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1분기 세계 실리콘 웨이퍼 출하량 전년比 13% 증가

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회인 SEMI는 올해 1분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 32억 7500만 제곱인치를 기록했다고 6일 밝혔다. 이는 전년동기 기록인 28억 9600만 제곱인치대비 13.1% 증가한 수치다. 전 분기인 34억 3700만 제곱인치 대비로는 4.7% 감소했으며, 이는 계절적 요인에 따른 흐름으로 분석된다. SEMI SMG 회장이자 섬코 영업·마케팅 부문 부총괄인 긴지 야다는 “첨단 로직과 메모리를 포함해 AI 데이터센터와 관련된 실리콘 웨이퍼 수요는 계속해서 강세를 보이고 있고, 이제 전력 관리 반도체 분야로도 확대되고 있다”고 말했다. 그는 이어 “전반적인 실리콘 웨이퍼 수요는 개선됐지만, 회복세가 모든 분야에서 균일하게 나타나고 있는 것은 아니다"며 "특히 산업용 반도체 부문의 수요 회복세가 빠르다"고 덧붙였다. 실리콘 웨이퍼는 대부분의 반도체를 제조하는 데 사용되는 핵심 기초 소재로, 반도체는 모든 전자기기의 필수 부품이다. 고도로 정밀하게 가공된 얇은 원판 형태의 실리콘 웨이퍼는 최대 300mm 직경으로 생산되며, 대부분의 반도체가 제조되는 기판 소재로 활용된다. SMG는 SEMI 전자재료 그룹(EMG) 산하의 소위원회로, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 또는 실리콘 웨이퍼 제조에 참여하는 SEMI 회원사에게 개방돼 있다. 절단 웨이퍼, 연마 웨이퍼, 에피택셜 웨이퍼 등이 포함된다. SMG는 실리콘 산업과 관련된 주요 이슈에 대한 공동 대응을 촉진하고, 실리콘 산업 통계 개발을 포함한 다양한 활동을 지원한다.

2026.05.06 13:50장경윤 기자

8인치 파운드리 가격 상승세…DB하이텍도 2분기 본격 수혜

8인치 파운드리 업계가 전력반도체 수요 증가와 생산능력 제한으로 호황을 맞았다. 22일 DB하이텍은 올 2분기부터 8인치 파운드리 공정 가격을 본격적으로 인상할 계획인 것으로 파악됐다. 8인치 파운드리는 웨이퍼 직경이 200mm(밀리미터)인 공정이다. 주로 130나노미터(nm) 이상 성숙(레거시) 공정에 활용한다. 초미세 공정은 아니지만, 전력반도체(PMIC)·디스플레이구동칩(DDI)·CMOS이미지센서(CIS) 등 산업 전반에 필수로 쓰이는 반도체를 양산한다. 8인치 파운드리 업황은 지난해부터 본격 반등했다. 산업 전반에서 전력반도체 수요가 증가한 반면, 삼성전자·TSMC 등 주요 기업이 지난해부터 8인치 생산능력을 단계적으로 축소하고 있기 때문이다. 삼성전자는 8인치 파운드리를 양산하는 기흥 6-2 라인을 완전히 가동 중단하는 계획을 세우고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 8인치 파운드리에서 수익성이 안좋은 제품을 우선 정리하고 있다"며 "관련 생태계도 이미 영향권에 들어가 있다"고 설명했다. 8인치 공급난 심화로 8인치 파운드리도 가격 상승 압박을 받고 있다. 중국 SMIC는 이미 지난해 말 고객사에 8인치 BCD 공정 가격을 10% 인상하는 내용의 통지문을 보냈다. BCD는 서로 다른 세 가지(바이폴라·CMOS·DMOS) 전력 소자를 단일 칩에 구현해, 내구성과 전력 효율을 높인 전력반도체 공정이다. DB하이텍도 8인치 BCD 공정을 주력으로 양산한다. 고객들과 공정 가격 인상을 지속 협의해 왔다. 이르면 올 2분기부터 가격 인상분이 반영될 수 있다. 부천캠퍼스와 상우캠퍼스 가동률도 90% 이상으로 높다. DB하이텍의 1분기 사업보고서에 따르면, 이 회사 평균가동률은 91.96%다. 반도체 업계 관계자는 "8인치 공정이 다양하기 때문에 상황은 조금씩 다르나, 지난해 말부터 꾸준히 가격 인상 논의가 진행됐다"며 "고객사 재고 확보 기조가 지속되고 있어 올해 높은 가동률이 유지될 전망"이라고 밝혔다.

2026.04.22 10:52장경윤 기자

TEL, 첨단 패키징용 개별 칩 검사장비 '프렉사 SDP' 출시

도쿄일렉트론(TEL)코리아는 개별 칩(웨이퍼에서 다이 단위로 분리된 칩) 테스트 수요에 대응하는 반도체 검사장비인 신형 프로버 '프렉사(Prexa) SDP'를 출시했다고 17일 밝혔다. 최근 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 성능에 대한 수요가 급증하면서 여러 개의 칩을 하나로 통합하는 2.5D·3D 패키징 기술에 대한 관심이 커졌다. 이들 제품 최종 수율을 높이려면 패키징 조립 전 단계에서 결함이 없는 완벽한 우량 칩(이하 KGD)을 선별하는 과정이 필수다. 첨단 KGD 선별 테스트 주요 과제는 테스트 중 극심한 열을 효과적으로 흡수하고 발열을 정밀 제어하는 것이다. 이에 따라 기존 웨이퍼 단위 검사를 넘어, 개별 칩 단위의 고정밀 테스트 장비에 대한 중요성이 커지고 있다. 이번에 출시한 프렉사 SDP는 이미 검증된 도쿄일렉트론의 프렉사 웨이퍼 프로버 플랫폼을 기반으로 하며, 고발열 반도체를 위한 독자 발열 제어 기술을 탑재해 개별 칩 테스트에 최적화했다. 신규 시스템은 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 비롯해, 기존 웨이퍼 프로버가 갖춘 고정밀 콘택트, 웨이퍼 핸들링 및 프로브 마크 검사 기술을 계승했다. 여기에 고발열 칩 처리를 위한 뛰어난 열 흡수 능력과 고정밀 능동형 발열 제어(Active Thermal Control) 기술을 갖춘 서멀 헤드를 장착해, 안정적인 칩 핸들링과 정확한 우량 칩(KGD) 선별을 보장한다. 사토 요헤이 도쿄일렉트론 ATS 사업부총괄(GM)은 "첨단 패키징이 적용된 반도체 제품 최종 수율 향상을 위한 테스트 공정 중요성 커졌다"며 "새로운 프렉사 SDP는 축적된 프로버 기술과 독자 발열 제어 기술을 결합해 첨단 패키징 공정에 필수인 테스트 품질과 시스템 신뢰성을 제공한다"고 말했다.

