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'메모'통합검색 결과 입니다. (509건)

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국내 최대 반도체 소재 컨퍼런스 'SMC 코리아 2025' 14일 개최

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회 SEMI는 국내 최대 규모의 반도체 소재 컨퍼런스인 'SMC(Strategic Materials Conference) Korea 2025'를 이달 14일 수원컨벤션센터에서 개최한다고 7일 밝혔다. 올해로 10회째를 맞이한 이번 행사에서는 국내외 주요 칩 메이커, 반도체 장비·재료 기업, 그리고 전문 리서치 기관이 한데 모여 업계의 최신 기술 이슈와 시장 전망 등을 심도 있게 논의할 예정이다. 올해 행사는 총 2개의 세션으로 나뉘어 진행된다. 첫 번째 세션에서는 3D DRAM, CFET 등 차세대 메모리 반도체 기술의 발전에 따른 소재 혁신을 다룬다. 삼성전자, imec, 한양대학교, 에어리퀴드 등 업계를 선도하는 기업 및 기관 전문가들이 최신 기술 트렌드와 과제를 공유할 예정이다. 두 번째 세션에서는 HBM(고대역폭메모리)과 같은 첨단 메모리 제조 공정에 요구되는 반도체 재료의 기술 혁신 로드맵에 대해 심도 있는 발표가 이어진다. 어플라이드 머티어리얼즈, Linx Consulting, 인테그리스, Chipmetrics, SK하이닉스 등 글로벌 주요 반도체 기업의 연사들이 AI 애플리케이션을 위한 소재 혁신, 웨이퍼 결함 제어, ALD 장비 검증, 차세대 공정 소재 등 다양한 주제를 다룬다. 행사의 하이라이트 중 하나는 '패널 토의' 시간이다. 첫 번째 세션 후반부에 진행되는 해당 토론에서는 연사가 직접 참여, 청중과의 질의응답을 통해 더욱 풍부한 인사이트를 제공할 예정이다. 또한 이 날 마련된 참석자 및 연사 간 교류의 장을 통해 소재 공급망 생태계 내 소통과 협력의 기회를 넓힐 수 있는 시간도 마련된다. 이번 행사는 SEMI Korea가 주관하고, 동우화인켐, 듀폰, TEMC, JSR, 동진쎄미켐, 인테그리스, 헌츠맨, SK트리켐, 에어리퀴드, 유피케미칼이 후원한다.

2025.05.07 15:06장경윤

파네시아, CXL 개발자 컨퍼런스서 'CXL 3.x' 스위치 솔루션 공개

국내 팹리스 스타트업 파네시아는 올해 국내 기업으로서 유일하게 CXL 개발자 컨퍼런스(CXL DevCon)에 참가해 고출력(high fan-out) CXL 3.x 스위치 기반 프레임워크를 선보였다고 7일 밝혔다. CXL DevCon은 CXL 표준을 제정하는 CXL 컨소시엄에서 주관하는 공식행사로서, 올해 2회차를 맞았다. 지난달 29일, 30일 양일간 미국 캘리포니아주 산타 클라라에서 진행됐다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. PCIe(PCI 익스프레스)를 기반으로 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 파네시아는 올해 국내 기업으로서는 유일하게 전시 기업으로 참여해 대표 제품인 고출력 CXL 3.x 스위치와 이를 기반으로 한 프레임워크를 선보였다. 파네시아가 선보인 고출력 CXL 3.x 스위치는 서로 다른 CXL 장치들을 캐시 일관성이 보장된 하나의 시스템으로 통합하는 가교 역할을 한다. 파네시아가 자체 개발한 저지연 CXL IP를 기반으로 개발된 데에 더해, 한꺼번에 더 많은 장치를 연결할 수 있는 고출력 SoC 구조를 가짐으로 시스템의 평균적인 홉 수를 줄여 지연시간을 최소화한다. 또한 파네시아의 스위치는 여러 대의 스위치를 다수의 계층으로 연결하는 멀티-레벨 스위칭(multi-level switching) 기능, 그리고 각 장치가 장착되는 물리적 위치인 '포트'를 기준으로 장치 간의 논리적인 연결 구조와 연결 경로를 유연하게 설정하는 포트-기반 라우팅(port-based routing, PBR) 기능을 모두 지원한다. 뿐만 아니라 CPU, GPU, 메모리 등 모든 종류의 시스템 장치에 대한 연결을 지원하기 때문에, 수많은 시스템 장치들을 다양한 형태와 조합으로 연결해 고객의 요구에 맞는 대규모 시스템을 구축하는 데 용이하다. 파네시아는 이번 전시회에서 CXL 3.x 스위치를 활용해 CXL 서버 노드를 여러 개 연결해 구축한 'CXL Composable Server'도 출품했다. 각 서버 노드에는 파네시아의 또 다른 제품인 CXL IP를 활용해 개발한 CPU, GPU, 메모리 장치 등이 종류별로 장착돼 있다. 덕분에 고객들은 그때그때 필요한 장치가 장착된 노드를 추가로 장착해 수요에 알맞은 형태로 시스템을 구축할 수 있다. 파네시아는 해당 프레임워크를 기반으로 검색증강생성(RAG), 대규모언어모델(LLM) 등의 AI 응용 및 과학 시뮬레이션을 가속하는 데모를 시연하며, 행사에 참석한 CXL 전문기업들로부터 많은 주목을 받았다. 파네시아 관계자는 “CXL 3.x 스위치 기술을 다룬 발표와 출품은 파네시아가 유일했다”며 “CXL 컨소시엄의 리더들에게도 CXL 3.x 스위치는 새로운 기술이기에, 이번 파네시아의 출품작과 발표에 많은 관심을 보인 것 같다”고 말했다.

2025.05.07 14:56장경윤

빅테크, AI 인프라에 공격적 투자…삼성·SK도 서버용 메모리 집중

글로벌 빅테크들이 최근 실적발표를 통해 공격적인 AI 인프라 투자 계획을 밝혔다. 최근 대외적 불확실성이 높아진 상황에서도 AI 서버에 대한 수요가 여전히 높다는 판단에서다. 국내 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업들도 올해 서버용 메모리 사업 확대에 나설 것으로 관측된다. 4일 업계에 따르면 글로벌 주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들은 올해 AI 인프라 투자 규모를 확대하기로 했다. 메타는 지난 1일 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 자본 지출액 전망치를 기존 600억~650억 달러에서 640억~720억 달러로 상향했다. 데이터센터 및 AI 인프라 관련 파드웨어의 예상되는 비용 증가를 반영했다. 전년 투자규모(392억) 대비 크게 늘어난 수치다. 경쟁사들 역시 올해 AI 인프라 투자 비용을 당초 계획대로 전년 대비 크게 늘리기로 했다. 최근 도날드 트럼프 미국 행정부의 관세 정책에 따른 시장 위축 우려에도, 여전히 AI 데이터센터 수요가 공급을 웃돌고 있다는 판단이 작용한 것으로 풀이된다. 같은 날 실적을 발표한 아마존은 올해 1천억 달러를 투자한다. 전년 대비 20%가량 증가한 규모다. 회사는 컨퍼런스콜에서 "투자의 대부분은 AWS(아마존웹서비스) 성장을 지원하기 위한 인프라에 쓰일 것으로 예상한다"고 밝혔다. 마이크로소프트도 올해 AI 데이터센터에 전년 대비 약 44% 증가한 800억 달러를 투자하겠다는 기존 계획을 견지했다. 구글(알파벳)도 전년 대비 43% 증가한 750억 달러를 AI 인프라에 쏟는다. 이에 따라 국내 주요 반도체 기업들도 AI 서버용 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. 현재 이들 기업은 최선단 공정 기반의 DDR5와 HBM(고대역폭메모리), 서버용 eSSD 비중을 크게 늘려나가고 있다. 삼성전자는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올 하반기 신규 GPU 출시와 맞물려 AI 서버향 수요 견조세가 지속될 전망"이라며 "순연됐던 데이터센터 프로젝트들이 재개되면서 서버용 SSD 수요도 반등을 기대한다"고 밝혔다. 구체적으로, 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 12단 개선품과 128GB(기가바이트) 이상의 고용량 DDR5 판매를 늘릴 예정이다. 낸드에서는 가장 진보된 PCIe Gen5 SSD 수요에 대응하기로 했다. SK하이닉스도 고용량 서버 시장의 중장기적 성장 가능성을 높게 평가하고 있다. 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델 역시 메모리 수요를 견인할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 "올해 생성형 AI 서비스에 대한 요구가 증대되면서 추가적인 메모리 및 인프라가 필요해지고 있다"며 "D램 및 HBM 뿐만 아니라 고성능 TLC(트리플레벨셀) eSSD 수요가 증가할 것으로 기대되고, 고용량 QLC(쿼드레벨셀) eSDD 시장에서도 유의미한 변화가 예상된다"고 강조했다.

