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'반도체 공급망'통합검색 결과 입니다. (137건)

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SK하이닉스, 엔비디아 H20향 'HBM3E' 대응 분주…추가 생산 검토

SK하이닉스가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 출하량을 당초 예상 대비 확대할 수 있을 것으로 관측된다. 최근 엔비디아의 중국향 AI 반도체 'H20'에 가해진 수출 규제가 해제된 덕분이다. H20은 당초 HBM3를 활용했으나, 올해부터 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품을 주력으로 탑재한다. 이에 SK하이닉스는 우선 올 3분기까지 H20향 HBM3E 8단 양산을 진행할 계획이다. 나아가 추가적인 수요가 발생할 가능성을 고려해, 해당 HBM 생산량 확대를 위한 소재·부품 발주를 검토하고 있는 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 생산을 당초 예상보다 확대하는 방안을 논의 중이다. 앞서 엔비디아는 지난 15일 공식 블로그를 통해 중국 시장에 H20 GPU 판매를 재개할 계획이라고 밝혔다. 당시 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)는 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 설명했다. H20은 엔비디아의 기존 주력 제품에서 성능을 하향 조정한 AI 가속기다. 미국의 대중(對中) AI 반도체 수출 규제를 우회하기 위해 출시됐다. 그러나 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아는 약 55억 달러(한화 약 7조4천억원) 수준의 비용이 발생할 것으로 예상돼 왔다. 이번 미국 정부의 결정으로 H20 수출길이 다시 열리면서, SK하이닉스도 HBM3E 8단 사업 매출을 확대될 수 있는 기회를 잡게 됐다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 올해 1분기부터 H20용 HBM3E 8단 공급을 시작해, 3분기까지 제품을 지속 생산할 계획인 것으로 파악됐다. 나아가 올 4분기 혹은 내년에도 제품을 추가 양산하는 방안을 내부적으로 논의하고 있다. 이를 위한 관련 소재·부품의 추가 주문 계획을 구체화하는 중이다. 중국이 H20 등 엔비디아 AI칩 수급에 적극 나서고 있는 분위기를 고려한 전략으로 풀이된다. 실제로 엔비디아가 중국향 AI 반도체 공급량을 늘리는 경우, HBME 8단의 양산 비중은 당초 예상 대비 확대될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 하반기 HBM3E 생산 비중에서 12단 제품을 80%, 8단 제품을 20% 수준으로 계획해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 H20의 중국 수출 재개 움직임과 맞물려 HBM3E 8단 양산을 확대하는 분위기"라며 "추가 수요에 대비해 관련 소재·부품을 확보하는 방안을 논의하고 있다"고 설명했다. 변수는 엔비디아의 공급망 대책이다. 엔비디아는 H20 수출 규제 당시 TSMC에 위탁했던 양산을 취소했으며, 해당 양산 라인은 타 고객사에 할당된 것으로 알려졌다. H20을 다시 양산하기 위해선 9개월의 시간이 필요하다. 결과적으로, H20 양산에 대한 병목현상을 해결해야만 사업 확대가 가능할 전망이다. 최근 미국 IT매체 디인포메이션은 소식통을 인용해 "성능이 높아진 엔비디아 H20은 주로 SK하이닉스의 HBM을 탑재하고 있으나, 이번 주 SK하이닉스가 엔비디아에 H20용 추가 메모리 공급 여력이 제한적일 것이라고 통보했다"며 "엔비디아는 최근 몇 주간 중국 내 주요 고객들과 접촉해 H20 및 블랙웰 칩에 대한 수요 및 반응을 파악하고 있다"고 보도했다.

2025.07.21 10:53장경윤 기자

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤 기자

TI, 폭스바겐 그룹 어워드 2025 '운영 우수상' 수상

텍사스 인스트루먼트(TI)가 독일 볼프스부르크에서 개최된 '폭스바겐 그룹 어워드 2025'에서 '운영 우수상'을 수상했다고 16일 밝혔다. 이번 수상은 TI의 견고한 반도체 공급 전략과 생산 역량 확대를 위한 선제적 투자가 높이 평가된 결과다. 오늘날 자동차 한 대에는 수천 개의 반도체가 탑재돼 엔진 제어부터 첨단 안전 시스템, 인포테인먼트 기능에 이르기까지 필수적인 역할을 수행한다. TI의 자동차용 반도체는 자동차 제조사들이 더 안전한 차량 시스템을 구현할 수 있도록 지원할 뿐만 아니라, 현재와 미래의 설계 요구에 부합하는 첨단 기능과 확장성을 제공한다. 폭스바겐 그룹은 2025년까지 여러 지역과 브랜드, 플랫폼에 걸쳐 30종 이상의 신규 모델 출시를 계획하고 있으며, 이를 위해 핵심 반도체의 안정적인 공급망 확보가 필수적이라고 강조했다. 특히 TI와 같은 전략적 반도체 파트너와의 긴밀한 협력을 통해 더 높은 효율성과 신뢰성을 확보하고 있다고 밝혔다. 스테판 브루더 TI 유럽 사장은 “TI의 기술력과 폭넓은 자동차용 반도체 포트폴리오는 안정적인 장기 공급 역량을 바탕으로 차세대 차량 혁신을 이끌고 있다”며 “폭스바겐 그룹과 협력해서 더욱 진보된 기능을 갖춘 스마트하고 안전한 자동차 시스템을 구현할 수 있어 자랑스럽다”고 말했다. 한편 폭스바겐 그룹은 자동차 산업의 변화를 주도하기 위해 TI의 제품, 기술 및 시스템 수준의 전문성을 활용하고 있다. TI는 마이크로컨트롤러, 프로세서, 전력 관리 및 인터페이스 장치, DLP 디지털 마이크로미러 디바이스 등 아날로그 및 임베디드 프로세싱 제품을 폭스바겐 그룹의 차세대 자동차 시스템에 공급하고 있다.

