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50돌 맞은 삼성전자 반도체...다시 '초격차' 경쟁력 시동

삼성전자가 오늘 반도체 사업을 시작한 지 50주년을 맞았다. 글로벌 메모리 반도체 1위, 파운드리 2위에 오르며 산업을 선도해 온 삼성전자는 그동안 괄목할 만한 성과를 이뤘지만, 최근 경쟁력 저하와 시장 변화 속에서 새로운 도전에 직면했다. 삼성전자는 6일 별도의 기념행사 없이 조직 정비와 내년도 사업 준비에 매진할 것으로 알려졌다. 1974년 반도체 사업 시작…1993년 메모리 1위로 올라서 삼성전자의 반도체 사업은 1974년 12월 6일, 당시 동양방송 이사였던 이건희 선대회장이 한국반도체의 50% 지분을 50만 달러에 인수하면서 시작됐다. 이건희 선대회장은 1983년 이른바 '도쿄선언'을 통해 반도체 사업 진출을 공식화했으며, 같은해 세계 최초로 64KB DRAM을 개발하며 메모리 시장의 주목을 받았다. 삼성전자는 1993년 글로벌 메모리 반도체 1위에 오른 후 30여년 동안 '초격자' 경쟁력을 선보이며 선두를 지켰다. 이를 시작으로 삼성전자 반도체는 한국 경제를 이끌어 가는 핵심 수출 품목의 일등공신 역할을 했다. 2010년대에 들어 삼성전자는 신사업으로 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 적극 나며 다시 초격차 경쟁에 돌입했다. 그 결과 2015년 4나노 핀펫(FinFET) 공정을 세계 최초로 상용화했고, 초기 공정에서는 TSMC보다 삼성전자의 수율이 상대적으로 우수하다는 평가를 받았다. 또 14나노 공정에서 퀄컴과 애플의 모바일용 AP(애플리케이션 프로세서) 생산하는 성과를 냈다. 이후 삼성전자는 2019년 '시스템반도체 비전 2030'을 발표하며 2030년까지 시스템반도체(파운드리, 비메모리) 세계 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했지만, 현재 TSMC와 경쟁에서 쉽지 않은 상황이다. 삼성전자는 매출에서도 큰 도약을 이뤘다. 1975년 2억원에 불과했던 삼성전자 반도체 부문 매출은 2021년 98조4550억원을 기록하며 괄목한 성장을 이뤘다. 증권가에 따르면 올해 삼성전자 반도체 매출은 100조원 달성을 눈앞에 두고 있다. 50주년에 맞이한 AI 메모리·파운드리 경쟁력 위기 삼성전자 반도체 사업은 그동안 '최초'와 '초격차'라는 수식어와 함께 글로벌 시장을 선도해 왔다. 하지만 올해 이러한 명성을 뒤로하고 새로운 국면을 맞이하며 위기 상황에 직면했다. AI(인공지능) 시대를 맞아 삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스에 AI 메모리 주도권을 내줬으며, 파운드리 시장에서는 적자가 지속되고 대만 TSMC와의 격차가 더 벌어지며 위기감을 드러냈다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 파운드리 점유율은 1위 TSMC 64.9%, 2위 삼성전자 9.3%로 6배 이상 차이가 난다. TSMC는 안정적인 공정 기술과 높은 수율로 시장에서 확고한 우위를 점하고 있는 반면, 삼성전자는 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정을 선도했음에도 불구하고 초기 수율 문제와 경쟁력 약화로 고객사의 신뢰 확보에 어려움을 겪고 있다. 기술 중심 '조직개편·인적쇄신'...초격차 기술로 재도약 목표 이러한 상황 속에서 삼성전자는 미래 성장 동력을 확보하기 위한 전략적 전환에 나섰다. AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 분야를 중심으로 차별화된 메모리 개발에 박차를 가하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 재확립하겠다는 목표다. 삼성전자는 초심으로 돌아가 초격차 기술 개발에 주력하기로 했다. 삼성전자는 기흥 캠퍼스에 새롭게 건설한 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K)에 2030년까지 20조원을 투자할 계획이다. 이 곳은 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. 지난 11월 18일 개최된 NRD-K 설비 반입식에서 전영현 삼성전자 DS부문 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난달 말 사장 및 임원 인사에서도 기술통을 전면 배치하며 대대적인 인적 쇄신에 나섰다. 전영현 부회장이 메모리사업부 겸임과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임하면서 반도체 기술 개발에 주력하기로 했다. 또 파운드리 사업부장에 한진만 사장으로 임명하며 파운드리 사업 재정비도 시작한다. 한 사장은 DSA(디바이스 솔루션 아메리카) 총괄로 재직하며 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 삼성전자는 조직도 기술 중심으로 바꿨다. 금주 조직개편을 통해 SAIT 산하 AI센터와 DS부문 내 혁신센터를 통합해 DS부문 산하에 AI센터를 신설했다. 동시에 수율 향상 등을 위해 별도의 최고기술책임자(CTO) 보직도 신설하고 공정 개발 전문가인 남석우 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 사장을 배치했다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 강화를 위해 이례적으로 경쟁사인 TSMC와 협력한다는 가능성도 내비쳤다. 삼성전자는 지난 3분기 컨콜에서 “내년 하반기 양산을 목표로 하는 HBM4부터 베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하겠다”고 밝혔다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 반도체 업계 관계자는 "기술에 정통한 리더십으로의 전환은 삼성전자의 위기 돌파 전략에 중요한 전환점이 될 것"이라고 진단했다.

2024.12.06 14:49이나리

삼양엔씨켐, EUV·HBM 시장 잡는다…"PR용 소재 개발"

