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"수율 따른 급 나누기 아니다"…퀄컴 익스트림 칩, 다이부터 달랐다

[마우이(미국)=지디넷코리아 전화평 기자] 퀄컴이 새롭게 선보인 최상위 모바일 프로세서 '스냅드래곤8 엘리트 익스트림 6세대'는 기본형인 엘리트 모델과 설계 밑단부터 완전히 다른 별개의 칩(Die)인 것으로 확인됐다. 반도체 업계 관행인 생산수율에 따른 급 나누기가 아니라, 제조 단계부터 에이전틱 인공지능(AI)과 극한의 성능을 위해 아예 다른 도면으로 빚은 쌍둥이 형제인 셈이다. 크리스 패트릭 퀄컴 수석부사장 겸 모바일 핸드셋 본부장은 23일(현지시간) 미국 하와이 마우이에서 열린 '스냅드래곤 서밋 2026' 모바일 Q&A 세션에서 "엘리트와 익스트림은 단순한 버전 차이가 아니라 물리적으로 매우 다른 다이(very different die)"라고 못 박았다. 두 칩셋은 오라이온(Oryon) 중앙처리장치(CPU)라는 동일한 설계 유전자(DNA)를 공유하지만, 그 외 확장 기능은 확연히 다르다. 익스트림 모델은 8K 60fps 동영상 촬영과 전문가용 APV·VVC 코덱을 독점 지원하며, 메모리 용량과 그래픽처리장치(GPU) 매트릭스 가속기 구성도 엘리트보다 크고 촘촘하게 설계됐다. 제조사(OEM)들이 플래그십 스마트폰 라인업을 구성할 때 원가를 최적화하고 타깃 소비자에 맞춰 유연한 선택을 할 수 있도록 두 가지 하드웨어 옵션을 제공한 것이다. 익스트림 모델이 엘리트와 구별되는 또 다른 특징은 '발열 제어'를 위한 독자 패키징 기술이다. 극한의 사양을 견뎌야 하는 익스트림에는 '오프셋 POP(Offset Package on Package)' 방식을 적용했다. 칩 위에 메모리를 곧바로 쌓아 올리는 기존 방식과 달리, 메모리를 위쪽 측면으로 비스듬히 엇갈리게 배치해 물리적 틈(창)을 만들었다. 이를 통해 고사양 게임이나 연산 시 다이에서 발생하는 열을 외부로 신속하게 방출해 스로틀링(성능 저하) 없이 최대 성능을 오랫동안 유지할 수 있다. 기본형인 엘리트 모델에는 기존의 전통적 POP 패키징을 그대로 적용했다. 퀄컴이 익스트림이라는 별도의 칩을 설계한 궁극적인 이유는 다가올 '에이전틱 AI' 시대에 대비하는 것이다. 에이전틱 AI 시대 명령은 "다음 휴가 계획을 세우고 예약해 줘"처럼 여러 작업을 동시에 수행해야 하는 복합 프롬프트(Compound prompt) 형태이기 때문이다. 비네쉬 수쿠마 퀄컴 제품 관리 부사장은 "복잡한 에이전트 작업을 병렬로 처리하려면 강력한 멀티 스레드가 필수"라며 "익스트림 모델은 엘리트 대비 훨씬 많은 스칼라 및 벡터 스레드를 탑재해 복합 명령을 1초 내에 완결할 수 있는 기초 체력을 갖췄다"고 설명했다. 패트릭 수석부사장은 "결국 클라우드의 추론 기능과 기기의 추론 기능이 결합된 하이브리드 형태가 나타날 것"이라며 "맥락을 생성하고 에이전트가 사용자와 친밀해지도록 하는 데 있어 기기(온디바이스)가 고유 역할을 수행한다는 점은 매우 분명하다"고 덧붙였다. 또한 듀얼 플래그십 전략에 따른 스마트폰 업체의 채택 전망에 대해 패트릭 수석부사장은 "제조사들이 자사의 기기 포트폴리오를 검토하며 두 칩셋을 혼합할지, 하나만 선택할지 결정하는 매우 건전한 조합(healthy mix)을 목격하고 있다"며 "서로 다른 폼팩터나 최종 사용자에게 제공하는 가치 특성을 강조하는 일부 제조사는 익스트림이 아닌 엘리트만을 기반으로 작업하는 등, 시장에서 두 칩셋의 혼합된 형태를 보게 될 것"이라고 밝혔다.

