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美 마이크론, 前 TSMC 회장 영입…HBM 역량 강화 포석

미국 마이크론이 파운드리 업계 1위 TSMC의 회장직을 역임한 마크 리우를 신임 이사로 영입했다. 차세대 HBM(고대역폭메모리)에서 로직 다이(HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩)의 중요성이 높아지는 만큼, 관련 기술력을 강화하기 위한 전략이라는 분석이 제기된다. 5일(현지시간) 마이크론은 마크 리우 TMSC 전 회장과 딜로이트의 수석 감사인 크리스티 시몬스를 신규 이사로 임명했다고 밝혔다. 리우 전 TSMC 회장은 지난 1993년 TSMC에 합류해 30년 이상 회사의 성장을 이끈 인물이다. 창립자 모리스 창 박사가 은퇴한 2018년부터 회장직을 맡았으며, 지난해 퇴진했다. 리우 전 회장은 기술 리더십, 디지털 우수성, 글로벌 입지 분야에서 기업 거버넌스와 경쟁력을 강화하는 데 중점을 두고 TSMC를 이끌어 왔다. 특히 12인치 웨이퍼 사업의 기반을 마련했다는 평가를 받는다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "리우는 기술 전문성과 사업 통찰력을 갖춘 비전 있는 리더로, 세계에서 가장 진보적인 반도체 기업 중 하나를 이끌었다"며 "그의 경험은 마이크론이 데이터센터에서 엣지에 이르는 AI 산업을 확장하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 이에 대해 시장조사업체 트렌드포스는 "이번 결정은 맞춤형 HBM의 로직 다이 설계에서 마이크론과 TSMC간의 긴밀한 협력을 나타낸다"며 "메모리 분야에서 TSMC의 영향력이 더욱 커지고 있음을 보여주는 것"이라고 평가했다. 오는 5월 딜로이트에서 은퇴할 예정인 시몬스 감사는 딜로이트의 글로벌 반도체 센터 책임자로 활동해 왔다. 산제이 CEO는 "시몬스가 글로벌 기술 및 금융 분야에서 쌓은 경험은 마이크론의 사업을 최적화하는 데 귀중한 통찰력을 제공할 것"이라며 "마이크론 이사회가 앞으로의 기회에 대처하기 위한 전략을 형성하는 데 큰 자산이 될 것"이라고 강조했다.

2025.03.06 15:28장경윤

SK하이닉스, CIS 사업서 철수…"AI 메모리에 역량 집중"

SK하이닉스가 회사의 비주력인 CMOS 이미지센서(CIS) 사업에서 손을 뗀다. 관련 시장의 수요 감소, 중국 후발주자들의 진입 등으로 사업성이 미미하다는 분석이 작용한 것으로 관측된다. SK하이닉스는 6일 CIS 사업부문 구성원 소통 행사에서 "글로벌 AI 중심 기업으로서의 입지를 굳건히 하기 위해 동 사업부문이 지닌 역량을 AI 메모리 분야로 전환한다"고 밝혔다. SK하이닉스는 이날 "CIS 사업부문은 2007년 출범한 이후 여러 어려움을 극복하고 모바일 시장에 진입해 소기의 성과를 달성했다"며 "여기서 우리는 메모리만으로는 경험할 수 없는 로직 반도체 기술과 커스텀(Custom) 비즈니스 역량을 얻게 됐다"고 말했다. 이어 "최근 AI 시대가 도래하며 회사는 AI 메모리 분야에서 큰 성과를 거뒀고, 현재는 AI 산업의 핵심 기업으로 거듭나기 위한 대전환기를 맞이했다"고 강조하며 "CIS 사업부문이 보유한 기술과 경험은 회사의 AI 메모리 경쟁력을 강화하는데 꼭 필요한 만큼 전사의 역량을 한데 모으기 위해 이번 결정을 했다"고 설명했다. 앞서 SK하이닉스는 2008년 CIS 개발업체 실리콘화일을 인수하면서 이미지센서 시장에 진출한 바 있다. 2019년에는 일본에 CIS 연구개발(R&D) 센터를 개소하고, 같은해 이미지센서 브랜드 '블랙펄'을 출시했다. 이후 삼성전자의 폴더블폰 시리즈인 '갤럭시Z3'와 중국 스마트폰에 CIS를 납품하는 등 성과를 거뒀으나, 사업을 크게 확장시키지는 못했다. 스마트폰 시장의 수요 감소, 중국 후발주자들의 추격 등이 작용한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "이번 결정이 회사의 AI 메모리 경쟁력을 한단계 성장시키며 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)'로서 회사의 위상을 공고히 하는데 기여할 것으로 기대한다"며 "또한 이를 통해 주주 가치도 극대화하고자 한다"고 밝혔다. 임직원들의 전환 과정에서 대해서는 "기존 CIS 소속 구성원들이 새로운 조직으로 이동하는 데 있어 각 개인의 전문 역량을 충분히 발휘할 수 있도록, '원팀 마인드' 차원에서 지원을 아끼지 않을 방침"이라고 설명했다.

2025.03.06 15:06장경윤

KAIST, 100㎚급 홀로토모그래피로 움직이는 생체조직 관찰 성공

KAIST(총장 이광형)는 물리학과 박용근 교수 연구팀이 별도의 염색 없이 두꺼운 생체 조직의 3차원 영상을 100㎚급 고해상도로 관찰할 수 있는 디지털 수차 보정 기술을 개발했다고 5일 밝혔다. 기존 광학 기술은 두꺼운 생체 조직을 관찰할 때, 조직 내부에서 발생하는 빛의 산란으로 영상 품질이 떨어진다. 연구팀은 이 문제 해결을 위해 광학적 메모리 효과를 이용했다. 이 효과는 빛이 기울어질 때, 산란된 빛도 함께 기울어지는 현상이다. 이를 이용하면 생체 조직과 같은 복잡한 산란 매질에서도 관찰이 용이하다. 연구를 진행한 오철민 연구생(물리학과 박사과정)은 "디지털 수차보정을 거쳐 기존 이미징 기술의 이론적 한계로 알려진 100㎚ 수준까지 생체조직을 관찰했다"며 "아이디어가 새로운 성과를 도출한 사례"라고 설명했다. 오 연구생은 "무엇보다 움직이는 조직 관찰도 가능하다"며 "마이크로미터 크기의 시료에서 발생하는 동적 변화도 실시간 포착하는데 성공했다"고 부연설명했다. 박용근 교수는 “이번 연구는 기존 이미징 기술의 한계를 극복하는 새로운 접근 방식으로, 홀로토모그래피 기반 비침습적 생체 이미징 및 진단 연구에 큰 영향을 미칠 것"이라고 전망했다.

