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한미반도체, 3Q 창사 최대 '분기 실적' 달성…HBM용 TC본더 공급 영향

한미반도체는 3분기 매출 2천85억원, 영업이익 993억원으로 창사 최대 분기 실적을 달성했다고 17일 밝혔다. 올해 누적 매출은 4천93억원, 누적 영업이익은 1천834억원이다. 한미반도체는 올해 3분기부터 시작된 인공지능 반도체의 핵심인 HBM용 TC 본더의 본격 납품과 2025년 말 완공 목표로 추진 중인 HBM TC 본더 전용 신규 공장 증설로 향후 지속적인 매출 성장이 전망된다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "현재 한미반도체는 HBM용 TC 본더 세계 시장 점유율 1위"라며 "이러한 배경에는 1980년 설립 이후 45년 축적된 업력과 노하우를 바탕으로, 한미 인천 본사에서는 SK하이닉스 전담 A/S을 창설했고 한미차이나와 한미타이완에서는 마이크론테크놀러지 대만 공장 전담 A/S팀을 창설해 고객만족을 위한 끊임없는 노력이 더해졌기에 가능하다"고 밝혔다. 그는 이어 "영국에 '못 하나가 없어서' 라는 속담이 있다. 못 하나가 없어서 말 발굽을 사용하지 못하고 이로 인해 결국 전쟁에서 진다는 이야기"라며 "인공지능 반도체의 핵심인 HBM 생산에서 TC 본더가 아주 중요한 핵심 공정 장비라고 생각한다"고 말했다. 회사의 경쟁력에 대해서는 "한미반도체와 경쟁하고 있는 ASMPT는 중국 선전, 청두 공장에서 장비를 생산하고 있어, 조립 품질과 장비의 성능면에서 메이드인 코리아인 한미반도체에는 확연히 뒤쳐지고 있다"고 설명했다. 미국 빅테크(M7) 기업의 AI 전용칩(HBM) 개발 수요가 지속적으로 증가할 것으로 보고 있기에, AI 반도체 시장의 주요 고객으로 부상할 미국 현지 고객 밀착 서비스를 위해 미국 법인 설립과 미국 현지 고객사에 A/S 제공이 가능한 에이전트를 선별 중에 있다고 밝혔다. 한미반도체는 지난달 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장에 대한 미래 가치 자신감을 바탕으로 400억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결하며 최근 3년동안 총 2천400억 원 규모의 자사주 취득 신탁 계약을 체결했다. 대표이사 곽동신 부회장 역시 2023년부터 현재까지 개인적으로 353억 원 규모의 자사주를 매수했다. 한편 한미반도체는 올해 상반기부터 글로벌 반도체 제조사의 요청으로 6세대 HBM4 생산용 마일드 하이브리드 본더를 개발하고 있다.

2024.10.17 10:01장경윤

건국대 연구팀, 대면적 반도체 박막 형성 공정 조건 제시

건국대학교는 이위형 교수팀(화학공학부, 교신저자), 이훈경 교수팀(물리학과, 교신저자), 노스웨스턴대 이정훈 박사(재료공학과, 제1저자)가 저분자 유기반도체와 폴리머 블렌드 시스템에서 분자 구조에 따른 최적의 용액공정 조건이 존재함을 규명했다고 밝혔다. 이번 논문은 지난달 30일 나노분야 대표 권위지인 Small(IF = 13.0)에 게재됐다. 이번 연구는 저분자 유기반도체와 폴리머 블렌드 시스템에서 각 유기반도체 분자구조에 따라 최적의 공정 조건이 다르게 나타남을 규명했다. 연구팀은 스핀 코팅 시간과 같은 공정 변수를 체계적으로 분석했다. 연구팀은 유기반도체가 최적의 스핀 코팅 시간을 통해 가장 높은 결정화도를 달성하고, 전기적 성능을 극대화할 수 있다는 사실을 확인했다. 연구팀은 유기반도체 분자 구조가 용액의 농도·점도·결정화도 등 다양한 요소에 어떤 영향을 미치는지 심도 있게 분석했다. 특히, 유기반도체가 코팅 후 남아있는 용매와 상호작용하는 방식이 결정화 과정에 결정적인 역할을 한다는 점을 규명했다. 고성능 유기반도체 필름을 제작하기 위한 최적 공정 조건을 제시하는 데 중요한 단서를 제공했다. 건국대 이훈경 교수팀은 밀도 범함수 이론(DFT) 계산을 통해 분자 간 상호작용을 분석해 유기반도체 필름의 전기적 성능과 분자 구조 사이 상관관계를 밝혀냈다. 이 연구 결과는 유기 전자소자 상용화 가능성을 높이는 데 기여할 전망이다. 이번 연구는 고성능 유기박막트랜지스터 제작을 위한 대면적 반도체 박막 형성 전략을 제시함으로써, 유연한 차세대 전자소자 개발을 앞당기는 중요한 성과로 평가받고 있다. 연구의 교신저자인 건국대 이위형 교수는 “이번 연구가 유기반도체 공정 기술에 대한 이해를 한층 높였으며, 향후 유연 전자 기기의 상용화에 중요한 역할을 할 것”이라고 말했다. 한편, 제1저자인 이정훈 박사는 건국대학교 유기나노시스템공학과에서 학부와 석사를 마치고, 서울대학교 재료공학부에서 박사 학위를 받은 후 현재 노스웨스턴대학에서 박사후 연구원으로 활동 중이다. 이번 연구는 과학기술정보통신부와 산업통상자원부 지원을 받아 수행됐다. 논문명은 'Crystal Engineering Under Residual Solvent Evaporation: A Journey Into Crystallization Chronicle of Soluble Acenes'이다.

