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'반도체 공정'통합검색 결과 입니다. (159건)

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삼성전자, CMP 공정에도 '플라즈마' 적용 추진

삼성전자가 초미세 공정 구현에 유리한 플라즈마 기술을 반도체 공정에 확대 적용한다. 기존 화학 소재만을 활용하던 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정에 플라즈마를 활용하는 방안을 평가 중인 것으로 알려졌다. 배근희 삼성전자 마스터는 12일 수원 컨벤션센터에서 열린 '차세대 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에서 이 같이 말했다. 플라즈마는 기체 상태의 물질에 높은 에너지를 추가적으로 인가하면 형성되는 제 4의 물질이다. 분자 간 격렬한 충돌로 다수의 양이온과 전자가 발생(이온화)하기 때문에 에너지 밀도가 높다. 이 같은 장점 덕분에 플라즈마는 반도체 공정에 다양하게 활용되고 있다. 가장 주요 적용처는 식각 공정으로, 식각은 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 기술이다. 이후 플라즈마는 증착, 확산, 메탈, 포토 공정 등에도 적용돼 왔다. 나아가 플라즈마는 향후 CMP 공정에서도 적용될 가능성이 높다. CMP는 굴곡이나 요철이 발생한 웨이퍼 포면을 화학·기계적 방식으로 연마해 평탄화시키는 공정이다. 배근희 마스터는 "반도체 8대 공정 중 유일하게 플라즈마를 쓰지 않던 CMP에서도 플라즈마를 활용하는 방안이 평가되고 있다"며 "조만간 반도체 전체 공정에서 플라즈마가 활용될 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자의 연구개발 현황에 대해 묻는 질문에는 "삼성전자를 포함한 주요 기업들이 관련 설비사들과 개발하고 있는 상황"이라며 "다만 구체적인 적용 예상 시점은 언급하기 어렵다"고 답변했다. 한편 삼성전자는 플라즈마 식각의 선택비를 높이기 위한 차세대 기술 개발도 지속하고 있다. 선택비란, 식각 공정에서 목표로 한 물질을 얼마나 정확하게 제거하는 지 나타내는 척도다. 대표적으로 삼성전자는 ALE(원자층 식각)에 주목하고 있다. ALE는 원자 수준인 1옹스트롬(0.1나노미터)의 단위로 식각하는 기술이다. 배근희 마스터는 "ALE도 파티클에 취약하다는 문제점이 있으나, 여러 조건을 최적화하면서 기술을 개선해나가고 있다"며 "정확한 공정은 공개할 수 없으나 삼성전자 식각에 이미 활용되고는 있다"고 설명했다.

2024.08.12 14:04장경윤

"15년 내로 TSMC 뛰어 넘을 수 있어…K-팹리스·파운드리 잘 키워야"

정부 부처와 반도체 산학연 관계자들이 국내 시스템반도체 경쟁력 강화를 위해 한 자리에 모였다. 이날 고동진 국민의힘 국회의원은 국내 팹리스와 파운드리 산업을 잘 육성한다면 15년 내에 TSMC와 같은 기업을 배출할 수 있을 것으로 내다봤다. 29일 오후 여의도 국회의원회관에서는 '국내 팹리스 경쟁력 강화 및 산업 활성화 국회 정책토론회'가 진행됐다. 이번 토론회 좌장을 맡은 고동진 국회의원은 대만 TSMC의 성장 과정에 국가 정책과 정부가 주도적인 역할을 했음을 강조했다. 지난 1987년 설립된 TSMC는 전 세계 1위 파운드리로, 이달 초 기준으로 전 세계 시가총액 8위까지 올랐다. 고동진 의원은 "대만 정부는 TSMC 설립 당시 설비투자에 50%를 지원해줬다"며 "일본 정부도 TSMC의 구마모토 현지 팹 건설에 50%를 지원했는데, 5년 걸릴 투자가 2년 4개월만에 완료됐다. 깜짝 놀랄 일"이라고 말했다. 그는 이어 "우리나라가 팹리스 및 파운드리 산업을 4~5년간 잘 이끌어간다면, 향후 12년~15년 안으로 대만 TSMC 이상의 회사를 갖출 수 있을 것이라고 생각한다"며 "국내 파운드리가 성장하려면 팹리스가 생태계로서 동반성장해야 한다"고 덧붙였다. 다만 국내 시스템반도체의 성장이 구조적으로 매우 어렵다는 지적도 나온다. 이혁재 서울대 시스템반도체 산업진흥센터장은 "국내 팹리스는 주로 28~65나노미터(nm) 공정을 사용하는데, 삼성전자는 초미세 공정에 주력하고 DB하이텍은 130나노미터 이상의 레거시 공정에 집중돼 있다"며 "반도체 우수 인력이 부족하고, 해외에 비해 직접적인 보조금 지원 등이 부족하다"고 밝혔다. 이에 국내 반도체 산학연 관계자들은 국내 팹리스 경쟁력 강화를 위한 다양한 의견을 제시했다. 국내 팹리스 주요 인사로는 김경수 넥스트칩 대표 겸 한국팹리스산업협회장, 박재훙 보스반도체 대표, 김녹원 딥엑스 대표 등이 참석했다. 김경수 회장은 "3~5년 간의 연구개발을 진행해야 하는 팹리스 특성 상, 세제혜택은 당장의 지원을 받을 수 없어 직접적인 지원금을 확대해야 할 것"이라며 "성남시가 추진 중인 시스템반도체 클러스터도 현재 확보된 부지가 1만평 수준인데, DSP나 IP, OSAT 등 생태계 기업들도 함께 참여하려면 3~5만평 수준의 더 큰 부지를 할당해줘야 한다"고 강조했다. 팹리스를 위한 정책 방향에 대해서는 "기존의 탑-다운 방식으로는 시장 상황에 맞는 칩을 적기에 개발하기 어렵다"며 "큰 방향성을 정부에서 정해주면, 차별화된 기술력은 팹리스 기업이 설정하는 바텀-업 방식으로 시행해야 한다"고 밝혔다. 김녹원 딥엑스 대표는 "대만은 시스템반도체 강국으로 국내 팹리스에게도 많은 기회가 있으나, 한국과 수교국이 아니기 때문에 시장 공략을 위한 지원책이 부족하다"며 "온디바이스AI 산업 발전에 미리 대응하기 위해, 생태계 구축과 관련한 정부과제 마련도 필요하다"고 말했다. 이와 관련해 이규봉 산업통상자원부 반도체 과장은 "금년 하반기 중에 시스템반도체 발전 전략을 수립할 것"이라며 "온디바이스AI와 같은 신시장 분야에 대한 대규모 R&D, 레거시 파운드리 공급 문제 등을 점검하고 지원책을 사업화할 계획"이라고 설명했다.

