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'반도체 공정'통합검색 결과 입니다. (159건)

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日 '반도체 르네상스' 개막…TSMC 구마모토 팹 양산 돌입

일본이 현지 반도체 공급망 강화에 속도를 낸다. 대만 주요 파운드리 TSMC와의 협업으로 구축해 온 구마모토 신규 공장이 최근 본격적인 가동을 시작했다. 이에 따라 현지 반도체 소부장 기업들도 수혜를 볼 전망이다. 27일 아사히신문 등에 따르면 TSMC의 구마모토 신규 파운드리 공장은 이달 말 양산에 돌입했다. 앞서 TSMC는 지난 2021년 일본 소니그룹, 덴소와 합작사 JASM를 설립하고, 구마모토 현에 반도체 제1공장을 건설해 왔다. 제1공장의 투자 규모는 70억 달러(한화 약 10조원)에 달한다. 제1공장의 클린룸은 총 4만5천㎡ 규모로 조성됐다. 생산능력은 월 5만5천장 수준이다. 주력 생산 공정은 12~28나노미터(nm)로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 해당한다. 다만 일본이 그간 40나노 이상의 공정을 주로 다뤄왔다는 점을 고려하면 기술적 진보를 이뤄냈다. 제1공장은 지난 2월 개소식을 진행했다. 이후 양산 설비 반입 및 설치를 거쳐, 이달 본격적인 양산을 시작했다. TSMC는 "구마모토 제1공장이 모든 프로세스 인증을 완료하고 당초 계획대로 이달 양산에 들어갔다"며 "JASM은 일본의 안정된 첨단 반도체 생산 거점으로 글로벌 반도체 생태계에 공헌할 것"이라고 밝혔다. 제1공장의 양산에 따라 현지 반도체 소부장 기업들도 수혜를 입을 것으로 전망된다. 일본은 포토레지스트(감광액), 폴리이미드, 불화수소, 실리콘 웨이퍼 등 반도체 양산에 필요한 각종 소재·부품 시장에서 상당한 점유율을 차지하고 있다. 한일경제협회가 올해 발간한 '일본정부의 반도체 정책과 반도체 산업의 현주소'에 따르면, JASM은 경영계획에 "간접재료를 현지 공급망으로부터 50% 이상 구입하는 것을 추구한다"는 조항을 명시했다. 한편 TSMC는 지난 6월 구마모토 제2공장 착공에도 돌입했다. 제2공장은 비교적 첨단 공정에 속하는 6·7나노를 주력으로 생산할 것으로 알려졌다. 공장 규모도 제1공장 대비 1.5배 크다. 이에 일본 정부는 제1공장에 4천760억엔, 제2공장에 7천300억엔의 보조금을 지급하기로 했다. 이를 합친 보조금 규모만 1조2천억엔(한화 약 10조7천억원)에 이른다.

2024.12.28 11:40장경윤

김남석 LB세미콘 대표 "세계 OSAT 10위권 진입…매출 1兆 달성 목표"

LB세미콘이 향후 3~4년 뒤 회사의 매출을 1조원까지 성장시키겠다는 목표를 제시했다. 글로벌 OSAT(외주반도체패키징테스트) 10위권에 진입할 수 있는 규모다. 동시에 해외 시장을 중심으로 고객사를 다변화한다는 전략이다. 이를 위해 LB세미콘은 LB루셈과의 합병을 통해 전력반도체 사업을 크게 확대할 계획이며, 메모리 및 플립칩 패키징 등 신규 사업으로의 진출도 준비하고 있다. 김남석 LB세미콘 대표는 26일 서울 양재 모처에서 기자들과 만나 회사의 향후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. ■ "DDI 의존 탈피…매출 1조원 및 해외 매출 비중 40% 달성할 것" LB세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 삼성전자를 비롯한 국내외 고객사로부터 의뢰를 받아 범핑·테스트·백엔드(Back-End) 등의 공정을 수행한다. 주력 사업 분야로는 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등이 있다. 특히 DDI는 LB세미콘의 전체 매출에서 60~70%를 담당할 정도로 비중이 높다. 다만 DDI 시장은 스마트폰 및 PC 시장의 부진으로 최근 수요가 감소하는 추세다. 이에 LB세미콘은 중장기적 관점에서 회사의 신(新)성장 동력을 확보하기 위한 준비에 나섰다. ▲ AI·자동차 등 고전력 산업에 필요한 전력반도체 패키징 ▲ D램 등 메모리용 범핑 ▲ 플립칩 패키징 등이 핵심으로 꼽힌다. 김 대표는 "패키징 사업 분야 확대와 신사업 추진 등으로 오는 2027~2028년 매출 1조원과 글로벌 OSAT 기업 순위 10위권에 진입하는 것이 목표"라며 "해외 고객사 영업도 적극적으로 진행하고 있어, 해외 매출 비중이 기존 10%에서 40% 수준으로 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다"고 강조했다. 그는 이어 "구체적인 고객사를 밝힐 수는 없으나, 해외 주요 고객사 몇 곳과 내년도부터 사업을 시작한다"며 "새해에는 소규모지만 내후년부터 사업이 굉장히 커질 것"이라고 덧붙였다. ■ LB루셈과 합병해 전력반도체 시장 공략…日 고객사 공급 유력 먼저 전력반도체 패키징은 자회사 LB루셈과의 합병으로 주요 고객사에 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 제공할 계획이다. 앞서 LB세미콘은 지난 10월 사업 간 시너지 효과 도모, 재무 건전성 강화 등을 목적으로 LB루셈을 흡수합병하겠다고 밝힌 바 있다. LB루셈은 전력반도체 공정을 위한 ENIG(무전해 도금) 공정 설치와 타이코(TAIKO) 그라인딩 공정에 투자해 왔다. 타이코 그라인딩은 일본 디스코사가 개발한 기술로, 웨이퍼의 가장자리를 남기고 연삭해 웨이퍼의 강도를 높인다. 이를 기반으로 LB세미콘은 BGBM(Back Grinding Back Metal)·RDL(재배선)·ENIG·타이코 그라인딩·MOSFET 웨이퍼 테스트에 이르는 전력반도체용 턴키 공정을 구축해, 해외 고객사와 테스트를 진행하기로 협의했다. BGBM은 실리콘 웨이퍼를 얇게 연삭한 뒤, 후면에 전기회로 역할을 하는 금속을 증착해주는 공정이다. LB루셈의 BGBM은 웨이퍼를 30마이크로미터(um), 도금을 50마이크로미터 수준으로 매우 얇게 구현할 수 있다. SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 시장도 공략한다. 이달 국내 파운드리 기업 DB하이텍과 협력해, 이들 반도체를 위한 패키징 및 테스트 서비스를 제공하기로 했다. 김 대표는 "LB루셈과의 합병으로 전력반도체용 패키징 솔루션을 턴키로 고객사에 제공할 수 있게 됐는데, 현재 상용화와 관련해 굉장히 빠른 진전을 이루고 있다"며 "내후년 일본 주요 고객사로부터 양산이 시작될 것이고, 국내 기업들과도 협력해 공급량을 확대하도록 할 것"이라고 설명했다. ■ 메모리·플립칩 시장 진출 기대…"역량 충분" 향후 메모리 시장으로의 진출도 기대된다. 현재 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 AI 산업의 성장에 맞춰 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 이를 위해 기존 범용 D램용 설비를 HBM에 할당하는 추세다. 이 경우 범용 D램의 패키징 공정은 외부에 맡기게 될 가능성이 크다. LB세미콘은 이러한 전망 하에 삼성전자·SK하이닉스로부터 DDR 및 GDDR(그래픽 D램) 모듈용 범프 공정을 수주하기 위한 논의를 진행 중이다. 플립칩 시장 진출은 국내 또 다른 OSAT인 하나마이크론과의 협력을 통해 추진하고 있다. 플립칩은 칩 위에 범프를 형성한 뒤 뒤집어 기판과 연결하는 패키징 기술로, 기존 와이어 본딩 대비 전기적 특성이 우수하다. 김 대표는 "국내 메모리 입장에서는 HBM 인프라를 효율적으로 늘리려면 기존 D램을 외주로 돌릴 수 밖에 없어, 윈-윈 효과를 기대하고 시장을 모니터링 중"이라며 "플립칩 패키징을 위한 범프 인프라를 충분히 갖춘 기업도 현재로선 국내에 LB세미콘 말고는 없다"고 밝혔다. 한편 LB세미콘은 기존 및 신사업 확대에 적기 대응하기 위한 설비투자도 준비하고 있다. 올해 평택 소재 일진디스플레이 공장을 인수해, 현재 라인 구축을 위한 설계를 진행하고 있다.