2024.10.16 16:23주문정

"삼성·TSMC 모두 적용"…AMAT, 2나노향 최초 신기술 꺼냈다

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 2나노미터(nm) 이하 등 차세대 반도체 제조를 위한 공정 기술을 공개했다. 특히 AMAT가 업계 최초로 상용화한 구리 배선 기술의 경우, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 기업의 양산 공정에 이미 적용된 것으로 알려졌다. 14일 AMAT코리아는 서울 선릉 세바시X데마코홀에서 미디어 라운드 테이블을 열고 회사의 신규 구리 배선 및 저유전체 기술을 발표했다. ■ '초미세' 공정용 구리 배선 기술로 삼성전자·TSMC 공략 이날 AMAT는 2나노 공정 구현을 위한 구리 칩 배선 기술을 강조했다. 2나노 공정은 반도체 업계에서 '초미세' 영역에 해당하는 기술이다. 전 세계 주요 파운드리인 삼성전자, TSMC, 인텔 등이 내년부터 본격적으로 2나노 공정을 본격적으로 양산할 계획이다. AMAT는 이를 위해 '엔듀라 쿠퍼 배리어 써드 IMS'를 개발했다. 배선 공정은 반도체 회로 패턴에 전기가 잘 통하는 성질의 금속을 도금하는 공정을 뜻한다. 해당 금속으로는 구리가 주로 쓰이며, 구리가 잘 배선될 수 있도록 틀을 잡아주는 역할의 라이너·배리어 2개 층을 입힌다. 그러나 회로 선폭이 줄어들면서 배선 공정도 기술적인 한계점에 부딪히고 있다. 선폭이 미세화될수록 배선되는 구리의 두께도 얇아져야 하는데, 구리의 함량이 너무 많이 줄어들면 전기의 저항성이 높아지기 때문이다. 배리어 층의 간격이 짧아져 간섭이 발생한다는 문제도 있다. 이는 칩의 전력효율성 및 신뢰성을 감소시키는 결과로 이어진다. AMAT가 제시한 해결 방안은 라이너의 두께를 대신 줄이는 것이다. 기존 라이너에는 코발트 소재가 쓰였는데, 30옹스트롬(1옹스트롬 당 0.1나노미터) 정도의 두께다. 반면 AMAT는 라이너 소재로 기존 코발트에 '루테늄'을 더해 라이너 두께를 20옹스트롬 수준으로 줄였다. 이를 통해 표면 물성을 개선하고, 전기 배선 저항을 최대 25%까지 낮췄다. AMAT는 코발트, 루테늄 증착 등을 비롯한 6개의 공정을 하나의 고진공 시스템(IMS)으로 조합해, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 업체의 양산용 공정에 공급하는 데 성공했다. 이은기 AMAT 박막기술총괄은 "AMAT의 차세대 구리 배선 기술은 2나노 이하의 최선단 공정과 그 너머까지 지원할 수 있다"며 "학계에서 연구된 바는 있으나 이를 양산 공정에 적용한 것은 AMAT가 업계 최초"라고 설명했다. ■ 향상된 Low-k 소재 개발…"3나노서 이미 적용 중" 또한 AMAT는 차세대 반도체 기술인 3D 적층을 위한 신규 Low-k(저유전율) 유전체소재에 대해 발표했다. 유전체는 구리를 배선하기 전에 먼저 증착되는 소재로, 배선 사이의 간섭을 막는 역할을 담당한다. 3D 적층은 기존 수직으로 집적하던 트랜지스터를 수직으로 적층하는 기술이다. 기존 반도체 미세화 공정의 한계를 뛰어넘는 대안 기술로, 삼성전자가 2030년께 상용화를 목표로 한 3D D램, GAA(게이트-올-어라운드)를 한층 발전시킨 '3DSFET' 등이 대표적인 사례다. 3D 적층을 구현하기 위해서는 유전율을 낮추는 것이 핵심이다. 유전율이란 동일한 전압에서 전하를 얼마나 잡아둘 수 있는지 나타내는 척도다. 유전율이 낮으면 전기 저항이 낮아 전류를 빠른 속도로 흐르게할 수 있다. 이를 활용하면 전하의 축적량을 낮춰, 각 배선 사이에 발생할 수 있는 간섭 현상을 줄이고 전력 소비량을 줄일 수 있다. 덕분에 3D 칩과 같이 배선이 빼곡하게 들어서는 구조에 적합하다는 평가를 받고 있다. AMAT는 이 Low-k 유전체를 '블랙다이아몬드' 라는 브랜드명으로 개발해 왔다. 이번에 공개한 신규 물질은 실리콘과 탄소 등을 포함한 'SiCoH'를 기반으로 한다. 이은기 총괄은 "특정 고객사는 신규 블랙다이아몬드 물질을 3나노 파운드리 공정에 이미 적용해 사용 중"이라며 "선도적인 로직 및 D램 제조기업들의 채택되고 있음은 물론, 향후에는 BSPDN(후면전력공급)와 같은 차세대 기술에도 적용될 수 있다"고 설명했다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자의 경우 차세대 2나노 공정, 3D D램 등에 적용할 것으로 기대된다. 한편 삼성전자, TSMC 등 고객사들도 AMAT의 차세대 공정 솔루션에 깊은 관심을 기울이고 있다. 김선정 삼성전자 파운드리 개발팀 상무는 "패터닝 발전이 소자의 지속적인 스케일링을 견인하고 있으나 인터커넥트 배선 저항, 정전용량, 신뢰성 등 풀어야 할 과제가 남아있다"며 "삼성은 이 문제를 해결하기 위해 스케일링의 이점을 가장 진보한 공정까지 확대하는 다양한 재료 공학 혁신을 채택하고 있다"고 밝혔다. 미위제 TSMC 수석부사장은 "AI 컴퓨팅의 지속 가능한 성장을 위해 반도체 업계는 에너지 효율적인 성능을 획기적으로 개선해야 한다"며 "인터커넥트 저항을 낮추는 신소재는 다른 혁신과 함께 전반적인 시스템 성능과 전력을 개선하며 반도체 산업에서 중요한 역할을 할 것"이라고 강조했다.

2024.10.14 13:26장경윤

DB하이텍, 반도체 클린룸 확장에 2500억원 투자

시스템반도체 파운드리 전문기업 DB하이텍은 2천500억원 규모의 클린룸 확장 투자를 진행한다고 11일 공시를 통해 밝혔다. 이번 클린룸 확장 투자는 충북 음성군에 위치한 Fab2(상우공장)의 유휴공간을 활용해 시스템반도체 생산 인프라를 구축하는 것이며, 반도체 업황 회복에 대비한 선제적 투자로 풀이된다. 향후 본격적인 수요 확대에 따른 생산능력(캐파) 초과 시에도 준비된 클린룸에 즉각 생산장비를 투입해 기회손실을 없앰으로써 매출 극대화를 꾀한다는 전략이다. DB하이텍의 주력 제품인 전력반도체는 타 제품군에 비해 경기 변동에 안정적이며 회복 탄력성이 좋아 경기 반등 시에도 빠르게 반응해 상승하는 경향이 있어, 긴밀한 수요 대응이 매우 중요한 분야다. 또한 전기차, AI 데이터센터, 에너지저장장치(ESS) 시장 성장에 따라 수요가 급증할 것으로 예상되는 SiC 등의 차세대 전력반도체 신사업 분야에 빠르게 진입, 확대할 수 있도록 선제적 준비를 마친다는 것이 DB하이텍 측 설명이다. 이번 클린룸 확장은 다음달부터 기본 설계를 시작해 내장 공사와 전기, 공조 등 각종 유틸리티 공사를 거쳐 내년 말경 완료한다는 계획이다. 2026년부터는 생산장비를 투입해 신규 클린룸에서 양산이 가능할 전망이다. DB하이텍 관계자는 "신규 클린룸이 조성되면 월간 8인치 웨이퍼 3만 5천장 규모의 수요에 적기 대응할 수 있는 인프라를 갖추게 되는 것"이라며 "현재 15만 4천장 대비 23% 증가한 19만장의 생산능력을 확보할 수 있다"고 밝혔다. 관계자는 이어 "이번 투자는 작년 말 발표한 경영혁신 계획 투자전략 실행의 일환"이라며 "앞으로도 경영혁신 계획의 이행과 함께 중장기 지속성장을 위한 노력을 아끼지 않을 것"이라고 강조했다.

2024.10.11 18:05장경윤

TSMC, 3분기 매출 36%↑ '약진'…삼성과 격차 더 벌어지나

대만 주요 파운드리 TSMC가 3분기 예상을 뛰어넘는 매출을 기록했다. 지난 분기에 이어 성장세를 이어간 것으로, 인공지능(AI) 등 고성능 시스템반도체 수요가 견조한 데 따른 영향으로 풀이된다. 반면 경쟁사인 삼성전자는 3분기 파운드리 사업에서 적자를 지속하고 있어, TSMC와의 격차가 줄이는 것이 더욱 힘들어질 전망이다. 9일 TSMC는 지난 9월 매출이 2천518억7천만 대만달러로 전월 대비 0.4%, 전년동월대비 39.6% 증가했다고 밝혔다. 이로써 TSMC의 올 3분기 매출은 7천596억9천만 대만달러로 집계됐다. 이는 전년동기 대비 36.5% 증가한 것으로 영국 런던증권소의 전망치인 7천503억6천만 대만달러도 넘어섰다. 앞서 TSMC는 지난 2분기에도 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. TSMC의 2분기 매출은 6천735억 대만달러, 영업이익은 2천862억 대만달러다. 매출은 전분기 대비 13.6%, 전년동기 대비 40.1% 증가했다. 증권가 컨센서스 대비 2.1% 웃돌았다. 영업이익은 전분기 대비 13.2%, 전년동기 대비 41.7% 증가했다. 증권가 컨센서스 역시 5%가량 상회했다. 당시 TSMC의 호실적을 이끈 배경은 최선단 공정이다. AI 반도체, HPC(고성능컴퓨팅) 등 가장 고부가 제품을 생산하는 3나노미터(nm) 매출 비중이 전체의 15%를 차지했다. 이어 5나노 매출 비중은 35%, 7나노 비중은 17%로 집계됐다. 이에 TSMC는올해 연 매출 전망치를 당초 "전년 대비 20% 초중반대 상향"에서 "20% 중반 상향"으로 조정하기도 했다. 한편 국내 삼성전자는 올 하반기 TSMC와의 격차를 좁히기가 더 어려워질 전망이다. 삼성전자가 지난 8일 발표한 3분기 잠정실적 매출은 79조 원, 영업이익은 9조1천억 원이다. 이 중 파운드리, 시스템LSI 등 시스템반도체 사업은 1조~1조5천억 원의 적자를 기록한 것으로 분석된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난 2분기 TSMC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 삼성전자도 시장 점유율이 11.5%로 전분기(11.0%) 대비 0.5%p 증가했으나, TSMC와의 격차를 좁히지는 못했다.

