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'반도체 공급망'통합검색 결과 입니다. (200건)

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"中, 2030년 세계 메모리 생산 비중 20% 차지…韓도 '원팀' 필요"

세계 메모리 반도체 시장에서 중국 후발주자들의 생산능력 비중이 오는 2030년 20% 수준까지 확대될 것이라는 분석이 제기됐다. 21일 오전 서울 여의도 의원회관에서 열린 '대한민국 AI·반도체 메카프로젝트 지원을 위한 글로벌 반도체&AI 산업 세미나'에서 국내 반도체 생태계도 기업 간 경쟁 체제는 유지하되, 국가 인프라와 인재, 표준 등을 '원팀(One Team)'처럼 공동자산으로 활용해야 한다는 목소리가 나왔다. 中, 전체 메모리 생산서 향후 비중 20%…기술 진보도 빨라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 반도체 산업은 현재 글로벌 AI 인프라 투자에 따라 전례없는 호황을 맞고 있다. 테크인사이츠에 따르면 올해 메모리 전체 매출은 약 9000억 달러(한화 약 1247조원)로, 과거 최고치였던 전년 대비 4배 수준으로 예상된다. 주요 기업들의 영업이익률도 80%에 육박할 전망이다. 다만 중국 기업들이 메모리 시장을 본격적으로 공략하고 있어, 국내 기업들에게는 위험 요소로 작용하고 있다. 댄 킴 테크인사이츠 최고전략책임자(CSO)는 "중국은 정부 주도의 자본 투자로 사이클에 좌우되지 않는 막대한 투자를 집행 중"이라며 "전체 메모리 생산능력 중 중국이 차지하는 비중은 올해 10% 초반대에서 2030년 20%로 유의미한 수준까지 확대될 것"이라고 말했다. 대표적인 기업으로는 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT, 낸드 제조업체인 YMTC가 거론된다. 이들 기업은 단순한 설비투자 확대를 넘어, AI 인프라향 고부가 메모리도 매우 빠른 속도로 상용화하고 있다는 평가를 받고 있다. 특히 CXMT는 최근 차세대 모바일용 D램인 LPDDR6를 양산하기 시작한 것으로 알려졌다. 15나노미터(nm)급으로 알려진 'G5' 공정도 양산화했다. 고대역폭메모리(HBM)도 현지 서버 기업들과 지속적인 양산 검증을 거치고 있다. 中, 자체 완결형 AI 생태계가 강점…韓도 '원팀' 갖춰야 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "중국은 자체적으로 완성형 AI 생태계를 가지고 있다는 것이 가장 큰 강점"이라며 "AI 칩 설계 기업과 시스템 기업, 대규모 수요의 내수 시장, 장비기업, 정부 정책 등이 모두 연결돼 있다"고 말했다. 다만 중국 기업들의 추격 속도를 단순히 공정 세대만으로 파악해서는 안 된다는 것이 전문가의 조언이다. 최 부사장은 "셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 면적을 축소해도 수율이 낮거나 전력효율성이 떨어지면 효용이 없다"며 "공정 세대 명칭보다는 적용 기술이나 양산 완성도를 봐야한다"고 강조했다. 국내 기업들은 고부가 AI 메모리 분야에서 탄탄한 양산 경험을 보유하고 있다. 테크인사이츠는 이를 토대로 한국 반도체 산업이 국가 차원의 'One AI 팩토리'를 구축할 필요가 있다고 주장했다. 최 부사장은 "삼성전자의 통합형 AI 플랫폼, SK하이닉스의 고객형 계층 메모리 등을 잘 발전시킴과 동시에, 소부장이 공정 고도화를 담당해야 한다"며 "동시에 학계 밎 정부가 개별 기업이 해결하기 어려운 부분을 해결해, 기업 간 간경쟁 속에서도 국가 인프라 및 표준을 공동 자산으로 만들어야 한다"고 말했다.

2026.09.21 16:52장경윤 기자

SK하이닉스 손자회사 솔리다임, 美 첫 낸드 공장 구축 추진

SK하이닉스의 낸드 손자회사 솔리다임이 미국에 첫 낸드 양산라인 구축을 검토 중인 것으로 19일 파악됐다. 현재 공장 부지, 투자 시점 등 세부 계획을 조율하는 단계다. 최근 인공지능(AI) 인프라 구축 확대로 낸드 수요가 폭증하는 만큼, 미국 현지 고객과 협력을 강화하기 위한 전략이란 풀이가 나온다. 최근 최태원 SK 회장이 그룹 차원에서 주도하는 미국 AI 투자 확대 기조와도 맞물린다. 솔리다임은 SK하이닉스가 지난 2021년 말 인텔 낸드플래시 사업부를 인수하면서 설립한 미국법인이다. 당시 전체 인수 규모는 90억 달러(당시 환율 기준 약 10조원)였다. 솔리다임은 중국 다롄에 1공장이 있고, 올 3분기부터 다롄 2공장 설비투자도 시작했다. 미국에는 본사와 연구개발(R&D) 센터만 있고 생산거점은 없다. 솔리다임이 미국 첫 생산거점 구축을 검토하는 지역은 미국 동부다. 현재 부지 선정과 생산품목, 양산시점 등을 세부적으로 논의 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "솔리다임이 미국 빅테크 기업의 AI 서버용 낸드 수요에 대응하기 위해 현지 양산라인 구축을 추진하고 있다"며 "고객들과 장기공급계약(LTA) 협의를 바탕으로 투자계획을 구체화할 것"이라고 전망했다. 그간 솔리다임은 AI 데이터센터용 쿼드레벨셀(QLC) 낸드 개발에 주력해 왔다. QLC는 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 4비트를 저장하는 방식이다. 3비트를 저장하는 트리플레벨셀(TLC) 등 타 방식 대비 대용량 SSD 구현에 유리하다. 특히 엔비디아의 블랙웰·베라루빈 등 차세대 AI 플랫폼이 요구하는 낸드 용량이 급증하면서, 고용량 낸드 주문도 몰리고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 올 2분기 SK하이닉스(솔리다임 포함) 낸드 매출은 142억 7290만 달러(약 19조 8000억원)로 전 분기보다 89.5% 뛰었다. 솔리다임의 미국 투자는 SK그룹이 추진 중인 미국 내 투자 확대 기조와 맞물린다. 현재 SK그룹은 SK하이닉스의 미국 주식예탁증서(ADR) 상장과 현지 첨단 패키징 팹 구축에 이어, 추가 메모리 생산공장 구축 가능성도 열어두고 있다. 솔리다임 역시 나스닥에 기업공개(IPO)를 준비 중이다. 최태원 SK 회장도 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 SK하이닉스 ADR 상장 기념행사에서 "미국 인디애나주 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토하고 있다"며 "전력·용수·인력·공급망 등 여건이 갖춰지면 메모리 생산공장 건설도 가능하다"고 말한 바 있다. 최근에는 외신과 업계를 통해 SK하이닉스와 인텔의 미국 내 메모리 생산 협력설도 나온다. 최종 확정되려면 시간이 필요하지만, 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 수요가 중장기적으로 지속 증가할 것으로 전망돼 실현 가능성은 있다는 게 업계 시각이다. 솔리다임 관계자는 미국 내 설비투자 계획과 관련해 "사업 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토 중이나 확정된 바는 없다"고 밝혔다.

