• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 생활/문화
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
인공지능
배터리
양자컴퓨팅
IT'sight
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'메모'통합검색 결과 입니다. (510건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

마이크론 간 SK하이닉스 HBM 전 연구원...전직금지 가처분 인용

SK하이닉스에서 HBM 연구원으로 일하던 직원이 경쟁사인 미국 마이크론 임원으로 이직하자, 법원이 전 연구원에 대해 전직금지 가처분을 결정했다. SK하이닉스의 핵심 기술 유출로 피해가 클 수 있다는 판단이다. 치열한 기술 경쟁 속에 인공지능 반도체에 필수 메모리로 자리잡은 HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 50% 이상 점유율로 독보적인 1위를 차지하고 있으며, 마이크론은 3~5% 점유율로 후발주자에 속한다. 7일 업계에 따르면 서울중앙지법 제50민사부(재판장 김상훈)는 지난달 말 SK하이닉스가 전 연구원 A씨를 상대로 낸 전직금지 가처분 신청을 인용하고, 위반 시 1일당 1천만원을 지급하라고 결정했다. 연구원 A씨는 SK하이닉스에서 D램과 HBM 설계 관련 업무를 담당하다가 2022년 7월 SK하이닉스를 퇴사하고 미국 마이크론에 임원급으로 이직했다. 현재 A씨는 마이크론 본사에 임원 직급으로 입사해 재직 중인 것으로 알려졌다. A씨는 SK하이닉스에 입사해 메모리연구소 설계팀 주임 연구원, D램설계개발사업부 설계팀 선임연구원, HBM사업 수석, HBM 디자인부서의 프로젝트 설계 총괄 등으로 근무한 핵심 인력이다. A씨는 SK하이닉스 근무 당시인 2015년부터 매년 '퇴직 후 2년간 동종 업체에 취업하지 않는다'는 내용의 정보보호서약서를 작성했고, 2022년 퇴직 무렵에는 전직금지 약정서와 국가핵심기술 등의 비밀유지 서약서를 작성했다. 약정서에는 마이크론을 비롯해 전직금지 대상이 되는 경쟁업체가 구체적으로 나열됐으며 전직금지 기간도 2년으로 명시됐다. A씨는 전직금지 약정이 5개월 정도 남은 가운데 이 같은 처분이 내려진 점에서 주목된다. 재판부는 결정문에서 "채무자(A씨)는 오는 7월 26일까지 미국 마이크론과 각 지점, 영업소, 사업장 또는 계열회사에 취업 또는 근무하거나 자문계약, 고문계약, 용역계약, 파견계약 체결 등의 방법으로 자문, 노무 또는 용역을 제공해서는 안 된다"고 말했다. 이어 "채무자(A씨)가 지득한 정보가 유출될 경우 마이크론은 동종 분야에서 채권자와 동등한 사업능력을 갖추는데 소요되는 시간을 상당 기간 단축할 수 있게 된다"라며 "반면 채권자(SK하이닉스)는 그에 관한 경쟁력을 상당 부분 훼손당하고, 정보가 유출될 경우 원상회복이 사실상 불가능한 점을 고려했다"고 밝혔다. 이 같은 소식이 전해지자 SK하이닉스는 7일 "HBM을 포함한 D램 설계 관련 기술은 국가 핵심기술에 포함되기에 법원의 판결은 적법하며, 환영한다"고 입장을 밝혔다.

2024.03.07 09:40이나리

삼성전자 작년 4분기 D램 점유율 45.5% 1위...매출 반등

삼성전자가 작년 4분기 D램 시장에서 45.5% 점유율을 차지했다. 특히 삼성전자는 2위 SK하이닉스, 3위 마이크론과 점유율 격차를 더 벌리면서 D램 시장 우위를 입증했다. 아울러 침체기를 겪었던 글로벌 D램 시장은 작년 4분기를 기점으로 회복세에 들어선 것으로 분석된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 작년 4분기 D램 매출이 79억5천만 달러로 전분기 보다 50% 증가하며 상위 제조 업체 중 가장 높은 매출 성장률을 기록했다. 4분기 삼성전자의 시장 점유율은 45.5%로 1위로 지난 3분기(38.9%) 보다 6.6%포인트(p) 늘어났다. 트렌드포스는 삼성전자 1a나노 DDR5 출하량이 급증하고 서버용 D램 출하량이 60% 이상 증가한데 힘입어 매출이 증가했다고 진단했다. 삼성전자의 D램 생산량은 지난해 감산한에 이어 올해 1분기에 반등해 가동률 80%에 도달했다. 하반기까지 메모리 수요가 크게 증가함에 따라 삼성전자의 생산능력은 지속적인 증가가 예상된다. 2위 SK하이닉스의 지난해 4분기 매출은 지난 3분기 보다 20.2% 증가해 55억6천 만달러를 기록했다. D램 시장 점유율은 31.8%로 지난 3분기(34.3%) 보다 줄어들었다. SK하이닉스는 D램 출하량이 1~3% 소폭으로 증가했지만 고부가가치 제품인 고대역폭메모리(HBM), DDR5, 서버용 D램 모듈 가격 우이로 인해 평균판매가격(ASP)가 전 분기 보다 17~19% 증가했다. SK하이닉스는 HBM 생산능력을 적극적으로 확대하고 있으며, 특히 올해 상반기 HBM3E 양산 개시를 계기로 웨이퍼 출하량을 점진적으로 늘리고 있다. 3위 미국 마이크론은 지난해 4분기 매출이 전 분기 보다 8.9% 증가해 33억5천만 달러를 기록했다. 시장 점유율은 19.2%로 지난 3분기(22.8%) 보다 줄어들어 10%대 점유율을 기록했다. 마이크론은 생산량과 가격 모두에서 각각 4~6% 증가했다. 마이크론은 올해 HBM, DDR5, LPDDR5(X) 제품에 대한 고급 1b나노 공정 점유율을 높이는 것을 목표로 웨이퍼를 확대할 계획이다. 한편, 지난해 4분기 전체 D램 매출은 제조업체의 재고 노력 활성화와 전략적 생산 관리에 힘입어 전분기 대비 29.6% 증가해 174억6천만 달러를 기록했다. 트렌드포스는 “전통적인 비수기에 해당되는 올해 1분기에는 출하량이 소폭 감소하지만 D램 고정가격은 20% 가까이 상승할 것으로 전망된다”고 말했다.