2024.07.29 20:25장경윤

'AI 훈풍' 올라탄 TSMC…설비투자·연매출 전망 모두 '상향'

TSMC가 AI용 고성능 반도체 수요 증가로 2분기 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 나아가 TSMC는 연간 매출 전망치와 설비투자 규모도 당초 대비 높은 수준을 제시했다. 최선단 공정 수요에 대한 강한 자신감이 반영된 것으로 풀이된다. TSMC는 올해 2분기 매출 6천735억 대만달러, 영업이익 2천862억 대만달러를 기록했다고 18일 밝혔다. 매출은 전분기 대비 13.6%, 전년동기 대비 40.1% 증가했다. 증권가 컨센서스 대비로는 2.1% 웃돌았다. 영업이익은 전분기 대비 13.2%, 전년동기 대비 41.7% 증가했다. 증권가 컨센서스 역시 5%가량 상회했다. 공정별로는 최선단 공정인 3나노미터(nm)의 매출 비중이 15%를 차지했다. 지난해 4분기 15%에서 올 1분기 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)의 수요 부진으로 9%를 기록한 뒤, 다시 회복세에 접어들었다. 5나노의 매출 비중은 35%, 7나노 비중은 17%로 집계됐다. 이로써 TSMC의 7나노 이하 선단공정의 매출 비중은 67%로, 전분기(65%) 대비 소폭 상승했다. 특히 HPC(고성능컴퓨팅)이 이번 TSMC의 호실적을 견인한 것으로 나타났다. HPC는 현재 IT 업계에서 규모가 급격히 확대되고 있는 AI·데이터센터용 고성능 시스템반도체를 포함한다. 엔비디아의 고성능 GPU 및 AI 가속기가 대표적인 사례다. HPC가 TSMC의 2분기 전체 매출에서 차지하는 비중은 52%로, 전분기 대비 6%p 증가했다. 반면 스마트폰은 33%의 비중으로 전분기 대비 5%p 감소했다. TSMC는 올 3분기에도 AI에 따른 수혜를 입을 것으로 전망된다. 이날 TSMC가 제시한 3분기 실적 가이던스는 매출 224억~232억 달러 사이, 영업이익 95억2천만~103억 달러 수준이다. 3분기 매출 가이던스는 전분기 대비 8~11%, 전년동기 대비 30~34% 증가한 수치다. 영업이익 가이던스는 전분기 대비 7~16%, 전년동기 대비 32~43% 높다. 증권가 컨센서스(매출 225억3천만 달러, 영업이익 94억3천만 달러)도 넘어섰다. 또한 올해 연간 실적에 대한 전망도 높였다. 당초 TSMC는 올해 연 매출이 전년 대비 20% 초중반대 상향될 것으로 내다봤다. 그러나 이번 실적발표에서는 "20% 중반"이라는 표현을 사용했다. 연간 설비투자(CAPEX) 계획은 기존 전망인 280억~320억 달러에서 300억~320억 달러로 상향 조정했다.

2024.07.18 16:10장경윤

SEMI "내년 반도체 장비 시장 17% 성장…전·후공정 모두 견조"

국제반도체장비재료협회(SEMI)는 최신 업데이트된 반도체 장비 시장 전망 보고서를 통해 올해 전 세계 반도체 장비 매출액이 1천90억 달러에 달할 것이라고 17일 밝혔다. 특히 이같은 성장세는 내년에도 전공정 및 후공정 분야에서 모두 유지되면서, 시장 규모가 1천280억 달러에 이를 전망이다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 "올해 반도체 장비 시장의 성장세는 내년에도 이어져 2025년에는 17%로 높은 성장률을 보일 것으로 예상된다”며 “특히 인공지능을 통해 새로운 애플리케이션이 등장하면서 반도체 장비 시장 전체에 강력한 펀더멘털과 큰 성장 잠재력을 제공하고 있다”고 밝혔다. 분야별로는 웨이퍼 가공, 팹 설비, 마스크·레티클 장비 등을 포함하는 웨이퍼 팹 장비 부문이 지난해 960억 달러의 매출을 기록했다. 올해는 2.8% 증가한 980억 달러를, 내년에는 14.7% 증가한 1천130억 달러를 기록할 것으로 전망된다. 특히 중국 지역의 강력한 투자와 AI로 인한 D램 및 고대역폭메모리(HBM)에 대한 수요 증가가 주요 성장 요인으로 손꼽혔다. 반도체 테스트 장비의 매출은 올해 7.4% 증가한 67억 달러를, 조립 및 패키징 장비 매출은 10.0% 증가한 44억 달러에 이를 전망이다. 이들 후공정 장비 부문의 성장은 내년에도 가속화될 것으로 예상되며, 테스트 장비 매출은 30.3%, 조립 및 패키징 매출은 34.9%로 크게 증가할 것으로 보인다. 고성능 컴퓨팅을 위한 첨단 반도체의 수요증가와 자동차, 소비자 전자기기의 수요 회복이 주요 성장 요인이다. 지역별로는 중국, 대만, 한국이 내년까지 장비 투자 상위 3개 국가의 위치를 지속할 것으로 보인다. 특히 중국의 장비 투자는 올해 기록적인 350억 달러를 넘어서며 다른 지역 대비 선두를 확고히 할 것으로 예상된다. 일부 지역의 장비 투자는 올해 감소한 후 내년 반등할 것으로 예상되는 반면, 중국은 지난 3년간 활발한 투자를 지속한 한 뒤 내년에는 다소 위축될 것으로 보인다.

