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ISC, 2025년 매출 2202억원…역대 최대 실적

글로벌 반도체 테스트 플랫폼 기업 아이에스시는 2025년 매출 2202억원, 영업이익 601억원의 경영실적을 기록했다고 4일 밝혔다. 매출은 전년 대비 26%, 영업이익은 34% 증가해 역대 최대 연간 실적을 새로 기록했다. 4분기 성장세는 더욱 두드러졌다. 4분기에는 AI GPU뿐만 아니라 ASIC과 하이엔드 메모리 수요도 증가하였고 이에 적극 대응한 결과 분기 기준 사상 최대 실적을 다시 경신했다. 전분기 대비 매출은 12% 증가한 723억원, 영업이익은 26% 증가한 219억원, 영업이익률은 30%를 기록하며 세 지표 모두 증가했다. 전년 동기로는 매출은 84%, 영업이익은 192% 증가해 기술 경쟁력과 양산 경쟁력을 확보했음을 입증했다. 아이에스시는 “AI 중심으로 재편되는 수요에 맞춰 기술 경쟁력 강화와 고부가 제품 비중을 확대, 테스트 장비·소재로 포트폴리오를 다변화해 수익성과 성장성을 동시에 확보한 전략적 대응의 결과”라고 강조했다. 구체적으로 살펴보면 비메모리 분야에서는 AI GPU와 ASIC을 포함한 AI 반도체 테스트 소켓 매출이 전년 대비 115% 성장해 역대 최대 실적 달성에 기여했다. 일반 비메모리도 고객사를 다양화하고 비메모리 양산 테스트 중 고부가로 평가받는 시스템레벨 테스트 비중이 전체 양산 매출의 50%를 넘어서면서 경쟁력을 입증했다. 메모리는 HBM 테스트 솔루션 개발을 하반기에 완료하고, 고부가 하이엔드 메모리 중심으로 글로벌 고객사 수요에 대응하며 매출 성장세를 이어가고 있다. 어플리케이션 측면에서는 AI데이터센터향 테스트 소켓 매출이 전년대비 88% 성장했고, 분기 스마트폰 분야에서도 글로벌 고객사들의 양산 테스트 시장 점유율을 확대해가고 있다. 또한 자율주행, 로보틱스 분야에서도 신규 고객사를 확보해 포트폴리오 다변화에도 힘쓰고 있다고 강조했다. 나아가 아이에스시는 대면적, 고주파 테스트에 최적화된 테스트 소켓을 안정적으로 공급할 수 있는 기업으로서 확보된 고객신뢰를 바탕으로 기술 차별화는 물론 우수한 품질과 양산 역량을 강화한다는 방침이다. AI반도체 테스트 소켓 시장에서 지속적인 리더십을 확보하는 것은 물론 고객사 협력 체계를 강화해 차세대 HBM으로 평가받는 고대역폭플래시(HBF)와 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소비 및 발열을 획기적으로 줄여 AI 데이터센터의 고대역폭 요구를 충족시키는 차세대 기술로 평가받는 CPO(Co-Packaged Optics)에서도 최적의 제품을 공급한다는 계획이다. 아울러, SOCAMM2와 GDDR7 등 하이엔드 메모리 시장 내 점유율을 확대할 방침이다. 비메모리에서는 데이터센터 외에 스마트폰, 차량용, 로보틱스 등 어플리케이션을 다변화해 실적 성장을 견인한다는 계획이다. 한편 아이에스시는 사상 최대 실적을 통해 확보한 견고한 현금 창출력을 바탕으로, 대규모 선제적 CAPEX 투자와 주주환원을 병행하는 균형 잡힌 자본배분 전략을 명확히 했다. CAPEX는 고객 수요 충족을 최우선으로 고려해 베트남 1기팹의 양산 역량을 강화하고 1기팹 대비 3배 규모인 2기팹 신설을 연내 완료해 중장기 생산 기반을 안정적으로 확충한다는 방침이다. 또한 이원화된 국내 생산 사이트 통합과 제조 AX 적용으로 경영 효율성을 최적화시켜 고객 수요 변화에 유연하게 대응할 계획이다. 회사는 2025년 결산 배당으로 총 174억원 규모, 주당 850원의 현금배당을 결정했다. 이는 배당성향 32% 수준으로 전년 대비 2%p 상승한 규모이며 역대 최대 CAPEX 투자 집행 국면에서도 주주환원 기조를 한 단계 상향한 결정이다. 김정렬 아이에스시 대표이사는 “아이에스시는 차별화된 기술 경쟁력을 기반으로 실적의 질적 성장을 이어가는 동시에, 미래 성장을 위한 투자와 주주가치 제고를 병행하는 기업”이라며 "단기 실적을 넘어 지속 가능한 현금창출 구조를 토대로 한 안정적 주주환원 정책을 통해 시장의 신뢰에 보답하겠다”고 밝혔다. 김 대표는 이어 “단순한 테스트 소켓 공급자를 넘어, AI 인프라 구축에 필수적인 핵심 테스트 솔루션 플랫폼 기업으로 진화하고 있으며, 이러한 구조적 성장의 성과를 공유해 나갈 것”이라고 강조했다.

2026.02.04 09:25장경윤 기자

김정호 KAIST 교수 "차세대 AI 메모리 HBF, 10년 후 HBM 시장 넘을 것"

"HBF는 HBM을 제대로 해본 회사만 할 수 있는 기술입니다." 김정호 KAIST 전기전자공학부 교수는 3일 기자간담회에서 차세대 AI 메모리로 주목받는 HBF(고대역폭 플래시)에 대해 이같이 단언했다. 생성형 AI가 추론·멀티모달·장문 컨텍스트 시대로 진화하면서 메모리 용량 한계가 본격화되기 때문이다. HBF를 단순한 낸드플래시의 확장판이 아니라 HBM(고대역폭 메모리)을 통해 축적된 기술력이 전제돼야 가능한 영역으로 본 셈이다. 김 교수의 이 발언은 곧바로 한국 메모리 산업의 경쟁력으로 이어진다. 현재 HBM 시장을 주도하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스가 HBF에서도 시장 리더십을 유지할 수 있는 것이다. 김 교수는 "HBM은 메모리 중에서도 가장 어려운 시스템 설계"라며 "HBM을 해봤다는 것은 이미 가장 복잡한 메모리 기술을 경험했다는 의미"라고 말했다. 이어 "이 경험을 가진 나라와 기업은 사실상 한국밖에 없다"며 "HBM을 잘하는 회사가 HBF에서도 유리할 수밖에 없는 구조"라고 강조했다. HBF는 낸드플래시 기반의 초대용량 메모리를 GPU 가까이에 배치해, 기존 HBM만으로는 감당하기 어려운 데이터를 처리하기 위한 새로운 메모리 반도체다. AI 추론 과정에서 폭증하는 KV 캐시, RAG(검색 증강 생성)를 위한 문서·영상·이미지 데이터, 멀티모달 AI의 장기 기억이 대표적인 대상이다. 김 교수는 "HBM이 GPU 옆 책상이라면, HBF는 바로 옆에 붙은 도서관"이라며 "당장 필요한 책은 책상에서 보고, 더 많은 자료는 도서관에서 꺼내오는 구조"라고 설명했다. "낸드가 아니라 연결이 성능을 결정" HBF 상용화 과정에서 제기되는 속도 문제는 메모리 제어 로직 설계를 통해 구조적으로 보완할 수 있다는 입장이다. 낸드플래시는 D램에 비해 용량이 큰 대신, 속도가 느리다는 특징을 갖고 있다. 낸드플래시를 집적해 만든 HBF의 속도가 HBM 대비 느린 이유다. 김 교수는 HBF의 성능을 좌우하는 핵심으로 낸드 자체가 아니라, 베이스 다이에 통합된 메모리 제어 로직을 꼽았다. 이 로직은 전통적인 SSD 컨트롤러와는 다르다. SSD처럼 낸드 옆에서 읽기·쓰기만 담당하는 방식이 아니라, GPU와 메모리 사이에 위치한 베이스 다이가 데이터 흐름을 직접 제어하는 구조다. 페이지 단위 병렬 읽기, 대량 데이터 묶음 전송, 버퍼링과 스케줄링을 통해 낸드의 물리적 한계를 구조적으로 보완한다는 설명이다. 김 교수는 "낸드는 느리지만, 한 번에 많이 읽어서 보내면 된다"며 "GPU와 연결되는 대역폭과 지연은 낸드 셀 자체가 아니라 베이스 다이와 인터포저, 인터커넥트 설계가 결정한다"고 말했다. 실제 시스템 기준으로는 HBM 대비 20~30% 수준의 성능 손실로 관리 가능하다는 게 그의 판단이다. HBF는 단독 메모리가 아니라 HBM과 결합된 계층형 구조로 진화할 가능성이 크다. 속도는 HBM, 대용량 데이터는 HBF가 맡는 구조다. 상용화 시점은 2027년 말에서 2028년으로 예상된다. 초기에는 AI 추론용으로 채택되며, 이후 HBM과 HBF를 결합한 메모리 구조가 표준으로 자리 잡을 가능성이 크다는 분석이다. 2038년에는 HBF의 비중이 HBM보다 커질 것으로 내다봤다. 김 교수는 기술 완성도보다 누가 먼저 실제 AI 서비스에 채택하느냐가 관건이라고 강조했다. HBF가 단순한 부품 성능 경쟁이 아니라, 실제 AI 서비스 환경에서 효과가 입증돼야 확산될 수 있는 구조적 기술이기 때문이다. 한 곳에서라도 HBF를 적용해 추론 속도나 동시 처리량 개선이 확인되면, 해당 사례가 곧바로 시장의 기준점이 된다는 설명이다. 그는 "기술 자체보다는 누가 먼저 쓰느냐가 더 중요하다"며 "어떤 서비스에 채택되느냐가 시장을 결정할 것"이라고 말했다.