2026.09.18 13:44장경윤 기자

SK하이닉스, 인텔과 美 메모리 협력설에 "확정된 바 없다"

SK하이닉스가 인텔과의 미국 내 메모리 칩 생산 협상과 관련한 외신 보도에 대해 결정된 사항은 없다고 밝혔다. SK하이닉스는 16일 회사 뉴스룸을 통해 "SK하이닉스는 글로벌 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토하고 있으나 현재 어떠한 사안도 확정된 바 없다"며 "기사에 언급된 두 가지 시나리오 등에 대해서도 결정된 사항이 없다"고 밝혔다. 앞서 로이터통신은 SK하이닉스가 인텔과 미국 내 메모리 반도체 생산을 위한 초기 협상을 진행 중이라고 보도한 바 있다. 로이터는 "인텔이 오하이오주에 장기간 계획해 온 반도체 생산시설 일부를 SK하이닉스가 임차할 가능성이 있다", "SK하이닉스가 인텔 및 주요 클라우드 기업들과 합작법인을 설립하는 방안도 논의되고 있다" 등 두 가지 잠재 시나리오가 제시했다. 해당 보도에 대해 SK하이닉스는 "기사에서 언급한 특정 기업과 협력 및 미국 내 생산과 관련해 확정된 바가 없다"고 밝혔다. 이와는 별개로 SK하이닉스는 미국 내 투자 규모를 확대하는 방안을 지속 검토 중이다. 현재 SK하이닉스는 미국 인디애나주에 고대역폭메모리(HBM) 등을 양산할 최첨단 패키징 팹을 건설하고 있다. 최태원 SK 회장은 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 ADR 상장 기념행사에서 "미국 인디애나주 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토하고 있다"며 "전력·용수·인력·공급망 등 여건이 갖춰질 경우 메모리 생산공장 건설도 가능하다"고 말했다.

2026.09.16 20:02장경윤 기자

中CXMT, 상하이 신규 팹 설비투자 준비…韓 맹추격

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 공격적인 설비투자 준비에 돌입했다. 최근 협력사와 신규 팹에 도입할 설비 입찰을 시작하는 한편, 추가 팹 증설계획도 구체화하고 있다. 투자가 차질없이 진행되면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업과 생산능력 격차를 빠르게 좁힐 것으로 예상된다. 11일 업계에 따르면 CXMT는 최근 상하이 신규 팹 건설을 위한 협력사 장비 입찰 과정에 착수했다. CXMT는 현재 허페이 팹 2기, 베이징 팹 1기 등에서 D램을 양산하고 있다. 생산능력은 현재 월 20만장 중반대로 추산된다. 연말에는 최대 월 30만장을 넘어설 것으로 관측된다. 추가 팹 증설 계획도 가시화되고 있다. 협력사 등과 논의한 내용에 따르면 CXMT는 올 4분기 상하이 소재 신규 팹을 오픈할 계획이다. 해당 팹 관련 장비 입찰도 최근 시작됐다. 한 반도체 장비업계 관계자는 "CXMT가 상하이 신규 팹을 두 단계에 걸쳐 확대할 계획"이라며 "최근 장비 입찰 규모를 고려하면, 해당 팹에서만 월 10만장 이상을 크게 웃도는 생산능력을 확보할 것으로 보인다"고 말했다. CXMT는 이후 허페이 신규 팹을 내년 상반기, 베이징 신규 팹을 이르면 내년 하반기 순차 오픈한다. 내후년 상반기에도 허페이 지역 추가 팹 오픈을 목표로 하고 있다. 또 다른 장비업계 관계자는 "CXMT가 최근 중국 현지 복수의 팹 구축 계획 시점을 정하고 관련 사항을 공유하고 있다"며 "현지 정부의 막대한 보조금 정책과 메모리 수요 급증으로 증설 의지가 강력하다"고 설명했다. 설비투자 계획이 모두 실행되는 경우, CXMT는 올해부터 2028년까지 최소 월 7만~8만장 수준 신규 생산능력을 매년 꾸준히 확보할 수 있다. 장기적으로는 월 60만장 이상으로 생산능력이 확대될 것이라는 관측도 제기된다. 이는 D램 시장 선두업체의 현재 생산능력과 맞먹는 수준이다. 국내 삼성전자와 SK하이닉스의 총 D램 생산능력은 각각 월 70만장, 월 60만장 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자와 SK하이닉스도 최근 메모리 반도체 공장 증설에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 평택 제4캠퍼스(P4) 내에 D램 양산라인을 구축해 왔다. 올 하반기부터 차세대 생산기지 P5 클린룸 공사를 시작했다. SK하이닉스는 올해 1분기부터 M15X 조기 가동을 시작해, 현재 생산능력 확대를 위한 투자를 지속하고 있다. 용인 대규모 반도체 클러스터인 Y1도 올 3분기 설비발주를 시작했다.

2026.09.11 11:15장경윤 기자

삼성전기·LG이노텍, 인텔 'EMIB-T' 기판 상용화 추진…日이비덴에 도전

삼성전기와 LG이노텍이 인텔 '임베디드 멀티 다이 인터커넥트 브리지(EMIB)'용 고부가 반도체 기판 공급을 추진하고 있다. EMIB는 최근 고성능 인공지능(AI) 반도체 시장에서 수요가 늘고 있는 첨단 패키징 기술이다. 일본 이비덴이 주도적 기업이다. 9일 업계에 따르면 삼성전기와 LG이노텍 등이 인텔 EMIB-T용 패키지 기판 공급망 진입을 목표로 제품 개발과 테스트를 진행 중이다. 인텔 EMIB-T, AI칩 시장서 각광…삼성전기·LG이노텍도 관심 EMIB는 최근 AI 반도체 업계에서 주목받는 첨단 패키징 공법이다. 현재 업계는 고대역폭메모리(HBM)와 시스템 반도체를 하나의 패키지로 연결하기 위해 실리콘 인터포저라는 얇은 막을 삽입한다. 인터포저를 활용하면 각 칩의 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 통상 '2.5D 패키징'이라고 부른다. EMIB는 인터포저 대신 소형 실리콘 브리지로 칩과 칩을 연결한다. 필요한 부분에만 실리콘 브리지를 배치하는 기술이다. 인터포저 대비 비용 효율성이 높다. 칩을 보다 여유롭게 배치할 수 있다는 것도 장점이다. 인텔이 그간 EMIB를 자체 칩 제작에만 활용했기 때문에, 시장 수요는 한정적이었다. 그러나 최근 인텔이 'EMIB-T'라는 개량 버전을 개발하면서, 외부 판매가 본격 확대되고 있다. 구글도 내년 하반기 출시할 차세대 AI 가속기(TPU)에 EMIB-T를 처음 적용한다. EMIB-T는 실리콘 브리지에 전력 전송 통로 역할을 하는 실리콘관통전극(TSV)을 삽입하는 기술이다. TSV로 기판과 칩 사이 전력 전달 경로를 단축함으로써, 전력 효율과 신호 무결성을 개선했다. 삼성전기와 LG이노텍도 EMIB-T 성장세에 주목해, 전용 패키지 기판 공급망 진입을 시도하고 있다. 해당 제품은 기존 고성능 반도체 패키지 기판인 플립칩-볼그리드어레이(FC-BGA)에 실리콘 브리지를 내장하므로 기술 난도가 높다. 삼성전기의 경우 해당 기판을 2.1D 패키지 기판이라는 개념으로 개발하고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전기가 수년 전부터 EMIB용 기판 샘플을 개발해 왔고, 최근 EMIB-T 상용화 추세에 따라 공급망 진입을 적극 추진 중"이라고 말했다. LG이노텍은 최근 SK하이닉스에 EMIB-T용 패키지 기판을 보내, 샘플 테스트 중이다. LG이노텍과 SK하이닉스는 HBM을 기판 위에 실장하며 제품 특성을 파악 중인 것으로 알려졌다. FC-BGA 1위 日이비덴에 도전…대규모 투자는 부담 인텔 EMIB-T용 패키지 기판 공급망 진입은 삼성전기, LG이노텍의 목표인 고부가 FC-BGA 사업 확장을 위한 주요 과제 중 하나다. 현재 EMIB-T용 패키지 기판은 일본 이비덴과 신코덴키, 대만 유니마이크론, 오스트리아 AT&S 등 4곳이 공급하고 있다. 이비덴은 FC-BGA 업계 1위 기업이다. 인텔과 공고한 협력관계를 구축해왔다. 올해 상반기에는 기존 유휴 팹을 활용해 인텔 EMIB-T 전용 기판 양산라인을 착공하기로 결정했다. 투자 규모는 약 2조원이다. 구글·아마존·인텔 등 빅테크에서 선수금을 받은 것으로 알려졌다. 삼성전기와 LG이노텍은 관련 공급망 후발주자로서, EMIB-T용 기판 상용화를 위해 기술·시장 과제를 해결해야 할 것으로 관측된다. 기판 업계 한 관계자는 "이비덴, 유니마이크론 등은 인텔 EMIB 관련 기판을 7~8년 양산해오며 안정적인 기술력과 생산능력을 구축했다"며 "EMIB-T에서 사업기회가 확대되는 것은 맞지만, 국내 기업은 먼저 대규모 투자해야 한다는 리스크가 있다"고 설명했다.