2024.12.26 16:28장경윤

한화정밀기계, 한미반도체 특허침해 소송에 "허위 주장 바로 잡겠다" 반박

한화정밀기계는 19일 반도체 후공정용 TC본더 특허 침해 소송과 관련해 "특정사가 자신의 특허를 침해했다는 주장은 사실과 다름을 분명히 밝힌다"며 법적 대응에 나설 것임을 밝혔다. 앞서 한미반도체는 지난 4일 서울중앙지법에 한화정밀기계를 상대로 TC본더 관련 특허권침해금지 소송을 제기했다. 다만 한미반도체가 특허 침해를 주장한 구체적인 조항은 밝혀지지 않았다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 한화정밀기계는 "당사는 30년이 넘는 반도체 장비 관련 R&D 기술을 기반으로 자체 개발한 제품을 제조 및 판매하고 있다"며 "개발과정에서 선행기술 조사과정을 거치고 있으므로, 특정사(한미반도체)가 자신의 특허를 침해했다는 주장은 사실과 다름을 분명히 밝힌다"고 강조했다. 회사는 이어 "당사는 공정 경쟁을 최우선의 가치로 삼고 있으며, 관련 기술개발을 위한 업계의 특허권을 존중해 사업을 운영하고 있다"며 "적법하지 않거나 경쟁사의 권리를 침해하는 방식으로 사업을 진행하지 않는다"고 덧붙였다. 한미반도체의 특허침해 소장 내용에 대해서는 "해당사의 일방적인 주장만을 담고 있는 것으로, 당사는 이에 대한 반박과 함께 강력한 법적인 대응을 준비하고 있다"며 "한미반도체의 부당한 주장은 법원의 절차를 통해 명백히 확인될 것"이라고 밝혔다. 한미반도체가 한화정밀기계로 이직한 전 연구원에게 청구했던 부정경쟁행위금지 소송에 대해서도 입장을 밝혔다. 한화정밀기계는 "한미반도체 TC본더 연구원을 채용 영업비밀을 취했다는 의혹에 대해서는 이미 지난 5월 첫 보도 당시, 전혀 사실이 아님을 공식적으로 밝힌 바 있다"며 "해당 사건은 연구원 개인을 피고로 한 소송으로 한화정밀기계와 직접적인 관련이 없을 뿐만 아니라, 해당 소송에서도 해당 연구원이 한미반도체의 영업비밀을 침해했다는 내용은 전혀 확인된 바가 없다"고 설명했다. 끝으로 한화정밀기계는 "한미반도체의 특허침해 주장은 전혀 사실이 아님을 다시 한 번 밝히며 전문기관 및 법원을 통해 한미반도체의 허위 주장을 반드시 바로잡겠다"며 "앞으로 사업을 전개함에 있어 합리적이고 정정당당한 방식으로 최선의 결과를 도출할 수 있도록 노력하겠다"고 밝혔다.

2024.12.19 14:54장경윤

美, 中 첨단 반도체 전·후공정 옥죈다…"韓, 수출 요건 면밀히 봐야"

미국이 연일 중국에 대한 첨단 반도체 수출규제를 강화하고 있다. 최근엔 반도체 장비에 대한 규제범위를 확대하고, EUV(극자외선)을 대체할 첨단 노광기술 분야에 대한 접근을 차단하는 등 규제를 시행했다. 국내 반도체 장비업계 역시 중국 사업 확대에 제동이 걸릴 수 있다는 우려가 제기된다. 이와 대해 전문가들은 먼저 추가된 규제 요건을 면밀히 파악하고, 상황에 맞는 대비책을 세울 필요가 있다고 제언했다. 16일 서울 스페이스쉐어 삼성역센터에서는 '미국의 대중국 반도체 수출통제 강화 설명회'가 진행됐다. 미국산 IC칩 활용 안돼…FDPR 범위 넓힌다 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 지난 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표한 바 있다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 장비 수출규제 범위에는 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴이 포함됐다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 주요 공정 전반을 다룬다. 특히 이번 규제에서는 한국을 비롯해 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만 등이 FDPR(해외직접생산품규칙) 면제국에 포함되지 않았다. FDPR은 미국이 아닌 타 국가에서 만든 제품도 미국산 소프트웨어나 장비, 기술 등이 적용되면 특정 국가로의 반입을 금지하는 제재다. FDPR의 조건도 2종이 추가됐다. 기존 FDPR은 미국 기술이나 소프트웨어로 생산된 외국산 제품, 또는 미국 기술이나 소프트웨어가 사용된 해외 시설에서 생산된 외국산 제품을 통제했다. 이번 규제에서는 미국 기술이나 소프트웨어가 사용된 생산품(특히 IC칩)을 포함하는 경우도 통제 대상으로 삼기 때문에 범위가 더 넓다. 예를 들어 반도체 장비기업 A사가 미국산 IC 칩을 단 한개라도 활용해, FDPR 규제에 포함된 반도체 장비를 한국에서 제조하는 경우에도 통제 대상에 오르게 된다. 인텔 등 미국산 IC칩은 사실상 반도체 장비에 필수적으로 활용된다. 이에 설명회에 참석한 반도체 장비업계 관계자들은 중국향 수출에 미칠 여파에 우려를 표했다. 이와 관련해 강은희 무역안보관리원 정책연구팀 팀장은 "먼저 수출품의 목적지 및 거래자, 수출 품목 등이 FDPR 규제 대상에 포함되는지 살펴볼 필요가 있다"며 "미국 기술을 활용하더라도 거래처나 제품군이 규제 대상이 아니면 영향을 받지 않기 때문"이라고 설명했다. EUV 대체 기술도 차단…첨단 노광 기술 접근 '원천봉쇄' 규제 품목에 새롭게 오른 장비들도 눈에 띈다. 미국은 반도체에 회로를 새기는 노광 공정용 장비에 고성능 나노 임프린트 노광(NIL) 장비를 추가했다. NIL은 웨이퍼에 감광액(PR)을 도포하고 그 위로 특정 패턴이 각인된 스탬프를 찍어 회로를 형성하는 기술이다. EUV 등 기존 노광 공정과 달리 렌즈를 쓰지 않기 때문에 비용이 저렴하다. NIL은 기존 통제 품목인 EUV의 대체재로 평가받는다. 7나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서도 향후 활용될 가능성이 있어, 일본 캐논 등이 관련 기술을 적극적으로 개발해 왔다. 결과적으로, 해당 규제는 중국이 대체재를 활용해 첨단 노광기술에 접근하려는 시도까지 막기 위한 전략으로 풀이된다. HBM 등 첨단 패키징에서 활용되는 TSV(실리콘관통전극) 식각장비도 규제 대상에 올랐다. TSV는 층층이 쌓인 각 D램이 데이터를 주고받을 수 있도록 하는 일종의 통로다. 이를 위해선 식각장비로 D램에 균일하고 미세한 구멍을 뚫어야 한다.

