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AI 칩 '큰손' 떠오른 오픈AI...삼성·SK HBM 확장 기회 열려

인공지능(AI) 반도체 선두 주자인 엔비디아가 주도하는 HBM(고대역폭 메모리) 공급망에 균열이 발생하고 있다. 글로벌 빅테크들이 자체 AI 반도체 개발에 주력하는 가운데 챗GPT 개발사인 오픈AI도 최근 삼성전자·SK하이닉스와 중장기적 협력을 발표했다. 이에 따라 이들 메모리 기업의 HBM 시장 확장은 물론 가격 협상력도 동시에 높아질 것으로 기대된다. 9일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들은 중장기적으로 HBM 고객사 다변화를 추진할 계획이다. HBM 시장은 AI 반도체 최대 기업인 엔비디아가 핵심 고객사로 자리해 왔다. 그러나 엔비디아 칩의 독과점 및 높은 구매비용으로 인해 전 세계 빅테크 기업들은 최근 자체 AI ASIC(주문형반도체) 개발을 적극 추진하고 있는 추세다. 구글과 메타, 아마존웹서비스(AWS), 화웨이 등이 대표적인 사례다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트의 최근 분석에 따르면 AI ASIC 시장은 지난해 90억 달러에서 오는 2030년 850억 달러로 연평균 45%의 성장률을 보일 것으로 전망된다. 욜디벨롭먼트는 "현재 AI칩 시장은 GPU가 주도하고 있지만, AI AISC이 전략적 대안으로 부상하고 있다"며 "AI칩 업계 중 가장 빠르게 성장하는 분야가 될 것"이라고 설명했다. 오픈AI도 최근 대형 HBM 고객사로 부상하고 있다. 오픈AI는 최첨단 파운드리인 3나노미터(nm) 공정 기반의 자체 AI 반도체 개발을 추진 중인 것으로 알려졌다. 칩 설계는 브로드컴과 양산은 TSMC와 협력하는 구조다. 이와 관련 샘 알트만 오픈AI 대표는 지난 1일 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장 등과 잇따라 만나 메모리(HBM) 공급과 관련한 LOI(의향서)를 체결한 바 있다. 샘 알트만 오픈AI 대표는 양사와의 만남에서 웨이퍼 기준 최대 월 90만장에 달하는 고성능 D램 공급량을 요구한 것으로 알려졌다. 업계가 추산하는 삼성전자·SK하이닉스의 D램 생산능력 합계가 월 120만장 수준이라는 점을 고려하면 막대한 규모다. 고성능 D램에는 HBM과 첨단 공정 기반의 서버용 D램, 저전력 D램(LPDDR), HBM 등이 포함될 것으로 관측된다. 빅테크 기업들의 이 같은 탈(脫) 엔비디아 전략은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 기업들에게는 기회로 작용할 전망이다. HBM 시장 자체가 커질 뿐만 아니라, 고객사 다변화를 통해 가격 협상력에서 유리한 위치를 점할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "오픈AI가 삼성전자, SK하이닉스와 중장기적인 협력을 논의한 만큼 HBM4E 시장부터는 시장 구도에 변화가 예상된다"며 "엔비디아도 구매 비중이 축소되면서 이전만큼 HBM에 대한 단가 인하 압박을 요구하지는 못하게 될 것"이라고 설명했다.

2025.10.09 09:17장경윤

인도, 전자부품 제조 투자 180억 달러 몰려…정부 예상치 크게 상회

인도가 전자부품 제조 산업의 글로벌 허브로 급부상하고 있다. 5일 타임스오브인디아에 따르면 인도 정부가 시행 중인 전자부품 제조 인센티브(PLI) 제도에 따라 민간 기업들로부터 접수된 투자 제안 규모가 1조1천억루피(약 180억달러)에 달하는 것으로 집계됐다. 이는 정부가 당초 예상했던 수준을 훨씬 웃도는 수치다. PLI 제도는 기업이 일정 생산 실적을 달성하면 보조금을 지급하는 방식으로, 전자·반도체 부문에서 해외 기업과 국내 기업 모두를 대상으로 투자 유치를 촉진한다. 이번 투자 제안에는 반도체, 전력용 반도체(SiC), 디스플레이 패널, PCB(인쇄회로기판) 등 핵심 전자부품 분야가 포함됐다. 특히 오디샤 주에서는 반도체 관련 프로젝트 2건이 승인됐으며, 총 투자액은 4천9억루피(약 6억5천만 달러)에 달한다. 현지 전문가들은 “인도가 기존 스마트폰·가전 중심 제조를 넘어, 고부가가치 반도체와 전자부품 생산으로 영역을 확대하는 신호”라고 평가했다. 이번 투자 제안의 폭증은 인도가 글로벌 전자·반도체 공급망에서 차지하는 전략적 중요성이 커지고 있음을 보여준다. 미국, 일본, 대만 중심의 공급망 의존도를 줄이려는 글로벌 기업들이 인도를 새로운 생산 거점으로 검토하면서 투자 제안이 급증했다는 분석이다. 한 업계 관계자는 “인도 정부의 PLI 제도와 함께, 제조 기반 확대와 인력 양성, 전력·물류 인프라 개선이 병행된다면 인도는 아시아의 핵심 반도체 허브로 자리잡을 잠재력이 충분하다”고 말했다.

2025.10.05 10:55전화평

美 러트닉 "대만, 미국 내 반도체 50% 생산 위해 거점 이전해야"

미국이 자국 내 반도체 수요의 절반을 현지에서 생산할 수 있도록, 대만의 반도체 생산시설을 미국에 옮기도록 요구하고 있다고 블룸버그통신이 29일 보도했다. 논의가 현실화될 경우 전 세계 반도체 공급망에 급격한 변화가 예상된다. 하워드 러트닉 미 상무장관은 현지 매체 뉴스네이션(NewsNation)과의 인터뷰에서 "이러한 방안을 미국 및 대만 정부가 논의해 왔다"며 "대만을 자국 영토라고 주장하는 중국의 무력 침공으로부터 대만을 효과적으로 방어할 수 있는 유일한 방법"이라고 강조했다. 러트닉 상무장관은 이어 "대만과 나눈 대화에서 우리가 전달한 것은, 미국이 50%의 반도체를 생산하는 것이 절대적으로 중요하다는 점"이라며 "미국 내 수요 충족을 위해 반도체 생산 점유율을 50%까지 끌어올리는 것이 우리의 목표"라고 말했다. 미국 주요 인사들은 이전부터 대만 TSMC 등에 첨단 반도체 양산을 과도하게 의존하는 구조가 위험하다고 경고해 왔다. 반도체가 자동차 산업부터 군사, AI 등 산업 전반의 핵심 요소로 떠올랐기 때문이다. 이에 TSMC는 미국 내 반도체 생산능력 확대를 위한 설비투자에 총 1천650억 달러(한화 약 240조 원)에 이르는 막대한 투자를 약속한 바 있다. 첨단 파운드리 기술을 보유한 삼성전자 역시 미국 오스틴 지역에 첨단 파운드리 팹을 건설하고 있다. 논의된 투자 규모는 370억 달러다. 다만 미국이 실제로 반도체 양산을 자급자족하기 위해서는 막대한 자본만이 아니라 반도체 생태계를 구성하는 수많은 협력사들을 미국으로 대거 옮겨와야 하는 상황이다. 러트닉 상무장관은 이번 뉴스네이션과의 인터뷰에서 미국이 대만을 어떻게 설득할 게획인지에 대해서는 구체적으로 언급하지 않았다. 그는 "미국은 여전히 대만에 근본적으로 의존하고 있다. 나머지 절반이 없이는 살 수 없기 때문"이라며 "우리의 계획이 얼마나 성공적인지 보면 모두가 놀라게 될 것"이라고 밝혔다.