2024.03.06 15:34이나리

에이디테크놀로지, 코싸인온·코아링크와 HBM IP 협력

국내 디자인하우스 업체 에이디테크놀로지가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 설계자산(IP) 개발에 앞장선다. 에이디테크놀로지는 메모리 구동 및 운영 원천 기술을 보유한 스타트업인 코싸인온·코아링크와 HBM IP 협력 강화를 위한 MOU를 체결했다고 27일 밝혔다. 이번 협약으로 양사는 차세대 메모리 IP 에코시스템을 구축해 안정적이고 신뢰성 있는 제품과 서비스를 제공한다는 목표다. 박준규 에이디테크놀로지 대표는 "원천 IP를 보유한 기업들과의 긴밀한 커뮤니케이션을 통해 HBM을 비롯한 차세대 반도체 생태계 모델을 구상하고 이를 선순환 시키겠다"고 말했다. 박성호 코싸인온·코아링크 대표는 "이미 북미 시장에 진출해 성공한 당사의 메모리 구동 및 운용 관련 원천 기술을 활용해 AI 연산에 최적화된 메모리 솔루션을 개발하고 있다"라며 "글로벌 고성능컴퓨팅(HPC) 시장을 조기에 선점하고 삼성 파운드리 에코시스템의 파트너로서 시너지 효과를 기대하고 있다"고 밝혔다. 한편, 에이디테크놀로지는 삼성전자 파운드리 사업의 디자인 솔루션 파트너(DSP) 업체로서 파운드리 사업과 팹리스 기업 간의 매개 역할을 하고 있다. 본사는 대한민국 수원에 위치하며, R&D 오피스를 한국과 베트남에, 법인을 미국 산호세와 독일 뮌헨에 두고 있다.

2024.02.27 15:53이나리

삼성전자, 세계 첫 36GB 12단 HBM3E 개발...상반기 양산

삼성전자가 세계 최초로 36GB(기가바이트) 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 12H(12단 적층) D램을 개발했다고 27일 밝혔다. 삼성전자는 12단 HBM3E의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다. 12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8단 적층 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다. 삼성전자는 '어드벤스드 TC NCF' 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다고 설명한다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춤으로써, 업계 최소 칩간 간격인 '7마이크로미터(um)'를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8단 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 특히, 칩과 칩사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 또 삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하면서 동시에 공극(Void)없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력도 선보였다. 삼성전자가 개발에 성공한 12단 HBM3E은 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 활용도가 높을 것으로 보인다. 특히, 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 그래픽처리장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있다. 예를 들어 서버 시스템에 12단 HBM3E를 적용하면 8단 HBM3를 탑재할 때 보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하다. 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.02.27 11:00이나리

손호영 SK하이닉스 부사장 "토털 AI 메모리 프로바이더로 나아갈 것"

"고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요하다. 고객의 어떠한 니즈도 충족할 수 있는 토털 AI 메모리 프로바이더가 되어야할 때다." 27일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 2024년 신임 임원으로 선임된 손호영 어드밴스트(Advanced) PKG개발 담당 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. 손 부사장은 최근 반도체 업계 전체의 뜨거운 관심을 받고 있는 HBM(고대역폭메모리) 개발 과정에서 중요한 역할을 맡고 있다. HBM의 핵심 기술이라 불리는 TSV(실리콘관통전극)와 SK하이닉스 독자 기술인 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)의 도입 초기 단계부터 개발을 이끌어 오며, 회사 AI 메모리 기술 리더십을 공고히 하는 데 큰 역할을 했다. 손 부사장은 "회사 기여도를 떠나 개인적으로 생각하는 가장 큰 성과는 10여 년 전 1세대 HBM을 개발한 것"이라며 "수 많은 시행착오와 실패 속에서도 포기하지 않고, 위기를 전환점으로 삼아 더 나은 방향으로 이끌어 온 덕분에 지금의 5세대 HBM3E와 첨단 패지키 기술을 성공적으로 개발할 수 있었다"고 밝혔다. 또한 손 부사장은 급변하는 AI 시대에서 SK하이닉스의 역할도 점차 변화하고 있다고 말했다. 지금까지의 단순 제품 공급자를 넘어 '토털 AI 메모리 프로바이더(Total AI Memory Provider)'로 자리매김해야 한다는 것이다. 손 부사장은 "고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요해지고 있어 기존 방식을 벗어난 접근법이 필요하다"며 "우리는 이러한 변화에 대응할 수 있는 다양한 첨단 패키지 기술력을 보유해 고객의 어떠한 니즈도 충족할 수 있는 차별화된 솔루션을 제공할 계획"이라고 강조했다. 신임 임원으로서 포부를 묻자, 손 부사장은 구성원들이 창의성을 마음껏 발휘하며 성장하고 발전할 수 있는 환경을 만들고 싶다고 밝혔다. 특히, 학계 및 산업계와의 다양한 교류를 통한 외연 확장의 중요성을 강조했다. 손 부사장은 "당장의 성과도 중요하지만, 장기적인 관점에서 기술력을 확보하는 것이 더욱 중요하다"며 "저 역시 처음 TSV 기술과 HBM을 개발할 때 자유로운 환경에서 학계 등 외부와의 교류를 통해 많은 도움을 받았고, 그것이 저에게 큰 자산이 됐다"고 말했다.

2024.02.27 10:32장경윤

오픈엣지, 올 하반기 LX세미콘향 22나노 메모리IP 양산

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문회사 오픈엣지테크놀로지는 LX세미콘에 제공했던 22나노미터(nm)용 LPDDR4 메모리 표준을 지원하는 PHY(PHY: 물리 계층) IP의 제품 양산을 하반기 실시할 예정이라고 27일 밝혔다. LX세미콘은 디스플레이에 적용되는 DDI(디스플레이구동칩)을 전문으로 개발해 온 국내 주요 팹리스다. 최근 차량 및 가전용 시스템 반도체를 개발하는 등 다양한 신규 사업에 투자해, 사업 범위를 확장하고 있다. 오픈엣지의 22나노 LPDDR4 PHY IP는 LX세미콘의 프리미엄급 시스템반도체에 탑재 및 양산된다. 하나의 시스템반도체에는 수십에서 수백 개 이상의 IP가 사용되며 최소 수십억에서 수백억 원 이상의 비용이 소요된다. 오픈엣지에서 제공하는 메모리 시스템 IP는 인체의 척추와 유사한 역할을 하고 있어, 다른 어떤 IP보다도 높은 신뢰성과 안정성이 요구된다. 이는 핵심 IP의 오류로 전체 칩 동작을 위태롭게 할 수 있기 때문이다. 국내 팹리스 업체들은 고가의 IP 도입 비용과 부족한 기술 지원으로 인해 칩 개발에 어려움을 겪고 있으나, 검증된 IP를 사용할 수밖에 없는 업계 특성상 주로 해외 IP 업체에 의존해 왔다. 오픈엣지의 메모리 시스템 IP는 LX세미콘을 비롯한 국내 시스템반도체 업체에 라이선스되어 생산적이고 건강한 국내 반도체 밸류체인을 구축하는데 크게 기여하고 있다. 오픈엣지가 비교적 짧은 이력에도 불구하고 LX세미콘의 까다로운 IP선정 기준을 충족하고 인정받을 수 있던 이유는 PHY IP의 ▲효율적이고 편리한 적용(integration), ▲펌웨어(firmware)를 통한 유연한 확장성 제공, ▲적극적인 기술 지원 등 차별화된 서비스가 뒷받침되어 서다. 특히 해외IP 대비 우수한 성능을 작은 면적으로 구현하여 원가를 절감하고 프리미엄급 칩을 개발하는데 큰 기여를 한 것으로 평가받고 있다. 박진우 LX세미콘 T-Con 개발 리더는 "오픈엣지의 고성능 PHY IP 덕분에 생산 과정에서 설계 자원을 최소화하고 시스템 성능을 극대화하면서도 효율성을 크게 향상시킬 수 있었다"며 "이는 당사 제품의 경쟁력을 한층 더 강화하는 결과를 가져왔으며, 오픈엣지와의 파트너십을 전략적으로 확대해 나갈 계획"이라고 덧붙였다. 이성현 오픈엣지 대표는 “LX세미콘과의 협력을 통해 메모리 시스템 IP의 기술력을 입증할 수 있어 기쁘게 생각하고, 이번 양산 성공은 기술의 신뢰성과 시장 내 입지를 강화하는 중요한 이정표가 됐다"며 “앞으로도 지속적인 기술 혁신과 새로운 IP 라인업 확대로 국내외 시스템반도체 업체와 다양한 협력관계를 구축해나갈 것”이라고 강조했다. 한편 오픈엣지는 LPDDR4 PHY 외에도 LPDDR5x, GDDR6, HBM3 PHY 기술을 보유하고 있으며 2024년에 확정되는 차세대 메모리 표준인 LPDDR6 개발도 서두르고 있다. 2023년에는 라이센스 매출 건수의 절반 이상이 해외 계약이며 2024년에는 해외 비중을 70~80% 선까지 더욱 끌어올릴 계획이다.