2024.07.17 11:26장경윤

TSMC, 올 2분기도 '호실적'…AI 등 첨단 공정 수요 지속

대만 주요 파운드리 TSMC가 1분기에 이어 2분기에도 시장 예상치를 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 고성능 AI 반도체를 비롯한 첨단 공정 수요가 지속 강세를 보이고 있는 것으로 관측된다. TSMC는 지난달 월 매출 2천 79억 대만달러(한화 약 8조 5천억원)를 기록했다고 10일 밝혔다. 이번 실적은 전월 대비 9.5%, 전년동월 대비 32.9% 증가한 수치다. 이로써 TSMC는 지난 2분기 누적 6천 735억 대만달러의 매출을 기록하게 됐다. 전분기 대비 13.6%, 전년동기 대비로는 40.1% 증가했다. 증권가 컨센서스도 웃돌았다. 당초 시장에서는 TSMC의 2분기 매출 예상치를 6천 500억 대만달러 수준으로 예상해왔다. TSMC의 2분기 호실적은 올해 초부터 지속되고 있는 AI, HPC(고성능컴퓨팅) 등 첨단 산업의 견조한 수요가 영향을 미친 것으로 풀이된다. 앞서 TSMC는 지난 1분기에도 5천 926억 대만달러의 매출로 전년동기 대비 16.5%의 증가세를 기록한 바 있다. 엔비디아 등 거대 AI 반도체 팹리스의 주문량이 꾸준히 확대됐고, 애플과 퀄컴 등도 온디바이스AI를 겨냥한 고성능 모바일 AP(애플리케이션프로세서)를 출시한 데 따른 효과로 풀이된다.

2024.07.10 16:49장경윤

램테크놀러지, 초고순도 인산 양자 정제 기술 특허 5건 출원

반도체 공정용 화학소재 전문 기업 램테크놀러지가 '반도체 공정용 초고순도 인산 양자(Quantum) 정제 기술'에 대한 특허 5건을 출원했다고 밝혔다. 램테크놀러지가 이번에 특허 출원한 기술은 불순물이 포함된 인산으로부터 순수 인산을 분리·정제하는 기술이다. ▲온도 제어 ▲상온 정제 ▲자기장 ▲회전 성장 ▲분할 투입 등 다섯 가지 정제 기술을 활용해 순수한 인산 분자들간 결합을 최적화시키고 불순물을 제거해 초고순도 인산 정제가 가능하다. 인산은 반도체 식각액 등 다양한 산업군에서 사용되고 있지만 저순도 인산이 대부분이다. 반면, 고객사에서는 테크 고도화와 보이지 않던 불순물에 기인된 불량 등 소재에 대한 품질 관리 요구가 지속적으로 높아지고 있어 저순도 인산을 초고순도로 정제할 수 있는 인산 양자(Quantum) 정제 기술을 개발했다고 회사측은 설명했다. 또한 인산 정제 기술은 정제 효율이 낮아 실제 공정에 적용하기 어려운 부분이 있다. 하지만 램테크놀러지가 개발한 기술을 활용할 경우 정제 효율은 평균 대비 약 2배 이상 확보가 가능하고 품질 수준 향상 및 원가 경쟁력 등을 확보할 수 있을 것이라고 전했다. 램테크놀러지 관계자는 "양자 거동 제어를 통한 인산 정제 기술을 통해 초고순도 인산을 확보할 수 있게 됐다는 점에서 의미가 크다"며 "올해 하반기 특허 등록을 목표로 하고 있으며, 최근 완공된 금산공장 스마트팩토리에서 양산 확대 적용을 위한 양산기술 국책과제를 수행 중"이라고 전했다. 이어 "고품질의 인광석 자원이 점차 고갈돼 국가간에도 자원 문제가 야기되고 있는 만큼 현존하는 다양한 품질의 인광석에 대해 고품질로 정제시키는 기술의 효용 가치가 더욱 높아질 것"이라며 "해당 정제 기술을 활용해 고품질 인산시장을 공략하고 전후방 시장 성장과 함께 성장동력을 확대해 나가겠다"고 덧붙였다.

2024.07.10 09:31이나리

ISC, NPU용 신규 테스트 소켓 출시…美 AI 시장 공략

아이에스시(ISC)는 인공지능(AI) 데이터센터와 스마트폰 시장을 겨냥한 새로운 NPU(신경망처리장치) 반도체 테스트 소켓인 'WiDER-Coax'를 선보였다고 9일 밝혔다. 이번 신제품은 특히 GPU와 비교해 전력 및 공간 효율성에서 우위를 점하는 NPU 칩셋을 위해 설계됐다. NPU는 GPU의 높은 가격과 공급 부족 문제를 해결할 수 있는 대안으로 최근 애플·구글·화웨이·퀄컴 등 글로벌 대기업이 AI 스마트폰용 칩으로 개발 및 채택하면서 그 중요성이 부각되고 있다. 아이에스시는 이러한 시장의 변화와 수요를 선제적으로 파악하여 AI NPU 테스트 소켓 개발에 주력해 왔다. 신제품 'WiDER-Coax'는 고속 신호 테스트 중 신호 왜곡 없이 우수한 데이터 전송 속도를 갖췄으며, 기존 핀 소켓 대비 뛰어난 주파수 테스트 성능을 제공한다. 이러한 기술 혁신을 바탕으로 아이에스시는 기존 AI 반도체 고객사뿐만 아니라 ASIC 분야로의 고객 다변화와 매출 성장을 기대하고 있다. 한편 아이에스시는 내년부터 늘어날 것으로 예상되는 HBM 양산 테스트 솔루션 수요에 대비하는 전담 조직도 개설했다. 아이에스시 관계자는 "AI 시장의 지속적인 성장과 함께 자체 칩 개발을 원하는 엔드 유저들의 수요가 폭증함에 따라 ASIC 시장에서의 입지 확대가 예상되고 있으며 HBM 역시 현재는 테스트 수요가 작지만 양산 파이널 테스트 수요가 내년부터 늘어날 것이라고 본다”며 “AI 반도체 테스트 솔루션 시장에서도 ISC만의 뛰어난 기술력을 바탕으로 매출 성장에 힘쓰겠다”고 강조했다.

