• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 생활/문화
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
인공지능
배터리
양자컴퓨팅
컨퍼런스
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'메모'통합검색 결과 입니다. (509건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

삼성전자, 차세대 'V10 낸드' 양산 투자 고심…내년 상반기로 늦출 듯

삼성전자가 차세대 낸드인 V10(10세대) 양산 전략을 두고 고심하고 있다. 올 하반기까지 공급망 구성을 위한 평가가 진행될 예정으로, 당초 예상보다 늦은 내년 상반기에나 본격적인 양산 투자가 가능할 전망이다. 고적층 낸드 수요의 불확실성, 신기술 도입 및 비용에 대한 부담감이 발목을 잡는 것으로 풀이된다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 V10 낸드용 양산 설비투자를 내년 상반기로 미루는 방안을 논의 중이다. 삼성전자의 V10 낸드는 셀(Cell; 데이터를 저장하는 최소 단위)을 430단대로 쌓은 차세대 제품이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 V9(290단대 추정) 대비 100단 이상 높다. 업계는 삼성전자가 이르면 올 하반기 V10 낸드에 대한 양산 투자를 진행할 것으로 전망해 왔다. 다만 삼성전자는 이달까지 식각 등 낸드용 핵심 장비에 대한 공급망을 확정짓지 못했다. 고적층 낸드에 대한 수요 불확실하고, 신규 공정 도입에 따른 비용 효율성 문제가 투자의 발목을 잡고 있어서다. 식각이란 웨이퍼 상에서 불필요한 물질을 제거하는 공정이다. 기존에는 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫기 위해 -20~-30°C 수준의 저온 환경이 필요했으나, V10 낸드에 들어서는 -60~-70°C 수준의 극저온 환경이 구축될 것으로 예상돼 왔다. 온도가 낮을수록 화학적 반응성이 낮아져, 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 이를 위해 삼성전자는 주요 전공정 장비업체인 미국 램리서치·일본 TEL(도쿄일렉트론) 등으로부터 극저온 식각 장비를 도입해, 시생산 등 품질 평가를 진행해 왔다. 그러나 실제 평가 결과 극저온 식각을 곧바로 양산 적용하기에는 어렵다는 결론이 지배적인 것으로 알려졌다. 이에 삼성전자는 램리서치, TEL와 식각 온도를 일부 높여 다시 장비 평가를 진행하는 방안을 추진하고 있다. 식각 및 관련 장비에 대한 추가 평가는 올 하반기경 진행될 예정이다. 평가 일정을 고려하면, 공급망 확정 및 실제 양산 투자가 진행되는 시기는 빨라야 내년 1분기가 될 것으로 전망된다. 신규 장비 도입에 따른 투자 비용 역시 삼성전자가 V10 낸드 양산 투자를 늦추는 주요 요인으로 지목된다. 삼성전자는 기존 낸드용 식각 공정에 대부분 램리서치 장비를 활용해 왔다. TEL을 공급망에 편입하면 장비 이원화를 추진할 수 있으나, 기존 램리서치의 장비 활용도가 감소하고 양사 장비 간의 호환성을 높여야 한다는 문제점이 발생한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 V10, V11 등 차세대 낸드의 양산 수율 확보, 투자 비용, 시장 상황 등 다방면에서 고심을 겪고 있는 것으로 안다"며 "공급망이 확정되는 시점을 고려하면 빨라야 내년 중반에 양산이 시작될 것으로 보인다"고 말했다.

2025.06.13 14:43장경윤

마이크론, 美 D램·HBM 공급망에 271조 '통큰 투자'…메모리 경쟁 격화

미국 마이크론이 현지 최첨단 메모리 생산 능력과 기술력 강화에 총 271조원을 투자한다. 회사의 전체 D램의 40%를 미국 내에서 생산하는 것이 목표로, AI 산업에 필수적인 HBM(고대역폭메모리) 생산 능력도 확충할 계획이다. 마이크론은 도날드 트럼프 행정부와 함께 미국 내 메모리 제조에 약 1천500억 달러, 연구개발(R&D)에 500억 달러를 투자하겠다고 12일(현지시간) 밝혔다. 총 투자 규모는 2천억 달러(한화 271조원)에 달한다. 이번 발표로 마이크론은 기존 계획 대비 투자 규모를 300억 달러 확대하게 됐다. 추가 투자 방안으로는 아이다호주 보이시에 두 번째 첨단 메모리반도체 공장 건설, 버지니아주 매너서스의 기존 제조 시설 확장 및 현대화, 미국 내 HBM 패키징 제조라인 도입 등이 포함됐다. 이로써 마이크론은 아이다호주에 2개의 최첨단 대량 양산 공장, 뉴욕주에 최대 4개의 최첨단 대량 양산 공장, 버지니아주 제조 시설의 확장 및 현대화, 고급 HBM 패키징 라인 및 연구개발 시설 등 총 2천억 달러에 이르는 미국 내 대규모 투자 로드맵을 완성했다. 마이크론은 "이러한 투자는 시장 수요 대응 및 시장 점유율 유지, D램의 40%를 미국 내에서 생산하겠다는 목표를 달성하기 위한 설계"라며 "특히 2개의 아이다호주 제조 공장은 R&D 시설과 인접해 규모의 경제를 실현하고, HBM을 포함한 첨단 제품의 시장 출시 기간을 단축하는 데 일조한다"고 강조했다. 마이크론의 아이다호주 첫 번째 공장은 오는 2027년부터 D램 양산을 시작할 예정이다. 두 번째 공장 역시 연말께 부지 조성을 시작하는 뉴욕주의 첫 번째 공장보다 먼저 가동될 것으로 예상된다. 아이다호주의 두 공장이 완공되면, 마이크론은 미국에 첨단 HBM 패키징 설비를 도입할 계획이다. 또한 마이크론은 칩스법에 따라 버지니아주 설비투자에 2억7천500만 달러의 자금을 지원받기로 확정했다. 해당 투자는 올해 시작된다. 미국 내 전체 투자에 대한 지원금으로는 64억 달러를 받을 예정이다. 마이크론의 투자 발표에 마이크로소프트, 엔비디아, 애플, 델테크놀로지스, 아마존웹서비스(AWS), AMD, 퀄컴 등 미국 빅테크 기업들은 일제히 환영의 뜻을 밝혔다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 "마이크론과 트럼프 행정부의 미국 내 첨단 메모리 및 HBM 투자는 AI 생태계를 위한 중대한 진전"이라며 "마이크론의 고성능 메모리 산업 리더십은 엔비디아가 주도하는 차세대 AI 혁신을 가능케 하는 데 있어 매우 귀중하다"고 말했다.