2025.03.05 14:35박희범

한권환 SK하이닉스 부사장 "HBM 안정적 수요 대응...차세대 양산 준비"

"2025년 가장 중요한 과제는 늘어나는 시장 수요에 안정적으로 대응하고, 동시에 차세대 HBM 양산을 위한 기술적 준비를 탄탄히 하는 것이다. 다양한 변수를 사전에 예측하고 철저한 대응 전략을 마련하는 데 집중할 계획이다." 26일 한권환 SK하이닉스 HBM융합기술 부사장은 AI 메모리 반도체 시장을 선도할 HBM 기술 혁신 전략과 앞으로의 목표에 대해 이같이 밝혔다. 2002년 SK하이닉스에 입사한 한 부사장은 초기 HBM 개발부터 참여해, 이후 모든 세대 HBM 제품 개발과 양산을 이끌며 1등 리더십을 구축해 온 주역이다. 올해 SK하이닉스의 신임인원으로 선임됐다. 한 부사장은 "HBM이 처음 출시될 당시 생산 규모나 제품 수요는 지금과 비교할 수 없을 정도로 미미했으나, 지난 2023년 챗GPT의 등장과 함께 AI 시장이 폭발적으로 성장하기 시작했다"며 "이에 대응하기 위해 기존의 라인보다 훨씬 규모가 큰 생산 라인을 단기간에 구축해야 하는 과제가 주어졌고, 일부 수요에 대해서는 다른 제품의 생산 라인 일부를 HBM 생산 라인으로 전환하며 대규모 양산 체계를 구축했다"고 밝혔다. 한 부사장의 전략적 대응은 SK하이닉스의 HBM 시장 점유율을 높이고, 세계 최고 수준의 생산 능력과 품질을 확보하는 기반이 됐다. 그는 이러한 경험과 역량을 바탕으로 HBM융합기술 조직을 총괄하며, 제품 양산성을 높이고 차세대 HBM으로의 원활한 전환을 위해 새로운 기술적 토대를 마련하는 중책을 수행할 예정이다. 한 부사장은 “HBM 시장 경쟁에서 우위를 점하기 위해서는 기술력은 기본이고, 최상의 제품을 적시에 고객에게 공급할 수 있어야 한다"며 "기술 및 운영 혁신을 통해 시장과 고객 요구에 기민하게 대응할 수 있는 협업 체계를 구축하고, 안정적인 양산까지 이어질 수 있도록 맡은 바 최선을 다하겠다"고 강조했다. 또한 한 부사장은 “2025년 가장 중요한 과제는 늘어나는 시장 수요에 안정적으로 대응하고, 동시에 차세대 HBM 양산을 위한 기술적 준비를 탄탄히 하는 것”이라고 강조했다. 올해 주력으로 생산될 12단 HBM3E 제품은 기존 8단 HBM3E 제품에 비해 공정 기술의 난이도가 높다. 또한 차세대 HBM 제품은 진화하는 제품 세대에 따라 기술적인 과제가 더욱 늘어날 것으로 예상된다. 한 부사장은 "개발 과정에서 많은 기술적 도전을 극복하고 양산을 시작하겠지만, 생산량을 급격히 늘려가는 과정에서 예상치 못한 변수가 추가로 발생할 수 있고 해결도 매우 어렵다"며 "HBM융합기술 조직은 이를 사전에 예측하고 철저한 대응 전략을 마련하는 데 집중할 계획”이라고 말했다. 특히 최근 AI 메모리 반도체 수요가 늘면서, 글로벌 빅테크 기업을 중심으로 고객 맞춤형(Customized) 제품에 대한 요구도 점차 증가하고 있다. 해당 HBM은 다른 제품보다 공정 수가 많고 생산 과정도 복잡해, 이에 대응하는 것이 쉽지 않다. 한 부사장은 “단순히 생산량을 늘리는 것이 아니라 효율적인 운영 체계를 구축하는 것이 더욱 중요해졌다”며 “생산 라인의 유연성을 높이고 고객과의 협력을 강화해 자사 HBM 경쟁력을 극대화하겠다”고 밝혔다. 끝으로 한 부사장은 급변하는 시장 환경에서도 가장 중요한 가치는 '안전'이라고 당부하며, 자신감을 갖고 함께 나아가자고 구성원들을 격려했다. 한 부사장은 “우리는 지금 빠르게 성장하고 있고, 목표를 달성하는 데 집중해야 하는 상황이지만 안전보다 중요한 것은 없다"며 "이를 위해 리더들이 앞장서겠다. 그리고 우리가 세계 최고라는 사실을 잊지 않았으면 한다. 앞으로도 구성원들과 함께 소통하고 협력하면서, 더욱 강한 SK하이닉스를 만들어가겠다"고 강조했다.

2025.02.26 16:02장경윤

SEMI "지난해 웨이퍼 출하량 전년比 2.7% 감소…올해는 반등"

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회인 SEMI는 지난해 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년 대비 2.7% 감소한 122억6천600만 제곱인치를 기록했다고 26일 밝혔다. 매출액은 6.5% 줄어든 115억 달러로 집계됐다. 지난해에는 더딘 재고 조정으로 인해 웨이퍼 출하량과 매출액 모두가 다소 하락했다. 하지만 올해부터 웨이퍼 출하량의 회복세가 시작될 것으로 보이며, 특히 하반기부터는 강한 반등이 예상된다. 리 청웨이 SEMI SMG(실리콘 제조업체 그룹) 회장 겸 글로벌웨이퍼스 부사장은 “생성형 AI 및 신규 데이터센터가 첨단 파운드리와 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 메모리 반도체 수요를 견인하고 있지만, 대부분의 다른 최종 소비자 시장은 여전히 과잉 재고로부터 회복 중”이라고 밝혔다. 그는 이어 “많은 고객사의 실적 발표에서도 언급된 바와 같이, 산업용 반도체 시장은 여전히 강한 재고 조정 국면에 있으며, 이는 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량에 영향을 미치고 있다”고 설명했다. 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조의 핵심 소재이기 때문에 컴퓨터, 통신제품, 소비가전제품 등 사실상 모든 전자제품에 필수적인 요소다. 정밀하게 가공된 실리콘 디스크는 1인치에서 12인치에 이르기까지 다양한 직경으로 생산되며 기판 소재로 사용돼 그 위에 대부분의 반도체 칩을 생산한다. SEMI 실리콘 제조 그룹(SMG)은 SEMI 안에서 전문 위원회 그룹(SIG)으로 활동하며, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 및 실리콘 웨이퍼 생산에 관련된 회사들로 구성돼 있다. 이 그룹의 목적은 실리콘 산업과 반도체 시장에 대한 시장 정보와 통계 개발 및 실리콘 산업에 관련된 주요 사안에 대해 공동의 노력을 촉진시키는 데 있다.