2024.12.16 18:07장경윤

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

LB세미콘·LB루셈, 해외 고객사와 AI 서버용 제품 양산 진행

LB세미콘은 자회사 LB루셈과 협력해 해외 주요 고객사의 AI 데이터센터용 제품 양산을 위한 신규 프로젝트를 진행한다고 11일 밝혔다. 해당 프로젝트는 LB세미콘과 LB루셈의 신기술을 활용해, 웨이퍼 전·후면 처리를 '턴키(Turn-key)' 방식으로 제공하는 것을 목표로 한다. 진행 시점은 내년 2분기부터다. LB루셈은 전력반도체 공정을 위한 ENIG(무전해 도금) 공정 설치와 타이코(TAIKO) 그라인딩 공정에 투자해 왔다. 타이코 그라인딩은 일본 디스코사가 개발한 기술로, 웨이퍼의 가장자리를 남기고 연삭해 웨이퍼의 강도를 높인다. 이를 기반으로 LB세미콘은 BGBM(Back Grinding Back Metal)·RDL(재배선)·ENIG·타이코 그라인딩·MOSFET 웨이퍼 테스트에 이르는 전력반도체용 턴키 공정을 구축했다. LB루셈은 해당 턴키 솔루션을 내년 본격적으로 양산할 계획이다. BGBM은 실리콘 웨이퍼를 얇게 연삭한 뒤, 후면에 전기회로 역할을 하는 금속을 증착해주는 공정이다. LB루셈의 BGBM은 웨이퍼를 30마이크로미터(um), 도금을 50마이크로미터 수준으로 매우 얇게 구현할 수 있다. LB세미콘과 LB루셈은 이 같은 기술을 활용해 일본 R사, 미국 V사와 임베디드 SPS(Substrate Power Supply)를 개발하고 있다. 임베디드 SPS는 기판 자체에 전원 공급 장치를 넣는 방식이다. 기존 기판과 분리된 SPS 대비 방열 특성이 우수해, AI 서버 및 데이터센터 시장에서 수요가 증가할 것으로 전망된다. LB세미콘 관계자는 "임베디드 SPS를 활용하면 열 효율이 개선돼 기존 1천W 전력의 서버를 1천500~3천W로 확장할 수 있게 된다"며 "웨이퍼 두께 또한 매우 얇은 30마이크로미터대가 요구되는데, LB세미콘과 LB루셈의 기술을 턴키로 제공하면 충분히 구현할 수 있다"고 설명했다. LB세미콘과 LB루셈은 내년 2분기 고객사의 AI 반도체용으로 품질 테스트에 돌입할 예정이다. 테스트 결과에 따라 이르면 내년 중반부터 본격적인 양산이 시작될 것으로 전망된다. 양산 규모는 초기 월 1천장에서 6개월 내 5천장 수준으로 높이는 것이 목표다. LB루셈 관계자는 "전력 반도체와 AI 데이터센터 시장의 확장에 발맞춰 혁신적인 공정을 개발하고 있다"며 "LB세미콘과 LB루셈의 기술력이 글로벌 반도체 산업의 미래를 선도할 것"이라고 강조했다.

2024.12.11 09:56장경윤

SFA, 유리기판 등 첨단 패키징 시장 뚫는다…"신규 장비 개발"

에스에프에이(SFA)가 최첨단 반도체 패키징 시장으로 사업 영역을 확장한다. 기존 대비 미세한 배선이 가능한 비접촉 패턴형성 장비, 차세대 반도체 소재인 글래스 기판용 레이저 장비 등을 개발해, 현재 상용화를 위한 준비에 나서고 있다. 에스에프에이는 10일 서울 여의도에서 '2024 SFA 테크 데이'를 열고 회사의 차세대 반도체 패키징용 공정 및 검사측정장비에 대해 소개했다. 이날 최교원 에스에프에이 R&D1 센터장은 첨단 패키징 공정에 적용 가능한 '3D 비접촉 패턴형성' 기술을 공개했다. 패키징 공정에서는 반도체 칩과 외부 기판이 전기적 신호를 주고받을 수 있도록 배선을 설치한다. 기존에는 와이어로 두 요소를 연결하는 '와이어 본딩'을 활용했다. 그러나 반도체가 고집적·고단화로 가면서, 배선도 와이어 본딩으로는 구현하기 힘든 얇고 촘촘한 수준(30마이크로미터 이하)이 요구되고 있다. 이에 에스에프에이는 배선을 비접촉으로 인쇄하는 기술을 개발했다. 기존 접촉식 인쇄 대비 결함 발생 가능성이 낮으며, 고속으로 대량 정밀인쇄가 가능하다는 장점이 있다. 또한 에스에프에이는 차세대 반도체 기판으로 주목받는 '글래스(유리) 코어 기판용 장비 시장 진출을 꾀하고 있다. 글래스 기판은 기존 PCB(인쇄회로기판) 소재인 플라스틱 대비 표면이 고르기 때문에 제품 신뢰성이 높다. 또한 기판 두께를 얇게 만들거나, 전력 효율성이 뛰어나 고집적 AI 반도체 시장에서 수요가 증가할 것으로 전망된다. 에스에프에이는 기존 보유한 레이저 기술을 기반으로 글래스 기판에 전극을 형성하는 TGV(유리관통전극) 공정 장비를 개발했다. 정밀한 드릴링 기술과 화학 식각 기술을 융합해, 미세 균열 없이 높은 식각비를 구현한 것이 특징이다. 글래스 싱귤레이션(절단) 장비도 개발하고 있다. 글래스 위에 형성된 미세한 필름을 먼저 제거하고, 이후 글래스를 절단해 안정성을 높였다. 최 센터장은 "3D 비접촉 패턴형성 기술은 내년 선행 장비를 개발해 2026년 시생산, 혹은 양산 설비에 대한 평가를 진행할 예정"이라며 "글래스 기판용 제조 양산 기술은 이미 디스플레이 산업에서 경험을 쌓아, 향후 반도체에서 시장 개화 시 본격적인 상용화가 가능한 상태"라고 설명했다. 에스에프에이는 이 같은 신기술의 수율 향상을 위한 검사 및 측정 기술도 개발하고 있다. 기존 이차전지 사업에 적용한 CT(컴퓨터단층촬영) 기술 기반의 반도체 검사장비, 3D 광학계를 접목한 SEM(주사전자현미경) 등이 대표적인 제품이다. 최 센터장은 "SEM 장비는 디스플레이 기업과 납품을 구체적으로 논의 중이고, 반도체 고객사와는 공동 평가를 진행 중"이라며 "고객 승인이 나면 향후 2~3년 내 양산이 가능할 것으로 전망하고 있다"고 말했다.