국내 포토레지스트(PR, 감광액)용 소재 기업 삼양엔씨켐이 최첨단 반도체 시장 진입에 따른 회사 성장을 자신했다. 고난이도 노광 기술인 EUV(극자외선)용 소재의 상용화를 성공했으며, 차세대 메모리로 각광받는 HBM(고대역폭메모리) 분야에서도 내년 신규 소재를 상용화할 수 있을 것으로 기대된다. 정회식 삼양엔씨켐 대표는 6일 서울 여의도에서 IPO 기자간담회를 열고 회사의 핵심 사업 및 향후 전략에 대해 이같이 밝혔다. 지난 2008년 설립된 삼양엔씨켐은 반도체 포토레지스트용 재료를 전문으로 개발하는 기업이다. 포토레지스트는 반도체 웨이퍼 위에 반도체 회로를 새기는 노광 공정에 필수적으로 활용되는 소재다. 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키고, 이를 통해 웨이퍼에 특정한 패턴을 만들어낸다. 삼양엔씨켐은 이 포토레지스트를 만드는 데 필요한 폴리머(고분자), PAG(광산발생제)를 양산하고 있다. 두 소재 모두 기존 일본이 주도해 온 시장이었으나, 삼양엔씨켐이 지난 2012년경 국산화에 성공했다. 현재 국내외 복수의 포토레지스트 제조업체를 통해, 삼성전자·SK하이닉스 등에 제품을 공급하고 있다. 정회식 대표는 "삼양엔씨켐은 높은 정제 기술을 기반으로 국내는 물론 국내 시장에 진출한 해외 기업들과도 거래를 확대하고 있다"며 "지난해 986억원 수준의 매출을 오는 2030년까지 3천억원으로 끌어올리고, ArF와 EUV향 비중을 기존 10%에서 30%로 높이는 것이 목표"라고 강조했다. 포토레지스트는 노광 방식에 따라 KrF(불화크립톤), ArF(불화아르곤), EUV 등으로 나뉜다, 후순으로 갈수록 기술적 난이도가 높고, 첨단 반도체 공정에서 활용된다. 특히 EUV는 7나노미터(nm) 이하의 최첨단 공정, 1a(4세대 10나노급) D램 등에서 활용도가 높다. 이를 위해 삼양엔씨켐은 국내 포토레지스트 제조업체와 협력해 EUV용 포토레지스트 소재를 개발했다. 국내 메모리기업 2곳 중 한 곳에는 공급을 시작했고, 다른 한 곳은 공급을 추진 중이다. 또한 해외 협력사와 함께 파운드리용 EUV용 소재를 개발하고 있다. 해당 소재는 내년 양산 공급할 예정이다. 또한 삼양엔씨켐은 차세대 메모리로 각광받는 HBM 분야에도 진출했다. 지난 2020년부터 HBM용 범프 폴리머 협업을 시작해, 주요 고객사와 품질 테스트를 거치고 있다. 이르면 내년부터 상용화에 들어갈 수 있을 것으로 전망된다. 해당 제품 역시 기존에는 일본 기업이 시장을 독과점해 왔었다. 정 대표는 "국내 최대 반도체 PR 소재 전문기업으로서 EUV 및 HBM BUMP 폴리머 등 차세대 반도체 핵심 소재 개발을 진행하고 있다”며 “상장 이후 회사는 시장의 수요에 발맞춘 혁신적인 소재 개발을 통해 반도체 산업의 지속 가능한 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다. 한편 삼양엔씨켐은 이번 상장에서 110만주를 공모한다. 희망 공모가는 1만6천원~1만8천원으로 총 공모금액은 176억원~198억원이다. 수요예측은 2025년 1월 6일~10일 5일간 진행, 같은 달 16일~17일 양일간 일반 청약을 거쳐 2월 3일 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 상장 주관은 KB증권이 맡았다.

2024.12.06 14:29장경윤

SK하이닉스, '5개 C-Level' 경영 체제 도입...'AI 원팀'

SK하이닉스는 5일 발표한 2025년 임원인사에서 곽노정 대표이사 사장 체제를 이어 가기로 했다. 곽 사장은 고대역폭메모리(HBM) 글로벌 1위 리더십과 함께 SK하이닉스의 실적 성장을 이끌었다고 평가받는다. SK하이닉스는 AI 메모리 중심 경영을 강화하기 위해 이번 인사에서 안현 N-S Committee 담당의 사장을 비롯해 신규 임원 33명을 발탁하며 세대교체를 단행했다. 이는 지난해 18명 임원 승진과 비교해 약 1.8배가 늘어난 규모다. 올해 SK하이닉스가 AI 메모리 부분에서 괄목한 성장을 한 만큼, HBM, D램 등 주요 제품 경쟁력을 강화하는데 탁월한 성과를 낸 조직에서 다수의 신규 임원을 선임해 성과에 기반한 인사를 명확히 했다. SK하이닉스는 이날 조직개편도 발표했다. 회사는 이번 조직개편에서 차세대 인공지능(AI) 반도체 등 미래 기술과 시장을 지속 선도하기 위한 '강한 원팀(One Team)' 체제 구축에 중점을 뒀다. 이에 따라 SK하이닉스는 사업부분을 5개 조직으로 개편하고, 핵심 기능별로 책임과 권한을 부여해 신속한 의사결정이 가능한 'C-Level'(C레벨) 중심의 경영 체제를 도입한다. 곽노정 CEO를 중심으로 C-Level 핵심 임원들이 주요 의사결정을 함께 이끌며, 시장과 기술의 변화에 더 민첩하게 대응하겠다는 의지다. 5개 사업부분은 ▲AI Infra(CMO, Chief Marketing Officer) 김주선 사장 ▲미래기술연구원(CTO, Chief Technology Officer) 차선용 부사장 ▲코퍼레이션 센터(Corporate Center) 송현종 사장 ▲개발총괄(CDO, Chief Development Officer) 안현 사장 ▲양산총괄(CPO, Chief Production Officer) 김영식 부사장 등으로 구성된다. 이 중에서 '개발총괄'과 '양산총괄'은 이번에 신설된 조직이다. 개발총괄은 D램과 낸드, 솔루션 등 모든 메모리 제품의 개발 역량을 결집해 차세대 AI 메모리 등 미래 제품을 개발하는 조직이며, 전사 시너지를 극대화해 나가기로 했다. 이 자리에는 이번에 사장으로 승진한 안현 N-S Committee 담당이 선임됐다. 안 사장은 미래기술연구원과 경영전략, 솔루션 개발 등 핵심 보직을 거쳤고, 올해 주주총회에서 사내이사에 선임돼 회사의 기술과 전략 관련 주요 의사결정에 참여해왔다. '양산총괄' 조직은 메모리 전(前)공정과 후(後)공정의 양산을 총괄한다. 공정간 시너지를 극대화하고 향후 용인 반도체 클러스터를 포함해 국내외에 건설할 팹(Fab)의 생산기술 고도화를 통합적 관점에서 주도하게 했다. 대외협력과 글로벌 업무 관련 조직에는 외교 통상 전문가를 다수 배치해 세계 주요국의 반도체 정책과 급변하는 지정학 이슈에 기민하게 대응할 수 있는 역량을 강화했다. 한편, SK하이닉스는 젊고 유능한 인재들이 새로운 시각으로 고객 요구와 기술 트렌드에 부합한 미래 성장을 준비할 수 있도록 신규 임원 33명을 발탁해 과감한 세대교체를 단행했다. 이번에 승진한 임원 중 약 70%는 차세대 반도체 개발과 같은 기술 분야에서 선임해 기술회사의 근원적 경쟁력 확보에 주력했다. SK하이닉스는 내년에도 4인 사장체제를 유지한다. 신임 안현 사장을 포함해 곽노정 대표이사 사장 김주선 AI 인프라 담당 사장, 송현종 코퍼레이트 센터 담당 사장, 안현 CDO 담당 사장으로 이뤄진다. 곽노정 대표이사 사장은 "회사 구성원들이 하나가 되어 노력한 결과 올해 HBM, eSSD 등 AI 메모리 분야에서의 기술 경쟁력을 확고히 했다”며 “괄목할만한 성장을 이뤘지만 경영환경이 빠르게 변하고 있는 만큼, 이번 조직개편과 임원 인사를 통해 기존 사업과 미래 성장 기반을 리밸런싱(Rebalancing)해 AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.12.05 15:11이나리

아이에스티이, HBM 이어 PECVD 시장 진출…"SK하이닉스 등 공급"