2024.02.27 09:43장경윤

삼성 설비투자 지연에…핵심 자회사 세메스 2년 연속 '부진'

삼성전자의 반도체·디스플레이 장비 전문 자회사 세메스가 2년 연속 매출 및 영업이익이 하락했다. 근 2년간 삼성전자가 설비투자 지연, 인프라 중심의 투자 기조를 이어간 데 따른 영향으로 풀이된다. 22일 업계에 따르면 세메스는 지난해 연 매출액 2조5천21억 원, 순이익 587억 원을 기록했다. 세메스의 지난 해 매출은 전년 대비 13.4% 감소한 수치다. 순이익은 전년 대비 68.4%가량 줄어들어 하락폭이 더 크다. 세메스는 IT 시장 호황으로 반도체 설비투자가 활발하던 지난 2021년, 매출 3조1천280억 원으로 사상 처음 매출 3조원을 뛰어넘었다. 해당 기간 순이익도 2천643억원에 달했다. 그러나 곧바로 다음 해인 2022년에는 매출 2조8천892억 원, 순이익 1천857억 원으로 실적이 하락했다. 삼성전자의 2022년 DS(반도체)부문 설비투자가 47조9천억 원으로 전년(43조6천억 원) 대비 늘었으나, 실제 생산능력 확대를 위한 설비투자가 지연된 것이 주 원인으로 지목된다. 당시 삼성전자는 반도체 산업의 불확실성이 높아지는 추세에 대비하기 위해 '쉘 퍼스트(shell First)' 전략을 가동했다. 쉘 퍼스트는 반도체 인프라 투자에 먼저 집중하고, 이후 시장 상황을 고려해 생산능력을 늘리는 방식이다. 이에 따라 삼성전자 평택 P3 등 주요 생산기지의 설비투자 시기가 지연됐다. 지난해 상반기는 이연된 P3 투자 효과로 실적이 견조했으나, 하반기는 추가적인 매출 성장 요인이 부족했다. 해당 기간 삼성전자의 투자가 미국 테일러 신규 파운드리 팹, 평택 P4를 위한 인프라 투자에 집중된 데 따른 영향으로 풀이된다. 특히 지난해 3분기에는 순손실 421억 원으로 전분기 대비 적자전환하기도 했다. 다만 올해에는 실적 회복을 기대할 수 있는 요소들이 다수 존재한다. 삼성전자는 올해 HBM(고대역폭메모리) 생산능력을 기존 대비 2.5배 확대하기 위한 패키징 투자에 나선다. 또한 최선단 D램의 비중을 늘리기 위한 공정 전환 투자도 진행할 것으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 "삼성전자가 올 상반기 P3에 월 3만장 수준의 신규 투자를 진행하고, 하반기 P4 완공 후 전공정 장비 투자에 집중할 것으로 예상한다"며 "하반기 업황 회복에 따라 P3 전공정 장비의 추가 투자도 가능할 것"이라고 밝혔다. 세메스는 삼성전자의 자회사로, 반도체 및 디스플레이 장비를 전문으로 개발하고 있다. 반도체 분야에서는 식각·포토·세정 등 전공정 관련 장비 소터, 본더 등 후공정 장비를 두루 개발해 왔다.

2024.02.22 14:38장경윤

SEMI "1분기 글로벌 메모리 설비투자 규모 10% 증가 전망"

지난해 부진했던 반도체 설비투자 및 가동률이 올 1분기부터 회복세에 접어들 전망이다. 특히 메모리 설비투자 규모가 1분기 전분기 및 전년동기 대비 각각 9%, 10% 증가할 것으로 관측된다. 21일 SEMI(국제반도체장비재료협회)는 반도체 전문 조사기관인 테크인사이츠와 함께 발행하는 반도체 제조 모니터링 보고서의 최신 자료를 통해 올해 전 세계 반도체 제조산업의 회복세를 예상했다. 전자 제품 판매는 지난해 4분기 전년동기 대비 1% 상승해, 2022년 하반기 이후 처음으로 증가세를 기록한 바 있다. 올해 1분기에도 전년 동기 대비 3%의 증가가 예상된다. 또한 반도체 수요 개선과 재고 정상화가 시작되면서, 지난해 3분기 집적회로(IC) 매출액은 작년 동기 대비 10% 상승했다. 이는 올해 1분기 18% 증가해 더 큰 성장세를 보일 것으로 예상된다. 설비투자액과 팹 가동률은 2023년 하반기에 큰 하락세를 겪은 뒤 올해 1분기부터 점차 회복되기 시작할 것으로 내다봤다. 올해 1분기 메모리 부문 설비투자액은 전분기 대비 9%, 전년동기 대비 10% 증가할 것으로 예상된다. 비메모리 부문은 설비투자액은 전분기 대비 16% 증가할 것으로 전망되나, 전년 동기보다는 낮을 것으로 보인다. 팹 가동률은 지난해 4분기 66%에서, 올 1분기 70%에 달해 소폭 개선될 것으로 전망된다. 한편 팹 생산능력은 지난해 4분기 1.3% 늘었으며, 올 1분기에도 이와 비슷하게 확장될 것으로 기대된다. 지난해 장비 투자액은 예상치를 상회했으나, 장비 구매가 보통 하반기께 진행되면서 올해 상반기의 장비 투자액은 대폭 감소할 것으로 예상된다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터는 "전자 제품과 집적회로(IC)시장은 지난해 부진으로부터 회복되고 있다"며 "지금은 공장 가동률이 낮더라도 올해 점차 개선될 것으로 보인다"고 밝혔다.