2026.02.03 16:15전화평 기자

인텔, 소프트뱅크 자회사와 차세대 고성능 메모리 'ZAM' 개발

인텔이 일본 소프트뱅크 그룹 자회사 '사이메모리(SAIMEMORY)'와 함께 고대역폭메모리(HBM)를 뛰어넘는 차세대 적층형 메모리 'Z앵글 메모리(Z-Angle Memory, 이하 ZAM)' 개발에 나선다고 밝혔다. 소프트뱅크는 2024년 12월 차세대 메모리 기술 실용화 연구를 위한 자회사로 자본금 30억엔(약 290억원)을 투자해 사이메모리를 설립했다. 현재 AI GPU 가속기와 데이터센터 등에 쓰이는 고대역폭메모리(HBM) 대비 전력 소모를 50% 줄이는 것이 목표다. 양사는 3일 사이메모리가 고용량·광대역폭·저전력을 앞세운 차세대 메모리 'ZAM' 실용화를 위해 인텔과 협업할 것이라고 밝혔다. 미국 정부 지원 받은 '차세대 메모리 기술' 활용 ZAM 개발에는 미국 에너지부(DOE)와 국가핵안보국(NNSA)이 샌디아, 로런스 리버모어, 로스앨러모스 국립연구소를 통해 관리하는 '차세대 메모리 기술(AMT) R&D 프로그램'의 기초 연구 결과물을 활용 예정이다. 인텔은 AMT 프로그램 지원을 받아 개발한 '차세대 D램 결합(NGDB)' 기술로 검증된 기술적 기반을 활용해 혁신적인 메모리 아키텍처와 제품을 연구하고 있다. 양사는 "차세대 메모리 기술 'ZAM'을 통해 대규모 AI 모델 학습이나 추론 처리를 필요로 하는 데이터센터 등에 대용량·광대역 데이터 처리 성능 향상, 소비전력 감소 등을 실현할 것"이라고 설명했다. "기존 메모리로 AI 요구사항 충족 불가" 조슈아 프라이먼 인텔 정부 기술부문 CTO는 "인텔 NGDB 이니셔티브는 D램 성능을 높이는 한편 전력 소비를 줄이며 메모리 비용을 최적화하는 혁신적인 아키텍처와 조립 방법론을 입증했다"고 설명했다. 이어 "기존 메모리 아키텍처로는 AI의 요구사항을 충족할 수 없기에, NGDB는 향후 10년의 성장을 가속할 완전히 새로운 접근 방식을 정의했다"고 밝혔다. 사이메모리는 2027년 회계연도가 끝나는 2028년 3월 31일까지 시제품을 출시하고 2029년 중 상용화를 추진할 예정이다. 메모리 다이 공급사로 일본 키오시아 등 거론 인텔은 1970년대까지 글로벌 D램 시장 점유율 90%를 확보한 업체였다. 그러나 1980년대 중반부터 한국과 일본, 대만 등지 후발주자의 저가 공세로 D램 사업에서 철수했다. 2015년에는 마이크론과 공동으로 새로운 소자인 3D 크로스포인트 기반 서버용 고성능 메모리와 SSD에 진출했지만 7년만인 2022년 이를 정리했다. 낸드 플래시메모리 사업은 2020년 SK하이닉스가 인수했고 관련 자산은 자회사 솔리다임으로 넘겼다. 인텔은 ZAM의 기술적인 기반만 제공한다. ZAM 구현을 위한 메모리 다이(Die) 공급사로는 일본 키오시아가 언급된다. 소프트뱅크 역시 '일본발 선진 반도체 기술 창출과 국제경쟁력 강화 공헌'을 내세웠다. 실제로 키오시아는 지난 해 말 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2025에서 고밀도, 저전력 3차원 디램 구현을 위한 핵심 기술을 개발했다고 밝히기도 했다.

2026.02.03 14:49권봉석 기자

삼성·SK, 2분기 최첨단 낸드 전환투자 본격화

삼성전자, SK하이닉스의 최첨단 낸드 투자가 본격화된다. 그간 D램에 우선순위가 밀려 일정이 연기돼왔으나, 최근 구체적인 투자 계획이 잡히고 있는 것으로 파악됐다. AI 산업 주도로 수요가 급증하는 낸드 시장에 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 2분기 최첨단 낸드에 대한 전환투자를 진행할 계획이다. 삼성전자는 지난 2024년 9월 280단대의 V9(9세대) 낸드 양산을 시작한 바 있다. 다만 현재까지 생산능력은 매우 적은 수준으로, 도합 월 1만5천장 내외로 추산된다. 당시 삼성전자가 시장 수요 부족 등으로 평택캠퍼스에 초도양산 라인만을 도입했기 때문이다. 다만 올 2분기부터는 V9 낸드 생산능력 확대를 위한 투자가 진행될 예정이다. 거점은 중국 시안에 위치한 X2 라인이다. 현재 해당 라인에서는 6~7세대급 구형 낸드가 양산되고 있다. 인근 X1 라인의 경우 8세대 낸드로 전환이 대부분 마무리됐다. 논의되고 있는 전환투자 규모는 월 4~5만장 수준이다. 설비투자 시점을 고려하면, V9 낸드는 내년부터 램프업(Ramp-up; 양산 본격화) 단계에 접어들 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "당초 삼성전자가 1분기에 시안 X2 라인에서 V9 낸드 전환을 진행하려고 했으나, 일정이 다소 밀려 2분기에 시작될 예정"이라며 "평택 제1캠퍼스(P1)에서도 V9 낸드 전환투자가 준비되고 있어, 제품 생산 비중이 내년 크게 늘어날 수 있다"고 말했다. SK하이닉스 역시 2분기 321단의 9세대 낸드 전환투자를 계획하고 있다. 올 2분기 청주 M15에서 월 3만장 내외의 V9 생산능력을 확보하는 것이 주 골자다. 현재 해당 낸드 생산능력이 월 2만장 수준임을 감안하면, 적지 않은 투자 규모다. 업계 관계자는 "삼성전자, SK하이닉스 모두 최첨단 낸드 수요 확대 전망에 대응하기 위해 전환투자를 계획 중"이라며 "그간 양사 설비투자 전략이 D램에만 집중돼 왔으나, 낸드 역시 빠르게 품귀현상이 나타나고 있는 상황"이라고 설명했다.