2024.12.10 17:00장경윤

포인트엔지니어링, 'MEMS 핀 프로브카드' 개발 국책 과제 수주

반도체 부품 및 소재 제조 전문업체 포인트엔지니어링은 산업통상자원부가 주관하는 2024년 소재부품개발사업의 국책과제 주관업체로 선정됐다고 10일 밝혔다. 과제명은 '3세대 버티컬 프로브 헤드'를 적용한 3나노미터(nm) 이하 시스템반도체용 MEMS 프로브 카드 기술개발'이다. 총 사업규모(연구비)는 46억원이며, 연구기간은 2027년 12월 31일까지다. 포인트엔지니어링은 해당 과제에서 포인트엔지니어링의 신규사업으로 진행 중인 버티컬 MEMS 핀 개발을 담당하며, 동시에 동 프로브 카드의 헤드 및 가이드 플레이트 전체 개발을 주관하게 된다. 프로브 카드는 반도체 칩의 양불량을 검사하는 필수 검사 부품으로 최근 빠르게 고집적화 되고 있는 반도체 소자와 맞게끔 점차 미세화되고 있다. 이에 3나노 이하 공정에 사용 가능한 프로브카드의 개발이 목적이다. 박승호 포인트엔지니어링 연구소장은 “포인트엔지니어링의 MEMS 핀 기술이 인정받아, 동 과제를 수행하게 됐다”며 “프로브카드의 핵심인 관련 버티컬 핀의 개발뿐 아니라 주관 수행을 위해 관련 업체들과 협력할 예정”이라고 밝혔다. 한편 포인트엔지니어링이 개발한 MEMS 핀은 20:1의 고종횡비(High Aspect ratio)로 100㎛(마이크로미터) 높이에 5㎛ 선폭을 가지고 있어, 기존 핀으로는 한계가 있는 고집적 협피치의 반도체 검사가 가능하다. 최근 HBM과 같은 고속 및 고집적 반도체 생산이 증가함에 따라 관련 검사 기술 역시 고도화되고 있어 포인트엔지니어링의 MEMS 핀(Pin) 파운드리에 대한 수요 증가를 기대하며 동 사업을 본격 진행 중이다.

2024.12.10 09:08장경윤

한진만 삼성 파운드리 사장 "2나노 수율 획기적 개선해야"

삼성전자 파운드리 신임 사업부장인 한진만 사장이 파운드리 경쟁력 회복에 대한 강한 의지를 드러냈다. 9일 업계에 따르면 한 사장은 이날 오전 임직원에게 첫 메시지를 보내 2나노미터(nm) 공정 수율 개선 등의 과제를 제시했다. 그는 "삼성전자는 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 전환을 가장 먼저 이뤄냈으나 사업화에 있어서 아직 부족함이 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 밝혔다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 효율성을 높인 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 GAA를 업계 최초로 자사 파운드리 공정에 도입해, 지난 2022년 3나노 공정에서부터 양산에 나선 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC의 경우 2나노에 GAA를 적용할 계획이다. 다만 삼성전자의 3나노 공정은 엔비디아, 퀄컴 등 해외 주요 팹리스 고객사의 선택을 받지 못했다. 선제적 기술 도입에 따른 불안정한 성능, 수율 등이 주요 문제로 지적된다. 이와 관련 한 사장은 "공정 수율의 획기적 개선만이 아니라 PPA(전력, 성능, 면적) 향상을 위해 모든 방안을 찾아내야 한다"고 강조했다. 성숙 공정에서의 고객사 확보에 대해서도 언급했다. 성숙 공정은 통상 28나노 이상의 공정을 뜻한다. 최첨단 공정에 비해 수익성은 낮지만, 다양한 산업 분야에서 수요가 있어 중요도가 낮지 않다. 한 사장은 "타 기업에 비해 기술력이 뒤처지는 것을 인정해야 하지만, 언젠가는 극복할 수 있을 것"이라며 "단기간 따라잡을 수는 없겠으나, 현장에서 영업 및 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 말했다. 한 사장은 또 "가까운 미래에 우리 사업부가 삼성전자의 중요한 사업부로 성장하리라 확신한다"며 "사업부 리더들은 임직원들이 불필요한 보고와 보고서 작성에 귀중한 시간을 허비하지 않도록 신경써줄 것을 부탁한다. 엔지니어들이 실험과 생각하는 데 많은 시간을 사용할 수 있게 해달라"고 덧붙였다. 한편 삼성전자는 지난달 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 한진만 DS부문 DSA총괄(미주총괄) 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 D램 및 낸드 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했다. 2022년말에는 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 바 있다.

2024.12.09 15:02장경윤

삼성 파운드리, 美 팹리스 공략 시동…현지서 첫 '커넥트' 행사

삼성전자 파운드리 사업부와 핵심 파트너사들이 최근 미국에서 현지 고객사와의 접점을 확대하기 위한 행사를 진행한 것으로 확인됐다. 삼성전자가 이 같은 행사를 진행한 것은 이번이 처음이다. 첨단 파운드리 사업 확장에 난항을 겪는 가운데, 잠재 고객사가 밀집한 미국 시장 공략을 가속화하기 위한 전략으로 풀이된다. 실제로 삼성전자는 지난달 인사를 통해 미국 사업을 총괄하던 한진만 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시킨 바 있다. 6일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 이번 주 미국에서 'DSP(디자인솔루션파트너) 커넥트' 행사를 진행했다. DSP는 삼성전자의 공식 파트너 디자인하우스 기업을 뜻한다. 디자인하우스는 파운드리와 파운드리의 고객사인 팹리스 사이에서 반도체 설계, 공정 최적화 등을 돕는 역할을 맡고 있다. 미국 산호세에 위치한 삼성 파운드리 미국법인에서 개최된 이번 DSP 커넥트는 삼성 파운드리의 잠재 고객사와 DSP간 접점을 확대하기 위해 마련됐다. 삼성 파운드리를 비롯해 가온칩스, 에이디테크놀로지, 세미파이브, 코아시아세미 등 국내 디자인하우스 주요 인사들이 대거 참여한 것으로 알려졌다. 각 DSP는 프레젠테이션 발표 및 행사장 내 부스를 통해 현지 팹리스와 접촉했다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 미국 파운드리 사업을 본격적으로 추진하기 위해 이번 행사를 처음 기획한 것으로 알고 있다"며 "미국 팹리스 시장 규모가 크고, 삼성전자도 현지에 파운드리 공장을 건설하고 있는 만큼 삼성 측에서도 행사에 상당히 힘을 준 분위기"라고 설명했다. 이와 관련 삼성전자는 지난달 말 2025년 정기 사장단 인사에서도 파운드리 사업 강화를 위한 인적 쇄신을 단행한 바 있다. 삼성전자는 이번 인사에서 한진만 DS부문 DSA총괄 부사장을 파운드리 사업부장 사장으로 승진시켰다. 한진만 사장은 지난 2022년 말부터 DSA총괄 자리에 올라 현지 고객사와의 파트너십 확대, R&D 센터 설립 등을 주도해 왔다. 또한 남석우 파운드리 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO) 사장으로 내정하는 등 기술력 보강에도 만전을 기하고 있다. 남 사장은 메모리 사업부에서 제품 수율을 올리는 데 가장 핵심적인 역할을 해 온 것으로 알려져 있다. 현재 삼성전자는 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 3분기 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 9.3%로 전분기(11.5%) 대비 2.2%p 하락했다. 매출액도 전분기 38억3천300만 달러(한화 약 5조4천억원)에서 3분기 33억5천700만 달러(한화 약 4조7천억원)로 줄었다. 당초 예상보다 4나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서 고객사 확보가 부족했고, 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)인 '엑시노스 2500' 양산도 수율 문제로 차질을 겪은 것이 주된 영향으로 풀이된다. 미국 테일러시에 건설 중인 파운드리 팹도 설비투자 계획이 지속 연기되는 추세다.

