검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'메모'통합검색 결과 입니다. (503건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

"차세대 메모리 만든다더니..." 中 반도체 기업 또 파산

중국에서 차세대 메모리 반도체 기업이 문을 닫았다. 앞서 HSMC, 칭화유니 등 기업이 줄줄이 파산과 구조조정을 겪은 데 이어 또 하나의 반도체 기업이 간판을 내렸다. 28일 중국 전국기업도산및회생사례정보망에 따르면 AMS가 최근 공식적으로 파산 절차에 돌입했다. 이 회사는 앞서 130억 위안(약 2조 3610억 원)을 투자해 12인치 팹을 짓고 연간 10만 개의 상변화메모리(PCM)를 생산하겠다고 밝힌 바 있다. 중국 언론 IT즈자에 따르면 장쑤성 화이안시 화이인구 법원은 지난 7월 AMS의 파산 사건을 공식적으로 접수했다. 이 회사의 ASML 리소그래피 장비에 대한 공개 경매도 진행했다. AMS가 구매한 중고 ASML 리소그래피 장비 가격은 2868만 달러(약 380억 원)인 것으로 알려졌다. 법원의 타오바오 사법 경매 네트워크 플랫폼에 따르면 이 ASML 리소그래피 장비에 대한 잠재적 구매자는 없어 경매는 이미 취소됐다. 이 회사는 총 54대의 메인 장비와 290대의 보조 장비를 구입했으며 총 가격이 14억9천만 위안(약 2천706억 원)에 달한다. 자료에 따르면 AMS는 2016년 10월 총 130억 위안을 투자하겠다며 국가 차원의 화이안첨단기술산업개발구에 입주했다. 베이징 AMT와 화이안위안싱인베스트먼트의 합작사인 이 회사는 최신 PCM 기술이 탑재된 스토리지 제품의 개발과 생산에 주력했다. 회사는 2018년 3월 22일 첫 장비를 반입하고 생산 장비 조율 단계에 진입한 이후 이듬해 8월 처음으로 상변화 재료에 기반한 최초의 2메가비트 삭제 가능 프로그래밍 가능 읽기 전용 상변화 메모리를 출시했다. 2021년엔 장쑤 공장에서 대량 생산에 돌입, '중국산 스토리지'에 힘을 싣는 듯 했다. 이 프로젝트가 완전히 완료되면 연간 12인치 PCM 10만 개를 생산하고 연간 45억 위안(약 8173억 원) 매출에 도달하는 게 목표였다. 이 회사는 당시 자사가 인텔의 옵테인 칩과 동일한 기술 노선으로서 완전한 지식재산권을 갖고 있으며 삼성전자와 마이크론에 이어 메모리 기술과 독립적 지식재산권을 보유한 세번째 기업이라고 자부하기도 했다. 하지만 최근까지 새로운 투자자를 찾지 못하면서 재정적으로 부실했던 AMS가 결국 경영을 포기한 것으로 알려졌다. 중국 언론 지웨이왕에 따르면 이 회사는 2020년 부터 실체를 드러나면서 사법적 리스크가 심화했다. 장비 대금과 팹 프로젝트 대금, 직원 임금 체불 등으로 총 145건의 법정 소송에 휘말렸다. 회사가 보유하고 있던 중고 장비와 공장 건물이 경매에 부쳐져도 회수할 수 있는 자산이 제한적인만큼 손실은 적지 않을 전망이다. PCM은 상변화 물질을 기반으로 한 차세대 메모리 제품으로, 업계에서 성숙한 차세대 스토리지 기술로 꼽힌다. 읽기 및 쓰기 속도, 안정성, 전력 소비 측면에서 큰 이점이 있다. 제품의 안정성, 전력 소비와 방사선 저항성에도 이점이 있어 산업 제어, 자동차, 기계장비, 스마트홈, 5G 네트워크, 가전제품 등에서 널리 사용될 수 있어 시장 잠재력이 높다.

2023.08.29 08:28유효정

삼성전자, VM웨어와 '가상화 시스템' 기술 협력

삼성전자가 클라우드 소프트웨어 분야의 글로벌 선도업체인 VM웨어(ware)와 협력해 메모리 솔루션에 최적의 성능을 구현하게 됐다. VM웨어가 엔비디아와 기업용 인공지능(AI) 구축 플랫폼을 출시할 예정인 가운데, 삼성전자의 SSD가 해당 플랫폼에 탑재될 가능성이 높을 것으로 기대된다. 삼성전자는 지난 21일(현지시간)부터 24일까지 미국 라스베이거스에서 열리는 글로벌 IT 행사 'VM웨어 익스플로어(Explore) 2023'에서 VM웨어와 기술 협력을 23일 발표했다. 삼성전자는 메모리 업계 최초로 PCIe 5.0 기반 서버용 고성능 SSD 제품(PM1743)에 VM웨어의 올 플래시 인증(All Flash Certification)을 획득했다. 이는 IT 고객이 VM웨어 vSAN 소프트웨어와 삼성전자 PM1743 SSD를 함께 스토리지 시스템에 적용했을 때, 최적의 성능과 효율을 기대할 수 있음을 의미한다고 삼성전자는 설명했다. VM웨어의 새로운 vSAN에서는 싱글 티어구조로 통합한 vSAN 익스프레스 스토리지 아키텍처를 채택했다. 새로 도입된 싱글 티어에는 NVMe SSD만을 사용할 수 있으며, 이러한 변화에 발맞춰 삼성전자는 PM1743 SSD를 최적화함으로써 시스템의 성능과 용량을 동시에 개선하고 vSAN의 장점을 극대화 할 수 있게 됐다. 한편, 이번 행사에서 VM웨어는 미국 엔비디아와 기업용 AI 구축 플랫폼인 'VM웨어 프라이빗 AI 파운데이션 위드 엔비디아'를 내년 초 출시하겠다고 발표했다. 이에 삼성전자가 VM웨어·엔비디아의 협력에 동참할 가능성이 점쳐진다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 "이번 VM웨어와의 긴밀한 협력으로 메모리 솔루션의 가치를 시스템 솔루션으로 한단계 업그레이드하는 계기가 됐다"며 "SMRC 플랫폼을 기반으로 업계 최고의 파트너들과 함께 메모리 솔루션 에코시스템을 구축, 새로운 고객 가치를 창출하겠다"고 말했다. 존 길마틴 VM웨어 수석 부사장은 "양사는 더욱 향상된 확장성과 성능을 갖추고 방대한 양의 데이터를 빠르게 처리할 수 있는 스토리지 시스템의 혁신을 주도하고 있다"며 "삼성전자의 최신 PCIe Gen5 SSD와 vSAN ESA 기반의 VM웨어 vSAN 8을 결합, 고객이 AI의 잠재력을 최대한 활용할 수 있도록 돕는 시스템을 제공할 것"이라고 밝혔다.

2023.08.23 09:51이나리

마이크론, 아이다호·뉴욕 반도체 공장 건설에 정부 보조금 신청

미국 반도체 기업 마이크론이 아이다호주 보이시와 뉴욕주 클레이에 메모리 칩 공장을 건설하기 위해 미국 상무부에 자금 지원을 신청했다고 로이터통신이 21일(현지시간) 보도했다. 마이크론은 중국에 대한 의존도를 낮추고 공급망을 다양화하기 위해서는 미국 반도체지원법(CHIPS 법)에 따라 자금 지원과 세액 공제가 필요하다고 주장했다. 조 바이든 대통령은 지난해 8월 미국 반도체 생산 및 연구에 527억 달러의 보조금을 제공하는 획기적인 법안에 서명했다. 마이크론은 지난해 9월 아이다호 공장에 2032년까지 약 150억 달러(약 20조1천105억 원)를 투자하고 2030년까지 1만7000개의 일자리를 창출할 것이라고 밝혔다. 같은 해 10월 마이크론은 뉴욕 북부에 메모리 반도체 제조공장 건설에 향후 20년 동안 최대 1천억 달러(약 134조원)를 투자할 계획을 발표했다. 1단계 투자는 2030년까지 200억달러(약 28조4천억원)를 투입한다. 마이크론 뉴욕 공장은 2024년 초부터 건설될 예정이며, 향후 5만개의 일자리를 창출할 것으로 예상된다. 뉴욕 투자 발표 당시 마이크론은 "향후 10년 내 미국 기반 D램 생산량을 전세계 생산량의 40%까지 단계적으로 늘리겠다"고 밝혔다.