2026.02.02 15:42장경윤 기자

HBM 공급 프로세스 달라졌다…삼성·SK 모두 리스크 양산

고대역폭메모리(HBM) 상용화 프로세스가 변화하고 있다. 기존 반도체는 샘플을 통한 고객사와 퀄(품질) 테스트를 완료한 뒤, 공식적으로 양산에 들어서는 것이 일반적이었지만 HBM 공급 과정에서는 핵심 고객사 수요에 맞추기 위해 인증 완료 전 양산을 선제적으로 진행 중이다. 1일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM 수요에 대응하기 위해 테스트가 마무리되기 전부터 HBM4를 선제적으로 양산하고 있다. 리스크 안고 선제 양산…삼성·SK 모두 HBM4 상용화 자신감 먼저 실적을 발표한 SK하이닉스는 "HBM4는 지난해 9월 양산체제 구축 이후 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중"이라고 밝혔다. SK하이닉스 안팎의 이야기를 종합하면, 해당 양산은 실무단에서 '리스크 양산'으로 분류된다. 리스크 양산이란 고객사 인증이 완료되기 전 제품 양산을 위해 웨이퍼를 선제적으로 투입하는 개념이다. 리스크 양산을 진행하는 이유는 리드타임(제품 공급에 필요한 총 시간)에 있다. 통상 HBM을 최종 제품으로 출하하기 위해 4개월가량 시간이 소요된다. 인증을 완료한 뒤 제품 양산에 돌입하면 내년 엔비디아의 AI가속기 출시 스케쥴에 맞춰 HBM을 적기 공급하기가 사실상 어렵다. 생산능력이 제한돼 있고, 초기 수율 저하 문제로 출하량을 단기간에 크게 늘릴 수도 없다. 리스크 양산은 수요가 불확실해지거나 제품에 심각한 오류가 발생하는 경우, 공급사가 재고를 떠안게 된다는 점에서 손실 위험이 존재한다. 그만큼 내부적으로 상용화에 대한 의지나 확신이 없으면 진행하기가 힘들다는 뜻이다. 삼성전자 역시 실적발표에서 "당사 HBM4는 성능에 대한 고객사 평가로 이미 정상적으로 제품을 양산 투입해 생산 중"이라며 "고객사 요청으로 2월부터 최상위 등급인 11.7Gbps 제품을 포함해 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 삼성전자도 지난해 하반기부터 HBM4 리스크 양산에 돌입한 것으로 풀이된다. 이달 말 기준으로, 삼성전자·SK하이닉스 모두 엔비디아향 HBM4 테스트를 아직 진행 중에 있다. 엔비디아가 제시한 공식적인 퀄 테스트 종료 시점은 1분기 말이다. 삼성전자는 이전 제품인 HBM3E까지 엔비디아향 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 다만 HBM4에서는 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c(6세대 10나노급) D램, 더 고도화된 베이스 다이(HBM)의 컨트롤러 역할을 담당하는 칩를 채용해 성능을 끌어올렸다. 이를 통해 삼성전자는 엔비디아가 요구하는 최대 11.7Gbps급 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 내부에서는 "곧 엔비디아와 테스트가 마무리될 예정"이라는 이야기도 나온다. 이번 양산 출하 발표 역시 이러한 분위기에 기인했다는 평가다. SK하이닉스는 공식적인 언급은 피하고 있으나, 최근까지 HBM4 샘플에 대한 개선작업을 진행한 것으로 파악된다. 가혹한 환경 조건에서 11.7Gbps급 성능 구현이 삼성전자 대비 힘들다는 의견도 제기되고 있다. 결함의 경중 정도나 핵심 원인에 대해서는 업계 내부에서도 의견이 엇갈린다. 다만 SK하이닉스가 본격적인 양산 램프업(본격화) 시점을 당초 대비 다소 미루고 있다는 점은 확실시되고 있다. HBM4 양산용 소재·부품 발주 스케줄이 이달까지 확정되지 않고 있어서다. 개별 공급 시기보다 공급망 전체 상황 봐야…"결국 윈-윈" 최근 삼성전자·SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4 공급망을 두고 날선 신경전을 벌이고 있다. 두 회사 중 누가 먼저 HBM4에 대한 정식 PO(구매주문)을 발표할 지에 대한 시장의 관심도 또한 높다. 그러나 업계는 현재 공급되는 샘플에 심각한 불량이 발생하지 않는 한, 삼성과 SK 모두 엔비디아향 HBM4 공급을 순조롭게 진행할 수 있을 것으로 보고 있다. 이유는 공급과 수요 간 '균형'에 있다. 현재 엔비디아가 요구하는 HBM4 최고 전송속도 성능은 11.7Gbps다. 다만 삼성전자·SK하이닉스가 최고등급(Bin1) 제품만을 선별하는 경우, 수율 및 안정성 문제로 충분한 양을 공급하지 못할 가능성이 크다. HBM4는 전작인 HBM3E 대비 데이터를 주고 받는 입출력단자(I/O) 수가 2배로 늘어 수율 확보가 더 어렵다. 삼성전자·SK하이닉스 입장에서도 생산능력을 확대할 여력이 없다. 올해 HBM 공급은 공격적인 AI 인프라 투자로 전체 수요를 따라가지 못하고 있다. 특히 구글 등 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 HBM 수급 비중을 크게 늘리면서, 전년에 비해 공급난은 훨씬 심각해진 상황이다. 때문에 업계는 엔비디아가 11.7Gbps 외에도 10.6Gbps 등 차상위 제품까지 함께 활용할 것으로 예상하고 있다. 실제로 삼성전자·SK하이닉스는 그간 엔비디아와 다양한 속도의 HBM4 샘플 테스트를 진행해온 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "현재 업계 전반에서 삼성전자의 HBM4 기술력을 SK하이닉스 대비 더 높게 평가하는 것은 사실이나, 전체 HBM 시장 관점에서는 두 기업 모두 무난하게 HBM 사업이 확대될 가능성이 유력하다"며 "HBM4 속도 외에도 제품 신뢰성, 공급망 안정성 등 고려해야할 요소가 많다"고 설명했다.

2026.02.01 10:05장경윤 기자

아이폰17 흥행했는데...애플 발목 잡은 이것

반도체 공급망을 둘러싼 애플의 고민이 깊어지고 있다. 최신형 스마트폰인 '아이폰 17'이 흥행가도를 달리고 있지만, 메모리 단가 인상에 따른 영향이 올해 본격화될 전망이기 때문이다. 스마트폰의 두뇌 역할을 담당하는 시스템반도체 역시 공급 제약이 심화되고 있다. 29일(현지시간) 애플은 회계연도 2026년 1분기(2025년 12월 27일 마감) 실적발표를 통해 향후 사업 전략 및 전망에 대해 밝혔다. 애플의 해당 분기 매출은 1천438억 달러(한화 약 206조원)로 전년동기 대비 16% 증가했다. 특히 아이폰 매출은 853억 달러로 전년동기 대비 23% 증가했다. 가장 최신형 제품인 '아이폰 17' 시리즈가 전세계 주요 시장에서 사상 최고 매출 기록을 경신한 덕분이다. 아이폰 17의 흥행에 따라, 애플은 다음 분기 매출 전망치에 대해 증권가 컨센서스를 웃도는 13~16% 성장을 제시했다. 총마진률도 전분기와 유사한 48~49%를 기록할 것으로 내다봤다. "메모리 영향, 점점 커져"…하반기 불확실성 ↑ 그러나 시장에서는 애플의 향후 수익성 저하를 우려하는 질문이 이어졌다. 지난해 하반기부터 메모리 공급난이 심화되면서, 아이폰에 탑재되는 LPDDR(저전력 D램) 가격도 지속적인 상승 압박을 받고 있어서다. 실제로 주요 메모리 공급처인 삼성전자, SK하이닉스는 올 1분기 애플향 LPDDR 단가를 이전 대비 2배 가까이 인상했다. 삼성전자는 80% 이상, SK하이닉스는 100% 이상 올렸다. 모바일용 낸드 역시 단가가 크게 인상된 것으로 알려졌다. 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO)는 "회계연도 1분기 총마진에는 메모리의 영향이 미미했으나, 2분기에는 영향이 다소 커질 것으로 예상한다"며 "메모리 가격이 상당히 상승하고 있는 것은 사실이며, 항상 그렇듯 다양한 대응 옵션을 검토할 것"이라고 밝혔다. 현재 애플은 메모리 가격 상승에도 단기적으로 높은 마진률을 유지할 수 있을 것으로 보고 있다. 전체 아이폰 매출에서 아이폰 17의 비중을 늘리고, 서비스 분야의 사업 비중 확대하는 등의 대응책으로 수익성을 방어하겠다는 계획이다. 변수는 올 하반기다. 삼성전자·SK하이닉스 등 메모리 공급사의 D램 재고는 올 하반기까지 낮은 수준에 머무를 전망이다. 올 하반기 신형 스마트폰인 '아이폰 18' 시리즈 출시에 맞춰 메모리 단가가 더 인상될 경우, 애플의 수익성 유지가 힘들어질 가능성이 크다. 애플이 차세대 아이폰의 가격을 올릴지에 대해서도 관심이 쏠린다. 이와 관련한 질문에 팀 쿡 CEO는 "해당 사안에 대해서는 추측하고 싶지 않다"며 말을 아꼈다. 양승수 메리츠증권 연구원은 "애플의 주가는 시장 컨센서를 상회하는 강력한 실적을 발표했음에도 강보합 수준에서 마감했다"며 "향후 분기에서 메모리 가격 상승세를 상쇄할 수 있는 구체적인 대응 전략은 제시하지 못했기 때문으로 판단된다"고 밝혔다. 시스템반도체도 수급 제약…첨단 파운드리 수요 몰린 탓 아이폰 17이 올 상반기에도 매우 강력한 수요를 보일 것으로 예상되지만, 시스템반도체 수급난으로 충분히 공급을 늘릴 수 없다는 점도 애플에게는 고민거리다. 현재 애플은 아이폰 17의 핵심 칩(SoC)인 'A19'를 대만 파운드리 TSMC의 3나노미터(nm) 공정을 통해 양산한다. 해당 공정은 최근 AI용 최첨단 반도체 분야에서 각광을 받고 있어, 수요가 크게 몰리고 있는 상황이다. 팀 쿡 CEO는 "당사는 매우 높은 고객 수요를 맞추기 위해 공급을 쫓는 상황에 있고, 현재로서는 언제 수요와 공급이 균형을 이룰지 예측하기 어렵다"며 "이러한 제약은 주로 최첨단 SoC 양산을 담당하는 공정의 병목현상에 의해 발생하고 있다"고 밝혔다.