2025.05.04 10:30장경윤

삼성전자, 재고 리스크에도 HBM3E 12단 선제 양산 나선 이유는

삼성전자가 올 1분기부터 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 대량 양산 체제에 돌입한 이유는 제품의 적기 공급을 통해 뒤쳐진 HBM 사업을 본궤도에 올려놓기 위한 승부수로 보인다. 해당 고객사와 퀄(품질) 테스트가 아직 진행 중이지만, 공급 승인을 가정 하에 미리 제품을 확보해두려는 전략으로 파악된다. 그러나 자칫 엔비디아로부터 공급 승인이 또 다시 지연되는 경우, 해당 제품은 조 단위의 재고로 쌓이는 위험을 초래할 수 있다. 그럼에도 삼성전자가 선제적 양산에 돌입한 이유는 시장의 진입 시점을 최대한 앞당기기 위해서다. 내부적으로 HBM3E 12단에 대한 성능 및 안정성에 대한 자신감도 상당한 것으로 전해진다. 엔비디아향 공급 승인 전부터 선제 양산…시장 적기 진입 의지 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단을 대량 양산 체제로 전환했다. 1a D램을 채용한 이번 삼성전자의 HBM3E 12단은 현재 주요 고객사인 엔비디아와 퀄 테스트를 거치고 있다. 당초 삼성전자는 해당 제품을 지난해 하반기 공급하는 게 목표였다. 그러나 성능 문제로 테스트 일정이 지속 연기되자, 일부 성능을 개선한 제품으로 재공급을 추진 중이다. 삼성전자가 엔비디아로부터 HBM3E 12단 개선품에 대한 공급 승인을 받을 수 있는 시점은 빠르면 오는 6~7월경이다. 그럼에도 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단 생산량을 크게 늘렸다. 기존 개선품 개발로 인한 수요 공백으로 가동률이 극히 저조했으나, 최근엔 '풀가동'에 가까운 수준까지 높아진 것으로 파악된다. 기존 유휴 상태였던 설비들도 2월부터 일부 개조를 거쳐 가동이 시작됐다. 삼성전자가 엔비디아로부터 공급 승인을 받기도 전 제품을 양산하기 시작한 이유는 시장 진입 '타이밍'이 가장 큰 이유라는 해석이다. 엔비디아는 올해 1분기부터 HBM3E 12단의 수요를 크게 늘린 바 있다. 올 하반기에는 최신형 AI 가속기 양산 로드맵에 따라 HBM4 채용량을 확대할 계획이다. 만약 삼성전자가 6~7월경 공급망에 진입하더라도, 이후에 HBM3E 양산을 준비하면 이미 시장의 주류는 HBM4로 넘어가 있을 가능성이 크다. 통상 HBM 양산은 D램 제조부터 패키징까지 최대 5~6개월이 소요된다. 삼성전자로서는 올해 중반 HBM3E 12단을 곧바로 대량 공급해야 의미 있는 매출 효과를 거둘 수 있다. 조 단위 재고 발생 위험에도…"이번엔 반드시 성공" 자신감 다만 이같은 전략에는 잠재적 위험 요소가 존재한다. 만약 엔비디아향 퀄 테스트 일정이 또 다시 지연되는 경우, 미리 생산한 HBM3E 12단이 재고로 처리될 수 있기 때문이다. 올 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장으로 추산된다. 삼성전자가 엔비디아향으로 상정한 HBM3E 12단의 공급 규모는 밝혀지지 않았으나, 업계는 조 단위의 공급량이 준비될 것으로 보고 있다. 다만 삼성전자는 이같은 최악의 상황이 발생할 가능성을 낮게 보고 있다. 내부적으로 HBM3E 12단 개선품에 대한 긍정적인 평가를 내리고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM3E 12단에 대해 전략적으로 선행 생산에 들어간 건 해당 제품에 대한 강한 자신감이 반영된 것"이라며 "HBM3E 8단은 퀄이 통과되도 사실상 의미가 없기 때문에, 12단 제품에 중점을 두는 상황"이라고 설명했다. 또한 엔비디아향 공급이 좌절되더라도, 또다른 글로벌 빅테크향으로 제품을 공급할 수 있다는 계산도 깔려 있다. 현재 전 세계 주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들은 자체 AI 가속기 개발로 첨단 HBM에 대한 수요를 꾸준히 늘려가고 있다. AMD 역시 올해 삼성전자 HBM3E 8단에서 HBM3E 12단 개선품으로 주문을 변경한 것으로 알려졌다.