2026.09.09 14:40장경윤 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

삼성전자, 2분기 HBM 점유율 33%로 급등…SK하이닉스와 격차 축소

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 업계 1위 SK하이닉스와 격차를 좁혔다. 올 2분기 양사 점유율 차이는 17%p로, 전년 동기(43%p), 전 분기(37%p) 대비 크게 줄었다. 3일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 전세계 HBM 시장 점유율(매출액 기준)은 SK하이닉스가 50%로 1위를 유지했다. 다만 점유율 수치는 지속 감소하고 있다. SK하이닉스의 올 2분기 점유율(50%)은 전 분기 대비 8%p, 전년 동기 대비 14%p 감소했다. 반면 삼성전자는 올 2분기 33% 점유율로 SK하이닉스와 격차를 17%p로 좁혔다. 전 분기 대비 12%p, 전년 동기 대비 18%p 개선했다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자가 HBM4 출하를 본격화하면서 점유율이 점차 늘어날 것"이라고 내다봤다. HBM4는 올해 본격 상용화된 최신형 HBM이다. 엔비디아의 고성능 인공지능(AI) 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 시리즈에 탑재된다. 마이크론은 시장 점유율 변동폭이 비교적 작았다. 마이크론은 올 2분기 18% 점유율을 기록했다. 전 분기 및 전년 동기 대비 3%p 감소했다. 카운터포인트리서치는 "현재 HBM 매출 대부분은 HBM3E에서 발생한다"며 "HBM4 출하는 올 하반기부터 본격 가시화될 전망"이라고 밝혔다.

2026.09.03 16:43장경윤 기자

中 낸드, 글로벌 1위 되기 어려운 이유

글로벌 낸드(NAND) 플래시 메모리 산업 지형도가 급변하고 있다. 선두업체를 추격하기 위해, 해외 후발주자 기업들이 앞다퉈 공격적인 증설 계획을 꺼내들고 있다. 특히 중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)의 투자 속도가 매우 빠른 것으로 평가된다. 반면 시장점유율 1위인 삼성전자의 낸드 투자는 증설보다 세대 전환에 초점이 맞춰져 있어, 총 생산능력이 오히려 감소하는 추세다. 때문에 삼성전자와 후발주자간 낸드 생산능력 격차가 2~3년 내 빠르게 좁혀질 것이라는 우려도 제기된다. 다만 기업 간 낸드 경쟁을 단순히 생산능력만으로 평가할 수는 없다는 게 업계 전문가들의 중론이다. 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 복수로 쌓는 낸드 특성 상, 동일한 양의 웨이퍼를 투입하더라도 적층 수에 따라 메모리 총량이 크게 달라지기 때문이다. 시장 측면에서의 한계도 존재한다. YMTC의 총 낸드 출하량은 삼성전자·SK하이닉스를 위협하는 추세지만, AI 데이터센터에 필요한 기업용 SSD(eSSD) 매출은 아직 5위권 밖에 머물러 있다. 중국 현지 외 글로벌 고객사 확보가 어렵다는 점도 문제다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 최근 기자와의 서면 인터뷰를 통해 "중국 YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력에서 선두권에 진입할 가능성은 있지만, 선두업체들이 고적층 낸드를 통해 공급하는 메모리 총량이 더 크다는 점을 고려해야 한다"며 "글로벌 매출과 수익성 측면에서는 중국 기업이 단기간에 1위에 오를 가능성은 매우 낮다"고 분석했다. YMTC, 공격적인 증설 속도…"부지 확보 충분" 최근 업계 낸드의 최대 화두는 중국 YMTC의 공격적인 설비 투자다. YTMC는 중국 최대 낸드 제조업체로, 우한시에 주요 생산거점을 두고 있다. 올해 말에는 신규 3공장의 가동을 앞두고 있다. 업계가 추산하는 YMTC의 생산능력은 웨이퍼 투입량 기준 월 16만~17만장 수준이다. 우한 3공장이 본격 가동되는 내년에는 월 20만장을 넘어설 것으로 전망된다. 중장기적으로는 생산능력을 월 30만~40만장 수준까지 확대할 계획을 세우고 있는 것으로 전해진다. YMTC 협력사인 한 반도체 장비업계 관계자는 "YMTC가 내년 및 내후년에도 생산능력을 추가 확보할 계획을 세우고 있다"며 "팹을 10개까지 지을 수 있는 부지를 이미 갖추고 있어, 낸드 제조기업 중 증설 속도가 가장 빠르다고 평가 받는다"고 설명했다. YMTC의 최근 발언도 향후 증설 계획에 대한 자신감을 근간에 둔 것으로 풀이된다. 앞서 YMTC는 기업공개(IPO)를 앞두고 투자자들과 만나 내년 말까지 글로벌 낸드 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표를 제시한 바 있다. 삼성·SK 신규 팹 구축 시점 아직 멀어…최소 2028~2029년 반면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 신규 증설보다 최첨단 낸드용 전환투자에 집중하고 있다. 때문에 절대적인 생산능력은 근 2~3년간 정체를 기록해 왔다. 일례로 업계 1위인 삼성전자의 낸드 총 생산능력은 월 39만장 수준으로 추산된다. 화성 일부 라인에서 구형 낸드를 양산하던 시점에는 생산능력이 50만장을 넘어선 적도 있었으나, 구형 낸드 양산을 순차적으로 종료하면서 수치가 감소했다. 최첨단 낸드 생산능력은 신규 팹이 아닌 평택·중국 시안 라인에 대한 전환투자로 확충해 왔다. 삼성전자가 가장 최근 구축한 낸드 전용 라인은 지난 2022년 가동을 시작한 P3 Ph1(페이즈1)다. 당초 P4에서도 낸드 라인을 구축하려고 했으나, 시황을 고려해 D램을 함께 양산하는 하이브리드 라인으로 조성했다. 삼성전자가 신규 낸드 양산 라인을 가장 빠르게 구축할 수 있는 곳은 P5다. P5는 올 하반기부터 클린룸 구축이 시작된 팹으로, 가동 목표 시점은 오는 2027년 말이다. 다만 P5도 현재로선 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 라인 조성에 우선순위 둘 가능성이 높다. 때문에 삼성전자의 낸드 생산능력이 크게 확대되는 시점은 아무리 빨라도 2028년께가 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 경우 근 3년간 대규모 낸드 라인 증설이 없었고, 현재도 전환투자에 집중하고 있어 후발주자와의 생산능력 격차는 2~3년 내 크게 축소될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스의 경우 청주 및 중국 다롄 지역에서 낸드 팹을 운영하고 있다. 현재 생산능력은 월 25만장 내외로 추산된다. 현재 다롄 2공장 증설을 위한 설비투자가 시작됐으나, 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 규모다. SK하이닉스의 대규모 낸드 생산능력 확보는 청주 신규 낸드 팹인 M17이 준공된 뒤에나 가능하다. M17은 오는 2028년 말 첫 클린룸 오픈을 목표로 하고 있다. 생산능력만으론 1위 어려워…eSSD 키우고 해외 시장 뚫어야 그러나 YMTC가 낸드 업계 선두권으로 진입하기 위해서는 아직 해결해야 할 과제들이 많다는 지적이 제기된다. 최 부사장은 "낸드의 지속적인 고단화로 적층 수가 400~500단 이상이 되면 웨이퍼 당 비트(Bit) 출하량은 더욱 증가하게 된다"며 "YMTC가 실제 내년 말까지 비트 출하량 1위를 기록하려면 신규 팹에 대한 제조 장비의 국산화, 300~400단 이상의 차기 제품들에 대한 수율 및 생산성 확보, 낸드에 탑재되는 컨트롤러의 고객 인증을 동시에 모두 해결해야 한다"고 평가했다. 현재 YMTC는 267단 낸드까지 상용화에 성공한 것으로 알려져 있다. 낸드는 구성 요소인 셀과 페리를 각각 제조해 칩과 칩을 직접 이어 붙이는 하이브리드 본딩 방식으로 제조된다. YMTC는 이를 '엑스태킹(Xtacking)'이라고 부른다. 국내 기업들은 300~400단 낸드에 이미 진입한 상태다. 삼성전자는 지난달부터 420단대의 V10(10세대) 낸드의 초도 양산을 시작했다. 당장의 출하량은 크지 않지만, 업계 최초로 400단 이상의 낸드에 진입했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스도 지난해 321단 낸드 상용화에 이어, 올해에는 375단 적층의 10세대 낸드 양산을 계획하고 있다. 시장적인 한계도 존재한다. 특히 AI 데이터센터에서 각광받는 eSSD의 경우, 현지 최대 고객사인 화웨이가 YMTC 제품만을 고집하기 어려운 상황이다. eSSD는 일반 소비자용 SSD 대비 높은 제품 성능 및 안정성을 요구한다. 또한 YMTC의 전체 낸드 출하량에서 eSSD가 차지하는 비중은 아직 낮은 것으로 평가된다. 시장조사업체 트렌드포스가 집계한 올 2분기 eSSD 시장 점유율은 삼성전자가 35.1%로 1위, SK하이닉스가 21.1%로 2위다. 그 뒤로 마이크론·키오시아·샌디스크가 뒤를 따르고 있다. 최 부사장은 "YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력과 중국 내 출하량에서는 선두권에 진입할 가능성은 있다"며 "그러나 글로벌 매출과 수익성, eSSD 비중까지 고려한 업계 1위는 1~2년 내에 달성하기가 사실상 어렵다"고 말했다.