2025.09.30 09:23장경윤

퀄컴 "삼성 갤럭시S26도 개발 협력…전용 칩 적용 가능성 있어"

[하와이(미국)=장경윤 기자] "퀄컴과 삼성전자 모바일의 관계는 환상적이다. 내년 출시될 갤럭시S26 스마트폰을 함께 개발해 왔고, 전용 스냅드래곤 칩의 탑재 가능성이 확실히 있다. 삼성 파운드리와도 매우 협력적인 관계를 유지하고 있다" 알렉스 카투지안 퀄컴 수석부사장 겸 모바일·컴퓨트·XR (MCX) 본부장은 24일(현지시간) 미국 하와이에서 기자들과 만나 회사의 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 삼성전자 모바일·파운드리와 '전방위 협력' 공고 퀄컴은 올해 스냅드래곤 서밋에서 차세대 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)인 '스냅드래곤 8 엘리트 5세대'를 공개했다. 해당 칩셋은 삼성전자가 내년 출시하는 '갤럭시S26' 시리즈를 비롯해, 전 세계 주요 안드로이드 스마트폰에 탑재될 예정이다. 특히 퀄컴은 삼성전자의 니즈에 따라 갤럭시 전용 칩을 공급하고 있다. 내년 출시되는 갤럭시S26에서도 동일한 협력 구조가 기대된다. 알렉스 카투지안 수석부사장은 "갤럭시S26 시리즈에 전용 스냅드래곤 칩을 적용하는 것은 확실히 가능성이 있다"며 "구체적으로 언급할 수는 없지만 삼성전자와 퀄컴은 약 2년 전부터 내년 출시되는 갤럭시S에 탑재되는 제품에서 IP(설계자산) 부분을 함께 작업했고, 기기 성능을 더 강력하게 만들었다"고 말했다. 나아가 삼성전자와 퀄컴은 차세대 통신 기술인 6G 분야에서도 협력할 예정이다. 퀄컴이 예상하는 6G 지원 디바이스의 상용화 시기는 빠르면 2028년으로, 알렉스 카투지안 부사장은 "삼성전자를 비롯한 여러 회사들과 파트너십을 맺고 2029년에 사용할 수 있는 스마트폰을 어떻게 만들지 고민할 것"이라고 설명했다. 이번 스냅드래곤 신제품은 TSMC의 3나노미터(nm) 공정을 채택했다. 다만 퀄컴은 파운드리 공급망을 다변화하는 전략을 고수하는 기업으로, 삼성전자 파운드리 역시 지속적으로 채용을 검토 중이다. 알렉스 카투지안 수석부사장은 "퀄컴은 팹리스 기업으로서 언제든 파운드리 공급망을 전환할 능력이 있고, 삼성 파운드리와도 항상 매우 협력적인 관계를 유지해 왔다"며 "디지털뿐만이 아니라 아날로그, 혼성 회로(IC) 등 다른 영역에서도 필요할 때 어떤 파운드리든 활용할 수 있다"고 말했다. 그는 이어 "삼성전자와 퀄컴은 고객사이자 경쟁자, 공급자인 매우 독특한 관계"라며 "다만 삼성전자 모바일과의 관계는 환상적으로, 더 나은 제품과 사용자 경험을 위해 서로를 밀어주며 기술을 발전시키는 훌륭한 관계"라고 덧붙였다. "프리미엄 사용자 경험이 중요"…모바일·PC 시장 확대 자신 차세대 칩셋을 통한 모바일 및 PC 시장 확대도 자신했다. 알렉스 카투지안 수석부사장은 스냅드래곤 8 엘리트 5세대에 대해 "삼성전자 엑시노스나 미디어텍 제품과 비교해 퀄컴이 빛나는 점은 프리미엄 사용자의 경험"이라며 "퀄컴은 벤치마크가 아닌 실제 사용 환경에서 기기가 어떻게 작동하는 지를 더 중요하게 생각하고, 구글과 같은 파트너사들이 우리를 선호하는 이유"고 말했다. 스냅드래곤 X2 엘리트 제품군은 AI PC 시장을 목표로 개발된 2세대 PC용 프로세서다. 초고성능의 '스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림'과 한 단계 아래 급의 성능인 '스냅드래곤 X2 엘리트'로 나뉜다. 알렉스 카투지안 수석부사장은 "1세대 제품은 출시 18개월만에 주요 프리미엄 PC 시장서 점유율을 9~10% 수준으로 확보하는 진전을 이뤘고, 2개의 2세대 제품으로 시장을 확장하고자 한다"며 "강력한 CPU 및 NPU 성능을 기반으로 향후 4~5년간 계속해서 성장할 것"이라고 강조했다.