2025.05.02 10:41장경윤

삼성전자, 엔비디아향 'HBM3E 12단' 선제 양산 나섰다

삼성전자가 올 1분기부터 HBM3E 12단 생산량 확대에 본격 나섰다. 그동안 가동률이 저조하던 제조 라인을 '대량 양산' 체제로 전환시킨 것으로 파악됐다. 이르면 상반기 내 엔비디아로부터 공급 승인이 완료되는 시점에 맞춰 선제적으로 HBM3E 12단 제품을 양산, 적기에 공급하려는 전략으로 풀이된다. 하지만 만약 엔비디아의 퀄 테스트가 또 다시 지연될 경우 재고품을 상당량 떠안게 되는 위험을 초래할 수 있다는 우려도 함께 나온다. 그럼에도 삼성전자는 이번 HBM3E 12단 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 2일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 HBM3E 12단 제품에 대한 선제 양산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자, HBM4 이전 HBM3E 12단 적기 공급 서둘러 HBM3E 12단은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 1a D램(5세대 10나노급)을 채용했다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하려 했으나, 성능 문제로 계획이 지연된 바 있다. 이에 삼성전자는 개선(리비전) 제품을 만들어 엔비디아의 공급망 재진입을 추진하고 있다. 개선품에 대한 퀄(품질) 테스트는 오는 6~7월경 완료하는 것이 목표다. 동시에 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단에 대한 선제 양산 체제에 들어간 것으로 파악됐다. 당초에는 HBM3E 8단 및 12단 수요 부재로 해당 라인 가동률이 저조했으나, 현재는 사실상 '풀가동' 체제로 전환된 분위기다. 올해 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장 수준으로 추산된다. 실제로 삼성전자는 지난해 중반 라인에 투입하고도 보관만 하고 있던 TSV(실리콘관통전극; HBM 제조의 핵심 공정) 관련 설비를 1분기부터 가동하기 시작했다. 비슷한 시점에 HBM용 1a D램 웨이퍼 투입량도 늘렸다. 삼성전자가 엔비디아와의 퀄 테스트를 완료하기도 전에 HBM3E 12단 생산량을 급격히 확대한 건 제품의 상용화 시점을 고려한 전략으로 해석된다. 통상 HBM은 코어 다이인 D램 제조부터 패키징까지의 전 과정을 수행하는 데 5~6개월이 소모된다. 만약 삼성전자가 엔비디아로부터 6~7월경 HBM3E 12단에 대한 양산 승인을 받더라도, 이후 공급을 준비하면 시장을 시기적절하게 공략하기가 어렵다. 엔비디아가 올 하반기부터 신규 AI 가속기 '루빈' 출시에 따라 차세대 HBM4로 수요를 옮기기 시작할 계획이기 때문이다. 자칫 HBM3E 12단 적기 타이밍에 한발 늦어질 수 있다는 것이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 내부적으로는 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 양산 승인이 문제없이 이뤄질 것이라고 보고 있다"며 "이에 따라 2월부터 생산량을 늘리고, 공급 승인 뒤 곧바로 매출 효과를 거두기 위한 준비에 나서는 중"이라고 말했다. 한편 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 "전년 대비 2배 확대하겠다"는 목표를 세운 바 있다. 지난해 HBM 공급량 목표가 40억 Gb(기가비트)였다는 점을 고려하면 올해 80억 Gb(기가비트)의 공급이 필요하다. 다만 삼성전자는 지난 1분기 HBM 공급량이 6~8억 Gb에 그쳐, 이번 엔비디아향 HBM3E 12단의 적기 공급이 매우 절실한 상황이다.

2025.05.02 10:40장경윤

삼성전자, 내년 커스텀 HBM4 상용화 목표…"복수 고객사 협의"

삼성전자 메모리 사업이 수익성 부진을 겪고 있다. 고부가 메모리 공급량 감소, 첨단 파운드리 및 시스템반도체 수요의 감소가 겹친 데 따른 영향이다. 이에 삼성전자는 HBM3E 12단 및 고용량 DDR5 제품으로 AI 시장 공략을 가속화할 계획이다. 또한 커스텀 HBM4 및 HBM4E 상용화 준비를 위해 복수의 고객사와 협의를 이어가고 있는 것으로 알려졌다. 30일 삼성전자는 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 개선품은 샘플 공급을 완료해 2분기부터 점진적으로 판매 기여 폭이 증가될 것"이라며 "HBM4의 경우 고객사 과제 일정에 맞춰 하반기 양산 목표로 개발을 진행 중"이라고 밝혔다. 삼성전자의 지난 1분기 DS(반도체) 부문 매출은 25조1천억원, 영업이익은 1조1천억원으로 집계됐다. 매출은 전년동기 대비 증가했으나, 영업이익은 43%가량 감소했다. 주요 원인은 HBM 등 고부가 제품의 판매 위축에 있다. 지난해 하반기까지 이어진 중국향 HBM 판매가 미국의 첨단 반도체 수출 규제로 차질을 빚었으며, HBM3E 12단 리비전(개선) 제품 개발에 따른 수요 공백이 발생했다. '엑시노스 2500' 등 신규 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)의 상용화 지연, 파운드리 전반의 부진 등도 영향을 끼쳤다. 올해 HBM3E 12단 판매 확대…HBM4도 상용화 채비 이에 삼성전자는 2분기 HBM3E 12단 개선 제품의 초기 수요 대응을 확대할 계획이다. 또한 첨단 영역에 속하는 8세대 낸드의 생산 전환을 가속화한다. 나아가 하반기에는 AI 서버 및 온디바이스 AI 시장을 집중 공략한다. HBM3E 12단 개선 제품 및 128GB 이상 고용량 DDR5 판매를 확대하며, 10.7Gbps LPDDR5x 등 고사양 제품을 늘릴 계획이다. 커스텀 HBM4 및 HBM4E는 복수의 고객사들과 과제를 협의하고 있다. 삼성전자는 "HBM4와 커스텀 HBM4는 2026년부터 판매에 기여할 것으로 기대된다"며 "HBM4 및 HBM4E 고객사 수요 대응을 위해 필요한 투자를 지속 집행해나가고 있다"고 말했다. 시스템LSI의 경우, 올 2분기 주요 고객사 플래그십 제품향으로 엑시노스 2500 공급 확대에 나선다. 삼성전자는 올 3분기 공개되는 '갤럭시Z' 시리즈 일부에 엑시노스 2500를 탑재하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 파운드리는 차세대 공정으로 꼽히는 2나노 공정에 주력한다. 삼성전자는 올해 하반기 1세대 2나노 공정인 'SF2' 양산을 목표로 하고 있다. 현재 국내 리벨리온과 딥엑스, 일본 PFN 등을 고객사로 확보한 상황이다.

2025.04.30 11:21장경윤

美·中 관세 전쟁에 휩싸인 반도체…"내년 시장 전망 최대 34% 하향"

전 세계 반도체 시장이 미국 관세 정책에 따른 불확실성에 휩싸였다. 미·중 갈등 심화로 평균 관세율이 40%를 넘어서는 경우, 내년 반도체 시장 규모가 당초 예상 대비 34%가량 감소할 수 있다는 분석도 제기된다. 26일 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 전 세계 반도체 시장의 성장세는 미국 관세 영향에 따라 크게 변동될 것으로 예상된다. 앞서 테크인사이츠는 이달 중순 미국의 관세 정책 발표에 따라 전 세계 반도체 시장 규모를 하향 조정한 바 있다. 적용되는 관세율을 10% 수준으로 가정했을 경우의 시장 규모는 올해 7천770억 달러, 내년 8천440억 달러 수준이다. 그러나 중국에 대한 관세율이 30~40% 수준으로 상향되고, 전 세계 관세율이 20~40% 정도로 올라가게 되면 반도체 시장 규모는 크게 하락할 것으로 전망된다. 예상치는 올해 7천360억 달러, 내년 6천990억 달러다. 테크인사이츠는 "해당 가정 시 올해 상반기에는 스마트폰, PC, 반도체 등 고객사의 재고 확보 추세가 두드러질 것"이라며 "하반기에는 데이터센터용 반도체는 여전히 강세를 유지하겠지만, 전자제품 출하량이 둔화될 것"이라고 설명했다. 미중간 부과되는 관세가 100%를 넘어가면서, 관세율 전반이 40%를 넘어서는 경우 반도체 장비 시장의 하락세는 더욱 가파라질 전망이다. 예상치는 올해 6천960억 달러, 내년 5천570억 달러 수준이다. 관세율 10%의 기본 가정과 비교하면 최대 낙폭이 올해 10%, 내년 34%에 이를 수 있다는 분석이 나온다. 테크인사이츠는 "이 경우 하이퍼스케일러 수익이 압박을 받아 데이터센터 자본지출이 감소하게 되고, 올 하반기부터 GPU 및 HBM 수요가 감소하게 될 것"이라며 "미국과 EU 등도 전자제품에 대한 소비자 수요가 감소하게 된다"고 밝혔다.