2023.08.22 10:16이나리

SK하이닉스, 차세대 'HBM3E' 개발...엔비디아에 샘플 공급

SK하이닉스가 메모리 시장의 새로운 성장동력인 HBM(고대역폭메모리) 분야에서 괄목할 만한 성과를 거뒀다. 최근 차세대 HBM 제품을 개발해, 주요 고객사인 엔비디아의 AI 반도체에 적용하기 위한 검증을 진행 중인 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 AI용 초고성능 D램 신제품인 'HBM3E' 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 차세대 메모리다. 현재 4세대(HBM3) 제품까지 상용화에 성공했다. HBM3E는 5세대에 해당한다. SK하이닉스는 "HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다"며 "업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다"고 강조했다. SK하이닉스에 따르면 이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다. 속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD급 영화(5GB) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이와 함께 SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 최신 'MR-MUF' 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적인 공정으로 평가받는다. '하위 호환성'도 갖췄다. 하위 호환성은 이전 제품과 호환되도록 구성된 IT·컴퓨팅 시스템 내에서 신제품을 바로 사용할 수 있도록 하는 기술이다. 이를 통해 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다. 이안 벅(Ian Buck) 엔비디아 하이퍼스케일, HPC 담당 부사장은 "엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션즈용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다"며 "앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사간의 협업이 계속되길 기대한다"고 밝혔다. 류성수 SK하이닉스 부사장(D램상품기획담당)은 "당사는 HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다"며 "앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것"이라고 말했다.

2023.08.21 09:33장경윤

첨단공정 막힌 中, 반도체 레거시 장비에 투자 집중

세계 주요 반도체 장비업체인 도쿄일렉트론(TEL)이 중국에서 성숙(레거시) 공정 장비 수요를 긍정적으로 보고 있다고 블룸버그통신이 10일(현지시간) 보도했다. 카와이 토시키 (Toshiki Kawai) TEL 최고경영자(CEO)는 이날 컨퍼런스콜에서 "중국에서 레거시 장비에 대한 매우 강력한 투자가 일어나고 있다"며 "올해만의 일시적인 추세가 아니라, 앞으로도 수요가 계속될 것으로 기대한다"고 밝혔다. TEL은 일본의 대표적인 반도체, 디스플레이 장비업체다. 트랙, 식각 등 반도체 전공정 장비를 주력으로 생산한다. 매출 기준으로는 전 세계 상위 5대 장비업체에 속한다. 반도체 장비 시장이 침체를 이어가면서, TEL 역시 올 2분기(회계연도 기준 2024년 1분기) 실적이 매우 부진한 모습을 보였다. 2분기 매출은 3천917억엔, 영업이익은 824억엔으로 전년동기 대비 각각 17.2%, 29.9% 감소했다. 그럼에도 TEL은 올해 연 매출 전망치를 당초 예상인 1조7천억 달러로 고수하고 있다. 중국에서의 레거시 장비 수요가 반도체 장비 투자 축소·지연을 상쇄하고 있다는 판단에서다. 실제로 TEL의 2분기 전체 매출에서 중국이 차지하는 비중은 39%로 집계됐다. 회계연도 2023년 기준 TEL의 중국 매출 비중이 약 24% 수준이었음을 고려하면 크게 높아진 수치다. 현재 중국은 미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향으로 첨단 반도체 제조를 위한 장비 수급이 사실상 불가능한 상황이다. 미국 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치 등은 물론, 네덜란드 ASML의 최신형 장비도 모두 규제 대상에 올랐다. 이에 중국은 성숙 공정을 중심으로 반도체 투자에 나서고 있다. 일례로 ASML도 올 2분기 중국에 대한 장 매출액이 전분기 대비 3배 가량 증가한 것으로 알려졌다.

2023.08.11 08:44장경윤

삼성전자, 10월 차세대 메모리 비전 발표...9세대 V낸드 공개 주목

삼성전자가 인공지능, 데이터센터, 자동차 등을 겨냥한 차세대 메모리 로드맵과 에코시스템 비전을 오는 10월 발표한다. 이와 함께 차세대 9세대 V낸드도 공개할지 여부도 주목된다. 10일 삼성전자에 따르면 오는 10월 20일 미국 실리콘밸리 산호세 맥에너리 컨벤션센터에서 '메모리 테크 데이'를 개최하고 메모리 반도체 신제품을 공개한다. 삼성전자는 2017년부터 매년 10월 '테크 데이'를 개최해 메모리와 시스템반도체 기술 비전을 발표해 왔다. 2019~2021년 코로나19 탓에 온라인으로 진행하다 지난해 3년 만에 오프라인으로 개최했다. 올해는 10월 5일 '시스템LSI 테크 데이', 20일 '메모리 테크 데이'로 나눠서 진행하기로 했다. 메모리 테크 데이는 한진만 삼성전자 DS(반도체)부문 미주총괄(DSA) 부사장이 환영사를 시작으로, 이정배 삼성전자 DS부문 메모리사업부장 사장이 '기술 혁신과 생태계 조성에 초점을 맞춘 비즈니스 전략'을 주제로 기조연설을 진행한다. 더불어 배용철 반도체 제품기획 부사장과 박종규 상무 등도 연사로 나설 예정이다. 올해 테크 데이 행사에서는 신제품 9세대 V낸드를 공개할지 여부가 관심사다. 삼성전자는 지난해 테크 데이 행사에서 236단 8세대 V낸드 512Gb TLC를 공개하고, 같은해 11월 양산을 시작했다. 삼성전자는 작년 테크 데이에서 “2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다”고 밝혔다. 이렇듯 삼성전자가 계획대로 내년 9세대 V낸드를 양산한다면, 작년 행사와 같이 이번에 신제품을 공개할 가능성이 높을 것으로 관측된다. 그 밖에 삼성전자는 컴퓨팅 메모리, 스토리지, 오토모티브, 시스템 인프라 등 총 6개 세션에서 차세대 메모리 기술과 로드맵을 발표할 예정이다. 삼성전자는 2015년 차량용 메모리 시장에 첫 진입한 이후, 빠른 성장세를 이어가고 있다. 지난해 행사에서 삼성전자는 "자율주행(AD), 첨단운전자지원시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성하겠다"고 목표를 제시한 바 있다.

