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SK하이닉스, SoCAMM 연내 공급 개시…AI 메모리 공략 가속화

SK하이닉스가 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 매진하고 있다. 서버용 저전력 D램 모듈로 각광받는 소캠(SoCAMM)의 연내 공급을 시작하고, 최신형 그래픽 D램의 용량도 늘릴 계획이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 나아가 회사는 AI 메모리 시장 공략을 가속화하기 위한 신제품을 지속 출시할 예정이다. SK하이닉스는 "서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb 제품도 준비할 것"이라며 "이같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망"이라고 밝혔다. 서버용 LPDDR 기반 모듈은 SoCAMM을 뜻하는 것으로 알려졌다. SoCAMM은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다. 저전력 D램인 LPDDR을 4개씩 집적해 전력 효율성을 높였다. 특히 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 크게 늘어나 고성능 컴퓨팅 분야에 적합하다.

2025.07.24 08:57장경윤

"HBM3E 12단 본격 확대"…SK하이닉스, 2분기 역대 최대 매출·영업익 달성

SK하이닉스가 올 2분기 매출·영업이익 모두 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 증권가 예상 역시 상회했다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 AI 메모리 판매가 본격적으로 확대된 덕분이다. SK하이닉스는 올 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. 이는 지난해 4분기를 넘어선 사상 최대 분기 실적에 해당한다. 증권가 컨센서스(영업이익 9조원) 또한 상회했다. SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다. 회사는 이어 “D램은 HBM3E 12단 판매를 본격 확대했고, 낸드는 전 응용처에서 판매가 늘어났다”며 “업계 최고 수준의 AI 메모리 경쟁력과 수익성 중심 경영을 바탕으로 좋은 실적 흐름을 이어왔다”고 덧붙였다. 이 같은 호실적으로 2분기 말 현금성 자산은 17조원으로 전분기 대비 2조7천억원 늘었다. 차입금 비율은 25%, 순차입금 비율은 6%를 기록했으며, 순차입금은 1분기 말보다 4조1천억원이나 크게 줄었다. SK하이닉스는 고객들이 2분기 중 메모리 구매를 늘리면서 세트 완제품 생산도 함께 증가시켜 재고 수준이 안정적으로 유지됐고, 하반기에는 고객들의 신제품 출시도 앞두고 있어 메모리 수요 성장세가 이어질 것으로 내다봤다. AI 모델 추론 기능 강화를 위한 빅테크 기업들의 경쟁도 고성능, 고용량 메모리 수요를 더욱 확대할 것으로 전망했다. 아울러 각국의 소버린 AI 구축 투자가 장기적으로 메모리 수요 증가의 새로운 성장 동력이 될 것으로 예측했다. 이에 회사는 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로 HBM을 전년 대비 약 2배로 성장시켜 안정적인 실적을 창출한다는 방침이다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 더불어 서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb(기가비트) 제품도 준비할 계획이다. 이 같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망이다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조와 수익성 중심 운영을 이어가며 향후 시장 상황 개선에 대비한 제품 개발도 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장(Corporate Center)은 “내년 수요 가시성이 확보된 HBM 등 주요 제품의 원활한 공급을 위해 올해 일부 선제적인 투자를 집행하겠다”며 “AI 생태계가 요구하는 최고 품질과 성능의 제품을 적시 출시해 고객 만족과 시장 성장을 동시에 이끌어 나가는 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더'로 성장하겠다”고 말했다.

2025.07.24 08:49장경윤

넥슨, '블루아카이브' 첫 공식 테마 카페 다음 달 9일 오픈

넥슨(공동 대표 강대현∙김정욱)은 서브컬처 게임 '블루아카이브'의 공식 테마 카페 '카페 메모리얼'을 서울 아이파크몰 용산점에 정식 오픈한다고 23일 밝혔다. '카페 메모리얼'은 '블루 아카이브'의 첫 공식 테마 카페 및 굿즈 스토어로, 다음 달 9일 정식으로 오픈한다. 게임 속 캐릭터를 소재로한 콘셉트 식음료를 판매하는 카페와 함께 오리지널 굿즈를 만나볼 수 있는 굿즈 스토어로 구성됐으며, 카페 내부에는 대형 포토존, 메시지 월이 마련됐다. 벽면에서는 '아로나'와 '프라나'가 카페를 이용하는 특별 영상이 상영돼 게임 속 세계관에 몰입할 수 있는 체험형 공간으로 선보일 예정이다. 먼저, 카페에서는 아르바이트 학생으로 찾아온 '유우카', '히나', '와카모', '미카' 등 주요 캐릭터를 활용한 콘셉트 음료와 함께 '키보토스 명물 파르페', '선생님께 오믈렛 정식' 등 식사 및 디저트 메뉴를 판매하며, 콘셉트 메뉴 주문 시 해당 캐릭터의 일러스트가 담긴 '데코픽', '스토로우픽' 등 특별 굿즈를 무료로 제공한다. 이와 함께, 굿즈 스토어에서는 '카페 메모리얼'만의 감성을 담은 다양한 오리지널 굿즈들을 판매한다. 포토카드, 키링 등이 포함된 웰컴 패키지와 함께 '커트러리 세트', '폭신 쿠키 세트' 등 카페에서 일하는 캐릭터들의 콘셉트를 반영한 공식 굿즈를 선보인다. '카페 메모리얼'은 이벤트성이 아닌 상시로 운영될 예정이다. 월 단위의 사전 예약제로 운영되며, 카페, 굿즈 스토어로 나뉘어 보다 쾌적한 이용 환경을 제공한다. 카페는 1시간 30분, 굿즈 스토어는 30분 단위로 이용 가능하며, 카페 예약 시 굿즈 스토어도 함께 이용할 수 있다. 첫 예약은 오는 30일 20시부터 오픈되며, 이후 매월 셋째주 수요일 20시에 네이버 사전 예약 시스템을 통해 예약 가능하고 1일 최대 1회 방문이 가능하다. 나동진 넥슨 퍼블리싱마케팅실 실장은 "'블루아카이브'만의 세계관을 담아낸 오프라인 공간을 통해 색다른 경험을 제공하고자 공식 테마 카페를 기획했다"며, "IP를 활용한 식음료, 굿즈, 포토존 등 다양한 즐길 거리를 준비했으니 많은 관심 부탁드린다"고 전했다.