2025.06.13 10:11장경윤

韓 HBM에 도전장 낸 日 사이메모리, 기본 구조 베일 벗었다

한 때 반도체 왕국을 건설하며 세계 시장을 호령하던 일본이 HBM(고대역폭메모리)을 뛰어넘는 차세대 메모리 반도체 개발에 돌입했다. 이 칩은 연산(프로세서)과 저장(메모리) 장치를 하나의 패키지 안에 수직으로 통합해 속도를 획기적으로 끌어올린 게 특징이다. 13일 반도체 업계 및 외신에 따르면 일본 소프트뱅크와 미국 인텔이 손을 잡고 '사이메모리(Saimemory)'를 설립했다. 회사는 저전력 AI용 메모리를 개발하는 기업이다. HBM과 비교해 전력 소모량이 절반 수준에 불과한 메모리를 개발하는 게 목적이다. HBM 시장의 90% 이상을 한국이 점유율하고 있는 만큼, 한국을 중심으로 편성된 메모리 시장의 지형도를 바꾸겠다는 의도로 해석된다. 사이메모리는 도쿄대학교 등 일본 학계의 특허와 인텔의 기술을 접목한 3D 스택형 D램 기반 메모리 시제품을 2027년까지 완성하는 것을 목표로 하고 있다. 상용화 시점은 2030년 이전으로 예상된다. AI칩까지 한번에 3D 패키징...뉴로모픽과 유사해 사이메모리는 기존 컴퓨터 구조와 다르다. 일반적으로 컴퓨터는 프로세서, 메모리, 프로그램 3가지로 구성된다. 이를 폰 노이만 구조라고 한다. 폰 노이만 구조의 컴퓨터는 연산과 저장의 역할을 각각 프로세서(CPU, GPU, NPU 등)와 메모리로 나눈다. 역할이 다른 만큼 물리적 위치도 떨어져 있다. 프로세서와 메모리 사이의 신호 전송 거리를 단축시키는 인터포저가 필요한 이유다. 반면 사이메모리는 메모리와 프로세서를 함께 적층했다. HBM이 D램만 적층한 뒤 GPU 옆에 놓은 칩이라면, 사이메모리는 GPU와 HBM을 함께 쌓은 걸로 이해하면 쉽다. 연산과 저장 장치가 붙어 있는 만큼 데이터 복사 없이 연산이 가능하다. 고성능 컴퓨팅의 고질적인 문제였던 병목 현상을 완화시킬 수 있는 셈이다. 이를 가능하게 해주는 기술이 일본 도쿄대의 특허다. 도쿄대는 지난 2019년 3월 '3D 스택 메모리를 포함한 AI 프로세서(Artificial intelligence processor with 3D stack memory)'라는 명칭의 특허를 등록했다. 사실상 패키징 기술로, TSV(실리콘 관통 전극) 등 기술을 통해 계층 간 초고속 연결을 실현한다. 전체적인 콘셉트는 뉴로모픽 반도체와 유사하다. 뉴로모픽은 인간의 뇌를 본따 만든 반도체로, 폰 노이만 구조에서 완전 벗어난 게 특징이다. 두 칩의 차이는 뉴로모픽이 연산과 저장이 하나의 소자에서 이뤄지는 반면, 사이메모리는 칩을 붙였을 뿐 하나의 소자에서 연산과 저장이 이뤄지지는 않는다. 부분적으로 폰 노이만 구조를 벗어났지만 완전한 탈피는 아닌 것이다. 신현철 반도체공학회 학회장 겸 광운대 반도체시스템공학부 교수는 “사이메모리는 프로세서와 메모리가 어쨌든 각각 다른 칩”이라며 “뉴로모픽은 연산과 기억을 하나의 소자에서 해야 한다. 뉴로모픽 반도체는 아닌 것 같다”고 설명했다. 이종한 상명대학교 시스템반도체공학과 교수는 “폰 노이만 구조는 메모리와 비메모리(시스템)이 데이터를 주고 받는 것인데 사이메모리도 이를 크게 벗어나진 않는 것 같다”며 “기존 구조는 유지하되 부분적으로 성능을 꾀하는 것”이라고 말했다. 이종 연결 기술이 어려워...양산이 장애물 상용화에 가장 큰 장애물은 이종 간 연결로 평가된다. 메모리와 프로세서는 칩의 구조 자체가 완전 다르다. 단순히 서로 다른 칩을 연결하는 문제가 아니라 재료, 전기, 열, 신호 처리 등 복잡한 문제가 엉켜있다. 만약 전기적 특성이 다르면 제대로 동작하지 않거나 장치에 손상이 일어날 가능성이 높다. 현재 파운드리(반도체 위탁생산) 업계에서는 이 같은 이종 반도체 간 연결을 하나의 패키지로 통합하는 기술을 개발하고 있다. 삼성전자에서는 아이큐브(I-Cube), TSMC는 인포(InFO), 인텔은 포베로스(Foveros)라고 부른다. 다만 프로세서 명가 인텔이 사이메모리에 참여한 만큼 이종간 칩 연결이 가능할 것이라는 의견도 나온다. 신현철 학회장은 “서로 다른 칩을 연결하는 건 마치 볼트가 구멍에 맞지 않는데 연결하는 그런 느낌”이라면서도 “인텔이 워낙 프로세스를 잘하는 업체니까 이쪽 부분에서 해결할 수 있는 기술이 있을 것 같다”고 예상했다. 다른 장애물로는 양산이 꼽힌다. 연구를 마치고 양산에 들어갈 때 칩의 수율을 확보하기 어려울 수 있다는 의견이다. 아울러 사이메모리가 메모리 팹리스(반도체 설계전문)를 표방하는 만큼, 지금까지 메모리의 생산 방식과 다를 가능성이 높다. 지금까지 메모리 반도체 업체들은 설계와 제조를 같이 하는 IDM(종합반도체기업)이었다. 메모리 팹리스라는 사업을 얘기한 곳은 사이메모리가 처음이다. 이종한 교수는 “뉴로모픽도 개발은 어느 정도 됐는데 양산은 또 다른 이야기인 것처럼, 실제로 양산하는 건 다른 문제”라고 말했다.

2025.06.13 10:07전화평

삼성전자, DDR4 깜짝 수요 효과…2분기 실적 '가뭄에 단비'

삼성전자의 레거시 D램 매출이 당초 예상보다 확대될 가능성이 높아졌다. 주요 기업의 감산에 따라 공급 부족 현상이 심화되면서, 가격 상승 및 판매량 증가 효과를 동시에 거둔 덕분이다. 이에 따라 올 2분기 HBM(고대역폭메모리) 사업의 부진을 어느 정도 만회할 수 있을 것으로 전망된다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중반 DDR4 및 LPDDR4 재고를 당초 예상 대비 큰 폭으로 소진할 수 있을 것으로 관측된다. DDR4 및 LPDDR4는 D램 업계에서 레거시(성숙) 제품에 해당한다. 주요 D램 제조기업은 DDR5 및 LPDDR5X 생산에 주력하고 있는 상황으로, 올 연말까지 DDR4 및 LPDDR4 생산량을 크게 줄이기로 했다. 삼성전자의 경우, 지난해 전체 D램에서 DDR4 및 LPDDR4가 차지하는 매출 비중은 30%대에 달했다. 올해에는 이를 한 자릿 수까지 축소할 계획이다. 반면 고객사는 DDR4 및 LPDDR4 감산에 미리 대응하고자 재고 확보에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 따라 DDR4 및 LPDDR4의 가격은 단기적으로 급등세를 보이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격 상승률은 전분기 대비 13~18%로, 당초 전망치(3~8%)를 크게 상회할 전망이다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 상향 조정됐다. 이 같은 추세는 삼성전자의 올 2분기 메모리 사업에도 긍정적인 요소로 작용한다. 레거시 D램이 비주력 사업에 해당하기는 하나, 수요 증가세에 힘입어 기존 삼성전자가 보유했던 재고를 빠르게 소진할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "DDR4 및 LPDDR4 제품이 소위 '없어서 못 파는' 지경에 이르면서, DDR5와의 가격 프리미엄이 비정상적인 수준으로 좁혀졌다"며 "특히 삼성전자는 모바일 및 가전 고객사에 업계 평균을 웃도는 수준의 가격 인상을 제시한 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "1분기에는 비수기 영향으로 DDR4의 출하량이 다소 줄었으나, 2분기에는 다시 반등하면서 유의미한 매출 확대가 일어날 것으로 보인다"며 "당초 삼성전자가 제시했던 2분기 D램 빗그로스(공급량 증가율)인 10% 초반을 상회할 가능성이 있다"고 말했다. 덕분에 삼성전자는 올 2분기 HBM 사업 부진의 여파를 일부 상쇄할 수 있을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 지난 1분기 6~8억Gb(기가비트) 수준의 HBM을 공급한 것으로 추산된다. 전분기(20억Gb 추산) 대비 크게 줄어든 규모로, 올 2분기 역시 1분기와 비슷한 규모의 공급이 예상된다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "2분기 중 DDR4 가격이 가장 큰 폭으로 상승했고, 이에 따른 수혜도 삼성전자가 가장 크게 받을 것으로 예상돼 물량과 가격, 이익률 모두 긍정적인 변수"라며 "반면 HBM은 이전 전망 대비 물량이 크게 부진해, 이를 반영한 메모리 사업부의 2분기 영업이익은 이전 전망과 크게 다르지 않을 것"이라고 밝혔다.

2025.06.11 11:05장경윤

해성디에스, 美 TI '최우수 공급업체 상' 수상

반도체 부품 전문 제조기업 해성디에스는 텍사스 인스트루먼트(TI)로부터 '최우수 공급업체 상(Supplier Excellence Award)'을 수상했다고 11일 밝혔다. 이번 수상은 2022년에 이은 두 번째로, 해성디에스의 지속적인 품질 개선과 공급 안정성 및 기술 협력에 대한 노력을 인정받은 결과다. TI는 전 세계 1만여 개 이상의 공급업체 중 철저한 평가 기준을 바탕으로 소수의 우수 업체를 선정해 매년 이 상을 수여하고 있다. 올해는 전 세계에서 단 19개 업체만이 수상의 영예를 안았다. 해성디에스는 그중 하나로, 기술력과 품질, 원가 경쟁력뿐만 아니라 환경 및 사회적 책임 분야에서도 뛰어난 성과를 인정받았다. 특히 이번 수상은 해성디에스가 고객사와의 장기적 신뢰 관계를 기반으로 안정적인 공급망을 유지하고, 기술 경쟁력을 강화하며 글로벌 시장에서 입지를 지속적으로 확대해 나가고 있다는 점에서 의미가 크다. 해성디에스 관계자는 “이번 수상은 품질 개선과 고객 신뢰 확보를 위한 끊임없는 노력에 대한 값진 보상이라고 생각한다”며 “앞으로도 TI와의 건강하고 신뢰할 수 있는 관계를 유지하고, 지속적인 혁신과 성장을 통해 우수성을 이어가겠다”고 전했다.

2025.06.11 10:09장경윤

美 마이크론, 차세대 'HBM4' 샘플 출하 성공…SK하이닉스 '맹추격'

미국 마이크론이 차세대 AI 반도체를 위한 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 주요 고객사에 출하했다. SK하이닉스가 지난 3월 업계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 데 이은 두 번째 사례로 제품 상용화에 큰 진전을 이뤄냈다. 마이크론은 최근 복수의 주요 고객사에 12단 36GB(기가바이트) HBM4 샘플을 출하했다고 11일 밝혔다. 마이크론은 "이번 출하로 마이크론은 AI 산업을 위한 메모리 성능 및 전력 효율성 분야에서 선도적인 입지를 공고히 하게 됐다"며 "최선단 D램 공정과 검증된 패키징 기술 등을 기반으로 마이크론 HBM4는 고객과 파트너에 완벽한 통합을 제공한다"고 강조했다. 현재 메모리 업계는 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 성공했다. HBM4는 이르면 올 하반기부터 본격적으로 양산될 차세대 제품에 해당한다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 많은 2048개 집적된 것이 특징이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스도 지난 3월 핵심 고객사인 엔비디아에 HBM4 샘플을 조기 공급한 바 있다. 삼성전자의 경우 마이크론·SK하이닉스보다 한 세대 앞선 D램(1c D램; 6세대 10나노급)을 채용해 제품을 개발하고 있다. 올 하반기 개발을 완료하는 것이 목표다. 마이크론의 HBM4는 메모리 스택 당 2.0TB/s 이상의 속도와 이전 세대 대비 60% 이상 향상된 성능을 제공한다. 또한 전력 효율성은 이전 세대 대비 20% 이상 높다. 마이크론은 "HBM3E 구축을 통해 달성한 놀라운 성과를 바탕으로, 당사는 HBM4와 강력한 AI 메모리 및 스토리지 솔루션 포트폴리오를 통해 혁신을 지속적으로 추진해 나갈 것"이라며 "당사 HBM4 생산 이정표는 고객의 차세대 AI 플랫폼 준비에 맞춰 원활한 통합 및 양산 확대를 보장한다"고 밝혔다.

