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SK하이닉스, IEEE 기업 혁신상 수상…"HBM 혁신으로 AI 컴퓨팅 확산"

SK하이닉스는 24일(현지시간) 미국 뉴욕에서 열린 '2026 IEEE 어워즈(Awards)'기념식(Honors Ceremony)에서 기업혁신상(Corporate Innovation Award)을 수상했다고 26일 밝혔다. IEEE 국제전기전자공학회로, 세계 최고 권위의 기술 전문가 단체다. 인류 발전을 위한 기술 혁신을 추구하고 있다. 이 단체가 주최하는 'IEEE 어워즈'는 100년이 넘는 역사를 가진 시상식으로, 메달(Medals), 기술 분야 상(Technical Field Awards), 공로상(Recognitions) 등 3개 부문에서 기술 혁신과 사회 발전을 이룬 수상자를 선정한다. 공로상에 속하는 기업혁신상은 혁신 기술로 산업과 사회 발전에 기여한 기업에 1986년부터 수여해 왔으며, SK하이닉스가 이 상을 받은 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스는 "모든 세대의 HBM을 안정적으로 양산하며 글로벌 AI 컴퓨팅 생태계 활성화에 기여한 점을 인정받았다"며 "AI 플랫폼의 성능 한계를 극복하는 데 결정적인 메모리 설루션을 제공해 글로벌 AI 시장에서 신뢰받는 파트너로 자리매김하겠다"고 말했다. 이번 수상은 HBM 혁신과 응용을 통해 AI 컴퓨팅 확산을 이끈 공로에 대한 것으로, 글로벌 AI 시장에서 혁신적인 HBM 설루션을 선제적으로 제시하며 고객 수요에 적기 대응한 점이 주효했다. 장기적 관점에서의 기술 경쟁력 확보를 강조해 온 최태원 SK그룹 회장의 경영 기조 아래 미국 내 글로벌 빅테크와의 AI 인프라 파트너십을 꾸준히 넓혀온 행보도 이번 수상의 밑거름이 됐다는 평가다. 이날 시상식에는 안현 개발총괄 사장(CDO)이 회사 대표로 참석해 수상했다. 안 사장은 "기술 한계에 끊임없이 도전하고 이를 극복해 온 SK하이닉스 구성원들을 대표해서 수상하게 돼 영광"이라며 "글로벌 고객, 파트너들과 긴밀히 협력해 시장이 요구하는 가치를 앞서 만들어 내며 AI 혁신을 이끄는 일류 기업이 되겠다"고 말했다.

2026.04.26 10:38장경윤 기자

SK하이닉스, 2분기 더 좋다...메모리 훈풍에 역대급 수익성 예고

SK하이닉스가 전례 없는 메모리 슈퍼사이클의 효과로 지난 1분기 역대 최대 수익성을 거뒀다. 영업이익률은 72%로, 글로벌 제조 기업 중 최상위권에 올랐다. SK하이닉스는 올 2분기에도 기록적인 수익성을 거둘 가능성이 유력하다. D램·낸드 가격의 상승세가 지속되고 있고, 고부가 제품을 중심으로 출하량이 확대되기 때문이다. 23일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지속된 메모리 슈퍼사이클 효과로 올 2분기 역대 최대 영업이익률을 경신할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 지난 1분기 매출액 52조 5763억원, 영업이익 37조 6103억원을 기록했다. 매출은 전년동기 대비 198%, 전분기 대비 60% 증가했다. 영업이익은 각각 405%, 96% 늘었다. SK하이닉스의 이번 실적은 역대 최대 실적에 해당한다. 영업이익률도 72%로 제조업 중 최상위를 기록했다. TSMC·엔비디아·마이크론 등 전 세계 주요 기업들의 최근 수익성을 모두 뛰어넘은 수준이다. 올 1분기 SK하이닉스의 메모리 출하량(빗그로스)은 제한적이었다. D램은 전분기와 동일한 수준, 낸드는 전분기 대비 약 10% 감소했다. 그러나 D램 및 낸드 평균판매가격(ASP)이 각각 60% 중반, 70% 중반대로 상승하면서 수익성을 대폭 끌어올렸다. 이는 AI 인프라 투자에 따른 고부가 서버용 메모리 수요 증가 덕분이다. 특히 가격 변동폭이 제한적인 고대역폭메모리(HBM)를 제외한 범용 D램의 ASP 상승률은 100% 내외를 기록한 것으로 분석된다. 2분기에도 SK하이닉스의 실적은 더욱 확대될 전망이다. 물량 확대와 가격 상승세가 동시에 나타나기 때문이다. SK하이닉스는 해당 분기 D램 빗그로스가 한 자릿수 후반, 낸드는 10% 중반 증가할 것으로 내다봤다. ASP 또한 상승세가 지속될 것으로 전망된다. 현재 업계가 추산하는 2분기 SK하이닉스의 전분기 대비 ASP 상승률은 D램이 20%대, 낸드가 30%대 수준이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 업황을 고려하면 올 2분기까지 메모리 가격의 급격한 상승세는 확정적"이라며 "SK하이닉스의 영업이익률도 올 2분기 역대 최고치를 경신할 가능성이 높다"고 설명했다.

2026.04.23 15:32장경윤 기자

SK하이닉스 1분기 영업이익률이 무려 72%...마이크론·TSMC 제쳐

SK하이닉스가 분기 기준 사상 최대 실적을 또 한번 갈아치웠다. 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 메모리 등 고부가 제품 판매가 확대된 데 따른 효과다. 1분기 영업이익률은 무려 72%에 달해 미국 마이크론(67.6%), 대만 TSMC(50%대 후반) 등 글로벌 톱 수준을 넘어선 것으로 관측된다. SK하이닉스는 올해에도 HBM 등 고부가 제품 판매 확대에 따라 성장세가 지속될 전망이다. SK하이닉스는 올해 1분기 매출액 52조5763억원, 영업이익 37조6103억원(영업이익률 72%), 순이익 40조3459억원(순이익률 77%)의 경영실적을 기록했다고 23일 밝혔다. 분기 기준으로 매출은 사상 최초로 50조원을 돌파했으며, 영업이익과 영업이익률 역시 각각 37조6000억원, 72%로 창사 이래 최고 기록을 달성했다. 매출은 전년동기 대비 198%, 전분기 대비 60% 증가했다. 영업이익은 각각 405%, 96% 늘었다. 증권가 컨센서스 대비로도 매출과 영업이익 모두 소폭 상회한 수준이다. SK하이닉스는 "1분기는 계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대로 수요 강세가 이어진 가운데, HBM·고용량 서버용 D램 모듈·eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대하며 실적 상승세를 이어갔다"고 설명했다. 이 같은 실적 호조에 힘입어 1분기 말 현금성 자산은 전분기 말 대비 19조4000억원 늘어난 54조3000억원을 기록했다. 반면, 차입금은 2조9000억원 감소한 19조3000억원을 기록하며 35조원의 순현금을 달성했다. 회사는 AI가 대형 모델 학습 중심에서 다양한 서비스 환경의 실시간 추론을 반복하는 에이전틱 AI 단계로 진화하면서 메모리 수요 기반이 D램, 낸드 전반으로 넓어지고 있다고 분석했다. 메모리 효율화 기술 확산 역시 AI 서비스의 경제성을 높이고 전체 서비스 규모 확대로 이어져 메모리 수요를 추가로 견인할 것이라고 내다봤다. 이를 바탕으로 D램·낸드 모두에서 우호적인 가격 환경이 지속될 것으로 전망했다. SK하이닉스는 D램과 낸드 전반에서 신제품 개발과 공급을 이어가며 다양화된 메모리 수요에 대응한다는 방침이다. HBM은 성능·수율·품질·공급 안정성을 통합한 종합적인 실행 역량을 더욱 강화한다. D램은 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 LPDDR6와, 같은 공정을 기반으로 이달 양산을 시작한 192GB SOCAMM2의 공급을 본격화한다. 낸드는 CTF 기반 321단 쿼드레벨셀(QLC) 기술을 적용한 cSSD 'PQC21'의 공급을 개시한 데 이어, eSSD 전 영역에 걸쳐 고성능 TLC와 대용량 QLC를 아우르는 라인업으로 AI 수요 전반에 유연하게 대응한다. 특히 대용량 QLC eSSD에 강점을 보유한 솔리다임과의 시너지를 바탕으로 AI 데이터센터와 AI PC 스토리지 시장에서의 경쟁력을 강화할 계획이다. CTF는 전하를 도체에 저장하는 플로팅 게이트(Floating Gate)와 달리 전하를 부도체에 저장해 셀간 간섭 문제를 해결한 기술로, 플로팅 게이트 기술보다 단위당 셀 면적을 줄이면서도 읽기, 쓰기 성능을 높일 수 있는 것이 특징이다. 한편 SK하이닉스는 고객 수요가 공급 역량을 상회하는 환경이 지속되는 가운데, AI 시대 구조적 수요 성장에 대응할 수 있는 공급 역량 확보가 핵심 경쟁력으로 부각됐다고 강조했다. 이에 올해 투자 규모는 M15X 램프업, 용인 클러스터를 중심으로 한 인프라 준비와 EUV 등 핵심 장비 확보로 전년 대비 크게 증가할 것이라고 설명했다. SK하이닉스는 "중장기 수요 성장에 선제적으로 대응할 수 있는 생산 기반을 전략적으로 확충하겠다”며 “수요 가시성을 고려한 투자를 통해 공급 안정성과 재무 건전성을 함께 확보하겠다”고 말했다.