2026.01.30 10:53장경윤 기자

삼성전자 "파운드리 2나노 하반기 양산 순항"…미·중 고객 수주 확대

삼성전자가 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 중심으로 한 선단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술 개발과 고객 수주가 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 테슬라 수주 이후 미국과 중국 대형 고객사들과의 협업 논의도 확대되고 있으며, 인공지능(AI) 응용처를 중심으로 수주 과제가 빠르게 늘고 있다는 설명이다. 삼성전자는 29일 2025년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "2나노 공정은 하반기 양산을 목표로 수율과 성능 목표를 달성하며 순항 중"이라며 "고객사들과 BPA(Benchmark Performance Assessment) 평가 및 협업을 병행하고 있고, 양산 전 기술 검증도 계획대로 진행되고 있다"고 전했다. 삼성전자는 모바일과 고성능컴퓨팅(HPC) 고객을 대상으로 제품 및 사업화 협업을 확대하고 있다. 특히 테슬라 수주 이후 미국과 중국의 대형 고객들과 AI 응용처 중심의 과제를 논의 중이며, 2나노 관련 수주 과제는 전년 대비 30% 이상 증가할 것으로 기대하고 있다. 차세대 공정인 1.4나노는 2029년 양산을 목표로 주요 마일스톤을 차질 없이 수행 중이다. 삼성전자는 이를 통해 고객사의 조기 설계 착수와 선단 공정 생태계 선점을 추진한다는 전략이다. 로직·파운드리·메모리·패키징을 아우르는 '턴키(Turnkey)'를 시스템반도체 경쟁력 강화의 핵심으로 제시했다. 턴키는 반도체 설계부터 파운드리, 메모리, 패키징까지 전 공정을 통합 제공하는 서비스다. 이를 통해 삼성전자는 올해 두 자리수 이상 매출 성과를 목표로 한다. 삼성전자는 보도자료를 통해 "파운드리는 첨단 공정 중심으로 두 자리 이상 매출 성장과 손익 개선을 추진할 방침"이라며 "하반기에는 2나노 2세대(SF2P) 공정이 적용된 신제품을 양산하고, 4나노의 성능 및 전력을 최적화해 기술 경쟁력을 지속 강화할 계획"이라고 설명했다.

2026.01.29 13:51전화평 기자

삼성전자 "올해 HBM 매출 전년比 3배 목표"…출하량 100억Gb 넘을 듯

삼성전자가 올해 메모리 반도체 공급난이 지속될 것으로 내다봤다. 1분기 D램과 낸드 모두 출하량 성장이 제한되면서 가격 상승이 불가피할 전망이다. 특히 HBM(고대역폭메모리)은 전 세계 AI 인프라 투자에 따라 수요를 따라가지 못하는 상황이다. 이에 삼성전자는 올해 HBM 매출을 전년 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표를 세웠다. 용량 기준으로는 100억Gb(기가비트)를 넘길 전망이다. 29일 삼성전자는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 메모리 시장 전망에 대해 밝혔다. 메모리 공급사들은 지난해 하반기 심화된 공급부족 현상에 따라, D램 및 낸드에서 빠르게 수익성을 개선하고 있다. 삼성전자의 경우 지난해 4분기 D램 ASP(평균판매가격)가 전분기 대비 40% 수준 상승한 것으로 나타났다. 낸드 역시 전분기 대비 20% 수준으로 상승했다. 올 1분기에도 메모리 빗그로스(출하량 증가율)는 제한적일 전망이다. D램과 낸드가 각각 전분기 대비 한자릿수 초반, 한자릿수 중반대에 그칠 것으로 보인다. 이에 메모리 가격은 추가적인 상승 압박을 받고 있다. 삼성전자는 "최근 AI에서 수요가 가파르게 증가하고 있어 메모리 공급 확대가 제한적이고, 범용 메모리와 HBM(고대역폭메모리) 전반적으로 당분간 이런 상황이 지속될 것"이라며 "이에 GPU 및 ASIC(주문형반도체) 업체와 하이퍼스케일러 등 대형 고객사와 다년 계약을 접수하고 있다"고 설명했다. 이에 삼성전자는 올해 최첨단 공정 기반의 D램 및 낸드 생산능력 확대에 속도를 낼 계획이다. 1c D램과 9세대 낸드를 중심으로 신규 및 전환 투자가 진행될 것으로 전망된다. 올해 HBM 사업 확대도 자신했다. 삼성전자는 "HBM4는 재설계 없이 작년 공급한 샘플로 순조롭게 고객 평가를 진행 중"이라며 "현재 퀄(품질테스트) 완료 단계에 진입했다"고 밝혔다. 회사는 이어 "정상적으로 HBM4 제품을 양산 투입해 생산 진행 중"이라며 "주요 고객사의 요청에 따라 2월부터 최상위품인 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량의 양산 출하가 예정돼 있다"고 덧붙였다. 삼성전자가 제시한 올해 HBM 매출 목표는 전년 대비 3배 이상이다. 삼성전자의 지난해 HBM 총 공급량이 40억Gb대로 추산된다는 점을 고려하면, 올해 공급량은 100억Gb 이상을 공급할 수 있을 것으로 예상된다. 삼성전자는 "공급 확대 노력에도 불구하고 올해 HBM 수요는 당사 공급 규모를 넘어서고 있다"며 "주요 고객은 2027년 및 이후 물량에 대해서도 공급 협의를 조기 확정하길 희망한다"고 밝혔다.

2026.01.29 13:19장경윤 기자

SK하이닉스 "HBM4 압도적 점유율·수율 목표"

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 주도권을 계속해 유지하겠다는 강한 의지를 드러냈다. 올해 본격 양산되는 HBM4(6세대 HBM)에서 압도적인 점유율과 높은 수율을 확보하는 것이 목표다. 29일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 "HBM4에서 일부 경쟁사 진입이 예상되나, 당사의 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 밝혔다. HBM4는 올해 본격적인 상용화를 앞둔 가장 최신 세대의 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아의 최첨단 AI 가속기인 '루빈' 시리즈에 탑재된다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4에 대해 "현재 양산 중"이라고 언급한 바 있다. SK하이닉스는 "당사는 HBM2E부터 고객들과 원팀으로 협업해 HBM 시장을 개척해 온 선두주자로, 양산 경험과 품질에 대한 고객사 신뢰는 단기간에 추월하기 어려울 것"이라며 "HBM4 역시 당사 제품에 대한 선호도와 기대 수준이 높아 고객사들이 최우선으로 요구하고 있다"고 설명했다. 이를 바탕으로 SK하이닉스는 HBM4 시장에서 압도적인 점유율 확보를 목표로 하고 있다. 수율 역시 이전 제품인 HBM3E 12단과 비슷한 수준까지 끌어올리는 것이 목표다. SK하이닉스는 "현재 생산을 극대화중임에도 고객 수요를 100% 충족하기 어려워, 일부 경쟁사의 진입이 예상된다"면서도 "성능과 양산성, 품질을 기반으로 한 시장 리더십 및 주도적인 공급사 지위는 지속될 것"이라고 강조했다.