2024.02.21 15:43장경윤

삼성·SK, HBM4용 본딩 기술 '저울질'…'제덱' 협의가 관건

오는 2026년 상용화를 앞둔 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 두고 업계의 고심이 깊어지고 있다. HBM4 제조의 핵심인 패키징 공정에 기존 본딩(접합) 기술을 이어갈지, 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용해야 할지 명확한 결론이 나지 않아서다. 메모리 업계는 비용 문제 상 기존 본딩 방식을 고수하자는 기류다. 그러나 그간 고객사가 요구해 온 HBM4의 두께 조건을 충족하기 위해서는, 패키징 축소에 유리한 하이브리드 본딩 도입이 필요하다는 의견이 다수였다. 하지만 메모리 업계가 기존 본딩 방식을 고수할 수 있는 가능성도 충분한 상황이다. 현재 HBM4의 규격을 정하는 표준화기구 '제덱(JEDEC)'에서 HBM4의 패키징 두께 요건을 완화하는 합의가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 21일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스를 비롯한 주요 반도체 기업들은 HBM4의 두께를 이전 세대와 비슷한 720㎛(마이크로미터), 혹은 이보다 두꺼운 775마이크로미터로 정하는 방안을 논의 중이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 월등히 높아 AI 산업의 핵심 요소로 자리잡고 있다. 현재 HBM은 4세대인 HBM3까지 상용화에 이른 상태다. 올해에는 5세대인 HBM3E가, 오는 2026년에는 6세대인 HBM4가 본격 양산될 예정이다. 특히 HBM4는 정보를 주고받는 통로인 입출력단자(I/O)를 이전 세대 대비 2배 많은 2024개로 집적해, 메모리 업계에 또다른 변혁을 불리 일으킬 것으로 기대된다. 적층되는 D램 수도 최대 16개로 이전 세대(12개)보다 4개 많다. ■ HBM4 성능 뛰어나지만…패키징 한계 다다라 문제는 HBM 제조의 핵심인 패키징 기술의 변화다. 기존 HBM은 각 D램에 TSV 통로를 만들고, 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결해주는 구조로 만들어진다. 세부적인 공법은 각 사마다 다르다. 삼성전자는 D램 사이사이에 NCF(비전도성 접착 필름)을 집어넣고 열압착을 가하는 TC 본딩을 활용한다. SK하이닉스는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 채택하고 있다. 다만 HBM4에서는 기존 마이크로 범프를 통한 본딩 적용이 어렵다는 평가가 지배적이었다. D램을 16단으로 더 많이 쌓으면서 발생하는 워피지(휨 현상), 발열 등의 요소들도 있지만, 기존 12단 적층과 같은 720마이크로미터 수준의 높이를 맞춰야 하는 것이 가장 큰 난관으로 꼽힌다. D램을 더 많이 쌓으면서도 높이를 일정하게 유지하려면 각 D램 사이에 위치한 수십㎛ 크기의 마이크로 범프를 제거하는 것이 효과적이다. 각 D램의 표면을 갈아 얇게 만드는 기술(씨닝)도 방법 중 하나지만, 신뢰성을 담보하기가 어렵다. 때문에 업계는 하이브리드 본딩을 대안으로 주목해 왔다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 범프를 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이는 데 유리하다. 삼성전자, SK하이닉스 역시 이 같은 관점에서 공식행사 등을 통해 하이브리드 본딩 기술의 HBM4 적용 계획에 대해 언급한 바 있다. ■ HBM4 본딩 '투트랙' 전략의 배경…기술·비용적 난관 다만 삼성전자, SK하이닉스가 HBM4에 하이브리드 본딩 기술을 100% 적용하려는 것은 아니다. 양사 모두 기존 본딩, 하이브리드 본딩 기술을 동시에 고도화하는 투트랙 전략을 구사 중이다. 이유는 복합적이다. HBM4용 하이브리드 본딩 기술이 아직 고도화되지 않았다는 주장과, 기존 본딩 대비 생산단가가 지나치게 높다는 의견 등이 업계에서 제기되고 있다. 반도체 장비업계 관계자는 "하이브리드 본딩과 관련한 장비, 소재 단에서 일부 제반 기술이 아직 표준도 정해지지 않아 개발이 힘들다"며 "현재 국내 주요 메모리 업체들과 테스트를 진행하고 있으나, HBM4부터 해당 기술이 적용될 가능성이 명확하지 않은 이유"라고 설명했다. 일례로 하이브리드 본딩 공정은 진공 챔버 내에서 D램 칩에 플라즈마를 조사해, 접합부 표면을 활성화시키는 과정을 거친다. 기존 패키징 공정에서는 쓰이지 않던 기술로, 하이브리드 본딩의 난이도를 높이는 데 기인하고 있다. 시장 측면에서는 제조 비용의 증가가 가장 큰 걸림돌이다. 하이브리드 본딩을 양산화하려면 신규 패키징 설비투자를 대규모로 진행해야 하고, 초기 낮은 수율을 잡기 위한 보완투자가 지속돼야 한다. 실제로 국내 한 메모리 제조업체는 최근 진행한 비공개 NDR(기업설명회)에서 "기존 본딩과 하이브리드 방식 모두 개발 중이지만, 하이브리드 본딩은 단가가 너무 비싸다"고 토로하기도 했다. 결과적으로 메모리 제조업체들은 고객사의 요구 조건을 모두 충족한다는 전제 하에, HBM4에서의 하이브리드 본딩 도입을 가능하다면 피하고 싶어하는 입장이다. 한 반도체 업계 관계자는 "고객사가 요구하는 HBM4 높이의 제한(720마이크로미터)이 풀리면, 공급사로서는 굳이 기존 인프라를 버려가면서까지 기술을 바꿀 이유가 없다"며 "사업적인 측면을 고려하면 당연한 수순"이라고 설명했다. ■ HBM4용 본딩 기술의 향방, '제덱' 협의서 갈린다 이와 관련 업계의 시선은 '제덱(JEDEC)'에 쏠리고 있다. 제덱은 반도체 표준 규격을 제정하는 민간표준기구다. HBM4와 관련한 표준도 이 곳에서 논의되고 있다. 현재 제덱에서는 HBM4의 높이를 720마이크로미터와 775마이크로미터 중 하나를 채택하는 방안이 검토되고 있는 것으로 파악됐다. 표준이 775마이크로미터로 정해지는 경우, 기존 본딩 기술로도 충분히 16단 HBM4를 구현 가능하다는 게 업계 전언이다. 해당 표준안을 정하는 주체로는 메모리 공급사는 물론, HBM의 실제 수요처인 팹리스들도 포함돼 있다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 3사는 공급사 입장 상 775마이크로미터를 주장한 것으로 전해진다. 다만 일부 참여 기업이 이견을 제시하면서, 1차 협의는 명확한 결론없이 종료됐다. 현재 업계는 2차 협의를 기다리는 상황이다. 이 협의의 향방에 따라 HBM4를 둘러싼 패키징 생태계의 방향성이 정해질 가능성이 유력하다. 업계 관계자는 "앞으로의 HBM 로드맵을 고려하면 하이브리드 본딩이 중장기적으로 가야할 길이라는 점에는 업계의 이견이 없을 것"이라면서도 "HBM4 자체만 놓고 보면 기존 본딩을 그대로 적용할 수 있는 가능성이 열려 있어, 각 메모리 공급사들이 촉각을 곤두세우는 분위기"라고 밝혔다.