2025.07.23 14:39정진성

파두, 美 'FMS 2025'서 메타 공동 기조연설…SSD 혁신 방안 제시

데이터센터 반도체 전문기업 기업 파두(FADU)는 오는 8월 5일부터 7일까지 미국 산타클라라 실리콘밸리에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2025' 행사에서 메타와 공동 기조연설을 진행한다고 23일 밝혔다. FMS 2025는 글로벌 메모리 및 스토리지 기술 전시회로 세계 유수 반도체 기업들이 대거 참여하는 행사다. 낸드플래시(NAND flash) 메모리를 비롯한 SSD 산업 분야에서 단일 최대 규모다. 양사의 연설 주제는 '스토리지의 경계를 확장하다: AI 데이터센터를 위한 차세대 SSD'다. 이지효 파두 대표와 로스 스텐포트 메타 하드웨어 시스템 엔지니어가 연사로 나서, 인공지능(AI) 데이터센터 시대에 부합하는 차세대 SSD 혁신 방안을 제시한다. 특히 이번 기조연설에는 파두 창립 10주년을 맞아 지난 10년간의 주요 성과와 향후 10년을 향한 비전을 공유하는 내용이 담겼다. 이지효 대표는 AI 시대에 대응하기 위한 파두의 기술 로드맵과 중장기 전략을 제시할 예정이다. 또한 파두는 이번 FMS 2025에서 글로벌 기업과 대등한 규모의 대형 행사 부스를 운영해 기존 고객과의 파트너십 강화 및 신규 고객 발굴에 적극 나설 계획이다. 행사 부스에서는 파두의 주력 제품인 PCIe 5.0 기반 SSD 컨트롤러 및 차세대 전략 제품인 Gen6 컨트롤러도 함께 선보인다. 특히 기업용 SSD의 수명과 성능을 획기적으로 늘린 FDP(Flexible Data Placement) 및 AI 시대에 요구되는 초고집적 스토리지를 위한 QLC(Quad-Level Cell) 기술 등 혁신 기술 전시와 데모를 통해 AI 데이터센터에 최적화한 솔루션도 소개한다. 또한 고객 맞춤형 기업용 SSD 구축 수요에 가장 효과적으로 대응할 수 있는 비즈니스모델 '플렉스 SSD(FlexssD)'를 통해 잠재 고객 발굴 효과도 함께 노린다는 전략이다. 이지효 대표는 “기술 차별화와 고객 맞춤형 솔루션을 통해 AI 시대에 최적화한 저전력, 고효율을 추구하는 글로벌 고객사들의 니즈에 부합할 계획”이라며 “이번 FMS 2025를 통해 차세대 AI 데이터센터 스토리지 생태계를 이끄는 핵심 기업으로 도약하겠다”고 밝혔다.

2025.07.23 09:58장경윤

삼성전자, 'HBM4E 16단'서 하이브리드 본딩 도입 검토…샘플 평가 中

삼성전자가 이르면 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 16단부터 하이브리드 본딩 기술을 적용하겠다는 계획을 밝혔다. 이를 위해 샘플 테스트를 진행 중인 상황으로, 사업성과 투자 비용 등이 상용화의 주요 관건이 될 것으로 관측된다. 김대우 삼성전자 상무는 22일 '2025 상용반도체개발 기술워크숍'에서 차세대 반도체를 위한 패키징 기술 로드맵에 대해 소개했다. HBM은 복수의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 기존 HBM 제조에는 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣어 열압착(TC) 방식으로 연결하는 방식이 사용됐다. 다만 HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 등으로 점점 많아질수록 기존 TC 본딩도 적용이 어려워질 것으로 관측된다. HBM 패키지 두께가 최대 775마이크로미터(μm)로 제한돼 있기 때문이다. 각 D램을 더 얇게 갈아내거나, D램 사이를 좁히는 대응법도 한계가 있다는 분석이다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. I/O(입출력단자)를 더 밀도 있게 집적하고, 방열 특성도 높일 수 있다. 다만 하이브리드 본딩은 높은 기술적 난이도, 기존 TC본딩에서의 전환 투자에 따른 비용 상승 압박 등을 이유로 도입 시점이 불투명했다. 삼성전자 역시 하이브리드 본딩의 구체적인 도입 시점을 확정하지 않고 상당한 고심을 거듭하고 있는 것으로 알려졌다. 이날 공개된 로드맵에 따르면, 삼성전자는 이르면 HBM4E(7세대)부터 하이브리드 본딩을 도입할 계획이다. 이를 위해 삼성전자는 하이브리드 본딩 기반의 16단 HBM 샘플을 개발해 평가를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 김 상무는 "HBM이 16단 적층만 돼도 발열을 잡기가 어려워, 여기에서부터 하이브리드 본딩을 조금씩 써보려는 준비를 하고 있다"며 "HBM4E에서 하이브리드 본딩이 상용화될 지는 시장적인 부분과 투자비 등을 생각해야 된다"고 설명했다. 차후 수요가 증가할 것으로 예상되는 커스텀(맞춤형) HBM 사업도 준비하고 있다. 현재 구글, 엔비디아, AMD 등 복수의 글로벌 빅테크 기업들은 자신들의 AI 반도체에 특화된 성능을 갖춘 HBM을 요구하고 있다. 김 상무는 "커스텀 HBM에 대한 문의가 많이 오고 있어, 베이스 다이에 연산 기능을 집어넣는 등 삼성전자만의 특별한 커스텀 HBM을 만들기 위한 준비를 하고 있다"고 말했다.