2025.06.11 10:07장경윤

SK하이닉스, 10나노급 이하 D램 미래 기술 로드맵 공개

SK하이닉스가 일본 교토에서 8일부터 12일까지 진행되는 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'을 열고 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다고 10일 밝혔다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며 차세대 반도체, AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 10일 행사 3일차 기조연설에서 '지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology: Towards a Sustainable Future)'를 주제로 발표를 진행했다. 차 CTO는 "현재 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F 스퀘어 VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F 스퀘어 VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고, 수직 게이트(Gate) 구조를 통해 고집적·고속·저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 기존 D램은 단일 셀의 면적이 6F(2F x 3F)였으나, 4F(2F x 2F)는 이보다 작은 면적으로 집적도 향상에 유리하다. VG는 D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조다. 기존에는 게이트가 채널 위에 수평으로 눕혀져 있는 평면구조였다. 차 CTO는 4F 스퀘어 VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술이다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 또한 회사는 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 공개했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다. 한편 행사 마지막 날인 12일에는 박주동 SK하이닉스 부사장(차세대D램 TF 담당)이 발표자로 나선다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.

2025.06.10 10:02장경윤

'웨어러블 AI' 시장 뜨는데…글로벌 빅테크 "특화 메모리 없다" 지적

구글·애플·메타 등 글로벌 빅테크들이 앞다퉈 웨어러블 AI 시장 공략을 위한 차세대 제품을 내놓고 있다. 다만 이를 뒷받침할 초소형·고효율 특화 메모리는 부족한 상황으로, 업계 표준 제정이 필요하다는 지적이 제기된다. 7일 업계에 따르면 스마트글라스 등 AI 성능이 강화된 웨어러블 시장을 겨냥한 특화 메모리의 개발 필요성이 대두되고 있다. 최근 AI 스마트글라스 시장은 삼성·구글 연합과 애플, 메타 등 글로벌 빅테크를 필두로 경쟁이 가속화되고 있다. 구글의 경우, 음성 제어가 가능한 AI 비서인 '제미나이'를 탑재한 스마트 글라스 시제품을 지난달 공개했다. 해당 제품의 하드웨어는 삼성전자가 담당했다. 애플은 '시리'를 탑재한 AI 기반 스마트글라스를 내년 말까지 출시할 계획인 것으로 알려졌다. 메타는 자체 AI 챗봇인 '메타 AI'를 탑재한 레이밴 스마트 글라스로 지난해 뛰어난 성과를 거둔 바 있다. 올해 말에는 디스플레이를 탑재한 신제품(코드명 하이퍼노바)도 출시할 예정이다. 이에 AI 스마트 글라스 시장은 중장기적으로 견조한 성장세를 나타낼 전망이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 지난해 전 세계 스마트 글라스 출하량은 전년 대비 210% 증가한 300만대를 기록했다. 나아가 오는 2029년까지 연평균 60%의 성장세를 보일 것으로 예상된다. 그러나 메모리 산업은 이 같은 추세에 빠르게 대응하지 못하는 분위기다. 메타는 최근 국내에서 열린 'JEDEC(국제반도체표준화기구) 포럼'에서 "웨어러블 마켓에 최적화된 저용량 낸드가 없다"며 웨어러블 시장을 위한 메모리 표준이 필요함을 강조했다. 설명에 따르면, 웨어러블 시장에서 요구하는 메모리 용량은 최대 32GB(기가바이트) 수준에 불과하다. 그러나 메모리 업계는 인프라 및 모바일, 자동차 시장의 기준을 따라 용량이 계속 증가하고 있다. 현재 고용량 모바일 낸드 제품은 1TB까지 구현된 상황이다. 패키지 크기도 더 작아져야 한다는 지적이 나온다. 현재 모바일 낸드 규격인 UFS의 크기는 가로 11mm, 세로 13mm에 높이 1mm 수준이다. 이는 자동차나 스마트폰 등 대형 제품 기반으로, 웨어러블용으로는 지나치게 크다는 게 메타의 시각이다. 최대 피크 전력이 통상 0.9W 미만인 웨어러블 기기용 배터리의 특성 상, 전력효율성을 극대화해야 한다는 과제도 있다. 물론 반도체 업계에서 웨어러블 기기를 위한 메모리 개발 시도가 전무한 것은 아니다. JEDEC은 지난해 3월 새로운 패키지-온-패키지(PoP) 규격을 제정했다. PoP는 D램과 낸드, 컨트롤러를 소형 패키지로 집적한 메모리다. 해당 규격에서는 웨어러블 기기를 위한 패키지 크기를 가로 8mm, 세로 9.5mm, 높이 1mm 이하까지 구현했다. 다만 웨어러블 기기가 저전력 및 소형화, 고효율 특성을 지속 요구하는 만큼, 기술적 진보가 더 이뤄져야 할 것으로 관측된다. 메타는 메모리 업계와 JEDEC에 대한 요청사항으로 저용량 낸드, 크기 및 피크 전력을 더 줄인 웨어러블용 PoP 표준 개발 모색 등을 주문했다.

2025.06.07 08:30장경윤

마이크론, 저전력 D램서 삼성·SK '선제 타격'…1c 공정 샘플 최초 출하

마이크론이 6세대 10나노급 D램 기반의 최신 저전력 D램 샘플을 출하했다. 해당 제품의 샘플 출하를 공개한 것은 마이크론이 처음으로, 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사와의 차세대 D램 경쟁에 박차를 가하고 있다. 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 LPDDR5X 샘플을 세계 최초로 고객사에 출하한다고 3일(현지시간) 밝혔다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 1c D램이라고 표현한다. LPDDR5X는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 저전력 D램으로, 주로 모바일에 활용된다. 마이크론에 따르면 이번 LPDDR5X는 10.7Gbps(초당 10.7기가비트)의 데이터 처리 속도와 최대 20%의 전력 저감 효과를 갖췄다. 패키지 두께는 0.61mm다. 마이크론은 "업계에서 가장 얇은 크기로, 경젱 제품에 비해 6% 더 얇아졌고, 이전 세대 대비 높이도 14% 줄었다"며 "이러한 소형 칩은 스마트폰 제조업체가 초슬림, 혹은 폴더블 스마트폰을 설계할 수 있는 더 많은 가능성을 열어준다"고 설명했다. 마이크론은 현재 일부 파트너사를 대상으로 1γ LPDDR5X 16GB(기가바이트) 제품 샘플링을 진행 중이다. 이르면 내년 플래그십 스마트폰에 탑재될 예정이다. 마이크론은 지난 2월에도 차세대 CPU용 1γ DDR5의 샘플을 출하한 바 있다. 주요 잠재 고객사는 AMD, 인텔 등으로 알려졌다. 한편 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 1c D램 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최초로 1c D램 기반의 16Gb(기가비트) DDR5를 개발하는 데 성공했다. 삼성전자는 올해 중반 및 하반기 1c D램 기반의 LPDDR과 DDR5를 순차적으로 개발하는 것을 목표로 하고 있다.