2024.02.21 15:12장경윤

김기태 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM '완판'...이젠 속도전 승부수"

김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장이 "올해 HBM은 이미 완판"됐다며 "2024년이 막 시작되었지만, 우리는 시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. HBM(고대역폭메모리)는 여러 개의 D램 칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 메모리다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)를 거쳐 현재 5세대(HBM3E)까지 개발된 상태다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한다. 김기태 부사장은 21일 SK하이닉스 뉴스룸을 통해 "생성형 AI 서비스의 다변화 및 고도화로 AI 메모리 솔루션인 HBM 수요 역시 폭발적으로 증가했다. 고성능·고용량의 특성을 지닌 HBM은 메모리 반도체가 전체 시스템의 일부에 불과하다는 기존 통념을 뒤흔든 기념비적인 제품"이라며 "특히, SK하이닉스 HBM의 경쟁력은 탁월하다. 높은 기술력으로 글로벌 빅테크 기업에서 앞다퉈 찾고 있다"고 말했다. SK하이닉스는 올해 전사 역량을 결집해 이룬 HBM 1등 타이틀을 사수하고, 더욱 강한 HBM 시장 리더십을 구축하는 것을 목표로 한다"라며 "이를 위해 회사는 김 부사장이 이끄는 HBM Sales & Marketing 조직을 포함해 제품 설계, 소자 연구, 제품 개발 및 양산까지의 모든 부서를 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 김 부사장은 "SK하이닉스는 영업·마케팅 측면에서 AI 시대에 대응할 준비를 꾸준히 해왔다"라며 "고객과의 협력 관계를 미리 구축했고, 시장 형성 상황을 예측했다. 이를 바탕으로 회사가 누구보다 앞서 HBM 양산 기반을 구축하며 제품 개발을 진행해 빠르게 시장을 선점할 수 있었다"고 강조했다. 이어서 그는 "지속적인 시장 우위를 점하기 위해서는 기술 경쟁력은 기본이고, 영업적인 측면에서 TTM(Time To Market: 제품이 구상되고 시장에 나오기까지 걸리는 시간)을 단축하는 것이 관건"이라며 "고객 물량을 선제적으로 확보해서, 좋은 제품을 더 좋은 조건에 판매할 수 있도록 협상하는 것이 반도체 영업의 기본이다"고 말했다. 그는 대외적으로 불안정한 요소들이 아직 남았지만, 올해 메모리 반도체 업황 상승세가 시작되었다고 진단했다. 글로벌 빅테크 고객들의 제품 수요가 회복되고 있으며, PC나 스마트폰 등 자체 AI를 탑재한 온디바이스(On-Device) 등 AI의 활용 영역이 넓어짐에 따라 HBM3E뿐만 아니라 DDR5, LPDDR5T 등 제품 수요까지 커질 것으로 기대했다.

2024.02.21 10:56이나리

곽노정 SK하이닉스 사장 "연내 美 반도체 팹 부지 선정 후 보조금 신청"

SK하이닉스가 미국 반도체 패키징 팹(공장) 건설을 확정하고 부지를 선정하고 있는 가운데 곽노정 SK하이닉스 사장은 "최선을 다하겠다"는 입장이다. 연내에 확정 가능성을 열어둔 답변이었다. SK하이닉스는 미국 첨단 패키징 공장에 150억 달러(약 20조원) 투자한다는 계획을 2022년에 발표한 바 있다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 19일 경기도 성남시에 위치한 더블트리 바이 힐튼 호텔에서 열린 '한국반도체산업협회 정기총회' 후 취재진을 만나 이같이 밝혔다. 곽 사장은 '반도체 팹 부지가 인디애나인지, 올해 안에 결정될 수 있느냐'는 질문에 "부지 선정은 여러가지 측면을 고려해 계속 신중하게 검토 중"이라며 "(인디애나주는) 코멘트하기 어렵고, 미국 안 전체 주가 후보다. 최선을 다하겠다"며 대답을 아꼈다. 또 '삼성은 보조금 못 받는게 고민 같은데 그 부분은 어떻게 고민하고 있나'라는 질문에 곽 사장은 "부지 선정이 되면 보조금을 신청할 계획이고, 제가 알기론 매뉴팩처링(제조)과 패키징(후공정)이 다른 사안이라서 저희 상황에 맞게끔 이야기하겠다"라고 덧붙였다. 앞서 영국 파이낸셜타임스(FT)는 지난 1일(현지시간) SK하이닉스가 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도한 바 있다. 당시 FT는 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라며 "SK하이닉스의 인디애나주 패키징 공장은 엔비디아의 GPU와 통합하는 HBM 칩을 만들기 위해 D램을 적층하는데 특화된 시설이다"고 설명했다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 미국 엔비디아의 GPU 등에 사용된다. 미국 정부는 자국 내 반도체 제조업을 육성하기 위해 5년간 총 527억 달러를 지원하는 2022년 반도체법을 제정했다. 이에 따라 인텔, TSMC, 삼성전자 등은 미국에 신규 팹을 건설하고 반도체 보조금 지원금 발표를 기다리는 상황이다. 미국 정부는 패키징 부분에는 30억 달러의 지원금을 할당했다. SK하이닉스는 최근 낸드 시황 악화로 키옥시아와 웨스턴디지털이 합병을 재개하고 있다는 소식과 관련해서 여전히 "동의하지 않는다"는 입장이다. 지난해 양사는 합병을 시도했지만, SK하이닉스 등의 반대로 무산된 바 있다. 곽 사장은 "(작년 10월 밝힌 입장)과 변화가 없다"라며 "투자자 입장으로써 자산가치를 보호할 의무가 있다"고 강조하며 "SK하이닉스와 키옥시아가 상호 윈윈(Win-Win)하기 위해 협력할 좋은 방안이 있다면 언제든지 같이 고민해 볼 수 있다"고 말했다. 키옥시아와 웨스턴디지털의 합병에는 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스 동의가 필요하다. SK하이닉스는 2018년 베인캐피털이 주도하는 한미일 연합 특수목적법인(BCPE Pangea Intermediate Holdings Cayman)를 통해 키오시아홀딩스에 약 4조원을 투자해 지분 15%가량을 확보했다. 그 밖에 ASML의 첨단 극자외선(EUV) 장비 '하이 NA(High NA)' 반입 시기에 관련된 질문에 곽 사장은 "EUV 장비를 필요한 시점에 적기에 도입했듯이, 하이 NA 장비가 필요한 시점에 온타임(ontime)에 들여오려고 준비하고 있다"라며 "ASML과 계약은 통상적인 과정을 따른다"고 답했다. ASML은 지난해 12월 인텔에 처음으로 하이 NA EUV 장비를 공급했으며, 대량 양산은 2025~2026년을 목표로 하고 있다. 하이 NA EUV 장비(트윈스EXE:5000)는 2나노 이하의 공정에서 반드시 필요한 장비다. SK하이닉스 또한 ASML에 해당 장비를 주문한 것으로 알려져 있다. 또 '청주 M15X 공사 재개 시점과 낸드 외에 고대역폭메모리(HBM) 생산할 수 있을 여부에 대한 질문에 곽 사장은 "시황하고 고객 상황 보고 결정해야 해서 지금은 정해진 것이 없고, 예의주시하면서 신중하게 검토하고 있다"며 "M15 팹에 TSV(실리콘관통전극) 공정 일부를 넣기도 했듯이, 그런 관점에서 유연하게 대응하겠다"며 말을 아꼈다.