2026.04.17 15:16장경윤 기자

SK실트론, OCI 지분 전량 매각…두산 M&A 앞두고 리밸런싱 가속

SK실트론이 기존 보유한 OCI 계열사 지분을 모두 처분했다. 업계는 SK실트론이 두산과의 인수합병(M&A)을 앞두고 비주력 자산을 정리하는 등 리밸런싱에 나선 것으로 보고 있다. 3일 SK실트론 사업보고서에 따르면 이 회사는 지난해 하반기 OCI홀딩스 및 OCI 지분을 전량 매각했다. SK실트론이 기존 보유한 양사 지분율은 각각 2%였다. OCI홀딩스 주식 32만 8000주, OCI 주식 14만 9000주를 보유해 왔다. 해당 분기 양사 지분을 전량 매각하면서 SK실트론이 확보한 자금은 총 385억원 수준이다. OCI 매각에서는 5억 8000만원 규모 소폭 손실이 있었으나, OCI 홀딩스의 경우 110억원 수준 이익이 발생했다. 앞서 SK실트론은 지난 2018년 OCI그룹에 투자를 집행한 바 있다. 당시 회사는 지분 인수 배경을 "협력 강화를 위한 지분 투자"라고 설명했다. SK실트론은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 주력으로 제조하고 있다. 웨이퍼를 만들려면 초고순도 폴리실리콘이 필요하다. OCI는 장기공급계약(LTA)을 통해 SK실트론에 폴리실리콘을 공급해 왔다. 이번 매각이 양사 간 협력 관계에 미치는 영향은 없을 것으로 관측된다. 그보다는 SK실트론이 자산 효율화 차원에서 현금 유동성을 확보하고자 했을 가능성이 크다. 매각을 앞두고 비주력 자산을 정리했다는 분석도 제기된다. SK는 그룹 차원에서 적극적인 리밸런싱 전략을 펼치고 있다. 지난해 초부터 두산과 SK실트론 매각 논의를 진행해 왔다. 이후 SK는 지난해 12월 두산을 SK실트론 인수 관련 우선협상대상자로 선정했다. 매각 성사 시 두산은 SK가 보유한 SK실트론 지분 70.6%를 확보할 것으로 전망된다.

2026.04.03 08:42장경윤 기자

전력반도체 소재기업 아이브이웍스, 60억원 프리 IPO 투자 유치

전력반도체 소재 스타트업 아이브이웍스가 60억 원 규모 프리 기업공개(IPO) 투자 유치를 마무리했다고 2일 밝혔다. 누적 투자 유치 금액은 450억원이다. 이번 투자 라운드에는 아이엠투자파트너스와 인라이트벤처스 등 기존 주주도 참여했다. 아이브이웍스는 "기술 경쟁력과 미래 성장 가치를 다시 한번 입증했다"고 자평했다. 아이브이웍스는 이번 투자금을 글로벌 수요 대응을 위한 제품 양산체계 고도화에 집중 투입한다. 최근 수요가 증가하는 인공지능(AI) 서버 전력 변환 시장과 방산 시장 고객 대응을 위해 양산 인프라를 확충하고, 공급망을 구축해 글로벌 시장 공급량을 확대할 계획이다. 양산능력 확대와 함께 기술 기반 서비스 포트폴리오도 강화하고 있다. 아이브이웍스는 "독보적 에피웨이퍼 기술을 기반으로 세계에서 유일하게 양산 공급하는 'reGaN'은 전력소자 접촉 저항을 10분의 1로 낮춰 열 문제와 효율을 개선한다"고 강조했다. 아이브이웍스는 지난해부터 글로벌 주요 파운드리 업체에 reGaN 제품을 공급했다. 최근 품질 인증을 완료해 양산 공급 중이다. 아이브이웍스는 "투자 유치를 기점으로 코스닥 상장 절차에 본격 착수한다"고 밝혔다. 상장 주관사는 한국투자증권이다. 기술특례상장 방식으로 IPO를 추진한다. 현재 기술성 평가 절차를 준비하고 있다. 평가 완료 후 상장 예비심사 청구 등 후속 절차를 밟을 예정이다. 노영균 아이브이웍스 대표는 "이번 투자 유치는 당사 비전을 잘 아는 기존 주주들의 신뢰와 지지 덕분"이라며 "확보 자금을 바탕으로 양산 인프라 고도화와 철저한 상장 준비로 글로벌 전력반도체 소재 시장에서 독보적 경쟁력을 입증하겠다"고 말했다.

2026.04.02 15:53장경윤 기자

최태원 "SK하이닉스, 美 ADR 상장 검토...반도체 공급 부족 지속"