2025.06.04 10:28장경윤

삼성전자, 1c D램 상용화에 '올인'…성과와 과제는

삼성전자가 1c(6세대 10나노급) D램을 성공적으로 양산하기 위한 만반의 준비에 나섰다. 컴퓨팅·서버 모바일용 제품을 동시다발적으로 개발하는 것은 물론, 수율 향상에 따른 설비투자 확대도 추진하고 있다. 다만 1c D램의 개발 상황과 양산성 확보는 '별개의 문제'라는 지적도 나온다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 ▲재설계에 따른 생산성 저하 ▲제조 공정에서 허용되는 공정 변동의 폭이 좁다는 점 등이 향후 해결해야 할 핵심 과제로 지목된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램의 상용화를 위한 제품 개발에 주력하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 제품이다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 탑재할 예정이기 때문에, 차세대 메모리 사업에 있어 매우 중요한 의미를 가지고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어 올린 메모리다. 현재 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 이르렀다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4에 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 삼성전자는 이보다 한 단계 앞선 1c D램을 활용한다. D램이 HBM의 성능을 좌우하는 핵심 요소인 만큼, HBM4 시장에서 경쟁사 대비 강점을 드러내겠다는 전략으로 풀이된다. 다만 1c D램은 이제 막 개발이 진행되고 있는 제품으로, 수율이나 양산 효율성이 떨어진다는 단점을 동시에 품고 있다. DDR·LPDDR 동시 개발…1c D램 상용화 속도 의지 이에 삼성전자는 1c D램의 성공적인 시장 진입을 위해 다양한 전략을 구사하고 있다. 먼저 LPDDR(저전력 D램)을 포함한 제품의 동시다발적인 개발이다. 1c D램이 HBM에 초점이 맞춰져 있긴 하지만 삼성전자는 현재 1c D램 기반의 LPDDR 개발도 상당 부분 진척된 것으로 파악됐다. 통상 D램은 DDR, LPDDR, GDDR(그래픽 D램) 순으로 개발된 뒤 HBM에 적용한다. 삼성전자는 이 같은 관례를 깨기 위한 혁신을 시도 중이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 그래픽을 제외한 모든 영역에서 1c D램을 거의 동시 개발하고 적용하는 전략을 추진하고 있다"며 "주요 기업들과의 경쟁에서 우위를 다시 선점하려는 의도"라고 설명했다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 이 회사가 1c D램의 내부 양산 승인(PRA)을 목표로 둔 시점은 LPDDR이 올해 중순, HBM용으로 재설계를 진행한 DDR은 올 3분기께로 관측된다. 앞서 삼성전자는 HBM4용 1c D램의 높은 수율 확보를 위해 지난해 하반기부터 주변 회로의 크기를 키우는 재설계를 단행한 바 있다. 주변 회로가 커지면 칩 사이즈도 커져 웨이퍼 당 생산할 수 있는 칩의 수는 줄어들지만, 개발 난이도를 낮출 수 있다. 수율 높였지만…양산성 확보 결과 지켜봐야 덕분에 삼성전자는 내부적으로 수율 향상에 대한 자신감을 얻은 분위기다. 올해 초 1c D램의 첫 양산 라인 구축을 위한 투자를 진행한 데 이어, 최근에는 평택·화성을 중심으로 추가 설비투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 다만 삼성전자가 1c D램의 수율을 끌어올려 PRA를 마무리 하더라도, 양산 관점에서는 여전히 해결해야 할 과제들이 남아있다. 개발단에서는 소수의 특정 장비로 시제품을 생산한다. 이를 양산 공정으로 이관할 경우, 다수의 장비를 운용해야 하기 때문에 균일한 제조 환경을 구현해줘야 한다. 만약 각 장비 별로 설정이 크게 상이하면 양품을 균일하게 생산할 수 없게 된다. 때문에 양산 공정에서는 공정 변동(Process Variation)의 폭이 넓어야 양산에 유리하다. 그러나 삼성전자 1c D램은 공정 변동 폭이 이전 대비 좁은 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자의 1c D램은 공정 변동 폭이 좁아 일반적인 환경 대비 설정이 조금만 빗겨가도 불량이 발생해 마진을 확보하기 어렵다는 한계가 있다"며 "재설계에 따른 PRA를 비교적 수월하게 통과하더라도 양산성 확보는 다른 문제"라고 설명했다.

2025.06.02 15:02장경윤

DDR4 3분기까지 가격↑…삼성·SK 등 단종 효과

DDR4 등 레거시 메모리 가격이 올 3분기까지 가파르게 상승할 것으로 관측된다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업이 해당 제품의 출하량을 단종 수준까지 줄이면서, 일시적으로 수요가 대두된 데 따른 영향이다. 31일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)의 5월 평균 고정거래가격은 2.10 달러로 전월 대비 27.27% 증가했다. 반면 DDR5 16Gb 2Gx8 가격은 4.80 달러로 전월 대비 4.35% 오르는 데 그쳤다. 이에 따라, DDR5 및 DDR4 모듈 간의 가격 프리미엄은 지난 1분기 40%대에서 5월 26%로 크게 축소됐다. 이는 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업이 구형 메모리 제품의 생산량을 급격히 줄인 데 따른 영향이다. 이들 기업은 현재 최선단 공정을 활용한 D램 및 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "주요 D램 공급업체들이 PC 제조사들에 DDR4 모듈 제품의 단종 일정을 통보하면서 모듈 가격도 인상됐다"며 "수요 측면에서는 PC 제조사들이 보급형 CPU와 호환되는 DDR4 모듈의 주문을 크게 늘렸다"고 설명했다. 단종에 따른 DDR4 가격 인상 효과는 단기적으로 지속될 것으로 전망된다. 트렌드포스는 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격의 가격 상승률을 전분기 대비 3~8%에서 13~18%로 상향 조정했다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 조정했다. 레거시 메모리 가격 상승이 국내 주요 기업들에게 미칠 영향은 제한적이다. 삼성전자·SK하이닉스는 올해까지 DDR4 등 레거시 메모리 비중을 최대 한 자릿수까지 줄이겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 낸드는 저용량 제품을 중심으로 가격 상승세가 나타났다. 메모리카드용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 5월 평균 고정거래가격은 2.92 달러로 전월 대비 4.84% 증가했다. 낸드는 셀 하나에 데이터를 저장하는 수에 따라 1개(SLC), 2개(MLC), 3개(TLC), 4개(QLC) 등으로 나뉜다. 비트를 더 많이 저장할수록 고용량 낸드 구현에 용이하다. 반대로 비트 저장량이 적을 수록 데이터 처리 속도와 신뢰성이 뛰어나다. SLC의 경우 산업용 장비와 엣지 AI 컴퓨팅, 중국 통신 인프라 등을 중심으로 수요가 증가했다. 특히 스마트 모니터링, 스마트 팩토리 등을 위한 이미지 인식 분야에서 채택량이 늘어난 것으로 알려졌다. 또한 삼성전자는 다음달부터 소비자용 MLC 낸드 시장에서 철수하고, 자동차 및 산업 제어 용으로의 전환을 추진하고 있다. 이에 따라 공급업체들이 MLC 가격 인상을 추진하게 돼, 낸드의 가격 상승세를 주도했다.

2025.05.31 08:20장경윤

TSMC 손 잡은 SK하이닉스, HBM4 로직 다이 비용 압박↑

SK하이닉스가 올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산에 본격 나선다. HBM4는 이전 세대 대비 데이터 처리 속도를 크게 끌여올렸으며, 내부 제어를 담당하는 '로직 다이(베이스 다이)의 기능을 대폭 강화한 것이 특징이다. 이에 따라 제품 가격도 이전 대비 30% 이상 상승할 것으로 예상된다. 다만 SK하이닉스가 HBM4의 가격 인상분 만큼 수익성 증대 효과를 거두기는 어려울 것으로 보인다. 로직 다이의 양산을 대만 주요 파운드리 TSMC에 위탁하기 때문이다. 업계에서는 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중이 20%대에 이를 것으로 추산하고 있다. 30일 업계에 따르면 SK하이닉스가 TSMC에 의뢰한 HBM4용 로직 다이의 생산 단가는 상당히 높은 수준으로 분석된다. TSMC 손 잡았지만…SK하이닉스, '로직 다이' 비용 압박 현재 HBM 시장에서 압도적인 우위를 차지하고 있는 기업은 SK하이닉스다. 글로벌 빅테크인 엔비디아에 가장 많은 HBM을 공급해 왔으며, 지난해 하반기에는 세계 최초로 12단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 시작한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 세대 수가 진화할수록, D램을 더 많이 쌓을수록 성능이 뛰어나다. 12단 HBM3E의 경우 현재 상용화된 HBM 중 가장 고부가 제품에 해당한다. 엔비디아가 올 하반기 출시하는 최신형 AI 가속기 'GB300' 등에 탑재될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 12단 HBM4 샘플을 엔비디아에 조기 공급하는 성과를 거뒀다. HBM4는 기존 D램 공정에서 양산되던 로직 다이(베이스 다이)를 파운드리를 통해 양산하는 것이 큰 특징이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이 로직 다이의 양산을 TSMC의 최선단 파운드리 공정에 맡기기로 했다. TSMC는 전 세계 1위 파운드리 기업으로, 삼성전자와 더불어 5나노미터(nm) 이하의 초미세 공정을 구현할 수 있는 기술력을 갖췄다. 다만 로직 다이의 외주 양산이 SK하이닉스의 차세대 HBM 수익성을 약화시킬 수 있다는 우려도 제기된다. ▲TSMC가 최선단 파운드리 공정에서 사실상 독점적인 지위를 보유하고 있다는 점 ▲로직 다이가 HBM4로 넘어오면서 각종 부가 기능들이 추가된다는 점이 주된 배경이다. HBM4 내 로직 다이 단가 비중, 20%대 육박할 듯 반도체 업계 전문가와 패키징 업계 관계자들의 말을 종합하면, 현재 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중은 20%대에 달할 것으로 분석된다. 반도체 전문 분석기관 테크인사이츠의 최정동 박사는 "HBM4용 로직 다이는 단순히 각 칩을 연결하기만 했던 이전 세대와는 달리, 수 많은 기능을 탑재하고 커스터마이즈화되기 때문에 차원이 다르다"며 "HBM4 모듈 전체에서 20% 정도의 비중을 차지할 것이라는 게 합리적인 추정"이라고 설명했다. HBM4는 Gb(기가비트)당 2달러 초중반대의 가격이 형성될 것으로 알려져 있다. 이전 세대인 HBM3E 대비 약 30%가량 비싼 가격이다. 시장조사업체 트렌드포스도 최근 "HBM3E로의 전환에서 이미 20%의 가격 인상이 나타났었고, HBM4의 경우 30% 이상의 가격 인상이 예상된다"고 밝힌 바 있다. 때문에 HBM4의 가격이 이전 세대 대비 크게 높아진다 하더라도, 실제 SK하이닉스가 거둘 효용성은 크게 저하될 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "최첨단 로직 다이 공정에서 뛰어난 성능을 입증한 건 사실상 TSMC가 유일하기 때문에, 부르는 게 값인 상황"이라며 "HBM4의 가격 인상분에서 SK하이닉스가 가져갈 수 있는 부분은 제한적일 것"이라고 말했다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 다음달 엔비디아와 내년 HBM4 공급량에 대한 협상을 마무리할 것으로 관측된다"며 "더 많은 공급량을 확약받을수록 가격을 인하할 가능성이 커 논의 결과를 지켜봐야 할 것"이라고 밝혔다.