2026.09.02 14:56장경윤 기자

中 CXMT, 고유전율 D램 소재 양산 적용...삼성·SK '맹추격'

D램 업계 후발주자인 중국 창신메모리(CXMT)의 기술 추격이 거세다. 기존 메모리 선두업체들의 전유물처럼 여겨지던 고유전율(High-k) 소재를 최신 D램 제품에 성공적으로 양산 적용한 것으로 확인됐다. 이에 삼성전자·SK하이닉스 등은 초격차를 통한 경쟁력 우위를 위해 4F스퀘어, 3D D램 등 차세대 구조 개발에 박차를 가하고 있다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 27일 메모리 산업 동향 웨비나에서 최첨단 D램 기술 개발 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 반도체 전문 분석기관이다. 中, 고성능 D램 소재 'High-k'도 본격 도입…선두 업체 맹추격 글로벌 D램 시장은 국내 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론 등 소위 빅3 기업이 주도해 왔다. 이들 기업은 12나노미터(nm)급 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 상용화로 AI용 고부가 메모리 출하량을 적극 늘리는 추세다. 그러나 중국 기업들의 추격도 거세다. 현재 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT는 G4(16나노급) 공정을 기반으로 DDR5 및 LPDDR5 제품 상용화에 성공한 상황이다. 최근에는 D램 내 트랜지스터에 기존 선두업체들만 적용하던 고성능 소재도 활용하기 시작한 것으로 나타났다. 최 부사장은 "중요한 점은 당사 조사 결과 CXMT가 G4 공정 및 LPDDR5X 제품에 High-k 메탈 게이트(HKMG) 기술을 성공적으로 도입했다는 것"이라고 강조했다. High-k는 회로 간 누설 전류를 막는 절연막에 쓰이는 소재다. 동일한 전압에서 더 많은 전하(전자의 흐름)을 저장할 수 있어, 기존 절연막 소재(실리콘산화물, SiO2) 대비 초미세 공정을 구현하는 데 용이하다. 때문에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 4~5년 전부터 이 소재를 도입하고 있다. HBM 기술 역시 고도화하고 있다. 현재 CXMT는 G3(18나노급) 공정을 사용해 HBM2E(3세대 HBM)의 리스크 양산(초도생산) 단계에 진입한 것으로 알려졌다. G4 공정 기반의 HBM3는 샘플링을 진행 중이다. 최 부사장은 "CXMT는 선두업체보다 약 2세대 정도 기술이 뒤쳐져 있으나, 더 높은 성능의 메모리 솔루션을 향해 HBM 로드맵을 꾸준히 발전시키고 있다"며 "G5(15나노급) D램 공정도 개발되고 있다"고 평가했다. D램 3강, 4F스퀘어·3D D램으로 기술 변혁 시도 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 10나노미터 미만의 차차세대 D램(D0A) 개발로 기술 초격차를 꾀하고 있다. 특히 기존 D램의 구조를 바꾼 4F스퀘어, 3D D램을 가장 유력한 후보로 보고 있다. 최 부사장은 "현재 당사 평가로는 삼성전자와 SK하이닉스는 4F스퀘어 D램을 추진할 가능성이 높다"며 "반면 마이크론은 3D D램으로 바로 이동할 가능성이 더 높아 보인다"고 말했다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 기존 D램은 6F스퀘어 구조를 갖추고 있다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도가 높아져, 데이터 처리 성능 및 전력 효율성을 향상시킬 수 있다. 업계가 4F스퀘어 구조에 주목하는 이유다. 3D D램은 비트라인 혹은 워드라인을 세워, 기존 수평으로 집적되던 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 비트라인과 워드라인은 셀 내 트랜지스터를 동작하게 하는 구성 요소다. 3D D램 구조에서는 같은 면적에 더 많은 셀을 넣을 수 있고, 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상도 줄어든다. 다만 3D D램은 새로운 소재와 본딩 기술을 도입해야 하는 등 4F스퀘어 대비 기술적 난이도가 높다고 평가받는다. 최 부사장은 "3D D램은 여전히 기술적으로 매우 도전적인 과제로, D0A에서 상용화되기에는 상당한 공정 복잡성과 수율 문제를 야기한다"며 "이러한 이유로 4F스퀘어 D램이 D0A 세대에서 보다 실용적인 후보로 떠오르고 있다"고 설명했다.