최태원 SK그룹 회장이 글로벌 메모리 반도체 시장 공급난이 향후 4~5년은 더 이어질 것으로 전망하며, 조만간 시장 안정화를 위한 대책을 내놓겠다고 밝혔다. 또 SK하이닉스의 미국 주식예탁증서(ADR) 상장 추진도 공식화했다. 최 회장은 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 'GTC 2026'에서 "반도체 공급 부족의 핵심 원인은 웨이퍼 생산 능력의 한계"라고 지적했다. 그러면서 새로운 웨이퍼 시설을 갖추는 데 최소 4~5년이 소요되는 만큼, 2030년까지는 수요보다 공급이 약 20% 부족한 상황이 지속될 것으로 내다봤다. 공급 부족에 따른 가격 급등 우려에 대해 최 회장은 "곽노정 SK하이닉스 CEO가 D램 가격 안정화를 위한 새로운 전략을 곧 발표할 것"이라고 전했다. 아울러 일각에서 제기된 미국 내 공장 설립 가능성에 대해서는 "이미 기반이 잘 갖춰진 한국 생산 시설에 집중하는 것이 훨씬 효율적이고 빠른 대응이 가능하다"며 선을 그었다. 글로벌 기업으로의 도약을 위해 SK하이닉스의 미국 주식예탁증서(ADR) 상장 추진 사실도 공식화했다. 최 회장은 이를 통해 글로벌 투자자들과의 접점을 넓히겠다는 구상이다. 또한 젠슨 황 엔비디아 CEO와의 회동 가능성을 언급하며 "TSMC는 대체 불가능한 소중한 파트너"라고 치켜세우는 등 글로벌 AI 반도체 생태계 내 협력 의지를 분명히 했다. HBM(고대역폭메모리) 시장 지배력 유지에 대해서는 최선을 다하겠다는 원론적인 입장을 밝히면서도, "HBM에만 과도하게 집중할 경우 일반 D램 공급이 줄어 스마트폰이나 PC 등 기존 산업이 타격을 입을 수 있다"며 균형 있는 생산의 필요성을 역설했다. 부상하는 중국 메모리 기업들에 대해서는 새로운 경쟁 구도가 형성될 수 있음을 주시하고 있다고 덧붙였다.

2026.03.17 11:23전화평 기자

아이에스티이, SK하이닉스향 풉크리너 추가 수주

반도체 장비 전문기업 아이에스티이는 SK하이닉스로부터 풉크리너(FOUP Cleaner) 장비 공급 계약을 수주했다고 20일 밝혔다. 규모는 68억원 수준이다. 앞서 아이에스티이는 지난 1월에 SK하이닉스의 청규 신규팹 신규 라인 자동화(Automation) 장비 공급 계약을 체결한 바 있다. 이번 계약은 해당 라인에 적용되는 풉크리너 장비로, 추가적으로 기존 이천팹의 보완 투자에도 함께 공급될 예정이다. 최근 반도체 업계는 공정 고도화 및 생산성 향상이 요구되고 있는 만큼 아이에스티이는 장비 성능 개선 및 기술 내재화를 지속적으로 추진하고 있으며, 기존 장비 공급 레퍼런스를 기반으로 차세대 투자라인까지 공급범위를 확대했다는 점에서 의미가 크다고 회사 측은 전했다. 특히 아이에스티이는 그간 SK하이닉스 주요 양산라인에 장비를 공급하며 공정 대응 경험과 기술 신뢰도를 축적해 온 결과 올해 여러 차례 SK하이닉스와 수주를 이어가고 있다. 올해 1월부터 금일 공시까지 포함한 누적 수주금액이 전년도 같은 기간대비 300% 이상 증가하고 있어 2026년 실적 개선이 높아지고 있다고 설명했다. 아이에스티이 관계자는 “이번 SK하이닉스 수주는 최근 고용량 서버 DRAM 수요가 급증하면서 HBM 및 DDR5 DRAM 증산이 추진되고 있는 만큼 신규 팹과 기존 팹을 아우르는 장비 수요에 적극 대응할 계획”이라고 밝혔다. 이어 “단발성 공급이 아닌 주요 생산거점 전반으로 협력 관계가 이어지고 있어 향후 설비 투자 확대에 따른 추가 수주가 이루어질 예정이다”라며, “안정적인 생산과 적극적인 대응을 통해 신뢰도 향상에 주력할 계획이다”라고 덧붙였다

2026.02.20 13:20장경윤 기자

삼성전자 파운드리 상반기 가동률 60%대…점진적 상승세

삼성전자 파운드리 사업이 점진적인 가동률 회복세에 접어들고 있다. 최첨단 및 주력 공정 전반에서 웨이퍼 투입량이 늘어난 데 따른 효과로, 지난해 대비 적자 폭을 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 19일 업계에 따르면 올 상반기 삼성전자 파운드리 팹 가동률은 평균 60%대를 기록할 것으로 전망된다. 지난해 하반기 50%대와 비교하면 10%p가량 상승하는 수준이다. 삼성전자 파운드리 사업부는 그동안 3나노미터(nm) 등 최첨단 공정에서의 대형 고객사 확보 실패로 수익성이 크게 악화돼 왔다. 지난해 1·2분기에는 비메모리 사업부의 영업손실이 2조원대에 달한 것으로 집계됐다. 그러나 지난해 3·4분기에는 적자 폭을 1조원 내외로 좁히는 등 완만한 회복세에 접어들었다. 기존 주력 공정인 4·8나노 등에서 웨이퍼 투입량이 늘었고, 레거시(성숙)에 해당하는 8인치 공정도 수익성이 낮은 제품은 일부 축소하는 등 효율화에 나선 효과다. 특히 지난해 말부터는 2나노 공정 기반의 최신형 모바일 AP(애플리케이션프로세서) '엑시노스 2600' 양산에 돌입했다. 해당 공정의 수율은 단일 웨이퍼 기준 50%대로 추산된다. 이에 삼성전자 파운드리 팹 가동률은 전반적으로 회복세를 그리고 있다. 지난해 하반기 50%대에서 올 상반기 60%대에 진입할 것으로 예상되는 상황으로, 삼성전자는 관련 소재·부품 발주량 역시 이와 비슷한 수준으로 확대할 계획인 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 파운드리용 웨이퍼 투입량을 늘리고 있어 지난해보다는 올해 분위기가 확실히 좋을 것으로 본다"며 "주요 경쟁사인 TSMC가 최첨단 공정에서 공급 부족에 직면해 있어, 삼성전자 파운드리가 성장하기에는 좋은 시기"라고 말했다. 삼성전자 파운드리 사업부가 손익분기점을 넘어서기 위해서는 가동률 80%를 넘겨야 한다는 게 업계의 분석이다. 때문에 삼성전자는 최첨단 공정의 안정적인 양산으로 글로벌 빅테크의 신뢰를 확보해야 할 것으로 보인다. 앞서 삼성전자는 지난해 7월 테슬라와 22조원 규모의 AI6칩 반도체 위탁생산 계약을 체결하는 등 이를 위한 기반을 확보한 상태다.