2025.07.22 14:55장경윤

SK하이닉스, 엔비디아 H20향 'HBM3E' 대응 분주…추가 생산 검토

SK하이닉스가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 출하량을 당초 예상 대비 확대할 수 있을 것으로 관측된다. 최근 엔비디아의 중국향 AI 반도체 'H20'에 가해진 수출 규제가 해제된 덕분이다. H20은 당초 HBM3를 활용했으나, 올해부터 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품을 주력으로 탑재한다. 이에 SK하이닉스는 우선 올 3분기까지 H20향 HBM3E 8단 양산을 진행할 계획이다. 나아가 추가적인 수요가 발생할 가능성을 고려해, 해당 HBM 생산량 확대를 위한 소재·부품 발주를 검토하고 있는 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 생산을 당초 예상보다 확대하는 방안을 논의 중이다. 앞서 엔비디아는 지난 15일 공식 블로그를 통해 중국 시장에 H20 GPU 판매를 재개할 계획이라고 밝혔다. 당시 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)는 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 설명했다. H20은 엔비디아의 기존 주력 제품에서 성능을 하향 조정한 AI 가속기다. 미국의 대중(對中) AI 반도체 수출 규제를 우회하기 위해 출시됐다. 그러나 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아는 약 55억 달러(한화 약 7조4천억원) 수준의 비용이 발생할 것으로 예상돼 왔다. 이번 미국 정부의 결정으로 H20 수출길이 다시 열리면서, SK하이닉스도 HBM3E 8단 사업 매출을 확대될 수 있는 기회를 잡게 됐다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 올해 1분기부터 H20용 HBM3E 8단 공급을 시작해, 3분기까지 제품을 지속 생산할 계획인 것으로 파악됐다. 나아가 올 4분기 혹은 내년에도 제품을 추가 양산하는 방안을 내부적으로 논의하고 있다. 이를 위한 관련 소재·부품의 추가 주문 계획을 구체화하는 중이다. 중국이 H20 등 엔비디아 AI칩 수급에 적극 나서고 있는 분위기를 고려한 전략으로 풀이된다. 실제로 엔비디아가 중국향 AI 반도체 공급량을 늘리는 경우, HBME 8단의 양산 비중은 당초 예상 대비 확대될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 하반기 HBM3E 생산 비중에서 12단 제품을 80%, 8단 제품을 20% 수준으로 계획해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 H20의 중국 수출 재개 움직임과 맞물려 HBM3E 8단 양산을 확대하는 분위기"라며 "추가 수요에 대비해 관련 소재·부품을 확보하는 방안을 논의하고 있다"고 설명했다. 변수는 엔비디아의 공급망 대책이다. 엔비디아는 H20 수출 규제 당시 TSMC에 위탁했던 양산을 취소했으며, 해당 양산 라인은 타 고객사에 할당된 것으로 알려졌다. H20을 다시 양산하기 위해선 9개월의 시간이 필요하다. 결과적으로, H20 양산에 대한 병목현상을 해결해야만 사업 확대가 가능할 전망이다. 최근 미국 IT매체 디인포메이션은 소식통을 인용해 "성능이 높아진 엔비디아 H20은 주로 SK하이닉스의 HBM을 탑재하고 있으나, 이번 주 SK하이닉스가 엔비디아에 H20용 추가 메모리 공급 여력이 제한적일 것이라고 통보했다"며 "엔비디아는 최근 몇 주간 중국 내 주요 고객들과 접촉해 H20 및 블랙웰 칩에 대한 수요 및 반응을 파악하고 있다"고 보도했다.

2025.07.21 10:53장경윤

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤

삼성전자 "D램, 3D 시대 온다…핀펫 기술 적용 가속"

“BCAT 기반 기존 D램은 10nm(나노미터, 10억분의 1m) 미만에서 한계에 달할 것으로 전망됩니다.” 오정훈 삼성전자 마스터는 15일 소노캄 여수에서 진행 중인 '2025년도 반도체공학회 하계종합학술대회'에서 이같이 전망했다. BCAT(Buried Channel Array Transistor)은 메모리 셀의 누설 전류를 줄이기 위해 개발된 트랜지스터 구조다. 채널 길이를 줄여 D램 셀의 크기를 줄이고 집적도를 높인다. 10나노 이하의 극미세 공정에서는 트랜지스터 크기를 줄여도 소자 간 간격이 좁아져 소자 간 연결을 위한 메탈의 저항이 커지고, 발열 문제가 발생할 수 있다. 오 마스터는 “셀 트랜지스터 공간을 다른 형태로 확장해서 써야한다”며 3D D램을 대안으로 제시했다. 3D D램은 메로리를 수직으로 쌓은 제품이다. 기존 D램은 셀이 수평으로 배치됐다. 기존 D램 대비 더 많은 셀을 집적할 수 있기 때문에 용량을 늘리고, 성능도 상승한다. 삼성전자는 3D D램 구현에 핀펫(FinFET) 공정을 적용한다. 핀펫은 반도체 소자의 성능 향상을 위해 개발된 3차원 구조 공정 기술이다. 평면(2D) 구조 한계를 극복하고 채널을 3면으로 둘러싼 게이트를 통해 전류 흐름을 효과적으로 제어한다. 과거 주로 파운드리(반도체 위탁생산)에 활용되던 기술이다. 오 마스터는 “컨벤셔널 D램에서도 핀펫을 전 제품에 쓰는 시대가 찾아올 것”이라고 말했다. 그러면서 “핀펫이 적용된 칩이 언젠가는 나오겠지만 시점에 대해서는 언급할 수 없다”며 “열심히 개발하고 있는 단계”라고 전했다. 다만 핀펫 공정은 페리 트랜지스터에만 적용된다. 페리는 D램에서 셀 주변의 회로를 제어하는 트랜지스터다. 4F스퀘어 적용 여부에 대해서는 발표하지 않았다. 4F스퀘어는 현재 시장 주류 기술인 6F 스퀘어에서 셀 면적을 더 줄인 구조로, 집적도를 높일 수 있는 차세대 기술로 평가받는다. 그러나 삼성전자가 4F스퀘어를 기반으로 D램 구조를 바꾼 뒤, 3D D램을 개발한다는 점을 고려하면 4F스퀘어부터 핀펫 공정이 적용될 가능성이 크다. 그는 파운드리 기술이 메모리 공정으로 적용이 가속화되는 상황이냐는 질문에 “그렇다”고 긍정했다.