2023.08.10 11:37이나리

파네시아, 거대 AI 작업 효율 높이는 CXL 시스템 기술 선보여

팹리스 스타트업 파네시아가 수 테라바이트 용량의 CXL 메모리 확장 장치와 프로세서, 스위치를 구현, 빅테크 기업의 초거대 AI 추천 시스템 같은 방대한 데이터와 처리 작업의 속도를 대폭 높일 수 있는 CXL 프레임워크를 기존 리눅스 시스템 위에서 선보였다. KAIST 창업기업인 파네시아는 미국 산타클라라에서 열리는 메모리 반도체 분야 국제 행사 '플래시메모리서밋(FMS) 2023'에서 이같은 CXL 기술력을 공개했다고 9일 밝혔다. CXL(Compute Express Link)은 PCI 익스프레스(PCIe) 인터페이스 기반으로 컴퓨터 중앙연산장치(CPU) 등 여러 장치와 메모리를 연결하는 통합 인터페이스 표준이다. 데이터센터의 메모리 용량을 쉽게 확장할 수 있고, 확장한 메모리 공간을 CPU나 가속장치가 효율적으로 사용할 수 있어 생성 AI나 추천 시스템 등 대규모 응용 작업에 적합하다. 파네시아는 CXL 반도체 설계자산(IP) 개발 기업으로, 데이터센터에 쓰이는 CXL 솔루션을 위한 모든 관련 IP를 공급한다. CXL 인터페이스의 핵심 프로토콜인 CXL 캐시 통신과 CXL 메모리 통신, CXL 입출력 통신 지원을 위한 코어 CXL IP와 CXL CPU, NPU, AI 반도체, 가속기 등 다양한 CXL 시스템 장치에서 CXL 관련 기능을 하드웨어 자동화하는 IP 등을 포함한다. 고객사는 반도체나 펌웨어, 소프트웨어, 운영체제, 애플리케이션 소프트웨어등 다양한 수준에서 파네시아 CXL IP를 기존 장치에 적용해 CXL 장치를 개발할 수 있다. 개발 및 검증 비용과 시간을 줄일 수 있다. 파네시아는 이 프레임워크를 활용, 메타의 AI 추천 시스템 실행 시간을 기존 RDMA 기반 메모리 확장 기술에 비해 3.32배 단축시켰다. FMS 2023에서 실제 동작 과정을 데모 영상으로 공개했다. 파네시아는 이번 FMS 2023에서 그간 개발한 CXL IP를 바탕으로 멀티-테라바이트 메모리 풀을 전시한다. CXL 인터페이스를 지원하는 CXL CPU와 CXL 스위치, CXL 메모리 확장장치로 구성된다. 기존 데이터센터 메모리 확장 솔루션에 비해 메모리 성능과 확장성을 강화해 효율을 높였다고 회사측은 설명했다. 메모리를 큰 규모로 확장할 수 있고, CXL 관련 하드웨어와 소프트웨어를 하나로 실장해 기존 데이터센터에서 바로 사용할 수 있다. 이 회사 메모리풀 프레임워크는 확장된 메모리를 사용자 요구량에 따라 효율적으로 할당할 수 있다. 또, CXL 메모리 확장장치엔 DIMM 단위 메모리 교체방식을 적용해 확장장치를 추가 구매하지 않아도 메모리 용량을 증설할 수 있다. 파네시아 정명수 대표는 "이번에 공개한 CXL IP와 멀티-테라바이트 메모리풀 프레임워크는 성능, 메모리 확장 및 관리, 데이터센터 운용의 비용 효율 모두를 향상시킬 수 있는 미래지향적 데이터센터 솔루션"이라며 "CXL 실제 적용을 위한 프로세서, 스위치 기술, 메모리 확장장치 등의 CXL 장치와 운영체제까지 실 시스템을 공개한 것은 파네시아가 유일하다"라고 말했다.

2023.08.09 15:45한세희

최고층 낸드 300단 시대, 무엇을 의미하나

SK하이닉스가 세계 최대 적층인 321단 낸드 샘플을 8일(미국 현지시간) 전격 공개하면서 메모리 시장에서 낸드 적층 경쟁이 다시 불 붙고 있다. 삼성전자는 오는 2030년까지 1000단 낸드 개발을 목표로 하면서 경쟁은 지속될 전망이다. 낸드는 D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체다. 그동안 낸드는 미세한 공정으로 한 반도체 안에 저장공간(셀)을 최대한 많이 밀어 넣는 방식으로 개발돼 왔다. 그러나 이런 방식은 서로 거리가 너무 가까워진 셀들 사이에 간섭현상이 벌어지면서 한계를 맞닥뜨렸다. 이에 삼성전자는 2013년 낸드를 수직으로 쌓아 올린 뒤, 평면 단의 3차원 공간에 구멍을 뚫어 각 층을 연결하는 23단 'V낸드'를 처음 개발하면서 적층 경쟁이 시작됐다. 낸드의 적층 수가 높을수록 같은 면적에 고용량을 구현할 수 있어서 장점이다. 하지만 단순히 적층 수만으로 품질을 평가할 수 없다. 그럼에도 최근 메모리 업계는 마케팅 측면에서 낸드 적층을 앞세워 기술력을 알리고 있는 추세다. 이는 낸드 시장에서 100단까지 삼성전자가 최초 자리를 도맡아 오다, 2019년 SK하이닉스가 먼저 128단 시제품을 발표하고, 2020년 마이크론이 176단 낸드를 처음으로 출시하면서 3사의 적층 수 경쟁이 심화된 것으로 보인다. 특히 최근 인공지능(AI) 시장 성장으로 고성능·고용량 메모리 수요가 가파르게 늘면서 낸드 적층 경쟁을 더욱 부추기고 있다. ■ SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 샘플 공개…내년 상반기 양산 낸드 적층 기준으로만 본다면 현재 SK하이닉스가 가장 앞서 있다. SK하이닉스는 세계 최고층인 238단 4D 낸드를 지난해 8월 첫 공개했고, 올해 6월 양산을 시작했다. 삼성전자는 지난해 11월 236단 낸드 8세대 V낸드 양산을 시작했고, 마이크론은 지난해 7월 232단 낸드 출하를 시작했다. 또 후발주자인 중국 최대 메모리 반도체 회사 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)도 232단 낸드 개발에 뛰어들었다. SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시메모리 서밋(FMS) 2023'에서 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드 샘플을 공개하며 1년 만에 최고 기록을 경신했다. 321단 1Tb 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다고 선언했다. ■ 삼성 "단수 보다 기술 중요"…2030년 1000단 낸드 개발 목표 삼성전자도 최고층 낸드를 위한 기술 개발에 한창이다. 삼성전자는 작년 '플래시메모리 서밋' 행사서 올해 말 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다는 계획을 밝혔다. 단, 삼성전자는 낸드를 단순히 높게 쌓아 올리는 것만이 기술력의 전부가 아니라고 주장한다. 이는 삼성전자의 낸드 초격차 기술력이 뒤처지고 있는 것이 아니냐는 업계의 평가에 대한 반론이다. 낸드 적층 기술은 가장 아래에 있는 셀과 맨 위층에 있는 셀을 하나의 묶음(구멍 1개)으로 만든 '싱글 스택'과 묶음 두 개를 하나로 합친 '더블 스택'으로 나뉘며, 싱글 스택 기술이 원가경쟁력 측면에서 더 우수하다. 마이크론과 SK하이닉스는 72단부터 '더블 스택'을 활용해 적층을 쌓았지만 삼성전자는 '싱글 스택'을 사용하다 176단 7세대 V낸드부터 '더블 스택'으로 전환했다. 그러다 삼성전자는 지난해 236단 8세대 V낸드부터 안정화된 '더블 스택' 기술을 선보였다. 지난해 송재혁 삼성전자 플래시 개발실장(부사장)은 뉴스룸을 통해 "삼성전자는 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 '싱글스택 에칭' 기술력을 가진 유일한 기업"이라며 "향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈 수 있는 기술 리더십을 확보하고 있다"고 강조한 바 있다. 즉, 삼성전자가 더 높은 단수로 '싱글 스택'으로 쌓을 수 있고, 이를 기반으로 안정화된 '더블 스택' 기술을 제공할 수 있다는 자신감이다. 또 지난 3월 삼성전자 반도체 공정 기술 연구개발(R&D)을 총괄하는 이종명 부사장은 반도체 학술대회 'IEEE EDTM 2023'에서 기자들을 만나 "낸드에서 단수가 중요한 게 아니고 결국은 고객이 만족하는 제품을 언제 내놓느냐가 중요하다"고 말했다.

