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'반도체 설비투자'통합검색 결과 입니다. (40건)

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삼성·SK, 2분기 최첨단 낸드 전환투자 본격화

삼성전자, SK하이닉스의 최첨단 낸드 투자가 본격화된다. 그간 D램에 우선순위가 밀려 일정이 연기돼왔으나, 최근 구체적인 투자 계획이 잡히고 있는 것으로 파악됐다. AI 산업 주도로 수요가 급증하는 낸드 시장에 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 2분기 최첨단 낸드에 대한 전환투자를 진행할 계획이다. 삼성전자는 지난 2024년 9월 280단대의 V9(9세대) 낸드 양산을 시작한 바 있다. 다만 현재까지 생산능력은 매우 적은 수준으로, 도합 월 1만5천장 내외로 추산된다. 당시 삼성전자가 시장 수요 부족 등으로 평택캠퍼스에 초도양산 라인만을 도입했기 때문이다. 다만 올 2분기부터는 V9 낸드 생산능력 확대를 위한 투자가 진행될 예정이다. 거점은 중국 시안에 위치한 X2 라인이다. 현재 해당 라인에서는 6~7세대급 구형 낸드가 양산되고 있다. 인근 X1 라인의 경우 8세대 낸드로 전환이 대부분 마무리됐다. 논의되고 있는 전환투자 규모는 월 4~5만장 수준이다. 설비투자 시점을 고려하면, V9 낸드는 내년부터 램프업(Ramp-up; 양산 본격화) 단계에 접어들 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "당초 삼성전자가 1분기에 시안 X2 라인에서 V9 낸드 전환을 진행하려고 했으나, 일정이 다소 밀려 2분기에 시작될 예정"이라며 "평택 제1캠퍼스(P1)에서도 V9 낸드 전환투자가 준비되고 있어, 제품 생산 비중이 내년 크게 늘어날 수 있다"고 말했다. SK하이닉스 역시 2분기 321단의 9세대 낸드 전환투자를 계획하고 있다. 올 2분기 청주 M15에서 월 3만장 내외의 V9 생산능력을 확보하는 것이 주 골자다. 현재 해당 낸드 생산능력이 월 2만장 수준임을 감안하면, 적지 않은 투자 규모다. 업계 관계자는 "삼성전자, SK하이닉스 모두 최첨단 낸드 수요 확대 전망에 대응하기 위해 전환투자를 계획 중"이라며 "그간 양사 설비투자 전략이 D램에만 집중돼 왔으나, 낸드 역시 빠르게 품귀현상이 나타나고 있는 상황"이라고 설명했다.

2026.02.02 15:42장경윤 기자

SK하이닉스 "올해 설비투자 규모 상당 수준 증가" 예고

SK하이닉스가 올해 연간 설비투자 규모를 상당한 수준으로 늘릴 계획이다. AI 산업 주도로 고부가 메모리반도체 수요가 지속적으로 강세를 보일 것으로 예상되는 만큼, 이에 적기 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 28일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 자료를 통해 "올해 투자 규모는 전년 대비 상당 수준 증가가 예상된다"며 "다만 설비투자 원칙(투자 규모가 연 매출액 대비 최대 30% 중반 수준을 넘지 않는 것)을 지속 준수할 것"이라고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 3분기까지 누적 17조8천250억원을 투자한 바 있다. 이를 고려하면 지난해 연간 투자 규모는 20조원 중후반대에 달할 전망이다. 올해는 30조원을 넘어설 가능성이 유력하다. 올해는 연간으로 더 큰 규모의 투자가 예정돼 있다. 청주 신규 팹인 M15X는 생산능력 조기 극대화 및 선단 공정 가속화를 추진하고 있으며, 용인 1기 팹도 건설에 속도를 내고 있다. 패키징 관련해서는 청주 P&T(패키징&테스트)7, 인디애나주 신규 팹 설립 등을 추진 중이다.