2025.04.27 07:13장경윤

1분기 7.4조 쓸어담은 SK하이닉스, 2분기 '사상 최대' 영업익 쏜다

SK하이닉스의 영업이익 성장세가 2분기에도 지속될 전망이다. 주요 매출원인 D램의 출하량을 10% 이상 확대하고, 가장 최신의 HBM(고대역폭메모리) 판매 비중도 크게 늘어나기 때문이다. 기존 SK하이닉스의 분기 최대 영업이익(2024년 4분기 8조828억원)도 웃돌 가능성이 매우 유력하다. 25일 업계에 따르면 SK하이닉스는 올 2분기 최소 8조원 중후반대의 영업이익을 기록할 것으로 전망된다. 2분기 영업이익, 최소 8조원 중후반대 예상…최대 실적 예고 앞서 SK하이닉스는 올 1분기 매출액 17조6천391억원, 영업이익 7조4천405억원을 기록한 바 있다. 영업이익률은 42%로, SK하이닉스 기준 역대 최대의 수익성을 거뒀다. 주요 배경은 HBM을 비롯한 고부가 메모리 판매 확대다. 1분기 실적에 대해 SK하이닉스는 “1분기는 AI 개발 경쟁과 재고 축적 수요 등이 맞물리며 메모리 시장이 예상보다 빨리 개선되는 모습을 보였다”며 “이에 맞춰 HBM3E 12단, DDR5 등 고부가가치 제품 판매를 확대했다”고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 올 2분기 역대 최대 영업이익 경신이 확실시되는 상황이다. 메모리 출하량이 전분기 대비 두 자릿 수로 늘어나고, 최선단 HBM 출하량 비중이 크게 확대되기 때문이다. 업계가 추산하는 SK하이닉스의 해당 분기 영업이익은 8조원 중후반대에서 최대 9조원에 이른다. 현재 SK하이닉스의 최대 분기 영업이익은 지난해 4분기 기록한 8조828억원이다. D램 출하량·최선단 HBM 비중 확대가 요인 SK하이닉스는 해당 분기 D램 및 낸드 출하량을 전분기 대비 각각 10% 초반, 20% 이상 늘리겠다는 목표를 제시했다. 주요 매출원인 D램의 ASP(평균판매가격)는 제품별로 등락이 있겠으나, 전반적으로 보합세를 나타낼 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 올 2분기 미국 관세 정책에 따른 고객사의 재고 확보 노력으로 D램과 낸드 가격이 모두 3~8%가량 상승할 것으로 내다보기도 했다. 반도체 업계 관계자는 "D램 가격에 대한 불확실성은 다소 높지만, 빗그로스(비트 생산량 증가율)이 10% 이상 증가하면서 영업이익은 또 한번 성장세를 나타낼 것"이라며 "특히 SK하이닉스는 서버용 D램, HBM3E(5세대 HBM)의 비중이 높아 수익성 측면에서는 경쟁사 대비 유리한 입지에 놓여 있다"고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 올 상반기 현존하는 가장 최신 HBM인 HBM3E 12단 제품의 비중 확대에 주력하고 있다. 2분기에는 기존 계획대로 전체 HBM3E 출하량의 절반 이상을 12단으로 판매할 예정이다.

2025.04.25 08:59장경윤

SK하이닉스, 2분기도 D램·낸드 출하량 확대…"美 관세 영향 제한적"

SK하이닉스가 대외적인 경제 불확실성이 높아진 상황에서도 메모리 업계에 미칠 영향은 아직 제한적일 것으로 내다봤다. HBM(고대역폭메모리) 역시 수요 변동성이 없어, 기존 계획대로 올해 사업을 진행할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 메모리 사업에 대한 전망 및 대응 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2분기 D램·낸드 출하량 확대…HBM 사업도 굳건 SK하이닉스가 제시한 2분기 메모리 빗그로스(비트 생산량 증가율)는 D램이 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 20% 이상이다. 올 1분기 D램 및 낸드의 출하량이 전분기 대비 감소했던 데 따른 기조 효과와 더불어, 단기적인 메모리 수요 증가가 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 1분기에는 중국 이구환신 정책에 따른 시장 활성화, 미국 관세 정책을 우려한 일부 고객사들의 재고 축적 효과가 발생했다. HBM(고대역폭메모리) 역시 기존 전망대로 견조한 수요가 예상된다. SK하이닉스는 "올해 HBM 수요 전망은 전년대비 약 2배 성장할 것"이라며 "HBM3E 12단 전환도 순조롭게 진행되고 있어, 2분기에는 기존 계획대로 HBM3E 출하량의 절반 이상이 12단으로 판매될 예정"이라고 밝혔다. 미국 관세 정책, 저비용 AI 모델 확대 등 악영향 제한적 현재 업계는 중국 딥시크와 같은 고효율·저비용 AI 모델의 등장, 미국의 관세 정책에 따른 수요 불확실성 등을 우려하고 있다. 다만 SK하이닉스는 영향력이 제한것일 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 "오픈AI o3나 딥시크 R1은 정교한 결과 도출을 위해 더 많은 메모리를 요구하기 때문에, 추가적인 고용량 메모리 수요를 창출하는 원인 중 하나"라며 "당사도 DDR5 기반 96GB 모듈의 수요 증가를 경험했고, 올해 고용량 DIMM 수요는 지속 증가할 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "관세의 경우 세부 내용이 정해지지 않아, 2분기 풀-인 수요가 하반기 재고조정 리스크를 야기할만큼 크지는 않을 것"이라며 "공급사들도 시장 불확실성을 반영해 계획을 조절하므로 팬데믹 때와 같은 변동성은 없을 것"이라고 덧붙였다.

2025.04.24 10:45장경윤

SK하이닉스, 1분기 영업익 7.4조원 '어닝 서프라이즈'…HBM 효과

SK하이닉스가 올 1분기 증권가 컨센서스(영업이익 6조5천929억원)를 크게 웃도는 성적표를 내놨다. 메모리 시장이 예상보다 빠르게 회복되고 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 등 고부가 제품 판매가 확대된 덕분이다. SK하이닉스는 1분기 매출액 17조6천391억원, 영업이익 7조4천405억원(영업이익률 42%), 순이익 8조1천082억원을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 매출과 영업이익은 분기 기준으로 역대 최고 실적을 달성했던 지난 분기에 이어 두 번째로 높은 성과다. 영업이익률도 전 분기 대비 1%p 개선된 42%를 기록하며 8개 분기 연속 개선 추세를 이어갔다. SK하이닉스는 “1분기는 AI 개발 경쟁과 재고 축적 수요 등이 맞물리며 메모리 시장이 예상보다 빨리 개선되는 모습을 보였다”며 “이에 맞춰 HBM3E 12단, DDR5 등 고부가가치 제품 판매를 확대했다”고 설명했다. 회사는 이어 “계절적 비수기임에도 과거와 확연히 달라진 당사 경쟁력을 입증하는 실적을 달성했다”며 “앞으로 시장 상황이 조정기에 진입하더라도 차별화된 실적을 달성할 수 있도록 사업 체질 개선에 더욱 매진하겠다”고 강조했다. 이 같은 실적 달성에 힘입어 1분기 말 기준 회사의 현금성 자산은 14조3천억원으로, 지난해 말보다 2천억원 늘었다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 29%와 11%로 개선됐다. SK하이닉스는 "글로벌 불확실성 확대로 수요 전망의 변동성이 커지고 있다"며 "이러한 환경 변화에도 고객 요구를 충족시킬 수 있도록 공급망 내 협력을 강화하기로 했다"고 밝혔다. 회사는 HBM 수요에 대해 고객과 1년 전 공급 물량을 합의하는 제품 특성상 올해는 변함없이 전년 대비 약 2배 성장할 것으로 내다봤다. 이에 HBM3E 12단 판매를 순조롭게 확대해 2분기에는 이 제품의 매출 비중이 HBM3E 전체 매출의 절반 이상이 될 것으로 전망했다. 또한 AI PC용 고성능 메모리 모듈인 LPCAMM2를 올 1분기부터 일부 PC 고객에게 공급했고, AI 서버용 저전력 D램 모듈인 SOCAMM은 고객과 긴밀히 협업해 수요가 본격화되는 시점에 공급을 추진할 계획이다. 낸드에서도 회사는 고용량 eSSD 수요에 적극 대응하는 한편, 신중한 투자 기조를 유지하며 수익성 중심의 운영을 지속할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 "설비투자 원칙(Capex Discipline)을 준수하며 수요 가시성이 높고 수익성이 확보된 제품 중심으로 투자효율성을 한층 더 강화할 것"이라며 "AI 메모리 리더로서 파트너들과 협력을 강화하고 기술 한계를 돌파해, 업계 1등 경쟁력을 바탕으로 한 지속적인 이익 창출을 위해 노력하겠다"고 말했다.