2025.09.25 11:05장경윤

차세대 전력반도체 장비 국산화로 시장 뚫는다

국내 반도체 제조장비 업계가 SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등으로 대표되는 차세대 전력반도체 시장 공략에 적극 나서고 있다. 기존 해외 기업들이 주도하던 제품을 국산화해 최근 국내외 고객사들을 대상으로 적극적인 프로모션과 데모 테스트에 나섰다. 지난 14일부터 19일까지 개최되는 부산 벡스코(BEXCO) 내 '제22회 국제탄화규소 학술대회(ICSCRM 2025)' 행사장에서는 이러한 국내 장비 기업들의 성과와 노력을 직접 확인할 수 있다. 장비업체 테스는 SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD) 장비 'TRION'을 상용화했다. CVD는 화학 반응을 통해 웨이퍼 표면에 얇은 막을 형성하는 공정을 뜻한다. 해당 장비는 기존 독일 엑시트론, ASM 자회사 LPE 등 해외 기업들이 사실상 시장을 독점해 왔다. TRION은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 제어할 수 있다. 또한 공정 가스 분사 시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 노즐 기술도 갖췄다. 테스 관계자는 "기존 DUV(심자외선) LED 분야에서 쌓아온 CVD 기술을 토대로 개발된 TRION은 경쟁사 대비 장비의 성능 및 생산효율성, 가격 경쟁력 면에서 모두 우위를 갖추고 있다"며 "현재 데모 설비 구축을 완료하고, 국내외 고객사들과 공급 논의를 진행 중"이라고 설명했다. 나아가 테스는 오는 2027년께 12인치 SiC 전력반도체에 대응하는 신규 CVD 장비도 출시할 계획이다. 현재 SiC 전력반도체 시장이 6인치에서 8인치로 넘어가는 것처럼, 향후 2~3년 뒤 12인치 시장이 개화할 것이라는 전망에서다. 제우스는 급속열처리(RTP) 장비로 관련 시장에서 두각을 드러내고 있다. RTP는 짧은 시간 동안 웨이퍼에 고온 환경을 조성해 소재의 전기적 특성을 개선하는 공정이다. 앞서 제우스는 지난 2023년 전력반도체용 RTP 장비인 'RHP'를 공개한 바 있다. 해당 장비는 평직물 구조의 텅스텐 할로겐 램프를 동심원 형태로 구성해, 열을 균일하게 전달한다. 제우스는 약 2년 전부터 해외 주요 SiC 기업인 온세미와 RTP 장비 평가를 진행해, 현재 테스트를 완료했다. 또한 국내 SiC 소자기업과도 공급계약을 체결했다. 제우스 관계자는 "중국 등 주요 전력반도체 시장 공략도 추진 중"이라고 설명했다. 이오테크닉스는 기존 메모리에 적용했던 레이저 어닐링 장비를 SiC 등 타 분야로도 확장하는 방안을 추진 중이다. 어닐링은 이온 주입 후 손상되는 웨이퍼의 결정 구조를 복원하기 위해 표면을 국소적으로 가열 및 냉각하는 공정이다. 웨이퍼 전체에 열을 가하던 기존 기술과 달리, 레이저는 필요한 부분에만 국소적으로 어닐링을 진행할 수 있어 미세 공정 구현에 용이하다. 이오테크닉스 관계자는 "전력반도체용 레이저 어닐링 장비는 기존 일본 장비기업이 주도하던 분야로, 이오테크닉스도 SiC 분야로 꾸준히 프로모션을 진행 중"이라고 밝혔다. SiC·GaN은 기존 실리콘 대비 고온 및 고전압에 대한 내구성이 뛰어나며, 전력효율성이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 특히 SiC는 내구성이 더 뛰어나 전기차 등 자동차 시장에서 수요가 급격히 증가하고 있다. GaN은 스위칭 속도가 빨라 고주파 환경의 무선 통신에 선제적으로 적용됐으며, 점차 적용처가 확대되는 추세다.

2025.09.17 11:20장경윤

정부, 규제 혁신 통해 용인 반도체 클러스터 조성 앞당긴다

김민석 국무총리는 11일 오전 용인 반도체 클러스터 건설 현장을 찾아 반도체 기업인들과 현장 간담회를 갖고 공사현장 안전조치사항 등을 점검했다. 이날 현장에는 곽노정 SK하이닉스 대표, 윤종필 에코에너젠 대표, 유원양 티이엠씨 대표, 이재호 테스 대표, 김정회 한국반도체산업협회 부회장, 산업부 1차관, 국토부 1차관, 소방청 차장, 국무조정실 국무총리비서실장 등이 참석했다. 이번 현장 방문은 AI 산업 발전의 필수 요소인 반도체를 생산하는데 있어, 규제로 인해 기업에 부담을 주는 점은 없는지 업계 의견을 경청하고 합리적인 방안을 찾기 위해 마련됐다. 우선 소방관 진입창 설치기준이 합리화된다. 현행으로는 건물 종류와 무관하게 11층까지 진입창을 의무적으로 설치해야 하나, 층고가 높은 반도체 공장의 특성 고려해 사다리차가 닿지 않는 44m(6층) 초과 부분에는 진입창 설치를 면제하도록 했다. 수평거리에 따른 진입창 설치의무 기준도 기존 40m에서 유연하게 적용하기로 했다. 수직 배관통로에 층간 설치해야 했던 방화구획 기준은 배관통로 내부 소화설비 설치 등 효과적인 안전 담보방안을 마련하는 것으로 개선된다. 또한 기존에는 연간 20만MWh 이상 에너지 사용 사업자가 자체적으로 분산에너지 설비를 설치해야 했으나, 앞으로는 동일 산단에 의무설치량 이상의 발전설비 설치(예정 포함) 시 분산에너지 설치 의무 적용을 제외하기로 했다. 산업단지 내 임대사업 제한도 완화된다. 반도체 칩 제조기업이 직접 소부장 실증테스트를 지원하는 미니팹에 대해서는 소부장 기업들의 경쟁력 향상을 위해 공장설립 완료신고 까지 기다리지 않고, 미니팹을 임대할 수 있도록 '소부장특별법'상 특례를 적용하는 방안을 검토하고 있다. 금번 규제개선으로 ▲공장 건설기간 단축(2개월) ▲대규모 발전설비 미설치에 따른 추가 부지 확보 등으로 비용절감이 기대된다. 김 총리는 현장 간담회에서 “반도체는 AI 산업 발전의 쌀로 비유될 만큼 AI가 구현되는 모든 기기의 핵심 요소"라며 "2024년 기준 국내 총수출액의 20.8%를 차지할 만큼 우리 경제에서 중요한 역할을 차지하고 있다”고 밝혔다. 그는 이어 “용인 반도체 클러스터는 2047년까지 총 10기의 생산 팹 구축을 목표로 총 622조원이 투자되는 세계 최고·최대 규모의 반도체 단지"라며 "정부는 산업단지 개발과 기반시설 구축이 차질 없이 진행될 수 있도록, 나아가 우리 반도체 산업이 한 단계 더 도약할 수 있도록 필요한 지원을 계속하고 있다"고 강조했다.

2025.09.11 14:47장경윤

"美, 삼성·SK 中 공장 장비 반출 연간 승인 검토"

미국 상무부가 자국 반도체 제조장비의 삼성전자·SK하이닉스 중국 공장 수출에 대해 매년 승인을 내리는 안건을 검토하고 있다고 블룸버그통신이 7일 보도했다. 블룸버그통신은 미 상무부 관계자를 인용해 "이전 한국 반도체 제조업체들이 확보했던 무기한 허가 대신, 연간으로 승인을 받는 방안을 한국 정부에 제시했다"며 "바이든 정부 시절의 면제 조치를 철회한 후 글로벌 전자 산업의 혼란을 막기 위한 타협안"이라고 설명했다. 기존 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에 속해 왔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 그러나 최근 도널드 트럼프 미국 대통령은 삼성과 SK 등 국내 기업들에게 부과된 VEU를 철회하겠다고 밝혔다. VEU 철회 시점은 내년 초부터다. VEU 철회 대신 연간 승인 제도가 도입되는 경우, 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 공장 운영에 대한 압박감은 다소 줄어들 전망이다. 그러나 미국 정부의 입장에 따라 사업에 큰 변수가 상존한다는 점에서는 여전히 악재다. 블룸버그는 "트럼프 행정부의 제안은 한국의 두 기업이 1년 치의 장비, 부품, 소재에 대한 정확한 수량으로 승인을 받도록 요구한다"며 "또한 설비의 업그레이드 혹은 생산능력 확장에 사용될 수 있는 장비의 운송은 승인하지 않을 것"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다.