2026.01.28 18:01장경윤 기자

TSMC, 올해 설비투자 전년比 25% 이상 확대...AI 붐 장기화 기대감↑

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC(대만반도체제조)가 AI 반도체 수요 장기화에 대한 강한 자신감을 드러내며 올해 대규모 설비투자 계획과 고성장 전망을 제시했다. TSMC는 현지시간 15일 지난해 4분기 및 연간 실적 발표에서 올해 자본적지출(CAPEX) 규모를 520억~560억달러(약 76조5천388억원~82조3천536억원)로 제시했다. 이는 지난해 대비 최소 25% 이상 늘어난 수준이다. 시장에서는 당초 TSMC가 480억~500억달러 수준의 투자를 집행할 것으로 예상했다. 이번 가이던스가 공격적인 투자 계획으로 평가되는 이유다. 이 같은 투자 확대는 글로벌 빅테크 기업들의 데이터센터 투자 지속성에 대한 우려를 일부 완화하는 신호로도 해석된다. AI 반도체 수요의 바로미터로 꼽히는 TSMC가 설비투자와 함께 매출 성장 전망까지 동시에 상향 제시했기 때문이다. TSMC는 올해 매출이 약 30% 가까이 성장할 것으로 내다봤다. 이는 애널리스트들의 평균 예상치를 웃도는 수준으로, AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC)용 칩 수요가 예상보다 빠르게 확대되고 있다는 판단이 반영됐다. C.C. 웨이 TSMC 최고경영자(CEO)는 실적 발표 자리에서 “인공지능은 현실이며, 이제 막 시작되고 있다”며 “우리는 이를 하나의 'AI 메가 트렌드'로 보고 있다”고 강조했다. 실적 역시 이러한 자신감을 뒷받침했다. TSMC는 지난해 4분기 순이익으로 5057억대만달러(약 160억달러)를 기록해 시장 예상치를 웃돌았다. 앞서 발표한 매출을 포함해 TSMC는 2025년 연간 매출 1천억달러(약 147조원)를 처음으로 돌파했다. AI 인프라 투자 확대는 TSMC의 고성장을 이끌고 있다. 글로벌 빅테크를 중심으로 1조달러를 웃도는 AI 데이터센터 투자 계획이 추진되면서, 첨단 공정과 대량 생산 능력을 동시에 갖춘 TSMC의 역할은 더욱 커지고 있다. 회사는 최근 2년간 연평균 30% 이상의 매출 성장률을 기록했다. 이번 설비투자는 AI 반도체 생산에 필요한 첨단 공정 확대와 차세대 미세공정 개발, 글로벌 생산기지 구축에 집중될 전망이다. 특히 AI 데이터센터용 칩 수요 증가에 대응하기 위한 생산능력 확충이 핵심이다. 한편 TSMC는 글로벌 생산망 확대에도 속도를 낸다. 미국에 최대 1650억달러를 투자하는 계획을 포함해 일본과 독일에서도 생산 거점을 구축하고 있다. 회사는 이와 동시에 대만에서는 초미세 공정 기술 개발에 역량을 집중해 기술 경쟁력을 유지한다는 전략이다.

2026.01.15 16:43전화평 기자

SK하이닉스, 한미반도체·한화세미텍에 TC본더 발주…추가 수주 기대감

SK하이닉스가 국내 주요 후공정 장비업체에 HBM4 양산을 위한 TC본더를 발주했다. 당장 규모는 크지 않지만, SK하이닉스가 올해 M15X·M8 등 유휴 공간을 넉넉히 확보한 만큼 연간으로 TC본더 투자가 꾸준히 진행될 것이라는 기대감이 나온다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이달 한미반도체·한화세미텍에 HBM 제조용 TC본더를 동시 발주했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)을 뚫어 연결한 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하는 데에는 열압착 방식의 TC본더가 쓰인다. 현재 SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM) 양산을 준비하고 있다. 핵심 고객사인 엔비디아가 차세대 AI 가속기인 '루빈' 칩에 해당 HBM을 탑재할 예정이다. 이에 SK하이닉스는 이달 한미반도체·한화세미텍에 TC본더를 동시 발주했다. 한미반도체와 96억5천만원 규모의 공급계약을 맺었다고 공시했다. 한화세미텍은 별도의 공시를 올리지 않았으나, 비슷한 규모의 수주를 받은 것으로 파악됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 하반기 업계 예상을 밑도는 TC본더 투자를 진행한 바 있다. 공격적인 설비투자보다는 기존 HBM3E용 TC본더 개조, 수율 상승 등으로 생산능력을 효율적으로 높이겠다는 전략에서였다. 다만 올해에는 TC본더 투자가 다시 활발히 진행될 것이라는 업계 기대감이 크다. 기존에는 후공정 투자를 진행할 공간이 부족했으나, 최근 여유 공간을 적극 늘린 덕분이다. 우선 SK하이닉스는 지난해부터 청주 유휴 팹인 M8을 패키징 전담의 'P&T6'로 개조해 왔다. 이르면 올 1분기 말부터 장비 반입이 시작될 것으로 관측된다. 또한 SK하이닉스는 청주에 신규 팹인 M15X를 구축해 왔다. 해당 팹은 지난해 4분기부터 장비 반입이 시작된 상태다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 올해 M8, M15X 등 HBM용 TC본더 장비를 도입할 수 있는 공간을 넉넉히 마련했다"며 "이달 수주 규모는 그리 크지 않지만, 이미 추가 주문 논의가 진행되고 있어 연간으로 적잖은 투자가 발생할 수 있다"고 말했다.

2026.01.14 14:46장경윤 기자

SK하이닉스, 청주 패키징 팹에 19조원 투자…HBM 등 수요 대응

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 등 최첨단 패키징을 담당할 신규 팹을 건설한다. 총 19조원 규모이며 완공 목표는 2027년 말이다. SK하이닉스는 13일 공식 뉴스룸을 통해 청주 첨단 패키징 팹인 'P&T7'의 착공을 오는 4월 진행한다고 밝혔다. P&T는 전공전 팹에서 생산된 반도체 칩을 제품 형태로 패키징하고 테스트하는 후공정 시설이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 하반기 과거 매입했던 청주 LG 2공장 부지의 건물을 철거해 P&T7을 건설하겠다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스는 "이번 투자는 정부가 추진해 온 지역 균형 성장 정책 취지에 공감하면서, 동시에 공급망 효율성과 미래 경쟁력을 종합적으로 고려한 전략적 결정"이라며 "P&T7 투자를 통해 청주는 SK하이닉스의 새로운 AI 메모리 핵심 거점으로 자리매김하게 될 것"이라고 설명했다. P&T7은 HBM 등 AI 메모리 제조에 필수적인 어드밴스드 패키징 팹으로서, 청주 테크노폴리스 산업단지 내 7만 평 부지에 총 19조원 규모로 조성될 예정이다. 오는 4월 착수 후 2027년 말 완공을 목표로 하고 있다. P&T7은 SK하이닉스 인근에 건설 중인 M15X와 물리적으로 거리가 가까워, 유기적 연계가 용이할 것으로 분석된다. 또한 SK하이닉스는 이번 P&T7 구축이 지역 균형 성장 차원에서 중요한 의미를 지닌 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "청주 P&T7 투자를 통해 단기적인 효율이나 유불리를 넘어, 중장기적으로 국가 산업 기반을 강화하고 수도권과 지방이 함께 성장하는 구조를 만들어 가는 데 기여하고자 한다"고 밝혔다.

