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곽노정 SK하이닉스 사장 "연내 美 반도체 팹 부지 선정 후 보조금 신청"

SK하이닉스가 미국 반도체 패키징 팹(공장) 건설을 확정하고 부지를 선정하고 있는 가운데 곽노정 SK하이닉스 사장은 "최선을 다하겠다"는 입장이다. 연내에 확정 가능성을 열어둔 답변이었다. SK하이닉스는 미국 첨단 패키징 공장에 150억 달러(약 20조원) 투자한다는 계획을 2022년에 발표한 바 있다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 19일 경기도 성남시에 위치한 더블트리 바이 힐튼 호텔에서 열린 '한국반도체산업협회 정기총회' 후 취재진을 만나 이같이 밝혔다. 곽 사장은 '반도체 팹 부지가 인디애나인지, 올해 안에 결정될 수 있느냐'는 질문에 "부지 선정은 여러가지 측면을 고려해 계속 신중하게 검토 중"이라며 "(인디애나주는) 코멘트하기 어렵고, 미국 안 전체 주가 후보다. 최선을 다하겠다"며 대답을 아꼈다. 또 '삼성은 보조금 못 받는게 고민 같은데 그 부분은 어떻게 고민하고 있나'라는 질문에 곽 사장은 "부지 선정이 되면 보조금을 신청할 계획이고, 제가 알기론 매뉴팩처링(제조)과 패키징(후공정)이 다른 사안이라서 저희 상황에 맞게끔 이야기하겠다"라고 덧붙였다. 앞서 영국 파이낸셜타임스(FT)는 지난 1일(현지시간) SK하이닉스가 미국 인디애나주에 반도체 패키징 공장을 건설할 계획이라고 보도한 바 있다. 당시 FT는 "TSMC가 애리조나에 이미 2개의 첨단 제조 공장(파운드리)을 건설하고 있는 상황에서 SK하이닉스의 인디애나 공장 신설로 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU) 생산을 지원하는 데 한 걸음 가까워질 것"이라며 "SK하이닉스의 인디애나주 패키징 공장은 엔비디아의 GPU와 통합하는 HBM 칩을 만들기 위해 D램을 적층하는데 특화된 시설이다"고 설명했다. SK하이닉스가 생산한 HBM은 미국 엔비디아의 GPU 등에 사용된다. 미국 정부는 자국 내 반도체 제조업을 육성하기 위해 5년간 총 527억 달러를 지원하는 2022년 반도체법을 제정했다. 이에 따라 인텔, TSMC, 삼성전자 등은 미국에 신규 팹을 건설하고 반도체 보조금 지원금 발표를 기다리는 상황이다. 미국 정부는 패키징 부분에는 30억 달러의 지원금을 할당했다. SK하이닉스는 최근 낸드 시황 악화로 키옥시아와 웨스턴디지털이 합병을 재개하고 있다는 소식과 관련해서 여전히 "동의하지 않는다"는 입장이다. 지난해 양사는 합병을 시도했지만, SK하이닉스 등의 반대로 무산된 바 있다. 곽 사장은 "(작년 10월 밝힌 입장)과 변화가 없다"라며 "투자자 입장으로써 자산가치를 보호할 의무가 있다"고 강조하며 "SK하이닉스와 키옥시아가 상호 윈윈(Win-Win)하기 위해 협력할 좋은 방안이 있다면 언제든지 같이 고민해 볼 수 있다"고 말했다. 키옥시아와 웨스턴디지털의 합병에는 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스 동의가 필요하다. SK하이닉스는 2018년 베인캐피털이 주도하는 한미일 연합 특수목적법인(BCPE Pangea Intermediate Holdings Cayman)를 통해 키오시아홀딩스에 약 4조원을 투자해 지분 15%가량을 확보했다. 그 밖에 ASML의 첨단 극자외선(EUV) 장비 '하이 NA(High NA)' 반입 시기에 관련된 질문에 곽 사장은 "EUV 장비를 필요한 시점에 적기에 도입했듯이, 하이 NA 장비가 필요한 시점에 온타임(ontime)에 들여오려고 준비하고 있다"라며 "ASML과 계약은 통상적인 과정을 따른다"고 답했다. ASML은 지난해 12월 인텔에 처음으로 하이 NA EUV 장비를 공급했으며, 대량 양산은 2025~2026년을 목표로 하고 있다. 하이 NA EUV 장비(트윈스EXE:5000)는 2나노 이하의 공정에서 반드시 필요한 장비다. SK하이닉스 또한 ASML에 해당 장비를 주문한 것으로 알려져 있다. 또 '청주 M15X 공사 재개 시점과 낸드 외에 고대역폭메모리(HBM) 생산할 수 있을 여부에 대한 질문에 곽 사장은 "시황하고 고객 상황 보고 결정해야 해서 지금은 정해진 것이 없고, 예의주시하면서 신중하게 검토하고 있다"며 "M15 팹에 TSV(실리콘관통전극) 공정 일부를 넣기도 했듯이, 그런 관점에서 유연하게 대응하겠다"며 말을 아꼈다.

2024.02.19 15:31이나리

美 AMAT, 1분기 매출 67.1억 달러…예상치 상회

미국 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 지난달 28일 마감한 회계연도 2024년 1분기 실적 발표를 통해 글로벌 매출은 미국 회계기준으로 67억1천만 달러, 매출총이익률 47.8%를 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년동기와 비슷한 수준이나, 증권가 컨센서스인 64억8천만 달러를 상회했다. 영업이익과 영업이익률은 각각 19억7천만 달러와 29.3%였으며, 주당순이익(EPS)은 2.41달러를 기록했다. 비일반회계기준(Non-GAAP)으로는 ▲매출총이익률 47.9% ▲영업이익 19억8천만 달러 ▲영업이익률 29.5% ▲주당순이익 2.13달러를 기록했다. 어플라이드 머티어리얼즈는 영업활동으로부터 23억3천만 달러 현금을 확보했으며, 7억 달러의 자사주 매입과 2억6천600만 달러의 배당금을 포함해 총 9억6천600만 달러를 주주에게 환원했다. 게리 디커슨 어플라이드머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 "어플라이드는 회계연도 2024 년 1분기 견고한 실적과 함께 5년 연속 업계 평균보다 높은 성과를 달성했다”며 “주요 반도체 분야에서 선도적 위치를 점한 어플라이드는 고객이 향후 몇 년 동안 AI와 사물인터넷(IoT)에 중요한 차세대 칩 기술을 강화하고 지속적인 성과를 낼 수 있도록 지원할 것”이라고 밝혔다. 어플라이드머티어리얼즈는 2분기 실적에 대해서도 긍정적인 전망을 드러냈다. 회사가 제시한 해당 분기 매출 예상치는 61억~69억 달러로, 평균치는 65억 달러다. 이는 증권가 컨센서스인 59억2천만 달러를 크게 앞서는 수치다.

