ZDNet 검색 페이지

'반도체 파운드리'통합검색 결과 입니다. (200건)

삼성전자, 테일러 1공장 후속 설비투자…2나노 생산거점 완성 수순

삼성전자가 미국 테일러 1공장 후속 설비투자를 시작했다. 기존 유휴공간을 모두 채우는 마무리 투자 개념이다. 내년 하반기에는 2나노미터(nm) 공정 생산능력을 모두 월 2만장까지 확보할 수 있다. 테일러 1공장은 삼성전자의 미국 내 첫 파운드리 양산라인이다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 2나노 공정 기준 월 6000장 수준 생산능력에 대응할 수 있는 장비를 발주한 것으로 파악됐다. 테일러 1공장에 반입하는 장비다. 삼성전자는 이미 지난해 말부터 테일러 1공장에 반입하기 위해 월 1만장 규모 설비투자를 집행해왔다. 여기에 테일러 1공장 투자 초기에 구축한 파일럿 라인 생산능력까지 더하면, 내년 하반기 전체 2만장 규모 2나노 공정 생산능력을 확보한다. 반도체 업계 관계자는 "최근 삼성전자가 올 연말부터 설비를 추가 도입하기 위해 발주를 시작했다"며 "이르면 내년 하반기부터 출하량 확대에 기여할 수 있을 것"이라고 설명했다. 이번 추가 설비투자가 끝나면 테일러 1공장 핵심 설비투자는 마무리 수순에 접어들 전망이다. 설계 기준 테일러 1공장의 최대 생산능력이 월 2만장이기 때문이다. 테일러 파운드리 팹은 삼성전자가 최첨단 파운드리 공정 양산을 위해 지난 2021년 투자를 결정한 팹이다. 초기 투자 규모만 170억 달러(약 23조 7000억원)다. 주요 고객에 테슬라가 포함된다. 다음 투자대상은 테일러 2공장이다. 삼성전자는 오는 2030년 가동을 목표로 올 연말 2공장을 착공할 계획이다. 현재 여러 반도체 장비 협력사에 설비 도입을 위한 안정성 인증 조기 획득을 요청하고 있다. 한편 2나노는 파운드리 업계 선두주자인 삼성전자, TSMC, 인텔 등 소수 기업만 양산 가능한 첨단 공정이다. 최근 인공지능(AI) 반도체에 요구되는 성능이 기하급수적으로 증가하면서, 2나노는 향후 파운드리 사업 향방을 가를 핵심요소로 부상했다.

2026.10.23 11:49장경윤 기자

차량용 반도체 생태계 역량 결집…'차량용 반도체 원팀 TF' 출범

차량용 반도체 생태계 역량을 결집할 협력채널인 '차량용 반도체 원팀 TF'가 출범했다. 산업통상부는 21일 경기도 성남시 판교에서 열린 차량용 반도체 포럼(ASK) 특별세션에 김정관 장관이 참석한 가운데, 중소 팹리스와 파운드리·수요기업이 원팀이 돼 전력반도체를 국산화하는 것을 핵심으로 한 업무협약을 체결했다고 밝혔다. 차량용 반도체 원팀 TF는 '제조업 인공지능전환(M.AX) 얼라이언스' 분과 산하에 IP·팹리스·파운드리·패키징 기업·수요기업·지원기관 등 24개 기업과 기관이 참여하는 협력채널이다. TF에서 팹리스는 수요기업이 제시한 사양에 맞춰 개발해 안정적인 수요처를 확보하고, 파운드리와 패키징 기업은 차량용 반도체로 사업 영역을 확장하며, 수요기업은 공급망 선택지를 넓힐 수 있을 전망이다. 지원기관은 '함께 크는 M.AX 프로젝트' 발굴을 돕고, 연구개발(R&D)·인프라·인력 등을 패키지로 집중 지원한다. 또 이날 행사에서는 차량용 전력반도체 공정·평가 생태계 구축 업무협약도 체결했다. 현대모비스와 SK키파운드리, 중소 팹리스 4개사와 지원기관 4곳 등 10개 기업·기관은 차량용 탄화규소(SiC) 전력반도체 핵심 제조·평가 장비와 실차·주행 시험 기반을 함께 구축하고, 전력반도체 팹리스와 부품기업도 이를 활용할 수 있도록 협력하기로 했다. 산업부는 이번 협력으로 제조·평가 기반이 구축되면 중소 팹리스와 부품기업의 개발 부담이 줄고, 국산 차량용 전력반도체의 상용화도 앞당겨질 것으로 기대했다. 김정관 산업부 장관은 “차량용 반도체 기업이 바로 미래차 중심 자동차 산업 역사를 이끌어갈 주역 중 하나가 될 것이라고 확신한다”며 “차량용 반도체 업계가 느끼는 애로사항들을 더 꼼꼼하게, 속도감 있게 챙기겠다”고 밝혔다. 김 장관은 또 “설계부터 양산까지 상용화 과정에서 기업이 겪는 어려움에 공감한다”며 “원팀 TF를 통해 리스크를 함께 나누고 덜어 나가겠다”고 말했다. 이어 “반도체혁신성장지원단 출범을 계기로 차량용 반도체 등 비메모리 분야에서도 더욱 촘촘한 지원 방안을 마련하겠다”고 덧붙였다.

2026.10.21 18:02주문정 기자

AI 활용한 반도체 공장 시뮬레이션 게임 화제

대만 개발자가 만든 반도체 공장 엔지니어의 일상을 재현한 게임이 현지 반도체 인력 사이에서 화제를 모으고 있다. 장비 고장부터 공정 이상, 생산 일정 관리, 교대 근무까지 반도체 제조 현장의 다양한 업무를 게임으로 구현했다. 대만 IT 전문매체 인사이드와 방송사 TVBS에 따르면, 지난 4일 공개된 웹 기반 시뮬레이션 게임 'fab24hr: 반도체 웨이퍼 공장 노동자의 하루'가 큰 인기를 얻고 있다. 이 게임은 이용자가 반도체 공장 직원이 돼 생산 과정에서 발생하는 각종 문제를 해결하는 방식으로 진행된다. 공정 엔지니어(PE), 설비 엔지니어(EE), 제조 부서(MFG)를 비롯해 연구개발, 공정 통합, 품질관리, 생산관리, 반도체 테스트, 패키징, 고객 대응 등 총 31개 직무를 체험할 수 있다. 각 부서의 업무는 서로 연계돼 있어 한 부서에서 발생한 문제가 다른 부서의 작업에도 영향을 미친다. 작업 과정에서 실수하면 추가적인 업무도 발생한다. 교대 근무 환경도 반영됐다. 게임은 이용자가 웹페이지에 접속한 시간에 따라 서로 다른 근무조를 배정한다. 앞선 근무조가 남긴 인수인계 내용은 다음 근무조가 장비나 공정 문제를 해결하는 데 중요한 단서가 된다. 게임에는 전문 용어 설명과 아이템 수집, 도감 등의 기능도 마련됐다. 이용자는 하루 동안의 플레이 결과를 정리한 카드를 저장하거나 공유할 수도 있다. 대만 내 현직 반도체 업계 종사자들은 게임 공개 이후 "퇴근하고도 이런 걸 봐야 하느냐", "사실상 공포 게임"이라는 반응을 보였다. 반도체 제조 현장의 돌발 상황과 업무 부담을 사실적으로 묘사했다는 평가다. 개발자 'mrclty'는 공식 웹사이트를 통해 fab24hr가 AI의 도움을 받아 제작한 개인 프로젝트이며 게임에 등장하는 장비와 생산 데이터, 업무 절차, 등장인물 등은 모두 가상의 설정이라고 밝혔다. 또 "게임에 사용된 기술 용어와 업무 관련 정보는 공개 논문, 산업 표준, 대학 교육자료, 업계 종사자들의 경험담 등을 참고했다"고 덧붙였다.