2026.01.29 10:03장경윤 기자

"D램 재고, 올 하반기 더 낮아져"…메모리 공급난 심화된다

AI 산업 주도로 촉발된 '메모리 대란'이 올해에도 지속될 전망이다. 지난해 4분기 SK하이닉스의 D램 재고가 전분기 대비 감소한 데 이어, 올해 하반기로 갈수록 더 낮은 수준으로 하락할 것으로 예상된다. 낸드 역시 재고 수준이 빠르게 낮아지고 있다. SK하이닉스는 29일 2025년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 올해 메모리반도체 수급 전망에 대해 밝혔다. SK하이닉스는 "AI 인프라 투자가 계속 확대되고 있으나 업계의 공급 능력은 이를 따라가지 못하고 있는 상황"이라며 "고객사 재고 수준도 전반적으로 감소한 것으로 파악하고 있다"고 설명했다. 특히 서버 고객사의 경우, 메모리 물량이 확보되면 곧바로 조립 공정으로 넘어가는 상황이 발생하고 있다. 재고를 축적할 만큼 충분한 물량 비축이 어렵기 때문이다. 이에 따라 서버 고객사의 구매 확대 움직임은 향후에도 지속될 전망이다. PC 및 모바일 고객사도 서버향 수요 강세의 영향을 직·간접적으로 받고 있어 수급에 어려움을 겪고 있다. 메모리 공급사의 재고 수준도 낮아지고 있다. SK하이닉스는 "지난해 4분기에도 D램 재고 수준은 전분기 대비 감소했다"며 "서버 D램 중심의 타이트한 재고 추세가 연중 지속돼, 재고 수준은 올 하반기로 갈수록 현재보다 점점 더 낮은 수준으로 하락할 것으로 예상한다"고 강조했다. 낸드 역시 데이터센터에 탑재되는 eSSD를 중심으로 전반적인 재고 감소세가 지속될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 "당사의 낸드 재고 수준도 빠르게 낮아져서 작년 말 낸드 재고 수준도 D램과 거의 동일한 수준"이라고 밝혔다.

2026.01.29 09:59장경윤 기자

삼성전자, 4분기 영업이익 20조원 돌파…반도체 '사상 최대'

삼성전자가 지난해 4분기 반도체 사업 호조에 힘입어 시장 기대를 웃도는 실적을 기록했다. HBM(고대역폭메모리)과 서버용 DDR5 등 고부가 메모리 판매 확대가 실적 반등의 핵심 동력으로 작용했다. 삼성전자는 연결 기준 2025년 4분기 확정 영업이익으로 20조1천억원을 기록했다고 29일 공시했다. 전년 동기 대비 209.2% 증가한 규모다. 매출은 93조8천억원으로 지난해 동기와 비교해 23.8% 올랐다. 영업이익률(OPM)은 21.4%로 1년 전보다 12.8%p(포인트) 개선됐다. DS부문, HBM·DDR5 앞세워 사상 최대 분기 실적 이번 실적 개선은 반도체를 담당하는 DS부문이 이끌었다. DS부문은 4분기 매출 44조원, 영업이익 16조4천억원을 기록하며 사상 최대 분기 실적을 달성했다. AI 서버 수요 확대에 따른 HBM과 DDR5 판매 증가, 메모리 가격 상승이 맞물리며 수익성이 크게 개선됐다. 특히 메모리 부문에서는 범용 D램 수요 강세에 적극 대응하는 한편, 서버용 DDR5와 기업용 SSD 등 고부가 제품 비중을 확대해 영업이익이 큰 폭으로 늘었다. 삼성전자는 기술 경쟁력을 기반으로 HBM 공급을 확대하며 AI 반도체 시장에서 존재감을 강화하고 있다. 시스템LSI는 계절적 비수기 영향으로 전분기 대비 실적이 다소 둔화됐지만, 2억 화소 이미지센서와 빅픽셀 5천만 화소 신제품 판매 확대에 힘입어 매출 성장세를 유지했다. 파운드리(반도체 위탁생산)는 2나노 1세대 공정 양산을 본격화하고 미국·중국 거래선 수요가 늘며 매출이 증가했으나, 충당 비용 영향으로 수익성 개선은 제한적이었다 . “1분기도 반도체 성장 지속”…HBM4·파운드리 수주 확대 회사 측은 1분기에도 반도체 사업의 성장 흐름이 이어질 것으로 전망했다. AI 및 서버 중심의 수요 강세가 지속되는 가운데, HBM4 양산 출하와 고부가 메모리 판매 확대를 통해 시장 대응에 나선다는 계획이다. 파운드리 역시 HPC와 모바일 분야 대형 고객사를 중심으로 수주 확대를 추진한다는 방침이다. 삼성전자는 “DS부문은 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 아우르는 원스톱 솔루션 경쟁력을 바탕으로 AI 반도체 시장 주도권 확보에 나설 것”이라며 “불확실한 경영 환경 속에서도 수익성 중심의 안정적 경영 기조를 이어가겠다”고 밝혔다. DX부문, 매출 늘었지만 영업이익은 40%대 감소 세트 산업을 담당하는 DX부문은 다소 부진했다. DX부문은 4분기 매출 44조3천억원, 영업이익 1조3천억원을 기록했다. 전년 동기 실적과 비교해 매출(40조5천억원)은 9% 상승했으나, 영업이익(2조3천억원)은 43.5% 감소했다. DX부문 실적 하락의 중심에는 모바일 사업을 담당하는 MX 사업본부가 있다. 스마트폰 신모델 출시 효과가 약화되고 경쟁이 심화되면서 전분기 대비 실적이 둔화됐다는 게 삼성전자의 설명이다. 다만 네트워크 사업은 북미 지역 매출 증가로 전분기 및 전년 대비 실적이 개선됐다. 영상디스플레이(VD)는 Neo QLED와 OLED TV 등 프리미엄 제품의 견조한 판매와 연말 성수기 수요 대응으로 전분기 대비 매출이 확대됐다. 반면 생활가전(DA)은 계절적 비수기와 글로벌 관세 영향이 겹치며 수익성이 악화됐다. 삼성디스플레이(SDC)는 4분기 매출 9조5천억원, 영업이익 2조원을 기록했다. 중소형 디스플레이는 주요 고객사의 스마트폰 수요 확대와 IT·자동차용 패널 판매 증가에 힘입어 견조한 실적을 이어갔으며, 대형 디스플레이 역시 연말 성수기 수요에 대응하며 매출이 늘었다. 하만은 4분기 매출 4조6천억원, 영업이익 3천억원을 기록했다. 유럽 시장을 중심으로 전장 제품 공급이 확대된 데다, 오디오 시장 성수기를 맞아 포터블 및 TWS(True Wireless Stereo) 신제품을 출시하며 매출 성장세를 이어갔다.

2026.01.29 08:40전화평 기자

SK하이닉스 "올해 설비투자 규모 상당 수준 증가" 예고

SK하이닉스가 올해 연간 설비투자 규모를 상당한 수준으로 늘릴 계획이다. AI 산업 주도로 고부가 메모리반도체 수요가 지속적으로 강세를 보일 것으로 예상되는 만큼, 이에 적기 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 28일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 자료를 통해 "올해 투자 규모는 전년 대비 상당 수준 증가가 예상된다"며 "다만 설비투자 원칙(투자 규모가 연 매출액 대비 최대 30% 중반 수준을 넘지 않는 것)을 지속 준수할 것"이라고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 3분기까지 누적 17조8천250억원을 투자한 바 있다. 이를 고려하면 지난해 연간 투자 규모는 20조원 중후반대에 달할 전망이다. 올해는 30조원을 넘어설 가능성이 유력하다. 올해는 연간으로 더 큰 규모의 투자가 예정돼 있다. 청주 신규 팹인 M15X는 생산능력 조기 극대화 및 선단 공정 가속화를 추진하고 있으며, 용인 1기 팹도 건설에 속도를 내고 있다. 패키징 관련해서는 청주 P&T(패키징&테스트)7, 인디애나주 신규 팹 설립 등을 추진 중이다.