2024.02.16 14:37장경윤

ISC, 작년 매출 1천402억 원…4분기 흑자 전환 성공

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 2023년 연간 매출액이 1천402억 원, 영업이익은 107억 원(영업이익률 8%)을 기록했다고 15일 밝혔다. 해당 실적은 전년 대비 매출액은 21.6%, 영업이익은 80.8% 감소한 수치다. 2023년 4분기 매출액은 250억 원으로 전분기 대비 감소했으나, 영업이익은 25억 원(영업이익률 10%)으로 흑자 전환했다. AI 반도체 및 비메모리 반도체용 제품 매출 상승이 핵심 요인으로 작용했다. 비수기 시즌임에도 전체 매출의 약 80%가 비메모리 부문에서 발생했으며, 그중 AI 스마트폰의 AP 반도체, 주력 제품군인 데이터센터용 AI 서버 CPU·GPU·NPU 소켓이 좋은 성과를 거뒀다는 것이 ISC의 설명이다. 한편 메모리 부문에서는 글로벌 고객사의 생산량 감소 및 단가 인하 압박으로 어려움을 겪고 있으나, ISC가 메모리 분야 빅3 고객사 내 가장 높은 점유율을 유지하고 있어 메모리 업황 개선 시 큰 혜택을 볼 것으로 ISC는 전망했다. 또한 주력 제품군인 실리콘 러버 소켓이 전체 매출의 80%를 차지하는 가운데, ISC가 북미 지역을 중심으로 한 해외시장에서 꾸준한 성과를 거뒀으며 온디바이스 AI, AI 서버 등 고마진 하이엔드 반도체 제품 중심으로 매출이 발생해 24년 높은 성장을 전망하게 한다고 강조했다. ISC는 관계자는 “2024년은 회사의 밸류에이션을 높여 주주가치를 증진시키는 'ISC 2.0' 프로젝트의 시작”이라며 “주력사업 외에도 반도체 포트폴리오를 확장해 사상 최대 실적, 반도체 테스트 소켓 시장 점유율 1위를 달성할 것”이라고 강조했다.

2024.02.15 09:30장경윤

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다. 이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다. HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(실리콘관통전극) 공정으로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 제품이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 커진다. 16단은 12단과 동일한 높이에 더 많은 D램 다이를 적층해야 하기 때문에 D램 두께를 얇게 만드는 혁신 기술이 요구된다. 또 D램 칩을 붙이는 과정에서 압력이 가해져 생기는 웨이퍼의 휨 (Warpage) 현상도 방지해야 한다. SK하이닉스는 이런 기술적 난제를 극복하기 위해 3세대 HBM 제품인 HBM2E부터 신공정인 MR-MUF 기술을 적용했고, 지난해 양산에 들어간 12단 HBM3부터는 어드밴스드 MR-MUF(F(Mass Reflow Molded Underfill)를 적용해, 더 작은 크기로 고용량 패키지를 만들어 열방출 성능을 개선했다. SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E는 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다. 다만, 향후 16단 HBM4에는 새로운 하이브리드 본딩 기술을 적용할 것으로 보인다. 앞서 김춘환 SK하이닉스 부사장은 지난달 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 반도체인 HBM4(D램 16단 적층)와 400단 이상 낸드에 하이브리드 본딩을 활용해 상용화한다는 계획을 언급한 바 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 기판의 연결 통로인 범프(가교)를 없애고 구리(Cu)로 직접 연결하는 차세대 본딩 기술이다. 이 기술을 사용하면 기존 방식 대비 입·출력(I·O) 수를 획기적으로 늘릴 수 있어 데이터처리 속도가 빨라진다. 한편, SK하이닉스는 올해 HBM에 투자를 아끼지 않는다는 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 AI 수요 확대에 힘입어 HBM 시장은 앞으로 5년간 연평균 최소 40% 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 2022년 글로벌 HBM 시장점유율은 SK하이닉스가 50%로 1위를, 2위는 삼성전자(40%), 3위는 마이크론(10%)이 차지했고 올해는 SK하이닉스와 삼성전자 점유율이 47~49%로 엇비슷해지고 마이크론이 3~5%를 기록한다고 내다봤다.

2024.02.14 10:06이나리

"홍보용 저가 USB에 중요한 파일 저장하지 마세요"