2026.10.20 08:57권봉석 기자

"4분기 성숙 공정 파운드리 가동률 91%… 내년 1분기 가격 인상"

4분기 전 세계 성숙 공정 파운드리 팹 가동률이 91%이고, 내년 1분기에도 웨이퍼 가격이 오를 것이라고 시장조사업체 시그마인텔이 최근 전망했다. 시그마인텔이 집계한 성숙 공정은 12인치 웨이퍼의 28나노미터(nm)와 40나노, 90나노, 그리고 8인치 웨이퍼의 150나노, 350나노 등이다. 시그마인텔은 성숙 공정 파운드리 업계 전반 가동률이 높고 에너지·소재 비용이 올라 웨이퍼 가격 상승이 불가피하다고 설명했다. 이들 웨이퍼 가격은 내년 1분기에 전 분기 대비 12인치(28·40·90나노)는 5~8%, 8인치(150·350나노)는 4% 상승이 전망됐다. "28·40나노, 4분기 가격 동결...원가 상승 압력 내년 반영 가능성" 4분기 성숙 공정 파운드리 웨이퍼 가격은 온도차가 있다. 4분기 28나노와 40나노 웨이퍼 가격은 각각 2500달러와 1900달러로, 전 분기와 같았다. 다만 내년 1분기 가격 인상폭 전망치는 28나노(2650달러) 6%, 40나노(2000달러) 5% 등이다. 시그마인텔은 "28나노와 40나노는 인공지능(AI) 연산 칩과 주변 칩 사이에 끼어 있어서 이번 사이클에서 가격 상승 유인이 상대적으로 작다"고 평가했다. 28나노와 40나노의 주요 응용처는 마이크로 컨트롤러 유닛(MCU)과 와이파이칩, 유기발광다이오드(OLED) 디스플레이 드라이버 IC(DDI) 등이다. 시그마인텔은 "28나노와 40나노는 시장 상황이 변해도 수요가 쉽게 줄지 않지만, AI발 수요 호황에 따른 수혜는 상대적으로 완만하다"며 "올해 연간 28나노와 40나노 가격 인상이 제한적이었고, 상반기에 보합세를 유지했다"고 설명했다. 4분기부터 통신, DDI, 이미지 시그널 프로세서(ISP) 등 수요가 살아났다. 28나노에선 UMC가 대표주자다. UMC의 12인치 22나노와 28나노 공정 수요는 회복되고 있다. 시그마인텔은 "4분기 UMC의 22·28나노 등 성숙 공정 가동률이 93%에 이를 것"이라며 "UMC는 신규 고객을 고려해 2026년에 적용키로 했던 가격을 유지했다"고 밝혔다. 시그마인텔이 직접 언급하지 않았지만, UMC는 삼성전자 OLED 스마트폰 DDI를 전량 위탁생산하고 있다. 삼성전자가 3분기 공개한 여권 타입 폴더블폰 갤럭시Z폴드8용 DDI도 UMC가 22나노 공정에서 만든다. 삼성전자는 7월 하순 Z폴드8 공개 후 수요가 예상을 웃돌자, UMC에 '슈퍼 핫 런'(급행 서비스)을 요청했지만 무산된 바 있다. 해당 공정 가동률이 높았기 때문에 UMC가 삼성전자 요청을 수용하려면 다른 고객 반도체 생산일정을 바꿔야 하는데, 이것이 어려웠다. 40나노에선 중국 SMIC가 주요업체다. 올해 스마트폰·차량 시장 업황이 부진해 해당 공정 파운드리 업체는 40나노 가격을 조정하지 않았다. 시그마인텔은 "28나노와 40나노 파운드리 업체는 올해 가격 인상을 자제했지만, 원가 상승 압력은 내년부터 반영할 수 있다"고 전망했다. 55·90나노, 4분기도 가격 상승..."내년 인상폭 확대" 전망 55나노 이상 공정은 AI 주변 칩 수요 강세로 가격이 지속 상승하고 있다. 올해 AI 인프라 구축으로 55나노와 90나노 공정에서 주로 만드는 노어(NOR) 플래시, 고성능 MCU, 고성능 전력반도체 수요가 늘었다. 소비자 시장에서는 스마트폰·태블릿·노트북 수요가 부진했지만, 리퍼브 시장 성장이 이를 소폭 보완했다. 시그마인텔은 "4분기 55나노와 90나노는 파운드리 업체들이 가격을 크게 조정하지 않아 인상폭이 상대적으로 완만했다"며 "2027년 초부터 오를 것"이라고 전망했다. 4분기 90나노 웨이퍼 가격은 1250달러로 전 분기보다 4% 올랐다. 내년 1분기 가격 전망치는 1350달러로, 4분기보다 8% 높다. 시그마인텔은 "올해 하반기 여러 2선 파운드리 업체가 낮은 가격을 무기로 55나노와 90나노 양산을 시작했다"면서도 "초기 물량이 대부분 저가 전력 아날로그 제품이나 리퍼브 DDI여서 주요 파운드리 업체 가격에 미친 영향은 제한적이었다"고 덧붙였다. 8인치 웨이퍼 가격은 올해 꾸준히 상승했고, 2027년에도 상승세가 이어질 것으로 전망됐다. 시그마인텔은 "8인치 공정은 AI 관련 전력반도체 등 주변 칩 수요 급증으로 완전 가동이 이어지고 있다"며 "업계 전반적으로 반년치 주문을 확보했다"고 밝혔다. AI 서버용 48V 고전압 전력반도체는 8인치 공정에서 주로 생산해 공급이 빠듯하다. TSMC와 삼성전자 등이 8인치 생산능력 일부를 줄였다. SMIC, VIS 등은 아직 8인치 증설 여력이 있지만 증설에 걸리는 시간을 고려하면 8인치 웨이퍼 공급 부족은 단기간 해소가 어려울 것으로 예상됐다. 전 세계 8인치 파운드리 생산능력은 2026년 전년비 6%, 2027년 2% 줄어들 전망이다.

2026.10.18 16:03이기종 기자

中 장비기업, 韓 전력반도체 시장 두드린다…SK키파운드리·매그나칩 공급 추진

중국 반도체 장비기업 중웨이반도체(AMEC)가 한국 차세대 전력반도체 시장을 노린다. AMEC은 SK키파운드리·매그나칩 등과 전력반도체 핵심 제조장비 테스트에 돌입한 것으로 16일 파악됐다. AMEC은 반도체 전공정인 식각·증착장비가 주력이다. 램리서치·어플라이드머티어리얼즈(AMAT) 등 미국 반도체 장비업체 출신들이 공동 설립해 기술력을 키웠다. 대만 파운드리 TSMC에 최첨단 공정 건식 식각장비도 공급하고 있다. AMEC이 SK키파운드리, 매그나칩과 테스트 중인 장비는 유기금속화학증착(MOCVD) 장비다. MOCVD는 금속 유기원료를 사용해 웨이퍼에 특정 박막을 형성하는 공정이다. 다양한 반도체 제조에 활용하지만, 특히 탄화규소(SiC)·질화갈륨(GaN) 등 최첨단 전력반도체 분야에서 중요도가 높다. SiC·GaN은 기존 반도체 소재인 실리콘(Si) 대비 고온·고전압 내구성이 뛰어나다. 전력효율도 높다. 덕분에 전기차, 데이터센터, 산업용 시설, 통신 등 다양한 분야에서 수요가 증가하는 추세다. SK키파운드리, 매그나칩도 차세대 전력반도체 시장 잠재력에 주목해 시장 진출을 추진 중이다. SK키파운드리의 경우 올 상반기 신규 고객사로부터 1200V SiC 모스펫(MOSFET) 제품 개발을 수주한 바 있다. 국내 차세대 전력반도체 시장 본격 개화는 AMEC에 기회다. AMEC은 중국 MOCVD 시장 점유율이 매우 높지만, 한국 시장에서 입지는 미미하다. 장비 성능과 별개로 지정학 이슈가 AMEC 발목을 잡고 있다는 분석이 나온다. AMEC은 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업의 한국 팹에는 장비를 공급하지 못하고 있다. 다만 SK하이닉스가 지난 2020년 하반기 인텔 낸드 사업부를 인수하면서 양수한 중국 다롄 공장에는 제품을 납품 중이다. AMEC이 SK키파운드리, 매그나칩 등에 장비를 공급하는 경우, 국내 반도체 시장과 접점을 확대할 수 있는 교두보로 활용할 수 있다. 반도체 업계 관계자는 "중국은 현지 정부 주도로 오래전부터 SiC·GaN 분야에 상당한 규모로 투자해 왔다"며 "이미 SiC·GaN 웨이퍼 등 소재 분야에서는 상당한 경쟁력을 갖췄고, 장비·소자 등에서도 약진할 가능성이 크다"고 설명했다.