2024.10.10 08:51장경윤

TSMC, 앰코와 손잡고 美 파운드리 사업 힘준다

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국 파운드리 시장 공략에 속도를 낸다. 미국 주요 OSAT(외주반도체패키지테스트) 기업 앰코와 협력해 고성능 칩 제조를 위한 첨단 패키징 기술을 강화할 예정이다. 6일 업계에 따르면 TSMC는 앰코와 첨단 패키징 분야 협력을 위한 업무협약(MOU)을 체결했다. 이번 협약에 따라 TSMC는 미국 애리조나주 팹에 앰코가 피오리아에 건설 중인 첨단 패키징 및 테스트 서비스를 적용할 계획이다. 이를 통해 파운드리 사업 전반에 필요한 전공정·후공정 기술을 동시에 강화하겠다는 게 TSMC의 전략이다. 특히 양사 협업은 TSMC의 팬아웃 기술인 'InFO', 'CoWoS(칩-온-웨이퍼)' 등에 초점을 맞춘다. 팬아웃은 데이터를 주고받는 입출력단자(I/O)를 칩 외부로 빼는 기술이다. 기존 방식 대비 더 많은 I/O를 배치할 수 있고, 반도체와 기판 사이의 배선 길이가 줄어들어 칩의 성능 및 효율을 높일 수 있다. CoWoS는 TSMC의 2.5D 패키징 기술 브랜드명이다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술로, 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 현재 IT 업계에서 각광받는 AI 가속기도 시스템반도체와 HBM(고대역폭메모리)를 2.5D 패키징으로 엮어 만든다. 앰코는 "이번 협약은 전공정 및 후공정에서 고객사의 요구 사항을 지원하고 미국 내 포괄적인 반도체 제조 생태계를 조성하기 위한 것"이라고 밝혔다. TSMC는 "고객사들은 AI, 모바일, 고성능 컴퓨팅 분야에서 점점 더 많이 첨단 패키징 기술에 의존하고 있다"며 "앰코와의 협력으로 TSMC 파운드리 팹의 가치를 극대화하고, 미국 내 고객사에게 더 넓은 서비스를 제공할 수 있기를 기대한다"고 강조했다. 한편 TSMC는 미국 애리조나주 피닉스에 약 400억 달러를 들여 첨단 파운드리 공장 2곳을 건설하고 있다. 또한 2나노미터(nm) 이하의 최선단 파운드리 공장도 추가로 지을 계획이다. 이에 미국 정부는 TSMC에 66억달러 규모의 보조금을 지원하고, 50억달러 규모의 저리 대출을 제공하기로 하는 등 막대한 지원책을 펼치고 있다.

2024.10.06 09:28장경윤

LG이노텍, AI 활용해 1분 만에 '불량 원자재' 원천 차단

LG이노텍이 AI(인공지능)를 활용해 입고 시점에 불량 원자재 투입을 사전에 걸러내는 '원자재 입고 검사 AI'를 업계 최초로 개발 및 적용했다고 25일 밝혔다. 이를 통해 반도체 기판 원자재의 구성 요소 및 불량 영역 등을 1분 만에 정확도 90% 이상으로 분석할 수 있다. LG이노텍은 소재 정보 기술과 AI 영상처리 기술을 융합해 개발한 '원자재 입고 검사 AI'를 RF-SiP(무선 주파수 시스템 인 패키지) 공정에 처음 도입했다. 최근에는 FC-BGA(플립칩 볼그리드 어레이)에도 확대 적용돼 LG이노텍의 고부가 반도체 기판 제품의 품질 경쟁력을 한층 강화하는 데 기여할 것으로 기대된다. 기존에는 공정 투입 전 입고 원자재의 경우 육안(肉眼)으로 검수하는 수준에 그쳤다. 하지만 반도체 기판 제품의 고사양화로 상황이 바뀌었다. 공정에 기인한 불량 원인을 모두 개선해도 신뢰성 평가의 문턱을 넘지 못하는 사례가 증가했다. 공정에 투입되던 입고 원자재 품질이 신뢰성 평가에 영향을 미치는 결정적 요소로 주목받기 시작한 배경이다. 반도체 기판을 구성하는 핵심 원자재(PPG, ABF, CCL 등)는 유리섬유, 무기 혼합물 등이 믹스된 형태로 입고된다. 기존에는 원자재 혼합 과정에서 공극(空隙, 입자 사이 틈)이나 이물질 등이 생겨도 제품 성능 구현에 문제가 없었다. 그러나 회로 간격 축소 등 기판 제품 스펙이 고도화되면서, 공극의 크기나 이물질 양에 따라 불량이 발생하기 시작한 것이다. 이에 따라 기존 육안 검사 방식으로는 원자재의 어떤 부분이 불량 요인인지 파악하는 것이 사실상 불가능해, 업계의 난제로 떠올랐다. 쉽게 말해 원자재 혼합물 한 로트(Lot∙생산공정에 투입되는 동일한 특성의 원자재 단위)를 쿠키 도우(dough) 한 덩이라고 치면, 도우 안에 소금이나 설탕이 한쪽으로 얼마나 쏠려 있는지, 공기 구멍은 몇 개가 생겼는지, 이물질은 얼마나 들어있는지 눈으로는 확인이 불가능한 것과 같은 경우다. LG이노텍은 이 같은 업계 난제를 극복하기 위한 방안을 AI에서 찾았다. LG이노텍이 개발한 '원자재 입고 검사 AI'는 양품에 적합∙부적합한 소재 구성을 형상화한 데이터 수만장을 학습했다. 이를 기반으로 반도체 기판 원자재의 구성 요소 및 불량 영역 등을 1분 만에 정확도 90% 이상으로 분석해 내는 것은 물론, 원자재 로트 별 품질 편차를 시각화해 보여준다. 이처럼 AI 머신 러닝을 통해 양품에 최적화된 소재 구성을 시각∙정량∙표준화할 수 있게 되면서, LG이노텍은 불량 원자재가 공정에 투입되는 일을 원천 차단할 수 있게 됐다. AI가 시각화해 보여주는 품질 편차 정보를 기반으로 소재 설계를 변경하여, 공정 투입 전 원자재 로트의 품질을 양품에 적합한 수준으로 균일하게 만드는 것이 가능해졌기 때문이다. LG이노텍은 기판 분야 고객사 및 협력사와 함께 원자재 관련 데이터를 상호 공유하는 '디지털 파트너십'을 통해, 원자재 입고 검사 AI의 판독 기능을 지속 고도화해 나간다는 방침이다. 이와 함께 카메라 모듈 등 이미지 기반으로 원자재 불량 검출이 가능한 광학솔루션 제품군에도 '원자재 입고 검사 AI'를 확대 적용한다는 계획이다. 노승원 LG이노텍 CTO(전무)는 “이번 '원자재 입고 검사 AI' 도입을 계기로 제품의 다양한 불량 원인을 사전에 파악해 차별적 고객가치를 제공하는 LG이노텍만의 독보적인 AI 생태계를 완성할 수 있게 됐다”며 “앞으로도 최고 품질의 제품을 최소의 비용으로, 최단 시간에 생산할 수 있는 디지털 생산 혁신을 지속 이어갈 것”이라고 말했다.

