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'모바일 D램'통합검색 결과 입니다. (6건)

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AI 추론 수요에 메모리 슈퍼사이클 기대감↑

"당사는 삼성전자와 SK하이닉스의 범용 D램 가격이 4분기 각각 22%, 20% 상승할 것으로 예상하고 있습니다." 미국 증권가 골드만삭스가 최근 밝힌 국내 메모리 양사의 4분기 실적 전망이다. 골드만삭스 내부 추정치를 뛰어넘는다는 예상이다. 지난 2018년을 넘어설 메모리 슈퍼사이클이 도래할 것이란 기대감이 커지는 이유다. 11일 반도체 및 증권가에 따르면 올 4분기 메모리 가격이 급등할 것으로 전망된다. 특히 고무적인 부분은 서버뿐 아니라 모바일, PC 등 모든 분야에서 메모리 가격 상승이 기대된다는 점이다. 메모리는 한동안 AI 인프라 확장으로 서버향 제품 판매량은 늘어난 반면, 모바일과 PC에 대한 수요는 감소했었다. 골드만삭스는 보고서를 통해 “서버 고객들이 2027년 물량까지 선계약을 추진하고 있으며, 이로 인해 PC·모바일용 메모리 공급이 제한되고 있다”며 “삼성전자와 SK하이닉스의 가격 협상력이 강화되고 있다”고 전했다. 트렌드포스도 이달 초 4분기 PC용 D램 가격 전망을 전 분기 대비 25~30% 상승할 것으로 내다봤다. 서버용 D램에 생산이 집중되면서 PC와 모바일용 공급이 빠듯해졌고, 전 제품군 가격이 상승세로 확산된다는 분석이다. 업계에서는 이번 메모리 호황의 핵심 원인을 AI 추론 수요 폭발로 보고 있다. AI 추론은 학습이 끝난 인공지능 모델이 실제 데이터를 입력받아 추론을 수행하는 단계로, 막대한 양의 메모리 대역폭과 실시간 데이터 접근 속도가 필요하다. 특히 생성형 AI 서비스 확산으로 클라우드 데이터센터의 추론 서버 수요가 폭발적으로 증가하면서, GPU뿐 아니라 메모리 전반의 사용량이 급격히 늘고 있다. 이로 인해 AI 인프라 확충이 곧 메모리 수요 급증으로 이어지는 구조가 형성된 것이다. 낸드플래시 컨트롤러를 개발하는 대만 파이슨 푸아 케인센 CEO는 최근 인터뷰에서 “이런 사이클은 평생 한 번 볼까 말까 하다”며 “AI 인퍼런스 수요가 메모리 시장을 근본적으로 바꾸고 있다”고 말했다. 국내 업계도 시장 상황을 유사하게 보고 있다. SK하이닉스는 최근 실적 발표에서 “AI 수요가 예상을 뛰어넘고 있으며, 슈퍼사이클이 장기화될 것”이라고 전망했다. 한편 시장조사업체 욜(Yole)은 올해 메모리 시장 규모가 1천700억달러(248조9천140억원)로 사상 최대치, 내년에는 2천억달러(292조8천800억원)에 이를 것으로 전망했다. 재고 역시 3.3주 수준으로 2018년 슈퍼사이클 저점과 유사하다.

2025.11.11 16:18전화평

"AI·자동차가 메모리 시장 성장 이끈다"