2026.10.16 15:54장경윤 기자

TSMC, 3분기 2나노 매출 비중 8%로 급성장...분기 최대 실적

대만 파운드리 TSMC가 3분기 인공지능(AI) 인프라 수요에 힘입어 높은 성장세를 이어갔다. 올해부터 양산이 본격화된 2나노미터(nm) 공정 매출 비중이 빠른 속도로 증가했다. TSMC는 3분기 연결기준 매출 1조 4942억 대만달러(약 62조원), 순이익 7630억 대만달러(약 31조 6000억원)를 기록했다고 15일 밝혔다. 사상 최대 분기 실적이다. 이익률은 51%다. 매출은 전년 동기 대비 50.9%, 전 분기 대비 17.6% 상승했다. 순이익은 전년 동기 대비 68.7%, 전 분기 대비 8.0% 늘었다. 3분기 TSMC 매출에서 최첨단 공정 비중이 크게 뛰었다. 2나노 공정은 전체 매출에서 8% 점유율을 기록했다. TSMC는 지난 2분기부터 2나노 공정 매출 비중을 집계하기 시작했다. 2분기 2나노 공정 매출 비중은 3%였는데, 1분기 만에 2배 이상 커졌다. 2나노 공정은 파운드리 업계가 올해부터 본격 양산하기 시작한 최첨단 공정이다. 엔비디아, 애플 등 글로벌 빅테크 기업들의 초고성능 AI 반도체 수요를 전담하고 있다. 3분기 3나노 매출 비중은 33%, 5나노는 28%, 7나노는 10%였다. 7나노 이하 첨단 공정 매출이 전체 매출에서 차지하는 비중은 79%에 달한다. 산업별로 고성능컴퓨팅(HPC) 매출 비중이 68%로 가장 높았다. 스마트폰은 21%, 사물인터넷(IoT)과 오토모티브가 각각 4%를 기록했다.

2026.10.15 15:43장경윤 기자

삼성전자, AI 반도체 '풀 라인업' 공개…360조 용인 산단 청사진도 제시

삼성전자가 HBM4E부터 첨단 패키징에 이르는 AI 반도체 통합 역량을 선보인다. 전 세계적으로 급증하는 AI 인프라 수요에 대응하기 위한 전략으로, 생산능력 확보를 위한 용인 반도체 클러스터 구축 계획도 함께 공개할 예정이다. 삼성전자는 14일부터 16일까지 서울 코엑스에서 열리는 'SEDEX 2026'에 참가해 AI 응용처별 주요 반도체 제품과 솔루션을 선보인다. 삼성전자는 이번 전시회에서 '아키텍칭 AI 시스템즈(Architecting AI systems)'를 주제로 ▲차세대 기술 ▲클라우드 AI ▲엣지 AI ▲피지컬 AI ▲반도체 클러스터 ▲상생협력 등 총 6개 존으로 전시공간을 구성한다. 특히 올해는 '반도체 클러스터존'을 신설해 주요 생산·개발 거점과 새롭게 조성될 용인 국가산단을 소개하고, 반도체 생산 인프라 확대 계획을 제시한다. 삼성전자는 용인 국가산단에 약 360조원을 투자할 계획으로, 2027년 부지 조성과 착공을 시작해 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 하고 있다. 산단에는 약 70개 소재·부품·장비 및 팹리스 기업이 입주할 예정으로, 제조와 연구개발, 협력사가 유기적으로 연결되는 반도체 생태계가 구축될 것으로 기대된다. 메모리는 AI용 고성능 메모리 HBM4E와 메모리 내부에 연산 기능을 통합한 LPDDR-PIM 등을 전시한다. 연산 장치와 메모리 사이의 물리적 거리를 줄이는 3D 메모리 아키텍처 기반 zHBM(목업), 엣지 AI에 최적화된 3D NAND 솔루션인 zNAND-O(목업)도 선보인다. 파운드리는 4나노 공정을 적용한 HBM4E 베이스다이와 실리콘 브릿지 기반의 확장형 초고집적 패키징 기술 '2.3D Cube-E', 3D 패키징 기술 '3D Cube-H'를 전시한다. 전기 신호를 광신호로 변환해 데이터를 전송하는 CPO 기반 광 인터커넥트 모형도 선보일 예정이다. 시스템LSI는 서버용 메모리 모듈의 안정적인 작동에 필요한 핵심 칩을 통합적으로 제공하는 'DIMM 솔루션', 2억 화소 이미지 센서 'ISOCELL HPC', 모바일 프로세서 '엑시노스 2600' 등을 전시한다.

2026.10.14 10:00장경윤 기자

HBM 다음은?...삼성전자, 차세대 AI 메모리 제품군 확장

삼성전자가 AI 인프라 성능 고도화에 대응하기 위한 맞춤형 반도체 전략을 강화한다. 기존 고대역폭메모리(HBM)에 이어 컴퓨트익스프레스링크(CXL), 차세대 SSD 등을 개발할 계획이다. AMD 등 빅테크와의 접점도 확대될 것으로 기대된다. 삼성전자는 지난 12일 개최된 'OCP 글로벌 서밋 2026'에서 차세대 메모리·스토리지 기술 전략과 글로벌 파트너 협업 성과를 공개했다고 13일 밝혔다. AMD·엔비디아 등 글로벌 빅테크와 AI 반도체 전방위 협력 강화 삼성전자는 이번 행사에서 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 솔루션을 공동 시연했다. 삼성전자는 CMM-D 기반 메모리 풀링 기술을 통해 여러 시스템에서 메모리 자원을 효율적으로 활용하고, AI 환경에서 필요한 메모리 용량을 유연하게 확보할 수 있는 기술을 선보였다. 그록(Groq) LPU 웨이퍼와 엔비디아 그록 3 LPX 시스템도 전시했다. 해당 칩은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 통해 양산된다. 업계 최첨단 공정인 2나노 GAA 웨이퍼도 함께 공개됐다. 삼성전자의 차세대 메모리 및 파운드리 기술은 AI 인프라 성능 개선을 위한 핵심 요소로, 글로벌 빅테크와 AI 인프라 구축을 위한 협력 확대가 기대된다. 실제로 리사 수 AMD CEO가 최근 삼성전자와 회동하는 등 올해 글로벌 빅테크 기업들의 삼성전자 방문이 잇따르고 있다. 리사 수 CEO는 이달 초순 방한 기간 삼성전자를 포함한 국내 기업들과의 협력 가능성을 언급하며 메모리와 파운드리 분야에서 협력 기회를 지속적으로 모색하고 있다고 밝혔다. AMD는 지난 3월 삼성전자와 차세대 AI 메모리·컴퓨팅 기술 협력을 확대하는 업무협약을 체결한 바 있다. AI 메모리 요구 성능 폭증…HBM, CXL 등 맞춤형 제품 개발 또한 이번 OCP 행사에서 심호준 삼성전자 AE팀 상무는 'AI 시대 혁신 확장(Scaling Innovation for the AI Era: Keep Your Compute Running at Full Throttle with Highly Scalable Memory)'를 주제로 발표를 진행했다. AI 모델이 대형화되고 추론 과정에서 처리해야 할 데이터와 KV 캐시 용량이 증가하면서, AI 시스템의 성능을 높이기 위해서는 메모리 대역폭뿐 아니라 용량 확장과 데이터 저장·관리 기술도 중요해지고 있다. 심 상무는 이러한 AI 인프라의 요구에 대응하기 위해 ▲HBM5·커스텀 HBM 등 고성능 메모리 ▲CXL 기반 메모리 확장 기술 ▲차세대 SSD를 활용한 데이터 저장·관리 기술을 공개하며 AI 인프라의 성능을 높이기 위한 세 가지 기술 방향을 제시했다. 속도 측면에서는 HBM5·커스텀 HBM·zHBM·PIM 등 차세대 메모리 기술을 통해 데이터 처리 속도와 연산 효율 향상을 꾀한다. 메모리 확장성에서는 CMM-D와 CXL 기반기술을 활용해 AI 시스템의 메모리 용량을 확장하고 데이터 관리 효율 개선한다. 데이터 영속성에서는 차세대 SSD·QLC·FDP 등 스토리지 기술로 대규모 AI 데이터의 저장 성능과 용량, 관리 효율을 향상할 계획이다.