2025.04.24 08:14장경윤

SK하이닉스, 'CXL 2.0' D램 고객 인증 완료…데이터센터 시장 공략

SK하이닉스가 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 2.0 기반 D램 설루션 CMM(CXL Memory Module)-DDR5 96GB(기가바이트) 제품의 고객 인증을 완료했다고 23일 밝혔다. CXL은 컴퓨팅 시스템 내 CPU와 GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 기술이다. PCIe 인터페이스에 기반해 데이터 전송 속도가 빠르고, 메모리를 효율적으로 활용할 수 있는 풀링(Pooling) 기능을 갖췄다. SK하이닉스는 "서버 시스템에 이 제품을 적용하면 기존 DDR5 모듈 대비 용량이 50% 늘어나고, 제품 자체의 대역폭도 30% 확장돼 초당 36GB의 데이터를 처리할 수 있다"며 "이는 데이터센터를 구축하고 운영하는 고객이 투입하는 총소유비용을 획기적으로 절감하는데 기여할 수 있다"고 강조했다. 회사는 96GB 제품 인증에 이어 128GB 제품도 다른 고객과 인증 절차를 진행하고 있다. 이 제품은 10나노급 5세대(1b) 미세 공정을 적용한 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 탑재해 전성비가 높다. 회사는 이 인증도 빠른 시일 내에 마무리 해 고객이 원하는 시점에 제품을 적기 공급할 수 있는 포트폴리오를 구축할 계획이다. SK하이닉스는 CXL D램 개발과 더불어 CXL 생태계 확장을 위한 노력도 함께 진행하고 있다. 회사는 이 제품과 최적화된 소프트웨어인 HMSDK를 자체 개발해 작년 9월 세계 최대 오픈소스 운영체제 리눅스(Linux)에 탑재하며 CXL이 적용된 시스템의 성능을 개선했다. HMSDK(Heterogeneous Memory S/W Development Kit)는 SK하이닉스 고유의 이종(異種) 메모리 소프트웨어 개발 도구다. D램 모듈과 CMM-DDR5 간의 효율적인 교차 배열을 통해 대역폭을 넓히고, 데이터 사용 빈도에 따라 적합한 메모리 장치로 데이터를 재배치해 시스템 성능을 개선할 수 있다. 강욱성 SK하이닉스 부사장(차세대상품기획 담당)은 "당사는 비용이 많이 들어가고 확장에 한계가 있는 기존 시스템을 극복하는 옵티멀 이노베이션을 실현하기 위해 다양한 설루션 제품을 개발하고 있다"며 "고객들의 다양한 응용 요구에 부합하면서도 메모리의 확장성과 유연성을 획기적으로 개선해 고객에게 최적화된 가치를 제공하겠다"고 말했다.

2025.04.23 11:02장경윤

TSMC, AI칩 수요 견조 재확인…삼성·SK, HBM 사업 성장세 '쾌청'

대만 파운드리 업체 TSMC가 최근 높아진 거시경제 불확실성 속에서도 당초 계획한 첨단 패키징 투자를 유지했다. AI 반도체 수요가 중장기적으로 견조할 것이라는 전망에 따른 전략이다. 주요 메모리 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 공급 과잉 우려를 덜었다는 평가와 전망이 제기된다. 21일 업계에 따르면 글로벌 빅테크의 지속적인 AI 가속기 투자에 따라 올해 삼성전자, SK하이닉스 등의 HBM 수요도 견조할 것으로 관측된다. AI 가속기 수요 굳건…TSMC, 2.5D 패키징 생산능력 2배 확대 앞서 TSMC는 지난 17일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 설비투자(CapEx) 규모를 380억~420억 달러를 제시했다. 최근 중국 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델의 등장, 미국의 관세 압박 등으로 AI 인프라 투자에 대한 불확실성이 높아졌으나, 지난해 발표한 계획을 그대로 유지했다. TSMC는 "이전보다는 상황이 개선됐으나, AI 수요가 여전히 공급을 초과하는 상황으로 많은 설비능력 확장이 필요하다"며 "관제 및 지정학적 이슈에 대해 고객사의 행동 변화가 관찰되지 않아 기존 수요를 유지한다"고 설명했다. TSMC가 전망하는 2024~2029년 AI 가속기 관련 매출의 연평균 성장률은 45%에 달한다. 올해 매출액도 전년 대비 2배 성장할 전망이다. 이에 TSMC는 'CoWoS' 생산능력을 2배(월 7만장)로 확장할 계획이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징으로, 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해 반도체 성능을 높이는 기술이다. 특히 고성능 시스템반도체와 HBM 등을 함께 집적하는 AI 가속기의 필수 요소로 각광받고 있다. HBM 수요 불확실성 걷어…삼성·SK·마이크론 등 대응 분주 최첨단 패키징 투자 확대는 HBM을 공급하는 메모리 업계에도 수혜로 작용한다. 특히 SK하이닉스는 AI 산업을 주도하는 엔비디아는 물론, 구글·AWS(아마존웹서비스) 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들의 ASIC(주문형반도체)에 최신형 HBM을 공급하고 있다. 일례로 엔비디아는 올 1분기 '블랙웰' 시리즈의 최신 칩인 'GB200'를 출시했다. 구글의 경우 올해 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'를 올 하반기 출시할 예정이다. 두 제품 모두 HBM3E(5세대 HBM)이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 올해 하반기 HBM4를 탑재한 '루빈' 칩을 출시한다. SK하이닉스도 이에 맞춰 올 상반기 고부가 HBM 생산 비중을 확대하고 있다. 올 상반기 전체 HBM3E의 출하량에서 12단 제품의 비중을 절반 이상으로 확대하는 것이 목표다. 실제로 SK하이닉스 내부에서는 최선단 제품의 생산능력을 확대하기 위한 준비에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "SK하이닉스의 HBM 입지는 올해에도 유지될 것으로 예상되며, 생산 능력도 글로벌 최대 규모 수준일 것"이라며 "올 하반기는 HBM3E 12단이 주력 제품이 될 것으로 기대된다"고 밝혔다. 한편 삼성전자·마이크론도 HBM 사업 확대에 매진하고 있다. 삼성전자는 HBM3E 개선품을 개발해 엔비디아와 재공급을 위한 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 올 2분기 중 결과가 나올 전망이다. 마이크론 역시 HBM3E 12단까지 개발을 완료해, 엔비디아향 공급을 추진 중이다.