2024.07.09 14:34장경윤

삼성전자, 'HBM 개발팀' 신설…전영현 체제서 첫 조직개편

삼성전자가 HBM(고대역폭메모리) 개발팀을 새로 꾸린다. 차세대 메모리 경쟁력 강화를 위한 조치로 전영현 부회장 체제 하에서 이뤄지는 첫 조직개편이다. 4일 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 HBM 개발팀을 신설하는 내용의 조직개편을 단행했다. 이번에 신설되는 HBM 개발팀은 삼성전자가 상용화 및 개발에 주력하는 HBM3E(4세대 HBM), HBM4(5세대 HBM) 등을 담당할 것으로 관측된다. 팀장은 손영수 부사장이 맡는다. 현재 삼성전자는 AI 산업의 거대 팹리스인 엔비디아에 HBM 제품을 공급하기 위해 노력하고 있다. 특히 올해엔 HBM3E 8단 및 12단 제품에 대한 퀄테스트에 돌입했다. 어드밴스드 패키징(AVP) 개발팀과 설비기술연구소도 개편한다. 전영현 부문장 직속으로 AVP 사업팀을 재편해 AVP 개발팀을 배치했다. 반도체 업계에서 중요성이 높아지고 있는 2.5D, 3D 등 최첨단 패키징 기술력을 강화하기 위한 전략으로 풀이된다. 설비기술연구소는 반도체 공정의 효율성을 높이는 데 집중한다. 반도체 공정 전반과 양산 장비에 대한 기술 지원 등을 담당할 것으로 예상된다. 한편 삼성전자는 지난 5월 DS 사업부문 반도체 수장을 기존 경계현 사장에서 전영현 부회장으로 교체하는 등 반도체 사업의 혁신을 단행하고 있다. 이달에는 800여 개 직무를 대상으로 DS 부분 경력사원도 채용 중이다.

2024.07.04 16:09장경윤

해성디에스, '폐기물 매립 제로' 플래티넘 등급 획득

반도체 부품 전문 제조기업 해성디에스는 회사의 창원사업장이 '폐기물 매립 제로 검증'에서 플래티넘 등급을 획득했다고 1일 밝혔다. 폐기물 매립 제로 검증은 1894년 미국에서 설립된 글로벌 안전과학회사 UL에서 실시하는 평가로, 사업장에서 발생하는 폐기물을 재활용하는 비율에 따라 플래티넘(100%), 골드(99~95%), 실버(94~90%), 인증(80%이상) 등의 등급을 부여한다. 해성디에스 창원사업장은 2021년 98%, 2022년 99% 수준의 자원순환율을 선보이며 국내 평균 자원순환율(한국폐기물협회 2022년 기준 86.8%) 대비 10% 이상 높은 수준으로 골드 등급을 획득한 바 있다. 이후 폐기물 재활용률을 높이기 위해 세부 목표를 세우고, 시설투자 및 혁신활동을 추진해 2023년 약 1만 2천 톤의 폐기물을 100% 재활용하여 플래티넘 등급을 획득했다. 해성디에스는 제품생산 등에서 발생하는 폐수 슬러지와 염화동 폐기물의 부가가치를 높이기 위해 은, 구리를 추출해 재활용하고 있으며, 올해부터는 전량 매립되던 폐유리를 유리 원료로 재활용 전환함으로써 매립되는 폐기물량을 최소화하고 있다고 설명했다. 해성디에스 관계자는 “금번 폐기물 매립 제로 플래티넘 등급 획득을 통해 지속가능한 기업으로서의 사회적 책임을 다할 수 있도록 꾸준히 노력하겠다”고 밝혔다. 한편 해성디에스는 생물종다양성증진 활동 참여와 환경경영시스템(ISO14001) 인증, 녹색기업 지정 등 지속적으로 녹색경영을 이행하여 2023년 한국ESG기준원의 ESG 평가에서 A등급을 획득했다.

2024.07.01 14:43장경윤

"내년 메모리 캐파 역성장할 수도"…삼성전자, 생산량 확대 선제 대응

삼성전자가 메모리 생산량을 적극 확대하려는 움직임을 보이고 있다. HBM(고대역폭메모리)와 최선단 제품으로 공정 전환을 적극 추진하면서, 내년 레거시 메모리 생산능력이 매우 이례적으로 감소하는 현상이 나타날 수 있다는 전망 때문이다. 실제로 삼성전자는 메모리 제조라인에 최대 생산, 설비 가동률 상승 등을 적극 주문하고 있는 것으로 파악됐다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 메모리 라인 전반을 최대로 가동하는 방안을 추진하고 있다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "이달부터 삼성전자 메모리사업부 내에서 D램과 낸드 모두 최대 생산 기조로 가야한다는 논의가 계속 나오고 있다"며 "메모리 가격 변동세와 무관하게 우선 생산량을 확대하는 것이 주요 골자"라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 이달 중순 메모리 생산라인에 '정지 로스(Loss)'를 다시 관리하라는 지시를 내린 것으로 파악됐다. 정지 로스란 라인 내 설비가 쉬거나 유지보수 등의 이유로 가동을 멈추는 데 따른 손실을 뜻한다. 삼성전자는 메모리 업계 불황으로 가동률이 낮았던 지난해 정지 로스 관리를 중단한 바 있다. 정지 로스 관리의 재개는 설비의 가동률을 다시 끌어올리겠다는 의미다. 삼성전자가 메모리를 최대 생산 기조로 전환하려는 이유는 생산 능력에 있다. 현재 삼성전자는 내부적으로 내년 비트(bit) 기준 레거시 메모리 생산능력이 역성장할 수 있다는 전망을 제시하고 있는 것으로 알려졌다. 내년 메모리 생산능력의 역성장을 촉진하는 가장 큰 요소는 '공정 전환'이다. 삼성전자는 올해 초부터 HBM을 위한 투자에 대대적으로 나서고 있으며, 국내외 공장에서 기존 레거시 D램 및 낸드를 최선단 제품으로 전환하기 위한 작업에 착수했다. 먼저 D램의 경우, 삼성전자는 주력 제품인 1a(4세대 10나노급) D램을 HBM 생산에 투입하고 있다. 삼성전자가 올해 말까지 HBM의 최대 생산능력을 월 17만장 수준까지 확대할 것으로 예상되는 만큼, HBM향을 제외한 1a D램의 생산은 더 빠듯해질 전망이다. 또한 삼성전자는 최선단 D램 제품인 1b D램(5세대 10나노급)의 생산량 확대를 계획하고 있다. 이를 위해 평택 P2와 화성 15라인의 기존 1z D램(3세대 10나노급) 공정이 1b D램용으로 전환될 예정이다. 올해까지 생산능력을 월 10만장가량 확보하는 게 목표다. 낸드의 경우 중국 시안 팹에서 기존 V6 낸드 공정을 V8로 전환하기 위한 투자가 올 1분기부터 진행되고 있다. 시안 낸드팹은 총 2개 라인으로 구성돼 있는데, 이 중 1개 라인부터 전환이 이뤄지고 있다. 반면 메모리 수요는 올해 내내 공급을 웃도는 수준을 보일 것으로 관측된다. 최근 실적을 발표한 마이크론도 "2024년 비트 수요 증가율은 D램과 낸드 모두 10%대 중반이 될 것으로 예측된다"며 "반면 공급은 D램과 낸드 모두 수요를 밑돌 것"이라고 밝혔다. 업계 관계자는 "삼성전자가 올해 초까지 메모리 재고를 상당 부분 비웠고, 내년 메모리 빗그로스가 감소하면 공급이 빠듯할 수 있다는 우려를 표하고 있다"며 "생산라인 전반에 걸쳐 생산량 확대를 종용하는 분위기"라고 설명했다.