2024.12.06 10:51장경윤

韓 반도체 장비업계, 대중국 수출 규제에도 "기회 요소 충분"

미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위가 갈수록 높아지고 있다. 이에 따라 우리나라도 내년부터 중국 기업에 대한 반도체 장비 규제 대상에 포함될 예정이다. 다만 국내 반도체 장비기업들은 일부 최첨단 분야를 제외하면 영향은 적을 것으로 관측된다. 또한 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 규제 제외에 따른 단기적 수혜도 예상된다. 3일 업계에 따르면 국내 반도체 장비기업은 미국의 신규 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향을 면밀히 파악하고 있다. 불확실성 높아지지만…"세부사항 따라 영향 無" 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 국내 반도체 장비업계도 이번 미국의 결정을 예의주시하고 있다. 미국이 중국에 대한 반도체 장비 규제 대상국가에 한국, 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만을 포함했기 때문이다. 구체적으로 미국은 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴을 규제품에 명시했다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 사실상 주요 공정 대부분이 포함됐다. 반도체 업계 고위 관계자는 "이번 미국의 규제는 HBM과 HBM의 근간이 되는 D램용 전공정 분야에 특히 초점이 맞춰져 있다"며 "국내 투자가 위축된 상황에서 중국으로 활로를 찾았던 국내 장비업계로서는 사업에 대한 불확실성이 높아질 수 있다"고 설명했다. 다만 반도체 장비업계는 규제에 따른 여파를 면밀히 살펴봐야 한다는 입장이다. 미국의 규제가 공정 전반을 다루고는 있으나, 대체로 첨단 반도체 제조에만 국한돼 있기 때문이다. 중국 반도체 기업들은 국내 장비 협력사로부터 주로 레거시 반도체 제조용 장비를 수급하고 있다. 일례로 미국은 계측 장비에 대한 규제로 "21나노미터(nm) 이하의 결함을 검사할 수 있는 장비"라는 기준을 제시했다. 넥스틴 등 국내 기업이 상용화한 제품은 30나노급으로 계측이 가능해, 규제 기준에 포함되지 않는다. 21나노 급은 계측장비 업계 1위인 미국 KLA의 제품 중에서도 하이엔드급만 성능을 충족하는 것으로 알려져 있다. CXMT 규제 제외…내년도 수혜 지속 오히려 이번 미국의 대중 반도체 수출 규제에 안도의 한숨을 내쉰 기업들도 있다. 미국이 중국 내 반도체 및 제조장비 140여곳을 '우려거래자(Entity List)'에 포함시켰으나, CXMT는 명단에서 제외했기 때문이다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 레거시 제품의 생산능력을 지난해 월 12만장에서 올해 월 20만장으로 확장하고 있다. 이를 위해 국내 복수의 반도체 전공정, 인프라 장비업체로부터 설비를 발주해 왔다. 나아가 CXMT는 내년에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 건설할 계획이다. 최근 국내 장비업계와 구체적인 장비 도입을 논의한 것으로 파악됐다. 구체적인 설비 공급 시기나 규모는 각 장비업체마다 다르지만, CXMT는 신규 공장을 통해 최대 월 10만장 규모의 생산능력을 확충할 것으로 관측된다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 주요 고객사들이 투자에 소극적으로 나서면서 중국 시장의 비중이 커진 협력사들이 여럿 있다"며 "CXMT가 규제 명단에 올라가지 않으면서 국내 기업들도 장비를 지속 공급할 수 있게 됐다는 기대감이 나오고 있다"고 설명했다. 中 내재화 빨라질수도…장기적으론 '악재' 다만 중국 장비 기업의 기술 자립화가 빨라지고 있다는 점은 국내 반도체 장비업계의 장기적 악재로 지목된다. 현재 중국에는 중웨이반도체(AMEC), 나우라(Naura) 등이 첨단 반도체 제조장비 개발에 열을 올리고 있다. 식각 공정에 강점을 둔 AMEC는 대만 주요 파운드리 TSMC에 5나노 공정용 건식 식각장비를 공급했으며, 나우라 역시 14나노급 식각장비 개발에 성공한 바 있다. 이들 기업은 현지 정부의 지원과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 급격한 성장세를 기록해 왔다. 특히 미국의 규제를 의식해, 기술력 향상에 온 힘을 쏟고있다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "아직 성과가 나오려면 시간이 걸리는 분야도 있지만, 중국 반도체 장비기업들은 반도체 공정 전 분야에 걸쳐 기술 내재화를 적극 추진하고 있다"며 "장비 업계에서도 중장기적으로는 중국향 매출이 점차 줄어들 것으로 예측하는 곳이 많다"고 밝혔다.

2024.12.04 16:21장경윤

LB세미콘, AI 반도체 고객사 확보…"내년 2분기 양산"

반도체 패키지 전문 기업 LB세미콘은 국내 인공지능(AI) 반도체 전문 팹리스 기업으로부터 '팬 인 웨이퍼 레벨 패키징(FI-WLP)'를 수주해 내년 2분기 양산을 시작한다고 26일 밝혔다. 구체적인 고객사명은 공개되지 않았다. 다만 해당 고객사는 온디바이스 AI에 특화된 최첨단 시스템 반도체 원천기술 시스템 보유하고 있으며, AI를 실현시키는 원천 기술과 관련해 400개 이상의 특허를 보유한 것으로 알려졌다. 양사는 보유한 반도체 지식재산권(IP)과 다양한 기술을 접목해 AI 영역에서 긴밀한 협업을 진행할 계획이다. LB세미콘 관계자는 “FI-WLP 패키지를 시작으로 향후 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FO- WLP)등 다양한 AI 반도체 패키지 영역으로 확장 계획”이라고 말했다. 한편 LB세미콘은 높아지는 온디바이스 AI 시장 요구에 부응하기 위해 국내외 인공지능(AI) 반도체 기업과 긴밀한 협업을 진행 중에 있으며, 전략적으로 협업을 통해 고객 맞춤형 솔루션을 제공할 계획이다.