2026.10.13 10:12장경윤 기자

얀 르쿤 "차세대 AI는 실세계 이해해야…韓 연구 협력 확장"

"인공지능(AI) 발전은 단순한 언어 학습에서 물리적 세계 이해로 이동할 것입니다. 각국은 행동 결과를 예측하고 계획을 세우는 '월드 모델'을 통해 산업 현장서 발생하는 AI 한계를 극복해야 할 것입니다." 얀 르쿤 AMI랩스 창업자 겸 회장은 12일 서울 웨스틴 조선 호텔에서 열린 '산업 AI 주권과 글로벌 공동개발' 간담회에서 차세대 AI 개발 방향을 제시했다. 이날 행사에서는 한국의 제조 전문성을 글로벌 AI 연구와 연결하는 방안도 논의됐다. 르쿤 회장은 현재 AI가 코딩과 수학 등에서 성과를 냈지만 물리적 환경을 이해하고 제어하는 능력은 부족하다고 진단했다. 로봇과 자율주행 분야에서는 방대한 데이터를 활용한 모방학습만으로 충분한 신뢰성을 확보하기 어렵다는 지적이다. 그가 대안으로 제시한 월드 모델은 AI가 주변 상황을 이해하고, 어떤 결과를 낳을지 예측하는 기술이다. 이를 바탕으로 목표를 달성하는 데 필요한 작업 순서를 스스로 정할 수 있다. 그는 현실 세계의 모든 상황을 정확히 예측하기 어려운 만큼 AI 학습 방식도 달라져야 한다고 강조했다. 다음 단어나 영상 장면을 만들어내는 방식에서 벗어나 주변 환경을 이해하고 행동의 결과를 예측하도록 학습해야 한다는 설명이다. 이를 위한 기술로 '공동 임베딩 예측 아키텍처(JEPA)'를 소개했다. AMI랩스는 이 기술을 바탕으로 스스로 작업 계획을 세우는 AI 시스템을 개발하고 있다. 작업마다 수행 방법을 따로 가르치지 않아도 기존에 학습한 내용을 활용해 새로운 과제를 해결하도록 하는 것이 목표다. 르쿤 회장은 한국 정부·기관과 AI 개발 협력을 넓히고 있다고 설명했다. 그는 한국 정부와 뉴욕대가 함께 설립한 '글로벌 AI 프런티어' 공동 연구소의 공동 책임자를 맡고 있다. 그는 "한국에는 뛰어난 인재가 많고 우수한 과학기술 고등교육 기반도 갖춰졌다"며 "세계 최고 인재들이 오고 싶어 하는 대학과 연구기관, 기업 연구 환경을 만드는 것이 중요하다"고 강조했다. "韓 산업 데이터, 글로벌 AI 기술과 결합 필수" 지미 리 ASI파운드리 회장은 한국 제조 현장에 축적된 고품질 데이터를 글로벌 AI 기술과 결합해야 한다고 강조했다. 리 회장은 산업 데이터에서 얻은 지식을 새로운 수출 자산으로 활용할 가능성을 제시했다. 데이터를 비식별화해 기업 정보를 보호하면서, 현장 노하우를 제품화하면 인도 등 해외 시장에 공급할 수 있다는 구상이다. 그는 이러한 전환을 위해 한국 정부 의지와 기술 역량, 자본이 함뒷받침돼야 한다고 짚었다. 한국이 제조 경쟁력을 바탕으로 피지컬 AI 전환을 주도하고 국제 표준 수립에도 적극 참여해야 한다고 당부했다. 이번 간담회를 기획한 황명은 ASI파운드리 한국 대표도 "앞으로 기업은 업무 흐름과 시스템을 진단한 뒤 과제에 맞는 글로벌 AI 기술을 연결하고, 적용과 검증을 거쳐 운영 단계까지 이어지는 구조를 축해야 한다"며 "도입 후에도 실제 성과를 확인하면서 적용 범위를 확대해 나가는 것이 중요할 것"이라고 언급했다. 이날 크리스토퍼 응우옌 아이토매틱 공동창업자·최고경영자(CEO)는 AI가 물리적 세계로 확장하면서 한국처럼 제조 기반을 갖춘 국가에 기회가 열릴 수 있다고 평가했다. 숙련자의 지식과 공정 경험을 AI 에이전트로 구현해 현장 의사결정을 지원하는 '디지털 엔지니어' 개념도 소개했다. 앤서니 아눈지아타 AI얼라이언스 공동창립자·공동의장은 '프로젝트 태피스트리'를 통한 글로벌 공동개발 방안을 설명했다. 참여 기관이 공통 기반 모델을 함께 개발하되 고유 데이터와 개별 AI 시스템에 대한 통제권은 유지하는 구조다. 이번 행사는 아이토매틱과 국제 산업 AI 컨퍼런스(IIAC) 2026 조직위원회가 공동 주최하고 AI얼라이언스와 ASI파운드리가 공동 주관했다. 하정우 국가AI전략위원회 부위원장은 "AI 기술과 연구 역량이 산업 현장 데이터, 도메인 전문성과 만날 때 비로소 실제 산업 혁신과 생산성 향상으로 이어질 수 있다"며 "기업과 국가가 핵심 데이터와 기술 통제권을 유지하면서 글로벌 연구자·기업과 공동 성과를 창출할 새로운 협력 방식이 중요해질 것"이라고 축사를 통해 밝혔다.