2023.08.09 14:59이나리

삼성전자, 생성형AI·데이터센터 겨냥한 '차세대 SSD' 대거 공개

삼성전자가 데이터센터, 생성형AI 서버를 겨냥한 차세대 메모리 제품을 대거 공개했다. 삼성전자는 8일부터 10일까지(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에 참가했다. 전시회 첫날인 8일 한진만 삼성전자 미주총괄장 부사장이 'AI 시대에서의 메모리 혁신'을 주제로 오프닝 연설을 진행하고, 이어 송용호 삼성전자 메모리사업부 부사장이 '고객 경험을 향상시키는 혁신적인 메모리 솔루션'을 주제로 기조연설을 발표했다. 송 부사장은 "기하급수적으로 폭증하는 데이터와 다양한 응용처 확대로 인해 서버 및 데이터센터를 운영하는 고객들의 요구사항도 다변화되는 추세"라며 "이에 따라 서버 스토리지 시장은 전력, 공간, 성능에서 끊임없는 혁신이 요구된다"고 말했다. 이어 그는 "특히 고성능 수요에 대응하기 위한 최신 기술 및 솔루션 개발 이외에도, 물리적 공간의 한계로 인해 무한대 확장이 어려운 데이터센터의 환경 제약에 따라 랙의 전력 한도 내에서 최대한의 용량을 구현해야 하는 과제가 있다"고 진단했다. ■ 생성형AI 서버부터 데이터센터까지…SSD 대거 공개 삼성전자는 현재 서버 스토리지 시장이 당면한 문제를 전력, 공간, 성능 3가지로 구분하고 이를 해결할 핵심 제품과 기술을 소개했다. 삼성전자가 공개한 제품은 △업계 최고 성능(8채널 기준)의 PCIe 5.0 데이터센터용 SSD 'PM9D3a' △생성형 AI 서버에 적용되고 있는 높은 전력 효율의 'PM1743' SSD △고집적도를 구현한 '256TB SSD' 등이다. 'PM9D3a'는 업계 최초 8채널 컨트롤러 기반 PCIe 5.0 규격을 지원해 연속 읽기 성능을 이전 세대 제품 PM9A3 대비 최대 2.3배 개선했다. 임의 쓰기 성능도 2배 이상 개선돼 클라우드 서비스 등을 이용하는 고객이 더 빠른 서비스를 제공받을 수 있을 것으로 기대된다. 또한 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온 다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간 보증을 제공해 다양한 데이터센터 환경에서 안정적인 솔루션을 제공한다. 기존 세대 대비 25% 개선된 평균 무고장 시간(MTBF)도 250만 시간을 달성했다. 삼성전자는 'PM9D3a' 7.68TB, 15.36TB 제품을 2.5인치 규격으로 연내 양산할 예정이다. 또 내년 상반기 중 3.84TB 이하의 제품부터 최대 30.72TB 제품까지 다양한 폼팩터와 라인업을 선보일 계획이다. 또 생성형 AI 서버용 SSD 'PM1743'은 작년 FMS에서 첫 공개된 제품으로 업계 최초로 PCIe 5.0 인터페이스를 적용해, 이전 모델 대비 약 2배의 전력 효율을 달성했다. 고용량 SSD 256TB는 QLC 낸드 기반으로 업계 최고 수준의 집적도를 달성한 제품이다. 한 개의 256TB SSD는 32TB SSD를 8개 쌓아 올리는 것 대비 총 전력 소모량을 약 7분의 1로 감소시키는 효과가 있다. ■ 메타와 협력 개발한 'FDP 솔루션' 공개 삼성전자는 이번 전시회에서 메타와 협력 개발중인 오픈소스기반의 사용자 워크로드 제어 솔루션 및 표준 NVMe spec기반 FDP(Flexible Data Placement) 솔루션을 데모부스에서 공개했다. FDP는 다중사용자 환경에서 사용자 그룹별 데이터를 분리시켜 저장함으로써 WAF(write Amplification Factor)가 감소하고 이로 인해 스토리지 수명을 증가시켜 TCO를 절감할 수 있는 기술이다. 그 밖에 삼성전자는 응용처에 따라 용량을 가변함으로써 높은 확장성을 제공하는 페타바이트급 초고용량 솔루션 PBSSD 아키텍처와 삼성전자 고유의 멀티테넌트 아키텍처 기술도 공개했다. 멀티테넌트 아키텍처는 트래픽 격리 구현을 통해 단일 SSD를 다중 사용자가 이용하더라도 각 가상 시스템이 사전에 할당된 대역폭만을 점유하고, 이와 동시에 상호 간의 동작 간섭을 일으키지 않아 스토리지 성능을 유지할 수 있는 기술이다. 송 부사장은 "앞으로도 고객 경험 향상을 최우선 가치로 두고, 고객과의 전방위 협력을 통해 최적화된 메모리 솔루션 제공을 위해 지속해서 노력할 것"이라고 강조했다. 한편, 삼성전자는 플래시 메모리 서밋 행사에서 총 16개의 테크 세션을 진행하고 신기술을 소개한다.

2023.08.09 10:45이나리

삼성, AMD와 손잡고 시스템반도체 비전 발표

삼성전자가 미국 실리콘밸리서 '시스템LSI 테크 데이'를 개최하고 AMD와 시스템반도체 협업을 발표한다. 양사는 지난 4월 차세대 그래픽 설계자산(IP) 파트너십 확대를 발표한 바 있다. 이후 AMD가 삼성전자 공식 행사서 그래픽 IP 파트너십 신규 협업 내용을 발표하는 것은 처음이다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 10월 5일 미국 실리콘밸리(산호세)에 위치한 삼성전자 반도체 연구소(DS미주 총괄)에서 '시스템LSI 테크 데이'를 개최하고 차세대 시스템반도체를 발표한다. 삼성전자는 2017년부터 매년 10월 '테크 데이'를 개최해 메모리와 시스템반도체 기술 비전을 발표해 왔다. 하지만 올해부터 '시스템LSI 테크 데이'로 명칭을 변경하고 시스템반도체 기술을 주력해 발표하기로 결정했다. 이와 별도로 메모리 기술을 발표하는 '메모리 테크 데이(가칭)'도 이르면 10월 말 또는 11월에 별도 개최할 예정이다. 업계 관계자는 "삼성전자의 메모리와 시스템반도체 고객사가 다른 만큼, 테크 데이를 나눠서 개최함으로써 보다 세부적인 기술 내용을 발표할 수 있을 것으로 보인다"고 말했다. 이번 '시스템LSI 테크 데이'에는 한진만 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장이 참석하고, 박용인 삼성전자 시스템LSI사업부장 사장이 '눈 앞에 다가온 세미콘 휴머노이드(Semicon Humanoid)'를 주제로 기조연설을 할 예정이다. 또 게스트로 마틴 애쉬톤 AMD 부사장이 참석해 그래픽 반도체 기술 협업 세부 내용을 발표한다. 지난 4월 삼성전자와 AMD는 라데온 그래픽 IP를 차세대 엑시노스 라인업에 확대 적용하기로 결정했다. 이를 통해 기존 삼성전자의 모바일 AP에만 AMD GPU를 적용했다면, 차량용 반도체 등 엑시노스 라인업에 라데온을 확대 적용한다는 방침이다. 앞서 양사는 2019년 그래픽 설계자산 아키텍쳐 RDNA를 활용한 라이선스를 체결하고, 2022년 모바일 AP '엑시노스2200'에 탑재되는 GPU '엑스클립스(Xclipse)'를 RDNA2 기반으로 공동 개발한 바 있다. 아울러 올해 테크 데이에서는 삼성전자의 선행 연구개발(R&D) 조직인 삼성리서치 아메리카(SRA)가 개발한 AI와 자연어 모델 기술을 발표한다는 점에서 주목된다. 지난 1월 삼성리서치 아메리카에서 진행된 기자간담회에서 노원일 삼성리서치 아메리카 사장은 "자연어 이해(NLU) 기술을 바탕으로 차세대 빅스비 성능 강화에 힘쓰고 있다"라며 "멀티모달 기술을 활용해 시각 자료에서 사용자가 언급하는 객체를 인식하는 비쥬얼 NLU, 서버를 거치지 않고 초저용량 메모리로 온디바이스 AI를 수행할 수 있는 타이니 ML(머신러닝) 기술 등을 개발 중이다"고 언급한 바 있다. 이 밖에 삼성전자는 차량용 반도체 '엑시노스 오토', 네트워크용 반도체 '엑시노스 모뎀', 근거리무선통신 UWB(초광대역: 울트라 와이드밴드) 반도체 '엑시노스 커넥트', 모바일용 반도체 '엑시노스', 카메라 솔루션, 차량용 센서, 이미지센서 '아이소셀', 헬스케어 솔루션 '바이오 프로세서', 파워 IC, OLED용 DDI, 생체인증카드용 '지문인증IC' 등 신제품을 대거 공개할 예정이다.