2026.04.23 08:39장경윤 기자

SK하이닉스, HBM 생산기지 P&T7 착공..."AI 메모리 리더십 완결"

SK하이닉스는 이병기 양산총괄을 비롯한 임직원 125명 및 구성원 가족 40명과 공사를 맡은 SK에코플랜트 임직원 20명이 참석한 가운데 'P&T7 착공식'을 개최했다고 22일 밝혔다. 이날 착공식은 공장 건설 경과보고를 시작으로, 안전을 다짐하는 퍼포먼스와 기공을 알리는 터치버튼 세리니가 뒤이어 진행됐다. 참가자들은 예기치 않은 안전사고 없이 공사가 순조롭게 진행되기를 기원하며 열렬한 박수와 환호를 보냈다. P&T7은 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제조에 필수적인 어드밴스드 패키징 전용 팹(FAB)이다. 수조 원을 들여 청주 테크노폴리스 산업단지 내 약 23만㎡(7만 평) 규모로 조성될 예정이며, 웨이퍼레벨패키지(WLP) 공정 라인 3개 층 약 6만㎡(약 1만8000 평)와 웨이퍼테스트(WT) 공정 라인 7개 층 약 9만㎡(약 2만8000 평)을 합치면, 클린룸 면적만 약 15만㎡(4만6000 평)에 달한다. 착공 후 2027년 10월에는 WT 라인을 준공하고, 2028년 2월에는 WLP 라인까지 순차적으로 준공하는 것을 목표로 공사가 진행된다. 최근 WLP와 같이 미세화 한계를 뛰어넘을 핵심 기술들이 속속 개발되면서, 후공정은 개발된 제품의 신뢰성을 확보하고 패키징을 완료하는 기존 역할에서 한발 더 나아가, AI 반도체의 성능을 결정짓는 핵심 변수로 부상했다. 이에 첨단 공정 기술이 집약될 P&T7은 완공 이후 급증하는 글로벌 AI 메모리 수요에 선제적으로 대응하고 현재의 기술 초격차를 유지하기 위한 전략적 요충지가 될 전망이다. SK하이닉스 이병기 양산총괄은 인사말을 통해 “P&T7은 SK하이닉스의 AI 메모리 리더십을 완결 짓는 핵심 생산기지”라며 “이곳에서 생산될 첨단 제품들이 글로벌 AI 인프라의 표준이 될 수 있도록 제조 역량을 집중하는 한편, 지역 사회와 긴밀히 소통하며 국가 산업 경쟁력 강화와 지역 상생이라는 두 마리 토끼를 모두 잡는 성공적인 사업 모델을 완성하겠다”고 말했다. SK하이닉스는 P&T7 부지 선정 단계부터 지역 균형 성장의 중요성과 산업 생태계 전반에 미칠 영향을 깊이 고민해 청주를 최종 선택했다. 중장기적으로 국가 산업 기반을 강화하고 수도권에 쏠린 무게추를 지방으로 옮겨, 수도권과 지방이 함께 성장하는 선순환을 이뤄내겠다는 전략적인 판단이었다. P&T7는 M11, M12, M15, 그리고 M15X에 이어 SK하이닉스가 청주에 건설하는 다섯 번째 생산시설이기도 하다. 완공 후 본격적으로 인접 생산 거점과 시너지를 내기 시작하면, 청주는 명실상부한 SK하이닉스의 새로운 AI 메모리 핵심 거점으로 자리매김하게 된다. 지역 사회에 미칠 긍정적인 파급 효과도 클 것으로 전망된다. 우선 공사 기간 동안 현장에 일평균 320명, 최대 9000명에 달하는 인력이 투입돼, 지역 경제에 활기를 불어넣을 것으로 기대된다. 완공 이후에도 P&T7 운영을 위해 약 3000명의 사내 인력이 근무할 예정이라, 지역 경제에 미칠 긍정적인 영향력은 지속될 전망이다. 이와 함께 대규모 산업단지가 활성화되면 교통망을 비롯한 인근 인프라가 확충돼, 지역 주민들의 정주 여건도 크게 개선될 것으로 예상된다. 또한 청주 지역 내 협력사가 늘어나는 만큼, SK하이닉스는 기존 운영 중인 동반성장 프로그램(기술 개발, 경영컨설팅, 금융 지원 등)도 더욱 확대할 방침이다. 이를 통해 지역 산업 생태계 전반의 경쟁력을 높이고, 강화된 협력사의 기술력이 SK하이닉스의 제품 경쟁력에 즉각적으로 반영되는 선순환 구조를 공고히 한다는 구상이다. SK하이닉스는 “P&T7은 생산시설을 증설하는 의미를 넘어, 지역과 기업이 함께 쌓아온 신뢰의 결실로써 지역 균형 성장을 이끌어 나갈 핵심 축이 될 것”이라며 “앞으로도 지역 사회와의 상생 협력에 진심을 다해 국가 균형 발전을 위해 성공적인 이정표를 세우겠다”고 말했다. 한편 SK하이닉스는 AI 수요 대응을 위한 후공정 팹의 추가 확충을 고려 시, 지역 균형 발전에 기여할 수 있는 국내 거점 다변화 방안을 지속적으로 검토해 나간다는 계획이다.