2025.02.26 14:42장경윤

마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다

미국 마이크론이 최근 6세대 10나노미터(nm)급 D램 샘플을 고객사에 공급하는 데 성공했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사에 한 발 앞선 성과로, 차세대 메모리 시장에서 국내 메모리 업계와의 치열한 경쟁이 예상된다. 26일 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 이를 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 "업계 최초로 차세대 CPU용 1γ DDR5 샘플을 일부 협력사와 고객사에 출하했다"며 "우선 16Gb(기가비트) DDR5에 활용되고, 이후 AI용 고성능 및 고효율 메모리 수요에 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다. 이번 1γ 기반 16Gb DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다. 이전 세대 대비 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 줄었다. 새롭게 적용된 제조 공정도 눈에 띈다. 마이크론은 1γ D램에서부터 EUV(극자외선) 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. EUV는 반도체 회로를 새기기 위한 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 DUV(심자외선) 대비 빛의 파장이 짧아 초미세 공정에 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다. 마이크론은 "1γ D램은 EUV 노광 기술과 고종횡비 식각 기술 등 최첨단 공정을 적용함으로써 업계를 선도하는 비트 밀도를 지원한다"며 "여러 세대에 걸쳐 입증된 마이크론의 D램 기술 및 제조 전략 덕분에 최적화된 공정을 만들 수 있었다"고 자신했다. 마이크론의 1γ D램 샘플은 AMD, 인텔 등 고객사에 출하돼, 현재 평가 과정을 거치고 있는 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 6세대 10나노급 D램의 상용화를 준비하고 있다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 적용할 계획이다. 이에 따라 현재 기존 설계 대비 칩 사이즈를 키워, 수율 및 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행 중인 것으로 파악됐다. 개선품은 이르면 1~2달 내로 구체적인 성과를 확인할 수 있을 전망이다. 동시에 삼성전자는 1c D램 양산을 위한 설비투자도 진행하고 있다. 지난해 말부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 소규모 제조라인 구축을 위한 장비 발주가 시작됐다. 1c D램의 개발 현황에 따라 추가 투자 가능성도 거론된다. SK하이닉스는 지난달 내부적으로 1c D램에 대한 양산 인증을 마무리한 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 이전 세대인 1b D램에서의 공정 기술력을 기반으로, 1c D램의 수율을 비교적 안정적으로 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다.

2025.02.26 09:03장경윤

中 DUV 공정 고도화…국내 부품업계도 매출 확대 '수혜'

중국 메모리·파운드리 업계가 DUV(심자외선) 공정을 지속적으로 고도화하고 있다. 이에 따라 에프에스티, 에스앤에스텍 등 국내 주요 반도체 부품업계도 지난해 중국향 매출이 확대되는 수혜를 입은 것으로 관측된다. 25일 업계에 따르면 중국 반도체 기업들은 국내 DUV 공정용 부품을 적극 주문하고 있다. DUV는 반도체에 회로를 새기는 노광 공정에 활용되는 광원이다. 반도체 업계 전반에서 가장 널리 활용되는 소재로, 특히 중국 반도체 기업들은 DUV 기반의 공정 고도화 및 생산능력 확대에 주력하고 있다. 미국의 수출 규제로 EUV(극자외선)와 같은 첨단 공정에 접근할 수 없다는 점이 주요 배경으로 꼽힌다. 일례로 중국 최대 D램 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 올해 초 'G5' 공정을 통해 16나노급 DDR5 상용화에 성공했다. 이전 세대인 G4(18나노급) 대비 선폭을 크게 줄였다. 또한 CXMT는 D램 생산능력을 지난 2022년 월 7만장 수준에서 지난해 월 20만장까지 끌어올린 것으로 알려졌다. 올해에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 설립할 계획이다. 신규 공장의 최대 생산능력은 월 10만장 정도로 추산된다. 중국 주요 파운드리 SMIC 역시 지난해 연 매출이 80억3천만 달러(한화 약 11조6천억원)로 전년 대비 27% 급증한 바 있다. 이 회사는 DUV 공정만으로 화웨이의 7나노 시스템반도체 양산하는 등, 기술력을 빠르게 끌어 올렸다는 평가를 받고 있다. 이에 따라 국내 관련 반도체 부품업계도 최근까지 중국향 매출 비중이 확대되는 등의 효과를 거뒀다. 에프에스티는 최근 공시를 통해 지난해 연매출 약 2천374억원, 영업이익 23억원을 기록했다고 밝혔다. 전년 대비 매출은 20% 증가했으며, 영업손익은 흑자전환했다. 주력 사업인 DUV 펠리클(반도체 마스크를 보호하는 얇은 막) 및 칠러 장비 매출이 증가한 데 따른 영향이다. 에프에스티 관계자는 "중국 내에서 DUV 공정 수요가 증가하고 있고, 제품군이 다양화되면서 펠리클에 대한 주문도 더 늘어나고 있다"며 "구체적으로 언급할 수는 없으나 시장이 확대되고 있는 건 사실"이라고 밝혔다. 국내 또 다른 부품기업 에스앤에스텍도 중국향 DUV 블랭크마스크(반도체에 회로를 새기는 마스크의 본 판) 매출이 지속 견조한 것으로 관측된다. 이 회사는 지난해 중국 고객사들로부터 로우·미들엔드급 DUV 블랭크마스크 물량을 선제적으로 수주 받았다. 이에 특정 제품의 경우 가격을 50% 이상 인상하기로 한 바 있다. 이에 따라 에스앤에스텍은 올 3분기까지 블랭크마스크 누적 수출액을 601억원 기록했다. 지난해 연간 수출액인 620억원과 맞먹는 규모다.

2025.02.25 15:29장경윤

SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 본격 착공

SK하이닉스는 지난 21일 용인시의 건축 허가가 승인됨에 따라 용인 반도체 클러스터에 건설되는 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다. 용인 반도체 클러스터는 총 415만m2(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다. 이곳에 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며, 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다. SK하이닉스 용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다. 이와 더불어, 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.