2026.08.27 14:02장경윤 기자

삼성·SK, 中낸드 생산거점 강화…내년까지 설비투자 집행

국내 메모리 기업들이 중국 낸드플래시 생산거점 투자를 강화한다. 삼성전자는 올해와 내년 현지 최첨단 낸드 전환투자 계획을 구체화했다. SK하이닉스도 올 하반기부터 내년까지 월 3만장 규모 생산능력을 확보할 예정이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 내년까지 중국 낸드 양산라인용 설비투자를 활발히 집행할 계획이다. 삼성전자는 올해 상반기부터 중국 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 대한 전환투자를 진행하고 있다. 삼성전자 V9 낸드는 셀을 280단대로 적층한 최첨단 제품으로, 월 4~5만장 규모 생산능력을 확보할 것으로 예상된다. 삼성전자는 최근 해당 팹의 V9 낸드 생산을 강화하기 위해 보완투자 계획도 확정한 것으로 알려졌다. 낸드 제조 핵심인 식각 공정용 설비를 추가 도입하는 게 골자다. 식각은 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. 셀(Cell:데이터를 저장하는 최소 단위)을 수백층 쌓아야 하는 낸드의 경우, 전자가 이동하기 위한 채널 홀(구멍)을 매우 깊게 뚫어야 하기 때문에 식각 기술 중요도가 크다. 이에 삼성전자는 V9 낸드를 안정적으로 양산하기 위한 보완투자를 내년 하반기부터 진행하기로 했다. 관련 설비 구매주문(PO)도 올 연말께 구체화될 전망이다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자가 올해와 내년, 중국 내 최첨단 낸드 생산능력 확대를 위한 투자를 단계적으로 집행할 계획"이라며 "인공지능(AI) 서버 등 최첨단 낸드 수요 급증에 따른 대응책"이라고 말했다. SK하이닉스는 올 3분기부터 다롄 2공장의 낸드 제품 고도화를 위한 설비투자를 진행하고 있다. 현재 논의 중인 투자 규모는 월 3만장 수준으로 알려졌다. 다롄 공장은 SK하이닉스가 지난 2020년 하반기 인텔 낸드 사업부를 인수하면서 양수한 공장이다. 이후 SK하이닉스는 지난 2022년 낸드 생산능력 확대를 위해 다롄 2공장 착공식을 열었지만, 시황 등을 이유로 설비투자를 보류해 왔다. 또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 다롄 2공장에 내년 상반기까지 월 3만장 규모 낸드용 설비투자를 진행할 계획"이라며 "식각 등 핵심 제조장비도 다음달부터 본격 반입이 시작된다"고 밝혔다.

2026.08.24 15:33장경윤 기자

삼성전자, 美 테일러팹 2기 구축 속도…공급망에 장비 '선제 인증' 주문

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 생산능력 확대에 속도를 내고 있다. 올해 연말 테일러 파운드리 2기 팹 착공을 앞두고, 최근 협력사의 설비 도입을 위한 인증을 선제적으로 진행하고 있다. 20일 업계에 따르면 삼성전자는 주요 협력사들을 대상으로 미국 테일러 파운드리 2기 팹 투자를 위한 인증 획득을 요청하고 있다. 테일러 팹은 삼성전자의 최첨단 파운드리 양산을 전담할 팹이다. 1기 팹의 경우 올해 연말 가동을 목표로 장비 입고 및 설치가 진행되고 있다. 주력 양산 타겟은 업계 최첨단 공정인 2나노미터(nm)로, 미국 주요 빅테크인 테슬라가 핵심 고객사로 거론된다. 삼성전자는 최근 테일러 2기 팹 착공 계획도 공식화했다. 회사는 지난달 30일 진행한 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "증가하는 고객 수요에 적기 대응하고자 미국 테일러 2기 팹 역시 2030년 양산을 목표로 올해 말 공사 착수를 준비 중"이라고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 테일러 2기 팹 투자에 대해 강한 의지를 내비치고 있는 것으로 관측된다. 최근 복수의 반도체 장비 협력사들을 대상으로, 해당 팹에 설비를 도입하기 위한 'SEMI' 인증을 미리 획득할 것을 요청한 상황이다. SEMI 인증은 반도체 장비의 안전성을 평가하는 기준으로, 장비의 해외 반출 전에 필수적으로 획득해야 한다. 반도체 장비업계 관계자는 "아직 테일러 2기 팹의 구체적인 스펙이 확정되지도 않았음에도, 삼성전자 파운드리 사업부가 예상보다 빠르게 대응에 나서고 있다"며 "구체적인 계획은 올 연말께 가시화되겠으나, 그만큼 투자를 적극적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 설명했다. 관건은 최첨단 공정에 대한 대형 고객사 확보다. 앞서 삼성전자는 테일러 1기 팹 구축 초기에 고객사 확보 난항 및 시황 악화로 투자 계획을 지속 연기한 바 있다. 그러나 테슬라가 삼성 파운드리와 지난해 3분기 22조7600억원 규모의 반도체 위탁생산계약을 체결하면서, 팹 구축 속도가 다시 빨라졌다. 테일러 2기 팹 역시 테슬라향 공급량 확대, 혹은 추가 고객사 확보 여부에 따라 실제 양산 가동까지의 로드맵이 달라질 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "건설 부문 관련사인 삼성이앤에이(삼성E&A)에서도 테일러 2공장 건설을 위한 수십명의 인력을 현지에 파견하는 방안을 추진 중인 것으로 안다"며 "다만 삼성전자가 클린룸 구축 후 실제 양산 라인까지 빠르게 구축하기 위해서는 대형 고객사 확보가 선제적으로 확보돼야 할 것"이라고 말했다.

2026.08.20 11:24장경윤 기자

[AI 고속도로] 구글, 브로드컴 넘어 마벨까지 품었다…AI칩 공급망 다변화

구글이 자체 인공지능(AI) 반도체 생태계 확대를 목표로 반도체 설계 기업 마벨과 손잡는다. 기존 핵심 파트너였던 브로드컴에 더해 새로운 공급망을 확보하면서, AI 데이터센터 경쟁력의 핵심으로 떠오른 맞춤형 반도체 전략을 한층 강화하는 모습이다. 19일(현지시간) 로이터통신에 따르면 마벨은 구글과 맞춤형 AI 반도체 개발·공급 계약을 체결하고 자사 보통주 약 5900만 주를 매입할 수 있는 신주인수권을 구글에 부여했다. 구글이 모든 권리를 행사할 경우 투자 규모는 121억 8000만 달러(약 16조 9000억원)에 달한다. 이번 계약은 단순 지분 투자를 넘어 AI 반도체 공급망 확대에 초점이 맞춰졌다. 구글은 마벨 제품 구매 실적에 따라 단계적으로 지분 인수 권한을 확보하게 된다. 대부분의 신주인수권은 마벨 제품을 5억 달러(약 6900억원)어치 구매할 때마다 순차적으로 부여되는 구조다. 구글이 모든 구매 조건을 충족할 경우 마벨이 확보할 수 있는 누적 매출은 최대 1200억 달러(약 166조원)에 이를 것으로 전망된다. 이번 협력은 구글의 자체 AI 반도체인 텐서처리장치(TPU) 경쟁력 강화 전략과 맞물려 있다. TPU는 AI 모델 학습과 추론에 특화된 반도체로, 엔비디아 그래픽처리장치(GPU)를 보완하거나 일부 영역에서 대체할 수 있는 핵심 칩으로 평가된다. 구글은 TPU의 핵심 설계를 직접 수행하고 있지만 세부 설계와 생산 관리, 스토리지와 네트워크를 비롯한 관련 기술은 외부 기업과 협력 중이다. 이번 계약에 따라 마벨은 AI 추론 가속기와 스토리지·네트워크 인터페이스·메모리 인터페이스 컨트롤러·니어메모리 컴퓨팅 등 TPU 생태계와 연계된 다양한 맞춤형 반도체를 공급할 예정이다. 특히 구글이 TPU 개발 과정에서 주로 브로드컴과 협력해왔다는 점에서 이번 계약은 공급망 다변화 전략의 신호로 해석된다. 다만 브로드컴과의 협력이 중단되는 것은 아니다. 앞서 구글은 브로드컴과 2031년까지 TPU와 AI 인프라용 반도체를 공동 개발하는 계약을 체결한 바 있다. 최근 빅테크 기업들은 비용 절감과 인프라 최적화를 목표로 자체 AI 반도체 개발에 속도를 내고 있다. 엔비디아의 고성능 GPU 가격이 급등하면서 특정 공급업체에 대한 의존도를 줄이고 서비스 특성에 맞는 반도체를 직접 설계하려는 추세다. 마벨은 이미 아마존을 비롯한 대형 클라우드 기업들의 맞춤형 AI 가속기 개발에도 참여하고 있다. 최근에는 AI 칩 간 데이터 전송 속도를 높이는 광자 기술 기업을 인수하며 데이터센터 연결 기술 경쟁력도 강화했다. 이 소식에 시장도 즉각 반응했다. 이날 마벨 주가는 9.85% 상승한 반면, 브로드컴 주가는 4.61% 하락했다. 업계에선 이번 계약이 AI 기업과 반도체 기업 간 지분 연계형 협력 모델이 확산하는 계기가 될 것으로 보고 있다. 앞서 AMD도 오픈AI와 반도체 구매 규모에 따라 지분을 부여하는 형태의 계약을 체결한 바 있다. 윌리엄 커윈 모닝스타 시장분석가는 "구글이 브로드컴을 마벨로 대체하기보다는 새로운 공급원을 찾아 시장을 키우는 차원으로 보인다"고 평가했다.