2026.04.22 14:33장경윤 기자

中 D램 업체, HBM3 개발 난항…韓 추격 아직 '시기 상조'

중국 창신메모리(CXMT)가 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 상용화 시기를 늦출 가능성이 높아지고 있다. 당초 올 상반기 상용화에 나서는 것이 목표였지만, 아직까지 관련 소재·부품 협력사에 양산 수준의 발주를 진행하지 못한 것으로 파악된다. 20일 업계에 따르면 CXMT는 당초 올해 상반기를 목표로 했던 HBM3 양산 일정에 차질을 빚고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 전세계 기준 D램 시장 점유율은 권외 수준이지만, DDR5·LPDDR5X 등 최신 규격의 D램 상용화에 성공했을 정도로 기술을 빠르게 고도화했다는 평가를 받고 있다. CXMT는 AI 데이터센터용 고성능 D램인 HBM 시장에도 문을 두드리고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리 반도체다. 전공정·후공정 모두 매우 높은 수준의 기술을 요구한다. CXMT가 중점적으로 개발 중인 제품은 HBM3다. HBM 중 4세대에 해당하는 제품으로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 속한다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 기업들은 올해 HBM4의 본격적인 양산에 돌입하고 있다. 다만 CXMT의 HBM3는 아직 테스트 단계에 머물러 있다는 게 업계의 평가다. 당초 이르면 올해 상반기에 양산에 나서는 것이 목표였으나, 사실상 일정이 지속 연기되고 있다. 현재 HBM3에 필요한 소재·부품 발주량이 샘플 제조 수준에 머무르고 있는 것으로 파악된다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT의 기술적 진보는 빠른 수준이나, HBM3 양산 일정은 계속 미뤄지고 있다"며 "개발 진척 상황을 보면 연내 양산은 어려울 것으로 관측된다"고 설명했다. 한편 CXMT는 HBM3의 코어 다이로 G4(16나노미터급) D램을 채용했다. 지난해 양산이 본격화된 D램으로, CXMT 기준으로는 최신 공정에 해당한다. D램을 층층이 이어붙이는 후공정 기술로는 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 채택했다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 기술이다. 이후 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 도포한다. 현재 SK하이닉스가 MR-MUF 공정을 활용하고 있다.

2026.04.21 10:55장경윤 기자

SK하이닉스 "AI 시대 협력사와 공급망 경쟁력 강화"

SK하이닉스가 협력사와 함께 인공지능(AI) 시대 반도체 공급망 경쟁력을 강화하기 위한 동반성장 전략을 본격화한다. SK하이닉스는 20일 서울 광진구 그랜드 워커힐에서 '2026년 동반성장협의회 정기총회'를 개최하고 이 같은 구상을 공유했다. 동반성장협의회는 SK하이닉스와 협력사가 공급망 경쟁력 강화와 협력 관계 구축을 위해 2001년 결성한 협의체다. 이날 행사에는 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장, 강유종 부사장(구매 부문장)을 비롯해 황철주 동반성장협의회장(주성엔지니어링 대표) 등 89개 회원사 대표가 참석했다. 이번 총회에서는 2025년 사업 결산과 2026년 사업 계획 및 예산안이 승인됐으며, 올해 협력사 경쟁력 제고를 위한 새로운 협의회 운영 방향이 제시됐다. SK하이닉스는 올해부터 분과간담회 운영 방식을 개편한다. 기존에는 SK하이닉스가 논의 주제를 설정했으나, 앞으로는 협력사가 현장에서 겪는 실제 어려움을 기반으로 주제를 도출한다. 이후 관심사가 비슷한 협력사들이 자율적으로 소그룹을 구성해 실질적인 해법을 찾을 수 있도록 SK하이닉스가 지원할 예정이다. 또한, 맞춤형 상생협력 프로그램도 확대 운영한다. '반도체 아카데미(Academy)'를 활용해 협력사 임직원 대상 심화 교육을 진행하고, 기술, 경영, 금융 등 다양한 분야에서 협력사의 사업 경쟁력을 높이기 위한 지원을 강화할 방침이다. 이날 행사에서는 SK하이닉스의 경영 실적과 AI 메모리 시장 전망, 리더십 확보를 위한 향후 계획 등도 함께 공유됐다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "AI 수요는 일시적인 기회가 아닌 산업의 표준이 되었고, 이에 따라 반도체 산업 구조 자체가 재편되고 있다"며 "다가올 AI 시대에도 회원사들이 글로벌 시장에서 지속 가능한 경쟁력을 갖출 수 있도록 상생협력의 깊이와 범위를 더욱 넓혀 나가겠다"고 말했다. 황철주 동반성장협의회장은 "SK하이닉스가 협의회 회원사와 쌓아온 신뢰와 협력에 힘입어 AI 시대를 주도할 핵심 기업으로 도약하고 있다"며 "앞으로 협력 관계를 더 강화해 새로운 시대를 함께 열어 가자"고 화답했다.

2026.04.20 16:10전화평 기자

SK하이닉스, 엔비디아향 차세대 '소캠2' 본격 양산 개시

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) LPDDR5X 저전력 D램 기반 차세대 메모리 모듈 규격인 소캠(SOCAMM)2 192GB(기가바이트) 제품을 본격 양산한다고 20일 밝혔다. 소캠2는 주로 스마트폰 등 모바일 제품에 사용되던 저전력 메모리를 서버 환경에 맞게 변형한 모듈로 차세대 AI 서버 등에 주력으로 활용된다. 기존 모듈 대비 얇은 두께와 높은 확장성을 갖췄으며, 압착식 커넥터를 통해 신호 무결성을 높이고 모듈 교체가 용이한 장점이 있다. SK하이닉스는 "1c 나노 공정을 적용한 소캠2 제품은 기존 RDIMM 대비 2배 이상의 대역폭과 75% 이상 개선된 에너지 효율을 실현해 고성능 AI 연산에 최적화된 설루션"이라고 강조했다. 특히 이번 소캠2 제품은 엔비디아의 베라 루빈(Vera Rubin)에 최적화 설계됐다. SK하이닉스는 "수천 억 개의 파라미터를 보유한 초거대 AI 모델의 학습과 추론 과정에서 발생하는 메모리 병목 현상을 근본적으로 해소함으로써 전체 시스템의 처리 속도를 비약적으로 높이는 데 기여할 것으로 기대된다"고 밝혔다. 회사는 이어 “AI 시장이 학습에서 추론 중심으로 본격 전환되면서, 거대언어모델을 저전력으로 구동할 수 있는 소캠2가 차세대 메모리 설루션으로 주목받고 있다”며 “글로벌 CSP 고객 수요에 발맞춰 양산 체제를 조기 안정화 했다”고 덧붙였다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장(CMO)은 “소캠2 192GB 제품 공급으로 AI 메모리 성능의 새로운 기준을 세웠다”며 “글로벌 AI 고객과 긴밀한 협력을 바탕으로 고객이 가장 신뢰하는 AI 메모리 설루션 기업으로 자리매김하겠다”고 말했다.

2026.04.20 09:07장경윤 기자

삼성·SK, LPDDR 추가 성장동력 확보…테슬라 AI칩 양산 수혜

테슬라의 자체 인공지능(AI) 반도체 양산 확대로 삼성전자·SK하이닉스의 저전력 D램(LPDDR) 수요가 촉진될 전망이다. 테슬라가 구상 중인 차세대 AI칩은 최신 LPDDR 표준인 'LPDDR6'를 탑재할 것으로 알려졌다. 17일 업계에 따르면 테슬라는 자체 AI 반도체에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업의 최첨단 LPDDR을 채용할 전망이다. 테슬라는 자율주행 및 휴머노이드 로봇 기술을 고도화하기 위해 AI 반도체를 자체 개발해 왔다. 현재 2나노미터(nm) 공정 기반 'AI5'까지 테이프 아웃(Tape-out)에 성공한 상태다. 테이프 아웃은 칩 설계를 완료하고 파운드리 양산 공정에 이관하는 단계를 뜻한다. 차세대 제품 개발도 진행되고 있다. 테슬라는 지난해 하반기 'AI6' 양산을 위해 삼성전자와 22조7600억원 규모 위탁생산 계약을 체결했다. 지난 16일에는 AI6 개선 버전인 AI6.5 양산 계획을 처음 공개했다. AI6.5는 TSMC 2나노 공정을 기반으로 한다. 이로써 테슬라는 AI5와 AI6 시리즈 모두 삼성전자·TSMC를 파운드리로 활용하는 이원화 전략을 취하게 됐다. 향후 칩 생산량 증가를 고려한 결정으로 풀이된다. 당시 일론 머스크 CEO는 "AI6는 미국 텍사스의 삼성전자 2나노 팹을 사용하고, AI6.5는 애리조나의 TSMC 2나노 팹을 사용해 성능을 더욱 향상시킬 것"이라고 밝힌 바 있다. 테슬라의 AI 반도체 양산 확대는 삼성전자, SK하이닉스의 메모리 사업에도 긍정적이다. AI5 및 AI6 시리즈가 최첨단 LPDDR 제품을 탑재하기 때문이다. 세부적으로, AI5용 LPDDR은 SK하이닉스가 주력 벤더 지위에 오른 것으로 파악된다. 테슬라가 최근 공개한 AI5 샘플 역시 SK하이닉스의 LPPDR 제품을 탑재하고 있다. AI6부터는 삼성전자 역시 본격적인 LPDDR 공급망에 합류할 것으로 전망된다. 반도체 업계 관계자는 "AI5는 초기 TSMC가 양산을 수주한 제품으로, SK하이닉스의 LPDDR5X를 채용한 것으로 안다. AI6부터는 삼성전자도 파운드리 및 메모리를 턴키로 공급할 수 있을 것"이라며 "테슬라의 AI칩 라인업 확대는 양사 메모리 사업에 수혜로 작용한다"고 말했다. 특히 AI6 및 AI6.5는 LPDDR6를 탑재할 예정이다. LPDDR6는 8세대 LPDDR로, 지난해 7월 표준이 제정됐다. 메모리의 성능을 좌우하는 대역폭은 10.6~14.4Gbps로 이전 세대인 LPDDR5X(8.5~10.7Gbps) 대비 약 1.5배 가량 향상됐다. LPDDR6의 본격적인 상용화 시점은 이르면 올 하반기다. 이에 고성능컴퓨팅(HPC) 반도체를 설계하는 팹리스 기업들은 이미 LPDDR5X 및 LPDDR6의 설계자산(IP)을 병행 탑재하는 방안을 적극 논의 중인 것으로 알려졌다.