2025.02.25 09:52장경윤

400단 쌓는 삼성·SK, 핵심 본딩 기술·특허는 中에 의존

차세대 낸드 시장에서 삼성전자·SK하이닉스의 주도권이 흔들릴 수 있다는 우려가 제기된다. 400단 이상 적층에 필요한 '하이브리드 본딩' 기술을 중국 YMTC가 선점하고 있어서다. YMTC는 관련 기술을 지속적으로 고도화해, 최근 270단대의 고적층 낸드를 상용화하기도 했다. 반면 국내 기업들은 후발주자로서 여러 내홍을 겪을 가능성이 있다. 우선 신규 기술 적용에 따른 공정전환 및 설비투자가 필요하며, 초기 도입에 따른 수율 안정화도 이뤄내야 한다. YMTC 등이 구축해 놓은 특허 역시 문제다. 실제로 삼성전자의 경우 YMTC와 하이브리드 본딩에 대한 라이센스 계약을 체결한 것으로 파악됐다. V10(10세대) 이상의 낸드부터 YMTC 특허의 영향을 피해갈 수 없게 되면서, 차세대 낸드 사업의 불확실성이 커졌다는 평가다. 24일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 400단 이상의 차세대 낸드에 하이브리드 본딩 기술을 적용할 계획이다. ■ 中, 매출 규모는 작지만 '하이브리드 본딩' 낸드에 선제 적용 낸드는 세대를 거듭할수록 셀(Cell; 데이터를 저장하는 단위)을 수직으로 더 높이 쌓는다. 국내 기업들은 300단대 낸드까지는 한 개의 웨이퍼에 셀을 구동하는 회로인 '페리페럴'을 두고, 그 위에 셀을 쌓는 방식을 채택해 왔다. 삼성전자는 이를 COP(셀온페리), SK하이닉스는 페리언더셀(PUC)라고 부른다. 다만 낸드가 400단 이상까지 높아지게 되면 하단부 페리에 가해지는 압력이 심해져 손상이 올 수 있다. 이에 국내 기업들은 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 하나로 합치는 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼) 하이브리드 본딩을 채택하기로 했다. 이에 비해 중국 YMTC는 'Xtaking(엑스태킹)'이라는 이름으로 하이브리드 본딩 기술을 약 4년 전부터 선제적으로 양산 적용하고 있다. YMTC는 중국 최대 낸드 제조기업이다. 전 세계 낸드 시장에서 매출 기준으로 5위권 밖에 있으나, 최근 기술적으로 상당한 진보를 거뒀다는 평가를 받고 있다. 지난달 반도체 분석 전문기관 테크인사이츠가 발간한 보고서에 따르면 YMTC는 올해 초 2yy(270단대 추정) 3D TLC(트리플레벨셀) 낸드 상용화에 성공했다. 테크인사이츠는 "YMTC의 2yy 낸드는 당사가 시장에서 발견한 낸드 중 가장 높은 단수의 제품"이라며 "가장 중요한 사실은 해당 낸드가 업계 최초로 비트 밀도를 20Gb/mm2 이상으로 높였다는 것"이라고 설명했다. ■ 삼성·SK, 하이브리드 본딩 초기 도입 시 투자비용·수율 등 열세 YMTC가 이번에 적용한 엑스태킹은 4세대인 '4.x' 버전에 해당한다. YMTC는 이전부터 엑스태킹 기술을 활용해 160단, 192단, 232단 등의 제품을 양산한 바 있다. 그만큼 하이브리드 본딩에 대한 기술 안정화를 이뤄냈다는 평가가 나온다. 최정동 테크인사이츠 박사는 최근 기자와의 서면 인터뷰에서 "YMTC가 16단, 232단보다 더 많은 층을 빠른 시일 내에 구현했다는 게 놀랍다"며 "미국의 규제로 신규 장비 도입이 어려운 상황에서도 식각 및 ALD(원자층증착) 공정, 워피지(웨이퍼가 휘는 현상) 방지 공정 등에서 모두 최적화를 잘 한 것으로 보인다"고 평가했다. 이러한 측면에서, 국내 기업들은 첫 하이브리드 본딩 적용에 따른 여러 과제를 해결해야 할 것으로 관측된다. 특히 삼성전자는 이르면 올 연말부터 V10(430단대 추정) 낸드 양산을 목표로 하고 있어 보다 분주한 대응이 필요하다. 최정동 박사는 "삼성전자는 V10부터 셀을 3번 나눠 쌓는 트리플스택을 적용하고, 총 2장의 웨이퍼를 활용하는 하이브리드 본딩을 사용한다"며 "공정전환과 신규설비 투자 등 변경점이 많기 때문에 오랫동안 하이브리드 본딩을 적용해 온 YMTC 대비 제조비용이 훨씬 높을 수밖에 없다"고 설명했다. ■ 차세대 낸드부터 YMTC 특허 도입 불가피 특허 역시 진입장벽으로 거론된다. 하이브리드 본딩과 관련한 전반적인 기술 특허는 엑스페리(Xperi)와 YMTC, TSMC 3사가 대부분을 차지하고 있다. YMTC도 엑스페리로부터 하이브리드 본딩과 관련한 라이센스 계약을 체결했으며, 이후 낸드와 관련한 자체 특허를 적극 구축한 것으로 알려졌다. 삼성전자가 YMTC와 하이브리드 본딩과 관련한 라이센스 계약을 체결한 이유도 기술적으로 YMTC의 특허 회피가 어렵고, 분쟁 발생 시 최첨단 낸드 사업에 큰 타격이 발생할 수 있다는 우려에서다. 다만 삼성전자가 V10 이후 차세대 낸드부터 어떻게 기술개발 방향성을 설정할지, 또 라이센스에 필요한 비용, 엑스페리 등과의 특허 영향 등이 사업 진행의 주요 변수로 작용할 전망이다.

2025.02.24 14:04장경윤

[단독] 삼성전자, V10 낸드부터 中 YMTC 특허 쓴다

삼성전자가 V10(10세대)부터 새롭게 채용되는 첨단 패키징 기술인 '하이브리드 본딩'의 특허를 중국 낸드 제조업체 YMTC로부터 대여해 사용하기로 한 것으로 확인됐다. 삼성전자 입장에서 차세대 낸드 개발의 '핵심 난제'를 풀었지만, 향후 타사 특허 도입에 따른 수율 안정성 등 경쟁력 회복 등이 과제로 떠오른다. YMTC는 3D 낸드에 하이브리드 본딩을 처음 적용한 기업이다. 덕분에 관련 기술에서 탄탄한 특허를 구축했다는 평가를 받고 있다. 이에 삼성전자는 무리하게 특허를 회피하기 보다는, 원만한 합의로 향후 있을 리스크를 제거하는 전략을 채택한 것으로 풀이된다. 24일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자는 최근 YMTC와 3D 낸드용 하이브리드 본딩 특허권에 대한 라이센스 계약을 맺었다. 삼성전자, V10 낸드에 하이브리드 본딩 첫 적용 V10은 삼성전자가 이르면 올 하반기 양산을 목표로 한 차세대 낸드다. 낸드는 세대를 거듭할 수록 '셀(Cell; 데이터를 저장하는 단위)'을 수직으로 더 높이 쌓는다. V10은 420~430단대로 추정된다. 삼성전자 V10 낸드에는 여러 신기술이 도입된다. 그 중에서도 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼) 하이브리드 본딩의 중요도가 높다. W2W 하이브리드 본딩이란 웨이퍼와 웨이퍼를 직접 붙이는 패키징 기술이다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump)를 생략해 전기 경로를 짧게 만들고, 이로 인해 성능과 방열 특성 등을 높일 수 있다. 특히 칩이 아닌 웨이퍼를 통째로 붙이는 W2W는 생산성 향상에도 유리하다. 기존 삼성전자는 한 개의 웨이퍼에 셀을 구동하는 회로인 '페리페럴'을 두고, 그 위에 셀을 쌓는 방식을 활용해 왔다. 이를 COP(셀온페리)라고 부른다. 다만 낸드가 400단 이상까지 높아지게 되면, 하단부 페리에 가해지는 압력이 심해져 낸드의 신뢰성이 떨어진다. 때문에 삼성전자는 V10 낸드에 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤 하나로 합치는 하이브리드 본딩을 채택하기로 했다. YMTC 등 특허 공고…회피 대신 '라이선스 계약' 다만 이러한 계획에는 기존 해외 기업들이 보유한 특허가 주요 변수로 작용해 왔다. 3D 낸드용 하이브리드 본딩 기술은 중국 최대 낸드 제조업체 YMTC가 약 4년 전부터 선제적으로 적용한 바 있다. YMTC에서는 여기에 'Xtacking(엑스태킹)'이라는 이름을 붙였다. YMTC 역시 사업 초기 미국 테크기업 엑스페리(Xperi)로부터 하이브리드 본딩과 관련한 원천 특허를 라이센스 계약을 통해 취득했었다. 이후에는 낸드용 접합과 관련한 자체 특허를 상당 부분 구축했다는 평가를 받고 있다. 이에 삼성전자는 YMTC와 하이브리드 본딩 특허와 관련한 라이선스 계약을 체결했다. 특허 회피 대신 원만한 합의로 향후 있을 리스크를 줄이고, 기술 개발 속도를 앞당기기 위한 전략으로 풀이된다. 다만 엑스페리 등 타 기업과도 특허 논의를 진행했는 지에 대한 여부는 확인되지 않았다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "하이브리드 본딩과 관련한 기술 특허 전반은 엑스페리와 YMTC, 대만 파운드리 TSMC 3사가 사실상 대부분을 보유하고 있다고 봐도 될 정도"라며 "삼성전자 역시 V10, V11, V12 등 차세대 낸드 개발서 YMTC의 특허를 피하는 게 사실상 불가능하다는 판단 하에 라이센스 계약을 체결한 것으로 안다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스도 YMTC와 특허 계약을 체결할 가능성이 점쳐진다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난해 2월 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 "400단급 낸드 제품에서 하이브리드 본딩 기술로 경제성 및 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝힌 바 있다.