2025.07.15 16:14전화평

POSTECH "쓸수록 성능 떨어지는 '강유전체 메모리' 문제 해결"

강유전체 메모리는 빠른 속도와 비휘발성을 동시에 갖춘 차세대 기술이다. 그러나 반복적인 작동은 메모리 '피로현상'을 일으키며 기능 저하를 초래한다. 이 때문에 강유전체 메모리가 미래 반도체 대안으로 불리지만, 상용화는 어려웠다. 국내 연구진이 이 같은 '피로현상'의 핵심 열쇠를 찾아, 해결 방안을 제시해 관심이다. POSTECH(포항공과대학교)은 반도체공학과 이장식 교수, 도현서 연구생(학부 3년) 연구팀이 오랜 사용으로 성능이 저하되는 '피로현상'을 겪는 반도체 부품을 다시 원래 상태로 되돌리는 혁신적인 기술을 개발했다고 11일 밝혔다. 이 연구결과는 'IEEE 전자 소자 학회 저널(IEEE Journal of the Electron Devices Society)' 최근호에 게재됐다. 연구팀은 반도체의 핵심 부품인 '강유전체 커패시터(전기를 저장하는 장치)'에서 일어나는 미세한 변화에 주목했다. 이 부품 안에는 원자 수준의 작은 '산소 빈자리'가 있는데, 이것이 반도체 피로현상의 핵심 요인이라는 것을 확인했다. 산소 빈자리는 양(+)전하를 띠고 있어 반도체를 오래 사용하면 이들이 중앙으로 몰리게 된다는 것. 마치 사람이 피곤할 때 특정 부위에 통증이 몰리듯 산소 빈자리가 한곳에 뭉치면 반도체 성능이 점차 떨어졌다. 이장식 교수는 "주목할 점은 이 '피로 상태'에 있는 반도체에 순간적으로 높은 전압을 걸어주면 반도체 내부 구조가 재정렬된다는 것"이라며 "산소 빈자리가 다시 중성 상태로 바뀌고 고르게 분산된다"고 설명했다. 이 과정을 통해 반도체는 마치 새것처럼 성능을 회복하게 되는데, 연구팀은 이러한 현상을 '회복(recovery)' 상태라고 명명했다. 이 교수는 "이 기술을 활용하면 반도체 소자를 더 오래 쓰면서도 안정적인 성능을 유지할 수 있게 된다"며 "특히 빠른 동작 속도와 신뢰성이 생명인 인공지능, 자율주행차, 사물인터넷 기기 등 첨단 기술 분야에서 더욱 중요한 역할을 할 것"으로 기대했다. 이 교수는 또 “이번 성과가 강유전체 소재를 이용한 차세대 반도체 개발에 중요한 이정표가 될 것”이라고 덧붙였다. POSTECH 반도체공학과 3+3 학사·석박사 연계 집중교육과정을 이수 중인 제1저자 도현서 연구생은 “반도체 분야에서 실질적인 변화를 이끄는 연구자로 성장하고 싶다”라는 포부를 밝혔다. 연구는 과학기술정보통신부(한국연구재단) 차세대지능형반도체 기술개발사업과 삼성전자 지원으로 수행됐다.

2025.07.11 11:29박희범

"韓 반도체, 공급 역량 확충에 사활 걸어야"

국내 반도체 산업이 기회와 위기를 동시에 맞고 있다. AI·데이터센터 투자로 첨단 메모리 및 파운드리 수요가 급증할 것으로 보이지만, 미국·중국의 적극적인 투자 속 경쟁력을 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. 실제로 국내 기업의 투자비용 대비 정부 지원 비율은 5.25%로, 미국(27.5%) 대비 5분의 1 수준에 불과한 것으로 집계됐다. 또한 중국 주요 파운드리의 경우 매출 대비 시설투자액 비율이 98%로, 20~40% 수준인 삼성전자·SK하이닉스를 크게 앞선 것으로 나타났다. 9일 산업연구원(KIET)은 '반도체 글로벌 지형 변화 전망과 정책 시사점' 보고서를 통해 "반도체 패권 경쟁 승리를 위해 향후 5년간 우리 민관의 역량을 적지 집중 투입해야 한다"고 밝혔다. 中 메모리·파운드리 추격…SMIC, 매출 대비 시설투자액 98% 달해 반도체 시장은 향후 5년간 AI·데이터센터 산업 발전에 따라 급격한 성장세를 나타낼 전망이다. 맥킨지에 따르면, 데이터센터향 반도체 시장 규모는 올해 최소 718조원에서 2030년 3천892억원까지 증가할 것으로 예상된다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정도 초과 수요에 직면할 가능성이 높다. 경희권 연구위원은 "삼성바이오로직스가 장기간 빅파마 발주 가뭄 상황을 버티다 COVID-19 사태 당시 백신 품귀로 일약 동북아의 핵심 공급 파트너로 부상한 것처럼, 오랜 시간 수주의 구조적 불리함 속에 고군분투해 왔던 우리 파운드리에 짧지만 강력한 기회의 창(Windows)이 열린 상황일 수 있다"고 평가했다. 다만 중국의 레거시 메모리 및 파운드리 산업 추격은 국내 반도체 산업에 대한 실존적인 위협으로 다가오고 있다. 일례로 지난 2021년 낸드 시장 점유율이 2.7%에 불과했던 양쯔메모리(YMTC)의 2024년 점유율은 9%에 육박했다. 전년비 매출액 증가율은 160%다. 이준 선임연구위원은 "2022~2024년 기간 중국 집성전로기금 등 정부 지원에 힘입어 국적 파운드리 기업 SMIC의 매출 대비 시설투자액 비율은 98%(삼성전자·SK하이닉스 20~40% 선)를 기록했다"며 “과거 미국·일본·대만과 우리 경험을 바탕으로 중국 메모리·파운드리 기업들의 추격 속도를 상정하는 것은 매우 위험한 일”이라 강조했다. 美 기업도 비용 구조 개선 전망…"韓도 적기 공급 역량 확보에 사활 걸어야" 미국이 추진하고 있는 자국 내 반도체 공급망 강화 정책도 주요 변수 중 하나다. 미국은 지난 4일 '하나의 크고 아름다운 법', 이른바 트럼프 감세법을 발효했다. 덕분에 인텔 등 한 해 연구개발비를 20조 원 이상 지출하는 기업들은 국내·적격 연구개발(R&D) 지출 즉시 비용 처리가 영구화된다. 뿐만 아니라 시설투자(장비·기계·SW 등) 비용 100% 당해 과세연도 즉시 비용 처리 역시 영구화된다. 5년 기간 한정은 있지만, 신규 제조 시설 건물·공장 투자액까지 100% 비용 처리된다. 경희권 연구위원은 이번 법안으로 인텔·마이크론의 비용 구조가 급진적으로 개선될 가능성이 있다고 내다봤다. 그는 "인텔의 2022~2024년 기간 연구개발 지출 총액은 거의 700억 달러(96조 원)로, 칩스법의 투자세액공제와 직접보조금 외에 거액의 별도 세액공제 수혜 가능성이 있다”고 설명했다. 실제로 지난해 12월 제출된 반도체특별위원회 보고서에 따르면, 투자비용 대비 정부 지원 비율은 우리나라가 5.25%로 미국(27.5%), 일본(54.0%), EU(30.0%)에 비해 현저히 낮은 것으로 나타났다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 과감한 지원 정책이 필요함을 보여주는 대목이다. 경희권 연구위원은 "초과 수요로 인한 기회의 창은 길지 않다"며 "적기 공급 역량 확충을 위한 반도체특별법 합의안 도출과 통과, 그리고 토지·전력·용수 등 인프라 적시 공급 체계 확립이 매우 시급하다"고 말했다. 이준 선임연구위원은 "국가기간전력망확충특별법을 적극 활용하고, 새 정부의 AI 정책자금 역시 우리 인공지능 반도체와 양산 주력 기업에 조달 정책 형태로 투입하는 방안도 고려할 수 있다"며 "민관의 총력전이 진행 중인 21세기의 오늘, 우리 정부와 기업, 수많은 이해관계자들의 중지(衆志)를 모아 다시금 도약의 시대를 열어야 한다"고 강조했다.