2024.09.25 08:19이나리

인텔, 美정부 지원에 50억弗 투자제안까지...IPO 성공여부 주목

미국 반도체 기업 인텔이 파운드리(위탁생산) 사업(IFS)을 분사한다고 발표하며 위기 극복을 위한 초강수를 뒀다. 미국 정부의 든든한 지원에 힘입어 파운드리 사업을 포기하지 않고 이어가겠다는 목표다. 인텔 파운드리 사업은 향후 기업공개(IPO)를 통해 투자 자금 유치를 기대하고 있다. 하지만 인텔은 이미 주요 사업 악화로 PC, 서버용 프로세서와 자회사 모빌아이 매각설에 대한 논란이 지속되고 있다. 또한 미국 외 지역인 독일, 폴란드, 말레이시아 팹 건설은 중단 또는 보류하기로 결정하면서 유럽 내 반도체 공급망 구축 계획이 실패했다는 평가가 나온다. 업계는 인텔이 IPO에 성공할 가능성이 낮다고 전망하고 있다. ■ 인텔 파운드리 분사 목적은 IPO 통해 '자금 조달' 인텔은 파운드리 사업 분사를 결정한 이유로 고객사와 이해충돌 발생을 방지하기 위한 조치라고 말한다. 독립된 사업체 운영을 통해 고객사의 설계자산(IP) 유출을 방지하고 신뢰도를 높여 추가 고객사를 확보하겠다는 것이다. 동시에 향후 기업공개IPO)를 통해 자금을 조달이 주요 목표다. 유재희 홍익대 전자전기공학부 교수이자 반도체공학회 부회장은 “인텔은 대규모 투자를 단행함으로써 자금조달이 원활하지 않고, 파운드리 때문에 모기업도 주식이 많이 떨어졌던 상황”이라며 “파운드리 분사 이후 상장을 통해서 자금을 마련하려는 취지로 보인다”고 말했다. 미국 경제 매체 CNBC도 “인텔은 외부 자금 조달을 고려하는 것 외에도 파운드리 사업을 상장하는 것도 고려하고 있다”고 보도했다. 실제로 지난달 2일 인텔은 2분기 파운드리 사업에서 28억 달러 적자를 기록했고, 이에 따라 1만5천명 인력 감축과 4분기에 배당금을 지급하지 않겠다는 소식이 전해지자 하루 만에 주식이 26% 폭락했다. 이는 1982년 이후 가장 큰 하락폭이며, 시가총액 320억달러(약 43조원)가 하루만에 증발한 것이다. 하지만 인텔이 이달 16일 파운드리 사업부 분사를 발표하자, 이날 주가는 6% 이상 급등했다. ■ 미국 정부 추가 보조금 지원, 기술 확보가 중요…IPO 성공은 불투명 인텔은 미국 정부와 자국 빅테크 기업의 지원 덕분에 자국 내 파운드리 투자를 지속하고, 매출을 일으킬 수 있을 것으로 보인다. 이 부분에서 인텔은 삼성전자 파운드리보다 유리한 상황이다. 미국 정부는 지난 3월 반도체산업지원법(칩스법)의 일환으로 인텔에 85억 달러 지급을 약속한데 이어 이달 군사용 반도체 생산을 위한 30억 달러의 추가 보조금 지급을 결정했다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 “삼성은 현재 미국에 파운드리 공장을 짓더라도 미 대선 이후 정권이 바뀌면서 어떻게 될지 모르는 불안한 상황이다. 반면 인텔은 미국 기업이기 때문에 정권과 상관없이 정부의 지원이 끊어질 가능성이 없고, 빅테크 고객사가 대부분 미국 기업이라는 점에서 삼성 보다 유리하다”고 말했다. 하지만 인텔의 파운드리 기술력이 입증되지 않은 상황에 투자자를 모으는 IPO가 성공할 수 있을지 불투명하다는 의견이 지배적이다. 인텔이 오는 4분기부터 가동 예정이었던 인텔 20A(2나노급) 공정 양산을 백지화했고, 고객사인 브로드컴이 인텔 18A 공정 초기테스트에서 실패한 것으로 알려졌다. 유재희 교수는 “인텔이 TSMC까지 안 되더라도 아마존, 마이크로소프트 등을 수주했듯이 미국 내수에서 매출을 내며 파운드리 사업을 이어갈 수 있을 것이다. 다만 기술력에 대한 입증이 안된 상황에 IPO에 성공할 수 있을 지는 지켜봐야 한다”고 말했다. 김 전문연구원은 “인텔이 IPO에서 투자금을 확보하지 못할 경우에는, 본사 자금도 활용 못하게 되는 상황이 벌어질 수 있다”고 덧붙였다. 반도체 업계 다수 전문가는 “인텔이 공정 기술과 수율을 확보한다면 파운드리 시장에서 도약할 가능성이 있지만, 파운드리 사업이 만만치 않다”라며 “공정 노하우와 IP, 생태계 등이 구축되어야 하기에 단기간에 성과를 내기 쉽지 않을 것”이라고 밝혔다. 한편, 인텔을 향한 업계의 관심은 이어지고 있다. 22일(현지시간) 블룸버그통신에 따르면 미국 자산운용사 아폴로글로벌매니지먼트(아폴로)가 인텔에 최대 50억 달러(6조원)의 투자를 제안했으며, 인텔 경영진이 이를 검토 중이다. 같은날 월스트리트저널(WSJ)은 반도체 기업 퀄컴이 인텔의 PC용 설계 사업 인수를 제안했다고 전했다.