전통적인 PC·모바일 메모리 시장이 정체 국면에 머무는 반면, 데이터센터와 자동차용 메모리가 차세대 성장 동력으로 부상하고 있다. 22일 업계에 따르면 글로벌 D램 시장이 데이터센터와 자동차를 중심으로 성장할 전망이다. 시장조사업체 테크인사이츠는 글로벌 D램 수요가 지난 2023년 203Eb(엑사비트, 1Eb는 100만 테라비트)에서 2030년 722Eb까지 3.5배 이상 확대될 것으로 전망했다. 연평균성장률(CAGR)은 19.9%로 자동차와 데이터센터가 각각 27.6%, 26.6% 성장률 기록하며 전체 성장을 주도할 것으로 관측된다. 데이터센터 수요 급증...D램 시장 연평균 28.2% 성장 특히 데이터센터 수요는 AI 서버 확산에 힘입어 폭발적으로 증가할 전망이다. AI가 다양한 산업에 깊숙이 침투하면서, 이를 뒷받침할 고성능 AI 서버 시장이 가파른 성장세를 기록하고 있기 때문이다. 시장조사기관 글로벌 마켓인사이츠에 따르면 2024년 기준 1천280억달러(약 178조7천264억원)였던 전 세계 AI 서버 시장 규모는 올해 1천672억달러(약 233조5천억원)으로 급상승할 것으로 예상된다. 이후 2034년까지 연평균 28.2%의 성장세를 기록하며 1조5천600억달러(약 2천178조원)를 기록할 전망이다. 특히 주목할만한 점은 서버당 D램 탑재 용량이다. 테크인사이츠는 2024년에서 2030년까지 D램 탑재 용량이 평균 1TB(테라바이트)에서 2.5TB(테라바이트)로 2.5배 이상 확대되면서 전체 비트 수요를 끌어올릴 것으로 봤다. 이에 따라 데이터센터 DRAM 매출은 2024년 480억 달러에서 2030년 1천540억달러로 급증, 전체 D램 매출의 70%를 차지할 것으로 전망된다. 차량용 메모리, 전장·자율주행 타고 급상승 차량용 메모리 수요 역시 고도화된 전장 시스템과 자율주행 기술 확산으로 빠르게 확대되고 있다. 차량 한 대당 탑재되는 메모리 용량이 늘어나면서, 자동차는 데이터센터와 함께 향후 메모리 시장의 '쌍두마차'로 부상할 것으로 보인다. 시장조사기관들은 차량용 메모리 시장이 상승할 것으로 내다봤다. 리서치앤마케츠는 2025년부터 2033년까지 연평균 11.11% 성장할 것으로 관측했으며, 그로우스마케츠리포츠는 같은 기간 13.2% 성장세를 기록할 것으로 점쳤다. 데이터인텔로는 2024년부터 2032년까지 10.9% 성장할 것으로 예상했다. 리서치앤마케츠는 “자동차가 스마트 기술과 더욱 긴밀하게 연결됨에 따라 고용량 메모리 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있다”며 “이는 시장 성장에 긍정적인 요인”이라고 분석했다. 그러면서 “배터리 관리 및 에너지 효율 향상을 위한 첨단 메모리 시스템이 필요한 전기차(EV) 및 하이브리드 자동차의 보급 확대 또한 시장 성장을 촉진하고 있다”고 덧붙였다. 모바일·PC, 전체 D램 평균 밑돌아...”2030년 전후가 분수령” 반면 모바일, PC는 낮은 성장률을 기록할 전망이다. 테크인사이츠는 모바일과 PC가 2023년부터 2030년까지 연평균 13%, 10.8%씩 성장세를 보일 것으로 봤다. 전체 D램 시장 연평균 성장률인 19.9%를 밑도는 규모다. 이는 시장이 성숙기에 접어들며 정체 양상을 보이고 있기 때문이다. 이는 신규 수요보다는 교체 수요에 의존하는 구조가 고착화되고 있음을 보여주는 셈이다. 업계 관계자는 “메모리 시장의 무게 중심이 PC와 모바일에서 데이터센터와 자동차로 이동하는 추세가 뚜렷하다”며 “AI와 자율주행이 본격화되는 2030년 전후가 메모리 산업의 분수령이 될 것”이라고 말했다.

2025.09.22 13:57전화평

삼성·SK, 차세대 HBM 상용화 총력…범용 D램 가격 상승 '압박'