2025.07.16 10:33장경윤 기자

구리 관세의 역습, 반도체 산업 흔들다

미국이 8월1일부터 구리에 50% 고율 관세를 부과하기로 하면서, 글로벌 반도체 업계에 비상등이 켜졌다. 전기차, 전선 등 전통 산업뿐 아니라, 고성능 반도체의 핵심 소재로 사용되는 구리의 가격 급등이 글로벌 반도체 공급망과 제조 원가에 직격탄을 날리고 있기 때문이다. 아울러 이달 말 반도체에 대한 추가 관세까지 예고하며, 긴장감이 고조되고 있다. 13일 업계에 따르면 국내 반도체 업계는 관세 정책 시나리오를 짜고, 대응책을 세우고 있다. 완제품 반도체 칩은 관세 대상이 아니지만, 칩을 생산하는 데 필수적인 부품(구리선 등)은 관세 대상에 포함된 것이다. 간접적으로 반도체 제조 비용 상으로 이어질 가능성이 높은 이유다. 반도체 업계 관계자는 “미국의 구리 관세는 반도체 자체에는 직접 적용되지는 않지만, 핵심 소재 비용을 급등시키며 반도체 제조공정에 실질적인 영향을 주는 조치”라며 “구리를 많이 사용하는 고성능 반도체일수록 타격이 클 것”이라고 내다봤다. 전통적으로 구리는 전기차, 배터리, 전선 등에 광범위하게 쓰이지만, 반도체 패키징과 기판 설계, 고속 데이터 전송선 등에도 필수적으로 사용된다. 특히, 첨단 AI 칩이나 고성능 GPU는 더 얇고 복잡한 배선 구조를 요구하면서 구리 사용량이 증가하는 추세다. 이 같은 상황은 미국 반도체 업계에도 반갑지 않다. 미국 내 생산 확대를 추진 중인 인텔, 마이크론 등 반도체 기업들은 예상치 못한 '원자재 인플레이션'에 직면하게 된 것이다. 구리 관세가 시행되면 수입 가격은 1.5배 가까이 뛰게 된다. 미국 반도체산업협회(SIA)는 “자국 산업을 보호하려는 취지와는 달리, 국내 칩 생산원가가 급등해 글로벌 경쟁력이 약화될 수 있다”며 우려를 표명했다. 엎친 데 덮친 격...반도체 관세 부과 예정 문제는 완제품 반도체에 대한 관세 정책은 아직 베일을 벗지 않았다는 점이다. 트럼프 대통령은 8일(현지시간) 백악관에서 주재한 내각 회의에서 취재진에 "우리는 의약품, 반도체, 몇몇 다른 것들(에 대한 관세)을 발표할 것"이라고 말했다. 구체적인 관세율과 발표 시기, 관세 부과 시점은 언급하지 않았지만, 하워드 러트닉 상무부 장관은 이날 내각 회의 후 반도체의 경우 이달 말까지 조사를 완료할 계획이라고 밝혔다. 이 같은 관세 정책은 세수 확보는 물론 중국의 반도체 굴기를 꺾고, 전체 반도체 공급망을 미국에 두겠다는 의도로 해석된다. 미국은 관세 정책을 통해 TSMC, 삼성전자, SK하이닉스 등 글로벌 반도체 기업들이 미국에 생산거점을 두고 투자하라는 압박을 이어가고 있다. 특히 국내 메모리 업계에 대한 압박이 예상된다. 삼성전자는 미국 텍사스주 테일러에 파운드리 공장을 짓고 있으며, SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 반도체 패키징 생산기지 건설을 준비 중이다. 양사 모두 메모리 생산시설은 미국에 없는 상태다. 반도체 관세 부가가 실현되면 메모리 생산시설까지 지을 수 있는 셈이다. 다만 미국이 반도체에 고율 관세를 매기기 쉽지 않을 것이라는 관측도 나온다. 한국과 대만 등이 글로벌 반도체 시장의 대부분을 차지하는 상황에서 과도한 관세는 오히려 반도체를 사용하는 미국 업체들의 제품 가격을 올릴 수 있다는 이유에서다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 "트럼프가 다시 반도체를 언급한 걸 보면 반도체에 대한 관세가 아예 없진 않을 것 같다"면서도 "구리처럼 고율 관세를 부과할 가능성은 크지 않을 것"이라고 조심스럽게 예상했다. 그는 "관세 대상으로 언급되는 다른 품목들은 미국 내 생산을 진행 중이거나 대체품이 있지만, 반도체는 사실상 대체품이 많지 않다"며 "아이폰 관세 사례처럼 미국 자국에 피해가 되는 부분은 무리하게 나서지 못할 것"이라고 분석했다.

2025.07.13 06:47전화평 기자

日, 반도체 패키징 경쟁력 확보 시동…30여개 기업 손 잡았다

일본 OSAT(반도체외주패키징테스트) 기업들이 시장 경쟁력 강화를 위해 뜻을 모았다. 데이터 공유, 보조금 확보 등을 공동으로 추진해 반도체 패키징 시장의 경쟁력을 빠르게 끌어 올리겠다는 전략이다. 11일 닛케이아시아는 일본 후공정 업계 최초로 결성된 'J-OSAT' 연합회에 약 30여개의 기업이 참여하고 있다고 보도했다. OSAT는 반도체 후공정을 담당하는 기업이다. 종합반도체기업(IDM), 파운드리 등이 전공정 처리를 끝낸 반도체를 수주받아 패키징, 테스트 등을 대신 수행해주는 업무를 맡고 있다. 후공정은 반도체 업계에서 점차 중요성이 높아지는 추세다. 기존 업계는 전공정 영역에서 회로의 선폭을 줄여 반도체 성능을 끌여 올렸으나, 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 좁아지면서 기술적 진보에 많은 어려움을 겪어 왔다. 후공정은 이를 대신해 칩 성능을 높일 기술로 각광받고 있다. 2.5D나 3D 패키징, 칩렛 등 최첨단 패키징이 대표적인 사례다. 다만 OSAT 업계는 미국 앰코(Amkor), 중국 JCET, 대만 ASE 3개 기업이 사실상 시장을 주도하고 있다. 일본 기업은 상위 10대 기업 중 한 곳도 없다. 이에 일본 산업계는 지난 4월 J-OSAT 협회를 결성하고, 약 30여개 회원사와 본격적인 협업을 추진하기 시작했다. 닛케아시아는 "J-OSAT 설립 이전에는 정보 공유의 장이 없어, 관련 기업의 80%가 중소기업인 일본 후공정 업계에 대한 기본적인 정보가 알려지지 않았다"며 "이제 일본 후공정 생산능력이 월 11억 대를 넘는다는 것이 명확해졌고, 공급량의 40%는 자동차, 40%는 기계산업, 20%는 소비재 부문이 차지하고 있다"고 설명했다. J-OSAT는 자동화, 생산 데이터 공유, 인력 개발 등 총 5개 분야에 초점을 맞춰 활동을 펼칠 계획이다. 또한 고성능 장비 교체를 위해 일본 정부에 보조금을 요청하는 방안도 고려하고 있다. J-OSAT의 초대 회장인 마코토 스미타는 "반도체 전공정에는 약 1조엔(한화 약 9조3천억원)의 투자가 필요하지만, 후공정에는 100억엔 혹은 200억엔으로도 많은 것을 할 수 있다"며 "일본 기업들이 최첨단 장비를 도입하면 생산비용을 20%까지 절감할 수 있다"고 말했다.

2025.07.12 14:52장경윤 기자

"韓 반도체, 공급 역량 확충에 사활 걸어야"