각종 행사장이나 입시 설명회에 참석하면 종종 USB 메모리에 관련 자료를 담아 나눠주는 것을 볼 수 있다. 이렇게 하나 둘 쌓인 USB 메모리에 무심코 중요한 자료를 담아 다니거나 다른 사람에게 다시 나눠주기도 한다. 그러나 사무실 책상 위나 서랍 속에 한두 개쯤 굴러 다니기 마련인 USB 메모리는 얼마나 안전할까. 경우에 따라서는 우리가 생각하는 것처럼 믿을만 한 장치가 아닐지도 모른다. 독일 데이터 복구 업체 'CBL테크'는 최근 "USB 메모리 핵심 부품인 낸드 플래시 메모리 품질이 계속 떨어지고 있으며 이들 저장장치의 신뢰성을 과신해서는 안된다"고 주의를 당부했다. ■ "불량 제품에서 출처 불명 SD카드·재생 낸드 확인" CBL테크에 따르면, 낸드 플래시 메모리를 직접 생산하는 업체가 아닌 다른 업체가 생산해 판촉용품이나 경품으로 공급하는 USB 메모리의 품질 저하가 두드러지는 경향을 보였다. 데이터 복구를 위해 접수된 USB 메모리 제품 중 하나는 샌디스크(키오시아)가 만든 것으로 보이는 16GB 낸드 플래시 메모리를 탑재했다. 그러나 제조사 로고를 알아볼 수 없도록 지운 상태였다. CBL테크는 "삼성전자나 SK하이닉스, 샌디스크(키오시아) 등 주요 낸드 플래시 메모리 생산 업체가 품질 문제로 폐기한 제품이 시장에 나오고 있다"고 설명했다. 또 다른 제품은 제조사 표시도 없는 마이크로SD카드를 허술하게 기판에 붙인 상태로 공급됐다. USB 메모리를 떨어뜨리거나 충격을 주면 접점이 떨어져 PC에서 인식이 불가능하다. 이들 제품은 모두 복구에 실패했다. ■ "원가 절감 위한 QLC 낸드도 내구성 낮춰" 최근 보급형·대용량 SSD에 점점 더 널리 쓰이기 시작한 QLC(4비트) 낸드 플래시도 USB 메모리의 수명을 줄이는 주범 중 하나다. QLC 플래시 메모리는 한 셀당 4비트 정보를 기록할 수 있다. 기존 TLC(3비트) 낸드 플래시 대비 더 적은 부품으로 같은 용량을 구성할 수 있고 원가 절감에 도움을 준다. 그러나 작동 특성 때문에 내구성도 떨어진다는 것이 단점이다. CBL테크는 "QLC 낸드 플래시는 셀당 4비트를 저장하기 위해 총 16개 상태를 전압으로 구별해야 한다. 파일을 자주 읽고 쓸 수록 전압 레벨을 유지할 수 있는 내구성, 낸드 플래시 안에 전하를 담아 두는 유지 능력이 떨어진다"고 지적했다. ■ USB 메모리 안 파일도 주기적 백업 필요 CBL테크는 "홍보용 USB 메모리는 보존성 면에서 절대 적합한 저장장치가 아니다. 부피가 지나치게 작은 제품도 작동 과정에서 발생하는 열을 제대로 내보낼 수 없다"고 조언했다. USB 메모리에는 가능한 한 잃어버려도 피해가 크지 않은 파일만 남겨두는 것이 좋다. 예를 들어 클라우드 서비스나 다른 저장장치에 백업 없이 학위 논문이나 아이들 사진을 장기간 보관했다 잃어버리면 큰 피해를 볼 수 밖에 없다. 저장장치 관련 업체나 데이터 복구 업체가 추천하는 '3-2-1 규칙'을 실천하는 것도 좋은 방법이다. '3-2-1 규칙'의 핵심은 원본과 사본을 포함해 총 세 벌의 데이터를(3) 서로 다른 두 개의(2) 매체나 저장장치에 백업하며, 그 중 한 개(1) 사본은 인터넷 등 네트워크에 연결되지 않은 곳에 백업하라는 것이다.

2024.02.12 10:11권봉석

김주선 SK하이닉스 사장 "AI 인프라로 첨단 메모리 'No.1' 공략"

"AI 중심의 시장 환경에서는 관성을 벗어난 혁신을 추구해야 한다. 앞으로 AI 인프라 조직이 SK하이닉스가 세계 1위 AI 메모리 공급사로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 할 수 있게 최선을 다하겠다." 7일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 'AI 인프라'를 담당하는 김주선 사장과의 인터뷰를 게재했다. 33년간의 현장 경험을 바탕으로 올해 사장으로 승진한 김주선 사장은 SK하이닉스의 신설 조직인 'AI 인프라'의 수장을 맡고 있다. AI 인프라 산하의 GSM(글로벌세일즈&마케팅) 담당도 겸하고 있다. AI 인프라는 AI 기반의 산업 및 서비스를 구축, 테스트, 학습, 배치하기 위해 필요한 하드웨어와 소프트웨어 전반 요소를 뜻한다. SK하이닉스는 AI 인프라 시장의 리더십을 확대하고자 올해 해당 조직을 구성했다. 산하로는 글로벌 사업을 담당하는 GSM, HBM(고대역폭메모리) 사업 중심의 HBM비즈니스, HBM 이후의 미래 제품·시장을 탐색하는 MSR(메모리시스템리서치) 조직이 있다. 이를 기반으로 AI 인프라는 고객별 요구에 맞춰 차별화한 스페셜티(Specialty) 제품을 적기에 공급하고, 거대언어모델(LLM)을 분석해 최적의 메모리를 개발하며, 커스텀 HBM의 콘셉트를 구체화해 차세대 메모리 솔루션을 제안하는 등의 업무를 추진한다. 김주선 사장은 "AI 중심으로 시장이 급격히 변하는 환경에서 기존처럼 일하면 아무것도 이룰 수 없다"며 "관성을 벗어난 혁신을 바탕으로 효율적으로 업무 구조를 재구성하고, 고객의 니즈와 페인 포인트(Pain Point)를 명확히 파악한다면 AI 시장을 우리에게 더 유리한 방향으로 끌고 갈 수 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 김주선 사장은 지난 수 년간 GSM 조직을 이끌며 다양한 성과를 거뒀다. 시장 예측 툴 MMI(Memory Market Index)를 개발하고, HBM 수요에 기민하게 대응해 AI 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지를 확고하게 다진 점이 대표적인 사례로 꼽힌다. 김주선 사장은 "MMI 툴을 통해 6개월 이상 앞선 정보를 확보할 수 있었고, HBM 수요에도 적기에 대응할 수 있었다"며 "“AI 시장에서 영향력 있는 기업들과 우호적인 관계를 형성해 놓은 것도 HBM 시장 점유율 1위를 확보할 수 있었던 주요 원인"이라고 설명했다. SK하이닉스의 AI 리더십을 굳히기 위한 강한 의지도 드러냈다. 김주선 사장은 "앞으로도 'AI 메모리는 SK하이닉스'라는 명제에 누구도 의문을 품지 않도록 소통과 파트너십을 강화해 제품의 가치를 극대화하겠다"며 "아울러 SK하이닉스가 글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더로 성장하는 데 있어 든든한 버팀목 역할을 하는 조직을 만들겠다"고 강조했다.

2024.02.07 10:18장경윤

"올해 서버 내 D램 용량 17.3% 증가"…AI 덕분

AI 서버 업계의 활발한 투자가 고성능 메모리에 대한 수요를 촉진하고 있다. 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율이 스마트폰, 노트북 등 타 IT 산업을 크게 앞설 것이라는 전망이 나왔다. 5일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 17.3%에 달할 것으로 예상된다. 현재 AI 서버 업계는 엔비디아·AMD 등 주요 팹리스의 최첨단 AI 가속기 확보에 열을 올리고 있다. 동시에 고용량·고효율 데이터 처리를 뒷받침해 줄 고성능 메모리에 대한 수요도 함께 증가하는 추세다. 이에 서버용 D램의 기기당 용량 증가율은 올해 17.3%를 기록할 전망이다. 전년 증가율(13.6%) 대비 3.7%p 상승한 수치로, 다른 IT 산업과 비교하면 가장 증가율이 높다. 스마트폰 및 노트북 분야의 올해 기기당 D램 용량 증가율은 각각 14.1%, 12.4%로 관측된다. 트렌드포스는 "지난해에 이어 올해에도 IT 산업이 AI에 초점을 맞추면서, 서버 부문 내 D램이 가장 큰 성장을 이룰 것"이라며 "아직 AI 기능 도입이 부족한 스마트폰과 PC의 경우 2025년부터 성장이 본격화될 것으로 보인다"고 설명했다. 낸드플래시 역시 AI 산업의 발달에 따라 고용량화를 지속하고 있다. 올해 기기당 SSD 용량 증가율은 서버가 13.2%로 가장 높으며, 스마트폰과 노트북은 각각 9.3%, 9.7% 수준일 것으로 예상된다.