2023.08.08 10:01이나리

삼성·SK, AI에서 차세대 낸드 성장 동력 찾는다

삼성전자, SK하이닉스 등이 낸드플래시 업계 주요 행사인 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에 참석한다. 양사는 이번 행사에서 AI(인공지능)을 미래 낸드 시장의 주요 성장동력으로 보고, 이에 대비한 최신 솔루션을 공개할 것으로 전망된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 오는 8일(현지시간)부터 10일까지 열리는 FMS 2023에서 기조 연설을 진행한다. FMS는 최신 메모리 기술 및 제품, 향후 발전 방향 등을 논의하기 위한 행사다. 매년 8월 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 개최되며, 전 세계 주요 메모리반도체 및 스토리지(저장장치) 업체가 참석한다. 주요 메모리 공급처인 국내 기업들의 참여도 활발하다. 올해 행사에서 총 6번 열리는 주요 경영진 기조 연설 중 4번을 국내 기업이 맡는다. 삼성전자, SK하이닉스, SK하이닉스의 자회사 솔리다임, SSD(솔리드스테이트드라이브) 컨트롤러 전문 팹리스 파두가 명단에 이름을 올렸다. 이번 행사에서 삼성전자·SK하이닉스는 일제히 'AI'를 차세대 낸드 시장의 핵심 동력으로 지목했다. AI 연산을 위한 데이터센터, 엣지 등의 분야에서는 고용량, 고성능 데이터 저장을 위한 낸드가 필수적으로 탑재된다. 송용호 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실장(부사장)은 'AI 시대에 최적화된 메모리 중심 솔루션'을 주제로 기조 연설을 진행한다. 이번 연설에서는 PIM(프로세싱-인-메모리), 메모리 시멘틱 SSD 등 삼성전자의 AI 산업용 고성능 메모리 기술이 소개될 것으로 전망된다. PIM은 메모리 내부에 연산 작업에 필요한 프로세서 기능을 집어넣는 기술이다. 메모리반도체에 데이터를 저장하고 별도의 시스템반도체에서 데이터를 연산하는 기존 방식 대비 데이터 처리 속도, 효율성 등이 높다. 메모리 시맨틱 SSD는 기존 제품 대비 데이터 전송 효율 및 성능을 최대 20배 향상시킨 메모리다. 또한 삼성전자는 SMRC(삼성 메모리 리서치 클라우)를 통한 고객사와의 협업 플랫폼에 대해서도 언급할 것으로 보인다. SMRC는 삼성전자가 차세대 메모리 개발 가속화를 위해 지난해 하반기 오픈한 기관이다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 '멀티모달 AI 시대를 가능하게 하는 업계 선도적인 4D 낸드 기술 및 솔루션'을 주제로 발표한다. 4D 낸드는 SK하이닉스가 이름을 붙인 낸드로, 기존 3D 낸드 대비 집적도, 저장 용량 등을 높였다. 멀티모달 AI는 텍스트, 이미지, 영상 등 다양한 형식의 데이터를 모두 고려해 학습 및 표현하는 기술이다. SK하이닉스는 이번 발표에 대해 "SK하이닉스는 4D 낸드의 개발 및 양산을 통해 낸드 업계에서 선두를 달리고 있다"며 "멀티모달 AI 시대에 대비해 차세대 PCIe 6세대, UFS 5.0 메모리 기반 제품의 기술 혁신을 이뤄낼 것"이라고 밝혔다.

2023.08.07 15:23장경윤

삼성전자 vs SK하이닉스, HBM 기술·성능 우위 놓고 '기싸움'

생성형 AI 시장 성장과 함께 HBM(고대역폭메모리) 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이 가운데 메모리 점유율 1, 2 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 나란히 HBM 기술 우위를 강조하며 기싸움을 벌였다. 두 업체는 향후 HBM 로드맵과 투자 계획까지 상세히 소개했다는 점이 이목을 끌었다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 최근 생성형 AI, 빅데이터 발전에 따라 급증하는 데이터를 빠르게 처리하기 위해서는 HBM이 반드시 필요하다. 이는 올해 상반기 반도체 적자를 낸 삼성전자와 SK하이닉스가 미래 먹거리로 HBM 시장을 주목하는 이유다. 양사는 메모리 불황으로 감산에 돌입했지만, 고부가가치 제품인 HBM은 생산 및 투자를 늘린다는 계획이다. ■ SK하이닉스, HBM 매출 비중 20%…2026년 6세대 HBM 양산 SK하이닉스는 지난 26일 2분기 컨콜에서 HBM 매출을 직접 언급하며 점유율 우위라는 점을 강조했다. 박명수 SK하이닉스 D램 마케팅담당은 "챗GPT를 중심으로 한 생성형 AI 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다"며 "이에 따라 HBM을 포함한 그래픽 D램 매출이 지난해 4분기 대비 빠르게 올라오면서 전체 D램 매출의 20% 수준으로 높아진 상황"이라며 "2분기 AI향 수요로 HBM과 DDR5 출하량이 전분기 대비 2배 이상 증가했다"고 설명했다. 이어 그는 "HBM과 DDR5의 올해 매출은 전년대비 2배 이상 성장할 것"이라며 "특히 하반기가 상반기보다 수요가 늘어날 것으로 전망된다"고 밝혔다. 이어 "고객들 피드백을 종합해 보면 타임투마켓 관점에서 제품 완성도나 양산 품질, 나아가서 필드 품질까지 종합해서 SK하이닉스가 가장 앞서고 있다는 점이 확인되고 있다"며 강조했다. SK하이닉스는 2013년 1세대 HBM을 세계 최초로 개발한 데 이어 2021년 4세대 HBM 제품인 HBM3를 세계 최초로 개발했다. 지난 4월에는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직으로 적층한 24기가바이트(GB) HBM3 신제품을 개발하는 데 성공했다. SK하이닉스는 내년 상반기에는 5세대 제품인 HBM3E 양산에 돌입하고, 2026년 6세대 제품인 HBM4를 양산할 계획이다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 AI 시장의 큰손인 엔비디아의 GPU(그래픽처리장치) A100·H100에 HBM 제품을 공급하고 있다. 최근 AMD도 GPU 'MI300X'에 SK하이닉스 HBM을 적용한다고 발표한 바 있다. 삼성전자, 올해 전년比 2배 많은 용량 HBM 고객 확보… 내년 캐파 2배 증설 삼성전자도 27일 2분기 실적 컨콜에서 HBM 투자 계획을 상세히 소개했다는 점에서 이례적이었다. 전날 컨콜에서 HBM에 대한 질문이 주를 이룬 SK하이닉스를 의식한 듯해 보였다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "HBM 시장 내 메이저 공급업체로서 지속적인 투자를 바탕으로 업계 최고 수준의 HBM 생산 능력을 유지하고 있다"며 "올해는 전년 대비 2배 수준인 10억GB 중반을 넘어서는 고객 수요를 이미 확보했고, 하반기에는 추가 수주에 대비해 공급 역량 확대를 추진 중이다"고 덧붙였다. 이어 그는 "내년에 HBM 캐파는 증설 투자를 통해 올해 대비 최소 2배 이상 확보 중이고, 향후 수요 변화에 따라 추가 대응할 계획이다"고 덧붙였다. 삼성전자는 2018년 2세대 HBM2를 '아쿠아볼트'라는 브랜드명으로 양산한 이후, 2020년 3세대 HBM2E '플래시볼트'를 출시해 공급하고 있다. 지난해 말 공개된 4세대 HBM3 '아이스볼트'는 시제품으로 출시했으며, 올해 하반기 대량 생산에 들어갈 예정이다. 김 부사장은 "HBM2를 주요 고객사에 독점 공급했고, 후속으로 HBM2E도 제품 사업을 원활히 진행하고 있다"며 "다음 세대인 HBM3도 업계 최고 수준의 성능과 용량으로 고객콜(잠재 고객 대상 영향)을 진행 중"이며 "이미 8단 16GB와 12단 24GB 제품을 주요 AI, SoC(단일칩) 업체와 클라우드 업체에 출하를 시작했다"고 밝혔다. 이어 "다음 세대인 HBM3P 제품은 24기가바이트 기반으로 하반기 출시 예정"이며 "업계 최고 수준의 성능과 용량으로 준비해 더욱 높아지고 있는 AI 시장의 요구에 적극적으로 대응할 계획"이라고 말했다. 앞서 지난 6일 경계현 삼성전자 반도체(DS)부문 대표이사 사장도 임직원과 진행한 '위톡'에서 HBM 기술력을 언급한 바 있다. 경 사장은 "최근 (삼성의) HBM3 제품이 고객사로부터 우수하다는 평가를 받고 있다"며 "HBM3, HBM3P가 내년에는 DS부문 이익 증가에 기여하게 될 것"이라고 전했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 상위 3개 HBM 공급업체 점유율은 SK하이닉스(50%), 삼성전자(40%), 마이크론(10%) 순으로 차지했다. 트렌드포스는 올해 세계 HBM 수요가 전년보다 60% 성장해 2억9천GB에 이르고 내년에는 올해 보다 30% 더 성장할 것으로 전망했다. 삼성전자도 컨콜에서 "HBM 수요는 향후 5년 동안 연평균 30% 중후반의 성장이 예상되고, 올해와 내년에는 가파른 수요 성장이 기대된다"고 전망했다.