국내 반도체 산업이 기회와 위기를 동시에 맞고 있다. AI·데이터센터 투자로 첨단 메모리 및 파운드리 수요가 급증할 것으로 보이지만, 미국·중국의 적극적인 투자 속 경쟁력을 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. 실제로 국내 기업의 투자비용 대비 정부 지원 비율은 5.25%로, 미국(27.5%) 대비 5분의 1 수준에 불과한 것으로 집계됐다. 또한 중국 주요 파운드리의 경우 매출 대비 시설투자액 비율이 98%로, 20~40% 수준인 삼성전자·SK하이닉스를 크게 앞선 것으로 나타났다. 9일 산업연구원(KIET)은 '반도체 글로벌 지형 변화 전망과 정책 시사점' 보고서를 통해 "반도체 패권 경쟁 승리를 위해 향후 5년간 우리 민관의 역량을 적지 집중 투입해야 한다"고 밝혔다. 中 메모리·파운드리 추격…SMIC, 매출 대비 시설투자액 98% 달해 반도체 시장은 향후 5년간 AI·데이터센터 산업 발전에 따라 급격한 성장세를 나타낼 전망이다. 맥킨지에 따르면, 데이터센터향 반도체 시장 규모는 올해 최소 718조원에서 2030년 3천892억원까지 증가할 것으로 예상된다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정도 초과 수요에 직면할 가능성이 높다. 경희권 연구위원은 "삼성바이오로직스가 장기간 빅파마 발주 가뭄 상황을 버티다 COVID-19 사태 당시 백신 품귀로 일약 동북아의 핵심 공급 파트너로 부상한 것처럼, 오랜 시간 수주의 구조적 불리함 속에 고군분투해 왔던 우리 파운드리에 짧지만 강력한 기회의 창(Windows)이 열린 상황일 수 있다"고 평가했다. 다만 중국의 레거시 메모리 및 파운드리 산업 추격은 국내 반도체 산업에 대한 실존적인 위협으로 다가오고 있다. 일례로 지난 2021년 낸드 시장 점유율이 2.7%에 불과했던 양쯔메모리(YMTC)의 2024년 점유율은 9%에 육박했다. 전년비 매출액 증가율은 160%다. 이준 선임연구위원은 "2022~2024년 기간 중국 집성전로기금 등 정부 지원에 힘입어 국적 파운드리 기업 SMIC의 매출 대비 시설투자액 비율은 98%(삼성전자·SK하이닉스 20~40% 선)를 기록했다"며 “과거 미국·일본·대만과 우리 경험을 바탕으로 중국 메모리·파운드리 기업들의 추격 속도를 상정하는 것은 매우 위험한 일”이라 강조했다. 美 기업도 비용 구조 개선 전망…"韓도 적기 공급 역량 확보에 사활 걸어야" 미국이 추진하고 있는 자국 내 반도체 공급망 강화 정책도 주요 변수 중 하나다. 미국은 지난 4일 '하나의 크고 아름다운 법', 이른바 트럼프 감세법을 발효했다. 덕분에 인텔 등 한 해 연구개발비를 20조 원 이상 지출하는 기업들은 국내·적격 연구개발(R&D) 지출 즉시 비용 처리가 영구화된다. 뿐만 아니라 시설투자(장비·기계·SW 등) 비용 100% 당해 과세연도 즉시 비용 처리 역시 영구화된다. 5년 기간 한정은 있지만, 신규 제조 시설 건물·공장 투자액까지 100% 비용 처리된다. 경희권 연구위원은 이번 법안으로 인텔·마이크론의 비용 구조가 급진적으로 개선될 가능성이 있다고 내다봤다. 그는 "인텔의 2022~2024년 기간 연구개발 지출 총액은 거의 700억 달러(96조 원)로, 칩스법의 투자세액공제와 직접보조금 외에 거액의 별도 세액공제 수혜 가능성이 있다”고 설명했다. 실제로 지난해 12월 제출된 반도체특별위원회 보고서에 따르면, 투자비용 대비 정부 지원 비율은 우리나라가 5.25%로 미국(27.5%), 일본(54.0%), EU(30.0%)에 비해 현저히 낮은 것으로 나타났다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 과감한 지원 정책이 필요함을 보여주는 대목이다. 경희권 연구위원은 "초과 수요로 인한 기회의 창은 길지 않다"며 "적기 공급 역량 확충을 위한 반도체특별법 합의안 도출과 통과, 그리고 토지·전력·용수 등 인프라 적시 공급 체계 확립이 매우 시급하다"고 말했다. 이준 선임연구위원은 "국가기간전력망확충특별법을 적극 활용하고, 새 정부의 AI 정책자금 역시 우리 인공지능 반도체와 양산 주력 기업에 조달 정책 형태로 투입하는 방안도 고려할 수 있다"며 "민관의 총력전이 진행 중인 21세기의 오늘, 우리 정부와 기업, 수많은 이해관계자들의 중지(衆志)를 모아 다시금 도약의 시대를 열어야 한다"고 강조했다.

2025.07.09 11:30장경윤 기자

SK하이닉스, 2분기 메모리 매출 삼성전자와 '동률'…HBM에 엇갈린 희비

올 2분기 삼성전자·SK하이닉스의 메모리 사업 격차가 크게 줄어든 것으로 나타났다. 기업별로 극명하게 나뉜 HBM(고대역폭메모리) 사업의 성패 여부가 가장 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. 8일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 2분기 메모리 사업 매출은 각각 155억 달러(한화 약 21조2천억원)로 동일한 수준을 기록한 것으로 분석된다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1분기 D램 사업에서 사상 처음으로 삼성전자의 매출을 추월한 바 있다. 당시 양사의 D램 매출 점유율은 SK하이닉스가 36%, 삼성전자가 34%로 집계됐다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "SK하이닉스가 올해 1분기 D램 시장에서 최초로 매출 1위를 기록한 데 이어, 2분기에는 전체 메모리 시장에서 삼성전자와 1위 자리를 놓고 경쟁하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 높은 성장세에는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대가 중대한 영향을 끼쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 최신형 HBM을 주요 고객사인 엔비디아에 선제적으로 공급하는 등 성과를 거두고 있다. 삼성전자 역시 올 하반기 D램 가격 상승, HBM 출하량 증가에 따른 회복세가 전망되나, 성장 폭은 제한적일 수 있다는 의견이 제기된다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자는 하반기 AMD와 브로드컴에 HBM3E 제품을 공급하면서 실적 개선이 예상되나, 엔디비아로의 출하는 여전히 불투명하다"며 "강화된 대중국 판매 규제 영향으로 올해 HBM 판매량 증가는 전년 대비 제한될 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 16:15장경윤 기자

삼성전자 美 테일러 팹 내년 초 양산라인 투자

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 양산 준비를 가속화한다. 그간 지속적으로 늦춰졌던 인프라 시설 공사를 최근 재개한 데 이어, 내년 초 양산 설비를 처음 반입하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 테일러 파운드리 팹에 빠르면 내년 1~2월부터 2나노미터(nm) 공정용 양산설비를 도입하는 방안을 논의 중이다. 내년 초 양산라인 구축 준비…투자 계획 구체화 삼성전자 테일러 파운드리 팹은 지난 2021년 투자가 결정된 신규 공장이다. 당초 4나노 공정 양산을 목표로 했으나, 시장 상황 등을 고려해 2나노를 주력 공정으로 삼았다. 다만 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 완공과 양산라인 구축 시기를 여러 차례 미뤄왔다. 2나노 공정 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 진행할 경우 막대한 비용 손실이 우려되기 때문이다. 그러나 삼성전자는 올 2분기 테일러 팹의 클린룸 마감 공사를 재개했다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 클린룸이 구축된 뒤에야 각종 부대 설비 및 제조설비를 도입할 수 있다. 클린룸 구축 마감 시점은 올 연말이다. 삼성전자는 곧바로 내년 1~2월부터 양산라인을 구축하기 위해 유틸리티 등 설비를 도입하는 방안을 구상하고 있다. 현재 내부적으로 테일러 파운드리 팹용 장비 선정을 마무리하고, 조만간 협력사에 세부적인 투자 및 발주 계획을 구체화할 것으로 알려졌다. 일부 협력사의 경우 이미 내년 초 미국 내 장비 반입을 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 초도 양산라인 구축인 만큼 당장의 투자 규모는 크지 않은 것으로 추산된다. 다만 삼성전자의 차세대 파운드리 양산 준비가 본격화된다는 점에서, 업계의 기대감이 커지고 있다. 2나노 고객사 적기 확보가 중요…"현지 생산, 美 빅테크에 매력적" 향후 공장 가동의 관건은 대형 고객사 확보다. 삼성전자 2나노 공정(SF2)은 이르면 올 하반기 양산이 시작되는 초미세 파운드리 공정이다. 현존 가장 고도화된 3나노(SF3) 공정 대비 성능은 12%, 전력효율성은 25% 뛰어나면서도 면적은 5% 줄일 수 있다는 게 회사 측 설명이다. 그동안 삼성전자는 국내·일본 AI 반도체 팹리스를 2나노 공정 고객사로 확보했다. 그러나 주요 경쟁사인 TSMC와 달리 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하지는 못했다. 이에 삼성전자는 최근 잠재 고객사들과 2나노 공정 양산에 대한 협의를 적극 진행하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "테일러 파운드리 팹은 미국 내 첨단 반도체 생산을 원하는 고객사들에게 매력적인 선택지가 될 것"이라며 "공사 재개가 진행됐고, 그간 불확실했던 양산 라인 구축에 대한 논의도 구체화되면서 모처럼 활기가 도는 분위기"라고 말했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자와 협력사들이 미국 내 부품·장비 반입을 위한 인증 절차를 밟기 시작한 것으로 안다"며 "다만 실제 고객사 확보 성과에 따라 투자 계획에 변동성이 생길 수는 있다"고 설명했다.