2025.02.24 13:54장경윤

머크, GAA·HBM 등 첨단 반도체용 소재 솔루션 선봬

머크(Merck)는 세미콘 코리아 2025에서 '머티리얼즈 인텔리전스 플랫폼'을 통해 AI 기반 소재 솔루션과 디지털화 역량을 선보였다고 20일 밝혔다. 올해는 특히 첨단 로직, 메모리 및 패키징을 위한 차세대 소재와 제품 포트폴리오를 집중 소개했다. 아난드 남비아 머크 일렉트로닉스 비지니스 수석부사장 겸 최고상업책임자(CCO)는 "AI를 구동하려면 강력하지만 작고 에너지 효율적인 칩이 필요한데, 이는 칩 아키텍처와 제조 프로세스 양쪽에서 복잡성을 증가시킨다"며 "머크는 머티리얼즈 인텔리전스 플랫폼을 통해 공정 미세화의 핵심인 게이트올어라운드(GAA), 고밀도 메모리 및 HBM과 같이 AI 지원 기술을 위한 새로운 소재 솔루션을 개발한다"고 강조했다. 세미콘코리아에서 머크는 D램 및 3D 낸드의 첨단 로직 및 3D 고밀도화를 위한 소재를 소개했다. 최첨단 노드 공정을 위한 원자층 증착, 갭 충진 기술을 위한 SOD 소재, 핀펫 아키텍처 D램을 위한 유기 금속 솔루션, 확장된 특수 가스 포트폴리오 및 고급 CMP 포트폴리오의 향상된 기능 등이 포함된다. 또한 확률적 결함을 해결하고 전기적 신뢰성을 개선해 장치 성능을 크게 향상시킬 수 있는 잠재력을 가진 DSA 기술의 발전과 함께 반도체 산업을 위한 신소재 및 지속가능 대체옵션을 포함한 지속 가능 솔루션 및 메모리 응용 분야에서 확장 가능한 전구체 수요 증가에 대응할 수 있도록 설계된 턴키 딜리버리 시스템 및 서비스를 선보였다. 한국머크는 1989년부터 한국에서 입지를 확대해 왔다. 일렉트로닉스 부문은 한국 전역에 걸쳐 9개의 사이트를 운영하며, 박막, 포뮬레이션, 특수 가스, 딜리버리 시스템 및 서비스, 디스플레이용 옵트로닉스 소재를 위한 현지 생산 및 R&D 시설을 갖추고 있다. 김우규 한국머크 대표는 "머크는 글로벌 반도체 공급망에서 핵심적인 역할을 지속하고 있는 한국을 우리의 필수 소재 R&D 및 생산을 위한 글로벌 핵심 허브 중 하나로 생각한다"며 "실제로 작년 하반기 안성에 개관한 한국 SOD 어플리케이션센터와 음성 사업장의 신제품 라인에 대한 지속적인 투자 등 지난 36년 동안 한국고객사의 미래 성장을 지원하는 혁신 파트너로서 최선을 다하고 있다"고 말했다.

2025.02.21 08:31장경윤

송재혁 삼성전자 CTO "AI, 인간 뇌에 아직 배울 점 많아…반도체 진화 계속"

"34억년간 생존을 위해 에너지 효율을 높인 우리 인간의 뇌는 AI 기술보다 엄청나게 앞서 있다. AI 기술을 지탱하려면 반도체 기술이 필수이고, 반도체 역시 성능 향상과 전력 소모 저감 두 요소를 그대로 추구하며 발전하고 있다" 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장은 19일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2025' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 반도체 혁신'을 주제로 발표를 진행한 송재혁 사장은 "80년간 AI가 발전하면서, 거대언어모델(LLM)의 정확도는 2019년 32%에서 불과 5년만에 92%로 성장했다"며 "그럼에도 AI는 34억년간 발전해 온 사람의 뇌(휴먼 브레인)에 비해 연산 속도, 에너지 효율 등이 크게 떨어져, 여전히 배울 점이 있다"고 말했다. 때문에 반도체 기술은 연산 속도를 높이는 동시에 전력 소모량을 줄이는 방향으로 지속 발전해 왔다. 기존에는 회로의 선폭을 줄이는 전공정 기술이 주류를 이뤘으나, 최근에는 후공정 역시 반도체 성능을 높일 수 있는 대안점으로 떠올랐다. 특히 송 사장은 칩렛 플랫폼을 예로 들며 협업의 중요성을 강조했다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 첨단 패키징 기술로, 수많은 반도체 전공정, 후공정 기술이 융합돼야 한다. 송 사장은 "칩렛 플랫폼을 잘 구현하기 위해서는 반도체 소자업체는 물론 설비, 소재, 소프트웨어 툴 기업들과 전 세계 연구소, 학교, 컨소시엄 등의 역할도 모두 중요하다"며 "포스트 AI 시대에서 반도체 기술이 여전히 중요한 만큼, 협업을 통해 더 나은 삶을 이뤄낼 수 있을 것이라고 보여진다"고 강조했다.