2025.09.08 17:26장경윤

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

TSMC, 美 첨단 패키징 선점 속도…삼성전자는 투자 부담 '신중'

미국 정부가 자국 내 반도체 공급망 강화 전략에 열을 올리고 있는 가운데 대만 주요 파운드리 TSMC는 현지 최첨단 파운드리 및 패키징 팹 구축에 적극 나서고 있다. 반면 삼성전자 역시 첨단 파운드리 팹을 건설 중이나, 패키징 투자에는 부담을 느끼는 것으로 알려져 향후 두 회사의 행보에 관심이 쏠린다. 29일 업계에 따르면 TSMC는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력 확보를 위한 설비투자에 적극적으로 나서고 있다. TSMC, 美 첨단 패키징 팹 2곳 신설…글로벌 빅테크 대응 준비 앞서 TSMC는 지난 3월 미국 내 첨단 반도체 설비투자에 1천억 달러(한화 약 138조원)의 신규 투자 프로젝트를 발표한 바 있다. 구체적으로 신규 파운드리 팹 3곳, 첨단 패키징 팹 2곳, 대규모 R&D(연구개발) 팹 등이 건설될 계획이다. 이 중 TSMC의 첨단 패키징 팹 2곳은 모두 애리조나주에 부지를 조성할 것으로 알려졌다. 명칭은 AP1·AP2로, 내년 하반기부터 착공에 돌입해 오는 2028년 양산이 시작될 전망이다. 대만 현지 언론에 따르면 AP1은 SoIC(system-on-Integrated-Chips)를 주력으로 양산한다. SoIC는 각 칩을 수직으로 적층하는 3D 패키징의 일종으로, 기존 칩 연결에 필요한 작은 돌기인 범프(Bump)를 쓰지 않는다. 덕분에 칩 간 간격을 줄여, 데이터 송수신 속도 및 전력효율성이 대폭 개선된다. AP2는 CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate) 기술을 주력으로 담당할 예정이다. CoPoS는 칩과 기판 사이에 얇은 막을 삽입하는 2.5D 패키징을 바탕으로 한다. 기존 2.5D 패키징은 원형 모양의 웨이퍼에서 진행됐으나, CoPoS는 이를 직사각형 패널 상에서 수행한다. 패널의 면적이 웨이퍼 보다 넓고, 인터포저를 더 효율적으로 배치할 수 있어 생산성 향상 및 대면적 칩 제조에 유리하다. 이처럼 TSMC가 미국 내 최첨단 반도체 패키징 생산능력을 확보하려는 배경에는 공급망 문제가 영향을 미치고 있다는 평가다. 최근 미국 정부는 자국 내 반도체 산업 강화를 위해 보조금 지급, 관세 압박 등 다양한 전략을 펼치고 있다. 이에 글로벌 빅테크 기업들은 자사 칩의 양산 및 패키징을 미국 내에서 진행하는 구조를 선호하고 있다. 삼성전자, 2나노 양산에 역량 집중…첨단 패키징 투자에 부담 삼성전자 파운드리 역시 대형 고객사 확보를 위해서는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 미리 갖춰야 할 것으로 관측된다. 다만 삼성전자는 이러한 투자에 부담을 느끼고 있는 것으로 알려졌다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 확대하기 어렵고, 최첨단 파운드리 공정 개발 및 미국 내 신규 팹 구축에 이미 상당한 자원을 투자하고 있어서다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 해당 팹은 올 연말부터 양산라인을 구축할 계획으로, 추후 지난달 약 22조원의 반도체 위탁생산 계약을 맺은 테슬라의 첨단 반도체 'AI6'를 양산하는 것이 목표다. AI6는 플립칩 본딩(칩 패드 위에 범프를 형성해 칩과 기판을 연결하는 기술) 등 기존 레거시 패키징 기술이 쓰인다. 다수의 AI6 칩을 대형 모듈로 제조하는 데에는 최첨단 패키징이 필요하지만, 현재 해당 영역은 인텔의 수주가 유력하다. 때문에 삼성전자 입장에서는 당장 미국에 최첨단 패키징 생산능력을 확보할 요인이 부족한 상황이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 테슬라 2나노 칩을 성공적으로 양산하는 데만 해도 많은 과제를 떠안고 있고, 실패 시 되돌아올 리스크가 매우 크다"며 "이러한 상황에서 최첨단 패키징 분야까지 막대한 자원을 투자하기에는 여러 측면에서 무리가 있을 것"이라고 설명했다.

2025.08.29 14:08장경윤

에프엔에스테크, 대만 아사히 램프 108억억원에 인수

산업통상자원부는 29일 투자연계형 기술확보지원사업을 통해 에프엔에스테크가 대만 반도체 부품 제조업체인 아사히 램프을 108억원에 인수했다고 밝혔다. 아사히 램프는 반도체 급속 열처리(RTP) 및 에피택셜 증착(EPI) 공정에 활용되는 텅스텐 할로겐 램프 제조기술을 보유한 기업으로, 미국 어플라이드 머티리얼즈·대만 TSMC 등에 공급하고 있다. 산업부 관계자는 “현재 고출력 반도체 공정용 램프는 국내 생산 기반이 업성 전량 해외에 의존하고 있다”며 “이번 인수는 단기적으로 안정적 부품확보와 시장확대를, 중장기적으로는 기술 내재화를 통한 국내 반도체산업 공급망 안정성과 경쟁력 강화에 기여할 것”으로 기대했다. 산업부와 한국소재부품장비투자기관협의회(KITIA)는 매물 발굴, 실사 및 기술 평가 지원 등을 통해 국내 기업의 해외기술 확보를 지원하고 있다. 올해부터 공급망 전략수립 지원을 신설, 세액공제 연장도 추진 중이다. 나성화 산업부 산업공급망정책관은 “해외 M&A는 기술과 시장을 동시에 확보할 수 있는 제2의 R&D”라며 “정부 지원을 적극 활용해 해외기술 확보에 나서줄 것”을 당부했다. 한편, 에프엔에스테크는 지난 2013년에도 산업부 지원을 받아 미국 이노패드를 인수해 연마용 패드(CMP PAD) 기술을 확보, 현재 삼성전자 등 국내 주요 반도체 기업에 공급 중이다.