"아이에스티이는 차별화된 기술력을 토대로 HBM용 풉 클리너를 국내 최초로 상용화하는 등 성과를 거두고 있다. 신규 장비인 PECVD 장비도 내년 SK하이닉스 메모리 공정에 공급할 예정이다. 현재 품질 테스트에서 유일하게 고객사의 요구치를 달성했다." 조창현 아이에스티이 대표는 5일 서울 여의도에서 기업공개(IPO) 기자간담회를 열고 코스닥 상장 후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2013년에 설립된 아이에스티이는 반도체 풉(FOUP) 클리너(세정장비) 개발에 성공, 삼성전자와 SK하이닉스, SK실트론 등 주요 고객사에 제품을 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다. 기존 풉 세정 장비는 커버와 바디를 한번에 세정하고 건조시키는 방식을 채용해 왔다. 반면 아이에스티이는 분리 세정이 가능한 장비를 자체 개발해, 세정력과 건조 효율성, 생산 효율성을 모두 높였다. 또한 아이에스티이는 첨단 패키징 시장에서도 성과를 거두고 있다. 올해에는 국내 최초로 HBM(고대역폭메모리)용 400mm 풉 클리너 장비 개발에 성공했다. 해당 장비는 SK하이닉스에 공급 완료했으며, 삼성전자와도 공급을 논의 중이다. PLP(패널레벨패키징)용 600mm 풉 클리너는 세계 최초로 개발 완료했다. 해당 장비는 삼성전기, 네패스 등에 공급을 완료했다. 조창현 대표는 "성능과 가격 경쟁력을 기반으로 글로벌 풉 세정장비 시장 점유율을 2022년 14%에서 2030년 40%로 끌어올리는 것이 목표"라며 "이를 위해 해외 주요 반도체 기업 및 연구기관을 고객사로 적극 확보하고 있다"고 설명했다. 이외에도 아이에스티이는 차세대 반도체 공정용 장비인 PECVD(플라즈마화학기상증착) 장비 연구개발을 통해 신규 사업을 추진하고 있다. 증착이란 웨이퍼 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖도록 만드는 공정이다. 아이에스티이는 지난 2021년 절연막의 일종인 'SiCN' PECVD 장비를 국내 최초로 국산화해, SK하이닉스와의 퀄(품질) 테스트를 진행했다. 테스트 통과 후 현재는 본격적인 양산 검증을 거치고 있어, 내년 공급이 기대된다. 조창현 대표는 "SK하이닉스의 D램용 SiCN PECVD 장비 국산화를 위해 당사를 포함해 3개 업체가 경쟁했으나, 최종적으로는 아이에스티이만이 요구 성능을 충족해 공급사로 단독 선정됐다"며 "향후 HBM의 적층 수가 늘어나고, 하이브리드 본딩과 같은 신기술이 도입되면 패키징에서도 SiCN PECVD 수요가 증가하기 때문에 매우 유망한 사업 분야"라고 강조했다. 한편 아이에스티이는 상장을 통해 확보한 공모자금을 생산능력 확장을 위한 신규 공장 부지 취득과 PECVD장비 개발 및 사업화를 위한 운영 자금, 채무 상환 등에 활용할 예정이다. 아이에스티이의 총 공모 주식수는 160만주로, 1주당 공모 희망가액은 9천700원~1만1천400원, 총 공모금액은 155억원~182억원이다. 12월 2일부터 12월 6일까지 기관 수요예측을 진행해 공모가를 확정한 뒤, 12월 10일과 11일 이틀 동안 일반 투자자들을 대상으로 청약을 진행해 12월 20일 코스닥 시장에 입성할 예정이다. 주관사는 KB증권이다.

2024.12.05 14:36장경윤

SK하이닉스, 개발·양산총괄 신설…'AI 메모리' 선점 노린다

SK하이닉스가 조직개편을 통해 'AI 메모리' 시장 공략을 가속화한다. 차세대 메모리 경쟁력을 높이기 위한 개발총괄·양산총괄 조직을 새로 만들고, 주요 사업부문의 권한 및 협업 체계를 강화하기로 했다. SK하이닉스는 이사회 보고를 거쳐 2025년 조직개편을 단행했다고 5일 밝혔다. SK하이닉스는 "르네상스 원년으로 삼았던 올해 성과에 안주하지 않고, 차세대 AI 반도체 등 미래 기술과 시장을 지속 선도하기 위한 '강한 One Team(원팀)' 체제 구축에 중점을 두었다“고 강조했다. 우선 SK하이닉스는 핵심 기능별로 책임과 권한을 부여해, 신속한 의사결정이 가능하도록 'C-Level'(C레벨) 중심의 경영 체제를 도입했다. 이에 따라 사업부문을 AI Infra(CMO, 최고마케팅책임자), 미래기술연구원(CTO), 개발총괄(CDO), 양산총괄(CPO), 코퍼레이트 센터 등 5개 조직으로 구성했다. 부문별 관련된 기능을 통합해 '원팀' 의사결정이 가능하도록 한 것이다. 곽노정 CEO를 중심으로 C-Level 핵심 임원들이 주요 의사결정을 함께 이끌며, 시장과 기술의 변화에 더 민첩하게 대응하겠다는 의지다. 특히 D램과 낸드, 솔루션 등 모든 메모리 제품의 개발 역량을 결집한 '개발 총괄'을 신설해, 차세대 AI 메모리 등 미래 제품 개발을 위한 전사 시너지를 극대화해 나가기로 했다. 이 자리에는 N-S Committee 안현 담당이 사장으로 승진해 선임됐다. 안 사장은 미래기술연구원과 경영전략, 솔루션 개발 등 핵심 보직을 거쳤고, 올해 주주총회에서 사내이사에 선임돼 회사의 기술과 전략 관련 주요 의사결정에 참여해왔다. 또한 회사는 메모리 전(前)공정과 후(後)공정의 양산을 총괄하는 '양산총괄'을 신설해, 공정간 시너지를 극대화하고 향후 용인 반도체 클러스터를 포함해 국내외에 건설할 팹(Fab)의 생산기술 고도화를 통합적 관점에서 주도하게 했다. 곽노정 대표이사 사장은 "회사 구성원들이 하나가 되어 노력한 결과 올해 HBM, eSSD 등 AI 메모리 분야에서의 기술 경쟁력을 확고히 했다”며 “괄목할만한 성장을 이뤘지만 경영환경이 빠르게 변하고 있는 만큼, 이번 조직개편과 임원 인사를 통해 기존 사업과 미래 성장 기반을 리밸런싱(Rebalancing)해 AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다.

2024.12.05 13:39장경윤

삼성전자 조직개편 마무리…사업 효율성·AI 역량 강화

삼성전자가 연말 조직개편을 통해 사업 운영의 효율성을 강화한다. 기존 분산된 인공지능(AI) 관련 조직을 모아 센터를 신설하고, 메모리 및 파운드리 사업부의 각 특성에 맞춰 조직을 세분화했다. 최근 정기 임원인사를 통해 공석이 됐던 주요 직책들도 후속 인사를 마무리했다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 후속 임원인사와 조직개편안을 확정하고 구성원을 대상으로 설명회를 진행했다. 삼성전자는 이번 조직개편을 통해 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문 내에 AI 센터를 신설했다. 기존 DS 부문에서 자율 생산 체계, AI 및 데이터 활용 등을 담당하던 조직을 단일 센터로 통합해 만들었다. AI 센터의 신임 센터장으로는 송용호 메모리사업부 솔루션개발실장 부사장이 임명됐다. 또한 삼성전자는 기존 DS부문의 제조&기술담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부 전담 조직으로 각각 나눴다. 메모리와 파운드리의 공정 성격이 상이한 만큼, 각 사업부의 역량을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 메모리 제조&기술담당은 기존 통합된 제조&기술담당 조직에서 메모리제조센터기술장을 맡았던 신경섭 부사장이 이끌 예정이다. 파운드리 제조&기술담당의 장은 통합 조직에서 파운드리제조기술센터장을 역임한 홍영기 부사장이 내정됐다. 한진만 DS부문 파운드리사업부장 사장이 맡았던 미주총괄(DSA) 직책은 조상연 부사장이 담당한다. 조 부사장은 DSA 담당 임원으로, 1999년 삼성전자에 엔지니어로 입사해 2004년 피츠버그대 컴퓨터공학과 교수로 자리를 옮겼다. 이후 2012년 다시 삼성전자에 합류한 바 있다. DX부문 경영지원실 지원팀장을 맡고 있는 박순철 부사장은 박학규 사업지원TF 사장이 맡던 DX부문 경영지원실장을 맡게 됐다. 박 부사장은 삼성전자 미래전략실 출신으로, 네트워크 사업부, MX(모바일경험) 사업부와 사업지원TF를 두루 거쳤다. 지금까지 삼성전자의 CFO 자리는 미래전략실 출신 재무통 임원이 맡아왔다. 한편 연말 인사와 조직개편을 마무리한 삼성전자는 이달 중순부터 글로벌 전략회의에 돌입할 예정이다.