2025.07.09 11:30장경윤

SK하이닉스, 2분기 메모리 매출 삼성전자와 '동률'…HBM에 엇갈린 희비

올 2분기 삼성전자·SK하이닉스의 메모리 사업 격차가 크게 줄어든 것으로 나타났다. 기업별로 극명하게 나뉜 HBM(고대역폭메모리) 사업의 성패 여부가 가장 큰 영향을 미친 것으로 풀이된다. 8일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 2분기 메모리 사업 매출은 각각 155억 달러(한화 약 21조2천억원)로 동일한 수준을 기록한 것으로 분석된다. 앞서 SK하이닉스는 지난 1분기 D램 사업에서 사상 처음으로 삼성전자의 매출을 추월한 바 있다. 당시 양사의 D램 매출 점유율은 SK하이닉스가 36%, 삼성전자가 34%로 집계됐다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "SK하이닉스가 올해 1분기 D램 시장에서 최초로 매출 1위를 기록한 데 이어, 2분기에는 전체 메모리 시장에서 삼성전자와 1위 자리를 놓고 경쟁하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 높은 성장세에는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대가 중대한 영향을 끼쳤다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 등 최신형 HBM을 주요 고객사인 엔비디아에 선제적으로 공급하는 등 성과를 거두고 있다. 삼성전자 역시 올 하반기 D램 가격 상승, HBM 출하량 증가에 따른 회복세가 전망되나, 성장 폭은 제한적일 수 있다는 의견이 제기된다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자는 하반기 AMD와 브로드컴에 HBM3E 제품을 공급하면서 실적 개선이 예상되나, 엔디비아로의 출하는 여전히 불투명하다"며 "강화된 대중국 판매 규제 영향으로 올해 HBM 판매량 증가는 전년 대비 제한될 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 16:15장경윤

삼성전자, 저점 통과해 3분기 반등 준비…HBM 등 출하량 확대

삼성전자가 반도체 부문 어닝쇼크로 올 2분기 실망스런 성적표를 받았다. 다만 올 3분기부터는 반등세에 들어설 전망으로, 범용 메모리 가격 상승과 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대, 계절적 성수기로 인한 디스플레이·가전 사업의 호조세 등이 맞물릴 것으로 분석된다. 8일 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌았다. 주요 원인은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 부진이다. 메모리 분야에서는 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 상용화 지연으로 인한 재고 충당, 시스템반도체 사업에서는 최선단 파운드리 고객사 확보 난항 등이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 다만 이번 삼성전자 2분기 실적은 '바닥'에 해당하는 것으로, 올 하반기에는 회복세에 접어들 가능성이 유력하다. 현재 삼성전자의 3분기 증권가 컨센서스는 매출 82조4천억원, 영업이익 8조8천억원 수준이다. 현재 D램 시장은 PC·서버 등 산업 전반에서 가격이 상승하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 가격은 지난 2분기 5~10% 상승했으며, 올 3분기에도 10~15% 수준의 성장세가 전망된다. HBM 출하량도 올 하반기 반등이 예상된다. MI325X·MI350X 등 AMD의 최신형 AI 가속기용 HBM3E 12단 공급이 확대되고, 브로드컴 등 ASIC(주문형반도체) 고객사의 주문이 본격화되기 때문이다. 시스템반도체 역시 적자 폭이 기존 마이너스 2조원대에서 마이너스 1조원대로 줄어들 전망이다. 디스플레이의 경우 아이폰17용 OLED 패널 공급의 본격적인 확대로 올 3분기 영업이익이 1조원을 넘어설 것으로 예상된다. 박유악 키움증권 연구원은 최근 보고서를 통해 "삼성전자는 3분기 DS 부문의 실적 턴어라운드와 디스플레이, DX 부문의 계절적 성수기 진입 효과로 턴어라운드할 전망"이라며 "D램은 HBM 판매량 증가로 인해 출하량과 평균판매가격이 모두 전분기 대비 증가할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.08 10:59장경윤

삼성전자, 반도체 쇼크에 '휘청'…"재고 충당·AI칩 대중 수출 규제 탓"