2025.05.30 14:32장경윤

엔비디아 '블랙웰' 칩 수요 쾌청…삼성·SK HBM 성장 기회

엔비디아가 AI 반도체 산업의 성장세를 자신했다. 미국의 대중 수출 규제 여파에도 최첨단 AI 반도체인 '블랙웰'의 수요가 강력하고, 전 세계 AI 인프라 투자가 활발히 진행되고 있기 때문이다. 초고성능 AI 반도체인 'GB300' 역시 올 3분기 초 차질없이 양산이 시작될 것으로 전망된다. 이에 따라 국내 주요 메모리 업체인 삼성전자, SK하이닉스의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 지속적인 성장의 기회를 잡을 수 있을 것으로 기대된다. 中 수출 규제, AI 산업 성장세 등 불확실성 '해소' 이날 엔비디아는 2026년 회계연도 1분기(올해 2~4월) 매출액 440억6천만 달러를 기록했다고 밝혔다. 전년동기 대비 69%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 영업이익도 232억7천만 달러(Non-GAAP 기준)로 전년동기 대비 43%, 전분기 대비 6% 증가했다. 다만 데이터센터 매출액은 391억1천만 달러로 증권가 컨센서스(약 393억 달러)를 소폭 하회했다. 미국 트럼프 2기 행정부의 수출 규제 강화로 중국향 AI 반도체 'H20'의 판매가 전면 금지된 데 따른 영향이다. 엔비디아는 해당 규제로 1분기 45억 달러의 손실이 발생했으며, 2분기에도 80억 달러의 추가 손실이 있을 것으로 추산했다. 그럼에도 엔비디아는 2분기(5~7월) 매출 가이던스를 약 450억 달러로, 기존 증권가 컨센서스인 455억에 근접한 수준을 제시했다. H20의 수출 금지에도 최신형 AI 반도체인 블랙웰 시리즈의 수요가 견조한 덕분이다. 문준호 삼성증권 연구원은 "엔비디아의 2분기 매출 전망치는 전분기 대비 2% 증가에 그치나, H20의 손실 반영을 제외하면 14%의 성장세"라며 "그만큼 블랙웰의 수요는 같은 기간 더 좋아졌고, 이번 실적 발표에서 불확실성 요인이 다수 해소된 것도 중요한 대목"이라고 설명했다. GB300 양산 임박…SK하이닉스 HBM 훈풍 나아가 엔비디아는 올 하반기에도 전 세계 AI 인프라 투자로 인한 지속적인 성장을 자신했다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 ▲ 추론형 AI의 수요 증가 ▲ AI 확산 규정의 철폐 ▲ 엔터프라이즈 AI 시장의 본격적인 성장 ▲ 리쇼어리 정책 대두로 인한 '옴니버스' 등 산업용 AI 수요 증가 등 네 가지를 주요 배경으로 꼽았다. 견조한 AI 산업의 성장세는 국내 메모리 제조업체인 삼성전자, SK하이닉스에게도 긍정적이다. 특히, AI 반도체의 핵심인 HBM(고대역폭메모리)를 엔비디아 주력으로 공급하는 SK하이닉스의 매출 확대가 두드러질 전망이다. 엔비디아는 올 하반기 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재한 최신형 AI 반도체 'GB300'를 출시할 예정이다. GB300은 이달 초 주요 CSP(클라우드서비스제공자)에게 샘플이 공급됐으며, 오는 7월께 양산이 시작될 것으로 예상된다. 엔비디아 역시 GB300에 당초 적용하기로 했던 신규 보드 플랫폼의 채용을 미루는 등 제품 안정성 강화에 만전을 기하는 분위기다. SK하이닉스와 엔비디아간 내년 HBM 공급량 협의도 마무리 단계에 접어들었다. 이르면 다음달 최종 결정이 내려질 것으로 알려졌다. 특히, 엔비디아의 차세대 AI 반도체인 '루빈'에 탑재되는 HBM4(6세대 HBM)의 가격 및 물량이 주요 변수로 작용하고 있다.

2025.05.29 14:07장경윤

삼성전자, 화성 H1 사업장 '패키징' 라인으로 전환 추진

삼성전자가 화성 사업장 내 구형 메모리 라인을 정리하고, 패키징 라인으로 전환한다. 이를 위한 설비 이관을 이르면 올 하반기부터 진행할 계획인 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자는 화성 H1 사업장 내 구형 메모리 제조라인을 패키징 주력 라인으로 변경하는 방안을 추진 중이다. H1은 삼성전자의 12라인, 13라인 등이 위치한 곳이다. 12라인은 낸드를, 13라인은 D램을 생산해 왔다. 두 제품 모두 국내 메모리 시장에서 출하량이 줄어들고 있는 구형 제품을 담당하고 있다. 13라인의 경우 CIS(이미지센서)로의 전환을 준비하기도 했으나, CIS 업황 부진으로 계획이 지속 지연된 바 있다. 삼성전자는 활용도가 저조해진 H1 사업장을 패키징 라인으로 활용할 계획이다. 이르면 올 하반기부터 내후년까지 구형 메모리 설비를 빼내고, 빈 공간을 패키징 설비로 채우는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 서버용 D램 등에 쓰이는 TSV(실리콘관통전극) 설비도 소량 입고될 예정이다. 삼성전자는 투자비용 효율화 및 첨단 D램 수요에 대비해 이 같은 전략을 구상한 것으로 관측된다. H1 사업장은 인근에 위치한 타 라인 대비 제조 환경이 오래됐다. 때문에 해당 사업장에 전공정 투자를 진행한다 하더라도, 최신 세대의 메모리로 라인을 전환하기가 매우 어렵다. 일례로 H1 사업장보다 앞선 세대의 D램을 양산해 온 15·16 라인은 이미 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되고 있다. 반면 후공정은 비교적 기술적 난이도가 낮아 라인 전환을 진행하기에 용이하다. 또한 인근 라인에 소량 투입된 패키징 설비를 한 데 모아, 관리 및 투자의 효율성을 높일 수 있다는 장점도 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 구형 메모리 사업 정리와 패키징 생산능력 확대를 동시에 이뤄내기 위해 H1 사업장에 관련 설비를 들이려는 것으로 안다"며 "인근 라인 도 패키징 설비를 빼내면서 첨단 D램의 전환 투자를 늘릴 수 있는 여유 공간을 확보하게 됐다"고 설명했다.

2025.05.28 14:16장경윤

삼성전자, 평택 이어 화성서도 '1c D램' 투자 준비…HBM4 양산 채비

삼성전자가 평택에 이어 화성 팹에도 1c D램(6세대 10나노급 D램)의 양산 라인 구축 계획을 세운 것으로 파악됐다. 이르면 올 연말께 투자가 진행될 예정으로, 수율 향상에 대한 내부 자신감이 반영된 행보로 풀이된다. 1c D램은 삼성전자 'HBM4(6세대 고대역폭메모리)'에 적용될 핵심 제품이기도 하다. 그간 삼성전자가 최신형 HBM 상용화에서 난항을 겪어 온 만큼 적극적인 양산 의지를 보이고 있다는 평가가 나온다. 22일 업계에 따르면 삼성전자는 올 하반기 화성·평택 지역에서 1c D램 생산능력을 추가하기 위한 투자에 나설 계획이다. 앞서 삼성전자는 올해 초부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램 양산 라인을 처음으로 구축하기 시작했다. 당시 투자 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 수준이다. 삼성전자는 우선 1c D램의 초도 양산을 준비하고, 향후 제품의 개발 진척도에 따라 투자를 확대하겠다는 전략을 추진해 왔다. 이후 삼성전자는 올 하반기 P4에 1c D램 생산능력을 확대하기 위한 추가 투자를 논의하고 있다. 규모는 최소 월 4만장에 이를 것으로 관측된다. 나아가 화성 17라인에서도 이르면 올 연말께 1c D램에 대한 전환 투자가 이뤄질 예정이다. 현재 내부 계획을 수립하고 협력사들과 구체적인 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다. 삼성전자 화성 17라인은 1z(10나노급 3세대) D램 등을 주력으로 제조해 온 라인이다. 해당 D램은 레거시 공정에 속해, 생산 비중이 빠르게 줄어들고 있다. 삼성전자는 이미 인근에 위치한 화성 15·16 라인에서도 1b D램 전환 투자를 진행한 바 있다. 삼성전자가 화성·평택 팹 전반에서 1c D램 투자 계획을 구체화한 배경에는 수율 향상에 대한 자신감이 반영된 것으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 내부에서 1c D램의 수율 개선 현황을 긍정적으로 인식하고 있다. 오는 3분기에는 재설계 제품에 대한 PRA(내부 양산 준비 승인)을 받는 것이 목표"라며 "PRA 이후에도 실제 양산을 위해 해결해야 할 과제들은 여전히 많지만, 설비투자 계획은 견조하게 진행 중"이라고 설명했다. 1c D램은 삼성전자가 이르면 올 연말 양산할 예정인 가장 최신 세대의 D램이다. 해당 D램이 삼성전자에게 있어 중요한 이유는 HBM 주도권 때문이다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM4에 1b D램을 채택한 것과 달리, 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하기로 했다. 이를 통해 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 코어 다이(Core Die)의 성능을 대폭 끌어올릴 가능성이 높다. 반면 높은 기술적 난이도로 제품의 수율이 저하된다는 한계점도 동시에 지닌다. 판세를 바꿀 수 있는 과감한 도전이기 때문에 삼성전자는 1c D램의 칩 사이즈를 초안 대비 키우는 방식으로 안정성을 보완하고 있다.