2025.06.23 14:13장경윤 기자

"美, 삼성·SK 中 반도체 공장에 미국산 장비 반입 제한 압박"

미국 도널드 트럼프 정부가 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업들의 중국 내 공장에 미국산 장비가 도입되는 것을 제한하는 방안을 추진 중이라고 월스트리트저널(WSJ)이 20일 보도했다. WSJ는 익명의 소식통을 인용해 "제프리 케슬러 미국 상무부 수출 통제 부문 책임자가 이번 주 삼성전자, SK하이닉스, 대만 TSMC에 이 같은 내용을 고지했다"며 "기업들에게는 미국 핵심 기술이 중국으로 넘어가는 것을 막기 위한 조치라고 설명했다"고 밝혔다. 앞서 미국은 바이든 정부 시절인 지난 2022년 10월 미국 반도체 장비 기업들이 중국 반도체 제조공장에 제품을 수출할 때 사전 허가를 받도록 했다. 사실상 중국향 수출을 금지하는 조치로 해석된다. 규제 대상은 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드, 14나노 이하 로직 반도체 등이다. 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 그동안 국내 기업들은 미국 정부로부터 수출 규제에 대한 유예 조치를 받아 왔다. 그러나 이번 미국의 규제 방향이 변경될 경우, 국내 및 대만 반도체 기업들은 중국 내 설비투자를 진행할 때마다 미국 정부에 개별 허가를 받아야 될 것으로 전망된다. 다만 이 같은 미국 정부의 방침이 아직 확정된 것은 아니다. WSJ는 "케슬러가 주도하는 상무부 산업안보국의 이 같은 입장은 미 정부 내 다른 부처의 동의를 얻지는 못한 상태"라며 "케슬러와 같은 강경파들이 친기업 성향 관계자들과 갈등을 빚고 있다"고 설명했다.

2025.06.21 23:10장경윤 기자

한미반도체, 신공장에 '하이브리드 본더' 라인 추가…차세대 HBM 공략

한미반도체가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 공략을 위한 투자에 나선다. 올해 초 착공에 나선 신공장에 하이브리드 본더 전용 공장을 추가해, 기술력 및 생산능력을 미리 확보할 계획이다. 한미반도체는 제7공장에 하이브리드 본더 전용 공장을 구축한다고 20일 공시를 통해 밝혔다. 앞서 한미반도체는 지난 1월 HBM(고대역폭메모리) 시장 확대에 대응하기 위한 제7공장 기공식을 진행한 바 있다. 해당 공장은 4천356평 규모의 지상 2층 건물로, 주력 장비인 TC(열압착) 본더와 신규 패키징 장비를 양산할 예정이다. 아울러 한미반도체는 당초 계획된 제7공장에 추가로 하이브리드 본더 전용 라인을 만들기로 했다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 기존 TC 본딩처럼 D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아, 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 때문에 주요 메모리 기업들은 이르면 16단 HBM4부터 하이브리드 본딩을 양산 적용하기 위한 연구개발을 진행해 왔다. 한미반도체 역시 향후 HBM 시장에서 하이브리드 본딩 기술이 상용화될 것을 고려해, 관련 연구개발 및 생산능력 확대를 추진하려는 것으로 풀이된다. 한편 제7공장 완공 시기는 내년 4분기로 예상된다. 당초에는 올해 4분기 완공 예정이었으나, 공장 규모가 확대되면서 완공 시점도 다소 연기됐다.

2025.06.20 10:24장경윤 기자

삼성전자, 하반기 반도체 전략 수립 착수…HBM·美 투자 돌파구 '절실'

삼성전자가 올 하반기 반도체 사업 전략 구상에 착수한다. 삼성전자 반도체 사업은 메모리·시스템반도체 분야 전반에서 고전을 겪고 있는 상황으로, 특히 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 따라 성패가 크게 좌우될 것으로 보인다. 향후 미국의 반도체 수출 관세 및 보조금 정책 향방도 삼성전자에게 큰 변수로 작용할 전망이다. 18일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장 주재로 글로벌 전략회의를 진행한다. 매년 6·12월 개최되는 삼성전자 글로벌 전략회의는 각 사업 부문의 상반기 실적 공유 및 하반기 사업 전략 등을 논의하는 자리다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부의 관세 정책, 미중 패권 전쟁, 중동 전쟁 등 거시경제의 불확실성이 날로 높아지는 만큼, 이에 따른 대응 전략을 집중 논의할 것으로 관측된다. 특히 반도체 사업의 부진을 타개할 돌파구 마련이 시급한 상황이다. 삼성전자 반도체 사업은 크게 D램과 낸드를 양산하는 메모리반도체, 파운드리, 시스템LSI 등 3개 축으로 나뉘어져 있다. 현재 삼성전자는 3개 사업부 모두 위기를 맞고 있다는 평가가 나온다. 메모리 사업, 1c D램 및 HBM4 상용화에 성패 삼성전자의 올 하반기 메모리반도체 사업 성패는 HBM(고대역폭메모리)에 크게 좌우될 것으로 예상된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 차세대 메모리다. AI 데이터센터에서 수요가 빠르게 급증해 왔으나, 삼성전자의 경우 지난해 HBM3E(5세대 HBM) 8단·12단 제품을 핵심 고객사인 엔비디아에 납품하는 데 실패한 바 있다. 이에 삼성전자는 HBM3E에 탑재되는 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 엔비디아향 공급을 재추진하고 있다. 당초 공급 목표 시기는 6~7월경이었으나, 현재 업계는 양산을 확정짓기까지 더 많은 시간이 필요할 것으로 보고 있다. HBM4(6세대 HBM)와 1c(6세대 10나노급) D램도 주요 안건에 오를 전망이다. 삼성전자는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 HBM4에 탑재해, 올 연말까지 양산에 나설 계획이다. 이를 위해 올해 초부터 평택캠퍼스에 1c D램용 양산 라인 구축을 시작했으며, 1c D램의 수율 확보에 총력을 기울이고 있다. 올 3분기께 1c D램의 양산 승인(PRA)을 무리없이 받아낼 것이라는 게 삼성전자 내부의 분위기다. 물론 PRA 이후에도 대량 양산을 위한 과제가 별도로 남아있는 만큼, 낙관은 금물이라는 게 업계 전언이다. TSMC와 벌어지는 격차…2나노 적기 양산 시급 삼성전자 파운드리 사업부는 3나노미터(nm) 이하의 초미세 공정에서 애플, 엔비디아, 퀄컴 등 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하는 데 난항을 겪고 있다. 이에 업계 1위 대만 TSMC와의 격차가 지속 확대되는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 삼성전자의 올 1분기 파운드리 시장 점유율은 7.7%로 전분기 8.1% 대비 0.4%p 하락했다. 같은 기간 TSMC는 67.1%에서 67.6%로 0.5%p 늘었다. 이르면 올 하반기 양산에 돌입하는 2나노 공정 역시 TSMC가 한 발 앞서있다는 평가다. 최소 60%대의 안정적인 수율을 기반으로, 대만 내 공장 두 곳에서 양산을 준비 중인 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자도 복수의 잠재 고객사와 2나노 공정에 대한 양산 협의를 진행하고 있다는 점은 긍정적이다. 지난해 일본 AI반도체 팹리스인 PFN(Preferred Networks)의 2나노 칩 양산을 수주한 데 이어, 최근에는 퀄컴·테슬라에도 적극적인 대응을 펼치고 있다. 자체 모바일 AP(애플리케이션프로세서)인 '엑시노스 2600'는 내년 '갤럭시S26' 시리즈를 목표로 개발이 진행되고 있다. 회사는 1분기 보고서를 통해 "올 하반기에는 2나노 모바일향 제품을 양산해 신규로 출하할 예정"이라며 "성공적인 양산을 통해 주요 고객으로부터 수요 확보를 추진하고 있다"고 밝힌 바 있다. 복잡해지는 미국 투자 셈법…파운드리 삼성전자가 미국 테일러시에 건설 중인 신규 파운드리 팹도 면밀한 대응책이 필요한 상황이다. 앞서 삼성전자는 해당 지역에 총 370억(약 50조원) 달러를 들여 2나노 등 최첨단 파운드리 공장을 짓기로 했다. 첫 번째 공장은 현재 공사가 대부분 마무리됐다. 올 2분기에도 협력사에 클린룸 마감 공사를 의뢰한 것으로 파악됐다. 이에 미국 정부도 칩스법에 따라 지난해 말 삼성전자에 47억4천500만 달러의 보조금을 지급하기로 했다. 다만 트럼프 2기 행정부는 칩스법의 혜택을 받는 기업들이 자국 내 투자를 더 확대하도록 압박하고 있다. 실제로 TSMC는 향후 4년 간 미국에 최소 1천억 달러(약 146조원)를, 마이크론은 기존 대비 투자 규모를 300억 달러(약 41조원)를 추가 투자하기로 했다. 삼성전자로서도 투자 확대 압박을 느낄 수 밖에 없는 상황이다. 그러나 삼성전자는 테일러 파운드리 팹에 선제적인 투자를 진행하기 어렵다. 고객사의 중장기적 수요가 확보되지 않은 상태에서 생산능력을 확장하면 막대한 투자비 및 운영비를 떠안아야 되기 때문이다. 현재 삼성전자가 첫 번째 테일러 파운드리 팹에 제조설비 반입 시기를 늦추고 있는 것도 같은 연유에서다. 반도체 업계 관계자는 "미국 오스틴 팹의 가동률도 저조한 상황에서, 테일러 팹에 설비를 도입하고 가동하는 순간 바로 수익성에 타격이 올 수밖에 없다"며 "삼성전자가 미국 내 투자 전략에 상당히 고심하고 있는 이유"라고 말했다.