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 총력을 기울이고 있다. 이에 따라 범용 D램 생산능력 및 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 가격 상승 압박을 받고 있다. 4일 업계에 따르면 올해 하반기 및 내년 초 범용 D램 가격은 당초 예상보다 상승할 것으로 전망된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 올해부터 엔비디아향 HBM4(6세대 HBM) 공급 준비에 집중하고 있다. 올 3분기 엔비디아가 HBM4 샘플을 대량으로 요청함에 따라, 두 회사 모두 HBM4 샘플 제작을 위한 웨이퍼 투입량을 늘리고 있는 것으로 파악됐다. 추산 규모는 월 1만~2만장 수준으로, 샘플인 점을 고려하면 매우 많은 양에 해당한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 상용화된 HBM3E는 8단과 12단 적층으로 제작된다. 현재 샘플 단계에서 테스트가 진행 중인 HBM4 역시 12단이다. 다만 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 많고, D램 크기가 확대되는 등 기술적 진보가 많아 초기 수율 확보에 불리하다. 수율이 낮을 경우, 고객사 조건을 맞추기 위해선 웨이퍼 투입량을 더 늘릴 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들이 내년 엔비디아향 HBM 사업 확대를 위한 준비에 사활을 걸고 있다"며 "HBM에 투입되는 웨이퍼가 많아질수록 범용 D램 수급은 더 타이트해지고, 올 하반기와 내년 가격 인상을 부추길 수 있다"고 설명했다. 설비투자도 대부분 HBM에 집중되면서, 범용 D램 생산능력이 점차 줄어드는 추세다. 삼성전자는 HBM4에 탑재될 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력을 올해 월 6만장까지 늘리기 위한 투자를 집행 중이다. SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력 확대를 위한 전환투자를 꾸준히 진행해 왔다. 실제로 시장조사업체 옴디아는 최근 서버용 64GB(기가바이트) DDR5의 올 4분기 가격 전망치를 당초 255달러에서 276달러로 상향 조정했다. 모바일 8GB DDR5도 18.7달러에서 19.2달러, PC 16GB DDR5는 44.7달러에서 46.5달러로 높였다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "설비투자가 사상 최고 수준임에도 웨이퍼 캐파는 HBM이 점점 더 많이 잠식하고 있어 레거시(성숙) D램은 구조적으로 제약을 받는다"며 "범용 D램의 수요가 증가해도 생산을 공격적으로 확대하지 못하는 구조적 불균형이 내년에도 재현될 수 있어, 시장이 급격한 가격 상승에 직면할 수 있다"고 밝혔다.

2025.09.04 13:23장경윤

SK하이닉스, 신소재 기반 '고방열' 모바일 D램 공급 개시

SK하이닉스가 업계 최초로 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다. EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도도를 높인 것을 뜻한다. 열 전도도는 물질이 열을 얼마나 잘 전달하는지를 나타내는 물리적 특성으로, 단위 시간 동안 특정 물질을 통해 얼마나 많은 열이 이동하는지를 뜻한다. 회사 측은 "온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며 "이번 제품으로 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 밝혔다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 위에 D램을 적층하는 PoP(패키지온패키지) 방식을 적용하고 있다. PoP는 각각 다른 종류의 반도체 패키지를 위아래로 쌓아 공간 효율, 성능 향상, 조합 유연성을 꾀하는 방식이다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키는 장점을 제공한다. 하지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 야기한다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발한 것이다. 이를 통해 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰으며, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다. 이러한 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다. 이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.