2026.04.17 10:20장경윤 기자

문서 시장에 확산된 '터보퀀트'…사이냅소프트, AI 서비스 비용 낮췄다

사이냅소프트가 최근 인공지능(AI) 시장에서 큰 주목을 받은 경량화 기술 '터보퀀트'를 적용해 문서 AI 경쟁력을 강화한다. 대형언어모델(LLM)과 시각언어모델(VLM) 운영 시 발생하는 메모리 병목 문제를 해결하며 기업 AI 도입 비용을 낮춘다는 목표다. 사이냅소프트는 구글 리서치가 공개한 최신 벡터 양자화 알고리즘 터보퀀트를 자사 AI 솔루션 '사이냅 OCR IX'에 적용했다고 15일 밝혔다. 터보퀀트는 AI 모델이 긴 문서를 처리할 때 발생하는 메모리 사용량을 줄이기 위한 기술로, 최근 생성형 AI 확산과 함께 인프라 효율을 높이는 핵심 기술로 주목받고 있다. 특히 LLM·VLM이 사용하는 'KV 캐시'를 압축해 동일한 그래픽처리장치(GPU) 환경에서도 더 많은 데이터를 빠르게 처리할 수 있도록 지원하는 것이 특징이다. 사이냅 OCR IX는 VLM과 AI 에이전트 기술을 결합한 에이전틱 광학문자인식(OCR) 솔루션으로, 비정형 문서의 맥락을 이해하고 필요한 데이터를 자동 추출한다. 기존에는 긴 문서를 처리할수록 메모리 사용량이 급증해 고가의 GPU 인프라가 필요했지만, 터보퀀트 적용으로 이러한 한계를 개선했다는 설명이다. 회사 측에 따르면 이번 기술 적용을 통해 동일한 GPU 환경에서도 더 긴 컨텍스트와 대용량 배치를 병목 없이 처리할 수 있게 됐다. 이에 고성능 GPU 서버 구축 부담을 줄이고 총소유비용(TCO)도 낮출 수 있다. 사이냅소프트는 GPU 인프라 도입이 어려운 기업을 위해 중앙처리장치(CPU) 기반 환경도 함께 지원한다. 자체 모델에 대한 정밀 프로파일링을 통해 연산 효율을 높였으며 품질 손실을 1% 이하로 억제하면서도 CPU 서버만으로 분당 약 100건 수준의 추론 처리가 가능하도록 성능을 확보했다. 기존 서버 인프라를 활용해야 하는 기업이나 GPU 도입이 어려운 환경에서도 AI OCR 적용을 가능케 한다는 방침이다. 사이냅소프트는 이같은 기술 적용이 금융·공공 등 온프레미스 환경에서 AI 도입을 확대하는 계기가 될 것으로 보고 있다. 높은 보안 요구와 인프라 제약으로 AI 도입이 쉽지 않았던 산업에서도 비용 효율성과 성능을 동시에 확보할 수 있다는 점에서다. 전경헌 사이냅소프트 대표는 "단순히 자체 기술력에만 머물지 않고 글로벌 빅테크의 최신 연구 성과인 터보퀀트를 기민하게 상용화해 기존 VLM의 한계를 극복했다"고 말했다. 이어 "CPU 버전까지 아우르는 유연한 인프라를 지원해 기업들이 도입 비용 걱정 없이 에이전틱 OCR 환경을 구축하고 실질적인 업무 자동화를 이룰 수 있도록 적극 지원하겠다"고 덧붙였다.

2026.04.15 17:14한정호 기자

SK하이닉스, 올해 HBM4 물량 하향 조정...HBM3E 등 확대

SK하이닉스가 올해 엔비디아향 6세대 고대역폭메모리(HBM) 출하량을 당초 계획 대비 20~30% 가량 줄이는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 엔비디아가 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 양산 확대에 어려움을 겪으면서 발생한 영향으로 풀이된다. 다만 줄어드는 SK하이닉스의 HBM4 물량은 이전 세대인 HBM3E와 서버용 D램 등으로 수요가 대체될 전망이다. 각 제품별로 마진율이 상이한 만큼, 올해 사업 실적에 미칠 영향은 더 지켜봐야 한다는게 업계의 전언이다. 14일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 올해 할당했던 엔비디아향 HBM4 출하량 중 일부를 HBM3E 및 서버용 D램 물량으로 변경할 계획이다. HBM4는 올해 본격적으로 상용화되는 최신 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올 하반기 출시를 목표로 하고 있는 AI 반도체 '베라 루빈'에 첫 탑재된다. 이에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 모두 엔비디아향 HBM4 공급에 총력을 기울이고 있다. 다만 업계는 올해 루빈 시리즈의 출하량이 당초 계획보다 줄어들 것으로 보고 있다. 루빈 플랫폼을 구성하는 여러 구성 요소의 최적화가 아직 완벽히 이뤄지지 않았다는 분석에서다. 대표적으로, 엔비디아는 HBM4의 데이터 처리 성능을 업계 표준에서 크게 높인 11Gbps대로 요구한 바 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 최근 발간한 보고서에서 "HBM4 검증에 필요한 시간 외에도 네트워크 인터커넥트 전환과 전력 소비량 증가, 더 고도화된 액체 냉각 솔루션 최적화 등 여러 과제가 남아있다"며 "결과적으로 엔비디아의 고성능 GPU 출하량에서 루빈 시리즈가 차지하는 비중은 기존 29%에서 22%로 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 반면 엔비디아가 현재 가장 주력으로 양산 중인 '블랙웰(Blackwell)' 시리즈의 출하량 비중은 기존 61%에서 71%로 크게 늘어날 전망이다. 블랙웰은 HBM3E를 탑재한다. 이에 국내 메모리 업계도 HBM 사업 전략을 수정 중인 것으로 파악됐다. 특히 SK하이닉스의 사업 변동성이 가장 큰 폭으로 나타나고 있다. SK하이닉스가 HBM 시장의 지배적 사업자로서 엔비디아향 HBM4 및 HBM3E에서 가장 많은 출하량 비중을 차지하고 있기 때문이다. 사안에 정통한 관계자는 "올해 출하되는 루빈 시리즈 자체의 양이 줄어들면서 SK하이닉스의 HBM4 출하량 계획도 수정이 불가피한 상황"이라며 "대신 해당 물량이 HBM3E나 다른 서버용 LPDDR(저전력 D램) 쪽으로 이관되기 때문에, 메모리 수요 총량이 줄어드는 것은 아니다"고 설명했다. 당초 SK하이닉스는 올해 엔비디아향으로 60억Gb(기가비트) 수준의 HBM4 출하를 계획했었다. 현재 논의되고 있는 물량은 이보다 20~30% 적은 수준이다. 감소되는 물량의 일부가 블랙웰 시리즈용으로 전환됨에 따라, HBM3E 물량도 당초 전망치인 80억Gb를 상회할 것으로 관측된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 내부적으로 HBM4의 물량 일부를 HBM3E 및 서버용 LPDDR로 전환하는 방안을 논의 중"이라며 "실제로 HBM4 양산을 위한 소재·부품 발주량도 당초 예상보다 더디게 증가하고 있다"고 말했다.