2023.07.28 14:43이나리

[컨콜] 삼성전자 "내년에 HBM 캐파 증설, 최소 2배 생산량 증가"

삼성전자가 AI 서버 수요 증가에 따라 내년에 HBM(고대역폭메모리) 캐파(생산능력)을 증설을 통해 최소 2배 이상 생산량을 늘리겠다고 밝혔다. 삼성전자는 27일 2023년 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 "미래 급증하는 수요에 맞춰 공급 능력을 지속 확대해 나갈 계획"이라며 "내년에 HHM 캐파는 증설 투자를 통해 올해 대비 최소 2배 이상 확보 중이고, 향후 수요 변화에 따라 추가 대응할 계획이다"고 말했다. 이어 "HBM 시장 내 메이저 공급업체로서 지속적인 투자를 바탕으로 업계 최고 수준의 HBM 생산 능력을 유지하고 있다"라며 "올해는 전년 대비 2배 수준인 10억Gb 중반을 넘어서는 고객 수요를 이미 확보했고, 하반기에는 추가 수주에 대비해 공급 역량 확대를 추진 중이다"고 덧붙였다. 삼성전자는 HBM 수요 성장세에 맞춰 공급을 확대한다는 전략이다. 회사는 "최근 생성형 AI 시장이 성장함에 따라서 대규모 데이터 처리를 지원하는 고성능 메모리 특히 HBM 수요가 빠르게 늘어날 것으로 예상한다"라며 "HBM 수요는 중장기 관점에서 향후 5년 동안 연평균 30% 중후반의 성장이 예상된다"고 말했다. 또 "반면에 단기적으로는 하이퍼스케일러 업체들의 생성형 AI 서비스 경쟁 심화로 인해서 많은 고객들의 수요가 접수되고 있고, 특히 올해와 내년 가파른 수요 성장이 기대된다"고 덧붙였다. 삼성전자는 "HBM2를 주요 고객사에 독점 공급했고, 후속으로 HBM2E도 제품 사업을 원활히 진행하고 있다"며 "그다음 세대인 HBM3도 업계 최고 수준의 성능과 용량으로 고객 콜(잠재 고객 대상 영향)을 진행 중"이며 "이미 8단 16GB와 12단 24GB 제품을 주요 AI, SOC(단일칩) 업체와 클라우드 업체에 출하를 시작했다"고 밝혔다. 이어 "다음 세대인 HBM3P 제품은 24기가바이트 기반으로 하반기 출시 예정"이며 "업계 최고 수준의 성능과 용량으로 준비해 더욱 높아지고 있는 AI 시장의 요구에 적극적으로 대응할 계획이다"고 말했다.

2023.07.27 13:26이나리

[컨콜] 삼성전자 "3분기 D램 비트그로스 10% 중반 성장 전망"

삼성전자가 하반기 메모리 수요가 상반기 보다 증가하며나서 업황이 개선될 것으로 전망했다. 삼성전자는 27일 2023년 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 "3분기 D램 수요 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)는 10% 중반 성장하고, 당사는 시장 수준으로 예상한다"고 말했다. 이어 "3분기 낸드 수요 비트그로스는 한자릿수 중후반으로 증가되고, 당사는 시장을 소폭 상회할 것으로 본다"고 덧붙였다. 삼성전자는 2분기 D램 비트그로스는 전분기 대비 10% 중반 성장을 기록했고 평균판매가격(ASP)은 한 자릿수 중반으로 하락했다고 밝혔다. 2분기 낸드 수요 비트그로스는 한자릿수 중반으로 성장했고, ASP는 한자릿수 중후반으로 하락했다. 삼성전자는 "메모리 재고가 지난 5월 피크아웃(Peak out, 정점 후 하락)에 진입했다"라며 "2분기 DDR5와 HBM(고대역폭 메모리) 중심으로 AI용 수요 강세에 대응한 D램 출하량 증가로 지난 분기에 예상한 가이던스를 상회하는 비트그로스를 달성했다"고 설명했다.

2023.07.27 13:02이나리

[컨콜] 삼성전자 "차량용 메모리, 메이저 OEM·티어1에 진입 완료"

삼성전자는 차량용 메모리 시장에서 지난 8년간 공급 이슈 없이 주요 고객사와 신뢰도를 쌓아온 결과 현재 메이저 OEM와 티어1에 모두 공급 진입을 완료했다고 밝혔다. 삼성전자는 27일 2023년 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 "차량용 반도체 사업을 한 지 8년 동안 단 한 번의 공급 이슈 없이 주요 고객과 신뢰를 쌓은 결과 현재 메이저 OEM과 티어원 업체에 모두 진입을 완료한 상태"라고 말했다. 이어 "차량용 메모리 시장은 금액 기준 향후 5년간 매년 평균 30% 중후반 성장세를 예상한다"며 "실제 오토향 메모리 수요는 2030년 초 PC 응용처보다 더 큰 사업 기회가 될 것으로 본다"고 밝혔다. 이어 "특히 오토모티브 메모리의 소비 전력 개선 측면에서 지속적인 기술 개발을 진행하고 있다"라며 "이달 초 양산을 시작한 오토모티브 UFS 3.1 제품은 업계 최저 수준의 소비 전력을 갖고 있어 자동차의 배터리 전력 운영 효율을 높일 수 있기에 전기차, 자율주행차 등의 최적의 메모리 솔루션이 될 것으로 기대한다"고 소개했다. UFS 3.1 메모리 솔루션은 256GB 라인업 기준 전(前) 세대 제품 대비 소비전력이 약 33% 개선됐다. 또 차량용 반도체 품질 기준인 AEC-Q100 Grade2를 만족한다. 영하 40℃에서 영상 105℃까지 폭넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 보장한다. 삼성전자는 2015년 차량용 메모리 시장에 첫 진입한 이후, 빠른 성장세를 이어가고 있다. 2017년 업계 최초로 차량용 UFS를 선보인 데 이어 차량용 오토SSD, 오토 LPDDR5X, 오토 GDDR6와 같이 차량과 관련된 다양한 응용처에 대응할 수 있는 메모리 솔루션을 제공하고 있다.