2026.01.19 14:26장경윤 기자

中, 반도체 장비 국산화율 35% 돌파…장비 자립화 속도

중국 반도체 산업에서 국산 장비 채택 비중이 2025년 목표치를 넘어섰다는 평가가 나왔다. 13일 대만 공상시보 등 외신에 따르면 시장조사업체 트렌드포스는 최근 발표에서, 중국 웨이퍼 팹에서 자국산 반도체 제조 장비의 채택률이 약 35% 수준에 도달했다고 분석했다. 이는 정부가 설정한 2025년 목표인 약 30%를 웃도는 수치다. 이 같은 채택률 상승은 중국 정부의 반도체 장비 자립 정책이 속도를 내는 가운데, 주요 장비업체들의 기술 진전이 뒷받침된 결과로 풀이된다. 나우라 테크놀로지 그룹을 비롯해 AMEC(Advanced Micro-Fabrication Equipment) 등 국내 장비 제조사들이 핵심 공정 장비에서 점유율을 높이고 있다. 특히 식각, 박막 증착 등 핵심 공정 장비 부문에서는 국산 장비 채택률이 40% 이상으로 나타난 것으로 알려졌다. 이는 일부 공정에서 외산 장비를 대체하는 수준을 넘어, 중국 내수 팹의 장비 선택 기준 자체가 변화하고 있다는 신호로 해석된다. 트렌드포스는 중국 정부가 웨이퍼 제조 라인 신규 구축 시 국산 장비 비중을 높이는 정책적 유도를 강화한 영향이 채택률 상승의 주요 요인이라고 분석했다. 이 과정에서 장비 국산화는 단순한 비용 절감을 넘어, 미국 등 외국 장비 의존도를 줄이려는 전략과 맞물려 있다. 중국 반도체 장비 자립률이 빠르게 높아지는 가운데, 업계에서는 고급 공정용 핵심 장비 개발이 다음 과제로 꼽힌다. 7nm(나노미터, 10억분의 1m) 이하 첨단 장비 분야는 여전히 해외 기술이 우위에 있으며, 완전한 국산화까지는 상당한 시간이 필요하다는 지적도 있다. 반도체 장비 시장에서의 이러한 변화는 중국이 반도체 공급망 자립과 기술 주권 확보를 위한 전략적 투자를 지속하고 있음을 보여준다. 트렌드포스의 분석은 이 같은 흐름이 단기적인 트렌드를 넘어, 장기적인 산업 구조 변화의 일부가 될 수 있음을 시사한다.

2026.01.13 10:31전화평 기자

우프틱스, 신규 '페멧' 반도체 웨이퍼 계측 시스템 출시

반도체 파면 위상 이미징(WFPI) 계측 전문기업 우프틱스(Wooptix)는 페멧(Phemet) 계측 시스템을 새롭게 출시했다고 20일 밝혔다. 페멧은 반도체 웨이퍼의 형상과 기하구조를 나노미터 이하의 분해능으로 극도로 정밀하면서도 초고속으로 측정할 수 있다. 우프틱스는 새로운 페멧 시스템을 11월 18일부터 21일까지 독일 뮌헨에서 열리는 세미콘 유로파(SEMICON Europa)에서 선보일 예정이다. 완전 자동화된 페멧 계측 시스템은 전체 실리콘 웨이퍼를 단일 이미지로 측정해 웨이퍼의 형상과 나노토포그래피는 물론 휨, 뒤틀림, 기타 맞춤형 파라미터들을 포착한다. 이 시스템은 블랭크, 패턴화 또는 본딩된 웨이퍼를 측정할 수 있는 다목적 계측장비다. 페멧은 소음이 적고, 진동에 대한 내성을 갖추고 있어 측정의 정확도를 향상시킨다. 팹 운용 및 수율을 담당하는 엔지니어는 이 시스템의 원시 데이터를 활용해 정보의 이력을 추적함으로써 오버레이 오차 및 기타 결함의 원인을 정확히 파악하고 수율을 개선할 수 있다. 우프틱스는 페멧에 독자적인 파면 위상 이미징(WFPI) 기술을 적용해 웨이퍼의 빛 분포를 포착하고 자체 알고리즘을 사용해 위상 맵을 구축한다. WFPI 기술은 웨이퍼의 전체 지형도(topography)와 뒤틀림을 포함한 시료의 상세 정보를 담은 서브나노미터 분해능의 파면 위상 맵을 신속하게 획득할 수 있으며, 4700 x 4700 픽셀의 초고분해능을 제공한다. 호세 마누엘 라모스 우프틱스 CEO는 “단일 이미지에서 서브나노미터 분해능으로 1천600만 개 이상의 데이터 포인트를 초고속으로 포착하는 페멧 시스템의 능력은 반도체 계측 분야에 있어서 새로운 기준을 제시한다"며 "이 시스템은 하이브리드 본딩, 후면 전원 공급 로직 아키텍처, 차세대 3D 낸드 및 고대역폭 메모리(HBM)의 대규모 인라인 측정에 특히 유용하다”고 말했다. 반도체 업계 정보 플랫폼 테크인사이츠에 따르면, 반도체 제조는 점점 더 작은 기하학적 구조, 3D 집적, 보다 엄격한 공정 허용 오차를 추구하는 방향으로 나아가고 있다. 이에 보다 정확한 웨이퍼 형상 및 평탄도 측정이 갈수록 더 중요해지고 있다. 우프틱스의 라모스 CEO는 “우리는 메모리 및 로직 반도체 업계 티어 1 고객사들과 함께 새로운 페멧 시스템을 테스트했으며 그 결과는 놀라웠다"며 "곧 다수의 주요 고객사에 페멧 시스템을 공급해 양산에 활용할 수 있기를 기대한다”고 밝혔다.