2025.08.28 16:41주문정

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

AI가속기 붐에 CCL 몸값 '고공행진'…두산 전자BG, 설비투자 확대

글로벌 빅테크의 자체 AI 가속기 개발이 가속화되면서, 핵심 부품인 CCL(동반적층판)의 수요도 증가할 전망이다. 이에 맞춰 두산도 고부가 CCL 시장 선점을 위한 설비투자에 적극 나서고 있다. 22일 업계에 따르면 두산 전자BG는 올해 CCL용 설비투자에 전년 대비 2배 이상 증가한 864억원을 투입할 예정이다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재로, 수지·유리섬유·충진재·기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만들어진다. 현재 반도체 패키징·전자기기·통신 등 다양한 산업에 쓰이고 있다. 특히 CCL은 AI 반도체 산업에서 주목받는 추세다. 엔비디아·AMD 등 거대 팹리스와 구글·AWS·메타 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들이 AI 반도체 개발 경쟁을 치열하게 벌인 덕분이다. AI 반도체가 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 만큼, CCL도 더 뛰어난 고주파·고속·저손실을 갖춘 제품이 필요하다. 두산 전자BG의 경우 지난 2023년부터 엔비디아에 납품을 시작해, 지난해 'B100' 등 주요 제품의 핵심 공급망으로 자리잡는 등의 성과를 거뒀다. 나아가 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 칩에서도 상당한 공급 비중을 차지할 수 있을 것으로 관측된다. 덕분에 두산 전자BG의 CCL 가격은 꾸준히 상승하고 있다. 정기보고서에 따르면 이 회사의 CCL 평균판매가격은 2023년 4만7천308원에서 지난해 5만1천22원으로 7% 이상 상승했다. 올해 상반기는 5만8천794원으로 전년 연간평균 대비 15%가량 상승했다. 부품 업계 관계자는 "엔비디아 루빈 칩의 경우 대만 EMC도 컴퓨팅 트레이(GPU 연결 기판)용 CCL 공급망에 진입할 예정이나, 두산도 점유율 방어를 위해 만전을 기울이는 중"이라며 "나아가 두산은 아마존 등 다른 빅테크 기업들에게도 CCL을 공급하기 위한 준비에 나서고 있다"고 설명했다. 이에 따라 두산 전자BG는 올해 CCL 생산능력 확대에 적극 나설 계획이다. 이 회사가 CCL에 집행한 연간 설비투자 규모는 2023년 418억원, 지난해 386억원 수준이다. 올해에는 이를 864억원으로 대폭 늘릴 예정이다.

2025.08.22 10:17장경윤

퀄컴칩 비싸다?...삼성 옥죄는 모바일 AP 비용 부담의 진짜 이유

삼성전자 스마트폰 사업이 비용 부담에 시달리고 있다. 핵심 부품인 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)의 가파른 가격 상승세 때문이다. 자체 칩인 '엑시노스'의 탑재 비중을 확대하면 매입 원가를 낮출 수 있지만, 제품 성능 및 시장성을 고려하면 당장 퀄컴 칩을 대체하기 힘든 상황이다. 대신 업계는 '첨단 파운드리 공급망' 변화에 주목한다. 현재 최첨단 AP 양산은 대만 파운드리 TSMC가 사실상 독식하는 구조로, TSMC는 매우 높은 이익을 거두고 있다. 향후 삼성 파운드리가 기술 경쟁력을 충분히 확보하는 경우, 경쟁 체제 전환으로 AP 제조비용을 구조적으로 낮출 수 있다는 분석이 나온다. 22일 업계에 따르면 주요 모바일 AP 제조업체들은 최첨단 파운드리 공정 사용에 따른 비용 압박에 직면해 있다. 모바일 AP 가격 상승세…스마트폰 업계 원가 부담으로 모바일 AP는 스마트폰 등 IT 기기의 두뇌 역할을 하는 핵심 반도체다. CPU·GPU 등 다양한 시스템반도체를 단일 칩에 집적한 구조로 만들어진다. 성능에 매우 민감한 제품이기 때문에, 글로벌 빅테크를 중심으로 매년 최첨단 파운드리 공정을 채택한 신규 AP가 개발되고 있다. 그만큼 AP 단가도 꾸준히 상승하는 추세다. 삼성전자 정기보고서에 따르면, 이 회사의 올 상반기 모바일 AP 평균 매입 가격은 전년 연평균 대비 약 12% 상승했다. 일차적인 원인은 삼성전자의 모바일 AP 채택 전략에 있다. 일례로 삼성전자가 올해 1분기 출시한 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈는 미국 팹리스 퀄컴이 설계한 '스냅드래곤 8 엘리트' AP를 전량 탑재했다. 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 '엑시노스' AP를 자체 설계 및 양산하고는 있으나, 성능·안정성 등을 이유로 퀄컴 칩을 채택한 것으로 알려졌다. 때문에 삼성전자가 퀄컴 칩 대신 엑시노스의 비중을 높여야 AP 매입 원가에 대한 압박을 완화할 수 있다는 의견도 제기된다. TSMC가 '진짜 수혜자'…독점 구도로 고마진 챙겨 업계는 첨단 파운드리 시장의 구조적 요인이 AP 매입 비용 상승에 더 큰 영향을 미치고 있다고 보고 있다. 겉으로는 삼성전자가 퀄컴의 최신형 칩 구매에 더 많은 돈을 투자하고는 있지만, 퀄컴 역시 위탁생산을 하는 TSMC의 첨단 공정에 의존하면서 수익성을 대폭 끌어올리지 못하고 있기 때문이다. 일례로 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트는 TSMC의 2세대 3나노(N3E) 공정을 활용한다. 해당 공정의 가격은 웨이퍼 당 1만8천500달러로 알려져 있다. 이전 공정인 4·5나노(1만5천달러) 대비 23%가량 비싸다. 나아가 TSMC는 최근 3나노 등 주력 공정의 가격을 최대 8%까지 인상할 계획인 것으로 알려졌다. 재주는 곰이 부리지만 실제 돈을 버는 쪽은 TSMC 격인 셈이다. 류영호 NH투자증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "현재 TSMC의 대체 기업이 없는 만큼 가격인상에 반대할 고객사는 없을 것으로 예상한다"며 "올해 말 신제품을 출시하는 퀄컴도 이에 따른 가격 인상을 반영할 예정이기 때문에 스마트폰 제조업체에는 부정적"이라고 평가했다. 실제로 TSMC는 첨단 파운드리 시장 내 독점적인 구조로 업계 최상위권의 수익성을 유지하고 있다. TSMC의 올 2분기 매출은 9천337억9천만 대만달러, 영업이익은 4천634억2천300만 대만달러로 집계됐다. 영업이익률은 무려 49.6%에 달한다. 비슷한 시기 퀄컴의 모바일 AP 사업이 포함된 QCT 분야 영업이익률은 30% 수준이다. 이러한 독점 구조에 따른 AP 가격 상승 추세는 공정 고도화가 진행될수록 심화될 전망이다. 퀄컴이 올해 말 출시하는 '스냅드래곤 8 엘리트 2'는 TSMC의 3세대 나노 공정인 N3P를 주력으로 채용한다. 구체적인 정보는 아직 드러나지 않았으나 N3E 대비 높은 가격 책정이 불가피하다. 또한 TSMC의 2나노 공정 채택 시에는 가격이 웨이퍼 당 3만 달러에 달할 것으로 예상된다. 삼성전자 파운드리 공정 가격은 TSMC보다 저렴하지만, 공정 제조비용을 고려하면 단가 상승률은 TSMC와 비슷할 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "파운드리 공정이 개선될수록 비용이 최소 10~15% 가량 상승하는 반면, 스마트폰 판매가격은 인상폭이 제한적이기 때문에 현재 AP 설계 업체들은 모두 딜레마에 빠져있는 상황"이라며 "매년 첨단 공정을 써야 하는 당위성이 점차 사라지고 있어, 이러한 사업 구조가 언제까지 지속될 수 있을지에 대한 의문을 품어야 하는 시기"라고 토로했다. TSMC 독점 구조 깨고 '이원화'가 해법…삼성 파운드리 약진에 기대 걸어야 지속적인 스마트폰 AP 단가상승은 고(高)마진 전략을 취하는 TSMC의 최첨단 파운드리 공정의 독점 구도가 깨져야만 완화될 것으로 관측된다. 결과적으로 삼성 파운드리의 기술력 및 시장성 향상이 가장 중요한 변수로 작용할 전망이다. 기초 구조는 이미 마련됐다. 삼성전자는 지난달 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체 위탁생산 계약을 체결했다. 테슬라의 차세대 자율주행, 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 'AI6' 칩을 2나노 공정으로 양산하는 것이 주 골자다. 애플도 최근 삼성전자 텍사스 오스틴 파운드리 팹에서 차세대 이미지센서를 양산하기로 했다. 삼성 파운드리가 이들 글로벌 빅테크의 칩을 성공적으로 양산하는 경우, 다른 고객사들을 추가로 확보하기가 수월해진다. 고객사 입장에서도 TMSC와 삼성 파운드리 간의 저울질을 통해 단가를 낮출 수 있다는 이점을 누리게 된다. 실제로 퀄컴은 스냅드래곤 8 엘리트 2 칩을 TSMC 3나노 공정, 삼성전자 2나노 공정에서 모두 개발하고 있다. 삼성전자가 실제 양산할 물량은 적은 수준으로 평가되지만, 최첨단 모바일 AP 공급망 구조에 변화를 촉발 시킬 수 있다는 점에서는 의의가 있다. 반도체 업계 관계자는 "파운드리 간의 경쟁 체제는 최근 급격하게 증가하고 있는 AP 제조비용을 근본적으로 저감할 수 있는 좋은 기회"라며 "AP 비용 상승 억제는 스마트폰 등 IT 기기의 가격에도 영향을 미쳐, 소비자들의 부담을 덜 수 있는 결과로도 작용하게 될 것"이라고 말했다.