2024.11.26 10:54장경윤

한미반도체, 故 곽노권 회장 1주기 추모 애니메이션 제작

한미반도체는 회사의 창업자 고(故) 곽노권 회장 별세 1주기인 오늘 반도체 장비 업계 선구자로서의 삶을 담은 고인을 기념하는 애니메이션을 공개했다고 22일 밝혔다. 곽노권 회장은 1938년생으로 1967년 모토로라코리아 입사 후 14년간의 근무경험을 바탕으로 1980년 한미금형(현 한미반도체)을 설립해 당시 불모지였던 대한민국 반도체 장비 기술력을 글로벌 수준으로 끌어올렸다는 평가를 받고 있다. 곽노권 회장은 경영 일선에서 물러날 때까지 약 42년간 현장을 진두지휘했다. 고인은 국내 반도체 장비 1세대 기업인으로서 고객만족을 최우선 가치에 두고 차별화된 제품과 서비스를 제공하는데 평생을 바쳤다. 그 결과 곽노권 회장이 1998년 개발한 비전플레이스먼트(VISION PLACEMENT)는 200여개의 특허 등 한미반도체의 핵심 역량을 적용해 2004년부터 현재까지 세계시장 점유율 1위를 기록하고 있다. 또한 인공지능 반도체용 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더(DUAL TC BONDER)를 개발해, 한미반도체가 시가총액 약 8조원에 육박하며 글로벌 반도체 장비기업으로 도약하는데 기틀을 마련했다. 이후 2010년에는 1억불, 2021년에는 2억불 수출의 탑을 수상했고, 최근 10년간 매출 대비 수출 비중 약 77%를 차지하는 등 해외에서 더욱 경쟁력을 인정받는 회사로 발전시켰다. 2022년부터 2024년까지 3년 연속 글로벌 반도체 리서치 전문기관인 테크인사이츠가 선정하는 세계 10대 반도체 장비 기업에 ASML, 램리서치, 어플라이드 머티리얼즈 등과 함께 국내 기업 중 유일하게 선정되기도 했다. 이와 같은 열정과 노력으로 곽노권 회장은 2013년 우수자본재 개발유공자로 선정돼 기업인으로서는 최고의 영예인 금탑산업훈장을 수훈했다. 또한 곽노권 회장은 취약 계층 아동을 위한 의료 지원, 장학 사업, 교육 사업 등을 후원하며 평소 사회적 책임 실천에도 앞장섰다. 한미반도체 관계자는 “창업자 곽노권 회장님의 뜻을 이어받아 끊임없는 노력과 기술력을 바탕으로 고객만족을 극대화하며 더욱 발전하는 한미반도체가 될 수 있도록 노력하겠다”고 밝혔다.

2024.11.22 09:41장경윤

공정위 "AI 반도체 기업결합 심사에 전문성 높인다"

공정거래위원회(이하 '공정위')가 AI 반도체 시장의 기업결합 과정에서 부정적인 효과가 발생을 막기 위해 심사에서 전문성을 높인다. 공정위는 14일 오후 2시 한국공정거래조정원에서 인공지능(이하 'AI') 반도체와 관련된 산업계, 학계 등 전문가들과 함께 간담회를 개최했다. 이번 간담회는 최근 급성장하고 있는 AI 반도체 시장의 동향을 파악하고, 향후 활성화가 예상되는 AI 반도체 분야 기업결합 심사의 전문성을 제고하기 위해 전문가들의 다양한 의견을 청취하는 형식으로 진행됐다. 최근 AI 반도체 시장은 생성형 AI, 자율주행 자동차 등 AI 반도체가 사용되는 새로운 혁신 분야의 확대에 힘입어 급성장하고 있다. 시장조사업체 가트너에 따르면 2023년 기준 글로벌 반도체 시장은 전년 대비 매출이 11.7% 감소하며 침체기를 보냈다. 반면 AI 반도체 시장은 전년 보다 27.2% 급성장함과 더불어 전체 반도체 시장에서 차지하는 비중 역시 2022년 7%에서 2023년 10.1%로 늘었다. 이런 과정 속에서 AI 반도체 시장의 개별 기업들은 포트폴리오 확대, 기술 혁신 등 AI 반도체 관련 시장의 주도권을 확보하기 위해 노력하고 있으며, 그 수단 중 하나로 인수합병(M&A)을 적극 활용하는 추세다. 일례로 해외에서는 ▲엔비디아의 ARM 주식취득 건(2021, 기업결합 자진 철회), ▲AMD의 자일링스 합병 건(2021, 무조건 승인)을 심사한 바 있다. 현재 ▲시높시스의 앤시스 주식취득 건 ▲AMD의 ZT 주식취득 건을 심사 중에 있다. AI 반도체 시장의 기업결합은 제품 포트폴리오 확대를 통해 수요자의 요구를 반영한 다양한 제품을 맞춤 공급할 수 있는 긍정적 효과가 있다. 한편으로 포트폴리오 내 제품 중 강점이 있는 제품과 그렇지 못한 제품을 결합 판매하거나 경쟁사업자 제품과의 상호운용성을 저해하는 등 경쟁사업자를 시장에서 배제함으로써 자유로운 시장경쟁을 제한하는 등의 부정적 효과 역시 발생할 수 있으므로 경쟁당국의 면밀한 감시가 요구된다. 한기정 공정위 위원장은 "공정위는 기업 간 M&A를 심사하는 역할을 수행하면서 M&A가 관련 시장의 경쟁에 미치는 영향을 두루 살피고, M&A 이후 가격 인상, 경쟁사업자 배제 등이 우려될 경우에는적절한 시정조치를 부과해 시장경쟁 질서를 보호하고 있다"며 "특히 AI 반도체와 같이 생태계가 급변하고 있는 산업 분야는 M&A를 통한 시장경쟁 저해 우려가 높아, 공정위의 역할이 보다 중요하다"고 강조했다. 이어서 "실제 현재 공정위는 AI 반도체 설계 소프트웨어 분야 및 AI 반도체 설계분야의 글로벌 M&A가 시장경쟁에 미치는 영향을 면밀히 심사 중에 있다"라며 "오늘 이 자리는 공정위가 AI 반도체 관련 시장의 생태계를 보다 심도 깊게 이해하고, 해당 산업의 경쟁 질서를 보호하기 위한 공정위의 역할에 관하여 현장의 생생한 목소리를 청취하기 위해 마련됐다"고 전했다.

2024.11.14 15:00이나리

요동치는 中 첨단 반도체 공급망…삼성 파운드리 득실은?

AI 등 첨단 반도체칩에 대한 미국의 대중(對中) 수출 규제 압박이 거세지고 있다. 최근 미국 상무부가 대만 주요 파운드리인 TSMC에 중국향 7나노미터(nm) 이하의 반도체 수출을 금지하겠다는 뜻을 전달한 것으로 알려졌다. 이에 국내 반도체 업계는 삼성 파운드리 사업부의 향방에 주목한다. TSMC의 규제 여파에 따라 삼성전자가 중장기적으로 반사이익을 볼 수 있을 것이라는 분석과 삼성전자 역시 미 상무부의 규제에 동참할 수 밖에 없다는 전망이 동시에 제기되고 있기 때문이다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 중국향 최첨단 파운드리 사업 전략에 대해 다양한 논의를 거치고 있다. 앞서 로이터통신은 지난 10일 "미국 상무부가 TSMC에 서한을 보내 중국에 AI 가속기, GPU 등 7나노 이하의 첨단 반도체 일부를 수출하지 말라고 통보했다"고 보도했다. 또한 중국 팹리스들은 TSMC에 의뢰한 칩이 AI 또는 기타 제한된 목적에 사용되지 않도록 엄격한 검사를 받게 될 전망이다. 이번 조치는 화웨이 등 현지 주요 기업에 대한 규제를 강화하기 위한 움직임이다. 최근 시장조사업체 테크인사이츠는 화웨이의 첨단 AI 반도체인 '어센드 910B'를 분해해, TSMC가 제작한 프로세서가 탑재됐음을 확인한 바 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 "해당 정책이 시행되면 TSMC의 7나노 이하 공정은 물론 중국 AI 산업의 미래에도 영향을 미칠 수 있다"며 "TSMC에게 미칠 잠재적인 매출 영향은 5~8% 수준이 될 것"이라고 분석했다. 이 경우 경쟁사인 삼성전자는 중국 팹리스의 대체 공급망으로 떠오르는 수혜를 입을 수 있다. 그러나 일각에서는 삼성전자가 TSMC와 마찬가지로 최첨단 시스템반도체에 대한 대중 수출 규제에 동참할 것이라는 의견을 내놓기도 했다. 대만 연합보 등은 "TSMC가 중국 고객사들에게 7나노 이하 칩 공급을 중단하겠다는 공지를 보냈다"며 "TSMC에 이어 삼성전자 파운드리 사업부도 중국 고객사에 같은 내용을 공지했다는 소문이 나오고 있다"고 밝혔다. 삼성전자는 해당 보도에 대해 "소문과 관련해 논평하지 않겠다"고만 밝혔다. 다만 실제로 삼성전자가 미 상무부로부터 관련된 통지를 받았거나, 중국 고객사들에게 이 같은 내용을 고지했다는 정황은 아직 포착되지 않고 있다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 대외적인 문제로 중국 고객사 확보에 많은 고민을 하고는 있으나, 현재까지 특정 조치를 취하지는 않고 있다"며 "중국 팹리스 업계의 규모가 크고, 오히려 TSMC 규제에 따른 수혜 효과를 볼 수 있어 삼성전자가 중국 시장에서 전적으로 손을 떼기도 쉽지 않다"고 설명했다. 일례로 삼성전자는 지난 2022년 중반 양산을 시작한 3나노 공정의 첫 고객사로 중국 팹리스 기업인 '판세미'를 확보한 바 있다. 판세미는 중국 암호화폐 채굴용 시스템반도체 업체다. 또 다른 관계자는 "최근 삼성 파운드리 사업부가 DSP(디자인솔루션파트너) 등 협력사에 중국과 관련한 내용을 전달한 바는 없다"며 "삼성전자, TSMC와 모두 접촉했던 중국 팹리스들 역시 별다른 반응을 보이지 않고 있는 상황"이라고 말했다.