삼성전자가 2분기 시장 기대치를 크게 밑도는 '어닝 쇼크'를 기록했다. 반도체 사업이 당초 예상 대비 부진한 탓으로, 메모리·비메모리 모두 고부가 제품의 판매가 부진했던 것으로 풀이된다. 삼성전자는 연결기준으로 매출 74조원, 영업이익 4조6천억원의 2025년 2분기 잠정 실적을 기록했다고 8일 밝혔다. 매출은 전분기 대비 6.49%, 전년동기 대비 0.09% 감소했다. 영업이익은 전분기 대비 31.24%, 전년동기 대비 55.94% 감소했다. 특히 영업이익의 경우 증권가 컨센서스인 6조3천억원을 크게 밑돌면서 예상치를 한참 벗어났다. 2분기 실적에는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)의 부진이 가장 큰 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 삼성전자는 설명자료를 통해 "DS는 재고 충당 및 첨단 AI칩에 대한 대중 제재 영향 등으로 전분기 대비 이익이 하락했다"며 "메모리 사업은 재고자산 평가 충당금과 같은 1회성 비용 등으로 실적이 하락했으나, 개선된 HBM(고대역폭메모리) 제품은 고객별로 평가 및 출하가 진행 중"이라고 밝혔다. 그간 삼성전자는 HBM3E 제품을 엔비디아 등 주요 고객사에 납품하기 위한 평가를 진행해 왔다. 다만 퀄(품질) 테스트가 당초 예상보다 지연되면서 판매 확대에 난항을 겪고 있다. 또한 삼성전자는 "비메모리 사업은 첨단 AI 칩에 대한 대중 제재로 판매 제약 및 관련 재고 충당이 발생했다"며 "라인 가동률 저하가 지속돼 실적이 하락하나, 하반기는 점진적 수요 회복에 따른 가동률 개선으로 적자 축소를 기대한다"고 덧붙였다.

2025.07.08 08:33장경윤

삼성전자, 브로드컴과 HBM3E 12단 공급 추진…ASIC서 기회 포착

삼성전자가 브로드컴에 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 12단을 공급하는 방안을 논의 것으로 파악됐다. 현재 구체적인 물량 협의를 거쳐, 내년까지 제품을 공급하는 방안을 추진 중이다. 글로벌 빅테크의 자체 주문형반도체(ASIC) 개발이 확대되고 있는 만큼, 엔비디아향 HBM 공급 지연 영향을 일부 만회할 수 있을 것이라는 기대감이 나온다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 브로드컴과 HBM3E 12단 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 제품을 양산 공급하기 위한 협의에 나섰다. 현재 양사가 논의한 공급량은 용량 기준으로 10억Gb(기가비트)대 초중반 수준으로 추산된다. 양산 시기는 이르면 올 하반기부터 내년까지 이뤄질 전망이다. 연간 HBM 시장 대비 큰 물량은 아니지만, HBM 수요 확보가 절실한 삼성전자 입장에서는 의미 있는 규모다. 삼성전자는 올해 HBM 총 공급량을 전년 대비 2배 확대한, 80억~90Gb 수준까지 늘리겠다는 목표를 세운 바 있다. 해당 HBM은 글로벌 빅테크의 차세대 AI반도체에 탑재될 예정이다. 현재 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글의 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'.메타의 자체 AI 칩인 'MTIA v3' 등을 제조하고 있다. 또한 삼성전자는 아마존웹서비스(AWS)에도 HBM3E 12단 공급을 추진 중이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 진행하는 등, 논의가 적극 진행되고 있는 것으로 알려졌다. AWS 역시 HBM3E 12단을 탑재한 차세대 AI 반도체 '트레이니엄 3'를 내년 양산할 계획이다. 이 같은 글로벌 빅테크의 자체 ASIC 개발 열풍은 삼성전자의 HBM 사업 부진을 만회할 기회 요소로 작용한다. 당초 삼성전자는 지난해 하반기 엔비디아에 HBM3E 12단을 납품하는 것이 목표였으나, 성능 및 안정성 문제로 양산화에 차질을 빚어 왔다. 이후 코어 다이인 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 재공급을 추진해 왔으나, 올해 6월까지 공급을 성사시키겠다는 계획도 현재로선 불가능해졌다. 업계는 빨라야 오는 9월께 공급이 가능해질 것으로 보고 있다. 때문에 삼성전자는 올 2분기 말 P1·P3 내 HBM3E 12단 양산라인의 가동률을 낮추고 있는 상황이다. 올 하반기 엔비디아향 공급 성사, ASIC 고객사 추가 확보 등을 이뤄내야 HBM 사업에 대한 불확실성을 거둘 수 있을 것이라는 평가가 나온다.