2025.05.22 14:00장경윤

전영현 부회장 취임 1년...삼성 반도체 두번 실패는 없다

전영현 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문장(부회장)이 오늘(21일)로 취임 1주년을 맞았다. 전례없는 위기를 맞은 삼성 반도체 사업 부문의 '구원투수'로서 등판한 전 부회장은 정확한 문제 인식을 바탕으로 한 현실적인 제품개발 및 조직개편을 단행했다는 평가를 받고 있다. 반면 삼성전자의 고질적인 책임 회피 문화가 여전히 남아있고, 차세대 HBM(고대역폭메모리) 사업 등에서 명확한 성과를 보여줘야 한다는 과제도 동시에 제기된다. 21일 업계에 따르면 전 부회장은 지난 1년간 반도체 사업의 근원적 경쟁력 회복, 조직 구조 및 문화 개편 등에 주력해 왔다. 지난해 5월 '원포인트' 인사를 통해 DS부문장직에 오른 전 부회장은 취임 초기부터 어려운 경영 환경 속에서 많은 과제를 떠안았다. 당시 삼성전자는 메모리 시장의 부진으로 인한 수익성 감소, 최신 HBM의 상용화 지연, 최선단 파운드리 고객사 부재 등 여러 악재에 직면해 있었다. 당시 전 부회장은 취임사를 통해 "부동의 1위 메모리 사업은 거센 도전을 받고 있고, 파운드리 사업은 선두 업체와의 격차를 좁히지 못한 채 시스템LSI 사업도 고전하고 있다"며 "새로운 각오로 상황을 더욱 냉철하게 분석해 어려움을 극복할 방안을 반드시 한마음으로 힘을 모아, 최고 반도체 기업의 위상을 되찾기 위해 다시 힘차게 뛰어 보자"는 각오를 밝힌 바 있다. 전 부회장, 현 DS 부문 문제점 정확히 짚어…변화 방향성 '긍정적' 이후 전 부회장은 삼성전자 반도체 사업의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 대대적인 혁신에 나섰다. 특히 기존 회사의 기술적 문제점을 정확히 파악하고 개발 방향성을 바꾸는 등 보다 '현실적인' 대안책을 마련하고 있다는 게 업계의 평가다. 삼성전자 내부사정에 밝은 한 관계자는 "삼성전자 반도체 조직이 워낙 거대하다보니 부서 간에 원활한 소통이 어렵고, 때로는 실무진이 중심인 화성과 최종 결정권자인 서초 간의 정보가 왜곡되는 문제점이 있었다"며 "다행히 전 부회장은 현존하는 약점 및 문제점에 대한 맥을 비교적 정확히 짚고, 지시를 내리는 것으로 안다"고 설명했다. 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 하고 있는 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 대표적인 사례다. 해당 D램은 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 적용될 예정으로, 삼성전자는 지난해 하반기 첫 양품(Good Die)을 확보하는 등 성과를 거뒀다. 그러나 실제 수율 확보에는 난항을 겪었는데, 선폭 미세화에 따른 안정성 하락이 주된 원인으로 지목됐다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 주변 회로의 선폭을 키우는 방향으로 재설계 결정을 내렸다. 이 경우 공정 난이도가 하락해 칩의 안정성을 높일 수 있다. 다만 전체 칩 사이즈가 커져 웨이퍼 대비 생산량이 하락하기 때문에, 제조 비용 측면에서는 불리하다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 엔비디아향 HBM3E 공급에 차질을 겪어 왔고, 차세대 HBM4 역시 최선단 D램 적용으로 개발이 쉽지 않을 것이라는 우려가 많았다"며 "원가 경쟁력을 포기하고서라도 1c D램 재설계를 추진한 것은 그만큼 부족한 현실을 받아들이고 제품 상용화를 우선순위에 뒀다는 것을 의미한다"고 말했다. 조직 개편 측면에서는 지난해 7월 HBM 개발팀을 신설하고, 전 부회장 직속으로 AVP(어드밴스드패키징) 사업팀을 재편했다. 또한 반도체 공정 기술을 연구하는 설비기술연구소의 기능을 사실상 축소했다. 기존 반도체연구소 역시 R&D 역할을 담당하고 있어, 조직을 보다 효율화하기 위한 전략이라는 분석이 나온다. 또 다른 관계자는 "전 부회장 체제 하에서 삼성전자는 기존 방대했던 연구개발 조직이 슬림화되고, 인력 관리가 더 타이트해지는 추세"라며 "전 부회장이 직접 엔비디아를 찾아가는 등 사업 목표 달성을 위한 집중도도 이전보다 높아진 분위기"라고 말했다. 여전히 남아있는 '책임 회피' 문화…과감한 결단 내려야 그러나 삼성전자 반도체가 체질을 개선하기 위해서는 더 과감한 결단이 필요하다는 지적도 제기된다. 회사 안팎의 이야기를 종합하면, 현재 삼성전자가 개선해야 할 가장 큰 한계점은 '책임 회피 문화'로 지목된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 내부적으로 위기감을 인지하고는 있으나, 비교적 큰 규모의 기술 및 공정 변화에 대해서는 여전히 망설이고 있는 상황"이라며 "소위 '총대'를 메고 과감한 시도를 하려는 문화가 없다면 삼성전자가 맞이한 지금의 위기 상황이 지속될 것"이라고 꼬집었다. 실제로 삼성전자는 신기술 도입을 위한 JDP(공동개발 프로젝트) 진행 등에서 더딘 모습을 보이고 있다. 협력사가 신기술을 제안하더라도 삼성전자 측에서 개발 실패 시 부담할 비용을 고려해 소극적인 태도를 보이거나, 처음부터 비용을 부담하지 않으려하기 때문이다. 최근까지도 전공정·후공정 분야에서 이와 같은 이유로 JDP가 성사되지 않은 일이 다수 있었던 것으로 파악됐다. 올 하반기부터 HBM·파운드리 등 본격적인 성과 기대 전 부회장의 취임 후 삼성전자 반도체 사업은 개발 및 사업 전략에서 많은 변화를 겪었다. 올 하반기부터는 이러한 노력의 성과가 차츰 드러날 것으로 전망된다. 그 중에서도 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM3E 및 HBM4의 상용화 여부가 중대한 관심사다. 전 부회장은 지난 3월 회사의 제56기 정기주주총회 현장에서 "고객의 피드백을 적극 반영해 빠르면 2분기, 늦으면 하반기부터 HBM3E 12단 제품이 시장에서 주도적 역할을 할 것"이라며 "HBM4와 커스텀 HBM 등 신시장에서는 과오를 되풀이하지 않도록 차질 없이 개발 및 양산을 진행할 예정"이라고 밝힌 바 있다. 실제로 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 공급을 전제로 HBM3E 12단 제품을 선제적으로 양산하는 등 구체적인 대응에 나서고 있다. HBM을 위한 1c D램 생산능력 확대도 올 상반기에 이어 하반기에도 꾸준히 진행될 예정이다. 시스템반도체 분야도 하반기 반등을 위한 준비로 분주하다. 최선단 공정인 2나노미터(nm) 분야에서 대형 고객사를 확보하기 위해 글로벌 빅테크와의 협의를 꾸준히 진행하고 있다. 특히 올 하반기 퀄컴의 최신형 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)인 '2세대 스냅드래곤 8 엘리트(모델명 SM8850)' 제품을 소량 양산할 수 있을 것으로 기대된다.