2024.09.24 16:20이나리

최선단·레거시 공정 모두 난항...삼성 파운드리 결단의 시간 오나

세계 파운드리 시장이 격랑의 시기를 맞고 있다. 대만 TSMC가 견조한 AI 수요로 성장세를 이어가는 가운데, 인텔은 대규모 적자 속 파운드리 사업부를 분사하는 등 자구책 마련에 나섰다. 이에 삼성전자도 파운드리 경쟁력 강화를 위해 발빠른 결단을 내려야 한다는 의견이 업계 안팎에서 제기된다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 파운드리 사업 전반에서 다양한 위기와 기회 요소를 안고 있다는 평가가 나온다. ■ 최선단 공정 난항…과감한 결단 필요한 시기 김형준 차세대지능형반도체사업단장은 기자와의 통화에서 "거대 IDM(종합반도체기업)인 인텔도 최근 파운드리 사업에서 난항을 겪고 있다"며 "비슷한 시스템을 갖춘 삼성전자도 돌파구를 찾기 위한 과감한 결단을 내려야 할 시기라고 본다"고 평가했다. 앞서 인텔은 지난 17일 파운드리 사업부를 자회사로 분사하는 방안의 구조조정을 시행하기로 결정했다. 2021년 파운드리 사업 재진출을 추진하면서 세계 각국에 첨단 연구개발(R&D) 및 제조 팹을 마련했으나, 지속된 적자로 재정적 어려움에 빠졌기 때문이다. 인텔 파운드리 사업부는 지난해에만 70억 달러의 영업손실을 기록했으며, 올 상반기에도 누적 적자 규모가 53억 달러를 넘어선 것으로 나타났다. 삼성전자 역시 3나노미터(nm) 이하 최선단 공정 분야에서 이렇다할 두각을 나타내지 못하고 있다. 중국 판세미·일본 PFN·미국 암바렐라 등 수주를 따내기는 했으나, 엔비디아, AMD, 퀄컴, 애플 등 글로벌 빅테크는 주요 제품을 사실상 TSMC에만 의존하고 있는 형국이다. 대표적인 사례는 삼성 파운드리의 핵심 고객사인 삼성 시스템LSI가 설계한 '엑시노스 2500'이다. 엑시노스 2500은 삼성 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)로, '갤럭시S25' 시리즈용으로 개발돼 왔다. 그러나 지속된 수율 문제로 탑재가 불투명해지고 있다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 최선단 공정에서 수율 개선에 어려움을 겪고 있는 것으로 안다"며 "고객사를 다수 확보하고 레퍼런스를 쌓아 규모의 경제를 이뤄야 하는데, 지금은 그러한 선순환이 되지 않고 있다"고 설명했다. ■ "레거시 공정도 TSMC에 한 세대 뒤쳐져…경쟁력 높여야" 레거시(성숙) 공정도 상황은 비슷하다. 레거시는 업계 선단 영역인 7나노 이전 세대의 공정으로, 8·12·14·28·40 등 다양한 공정으로 구분된다. 최선단 공정 대비 매출이나 수익성은 떨어지지만, 해당 분야의 칩을 설계하는 팹리스가 여전히 많기 때문에 파운드리 입장에서도 포기할 수 없는 시장이다. 특히 올해 들어 국내는 물론 중국 팹리스들도 삼성 파운드리와의 거래를 적극 문의 중인 것으로 알려졌다. 다만 삼성 파운드리의 일부 레거시 공정의 경우, 대만 TSMC보다 한 세대 뒤쳐졌다는 평가가 나온다. 업계 한 관계자는 "삼성전자와 TSMC가 동일한 공정에서는 수율이나 IP(설계자산) 라이브러리 등에서 차이가 날 수밖에 없다"며 "때문에 삼성전자의 8나노와 TSMC의 12나노 공정을 비교군으로 두고 고민하는 팹리스가 많은 것이 현실"이라고 꼬집었다. 물론 삼성 파운드리가 국내 팹리스와의 협력으로 레거시 공정 생태계를 강화할 여지는 남아있다. 업계 관계자는 "국내 팹리스 기업들이 삼성전자에 레거시 공정 생산능력을 강화해달라는 목소리를 지속적으로 내고 있다"며 "향후 28나노나 14나노 등 비교적 수요가 견조할 것으로 예상되는 레거시 공정에서 협업이 활발히 이뤄질 수 있다"고 밝혔다. ■ "파운드리 대신 시스템LSI 분사도 고려해야" 이번 인텔의 파운드리 분사 사례 처럼 업계에서는 삼성전자가 파운드리 사업부를 분사해야 한다는 의견을 오랫동안 제기해 왔다. 파운드리 사업부를 분리해야 팹리스 고객사와의 이해충돌이 발생하지 않고, 운영 효율성을 강화할 수 있다는 이점 때문이다. 이와 관련해 김형준 단장은 "학계 전문가들과 논의해보면, 삼성 파운드리 경쟁력 강화 방안에 대한 의견이 달라졌다"며 "처음에는 파운드리 사업 분사가 주류였으나, 최근엔 시스템LSI를 분사해야 하는 게 맞다는 의견이 많다"고 말했다. 현재 삼성 파운드리는 최선단 공정에 EUV(극자외선) 등 고난이도 기술을 활용하고 있다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터) 초미세 공정 구현에 용이하다. EUV는 최선단 D램 등 메모리 분야에도 적용되기 때문에, 삼성전자가 제조업 관점에서 시너지를 낼 수 있을 것이라는 게 김형준 단장의 설명이다. 김 단장은 "시스템LSI 분사 시, 우수한 인력들이 다양한 스타트업을 만들어 국내 시스템반도체 생태계를 성장시키는 효과도 얻을 수 있다"며 "지금처럼 담보된 물량을 주고받는 관계에서 벗어나 자생력을 기르기 위해서는 시스템LSI 분사를 고려해야할 것"이라고 강조했다.

2024.09.24 12:58장경윤

ISC, 초등학생 대상 '마이 그린 스쿨' 환경교육 실시

반도체 테스트솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 최근 경기도 성남시 관내 초등학생을 대상으로 하는 환경 교육 프로그램 '마이 그린 스쿨'을 진행했다고 23일 밝혔다. 본 프로그램은 아이에스시의 ESG 활동의 일환으로, 지속 가능한 미래를 위해 대학생과 함께 미래 세대가 올바른 환경 의식을 갖추고 실천할 수 있도록 기획됐다. 플라스틱의 개념과 환경오염의 심각성을 이해시키고 일상 속에서 올바른 분리배출 습관을 기를 수 있도록 돕는 것을 목표로 한다. 이번 '마이 그린 스쿨' 프로그램은 게임형 분리배출 정보 플랫폼 '마이 그린 플레이스'와 실물 교구를 활용하여 진행됐으며, SKC와 협력해 아이에스시 구성원과 대학생이 한 팀이 되어 초등학생들에게 플라스틱 재활용의 중요성과 올바른 분리배출 방법을 쉽게 이해할 수 있도록 지원했다. 학생들은 어플리케이션과 실물 교구를 통해 플라스틱을 비롯한 다양한 재활용품을 분류하고 올바르게 배출하는 방법을 학습했다. 학생들의 눈높이에 맞는 다양한 퀴즈와 애니메이션을 활용해 자연스럽게 환경 보호의 중요성을 깨달을 수 있도록 유도했다. 아이에스시 관계자는 "앞으로도 '마이 그린 스쿨'은 더 많은 학교에서 진행될 예정이다. 보다 많은 학생들이 환경 보호의 중요성을 인식하고 실천할 수 있도록 기여할 것"이라며 “아이에스시는 앞으로도 꾸준한 사회공헌 활동으로 기업의 사회적 가치 제고에 힘쓰겠다”고 밝혔다.

2024.09.23 11:18장경윤

삼성전자, 차세대 D램 전환투자 전략 고심…연내 윤곽 나올 듯

삼성전자가 이르면 연내 제2평택캠퍼스(P2)의 차세대 D램 라인 구축 방안을 결정할 것으로 전망된다. 삼성전자는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램 대비 1세대, 혹은 2세대 앞선 공정까지 설비투자를 고려하고 있는 것으로 알려졌다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 올 연말까지 P2 내 D램 라인의 최선단 D램 전환투자 계획을 세울 예정이다. P2는 삼성전자가 지난 2020년 하반기부터 가동한 팹이다. D램 라인의 경우 1z D램(3세대 10나노급 D램)을 주력으로 생산해 왔다. 1z D램은 메모리 업계에서 레거시(성숙) 공정에 해당하는 제품으로, 지난해까지 이어진 메모리 불황 시기에 감산이 적극적으로 진행됐다. 이에 삼성전자는 P2를 최선단 D램의 생산기지로 전환하기 위한 준비에 나섰다. 올해 1b D램(5세대 10나노급 D램) 양산용 설비를 들이기 시작한 것으로 파악됐다. 1b D램은 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) DDR5 제품부터 양산을 본격화했다. P2 외에도 P3, 화성 15·16 라인 등에서 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되고 있다는 점을 고려하면, 삼성전자는 내년 초까지 월 10만장 수준의 1b D램 생산능력을 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 나아가 삼성전자는 P2에 1b D램을 이을 '차세대 D램' 투자를 계획하고 있다. 1b D램 전환 뒤 남아있는 1z D램 양산 라인을 1c(6세대), 혹은 1d(7세대)로 전환하는 것이 주 골자다. 업계 관계자는 "P2의 전환 투자를 위한 라인 구성 설계가 오는 4분기 중에 완료될 예정"이라며 "이후 내년도에 관련 설비 발주가 진행될 것으로 안다"고 설명했다. 삼성전자가 구상 중인 P2 설비투자 전환 계획은 최선단 D램의 개발 현황에 따라 달라질 전망이다. 앞서 삼성전자는 1c D램을 연내 양산하겠다는 계획을 세우고, 하반기 초도 양산라인 구축을 준비하고 있다. 업계 관계자는 "1c D램의 수율이 견조할 경우, P2에 더 앞선 1d D램 라인을 선행 도입하는 방안이 거론되고 있다"며 "물론 1c D램의 개발이 저조해 P4 내 1c D램 투자가 미뤄지면 P2에서 1c D램 전환 투자가 진행될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.12 13:33장경윤