2025.02.19 12:15장경윤

HBM 올해도 큰 폭 성장…"3년 뒤 전체 D램서 매출 비중 30% 돌파"

고대역폭메모리(HBM) 시장 규모가 올해 60% 이상 증가하는 등 견조한 성장세를 보일 전망이다. 또한 오는 2028년까지 매출이 꾸준히 증가하면서, 전체 D램에서 차지하는 매출 비중이 30.6%에 달할 것으로 관측된다. 가우라브 굽타 가트너 애널리스트는 19일 오전 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2025' 기자간담회에서 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 올해 전 세계 반도체 시장은 7천50억 달러로 전년 대비 12.5% 성장할 전망이다. 2028년에는 시장 규모가 8천290억 달러에 달할 것으로 예상되다. 해당 기간 동안 시장 성장세를 주도할 분야로는 서버, 가속기 등 AI와 자율주행이 꼽힌다. 가우라브 굽타 가트너 수석 애널리스트는 "지난해 반도체 시장은 GPU와 메모리가 주도했고, 올해에는 이들 분야 외에도 아날로그 분야도 골고루 성장할 것"이라며" "반도체 시장은 지속 성장해, 규모가 1조 달러를 초과하는 시점은 2030~2031년이 될 것으로 관측된다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 시장은 올해와 내년 각각 13.0%, 11.6% 성장할 전망이다. 그러나 2027년과 2028년에는 각각 4.6%, 7.5%의 감소가 예상된다. 굽타 애널리스트는 "중국 YMTC가 지난해 생산량을 50% 늘리고, 올해에도 더 성장하는 등 낸드 시장은 장기적으로 도전을 받고 있다"며 "D램 역시 올해까지는 가격이 상승했다가 내년부터 ASP(평균판매가격)이 꾸준히 하락하는 등 주기를 탈 것"이라고 설명했다. 다만 HBM(고대역폭메모리)는 공급 부족으로 성장세가 지속될 것으로 보인다. 올해 HBM 매출액은 198억 달러로 전년 대비 66.9% 성장한 뒤, 2028년에는 316억 달러에 도달할 전망이다. 2023년부터 2028년까지의 연평균 성장률은 62.0%에 달한다. 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 13.6%로 집계됐다. 오는 2028년에는 이 비중이 30.6%를 기록할 것으로 관측된다. 웨이퍼 출하량 기준으로는 비중이 지난해 8.0%에서 2028년 11.0%에 도달할 전망이다.

2025.02.19 09:47장경윤

웨스턴디지털-샌디스크, '8년 동행' 마침표... 22일 재분사

개인/기업용 하드디스크 드라이브(HDD)·SSD 등 스토리지 업체인 미국 웨스턴디지털이 2016년 인수한 플래시메모리 기반 저장장치 업체 샌디스크(Sandisk)를 재분사한다. 두 회사는 오는 22일(이하 미국 현지시간)부터 별도 회사로 운영된다. 샌디스크는 2016년 이후 9년만에 미국 나스닥 등 재상장을 추진 예정이다. 웨스턴디지털은 생성 AI 등 등장으로 데이터가 폭증하는 스토리지와 데이터센터 등을 겨냥한 고성능 HDD 등 제품에 주력하겠다고 밝혔다. 샌디스크는 QLC 낸드 플래시메모리와 자체 개발 컨트롤러로 최대 1PB 용량 SSD를 개발중이다. 웨스턴디지털, 2016년 16조에 샌디스크 인수 2015년 이전만 해도 웨스턴디지털은 일반 소비자와 기업체, 데이터센터 등에 HDD(하드디스크 드라이브)만 생산해 공급해 왔다. 샌디스크는 2002년 도시바메모리코퍼레이션(현 키오시아)과 합작법인(JV)을 세워 일본 미에현 욧카이치 시에서 생산한 낸드 플래시메모리 기반 고성능 메모리카드와 SSD를 공급했다. 웨스턴디지털은 2015년 10월 당시 플래시 메모리 저장장치업체인 샌디스크 인수를 발표하고 1년 뒤인 2016년 5월 마무리했다. 당시 웨스턴디지털이 들인 비용은 현금과 주식을 합해 총 160억 달러(약 16조원)이며 '샌디스크'는 브랜드로만 활용됐다. 2016년 5월 합병 이후 9년만에 재분사 웨스턴디지털은 2023년 10월 경 회사를 소비자·기업용 HDD 관련 기업과 낸드 플래시메모리 기반 기업으로 분할할 것이라고 밝혔다. HDD 수요 감소로 성장이 정체되자 주주 가치를 제고하겠다는 것이 이유다. 웨스턴디지털은 지난 해 10월 초 낸드 플래시메모리 기반 제품 정보와 판매 관련 웹사이트를 샌디스크닷컴으로 분리했다. 이어 지난 해 말에는 샌디스크 새 로고도 함께 공개했다. 데이비드 게클러(David Goeckeler) 웨스턴디지털 CEO가 샌디스크 CEO로 이동했고 어빙 탄(Irving Tan) 글로벌 부문 수석부사장이 은 HDD 회사인 웨스턴디지털 CEO가 될 예정이다. 웨스턴디지털 "향후 고용량 기업용 HDD에 주력" 양사는 본격 분할을 1주일 앞둔 지난 주 각자 투자설명회를 진행했다. 13일 진행된 웨스텉디지털 투자설명회에서 어빙 탄 차기 CEO 내정자는 "ePMR CMR HDD, 울트라SMR, 열보조자기기록(HAMR) 등 기술을 활용해 총소유비용(TCO) 절감 등 가치를 제공할 것"이라고 밝혔다. 이어 "생성 AI 워크로드와 AI 모델 학습을 위한 데이터 저장소 구축이 늘어나며 오는 2028년까지 HDD 출하 총 용량이 매년 23% 증가, 전 세계 데이터 생산량이 3배 증가할 것"이라고 전망했다. 이날 웨스턴디지털은 HAMR 방식 고용량 HDD 대량생산을 위해 주요 하이퍼스케일러 고객사 두 곳과 테스트를 진행하고 있다는 사실도 함께 공개했다. 이들 제품의 상용화 시점은 미정이다. 샌디스크 "QLC 낸드 기반 고용량 SSD 개발중" 같은 시기 진행된 투자 설명회에서 쿠람 이스마일 샌디스크 제품 관리 총괄은 "QLC 낸드 플래시 메모리를 활용해 최대 용량이 1PB(페타바이트, 1천 TB)에 이르는 SSD 출시를 위해 연구를 지속할 예정"이라고 밝혔다. 샌디스크가 연구하는 울트라QLC 플랫폼은 키오시아와 공동 개발한 BICS 8 QLC 3D 낸드플래시와 64채널 처리를 지원하는 컨트롤러, 펌웨어로 구성된다. 가령 2Tb(250GB) QLC 낸드 플래시메모리 64개를 조합하면 16TB를 구성 가능하다. 샌디스크는 향후 낸드 플래시메모리 단위 용량을 점차 늘려 최대 1PB를 저장할 수 있는 SSD를 출시할 것이라고 밝혔다. 단 이들 제품은 일반 소비자보다 데이터센터 등 기업용으로 먼저 공급될 예정이다. 샌디스크가 예상한 출시 시점은 2028년 경이다.