2025.06.18 09:01장경윤 기자

SK하이닉스, 최선단 D램·HBM 설비투자 '신중 모드'

SK하이닉스가 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대를 위한 투자에 신중한 태도를 보이고 있다. 당초 신규 공장에 설비를 조기 반입하기로 한 계획을 늦추고, 올해 전체적인 설비투자 규모를 확정하는 시기도 미뤄지고 있는 것으로 파악됐다. SK하이닉스가 대내외적인 불확실성이 높아진 상황에서 섣부른 투자 집행을 경계하려는 것으로 보인다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 청주 M15X를 비롯한 올해 설비투자 계획을 당초 예상 대비 지연이 예상된다. M15X는 SK하이닉스의 최선단 D램 및 HBM 양산을 담당할 신규 생산기지다. 총 투자 규모는 20조원으로, 지난해 2분기부터 공사에 들어가 올해 4분기 준공을 목표로 하고 있다. AI 산업 성장으로 최선단 D램 및 HBM에 대한 수요가 늘어날 것으로 기대되는 만큼, SK하이닉스는 M15X 투자에 공세적으로 나서왔다. 올해 초에는 M15X의 클린룸 등 인프라 투자 일정을 2분기 말에서 2분기 초로 앞당긴 바 있다. 이에 따라 팹 내 장비 반입 시점도 당초 예상 대비 1~2개월 빠른 9~10월경으로 전망돼 왔다. 그러나 최근 SK하이닉스의 기조가 변했다. M15X의 투자를 앞당기는 계획을 늦추기로 하고, 팹 내 장비 반입 시점을 10~11월경으로 되돌린 것으로 파악됐다. 올해 M15X에 들어서는 최선단 D램도 월 1만5천장 수준에서 1만장 아래의 생산능력으로, 사실상 시생산 용도의 원패스(One path) 라인이 구축될 가능성이 유력하다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 연말부터 M15X에서 D램 양산을 시작하기 위해 설비투자를 앞당기는 방안을 논의해 왔으나, 실제 투자심의 및 발주 일정이 밀리고 있는 것으로 안다"며 "투자를 무작정 앞당기기보다는 내년부터 본격적으로 투자를 집행하겠다는 의도"라고 설명했다. SK하이닉스의 올해 전체 설비투자 계획이 확정되는 시점도 지속 미뤄지고 있는 것으로 알려졌다. 엔비디아향 최선단 HBM 공급으로 견조한 수익성을 유지하고는 있으나, 여러 경영 여건을 고려해 투자 속도 조절에 나선 것으로 풀이된다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 설비투자에 17조9천650억원을 집행했다. 올해에는 이보다 많은 규모를 투자하겠다고 밝힌 바 있어, 20조원 중반대의 투자가 이뤄질 것으로 예상된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 20조원 중후반대의 공격적인 투자를 진행할 것이라는 기대감도 있으나, 최근 진행되고 있는 실제 투자 계획을 고려하면 이에 미치지 못할 가능성이 크다"며 "SK그룹 내부적으로도 투자 계획의 타당성, 효용성 등을 깐깐히 살펴보면서 실제 투자 집행 승인이 미뤄지고 있는 것으로 안다"고 말했다.

2025.06.16 15:18장경윤 기자

삼성전자, DDR4 깜짝 수요 효과…2분기 실적 '가뭄에 단비'

삼성전자의 레거시 D램 매출이 당초 예상보다 확대될 가능성이 높아졌다. 주요 기업의 감산에 따라 공급 부족 현상이 심화되면서, 가격 상승 및 판매량 증가 효과를 동시에 거둔 덕분이다. 이에 따라 올 2분기 HBM(고대역폭메모리) 사업의 부진을 어느 정도 만회할 수 있을 것으로 전망된다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중반 DDR4 및 LPDDR4 재고를 당초 예상 대비 큰 폭으로 소진할 수 있을 것으로 관측된다. DDR4 및 LPDDR4는 D램 업계에서 레거시(성숙) 제품에 해당한다. 주요 D램 제조기업은 DDR5 및 LPDDR5X 생산에 주력하고 있는 상황으로, 올 연말까지 DDR4 및 LPDDR4 생산량을 크게 줄이기로 했다. 삼성전자의 경우, 지난해 전체 D램에서 DDR4 및 LPDDR4가 차지하는 매출 비중은 30%대에 달했다. 올해에는 이를 한 자릿 수까지 축소할 계획이다. 반면 고객사는 DDR4 및 LPDDR4 감산에 미리 대응하고자 재고 확보에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 따라 DDR4 및 LPDDR4의 가격은 단기적으로 급등세를 보이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격 상승률은 전분기 대비 13~18%로, 당초 전망치(3~8%)를 크게 상회할 전망이다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 상향 조정됐다. 이 같은 추세는 삼성전자의 올 2분기 메모리 사업에도 긍정적인 요소로 작용한다. 레거시 D램이 비주력 사업에 해당하기는 하나, 수요 증가세에 힘입어 기존 삼성전자가 보유했던 재고를 빠르게 소진할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "DDR4 및 LPDDR4 제품이 소위 '없어서 못 파는' 지경에 이르면서, DDR5와의 가격 프리미엄이 비정상적인 수준으로 좁혀졌다"며 "특히 삼성전자는 모바일 및 가전 고객사에 업계 평균을 웃도는 수준의 가격 인상을 제시한 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "1분기에는 비수기 영향으로 DDR4의 출하량이 다소 줄었으나, 2분기에는 다시 반등하면서 유의미한 매출 확대가 일어날 것으로 보인다"며 "당초 삼성전자가 제시했던 2분기 D램 빗그로스(공급량 증가율)인 10% 초반을 상회할 가능성이 있다"고 말했다. 덕분에 삼성전자는 올 2분기 HBM 사업 부진의 여파를 일부 상쇄할 수 있을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 지난 1분기 6~8억Gb(기가비트) 수준의 HBM을 공급한 것으로 추산된다. 전분기(20억Gb 추산) 대비 크게 줄어든 규모로, 올 2분기 역시 1분기와 비슷한 규모의 공급이 예상된다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "2분기 중 DDR4 가격이 가장 큰 폭으로 상승했고, 이에 따른 수혜도 삼성전자가 가장 크게 받을 것으로 예상돼 물량과 가격, 이익률 모두 긍정적인 변수"라며 "반면 HBM은 이전 전망 대비 물량이 크게 부진해, 이를 반영한 메모리 사업부의 2분기 영업이익은 이전 전망과 크게 다르지 않을 것"이라고 밝혔다.