2025.04.21 13:41장경윤

2분기 D램·낸드 가격, 3~8% 상승 전망…美 관세 영향

올 2분기 메모리 시장이 반등세에 접어들 것으로 예상된다. 최근 미국 정부의 관세 정책으로 업계 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사가 재고를 적극 확보하려고 나섰기 때문이다. 다만 이러한 수요는 단기적인 현상으로, 향후 반도체 관세 정책의 방향에 따라 올 하반기 메모리 시장이 크게 요동칠 전망이다. 17일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 D램 및 낸드의 평균판매가격(ASP)은 전분기 대비 3~8% 증가할 것으로 관측된다. 메모리 시장은 지난 1분기 전반적인 하락세를 보인 바 있다. 해당 분기 범용 D램 가격은 8~13%, HBM(고대역폭메모리)는 0~5% 가량 하락했다. 낸드는 15~20%로 하락폭이 더 컸다. 그러나 올 2분기에는 D램과 HBM, 낸드 모두 가격이 전분기 대비 3~8% 상승할 전망이다. 지난 9일 도날드 트럼프 미국 대통령이 전 세계를 대상으로 발표한 상호 관세 정책으로 업계의 불확실성이 높아지면서, 메모리 고객사들이 재고 확보에 적극적으로 나서고 있기 때문이다. 트렌드포스는 "미국 정부가 대부분의 지역에 90일간의 상호 관세 유예 기간을 부여하면서, 메모리 공급사와 구매자 모두 거래를 서두르고 있다"며 "이에 따라 2분기 D램과 낸드의 가격 상승폭이 예상보다 확대될 것"이라고 밝혔다. 다만 이러한 상승세는 단기적인 영향에 머무를 것으로 분석된다. 트렌드포스는 "관세 변동에 더 민감한 미국 브랜드와 수출 업체의 수요가 올 상반기까지 크게 앞당겨지면서 계절적 추세가 흐트러질 것"이라며 "결과적으로 향후 미국 관세의 향방이 올 하반기 메모리 공급 및 수요 동향과 가격 추세를 형성하는 주요 요인이 될 것"이라고 설명했다.

2025.04.18 08:48장경윤

美 마이크론, HBM용 '플럭스리스 본딩' 도입 준비…TC본더 업계 격돌 예고

미국 메모리업체 마이크론이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 본딩 기술인 '플럭스리스'(Fluxless) 도입을 검토 중이다. 해당 기술은 주요 경쟁사인 삼성전자도 올 1분기부터 평가에 들어간 기술이다. 국내 및 해외 주요 본더들과 두루 평가를 거칠 예정으로, 본더 기업 간 치열한 수주전이 펼쳐질 것으로 전망된다. 16일 업계에 따르면 마이크론은 올 2분기부터 주요 후공정 장비업체와 플럭스리스 장비에 대한 품질(퀄) 테스트에 돌입한다. 현재 마이크론은 HBM 제조에 NCF(비전도성 접착 필름) 공법을 활용하고 있다. 이 공법은 각 D램을 쌓을 때마다 NCF라는 물질을 넣은 뒤, TC 본더로 열압착을 가해 연결한다. NCF가 열에 의해 녹으면서 D램 사이의 범프와 범프를 이어주고, 칩 전체를 고정해주는 원리다. 그러나 마이크론이 내년부터 양산할 예정인 HBM4(6세대)에서는 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있다. 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해, 퀄 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다. 해당 테스트에는 세계 각국의 주요 본더 업체들이 참여할 계획이다. 국내 한미반도체를 비롯해 미국과 싱가포르에 본사를 둔 쿨리케앤소파(K&S), 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT 등이 대응에 나선 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론은 최대한 다양한 공급망을 염두에 두는 기업으로, 이번 플럭스리스 본더도 각 협력사별로 순차적인 테스트가 진행될 예정"이라며 "NCF 기술이 HBM4에서 여러 기술적인 한계에 부딪히고 있어 교체 수요가 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM 적층 수가 12단으로 증가하게 되면, NCF를 D램 사이의 좁은 틈으로 완벽히 도포할 수 없거나 압착 시 NCF 소재가 D램 가장자리로 삐져나오는 등의 과제가 발생하게 된다"며 "HBM4, HBM4E 등에서 플럭스리스가 유력한 대안으로 떠오른 이유"라고 말했다. 현재 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공법 중 가장 진보된 기술이다. MR-MUF는 각 D램을 임시 접합한 뒤, D램이 모두 적층된 상태에서 열을 가해(리플로우) 완전히 접합하는 방식을 뜻한다. 이후 필름이 아닌 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용해 D램 사이를 채워준다. 기존 MR-MUF는 각 D램을 접합할 때 플럭스라는 물질을 사용한 뒤 씻어내는 과정을 거쳤다. D램 사이의 범프에 묻을 수 있는 산화막을 제거하기 위해서다. 그러나 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스를 쓰지 않고 범프의 산화막을 제거하는 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 장비 업체에 따라 플라즈마, 포름산 등 다양한 공법을 활용하고 있다. 삼성전자 역시 지난 1분기 해외 주요 장비기업들과 플럭스리스 본딩에 대한 테스트에 들어갔다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4 적용이 목표인데, 이르면 올 연말까지 평가를 마무리할 예정이다. 다만 삼성전자는 기존 NCF와 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩' 등 다각적인 방안을 모두 검토 중인 것으로 알려졌다.

2025.04.16 13:50장경윤

"관세 실현 시 美 AI 학습 비용 33% 증가…韓 기회 될 수도"

트럼프 2기 행정부의 신규 관세 정책이 인공지능(AI)·반도체 산업의 최대 변수로 떠올랐다. 예고된 관세가 실제로 적용되는 경우, 미국 내 AI 학습 비용이 기존 대비 33% 수준까지 증가할 수 있다는 분석이 제기된다. 다만 이번 관세 정책은 국내 AI·반도체 산업의 기회로도 작용할 전망이다. 미국 내 투자 비용 상승에 따라 국내 투자 요인이 증가하기 때문으로, 전문가들은 미국과의 산업 및 투자 협력을 강화해야 한다는 제언을 내놨다. 15일 대한상의는 '한미 산업협력 컨퍼런스'를 개최하고 한·미 산업협력이 유력한 조선·방산, 에너지, AI·반도체 분야의 구체적 협력방안이 논의했다. 현재 국내 AI 및 반도체 산업은 미국 정부가 발표한 신규 관세 정책으로 매우 높은 불확실성에 직면해 있다. 도날드 트럼프 미국 대통령은 최근 "반도체 산업에 대한 구체적인 관세율을 곧 발표할 계획"이라고 밝히기도 했다. 영상으로 패널토론에 참여한 마틴 초르젬파 피터슨국제경제연구소 선임연구원은 "예고된 관세들이 실제로 시행된다면 미국 내에서 AI를 학습시키는 비용이 약 25%에서 33%까지 증가하게 될 것"이라며 "원자재 및 부품 가격 상승으로 미국 내 반도체 제조 시설 구축 비용도 높아져, 결국 미국 내 투자에 대한 경제적 타당성 자체를 흔드는 요소가 될 수 있다"고 짚었다. 다만 전문가들은 국내 AI 및 반도체 산업이 위기 속에서 새로운 기회를 찾을 수 있다는 점도 강조했다. 마틴 연구원은 "미국 내 AI 학습 비용이나 반도체 공장 건설 비용이 높아지게 된다면, 투자의 일부를 한국에서 수행하려는 움직임을 보일 수 있다"며 "한국은 관세 측면에서 타 국가 대비 훨씬 더 우호적이고 건설적인 환경을 갖추고 있기 때문"이라고 말했다. 김창욱 BCG MD파트너는 “미국이 선도하고 있는 AI 모델을 한국 기업들이 활용할 수 있게끔 협력하는 것이 중요하다”며 “반대급부로 AI 빅테크 기업들이 한국에 데이터센터를 설립할 때 설비투자 비용을 분담하거나, GPU를 임대해주는 방식(GPUaaS)을 검토해 볼 수 있다”고 말했다. 마이크 예 마이크로소프트 정책협력법무실 아시아 총괄대표 역시 “트럼프 2기 행정부의 AI 정책 기조는 '규제 완화'와 '혁신'인 반면, 중국은 AI 자립, 유럽은 엄격한 AI 규제로 각기 다른 접근방식을 보이고 있다”며 “이런 상황에서 한국은 미국과 상호보완적인 경쟁력을 갖춘 매우 유력한 AI 파트너가 될 수 있다”고 말했다.