2024.06.28 11:34장경윤

마이크론, 'HBM3E' 매출 발생 시작…삼성·SK와 경쟁 본격화

마이크론이 인공지능(AI) 특수에 힘입어 '어닝 서프라이즈'를 달성했다. D램과 낸드 모두 ASP(평균거래가격)이 20% 가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 HBM(고대역폭메모리) 부문이 역시 올해 및 내년 제품이 모두 매진되는 등 호조세를 보여 기대를 모았다. HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품은 최근 1억 달러의 매출을 올렸으며, HBM3E 12단 제품은 내년부터 대량 양산될 예정이다. 27일 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 16.9%, 전년동기 대비 81.5% 증가한 수치다. 증권가 컨센서스인 66억7천만 달러도 넘어섰다. 같은 기간 영업이익은 9억4천만 달러다. 전분기 대비 361% 증가했으며, 전년동기 대비 흑자전환했다. 또한 증권가 컨센서스(8억6천만 달러)를 상회했다. 마이크론의 이번 호실적은 각각 20%에 달하는 D램·낸드의 ASP 상승이 영향을 미쳤다. D램 매출은 47억 달러로 전분기 대비 13%, 전년동기 대비 75.9% 증가했다. 낸드는 21억 달러로 각각 32%, 107% 증가했다. 마이크론은 "데이터센터에서 AI 수요가 빠르게 증가하면서 매출이 연속적으로 크게 성장할 수 있었다"며 "HBM, 고용량 DIMM(듀얼 인라인 메모리 모듈), 데이터센터 SSD 등 고부가 AI 메모리 제품의 비중이 확대됐다"고 설명했다. 특히 HBM의 경우 해당 분기부터 출하량이 본격적으로 증가하기 시작했다. 마이크론이 가장 최근 발표한 HBM3E(5세대 HBM)도 이번 분기 1억 달러 이상의 매출을 발생시켰다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 해당 제품은 엔비디아의 최신 GPU인 'H200'용으로 공급됐다. 현재 마이크론은 HBM3E 12단까지 샘플을 진행한 상태로, 내년에 해당 제품의 대량 생산을 계획하고 있다. 마이크론은 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러, 2025년에는 수십억 달러의 매출을 일으킬 것"이라며 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐으며, 2025년에는 전체 D램 시장 점유율에 상승하는 HBM 시장 점유율을 달성할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 회계연도 2024년 4분기(2024년 6월~8월) 매출 전망치로는 중간값 76억 달러를 제시했다. GPM(매출총이익률)은 34.5%다. 증권가 컨센서스인 매출 75억9천만 달러, GPM 34.5%에 부합하는 수준이다. 마이크론은 "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것"이라며 "특히 DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한하고, 향후 있을 HBM4의 거래 비중도 HBM3E보다 높을 것"이라고 예상했다. 한편 마이크론의 회계연도 2024년 설비투자(Capex) 규모는 최대 80억 달러에 이를 것으로 전망된다. 이 중 전공정(WFE) 분야 투자는 전년 대비 줄이기로 했다. 회계연도 2025년 설비투자는 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상되며, 해당 기간 매출의 30% 중반 내에서 자본 지출이 이뤄질 예정이다. 자본은 대부분 미국 아이다호 및 뉴욕 팹 건설, HBM용 설비투자에 집중된다.

2024.06.27 08:36장경윤

삼성·SK, 후공정 업계와 장비공급 논의…D램·HBM 수혜 본격화

삼성전자·SK하이닉스가 이달 국내 메모리 후공정 장비업체들과 장비 공급 위원회를 열고 관련 논의를 마친 것으로 파악됐다. 이번 위원회는 내년 중반까지의 D램·HBM(고대역폭메모리)용 투자를 구체화하기 위한 자리로, 올 3분기부터 실제 장비 발주가 시작될 전망이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 최근 국내 후공정 장비업체와 D램·HBM용 투자와 관련한 공급 논의를 마무리했다. 통상 삼성전자·SK하이닉스는 국내 장비 협력사들과 분기, 혹은 반기별로 향후 있을 장비 공급에 대한 논의를 나누고 있다. 이번 장비 공급 위원회는 내년 2분기말까지 투자 규모를 정하기 위한 자리다. 상반기 장비 공급 위원회가 업계에서 특히 화두가 되고 있는 이유는 HBM에 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. AI 산업의 급격한 확장에 맞춰 수요가 증가하는 추세로, 국내 메모리 제조업체들도 올해 설비투자의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 이에 HBM, 1a(4세대 10나노급)·1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램의 생산량 확대에 대응하기 위한 후공정 장비들이 필요한 상황이다. HBM 및 D램 후공정에 대응하는 국내 주요 협력사로는 디아이·와이씨·테크윙 등이 있다. 협력사들은 이달 중순 각 밸류체인에 따라 삼성전자·SK하이닉스와 장비 공급 위원회를 가졌다. 이 자리에서 삼성전자·SK하이닉스는 그간 논의됐던 HBM 및 D램 후공정 투자 규모를 구체화했으며, 그 물량이 당초 업계 예상 대비 큰 수준인 것으로 알려졌다. 장비업계 한 관계자는 "HBM용 신규 후공정 장비가 올해 말부터 본격적으로 매출이 발생하기 시작할 것"이라며 "다음 위원회에서 변동사항이 생길 수 있으나, 삼성전자가 HBM 생산능력 확대에 적극 나서고 있어 공급량 확대를 기대하고 있다"고 밝혔다. 또 다른 장비업계 관계자는 "SK하이닉스가 최선단 메모리용 후공정 장비를 당초 예상 대비 10% 더 많이 도입하겠다는 뜻을 전달했다"며 "내년 HBM 생산능력 확대를 위해서 올해 하반기 분주한 움직임이 일어날 것"이라고 설명했다. 이번 장비 공급 논의에 따른 실제 장비 발주는 올 3분기부터 진행될 것으로 관측된다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 향후 1년간 메모리 관련 후공정 투자 속도가 드러날 전망이다.