2024.02.06 10:04장경윤

獨 머크 "AI 반도체가 향후 10년간 성장동력 …삼성·하이닉스 적극 지원"

독일 머크가 삼성전자 등 국내 반도체 공급망과 기술력 강화를 위한 협업에 적극 나서겠다는 의지를 드러냈다. 머크는 반도체 및 디스플레이 제조용 화학·가스 소재에 강점을 둔 기업으로, 오는 2025년까지 국내에 6억 유로(한화 약 8천600억원)를 투자할 계획이다. 2일 머크는 서울 강남 소재의 신라스테이 호텔에서 반도체 비즈니스 간담회를 열고 회사의 한국 사업 및 투자 전략에 대해 발표했다. 이날 행사는 반도체 소재, 특수가스, 박막필름, 디지털 솔루션 등 머크의 주요 사업 현황과 한국에서의 투자 전략 등을 발표하고자 마련됐다. 김우규 머크코리아 대표, 아난드 남비어 머크 수석부사장을 비롯해 각 사업부의 주요 임원이 참석했다. 머크는 국내 반도체 주요 고객사와의 협업을 위한 투자를 적극 진행할 예정이다. 머크는 전자산업부 역량 강화를 위해 오는 2025년까지 전 세계적으로 총 60억 유로를 투자하기로 한 바 있다. 이 중 6억 유로가 국내 투자에 활용된다. 최첨단 반도체 제조에 쓰이는 High-K(고유전율) 전구체 분야의 기술력을 보유한 국내 소재업체 엠케미칼을 지난해 1월 인수 발표한 것이 대표적인 사례다. 또한 머크는 국내에 첨단 반도체 기술력 강화를 위한 R&D(연구개발) 센터를 설립을 추진하고 있다. 머크가 이처럼 반도체 산업에 적극 투자하는 이유는 시장의 성장성에 있다. 아난드 남비어 수석부사장은 "반도체 시장이 현재 5천억 달러 수준에서 향후 7~10년 뒤에는 1조 달러를 기록할 것"이라며 "전세계 여러 거점에서 반도체 공정 전반에 필요한 소재, 장비를 공급할 수 있는 체계를 갖춘 것이 머크의 강점"이라고 설명했다. 김우규 대표는 "한국 반도체 산업은 메모리 산업의 최강국으로, 주요 기업 2곳이 수십년간 리더십을 유지해왔다"며 "앞으로도 머크는 주요 시장인 한국 고객사의 활발한 투자에 발맞출 수 있도록 노력할 것"이라고 밝혔다. 국내 주요 고객사 중 한 곳인 삼성전자와의 협력 강화 의지도 드러냈다. 아난드 남비어 수석부사장은 "지난달 열린 CES 행사에서 경계현 삼성전자 대표가 직접 머크 부스를 방문해 AI 산업 발달에 따른 반도체 시장의 기회를 논했다"며 "AI 어플리케이션이 반도체 업계에 향후 10년간 성장동력이 될 것이기 때문에, 삼성전자의 공급망 강화에 적극 지원할 것"이라고 말했다.

2024.02.02 13:43장경윤

"삼성, 올해도 TSMC 제치고 설비투자 규모 1위 전망"

"삼성전자는 올해 333억 달러의 설비투자로 모든 종합반도체기업 및 파운드리 중에서 1위를 기록할 것으로 전망된다. 지난 2010년부터 1위를 유지하고 있는 것으로, 매우 고무적인 일이다." 31일 안드레아 라티 테크인사이츠 디렉터는 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기자간담회에서 전 세계 반도체 설비투자 현황에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 소재의 반도체 전문 시장조사기관이다. 테크인사이츠는 올해 반도체 시장 규모가 6천370억 달러로 전년 대비 15% 성장할 것으로 내다봤다. 분야 별로는 D램, 낸드 등 메모리반도체의 성장이 가장 두드러질 전망이다. D램은 올해 770억 달러로 전년 대비 50%, 낸드는 520억 달러로 전년 대비 32%의 성장세가 예상된다. 로직, 차량용 반도체 등이 10%대로 성장하는 것에 비해 가파르다. 올해 전 세계 반도체 기업들의 설비투자 규모는 전년 대비 2% 증가한 1천587억 달러를 기록할 것으로 추산된다. 지난해 투자 규모는 반도체 시장 및 거시경제 악화로 전년 대비 9% 감소한 바 있다. 기업별로는 삼성전자가 지난해에 이어 올해에도 가장 큰 규모의 투자를 진행할 것으로 분석된다. 삼성전자의 투자 규모는 지난해 347억 달러, 올해 333억 달러로 추산된다. 2위 TSMC는 올해 305억 달러, 내년 300억 달러를 투자할 전망이다. 안드레아 라티 디렉터는 "삼성전자는 지난 10년간 가장 많은 반도체 설비투자를 집행해 왔다는 점에서 고무적"이라며 "상위 5개 기업(삼성전자, TSMC, 인텔, SMIC, SK하이닉스)가 전체 투자의 3분의 2를 차지하고 있다"고 밝혔다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터도 주요 기업들의 활발한 설비투자로 반도체 장비 시장이 견조한 성장세를 보일 것으로 예상했다. 클락 청 디렉터는 "세계 반도체 장비 매출액은 지난해 1천9억 달러에서 올해 1천53억 달러로, 내년에는 1천241억 달러로 성장할 것"이라며 "세계 각국의 공급망 강화 전략 및 인센티브 정책 등으로 중장기적인 성장세가 예견된다"고 설명했다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 이번 행사는 글로벌 반도체 산업 관계자들이 한 자리에 모여 첨단 반도체 기술 및 시장 현황에 대해 짚고자 마련됐다. 올해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 반도체 제조기업과 소부장 기업들이 500여곳이 참여했다.