2024.12.04 17:14장경윤

韓 반도체 장비업계, 대중국 수출 규제에도 "기회 요소 충분"

미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위가 갈수록 높아지고 있다. 이에 따라 우리나라도 내년부터 중국 기업에 대한 반도체 장비 규제 대상에 포함될 예정이다. 다만 국내 반도체 장비기업들은 일부 최첨단 분야를 제외하면 영향은 적을 것으로 관측된다. 또한 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 규제 제외에 따른 단기적 수혜도 예상된다. 3일 업계에 따르면 국내 반도체 장비기업은 미국의 신규 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향을 면밀히 파악하고 있다. 불확실성 높아지지만…"세부사항 따라 영향 無" 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 국내 반도체 장비업계도 이번 미국의 결정을 예의주시하고 있다. 미국이 중국에 대한 반도체 장비 규제 대상국가에 한국, 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만을 포함했기 때문이다. 구체적으로 미국은 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴을 규제품에 명시했다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 사실상 주요 공정 대부분이 포함됐다. 반도체 업계 고위 관계자는 "이번 미국의 규제는 HBM과 HBM의 근간이 되는 D램용 전공정 분야에 특히 초점이 맞춰져 있다"며 "국내 투자가 위축된 상황에서 중국으로 활로를 찾았던 국내 장비업계로서는 사업에 대한 불확실성이 높아질 수 있다"고 설명했다. 다만 반도체 장비업계는 규제에 따른 여파를 면밀히 살펴봐야 한다는 입장이다. 미국의 규제가 공정 전반을 다루고는 있으나, 대체로 첨단 반도체 제조에만 국한돼 있기 때문이다. 중국 반도체 기업들은 국내 장비 협력사로부터 주로 레거시 반도체 제조용 장비를 수급하고 있다. 일례로 미국은 계측 장비에 대한 규제로 "21나노미터(nm) 이하의 결함을 검사할 수 있는 장비"라는 기준을 제시했다. 넥스틴 등 국내 기업이 상용화한 제품은 30나노급으로 계측이 가능해, 규제 기준에 포함되지 않는다. 21나노 급은 계측장비 업계 1위인 미국 KLA의 제품 중에서도 하이엔드급만 성능을 충족하는 것으로 알려져 있다. CXMT 규제 제외…내년도 수혜 지속 오히려 이번 미국의 대중 반도체 수출 규제에 안도의 한숨을 내쉰 기업들도 있다. 미국이 중국 내 반도체 및 제조장비 140여곳을 '우려거래자(Entity List)'에 포함시켰으나, CXMT는 명단에서 제외했기 때문이다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 레거시 제품의 생산능력을 지난해 월 12만장에서 올해 월 20만장으로 확장하고 있다. 이를 위해 국내 복수의 반도체 전공정, 인프라 장비업체로부터 설비를 발주해 왔다. 나아가 CXMT는 내년에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 건설할 계획이다. 최근 국내 장비업계와 구체적인 장비 도입을 논의한 것으로 파악됐다. 구체적인 설비 공급 시기나 규모는 각 장비업체마다 다르지만, CXMT는 신규 공장을 통해 최대 월 10만장 규모의 생산능력을 확충할 것으로 관측된다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 주요 고객사들이 투자에 소극적으로 나서면서 중국 시장의 비중이 커진 협력사들이 여럿 있다"며 "CXMT가 규제 명단에 올라가지 않으면서 국내 기업들도 장비를 지속 공급할 수 있게 됐다는 기대감이 나오고 있다"고 설명했다. 中 내재화 빨라질수도…장기적으론 '악재' 다만 중국 장비 기업의 기술 자립화가 빨라지고 있다는 점은 국내 반도체 장비업계의 장기적 악재로 지목된다. 현재 중국에는 중웨이반도체(AMEC), 나우라(Naura) 등이 첨단 반도체 제조장비 개발에 열을 올리고 있다. 식각 공정에 강점을 둔 AMEC는 대만 주요 파운드리 TSMC에 5나노 공정용 건식 식각장비를 공급했으며, 나우라 역시 14나노급 식각장비 개발에 성공한 바 있다. 이들 기업은 현지 정부의 지원과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 급격한 성장세를 기록해 왔다. 특히 미국의 규제를 의식해, 기술력 향상에 온 힘을 쏟고있다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "아직 성과가 나오려면 시간이 걸리는 분야도 있지만, 중국 반도체 장비기업들은 반도체 공정 전 분야에 걸쳐 기술 내재화를 적극 추진하고 있다"며 "장비 업계에서도 중장기적으로는 중국향 매출이 점차 줄어들 것으로 예측하는 곳이 많다"고 밝혔다.

2024.12.04 16:21장경윤

美 규제 비껴간 中 CXMT, 내년 신규 팹 증설…삼성·SK에 위협

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 미국의 새로운 대중(對中) 반도체 수출 규제 여파를 비껴갔다. 이에 따라 중국의 레거시 D램 생산능력은 지속적으로 확대될 것으로 보여, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게는 일부 악영향을 끼칠 것으로 분석된다. 실제로 CXMT는 내년에도 신규 D램 제조공장을 건설할 계획이다. 이를 위해 최근 협력사들과 구체적인 장비 공급 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다. 3일 업계에 따르면 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 팹을 마련해 D램 생산능력을 확대할 계획이다. CXMT는 지난 2016년 설립된 중국 주요 D램 제조업체다. 중국 정부의 막대한 지원 하에 기술력과 생산능력을 빠르게 끌어올렸다는 평가를 받고 있다. CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 생산품목이 18~16나노미터(nm)급의 레거시 D램에 집중돼있기는 하나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업에게도 수익성 악화를 초래할 수 있을 정도의 규모로 분석된다. CXMT의 적극적인 투자 기조는 내년에도 지속될 것으로 관측된다. 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 내년 초부터 시행되는 이번 규제로 중국 내 반도체 및 제조장비 140여 곳이 미국의 강력한 수출규제를 받는 '우려거래자(Entity List)'에 포함됐다. 다만 CXMT는 업계의 예상과 달리 명단에서 제외됐다. 삼성증권은 관련 리포트를 통해 "미국이 원론적으로 CXMT의 저가 D램 기술이 국가 안보를 위협할 만한 수준은 아니라고 판단했을 것"이라며 "2~3년 뒤 1a(14나노급) D램이나 HBM(고대역폭메모리)를 생산하기 시작하면 규제 대상에 오를 수 있으나, 당장 내년에는 규제가 없을 가능성이 높아 (우리나라 등)메모리 경쟁사에 위협으로 느껴질 수 있다"고 설명했다. 실제로 CXMT는 내년 중국 상하이 지역에 신규 D램 제조공장을 설립할 계획이다. 올 4분기 관련 협력사들과 구체적인 설비 도입 논의를 시작한 상황으로, 내년 상반기부터 본격적인 설비투자에 나설 것으로 파악됐다. 현재 업계가 추산하는 CXMT 신규 D램 공장의 생산능력은 월 최대 10만장이다. 기존 생산능력을 고려하면 중장기적으로 최대 월 30만장의 생산능력을 확보하게 되는 셈이다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT가 올해에 이어 내년에도 D램 생산능력 확장에 적극적인 모습을 보이고 있다"며 "다만 삼성전자와 SK하이닉스는 1a D램 이상의 고부가 제품 전환에 집중하고 있어, 국내 메모리 시장에 미칠 악영향은 우려 대비 축소될 수 있다"고 말했다.