2023.07.27 12:40이나리

삼성전자, 경기 침체에도 시설투자 역대급…2분기만 14.5조원

삼성전자가 IT 시장의 부진이 지속되는 상황에서도 2분기 기준 역대 최대치에 해당하는 시설투자를 진행했다. 연구개발(R&D)비 역시 막대한 수준으로 집행됐다. 삼성전자는 올 2분기 14조5천억원의 시설투자를 집행했다고 27일 밝혔다. 이번 시설투자 규모는 2분기 기준 사상 최대치에 해당한다. 전년동기 대비로도 18% 증가했다. 사업별로는 DS(반도체)부문이 13조5천억원, 디스플레이가 6천억원 수준이다. 이로써 삼성전자는 상반기 누계로 총 25조3천억원의 시설투자를 집행했다. 비중은 DS부문이 23조2천억원, 디스플레이가 9천억원이다. 올 2분기 연구개발비 역시 7조2천억원으로 지난 분기에 이어 역대 최대치를 경신했다. 삼성전자의 1분기 연구개발비는 6조5천800억원으로 집계된 바 있다. 삼성전자는 "메모리의 경우 지난 분기와 유사하게 중장기 공급성 확보를 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자와 첨단공정 수요 대응 목적으로 평택 중심 설비 투자를 진행했다"며 "미래 경쟁력 강화를 위한 R&D 및 후공정 투자도 지속했다"고 밝혔다. 회사는 이어 "파운드리는 첨단공정 수요 대응을 위한 미국 텍사스 테일러 및 평택 공장 중심으로 투자가 진행됐다"며 "디스플레이는 중소형 모듈 보완 및 인프라 투자가 집행됐다"고 밝혔다. 이 같은 삼성전자의 투자 기조는 올 상반기까지 IT 산업 전반의 침체가 지속되는 상황에서 이뤄졌다는 점에서 주목받는다. 삼성전자 2분기 실적은 매출 60조100억원, 영업이익 6천700억원으로 전년동기 대비 각각 22.28%, 95.26% 줄어들었다. 삼성전자는 "2분기에도 미래 성장을 위한 투자 기조를 이어갔고, 앞으로도 경쟁력 확보를 위한 시설투자와 R&D 투자를 이어갈 방침"이라고 설명했다.

2023.07.27 09:34장경윤

경계현 사장 "삼성전자가 AI 생태계 격변기 이끌 것"

경계현 삼성전자 DS부문(반도체) 대표이사 사장이 인공지능(AI)이 앞으로 새로운 변화를 가져올 것이라며 삼성전자가 생태계 형성을 돕겠다고 밝혔다. 경 사장은 26일 SNS(사회관계망서비스) 링크드인에서 "우리가 진입하는 AI 시대는 15년 전 스마트폰 등장만큼이나 우리 업계에 지각변동을 일으킬 것"이라며 "삼성이 전체 AI 생태계 형성을 도울 수 있는 방법에 대해 고민하고 사려 싶은 경영 철학을 추구해야 한다"고 덧붙였다. 아울러 경 사장은 삼성 반도체가 AI 생태계를 주도하기 위해 나서야 하는 네 가지 경영철학을 공유했다. 첫째, 조직의 문화를 바꿔 직원들의 성공을 돕고, 디지털 전환(트랜스포메이션)을 시행하는 것이다. 둘째로는 삼성 조직이 성장하고 발전할 수 있도록 충분한 지원을 제공하고, 고객 맞춤형 솔루션 개발을 적극 시행한다는 방침이다. 세번째는 고객의 도전에 귀를 기울이고 새로운 솔루셔능ㄹ 개발해 고객에게 더 가까이 다가가야 한다. 마지막으로는 향후 5~10년 동안 AI 진화를 위한 혁신을 시도하고, 전체를 아우르는 설계(아키텍쳐)를 만들어 미래에 대비하겠다는 계획을 밝혔다. 경 사장은 "이와 같은 경영 철학을 실시하면 삼성 반도체가 AI 시대에도 우리와 협력 파트너, 고객의 성공을 만들 수 있을 것"이라며 "삼성반도체는 새 시대를 주도하기 위해 고객 중심적이고 지속적인 경영을 시도해야 한다"고 말했다. 한편, 삼성전자는 AI 서버 수요 증가에 맞춰 AI용 그래픽처리장치(GPU)에 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM) 제품 개발에 주력하고 있다. 회사는 업계 최고 6.4Gbps(초당 기가비트)의 성능과 초저전력을 기반으로 하는 HBM3 16GB와 12단 24GB 제품 샘플을 출하 중이고, 양산 준비도 마쳤다. 삼성전자는 HBM 외에도 데이터 처리에 강점을 지닌 차세대 D램을 개발했다. 메모리 반도체와 시스템 반도체를 융합한 HBM-PIM(processing-in-memory), D램 용량 한계를 극복할 수 있는 CXL D램 등이 대표적이다. 앞서 경 사장은 지난 5일 임직원과 진행한 '위톡'에서도 AI 시대를 지원하기 위한 HBM 제품의 중요성을 강조한 바 있다. 당시 그는 "삼성 HBM 제품의 시장 점유율은 여전히 50% 이상"이라고 밝혔다.

2023.07.26 18:05이나리

'3Q 연속 적자' SK하이닉스, 낸드 추가 감산·HBM 확대 수익성 제고

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 업황 부진으로 올해 2분기 영업손실 2조8천821억원을 기록했다. 이는 3개 분기 연속 적자이며, 올해 상반기 적자 규모만 6조3천억원에 달했다. 다만 지난 1분기(영업손실 3조4천23억 원)보다 적자 규모가 줄어들었다는 점에서 하반기 실적이 개선될 것이란 기대감이 커지고 있다. 특히 경쟁사 메모리 업체도 감산에 들어서면서 하반기에 가시적인 개선 효과가 나타날 것이란 전망이 우세하다. ■ AI 서버용 메모리 수요 강세...HBM 등 그래픽 D램 매출 2배 증가 SK하이닉스는 올해 2분기 매출이 7조3천59억원으로 전년 동기대비 47.1% 감소했다고 26일 공시했다. 영업손실은 2조8천821억원으로 전년(영업이익 4조1천972억원)과 비교해 적자전환했다. SK하이닉스는 작년 4분기에 영업손실 1조7천12억원을 기록한데 이어 올 1분기에 영업손실 3조4천23억원, 올 2분기 2조8천821억원으로 3개 분기 연속 적자다. SK하이닉스는 "챗GPT를 중심으로 한 생성형 AI 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다"며 "이에 따라 HBM(고대역폭메모리)을 포함한 그래픽 D램 매출이 지난해 4분기 대비 빠르게 올라오면서 전체 D램 매출의 20% 수준으로 높아진 상황"이라며 "2분기 AI향 수요로 HBM과 DDR5 출하량이 전분기 대비 2배 이상 증가했다"고 설명했다. 특히 D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price)이 전분기 대비 상승한 것이 매출 증가에 큰 영향을 미쳤다. PC, 스마트폰 시장이 약세를 이어가며 DDR4 등 일반 D램 가격은 하락세를 이어갔으나, AI 서버에 들어가는 높은 가격의 고사양 제품 판매가 늘어 D램 전체 ASP가 1분기보다 높아진 것이다. SK하이닉스는 3분기 D램은 전 분기 대비 10% 초중반의 출하량 증가, 낸드는 높은 기저 효과로 인해 전분기 수준의 출하량 유지를 계획하고 있다고 밝혔다. ■ HBM 매출 비중 20% 넘어…2026년 HBM4로 전환 전망 SK하이닉스는 향후 AI용 메모리인 HBM3, 고성능 D램인 DDR5, LPDDR5와 176단 낸드 기반 SSD를 중심으로 판매를 꾸준히 늘려 하반기 실적 개선 속도를 높이겠다는 복안이다. 아울러 회사는 올해 10나노급 5세대(1b) D램과 238단 낸드의 초기 양산 수율과 품질을 향상시켜 다가올 업턴(Upturn) 때 양산 비중을 빠르게 늘리겠다고 밝혔다. SK하이닉스는 "HBM과 DDR5의 올해 매출은 전년대비 2배 이상 성장할 것"이라며 "특히 하반기가 상반기보다 수요가 늘어날 것으로 전망된다"고 밝혔다. SK하이닉스는 내년 상반기에는 5세대 제품인 HBM3E 양산에 돌입하고, 2026년 6세대 제품인 HBM4를 양산할 계획이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)는 "HBM 양산 확대에 필요한 1z나노미터(nm) D램 비중을 확대하고 있다"며 "내년 상반기 공급 예정인 HBM3E를 위한 1b나노 D램, TSV(실리콘관통전극) 생산능력 확보도 준비 중"이라고 말했다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4 세대는 2026년경에 전환될 것으로 내다봤다. 회사는 "지난 3년여간 HBM2에서 HBM3로 넘어오는 과정, 그 다음 HBM3E 도입 계획 등을 종합하면 약 2년 간격으로 제품 라이프 사이클이 빠르게 지금 움직이고 있다"며 "2026년경부터는 HBM4 세대로 넘어갈 것으로 보고 있고, 당사는 이에 맞춰서 착실하게 제품을 준비를 하고 있다"고 전했다. ■ HBM 공정전환 집중...낸드 5~10% 추가 감산 SK하이닉스는 설비투자 계획과 관련해 전사 투자를 전년 대비 50% 이상 축소한다는 기조는 변함없다는 입장이다. 앞으로도 HBM 제품 양산 확대를 위한 투자에 우선순위를 두되 전사적으로 캐파(생산능력) 증설보다는 공정 전환에 집중한다. 다만, D램 보다 수익성이 낮은 낸드는 5~10% 수준의 추가 감산을 결정했다. SK하이닉스는 "낸드는 감산 규모를 확대해서 재고 정상화 시기를 앞당기려고 한다"며 "그 외에도 전사 차원의 캐펙스(Capex) 관리 강화를 지속적으로 추진하고, 당사의 낸드와 자회사인 솔리다임 간의 개별 역량 통합, 비용구조 개선을 위한 조직 간소화 등을 통해 중복 비용을 계속해서 제거해 나갈 계획이다"고 덧붙였다. 김우현 부사장은 "메모리 반도체 시장은 1분기를 저점으로 이제 회복 국면에 접어드는 것으로 보인다"며 "작년 말부터 시작된 업계 감산에 따른 영향은 현재 점진적으로 나타나고 있으며, 하반기에는 감산에 따른 효과가 상반기 대비 두드러질 것으로 예상된다"고 말했다.

