발을 이미 시작했으며, 실리콘카바이드(SiC) 개발도 적극 검토 중이다. 한편 SK키파운드리는 2024년을 성장과 변화의 본격적 추진을 위한 딥체인지의 해로 정하고 최근 조직 개편을 단행했다. 국내뿐만 아니라 미국과 중국 등 현지 영업력을 높여 고객을 확대하고, 차별화된 파운드리 공정 개발, 품질 강화 활동을 통해 고객 만족도를 높이는 것이 목표다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "사명 변경을 통해 SK 멤버사로 구성원들의 소속감을 고취하면서 더욱 강하고 빠른 회사로 거듭나겠다"며 "자동차용 전력 반도체 시장을 공략해 8인치 파운드리 시장에서의 점유율을 높여나가겠다"고 포부를 밝혔다.

2024.01.03 09:29장경윤

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