2024.01.31 16:43장경윤

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

삼성전자 "1분기에 전체 메모리 흑자전환...수익성 개선에 집중"

삼성전자가 지난해 반도체 사업에서 4개 분기 연속 적자를 기록한 가운데, 지난해 4분기 D램 사업에서 흑자전환을 이뤘다. 삼성전자는 올해 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환이 예상된다고 밝혔다. 김재준 삼성전자 메모리 전략마케팅실장(부사장)은 31일 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"라며 "업계 메모리 생산 전반의 비트그로스가 제한적일 것으로 예상되는 만큼 당사는 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급에 대응하겠다"고 말했다. 이어서 김 부사장은 "PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다"며 "다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 할 것으로 보인다. 또 그는 "선단 제품에 대한 고객사들의 요청은 강하게 이어질 것으로 보이며, 또 재고 비축을 위한 수요 또한 지속 발생할 것으로 예상된다"라며 "삼성전자는 생성형 AI 관련 HBM(고대역폭메모리), 서버 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다"고 말했다. PC와 모바일은 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 전망되고 있다. 서버는 AI향 수요 견조세가 지속되는 가운데 작년 긴축 기조 하에서 미루어져 왔던 서버 교체가 신규 플랫폼 전환과 맞물려서 진행되면서 서버 수요가 점진적으로 회복될 전망이다. 한편, 지난해 4분기 삼성전자의 메모리 비트그로스는 전반적인 수요 환경 개선으로 인해 시장을 상회했다. D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다. 김재준 부사장은 "특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다"고 말했다. 이어서 "낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다"고 밝혔다.

2024.01.31 12:34이나리

삼성전자 "HBM 판매량 전년比 3.5배 성장...커스텀 HBM로 차별화"

삼성전자가 AI 서버 시장 상승세에 힘입어 지난해 4분기 HBM(고대역폭메모리) 공급이 전년 보다 3.5배 늘었다고 밝혔다. 앞으로 삼성전자는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 삼성전자는 31일 2023년 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다"며 "HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다"고 말했다. 이어서 "HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM 제품인 HBM4를 2026년에 양산할 계획이다. 회사는 "HBM3E의 사업화도 계획대로 진행해 1280기가바이트(GB) 대역폭의 8단 제품을 주요 고객사들에게 샘플 공급 중이고, 올해 상반기 내 당사의 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "12단 적증 기술 기반으로 36GB의 고용량 제품을 구현해 더욱 높아지는 AI향 메모리 성능 및 용량 니즈에 적극 대응해 1분기 내 샘플 공급 예정이다. 그다음 세대인 HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 말했다. 삼성전자는 고객 맞춤형 HBM 공급을 차별화로 내세웠다. 회사는 "생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하고 있는 상황에서 당사는 표준 제품뿐만 아니라 로직 칩을 추가해 성능을 고객별로 최적화한 커스텀 HBM제품도 함께 개발 중으로 현재 주요 고객사들과 세부 스펙에 대해 협의 중"이라며 "시스템 반도체 업체와의 협업이 중요해질 앞으로의 커스텀 HBM 시장에서 당사는 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징 사업팀과의 종합 시너지를 강점으로 더욱 경쟁력 있는 시장 대응을 통해 업계를 선도해 나가겠다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:41이나리

SKH가 게임 체인저로 꼽은 '이 기술' …3D D램·400단 낸드서 쓴다

"미래 메모리 산업에서 하이브리드 본딩은 '게임 체인저'로 급부상하고 있다. 3D D램은 물론, 400단급 낸드에서도 하이브리드 본딩 기술을 채택해 양산성을 높이는 차세대 플랫폼을 개발하고 있다." 3일 김춘환 SK하이닉스 부사장은 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기조연설에서 차세대 메모리 기술 개발 방향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 김 부사장은 '메모리 디바이스의 집적 한계를 극복하기 위한 기술 변화 트렌드(Changes in Technology Trend to Overcome the Integration Limit of Memory Devices)'를 주제로 차세대 D램, 낸드 개발의 주요 과제를 소개했다. 먼저 D램은 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 미세화되면서, 기술적 변혁이 요구되고 있다 대표적으로 트랜지스터 내 핵심 요소인 게이트를 수직으로 세우는 버티컬(Vertical) 게이트, D램 내 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 적층하는 3D D램이 가장 유망한 차세대 플랫폼으로 지목된다. 김 부사장은 "각 메모리 업체들의 차세대 플랫폼 개발 전략에 따라 향후 D램 시장의 판세가 바뀌게 될 것"이라며 "이외에도 High-NA EUV, 저항성을 낮춘 신물질 도입 등의 기술적 과제가 남아있다"고 밝혔다. 낸드에서도 더 높은 단수를 적층하기 위한 신기술이 활발히 연구되고 있다. 현재 SK하이닉스는 낸드 게이트의 물질인 텅스텐을 몰리브덴으로 대체하는 방안, 고종횡비(HARC) 식각의 높은 비용 부담을 줄이기 위해 일부 공정을 통합(Merged) 진행하는 방안 등을 개발하고 있다. 특히 김 부사장은 차세대 D램 및 HBM(고대역폭메모리), 낸드 제조의 핵심 기술로 하이브리드 본딩을 꼽았다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 활용되던 범프를 쓰지 않고, 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. 패키지 두께를 최소화하는 데 유리하다. 김 부사장은 "차세대 HBM과 D램, 낸드 분야에서 하이브리드 본딩이 게임 체인저로 급부상하고 있다"며 "3D D램에서도 하이브리드 본딩을 접목하는 연구개발이 진행되고 있고, 특히 낸드에서도 400단급 제품에서 하이브리드 본딩 기술로 경제성 및 양산성을 높인 차세대 플랫폼을 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.31 11:40장경윤

삼성전자 "올해 메모리 시황 회복 기대...갤S24로 AI폰 시장 선점"