2025.07.03 15:39장경윤

삼성전자, HBM3E 12단 라인 가동률 축소…엔비디아 공급 논의 길어지나

삼성전자가 지난 2분기 말께 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 생산량을 줄인 것으로 파악됐다. 당초 삼성전자는 올해 중반 엔비디아에 해당 제품을 공급하려고 했으나 논의가 길어지면서 하반기 수요에 대한 불확실성이 높아졌다. 이에 재고가 급증하는 위험을 줄이고자 보수적인 운영 기조로 돌아선 것으로 풀이된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 HBM3E 12단 양산라인의 가동률을 기존 대비 절반 수준으로 줄인 것으로 파악됐다. HBM3E 12단은 현재 상용화된 HBM 중에서 가장 최선단에 해당하는 제품이다. 삼성전자의 경우, 평택에 위치한 P1, P3 라인에서 HBM3E 12단을 양산해 왔다. 특히 삼성전자는 지난 1분기 말부터 HBM3E 12단 생산량을 크게 늘린 바 있다. 엔비디아와의 퀄(품질) 테스트 일정이 6월경 마무리될 것이라는 전망 하에, 재고를 선제적으로 확보하기 위한 전략이었다. MI325X, MI350X 등 AMD의 최신형 AI 가속기향 HBM3E 12단 공급도 영향을 끼쳤다. 이에 따른 삼성전자의 올 2분기 HBM3E 12단 생산량은 평균 월 7~8만장 규모로 추산된다. 그러나 삼성전자는 2분기 말 웨이퍼 투입량을 급격히 줄여, 현재 월 3~4만장 수준의 생산량을 기록하고 있는 것으로 파악됐다. 주요 원인은 엔비디아향 HBM3E 12단 공급의 불확실성이 높아진 탓으로 분석된다. 당초 삼성전자는 6월을 목표로 테스트를 진행해 왔으나, 최근에는 최소 9월 테스트가 마무리 될 것이라는 전망이 우세해졌다. 여전히 발열 문제가 거론되고 있다는 게 업계 전언이다. 사안에 정통한 관계자는 "엔비디아향 공급이 지연되는 상황에서 HBM3E 12단 재고가 급격히 증가할 경우 삼성전자의 재무에 부담이 될 수 있다"며 "내년 상반기부터 HBM4 시장이 본격화될 것으로 예상되는 만큼, 삼성전자 입장에서도 보수적인 생산기조를 유지하려 할 것"이라고 밝혔다. 결과적으로 삼성전자 HBM 사업의 반등은 비(非) 엔비디아 진형의 ASIC(주문형반도체) 수요 확대에 좌우될 것으로 관측된다. 현재 구글, 메타, AWS(아마존웹서비스) 등 글로벌 빅테크들은 데이터센터를 위한 자체 AI 반도체 개발에 집중하고 있다. 해당 칩에도 HBM이 대거 탑재된다. HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 적기 상용화 역시 주요 과제다. 현재 삼성전자는 HBM4의 코어 다이인 1c(6세대 10나노급) D램 개발에 주력하고 있으며, 일부 회로를 개조해 안정성을 끌어올리는 작업 등을 진행했다. HBM을 위한 1c D램은 올 3분기 PRA(내부 양산 승인)이 이뤄질 전망이다.

2025.07.02 17:00장경윤

2분기 D램 수요 '폭발'…SK하이닉스도 출하량 20% 돌파 전망

미국 마이크론이 최근 예상을 웃도는 D램·HBM(고대역폭메모리) 매출을 기록하면서, 국내 메모리 업계의 2분기 실적에도 기대감을 불러일으키고 있다. 특히 SK하이닉스의 전분기 대비 D램 출하량 증가율이 당초 예상 대비 10%p가량 확대될 것으로 예상된다. 29일 업계에 따르면 올 2분기 SK하이닉스 D램 빗그로스(출하량 증가율)는 전분기 대비 20%를 넘어설 전망이다. 앞서 SK하이닉스는 1분기 실적 발표 컨퍼런스 콜에서 올 2분기 D램 빗그로스 전망치를 '전분기 대비 10% 초반 증가'로 제시한 바 있다. 그러나 최근 D램 시장은 AI·데이터센터 및 컨슈머 제품향 수요의 동시 확대로 당초 예상 대비 호조세를 보이고 있다. 이에 따라 SK하이닉스의 올 2분기 D램 출하량도 20%를 넘어설 가능성이 유력해졌다. 류형근 대신증권 연구원은 "마이크론의 D램 판매가 시장 예상치를 상회했다면, AI 기술 리더십을 확보하고 있는 SK하이닉스의 2분기 D램 판매 성장 폭은 더 클 것"이라며 "판매량이 전분기 대비 22% 성장할 것으로 전망한다"고 밝혔다. 실제로 마이크론은 지난 5월 마감한 2025 회계연도 3분기에 D램 및 HBM 판매 확대로 역대 최대 실적을 기록했다. 해당 기간 D램 출하량은 전분기 대비 20% 증가했다. 덕분에 마이크론의 최근 분기 매출은 93억 달러(한화 약 12조8천억원), 영업이익은 24억9천만 달러(약 3조4천억원)로 전분기 및 전년동기 대비 모두 크게 증가했다. 증권가 컨센서스(매출 88억5천만 달러, 영업이익 21억3천만 달러) 또한 크게 앞섰다. 이에 따라 SK하이닉스도 올 2분기 D램 사업에서 16조원대의 매출, 9조원대의 영업이익으로 당초 전망치를 상회하는 실적을 거둘 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론의 경우 D램의 ASP(평균판매가격)가 소폭 하락했으나, SK하이닉스는 D램 출하량 및 ASP가 모두 증가할 것이 유력하다"며 "HBM3E 12단 제품의 본격적인 양산으로 매출 비중이 크게 증가하는 점을 고려하면, 마이크론이나 삼성전자 대비 D램 사업 성장폭이 클 것"이라고 설명했다.

2025.06.29 08:59장경윤

마이크론, HBM 매출 급증…연내 점유율 20% 돌파 '자신감'

미국 마이크론이 고대역폭메모리(HBM) 사업 확대에 자신감을 드러냈다. 올 연말까지 HBM 시장 점유율을 23~24%까지 끌어올리겠다는 목표를 세우고, 차세대 HBM 제품 역시 "여러 고객사와의 샘플 테스트에서 긍정적인 반응을 얻고 있다"고 강조했다. 마이크론은 2025 회계연도 3분기(2025년 3~5월) 매출액 93억 달러(약 12조8천억원) 영업이익 24억9천만 달러(약 3조4천억원)를 기록했다고 26일 밝혔다. 역대 최대 실적으로, 증권가 컨센서스 역시 큰 폭으로 웃돌았다. HBM 매출은 전분기 대비 50%가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 가장 최선단에 위치한 HBM3E 12단 수율 및 생산량 증가가 순조롭게 진행되고 있으며, 고객사 4곳에 대량으로 제품을 출하하고 있다는 게 회사 측 설명이다. AMD 역시 최근 행사에서 최신형 GPU 'MI355X'에 마이크론 HBM3E 12단 제품을 채택했다고 밝힌 바 있다. HBM 전체 시장 규모에 대해서는 지난해 180억 달러(약 24조4천억원)에서 올해 350억 달러(약 47조5천억원)로 2배 가까이 성장할 것으로 내다봤다. 이는 기존 전망과 대체로 일치한다. 마이크론은 올 연말까지 HBM 시장 내 점유율을 D램 시장 점유율(23~24%)과 비슷한 수준까지 달성하겠다고 제시한 바 있다. 현재 마이크론은 이를 예상 대비 빠르게 달성 가능할 것으로 보고 있다. HBM4에 대해서도 자신감을 드러냈다. HBM4는 이르면 올 하반기 양산되는 차세대 HBM으로, 내년 HBM 시장에서 상당한 비중을 차지할 것으로 예상되는 제품이다. AI 업계를 주도하는 엔비디아 AI 반도체 '루빈'에 탑재될 예정이다. 마이크론은 "HBM4는 여러 고객사에 샘플을 제공해 만족스럽게 평가를 진행 중"이라며 "충분기 검증된 1b(5세대 10나노급) D램을 기반으로 성능과 전력 효율성 모두 강점을 갖추고 있다"고 강조했다.