2024.11.13 10:43장경윤

두산전자 등 국내 소부장, 엔비디아 '블랙웰' 양산에 수혜 본격화

국내 소부장 기업들이 엔비디아와 주요 메모리 기업들의 AI칩 양산에 따른 대응에 분주히 나서고 있다. 두산전자의 경우 최근 AI 가속기용 부품 공급을 시작했으며, 넥스틴은 HBM용 신규 검사장비를 주요 고객사에 도입했다. 아이에스시도 내년 상반기를 목표로 HBM 검사용 부품의 상용화를 준비 중이다. 11일 업계에 따르면 국내 반도체 소재·부품·장비 기업들은 엔비디아의 '블랙웰' 시리즈 양산에 따라 본격적인 사업 확장에 나서고 있다. 두산전자는 지난달부터 블랙웰용 CCL(동박적층판) 양산에 돌입했다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재 중 하나다. 수지, 유리섬유, 충진재, 기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만든다. 특히 반도체용 CCL은 기술적 난이도가 매우 높은데, 두산전자는 올해 초 블랙웰 시리즈용 CCL 단일 공급업체로 진입한 바 있다. 기존 주요 CCL 공급업체인 대만 엘리트머티리얼즈(EMC)를 제치고 얻어낸 성과다. 이후 두산전자는 지난 3분기 시제품 공급 등을 거쳐, 지난달부터 블랙웰용 CCL의 본격적인 양산을 시작했다. 업계에서는 올 4분기와 내년까지 적지 않은 매출 규모가 발생할 것으로 보고 있다. 국내 반도체 장비기업 넥스틴은 최근 주요 고객사에 HBM용 검사장비인 '크로키'를 소량 공급했다. 그동안 진행해 온 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 정식 발주를 받았다. 크로키는 적층된 D램 사이에 형성된 미세한 크기의 범프를 계측하는 데 쓰인다. 내년에도 고객사의 12단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 양산 확대에 따라 추가 수주를 논의 중인 것으로 알려졌다. 기존 8단 제품 생산라인에 검사장비를 납품하던 캠텍, 온투이노베이션 등을 대체했다는 점에서 의의가 있다. 국내 후공정 부품기업 아이에스시도 내년 상반기 HBM용 테스트 소켓을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 테스트 소켓은 패키징 공정이 끝난 칩의 양품 여부를 최종적으로 검사하는 데 활용되는 부품이다. 기존 메모리 제조기업들은 HBM에 테스트 소켓을 채택하지 않았으나, D램의 적층 수 및 세대가 향상될수록 수율이 하락한다는 문제에 직면하고 있다. 이에 12단 HBM3E부터는 테스트 부품을 양산 공정에 적용하기 위한 준비에 적극 나서고 있다.

2024.11.12 11:26장경윤

TSMC, 연말도 '첨단 파운드리' 독주…월매출 최대치 경신

대만 주요 파운드리 TSMC가 지난달 사상 최대 월매출을 기록했다. AI 등 첨단 산업에서의 고성능 반도체 수요가 지속된 덕분으로, 연말에도 삼성전자·인텔 등과의 격차를 확고히 벌릴 수 있을 것으로 관측된다. 10일 업계에 따르면 TSMC는 지난달 월매출이 3천142억4천만 대만달러(한화 약 13조5천800억원)로 집계됐다고 밝혔다. 이번 실적은 전년동월 대비 29.2% 증가한 수치다. 전월 대비로도 24.8% 늘었다. TSMC가 월 매출에서 3천 대만달러를 돌파한 것은 이번이 처음으로, 역대 최대 기록에 해당한다. TSMC의 지속적인 성장세는 AI, HPC(고성능컴퓨팅) 등 첨단 산업에 필요한 고성능 반도체 수요 증가 덕분이다. 앞서 TSMC는 3분기 총 매출 7천597억 대만달러로 시장 예상치를 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록한 바 있다. 당시 최첨단 공정인 3나노미터(nm) 공정의 매출 비중은 20%로, 전분기 대비 5%p 늘었다. 첨단 공정인 5나노·7나노 비중도 각각 32%, 17%로 높은 수준을 보였다. 특히 올 4분기는 주요 고객사 중 하나인 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '블랙웰' 시리즈의 양산이 본격화되는 시점이기도 하다. 이에 따라 엔비디아는 4분기 매출 가이던스로 3분기보다 높은 중간값 기준 8천480억 대만달러를 제시했다. 중장기적인 미래 성장동력도 꾸준히 확보하고 있다. 현재 TSMC는 미국 애리조나에 건설 중인 첫 파운드리 공장에서 만족스러운 수준의 수율을 확보했으며, 내년 본격적인 양산에 나선다. 2, 3번째 공장은 각각 2028년과 2030년 양산을 시작한다. 미국 상무부 역시 이달 6일 TSMC와 반도체 공장 건설 보조금 및 대출지원에 대한 계약 협상을 마친 것으로 알려졌다. 이는 미국 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)에 따른 것으로, 보조금 66억 달러와 대출금 50억 달러 규모다.