2026.01.28 18:01장경윤 기자

SK하이닉스 "서버 중심 메모리 수요 확대"…CAPA 제약 속 성장 전망

SK하이닉스가 올해 메모리 시장이 전반적으로 성장하겠지만, 메모리 업계 전반의 CAPA(생산능력) 제약으로 수요 증가폭은 제한적일 것으로 내다봤다. 28일 SK하이닉스 실적발표 자료에 따르면, 올해 서버 시장을 중심으로 메모리 수요가 빠르게 확대될 것으로 관측된다. AI 추론 수요 확산으로 컴퓨팅 워크로드가 고성능 서버에서 분산형 아키텍처로 확장되면서, 시스템 효율성의 핵심이 연산 성능에서 데이터 전송과 저장 최적화로 이동하고 있다는 분석이다. 이에 따라 메모리의 역할과 중요성도 한층 커질 것으로 전망했다. SK하이닉스는 2026년 기준 D램 수요가 20% 이상 성장하고, 낸드플래시 수요 역시 10% 후반대 성장세를 기록할 것으로 내다봤다. AI 서버뿐 아니라 일반 서버 역시 고사양화가 빠르게 진행되면서, 서버용 D램과 기업용 SSD(eSSD) 수요가 전체 메모리 시장 성장률을 크게 웃도는 구조적 증가세를 나타낼 것이라는 설명이다. 반면 PC와 스마트폰 등 전통적인 IT 기기용 메모리 수요는 상대적으로 제한적일 것으로 봤다. 부품 원가 상승과 소비 심리 위축으로 세트 출하량이 단기적으로 조정 국면에 들어설 가능성이 있으며, 메모리 가격 상승과 공급 제약 영향으로 채용량 증가폭도 제한될 수 있기 때문이다. 단기적으로는 분기별 출하량 변동 가능성도 언급했다. SK하이닉스는 1분기 D램 출하량이 전분기 기저 효과로 소폭 감소할 것으로 예상했으며, 낸드플래시 출하량은 전분기와 유사한 수준을 전망했다. 회사는 이러한 흐름 속에서도 시장 상황에 맞춘 안정적인 공급 기조를 유지할 계획이라고 밝혔다. 메모리 업계 전반의 CAPA 제약 기조가 이어지면서 공급 확대 속도는 제한적일 것으로 내다봤다. 이에 따라 수요 증가폭이 일부 제한되더라도, 메모리 가격 상승 흐름은 유지될 가능성이 크다는 설명이다. SK하이닉스는 이러한 수급 환경이 과거와 같은 급격한 공급 확대 중심의 사이클과는 다른, 공급자 우위의 안정적인 시장 구조를 형성할 것으로 보고 있다. 한편, SK하이닉스는 29일 오전 9시 실적 발표 컨퍼런스콜을 진행한다.

2026.01.28 17:34전화평 기자

SK하이닉스, 작년 영업익 47.2조원 '금자탑'...삼성 제쳤다

AI 산업 중심으로 재편된 글로벌 반도체 시장에서 SK하이닉스가 메모리 슈퍼사이클의 개막을 실적으로 증명했다. SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리)을 축으로 서버용 D램과 낸드까지 수요가 확산되며, 지난 2025년 한해 동안 매출·영업이익·순이익 모두 사상 최대 신기록을 새로 쓰면 금자탑을 쌓았다. SK하이닉스는 2025년 연결 기준 연간 영업이익 47조2천63억원을 기록했다고 28일 공시했다. 이는 기존 최대 실적인 전년(23조4천673억원)의 2배 수준이다. 앞서 잠정실적을 발표한 삼성전자(43조5천300억원)를 뛰어넘은 성적표이기도 하다. SK하이닉스가 국내 상장사 중 영업이익 1위에 오른 셈이다. 매출은 97조1천467억원을 기록했다. 지난해와 비교해 47% 상승했다. 영업이익률은 49%다. 이 같은 실적은 메모리 업황 반등을 넘어 AI 수요에 기반한 구조적 성장 국면에 진입했음을 보여준다. SK하이닉스는 AI 학습과 추론 수요 확대에 따라 고성능·고용량 메모리 수요가 전방위로 증가하면서, 과거 PC·모바일 중심의 사이클과는 전혀 다른 성장 궤도에 올라섰다는 평가를 받고 있다. HBM 두 배 성장…D램·낸드도 '동반 질주' 제품별로는 D램이 HBM 수요가 2배 이상 증가하며 역대 최대 실적을 견인했다. SK하이닉스는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일한 기업이다. 특히 지난해 9월 업계 최초로 양산 체제를 구축한 HBM4는 현재 고객 요청 물량을 본격 양산 중이다. 일반 D램에서도 기술 리더십을 강화했다. 10나노급 6세대(1c나노) DDR5 양산에 돌입했고, 10나노급 5세대(1b나노) 32Gb 기반 256GB DDR5 RDIMM을 개발하며 서버용 메모리 시장에서 경쟁 우위를 확보했다. 낸드 부문 역시 상반기 수요 부진에도 불구하고 321단 QLC(쿼드러플 레벨 셀) 제품 개발을 완료하고, 하반기에는 기업용 SSD(eSSD) 중심으로 수요 회복에 성공하며 연간 기준 최대 매출을 기록했다. "AI 추론 시대로 전환…메모리 수요 더 커진다" SK하이닉스는 AI 시장이 학습 중심에서 추론 중심으로 이동하면서 분산형 아키텍처 수요가 확대되고, 이에 따라 메모리의 역할이 더욱 중요해질 것으로 내다봤다. 고성능 메모리뿐 아니라 서버용 D램과 낸드 등 전반적인 메모리 수요가 구조적으로 확대될 것이라는 전망이다. 이에 따라 회사는 HBM4 리더십을 유지하는 동시에 고객 맞춤형 '커스텀 HBM' 시장에서도 경쟁력을 강화한다는 전략이다. 일반 D램은 1c나노 전환을 가속화해 SOCAMM2, GDDR7 등 AI 메모리 포트폴리오를 확대하고, 낸드는 솔리다임의 QLC eSSD를 활용해 AI 데이터센터용 스토리지 수요에 적극 대응할 계획이다. 송현종 SK하이닉스 사장은 "차별화된 기술 경쟁력을 바탕으로 지속 가능한 실적 성장을 창출하는 동시에, 미래 투자와 재무 안정성, 주주환원 간 최적의 균형을 유지하겠다"며 "단순한 메모리 공급자를 넘어 AI 시대의 핵심 인프라 파트너로서 역할을 강화하겠다"고 밝혔다.

2026.01.28 17:09전화평 기자

[1보] SK하이닉스, 지난해 4분기 영업익 19.1조원...전년比 137.2%↑

SK하이닉스는 지난해 4분기 매출 32조8천267억원, 영업이익 19조1천696억원을 기록했다고 28일 공시를 통해 밝혔다. 당초 시장은 SK하이닉스의 영업이익을 최대 18조원 규모로 예상해 왔다. 분기 최대 실적이자 증권가 컨센서스를 웃도는 '어닝 서프라이즈'다. 매출은 전년동기 대비 66.1%, 전분기 대비 34.3% 증가했다. 영업이익은 각각 137.2%, 68.4% 늘었다.