2026.08.20 09:41한정호 기자

삼성전자, 삼성D 차입금 '20조' 미리 다 갚았다…AI 메모리 효과

삼성전자가 과거 삼성디스플레이로부터 빌렸던 차입금 20조원을 전액 조기 상환했다. 인공지능(AI) 산업 주도로 메모리 슈퍼사이클이 본격화하면서 삼성전자가 보유한 현금성 자산도 급증한 결과다. 18일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자는 삼성디스플레이로부터 차입한 무담보차입금 20조원을 올 2분기 중 전액 상환했다. 삼성전자 반기보고서에 기록된 만기일은 지난 5월 29일이다. 전 분기 말까지 총 20조원의 장기차입금이 기록돼 있었으나, 이번 보고서에서 전액 삭제됐다. 앞서 삼성전자는 지난 4월 23일 해당 차입금을 10조원 상환한 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자는 5월 하순 나머지 10조원 추가 상환한 것으로 분석된다. 삼성전자가 삼성디스플레이로부터 20조원의 장기차입금을 빌린 건 지난 2023년이다. 당시 차입기간은 2023년 2월부터 2025년 8월까지로, 이자율은 연 4.60%였다. 2023년은 삼성전자의 반도체 사업이 부진했던 시기다. 디바이스솔루션(DS) 부문의 연간 적자 규모만 해도 14조원 이상으로 집계됐다. 삼성전자는 안정적인 유동성 확보를 위해, 그간 유지해 온 '무차입 경영' 기조에서 벗어나 삼성디스플레이로부터 자금을 수혈했다. 이후 삼성전자는 자금 대여기간을 당초 2025년 8월에서 2028년 2월까지로 한 차례 연장하기도 했으나, 올 2분기 두 차례에 걸쳐 차입금을 전액 상환했다. 삼성전자의 이번 차입금 조기 상환은 메모리 슈퍼사이클 효과로 풀이된다. 글로벌 빅테크의 AI 인프라 투자로 고부가 D램과 낸드 수요가 급증하면서, 삼성전자는 올 상반기에만 DS부문에서 142조 8593억원에 달하는 영업이익을 거뒀다. 삼성전자의 현금·현금성 자산 및 단기금융상품도 지난해 말 125조 8214억원에서 올해 상반기 말 189조 9530억원으로 약 64조원가량 증가했다.

2026.08.18 09:47장경윤 기자

삼성전기·LG이노텍, 상반기 패키지기판 가동률 급등

삼성전기와 LG이노텍의 반도체 기판 사업이 강력한 성장세를 보이고 있다. 올 상반기 양사의 반도체 기판 생산라인 평균 가동률은 90% 내외를 기록했다. 15일 삼성전기와 LG이노텍 반기보고서에 따르면 양사 반도체 기판 양산라인 평균 가동률은 올해 크게 상승하고 있다. 삼성전기의 반도체 기판 양산라인 가동률은 지난해 평균 70%였다. 이후 올 1분기 가동률이 86%로 급증했고, 상반기 기준으로는 89%로 증가했다. LG이노텍의 구미 반도체 기판 라인 가동률은 지난해 평균 80.8%였다. 올해 1분기에는 91.8%, 올 상반기는 94.0%까지 상승했다. 양사 반도체 기판 라인 가동률 상승은 반도체 수요 폭증 효과다. 글로벌 빅테크 기업들이 공격적인 인공지능(AI) 인프라 투자를 진행하면서, D램·낸드 등 메모리반도체와 그래픽처리장치(GPU)·중앙처리장치(CPU) 등 시스템반도체 출하량이 크게 늘고 있다. 삼성전기의 경우, 플립칩-볼그레이드어레이(FC-BGA) 출하량 확대가 두드러진다. FC-BGA는 반도체 칩과 기판을 '플립칩 범프(칩을 뒤집는 방식)'로 연결하는 패키지 기판이다. 기존 패키지에 쓰이던 와이어 본딩 대비 전기·열적 특성이 높아, 고성능 반도체에 적용되고 있다. 2분기에는 서버용 CPU, AI 가속기용 FC-BGA 수요가 크게 증가했다. 또한 북미 고객사향 AI 데이터센터 네트워크용 신제품 공급이 본격화됐다. LG이노텍은 플립칩-칩스케일패키지(FC-CSP) 및 무선주파수-시스템인패키지(RF-SiP) 분야에서 강세를 보이고 있다. FC-CSP는 FC-BGA와 비슷한 구조이나 소형 칩 패키지에 적합하다. 메모리에서도 활용도가 증가해, 최근 D램향 출하량이 증가하는 추세다. 업계는 반도체 기판 수요가 중장기적으로도 지속 견조할 것으로 보고 있다. 양사는 글로벌 빅테크와 장기공급계약, 선수금 확보 등을 기반으로 국내외 기판 증설에 적극 나서고 있다. 삼성전기는 지난달 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "2027년 이후 차세대 제품 공급 확대를 위한 투자도 적극 검토 중"이라며 "AI 데이터센터 관련 고부가 패키지 기판 수요 급등에 적극 대응해 FC-BGA 사업 규모를 지속 확대할 계획"이라고 밝힌 바 있다. LG이노텍도 지난 6월 베트남 하이퐁에 1조원을 투자해 RF-SiP와 FC-CSP 패키지 기판 양산 라인을 구축하겠다는 계획을 발표했다. FC-BGA의 경우 베트남과 경북 구미에서 추가 투자를 추진할 계획이다.