2025.06.11 11:05장경윤 기자

해성디에스, 美 TI '최우수 공급업체 상' 수상

반도체 부품 전문 제조기업 해성디에스는 텍사스 인스트루먼트(TI)로부터 '최우수 공급업체 상(Supplier Excellence Award)'을 수상했다고 11일 밝혔다. 이번 수상은 2022년에 이은 두 번째로, 해성디에스의 지속적인 품질 개선과 공급 안정성 및 기술 협력에 대한 노력을 인정받은 결과다. TI는 전 세계 1만여 개 이상의 공급업체 중 철저한 평가 기준을 바탕으로 소수의 우수 업체를 선정해 매년 이 상을 수여하고 있다. 올해는 전 세계에서 단 19개 업체만이 수상의 영예를 안았다. 해성디에스는 그중 하나로, 기술력과 품질, 원가 경쟁력뿐만 아니라 환경 및 사회적 책임 분야에서도 뛰어난 성과를 인정받았다. 특히 이번 수상은 해성디에스가 고객사와의 장기적 신뢰 관계를 기반으로 안정적인 공급망을 유지하고, 기술 경쟁력을 강화하며 글로벌 시장에서 입지를 지속적으로 확대해 나가고 있다는 점에서 의미가 크다. 해성디에스 관계자는 “이번 수상은 품질 개선과 고객 신뢰 확보를 위한 끊임없는 노력에 대한 값진 보상이라고 생각한다”며 “앞으로도 TI와의 건강하고 신뢰할 수 있는 관계를 유지하고, 지속적인 혁신과 성장을 통해 우수성을 이어가겠다”고 전했다.

2025.06.11 10:09장경윤 기자

韓, '꿈의 반도체 소재' SiC 연구 지속…현대차 움직임 뚜렷

국내 주요 기업이 차세대 전력반도체 소재로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC) 개발을 지속하고 있다. 특히 현대자동차의 특허 공개 활동이 뚜렷한 상황으로, 전력 모듈과 회로 분야에서 IP(설계자산) 리더십을 확보한 것으로 분석된다. 4일 프랑스 특허·기술 리서치 기업 노우메이드(KnowMade)에 따르면 국내 반도체 업계는 SiC 반도체와 관련한 특허를 매년 꾸준히 확보하고 있다. SiC는 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 다양한 산업에서 수요가 확대되고 있으며, 특히 전기차(EV)용 전력반도체 분야에서 적극 채용될 것으로 전망돼 왔다. 다만 최근엔 전기차 시장의 캐즘(일시적 수요 침체) 현상이 심화되고, 중국 기업들의 시장 진입으로 경쟁이 가열되면서 SiC 반도체 기업들도 침체에 접어들고 있다. SiC 시장서 점유율 4위를 기록해 온 미국 울프스피드는 지난달 파산보호 신청 우려에 휩싸였으며, 일본 르네사스도 최근 현지 신공장에서 전기차용 SiC 전력반도체를 생산하려던 계획을 철회한 것으로 알려졌다. 현대자동차·쎄닉 등 SiC 연구개발 활발…LG는 축소 그럼에도 국내 반도체 업계의 SiC 관련 연구개발(R&D)은 비교적 견조하다는 평가가 나온다. 주요 기업·기관으로는 LG, 현대자동차, SK그룹과 한국전기연구원(KERI), 포스코 산하 포항산업과학연구원(RIST), SiC 웨이퍼 제조 스타트업인 쎄닉 등이 있다. 이들 6개 기업은 국내 SiC 관련 특허 공개 수의 3분의 2를 차지하고 있다. 특히 현대자동차가 SiC 관련 특허를 꾸준히 공개하고 있는 것으로 나타났다. 그룹 내 전장·반도체 관련 자회사인 현대모비스 주도로, 지난 2021년부터 매년 10건이 넘는 특허를 공개해 왔다. 주로 SiC 반도체의 후방 산업에 해당하는 소자 및 모듈, 회로 분야에서 강세를 보이고 있다. SiC 웨이퍼 제조업체인 쎄닉의 활동도 두드러진다. 지난 2021년부터 특허 공개가 시작돼, 잉곳 웨이퍼 등 전방 산업 분야에서 기술개발을 적극 진행해 온 것으로 알려졌다. 이 회사는 지난 2021년 SKC에서 분사돼 설립된 스타트업으로, 8인치(200mm) SiC 웨이퍼 양산을 목표로 하고 있다. 반면 LG화학과 LG전자, LG이노텍 등으로 대규모 SiC 특허 포트폴리오를 구축했던 LG그룹은 관련 연구개발이 활발하지 못한 것으로 관측된다. 지난 2021년 LG이노텍이 국내 팹리스인 LX세미콘에 SiC 특허를 이전한 이래로, 특허 공개 수가 크게 줄어들었다.특허 양수 이후 SiC 반도체 개발을 추진했던 LX세미콘도 근 몇년 간 추가적인 특허 확보에 소극적이었던 것으로 나타났다. 韓 SiC 공급망, 전력 모듈 분야가 '약한 고리' 국내 주요 기업들이 SiC 공급망 전반에 대해 연구하는 것처럼 보이지만, 전력 모듈 분야는 가장 약한 고리로 남아있다는 것이 노우메이드의 분석이다. 레미 코민 노우메이드 수석연구원은 "SiC 패키징 및 전력 모듈과 관련된 특허 수는 2022년 이후 큰 진전을 보이지 않고 있다"며 "참여 기업(현대자동차, 아모센스, 제이엠제이코리아)의 수가 제한돼 있고, 2022년 이후 신규 진입한 기업의 수가 SiC 공급망 내 다른 분야에 비해 감소했기 때문"이라고 설명했다. 실제로 SiC 전력 모듈 분야의 주요 특허 출원기업인 현대자동차는 2022년 이후 패키징, 모듈, 회로 등의 분야에서 신규 특허를 10건만 공개한 것으로 집계됐다. 다만 국내 주요 반도체 제조기업 및 스타트업이 SiC 반도체 시장 진출을 계획하고 있다는 점은 긍정적으로 평가된다. 삼성전자와 DB하이텍, SK하이닉스의 자회사 SK키파운드리 등이 관련 연구개발과 설비투자 등을 진행해 왔다. 삼성전자는 지난 2023년 서강대학교와 SiC MOSFET(전류의 흐름을 제어하는 트랜지스터) 관련 특허를 공동 개발했으며, DB하이텍도 지난해 SiC MOSFET와 관련한 특허 3건을 공개한 것으로 나타났다.