2026.09.23 16:54전화평 기자

삼성전자, 차세대 D램 'D0a' 로드맵 수정…하이브리드 본딩 앞당긴다

삼성전자가 차세대 D램 개발 전략을 수정했다. 기존 프로젝트성으로 개발되던 'B1b' 기술을 최근 정식 로드맵에 편입하고, 이를 첫 10나노미터(nm) 미만 D램인 'D0a'로 명명한 것으로 파악됐다. 당초 삼성전자 D0a은 수직트랜지스터(VCT) D램을 지칭하던 공정이었다. 대신 VCT D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분류됐다. 삼성전자가 D0a의 명칭을 변경한 이유는 범용 D램 내 최첨단 패키징 도입을 앞당기기 위한 조치이다. B1b는 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩을 적용해 내부 집적도를 높이는 기술을 뜻한다. 사안에 정통한 관계자는 "당초 B1b는 연구개발은 되고 있었으나 삼성전자의 정식 로드맵에는 없던 공정이다. 이번 전략 수정으로 D0a에 편입된 것"이라며 "삼성전자가 B1b D램의 발빠른 상용화를 적극적으로 추진 중이란 의미"라고 설명했다. 삼성전자, D0a 명칭 VCT D램→B1b로 전환 23일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 차세대 D램 D0a의 개념을 기존 VCT D램에서 B1b로 전환했다. D램은 내부 회로선폭을 줄이는 방식으로 진화해 왔다. 가장 최근 상용화된 D램은 1c(6세대 10나노급)다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 차세대 제품인 1d(7세대 10나노급)는 10~11나노로, 사실상 마지막 10나노급 D램에 해당한다. 다만 이때 선폭은 실제 물리적인 수치가 아닌, 성능을 가늠하기 위한 마케팅 용어다. 첫 10나노 미만 D램인 D0a를 구현하기 위해 삼성전자는 다양한 기술적 변혁을 시도해왔다. 대표적 기술이 B1b다. B1b는 메모리 셀과 주변부 구동회로인 페리를 각각 다른 웨이퍼에 제조한 뒤 붙이는 기술이다. 페리 위에 셀을 얹는 구조다. 기존 셀과 페리를 한 웨이퍼에 모두 집적하는 방식 대비 셀을 밀도 있게 배치하는 데 유리하다. 셀과 페리에 각각 최적화된 공정을 적용할 수 있다는 점도 장점이다. B1b에는 W2W 하이브리드 본딩을 적용한다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 연결해 붙인다. 작은 돌기(범프)로 칩을 연결하는 기존 패키징 대비 칩 집적도와 성능을 높일 수 있다. 400단 이상 고적층 낸드에서도 W2W 하이브리드 본딩 채용이 본격화된다. W2W는 웨이퍼와 웨이퍼를 붙인다는 의미다. B1b 서두르는 이유…"VCT D램 도입엔 시간 더 필요" 삼성전자 D0a 공정으로 불리던 VCT D램은 파생격인 D0a-V로 변경됐다. VCT는 D램 셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 내부에 수평으로 배치되던 트랜지스터를 수직으로 세우는 기술이다. 트랜지스터 구조를 수직으로 변경하면 셀 면적을 줄일 수 있다. 기존 셀 면적은 가로·세로 기준 치수(F:Feature)를 곱해 6F²(스퀘어)였다. VCT 적용 시 이를 4F스퀘어로 변경 가능하다. 셀 면적이 작아지면 동일한 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있다. 다만 VCT D램은 기술적 난이도가 매우 높은 것으로 평가받는다. 트랜지스터를 수직으로 형성하기 위한 고종횡비 식각 기술, 셀 면적 감소에 따른 누설 전류 증가를 해결하기 위한 신소재 적용 등이 필요하다. 반면 B1b와 같은 W2W 하이브리드 본딩은 CMOS 이미지센서, 고적층 낸드 등 기존 반도체 제조공정에서 이미 양산 적용된 바 있다. 이에 삼성전자는 D0a 공정 구현의 우선 순위를 기존 VCT D램에서 B1b로 변경한 것으로 풀이된다. 또 다른 관계자는 "디자인 상으로 VCT보다 B1b가 상용화 허들이 더 낮아서, 업계에서는 B1b 기술 선제 도입이 유력한 것으로 보고 있다"며 "삼성전자 내부에서도 VCT보다 B1b 도입을 더 서두르는 분위기"라고 말했다. B1b, 차세대 AI 메모리 사업에도 큰 영향 B1b는 삼성전자의 차세대 고대역폭메모리(HBM) 사업에서도 큰 역할을 할 수 있다. 현재 삼성전자는 B1b를 차세대 AI 메모리에 적용하는 방안을 검토하고 있다. 현재 삼성전자는 오는 2029년께 HBM5 양산에 들어갈 것으로 예상된다. 전작인 HBM4E 대비 동작속도를 약 50% 이상 높이는 것을 목표로 제품을 개발하고 있다. 한편 B1b 기반 D0a D램이 실제 상용화 궤도에 오르는 시점은 빨라야 2년 후 정도로 추산된다. 업계는 구체적인 양산 투자 일정이 내년 중반께 확정될 것으로 보고 있다. 물론 VCT D램도 지속 병행개발되고 있다. 향후에는 B1b를 기반으로 VCT D램, 3D D램 등이 개발될 가능성도 있다는 게 업계의 평가다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술로, VCT D램 이후 도입될 제품이다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "B1b는 궁극적으로 VCT D램이나 3D D램과 병행 적용될 것"이라며 "셀과 페리를 분리 제조할 경우 얻게되는 이점이 많아, 하이브리드 본딩은 하나의 플랫폼으로서 향후 D램 셀 아키텍처에 함께 적용될 것"이라고 설명했다.