2026.10.12 12:24김미정 기자

삼성·TSMC, 올 3분기도 파운드리 '희비교차'…점유율 격차 확대 전망

삼성전자, TSMC 간 파운드리 사업의 희비가 엇갈렸다. 삼성전자 파운드리 사업부의 경우, 올 3분기 매출이 전년동기 및 전분기 대비 소폭 증가하는 데 그쳤다. 반면 TSMC는 두 자릿 수의 성장세로 삼성전자와의 격차를 더 확대할 수 있게 됐다. 9일 업계에 따르면 삼성전자, TSMC의 파운드리 사업 매출은 기업별로 상이한 흐름을 보이고 있다. 앞서 삼성전자는 올 3분기 연결기준 잠정 실적으로 매출 195조원, 영업이익 107조 4000억원을 기록했다. 사상 첫 영업이익 100조원 돌파로, 반도체(DS) 부문이 AI 메모리 수요에 힘입어 호실적을 이끌었다. 반면 파운드리 및 시스템LSI 사업부가 포함된 비메모리반도체 부문은 해당 분기 2조원 안팎의 적자를 기록한 것으로 분석된다. 팹 가동률이 전반적으로 상승하고는 있으나, 미국 신규 팹 구축 및 성과급 충당에 따른 일회성 비용이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 매출 역시 뚜렷한 성장세를 보이지 않고 있다는 평가다. IBK투자증권은 최근 보고서를 통해 삼성전자 올 3분기 비메모리 사업부 매출을 6조6970억원으로 전망했다. 전년동기(6조3850억원) 및 전분기(6조6860억원) 대비 소폭 증가에 그쳤다. 반면 TSMC는 월별 매출 집계를 통해 최근 올 3분기 매출이 전년동기 대비 51% 늘어난 1조4900억 대만달러(한화 약 62조6000억원)로 집계됐다고 밝혔다. 전분기 매출인 1조2700억 대만달러와 비교해도 17% 늘었다. 이를 고려하면 양사의 전 세계 파운드리 시장 점유율 격차는 3분기에 더 확대될 가능성이 크다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, TMSC의 지난 2분기 파운드리 시장 점유율은 72.5%로 집계됐다. 전분기 대비 0.3%p 증가했다. 삼성전자는 1분기 6.5%에서 2분기 5.9%로 오히려 0.6%p 감소한 바 있다. 물론 삼성전자가 4나노미터(nm) 등 최첨단 공정을 중심으로 가동률을 끌어올리고 있다는 점은 고무적이다. 삼성전자 4나노 공정은 AI 반도체는 물론, 고대역폭메모리(HBM)에 탑재되는 로직 다이 양산에도 활용된다. 업계는 삼성전자가 2나노 공정에서 추가 고객사를 확보하는 것이 성장동력 확보에 있어 가장 중요할 것으로 보고 있다.

2026.10.09 11:30장경윤 기자

AI發 메모리 호황에 D램 가격, TSMC 첨단 공정 추월

인공지능(AI) 열풍에 따른 메모리 수요 폭증으로 D램 가격이 사상 최고치 행진을 이어가는 가운데, 단위 면적당 메모리 칩의 가치가 TSMC의 최첨단 연산용 웨이퍼 가격마저 추월했다는 분석이 나왔다. 24일 반도체 분석 업체 커널 인사이트에 따르면 최신 공정 기반의 D램이 창출하는 단위 면적당 매출 가치는 TSMC의 N2(2나노) 및 N3(3나노) 공정 웨이퍼 가격을 웃도는 것으로 집계됐다. 커널 인사이트는 TSMC의 N3 공정으로 가공된 300mm 웨이퍼 가격을 2만 달러, N2 공정 웨이퍼는 3만 달러로 추정했다. 이를 면적으로 환산하면 mm²당 명목 가격은 각각 약 0.283달러와 0.424달러 수준이다. 이 계산은 비공식 업계 추정치에 기반한 것으로, 실제 칩 생산 시 발생하는 웨이퍼 가장자리 손실, 절단(다이싱) 손실, 수율 및 결함 등은 반영되지 않았다. 반면 D램의 단위 면적당 가치 평가는 밀도를 바탕으로 산출됐다. 커널 인사이트는 D램 가격을 기가비트(Gb)당 1.50달러로 설정하고 세대별 비트 밀도를 적용한 결과, 밀도가 0.219Gb/mm²인 1y D램은 mm²당 0.329달러, 0.273Gb/mm² 밀도의 1z D램은 mm²당 0.410달러로 나타났다. 0.436Gb/mm² 밀도를 갖춘 최신 1b D램의 경우 mm²당 가치가 0.654달러에 달해 TSMC N2 웨이퍼의 가격을 50% 이상 웃돌았다. 10나노급 D램 공정은 1y, 1z, 1a, 1b 순으로 더 미세 공정을 뜻한다. 커널 인사이트가 가정한 Gb당 1.50달러는 최근 DDR5 현물 가격 흐름과 맞닿아 있다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 지난 21일 기준 16Gb DDR5 eTT 칩의 평균 거래 가격은 24.80달러로, Gb당 약 1.55달러다. DDR5 메모리 생산 비용이 TSMC 첨단 로직 공정보다 저렴하다는 점을 감안할 때, 메모리 제조사들의 웨이퍼당 수익성은 유례없는 수준으로 치솟은 셈이다. 다만 이 같은 비교에는 구조적인 한계가 따른다. TSMC의 수치는 고객사로부터 수취하는 웨이퍼 가공 가격인 반면, D램 수치는 제조사가 완제품 메모리를 판매해 거둘 수 있는 총매출 잠재력을 나타낸다. 아울러 로직 칩 제조에 필수적인 첨단 패키징 비용이 배제된 데다, TSMC의 실제 웨이퍼 공급가는 주문 수량과 고객사별 계약 조건에 따라 큰 편차를 보인다. D램 지표 역시 소량·산발적으로 거래되는 현물가를 기준으로 삼아, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 공급사 매출의 대다수를 차지하는 장기 고정거래(계약) 가격과는 차이가 있다. 시장 전문가들은 비공개로 유지되는 D램 고정거래 가격이 최근 강세를 보이는 만큼 현물가에는 영향을 미치지 못했을 것으로 본다. 이에 메모리 업체들의 웨이퍼당 가격은 TSMC를 더욱 크게 앞설 가능성이 있다.

2026.09.24 11:29진운용 기자

SK하이닉스 "3D 스택드 D램에 파운드리 공정 활용"

SK하이닉스가 차세대 메모리 '3D 스택드(stacked) D램' 개발에 파운드리 공정을 활용할 수 있다고 9일 밝혔다. 전날 이천캠퍼스 수펙스센터에서 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 SK하이닉스 김경훈, 손호영 부사장은 3D 기술 주요 방향으로 D램 주변회로의 로직 파운드리 공정 활용, 데이터 버스 대역폭 극대화, 초단거리 전송 등을 제시했다. 3D 스택드 D램은 로직 반도체 위에 D램을 수직으로 직접 쌓아 올리는 첨단 적층 기술이다. 데이터 통로(I/O)를 대폭 늘려 지연시간을 최소화하고 전력 효율과 공간 활용도를 개선할 수 있다. 김 부사장과 손 부사장은 이 기술을 구현하려면 설계와 발열 문제뿐 아니라 미세 인터커넥트와 본딩, 공정 통합 등 패키징 영역 난제를 함께 해결해야 한다고 설명했다. 또한 전공정과 후공정(패키징), 파운드리와 메모리 기술 경계가 가까워진 만큼 기존 영역을 넘어선 공동 최적화가 중요해질 것으로 내다봤다. 손 부사장은 "3D 기술은 팹과 패키징의 기술 경계까지 바꾸고 있다"며 "어드밴스드 패키지 기술 혁신과 함께 기존 영역을 넘어선 최적화와 새로운 협업 체계를 만드는 것이 중요하다"고 강조했다. 같은 주제로 발표를 한 신창환 고려대 교수는 "3D D램은 단순히 칩을 수직으로 쌓는 기술을 넘어, 메모리와 로직 경계를 허무는 기술"이라며 "소자 미세화가 한계에 가까워지고 시스템과 메모리 간 데이터 이동에 따른 시간·전력 소모가 증가하면서 3D 기술로 전환은 불가피하다"고 설명했다. 이에 소재, 소자, 패키징, 아키텍처 등 네 영역을 인공지능(AI)으로 연계한 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 인사말에서 "과거 메모리 시장은 누가 더 빠르게 달리는지 경쟁하는 '직선도로'였다면, 현재는 시시각각 변하는 '곡선도로'를 달리는 것과 같다"며 "내부 역량뿐 아니라 외부 환경 변화 속도와 방향을 파악하고 유연하게 적응하는 속도도 중요하다"고 당부했다.