삼성전자가 올해 메모리 시황과 IT 수요 회복이 기대되는 가운데 AI 반도체에 적극 대응해 시장 선점을 추진하겠다고 밝혔다. 동시에 프리미엄 리더십과 2나노미터(mn) 등 첨단공정 경쟁력을 강화해 미래기술 준비도 병행할 방침이다. 단, 거시경제 불확실성과 제품별 회복 속도 차이에 따라 전사적으로 '상저하고(上低下高)'의 실적이 예상된다. ■ DS 부문 첨단공정 프리미엄 수요 적극 대응...수익성 개선 DS부문에서 메모리는 첨단공정 기반의 프리미엄 제품 수요에 적극 대응하며 수익성 확보를 추진할 계획이다. 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 도입으로 고용량 DDR5 시장에서의 리더십을 제고하고 차세대 HBM3E 적기 양산 및 하반기 12단 전환 가속화 등을 통해 HBM 선도 업체로서의 경쟁력을 강화할 방침이다. 시스템LSI는 AI 모멘텀을 활용해 미래 성장 동력을 확보하고 ▲시스템온칩(SoC) ▲이미지센서 ▲LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. ■ 갤럭시S24 앞세워 AI폰 시장 선점..."AI 글로벌 스탠더드 자리매김" DX부문에서 MX는 혁신적인 갤럭시 AI를 탑재한 갤럭시S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점하고, 폴더블 스마트폰도 폼팩터에 최적화된 AI 경험으로 사용성을 극대화할 계획이다. 이를 통해 연간 플래그십 출하량 두 자릿수 성장과 시장 성장률을 상회하는 스마트폰 매출 성장을 추진하고 갤럭시 AI 생태계를 확대해 갤럭시 AI가 '모바일 AI의 글로벌 스탠다드'로 자리잡도록 할 방침이다. 네트워크는 주요 해외 사업에 적기 대응해 매출 성장을 추진하고 ▲5G 핵심칩 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 등 기술 리더십을 지속 강화할 예정이다. VD는 프리미엄 및 라이프스타일 중심으로 제품 혁신과 라인업 다변화를 추진해 다양한 소비자 수요를 공략할 예정이다. 또 차세대 AI 프로세서와 타이젠 OS를 바탕으로 초연결 경험과 서비스 혁신을 지속해 'AI 스크린 시대'를 선도해 나갈 방침이다. 생활가전은 스마트싱스와 AI 기술 기반의 차별화된 사용 경험을 통해 프리미엄 제품 판매를 확대하고 고부가 사업 활성화로 매출 성장과 사업 구조 개선을 가속화할 계획이다. 하만은 전장에서 차량 내 경험 역량 강화로 신규 분야 수주를 확대할 계획이다. 소비자 오디오에서는 포터블 등 주요 제품 리더십을 강화하고 삼성전자와 하만 간 협업을 통한 제품 차별화를 추진할 방침이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 분야에서 차별화된 기술과 성능을 바탕으로 판매 확대에 주력하고 IT 및 차량 분야 등 미래 성장동력을 굳건히 다질 계획이다. 대형은 제품 믹스 개선, 생산 효율 향상 등을 통해 손익 개선을 추진할 방침이다. 한편, 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다고 31일 공시했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 동기 대비 3.8% 감소했고, 전 분기 대비 0.56% 증가했다.

2024.01.31 09:44이나리

삼성전자, 작년 반도체 적자 14.8兆...4Q D램 흑전

삼성전자가 소비 시장 침체와 메모리 불황 장기화로 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 동기 대비 3.8% 감소했고, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. ■ 4분기 반도체 영업손실 2.1조원...D램 흑자 전환, 파운드리 부진 삼성전자의 4분기 실적은 연말 성수기 경쟁이 심화되면서 스마트폰 출하량은 감소했지만 메모리 가격 상승과 디스플레이 프리미엄 제품 판매 호조로 전사 매출이 전 분기 대비 증가했다. 영업이익의 경우 세트 제품 경쟁이 심화되고 플래그십 스마트폰 출시 효과가 감소한 가운데 메모리 실적이 큰 폭으로 개선됐고, 디스플레이 호실적이 지속된 것으로 파악된다. 다만, 4분기 환영향 관련 달러화, 유로화 및 주요 신흥국 통화가 전반적으로 평균 환율 변동이 크지 않아 전분기 대비 전사 영업이익에 대한 영향은 미미했다. 지난해 4분기 사업부별 실적은 다음과 같다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스솔루션)부문 매출은 21조6900억원, 영업손실 2조1800억원을 기록했다. DS부문은 지난해 4개 분기 연속 적자를 기록하면서 누적 영업손실은 14조8800억원이다. DS 부문은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록했다. 다만, 4분기에 D램 사업은 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 시스템LSI는 스마트폰 재고 조정이 마무리되면서 부품 구매 수요가 증가하고 '엑시노스 2400'이 주요 고객사 플래그십 모델에 적용되면서 3분기 대비 매출과 손익이 모두 개선됐다. 파운드리는 고객사 재고 조정과 글로벌 경기 회복이 지연되면서 시장 수요가 감소해 실적 부진이 지속됐으나 2023년 연간 최대 수주 실적 달성으로 미래 성장 기반을 공고히 했다. 또 3나노 및 2나노 GAA(Gate All Around) 기술을 지속 개발하고 첨단 공정 기반 사업을 확장해 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 판매 비중 및 신규 수주가 증가했다. ■ DX 부문은 매출 39조5500억원, 영업이익 2조6200억원 DX(디바이스 경험)부문은 매출 39조5500억원, 영업이익 2조6200억원을 기록했다. MX(모바일 경험)는 시장 인플레이션 및 불안정한 국제 정세가 지속되는 가운데 스마트폰 시장은 프리미엄 제품 중심으로 소폭 성장했다. 4분기는 신모델 출시 효과가 둔화되면서 스마트폰 판매가 감소해 전분기 대비 매출 및 이익이 감소했다. 단, 태블릿 제품은 프리미엄 신제품을 중심으로 출하량이 증가했으며 웨어러블 제품도 연말 성수기를 활용해 견조한 판매를 유지했다. 또한 설계 최적화 및 지속적인 리소스 효율화롤 통해 견조한 두 자릿수 수익성을 유지했다. 네트워크는 국내 및 북미, 일본 등 해외시장 매출이 증가했다. VD(Visual Display)의 경우 전반적인 TV 시장 수요 정체와 경쟁 심화에 따른 제반 비용 증가로 전년 및 전분기 대비 수익성은 소폭 감소했다. 삼성전자는 ▲Neo QLED ▲OLED ▲75형 이상 대형 TV와 같은 고부가 제품 중심으로 지역별 성수기 수요에 선제적으로 대응해 판매 구조를 개선하고 프리미엄 시장 리더십을 확대했다. 생활가전은 시스템에어컨 중심으로 B2B 사업이 성장하고 비스포크 등 프리미엄 제품 중심으로 판매 비중이 개선됐으나 수요 역성장 속에 경쟁이 심화되면서 실적은 둔화됐다. 하만 매출은 3조9200억원, 영업이익 3400억원을 기록했다. 하만은 소비자 오디오 제품의 성수기 판매가 증가해 매출이 증가했으며 연간 기준 전년 대비 성장이 지속됐다. 삼성디스플레이는 매출 9조6600억원, 영업이익 2조100억원을 기록했다. 디스플레이는 중소형 패널의 경우 주요 고객사 신제품에 적기 대응하고 하이엔드 제품 비중을 확대해 견조한 실적을 달성했다. 대형의 경우 경기부진으로 수요 약세가 지속됐으나 연말 성수기 TV 판매 증가로 매출이 증가하고 적자폭이 완화됐다. 한편, 삼성전자는 지난해 4분기 미래 성장을 위해 연구개발비에 7조5500억원을 투자했다고 밝혔다. 이는 분기 최대 규모다. 시설투자는 16조4000억원으로 분기 최대 규모의 투자를 집행한 2022년 4분기(20조2000억원)에 이어 두 번째로 많은 수치다.