2026.04.14 14:23장경윤 기자

"캐패시터 없는 DRAM으로 데이터 1천초 유지"

국내 연구진이 인공지능(AI) 연산에 유용한 저전력·고집적 메모리 구조를 제시했다. 별도 캐패시터 없이도 데이터를 안정적으로 저장할 수 있다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 산화물 반도체 트랜지스터(TFT)를 적용한 '2T0C(2-트랜지스터-0-캐패시터)' DRAM 구조를 만들었다고 14일 밝혔다. 연구결과는 국제학술지 어드벤스드 사이언스에 온라인으로 게재됐다. 이 기술은 '캐패시터리스 DRAM'이라 불리는 차세대 메모리 방식이다. 현재 쓰이는 DRAM은 1T1C 구조다. 트랜지스터 1개와 캐패시터 1개가 함께 작동해 데이터를 저장한다. 이때 캐패시터는 전기를 저장하는 공간 역할을 한다. 그러나 반도체가 작아질수록 이 캐패시터를 만드는 과정이 어려워지고, 전력 소모도 커지는 문제가 있다. 연구팀은 '산화물 반도체'라는 소재에 주목했다. 알루미늄이 첨가된 인듐-주석-아연 산화물(ITZO) 소재를 사용해 트랜지스터를 만들고, 아산화질소(N2O) 플라즈마 공정을 통해 내부 결함을 정밀하게 조절했다. 산화물 반도체는 전기가 새 나가는 양인 누설 전류가 적고, 전하를 안정적으로 유지할 수 있다. 데이터를 읽는 트랜지스터 채널 비율(W/L)을 최적화해 저장된 전하가 쉽게 사라지지 않도록 설계했다. 그 결과, 1,000초 이상 데이터를 유지하는데 성공했다. 데이터를 '0'과 '1'로 명확하게 구분할 수 있는 범위인 메모리 윈도우도 약 13배 향상됐다. 남수지 플렉시블전자소자연구실 박사는 "산화물 반도체 기술이 차세대 메모리 소자에도 적용될 수 있음을 확인했다. 앞으로 3차원 반도체 집적 기술과 저전력 컴퓨팅 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다”고 밝혔다. 연구는 양차환 UST 과학기술연합대학원대학교 ETRI 캠퍼스 석사과정생이 제1저자로 진행했다.

2026.04.14 08:53박희범 기자

삼성전자, ASMPT와 HBM TC본더 평가...공급망 다변화 지속

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 열압착(TC) 본딩 장비 공급망 다변화를 지속 추진하고 있다. 최근 해외 반도체 장비기업 ASMPT와 HBM용 TC 본더에 대한 데모 테스트를 마무리하고, 다음 협력 단계를 추진하기로 한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT와 HBM용 TC본더에 대해 JEP(Joint evaluation Project 공동평가프로젝트)를 진행할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리다. 삼성전자의 경우 각 D램 사이에 비전도성 접착 필름(NCF)를 넣고, 열압착을 가해 붙이는 공정을 채택하고 있다. 이 접합 과정에서 쓰이는 장비가 TC본더다. 삼성전자의 HBM용 TC본더는 자회사인 세메스가 주력으로 공급해 왔다. 그러나 지난해부터는 국내외 후공정 장비업체들을 추가로 공급망에 편입하는 조치를 추진해 왔다. 이 중 ASMPT는 삼성전자와 올 1분기까지 HBM용 TC본더에 대한 초기 테스트를 진행해 왔다. 해당 테스트는 연구소 단계에서 데모 장비를 시연해보는 수준이다. 나아가 양사는 최근 TC본더에 대한 JEP를 추진하기로 합의한 것으로 파악된다. JEP는 이미 개발된 장비를 고객사의 양산 라인에 설치해, 장비의 성능 및 신뢰성 등을 검증하는 프로젝트다. 장비의 실제 적용 가능성을 평가하는 단계로 볼 수 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM용 TC본더 공급망 다변화를 지속적으로 검토해 왔다"며 "ASMPT와의 JEP도 이러한 전략의 일환으로, 양사 간 테스트가 점차 진전을 보이고 있다는 움직임"이라고 설명했다. 물론 삼성전자가 ASMPT의 HBM용 TC본더를 실제 양산 공정에 도입할 지는 아직 확신할 수 없다. 양산 공정에서 장비 성능이 만족스럽지 못하거나, 가격 협상이 잘 이뤄지지 않는 등 상용화까지 많은 변수가 남아있기 때문이다. 삼성전자의 하이브리드 본딩 장비 도입 시점도 TC본더 공급망 다변화에 많은 영향을 끼칠 것으로 보인다. 하이브리드 본딩은 기존 D램과 D램 사이의 마이크로 범프를 쓰지 않고, 칩을 직접 연결하는 기술이다. TC본딩 대비 칩 성능 강화에 유리해 차세대 HBM용 본딩 공정으로 주목받고 있다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 높아, HBM용 본딩 분야에서 아직 상용화된 전례가 없다. 또한 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 차세대 HBM의 두께 기준을 완화하는 방안을 추진 중이다. 두께가 더 두꺼워지면 기존 TC본딩 기술을 유지하는 데 용이하다. 또 다른 업계 관계자는 "아직 하이브리드 본딩 기술이 완성되지 않았고, 실제 도입 시에도 일부 층에만 적용하는 등 제한된 방안이 논의되고 있어 TC본딩 기술이 예상 대비 더 성장할 가능성이 있다"며 "이러한 상황에서 삼성전자도 TC본더 공급망 다변화에 더 큰 수요를 느끼게 될 것"이라고 말했다.

2026.04.13 14:32장경윤 기자

AI 열풍에 메모리 공급 비상…새 폰에 '재활용품' 활용?