2025.11.20 10:52장경윤 기자

삼성·SK 메모리팹 가동률 상승...소재·부품 업계도 증산 본격화

최근 AI 산업 주도로 메모리 '슈퍼사이클'이 도래하면서 삼성전자·SK하이닉스 등이 웨이퍼 투입량을 적극 늘리고 있다. 이에 관련 소재·부품 공급망도 올 3분기부터 매출이 확대되는 효과를 거두고 있다. 10일 업계에 따르면 국내 반도체 소재·부품 기업들은 주요 고객사의 메모리 팹 가동률 상승에 따라 올 하반기 고부가 제품 공급을 늘리고 있다. 메모리 반도체 시장은 글로벌 빅테크의 공격적인 AI 인프라 투자 확대에 따라 서버용 제품을 중심으로 수요가 빠르게 증가하는 추세다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등도 올 3분기 D램 출하량을 확대했다. 해당 분기 삼성전자는 10% 중반의 빗그로스(메모리 용량 증가율)를, SK하이닉스는 한 자릿수 후반의 빗그로스를 기록했다. 삼성전자의 경우 올 3분기 8세대 낸드 팹 가동률도 전분기 대비 10% 이상 끌어올린 것으로 파악됐다. 이들 기업에 메모리 반도체용 소재·부품을 공급하는 협력사들도 올 3분기부터 제품 공급량을 늘리고 있다. 반도체 업계 관계자는 "메모리 공급사들이 고부가 D램 및 낸드용 웨이퍼 투입량을 늘리면서 관련 소재·부품 주문도 8~9월경부터 증가했다"며 "이미 가동률이 상당히 올라왔고, 전환 투자가 진행되는 부분이 있어 급격한 변화는 없겠으나 연말까지 점진적으로 공급량이 증가할 것"이라고 설명했다. 실제로 3분기 실적을 발표한 소재·부품 기업들은 대체적으로 매출 증가세를 기록하고 있다. 반도체 테스트 소켓 전문기업 아이에스시는 올 3분기 매출 645억원, 영업이익 174억원을 기록했다. 전년동기 대비 각각 24.9%, 27.0% 증가했다. 반도체 특수가스를 공급하는 원익머트리얼즈는 매출액 828억원, 영업이익 142억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 4.4%, 영업이익은 17.7% 증가했다. 반도체 후공정용 세라믹 부품 전문기업 샘씨엔에스는 3분기 매출 208억원, 영업이익 54억원을 기록했다. 전년동기 대비 각각 32.3%, 75.7% 증가했다. 또 다른 관계자는 "AI 인프라 투자 확대로 소재·부품 업계도 고부가 제품의 비중을 확대할 기회가 다가왔다"며 "메모리 업황이 매우 긍정적인 만큼 내년 상반기에도 긍정적인 흐름이 지속될 것으로 기대한다"고 말했다.

2025.11.10 10:32장경윤 기자

SK실트론, 신임 CEO에 美 자회사 정광진 대표 내정

국내 반도체용 웨이퍼 제조기업 SK실트론은 2026년 최고경영자(CEO) 인사를 11월 1일자로 시행한다고 30일 밝혔다. 현재 SK실트론 대표이사인 이용욱 사장은 SK온 CEO로 이동하고, 미국 내 자회사인 SK실트론 CSS 정광진 대표가 SK실트론 대표이사 사장으로 내정됐다. 신임 CEO인 정광진 사장은 웨이퍼 및 반도체 소재 사업에 대한 넓은 식견을 바탕으로 SK실트론의 성장과 경쟁력 강화에 기여한 평가를 받고 있다. 그동안 전략기획실장, 신사업추진실장, 경영지원담당 등 주요 직무를 역임하며 SK실트론의 기업가치를 높여 현재의 모습을 갖추는데 핵심적인 역할을 수행했다. SK실트론 CSS 대표 부임 이후에는 신규 기술 도입과 미래사업 대응을 위한 제품개발, 이에 걸맞는 조직문화 개선 활동을 주도하며 SK실트론 CSS의 경쟁력을 빠르게 강화해 왔다.

2025.10.30 10:33장경윤 기자

SEMI "2분기 실리콘 웨이퍼 출하량 반등…전년比 10% 증가"

올해 2분기 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년동기 대비 10% 증가한 것으로 드러났다. 5일 국제반도체장비재료협회(SEMI) 보고서에 따르면 올해 2분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년 동기 대비 9.6% 증가한 33억2천700만in²(제곱인치)를 기록했다. 이는 올 1분기 대비 14.9% 증가한 수준으로, 메모리 외 일부 제품군에서 회복 신호가 나타난 것으로 관측된다. 리 청웨이 SEMI 실리콘 제조 그룹(SMG) 의장은 “AI 데이터센터용 칩, 특히 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 실리콘 웨이퍼 수요는 여전히 매우 강력하다”며 “AI 부문 외 디바이스의 팹 가동률은 전반적으로 낮은 수준을 유지하고 있으나 재고 수준은 정상화되는 양상을 보이고 있다”고 설명했다. 이어 “실리콘 출하량 반등은 긍정적인 모멘텀을 시사하지만, 지정학적 변수 및 공급망 환경이 미칠 영향은 여전히 불확실한 상황이다”라고 덧붙였다.

2025.09.11 15:05전화평 기자

테스, SiC 전력반도체용 핵심장비 상용화 성공

반도체 전공정 전문 장비업체 테스는 SiC(탄화규소) 전력반도체 핵심장비 상용화에 성공해 본격적인 출시를 시작한다고 8일 밝혔다. SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD)는 기술 난이도가 높아 그동안 유럽, 일본의 업체가 사실상 공급을 독점해온 장비다. 테스는 2016년부터 판매 중인 DUV(극자외선) LED용 고온 MOCVD의 핵심기술을 활용해, SiC 전력소자 성장 장비인 HTCVD 'TRION'을 3년만에 상용화했다. TRION의 핵심 기술은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 가능하게 하는 'TRION 스페셜 RF 히터' 와 공정 가스 분사시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 'TTPN(튜너블 트리플 페어 노즐; Tunable Triple Pair Nozzle)' 기술이다. 테스는 "독자 기술을 통해 에피 성장의 성능을 결정하는 온도 균일도 향상은 물론, 고객사 유지보수의 편의성과 생산성을 획기적으로 개선했다"며 "또한 TTNP 기술로 가스의 양, 속도, 방향을 미세하게 조정함으로써 최상의 8인치 두께 및 도핑 균일도를 확보했다"고 설명했다. 테스는 해당 제품을 오는 14일부터 부산 벡스코에서 개최하는 ICSCRM 2025에서 소개할 예정이다.