2024.01.31 09:28이나리

SK하이닉스·NTT·인텔, 차세대 광통신칩 개발 협력

일본 통신업체 NTT가 미국 인텔, 국내 SK하이닉스와 협력해 광학 기반의 차세대 반도체 양산 기술을 개발할 예정이라고 닛케이아시아통신이 29일 보도했다. 해당 기술은 반도체 내부의 신호 전달 방식을 기존 전기에서 광자(Photon; 빛의 최소 단위)로 바꾼 것이 주 골자다. 광자를 적용하면 이론상 데이터 전송 속도를 기존 대비 수십 배 이상 빠르게 할 수 있고, 전력 효율성도 크게 높일 수 있다. 업계에서는 실리콘 포토닉스(Silicon Photonics)라고도 부른다. 대표적인 적용 사례가 데이터센터에 필수적으로 쓰이는 '광통신'이다. 현재 데이터센터는 광섬유를 통해 빛으로 데이터를 주고받은 뒤, 광트랜시버라는 부품을 통해 수신된 정보를 전기적 신호로 변환하는 과정을 거친다. 이후 변환된 전기 신호는 서버 내부의 반도체로 전달된다. 만약 반도체 회로에도 광통신이 적용되면, 반도체 칩 및 데이터센터의 성능과 효율성을 동시에 높일 수 있게 된다. 특히 AI 산업의 발달로 반도체에 요구되는 데이터 처리 성능이 급격히 높아지는 추세에 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 일본 정부도 이를 첨단 전략기술로서 주목하고 있으며, 약 450억 엔(한화 약 4천억 원)을 지원할 예정이다. NTT와 인텔, SK하이닉스는 오는 2027년까지 해당 기술이 적용된 반도체 소자 생산과 테라비트(Tb) 급으로 처리된 데이터를 저장할 수 있는 메모리 기술을 확보하는 것을 목표로 하고 있다.

2024.01.30 09:20장경윤

온디바이스 AI 시대, HBM도 '저전력' 맞춤 설계 주목

최근 IT 시장에 온디바이스 AI 기술이 빠르게 도입되면서, 미래 HBM(고대역폭메모리) 시장에도 변화가 감지된다. HBM의 성능을 다소 낮추더라도 저전력(LP)에 특화된 맞춤 제품에 대한 수요가 최근 증가하고 있는 것으로 파악된다. 29일 업계에 따르면 일부 IT 기업들은 온디바이스AI 시장을 겨냥해 저전력 특성을 높인 HBM 설계를 요청하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 첨단 메모리다. 전기 신호를 통하게 하는 입출력 단자(I/O)를 1천24개로 기존 D램(최대 32개) 대비 크게 늘려, 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. 대역폭이 높으면 데이터 처리 속도가 빨라진다. 현재 HBM은 고용량 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 엔비디아·AMD 등이 설계하는 서버용 GPU(그래픽처리장치)와 여러 개의 HBM을 집적한 AI 가속기가 대표적인 사례다. 나아가 HBM 시장은 향후 온디바이스 AI 등 저전력 특성이 강조되는 시장에 맞춰 설계될 수 있을 것으로 기대된다. 반도체용 소프트웨어 업계 관계자는 "최근 복수의 잠재 고객사들이 HBM의 대역폭을 낮추더라도 저전력 특성을 강화하는 방안을 제시해 왔다"며 "서버 만큼의 성능은 아니지만, 일부 엣지 단에서 HBM을 쓰고자 하는 요청이 적지 않다"고 밝혔다. 온디바이스 AI는 클라우드 및 데이터센터를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 삼성전자, 퀄컴, 인텔 등이 최근 온디바이스 AI 성능이 강조된 칩셋 및 제품을 잇따라 공개하면서 시장 안착에 속도를 붙이고 있다. 온디바이스 AI의 실제 구동 환경에서는 클라우드와 엣지 네트워크를 동시에 활용하는 '하이브리드 AI' 운용이 필요할 것으로 관측된다. 이에 전 세계 주요 IT기업들도 엣지 분야에서 HBM을 활용할 수 있는 방안을 강구하고 있다. AI 반도체 기업 고위 임원은 "모바일이나 오토모티브 등을 겨냥한 엣지용 AI 칩셋도 향후 HBM과 결합될 가능성이 충분히 높다고 본다"며 "아직까진 설계 초기 단계이기는 하나 막연하게 먼 미래가 아닌 시장에서 가시적으로 실체가 나타나고 있는 상황"이라고 말했다.

2024.01.29 14:48장경윤

오해순 SK하이닉스 부사장 "D램 이어 올해 낸드 업턴 원년 만들 것"