2026.08.15 09:00장경윤 기자

삼성전자, 기흥 신규 R&D팹 '파운드리' 활용 추진…엔비디아 수요 선제 대응

삼성전자가 기흥에 구축 중인 차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 용도를 변경할 예정이다. 현재 해당 라인은 파운드리 생산능력 확대에 활용하기로 가닥을 잡은 것으로 14일 파악됐다. 당초 D램 양산용 라인으로도 투자가 논의됐으나 최근 계획이 수정됐다. 이곳에서 주력으로 노리는 양산품은 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 2나노미터(nm) 베이스(로직) 다이다. 엔비디아 등 핵심 고객 주도로 HBM 공급이 확대될 전망인 만큼, 관련 생산능력을 미리 확보하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 기흥에 구축 중인 NRD-K 2라인 용도를 기존 R&D에서 파운드리 라인으로 활용하는 방안을 추진 중이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설 중인 최첨단 복합 연구개발단지다. 오는 2030년까지 약 20조원을 투입해 총 3개 라인을 조성하기로 했다. 이 중 첫 번째 라인은 지난 2024년 말 준공됐다. 올해부터 NRD-K 2라인 조성을 준비하고 있다. 기흥캠퍼스 내 옛 종합기술원 건물을 철거하고, 현재 부지 조성 등 기초공사 중이다. 다만 NRD-K 2라인 용도는 당초 계획에서 크게 변경될 확률이 높다. 최근 삼성전자는 해당 라인을 파운드리용 센드팹(Send-Fab)으로 활용하는 방안을 추진 중이다. 센드팹은 타 양산라인에서 웨이퍼를 받아 와 특정 공정을 대신 처리하는 보조 팹 개념이다. 목표로 검토 중인 주력 양산품은 엔비디아에 공급하는 HBM용 2나노 베이스 다이로 알려졌다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, HBM과 그래픽처리장치(GPU) 등 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 성능을 좌우하는 요소 중 하나다. HBM은 글로벌 빅테크의 공격적인 인공지능(AI) 인프라 투자에 따라 수요가 지속 확대될 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 향후 상용화될 커스텀 HBM과 HBM5(8세대 HBM)에 업계 최첨단 공정인 2나노 기술을 적용해, 경쟁사보다 성능 우위를 확보할 계획이다. 기흥 신규 팹을 활용해 관련 생산능력을 빠르게 확보하려는 것도 같은 이유로 보인다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 2028년 하반기 개소를 목표로 NRD-K 2라인을 구축 중이고, 파운드리용 팹으로 활용하는 것으로 가닥을 잡았다"며 "NRD-K 2라인의 경우 팹 사이즈가 비교적 작은 편에 속하기 때문에, 센드팹 방식으로 최첨단 반도체 생산능력 확대에 기여할 것"이라고 설명했다. 물론 팹 오픈 시점이 2년가량 남은 만큼, NRD-K 2라인 용도가 또다시 변경될 수도 있다는 게 업계 시각이다. 또 다른 관계자는 "(삼성전자) 내부적으로는 확정 수준이긴 하나, 실제 설비 구매주문(PO)이 나오려면 시간이 더 필요하다"며 "반도체 시황이 언제든 급변할 수 있어, 구체적인 투자 방향과 규모가 수정될 가능성도 배제할 수 없다"고 말했다. 실제 삼성전자는 지난달까지 NRD-K 2라인을 D램용 센드팹으로 활용하는 방안도 검토했다. 이를 위해 화성 메모리 사업부가 관련 투자계획도 수립했다. 다만 삼성전자가 이달 계획을 수정하면서, D램 양산은 평택캠퍼스로 집중될 가능성이 커졌다.

2026.08.14 14:36장경윤 기자

SK하이닉스, 日키오시아 최대주주 등극

SK하이닉스가 일본 최대 낸드 제조기업 키오시아 최대주주로 올라섰다. 10일 닛케이신문에 따르면 키오시아는 회사 최대주주가 기존 도시바에서 특수목적법인(SPC) 'BCPE 판게아 케이맨2(Pangea Cayman2), 이하 SPC2)로 변경됐다고 공시했다. SPC2는 SK하이닉스가 전환사채(CB)로 투자한 회사다. 도시바는 키오시아 지분을 15.10% 보유해 왔다. 그러나 지난달 15일부터 이달 3일까지 총 7차례에 걸친 매도를 통해 지분을 14.06%까지 줄였다. 이로 인해 키오시아 지분을 14.19% 보유한 SPC2가 회사 최대주주로 등극하게 됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2018년 총 2개 SPC를 통해 키오시아에 약 4조원을 투자한 바 있다. 이 중 베인캐피탈 등과 함께 출자한 SPC1은 지난 6월 베인캐피탈이 투자금을 회수하면서 지분이 전량 매각됐다. 반면 SK하이닉스는 약 1조 3000억원을 투자한 SPC2를 지속 보유해 왔다. CB를 주식으로 전환하는 경우, SK하이닉스는 키오시아에 대한 의결권을 가진 주주가 될 수 있다. 키오시아는 일본 최대 규모 낸드 기업이다. 현재 전 세계 낸드 시장에서 삼성전자, SK하이닉스에 이어 점유율 3위를 기록하고 있다. 다만 SK하이닉스가 키오시아 경영에 직접 영향을 미칠 가능성은 현재로선 낮은 것으로 평가된다. SK하이닉스가 의결권을 확보하려면 각국 경쟁법·독점금지법상 승인을 받아야 하기 때문이다. 일본 정부 역시 자국 반도체 공급망 보호 측면에서 이를 허용하지 않을 가능성이 크다.

2026.08.11 09:56장경윤 기자

미국, 반도체 넘어 '피지컬 AI' 봉쇄...기술 패권 전선 확대

인공지능(AI)과 반도체, 통신 기술을 중심으로 전개되던 기술 패권 경쟁의 전선이 최근 '피지컬 AI'로 확대되며 주목받고 있다. 미국이 그동안 네트워크와 반도체에 집중했던 국가 안보 규제의 범위를 첨단 로봇과 전력 인프라 분야까지 본격적으로 넓히기 시작하면서다. 미국 연방통신위원회(FCC)가 최근 해외에서 생산된 첨단 로봇과 전력 인버터를 국가 안보상 위험 장비 목록인 '커버드 리스트(Covered List)'에 편입했다. 백악관 주도의 관계부처 협의체가 두 품목을 국가 안보 위협으로 판단한 데 따른 조치로, 글로벌 기술 패권 경쟁의 전선이 피지컬 AI 분야로 본격 확대되는 양상이다. 커버드 리스트에 포함된 장비는 신규 FCC 장비 승인을 받을 수 없다. 이에 따라 규제 대상 외국 생산 로봇과 인버터 신규 모델은 미국 내 수입·판매가 원칙적으로 제한된다. 미국의 공급망 안보 규제가 통신장비에서 피지컬 AI로 확대됐다는 점이 주목된다. FCC는 2021년 특정 기업의 통신장비를 중심으로 커버드 리스트를 운영했지만 지난해 외국 생산 드론과 핵심 부품으로 규제 범위를 넓혔다. 올해 3월에는 외국 생산 소비자용 라우터를 추가했고 지난달에는 첨단 로봇과 전력 인버터까지 포함했다. 규제 방식도 특정 기업을 제재하는 데서 외국에서 생산된 제품군 자체를 제한하는 방향으로 바뀌고 있다. 미국이 로봇을 국가안보 영역으로 끌어들인 배경도 주목된다. 단순한 정보 유출을 넘어 외부 침해가 실제 기기의 움직임과 작업 조작으로 이어질 수 있다는 우려에서다. 디지털 세계를 넘어 현실 공간에서 작동하는 피지컬 AI의 특성을 반영한 것이다. 규제 대상에는 일정 요건을 갖춘 휴머노이드와 사족보행 로봇, 물류용 자율이동로봇(AMR) 등이 포함될 수 있다. 특정 기업을 겨냥한 규제는 아니지만 미국과 기술 경쟁을 벌이고 있는 중국이 글로벌 휴머노이드 로봇 출하량의 약 85%를 차지하고 있다는 점도 눈에 띈다. FCC는 기존 외국산 제품을 즉시 퇴출하는 대신 신제품 진입부터 차단한다. 지난달 28일 이전 승인된 제품은 계속 수입·판매할 수 있지만 이후 신규·변경 모델은 원칙적으로 FCC 승인을 받을 수 없다. 국가안보 심사를 통과한 제품에는 조건부 승인 통로를 열어뒀다. 기업은 이 과정에서 생산지와 부품 공급망 등을 공개하고 미국 내 생산·조립시설 투자와 고용·생산능력 확대 계획을 제출해야 한다.