2025.09.11 13:00장경윤 기자

완제품은 韓, 소재는 日…HBM 경쟁의 이면

지난 1980년대부터 1990년대까지 두 차례에 걸친 메모리 반도체 치킨게임이 진행되면서 메모리 반도체 시장에는 지각변동이 일어났다. 일본이 지배하던 당초 시장 구조가 재편되고, 한국이 메모리 1위 자리로 올라선 것이다. 그러나 실제로 내부 실상을 들여다보면 한국이 진정한 의미에서 1등이라고 말하기는 어렵다. D램, 낸드플래시 등 완제품 메모리 영역에서는 시장 리더지만 소재 분야에서는 여전히 일본 의존도가 높기 때문이다. 사실상 역할이 분담된 셈이다. SK하이닉스 HBM 소재·장비 상당수 日 독점 이 같은 상황은 SK하이닉스의 HBM(고대역폭 메모리) 밸류 체인을 통해서도 확인할 수 있다. HBM은 기존 D램과 달리 초미세 TSV(실리콘 관통 전극) 적층 구조를 채택한다. 이 과정에서 쓰이는 핵심 소재와 장비는 일본 기업들이 사실상 독점 공급하고 있다. 특히 HBM 적층 공정에서 필수적인 언더필(Underfill) 소재는 일본 나믹스(NAMICS)가 사실상 단독으로 공급하고 있다. 언더필은 반도체 칩과 기판 사이의 빈 공간을 채워주는 특수 에폭시다. 마이크로범프로 칩을 붙인 뒤 그 사이 틈새에 액체 형태로 흘려 넣어 경화시킨다. 대체제를 찾기 어려워 국산화 진척도가 더디다. 반도체 웨이퍼도 일본이 상당수 공급하고 있다. SK하이닉스는 신에츠화학으로부터 실리콘 웨이퍼 상당수를 공급받는 걸로 알려졌다. 신에츠화학은 1926년 설립된 회사로, 현재 반도체 실리콘 웨이퍼 글로벌 시장을 약 30% 점유하며 세계 1위를 기록 중이다. 웨이퍼 시장을 양분하는 SUMCO의 점유율까지 합칠 경우 일본 기업의 글로벌 웨이퍼 시장 점유율은 최대 70%에 달할 것으로 관측된다. 아울러 SK하이닉스는 포토레지스트(PR) 대부분을 도쿄오카공업(TOK)로부터 공급받으며, 절연재(EMC)는 JSR, 아사히카세이 등과 협업 중이다. 이들 소재는 HBM을 만드는 핵심 소재로 분류된다. 장비 부문에서도 일본에 대한 의존도가 높다. 웨이퍼를 수십 마이크로미터(㎛) 수준으로 얇게 가공하는 그라인딩·다이싱 장비도 일본 디스코(DISCO)가 세계 점유율 90% 이상을 차지하고 있다. HBM처럼 초박형 웨이퍼를 요구하는 공정에서는 디스코 장비를 사실상 대체할 수 없는 상황이다. 韓 기업 장비서 일부 성과 있어...소재는 여전히 日 리더 다만 장비 부문에서는 일부 국산화 성과가 나타나고 있다. 원익IPS(식각 장비), PSK(세정 장비), 한미반도체(본딩·검사 장비) 등 국내 주요 기업은 SK하이닉스 HBM 생산에 중요한 장비를 공급하며 입지를 확대하는 것이다. 그러나 소재 분야에서는 여전히 일본이 압도적이다. 반도체 소재는 한 번 채택되면 수율과 직결되기 때문에 수년 이상 검증 데이터가 필요한데, 일본 기업들은 이미 20~30년간의 데이터와 신뢰를 확보했다. 한국 기업이 대체재를 개발하더라도 양산 적용까지는 긴 시간이 걸릴 수밖에 없다. 시장 구조에서도 차이가 난다. 일본 기업들은 매출 규모가 작더라도 특정 소재에 수십 년간 집중 투자하는 B2B 특화 문화를 갖고 있다. 나믹스(NAMICS)가 HBM 언더필을 20년 넘게 연구·공급하며 독점적 지위를 확보한 것이 대표적이다. 반면 한국 기업들은 대규모 양산과 빠른 시장 확대에 익숙해, 상대적으로 규모가 작은 틈새 소재 시장에 장기간 투자하기 어려운 구조다. 기술 장벽도 만만치 않다. 반도체 소재는 순도 99.9999% 이상의 초고순도 화학 기술과 정밀 공정을 요구한다. 일본은 신에츠화학, 도쿄오카공업(TOK) 등 글로벌 화학 기업을 기반으로 반도체 소재를 발전시켰다. 한국에도 LG화학·롯데케미칼 등이 있지만, 반도체 소재로의 확장은 비교적 최근이다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 “한국은 제조 중심, 일본은 소재 중심이라는 산업 DNA 차이가 지금의 상황을 만들었다”며 “소재 국산화가 속도를 내지 못하면 AI와 HBM 경쟁에서 구조적 리스크가 될 수 있다”고 경고했다.