2024.12.03 15:01장경윤

김춘환 SK하이닉스 부사장 "HBM 성공 기틀, 요소기술 선행 개발로 마련"

SK하이닉스는 김춘환 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '2024 산업기술 R&D 종합대전'에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 2일 밝혔다. R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 '산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상' 시상식이 진행된다. 산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받았다. 김 부사장은 “요소기술을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실이고, 함께 한 구성원 모두에게 감사 인사를 전하며 앞으로 더 많은 분에게 수상의 기회가 돌아가길 기대한다”고 말했다. 1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끈 주역이다. 특히 그는 HBM의 핵심인 TSV(실리콘관통전극) 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했는데, 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다. 김 부사장은 TSV 개발에 열을 올렸던 2008년 당시에 대해 “TSV 공정 기술 안정화와 인프라 구축에 중점을 두고 연구 개발에 더욱 매진했다"며 "양산 품질 개선 활동도 진행해 마침내 HBM 양산에 성공하게 됐는데, 이 모든 성과의 단초였던 TSV는 현재 MR-MUF와 함께 HBM의 핵심 경쟁력이 됐다"고 밝혔다. 김 부사장의 성취는 TSV에 그치지 않는다. 그는 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV(극자외선) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 또한 HKMG(High-k Metal gate) 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 첨단 기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다. 낸드 분야의 혁신도 돋보인다. 김 부사장은 'Gate W Full Fill' 기술로 신뢰성을 높여 수율 안정성을 확보했고, 이를 통해 생산성을 높이는 데 기여했다. 또한 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다. 김 부사장은 "1b D램 기반의 HBM3E는 선단기술과 TSV 노하우를 집대성한 결과물로 볼 수 있다"며 "초고속·저전력의 LPDDR5X·LPDDR5T는 HKMG 기술 덕분에 개발할 수 있었다"고 설명했다. 끝으로 김 부사장은 AI라는 큰 변화에 맞서 나가기 위해 구성원들이 가져야 할 마음가짐을 언급했다. 그는 "신규 요소기술 정의부터 기술 개발 착수, 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나되어야만 목표를 달성할 수 있다"며 "퍼스트 무버로서 기술 리더십을 발휘한다면 세계 최고의 SK하이닉스로 성장할 수 있을 것”이라고 강조했다.

2024.12.02 10:09장경윤

반도체 세액공제 '3년' 늘린다지만…"美·日 등은 최대 10년"

정부가 반도체 등 국가전략기술에 대한 세액공제 적용기한을 올해 말에서 2027년 말로 3년 연장한다. 다만 미국·일본 등 주요 국가에서는 각각 5년·10년에 달하는 지원책을 펼치고 있어, 우리나라도 반도체 산업의 특성을 고려한 중장기적 대책이 필요하다는 목소리가 나오고 있다. 30일 업계에 따르면 반도체 산·학·연 전문가들은 국내 기업들의 장기적 투자를 지원하기 위한 대응책이 필요하다는 분석을 내놓고 있다. 앞서 정부는 지난 2022년 반도체 등 첨단 산업을 국가전략기술로 지정하고, 연구개발비 및 설비투자에 대해 높은 세액공제율을 적용한 바 있다. 설비투자의 경우 삼성전자·SK하이닉스 등 대기업은 최대 25%의 세액공제 혜택을 받을 수 있다. 다만 국가전략기술 세액공제율 적용 기간은 3년으로, 올해 말이 되면 일몰기한이 도래한다. 이에 정부는 지난 6월 세법개정안을 통해 기간을 3년 연장하기로 했다. 그러나 업계에서는 보다 장기적인 시각의 지원이 필요하다는 지적이 꾸준히 제기되고 있다. 초기 투자부터 공장 가동까지 최소 3~4년의 시간이 소모되는 반도체 업계 특성 상, 최소 10년 이상의 일관된 투자 지원 정책이 필요하기 때문이다. 일례로 삼성전자는 경기 용인시 남사읍에 약 300조원을 투입해 710만 제곱미터 규모의 시스템반도체 클러스터를 구축한다. 해당 클러스터에는 파운드리 팹이 총 6개 지어지며, 관련 생태계 기업도 150여곳이 들어선다. 투자 기간은 지난해부터 오는 2043년까지다. SK하이닉스도 용인시 원삼면에 415만 제곱미터 규모의 반도체 클러스터를 구축하고 있다. 약 122조원을 투입해 메모리 팹 4기를 구축하고 소부장 협력사 50여곳을 유치한다. 해당 클러스터의 구축지난 2022년부터 시작돼, 오는 2046년까지 진행될 예정이다. 반도체 업계 고위 관계자는 "반도체 산업은 장기적이고 지속적인 전략적 투자가 필요한데, 투자에 대한 불확실성을 없애야만 실질적 움직임이 가능하다"며 "반도체 공급망 확보에 힘쓰고 있는 미국 일본 등도 최대 10년 이상의 장기적인 지원책을 시행 중"이라고 설명했다. 한국반도체산업협회가 최근 추산한 자료에 따르면, 미국은 지난 2022년 8월 '칩스법'을 통해 반도체 또는 반도체 장비 제조용 첨단제조시설에 필수적인 자산 도입 투자액의 25%에 세액공제를 적용하고 있다. 세액공제는 2022년 12월 31일 이후 가동이 시작됐거나, 2027년 1월 1일 이전에 착공이 시작된 공장을 대상으로 한다. 이를 고려하면 지원 기간이 5년 가까이 되는 셈이다. 일본 역시 2024년 세제개정안에 '전략분야 국내생산 촉진세제'를 신설했다. 반도체를 비롯한 5개 전략분야의 현지 설비투자 시 최대 20%의 법인세를 공제해주는 것이 주 골자다. 해당 법안은 오는 2027년 3월 말까지 승인된 사업계획을 대상으로 한다. 세액공제 혜택은 사업계획 승인일 이후 10년 이내의 각 회계연도에 적용된다.