2023.07.26 13:42이나리

[컨콜] SK하이닉스 "낸드 5~10% 추가 감산....솔리다임과 비용구조 개선"

SK하이닉스가 올해 전년 보다 50% 투자 규모를 축소한 기조를 유지하고 있는 가운데, 수익성이 낮은 낸드는 5~10% 수준의 추가 감산을 결정했다고 밝혔다. 더불어 낸드 사업과 관련해 자회사인 솔리다임과 개별 역량 통합, 비용구조 개선을 강화한다는 계획이다. SK하이닉스는 26일 2023년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 '2022년 4분기부터 레거시 및 저수익 제품 위주로 감산을 진행 중이다"라며 "이에 따라 올해 D램과 낸드 생산은 전년 대비 줄어들 전망이다"고 말했다. 다만, 올해 급성장하고 있는 DDR5와 HBM3 제품은 고객 수요에 대응하기 위한 투자는 현재 차질 없이 집행하고 있다. 회사는 "특히 낸드의 경우 재고 수준이 D램보다 높고, 수익성이 나쁜 상황이기 때문에 현재 약 5~10% 수준의 추가 감산을 결정했다"라며 "낸드 감산 규모를 확대해서 재고 정상화 시기를 앞당기려고 한다"고 설명했다. 이어 "그 외에도 전사 차원의 캐펙스(Capex) 관리 강화를 지속적으로 추진하고, 당사의 낸드와 솔리다임 간의 개별 역량 통합, 비용구조 개선을 위한 조직 간소화 등 중복 비용을 계속해서 제거해 나갈 계획이다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 올해 하반기에 실수요 위주의 판매 추진과 응용 믹스를 통해서 낸드 수익성 개선에 집중하겠다"라며 "SSD 16채널 등 고부가 제품 믹스 확대를 통해서 업황이 회복될 경우 빠르게 실적 개선이 가능하도록 컨트롤러 기술 개발과 같은 SoC 경쟁력 확보에도 주력할 계획이다"고 강조했다. 자금조달 계획에 대해서 회사는 "연초에 선제적으로 자금조달로 리소스를 확보를 했고, 2분기부터는 매출이 증가했다"라며 "투자금의 및 현금 지출 규모가 제한적인 만큼 하반기에는 현금흐름이 지속적으로 개선될 예정이다"고 말했다. 이어 "하반기 자금 운용은 일부 차익 사원 발행 외에 상반기와 같은 대규모의 자금 조달 계획은 현재는 없다"라며 "하지만 매크로 환경 및 업황에 따라서 유연하게 대응할 예정이다"고 덧붙였다.

2023.07.26 11:24이나리

S&P, 삼성전자 'AA-' 등급 유지...하반기 실적 회복 전망

글로벌 신용평가사 스탠더드앤드푸어스(S&P)는 삼성전자의 신용등급을 'AA-'로 유지한다고 25일 밝혔다. 아울러 S&P가 발행한 선순위 무담보 채권의 'AA-' 장기 채권등급도 유지했다. S&P는 "삼성전자가 올해 상반기 메모리 반도체 산업의 급격한 업황 둔화로 인해 큰 폭의 연간 영업실적 감소와 잉여현금흐름 적자를 기록했다"라며 "반도체 부문의 수익성 하락 장기화는 우려할만한 상황이지만, 다각화된 사업 포트폴리오와 메모리 반도체를 비롯한 주력 사업부문의 견조한 경쟁지위를 기반으로 하반기부터 영업실적 회복을 시현할 것으로 예상된다"고 전했다. 안정적 등급전망은 삼성전자가 메모리 반도체 업황 회복과 함께 향후 1~2년 동안 수익성을 개선해 나갈 것으로 전망하는 S&P의 견해를 반영한 것이다. S&P는 삼성전자가 2024년, 2025년에 잉여현금흐름을 흑자로 전환하고 견조한 순현금 포지션을 유지할 것으로 전망했다. S&P는 "주요 메모리 제조사의 생산량 축소로 인해 메모리 반도체 산업의 수급상황도 올해 하반기 점차 개선될 것으로 전망된다"라며 "거시경기 둔화로 인해 메모리 반도체 수요 전망은 여전히 전반적으로 불확실한 상황이지만 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지 등 메모리업체들의 감산으로 인해 평균판매가격이 회복되고 이는 향후 12개월 동안 삼성전자의 영업실적 개선으로 이어질 수 있을 것"이라고 말했다. 특히 고대역폭메모리(HBM3)와 차세대 메모리 DDR5 수요가 인공지능(AI) 열풍을 타고 급격히 확대되고 있는 점도 실적 회복에 긍정적인 요인이다. 삼성전자는 올해 상반기 약 1조2천억원의 영업이익을 기록했다. 이는 지난해 같은 기간 기록한 28조원 대비 크게 감소한 수준으로, 반도체 부문은 2009년 이후 처음으로 2023년 1분기에 영업손실을 기록했다. 메모리 반도체 사업부의 실적 부진 장기화는 삼성전자의 등급유지 여력 감소로 이어질 수 있다. 메모리 반도체 수요 관련 불확실성은 삼성전자의 실적회복 전망에 부담으로 작용된다. S&P는 "삼성전자는 우수한 시장 지위와 투자역량, 그리고 다각화된 사업 포트폴리오를 고려할 때, 경쟁지위가 구조적으로 약화될 가능성은 낮다고 판단된다"라며 "향후 2년 동안 견조한 순현금 포지션을 유지할 수 있을 것으로 본다"고 분석했다. S&P는 실적부진과 기술경쟁력 강화를 위한 대규모 설비투자로 인해 삼성전자의 잉여현금흐름이 올해 적자로 전환될 것으로 예상한다. 더불어 고배당 정책에 따른 약 9조8천억원의 배당 지출을 감안하면 삼성전자는 올해 보유 현금을 활용해 이러한 지출의 일정 부분을 감당해야 할 것으로 예상된다. 이에 따라 2022년말 기준 109조원이었던 삼성전자의 순현금 포지션은 올해 말 약 90조원으로 감소할 것으로 전망되지만 여전히 견조한 수준이다. 안정적 등급전망은 삼성전자의 영업이익률이 2023년 2~4% 수준에서 2024년에서 2025년 동안 10% 이상으로 개선될 것으로 전망하는 S&P의 견해를 반영한다. 다만, S&P는 "삼성전자가 메모리 반도체 시장의 침체 장기화 또는 동사 스마트폰 사업부의 실적 악화로 인해 경쟁지위 또는 수익성이 크게 훼손되어 영업이익률이 상당기간 동안 10%를 하회할 경우 신용등급을 하향조정할 수 있다"고 밝혔다.

2023.07.25 15:19이나리

Prev 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Next