2025.04.15 10:47장경윤

美 반도체 추가 관세 '초읽기'...年 23조원 수출 타격

도널드 트럼프 미국 행정부가 이르면 다음 주 발표할 수입 반도체 추가 관세에 PC·서버용 D램과 SSD 등을 생산하는 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 업체들이 촉각을 곤두세우고 있다. 과학기술정보통신부가 집계한 연간 정보통신산업(ICT) 수출입 현황에 따르면 지난해 대미 수출액(296억 2천만 달러) 중 반도체 수출액은 107억 5천만 달러(약 15조 3천230원), 컴퓨터 본체와 SSD는 62억 2천만 달러(약 8조 8천660억원)로 전체 금액의 57% 가량을 차지한다. 미국 관세국경보호국(CBP)이 지난 12일 메모리와 SSD, 스마트폰 등 품목에 대한 관세 유예를 발표했지만, 하워드 러트닉 미국 상무부 장관은 13일(미국 현지시간) "관세 유예는 한두 달 내에 발표될 반도체 관세의 일부로 재검토될 것"이라고 밝혔다. 국내 D램·SSD 제조사, 대부분 국내서 최종 조립 PC·서버용 D램은 메모리 반도체와 저항 등 각종 부품을 기판에 부착해 국내에서 조립하는 방식으로 생산된다. 2010년 후반기 들어 PC의 표준 저장장치로 자리잡은 SSD는 낸드 플래시 메모리 기반으로 작동한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 낸드 플래시메모리와 컨트롤러, D램 등 국내에서 생산한 부품을 모아 SSD를 완성한다. 이 경우 한국산으로 분류돼 25%의 상호관세가 적용된다. 현재는 90일 관세 유예 조치에 따라 추가 관세 부여는 지연된 상황이다. 외장형 SSD 등 제품은 제조 경로에 따라 생산 국가가 달라진다. 한 국내 저장장치 제조사 관계자는 "국내에서 생산한 낸드 플래시 메모리를 공급받아 동남아시아 등에서 패키징한 후 이를 중국에서 조립해 판매하는 경우도 있다"고 설명했다. 부품으로 공급시 최종 생산 국가 따라 관세 달라 익명을 요구한 대형 제조사 관계자는 "GPU용 고대역폭 메모리(HBM) 등은 GPU 제조사로, 서버용 메모리는 주요 ODM 업체로, PC용 SSD는 주요 제조사에 공급되며 미국 시장에 바로 공급되는 물량은 극소수"라고 설명했다. 이 경우 미국 세관은 GPU 제조사나 ODM 업체, PC 제조사 등에서 조립돼 마지막으로 생산된 나라 국적에 따라 관세를 매긴다. 미국 CBP가 관보에서 밝힌 대로 90일이 지나면 최종 제품의 원가에 더해 베트남(46%), 대만(32%), 중국(125%) 등 생산 국가별 관세가 추가 부과된다. 반도체 추가 관세, 제품 원가 상승→수요 감소 영향 미국 관세국경보호국(CBP)이 지난 9일 메모리와 SSD 등 품목에 대한 관세 유예를 발표했지만 이는 최대 90일만 적용되는 임시 조치다. 도널드 트럼프 미국 대통령은 13일 대통령 전용기 '에어포스원' 안에서 "이르면 다음 주 안에 반도체 관련 추가 관세를 발표할 것"이라고 밝혔다. 반도체 추가 관세가 부가되면 원가는 그만큼 증가하며 수요 감소에 따라 제품에 탑재되는 메모리 및 시스템반도체 출하량도 줄어들 것으로 우려된다. 국내 반도체 업계 관계자들은 "개별 기업이 미국 정부 정책에 대응하는 것은 한계가 있으며 통상 정책에 책임이 있는 국가 차원에서 체계적인 대응이 시급하다"고 입을 모았다.

2025.04.14 16:05권봉석

대원씨티에스, 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM 메모리 출시

대원씨티에스가 14일 데스크톱PC용 마이크론 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM 메모리를 국내 정식 출시했다. 클록드 언버퍼드 DIMM(CUDIMM)은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 지난 해 초 고성능 메모리를 위해 지정한 새로운 메모리 규격이다. 메모리 구동에 필요한 작동 클록을 직접 공급하는 집적회로인 '클록 드라이버'(CKD)를 내장했다. PC 메인보드에서 작동 클록을 공급받던 과거 대비 외부 전기적 간섭(노이즈) 없이 상대적으로 정확한 신호를 전달받아 작동한다. 크루셜 DDR5-6400 CUDIMM은 인텔 코어 울트라 200S(애로우레이크) 프로세서와 메인보드 기반 플랫폼에 최적화됐다. 최대 대역폭은 DDR4-3200MHz 메모리 대비 51.2GB/s로 두 배 늘어났다. 내장 CKD로 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 타이밍을 정확히 유지하며 ECC 기술을 적용해 메모리 셀 내부에서 발생할 수 있는 비트플롭 등 오류를 교정한다. 용량은 16GB, 32GB, 64GB 세 종류이며 제품 제조/유통기간 중 이상 발생시 새 제품으로 교체 가능하다. 대원씨티에스 관계자는 "크루셜 DDR5-6400 메모리는 메모리 대역폭이 중요한 고성능 PC와 전문가용 시스템에 이상적이며 다양한 환경에 대응하는 최적의 DDR5 메모리 솔루션이 될 것으로 기대한다"고 밝혔다.

2025.04.14 11:35권봉석

SK하이닉스, 넥스틴에 HBM3E 검사장비 양산 발주…수율 확보 주력

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리)의 수율 향상을 위한 설비투자에 나섰다. 주요 협력사인 넥스틴과의 신규 검사장비 평가를 마무리하고, 최근 양산 공정용 발주를 처음 진행한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면 넥스틴은 이달 초 SK하이닉스로부터 HBM3E 12단의 양산 공정용으로 신규 검사장비를 수주 받았다. 해당 장비의 모델명은 '크로키'로, 넥스틴이 HBM 시장을 겨냥해 새롭게 개발한 2D 매크로 검사장비다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 층층이 쌓은 구조로 이뤄져 있다. 그런데 각 D램을 본딩하고 자르는 과정에서 웨이퍼가 휘거나(워피지), 칩에 금이 가거나(크랙) 깨지는(칩핑) 현상이 발생할 수 있다. 크로키는 이러한 불량을 검사하는 역할을 맡고 있다. SK하이닉스는 HBM3E 12단 공정 적용을 목표로 크로키 설비를 도입해 올 1분기까지 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔다. 이후 테스트가 순조롭게 마무리 돼, 이달 초 양산용으로 공식 주문(PO)을 받은 것으로 파악됐다. 첫 양산 PO인 만큼 당장의 주문량은 많지 않은 것으로 관측된다. 다만 SK하이닉스가 지난해 3분기부터 HBM3E 12단 양산을 시작해 올해 비중을 크게 확대할 계획인 만큼, 관련 검사장비의 수요는 꾸준히 이어질 전망이다. HBM3E 12단에서 워피지 현상이 심화된 것도 넥스틴에게는 기회다. 이 경우, 기존 검사 장비에서 주로 쓰이던 반사광 방식은 휘어진 부분을 검사하기가 힘들다. 반면 크로키는 산란광을 채용했다. 산란광은 빛이 여러 방향으로 흩어지기 때문에, 웨이퍼 가장자리의 굴곡진 부분을 검사하는 데 용이하다. 반도체 업계 관계자는 "기존 HBM 8단 공정까지는 캠텍·온투 등 주요 경쟁사들의 제품이 활용됐으나, 이번 발주로 넥스틴도 시장에 본격적으로 진입하게 됐다"며 "하이닉스가 첨단 HBM 수율 확보에 매진하고 있어 검사장비 시장도 기회를 잡을 수 있을 것"이라고 설명했다.