2025.06.09 14:28장경윤 기자

칩스케이, 650V GaN 전력반도체 국내 최초 양산 돌입

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 국내 최초로 650볼트(V)급 GaN 전력반도체 양산을 시작한다고 9일 밝혔다. 칩스케이는 GaN-on-Si(실리콘 기반 GaN)기술 기반의 650V 전력반도체 소자 4종을 해외 파운드리를 통해 생산해 고속 모바일 충전기, AI 데이터센터, 산업용 전원장치 등 차세대 전력반도체 시장 공략에 나선다. GaN은 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 부품으로 주목받고 있다. 그러나 기술 진입장벽이 높아, 국내 상용 제품이 전무해 수입에 의존해 왔다. 칩스케이는 설계 기술과 특허, 그리고 고온(150℃) 환경에서도 안정적으로 동작이 가능한 소자를 이용해 해외 경쟁사 제품 대비 속도와 효율을 높이고 에너지 손실을 최소화했다. 칩스케이의 GaN 전력반도체 기술은 기존 고속 충전기 분야에서 확장해 전력 수요가 급증하는 AI·클라우드 기반의 데이터센터 분야에 적용이 기대된다고 회사측은 설명했다. 곽철호 칩스케이 대표는 "국산 GaN 전력반도체의 첫 양산 성공은 기술 독립은 물론 향후 수출 경쟁력 확보에 큰 의미가 있다"며 "발열 제어 성능이 뛰어난 고방열기판(QST) 기반의 제품도 연내 신뢰성 테스트를 마친 후 라인업 확대에 나설 것"이라고 밝혔다. 한편 칩스케이는 칩 면적을 줄이고 회로 집적도를 높인 구동회로가 일체화 된 고집적 GaN SoC(시스템온칩) 기술도 개발 중이다.

2025.06.09 11:01장경윤 기자

美 상무장관 "칩스법 보조금 너무 관대해"…삼성·SK 피해 우려

하워드 러트닉 미국 상무장관이 자국 내 투자를 계획한 반도체 기업에게 제공하기로 한 보조금 일부를 재협상하고 있다고 로이터통신이 5일 보도했다. 이에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 기업의 보조금 축소가 우려된다. 러트닉 장관은 최근 열린 청문회에서 "바이든 행정부 당시 책정한 보조금 중 일부가 너무 관대한 것 같았고, 우리는 이를 재협상할 수 있었다"며 "목적은 미국 납세자에게 혜택을 주는 것"이라고 말했다. 앞서 바이든 행정부는 지난 2022년 반도체지원법(칩스법)에 서명한 바 있다. 미국 내 반도체 공급망 강화를 위한 투자에 390억달러, 연구개발(R&D) 지원에 132억달러 등 5년간 총 527억달러를 지원하는 것이 주 골자다. 칩스법에 따라 삼성전자는 지난해 말 미국 정부로부터 47억4천500만 달러의 보조금 지급을 확정 받았다. SK하이닉스 역시 미국내 반도체 패키징 공장 설립과 관련 4억5천800만 달러의 보조금과 대출 지원 5억 달러, 투자 금액의 최대 25%의 세제혜택을 받기로 했다. 그러나 도널드 트럼프 2기 행정부가 들어서면서 해당 법안에 대한 기류는 크게 바뀌었다. 트럼프 대통령은 취임 초기부터 "칩스법은 끔찍하다. 아무런 의미가 없다"는 등 거센 비판을 이어갔다. 러트닉 장관도 대만 주요 파운드리 TSMC의 사례를 거론하며 반도체 기업들이 미국에 대한 투자 규모를 확대해야 한다는 뜻을 내비쳤다. TSMC는 당초 미국 반도체 제조설비에 650억 달러를 투자하기로 계획하고, 66억 달러 규모의 보조금 지급을 약속 받았다. 그러나 지난 3월 미국에 대한 투자 규모를 1천억 달러로 확대하겠다고 발표했다.

2025.06.05 10:03장경윤 기자

"엔비디아, 中 겨냥해 저가형 블랙웰 AI칩 출시 예정"

엔비디아가 이르면 6월부터 '블랙웰' 기반의 신규 저성능 AI 반도체를 양산할 계획이라고 로이터통신이 25일 보도했다. 블랙웰은 엔비디아가 출시한 AI 가속기 중 가장 최신 세대의 아키텍처다. 당초 엔비디아는 중국 시장을 겨냥해 '호퍼' 아키텍처 기반의 'H20'을 공급해 왔으나, 최근 미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위 강화로 공급이 어려워졌다. 이에 엔비디아는 신규 AI 가속기로 중국 시장을 지속 공략하려는 것으로 풀이된다. 해당 칩은 엔비디아의 'RTX 프로 6000D' GPU를 기반으로 하며, HBM(고대역폭메모리) 대신 최신형 그래픽 D램인 GDDR7를 채용했다. 가격은 6천500~8천 달러 사이로, H20의 가격인 1만~1만2천 달러 대비 크게 낮은 수준이다. 또한 TSMC의 첨단 패키징 기술인 CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)도 활용되지 않는다. CoWoS는 칩과 기판 사이에 넓다란 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 2.5D 패키징의 일종이다. 지난해 회계연도 기준으로, 중국은 엔비디아의 전체 매출에서 13%를 차지하는 주요한 시장이다. 엔비디아가 미국의 규제를 피해 새롭게 칩을 설계하는 것은 이번이 세 번째다. 한편 신규 칩의 구체적인 이름은 아직 밝혀지지 않았다. 중국 증권사 GF증권은 '6000D', 또는 'B40'으로 명명될 가능성이 높다고 밝힌 바 있다.

2025.05.25 09:05장경윤 기자

TSMC, 3나노 양산 5개 분기만에 '풀가동'…"2나노는 더 빨라"

대만 주요 파운드리 TSMC가 AI 반도체 수요 확대에 힘입어 최선단 공정 비중을 크게 늘리고 있다. 특히 3나노 공정은 양산 개시 시점부터 5개 분기만인 지난해 하반기 '풀가동' 체제를 기록한 것으로 나타났다. 나아가 2나노 공정의 가동률은 이보다 더 빠르게 올라올 전망이다. 21일 카운터포인트리서치(이하 '카운터포인트')에 따르면 TSMC의 3나노미터(nm) 공정은 양산 이후 5분기 만에 처음으로 가동률 100%에 도달했다. 이는 애플의 A17 프로 및 A18 프로를 비롯해 x86 PC용 CPU와 기타 애플리케이션 프로세서(AP SoC)의 수요가 급증한 덕분이다. 향후에도 엔비디아의 루빈 GPU 및 구글의 TPU v7, AWS의 트레이니엄3 등 AI 반도체 도입이 본격화되면서 높은 가동률이 유지될 것으로 전망된다. 반면 구형 공정인 7·6나노 및 5·4나노는 주로 스마트폰 시장에 초점을 맞추면서 생산 확대가 상대적으로 더디게 진행됐다. 7·6나노 공정 가동률은 2020년 스마트폰 수요 급증으로 정점을 찍었고, 5·4나노 공정은 2023년 중반부터 모멘텀이 반등하며 점진적 회복세를 보였다. 이러한 회복세는 주로 엔비디아의 H100, B100, B200, GB200 등 AI 가속기에 대한 수요 급증에 기인하며, 이는 AI 데이터 센터 확장에 기여하면서 5/4나노 공정의 전체 가동률을 다시 끌어올렸다. TSMC의 2나노 공정은 양산 이후 4분기 만에 완전 가동률에 도달할 것으로 전망된다. 이는 역대 어떤 공정보다 빠른 속도로, 스마트폰과 AI 관련 수요가 동시에 강하게 작용한 결과로 풀이된다. TSMC 역시 2025년 1분기 실적 발표에서 “2나노 기술 양산 초기 2년 동안의 새로운 설계는 3나노 및 5/4나노보다 많을 것으로 예상되며, 스마트폰과 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션이 수요를 견인할 것이다”고 밝힌 바 있다. 애플 외에도 퀄컴, 미디어텍, 인텔, AMD 등 주요 반도체 업체들이 2나노 기술 도입을 검토 중인 것으로 알려졌다. 이러한 기업들의 2나노 기술 채택은 2나노 공정의 높은 가동률을 유지하는데 기여할 것으로 전망된다. TSMC는 지정학적 위험을 완화하고, 미국 소비자 수요 증가에 발맞추기 위해 애리조나 공장에 최대 1천650억 달러를 투자하고 있다. 해당 공장은 4나노, 3나노는 물론, 향후 2나노 및 그 이후의 첨단 공정까지 생산할 계획이며, 장기적으로는 전체 2나노 생산능력의 약 30%가 미국에서 충당될 수 있을 것으로 보인다. TSMC는 핵심 연구개발과 공정 설계는 대만에 유지하면서도, 미국 내 생산 확장으로 2나노 공정 및 이후 공정 생산 능력의 최대 30%를 미국에서 생산했다. 이러한 이원화 전략은 TSMC의 지정학적 리스크를 낮춰주는 한편, 고객 요구에 맞춘 생산 능력을 제공할 것으로 보인다.