2026.09.09 11:51진운용 기자

DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료

8인치 파운드리 기업 DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정 신뢰성 검증을 마쳤다고 9일 밝혔다. DB하이텍은 고객 제품 개발 지원과 신규 고객 확보를 본격화할 계획이다. 2027년 양산체제 구축에도 속도를 낸다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고전압 환경에서 우수한 특성을 갖춰 전기차, 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 활용하는 차세대 전력반도체 소재다. 현재 SiC 시장은 6인치 웨이퍼가 주류지만, 생산효율과 원가경쟁력을 위해 글로벌 주요 업체를 중심으로 8인치로 전환하고 있다. DB하이텍은 시장 변화에 선제 대응해 8인치 SiC 공정 기술 개발과 파운드리 서비스 구축을 추진해 왔다. DB하이텍은 고전력 MOSFET에 최적화한 SiC 공정 기술을 고도화해 경쟁력 있는 전기 특성과 높은 신뢰성을 확보했다. 세계 최초로 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄 공정을 구축했다. 설계부터 제조, 특성평가, 신뢰성 검증까지 지원할 수 있는 파운드리 서비스 체계를 갖췄다. DB하이텍은 8인치 SiC 파운드리 사업 본격화를 위해 자체 개발한 1세대와 2세대 1200V SiC MOSFET PDK(Process Design Kit)를 고객에게 제공한다. 11월에는 3세대 PDK도 출시할 예정이다. 고객은 PDK를 활용해 초기 개발 부담을 줄이고 프로토타입 제작을 앞당길 수 있다. 제품 개발기간을 1년 이상 단축할 것으로 기대된다. PDK로 제공하는 2세대 공정은 게이트 전압(Vgs(on)) 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5 mΩ∙cm2 이하, 문턱전압(Vth) 3V 이상 우수한 전기 특성을 구현했다. 기술 진입장벽이 높은 신뢰성 검증까지 완료했다. 11월 공개 예정인 3세대 공정은 동일한 게이트 전압 18V 조건에서 비저항 2.3 mΩ∙cm2 이하를 구현하고, 단락안전 동작 영역(SCSOA, Short Circuit Safe Operating Area)에서 SCWT(Short circuit withstand time) 2.5μs 이상 특성 확보를 목표로 검증 후 고객사에 PDK를 제공할 예정이다. DB하이텍은 3분기에 다년간 협업해온 파운드리 고객에 우선 출시, 공정 준비를 완료할 계획이다. 2027년 2분기부터는 모든 고객에 서비스를 제공할 예정이다. DB하이텍 관계자는 "1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 시장을 선점하고, 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다"고 말했다.

2026.09.09 10:27장경윤 기자

시높시스, 삼성 2나노 공정 AI칩 설계 22% 줄였다…"韓 생태계 전방위 협력"

글로벌 1위 반도체 설계 자산(EDA) 기업 시높시스가 삼성전자 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 적용해 칩 면적을 20% 이상 줄이는 데 성공했다. 회사는 메모리 반도체 중심의 기존 한국 시장 비즈니스를 삼성 파운드리 선단 공정 생태계와 국내 주요 인공지능(AI) 반도체 기업 전반으로 확대할 계획이다. 시높시스는 8일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스에서 개막한 '시높시스 컨버지 코리아 2026'에서 이 같은 기술 협력 성과와 향후 청사진을 발표했다. 이날 기조연설에 나선 샹카 크리슈나무티 시높시스 최고 제품 개발 책임자(CDO)는 차세대 디지털 설계 솔루션인 '퓨전 컴파일러'에 삼성전자 파운드리의 '디자인·공정 최적화(DTCO)' 기술을 내재화한 성과를 전면에 내세웠다. 현장에서 공개된 실측 지표에 따르면 시높시스 툴과 삼성전자 SF2P(2나노) 공정을 결합해 신경망처리장치(NPU)를 설계한 결과 기존 대비 다이(Die) 면적이 22% 감소했다. NPU 코어 면적이 줄어들면 웨이퍼당 생산 칩 수가 늘어나 제조 원가를 낮추고 전력 효율을 높일 수 있다. 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 설계와 공정을 동시에 최적화하는 DTCO의 중요성이 커지는 가운데, 글로벌 1위 EDA 툴이 삼성 2나노 생태계의 성숙도를 객관적으로 증명한 셈이다. 아울러 시높시스는 '다중 물리(Multiphysics)' 해석을 결합한 3D-IC 첨단 패키징 비전을 제시했다. 이는 시높시스가 지난해 7월 시뮬레이션 기업 앤시스(Ansys)를 인수한 이후 국내에서 처음 선보이는 '실리콘 투 시스템' 통합 솔루션이다. 크리슈나무티 CDO는 "과거 3D-IC 설계는 프로토타이핑, 구조 설계, 검증 환경이 파편화되어 있었다"며 "이를 단일 플랫폼으로 통합해 열 분석과 신호 무결성(EM/IR) 검증을 설계 초기 단계부터 수행할 수 있게 됐다"고 설명했다. 실제로 글로벌 주요 고성능컴퓨팅(HPC) 고객사는 '3D-IC 컴파일러'를 도입해 통상 2~3개월 걸리던 고대역폭메모리(HBM) 인터포저 라우팅 및 검증 일정을 수일 내로 단축하는 성과를 냈다. 또한 검증 주기를 길어지게 만드는 칩 개발 병목을 '디지털 트윈' 솔루션으로 돌파하고 있다. 칩 시제품이 나온 뒤에야 소프트웨어 검증을 진행하던 기존 순차적 방식에서 벗어나, 하드웨어 개발과 동시에 소프트웨어를 병렬 검증함으로써 상용화 일정을 1년 이상 앞당긴다는 구상이다. 이어 진행된 간담회에서 시높시스는 한국 내 파트너십 확장 의지를 분명히 했다. 시높시스는 현재 엔비디아, 마이크로소프트(MS) 등 글로벌 빅테크는 물론 삼성전자, SK하이닉스와 차세대 시스템 및 워크로드 검증 분야에서 긴밀히 협력 중이다. 패드메쉬 맨들로이 시높시스 S&A 부문 아태지역 애플리케이션 엔지니어링 총괄 부사장은 "한국 시장 내 매출은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 비중이 주력인 것은 맞다"면서도 "삼성 파운드리의 선단 공정 인프라 확충 및 모바일용 엑시노스 프로젝트 협력을 지속하고 있다"고 밝혔다. 이어 "나아가 리벨리온, 퓨리오사AI 등 국내 주요 AI 반도체 팹리스로 다중 물리 및 자율형 설계 툴인 에이전틱 AI(Agentic AI) 지원을 확대해 비메모리 영역의 기여도를 끌어올릴 것"이라고 덧붙였다. 통합 라이선스 정책에 대한 시장의 우려도 일축했다. 시높시스 관계자는 "앤시스 인수 이후 툴 가격이나 라이선스 비용을 인위적으로 인상할 계획은 없다"고 선을 그었으며, 기존 국내 우주항공 스타트업을 대상으로 진행하던 정부 협업 프로그램 '에스크(ASK)' 지원 대상을 반도체 분야까지 확대 운영하겠다고 밝혔다.