2025.04.13 08:31장경윤

SK하이닉스, 인텔 낸드 인수 완료에도 '제2공장' 투자 장고

최근 인텔 낸드사업부 인수를 완료한 SK하이닉스가 중국 다롄 공장과 관련 자산 정비에 나서고 있다. 다만 약 3년 전 착공을 시작한 제2공장은 현재까지도 설비투자가 보류된 상황으로, 낸드 업계의 불확실성이 발목을 잡고 있는 것으로 풀이된다. 11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 인텔로부터 인수한 낸드 사업부문에 대해 보수적인 설비투자 계획을 유지하고 있다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2020년 하반기 총 88억4천400만 달러를 들여 인텔의 낸드 사업부를 두 단계에 걸쳐 인수하는 계약을 체결한 바 있다. 이후 2021년 1차 대금을 지급하면서 미국 자회사 '솔리다임'을 신설하고, 중국 다롄 낸드 제조공장과 인력, IP(설계자산) 등을 양도받았다. 다만 해당 자산은 최종 인수 전까지 현지 인텔 자회사가 보유하기로 돼 있었다. 지난 3월 2차 대금 지급이 마무리되면서, SK하이닉스는 관련 자산에 대한 법적 소유권을 획득하게 됐다. 실제로 인수 완료 시점에 맞춰, 인텔 자회사 인력들의 소속이 SK하이닉스로 변경됐다. SK하이닉스는 솔리다임을 통해 기업용 SSD(eSSD) 사업을 강화할 것으로 관측된다. 그간 솔리다임은 고용량 제품 구현에 용이한 QLC(쿼드레벨셀) SSD 개발에 집중해 왔다. QLC는 데이터를 저장하는 셀 하나에 4비트를 저장하는 방식으로, 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 데이터센터 등에서 수요가 높다. 반면 다롄 제2공장 신설 등 대규모 설비투자 계획은 여전히 보류 상태인 것으로 파악된다. SK하이닉스는 인텔 낸드사업부를 인수하기 전부터 다롄에 제2공장을 짓는 방안을 논의해 왔다. 지난 2022년에는 다롄 현지에서 착공식을 열고, 중국 내 3D 낸드 생산량을 지속 확대하겠다는 계획도 발표했다. 당초 업계는 SK하이닉스가 공사 일정 상 지난 2023년 중반부터 클린룸 등 인프라 설비를 반입할 것으로 전망했다. 그러나 미중 갈등으로 중국 내 첨단 반도체 제조설비 반입이 어려워지고, 낸드 업황이 악화되면서 투자 계획은 미뤄졌다. 이후 SK하이닉스의 다롄 2공장은 착공식을 연지 근 3년이 지난 지금까지도 설비투자가 진행되지 않고 있다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 미국으로부터 '검증된 최종 사용자(VEU)'를 받으면서 중국 내 투자 규제는 완화됐지만, 여전히 낸드 사업은 경기 침체, 중국 후발주자의 진입 등으로 불확실성이 높은 상태"라며 "때문에 다롄 신공장의 경우 현 시점까지도 구체적인 투자 논의가 진행된 적이 없다"고 말했다. 결과적으로 SK하이닉스의 다롄 2공장 증설은 낸드 공급과잉에 대한 우려가 해소된 뒤에야 진행될 것으로 관측된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난달 27일 열린 제77기 정기 주주총회에서 “인텔 낸드 사업부 인수를 3월에 완료하고 좀 더 구체적인 운영 전략을 완성할 예정"이라며 “자산을 완전히 인수한 후에 추가적으로 전략을 보완해 향후 말씀드릴 것"이라고 밝힌 바 있다.

2025.04.11 10:43장경윤

오픈AI, 챗GPT '기억 기능' 전면 개편…자동화로 진화한 'AI 개인화'

오픈AI가 '챗GPT'의 기억력을 대폭 업데이트했다. 기존처럼 명령을 입력해야 정보를 기억하던 방식에서 벗어나 대화 중 중요한 내용을 인공지능(AI)이 스스로 저장·활용하도록 자동화 수준을 높였다. 11일 테크크런치 등 외신에 따르면 오픈AI는 '챗GPT'의 '메모리 기능' 업데이트를 유료 구독자에게 단계적으로 적용한다. 해당 기능은 텍스트·음성·이미지 생성 전반에 과거 대화 내용을 반영해 문맥을 보완하는 방식이다. 이전에도 메모리 기능은 존재했으나 이번 업데이트를 통해 자동화 수준과 활용성이 크게 강화됐다. 이번 기능은 '참조 저장 메모리즈(reference saved memories)'라는 이름으로 설정 메뉴에 포함된다. 이용자는 이를 통해 '챗GPT'가 자신에 대해 어떤 정보를 기억하고 있는지 직접 확인할 수 있게 된다. 저장된 메모리를 개별 삭제하거나 전체 기능을 끌 수도 있다. 별도 저장을 원치 않을 경우 일시적인 대화 모드를 선택하는 것도 가능하다. 이 기능은 기존 메모리 기능의 확장 버전이다. 지난해 오픈AI는 이용자가 직접 특정 정보를 저장·삭제 요청할 수 있는 기능을 도입한 바 있다. 이번에는 저장·반영 과정이 자동화되면서 대화의 흐름과 자연스러움을 크게 높였다는 설명이다. 기능은 우선 '챗GPT' 프로(Pro) 및 플러스(Plus) 이용자를 대상으로 배포된다. 단 영국·유럽연합·아이슬란드·리히텐슈타인·노르웨이·스위스 지역은 현지 규제에 따른 외부 검토 절차가 남아 있어 도입이 미뤄졌다. 오픈AI는 이들 국가에도 향후 기능을 제공할 계획이라고 밝혔다. 무료 이용자에게 해당 기능이 언제 적용될지에 대해서는 구체적인 일정이 공개되지 않았다. 오픈AI 측은 "현재로선 유료 이용자에 집중하고 있다"는 입장을 밝혔다. 한편 이 같은 기능 강화에 대해 일각에서는 개인정보 수집 확대 우려도 제기된다. 다만 업계에서는 설정을 통해 이용자가 기능을 직접 제어할 수 있다는 점에서 자율성과 투명성 측면은 일정 수준 확보했다는 평가도 이어지고 있다. 테크크런치는 "이번 '메모리 기능'은 '챗GPT' 대화 경험을 더 유기적이고 개인화된 방식으로 바꿀 것"이라며 "구글도 유사한 기능을 자사 '제미나이'에 도입한 만큼 생성형 AI 시장의 차별화 경쟁이 본격화되는 신호"라고 전했다.

2025.04.11 09:33조이환

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