2025.05.21 17:31장경윤 기자

김용석 가천대 교수 "韓 제조업, '온디바이스 AI'가 이끌 것…창의인재 길러야"

"예전 아날로그에서 디지털로 대전환이 일어났던 것처럼, AI가 또 한번 세상을 바꿀 것입니다. 특히 국내 제조업을 이끌 '온디바이스 AI'에 주목해야 하죠. 국내 산업계가 경쟁력을 유지하기 위해선 온디바이스 AI용 반도체 기술력과, 창의성 있는 엔지니어 확보에 주력해야 합니다" 김용석 가천대 석좌교수(반도체교육원장)는 지난 10일 대구대학교에서 열린 '2025 대한전자공학회 주최 SoC 학술대회' 키노트를 통해서 학생들에게 온디바이스 AI 시대를 대비하기 위한 기술을 소개하고, 인정 받는 SoC(시스템온칩) 설계자가 되기 위한 마음 자세(Attitude)를 설명 했다. 김 교수는 1983년 삼성전자 종합연구소에 입사해 약 30년간 엔지니어로 근무한 시스템반도체 전문가다. TV, 오디오, 통신기기용 ASIC(주문형반도체)를 개발했으며, 초기 갤럭시 스마트폰의 소프트웨어 개발을 맡기도 했다. 현재는 가천대 반도체교육원 초대 원장 겸 반도체공학회 고문, 팹리스 산업협회 고문으로서 국내 반도체산업 발전과 후학 양성에 힘쓰고 있다. 김 교수가 삼성전자에 입사했던 1980년대는 아날로그에서 디지털로의 전환이 시작됐던 시기다. 김 교수 또한 아날로그 방식의 카세트 녹음기를 디지털 방식으로 바꾸는 DAT(Digital Audio Tape) 칩 개발을 맡은 바 있다. 김 교수는 "당시에는 아날로그 제품에 디지털 기술을 적용하는 형태로 제품을 차별화했는데, 맞춤형 반도체 칩을 개발해 탑재하는 것이 경쟁력의 핵심이었다"며 "삼성전자도 DAT 칩의 사양을 직접 정해서 구현해보는 등, 굉장히 모험적인 일을 했었다"고 회상했다. AI로 '제 2의 변혁' 맞은 IT 산업…온디바이스AI 칩 기술력 확보해야 최근 IT 시장은 또 한번의 변혁을 맞이하고 있다. 1980년대 디지털 기술의 도입이 활발했다면, 2020년대에는 이미 디지털화된 제품에 AI 기술을 적용하려는 시도가 대세로 떠올랐다. 삼성전자가 지난해 초 공개한 플래그십 스마트폰 '갤럭시 S24 울트라'가 대표적인 사례다. 해당 제품은 삼성전자의 자체 인공지능 플랫폼을 적용해 온디바이스 AI 기능을 구현한다. 온디바이스 AI란, 서버 및 클라우드를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 김 교수는 온디바이스 AI용 반도체 개발이 국내 반도체 산업의 핵심 과제라고 보고 있다. 온디바이스 AI가 스마트폰 외에도 PC·자동차·로봇 등 다양한 분야에서 빠르게 확산되는 추세에 맞춰, NPU(신경망처리장치)와 같은 맞춤형 반도체 수요도 늘어날 것이라는 전망에서다. 김 교수는 "우리나라가 제조업 측면에서 강점을 지닌 세트 시장은 온디바이스 AI의 가장 유망한 적용처"라며 "글로벌 시장에서 경쟁력을 갖추기 위해서는 온디바이스 AI에 특화된 반도체 기술력을 확보해야 한다"고 강조했다. "韓 미래 인력들, 中 엔지니어와 경쟁하게 될 것" 다만 전 세계 반도체 공급망은 미중간 패권 다툼에 따라 크게 흔들리고 있다. 미국은 자국 내 반도체 공급망 강화를 추진하는 동시에 중국을 지속 견제하고 있으나, 중국 역시 이에 굴하지 않고 적극적인 투자를 진행 중이다. 특히 중국은 세트 업체인 화웨이와 자회사인 반도체 설계 기업 하이실리콘, 파운드리 기업인 SMIC, 메모리 업체인 CXMT·YMTC 등을 보유하고 있다. 이들 기업은 중국 정부의 막대한 지원금을 받으며 기술력을 빠르게 끌어올리고 있다는 평가를 받는다. 김 교수는 "화웨이가 하이실리콘을 통해 7나노미터(nm) 반도체를 설계하고, 이걸 SMIC가 만들어 다시 화웨이 스마트폰에 공급한 사례에 주목해야 한다"며 "칩에서부터 세트까지 전체 공급망을 모두 갖춘 형태의 체제가 이뤄졌다"고 말했다. 이어 "결국 우리나라의 학생들이 취업을 하게 되면, 주요 경쟁자는 중국 반도체 엔지니어가 될 것"이라며 "향후 AI 반도체 분야에서 엔비디아의 아성을 무너뜨릴 수도 있는 만큼, 중국 반도체 기업들의 성장을 주의깊게 봐야 한다"고 덧붙였다. AI 시대 주도권은 결국 사람에게…창의성 적극 길러야 이처럼 글로벌 AI 반도체 경쟁이 심화되는 가운데, 국내 반도체 업계도 양질의 엔지니어 육성 전략에 사활을 걸어야 한다는 지적이 제기된다. 김 교수는 강연에 참석한 학생들에게 "학교는 지식을 중요하게 생각하지만, 사회와 기업에서는 지식과 더불어 창의성, 추진력, 의사소통능력 등을 모두 키워야 한다"며 "특히 창의성은 AI 시대에서 중요한 덕목으로, 스스로 질문하고 답을 찾으려는 태도가 있어야 한다"고 말했다. 생각하는 힘을 기르기 위한 주요 방안으로는 글쓰기를 제시했다. 김 교수는 "하버드 대학 신입생은 한 학기에 적어도 세 편의 에세이를 쓰고, 졸업생들도 성공의 가장 큰 요인을 글쓰기라도 답했다"며 "책이나 강연에서 들은 내용을 A4 용지 한 페이지에 정리하며 생각하는 힘을 길러야 한다"고 설명했다. 끝으로 김 교수는 "AI 시대의 주도권은 사람에게 있다. AI가 하라는 대로 따르는 게 아닌, AI를 조력자로서 최대한 활용해야 한다"며 "향후 일자리는 AI가 없애는 것이 아니라, AI를 잘 다루는 사람과의 경쟁에 밀려 잃게될 것"이라고 강조했다.

2025.05.18 10:19장경윤 기자

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