2026.08.10 16:26박수형 기자

반도체 클러스터 구축·운영 최대 100% 국고 지원

반도체 특별법이 이달 11일부터 본격 시행된다. 이재명 대통령 직속으로 운영되는 해당 법안에 따라, 향후 산업기반시설 구축 및 운영 비용의 최대 100%를 정부 및 지방자치단체가 부담할 수 있게 됐다. 산업통상부는 4일 반도체산업 경쟁력 강화 및 지원에 관한 특별법 시행령 제정안이 국무회의에서 의결됐다고 밝혔다. 이번 시행령 제정은 지난 2월 제정된 '반도체산업 경쟁력 강화 및 지원에 관한 특별법(이하 반도체특별법)에서 위임한 사항을 구체화한 것이다. 오는 11일부터 본격 시행될 예정이다. 해당 안은 ▲반도체산업경쟁력강화특별위원회 구성 및 운영 ▲반도체클러스터 지정 절차 및 지원내용 ▲반도체산업 인력양성 지원 ▲반도체산업경쟁력강화특별회계 운용·관리 등에 관한 세부사항을 담고 있다. 위원회 구성의 경우, 반도체산업경쟁력강화 기본계획 및 실행계획을 비롯한 주요 정책을 심의하기 위한 반도체산업경쟁력강화특별위원회(위원장 대통령)의 위원 구성 및 운영에 관한 사항을 마련했다. 이를 통해 핵심 정책 과제를 체계적으로 이행하고, 범국가적인 정책 추진 동력을 확보할 수 있도록 하겠다는 전략이다. 클러스터 지정을 신청할 때에는 ▲기본목표·발전방향 ▲명칭·위치 및 면적 ▲지역 반도체산업·기반시설 현황 ▲인력양성·연구기반 구축에 관한 사항 등을 포함한 조성계획을 제출하도록 했다. 또한 수도권 외 지역을 우선적으로 고려하도록 함으로써, 지역 산업 여건과 특성을 반영한 반도체 생태계 조성과 국가 균형발전에 기여할 수 있도록 했다. 클러스터에 필요한 산업기반시설 조성·운영 비용은 총사업비의 50% 이상 100% 이하의 범위에서 국가와 지방자치단체가 부담할 수 있도록 했다. 특히 ▲이중화시설 ▲공급망 안정 및 산업 안전에 기여하는 시설 등은 그 비용의 전부를 지원할 수 있도록 했다. 이를 통해 기업의 기반시설 구축 부담을 완화하고, 반도체 생산에 필수적인 인프라를 보다 안정적으로 확충할 수 있을 것으로 기대된다. 또한 비수도권 반도체기업과 지역 전문인력의 취업 연계 및 재교육에 관한 지원을 우선적으로 실시할 수 있도록 했다. 나아가 반도체산업 전문인력 양성기관 지정 기준과 절차를 규정함으로써, 산업 현장의 수요에 부합하는 전문인력을 체계적으로 양성할 수 있도록 했다. 그 외 ▲기본·실행계획 수립절차 ▲반도체산업 통계의 작성 범위 ▲반도체산업경쟁력강화특별회계 설치·운용 ▲업무 위탁 등에 관한 사항도 규정해 반도체산업 정책 수립에 필요한 내용을 구체화했다. 김정관 산업통상부 장관은 “반도체산업의 국가적 지원체계를 위한 법적 기반이 마련된 만큼, 관계부처와 긴밀히 협력하여 법률에 따른 주요 정책 과제들을 조속히 추진해 나가겠다”고 밝혔다.

2026.08.04 14:38장경윤 기자

반도체 제조장비 시장도 호황…글로벌 기업들 실적 눈높이 상향

램리서치·TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 반도체 장비 기업들이 역대 최고 분기 실적을 경신하고 있다. 인공지능(AI) 반도체 수요 급증 결과로, 이들 기업은 일제히 올해 장비 시장 규모가 당초 예상 대비 커질 것으로 내다봤다. 1일 업계에 따르면 글로벌 반도체 장비 기업들은 최근 실적발표에서 관련 시장 규모 전망치를 1500억달러(약 213조원)로 상향했다. 램리서치는 지난달 29일(현지시간) 2026회계연도 4분기(4~6월) 실적발표에서 매출 67억 2000만달러, 영업이익 25억 8100만달러를 기록했다고 밝혔다. 분기 기준 사상 최대 실적이다. 매출은 전년 동기 대비 30.0%, 전 분기 대비 15.1% 증가했다. 영업이익은 각각 45.1%, 26.1% 증가했다. 실적 전망도 밝다. 회사가 제시한 다음 분기 실적 전망치는 매출액 77억~85억달러다. 중간값(81억달러) 기준으로 전 분기 대비 20% 증가한 규모다. 시장 예상치인 71억달러도 큰 폭으로 상회했다. 램리서치는 이번 실적발표에서 올해 반도체 전공정 장비 시장 규모를 기존 1400억달러에서 1500억달러 초반대로 상향했다. 2027년에 대해서도 "8~10개의 신규 반도체 공장이 가동되고, AI 관련 투자가 지속될 것"이라며 "업황이 매우 긍정적"이라고 내다봤다. 팀 아처 램리서치 최고경영자(CEO)는 "반도체 장비업계 입장에서는 내년에도 D램 분야가 가장 빠르게 성장하고, 그 다음 파운드리와 로직, 낸드 순으로 성장세가 나타날 것"이라고 말했다. 도쿄일렉트론도 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 회사는 지난달 30일(현지시간) 2027회계연도 1분기(4~6월) 실적발표를 통해 매출 7323억엔, 영업이익 2114억엔을 기록했다고 밝혔다. 도쿄일렉트론이 전망한 전공정 장비 시장 규모는 올해 1500억달러 이상, 내년 1900억달러 이상이다. 이전 전망치(2026~2027년 내 1500억~1700억달러) 대비 구체화 및 상향 조정됐다. 도쿄일렉트론은 "AI 인프라 투자를 위한 전공정 장비 지출액이 전체에서 50%를 초과하는 수준으로 성장하고 있다"며 "반도체 수요가 그래픽처리장치(GPU), 고대역폭메모리(HBM)만 아니라 범용 메모리와 중앙처리장치(CPU) 등으로 넓게 확산하고 있다"고 설명했다.

2026.08.01 14:00장경윤 기자

최태원 회장, SK하이닉스 지분 3620주 매수…기업가치 제고 의지

최태원 SK그룹 회장이 SK하이닉스 주식을 처음으로 직접 매입했다. 규모는 약 48억원 수준이다. 최근 AI 메모리 수요 폭증으로 SK하이닉스 실적이 급성장하고 있는 만큼, 회사의 기업가치 제고에 적극 나서려는 의지로 풀이된다. SK하이닉스는 30일 최대주주등소유주식변동신고서를 통해 최 SK회장이 SK하이닉스 주식 3620주를 장내매수했다고 밝혔다. 이날 SK하이닉스 주식은 종가 기준으로 131만8000원이다. 총 매수 규모는 47억7116만원으로 추산된다. 최 회장이 본인 명의로 SK하이닉스 지분을 확보한 것은 이번이 처음이다. 그간에는 계열사를 통한 간접 지배구조로 SK하이닉스를 경영해 왔다. 최 회장은 SK 지분 17.9%를 보유하고 있으며, SK가 SK스퀘어 지분을 약 32%, SK스퀘어가 SK하이닉스 지분을 20.5% 보유하는 구조로 돼 있다. 이번 공시는 SK하이닉스의 기업가치 제고를 위한 최 회장의 의지를 보여주는 행보로 풀이된다. 최 회장은 지난 17일 제주에서 열린 대한상의 하계포럼에서 "메모리는 앞으로도 계속 필요하기 때문에 시간을 두면 우상향으로 간다"며 "이런 종류의 주식을 투자하려면 샀다 팔았다 하지 마시고 그냥 가만히 갖고 계셔야 한다"고 말한 바 있다. 실제로 SK하이닉스는 올 2분기 매출 79조 3187억원, 영업이익 60조 5426억원으로 역대 최고 분기 실적을 기록한 바 있다. AI 인프라 투자로 D램·낸드 등 고부가 메모리 수요가 확대된 덕분으로, 회사는 내년 이후에도 AI 인프라 투자가 견조하게 지속될 것으로 보고 있다.

2026.07.30 19:24장경윤 기자

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