2025.08.22 08:58장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

中 투자 감소·수출 규제 여파…반도체 장비社도 골머리

미국 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 일본 도쿄일렉트론(TEL) 등 주요 반도체 장비기업의 중국향 매출이 감소할 전망이다. 중국 반도체 기업들의 투자 규모 축소, 수출 규제에 따른 여파 등 다양한 요인이 영향을 미치고 있는 것으로 알려졌다. 국내 기업들도 일부 영향을 받을 것으로 관측된다. 18일 업계에 따르면 주요 반도체 장비업계는 중국 내 수요 감소, 수출 규제 영향 등으로 향후 전망에 대한 불확실성이 높아지고 있다. AMAT는 전 세계 반도체 장비기업 중 매출 규모가 가장 크다. 지난 7월 27일로 종료된 회계연도 2025년 3분기 매출은 73억2천만 달러로, 전년동기 대비 8% 증가했다. 다만 4분기 매출 전망치는 평균 67억 달러로, 증권가 예상치인 73억3천만 달러를 크게 밑돌았다. 회사는 중국 시장의 매출 감소를 주 요인으로 꼽았다. 3분기 전체 매출에서 중국이 차지하는 비중은 35%에 달하지만, 4분기에는 이 비중이 29%까지 줄어들 전망이다. 게리 딕커슨 AMAT 최고경영자(CEO)는 "중국이 지난 2년간 매우 많은 장비를 사들였고, 이를 소화하는 시기가 필요하기 때문에 올해 매출은 줄어들 것으로 예상한다"며 "올해 중국 매출은 전년 대비 약 15~20% 감소할 것으로 보고 있고, 향후 몇 분기간 이러한 수준이 유지될 것"이라고 설명했다. 또한 AMAT는 중국향 수출 승인이 대기 중인 건들이 "다수 쌓여 있다"고 표현했다. 현재 미국은 자국 내 반도체 장비 기업들의 첨단 메모리·시스템반도체 양산용 장비가 중국에 수출될 경우 개별 허가를 받도록 규제하고 있다. 이에 AMAT는 매출 전망치를 제시할 때 중국 수출 승인을 대기 중인 물량을 모두 제외한 것으로 알려졌다. 일본 주요 반도체 장비업체 TEL도 회계연도 2026년(2026년 3월 말 종료) 전체 전공정 장비 시장 성장률을 -5%로 예상했다. 주요 원인으로는 일부 선단 시스템반도체 고객사들의 설비투자(Capex) 계획 재조정, 신흥 중국 반도체 제조기업들의 레거시(성숙) 공정 관련 투자 축소, 낸드 부문의 투자 계획 조정 등을 제시했다. 회사는 향후 중국 반도체 기업들의 투자 전망에 대해서도 "현재 새로운 투자 계획은 보이지 않는다"며 "일반적으로 반도체 기업은 수율 개선 및 장비 가동률 상승, 이에 따른 매출 증가 등의 경향이 있으나 지금까지는 그런 징후가 나타나지 않고 있다"고 설명했다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 기업들도 중국 내 반도체 기업들의 공격적인 투자로 최근 1~2년간 매출 비중을 확대한 사례가 꽤 많다"며 "다만 중국 내에서 반도체 장비 공급망 자립화가 적극적으로 이뤄지고 있고, 이전만큼 생산능력을 적극 확장하기도 힘들어 효과는 감소하게 될 것"이라고 말했다.