2025.08.28 09:21장경윤

차세대 'LPDDR6' 표준 나왔다…삼성·SK, AI 메모리 새 격전지 추가

차세대 저전력 D램인 'LPDDR6' 표준이 최근 제정됐다. LPDDR6는 이전 대비 대역폭이 최대 1.5배 높은 것이 특징으로, 엣지 AI·온디바이스 AI 등 고성능 컴퓨팅 분야에서 수요가 창출될 것으로 기대된다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들도 중장기적 관점에서 새로운 성장동력을 확보하게 됐다. 국제반도체표준화기구(JEDEC)는 LPDDR6 표준인 'JESD209-6'을 제정했다고 9일 밝혔다. LPDDR은 저전력 D램으로 스마트폰, 엣지 서버 등 전력 효율성이 중요한 기기에서 주로 활용된다. 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 현재 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. LPDDR6의 핵심 요소는 대역폭의 증가다. 대역폭은 데이터를 한 번에 얼마나 많이 전송할 수 있는지를 나타내는 척도다. 기존 LPDDR5X의 경우 대역폭이 통상 8.5Gbps, 최대 9.6Gbps까지 구현 가능하다. LPDDR6는 통상 10.6Gbps에서 14.4Gbps까지 구현한다. 약 1.5배의 성능 향상이 이뤄지는 셈이다. 세부적으로 LPDDR6는 다이 당 2개의 서브채널 및 각 12개의 하위 채널을 갖춰, 데이터를 작은 단위(32바이트)까지 나눠 빠르게 처리할 수 있다. 또한 작업에 따라 유연하게 데이터 접근 방식을 바꿀 수 있는 제어 기술, 신호 품질을 유지할 수 있는 기술 등을 탑재했다. 전력효율성 측면에서는 이전 세대인 LPDDR5 대비 더 낮은 전압과 저전력 소비가 가능한 'VDD2' 전원을 두 개로 나눠 활용한다. 클럭 신호를 교차로 활용하기 때문에 전력 효율성과 성능을 동시에 높일 수 있다. LPDDR6 표준이 제정됨에 따라 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 D램 제조업체는 물론, EDA(설계자동화) 및 IP 기업, 팹리스 등 관련 생태계 참여자들의 차세대 엣지 AI 서버 개발이 가속화될 것으로 기대된다. 최장석 삼성전자 메모리 상품기획팀장(상무)은 "삼성전자는 이번 JEDEC 표준 제정이 차세대 LPDDR 제품 개발에 중추적인 역할을 할 것이라고 확신한다"며 "기술 선도 기업으로서 온디바이스 AI를 포함한 모바일 시장 변화 요구에 부응하는 최적화된 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다할 것"이라고 말했다. 이상권 SK하이닉스 D램 PP&E 담당은 "LPDDR6는 대역폭 및 전력 효율을 크게 향상하는 동시에 차세대 모바일, 자동차, AI 기반 애플리케이션의 증가하는 수요를 충족하기 위해 신뢰성 기능을 강화한다"며 "SK하이닉스는 업계 파트너들과 긴밀히 협력해 메모리 혁신을 발전시켜 나가기 위해 최선을 다하고 있다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들과 관련 협력사들이 LPDDR6에 필요한 컨트롤러, 인터페이스 개발에 열을 올리고 있다"며 "실제 LPDDR6를 활용하기 위해선 아직 시간이 필요하나, 대역폭이 높은 LPDDR을 원하는 AI 서버 기업들은 이미 LPDDR6 도입을 논의 중"이라고 설명했다.

2025.07.10 10:23장경윤

마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다

미국 마이크론이 최근 6세대 10나노미터(nm)급 D램 샘플을 고객사에 공급하는 데 성공했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사에 한 발 앞선 성과로, 차세대 메모리 시장에서 국내 메모리 업계와의 치열한 경쟁이 예상된다. 26일 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 이를 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 "업계 최초로 차세대 CPU용 1γ DDR5 샘플을 일부 협력사와 고객사에 출하했다"며 "우선 16Gb(기가비트) DDR5에 활용되고, 이후 AI용 고성능 및 고효율 메모리 수요에 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. 이번 1γ 기반 16Gb DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이전 세대 대비 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 줄었다. 새롭게 적용된 제조 공정도 눈에 띈다. 마이크론은 1γ D램에서부터 EUV(극자외선) 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 반도체 회로를 새기기 위한 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 DUV(심자외선) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정에 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다. 마이크론은 "1γ D램은 EUV 노광 기술과 고종횡비 식각 기술 등 최첨단 공정을 적용함으로써 업계를 선도하는 비트 밀도를 지원한다"며 "여러 세대에 걸쳐 입증된 마이크론의 D램 기술 및 제조 전략 덕분에 최적화된 공정을 만들 수 있었다"고 자신했다. 마이크론의 1γ D램 샘플은 AMD, 인텔 등 고객사에 출하돼, 현재 평가 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 6세대 10나노급 D램의 상용화를 준비하고 있다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 적용할 계획이다. 이에 따라 현재 기존 설계 대비 칩 사이즈를 키워, 수율 및 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행 중인 것으로 파악됐다. 개선품은 이르면 1~2달 내로 구체적인 성과를 확인할 수 있을 전망이다. 동시에 삼성전자는 1c D램 양산을 위한 설비투자도 진행하고 있다. 지난해 말부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 소규모 제조라인 구축을 위한 장비 발주가 시작됐다. 1c D램의 개발 현황에 따라 추가 투자 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 지난달 내부적으로 1c D램에 대한 양산 인증을 마무리한 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 이전 세대인 1b D램에서의 공정 기술력을 기반으로, 1c D램의 수율을 비교적 안정적으로 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다.

2025.02.26 09:03장경윤