2024.11.10 09:31장경윤

삼성전자 'NRD-K' 라인 문 연다...이재용 '미래 반도체' 선점 시동

삼성전자의 미래 반도체 기술력을 이끌 신규 연구개발(R&D) 단지가 곧 문을 연다. 이달 최첨단 장비를 반입할 예정으로, 특히 1d D램과 V11·V12 낸드 등 차세대 메모리의 개발 가속화가 이뤄질 것으로 기대된다. 이재용 삼성전자 회장 역시 과거 이곳의 건설 현장을 둘러볼 만큼 많은 관심을 기울인 바 있다. 최근 삼성전자가 첨단 반도체 시장에서 경쟁력이 흔들리고 있다는 평가를 받고 있는 만큼, 신규 R&D 단지의 향후 운용 전략에 관심이 쏠린다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 넷째 주 기흥 'NRD-K'를 공식 오픈하고, 장비 반입을 시작할 계획이다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 최첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입하기로 했다. 이재용 삼성전자 회장도 지난해 10월 이곳 건설현장을 방문하는 등, 상당한 관심을 나타낸 바 있다. 당시 이재용 회장은 "대내외 위기가 지속되는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다"고 당부하며 위기에도 흔들리지 않는 기술 리더십과 선행 투자의 중요성을 강조했다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)용 클린룸 구축을 시작했으며, 최근 장비 반입을 위한 준비를 어느 정도 마무리했다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 NRD-K 라인에 곧 클린룸 내부공사와 더불어 장비반입을 동시에 진행할 예정"이라며 "이르면 올 3분기부터 장비 반입이 진행될 예정이었으나, 일정이 다소 늦어져 삼성전자도 서두르는 분위기"라고 설명했다. 이번 NRD-K 라인 첫 오픈을 기점으로, 삼성전자는 차세대 반도체 기술력 선점을 위한 변혁에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 현재 삼성전자는 CXL(컴퓨트익스프레스링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 실리콘 포토닉스, BSPDN(후면전력공급), 3D 적층, 칩렛 등 다양한 첨단 반도체 전공정·후공정 기술을 개발하고 있다. 특히 삼성전자의 미래 먹거리로 다가올 1d D램(7세대 10나노급 D램)과, 500단 이상의 고적층 낸드인 V11, V12 등이 NRD-K 첫 라인의 목표가 될 가능성이 높다. 실제로 해당 라인에는 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 주요 기업들의 최첨단 장비가 입고되는 것으로 알려졌다. 또 다른 관계자는 "당초 평택에서 진행돼 온 차세대 메모리 개발 건도 향후 NRD-K쪽으로 중심을 옮기게 될 것"이라고 밝혔다. 물론 NRD-K가 본격적으로 가동되는 시기는 내년으로 봐야한다. 현재 NRD-K는 건축법 상 절차가 남아있어, 임시사용승인만을 받은 상태다.

2024.11.03 08:49장경윤

건국대 이창우 교수, '스마트 롤투롤'로 산업부 장관상 수상

건국대학교는 기계항공공학부 이창우 교수가 최근 열린 '2024 한국유연인쇄전자학회 추계학술대회'에서 '스마트 롤투롤' 분야 우수 연구를 통한 기술개발과 산업발전 공로를 인정받아 산업통상자원부 장관상을 수상했다고 29일 밝혔다. 이창우 교수가 개발한 'AI 기반 스마트 롤투롤 자율 제조를 위한 웹핸들링 기술'은 전기차용 배터리·디스플레이·센서·분리막 제조공정 등 다양한 산업에 활용되고 있다. 이창우 교수가 연구하고 있는 '롤투롤' 시스템은 산업 현장에서 고속 대량생산을 위해 적용하는 공정방식으로, 유연하고 얇은 소재를 기존 배치공정이 아닌 롤 기반 연속공정으로 제품을 생산한다. 배치 공정 대신 연속공정으로 전환하면 생산성이 2배 이상 증가한다. 하나의 공정을 마치고 다른 공정으로 이송하는 배치 공정은 제품가공뿐 아니라 이동에도 시간이 소요되지만, 연속공정은 제품가공 시간만 있으면 되기 때문이다. 현재 전기자동차(EV)용 이차전지 제조공정은 전체 공정의 80% 이상이 롤투롤 시스템으로 구성돼 있다. 디스플레이·반도체 등 공정에서도 롤투롤 시스템이 폭넓게 이용되고 있다. 한편, 이창우 교수는 LG 에너지솔루션-건국대학교(공과대학) 간 협력 체결에 주도적인 역할을 했다. 최근 5년간 주요 산업통장자원부와 한국연구재단 등에서 지원하는 국가과제뿐 아니라 23건의 산학연구를 수행하면서 국내 롤투롤 산업발전에 기여하고 있다.

2024.10.29 13:40주문정

삼성 파운드리 부사장 "기술력 부족하지 않아...HBM에 3.5D 패키징 적용"

"삼성전자가 경쟁사 대비 기술력이 부족하다고는 생각하지 않는다. 고객사에 맞춰 설계와 공정을 최적화하는 단계에서, 삼성전자는 시너지 효과를 발휘할 수 있다. 이를 위해 실리콘 캐퍼시터, 3.5D 패키징 등 여러 기술을 준비하고 있다." 정기태 삼성전자 파운드리 부사장은 23일 오전 서울 코엑스에서 열린 '제7회 반도체 산학연 교류 워크샵'에서 이같이 밝혔다. 이날 '스마트 월드에서 파운드리 기술의 역할'을 주제로 발표한 정 부사장은 자율주행, AR·VR, 엣지 컴퓨팅 등의 산업 발전을 위해서는 여러 첨단 파운드리 기술 및 시스템반도체가 필요함을 강조했다. 정 부사장은 "첨단 산업의 발전은 반도체 시장에도 무궁무진한 성장 가능성을 부여한다"며 "삼성전자에서도 많은 자원을 투입해야 하고, 그만큼 얻을 과실도 많다고 생각한다"고 밝혔다. TSMC 등 주요 기업과의 경쟁력과 관련한 질문에는 "삼성전자의 기술적 능력이 부족하다고는 생각하지 않는다"며 "물론 차이는 있으나, 삼성전자는 메모리와 파운드리, LSI 등을 모두 개발하고 있어 공정 최적화 등 시너지 효과를 낼 수 있다"고 강조했다. 이를 위해 삼성전자는 최첨단 공정 기술을 지속적으로 고도화하고 있다. 대표적인 사례가 '실리콘 캐퍼시터'다. 커패시터는 도체에 많은 양의 전하를 일시적으로 저장하는 부품이다. 칩에 전류가 안정적으로 공급될 수 있도록 돕는 역할을 한다. 실리콘 커패시터의 경우, 기존 쓰여 온 MLCC(적층세라믹콘덴서) 대비 고온·고주파 등의 환경에서 신뢰성이 높다. 발열 및 전력효율성을 높이는 데에도 유리하다. 덕분에 HPC(고성능컴퓨팅)과 모바일 분야에서 점차 활용처가 늘어나고 있다. 정 부사장은 "실리콘 커패시터는 이전 D램에서 활용하던 20나노미터(nm) 공정을 기반으로 하기 때문에 기술적으로 별다른 문제가 없다"며 "구체적인 상용화 일정 등은 밝힐 수 없으나, 이미 양산을 위한 준비는 마무리했다고 보면 된다"고 설명했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 위한 패키징 로드맵에 대해서도 소개했다. 삼성전자는 향후 HBM에 3.5D 패키징을 적용해, '액티브 인터포저' 등 각종 첨단 기술을 도입할 계획이다. 3.5D 패키징은 칩을 수직으로 쌓는 3D 패키징과, 기판 사이에 인터포저라는 부품을 삽입하는 2.5D 패키징을 결합한 기술이다. 액티브 인터포저는 금속 배선을 통해 칩과 기판을 연결하는 기존 인터포저에서 한발 더 나아가, 전력을 제어하는 기능을 포함한다.

2024.10.23 15:06장경윤

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