2024.02.19 15:31이나리

美 AMAT, 1분기 매출 67.1억 달러…예상치 상회

미국 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 지난달 28일 마감한 회계연도 2024년 1분기 실적 발표를 통해 글로벌 매출은 미국 회계기준으로 67억1천만 달러, 매출총이익률 47.8%를 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년동기와 비슷한 수준이나, 증권가 컨센서스인 64억8천만 달러를 상회했다. 영업이익과 영업이익률은 각각 19억7천만 달러와 29.3%였으며, 주당순이익(EPS)은 2.41달러를 기록했다. 비일반회계기준(Non-GAAP)으로는 ▲매출총이익률 47.9% ▲영업이익 19억8천만 달러 ▲영업이익률 29.5% ▲주당순이익 2.13달러를 기록했다. 어플라이드 머티어리얼즈는 영업활동으로부터 23억3천만 달러 현금을 확보했으며, 7억 달러의 자사주 매입과 2억6천600만 달러의 배당금을 포함해 총 9억6천600만 달러를 주주에게 환원했다. 게리 디커슨 어플라이드머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 "어플라이드는 회계연도 2024 년 1분기 견고한 실적과 함께 5년 연속 업계 평균보다 높은 성과를 달성했다”며 “주요 반도체 분야에서 선도적 위치를 점한 어플라이드는 고객이 향후 몇 년 동안 AI와 사물인터넷(IoT)에 중요한 차세대 칩 기술을 강화하고 지속적인 성과를 낼 수 있도록 지원할 것”이라고 밝혔다. 어플라이드머티어리얼즈는 2분기 실적에 대해서도 긍정적인 전망을 드러냈다. 회사가 제시한 해당 분기 매출 예상치는 61억~69억 달러로, 평균치는 65억 달러다. 이는 증권가 컨센서스인 59억2천만 달러를 크게 앞서는 수치다.

2024.02.16 14:37장경윤

ISC, 작년 매출 1천402억 원…4분기 흑자 전환 성공

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 2023년 연간 매출액이 1천402억 원, 영업이익은 107억 원(영업이익률 8%)을 기록했다고 15일 밝혔다. 해당 실적은 전년 대비 매출액은 21.6%, 영업이익은 80.8% 감소한 수치다. 2023년 4분기 매출액은 250억 원으로 전분기 대비 감소했으나, 영업이익은 25억 원(영업이익률 10%)으로 흑자 전환했다. AI 반도체 및 비메모리 반도체용 제품 매출 상승이 핵심 요인으로 작용했다. 비수기 시즌임에도 전체 매출의 약 80%가 비메모리 부문에서 발생했으며, 그중 AI 스마트폰의 AP 반도체, 주력 제품군인 데이터센터용 AI 서버 CPU·GPU·NPU 소켓이 좋은 성과를 거뒀다는 것이 ISC의 설명이다. 한편 메모리 부문에서는 글로벌 고객사의 생산량 감소 및 단가 인하 압박으로 어려움을 겪고 있으나, ISC가 메모리 분야 빅3 고객사 내 가장 높은 점유율을 유지하고 있어 메모리 업황 개선 시 큰 혜택을 볼 것으로 ISC는 전망했다. 또한 주력 제품군인 실리콘 러버 소켓이 전체 매출의 80%를 차지하는 가운데, ISC가 북미 지역을 중심으로 한 해외시장에서 꾸준한 성과를 거뒀으며 온디바이스 AI, AI 서버 등 고마진 하이엔드 반도체 제품 중심으로 매출이 발생해 24년 높은 성장을 전망하게 한다고 강조했다. ISC는 관계자는 “2024년은 회사의 밸류에이션을 높여 주주가치를 증진시키는 'ISC 2.0' 프로젝트의 시작”이라며 “주력사업 외에도 반도체 포트폴리오를 확장해 사상 최대 실적, 반도체 테스트 소켓 시장 점유율 1위를 달성할 것”이라고 강조했다.

2024.02.15 09:30장경윤

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다. 이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(실리콘관통전극) 공정으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커진다. 16단은 12단과 동일한 높이에 더 많은 D램 다이를 적층해야 하기 때문에 D램 두께를 얇게 만드는 혁신 기술이 요구된다. 또 D램 칩을 붙이는 과정에서 압력이 가해져 생기는 웨이퍼의 휨 (Warpage) 현상도 방지해야 한다. SK하이닉스는 이런 기술적 난제를 극복하기 위해 3세대 HBM 제품인 HBM2E부터 신공정인 MR-MUF 기술을 적용했고, 지난해 양산에 들어간 12단 HBM3부터는 어드밴스드 MR-MUF(F(Mass Reflow Molded Underfill)를 적용해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들어 열방출 성능을 개선했다. SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E는 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다. 다만, 향후 16단 HBM4에는 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용할 것으로 보인다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난달 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 반도체인 HBM4(D램 16단 적층)와 400단 이상 낸드에 하이브리드 본딩을 활용해 상용화한다는 계획을 언급한 바 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 기판의 연결 통로인 범프(가교)를 없애고 구리(Cu)로 직접 연결하는 차세대 본딩 기술이다. 이 기술을 사용하면 기존 방식 대비 입·출력(I·O) 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 데이터처리 속도가 빨라진다. 한편, SK하이닉스는 올해 HBM에 투자를 아끼지 않는다는 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 AI 수요 확대에 힘입어 HBM 시장은 앞으로 5년간 연평균 최소 40% 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 2022년 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했고 올해는 SK하이닉스와 삼성전자 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록한다고 내다봤다.

2024.02.14 10:06이나리

"홍보용 저가 USB에 중요한 파일 저장하지 마세요"