2026.01.13 10:12장경윤 기자

삼성전자, 용인 반도체 국가산단 조성 속도…LH와 부지매입 계약

삼성전자가 경기 용인시에 추진 중인 첨단시스템반도체 국가산업단지 조성 사업에 속도를 내고 있다. 현재 산단 조성을 위한 부지 매입 계약을 진행한 상태로, 내년 하반기부터 공사가 진행될 것으로 예상된다. 29일 업계에 따르면 삼성전자와 한국토지주택공사(LH)는 지난 19일 산단 조성을 위한 부지 매입 계약을 체결했다. 앞서 삼성전자는 용인 첨단시스템반도체 국가산업단지에 총 360조원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 해당 산업단지는 용인 이동·남사읍 일대에 777만3천656㎡ 부지로 조성되며, 삼성전자는 이곳에 총 6개의 팹(fab)을 구축할 계획이다. 이에 LH는 지난 22일부터 산단 예정지 내 토지 소유자들과 토지 및 지장물(건물, 공작물, 수목 등)에 대한 보상 협의에 착수했다. 지난 26일 기준으로는 보상 절차 진행률이 14.4% 기록 중인 것으로 알려졌다. LH는 현재 진행 중인 1차 토지 보상을 시작으로, 향후 지장물(건물, 영업권 등) 조사가 완료되는 대로 관련 보상을 순차적으로 진행할 계획이다. 또한 조만간 산단 조성 공사를 발주하고, 내년 하반기 공사를 시작할 예정이다. 용인 국가산단은 기존 국내 반도체 생산거점인 경기도 기흥·화성·평택과의 접근성이 뛰어나다는 장점이 있다. 해당 지역에 자리잡은 소부장 기업들과의 협력도 용이할 것으로 관측된다. 수도권 인근에 위치해 우수 인력 확보에도 유리하다. 용인시 또한 국가산단 조성을 가속화하기 위한 노력에 앞장서고 있다. 이상일 용인이시장은 지난 28일 구윤철 경제부총리 겸 기획재정부 장관을 만나 관련 내용을 건의했다. 이 시장이 구 부총리에게 검토를 요청한 내용은 ▲첨단시스템반도체 국가산단에 대한 전력·용수 등 기반시설 적기 구축 ▲첨단시스템반도체 국가산단 이주민·이주기업을 위한 저금리 정책자금 지원 ▲국가첨단전략산업 소재·부품·장비 투자지원금 사업에 대한 지방비 부담 경감 ▲제6차 국도·국지도 건설계획 노선 예비타당성 통과 건의 ▲분당선 연장(기흥역~동탄~오산대역) 예비타당성 조사 면제 또는 조속 추진 등 5건이다. 이 시장은 "SK하이닉스가 처인구 원삼면 용인반도체클러스터에 600조원, 삼성전자가 처인구 이동·남사읍 첨단시스템반도체 국가산업단지에 360조원, 기흥캠퍼스 미래연구단지에 20조원 등 1천조원에 육박하는 투자가 진행되는 용인특례시는 앞으로 단일 도시로는 세계 최대 규모의 반도체 생태계가 조성될 곳"이라고 말했다.