2025.05.21 06:00장경윤

K-반도체 육성, 기존 틀 깨야 불확실성 돌파…새 정부 과제 '산적'

윤석열 전 대통령의 탄핵 이후 들어서는 새 정부는 정치 혼란 속에서도 산업과 기술의 방향성을 다시 세울 중대한 책임을 떠안게 됐다. 동시에 전 세계는 기술의 또 다른 거대한 전환점을 맞이하고 있다. AI가 특정 산업의 기술을 넘어, 모든 산업에 스며드는 '기반 인프라'로 자리 잡고 있는 것. 자동차에서 헬스케어, 게임, 미디어, 금융에 이르기까지 AI는 이미 산업 생태계의 기초 체력으로 작동하기 시작했다. 지디넷코리아는 창간 25주년을 맞아 이 격변의 시점에서 AI 기반 산업 대전환기에 진입한 대한민국의 산업 현장을 진단하고, 각 산업 분야 전문가들과 함께 'AI시대, 새 정부가 해야 할 일'을 짚어본다. [편집자주] 국내 반도체 산업이 어느 때보다 높은 불확실성에 휩싸였다. 거시경제의 악화로 전방산업 수요가 빠르게 회복되지 않는 가운데, 중국 후발주자들의 거센 추격으로 탄탄했던 경쟁력을 잃어가고 있다는 우려가 제기된다. 최근 심화된 미·중간 패권 다툼도 국내 반도체 생태계를 위협하는 요소 중 하나다. 이 같은 글로벌 국면에서 다음 달 출범하는 새 정부는 수 많은 과제들을 시급히 해결해야 하는 과제를 떠안고 있다. 전문가들은 엄중한 현실에 맞춘 실용적인 반도체 설비투자 및 R&D(연구개발) 지원 정책, 근원적인 시스템반도체 경쟁력 회복을 위한 전략 및 인력 양성 계획 수립이 필요하다고 지적한다. 자유무역 시대 지나가…"기존 틀 깨고 반도체 육성에 집중해야" 미국은 지난해부터 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위를 꾸준히 높여가고 있다. 지난해 말에는 국내 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 기업이 시장을 주도하는 HBM(고대역폭메모리)에 대한 수출 제한과 함께, 반도체 제조장비에 대한 수출 규제 범위를 대폭 넓혔다. 올해 트럼프 2기 행정부에 들어서는 전 세계 무역질서 변화와 IT 수요 감소를 야기하는 관세 정책이 발효됐다. 나아가 트럼프 대통령은 반도체 분야에 대한 별도의 관세율 부과를 계획하고 있으며, 자국 내 투자를 계획한 반도체 기업들에 대한 보조금(Chips Act) 지급도 재검토에 나서는 등 업계의 불안감을 키우고 있다. 중국은 이에 맞서 자국 내 반도체 공급망 자립화에 속도를 내는 분위기다. 지난해 5월 발표된 3기 반도체 투자기금의 경우 자본금 규모가 3천440억 위안(한화 약 64조원)으로 2기(약 2천억 위안) 대비 크게 늘어났다. 덕분에 현지 주요 파운드리인 SMIC와 메모리 기업인 CXMT·YMTC 등은 물론, 나우라·AMEC 등 장비기업들도 기술력을 빠르게 끌어 올렸다. 이처럼 반도체 산업은 단순히 시장경제를 넘어 국가 안보의 핵심 수단으로서 주목받고 있다. 우리나라 정부 역시 국제 정세를 반영해, 반도체 산업을 집중 육성하기 위한 정책을 펼쳐야 한다는 주장이 나온다. 김정회 한국반도체산업협회 부회장은 "자유무역 시대가 지나가면서, 정부에서도 기존 정책적인 틀 자체를 바꿔서 새로운 시도를 해야 한다"며 "이전에는 개별 업종에 대한 보조금 지급에 대해 정부나 WTO 등에서 거부감을 드러냈으나, 물리적 환경이 바뀐 지금은 반도체 산업에 초점을 맞춘 지원책이 필요하다"고 말했다. 반도체 정책 진두지휘할 '컨트롤 타워' 절실 보다 과감한 국가 반도체 육성 전략을 위해서는 두 가지 선별 과제가 제시된다. 먼저 김형준 차세대지능형반도체사업단장은 국내 반도체 산업 정책을 총괄할 수 있는 컨트롤 타워의 필요성을 강조했다. 김 단장은 "현재 반도체 투자에 대한 지원은 산자부, 과기부, 중기부 등에서 각각 관리하고, 인력은 교육부가 담당하는 등 분산 및 중복이 되는 사례들이 있다"며 "장치산업으로서 대규모 투자가 필요한 반도체를 지원하려면 범부처 성격의 통합적인 컨트롤 타워가 세워져야 한다"고 강조했다. 정부의 반도체 산업 육성 전략도 현실성과 속도에 무게를 둬야 한다는 게 전문가들의 시각이다. 최근 반도체 시장의 부진으로 기업들의 수익성 확보가 어렵고, AI 등 첨단 산업에 대한 생태계 구축이 시급한 만큼 단기적으로 성과를 낼 수 있는 분야에 주력해야 한다는 이슈에서다. 김 단장은 "최근 출범한 양자전략위원회처럼 장기적 관점에서의 성장 동력을 확보하는 것도 물론 중요하지만, 지금 당장 국내 반도체 산업은 대내외적으로 위기를 맞고 있다"며 "반도체가 우리나라 전체 수출에 20% 이상을 기여하고 있음에도, 매출액 대비 지원 규모는 미국·중국에 비해 떨어지는 것이 현실"이라고 꼬집었다. 김용석 가천대 반도체교육원장 겸 반도체공학회 고문은 "국내 반도체 기업들의 성장을 촉진하기 위한 요소는 결국 자금으로, 충분한 투자비를 지원해주는 것이 가장 시급하다"며 "R&D(연구개발) 속도를 높이기 위해서는 연구인력에 대한 주 52시간 근무 예외 적용도 더는 지체되서는 안 된다"고 강조했다. 시스템반도체 육성도 중요…토종 팹리스서도 '한강 작가' 나와야 국내 반도체 시장이 강세를 보이는 분야는 단연 D램·낸드 등 메모리반도체다. 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 기업들을 중심으로 한국은 전 세계 메모리 시장에서 60% 수준의 점유율을 기록하고 있다. 반면 시스템반도체 시장 점유율은 3%대에 불과하다. 시스템반도체의 핵심인 양질의 설계 인력이 부족하고, 팹리스·디자인하우스·파운드리 등 관련 생태계가 주요 경쟁국 대비 미흡한 탓이 크다. 한 팹리스 기업 대표는 "(대만)엔비디아가 세계에서 기업 가치가 가장 높은 것 처럼, 시스템반도체 설계를 잘 하면 빠른 시간 내에 부가가치를 올릴 수 있다"며 "한강 작가의 책이 전 세계에서 사랑을 받았듯이, 뛰어난 아이디어와 설계 실력을 갖춘 팹리스가 한국에서 나온다면 시스템반도체 시장에 변혁을 가져올 수 있다"고 말했다. 때문에 새 정부는 시스템반도체와 관련한 소프트웨어 기술력 및 인재 육성에 집중할 필요가 있다. 팹리스 기업들을 위한 체계적인 인력 양성 정책, 원활한 R&D 환경 구축을 위한 기금 조성 등이 선결 과제로 꼽힌다. AI 산업의 주요 트렌드로 자리잡고 있는 온디바이스AI에 대해서도 발빠른 준비가 필요하다. 온디바이스 AI는 서버 및 클라우드를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술로, 가전과 로봇, 드론 등에 활발히 채용될 것으로 전망된다. 김용석 원장은 "우리나라는 전통적으로 제조업이 강한 나라로, 제품에 탑재되는 반도체가 가장 중요한 차별화 요소"라며 "자동차, 스마트홈 등 여러 산업과 두루 연관이 있어 이 분야를 집중적으로 투자해야 미래 경쟁력 확보가 가능할 것"이라고 말했다. "반도체 육성 결국 자금과 R&D, 주52시간제 근무 예외 적용 더 지체 안돼" [전문가 인터뷰] 김용석 가천대학교 반도체교육원장 겸 반도체공학회 고문 -차기 정부의 시급한 반도체 육성 정책은 무엇인가. "국내 반도체 기업들의 성장을 촉진하기 위한 요소는 결국 자금으로, 충분한 투자비를 지원해주는 것이 가장 시급하다. R&D(연구개발) 속도를 높이기 위해서는 연구인력에 대한 주 52시간 근무 예외 적용도 더는 지체되서는 안 된다." -한국 반도체 산업에서 시스템 반도체 분야가 가장 취약한데. "국내 시스템반도체 산업을 키우려면 시스템 아키텍트, 시스템 소프트웨어 인재를 육성하고, 산업체 출신을 전임, 정년보장 트랙 교수로 채용해 기업이 원하는 수준으로 실무 교육을 강화해야 한다. 많은 기업 경영자를 만나보면, 대학에서 배운 지식이 실제 산업계에 활용되지 않는다는 것에 아쉬움이 많다. 이를 개선하기 위해서는 교육 커리큘럼을 이론 중심에서 벗어나 실습 위주로 전면 개편해야 한다." -한국 반도체 산업에 미래를 걸어야 하는 이유는. "우리나라는 전통적으로 제조업이 강한 나라로, 제품에 탑재되는 반도체가 가장 중요한 차별화 요소"라며 "자동차, 스마트홈 등 여러 산업과 두루 연관이 있어 이 분야를 집중적으로 투자해야 미래 경쟁력 확보가 가능하다." ■김용석 원장은 김용석 가천대학교 반도체대학 석좌교수이자, 가천반도체교육원 초대 원장은 삼성전자에 1983년 입사해 31년간 시스템반도체, 이동통신 소프트웨어, 갤럭시 스마트폰 개발 등 다양한 분야에서 경력을 쌓은 시스템반도체 전문가다. 최근 김 교수는 반도체 전쟁과 신제조업 경쟁을 다룬 'AI 반도체 전쟁'이란 책을 출간했다.