2025.06.26 10:15장경윤

HBM 바람 탄 마이크론, 역대 최대 실적…삼성·SK도 훈풍 기대

미국 마이크론이 업계 예상을 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 인공지능(AI) 산업 발달로 고부가 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 출하량이 크게 증가한 덕분이다. 국내 메모리 업계 역시 견조한 실적이 예상되는 상황으로, 특히 HBM 사업을 적극 확장 중인 SK하이닉스의 높은 성장세가 기대된다. 마이크론은 5월 마감된 2025 회계연도 3분기에 매출 93억 달러(한화 약 12조8천억원) 영업이익 24억9천만 달러(약 3조4천억원)를 기록했다고 26일 발표했다. 매출은 전년동기 대비 36.6%, 전분기 대비 15.5% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 164.6%, 전분기 대비 24.1% 증가했다. 이번 실적은 마이크론 사상 최고 분기 매출에 해당한다. 증권가 컨센서스(매출액 88억5천만 달러, 영업이익 21억3천만 달러)도 크게 웃돌았다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "HBM 매출이 전 분기 대비 거의 50% 성장한 것을 포함해 사상 최고의 D램 매출을 기록한 덕분"이라며 "2025 회계연도 기준으로도 연간 사상 최고 매출을 달성할 것으로 예상되며, 증가하는 AI 기반 메모리 수요를 충족하고자 체계적인 투자를 진행하고 있다"고 밝혔다. 실제로 마이크론의 해당 분기 D램 매출액은 70억7천만 달러로 전년동기 대비 51.5%, 전분기 대비 15% 증가했다. 출하량은 전분기 대비 20% 이상 증가했다. 마이크론은 2025 회계연도 4분기(2025년 6~8월)에 대한 전망도 긍정적으로 제시했다. 매출 가이던스는 중간값 기준 107억 달러로, 증권가 컨센서스(98억1천만 달러)를 또 한번 크게 앞섰다. 마이크론은 "긍정적은 수요 환경에 따라 올해 업계 연간 D램 비트(bit) 수요 성장률은 10% 후반, 낸드는 10% 초반대를 기록할 것"이라며 "중기적으로는 D램과 낸드 모두 연평균성장률(CAGR) 기준으로 10% 중반대의 비트 수요 성장을 예상한다"고 밝혔다.

2025.06.26 08:35장경윤

SK하이닉스, 청주에 7번째 후공정 라인 신설 추진

SK하이닉스가 반도체 패키징 생산능력 확장을 위한 신규 투자에 나선다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 사내 게시판에 'P&T(Package & Test) 7' 팹을 짓기 위해 과거 매입한 청주 LG 2공장 부지 내 건물을 철거할 계획이라고 공지했다. 철거는 오는 9월 마무리될 예정이다. SK하이닉스는 이천과 청주 지역에 후공정 팹을 운영해 왔다. 기존 SK하이닉스시스템IC의 공장으로 활용돼 온 M8 공장을 개조한 P&T 6까지 보유하고 있으며, 이번이 7번째 팹에 해당한다. P&T 7의 구체적인 착공 시점 및 용도는 아직 확정되지 않았다. 다만 반도체 제조 공정에서 후공정의 중요성이 점차 높아지고 있어, SK하이닉스가 적극적인 투자 의지를 보일 것이라는 기대감이 나온다. SK하이닉스 관계자는 "반도체 후공정의 중요성이 높아지는 만큼, 시설을 확충해 후공정 경쟁력을 강화하기 위한 취지"라고 밝혔다.

2025.06.24 10:22장경윤

中 CXMT, DDR5 시장서 급성장…연말 점유율 7% 전망

중국 CXMT(창신메모리테크놀로지)가 지난해에 이어 올해에도 D램 출하량을 크게 늘릴 계획이다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 기업들이 선점해 온 DDR5·LPDDR5 시장에서도 점유율을 빠르게 늘려나갈 것으로 관측된다. 20일 카운터포인트리서치에 따르면 올해 중국 CXMT의 D램 출하량 점유율은 1분기 6%에서 연말 8%까지 확대될 전망이다. 지난 2016년 설립된 CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 현지 정부의 전폭적인 지원 하에 생산능력을 확대하는 추세로, 올해 생산능력은 전년 대비 50% 가까이 증가한 월 30만장에 이를 것으로 예상된다. 특히 CXMT는 최근 DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙) 메모리에서 벗어나, DDR5· LPDDR5 등 선단 메모리로의 전환을 가속화하고 있다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 "CXMT의 성장세는 출하량에서도 나타나는데, 1분기 1%도 채 되지 않는 DDR5 및 LPDDR5 시장 점유율이 4분기에는 7~9%까지 상승할 것"이라고 말했다. 다만 CXMT는 최선단 D램 제조에 필요한 HKMG(High-k Metal Gate) 공정에서 어려움을 겪고 있다. HKMG 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해, 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 기술이다. 최 연구원은 "따라서 CXMT의 차세대 D램은 1b(5세대 10나노급) 대비 상대적으로 공정 난이도가 낮은 1a(4세대) 기반으로 제조될 가능성이 커지고 있다"며 "그러나 CXMT는 '3D D램' 혁신에 중점을 두고, 지속적인 증설이 예상되므로 중국의 성장세를 주목해야 한다"고 밝혔다.

2025.06.20 11:20장경윤

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