2024.12.01 14:45장경윤

낸드 불황 심각...삼성전자·키옥시아 감산 전망

범용 낸드플래시 시장 불황으로 메모리 업계가 또 다시 생산량 감축에 나설 전망이다. 커머셜타임즈에 따르면 일본 메모리 업체 키옥시아가 다음달 낸드 감산에 나설 전망이다. 삼성전자 또한 낸드 공급 가격을 안정적으로 유지하기 위해 감산을 채택할 것으로 예상된다. 앞서 지난해 SK하이닉스, 마이크론, 키옥시아 등은 낸드 수요 감소로 2022년 하반기부터 올해 초까지 선별적 감산에 들어간 바 있다. 삼성전자 또한 뒤늦게 2023년 4월부터 낸드 생산량 감축에 들어갔다. 낸드 생산량을 줄이면 재고량이 줄어들면서 가격을 안정적으로 유지할 수 있다. 메모리 업체의 안정적인 재고 회전일은 10~12주다. 최근 낸드 시장은 AI 성장으로 데이터센터에 탑재되는 엔터프라이즈 SSD만 가격이 안정적으로 유지되고, 나머지 낸드는 수요 감소로 가격 하락세가 크다. 스마트폰, 노트북 등 시장 위축에 따라 낸드 수요가 줄어들었기 때문이다. 29일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 범용 낸드 고정가격은 작년 10월부터 5개월 연속 상승 후 지난 3월부터 보합세를 보이다가 9월부터 하락세로 돌아섰다. 낸드 가격은 전월 대비 9월11.44% 감소, 10월 29.18% 감소, 11월 29.8% 감소하며 하락폭이 크다. 지난 8월 4.9달러였던 가격은 2.16달러로 반토막이 났다. 시자조사업체 트렌드포스는 소비자향 낸드 수요처는 최근 낸드 구매를 더 줄이면서 4분기 삼성전자와 키옥시아의 낸드 매출이 감소된다고 전망했다. 특히 키옥시아는 전분기 대비 10% 이상 감소할 것으로 예상된다. 반면 SK하이닉스는 서버향 엔터프라이즈 SSD에 주력함으로써 4분기 낸드 매출이 일정하게 유지할 것으로 보인다. SK하이닉스는 3분기 엔터프라이즈 SSD향 낸드 매출에서 성과를 내면서 수익성을 높였다. 트렌드포스는 3분기 전체 낸드 시장 매출은 전분기 대비 2% 감소에 그쳤지만, 4분기 전체 낸드 시장 매출은 전분기 대비 약 10% 감소할 전망”이라며 “중국 스마트폰 브랜드의 주문이 감소하면서 낸드 공급업체는 가격 하락 압박을 받을 수 있다. 결과적으로 일부 낸드 공급업체는 단기적으로 추가 생산 감축을 선택할 수 밖에 없다”고 말했다.

2024.12.01 12:05이나리

블룸버그 "SK 최태원은 한국의 젠슨 황"

미국 블룸버그통신이 28일(현지시각) 최태원 SK그룹 회장을 '한국의 젠슨'이라고 평가했다. 세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)를 빗대 최 회장을 치켜세웠다. 그동안 삼성전자 그늘에 가렸던 SK하이닉스가 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM)를 공급하며 아시아에서 가장 두드러지는 수혜주가 됐다고 블룸버그는 소개했다. SK하이닉스 기술자들은 최 회장과 마찬가지로 자부심을 갖고 “HBM은 '하이닉스의 베스트 메모리(Hynix's Best Memory) 약자”라고 말한다고 전했다. 블룸버그는 2012년 매우 위험한 도박을 하듯 최 회장이 빚에 시달리던 하이닉스반도체를 인수하며 SK하이닉스가 탄생했다고 짚었다. SK그룹은 현대전자로부터 하이닉스반도체를 인수해 연구개발에 수십억 달러를 썼다. 특히 HBM팀을 사실상 해체한 삼성전자와 달리 꾸준히 HBM을 개발한 게 지금의 SK하이닉스를 만들었다고 블룸버그는 분석했다. AI 물결이 일자 이에 올라탈 준비가 됐던 SK하이닉스가 기회를 잡았다는 얘기다. SK하이닉스는 한국 시가총액 2위가 됐다. 1위는 삼성전자다.

2024.11.29 16:39유혜진

ISC "2027년 매출 5천억원 달성 목표"...주주 친화 정책 가동

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 코스닥 반도체 소부장 기업 최초로 기업가치 제고 계획을 공시하며 주주친화 정책에 나선다고 29일 밝혔다. 아이에스시는 29일 이사회를 열고 공시를 통해 기업가치 제고 계획을 공개했다. 스케일업과 주력사업의 경쟁력 강화를 통해 매출과 수익성을 높이고, 이를 기반으로 한 주주환원을 확대하는 것이 주 골자다. 아이에스시는 주력사업인 테스트 소켓 사업의 경쟁력 강화와 급증하고 있는 글로벌 빅테크 고객사들의 AI반도체 테스트 소켓 R&D 및 양산 수주에 적극 대응하기 위해 올해부터 3년간 500억원 이상을 투입할 계획이다. 나아가 2027년까지 글로벌 최고 수준의 R&D 인프라를 구축하고, 생산 능력을 매출 기준 5천억원 수준으로 증설할 예정이다. 또한 회사의 중기성장 전략을 반도체 후공정 테스트 솔루션 기업으로 설정해, 테스트 소켓뿐만 아니라 반도체 후공정 테스트 주요 부품, 장비까지 사업 영역을 확대해 2027년 매출 5천억 원을 달성한다는 목표를 밝혔다. 이러한 스케일업과 주력사업 투자, 자본 효율성 최적화를 통해 2027년까지 현재 3.5%인 자기자본이익율(ROE)을 단계적으로 20%로 높인다는 계획을 제시했다. 주주가치 제고를 위해서는 배당 및 자사주 매입 소각 정책이 포함된 총주주환원율 30%를 제시했다. 아이에스시는 “기존에는 체계적인 배당정책이나 주주환원정책이 수립돼 있지 않았으나 금번 밸류업 프로그램을 준비하면서 장기주주들의 주주가치 제고를 위한 배당 및 주가의 중요성을 인지하고, 우량 주주들의 유입으로 안정적인 주가를 유지하기 위해 총주주환원율 관점에서 주주환원정책을 수립했다”고 말했다. 회사 관계자는 “금번 밸류업 프로그램은 아이에스시가 글로벌 기업으로 성장하는 기반이 될 것”이라며 “2025년부터 유의미한 실적 성장과 주주가치 제고를 위해 최선을 다하겠다”고 강조했다.

2024.11.29 16:37장경윤

DDR5 '가격 프리미엄' 확대…삼성·SK, 최선단 공정 전환 속도

올 하반기 범용 D램 시장이 수요 부진, 경쟁 심화 등으로 가격 하락 압박을 받고 있다. 다만 국내 기업이 주력하는 DDR5는 레거시 제품 대비 견조한 수익성을 유지하고 있는 것으로 나타났다. 29일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 이달 말 8GB(기가바이트) DDR4 모듈의 평균 가격은 18.5달러로 전월 대비 11.9% 감소했다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "중국을 비롯한 여러 시장의 PC 교체 수요가 부진했고, 공급사들도 재고 수준을 낮추기 위한 움직임에 나서며 D램 가격의 하락세가 당초 예상 대비 심화됐다"고 설명했다. 다만 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 제조업체의 매출 비중이 높은 DDR5 시장이 비교적 안정적인 흐름을 보였다는 점은 고무적이다. 같은 기간 8GB DDR5 모듈 가격은 25.5달러로, 전월 대비 5.56% 감소했다. 이에 따라 이달 DDR5 모듈의 DDR4 대비 가격 프리미엄은 38% 수준으로, 3분기 기록인 29% 대비 확대됐다. 반도체 업계 관계자는 "PC용 DDR4 제품은 구형이기 때문에 업그레이드용으로만 수요가 있다. 실제 수요나 거래 비중이 높은 제품은 DDR5"라며 "국내 기업들에게 미치는 영향도 DDR5를 중심으로 봐야 한다"고 밝혔다. 실제로 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a(4세대 10나노급), 1b(5세대) 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. SK하이닉스도 중국 우시 소재의 D램 양산라인을 기존 1z(3세대)에서 1a D램으로 전환하고 있다. 이들 첨단 D램은 대부분 DDR5로 양산된다. 이들 기업이 DDR5의 비중을 확대하는 이유는 수익성에 있다. DDR4의 경우 성숙 공정에 해당돼 부가가치가 낮고, 중국 CXMT 등 후발주자들의 급격한 생산능력 확대로 시장성이 크게 감소하는 추세다. 한편 소비자용 SLC(싱글레벨셀), MLC(멀티레벨셀) 낸드 범용제품의 가격도 하락세가 지속되고 있다. 메모리카드, USB용 128Gb 16Gx8 MLC 낸드 평균 가격은 이달 2.16달러로 전월 대비 29.8% 감소했다.