2025.02.18 16:29권봉석

유럽 최대 반도체연구소 회장 "이재용 만날 것…삼성·SK 협력 강화"

유럽 최대 반도체 연구소인 아이멕(imec)이 국내 반도체 생태계와의 협력을 강화한다. 이재용 삼성전자 회장, 곽노정 SK하이닉스 사장 등 주요 기업들을 만나는 한편, 나노종합기술원과 함께 국내 반도체 인재 양성도 지원할 예정이다. 루크 반 덴 호브 아이멕 회장 겸 최고경영자(CEO)는 18일 서울 파르나스 호텔에서 열린 'IMEC 테크놀로지 포럼(ITF) 코리아' 기자간담회에서 국내 반도체 생태계와의 협업 계획에 대해 이같이 밝혔다. 지난 1984년 설립된 아이멕은 유럽 최대 규모의 종합 반도체 연구소다. 첨단 반도체 기술과 실리콘 포토닉스, 인공지능, 5G 등 다양한 분야에서 개발을 진행하고 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업과도 활발히 협력 중이다. 이날 반 덴 호브 아이멕 회장은 "반도체 산업의 혁신적 성과를 실현하기 위해서는 협업과 상호 교류가 핵심"이라며 "한국 파트너들과 함께 미래를 논의하고 혁신을 이끌어갈 만남을 기대한다”고 말했다. 특히 아이멕은 최첨단 반도체 노광기술인 EUV(극자외선) 분야에서 주목받고 있다. 아이멕은 EU 반도체법의 지원 하에 6천 평방미터 이상의 클린룸과 ASML의 차세대 EXE:5200 High-NA EUV 장비를 포함한 첨단 설비에 투자할 예정이다. 국내 기업들과도 첨단 반도체 기술과 관련한 협업을 진행할 예정이다. 반 덴 호브 회장은 "2년 전 이재용 회장을 만난 후 현재 뿐만 아니라 미래 협력 방안에 대해서도 지속적으로 논의하고 있다"며 "이 회장과 이번에도 만날 예정이고, 곽노정 SK하이닉스 사장도 만날 것"이라고 밝혔다. 그는 또 "한국 주요 기업들과 향후 5~10년 뒤 상용화할 차세대 반도체 기술을 연구하고 있다"며 "차세대 소자 및 트랜지스터, CFET 등이 주요 협력 분야"라고 덧붙였다. 한편 아이멕은 국내 나노인프라 기관인 나노종합기술원과도 협력각서(MOC)를 체결할 예정이다. 이를 통해 한국 반도체 생태계와의 협력을 더욱 강화한다는 방침이다. 박흥수 나노종합기술원 원장은 “아이멕과 협력각서 체결로 지난해 시작한 인턴십 프로그램을 공식화하고 뛰어난 국내 인재들이 아이멕 본사에서 귀중한 경험을 쌓을 기회를 제공하게 됐다”며 “이번 협약은 국제 협력이 차세대 반도체 전문가 육성에 중요한 역할을 한다는 것을 보여주는 사례”라고 말했다.

2025.02.18 15:06장경윤

"습도 제어로 반도체 수율 향상"…저스템, 고객사·제품군 확대 박차

저스템이 반도체 수율 향상에 기여하는 습도 제어 시스템으로 회사 성장을 가속화한다. 현재 미국 고객사와 1세대 제품 공급을 위한 평가를 진행 중이며, 최근 출시한 2세대 제품도 국내 고객사의 첨단 메모리 전환 추세에 맞춰 공급량을 본격 확대할 계획이다. 임영진 저스템 대표는 최근 서울 강남 모처에서 기자들과 만나 회사의 올해 핵심 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 습도 제어로 반도체 수율 향상…미국 고객사 확보 목전 저스템은 지난 2016년 설립된 반도체·디스플레이 장비업체다. 삼성전자, 주성엔지니어링 등에서 기술력을 쌓은 임 대표가 설립했다. 질소(N2)를 통한 공정 내 습도제어가 회사의 핵심 기술로 꼽힌다. 반도체의 주 소재인 웨이퍼는 공정 내에서 용기(풉; POUP)에 담겨 진공·대기 환경을 오간다. 그런데 대기 환경에서 습도가 너무 높을 경우, 웨이퍼에 잔존한 가스 물질이 습도와 반응해 부식 반응을 일으킬 수 있다. 이는 반도체 수율 저하로 직결된다. 때문에 선폭 20나노미터(nm) 이하의 미세 공정에서는 습도 제어의 필요성이 높아진다. 저스템은 질소를 기반으로 습도를 45%에서 5% 이하로 감소시키는 기술을 국내 최초로 개발해, 모듈 형식으로 반도체 소자업체에 공급해 왔다. 1세대 제품은 국내를 비롯해 대만, 일본, 싱가포르 등 해외 시장에도 상용화됐다. 임 대표는 "저스템의 습도 제어 시스템을 도입하면 생산성이 약 2% 정도 향상되고, 이를 금액적으로 환산하면 1기 팹에서 연간 1천억원 정도의 이득이 있다"며 "이에 주요 IDM(종합반도체기업) 3개사가 저스템 시스템을 채용 중으로, 시장 점유율은 85~90% 수준"이라고 설명했다. 미국 주요 메모리 기업과의 협업도 기대된다. 현재 해당 기업에 모듈을 공급해 퀄(품질) 테스트를 진행 중으로, 올해 상반기 양산 공급을 확정짓는 것이 목표다. 2·3세대 모듈로 성장 본격화…하이브리드 본딩 시대도 준비 나아가 저스템은 지난해 양산을 시작한 2세대 제품 'JFS'의 시장 확대를 추진 중이다. JFS는 습도를 최대 1%까지 낮출 수 있어 10나노급 반도체에 대응할 수 있다. 특히 국내 주요 고객사가 1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램 전환을 가속화하고 있어, 수요가 크게 늘어날 것이라는 게 저스템의 시각이다. 임 대표는 "JFS는 지난해에만 600개를 출하했고, 국내 주요 고객사 중 한 곳에도 실장됐다. 1세대가 6천개가량 도입된 걸 감안하면 2세대도 최소 그 이상의 성장 잠재력이 있다"며 "다른 한 곳도 실장 협의가 끝나 올해 상반기 중으로 본격적인 도입이 가능할 전망"이라고 밝혔다. 오는 19일부터 개최되는 '세미콘 코리아 2025'에서는 3세대 제품도 공개한다. 3세대는 이전 세대 대비 습도 제어 범위를 넓혀, 풉의 뚜껑을 열어도 웨이퍼 주변의 습도를 1%로 유지할 수 있도록 하는 것이 특징이다. 임 대표는 "3세대 제품은 내부 개발이 끝나, 일부 고객사 평가를 준비하고 있다"며 "이르면 내년 하반기나 내후년부터 본격적으로 시장에 공급될 것"이라고 강조했다. 한편 저스템은 차세대 HBM(고대역폭메모리)에 적용될 하이브리드 본딩 관련 장비도 준비하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩을 직접 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 저스템은 칩 간의 연결성을 높일 수 있도록, 플라즈마로 웨이퍼 표면에 미세한 굴곡을 만드는 장비를 개발하고 있다.