2026.09.08 15:26전화평 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

삼성전자, 美 테일러팹 2기 구축 속도…공급망에 장비 '선제 인증' 주문

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 생산능력 확대에 속도를 내고 있다. 올해 연말 테일러 파운드리 2기 팹 착공을 앞두고, 최근 협력사의 설비 도입을 위한 인증을 선제적으로 진행하고 있다. 20일 업계에 따르면 삼성전자는 주요 협력사들을 대상으로 미국 테일러 파운드리 2기 팹 투자를 위한 인증 획득을 요청하고 있다. 테일러 팹은 삼성전자의 최첨단 파운드리 양산을 전담할 팹이다. 1기 팹의 경우 올해 연말 가동을 목표로 장비 입고 및 설치가 진행되고 있다. 주력 양산 타겟은 업계 최첨단 공정인 2나노미터(nm)로, 미국 주요 빅테크인 테슬라가 핵심 고객사로 거론된다. 삼성전자는 최근 테일러 2기 팹 착공 계획도 공식화했다. 회사는 지난달 30일 진행한 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "증가하는 고객 수요에 적기 대응하고자 미국 테일러 2기 팹 역시 2030년 양산을 목표로 올해 말 공사 착수를 준비 중"이라고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 테일러 2기 팹 투자에 대해 강한 의지를 내비치고 있는 것으로 관측된다. 최근 복수의 반도체 장비 협력사들을 대상으로, 해당 팹에 설비를 도입하기 위한 'SEMI' 인증을 미리 획득할 것을 요청한 상황이다. SEMI 인증은 반도체 장비의 안전성을 평가하는 기준으로, 장비의 해외 반출 전에 필수적으로 획득해야 한다. 반도체 장비업계 관계자는 "아직 테일러 2기 팹의 구체적인 스펙이 확정되지도 않았음에도, 삼성전자 파운드리 사업부가 예상보다 빠르게 대응에 나서고 있다"며 "구체적인 계획은 올 연말께 가시화되겠으나, 그만큼 투자를 적극적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 설명했다. 관건은 최첨단 공정에 대한 대형 고객사 확보다. 앞서 삼성전자는 테일러 1기 팹 구축 초기에 고객사 확보 난항 및 시황 악화로 투자 계획을 지속 연기한 바 있다. 그러나 테슬라가 삼성 파운드리와 지난해 3분기 22조7600억원 규모의 반도체 위탁생산계약을 체결하면서, 팹 구축 속도가 다시 빨라졌다. 테일러 2기 팹 역시 테슬라향 공급량 확대, 혹은 추가 고객사 확보 여부에 따라 실제 양산 가동까지의 로드맵이 달라질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "건설 부문 관련사인 삼성이앤에이(삼성E&A)에서도 테일러 2공장 건설을 위한 수십명의 인력을 현지에 파견하는 방안을 추진 중인 것으로 안다"며 "다만 삼성전자가 클린룸 구축 후 실제 양산 라인까지 빠르게 구축하기 위해서는 대형 고객사 확보가 선제적으로 확보돼야 할 것"이라고 말했다.

2026.08.20 11:24장경윤 기자

DB하이텍, '일렉트로니카 인디아 2026' 첫 참가…현지 팹리스 공략

국내 8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 다음달 16일부터 18일(현지시간)까지 인도 벵갈루루에서 열리는 '일렉트로니카 인디아 2026'에 참가한다고 20일 밝혔다. 일렉트로니카 인디아는 '인도의 실리콘밸리'로 불리는 벵갈루루에서 열리는 남아시아 대표 전자산업 전시회다. DB하이텍은 이번 전시회에서 주력인 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)를 비롯해 차세대 전력반도체 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 주요 공정 기술과 개발 현황을 소개하고, 현지 팹리스 기업을 중심으로 신규 고객 발굴에 나설 계획이다. 최근 인도는 정부의 적극적인 반도체 산업 육성 정책과 투자를 바탕으로 관련 생태계를 빠르게 확대하고 있다. 특히 반도체 설계 서비스를 중심으로 성장해 온 현지 기업들이 자체 반도체 제품 개발로 사업 영역을 확대하면서 파운드리 수요 역시 증가할 것으로 전망된다. DB하이텍은 이러한 시장 변화에 발맞춰 현지 팹리스와의 사업 협력을 강화하고 있으며, 이번 전시회를 계기로 잠재 고객과의 접점을 넓혀 나갈 계획이다. 전시회에서는 DB하이텍이 경쟁력을 확보하고 있는 전력반도체 공정 기술을 중점적으로 선보인다. 대표 공정인 BCD는 누적 웨이퍼 출하량 900만 장을 기록했으며, 축적된 양산 경험과 공정 경쟁력을 기반으로 자동차·산업 등 고부가가치 응용 분야를 지속 확대하고 있다. 차세대 전력반도체 분야에서는 SiC와 GaN 공정 개발 현황 및 양산 로드맵을 소개한다. DB하이텍은 최근 1200V SiC MOSFET 공정의 검증(Qualification)을 완료했으며, 650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 완료할 계획이다. 현재 전략 고객들을 대상으로 해당 공정을 활용한 제품의 성능 평가도 진행하고 있다. 이와 함께 X-ray, Global Shutter, SPAD 등 Specialty CIS와 Mixed-Signal/RF 등 다양한 특화 공정 기술도 소개하며 현지 고객 기반을 확대할 예정이다. DB하이텍 관계자는 “인도는 현지 팹리스와 반도체 생태계가 빠르게 성장하며 새로운 사업 기회가 확대되고 있는 시장”이라며 “이번 일렉트로니카 인디아 참가를 통해 현지 고객과의 접점을 넓히고, 전력반도체 및 특화 공정 경쟁력을 기반으로 신규 사업 기회를 지속 발굴해 나갈 것”이라고 말했다.

2026.08.20 10:10장경윤 기자

삼성전자, 기흥 신규 R&D팹 '파운드리' 활용 추진…엔비디아 수요 선제 대응

삼성전자가 기흥에 구축 중인 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 용도를 변경할 예정이다. 현재 해당 라인은 파운드리 생산능력 확대에 활용하기로 가닥을 잡은 것으로 14일 파악됐다. 당초 D램 양산용 라인으로도 투자가 논의됐으나 최근 계획이 수정됐다. 이곳에서 주력으로 노리는 양산품은 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 2나노미터(nm) 베이스(로직) 다이다. 엔비디아 등 핵심 고객 주도로 HBM 공급이 확대될 전망인 만큼, 관련 생산능력을 미리 확보하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 기흥에 구축 중인 NRD-K 2라인 용도를 기존 R&D에서 파운드리 라인으로 활용하는 방안을 추진 중이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 최첨단 복합 연구개발단지다. 오는 2030년까지 약 20조원을 투입해 총 3개 라인을 조성하기로 했다. 이 중 첫 번째 라인은 지난 2024년 말 준공됐다. 올해부터 NRD-K 2라인 조성을 준비하고 있다. 기흥캠퍼스 내 옛 종합기술원 건물을 철거하고, 현재 부지 조성 등 기초공사 중이다. 다만 NRD-K 2라인 용도는 당초 계획에서 크게 변경될 확률이 높다. 최근 삼성전자는 해당 라인을 파운드리용 센드팹(Send-Fab)으로 활용하는 방안을 추진 중이다. 센드팹은 타 양산라인에서 웨이퍼를 받아 와 특정 공정을 대신 처리하는 보조 팹 개념이다. 목표로 검토 중인 주력 양산품은 엔비디아에 공급하는 HBM용 2나노 베이스 다이로 알려졌다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, HBM과 그래픽처리장치(GPU) 등 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 성능을 좌우하는 요소 중 하나다. HBM은 글로벌 빅테크의 공격적인 인공지능(AI) 인프라 투자에 따라 수요가 지속 확대될 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 향후 상용화될 커스텀 HBM과 HBM5(8세대 HBM)에 업계 최첨단 공정인 2나노 기술을 적용해, 경쟁사보다 성능 우위를 확보할 계획이다. 기흥 신규 팹을 활용해 관련 생산능력을 빠르게 확보하려는 것도 같은 이유로 보인다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 2028년 하반기 개소를 목표로 NRD-K 2라인을 구축 중이고, 파운드리용 팹으로 활용하는 것으로 가닥을 잡았다"며 "NRD-K 2라인의 경우 팹 사이즈가 비교적 작은 편에 속하기 때문에, 센드팹 방식으로 최첨단 반도체 생산능력 확대에 기여할 것"이라고 설명했다. 물론 팹 오픈 시점이 2년가량 남은 만큼, NRD-K 2라인 용도가 또다시 변경될 수도 있다는 게 업계 시각이다. 또 다른 관계자는 "(삼성전자) 내부적으로는 확정 수준이긴 하나, 실제 설비 구매주문(PO)이 나오려면 시간이 더 필요하다"며 "반도체 시황이 언제든 급변할 수 있어, 구체적인 투자 방향과 규모가 수정될 가능성도 배제할 수 없다"고 말했다. 실제 삼성전자는 지난달까지 NRD-K 2라인을 D램용 센드팹으로 활용하는 방안도 검토했다. 이를 위해 화성 메모리 사업부가 관련 투자계획도 수립했다. 다만 삼성전자가 이달 계획을 수정하면서, D램 양산은 평택캠퍼스로 집중될 가능성이 커졌다.