각종 행사장이나 입시 설명회에 참석하면 종종 USB 메모리에 관련 자료를 담아 나눠주는 것을 볼 수 있다. 이렇게 하나 둘 쌓인 USB 메모리에 무심코 중요한 자료를 담아 다니거나 다른 사람에게 다시 나눠주기도 한다. 그러나 사무실 책상 위나 서랍 속에 한두 개쯤 굴러 다니기 마련인 USB 메모리는 얼마나 안전할까. 경우에 따라서는 우리가 생각하는 것처럼 믿을만 한 장치가 아닐지도 모른다. 독일 데이터 복구 업체 'CBL테크'는 최근 "USB 메모리 핵심 부품인 낸드 플래시 메모리 품질이 계속 떨어지고 있으며 이들 저장장치의 신뢰성을 과신해서는 안된다"고 주의를 당부했다. ■ "불량 제품에서 출처 불명 SD카드·재생 낸드 확인" CBL테크에 따르면, 낸드 플래시 메모리를 직접 생산하는 업체가 아닌 다른 업체가 생산해 판촉용품이나 경품으로 공급하는 USB 메모리의 품질 저하가 두드러지는 경향을 보였다. 데이터 복구를 위해 접수된 USB 메모리 제품 중 하나는 샌디스크(키오시아)가 만든 것으로 보이는 16GB 낸드 플래시 메모리를 탑재했다. 그러나 제조사 로고를 알아볼 수 없도록 지운 상태였다. CBL테크는 "삼성전자나 SK하이닉스, 샌디스크(키오시아) 등 주요 낸드 플래시 메모리 생산 업체가 품질 문제로 폐기한 제품이 시장에 나오고 있다"고 설명했다. 또 다른 제품은 제조사 표시도 없는 마이크로SD카드를 허술하게 기판에 붙인 상태로 공급됐다. USB 메모리를 떨어뜨리거나 충격을 주면 접점이 떨어져 PC에서 인식이 불가능하다. 이들 제품은 모두 복구에 실패했다. ■ "원가 절감 위한 QLC 낸드도 내구성 낮춰" 최근 보급형·대용량 SSD에 점점 더 널리 쓰이기 시작한 QLC(4비트) 낸드 플래시도 USB 메모리의 수명을 줄이는 주범 중 하나다. QLC 플래시 메모리는 한 셀당 4비트 정보를 기록할 수 있다. 기존 TLC(3비트) 낸드 플래시 대비 더 적은 부품으로 같은 용량을 구성할 수 있고 원가 절감에 도움을 준다. 그러나 작동 특성 때문에 내구성도 떨어진다는 것이 단점이다. CBL테크는 "QLC 낸드 플래시는 셀당 4비트를 저장하기 위해 총 16개 상태를 전압으로 구별해야 한다. 파일을 자주 읽고 쓸 수록 전압 레벨을 유지할 수 있는 내구성, 낸드 플래시 안에 전하를 담아 두는 유지 능력이 떨어진다"고 지적했다. ■ USB 메모리 안 파일도 주기적 백업 필요 CBL테크는 "홍보용 USB 메모리는 보존성 면에서 절대 적합한 저장장치가 아니다. 부피가 지나치게 작은 제품도 작동 과정에서 발생하는 열을 제대로 내보낼 수 없다"고 조언했다. USB 메모리에는 가능한 한 잃어버려도 피해가 크지 않은 파일만 남겨두는 것이 좋다. 예를 들어 클라우드 서비스나 다른 저장장치에 백업 없이 학위 논문이나 아이들 사진을 장기간 보관했다 잃어버리면 큰 피해를 볼 수 밖에 없다. 저장장치 관련 업체나 데이터 복구 업체가 추천하는 '3-2-1 규칙'을 실천하는 것도 좋은 방법이다. '3-2-1 규칙'의 핵심은 원본과 사본을 포함해 총 세 벌의 데이터를(3) 서로 다른 두 개의(2) 매체나 저장장치에 백업하며, 그 중 한 개(1) 사본은 인터넷 등 네트워크에 연결되지 않은 곳에 백업하라는 것이다.

2024.02.12 10:11권봉석

김주선 SK하이닉스 사장 "AI 인프라로 첨단 메모리 'No.1' 공략"

"AI 중심의 시장 환경에서는 관성을 벗어난 혁신을 추구해야 한다. 앞으로 AI 인프라 조직이 SK하이닉스가 세계 1위 AI 메모리 공급사로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 할 수 있게 최선을 다하겠다." 7일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 'AI 인프라'를 담당하는 김주선 사장과의 인터뷰를 게재했다. 33년간의 현장 경험을 바탕으로 올해 사장으로 승진한 김주선 사장은 SK하이닉스의 신설 조직인 'AI 인프라'의 수장을 맡고 있다. AI 인프라 산하의 GSM(글로벌세일즈&마케팅) 담당도 겸하고 있다. AI 인프라는 AI 기반의 산업 및 서비스를 구축, 테스트, 학습, 배치하기 위해 필요한 하드웨어와 소프트웨어 전반 요소를 뜻한다. SK하이닉스는 AI 인프라 시장의 리더십을 확대하고자 올해 해당 조직을 구성했다. 산하로는 글로벌 사업을 담당하는 GSM, HBM(고대역폭메모리) 사업 중심의 HBM비즈니스, HBM 이후의 미래 제품·시장을 탐색하는 MSR(메모리시스템리서치) 조직이 있다. 이를 기반으로 AI 인프라는 고객별 요구에 맞춰 차별화한 스페셜티(Specialty) 제품을 적기에 공급하고, 거대언어모델(LLM)을 분석해 최적의 메모리를 개발하며, 커스텀 HBM의 콘셉트를 구체화해 차세대 메모리 솔루션을 제안하는 등의 업무를 추진한다. 김주선 사장은 "AI 중심으로 시장이 급격히 변하는 환경에서 기존처럼 일하면 아무것도 이룰 수 없다"며 "관성을 벗어난 혁신을 바탕으로 효율적으로 업무 구조를 재구성하고, 고객의 니즈와 페인 포인트(Pain Point)를 명확히 파악한다면 AI 시장을 우리에게 더 유리한 방향으로 끌고 갈 수 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 김주선 사장은 지난 수 년간 GSM 조직을 이끌며 다양한 성과를 거뒀다. 시장 예측 툴 MMI(Memory Market Index)를 개발하고, HBM 수요에 기민하게 대응해 AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지를 확고하게 다진 점이 대표적인 사례로 꼽힌다. 김주선 사장은 "MMI 툴을 통해 6개월 이상 앞선 정보를 확보할 수 있었고, HBM 수요에도 적기에 대응할 수 있었다"며 "“AI 시장에서 영향력 있는 기업들과 우호적인 관계를 형성해 놓은 것도 HBM 시장 점유율 1위를 확보할 수 있었던 주요 원인"이라고 설명했다. SK하이닉스의 AI 리더십을 굳히기 위한 강한 의지도 드러냈다. 김주선 사장은 "앞으로도 'AI 메모리는 SK하이닉스'라는 명제에 누구도 의문을 품지 않도록 소통과 파트너십을 강화해 제품의 가치를 극대화하겠다"며 "아울러 SK하이닉스가 글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 하는 조직을 만들겠다"고 강조했다.