2025.02.17 13:51장경윤

이강욱 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM용 패키징 고도화·칩렛 기술 확보"

SK하이닉스가 미래 메모리 시장을 주도하기 위한 핵심 과제로 HBM(고대역폭메모리) 패키징 기술 고도화, 칩렛 기반의 이종 결합 기술 확보 등을 제시했다. 14일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)이 지난 13일 강원도 정선에서 열린 제32회 한국반도체학술대회(KCS)에서 제8회 강대원상(소자/공정 분야)을 수상했다고 밝혔다. 모스펫, 플로팅게이트 개발 등 반도체 산업에 기념비적 발자취를 남긴 故 강대원 박사의 업적을 기리고자 제정된 이 상은 그동안 반도체 전공정인 소자 및 공정 분야의 저명한 교수들에게 수여돼 왔다. 올해는 후공정인 '반도체 패키징 분야의 기업인'에게 최초로 수여돼 많은 관심을 받고 있다. 이 부사장은 글로벌 학계 및 업계에서 3차원 패키징 및 집적 회로 분야에 대한 연구 개발을 27년 이상 이어 온 반도체 패키징 분야의 최고 기술 전문가다. 2000년 일본 도호쿠 대학에서 박사 학위를 받은 그는 미국 렌슬리어 공과대학 박사 후 연구원, 일본 도호쿠 대학 교수를 거쳐 2018년 SK하이닉스에 합류했다. 국내 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술 개발에 성공한 이 부사장은 SK하이닉스 입사 후 HBM2E(3세대 고대역폭메모리)에 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 적용하며 'AI 메모리 성공 신화'의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다. 이 부사장은 "SK하이닉스의 독자적 패키징 기술인 MR-MUF는 고난도의 HBM 제품을 높은 제조 수율과 양산성을 가지고 안정적으로 대량 생산할 수 있도록 해줬고, 핵심 특성인 열 방출 성능도 개선해 줬다"며 "HBM3 및 HBM3E에도 성공적으로 적용되면서, SK하이닉스가 HBM 시장 우위를 굳건히 하는 데 큰 힘이 됐다"고 밝혔다. 그는 굵직한 공적만큼 특출한 수상 이력도 자랑한다. 지난해에는 한국인 최초로 'IEEE EPS 어워드 전자제조기술상'을 받기도 했다. 올해는 강대원상이라는 이력을 추가했는데, 그는 이번 수상이 특히 각별하다는 소감을 전했다. 이 부사장은 “업계에서도 의미가 큰 상을 받게 돼 영광이다. 무엇보다 SK하이닉스의 위상 그리고 PKG개발 조직의 높은 역량을 인정받은 듯해 보람차다"며 "과분한 상이지만 반도체 산업 발전에 더 많이 기여하라는 뜻으로 생각하고, 함께 노력해 준 PKG개발 구성원분들에게도 감사 인사를 전한다"고 말했다. 한편 이 부사장은 미래 시장에 대응하기 위해 두 가지 계획을 마련해 뒀다. ▲HBM 패키징 기술 고도화 ▲칩렛 기반 이종 결합 기술의 확보 등이다. 이 부사장은 “AI 시스템의 대용량·고성능·에너지 효율화 요구를 충족하려면 HBM 패키징 기술의 지속적 혁신이 필요하다. 이를 위해 MR-MUF 기술 고도화, 하이브리드 본딩 등 차세대 기술 개발에 역량을 쏟고 있다"며 "중장기적으로는 칩렛 기술로 2.5D, 3D SiP(시스템-인-패키지) 등을 구현해 메모리 센트릭에 대응할 것"이라고 강조했다. 그는 이어 "이 과정에서 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징, 하이브리드 본딩 등으로 칩 간 연결성을 높여 성능을 향상시키고 에너지 효율을 높이는 '첨단 패키징 기술'을 확보해 나가고자 한다"고 덧붙였다.

2025.02.14 14:34장경윤

ICT 수출 부진...메모리 반도체만 고공 성장

지난달 ICT 분야 전반적인 수출 부진 속에 반도체와 컴퓨터 주변기기가 꾸준한 수출 증가세를 이어갔다. 13일 과학기술정보통신부의 ICT 수출입통계에 따르면 1월 ICT 수출은 162억9천만 달러, 수입은 134억5천만 달러, 무역수지 28억3천만 달러로 잠정 집계됐다. 이같은 ICT 수출액 규모는 전년 동월 대비 0.4% 후퇴한 수치다. AI 시장 성장 영향으로 반도체 분야 수출 실적은 꾸준히 크게 늘어 지난달 101억4천만 달러를 기록했다. AI 서버 투자 확대에 따라 고부가가치 품목인 HBM 수요 증가가 결정적인 요인이다. 메모리 반도체와 달리 시스템 반도체 수출은 감소했다. SSD 수출 확대로 컴퓨터 주변기기 수출액은 9억3천만 달러를 기록, 전년 동월 대비 10.0% 증가했다. 디스플레이 수출액은 16.1% 감소한 12억6천만 달러를 기록했다. TV와 PC 등의 완제품 수요 부진으로 10억 달러 수준도 위협받고 있다. 휴대폰 수출액은 8.8% 감소한 10억1천만 달러를 기록했다. 카메라 모듈과 같은 부분품 수출이 중국 대상으로 늘었지만 다른 지역에서는 수출이 감소했다. 통신장비 수출액은 20.9% 감소한 1억6천만 달러를 기록했다. 중소기업과 중견기업의 ICT 수출은 전 분야가 줄어들며 전년 동월 대비 12.7% 감소한 41억6천만 달러에 그쳤다.

2025.02.13 11:00박수형

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

삼성電, 차세대 D램 '칩 사이즈' 키운다…HBM 수율 향상 최우선

삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략으로, HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 안정적인 양산에 역량을 집중하려는 전략으로 풀이된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 지난해 하반기부터 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 기존 대비 키워 개발을 진행하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올해 하반기 양산을 목표로 한 차세대 D램이다. 회로 선폭은 11~12나노미터(nm) 수준이다. 이전 세대인 1b(5세대) D램은 12~13나노 대로 추산된다. 삼성전자는 1c D램을 차세대 HBM4(6세대 HBM)에 우선적으로 적용할 계획이다. 주요 경쟁사 대비 한 세대 앞선 D램으로 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 의도가 깔려 있다. SK하이닉스·마이크론 등은 HBM4에 1b D램을 채택하기로 했다. 다만 삼성전자의 1c D램은 개발 초기부터 수율 개선에 난항을 겪어 왔다. 지난해 하반기 첫 양품을 확보했으나, 수율을 만족스러운 수준까지 구현하지는 못한 것으로 알려졌다. 주요 배경은 생산성이다. 당초 삼성전자는 경쟁사를 의식해 1c D램의 칩 사이즈를 당초 계획 대비 줄이기로 했다. 칩 사이즈가 작아질수록 웨이퍼 투입량 대비 생산량이 많아져, 제조 비용 효율화에 유리하다. 다만 이로 인해 안정성이 떨어진다는 지적이 제기돼 왔다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 설계를 일부 수정하기로 했다. 핵심 회로의 선폭은 최소한으로 유지하되, 주변 회로의 선폭 기준을 완화해 수율을 빠르게 끌어올리는 것이 주 골자다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 칩 사이즈를 키우는 쪽으로 설계를 변경한 뒤, 올해 중순을 목표로 수율 향상에 열을 올리고 있다"며 "비용이 더 들더라도 차세대 메모리의 안정적 양산에 초점을 맞춘 것으로 보인다"고 설명했다. 설계가 변경된 1c D램의 유의미한 수율을 논하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자 안팎에서는 오는 5~6월께 구체적인 결과가 도출될 것으로 기대하고 있다. 한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

2025.02.10 17:05장경윤

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