2026.01.28 16:37장경윤 기자

메모리 가격 급등에 노트북도 '껑충'…갤럭시S26도 오를까

메모리 반도체 가격이 가파르게 오르면서 IT 전자기기 전반의 가격 인상 압박이 커지고 있다. 노트북을 비롯한 주요 전자제품 가격이 이미 상승세를 보이는 가운데, 차세대 스마트폰인 갤럭시 S26 시리즈 역시 가격 인상이 불가피할 것이라는 전망이 나온다. 27일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 최근 D램과 낸드플래시 가격은 뚜렷한 상승세를 보이고 있다. 지난달 PC용 D램 범용 제품(DDR4 8Gb 1Gx8)의 평균 고정거래가격은 전달보다 14.181% 오른 9.3달러, 낸드플래시 범용 제품(128Gb 16Gx8 MLC)은 전월 대비 10.56% 상승한 5.74달러를 기록했다. AI 서버 수요 확대와 공급 조절이 맞물리며 메모리 가격 상승세가 이어지고 있는 것이다. 이 같은 흐름은 IT 기기 가격에 반영되고 있다. 삼성전자가 26일 공개한 신제품 노트북이 대표적이다. 갤럭시북6 프로(14인치)의 출고가는 341만원으로, 지난해 공개된 갤럭시북5 프로(176만원)의 두 배에 육박한다. 메모리와 고성능 부품 가격 인상이 복합적으로 작용한 결과로 풀이된다. 업계에서는 스마트폰 역시 예외가 되기 어렵다고 보고 있다. 통신사 요금제 추천 사이트 모요는 차기작 갤럭시 S26 울트라(256GB)의 출고가를 최대 176만원으로 예상했다. 이는 전작 대비 약 7만원가량 오른 수준이다. 삼성전자가 아직 공식 가격을 공개하지 않았지만, 메모리 가격 급등이 이어질 경우 인상 가능성을 배제하기 어렵다는 시각이 우세하다. 소비자들의 걱정도 커지고 있다. 한 갤럭시 이용자는 “원육 가격이 내려가도 한 번 오른 치킨 가격은 잘 내려가지 않는다”며 “스마트폰 가격도 결국 비슷한 흐름을 보일 것 같아 걱정된다”고 말했다. 또 다른 소비자는 “출고가가 계속 오르면 스마트폰 교체 주기가 더 길어질 수밖에 없다”고 지적했다. 다만 삼성전자가 시장 반발을 고려해 가격 인상 폭을 최소화할 가능성도 거론된다. 그동안 삼성전자는 글로벌 경기 둔화와 수요 위축 국면에서 가격 동결 또는 제한적 인상 전략을 유지해왔다. 그러나 메모리 가격 상승세가 장기화할 경우, 갤럭시 S26 시리즈를 포함한 프리미엄 스마트폰 가격 인상은 불가피할 것이라는 전망이 나온다. 한편 갤럭시 S26 시리즈의 최종 출고가는 다음달 2월 예정된 삼성전자 언팩 행사에서 공개된다.

2026.01.27 16:34전화평 기자

'큰손' 애플도 백기...삼성·SK, 아이폰용 LPDDR 가격 인상

최근 삼성전자·SK하이닉스가 애플에 공급되는 저전력 D램(LPDDR) 가격을 전분기 대비 2배 가까이 올린 것으로 파악됐다. 애플은 주요 스마트폰 제조업체로서의 지위를 활용해 비교적 저가로 LPDDR을 수급해 온 기업이다. 그러나 지난해 중반부터 메모리 공급난이 심화되면서, 애플 역시 가격 인상 추세를 거스르지 못한 것으로 풀이된다. 반면 삼성전자·SK하이닉스는 올 1분기에도 D램 사업의 수익성을 극대화할 수 있게 됐다. 27일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 애플과의 협상을 통해 아이폰용 LPDDR 가격을 크게 인상하기로 했다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램이다. 스마트폰을 비롯한 IT 기기에 필수적으로 탑재되며, 현재 7세대 제품인 LPDDR5X가 가장 활발하게 쓰이고 있다. 애플은 이 LPDDR의 핵심 고객사 중 하나다. 애플이 출시하는 아이폰의 연간 출하량은 지난해 기준 2억5천만대 내외로 추산된다. 최근 LPDDR5를 비롯한 메모리 가격은 급격한 상승세를 보이고 있다. 전세계 빅테크의 공격적인 AI 인프라 투자에 따라 D램 수요가 늘어난 반면, 공급사들은 HBM(고대역폭메모리)에 높은 생산 비중을 두면서 공급 부족 현상을 심화시켰기 때문이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스는 애플과의 협상을 통해 올 1분기 공급하는 아이폰용 LPDDR 가격을 크게 올렸다. 세부적으로 삼성전자는 전분기 대비 80% 이상, SK하이닉스는 100% 내외의 인상폭을 제시한 것으로 파악됐다. 올 하반기 애플향 LPDDR 가격이 추가 상승할 가능성도 존재한다. 해당 시점에 애플이 최신형 플래그십 스마트폰인 '아이폰 18'을 출시하기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "애플은 통상 연간 단위의 메모리 장기공급계약(LTA)을 진행하나, 최근 불거진 메모리 대란을 반영해 단가는 올 상반기까지만 협상을 완료한 것으로 안다"며 "하반기 신제품 출시에 맞춰 가격이 추가적으로 상승할 수 있다"고 설명했다. 다만 애플향 LPDDR 가격이 절대적으로 비싼 것은 아니다. 애플은 메모리 시장의 '큰손'으로서, 우월한 지위를 활용해 타 기업 대비 낮은 가격에 LPDDR을 수급해 왔다. 실제 단가는 극비에 부쳐지고 있으나, 업계는 이번 협상을 통해 애플과 메모리 공급사 간의 불균형이 크게 해소된 것으로 평가하고 있다. 애플향 메모리 단가 인상이 반영되면 올 1분기 메모리 공급사들의 전반적인 수익성은 더욱 높아질 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 해당 분기 범용 D램의 가격이 전분기 대비 55~60% 상승할 것으로 내다봤다. 또 다른 관계자는 "LPDDR 가격은 올 4분기에도 이미 40%가량 오른 바 있다"며 "1분기에는 인상폭이 더 커지면서 마진율이 최소 60%대 이상을 기록하게 될 것"이라고 말했다.

2026.01.27 14:25장경윤 기자

삼성, 엔비디아향 HBM4 양산검증 목전…1c D램 대량 할당

삼성전자가 엔비디아향 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 공급망 진입에 자신감을 보이고 있다. 올 상반기까지 확보되는 1c(6세대 10나노급) D램의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 나아가 최근엔 다음달부터 엔비디아향 HBM4 양산 제품을 공급하기 위한 준비에 나섰다. 공식적인 퀄(품질) 테스트가 빠르면 이번주 마무리될 예정인 만큼, 선제적인 양산에 돌입하려는 전략으로 풀이된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 상반기까지 확보되는 1c D램의 양산능력을 대부분 HBM4에 할당할 계획이다. 1c D램 HBM4에 대부분 할당…내달 양산 준비 본격화 삼성전자는 이미 지난해 9월부터 엔비디아향으로 CS(커스터머샘플; 양산용으로 평가하는 샘플) 초도 물량을 공급하기 시작한 바 있다. 당시 HBM4의 코어 다이인 1c D램 웨이퍼 투입량만 월 2만장 이상에 달한 것으로 파악됐다. 일반적인 샘플 공급을 넘어서는 수준으로, 엔비디아가 그만큼 많은 물량을 요구했던 것으로 전해진다. 다음달부터는 엔비디아에 샘플이 아닌 양산제품 공급을 위한 준비에 나설 계획이다. 사안에 정통한 관계자는 "지난달 중순 엔비디아로부터 오는 2월께 양산 준비를 갖추라는 이야기가 나온 것으로 안다"며 "삼성전자 내부에서 이에 따른 대응에 분주히 나서고 있는 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자는 HBM4 상용화에 낙관적인 입장이다. 주요 근거는 1c D램의 양산 계획이다. 현재 삼성전자는 평택캠퍼스 내에 1c D램 생산능력을 올해까지 월 13만장 수준으로 확보하기 위한 신규 및 전환 투자를 진행 중이다. 당초 삼성전자는 올해 1c D램 생산능력(캐파)을 확대하면서, 해당 제품의 활용처를 두고 여러 방안을 고심해 왔다. 기본적으로 1c D램을 HBM4 양산에 할당하되, 제품 상용화가 지연될 경우 이를 컨벤셔널(범용) D램으로 전환하는 게 주 골자다. 다만 최근까지 삼성전자는 1c D램을 대부분 HBM4 양산에 투입할 방침인 것으로 파악됐다. 그만큼 HBM4의 상용화 성공 가능성을 높게 보고 있다는 의미다. 실제 제품이 양산되는 시점을 고려하면 오는 4~5월께 양산 공급이 본격화될 것으로 예상된다. 테스트 마무리 목전…선제적 움직임 나선듯 그러나 이번 양산 준비가 정식 PO(구매주문) 기반이 아닌 '선제 양산'의 성격을 띤다는 시각도 존재한다. 앞서 삼성전자는 엔비디아향 HBM3E 공급망 진입이 확정되지 않은 지난해 5월경에도, 빠른 시장 진입을 위해 제품 양산을 대폭 늘리는 선제 양산을 단행한 바 있다. 업계가 이 같은 분석을 내리는 이유는 HBM4 퀄(품질)테스트 일정 때문이다. 통상 HBM은 제품 자체에 대한 테스트 외에도, AI 가속기와 결합되는 SiP(시스템인패키지) 테스트를 거친다. HBM과 AI 가속기 간 호환성, 최종 패키지 제품에 대한 신뢰성 등을 점검하기 위해서다. 해당 테스트는 대만 TSMC의 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS' 공정에서 진행된다. 삼성전자는 지난달 중순께 SiP 테스트 중에서도 최종 단계 격인 환경 신뢰성 검증에 들어갔다. 해당 테스트는 HAST(초가속스트레스시험) 등 고온·고습 등 극한의 환경에서 제품의 불량 발생 여부를 판별한다. 시간상으로는 1천 8시간, 일수로 치환하면 42일(6주)이 소모된다. 업계는 해당 검증이 빠르면 이번 주 중으로, 늦어도 다음주 중에 마무리될 것으로 보고 있다. 이를 고려하면 엔비디아향 HBM4 공급은 현재 기준으로 목전에 와 있는 상태다. 다만 최첨단 기술이 집약된 반도체인 만큼 마지막 순간까지 면밀한 검증이 필요할 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4가 경쟁사 대비 앞선 기술을 채용했고, 그간 엔비디아와의 퀄테스트에서 심각한 수준의 오류가 발생하지 않아 내부적으로 자신감이 고양된 상황"이라며 "때문에 엔비디아향 HBM4 양산 공급을 선제적으로 준비하려는 것으로 보인다"고 말했다.