폭발적인 인공지능(AI) 칩 수요 증가로 인해 메모리 공급 부족 현상이 심화되면서, 일부 스마트폰 가격이 인상된 가운데 제조사들의 메모리 수급 문제까지 불거지고 있다. IT매체 폰아레나는 10일(현지시간) 유명 IT 팁스터 요게스 브라(Yogesh Brar)의 발언을 인용해 일부 스마트폰 브랜드가 충분한 메모리 칩을 확보하지 못해 재생 메모리를 사용하고 있다고 보도했다. 요게스 브라는 자신의 엑스를 통해 “일부 제조사들이 메모리 재고 확보에 실패해 리퍼 제품(refurbished product)을 사용하고 있다는 사실을 확인했다”며, “장기적으로 소비자에게 바람직하지 않은 상황”이라고 지적했다. 특정 브랜드의 이름은 밝히지 않았다. 리퍼 제품이란 초기 불량, 외관 손상, 단순 변심 반품 등으로 정상 판매가 어려운 전면 점검과 수리, 재포장을 거쳐 다시 판매하는 상품을 의미한다. 최근 D램과 낸드 등 메모리 칩은 AI 기업과 데이터센터의 대규모 수요로 인해 가격이 급등하고 있다. 글로벌 빅테크 기업들이 인프라 확장에 수십억 달러를 투자하면서 메모리 물량이 빠르게 소진되고 있으며, 이는 스마트폰•태블릿•PC 등 소비자 제품에 공급될 물량 감소로 이어지고 있다. 이로 인해 스마트폰 제조사들은 제한된 물량 확보를 위해 경쟁해야 하는 상황에 놓였고, 그 결과 제품 가격 상승 압박까지 받고 있다. 기술적인 측면에서 볼때 메모리 칩은 사용 기간이 길어질수록 성능이 저하될 수 있다. 일반적으로 제조사는 장기간 사용을 고려해 칩을 설계하지만, 새 제품이 100% 수명을 가진 상태라면 재생 칩은 이미 일부 수명이 소모된 상태다. 이 때문에 테스트를 통과한 제품이라 하더라도 과도한 사용 환경에서는 예상보다 빠르게 고장이 발생할 가능성이 있다. 또한 성능 일관성 문제도 우려된다. 사용 이력이 있는 메모리는 높은 부하 상황에서 예측하기 어려운 동작을 보일 수 있으며, 이는 속도 저하나 시스템 불안정으로 이어질 수 있다. 초기 사용 단계에서는 문제가 드러나지 않을 수 있지만, 시간이 지나면서 성능 저하가 나타날 가능성이 크다는 지적이다. 폰아레나는 이 같은 소문이 확산될 경우 소비자 신뢰에도 부정적인 영향을 미칠 수 있다고 분석했다. 특정 부품에 대한 의구심은 제품 전반의 품질에 대한 불신으로 이어질 수 있으며, 이는 실제 기술적 문제를 넘어 브랜드 이미지 훼손으로까지 확대될 수 있다는 것이다.

2026.04.13 10:56이정현 미디어연구소

"D램 가격 상승률, 1분기 70%→2분기 30~50%로 둔화 전망"

전세계 D램 가격 상승률이 1분기 70% 이상에서 2분기 30~50%로 둔화할 것이란 전망이 나왔다. 올해 연간으로 D램 공급부족이 이어지겠지만, 수요가 둔화하는 응용처가 나타날 수 있기 때문이다. 시장조사업체 시그마인텔은 최근 "2분기에도 D램 가격은 계속 오르겠지만 제품별 인상폭이 다를 것"이라며 "DDR4 가격 인상폭은 크게 줄어들 것이고, DDR5와 LPDDR5X는 상승 여력이 남아 있다"고 평가했다. 이어 "전세계 D램 평균가격 인상률은 1분기 70% 이상에서 2분기 30~50% 수준으로 둔화할 것"이라고 예상했다. 올해 하반기 D램 가격 인상률은 5~20% 수준으로 더 줄어들고, 연말에는 높은 가격에서 안정될 것이라고 전망됐다. 시그마인텔이 제시한 근거는 ▲D램 업체 생산능력 할당 안정 ▲인공지능(AI) 서버와 클라우드서비스업체(CSP)의 긴급비축 수요 단계적 해소 ▲패닉 바잉(Panic buying) 완화 등이다. 시그마인텔은 "가전·IT 제품 수요 둔화로 D램 공급부족이 어느 정도 완화될 것"이라고 덧붙였다. 시그마인텔은 DDR과 고대역폭메모리(HBM) 생산능력 할당과 수요 변화 등에 기초했을 때, 전세계 D램 수급 비율은 2025년 8% 공급과잉에서 2026년 12% 공급부족으로 전환할 것이라고 전망했다. 2025년 하반기부터 AI가 주도한 D램 슈퍼사이클은 올해도 이어질 가능성이 크다. 올해 AI 서버용 D램 수요는 전년비 105% 성장이 예상됐다. 같은 기간 기존 서버용 D램 수요 성장률 기대치는 3%에 그친다. 올해 가전·IT 제품용 D램 수요는 전년비 감소가 예상됐다. 전체 D램 비트 소비량 내 비중은 2025년 54%에서 2026년 42%로 하락할 것으로 전망됐다. D램 수요 감소는 보급형 PC, 저가 스마트폰, 사물인터넷(IoT) 기기 등에서 두드러질 수 있다. 시그마인텔은 전세계 D램 웨이퍼 생산능력 중 HBM 비중이 올해 20%를 넘어설 것이라고 전망했다. HBM은 AI 서버 그래픽처리장치(GPU) 전용 메모리다. 올해 HBM의 비트 수요는 전년비 110% 성장이 예상됐다. 올해 HBM4 양산 등에 따른 HBM의 D램 웨이퍼 생산능력 점유 확대는 DDR 제품에 할당할 생산능력을 압박할 수 있다. 올해 1분기 말 기준 서버 D램 고정거래가격은 2025년 2분기 대비 3~4배 올랐다. 같은 기간 DDR4는 4배, DDR5는 3.5배 상승했다. 이에 비해 가전·IT 제품용 D램 가격은 늦게 올랐다. 가전·IT 제품은 2025년 4분기부터 D램 공급이 부족했다. 1분기 말 기준 가전·IT 부문 DDR 고정거래가격은 2025년 2분기 대비 2~2.5배 높다. 시그마인텔은 가전·IT 업체가 더 이상 모든 시장과 제품 라인업을 공략할 수 없고, 전략적으로 선택해야 할 것이라고 평가했다. 메모리 등 부품 가격 인상은 완제품 가격 상승으로 이어졌다. 최종제품 가격 인상은 특히 저가품 수요를 억제해 전체 가전·IT 제품 수요가 감소할 수 있다.

2026.04.12 18:53이기종 기자

삼성전자 모바일, 2분기가 '진짜 고비'…적자 전환 우려도

삼성전자 모바일경험(MX) 사업부가 지난 1분기 예상을 웃도는 수익성을 거뒀다. 신제품의 가격 인상과 더불어, 기존 보유한 메모리 반도체 재고 활용으로 원가 상승을 최대한 억제한 데 따른 효과로 풀이된다. 그러나 메모리 반도체 가격은 올 2분기에도 큰 폭의 상승세를 이어가고 있어, 스마트폰 업계의 부담을 키우고 있다. 이에 업계에서는 삼성전자 MX사업부가 곧바로 적자전환할 수 있다는 우려도 제기된다. 9일 업계에 따르면 2분기 삼성전자 MX 사업부의 수익성은 전분기 대비 큰 폭의 감소세가 예상된다. 앞서 삼성전자는 지난 7일 발표한 잠정실적을 통해 매출액 133조원, 영업이익 57조2000억원을 거뒀다고 밝힌 바 있다. 이 중 MX사업부의 영업이익은 3~4조원 수준으로 관측된다. 당초 2조원대로 예상되던 업계 전망을 크게 웃도는 수준이다. 이번 호실적은 복합적인 요인이 작용한 결과다. 당초 업계는 MX사업부가 스마트폰에 탑재되는 저전력 D램(LPDDR) 가격의 상승, 전쟁에 따른 IT 시장의 불확실성 확대 등의 영향을 크게 받을 것으로 분석해 왔다. 이에 삼성전자는 올 1분기 출시한 최신형 플래그십 스마트폰 '갤럭시S 26'의 가격 인상을 단행하면서 수익성 방어에 나섰다. 또한 기존 보유한 메모리 재고를 최대한 활용해, 원가 상승을 최대한 억제한 것으로 알려졌다. 다만 2분기에는 메모리 가격 상승 여파를 피하기 힘들다는 의견이 지배적이다. LPDDR 가격이 매 분기마다 큰 폭으로 상승하고 있고, 기존 보유한 재고 활용 전략도 지속하기 어렵기 때문이다. 최악의 경우 MX사업부가 해당 분기 곧바로 적자에 전환할 수 있다는 우려도 제기된다. IT업계 관계자는 "MX사업부의 1분기 수익성이 예상보다 너무 높아, 2분기에는 기저효과가 크게 나타날 것"이라며 "2분기까지 지속되는 D램 가격의 상승세를 반영하면 이번 분기 적자전환의 가능성을 배제할 수 없다"고 설명했다. D램 시장은 전세계 IT 기업들의 공격적인 AI 인프라 투자 확대로 극심한 공급난을 겪어 왔다. 동시에 메모리 공급사들은 마진이 높은 서버용 D램, 고대역폭메모리(HBM) 양산 비중을 높이고 있다. 글로벌 빅테크인 엔비디아 주도로 서버용 LPDDR 수요도 늘어났다. 이로 인해 스마트폰 등 IT 시장용 LPDDR의 수급 불균형은 심화되는 추세다. 일례로 주요 스마트폰 제조사인 애플은 1분기 삼성전자, SK하이닉스로부터 공급받는 LPDDR 가격을 전분기 대비 2배 가량 인상한 바 있다. 올 2분기에도 최소 전분기 대비 50% 상승의 추가적인 가격 인상이 논의된 것으로 파악된다. 삼성전자 MX사업부도 이와 유사한 수준의 메모리 가격 인상을 받아들여야 하는 상황이다. 디바이스솔루션(DS)사업부를 통해 D램을 내부 수급할 수 있는 유리한 구조를 갖추고 있으나, 시황을 크게 벗어나기는 어렵다는 평가다. DS사업부가 MX사업부에 D램을 지나치게 저렴하게 주는 경우 특혜 논란이 있을 수 있어서다.