2025.12.29 17:45장경윤 기자

SK하이닉스, 美에 첫 2.5D 패키징 '양산 라인' 구축 추진

SK하이닉스가 HBM을 넘어 최첨단 패키징 기술력 전반을 확보하기 위한 투자를 계획 중이다. 미국 신규 패키징 공장에 첫 2.5D 패키징 양산 라인을 마련하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 2.5D 패키징은 HBM과 고성능 시스템반도체를 집적하기 위한 핵심 공정이다. SK하이닉스가 2.5D 패키징 기술력 및 양산 능력을 확보하는 경우, AI반도체 공급망에 상당한 변화를 일으킬 수 있을 것으로 예상된다. 29일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 미국 인디애나주 라스트웨피엣 소재의 신규 패키징 공장에 2.5D 제조라인을 구축하는 방안을 논의 중이다. 2.5D 패키징 양산라인 첫 구축 추진 라스트웨피엣 패키징 공장은 SK하이닉스의 첫 미국 내 공장으로서, AI 메모리용 최첨단 패키징 생산기지로 조성될 예정이다. 목표 가동 시기는 오는 2028년 하반기다. 이를 위해 SK하이닉스는 현지에 38억7천만 달러(한화 약 5조4천억원)를 투자하겠다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스가 미국 웨스트라피엣에 신규 패키징 라인을 구축하는 주 요인은 HBM(고대역폭메모리)에 있다. HBM은 AI반도체의 핵심 요소 중 하나로, 현재 미국 정부는 자국 내 최첨단 반도체 공급망 강화를 위해 SK하이닉스를 비롯한 주요 반도체 기업의 현지 투자를 적극 유치해 왔다. 나아가 SK하이닉스는 해당 공장에 2.5D 패키징 양산 라인을 구축하는 방안을 추진하고 있다. 2.5D 패키징은 반도체와 기판 사이에 실리콘 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 칩 성능 및 전력효율성을 높이는 기술이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아의 고성능 AI가속기도 HBM과 고성능 GPU·CPU 등을 2.5D 패키징으로 집적해 만들어진다. SK하이닉스는 2.5D 양산 라인 구축으로 HBM을 비롯한 AI 반도체 패키징 능력 전반을 강화하려는 것으로 풀이된다. HBM은 최종 고객사인 엔비디아의 사용 승인을 받기 위해 HBM 자체만이 아닌, 2.5D 패키징에서도 퀄(품질) 테스트를 거친다. HBM에서 신뢰성을 확보하더라도 2.5D 패키징 테스트에서 불량이 발생하면 일정에 차질이 생길 수 밖에 없는 구조다. 2.5D 패키징 내에서 책임 소재를 정확히 찾아내는 작업 또한 어렵다. 어떤 의미?...HBM 넘어 최첨단 패키징 전반 기술력 강화 전략 때문에 SK하이닉스는 그동안 자체적으로 2.5D 패키징에 대한 연구개발을 진행해 왔다. 다만 국내에서는 모든 2.5D 패키징 과정을 양산 수준으로 진행할 만큼의 설비가 갖춰지지 않았다는 평가다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스의 경우 2.5D 패키징에 대한 기본적인 기술력 및 설비는 갖추고 있으나, HBM이 집적된 AI가속기에 대응할 만큼 대형 SiP(시스템인패키지) 설비에는 대응하기에 무리가 있다"며 "이에 미국 웨스트라피엣에 최초로 정식 2.5D 패키징 양산라인을 구축하는 방안을 패키징 협력사들과 진지하게 논의 중"이라고 설명했다. 이 같은 관점에서 SK하이닉스가 2.5D 패키징 양산 라인을 구축하는 경우 차세대 HBM 공급에서 안정성을 확보할 수 있을 것으로 관측된다. 또한 기술력을 한층 고도화해 고객사에 HBM과 패키징을 동시에 제공하는 턴키(Turn-Key) 사업도 구상할 수 있게 된다. 현재 AI가속기용 2.5D 패키징은 대만 주요 파운드리인 TSMC가 사실상 독점하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK하이닉스는 자사 HBM을 직접 2.5D 패키징까지 진행할 수 있는 설비를 갖추는 것을 매우 중요한 과제로 인식하고 있다"며 "기술이 안정화 및 고도화되는 경우에는 단순한 연구개발을 넘어 사업 진출도 추진할 수 있을 것"이라고 말했다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스 내부에서 2.5D 패키징 샘플 제조 및 테스트를 적극 진행하는 등 관련 사업 확장에 대한 의지는 명확하다"며 "다만 미국 웨스트라피엣 공장 완공 시점이 아직 시간적으로 많이 남아 있는 만큼, 계획이 수정될 가능성은 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 SK하이닉스는 "인디애나 팹 활용 방안과 관련해 다양한 방안을 검토 중이나, 구체적으로 확정된 바는 없다"고 답변했다.

2025.12.29 11:01장경윤 기자

11.3조원 쏜 SK하이닉스, 내년도 HBM·D램·낸드 모두 '훈풍'