ISC, 차세대 AI칩 테스트 소켓 'WiDER-FLEX' 첫 공개

반도체 부품 기업 아이에스시(ISC)는 이달 4일부터 6일까지 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2024'에서 최신 AI용 반도체 테스트 소켓을 포함한 다양한 신제품을 공개했다고 11일 밝혔다. '세미콘 타이완 2024'는 대만의 반도체 및 하이테크 산업을 배경으로 약 1천100개 이상의 기업이 참가해 기술력을 선보이는 전시회다. 이 자리에서 아이에스시는 특히 'WiDER-FLEX' 소켓으로 많은 관심을 받았다. 'WiDER-FLEX'는 기존 WiDER 브랜드의 3세대 버전으로, 대형 패키징 전용 테스트 소켓이다. 최근 AI 서버 시장의 확대와 함께 패키징 대형화가 진행됨에 따라 이러한 변화에 맞춘 제품 수요가 급증하고 있다는 점에서 주목받고 있다. 아이에스시 관계자는 "'WiDER-FLEX'는 초대형 사이즈 칩 테스트 시 필요한 작동 범위와 접촉 압력을 기존 제품 대비 30% 이상 개선한 제품"이라며 "특히 생성형 AI를 위한 GPU, CPU, NPU 등의 하이엔드 반도체 테스트에 탁월한 성능을 보여 대만 현지 글로벌 OSAT와 파운드리 담당자들의 높은 관심을 받았다"고 밝혔다. 또한 "현재 글로벌 반도체 시장에서 우월한 위치를 차지하고 있는 대만에서 자사의 기술력을 알릴 수 있게 되어 뜻 깊다"며 "지속적인 연구개발 투자와 증가하는 AI 반도체 테스트 소켓 매출로 계속 성장하는 기업이 되겠다"고 강조했다.

2024.09.11 09:52장경윤

TSMC 독주 속 삼성 파운드리 투자 '안갯속'

삼성전자가 진행 중인 신규 파운드리 공장 건설 계획이 더뎌지고 있다. 현재 국내 제4 평택캠퍼스(P4)는 파운드리 라인을 생략하는 방안이 유력하며, 미국 테일러 파운드리 팹 역시 설비투자 일정이 또 다시 연기될 가능성이 높은 것으로 파악됐다. 최선단 공정에서 핵심 고객사의 주문을 확보하기가 어렵기 때문으로, 선두업체인 TSMC의 '승자독식' 구조가 지속될 수 있다는 우려가 제기된다. 9일 업계에 따르면 삼성전자의 국내외 파운드리 설비투자가 당초 예상보다 지연될 수 있다는 전망이 나오고 있다. 현재 삼성전자가 투자를 계획한 신규 파운드리 생산거점은 국내 P4와 미국 텍사스주 테일러시 두 곳이다. 두 팹 모두 4나노미터(nm) 및 그 이하의 3·2나노 등 업계 최첨단 공정의 양산을 담당할 것으로 알려졌다. ■ P4 파운드리 라인 생략…테일러 팹 추가 지연 가능성도 다만 삼성전자의 파운드리향 설비투자는 지연되고 축소되는 추세다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹으로, P3와 동일하게 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인으로 할당됐다. 그러나 이후 삼성전자는 P4의 구축 순서를 낸드·D램 등 메모리반도체 라인을 우선하는 방향으로 바꿨으며, 최근에는 아예 파운드리 라인을 D램으로 전환하는 논의를 진행 중이다. 업계 관계자는 "P4 파운드리 라인은 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 양산용으로 변경되는 방안이 거의 확실시되는 분위기"라며 "고객사 확보가 불확실한 상황에서 선제적인 투자가 부담스럽다는 판단이 작용하고 있다"고 설명했다. 테일러 파운드리 팹도 상황은 비슷하다. 당초 삼성전자 는 테일러 파운드리 팹 페이즈1에서 올해 말 4나노 공정을 주력 양산할 예정이었으나, 이를 위한 투자 규모를 대폭 축소했다. 지난해 하반기 진행된 장비 발주는 생산능력 기준 월 5천장으로 파일럿(시생산) 라인에 해당한다. 대신 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 양산 시기를 2026년으로 미루고, 4나노 대신 2나노 공정 투자를 진행하기로 했다. 이를 위한 설비투자는 내년 1분기 클린룸 설치, 2분기 초기 인프라 장비 도입 등으로 예정돼 있었다. 그러나 최근 업계에서는 테일러 파운드리 팹 투자 일정이 또 다시 늦춰질 수 있다는 관측이 제기되고 있다. 지연 기간은 길지는 않지만 1개 분기 정도다. 또 다른 업계 관계자는 "내년 상반기 테일러 파운드리 팹 투자를 집행하려면, 삼성전자가 이미 관련 계획을 협력사에 어느 정도 설명했어야 한다"며 "그러나 현재까지 논의된 내용이 없어, 두세달 정도 투자 계획이 밀릴 가능성이 높아진 상황"이라고 밝혔다. ■ 인텔도 파운드리 난항…TSMC 최선단 공정 '독식' 한편 삼성전자의 주요 경쟁사였던 인텔도 최근 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 앞서 인텔은 지난 2021년 파운드리 재진출을 선언하고, 막대한 투자금을 통한 최선단 공정 연구개발(R&D) 및 양산을 추진해 왔다. 그러나 인텔 파운드리 사업부는 지난해에만 영업손실 70억 달러(한화 약 9조5천억원)를 기록했다. 올 상반기 적자 규모도 이미 53억 달러를 기록했다. 이에 미국 주요 은행인 씨티그룹은 최근 "인텔이 파운드리 사업을 중단하는 방안을 적극 추진해야 한다"는 권고를 보내기도 했다. 반면 파운드리 선두업체인 대만 TSMC는 AI 수요에 따른 호황을 맞고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 올 2분기 매출은 208억 2천만 달러로 전분기 대비 10.5% 증가했다. 주요 고객사인 애플의 재고 보충과 AI 서버용 고성능 칩의 강력한 수요 덕분으로, 시장 점유율 또한 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 이에 TSMC는 올 2분기 실적발표와 동시에 올해 연간 실적 전망치를 상향 조정했다. 당초 TSMC는 올해 연 매출이 전년 대비 20% 초중반대 상향될 것으로 내다봤으나, 이를 "20% 중반"으로 변경했다.