2024.06.24 11:15장경윤

ISC·SK엔펄스, 'SEMICON SEA 2024'서 반도체 핵심 부품 공개

아이에스시(ISC)는 지난 5월 28일부터 30일까지 말레이시아 쿠알라룸푸르에서 개최된 '세미콘 SEA(SEMICON SEA) 2024'에 관계사인 SK엔펄스와 함께 참가, AI 반도체 테스트 소켓과 친환경 CMP패드 등을 선보였다고 12일 밝혔다. 세미콘 SEA 2024는 세계 반도체 공급망의 주요 허브로 주목받고 있는 말레이시아에서 열린 동남아 최대 반도체 소재 부품 전시회다. 국내외 주요 업체들이 참여해 최신 기술을 선보이고 글로벌 네트워킹을 강화하는 자리다. 아이에스시는 이번 전시회에서 아이에스시의 기술력을 한눈에 확인할 수 있는 'Total Solution for Semiconductor'를 주제로 부스를 마련했다. 최근 글로벌 AI 반도체 고객사들의 반도체 양산 테스트에 주로 사용하는 'iSC-WiDER2'와 ASIC 고객사들의 각광을 받고 있는 SoC 테스트 소켓 'iSP-LD', 반도체 집적도가 높아지며 발생하는 고온현상 및 전기자동차용 반도체를 위한 온도컨트롤 설비 'iS-TCU'를 선보여 관심이 집중됐다. 한편 이번 전시에 아이에스시와 공동으로 참가한 SK엔펄스는 자체 물성 조절로 다양한 니즈에 맞춰 구현 가능한 친환경 CMP패드를 선보이며 차세대 반도체 생산거점으로 부상하고 있는 말레이시아, 싱가포르 등 글로벌 바이어의 주목을 받았다. 아이에스시 관계자는 “이번 세미콘 SEA 2024는 관계사인 SK엔펄스와 공동참가를 통해 글로벌 고객사들에게 양사가 보유한 반도체 전·후공정 핵심소재부품 라인업을 선보인 첫번째 전시회”라며 “프로모션 뿐만 아니라 실제 영업에서도 양사가 협업해 글로벌 고객사에 ISC 소켓과 번인테스터 장비를 공급하는 등 높은 시너지를 내고 있다”고 설명했다. 그는 이어 “2분기부터 뚜렷하게 AI 반도체를 포함한 비메모리 고객사 중심으로 R&D와 양산용 테스트소켓 수주가 눈에 띄게 증가하고 있다”며 “양 사간의 적극적인 협업이 매출 성장의 촉매제가 될 것”이라고 강조했다.

2024.06.12 10:31장경윤

문닫은 日샤프 LCD 팹, 인텔 후공정 시설로 재활용

인텔이 일본 샤프가 생산을 중단한 LCD 공장을 반도체 후공정(패키징,테스트) 연구개발(R&D) 센터로 활용할 계획이다. 이를 위해 인텔은 후공정 생산시설에서 일본 기업 14곳과 협력하기로 했다. 11일 닛케이 뉴스에 따르면 인텔은 반도체 패키징을 위한 '백엔드 프로세스' 기술 개발에 옴론, 레조낙, 무라타기계 등 일본 공급업체 14곳과 협력할 것으로 알려졌다. 이들 기업은 샤프의 LCD 패널 공장을 연구개발 센터로 활용할 계획이며, 샤프의 오사카부 사카이 공장 또는 미에현 공장 중에서 검토 중이다. 인텔이 LCD 팹을 활용하기로 결정한 이유는 클린룸을 갖추고 있기 때문이다. 디스플레이는 반도체와 마찬가지로 제조 환경에서 오염 물질을 효과적으로 제어하는 능력이 수율 변동에 직접적인 영향을 미친다. 따라서 LCD 패널 공장은 먼지와 파티클을 최소화하도록 설계된 클린룸이 갖춰져 있어 반도체 생산과 연구개발에 적합하다. 인텔뿐 아니라 라피더스, 미쓰비시전기도 기존 샤프의 LCD 팹을 반도체 연구 개발에 활용하겠다고 밝혔다. 라피더스는 2022년 11월 토요타, 소니, 키오시아, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 8개사가 설립한 반도체 회사다. 일본 정부가 파격적인 보조금을 지급하며 반도체 국산화를 위해 전면 지원하는 기업 중 하나다. 지난달 샤프는 오는 9월부터 사카이에 위치한 젠10 공장에서 LCD 패널 생산을 중단한다고 공식 발표했다. 중국 디스플레이 업체의 저가 공세에 밀려 결국 백기를 든 것이다. 또 샤프는 미에현에 있는 중소형 LCD 패널 공장도 생산을 축소한다고 밝혔다. 대신 회사는 수익성 개선을 위해 다른 기업과 협력을 모색하고 공장을 최적화하겠다는 계획이다. 샤프는 현재 가메야마, 미헤현, 하쿠산 공장에서 중소형 LCD 패널을 생산하고 있다. 카메야마 제2공장의 일일 패널 생산량은 2천장에서 1천500장으로 감소하고, 미에현 제3공장의 일일 생산량은 2천280장에서 1천100장으로 52% 감소할 것으로 예상된다. 또한 샤프 텐지쿠 공장의 OLED 생산라인은 폐쇄될 예정이다. 앞서 지난 10일 일본 소프트뱅크도 샤프가 철수한 사카이 공장 약 44만 평방미터 부지와 연면적 약 75만 평방미터 건물에 150메가와트 데이터센터를 구축한다고 밝혔다. 향후 수전용량 400 메가와트 급의 IDC 구동을 목표로 올해 가을에 착공을 시작해 내년부터 가동시킨다는 방침이다.