올 3분기 사상 최대 분기 실적을 거둔 SK하이닉스가 내년에도 성장세를 자신했다. 메모리 산업이 AI 주도로 구조적인 '슈퍼사이클'을 맞이했고, 핵심 사업인 HBM(고대역폭메모리)도 주요 고객사와 내년 공급 협의를 성공적으로 마쳤기 때문이다. 이에 SK하이닉스는 내년 설비투자 규모를 올해 대비 확대하고, HBM과 범용 D램, 낸드 모두 차세대 제품의 생산능력 비중 확대를 추진하는 등 수요 확대에 대응하기 위한 준비에 나섰다. 29일 SK하이닉스는 3분기 실적발표를 통해 매출액 24조4천489억원, 영업이익 11조3천834억원(영업이익률 47%), 순이익 12조5천975억원(순이익률 52%)을 기록했다고 밝혔다. 창사 이래 최대 실적…'메모리 슈퍼사이클' 이어진다 매출액은 전년동기 대비 39%, 전분기 대비 10% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 62%, 전분기 대비 24% 증가했다. 또한 분기 기준 역대 최대 실적으로, 영업이익이 창사 이래 최초로 10조원을 넘어섰다. 호실적의 주요 배경에는 AI 중심의 메모리 슈퍼사이클 효과가 있다. AI 인프라 투자에 따른 데이터센터 및 일반 서버 수요가 확대되면서, D램과 낸드 모두 수요가 빠르게 증가하는 추세다. 특히 주요 메모리 공급사들이 HBM(고대역폭메모리) 양산에 생산능력을 상당 부분 할당하면서, 범용 D램의 수급이 타이트해졌다는 분석이다. SK하이닉스는 "HBM뿐 아니라 일반 D램·낸드 생산능력도 사실상 완판 상태”라며 “일부 고객은 2026년 물량까지 선구매(PO) 발행해 공급 부족에 대응하고 있다”고 밝혔다. 메모리 사업에도 근본적인 변화가 감지된다. AI가 단순히 새로운 응용처의 창출을 넘어, 기존 제품군에도 AI 기능 추가로 수요 구조 전체를 바꾸고 있다는 설명이다. SK하이닉스는 "이번 사이클은 과거처럼 가격 급등에 따른 단기 호황이 아니라, AI 패러다임 전환을 기반으로 한 구조적 성장기”라며 “AI 컴퓨팅이 학습에서 추론으로 확장되면서 일반 서버 수요까지 급격히 늘고 있다”고 말했다. 이에 따라 SK하이닉스는 내년 서버 세트 출하량을 전년 대비 10% 후반 증가로 예상하고 있다. 전체 D램 빗그로스(출하량 증가율)은 내년 20% 이상, 낸드 빗그로스는 10% 후반으로 매우 높은 수준을 제시했다. HBM, 내후년까지 공급 부족 전망 SK하이닉스는 이번 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 밝혔다. 내년 엔비디아향 HBM 공급 계획도 순조롭게 진행될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "내년도 HBM 공급 계약을 최종 확정지었고, 가격 역시 현재 수익성을 유지 가능한 수준으로 형성돼 있다"며 "HBM은 2027년에도 수요 대비 공급이 타이트할 것으로 전망된다"고 밝혔다. HBM4(6세대 HBM)는 올 4분기부터 출하를 시작해, 내년 본격적인 판매 확대에 나설 계획이다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 차세대 AI 가속기 '루빈'에 탑재될 예정으로, 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배로 확장되는 등 성능이 대폭 향상됐다. 또한 엔비디아의 요구로 최대 동작 속도도 이전 대비 빨라진 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 "당사는 HBM 1위 기술력으로 고객사 요구 스펙에 충족하며 대응 중"이라며 "업계에서 가장 빠르게 고객 요구에 맞춘 샘플을 제공했고, 대량 공급도 시작할 준비가 돼 있다"고 강조했다. 설비투자·차세대 메모리로 미래 수요 적극 대응 SK하이닉스는 메모리 슈퍼사이클에 대응하기 위해 내년 설비투자 규모를 올해 대비 확대할 계획이다. 최근 장비 반입을 시작한 청주 신규 팹 'M15X'의 경우, 내년부터 HBM 생산량 확대에 기여할 수 있도록 투자를 준비 중이다. 또한 올해부터 건설이 본격화된 용인 1기팹, 미국 인디애나주에 계획 중인 첨단 패키징 팹 등으로 최첨단 인프라 구축에 대한 투자가 지속될 것으로 예상된다. 범용 D램과 낸드는 신규 팹 투자 대신 선단 공정으로의 전환 투자에 집중한다. 1c(6세대 10나노급) D램은 지난해 개발 완료 후 올해 양산을 시작할 예정으로, 내년 본격적인 램프업이 진행된다. SK하이닉스는 "내년 말에는 국내 범용 D램 양산의 절반 이상을 1c D램으로 계획하고 있다"며 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 확보한 1c 기반 LPDDR(저전력 D램), GDDR(그래픽 D램) 라인업을 구축하고 적시에 공급해 수익성을 확보할 것"이라고 밝혔다. 낸드도 기존 176단 제품에서 238단, 321단 등으로 선단 공정의 비중을 꾸준히 확대하고 있다. 특히 내년에는 321단 제품에 대해 기존 TLC(트리플레벨셀)를 넘어 QLC(쿼드러플레벨셀)로 라인업을 확장할 계획이다. 내년 말에는 회사 낸드 출하량의 절반 이상을 321단에 할당하는 것이 목표다.

2025.10.29 11:41장경윤 기자

SK하이닉스, 엔비디아 등과 내년 HBM 공급 협의 '완료'

SK하이닉스가 엔비디아 등 주요 고객사와의 내년 HBM(고대역폭메모리) 공급 협의를 마무리했다. 이에 따라 차세대 HBM의 양산 및 설비투자에 속도를 낼 수 있을 것으로 관측된다. SK하이닉스는 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 29일 밝혔다. 이 중 지난 9월 개발을 완료하고 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객 요구 성능을 모두 충족하고 업계 최고 속도 지원이 가능하도록 준비했다. SK하이닉스는 이를 4분기부터 출하하기 시작해 내년에는 본격적인 판매 확대에 나설 계획이다. 아울러 SK하이닉스는 급증하는 AI 메모리 수요로 D램과 낸드 전 제품에 대해 내년까지 고객 수요를 모두 확보했다고 밝혔다. SK하이닉스는 예상을 뛰어넘는 고객 수요에 대응하고자, 최근 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작한 M15X를 통해 신규 생산능력(Capa)을 빠르게 확보하고 선단공정 전환을 가속화한다는 방침이다. 이에 따라 내년 투자 규모는 올해보다 증가할 계획으로, SK하이닉스는 "시황에 맞는 최적화된 투자 전략을 유지할 것"이라고 밝혔다.