2025.08.18 14:29장경윤

삼성전자, 초대형 반도체 패키징 시장 겨냥 'SoP' 상용화 추진

삼성전자가 최첨단 패키징 기술의 일종인 'SoP(시스템온패널)'를 개발하고 있는 것으로 파악됐다. SoP는 초대형 패널 위에 반도체를 집적하기 때문에, 기존 반도체 대비 상당히 큰 모듈을 제작할 수 있다는 장점이 있다. SoP 기술이 빠르게 고도화되는 경우, 삼성전자는 테슬라의 차세대 '도조(Dojo)' 패키징 공급망에 진입할 수 있을 것으로 기대된다. 현재 테슬라는 도조에 탑재될 'AI6' 칩을 삼성전자 파운드리에, 패키징을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중이다. 12일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자는 초대형 반도체 패키징 모듈을 위한 SoP의 상용화를 추진하고 있다. 패널 상에서 초대형 모듈 패키징…TSMC SoW 대항마 SoP는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 사각형 패널 위에서 여러 반도체를 직접 이어붙이는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 삼성전자는 기존 FOPLP 등 패널 레벨 패키징에서 쌓아온 기술력을 토대로, 현재 415 x 510mm 크기의 SoP를 연구 개발하고 있다. SoP에 대응하는 가장 대표적인 패키징 기술은 TSMC의 SoW(시스템온웨이퍼)다. 전반적인 구조는 SoP와 유사하나, 패널이 아닌 웨이퍼 상에서 패키징을 진행한다는 점이 다르다. 테슬라·세레브라스 등이 SoW 기술을 통해 슈퍼컴퓨팅용 반도체를 양산한 바 있다. 또한 TSMC는 지난 4월 SoW의 차세대 기술인 'SoW-X'를 공개한 바 있다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩과 80개의 HBM4 모듈을 집적할 수 있다. 양산 목표 시점은 오는 2027년이다. 반면 삼성전자는 패널이 지닌 장점에 주목하고 있다. 첨단 반도체 제조에 주로 쓰이는 웨이퍼는 300mm로, 내부에 가장 큰 직사각형 모듈을 구현할 시 크기가 210 x 210mm 수준이다. 반면 415 x 510mm의 패널에서는 한쪽 면이 210mm을 넘어가는 모듈도 제작이 가능하다. 예컨데 240 x 240mm 급의 초대형 반도체 모듈은 SoW로 양산이 불가능하지만, SoP에서는 2개까지 제작이 가능하다. 다만 SoP를 상용화하기 위해서는 해결해야 할 과제들이 많다는 지적도 나온다. 패널 크기가 매우 큰 만큼, 한 번에 집적된 수 많은 칩들을 안정적으로 연결하거나 평탄화하는 데 어려움이 있기 때문이다. 또한 SoP와 같은 초대형 반도체 모듈 패키징은 반도체 업계에서 아직 수요가 적은 '니치 마켓'에 속한다. 고객사 확보를 통한 레퍼런스 확보가 어렵다는 뜻이다. 테슬라, 전용 칩 대신 '패키징'으로 도조 구현…삼성전자에 중장기 기회 그럼에도 삼성전자가 SoP를 개발하는 이유는 해당 기술의 성장 잠재력에 있다. AI 산업이 고도화로 요구되는 데이터 처리량이 기하급수적으로 늘어나면서, 일부 기업들은 고성능 AI 반도체를 수십 개까지 집적하는 초대형 반도체 모듈을 개발하고 있다. 대표적인 사례가 테슬라다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇 등에 활용될 수 있는 반도체다. 또한 테슬라의 독자적인 슈퍼컴퓨팅 도조 시스템에도 탑재된다. 당초 테슬라는 'D1' 등 도조용 칩을 자체 개발했으나, 최근 관련 프로젝트 팀을 해체하고 향후 출시될 AI6와 3세대 도조를 통합하기로 했다. 두 칩의 아키텍처를 통일해 개발 효율성을 높이기 위한 선택으로 풀이된다. 이와 관련해 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 X(구 트위터)에 "모든 경로가 AI6에 수렴한다는 것이 분명해진 후, 도조 2가 진화의 막다른 길에 도달했기 때문에 프로젝트 철회 및 몇 가지 어려운 인사 결정을 해야 했다"며 "도조 3는 단일 보드에 많은 수에 AI6 칩을 탑재한 형태로 계속 사용될 것"이라고 밝혔다. 결과적으로 테슬라는 최첨단 패키징을 통해 자율주행과 로봇, 데이터센터 등에 필요한 AI 반도체를 차별화할 계획이다. 이에 따라 주요 반도체 기업들의 초대형 반도체 모듈용 패키징 기술 수요가 증가할 것으로 기대된다. 실제로 테슬라는 도조 3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 파악됐다. EMIB는 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결하는 인텔의 자체 2.5D 패키징 기술이다. 이 같은 계약이 성사되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리와 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트)가 결합되는 전례없는 공급망이 구성될 전망이다. 삼성전자 역시 SoP 개발을 통해 차세대 도조용 패키징 공급망 진입을 추진하고 있는 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "결정권을 쥔 테슬라가 당장은 인텔의 패키징을 선호하고는 있으나, 삼성전자도 SoP의 수율 개선을 위해 다양한 기술 변혁을 시도하고 있는 것으로 안다"며 "SoP 기술이 얼마나 빨리 고도화되느냐에 따라 도조용 패키징 공급망 진입의 판도가 달라지게 될 것"이라고 설명했다.

2025.08.12 14:31장경윤

"엔비디아·AMD, 中 수출 AI칩 수익 15% 美 정부에 내기로"

엔비디아와 AMD가 중국에 판매하는 반도체 수익의 15%를 미국 정부에 제공하기로 합의했다고 파이낸셜타임즈(FT)가 11일 보도했다. 파이낸셜타임즈는 소식통을 인용해 "엔비디아는 H20 칩을, AMD는 MI308 칩의 중국 내 판매 수익의 15%를 미국 정부와 나눠 갖는 데 합의했다"며 "트럼프 행정부가 이 자금을 어떻게 사용할 지는 아직 결정하지 않았다"고 밝혔다. 앞서 엔비디아, AMD는 미국의 수출 규제에 따라 최첨단 AI 반도체 판매가 사실상 불가능해진 바 있다. 이에 양사는 주력 제품 대비 데이터 처리 성능을 크게 낮춘 대용품을 만들어, 중국에 공급을 추진해 왔다. H20과 MI308 모두 이에 해당하는 칩이다. 이후 미국 정부는 지난 4월 수출 규제의 범위를 해당 칩까지 확장했으나, 지난달 다시 수출 재개를 허락했다. 지나친 규제가 중국의 AI 반도체 공급망 자립화의 속도를 앞당길 수 있다는 우려가 작용한 것으로 풀이된다. 파이낸셜타임즈는 "이러한 상호보상 합의는 전례없는 일로, 어떠한 미국 기업도 수출 허가를 받기 위해 매출의 일부를 지불하기로 합의한 적이 없다"며 "다만 미국 내 일자리 창출을 위해 현지 투자를 촉구하는 트럼프 행정부의 전형적인 사례와 일치한다"고 논평했다.