2024.11.29 15:12장경윤

美 반도체 규제 추가 조짐에 中 "필요한 조치할 것"

미국이 중국에 대해 반도체 규제를 강화할 것이라는 소식에 중국이 자국 기업을 보호하기 위해 필요한 조치를 취하겠다고 밝혔다. 28일(현지시각) 영국 로이터통신에 따르면, 허야둥 중국 상무부 대변인은 이날 정례 기자회견에서 “중국은 미국이 중국 기업을 겨냥한 통제를 남용하는 데 강력히 반대한다”고 말했다. 허 대변인은 “미국의 이런 행위는 국제 경제와 무역 질서를 심각하게 해친다”며 “세계 산업 안보를 흔들고, 중국과 미국의 협력 노력과 세계 반도체 산업에 피해를 준다”고 주장했다. 그러면서 “미국이 고집스럽게 더 통제하면 중국은 중국 기업의 권익을 지키기 위해 필요한 조치를 취할 것”이라고 덧붙였다. 미국이 이르면 다음 주 중국 반도체 수출을 규제하는 방안을 또 내놓을 것이라는 전망에 중국이 이같이 나선 것으로 보인다. 미국 조 바이든 행정부는 반도체 장비와 인공지능(AI) 메모리 반도체를 중국에 팔지 못하게 하는 방안을 추가할 계획이라고 미국 블룸버그통신이 이날 보도했다. 미국은 중국이 첨단 기술로 군사력을 키울 수 있다고 보고 중국에 반도체를 수출하는 기업을 규제해왔다.

2024.11.29 12:39유혜진

삼성, 차세대 반도체 인재 전진배치…VCT D램·웨이퍼 본딩 주목

29일 삼성전자가 반도체 초격차 회복을 위한 '인적 쇄신'을 단행했다. 차세대 반도체 기술을 이끌어 갈 핵심 인재를 다수 등용하고, 메모리·시스템반도체 전 분야에서 역량이 검증된 젊은 인재를 발탁해 미래 성장동력을 확보한다는 전략이다. 특히 반도체(DS) 부문에서는 수직 채널 트랜지스터(VCT)·웨이퍼 본딩 등 차세대 반도체 시장의 경쟁력을 선점하기 위한 핵심 인재를 승진시켰다는 점이 주목된다. 임성수 DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을 주도해 왔다. VCT는 트랜지스터를 수평으로 배치하던 기존 D램과 달리, 트랜지스터를 수직으로 집적해 셀 밀도를 획기적으로 끌어올린 차세대 메모리다. 삼성전자는 내년 VCT D램의 초기 샘플 개발을 목표로 하는 등 관련 제품 상용화를 적극 준비 중인 것으로 알려져 있다. 문광진 DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 상무(51세)는 본딩·3D 집적 기술 전문가로, 차세대 제품용 웨이퍼 본딩 기술 개발을 주도하며 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보했다. 웨이퍼 본딩은 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 활용하지 않고 웨이퍼끼리 직접 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 반도체 다이(Die)를 서로 연결하는 D2D, 다이와 웨이퍼를 연결하는 D2W 방식에 비해 생산성이 뛰어나다. 또한 삼성전자는 40대 부사장을 다수 발탁해, 미래 경영자 후보군을 확대 및 강화했다. 배승준 DS부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 부사장(48세)은 D램 I/O 회로 설계 전문가로, DRAM 제품의 고속 I/O 특성 확보에 기여하며 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도했다는 평가다. 권오겸 DS부문 제조&기술담당 8인치 제조기술팀장 부사장(47세)은 로직 소자와 공정기술 전문가로 개발부터 양산 안정화, 고객 대응까지 프로세스 전반을 이끌며 레거시 제품 성능 및 사업 경쟁력을 강화했다. 한편 삼성전자는 이날 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 2025년 정기 임원 인사를 실시했다. 이번 인사에서는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명이 승진했다. 작년(143명) 보다 소폭 줄어든 규모다.

2024.11.29 11:10장경윤

"美, 中 반도체 수출 추가 규제 수위 낮춘다"

미국 조 바이든 행정부가 반도체 장비와 인공지능(AI) 메모리 반도체를 중국에 팔지 못하게 하는 방안을 내놓으려 하지만 계획보다 제재 수위가 낮아질 것이라고 미국 블룸버그통신이 28일(현지시각) 보도했다. 블룸버그가 인용한 소식통에 따르면 바이든 행정부는 중국 통신장비 기업 화웨이테크놀로지의 6개 협력업체를 겨냥하려 했으나 일부만 규제할 방침이다. AI 메모리 칩 기술을 개발하는 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제재 대상에서 빠진 것으로 알려졌다. 블룸버그는 유명 반도체 장비 기업을 둔 일본과 네덜란드 같은 동맹국과 미국 반도체 장비 회사들이 추가 규제에 반발했다고 전했다. 네덜란드 ASML은 반도체 미세 공정에 쓰는 극자외선(EUV) 노광 장비를 세계에서 유일하게 생산한다. 미국이 제재해 ASML은 첨단 장비를 중국에 수출할 수 없다. ASML을 포함해 미국 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)·램리서치·KLA, 일본 도쿄일렉트론(TEL)이 세계 5대 반도체 장비 회사로 꼽힌다. 다만 고대역폭 메모리(HBM) 관련 조항이 이번 규제에 들어갈 것으로 소식통은 예상했다. 그러면서 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론테크놀로지가 영향을 받을 것으로 내다봤다. HBM은 AI 기기에 알맞은 고부가가치 메모리 반도체로 평가된다.

2024.11.29 10:52유혜진

"美, 다음 주 中반도체 추가 규제 발표할 듯"

미국 조 바이든 행정부가 이르면 다음 주 중국 반도체 수출을 규제하는 방안을 또 내놓을 것이라고 미국 블룸버그통신이 27일(현지시각) 보도했다. 소식통에 따르면 바이든 행정부는 반도체 장비와 인공지능(AI) 반도체를 중국에 판매하지 못하게 하는 방침을 발표할 예정이다. 소식통은 100개사 이상이 추가 제재 명단에 오를 것으로 내다봤다. 그러면서 중국 통신장비 기업 화웨이테크놀로지를 주요 고객으로 둔 반도체 위탁생산(파운드리) 회사 중신궈지(SMIC)가 포함될 것으로 전망했다. 이번 규제에는 고대역폭 메모리(HBM) 관련 조항도 들어갈 것으로 소식통은 예상했다. 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 같은 메모리 반도체 회사가 영향을 받을 수 있다. HBM은 인공지능(AI) 기기에 적합한 고부가가치 메모리 반도체로 꼽힌다. 지금까지 미국은 세계 주요 기업이 중국에 첨단 기술을 수출하지 못하게 했다. 대표적으로 세계 최고 반도체 장비 기업 네덜란드 ASML은 첨단 극자외선(EUV) 노광 장비를 중국에 팔 수 없다.