2024.02.07 10:18장경윤

"올해 서버 내 D램 용량 17.3% 증가"…AI 덕분

AI 서버 업계의 활발한 투자가 고성능 메모리에 대한 수요를 촉진하고 있다. 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율이 스마트폰, 노트북 등 타 IT 산업을 크게 앞설 것이라는 전망이 나왔다. 5일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 17.3%에 달할 것으로 예상된다. 현재 AI 서버 업계는 엔비디아·AMD 등 주요 팹리스의 최첨단 AI 가속기 확보에 열을 올리고 있다. 동시에 고용량·고효율 데이터 처리를 뒷받침해 줄 고성능 메모리에 대한 수요도 함께 증가하는 추세다. 이에 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 올해 17.3%를 기록할 전망이다. 전년 증가율(13.6%) 대비 3.7%p 상승한 수치로, 다른 IT 산업과 비교하면 가장 증가율이 높다. 스마트폰 및 노트북 분야의 올해 기기당 D램 용량 증가율은 각각 14.1%, 12.4%로 관측된다. 트렌드포스는 "지난해에 이어 올해에도 IT 산업이 AI에 초점을 맞추면서, 서버 부문 내 D램이 가장 큰 성장을 이룰 것"이라며 "아직 AI 기능 도입이 부족한 스마트폰과 PC의 경우 2025년부터 성장이 본격화될 것으로 보인다"고 설명했다. 낸드플래시 역시 AI 산업의 발달에 따라 고용량화를 지속하고 있다. 올해 기기당 SSD 용량 증가율은 서버가 13.2%로 가장 높으며, 스마트폰과 노트북은 각각 9.3%, 9.7% 수준일 것으로 예상된다.

2024.02.06 10:04장경윤

獨 머크 "AI 반도체가 향후 10년간 성장동력 …삼성·하이닉스 적극 지원"

독일 머크가 삼성전자 등 국내 반도체 공급망과 기술력 강화를 위한 협업에 적극 나서겠다는 의지를 드러냈다. 머크는 반도체 및 디스플레이 제조용 화학·가스 소재에 강점을 둔 기업으로, 오는 2025년까지 국내에 6억 유로(한화 약 8천600억원)를 투자할 계획이다. 2일 머크는 서울 강남 소재의 신라스테이 호텔에서 반도체 비즈니스 간담회를 열고 회사의 한국 사업 및 투자 전략에 대해 발표했다. 이날 행사는 반도체 소재, 특수가스, 박막필름, 디지털 솔루션 등 머크의 주요 사업 현황과 한국에서의 투자 전략 등을 발표하고자 마련됐다. 김우규 머크코리아 대표, 아난드 남비어 머크 수석부사장을 비롯해 각 사업부의 주요 임원이 참석했다. 머크는 국내 반도체 주요 고객사와의 협업을 위한 투자를 적극 진행할 예정이다. 머크는 전자산업부 역량 강화를 위해 오는 2025년까지 전 세계적으로 총 60억 유로를 투자하기로 한 바 있다. 이 중 6억 유로가 국내 투자에 활용된다. 최첨단 반도체 제조에 쓰이는 High-K(고유전율) 전구체 분야의 기술력을 보유한 국내 소재업체 엠케미칼을 지난해 1월 인수 발표한 것이 대표적인 사례다. 또한 머크는 국내에 첨단 반도체 기술력 강화를 위한 R&D(연구개발) 센터를 설립을 추진하고 있다. 머크가 이처럼 반도체 산업에 적극 투자하는 이유는 시장의 성장성에 있다. 아난드 남비어 수석부사장은 "반도체 시장이 현재 5천억 달러 수준에서 향후 7~10년 뒤에는 1조 달러를 기록할 것"이라며 "전세계 여러 거점에서 반도체 공정 전반에 필요한 소재, 장비를 공급할 수 있는 체계를 갖춘 것이 머크의 강점"이라고 설명했다. 김우규 대표는 "한국 반도체 산업은 메모리 산업의 최강국으로, 주요 기업 2곳이 수십년간 리더십을 유지해왔다"며 "앞으로도 머크는 주요 시장인 한국 고객사의 활발한 투자에 발맞출 수 있도록 노력할 것"이라고 밝혔다. 국내 주요 고객사 중 한 곳인 삼성전자와의 협력 강화 의지도 드러냈다. 아난드 남비어 수석부사장은 "지난달 열린 CES 행사에서 경계현 삼성전자 대표가 직접 머크 부스를 방문해 AI 산업 발달에 따른 반도체 시장의 기회를 논했다"며 "AI 어플리케이션이 반도체 업계에 향후 10년간 성장동력이 될 것이기 때문에, 삼성전자의 공급망 강화에 적극 지원할 것"이라고 말했다.

2024.02.02 13:43장경윤

"삼성, 올해도 TSMC 제치고 설비투자 규모 1위 전망"

"삼성전자는 올해 333억 달러의 설비투자로 모든 종합반도체기업 및 파운드리 중에서 1위를 기록할 것으로 전망된다. 지난 2010년부터 1위를 유지하고 있는 것으로, 매우 고무적인 일이다." 31일 안드레아 라티 테크인사이츠 디렉터는 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기자간담회에서 전 세계 반도체 설비투자 현황에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 소재의 반도체 전문 시장조사기관이다. 테크인사이츠는 올해 반도체 시장 규모가 6천370억 달러로 전년 대비 15% 성장할 것으로 내다봤다. 분야 별로는 D램, 낸드 등 메모리반도체의 성장이 가장 두드러질 전망이다. D램은 올해 770억 달러로 전년 대비 50%, 낸드는 520억 달러로 전년 대비 32%의 성장세가 예상된다. 로직, 차량용 반도체 등이 10%대로 성장하는 것에 비해 가파르다. 올해 전 세계 반도체 기업들의 설비투자 규모는 전년 대비 2% 증가한 1천587억 달러를 기록할 것으로 추산된다. 지난해 투자 규모는 반도체 시장 및 거시경제 악화로 전년 대비 9% 감소한 바 있다. 기업별로는 삼성전자가 지난해에 이어 올해에도 가장 큰 규모의 투자를 진행할 것으로 분석된다. 삼성전자의 투자 규모는 지난해 347억 달러, 올해 333억 달러로 추산된다. 2위 TSMC는 올해 305억 달러, 내년 300억 달러를 투자할 전망이다. 안드레아 라티 디렉터는 "삼성전자는 지난 10년간 가장 많은 반도체 설비투자를 집행해 왔다는 점에서 고무적"이라며 "상위 5개 기업(삼성전자, TSMC, 인텔, SMIC, SK하이닉스)가 전체 투자의 3분의 2를 차지하고 있다"고 밝혔다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터도 주요 기업들의 활발한 설비투자로 반도체 장비 시장이 견조한 성장세를 보일 것으로 예상했다. 클락 청 디렉터는 "세계 반도체 장비 매출액은 지난해 1천9억 달러에서 올해 1천53억 달러로, 내년에는 1천241억 달러로 성장할 것"이라며 "세계 각국의 공급망 강화 전략 및 인센티브 정책 등으로 중장기적인 성장세가 예견된다"고 설명했다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 이번 행사는 글로벌 반도체 산업 관계자들이 한 자리에 모여 첨단 반도체 기술 및 시장 현황에 대해 짚고자 마련됐다. 올해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 반도체 제조기업과 소부장 기업들이 500여곳이 참여했다.

2024.01.31 16:43장경윤

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

  Prev 21 22 23 24 25 26 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

[ZD브리핑] 美 반도체 관세 여부 주목…23일부터 한일 정상회담

곽노정 사장 "존폐 위기 하이닉스, SK 만나 시총 200조원 달성"

SW 수출 '기회의 땅' 베트남…AI·인력·데이터센터 협력 확산

'GPT-5' 황당 답변, 인력 유출 때문?…'위기' 오픈AI, 특단 대책 마련 급급

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.