2024.09.09 11:08장경윤

포인트엔지니어링, 'MEMS 핀' 제품군 양산 개시

반도체 부품 및 소재 제조 전문업체 포인트엔지니어링은 신규 사업인 MEMS 핀(Pin) 제품의 라인업을 공개하고 양산에 돌입한다고 9일 밝혔다. 포인트엔지니어링은 지난 2020년부터 사업을 시작한 이후 개발과 양산 준비에 매진해왔으며, 올해 2분기부터 국내외 일부 고객에세 공급을 시작한 바 있다. 이후 고성능 반도체 검사를 위해 필요한 고정밀 형상의 마이크로 핀 라인업을 자사 홈페이지에 공개하고 공격적인 영업을 진행할 계획이다. 공개된 라인업은 HBM과 같은 고사양 메모리 및 고집적 비메모리 반도체 칩 검사용 '버클링 프로브 핀', 팩키지 테스트용 '스프링 프로브 핀', 메모리 칩 검사용 '마이크로 캔티레버 핀' 등이다. 포인트엔지니어링의 독창적인 MMPM(Micro MEMS PEC Mold) 방식을 이용해 생산한 MEMS 핀(Pin)은 20:1의 고종횡비로 100마이크로미터(㎛) 높이에 5마이크로미터 선폭을 가지고 있다. 이를 통해 기존 핀으로는 한계가 있는 고집적 협피치의 반도체 검사가 가능하다. 또한 멀티 빔(Multi Beam)을 형성해 힘 제어 용이성 제공 및 체적과 표면적을 증가시킨 고전력 반도체 테스트도 가능하다. 포인트엔지니어링 관계자는 "최근 반도체 AI용 연산, HBM과 같은 고속 및 고집적 반도체 생산이 증가함에 따라 관련 검사기술이 빠르게 변화하고 있다"며 "포인트엔지니어링의 마이크로 핀은 기존 제조사들의 한계를 넘어서는 성능과 품질, 가격경쟁력 측면에서 고객들로부터 긍정적인 반응을 얻고 있다"고 밝혔다. 이미 일부 고객은 포인트엔지니어링의 마이크로 핀을 통해 검사 신뢰성을 높임으로써 칩메이커 양산이 승인됐으며, 현재 다수의 고객과 양산 및 제품 라인업을 위한 조율과 시제품 생산에 돌입했다. 포인트엔지니어링의 마이크로 핀 총 길이가 가장 짧게는 1.5mm로, 기존 4~4.5mm 수준인 AP 칩 검사용 프로브 카드의 핀 대비 1/4 수준으로 축소됐고, 안정된 핀 포스, 상대적으로 높은 전기적 특성, 100만번 이상 접촉 테스트를 통한 신뢰성 등을 확보했다. 회사측은 수율 문제에 대해서도 "설비 자동화 및 공정개선을 통해 현재 85% 이상을 확보했다"며 "현재 월 100만 핀 양산 체제에서 올해 연말까지 월 300만 핀으로 확대시킨 후 2025년 4분기까지 1000만 핀 양산을 목표로 하고 있다"고 밝혔다. 안범모 포인트엔지니어링 대표이사는 “현재 90~200㎛ 피치에서 포고 스프링 핀의 한계를 극복한 One Mold MEMS 스프링 핀을, HBM과 같은 고성능 반도체 검사의 대안이자 MEMS 핀을 필요로 하는 다수의 고객에게 합리적인 가격으로 제공할 수 있을 것”이라고 설명했다. 안 대표는 이어 “지속적인 연구개발을 통해 독자적인 표준형 제품을 올해 말까지 개발할 예정"이라며 "MMPM 기술을 이용한 파인피치 가이드 플레이트, 마이크로 기어, 마이크로 금형, 마이크로 범프 등의 제품으로 세계시장에서 우위를 선점하겠다”고 덧붙였다.

2024.09.09 09:29장경윤

TSMC '1.6나노' 공정, 애플 이어 오픈AI도 선제 주문

대만 주요 파운드리 TSMC의 최선단 공정인 'A16' 공정이 애플, 오픈AI 등 주요 기업들로부터 수주했다고 대만 연합보 등이 지난 2일 보도했다. A는 옹스트롬으로, 원자 수준인 0.1나노미터(nm)를 뜻한다. A16은 1.6나노 공정에 해당한다. TSMC는 오는 2026년 하반기 A16 공정을 양산하는 것을 목표로 두고 있다. 연합보는 "애플이 TSMC의 A16 공정의 1차 물량을 예약했고, 오픈AI도 자체 개발 칩의 장기적 수요를 고려해 A16 공정을 예약했다"며 "AI칩이 TSMC의 주문 가시성을 높이는 중요한 요인이 되고 있다"고 밝혔다. 오픈AI는 AI 챗봇인 '챗GPT'의 개발사로, 브로드컴·마벨 등 미국 기업과 협력해 자체 주문형반도체(ASIC)를 개발해 왔다. 또한 TSMC 등과 전용 웨이퍼 공장 구축을 논의하기도 했으나, 이 같은 계획은 보류하기로 했다. 한편 TSMC의 A16 공정은 선폭 미세화 외에도 GAAFET(게이트-올-어라운드), BSPDN(후면전력공급) 등 첨단 기술이 적용된다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. BSPDN은 기존 웨이퍼 전면에 배치하던 전류 배선층을 후면으로 보내, 전력 공급의 효율성을 높이고 신호간 간섭을 줄이는 기술이다.

2024.09.03 08:25장경윤

삼성전자, 차세대 'GaN 전력칩' 초도생산 준비…설비 도입

삼성전자가 질화갈륨(GaN) 파운드리 시장 진출을 위한 설비투자를 지난 2분기 진행했다. 다만 도입한 장비 규모는 매우 적은 수준으로, '초도 생산'을 위한 최소한의 준비를 진행한 것으로 관측된다. 대규모 양산 투자는 향후 고객사 확보 및 시장 성장세에 따라 윤곽이 드러날 전망이다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2분기 GaN 전력반도체 양산을 위한 설비를 소량 도입했다. GaN은 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 증가하고 있다. 삼성전자 역시 GaN 전력반도체 산업의 성장성에 주목해 시장 진출을 추진해왔다. 지난해 6월 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서는 "컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작하겠다"고 공식 발표한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 지난 2분기 기흥 공장에 독일 엑시트론의 유기금속화학증착(MOCVD) 장비를 도입했다. 기흥은 삼성전자의 8인치 파운드리 양산을 담당하는 곳으로, 현재 GaN 전력반도체 공정은 8인치가 주류를 이루고 있다. 삼성전자가 GaN 연구개발(R&D)을 위해 기투자한 설비도 이곳에 위치해 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 이용해 박막을 성장시키는 기술이다. 실리콘 혹은 탄화규소(SiC) 웨이퍼 위에 GaN 물질을 올리는 GaN 웨이퍼를 만드는 데 핵심적인 역할을 담당한다. 현재 GaN 웨이퍼용 MOCVD 장비는 엑시트론, 미국 비코 두 기업이 사실상 독점하고 있다. 특히 엑시트론의 점유율이 압도적인 상황으로, 삼성전자는 지난해 펠릭스 그라베르트 엑시트론 최고경영자(CEO)와 만나 장비 공급을 논의하기도 했다. 당시 거론된 투자 규모만 30~40대 수준이었던 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자가 이번에 진행한 투자는 엑시트론의 최신형 MOCVD 장비를 1~2대 들인 수준에 불과한 것으로 파악됐다. 아직 대형 고객사를 확보하지 못했고, 회사의 설비투자가 HBM(고대역폭메모리) 등 일부 분야에 집중된 만큼 투자 속도를 조절하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 이미 기흥에 GaN 관련 연구개발 설비를 투자했던 상황으로, 올해 중반에도 소량 장비를 도입했다"며 "다만 삼성전자가 당초 예상됐던 대규모 양산 투자에는 다소 신중하게 접근하는 분위기"라고 설명했다. 한편 DB하이텍과 SK키파운드리 등도 GaN 파운드리 사업을 준비 중이다. DB하이텍은 지난해 말 GaN 관련 설비투자를 진행해, 내년 초도 양산을 진행할 계획이다. 본격적인 양산 투자는 2027년에 집행하는 것을 목표로 삼고 있다. SK키파운드리는 기존 설비를 활용한 GaN 초도 양산을 이르면 내년 시작할 것으로 알려졌다.

2024.09.02 10:40장경윤

첨단 패키징 장비 시장, 올해 10% 이상 성장…"AI 수요 덕분"

최첨단 패키징 장비 시장이 올해와 내년 높은 성장률을 기록할 것이라는 분석이 나왔다. TSMC, 인텔, 삼성전자, SK하이닉스 등이 AI 반도체 성장에 힘입어 관련 설비투자를 적극 진행하는 데 따른 영향이다. 31일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 첨단 패키징용 장비 시장은 올해 10%, 내년 20% 이상 성장할 전망이다. 첨단 패키징은 AI 반도체 등 고성능 칩 제조의 핵심 요소로 주목받고 있다. 기존 전공정에서 이뤄지던 회로 미세화가 점차 한계에 다다르고 있기 때문으로, 첨단 패키징을 활용하면 반도체 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자체 개발한 'CoWoS' 패키징을 통해 엔비디아, AMD, 애플 등 글로벌 팹리스의 고성능 반도체를 패키징하고 있다. CoWoS는 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'의 준말이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높이는 2.5D 패키징 기술을 뜻한다. 특히 AI 서버용 칩에서 수요가 높아 지속적인 공급부족 현상이 일어나고 있다. 트렌드포스는 "TSMC는 대만 주난, 타이중 등 각지에서 첨단 패키징 용량을 늘리고 있고, 인텔도 미국과 말레이시아 등에서 패키징 사업을 준비 중"이라며 "한편 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등은 HBM 패키징 설비투자에 주력하고 있다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 제조가 완료된 D램을 높은 집적도로 쌓아야 하기 때문에, 고성능의 본딩 기술 등이 요구된다. 첨단 패키징 장비에는 전기도금장비, 다이 본더, 씨닝 장비, 다이싱 장비 등 다양한 분야가 포함된다. 트렌드포스는 "첨단 패키징 장비 시장은 일부 국가가 주도하는 전공정 장비와 달리 기술적 진입 장벽이 낮다"며 "TSMC도 비용 감소 및 공급망 강화 전략으로 대만 현지 패키징 장비 업체의 육성을 촉진하고 있다"고 설명했다.