2026.04.09 13:56장경윤 기자

오픈엣지, LPDDR6 기반 인터페이스 IP 라이선스 계약 수주

오픈엣지테크놀로지는 LPDDR6 및 LPDDR5X 메모리 표준을 동시 지원하는 인터페이스 IP(반도체 설계자산) 라이선스 계약을 수주했다고 9일 밝혔다. 이번 수주는 회사가 해당 IP 개발에 착수한 이후 첫 성과로, 차세대 메모리 인터페이스 시장 진입을 알리는 신호탄으로 평가된다. 특히 해당 기술은 국내 기업으로는 최초 사례이며 글로벌에서도 소수 기업만이 상용화에 성공한 고난도 기술 분야라는 점에서 의미가 크다. LPDDR6는 지난해 7월 JEDEC(국제 반도체 표준화 기구)에서 제정된 최신 규격으로, 최대 14.4Gbps 속도를 지원하는 차세대 저전력 메모리 표준이다. 이는 현재 상용화된 LPDDR 계열 중 가장 진보된 사양으로, AI 및 고성능 컴퓨팅 환경에서 요구되는 초고속 데이터 처리 수요를 충족할 수 있는 핵심 기술로 주목받고 있다. 최근 AI 반도체를 포함한 시스템반도체의 고성능화가 가속화되면서 외부 DRAM으로부터 데이터를 충분히 공급받지 못해 발생하는 '데이터 병목 현상'이 주요 과제로 부상하고 있다. 이에 따라 팹리스 기업들은 기존 LPDDR5X를 넘어 LPDDR6 기반 메모리를 활용한 차세대 칩 설계를 적극적으로 추진하고 있으며, 특히 온디바이스 AI 및 엣지 컴퓨팅 확산과 맞물려 고대역폭 메모리 인터페이스에 대한 수요가 빠르게 증가하는 추세다. 오픈엣지는 이러한 시장 변화에 대응해 LPDDR6·5X를 지원하는 고성능 메모리 서브시스템 IP를 선제적으로 개발해왔으며, 이번 수주를 통해 기술 경쟁력과 시장성을 동시에 입증했다. 특히 경쟁사 대비 더 작은 면적과 더 높은 데이터 처리 속도를 구현함으로써, 고객사의 칩 설계 효율성과 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 점이 강점으로 꼽힌다. 오픈엣지 이성현 대표는 “이번 LPDDR6·5X IP 첫 수주는 당사의 차세대 메모리 인터페이스 기술력이 시장에서 본격적으로 인정받기 시작했다는 점에서 의미가 크다”며 “향후 해당 IP의 추가적인 라이선스 수주 확대가 기대되는 가운데, 경쟁사 대비 더 작은 면적과 더 높은 속도를 구현한 차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 글로벌 고객사를 지속 확보해 나갈 것”이라고 밝혔다. 오픈엣지테크놀로지는 시스템반도체 설계에 필수적인 메모리 서브시스템 및 인터커넥트 IP와 더불어 온디바이스 AI용 NPU를 포함한 제품 포트폴리오를 지속 강화해 글로벌 팹리스 및 반도체 기업의 차세대 AI 반도체 개발을 지원하는 핵심 파트너로서 입지를 확대해 나갈 계획이다.

2026.04.09 09:55장경윤 기자

삼성전자, 1분기 메모리 매출 74.5조원 '역대 최대'

삼성전자가 올해 1분기 D램, 낸드플래시 등 메모리 반도체에서 역대 최대 매출을 기록했다. 8일 카운터포인트리서치 메모리 트래커에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 메모리 매출 504억 달러(약 74조5819억원)를 기록하며 1위를 기록했다. 세부적으로 D램이 370억달러, 낸드플래시가 134억달러를 각각 기록했다. 두 분야 모두 사상 최고 매출이다. 이전 사이클과 비교하면 고점이었던 2018년 3분기 189억달러 대비 167% 상승했다. 카운터포인트는 삼성전자의 실적이 2분기에 더 높아질 것이라고 예상했다. 공급대비 메모리 수요가 높아 2분기 모바일은 80%이상, PC는 50% 이상의 가격 상승이 예상되기 때문이다. 최정구 카운터포인트 책임연구원은 “삼성의 호조는 당분간 이어질 예정이다. 전방위로 메모리 수요가 거세어 범용 D램에서 높은 가격으로 이익을 창출하고 있고, 이는 공급물량의 확대가 가시화되는 2027년까지 이어질 예정"이라며 "HBM4에서는 1c 나노 공정 기반 코어 다이와 4나노 파운드리 기반 베이스 다이를 채택하여 리더십을 공고히 했고, 다가올 HBM4e 에서도 경쟁사들보다 유리한 위치에 있다고 할 수 있다”고 말했다. 그러면서도 “메모리 산업의 패러다임이 범용 제품의 대량 양산에서 고객 밀착형 비즈니스 모델로 바뀌고 있다. 차세대 HBM부터는 맞춤형 HBM이 대세가 될 것이며, 범용D램 역시 주요 고객은 장기 공급 계약(LTA)을 통해 최적화된 물량을 안정적으로 확보하려는 경향이 강해질 것"이라며 "삼성은 현재의 실적 호조에 안주하지 않고, 초격차 유지를 위한 핵심 인재 이탈 방지와 차세대 기술 투자에 전력을 다해야 한다. 삼성은 이제 다시 한단계 도약을 할 시점”이라고 덧붙였다.