2025.08.31 09:23전화평 기자

에이텍솔루션, 코스닥 상장 위한 예비심사청구서 제출

재생웨이퍼 전문기업 에이텍솔루션은 지난 22일 코스닥 상장을 위한 예비심사청구서를 제출했다고 25일 밝혔다. 상장 주관사는 대신증권이다. 2009년 설립된 에이텍솔루션은 반도체 공정에 사용되는 '모니터링 웨이퍼 리클레임(Monitoring Wafer Reclaim)' 사업을 국내 최초로 개발 및 양산하는데 성공했다. 해당 사업을 통해 928억원의 수입대체 효과를 창출했으며, 2018년 삼성전자 'Best Contribution Award'를 수상하면서 삼성전자와의 파트너십 강화 및 기술력을 입증했다. 웨이퍼 리클레임 사업은 반도체 제조 과정에서 사용 후 폐기되던 모니터 웨이퍼를 정밀연마 및 세정 등의 기술을 활용해 재사용할 수 있게 하는 사업이다. 에이텍솔루션은 재생 과정에서 해외 경쟁사 대비 약 10배 가량 재 사용 횟수를 높여 고객 만족도를 향상시키고 있다. 이외에도 MFC(가스 유량 제어기) 판매 사업, 반도체 부품 정밀 세정, 실리콘 부품 공급 등 다양한 반도체 공정 핵심 분야의 사업을 펼치면서, 반도체 산업의 핵심 플레이어로 부상하고 있다. 박병호 에이텍솔루션 대표는 “첨단기술 발전으로 인한 반도체 수요 증가로 웨이퍼 리클레임 사업 또한 수요가 높아질 것으로 전망한다”며 “성장하는 반도체 산업에서 보유 기술의 고도화를 통해 웨이퍼 리클레임 시장의 선두주자가 되겠다”고 말했다.

2025.08.25 10:41장경윤 기자

"TSMC, 6인치 웨이퍼 생산 2년 내 전면 중단"…효율성 강화 포석

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 향후 2년 내에 6인치 웨이퍼 생산을 단계적으로 중단하고, 8인치 웨이퍼 생산으로 재편한다. 로이터통신 등 외신은 TSMC가 6인치 팹의 기능을 8인치 팹으로 통합할 예정이라고 현지시간 12일 보도했다. 현재 TSMC는 대만 내 6인치 팹 1곳, 8인치 팹 4곳, 그리고 12인치 팹을 운영 중이다. 이는 생산 효율성을 높이는 전략적 결정이다. TSMC 측은 “시장 여건과 장기 전략에 부합하는 조치”라며 “고객과 긴밀히 협력해 원활한 전환을 추진할 것”이라고 설명했다. 그러면서 “해당 조치가 기존 실적 목표에는 영향을 미치지 않는다”고 덧붙였다. 6인치 웨이퍼 수요가 일부 아날로그·전력반도체 분야에 남아있지만, 첨단 공정 확대 흐름 속에서 투자 대비 효율성이 떨어진다는 점이 폐지 결정의 배경으로 분석된다. 한편 회사는 7월 기준 올해 글로벌 매출이 약 30% 성장할 것이라는 전망이라고 밝혔다. 초기 예상치(24~26%)를 웃도는 수치로, AI 수요 증가 및 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 따른 것으로 풀이된다.

2025.08.13 10:57전화평 기자

[단독] 테슬라, 슈퍼컴 '도조' 공급망 삼성·인텔 낙점

테슬라가 자사 슈퍼컴퓨팅 시스템인 '도조(Dojo)'의 공급망에 삼성전자와 인텔을 낙점하고 대대적인 변화를 시도한다. 테슬라가 기존 TSMC에 공정 전체를 일임하던 구조에서 벗어나, 삼성전자·인텔 양사에 각각 특정 공정을 맡기는 이원화된 방안을 추진 중으로 파악돼 향후 공급망에 큰 변화도 예상된다. 도조용 칩 제조는 삼성전자 파운드리가, 모듈 제작을 위한 특수 패키징 기술은 인텔이 각각 담당하는 구조다. 그동안 삼성전자·인텔은 첨단 파운드리 및 패키징 산업에서 오랜시간 경쟁 구도를 형성해 왔다. 하지만 테슬라를 필두로 AI 반도체 업계에 새로운 협력 구조와 공급망 체제가 결성될 수 있을 지 귀추가 주목된다. 7일 지디넷코리아 취재를 종합하면 테슬라는 3세대 도조 양산에 삼성전자·인텔을 동시 활용하는 방안을 두고 각 사와 논의 중이다. 삼성 파운드리·인텔 OSAT 활용 추진…"전례 없는 협력 구조" 테슬라는 완전자율주행(FSD)과 관련한 데이터를 AI 모델로 학습시키기 위한 슈퍼컴퓨팅 시스템 도조를 자체 개발해 왔다. 도조에는 테슬라의 맞춤형 AI 반도체인 'D 시리즈' 칩이 다수 집적된다. 예를 들어, 1세대 도조는 D1 칩을 25개 패키징한 모듈로 구성돼 있다. 도조 1·2는 모두 대만 주요 파운드리인 TSMC가 양산을 전담한 것으로 알려져 있다. 그러나 도조3부터는 공급망이 전면적으로 바뀔 예정이다. 현재 테슬라는 도조3용 'D3' 칩의 전공정을 삼성전자에, 모듈용 패키징 공정을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "테슬라가 도조3 공급망 논의에서 칩 양산과 모듈용 패키징을 분리하는 계획을 제안하고 있다"며 "이 같은 계획을 토대로 협력사와 구체적인 계약 체결을 논의 중"이라고 설명했다. 계약이 최종 합의되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리 사업과 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트) 사업간의 협업이 업계 최초로 이뤄질 예정이다. 양사 모두 파운드리와 패키징 사업을 운영중이지만, 이 같은 협력 구조가 공식적으로 성사된 사례는 아직까지 확인된 바 없다. 우선 도조3용 칩 양산은 삼성전자의 수주가 사실상 확실시되고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 반도체로, 2나노 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 또한 테슬라는 도조3에 탑재할 칩을 별도로 설계하지 않고, AI6와 도조3용 칩을 단일 아키텍처로 통합하겠다고 밝힌 바 있다. 일론 머스크 CEO는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "도조3와 AI6 칩을 기본적으로 동일하게 사용하는 방향을 생각하고 있다"며 "예를 들어 자동차나 휴머노이드에는 칩을 2개 사용하고, 서버에는 512개를 사용하는 방식"이라고 말했다. 도조, 초대형 반도체 위한 특수 패키징 필요 테슬라가 도조3용 칩과 패키징 협력사를 이원화하려는 배경에는 기술과 공급망 요소가 모두 작용하고 있다는 분석이다. 테슬라의 도조는 일반적인 시스템반도체와 달리, 패키징 과정에서 매우 큰 사이즈로 제작된다. 때문에 테슬라는 TSMC의 SoW(시스템-온-웨이퍼) 패키징 기술을 채택한 바 있다. SoW는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB) 등을 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 웨이퍼 전체를 사용하기 때문에 초대형 반도체에도 대응 가능하다. D1의 경우 TSMC 7나노미터(nm) 공정 기반의 654제곱밀리미터(mm²) 단일 칩을 활용한다. 이를 웨이퍼에 5x5 배열로 총 25개 배치한 뒤, 각 칩을 전기적으로 연결해 하나의 모듈로 만든다. 웨이퍼 전체를 일종의 기판처럼 사용하는 방식이다. 다만 SoW는 초대형 반도체를 타겟으로 한 특수 패키징으로, 양산되는 칩의 수량이 비교적 적다. 당장의 매출 규모가 크지 않은 만큼 전공정·후공정 모두 TSMC 측의 적극적인 지원을 받기가 힘든 상황이다. 반면 삼성전자·인텔은 대형 고객사 확보가 절실한 상황으로, 각각 테슬라에 우호적인 조건을 제시했을 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 역시 초대형 반도체에 대응할 수 있는 첨단 패키징 기술을 고도화하고 있는 것으로 안다"며 "도조3 모듈 패키징은 인텔이 선제 진입할 예정이나, 기술 개발 상황에 따라 향후 삼성전자도 공급망 진입이 가능할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 인텔, EMIB 기반으로 테슬라 대응 유력 한편 테슬라는 도조3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 알려졌다. EMIB는 인텔의 독자적인 2.5D 패키징 기술이다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 '실리콘 인터포저'라는 얇은 막을 삽입해 각 칩을 연결하는 방식을 뜻한다. EMIB는 기존 2.5D 패키징처럼 칩 아래에 인터포저를 넓게 까는 대신, 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 인터포저 크기에 따라 다이 사이즈 확장에 제약을 받는 2.5D 패키징과 달리, 더 넓은 면적에 걸쳐 다이를 구성하는 데에도 유리하다. 다만 EMIB도 현재 상용화된 기술 수준으로는 웨이퍼 수준의 초대형 칩 제작이 어렵다는 평가를 받는다. 때문에 업계는 인텔이 도조 3를 위한 새로운 EMIB 기술 및 설비투자 등을 검토하고 있을 것으로 보고 있다.