2024.09.01 09:32장경윤

비씨엔씨, 반도체 신소재 'CD9' 양산...H사 PO접수

반도체 소재 및 부품 전문기업 비씨엔씨가 글로벌 반도체 기업인 H社로부터 반도체 식각 공정용 부품 CD9(보론 카바이드)에 대한 퀄 테스트를 성공적으로 마무리하고 첫 PO(구매주문서)를 받았다고 27일 밝혔다. 비씨엔씨가 CD9는 보론 카바이드를 기반으로 한 신소재다. CD9는 메모리(DRAM & NAND FLASH) 생산 공정 중 옥사이드 에칭에서 주로 사용되는 Si(실리콘)과 SiC(실리콘 카바이드)보다 내마모성이 뛰어나다. 그 동안 SiC는 Si 대비 강한 내마모성으로 높은 성장세를 지속해 왔다. 그러나 메모리의 초미세화 및 고단화 심화로 에칭 공정의 플라즈마 파워가 강해지면서 SiC 소재의 단점이 나타나기 시작했다. 이에 따라 이를 대체할 수 있는 차세대 신소재의 필요성이 높아지고 있다. 비씨엔씨 CD9은 보론(Boron)을 주성분으로 높은 공유 결합 에너지를 보유하고 있다. 기존 소재 대비 부품의 수명이 30% 이상 길어 반도체 디바이스 회사는 부품의 교체 주기를 연장할 수 있을 뿐만 아니라 파티클(Particle) 발생도 적어 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있다. 비씨엔씨는 소재 자체를 포커스 링(Focus Ring) 형태로 생산할 수 있는 특허 기술을 보유하고 있다. 이를 기반으로 제품화 과정에서 재료비 및 가공비를 절감했을 뿐만 아니라 생산성을 크게 높여 원가경쟁력을 확보했다. 현재 CD9 소재와 부품에 대해 국내외에 22개의 특허를 등록 또는 출원한 상태이며, 추가 출원도 준비 중이다. 김돈한 비씨엔씨 대표이사는 "반도체 산업에서 중요한 비즈니스 포인트는 주로 사용되고 있는 소재나 부품들의 단점을 미리 파악하고 이를 보완할 수 있는 신소재와 부품을 선제적으로 개발할 수 있어야 한다"라며 "비씨엔씨는 합성쿼츠 QD9+를 개발해 현재 양산 공급하고 있으며, 5년 전부터 CD9도 준비해 왔다. 이런 연구개발을 토대로 비씨엔씨는 향후 글로벌 소재 및 부품 전문기업으로 도약하고자 한다"고 말했다.

2024.08.28 11:16이나리

에이직랜드, 대만 법인 설립…"3나노·패키징 기술 개발"

주문형 반도체(ASIC) 디자인솔루션 에이직랜드가 대만 신주시에 현지 법인을 설립했다고 26일 공식 밝혔다. 이번 대만 법인은 최첨단 연구개발(R&D) 센터로, 3나노(nm) 및 5나노(nm) 설계 기술과 CoWos(Chip-on-Wafer-on-Substrate) 패키징 기술 확보를 최우선 목표로 삼았다. 이에 따라 회사는 현지 법인 설립과 기술 확보를 위해 이미 2나노, 3나노 공정 및 2.5D, 3D 패키지 등 선단공정 설계 경험을 다수 갖춘 대만 현지 인재를 영입했다. 이를 바탕으로 자체 기술력을 강화해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 한층 더 높일 계획이다. 이에 대해 에이직랜드 회사 관계자는 “대만은 세계 반도체 산업의 핵심 허브로서, TSMC 생태계 구축을 통해 우수한 인프라와 기술 생태계를 갖추고 있다"며 "당사는 대만의 지리적 강점을 활용해 기술 혁신을 촉진하고, 글로벌 반도체 시장에서의 입지를 강화할 방침”이라고 말했다. 실제로 에이직랜드는 대만 법인을 기반으로 미국, 아시아, 중국 시장에 적극 진출할 예정이다. 각 시장에 맞춤화 된 전략과 기술력을 통해 시장 점유율을 확대함으로써 글로벌 반도체 시장에서의 영향력을 더욱 강화할 계획이다. 이종민 에이직랜드 대표이사는 "대만 법인 설립은 에이직랜드의 기술 혁신과 글로벌 시장 확장의 중요한 발판이 될 것”이라며 “한국과 대만 R&D 센터와의 협력을 통한 시너지 극대화로 전세계 반도체 시장점유율 1위인 미국 시장으로 나아갈 것”이라고 밝혔다. 한편 에이직랜드는 TSMC가 있는 대만 현지 R&D센터를 통해 지속적인 기술 개발과 혁신을 추구하며, 글로벌 반도체 산업에서의 입지를 강화해 나갈 계획이다.

2024.08.26 08:48장경윤

SK실트론, '2나노'용 공정 기술 개발…웨이퍼 업계도 '초미세' 대응

SK실트론이 최근 초미세 파운드리 공정에 해당하는 2나노미터(nm)급 EPI(에피) 기술을 개발했다. 삼성전자, TSMC 등 주요 반도체 기업들이 내년 2나노 공정 상용화를 앞다퉈 추진 중인 상황에 대응하기 위한 준비다. 20일 SK실트론의 반기보고서에 따르면 이 회사는 지난 6월 '300mm(12인치) 로직용 2나노급 EPI'를 개발했다. SK실트론은 주요 반도체 제조 기업의 요청에 의해 해당 기술을 연구개발(R&D) 해온 것으로 알려졌다. 현재 2나노 수준의 초미세 파운드리 공정을 다루는 기업은 전 세계적으로 삼성전자, TSMC, 인텔 등 3곳에 불과하다. EPI는 공정은 연마가 끝난 실리콘 웨이퍼(폴리시드 웨이퍼) 위에 화학기상증착법(CVD)으로 초고순도의 단결정 실리콘 레이어를 성장시키는 기술이다. 이 과정을 거친 웨이퍼를 에피 웨이퍼라 부른다. 에피 웨이퍼는 폴리시드 웨이퍼 대비 표면에 존재하는 미세 결함이 적으며, 특정 용도에 맞춰 유연하게 특성을 변경할 수 있다는 장점이 있다. 때문에 에피 웨이퍼는 주로 CPU, GPU 등 로직 반도체 제조에 활용돼 왔다. SK실트론이 이번에 2나노급 EPI 공정을 개발한 이유는 곧 다가올 초미세 공정 시대에 대응하기 위한 준비로 풀이된다. 웨이퍼 제조기업은 반도체 최후방산업에 속하는 업계 특성 상, 고객사와의 긴밀한 협의를 거쳐 차세대 제품을 선제 개발해야 한다. 대표적으로 삼성전자는 일본 팹리스 PFN(Preferred Networks)로부터 처음으로 2나노 공정 기반의 AI 가속기 칩을 수주한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 내년부터 2나노 공정 양산을 본격화할 계획이다. TSMC 역시 2025년 2나노 공정 양산을 공식화한 상황이다. 한편 SK실트론은 국내 유일의 실리콘 반도체 웨이퍼 전문 제조기업이다. 올 2분기 매출은 5천30억 원, 영업이익은 700억 원을 기록했다. 전분기 대비 각각 5.6%, 66.8% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출은 2.2% 증가했으며, 영업이익은 동일한 수준이다.

2024.08.20 10:20장경윤

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