2024.11.28 16:48유혜진

韓 반도체 경쟁력은 결국 'R&D'…"주 52시간 규제 예외 둬야" 한목소리

고용노동부와 반도체 업계 주요 인사들이 국내 반도체 경쟁력의 초격차 유지를 위한 방안을 논의했다. 각 전문가들은 첨단 반도체 기술의 발빠른 확보를 위해 '최대 노동시간 52시간 예외 적용' 등 근로시간의 유연화가 필요하다는 데 뜻을 모았다. 28일 삼성전자 평택캠퍼스에서는 '반도체산업 초격차 확보를 위한 협회 초청 간담회'가 개최됐다. 이번 행사는 반도체 업종의 근로시간 유연화 필요성을 논의하고자 마련됐다. 김문수 고용노동부장관, 김정회 한국반도체산업협회 부회장, 제임스 김 주한미국상의 회장과 남석우 삼성전자 사장, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 등 반도체 업계 주요 인사들이 참석했다. 남석우 삼성전자 사장은 "급변하는 글로벌 시장 환경과 각국의 치열한 경쟁 속에서 우리는 새로운 도전에 직면해 있다"며 "국내 반도체 산업의 위기를 극복하고 글로벌 반도체 시장에서 주도권을 유지하기 위해 이 자리가 유의미한 시간이 됐으면 한다"고 밝혔다. 앞서 국민의힘은 지난 11일 반도체특별법을 발의하면서, 근로소득이 일정 수준 이상인 연구개발직이 최대 노동시간 52시간을 적용받지 않도록 하는 조항을 포함한 바 있다. 다만 해당 조항은 여야 합의 불발로 최근 국회 본회의 처리가 무산됐다. 김문수 고용노동부 장관은 이와 관련해 "반도체 연구개발자에 대한 세제혜택 건강보험 등 보상을 마련해서 합의를 이뤄낸다면 대한민국 반도체가 활로를 찾을 수 있을 것"이라며 "근로시간 연장에 대해서는 고용노동부가 최대한 지원하도록 할 것"이라고 밝혔다. 김정회 한국반도체산업협회 부회장 역시 "국내 반도체 업계가 미국과 일본 등을 추격할 수 있었던 핵심 요소는 '스피드'였으나, 과연 우리가 지금도 이러한 장점을 가지고 있는지 우려된다"며 "국내 반도체 생태계가 첨단 기술 개발을 가속화할 수 있게 인력 확보 및 근로시간 유연성 문제에 대해 더 생산적인 논의가 이뤄졌으면 한다"고 말했다. 김희성 강원대학교 법학전문대학원 교수는 "반도체 기술개발은 마지막 단계에서 핵심 인력이 얼마나 시간을 집중적으로 투입하느냐에 따라 성패가 갈리는데, 현행법상에서는 6시가 되면 컴퓨터가 자동으로 다운되는 등의 문제가 발생하고 있다"며 "현재 우리나라가 글로벌 초격차 경쟁에서 뒤지는 원인 중 하나가 근로시간 문제라고 생각한다"고 강조했다. 김 교수는 이어 "지난 1953년 이래로 가져온 집단적 통일적 공장 근로를 전제로 한 근로시간 제도는 지양돼야할 것"이라며 "산업과 직종에 맞는, 그리고 근로시간이 아닌 업무의 진로 성과를 판단하는 새로운 근로시간 제도가 필요한 시점"이라고 덧붙였다.

2024.11.28 16:33장경윤

삼성전자 메모리 위기 돌파구는 '전영현 추진력'

삼성전자가 메모리사업을 전두지휘할 수장으로 전영현 부회장을 택했다. 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리), 낸드 등 메모리 전반의 기술력이 흔들리는 가운데 전 부회장이 메모리 경쟁력을 회복할 수 있도록 '추진력'을 부여하려는 쇄신 전략이다. 삼성전자는 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 전영현 부회장을 삼성전자 DS부문장에서 DS부문장 겸 메모리사업부장, SAIT 원장으로 선임했다. ■ 메모리 경쟁력 회복 위한 '추진력'에 방점 삼성전자는 이번 인사로 메모리사업부의 경쟁력 회복 가속화에 집중할 전망이다. 파격적이고 새로운 인재를 등용하는 대신, 사업 전반을 빠르게 끌고 나갈 수 있는 전영현 부회장이 메모리사업부장을 총괄하게 된 대목도 여기에 있다. 현재 삼성전자 메모리사업부는 D램, 낸드 전반에서 난항을 겪고 있다. 일례로 D램 부분은 레거시 제품을 중심으로 중국 CXMT 등 후발주자들의 추격이 거세다. CXMT의 연간 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해 월 20만장으로 가파른 성장세를 보이고 있다. 최선단 공정은 2021년 양산한 1a(4세대 10나노급)와 지난해 양산한 1b(5세대) D램부터 경쟁력이 흔들리고 있다는 지적을 받는다. 차세대 D램의 향방을 결정 지을 1c(6세대) D램도 현재로선 수율이 저조한 것으로 알려졌다. 이로 인해 삼성전자는 주요 고객사인 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급이 지연되는 문제를 겪고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 만들기 때문에 D램의 기본적인 성능과 안정성이 갖춰져야만 HBM의 경쟁력을 갖출 수 있다. 이러한 상황에서 삼성전자는 전영현 부회장에게 메모리사업에 대한 전권을 맡길 것으로 관측된다. 삼성전자 출신 반도체 업계 고위 임원은 "현재로선 메모리사업부에서 공정 기술과 마케팅을 전반적으로 관리할 인물은 전영현 부회장밖에 없는 상황"이라며 "특히 메모리는 리더의 맨파워가 가장 중요한데, 전 부회장의 경우 추진력 하나는 확실한 것으로 평가받고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "전 부회장은 HBM(고대역폭메모리) 사업에서도 과감한 조직개편을 시행하는 등 인사적인 부분에도 깊게 관여하고 있다"며 "메모리 사업의 전공정, 후공정 등 모든 전권이 전영현 부회장에게 쥐어지는 추세"라고 말했다. ■ '젊은 피'가 없다…우려의 시각도 다만 삼성전자 반도체 사업부문의 중장기 미래를 책임질 새로운 인재가 발탁되지 않았다는 우려의 목소리도 제기된다. 반도체 업계 관계자는 "이번 삼성전자의 사장단 인사는 전체적으로 혁신보다는 기존 임원들을 재배치하거나 복귀시키는 방향으로 이뤄졌다"며 "메모리사업부장의 경우 전영현 부회장이 적임자로 꼽히기도 하지만, 현재로선 다른 마땅한 후보가 없다는 이야기가 삼성 안팎에서 나오고 있다"고 말했다. 한편 전영현 부회장은 지난 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램 및 낸드 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리 사업부장을 역임했다. 이후 2017년에는 삼성SDI로 자리를 옮겨 5년간 삼성SDI 대표이사 역할을 수행한 뒤, 올해 삼성전자 미래사업기획단장으로 위촉됐다. 지난 5월에는 DS부문장직에 올랐다.

2024.11.27 13:59장경윤

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