2026.04.08 10:39전화평 기자

메모리 가격, 2분기도 상승세…삼성전자 '최대 실적' 이어진다

삼성전자가 올 1분기 사상 최대 매출과 영업이익을 거뒀다. 인공지능(AI) 산업 주도로 메모리 수요가 급증하면서, D램·낸드 가격이 전 분기 대비 80~90% 수준까지 상승한 것으로 관측된다. 2분기 전망 역시 밝다. 1분기 메모리 가격 상승폭이 예상을 웃돌았지만, 2분기에도 견조한 추가 상승세가 이어질 가능성이 크기 때문이다. 삼성전자는 경쟁사 대비 가장 많은 생산능력을 보유하고 있어, 메모리 가격 상승에 따른 수익성 증대 효과를 가장 크게 볼 수 있다. 7일 삼성전자는 2026년 1분기 잠정실적 발표에서 연결기준 매출 133조원, 영업이익 57조2000억원을 기록했다고 밝혔다. 분기 기준 사상 최대 실적이다. 매출은 전년 동기 대비 68.06%, 전 분기 대비 41.73% 증가했다. 영업이익은 전년 동기 대비 755.01%, 전 분기 대비 185% 증가했다. 증권가 컨센서스(매출 118조3000억원, 영업이익 38조4977억원)도 크게 상회하며 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이번 호실적은 전례 없는 메모리 슈퍼사이클 효과로 풀이된다. 현재 전세계 주요 IT 기업들이 AI 인프라 구축을 위해 공격적으로 투자하면서, 서버용 고부가 D램·낸드 수요가 크게 증가했다. 반면 공급업체들의 생산량 증가는 제한돼, 평균판매가격(ASP) 상승을 부추겼다. 범용 D램·낸드도 덩달아 공급난이 심화됐다. 이에 따라 1분기 D램의 ASP는 전 분기 대비 90%가량 상승한 것으로 추산된다. 낸드 역시 비슷한 수준의 가격 상승세가 실현됐을 가능성이 크다. 김선우 메리츠증권 연구원은 "삼성전자의 D램과 낸드 공히 90% 이상 판가 상승율을 기록했을 것으로 추정한다"며 "선두업체로서 경험에 기반한 적극적이고 과감한 가격 정책과 유리한 가격구조 설정이 전략적으로 작동했을 것"이라고 설명했다. 향후 전망도 밝다. 1분기 D램·낸드 ASP가 예상보다 크게 증가하기는 했으나, 2분기에도 가격 상승세가 견조할 것이라는 시각이 우세하기 때문이다. 삼성전자는 주요 메모리 기업 중 가장 많은 D램·낸드 생산능력을 보유하고 있다. 덕분에 범용 메모리 가격 상승에 따른 수혜를 가장 크게 입을 수 있다. 업계에선 삼성전자가 2분기에도 D램과 낸드 모두 전 분기 대비 최소 30% 수준의 ASP 상승률을 기록할 것이란 전망이 나온다. 반도체 업계 관계자는 "범용 메모리 생산능력이 가장 큰 삼성전자가 메모리 슈퍼사이클의 최대 수혜자가 될 것"이라며 "글로벌 빅테크들과 장기공급계약(LTA)도 활발히 진행되고 있어, 메모리 수요가 지속될 것이라는 전망에 힘을 보탠다"고 말했다.

2026.04.07 12:19장경윤 기자

역대 최대 실적 경신한 삼성전자, 메모리 영업익만 50조원 돌파

삼성전자가 올 1분기 매출과 영업이익 모두 사상 최대 실적을 경신했다. AI 산업 주도로 D램·낸드 가격이 크게 상승하고, 새로 출시한 '갤럭시S26' 시리즈가 흥행에 성공한 덕분으로 풀이된다. 환율 역시 긍정적인 영향을 미쳤다. 7일 삼성전자는 2026년 1분기 잠정 실적 발표를 통해 연결기준 매출 133조원, 영업이익 57조2000억원을 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 68.06%, 전분기 대비 41.73% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 755.01%, 전분기 대비 185% 증가했다. 또한 증권가 컨센서스(매출 118조원, 영업이익 38조4977억원)을 크게 상회하면서, 어닝 서프라이즈를 기록했다. 이번 역대급 실적의 핵심 배경은 메모리 슈퍼사이클에 있다는 평가다. 전세계 주요 IT 기업들이 공격적인 AI 인프라 투자 확대에 나서면서, 서버용 고부가 D램·낸드의 수요가 크게 증가했다. 반면 공급업체들의 생산량 증가는 제한돼, 평균판매가격(ASP)의 상승을 부추겼다. 범용 D램·낸드도 덩달아 공급난이 심화됐다. 특히 D램의 가격 상승세가 강했다. 현재 업계가 추산하는 D램의 전분기 대비 ASP 증가율은 90%에 달한다. 낸드 역시 D램에 준하는 수준의 가격 상승세를 기록한 것으로 알려졌다. 이에 따라 삼성전자의 D램·낸드를 합산한 삼성전자의 메모리 분야 영업이익은 53조~54조원에 달할 전망이다. 제품별로는 D램이 40조원대, 낸드가 10조원대의 영업이익을 기록했을 것으로 관측된다. 디바이스솔루션(DS) 전체 영업이익은 비메모리(파운드리, 시스템LSI)의 적자 영향으로 이보다는 소폭 낮은 52조~53조원으로 추산된다. 모바일경험(MX) 사업부도 이번 분기 업계 예상을 뛰어넘는 수익성을 거뒀을 가능성이 유력하다. 올 1분기 출시한 최신형 플래그십 스마트폰 갤럭시S26 시리즈가 높은 판매량을 기록하면서, 해당 기간 4조원에 육박하는 영업이익을 기록한 것으로 관측된다.

2026.04.07 08:58장경윤 기자

프라임마스, 삼성전자·ETRI와 CXL 공동 개발 착수

국내 팹리스(반도체 설계전문) 프라임마스가 삼성전자, 한국전자통신연구원(ETRI)과 함께 AI 시대의 데이터 처리 한계를 극복하는 초거대용량 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 메모리 솔루션 공동 개발에 본격 착수했다고 6일 밝혔다. 이번 협력은 CXL 기반의 메모리 중심 컴퓨팅 아키텍처를 실제 시스템으로 구현하는 전략적 파트너십이다. 프라임마스는 삼성전자와 지난 2024년 8월 어드밴스드 CXL 솔루션의 공동 연구개발을 위한 MOU를 체결하고, CXL 메모리 생태계의 확장을 위한 협력을 지속해왔다. 이번 협력에는 ETRI가 새롭게 합류하면서 업계에서 차세대 CXL 트렌드로 부상 중인 초거대용량 메모리 솔루션을 공동 개발하는 단계로 확장된 것이다. 이를 통해 메모리 용량의 확장을 넘어 메모리 중심의 컴퓨팅을 실제 시스템 솔루션으로 구체화한다. 이번 협력에서 삼성전자는 글로벌 OCP 행사에서 선보인 CXL 기반 데이터센터 메모리 패브릭 관리 기술을 토대로, 최신 DDR DIMM 및 대용량 D램 기술과 메모리 오케스트레이션 소프트웨어 역량을 제공한다. 프라임마스는 세계 최초 CXL 3.0 실리콘 확보 경험에 기반해 칩렛 기반 CXL 컨트롤러 SoC '팔콘(Falcon)'을 활용한 AIC(Add-in Card) 타입 대용량 메모리 확장 솔루션을 담당한다. ETRI는 양사의 기술을 집약해 초거대용량 메모리 샤시 형태의 완성형 시스템으로 구현함으로써, 개별 기술을 통합한 시스템 수준의 혁신을 이끈다. 구본태 ETRI 지능형반도체연구본부 본부장은 “초거대용량 메모리 기반 아키텍처는 향후 AI 및 데이터센터 인프라 혁신의 핵심이 될 기술이다. 이번 협력을 통해 국내 CXL 메모리 기술 경쟁력을 한 단계 끌어올리고, 메모리 강국으로서 한국이 글로벌 시장에서 의미 있는 생태계를 구축하는 계기가 되기를 기대한다”고 밝혔다. 프라임마스 관계자는 “이번 협력으로 칩렛 기반 CXL 컨트롤러 기술을 보유한 프라임마스, 글로벌 D램 기술을 선도하는 삼성전자, 시스템 통합 역량을 갖춘 ETRI가 각자의 핵심 강점을 결합했다”며, “초거대용량 CXL 메모리 시장의 방향성을 국내에서 선도적으로 구현하고, 메모리 중심 컴퓨팅 구조를 통해 차세대 데이터센터 전환을 가속화하겠다”고 말했다. 한편 이들은 이번 협업을 통해 △대규모 메모리 풀링 기술 실증 △메모리 오케스트레이션 및 관리 기술 고도화, △AI 워크로드 대응을 위한 메모리 중심 아키텍처 구현을 공동으로 추진한다. 이를 통해 국내 CXL 생태계의 기술 자립도를 높이고, 글로벌 메모리 반도체 시장에서 한국의 기술 주도권 확보에 기여할 예정이다.

2026.04.06 15:38전화평 기자

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