2025.08.07 15:14장경윤 기자

세메스, 반도체 매엽식 세정장비 2500호기 판매 달성

반도체 장비업체인 세메스는 자사의 반도체 매엽식 세정장비 양산 판매 대수가 국내 최초로 2천500호기를 달성했다고 1일 밝혔다. 2006년 7월 첫 양산 개발 이래 지금까지 누적 매출도 7조원을 넘어선 것으로 집계됐다. 매엽식 세정은 반도체 웨이퍼의 회로 선폭이 점점 미세해지면서 웨이퍼 표면에 남아있는 파티클(오염물질)을 제거하기 위해 반도체 웨이퍼를 한장씩 개별적으로 세정하는 방식이다. 세메스 매엽식 세정장비는 아이리스(IRIS), 블루아이스(BLUEICE), 로투스(LOTUS), 퓨어시스(PURESYS) 등이 있으며, 주요 기술에 대해 국가핵심기술 판정을 받았다. 이들 설비는 다양한 소재와 신기술을 적용해 세정 성능을 기존 대비 90% 이상 크게 향상시켰으며, 웨이퍼의 오염 상태에 따라 세정 방식을 조절할 수 있도록 제작됐다고 회사측은 설명했다. 김경현 클린팀장은 “앞으로 다양한 공정기술이 융복합된 신제품 개발 및 친환경 설비경쟁력 확보를 통해 명실상부한 반도체 세정장비 리딩컴퍼니로 도약하겠다”고 말했다. 세메스는 지난 2014년 세계 최초로 반도체 초임계 세정장비를 양산해 업계의 주목을 받았으며, 정부로부터 국가핵심기술 판정을 받았다.

2025.08.01 10:46장경윤 기자

인피니티시마, SK하이닉스 D램 공정에 첨단 계측장비 공급

인피니티시마(Infinitesima)는 SK하이닉스 양산 라인에 '메트론(Metron) 3D' 300mm 인라인(in-line) 웨이퍼 계측 시스템을 공급했다고 9일 밝혔다. 메트론 3D는 SK하이닉스의 차세대 메모리 디바이스 제조에 필수적인 서브 나노미터 정확도의 3차원(3D) 공정 제어를 제공한다. 이번 SK하이닉스의 양산 라인 적용은 여러 공정 단계에 대한 시스템 특성화 작업을 포함한 광범위한 평가를 거친 후 이루어졌다. 최영현 SK하이닉스 DMI(결함 분석, 계측 및 검사 기술) 담당 선임(Head of DMI)은 “나노미터 수준에서의 3차원 공정 제어는 첨단 D램 공정에서 고수율을 보장하는 데 있어서 점점 더 중요해지고 있다"며 "인피니티시마의 메트론 3D는 대량양산(HVM) 구현에 필요한 비용 효율성을 갖춘 우수한 서브 나노미터 3D 계측 성능을 입증했다”고 말했다. 메트론 3D는 통상적인 원자현미경(AFM) 처리량보다 10배에서 100배의 AFM 계측 능력을 제공하는 인피니티시마 고유의 RPMTM(Rapid Probe MicroscopeTM) 기술을 특징으로 한다. 또한 이 시스템은 완전 자동화된 웨이퍼, 데이터, 프로브 핸들링 기능을 지원해 반도체 디바이스의 인라인 대량 생산에 최적화돼 있다. 이 계측 솔루션에 대한 투자는 SK하이닉스가 컴퓨터 메모리의 개발 및 제조 분야에서 기술 리더십을 유지하기 위해 얼마나 노력하고 있는지를 잘 보여준다. 피터 젠킨스 인피니티시마 회장 겸 CEO는 “SK하이닉스와 협력하게 되어 매우 기쁘다"며 "SK하이닉스의 지원과 지도 덕분에 우리 메트론 3D 시스템이 신속히 품질 평가를 마치고 대량 양산에 채택될 수 있었다”고 밝혔다.

2025.07.09 13:24장경윤 기자

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