2024.06.11 10:38이나리

한미반도체, SK하이닉스로부터 HBM용 TC본더 1500억 수주

한미반도체 대표이사 곽동신 부회장은 SK하이닉스로부터 인공지능 반도체 고대역폭메모리(HBM) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC본더 그리핀'을 1천500억원 규모로 수주했다고 7일 밝혔다. 이로써 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM용 듀얼 TC 본더로만 지난해 하반기 1천12억원, 올해 1분기 1천76억원, 그리고 이번 1천500억원 규모의 수주를 더해 누적 3천587억원으로 창사 최대 수주를 또 다시 갱신했다. 한미반도체는 "이번 수주로 한미반도체가 SK하이닉스 HBM 생산 라인에 가장 중요한 TC 본더 장비 공급사로 다시 한번 입증 됐다"며 "회사 매출은 2025년 1조원을 달성할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 곽동신 부회장은 "이번 대만에서 열린 '컴퓨텍스 2024'에서 엔비디아 최고 경영자인 젠슨 황이 언급한 바와 같이, 향후 차세대 GPU인 루빈과 루빈울트라 칩의 HBM 탑재 수량이 늘어날 것으로 밝혔다"며 "HBM 수요 증가 대비와 원활한 TC 본더 공급을 위해 올해 상반기 여섯 번째 공장을 추가 확보하며 고객 만족 향상에 전력을 다하고 있다”고 말했다. 한미반도체는 2002년 지적재산부 창설 후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하고 있다. 지금까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했으며, 이를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 보여진다. 지난 달 글로벌 반도체 리서치 전문기관인 테크인사이츠로부터 국내 기업 중 유일하게 세계 10대 장비 기업으로 선정된 한미반도체는 코리아 디스카운트를 돌파한 대한민국 대표 반도체 장비 기업으로 평가받고 있다. 최근 3년간 1천500억원 규모의 자사주 신탁 계약을 통해 주주가치 제고와 향상에도 적극적으로 대응하고 있다.

2024.06.07 10:37장경윤

삼성전자 반도체 뒤통수 친 12개 업체, 과징금 104억 '철퇴'…삼성SDS 언급된 이유는?

삼성SDS가 발주한 반도체 공정 등 제어감시시스템 입찰에 참여한 반도체 제조용 기계 제조업체들이 사전에 낙찰예정자, 투찰가격 등을 담합한 것으로 나타났다. 저가수주를 방지하고 새로운 경쟁사의 진입을 막기 위해 짜고 친 것이 적발돼 공정거래위원회 제재를 받았다. 3일 공정거래위원회에 따르면 삼성SDS는 2015년 원가절감 차원에서 사실상 수의계약으로 운영되던 반도체 등 제어감시시스템 조달 방식을 실질적인 경쟁입찰로 변경했다. 피에스이엔지 등 12개 협력업체들은 이를 계기로 저가 수주를 방지하고 새로운 경쟁사의 진입을 막기 위해 담합행위를 시작했다. 반도체공정 등 제어감시시스템은 주로 반도체 제조를 위한 최적 조건을 유지하고 근로자의 안전을 확보하기 위한 시스템이다. 각 시스템을 구축하고 유지·관리하는 비용은 반도체 제조원가에도 반영된다. 각 품목의 낙찰 예정자는 입찰 공고 이후 이메일이나 카카오톡 등을 통해 들러리사에 투찰 가격 및 견적서를 전달했다. 들러리사들은 전달 받은 가격대로 써내는 방식으로 담합한 내용을 실행에 옮겼다. 그 결과 2015~2023년 약 9년간 삼성SDS가 발주한 총 334건의 입찰 중 323건에서 합의된 낙찰예정자가 낙찰자로 선정됐다. 이번에 적발된 12곳은 피에스이엔지(현 대안씨앤아이), 두타아이, 메카테크놀러지, 아인스텍, 창공에프에이, 창성에이스산업, 코리아데이타코퍼레이션, 타스코, 파워텔레콤, 한텍, 한화컨버전스, 협성기전, 피에스이엔지 등이다. 이에 공정위는 독점규제 및 공정거래에 관한 법 제40조 등을 적용해 이들 업체에 시정명령과 과징금 104억5천900만원을 부과하기로 결정했다. 이 중 피에스이엔지의 경우 해당 사건 관련 사업부문을 대안씨앤아이에 분할합병하고 지난해 사업자 등록을 말소한 점을 고려해 제재 실효성을 확보하기 위해 대안씨앤아이와 피에스이엔지에게 연대 이행(납부) 명령(과징금 24억2천100만원)을 부과했다. 이번 조치는 국가기간산업인 반도체 제조와 관련해 장기간 이뤄진 담합을 적발해 제재한 최초 사례다. 공정위 관계자는 "산업 경쟁력을 약화시키고 소비자 피해를 유발하는 중간재 분야의 담합에 대한 감시를 강화할 것"이라며 "법 위반행위 적발 시 엄정 대응하겠다"고 밝혔다.

2024.06.03 09:18장유미

삼성전자, 14나노 eMRAM 개발 완료…"8나노도 마무리 단계"

"자동차, 고성능컴퓨팅, AI 등에서 내장형 MRAM에 대한 필요성이 점점 더 높아지고 있다. 이에 삼성전자도 14나노미터(nm) 공정 개발을 완료했고, 8나노 공정도 거의 완료가 된 상태다." 정기태 삼성전자 부사장은 30일 양재 엘타워에서 열린 'AI-PIM 반도체 워크샵'에서 회사의 파운드리 개발 현황에 대해 이같이 밝혔다. 이날 정 부사장은 "파운드리 기술은 트랜지스터 구조 진화나 새로운 소자, 물질을 적용하는 방식으로 발전해왔다"며 "삼성전자도 지난 2022년 첫 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 양산을 시작했고, 2세대 공정이 올해 말 나올 예정"이라고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 삼성전자는 GAA 기술을 최선단 공정인 3나노에 세계 최초로 적용했다. 또한 삼성전자는 매그네틱 기반의 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory)에 주목하고 있다. 정 부사장은 "보안에 대한 중요성이 높아지면서, 시스템반도체에도 내부에서 데이터를 저장하고 처리하는 임베디드 메모리의 필요성이 점차 높아지고 있다"며 "삼성전자도 플래시와 매그네틱(Magnetic) 두 분야를 개발하고 있다"고 밝혔다. MARM은 낸드와 같이 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 동시에, 낸드 대비 데이터 쓰기 속도가 약 1천배 빠르고 전력 소모가 낮다는 장점이 있다. 특히 미래 자동차 산업에서 수요가 증가할 것으로 전망된다. 삼성전자는 지난 2019년부터 28나노미터 공정 기반의 eMRAM을 양산해, 스마트워치용으로 공급하고 있다. 향후에는 2027년까지 14나노, 8나노, 5나노로 공정 미세화를 지속 추진할 계획이다. 정 부사장은 "14나노 공정은 개발 완료됐고, 8나노도 거의 완료가 된 상태"라며 "이를 기반으로 5나노까지 계속 기술 개발을 진행해나갈 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 올해 완료를 목표로 AEC-Q100(자동차 안전 규격) 그레이드(Grade) 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발하겠다고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 해당 로드맵을 순탄하게 진행 중인 것으로 관측된다. 정 부사장은 "eMRAM의 주요 기술 개발 방향 중 하나는 온도에 대한 동작 신뢰성을 높이는 것"이라며 "첫 제품은 85도였으나, 현재 개발된 제품은 150~160도까지 대응이 가능해 자동차에도 들어갈 수 있는 정도가 됐다"고 덧붙였다.