2025.05.16 13:37장경윤

도우정보, SK하이닉스 일반 소비자용 SSD 2종 출시

SK하이닉스 국내 공식 유통사 도우정보가 13일 일반 소비자용 SSD 2종을 국내 출시했다. 골드 P42 SSD는 2021년 출시된 '골드 P31' 후속 제품이며 인터페이스를 PCI 익스프레스 4.0으로 교체했다. 176단 3D TLC 낸드 플래시메모리를 탑재했다. 1TB 제품 기준 최대 속도는 읽기 5.1GB/s, 쓰기 4.8GB/s이며 제품 자가 진단 'S.M.A.R.T', 낸드 플래시메모리에 고르게 데이터를 기록하는 '웨어 레벨링', SSD 저장공간 할당으로 수명을 연장하는 '오버 프로비저닝'을 지원한다. 실버 S32는 SATA3 인터페이스로 연결되는 제품이며 2TB 기준 총 쓰기 용량(TBW)은 1200TBW, 평균무고장시간(MTBF)은 150만 시간으로 신뢰성을 높였다. 최대 속도는 읽기 560MB/s, 쓰기 510MB/s로 업무 데이터 저장과 게임 저장에 활용할 수 있다. 두 제품 모두 전용 마이그레이션 소프트웨어를 이용해 현재 구동중인 운영체제와 데이터를 쉽게 복제할 수 있다. 골드 P42는 500GB와 1TB 2개 용량, 실버 S32는 500GB, 1TB, 2TB 등 3개 용량으로 공급된다. 무상보증기간은 구입 후 5년간.

2025.05.13 14:49권봉석

삼성전자, PIM·LLW 등 '넥스트 HBM' 개발 한창…"표준화 논의 중"

삼성전자가 HBM(고대역폭메모리)의 뒤를 이을 차세대 D램 솔루션을 대거 개발하고 있다. PIM(프로세싱-인-메모리) 등 일부 기술의 경우 반도체 표준화 기구에서 규격 논의가 한창 진행되고 있는 상황으로, 향후 상용화 계획이 구체화될 것으로 기대된다. 손교민 삼성전자 마스터는 13일 오전 서울 강남 소재에서 열린 '제10회 인공지능반도체조찬포럼'에서 이같이 밝혔다. 이날 AI 시대를 위한 D램 솔루션(DRAM Solutions for AI Era)을 주제로 발표를 진행한 손 마스터는 "AI 산업에서 요구하는 메모리 성능이 실제 개발 속도를 넘어서면서, 메모리 업체들도 D램의 집적도 향상을 위한 각종 신기술을 개발하고 있다"며 "이에 따라 트랜지스터와 커패시터 모두 미세화되고 구조도 진화하고 있다"고 설명했다. 대표적인 차세대 D램 기술로는 PIM과 VCT(수직 트랜지스터 채널)와 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크), LLW(저지연·광대역) D램 등이 꼽힌다. 삼성전자는 잠재 고객사 및 산업에 따라 각 D램을 병행 개발하며, AI 시대를 준비하고 있다. 손 마스터는 "최근 AI 산업에서 각광받는 HBM은 서버에서 지속 채용될 것이나, 고비용 및 고전력 특성으로 모든 컴퓨팅 시스템이 HBM을 쓸 수는 없을 것"이라며 "때문에 LPDDR-PIM과 CXL 등이 충분히 의미있는 솔루션이 될 수 있다"고 말했다. LPDDR은 저전력 D램을 뜻한다. 현재 LPDDR5X 세대까지 상용화된 상태로, 차세대 버전인 LPDDR6의 표준화 제정이 마무리되고 있다. PIM은 메모리 반도체에서 자체적으로 데이터 연산 기능을 처리할 수 있도록 만든 반도체로, 두 요소를 결합하면 전력 효율성이 뛰어난 D램을 구현하는 것이 가능해진다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 각기 다른 인터페이스로 상호연결이 어려웠던 기존 시스템과 달리, CXL은 PCIe(PCI 익스프레스; 고속 입출력 인터페이스)를 기반으로 각 칩의 인터페이스를 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 손 마스터는 "LPDDR6는 규격이 어느 정도 마무리 돼서 활발히 개발 중"이라며 "PIM, LLW D램 등의 제품도 반도체 표준화 기구인 제덱(JEDEC)에서 규격 논의가 한창 진행되고 있다"고 말했다. LLW D램은 입출력(I/O) 단자를 늘려 데이터를 송수신하는 통로인 대역폭을 높인 차세대 D램이다. 차세대 HBM 시장을 좌우할 커스텀 HBM의 중요성도 강조했다. 손 마스터는 "HBM4부터 파운드리를 통해 베이스 다이(Die) 제조하는데, 고객이 원하는 대로 제품을 만들어 줄 수 있다는 점에서 큰 변화"라며 "메모리 사업부가 고객의 요구에 맞는 메모리를 만들기 시작하게 된 계기라고 볼 수 있다"고 밝혔다.

2025.05.13 14:38장경윤

中, 하이브리드 본딩 특허 경쟁 '우위'…삼성·SK 크게 앞서

삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들이 차세대 패키징 기술인 '하이브리드 본딩' 기술력 확보에 매진하고 있다. 약 5년 전부터 관련 특허를 꾸준히 공개하고 있는 상황으로, 차세대 D램 및 HBM(고대역폭메모리), 낸드 등에 폭넓게 적용할 계획이다. 다만 공개된 특허 수는 메모리 업계 후발주자인 중국 YMTC(양쯔메모리테크놀로지) 대비 저조한 것으로 나타났다. 특허가 향후 메모리 시장의 큰 변수로 작용할 수 있는 만큼, 국내 기업들도 연구개발(R&D)에 속도를 내야 한다는 지적이 제기된다. 하이브리드 본딩, D램·HBM·낸드 등 차세대 메모리서 각광 8일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 등은 하이브리드 본딩 관련 특허를 지속적으로 확보하고 있다. 하이브리드 본딩은 두 개의 반도체 칩을 구리 배선은 구리 배선끼리, 절연 물질은 절연 물질끼리 각각 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이고, 전기적 특성 및 방열 특성을 높일 수 있다. 하이브리드 본딩의 적용처는 매우 다양하다. 메모리의 경우 20단 적층 이상의 차세대 HBM과 3D D램, 400단 이상의 고적층 낸드에서 활용될 것으로 예상된다. 특히 낸드 시장에서는 이미 하이브리드 본딩이 상용화되고 있다. 중국 YMTC는 약 4년 전부터 'Xtaking(엑스태킹)'이라는 이름으로 하이브리드 본딩이 활용된 낸드를 양산 중이다. 낸드의 핵심 요소인 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 하나로 합치는 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼) 방식이 적용됐다. 국내 기업들 역시 400단 이상의 낸드에 하이브리드 본딩 기술을 적용할 계획이다. 그러나 관련된 특허 기반은 크게 부족한 상황으로, 차세대 메모리 경쟁력 강화에 걸림돌이 될 수 있다는 우려가 제기된다. 실제로 삼성전자는 차세대 낸드에 하이브리드 본딩을 적용하기 위해 YTMC와 라이센스 계약을 체결한 바 있다. 기술적으로 YMTC의 특허를 사실상 피하기 어렵다는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. 中 YTMC 특허 공개 수 119건…삼성(83건)·SK(11건) 크게 앞서 지디넷코리아가 입수한 프랑스 특허·기술 리서치 기업 노우메이드(KnowMade)의 자료에 따르면, YMTC는 지난 2017년부터 2024년 1월까지 총 119건의 특허를 공개했다. 니콜라스 배런 노우메이드 최고경영자(CEO)는 "YMTC는 해당 기간 총 700건 이상의 특허를 출원했으며, 이 중 최소 119개가 하이브리드 본딩과 관련된 특허 패밀리(Patent families; 여러 국가에 출원한 특정 특허를 모두 묶은 것)"라고 강조했다. 삼성전자는 그보다 앞선 2015년부터 특허를 출원했으나, 2023년까지의 총 특허 출원 수는 83건으로 집계됐다. 초기 특허 출원 수가 저조한 데 따른 영향이다. 다만 2023년에는 한 해에만 31건의 특허를 출원하는 등, 기술력 확보에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 지난 2020년부터 특허 출원을 시작해, 2023년까지 총 11건의 특허를 공개하는 데 그쳤다. 노우메이드는 "전 세계 주요 반도체 기업들의 적극적인 기술 개발 덕분에, 2019년 이후로 하이브리드 본딩 관련 특허 수는 4배 이상 증가했다"며 "TSMC, Adeia, YMTC 등이 하이브리드 본딩 관련 IP(지식재산) 리더로 지목된다"고 설명했다. YMTC가 보유한 특허 포트폴리오도 주목할 만 하다. 노우메이드가 YMTC의 핵심 특허 25개를 분석한 결과, 이 회사는 낸드·D램·S램 등을 포함하는 새로운 3D 메모리 설계, 로직 및 메모리 다이의 하이브리드 본딩, 본딩 층 주변 회로와 관련한 기술을 보유하고 있다. 노우메이드는 "YMTC의 특허는 로직과 메모리, 컨트롤러를 모두 포함한 이기종 적층으로 AI 및 HPC 산업을 위한 반도체 제조를 용이하게 한다"며 "또한 YMTC는 하이브리드 본딩 구현을 위한 표면 처리, 웨이퍼 다이싱 등 제조 공정 특허도 다방면으로 보유하고 있다"고 밝혔다.

2025.05.08 11:15장경윤

  Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

[ZD브리핑] 美 반도체 관세 여부 주목…23일부터 한일 정상회담

통신사가 직접 'AI 스마트폰' 만들어 판다

이재명 대통령 "AI 혁신에만 전념할 환경 만들겠다"

국내 OTT, 해외서도 끊김 없이 보려면…여름휴가·연휴 안전한 시청법

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.