2025.10.29 08:39장경윤 기자

SK하이닉스, HBM4용 테스트 장비 공급망 '윤곽'…연내 발주 시작

SK하이닉스가 내년 HBM4 본격 양산을 위해 테스트 장비 투자를 준비하고 있다. 연말까지 공급망을 구축할 예정으로, 내년 1분기부터 설비 도입이 시작될 것으로 전망된다. 일부 협력사의 경우 양산 퀄(품질) 테스트를 마무리한 것으로도 알려졌다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 내년 1분기부터 HBM4(6세대 고대역폭메모리)용 번-인 테스터를 도입할 계획이다. HBM4는 내년 엔비디아가 출시하는 AI 반도체 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 정보를 주고받는 입출력단자(I/O) 수를 2배 늘려 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. SK하이닉스의 경우 1b(5세대 10나노급) D램을 적용했으며, 지난달 양산 체계 구축을 완료했다. SK하이닉스는 HBM4 본격적인 양산 확대를 위해, 내년 초부터 신규 번-인 테스트 설비를 들일 예정이다. 투자처는 청주에 신규로 구축 중인 M15X 팹이다. 이르면 10~11월 관련 설비에 대한 초도 발주가 나올 전망이다. 번-인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품 불량 여부를 판별하는 장비다. 그간 SK하이닉스는 HBM3E 등 이전 세대에 적용된 번-인 테스터로 HBM4 샘플을 제조해 왔다. 그러나 해당 설비로는 HBM4의 원활한 양산 대응에 한계가 있어, 주요 협력사에 신규 번-인 테스터 개발을 의뢰한 바 있다. 이에 따라 국내 주요 후공정 장비기업들이 SK하이닉스 HBM4용 번-인 테스터 공급망 진입을 위해 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔다. 디아이, 와이씨, 유니테스트 3곳이 대표적이다. 특히 디아이는 최근 SK하이닉스와의 퀄 테스트를 마무리해, 협력사 중 가장 먼저 초도 주문에 대응할 것으로 알려졌다. 유니테스트, 와이씨는 이르면 연말께 공급을 확정지을 것으로 예상된다. 업계는 SK하이닉스의 내년 HBM4용 번-인 테스터 총 발주량이 150~200여대 수준으로 비교적 큰 규모가 될 것으로 기대하고 있다. HBM4에서 메모리 업체 간 수익성 확보 경쟁이 더 치열해질 것으로 전망되는 만큼, SK하이닉스가 HBM4 수율 및 생산성 향상에 주력하고 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 HBM용 번-인 테스터에 대한 공급망 이원화 전략을 꾸준히 추진하고 있어, 연말까지 추가적인 움직임이 감지될 것"이라며 "M15X 팹 증설과 맞물려 내년에 전체적으로 투자가 활발히 진행될 예정"이라고 설명했다.

2025.10.24 09:45장경윤 기자

美 러트닉 "대만, 미국 내 반도체 50% 생산 위해 거점 이전해야"

미국이 자국 내 반도체 수요의 절반을 현지에서 생산할 수 있도록, 대만의 반도체 생산시설을 미국에 옮기도록 요구하고 있다고 블룸버그통신이 29일 보도했다. 논의가 현실화될 경우 전 세계 반도체 공급망에 급격한 변화가 예상된다. 하워드 러트닉 미 상무장관은 현지 매체 뉴스네이션(NewsNation)과의 인터뷰에서 "이러한 방안을 미국 및 대만 정부가 논의해 왔다"며 "대만을 자국 영토라고 주장하는 중국의 무력 침공으로부터 대만을 효과적으로 방어할 수 있는 유일한 방법"이라고 강조했다. 러트닉 상무장관은 이어 "대만과 나눈 대화에서 우리가 전달한 것은, 미국이 50%의 반도체를 생산하는 것이 절대적으로 중요하다는 점"이라며 "미국 내 수요 충족을 위해 반도체 생산 점유율을 50%까지 끌어올리는 것이 우리의 목표"라고 말했다. 미국 주요 인사들은 이전부터 대만 TSMC 등에 첨단 반도체 양산을 과도하게 의존하는 구조가 위험하다고 경고해 왔다. 반도체가 자동차 산업부터 군사, AI 등 산업 전반의 핵심 요소로 떠올랐기 때문이다. 이에 TSMC는 미국 내 반도체 생산능력 확대를 위한 설비투자에 총 1천650억 달러(한화 약 240조 원)에 이르는 막대한 투자를 약속한 바 있다. 첨단 파운드리 기술을 보유한 삼성전자 역시 미국 오스틴 지역에 첨단 파운드리 팹을 건설하고 있다. 논의된 투자 규모는 370억 달러다. 다만 미국이 실제로 반도체 양산을 자급자족하기 위해서는 막대한 자본만이 아니라 반도체 생태계를 구성하는 수많은 협력사들을 미국으로 대거 옮겨와야 하는 상황이다. 러트닉 상무장관은 이번 뉴스네이션과의 인터뷰에서 미국이 대만을 어떻게 설득할 게획인지에 대해서는 구체적으로 언급하지 않았다. 그는 "미국은 여전히 대만에 근본적으로 의존하고 있다. 나머지 절반이 없이는 살 수 없기 때문"이라며 "우리의 계획이 얼마나 성공적인지 보면 모두가 놀라게 될 것"이라고 밝혔다.