2024.05.30 13:25장경윤

한미반도체, 한화정밀기계 이직한 前 연구원 '부정경쟁행위금지' 최종 승소

한미반도체는 한화정밀기계로 이직한 전 직원 A씨를 대상으로 청구한 부정경쟁행위금지 소송에서 1심과 2심 모두 승소하며 최종 승소했다고 23일 밝혔다. 한미반도체 전 직원인 A씨는 2021년 TC 본더, 플립칩 본더 등 핵심 장비 연구개발부서에서 근무하다가 한화정밀기계로 이직했다. 이에 한미반도체가 부정경쟁행위금지 소송을 제기해 2023년 8월 23일 1심에서 승소했다. 2024년 5월 2일에는 2심 법원인 수원고등법원 재판부에서도 A씨가 한화정밀기계에서 한미반도체의 기술정보를 사용, 공개하는 행위를 금지하도록 최종 판결을 내렸다. 한미반도체 관계자는 “인공지능 반도체용 HBM(고대역폭메모리) 필수 공정 장비이자 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 TC 본더의 핵심 기술을 담당하던 직원의 한화정밀기계 취업은 전직금지는 물론이고, 영업비밀보호의무위반 등의 소지가 높아 부정경쟁행위금지 소송을 제기하게 됐다"고 밝혔다. 그는 이어 "이번 법원의 판결을 계기로 반도체 강국인 한국에서 첨단기술 기업이 보유한 기술과 노하우를 소중히 여기는 공정한 경쟁 문화가 산업 전반에 확고히 자리 잡기를 희망한다"고 덧붙였다. 한편 한화정밀기계는 이 같은 보도에 대해 "해당 소송은 한미반도체의 전 직원 개인에 대한 소송으로, 한화정밀기계에 대한 소송이 아니다"며 "직원 개인이 한미반도체 재직 중 습득한 기술정보를 다른 곳에 제공하지 못하게 하는 취지"라고 설명했다. 회사는 이어 "상기 직원은 정상적인 공개채용의 절차를 거쳐 합법적으로 채용한 인력"이라며 "이직 당시 4년차 사원으로 한미반도체 측의 중요한 정보를 취급했을 가능성이 매우 희박하다"고 강조했다.

2024.05.23 16:20장경윤

한미반도체, HBM용 TC본더 라인 증설…98.8억 규모 유형자산 취득

한미반도체가 주력 사업인 TC본더의 생산능력 확대를 위한 준비에 나선다. 한미반도체는 98억8천만원 규모의 인천 서구 가좌동 소재의 토지 및 건물을 취득한다고 14일 공시를 통해 밝혔다. 이번에 한미반도체가 취득하는 유형자산은 인천 서구 가좌동 552-31번지에 위치해 있다. 한미반도체 본사와 거리가 매우 가깝다. 토지 면적은 852평, 건물 면적은 707평이다. 한미반도체는 취득 목적에 대해 "HBM용 TC본더 생산 라인 증설"이라고 설명했다. 취득예정일자는 오는 6월 10일이다. 한미반도체는 반도체 후공정에서 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 TC본더를 주력으로 개발하고 있다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 현재 HBM 시장이 빠르게 성장하는 만큼, 한미반도체는 TC본더 생산능력을 적극적으로 확대해 왔다. 지난달에는 인천 서구 주안국가산업단지에 6번째 공장을 개소해, 연 1조원 규모의 생산능력을 갖췄다. 또한 한미반도체는 최근 기존 SK하이닉스에 이어 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 성과를 거두기도 했다. 지난달 11일 한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 공시한 바 있다.

2024.05.14 15:46장경윤

"내년 D램서 HBM 매출비중 30% 돌파...가격도 오른다"

AI 산업에서 강력한 수요를 보이고 있는 HBM(고대역폭메모리) 시장이 내년에도 성장세를 지속할 것으로 관측된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 내년 30%를 넘어설 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리 반도체다. 고용량·고효율 데이터 처리 성능을 요구하는 AI 산업에서 수요가 폭발적으로 증가하는 추세다. 트렌드포스의 예측에 따르면 HBM 수요 연간성장률은 올해 200%, 내년 100% 수준이다. 첨단 제품에 해당하는 만큼 HBM의 가격은 기존 D램(DDR5) 대비 약 5배 가량 비싸다. 나아가 HBM의 공급부족 현상이 지속되면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 제조업체들은 최근 내년도 HBM의 가격을 5~10% 가량 인상한 것으로 알려졌다. 이에 따라 전체 D램 매출 비중에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 8%에서 올해 21%, 내년 30% 이상으로 급증할 것으로 예상된다. 전체 D램 비트 출하량 내 HBM 비중도 지난해 2%에서 올해 5%, 내년 10% 이상으로 높아질 전망이다. 트렌드포스가 진단한 HBM의 가격 상승의 주 원인은 크게 세 가지다. 먼저 수요 측면에서는 구매자들이 AI 수요에 대해 높은 전망치를 유지하면서, 가격 인상을 충분히 수용하고 있다. 공급 측면에서는 수율이 핵심 요소로 떠오르고 있다. 트렌드포스가 추산한 HBM3E의 TSV 공정 수율은 현재 40~60%대에 불과하다. 나아가 모든 공급업체가 HBM3E의 양산 승인을 받지 않은 상황이기 때문에, HBM3E 가격에 프리미엄이 붙고 있는 상황이다. 또한 주요 제조업체의 신뢰성, 생산능력에 따라 Gb(기가비트)당 메모리 가격이 달라질 수 있다는 점도 변수다. 트렌드포스는 "HBM 시장이 높은 가격 프리미엄과 AI 반도체에 대한 용량 요구 증가로 인해 강력한 성장을 이룰 준비가 됐다"며 "특히 내년에는 HBM 시장이 12단 HBM3E로의 전환이 가속화될 것"이라고 설명했다.

2024.05.07 13:11장경윤

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