2025.08.11 11:07장경윤

[단독] 테슬라, 슈퍼컴 '도조' 공급망 삼성·인텔 낙점

테슬라가 자사 슈퍼컴퓨팅 시스템인 '도조(Dojo)'의 공급망에 삼성전자와 인텔을 낙점하고 대대적인 변화를 시도한다. 테슬라가 기존 TSMC에 공정 전체를 일임하던 구조에서 벗어나, 삼성전자·인텔 양사에 각각 특정 공정을 맡기는 이원화된 방안을 추진 중으로 파악돼 향후 공급망에 큰 변화도 예상된다. 도조용 칩 제조는 삼성전자 파운드리가, 모듈 제작을 위한 특수 패키징 기술은 인텔이 각각 담당하는 구조다. 그동안 삼성전자·인텔은 첨단 파운드리 및 패키징 산업에서 오랜시간 경쟁 구도를 형성해 왔다. 하지만 테슬라를 필두로 AI 반도체 업계에 새로운 협력 구조와 공급망 체제가 결성될 수 있을 지 귀추가 주목된다. 7일 지디넷코리아 취재를 종합하면 테슬라는 3세대 도조 양산에 삼성전자·인텔을 동시 활용하는 방안을 두고 각 사와 논의 중이다. 삼성 파운드리·인텔 OSAT 활용 추진…"전례 없는 협력 구조" 테슬라는 완전자율주행(FSD)과 관련한 데이터를 AI 모델로 학습시키기 위한 슈퍼컴퓨팅 시스템 도조를 자체 개발해 왔다. 도조에는 테슬라의 맞춤형 AI 반도체인 'D 시리즈' 칩이 다수 집적된다. 예를 들어, 1세대 도조는 D1 칩을 25개 패키징한 모듈로 구성돼 있다. 도조 1·2는 모두 대만 주요 파운드리인 TSMC가 양산을 전담한 것으로 알려져 있다. 그러나 도조3부터는 공급망이 전면적으로 바뀔 예정이다. 현재 테슬라는 도조3용 'D3' 칩의 전공정을 삼성전자에, 모듈용 패키징 공정을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "테슬라가 도조3 공급망 논의에서 칩 양산과 모듈용 패키징을 분리하는 계획을 제안하고 있다"며 "이 같은 계획을 토대로 협력사와 구체적인 계약 체결을 논의 중"이라고 설명했다. 계약이 최종 합의되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리 사업과 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트) 사업간의 협업이 업계 최초로 이뤄질 예정이다. 양사 모두 파운드리와 패키징 사업을 운영중이지만, 이 같은 협력 구조가 공식적으로 성사된 사례는 아직까지 확인된 바 없다. 우선 도조3용 칩 양산은 삼성전자의 수주가 사실상 확실시되고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 반도체로, 2나노 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 또한 테슬라는 도조3에 탑재할 칩을 별도로 설계하지 않고, AI6와 도조3용 칩을 단일 아키텍처로 통합하겠다고 밝힌 바 있다. 일론 머스크 CEO는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "도조3와 AI6 칩을 기본적으로 동일하게 사용하는 방향을 생각하고 있다"며 "예를 들어 자동차나 휴머노이드에는 칩을 2개 사용하고, 서버에는 512개를 사용하는 방식"이라고 말했다. 도조, 초대형 반도체 위한 특수 패키징 필요 테슬라가 도조3용 칩과 패키징 협력사를 이원화하려는 배경에는 기술과 공급망 요소가 모두 작용하고 있다는 분석이다. 테슬라의 도조는 일반적인 시스템반도체와 달리, 패키징 과정에서 매우 큰 사이즈로 제작된다. 때문에 테슬라는 TSMC의 SoW(시스템-온-웨이퍼) 패키징 기술을 채택한 바 있다. SoW는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB) 등을 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 웨이퍼 전체를 사용하기 때문에 초대형 반도체에도 대응 가능하다. D1의 경우 TSMC 7나노미터(nm) 공정 기반의 654제곱밀리미터(mm²) 단일 칩을 활용한다. 이를 웨이퍼에 5x5 배열로 총 25개 배치한 뒤, 각 칩을 전기적으로 연결해 하나의 모듈로 만든다. 웨이퍼 전체를 일종의 기판처럼 사용하는 방식이다. 다만 SoW는 초대형 반도체를 타겟으로 한 특수 패키징으로, 양산되는 칩의 수량이 비교적 적다. 당장의 매출 규모가 크지 않은 만큼 전공정·후공정 모두 TSMC 측의 적극적인 지원을 받기가 힘든 상황이다. 반면 삼성전자·인텔은 대형 고객사 확보가 절실한 상황으로, 각각 테슬라에 우호적인 조건을 제시했을 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 역시 초대형 반도체에 대응할 수 있는 첨단 패키징 기술을 고도화하고 있는 것으로 안다"며 "도조3 모듈 패키징은 인텔이 선제 진입할 예정이나, 기술 개발 상황에 따라 향후 삼성전자도 공급망 진입이 가능할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 인텔, EMIB 기반으로 테슬라 대응 유력 한편 테슬라는 도조3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 알려졌다. EMIB는 인텔의 독자적인 2.5D 패키징 기술이다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 '실리콘 인터포저'라는 얇은 막을 삽입해 각 칩을 연결하는 방식을 뜻한다. EMIB는 기존 2.5D 패키징처럼 칩 아래에 인터포저를 넓게 까는 대신, 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 인터포저 크기에 따라 다이 사이즈 확장에 제약을 받는 2.5D 패키징과 달리, 더 넓은 면적에 걸쳐 다이를 구성하는 데에도 유리하다. 다만 EMIB도 현재 상용화된 기술 수준으로는 웨이퍼 수준의 초대형 칩 제작이 어렵다는 평가를 받는다. 때문에 업계는 인텔이 도조 3를 위한 새로운 EMIB 기술 및 설비투자 등을 검토하고 있을 것으로 보고 있다.

2025.08.07 15:14장경윤

트럼프 "수입 반도체에 100% 관세"…삼성·SK 악영향 우려

미국이 수입 반도체에 대해 100%에 달하는 막대한 관세 부과를 예고했다. 구체적인 시기나 세부 조건 등은 밝혀지지 않았으나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들의 대미 수출에 악영향을 끼칠 것이라는 우려가 제기된다. 다만 한국은 최근 미국과의 무역합의 과정에서 반도체와 의약품의 경우 다른 나라와 비교해 불리하지 않은 최혜국 대우를 받도록 요구했고, 미국도 이를 수용한다는 입장이어서 이보다는 낮은 품목 관세만 적용받을 가능성이 있다. 도널드 트럼프 미국 대통령이 수입 반도체에 100%의 관세를 부과하겠다고 밝혔다고 블룸버그통신 등이 7일 보도했다. 다만 미국 내에 생산시설을 이전하는 기업은 관세를 면제 받는다. 트럼프 대통령은 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO)와의 대담에서 반도체 관세에 대한 내용을 직접 언급했다. 이날 애플은 미국 내 1천억 달러의 신규 투자 계획을 발표했다. 트럼프 대통령은 "우리는 칩과 반도체에 매우 높은 관세를 부과할 것"이라며 "그러나 애플과 같은 회사들에게 좋은 소식은 미국에서 제품을 생산을 하거나, 의심의 여지 없이 미국에서 생산하기로 약속했다면 아무런 관세도 부과되지 않을 것이라는 것"이라고 말했다. 그동안 트럼프 대통령은 철강 및 알루미늄, 자동차, 반도체 등 주요 산업에 대해 별도의 관세 기준을 고려해 왔다. 반도체 산업에 적용되는 관세는 타 산업 대비 매우 높은 수준으로, 발효 시 전 세계 공급망에 상당한 영향을 줄 것으로 관측된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들도 영향권에 들 것이라는 우려가 제기된다. 현재 삼성전자는 미국 텍사스 오스틴에 파운드리 팹을 두고 있으며, 약 370억 달러(한화 약 48조원)를 들여 테일러 신규 파운드리 팹과 R&D 팹 등을 건설 중이다. SK하이닉스도 미국 애리조나주에 패키징 시설을 들일 계획이다. 다만 이들 기업은 주력 제품인 D램, 낸드 등 메모리반도체를 한국과 중국에서 양산하고 있다. 해당 제품을 미국으로 수출하는 경우 관세가 부과될 가능성이 있다.

2025.08.07 09:18장경윤

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