2026.01.26 16:10장경윤 기자

메모리 시장, 내년에도 좋다…연매출 '1천조원' 첫 돌파 전망

전례 없는 '슈퍼사이클'에 접어든 메모리반도체 시장이 내년에도 기세를 이어갈 전망이다. 내년 D램·낸드를 합한 시장 규모가 전년 대비 53% 증가해, 처음으로 1천조원을 돌파할 것이라는 분석이 제기됐다. 22일 트렌드포스에 따르면 메모리 시장 규모는 올해 5천516억 달러(한화 약 810조원)에서 내년 8천427억 달러(1천239조원)로 전년 대비 53% 성장할 전망이다. 가장 큰 요인은 지난해부터 본격화된 AI 산업의 급격한 발달이다. AI가 방대한 양의 데이터 처리를 요구하면서, 고대역폭·대용량·저지연 특성을 갖춘 고성능 D램에 대한 의존도가 높아졌다. 낸드 또한 고용량·고속 데이터 전송의 필수 요소로서 각광받는 추세다. 반면 메모리 제조업체들의 생산능력 확대는 수요를 따라가지 못하고 있어, 가격 상승을 유발하고 있다. 특히 D램은 지난해 기준 시장 규모가 1천657억 달러로 전년 대비 73% 증가했을 만큼 매우 강한 급등세를 보인 것으로 추산된다. 트렌드포스는 "역사적으로 D램의 분기별 가격 상승률은 최고 35% 정도였으나, 지난해 4분기에는 DDR5 수요 강세로 D램 가격이 53~58%나 급등했다"며 "이미 높은 가격에도 CSP(클라우드서비스제공자)들은 여전히 수요 강세를 보여 가격 상승을 더욱 부추기고 있다"고 설명했다. 이에 따라 D램 가격은 올 1분기에도 60% 이상 상승하고, 일부 품목은 2배 가까이 오를 것으로 예상된다. 트렌드포스는 이러한 가격 상승세가 향후 3분기 동안 지속되면서, 올해 D램 매출이 전년 동기 대비 144% 급증한 4천43억달러에 이를 것으로 분석했다. 낸드 역시 글로벌 빅테크인 엔비디아 주도로 고성능 제품 수요가 강하게 촉진될 전망이다. 생성형 AI가 장시간의 AI 추론을 요구하면서, 높은 IOPS(1초당 처리할 수 있는 입출력 횟수)를 지원하는 데이터센터용 eSSD 수요가 크게 늘어나고 있다. 트렌드포스는 올 1분기 낸드 가격이 전분기 대비 55~60% 상승하고, 연말까지 지속적인 상승세를 보일 것으로 내다봤다. 이에 따른 올해 낸드 연매출은 전년동기 대비 112% 증가한 1천473억 달러로 예상했다. 트렌드포스는 "메모리 시장 전반에서 공급 부족 현상이 완화될 기미를 보이지 않아 공급업체의 가격 결정력이 유지되고 있다"며 "AI 서버, 고성능 컴퓨팅 및 엔터프라이즈 스토리지에 대한 지속적인 수요에 힘입어 D램 및 낸드 계약 가격은 2027년까지 상승할 것으로 예상된다"고 밝혔다.

2026.01.22 17:40장경윤 기자

삼성전기·LG이노텍, 패키지기판 호황에도 고민 깊어지는 이유

전자부품 업체인 삼성전기와 LG이노텍이 반도체 슈퍼사이클의 수혜로 패키지 기판 사업에서 호황을 맞고 있다. 양사 모두 올해 제조라인의 풀가동 체제를 예상할 정도로 수요를 매우 높게 바라보고 있다. 다만 반도체 패키지 기판의 핵심 소재인 CCL(동박적층판) 가격이 급등하고 있다는 점은 변수다. 최근에도 일본 주요 CCL 제조 기업이 오는 3월부터 CCL 가격을 30% 인상하겠다고 예고해 업계의 부담감을 키우고 있다. 22일 업계에 따르면 삼성전기, LG이노텍의 올해 반도체 패키지 기판 사업은 원재료 비용 상승에 따른 불확실성에 직면할 것으로 관측된다. 삼성전기·LG이노텍, 반도체 패키징 기판 '풀가동' 전망 양사는 최근 반도체 산업 전반에 도래한 슈퍼사이클에 따른 수혜를 입고 있다. 특히 삼성전기는 주로 AI 가속기에 탑재되는 FC-BGA(플립칩-볼그레이드어레이), LG이노텍은 모바일용 저전력 D램(LPPDR)에 탑재되는 FC-SCP(플립칩-칩스케일패키지) 분야에서 강세를 보인다. FC-BGA와 FC-CSP는 고성능 반도체에 쓰이는 패키지 기판이다. 기존 와이어 본딩 대신 미세한 범프(Bump)로 칩을 연결해, 전기적 성능 및 집적도를 향상시킨다. 이에 삼성전기, LG이노텍 모두 올해 반도체 패키지 기판 양산 라인이 '풀가동' 체제에 접어들 것으로 전망하고 있다. 최근에는 장덕현 삼성전기 대표, 문혁수 LG이노텍 대표가 직접 "생산능력 확장을 검토하고 있다"고 밝히기도 했다. 日 레조낙, 기판 핵심 소재 가격 30% 인상 발표…악영향 불가피 다만 반도체 패키지 기판의 필수 소재인 CCL 등 원자재 가격이 크게 오르고 있다는 점은 이들 기업에 비용 증가라는 고민거리로 작용할 전망이다. 삼성전기, LG이노텍의 기판 사업에서 CCL이 차지하는 원자재 매입 비중은 20%에 달한다. CCL은 반도체 수지·유리섬유·충진재·기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층한 소재다. 기판의 전기적 연결과 절연, 기계적 지지 역할을 담당한다. CCL은 구성 요소인 구리 및 유리섬유 등 원자재 비용 상승, 반도체 산업에서의 수요 증가 등으로 인해 가격이 크게 상승하고 있다. 지난해 연간 기준으로 10% 이상의 상승세를 나타냈다. 나아가 지난 16일에는 FC-BGA용 CCL 1위 공급업체인 일본 레조낙이 "오는 3월 1일부터 CCL 및 프리프레그(탄소섬유복합소재; CCL에 동박을 씌우기 전 상태)의 판매 가격을 약 30% 인상하겠다"고 밝혔다. 현재 삼성전기는 미쓰비시, 레조낙 등으로부터 CCL 및 프리프레그를 수급하고 있다. LG이노텍은 미쓰비시·쇼와덴코가 주요 수급처지만, 레조낙이 공식적으로 가격 인상을 발표한 만큼 이들 기업도 비슷한 움직임을 보일 가능성이 유력하다. 기판 업계 관계자는 "하이엔드급 패키지 기판의 경우 원자재 가격 상승분을 최종 고객사에 전가할 수 있으나, 나머지 일반 제품은 어려운 상황"이라며 "레조낙이 매우 이례적인 결정을 내린 만큼 삼성전기, LG이노텍 역시 사업 전략 구상에 고심을 겪고 있을 것"이라고 말했다.

2026.01.22 13:19장경윤 기자

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