2025.09.30 09:23장경윤 기자

정부, 규제 혁신 통해 용인 반도체 클러스터 조성 앞당긴다

김민석 국무총리는 11일 오전 용인 반도체 클러스터 건설 현장을 찾아 반도체 기업인들과 현장 간담회를 갖고 공사현장 안전조치사항 등을 점검했다. 이날 현장에는 곽노정 SK하이닉스 대표, 윤종필 에코에너젠 대표, 유원양 티이엠씨 대표, 이재호 테스 대표, 김정회 한국반도체산업협회 부회장, 산업부 1차관, 국토부 1차관, 소방청 차장, 국무조정실 국무총리비서실장 등이 참석했다. 이번 현장 방문은 AI 산업 발전의 필수 요소인 반도체를 생산하는데 있어, 규제로 인해 기업에 부담을 주는 점은 없는지 업계 의견을 경청하고 합리적인 방안을 찾기 위해 마련됐다. 우선 소방관 진입창 설치기준이 합리화된다. 현행으로는 건물 종류와 무관하게 11층까지 진입창을 의무적으로 설치해야 하나, 층고가 높은 반도체 공장의 특성 고려해 사다리차가 닿지 않는 44m(6층) 초과 부분에는 진입창 설치를 면제하도록 했다. 수평거리에 따른 진입창 설치의무 기준도 기존 40m에서 유연하게 적용하기로 했다. 수직 배관통로에 층간 설치해야 했던 방화구획 기준은 배관통로 내부 소화설비 설치 등 효과적인 안전 담보방안을 마련하는 것으로 개선된다. 또한 기존에는 연간 20만MWh 이상 에너지 사용 사업자가 자체적으로 분산에너지 설비를 설치해야 했으나, 앞으로는 동일 산단에 의무설치량 이상의 발전설비 설치(예정 포함) 시 분산에너지 설치 의무 적용을 제외하기로 했다. 산업단지 내 임대사업 제한도 완화된다. 반도체 칩 제조기업이 직접 소부장 실증테스트를 지원하는 미니팹에 대해서는 소부장 기업들의 경쟁력 향상을 위해 공장설립 완료신고 까지 기다리지 않고, 미니팹을 임대할 수 있도록 '소부장특별법'상 특례를 적용하는 방안을 검토하고 있다. 금번 규제개선으로 ▲공장 건설기간 단축(2개월) ▲대규모 발전설비 미설치에 따른 추가 부지 확보 등으로 비용절감이 기대된다. 김 총리는 현장 간담회에서 “반도체는 AI 산업 발전의 쌀로 비유될 만큼 AI가 구현되는 모든 기기의 핵심 요소"라며 "2024년 기준 국내 총수출액의 20.8%를 차지할 만큼 우리 경제에서 중요한 역할을 차지하고 있다”고 밝혔다. 그는 이어 “용인 반도체 클러스터는 2047년까지 총 10기의 생산 팹 구축을 목표로 총 622조원이 투자되는 세계 최고·최대 규모의 반도체 단지"라며 "정부는 산업단지 개발과 기반시설 구축이 차질 없이 진행될 수 있도록, 나아가 우리 반도체 산업이 한 단계 더 도약할 수 있도록 필요한 지원을 계속하고 있다"고 강조했다.

2025.09.11 14:47장경윤 기자

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤 기자

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤 기자

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤 기자

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤 기자

AI가속기 붐에 CCL 몸값 '고공행진'…두산 전자BG, 설비투자 확대

글로벌 빅테크의 자체 AI 가속기 개발이 가속화되면서, 핵심 부품인 CCL(동반적층판)의 수요도 증가할 전망이다. 이에 맞춰 두산도 고부가 CCL 시장 선점을 위한 설비투자에 적극 나서고 있다. 22일 업계에 따르면 두산 전자BG는 올해 CCL용 설비투자에 전년 대비 2배 이상 증가한 864억원을 투입할 예정이다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재로, 수지·유리섬유·충진재·기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만들어진다. 현재 반도체 패키징·전자기기·통신 등 다양한 산업에 쓰이고 있다. 특히 CCL은 AI 반도체 산업에서 주목받는 추세다. 엔비디아·AMD 등 거대 팹리스와 구글·AWS·메타 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들이 AI 반도체 개발 경쟁을 치열하게 벌인 덕분이다. AI 반도체가 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 만큼, CCL도 더 뛰어난 고주파·고속·저손실을 갖춘 제품이 필요하다. 두산 전자BG의 경우 지난 2023년부터 엔비디아에 납품을 시작해, 지난해 'B100' 등 주요 제품의 핵심 공급망으로 자리잡는 등의 성과를 거뒀다. 나아가 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 칩에서도 상당한 공급 비중을 차지할 수 있을 것으로 관측된다. 덕분에 두산 전자BG의 CCL 가격은 꾸준히 상승하고 있다. 정기보고서에 따르면 이 회사의 CCL 평균판매가격은 2023년 4만7천308원에서 지난해 5만1천22원으로 7% 이상 상승했다. 올해 상반기는 5만8천794원으로 전년 연간평균 대비 15%가량 상승했다. 부품 업계 관계자는 "엔비디아 루빈 칩의 경우 대만 EMC도 컴퓨팅 트레이(GPU 연결 기판)용 CCL 공급망에 진입할 예정이나, 두산도 점유율 방어를 위해 만전을 기울이는 중"이라며 "나아가 두산은 아마존 등 다른 빅테크 기업들에게도 CCL을 공급하기 위한 준비에 나서고 있다"고 설명했다. 이에 따라 두산 전자BG는 올해 CCL 생산능력 확대에 적극 나설 계획이다. 이 회사가 CCL에 집행한 연간 설비투자 규모는 2023년 418억원, 지난해 386억원 수준이다. 올해에는 이를 864억원으로 대폭 늘릴 예정이다.