2026.08.14 14:36장경윤 기자

삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용

삼성전자가 이르면 오는 2030년께 상용화될 1나노미터(nm) 공정부터 노광 기술 혁신에 나선다. 차세대 극자외선(EUV) 기술인 '고개구율(High-NA) EUV'를 1나노에 양산 적용할 계획으로, 현재 상용화를 위한 기술 개발에 집중하고 있다. 박창민 삼성전자 마스터는 11일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 '2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회(NGL 2026)'에서 회사의 노광 기술 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 노광은 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 공정을 뜻한다. 삼성전자는 8나노 이하의 첨단 파운드리 공정부터 EUV를 양산 적용해 왔다. EUV는 기존 반도체 노광 공정 소재인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준(13.5나노미터)으로 짧다. 덕분에 ArF로 여러 번 노광(멀티 패터닝)해야 하는 초미세 공정을 더 적은, 혹은 단일(싱글 패터닝) 공정으로 구현할 수 있다. 패터닝 수가 줄면 제조비용 저감 및 생산성 향상에 유리하다. 삼성전자는 차세대 EUV 기술인 High-NA EUV 개발에도 매진하고 있다. 본격적인 양산 적용 목표는 1나노(A10; A는 0.1나노 단위인 옹스트롬) 공정으로 보고 있다. 박 마스터는 "2나노, 1.4나노 등에서 High-NA EUV를 양산 적용하고 싶었으나 아직은 기술적 보완이 필요한 상황"이라며 "A10 이하부터 High-NA EUV가 필요할 것으로 보고, 다양한 협력사들과 공동 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 이를 고려한 삼성전자의 High-NA EUV 양산 적용 시점은 오는 2030년께로 관측된다. 삼성전자는 현재 2나노 공정까지 상용화에 성공해, 오는 2029년 1.4나노(SF1.4) 공정을 양산할 계획이다. 2030년에는 1.4나노의 개선 버전인 SF1.4+과 1나노 공정 양산에 나설 것으로 알려졌다. High-NA EUV는 렌즈의 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올린 기술이다. 개구수는 빛을 모으는 집광 능력을 뜻한다. 해당 수치가 높을수록 해상력이 향상돼, 더 미세한 회로를 구현하는 데 용이하다. High-NA를 활용하면 기존 EUV로도 멀티 패터닝을 진행해야 했던 초미세 공정을 싱글 패터닝으로 구현할 수 있게 된다. 덕분에 비용 효율성이 높아지는 효과를 얻을 수 있다. 단 한번만 패터닝을 진행하므로 회로 설계도 더 자유롭게 진행할 수 있다. 다만 High-NA EUV는 기술적 난이도가 매우 높고, 설비 역시 매우 고가에 속한다. 마스크, 펠리클 등 관련 소재 기술도 고도화돼야 한다. 때문에 업계는 향후 공정에서 EUV 멀티 패터닝과 High-NA EUV 싱글 패터닝이 혼용될 것으로 보고 있다. 박 마스터는 "1.4나노 및 1나노 공정까지는 0.33 NA EUV 기반의 멀티 패터닝이 메인 스트림이 될 것"이라며 "이후의 차세대 공정은 High-NA 패터닝이 메인이 될 것이라고 생각한다"고 말했다.

2026.08.11 14:16장경윤 기자

삼성 파운드리, 4나노 풀캐파에 5나노 주문 늘어…AI·서버로 영역 확대

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 5nm(나노미터, 10억분의 1m) 영업을 강화하고 있다. 수요가 많은 인기 공정인 4나노 가동률이 최대치에 도달하자, 대안으로 5나노를 제시하고 있는 것으로 풀이된다. 5일 반도체 업계에 따르면 삼성 파운드리 4나노 공정은 내년까지 풀캐파(Full CAPA) 상황인 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 “삼성전자 HBM4(고대역폭메모리) 주문량이 폭증하면서 4나노 라인 가동률이 엄청 올라갔다”며 “파운드리의 최대 고객사가 메모리 부문이 됐다”고 말했다. 여기에 미국 엔비디아의 추론용 LPU(Language Processing Unit) '그록3' 물량도 예상치를 상회해, 4나노 풀캐파에 영향을 줬다는 후문이다. 이에 삼성 파운드리는 4나노를 찾는 고객에게 대안으로 5나노를 제시하고 있다. 4나노 대비 비용 부담이 큰 2·3나노 공정으로 넘어가기 힘든 팹리스(반도체 설계전문) 고객에게 수율과 성능이 이미 검증된 5나노 공정을 실속형 대체재로 제안하는 전략이다. 이 반도체 업계 관계자는 “2~3나노 선단 공정은 수율 및 비용 측면에서 고객사 부담이 크고 4나노 라인은 이미 꽉 찬 상태”라며 “삼성전자가 수율이 안정화된 5나노 공정을 대안으로 적극 제안하고 있으며, 팹리스 기업들도 이를 긍정적으로 검토하는 분위기”라고 전했다. 5나노 공정은 차량용 전용 라인으로 분류된다. 현대자동차에서 2030년 양산을 목표로 하는 ADAS(첨단운전자지원시스템)용 칩, 보스반도체 SoC, 텔레칩스 차량용 AP 돌핀7 등이 차량용 전용 공정인 SF5A로 양산될 예정이다. 최근에는 서버 및 고성능 AI·신경망처리장치(NPU) 칩으로 활용 범위를 넓히고 있다 또다른 반도체 업계 관계자는 “5나노 공정은 고성능 서버용 칩 구현에도 적합해 해외 팹리스의 라이선스 체결이 이어지고 있다”며 “최근 3~4개월 사이 5나노 공정을 찾는 고객 수요가 과거보다 확실히 늘어났다”고 설명했다. 대만 TSMC의 최선단 라인 과부하와 글로벌 지정학적 요인도 삼성 파운드리 5나노 수주에 긍정적 요인으로 작용하고 있다. TSMC의 3·4·5나노 라인 수급이 타이트해지면서 중국과 인도계 팹리스들이 미세공정 수요 충족과 제재 회피를 위해 삼성 5나노 라인으로 눈을 돌리고 있기 때문이다. 삼성 파운드리 협력사 관계자는 “미국의 대중 제재 속에서 선단 공정급 성능을 확보해야 하는 중국·인도계 팹리스 입장에선 삼성 파운드리가 현실적인 대안”이라며 “TSMC에서 밀려난 소규모 물량 고객까지 삼성전자가 흡수하면서 5나노 공정 반사이익을 얻고 있는 상황”이라고 귀띔했다. 한편 5나노 중심의 실용적 영업 활동과 더불어 2나노 공정에 대한 글로벌 고객사들의 물량 타진도 이어지고 있다. 반도체 업계 관계자는 “삼성 파운드리에 2나노 관련 문의가 이어지고 있는 걸로 안다”며 “이제 중요한 건 수율을 잡는 것”이라고 전했다.

2026.08.05 16:48전화평 기자

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

삼성전자, 테일러 1공장 후속 설비투자…2나노 생산거점 완성 수순

"아이폰·패드 따로 사는 것보다 낫다"…애플 '아이폰 듀오' 국내 출시

할리스도 털렸는데...스벅·투썸·교촌 앱 보안은

홍범식 LGU+ "해킹 은폐 확인되면 합당한 책임지겠다"

ZDNet Power Center