"지난해 D램에 이어, 올해는 낸드가 업턴으로 전환될 차례다. 이에 맞춰 적층의 한계를 극복할 요소 기술 확보, 차세대 제품의 적기 개발을 최우선 과제로 삼을 것이다." 29일 오해순 SK하이닉스 부사장은 회사 공식 뉴스룸과 진행한 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다. 오 부사장은 지난해 말 진행된 2024년 신임임원 인사에서 SK하이닉스 최초의 여성 연구위원으로 이름을 올린 인물이다. SK하이닉스 연구위원은 뛰어난 기술 역량을 바탕으로 혁신 기술 연구에 집중하는 전문 임원에 해당한다. 오 부사장은 낸드플래시와 솔루션 사업 경쟁력 강화를 위해 신설된 조직인 'N-S Committee'의 연구위원으로 발탁됐다. 그는 미래기술연구원과 D램 개발부문을 거친 후, 2007년부터 차세대 낸드 플랫폼 개발에 매진해 왔다. 특히 SK하이닉스 최초의 3D 낸드 기술과 QLC 제품 개발, 4D 낸드 양산 등에 기여했다. 오 부사장은 "연구 역량 자체에 남녀 간의 차이가 있다고 생각하지는 않지만, 구성원들의 다양한 관점이 어우러져 발전하는 기술 연구 분야에 여성 리더로서 저만이 할 수 있는 역할이 있다고 생각한다"며 "저를 시작으로 앞으로 더 많은 여성 연구위원이 탄생할 수 있도록 소임을 다하겠다"고 밝혔다. 오 부사장은 현재 'Advanced PI' 조직을 이끌며 차세대 고부가가치 낸드 제품 개발에 힘쓰고 있다. 특히 개발부터 양산까지의 모든 과정에서 시행착오를 줄일 수 있도록 양산 성공에 초점을 맞춘 연구에 집중하고 있다. 양산 경쟁력이 곧 제품 경쟁력으로 이어지는 낸드 특성상, 이는 매우 중요한 미션이다. 이와 관련 오 부사장은 개발 단계에서부터 미리 양산 불량을 관리하는 ODE(On Die Epm) 시스템을 낸드 최초로 도입한 바 있다. 현재 이 시스템은 품질 특성 관리와 제품 불량 제어 등에 활발히 이용되고 있다. 그는 이처럼 장기간 다져온 기술력을 바탕으로 올해 낸드도 반등이 본격화 될 것으로 내다봤다. 오 부사장은 “D램은 이미 지난해 업턴으로 전환했다. 올해는 낸드 차례"라며 "적층 한계를 극복할 요소 기술 확보와 차세대 고부가가치 제품 적기 개발 등이 올해의 중요한 미션이다. 무엇보다 수익성 제고를 위해 개발 단계에서부터 시행착오를 줄일 수 있는 연구를 이어 나갈 계획"이라고 말했다. 끝으로 오 부사장은 “N-S Committee 조직 안에서 낸드와 솔루션의 다양한 협업을 진행할 예정"이라며 "솔루션 사업부와 뜻을 모아 적극적으로 소통하고 협력해 시너지를 만들고, 이를 바탕으로 나아가 2024년을 낸드 사업 도약의 원년으로 만들 수 있도록 솔선수범하겠다"고 포부를 밝혔다.

2024.01.29 13:46장경윤

삼성전자, 美 캘리포니아 폴섬에 신규 반도체 R&D 거점 마련

삼성전자가 미국에 신규 연구개발(R&D) 거점을 마련했다. 이곳에서는 데이터센터, 오토모티브 산업을 위한 첨단 컴퓨팅, 메모리 컨트롤러 개발 등을 중점적으로 수행할 것으로 알려졌다. 지난 27일 한진만 삼성전자 미주총괄(DSA) 부사장은 사회관계망서비스(SNS) 링크드인에 미국 신규 R&D 사무실 개소를 알렸다. 미국 캘리포니아주 폴섬 시에 위치한 신규 R&D 사무소에는 현재 약 50명의 직원이 근무하고 있다. 기존 삼성 반도체 미국 R&D 연구소의 '첨단컴퓨팅연구소(ACL)'와 메모리연구소 내 '첨단컨트롤러개발실' 등이 소속돼 있다. 이들 팀은 클라우드 및 데이터센터, 오토모티브 등 첨단 산업을 위한 솔루션을 중점적으로 개발할 것으로 알려졌다. 한진만 부사장은 "인근 지역에 위치한 풍부한 하드웨어 및 소프트웨어 엔지니어 인재들과 지역 접근성을 고려해 폴섬 시를 삼성전자의 신규 R&D 거점으로 선택했다"고 설명했다. 최근 진행된 개소식에는 한진만 부사장을 비롯해 마이크 코즐로브스키 폴섬 시장, 로저 니엘로 캘리포니아주 상원의원 등 현지 주요 정부 관계자들이 참석했다.

2024.01.29 09:44장경윤

티에스이, 국내 최초 'STO-ML' 개발 성공

반도체 및 OLED 검사 전문기업 티에스이는 '세미콘 코리아(SEMICON Korea) 2024'에서 국내 최초로 개발된 STO-ML(Space Transformer Organic-Multi Layer) 등 다양한 반도체 테스트 솔루션 제품을 선보인다고 29일 밝혔다. STO-ML는 CPU, GPU, HBM 등 초고속 반도체 검사용 버티컬 프로브 카드 및 테스트 인터페이스 보드에 필요한 초미세 피치의 기판이다. 티에스이는 자회사인 타이거일렉과 협력해 50um 피치의 STO-ML을 지난해 하반기 국내 최초로 개발했다. 또한 티에스이는 2021년도에 STO-ML을 대량 생산하기 위해 자회사인 타이거일렉과 함께 베트남에 초정밀 빌드업 기판 공정 능력을 가진 메가일렉을 설립하고, STO-ML제품을 공급할 수 있는 양산 시설을 갖췄다. 이곳에서 생산된 STO-ML은 티에스이의 버티컬 프로브 카드에 자체 적용될 뿐만 아니라, 전세계 버티컬 프로브 카드 제작사에도 공급될 예정이다. 티에스이가 개발 성공한 50마이크로미터(um) 피치 STO-ML은 해외 몇 회사만 생산할 수 있는 제품이다. 티에스이가 금번 자회사인 타이거일렉과 함께 국산화에 성공함으로써, 소재 부품에 대한 대외 의존에서 벗어나게 됐다. 티에스이는 오는 31일부터 내달 2일까지 서울 코엑스에서 진행되는 '세미콘 코리아 2024'에서 STO-ML을 소개한다. 티에스이 전시장 부스는 1층 A홍 A704에 위치한다. 한편 티에스이는 1994년 당시 미국과 일본으로부터 전량 수입하던 메모리 반도체 검사용 테스트 인터페이스 보드, 테스트 소켓 및 핸들러 체인지 키트 국산화를 위해 설립됐다. 2006년 이후 테스트 인터페이스 보드 분야 국내 40% 이상의 시장점유율과 점유순위 1위를 꾸준히 유지하고 있으며, 2011년 이후에는 비메모리 반도체 검사 영역에 적극적으로 뛰어 들었다. 티에스이는 "비메모리 반도체 검사장치의 2022년도 매출액이 전년 대비 100% 넘게 성장했고, 올해에도 50% 이상의 고속 성장을 기대하고 있다"며 "지난 5년간 테스트 인터페이스 보드, 테스트 소켓, 프로브카드 등의 분야에서 100여건이 넘는 특허를 출원하는 등 독보적인 기술력 확보에 최선을 다하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.29 09:04장경윤

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