2025.08.22 10:17장경윤 기자

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤 기자

中 투자 감소·수출 규제 여파…반도체 장비社도 골머리

미국 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 일본 도쿄일렉트론(TEL) 등 주요 반도체 장비기업의 중국향 매출이 감소할 전망이다. 중국 반도체 기업들의 투자 규모 축소, 수출 규제에 따른 여파 등 다양한 요인이 영향을 미치고 있는 것으로 알려졌다. 국내 기업들도 일부 영향을 받을 것으로 관측된다. 18일 업계에 따르면 주요 반도체 장비업계는 중국 내 수요 감소, 수출 규제 영향 등으로 향후 전망에 대한 불확실성이 높아지고 있다. AMAT는 전 세계 반도체 장비기업 중 매출 규모가 가장 크다. 지난 7월 27일로 종료된 회계연도 2025년 3분기 매출은 73억2천만 달러로, 전년동기 대비 8% 증가했다. 다만 4분기 매출 전망치는 평균 67억 달러로, 증권가 예상치인 73억3천만 달러를 크게 밑돌았다. 회사는 중국 시장의 매출 감소를 주 요인으로 꼽았다. 3분기 전체 매출에서 중국이 차지하는 비중은 35%에 달하지만, 4분기에는 이 비중이 29%까지 줄어들 전망이다. 게리 딕커슨 AMAT 최고경영자(CEO)는 "중국이 지난 2년간 매우 많은 장비를 사들였고, 이를 소화하는 시기가 필요하기 때문에 올해 매출은 줄어들 것으로 예상한다"며 "올해 중국 매출은 전년 대비 약 15~20% 감소할 것으로 보고 있고, 향후 몇 분기간 이러한 수준이 유지될 것"이라고 설명했다. 또한 AMAT는 중국향 수출 승인이 대기 중인 건들이 "다수 쌓여 있다"고 표현했다. 현재 미국은 자국 내 반도체 장비 기업들의 첨단 메모리·시스템반도체 양산용 장비가 중국에 수출될 경우 개별 허가를 받도록 규제하고 있다. 이에 AMAT는 매출 전망치를 제시할 때 중국 수출 승인을 대기 중인 물량을 모두 제외한 것으로 알려졌다. 일본 주요 반도체 장비업체 TEL도 회계연도 2026년(2026년 3월 말 종료) 전체 전공정 장비 시장 성장률을 -5%로 예상했다. 주요 원인으로는 일부 선단 시스템반도체 고객사들의 설비투자(Capex) 계획 재조정, 신흥 중국 반도체 제조기업들의 레거시(성숙) 공정 관련 투자 축소, 낸드 부문의 투자 계획 조정 등을 제시했다. 회사는 향후 중국 반도체 기업들의 투자 전망에 대해서도 "현재 새로운 투자 계획은 보이지 않는다"며 "일반적으로 반도체 기업은 수율 개선 및 장비 가동률 상승, 이에 따른 매출 증가 등의 경향이 있으나 지금까지는 그런 징후가 나타나지 않고 있다"고 설명했다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 기업들도 중국 내 반도체 기업들의 공격적인 투자로 최근 1~2년간 매출 비중을 확대한 사례가 꽤 많다"며 "다만 중국 내에서 반도체 장비 공급망 자립화가 적극적으로 이뤄지고 있고, 이전만큼 생산능력을 적극 확장하기도 힘들어 효과는 감소하게 될 것"이라고 말했다.

2025.08.18 14:29장경윤 기자

산업부, 올해 반도체 등 첨단전략산업 투자지원금 1300억원 집행

정부가 반도체 등 국가첨단전략산업 분야 공급망 안정품목이나 전략물자를 생산하는 중소·중견기업을 대상으로 올해 1천300억원(국비 700억원)의 지원예산을 배정, 국내 투자분의 30~50%를 지원한다. 산업통상자원부는 23일 이같은 내용을 담은 '국가첨단전략산업 소부장 중소·중견기업 투자지원' 사업을 공고한다. 산업부는 올해 국가첨단전략산업 투자지원사업을 올해 신설, 경제안보와 직결되는 반도체 등 첨단산업의 기술고도화와 안정적 공급망 구축을 추진한다는 방침이다. 국비 지원 한도는 한 건당 150억원, 기업당 200억원이다. 산업부는 기업의 올해 투자 규모를 감안하면 약 30개 기업에 지원이 가능할 것으로 예상했다. 산업부 관계자는 “이번 지원으로 에피텍셜 증착장비, 네온 등 희귀가스, 실리콘웨이퍼 등 경제 안보 품목의 해외의존도가 낮아지면서 첨단산업 경쟁력이 강화되고 공급망도 안정화될 것”으로 기대했다. 투자지원금은 다른 보조사업과 달리 건축물 신·증설 없이 설비투자만 시행하는 경우에도 지원 가능하다. 또 기업 설비투자가 '입지 확보 → 건축물 건설 → 장비 등 시설구축'으로 구분되는 점을 고려해 현재 진행 중인 투자의 경우 단계별로 분할해 지원금을 신청할 수 있도록 했다. 투자지원금 지원을 원하는 기업은 e나라도움 누리집에서 9월 12일 16시까지 투자 계획을 접수하면 된다. 사업 전담기관인 한국산업기술진흥원(KIAT)은 해당 투자 계획이 투자지원금 지원 대상에 해당하는지 여부를 검토한 후 현장 실사 등을 통해 투자 계획 이행 여부를 확인할 계획이다. 최종 지원 대상은 국가첨단전략산업위원회에서 결정한다. 산업부는 국내 기업의 첨단산업 분야 경쟁력 강화와 공급망 리스크를 관리하기 위해 투자지원금 지속 지원과 추가지원방안 등을 재정당국과 협의해 나갈 계획이다.

2025.07.22 11:16주문정 기자

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