2026.09.23 14:06장경윤 기자

삼성전자, 최신 퀄컴칩서 차세대 'LPDDR6' 업계 최초 검증 완료

삼성전자가 최근 퀄컴의 최첨단 모바일 칩셋 스냅드래곤8 엘리트 6세대에서 'LPDDR6' 검증을 완료했다. LPDDR6는 내년부터 본격 상용화 궤도에 오르는 차세대 저전력 메모리다. 삼성전자는 이번 검증을 통해 서버 및 엣지 AI 시장에서 D램 초격차를 유지할 수 있을 것으로 기대된다. 삼성전자는 자사 LPDDR6가 퀄컴의 최첨단 모바일 칩셋에서 검증을 완료했다고 23일 공식 블로그를 통해 밝혔다. LPDDR은 스마트폰, 서버 등에 탑재되는 저전력 D램이다. LPDDR6는 지난해 하반기 표준이 제정된 가장 최신 세대 규격에 해당한다. LPDDR6의 대역폭은 10.6~14.4Gbps로, 이전 세대(8.5~10.7Gbps) 대비 성능이 크게 향상됐다. 삼성전자는 최근 16GB 용량의 LPDDR6를 퀄컴의 최신 '스냅드래곤 8 엘리트 익스트림 6세대'에서 최대 10.7Gbps 속도로 업계 최초 검증하는 데 성공했다. 이번 성과는 초기 제품 개발 단계부터 이어져 온 삼성전자와 퀄컴 간 긴밀한 기술 협력을 바탕으로 이뤄졌다. 이를 통해 삼성 LPDDR6가 차세대 모바일 플랫폼의 요구 수준을 충족할 수 있음을 입증했으며, 양사는 고도화되는 온디바이스 AI 환경에 차세대 메모리 기술을 빠르게 접목할 수 있도록 협력을 이어가고 있다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "이번 검증으로 LPDDR6의 기술 경쟁력과 제품 완성도를 다시 한번 입증한 만큼, 향후 고객과 시장의 상용화 일정에 맞춰 고성능, 저전력 메모리 솔루션을 적기에 제공하고 차세대 AI 디바이스 시장을 선도해 나가겠다”고 말했다. 스마트폰 등 온디바이스 AI가 멀티모달 AI와 AI 에이전트로 고도화되면서, 업계에서는 고성능·저전력 LPDDR 수요가 확대되고 있다. 카운터포인트는 생성형 AI 스마트폰이 지난해 글로벌 스마트폰 출하량의 36%에서 2026년 45%, 2027년 52%로 확대돼 전체 스마트폰의 절반을 넘어설 것으로 전망했다. 실제로 스마트폰 출하량보다 메모리 탑재량이 빠르게 증가하는 추세다. 시장조사업체 옴디아 조사 결과 올해 1분기 글로벌 스마트폰 출하량은 전년 동기 대비 0.5% 증가한 반면, 스마트폰에 탑재된 전체 D램 용량은 6.1% 증가했다. 기기당 평균 D램 용량도 7.8GB에서 8.3GB로 5.5% 늘었다. 삼성전자는 이러한 시장 변화 속에서 글로벌 모바일 D램 시장 1위를 유지해 왔다. 옴디아에 따르면 올 1분기 삼성전자의 글로벌 모바일 D램 시장 점유율은 매출 기준 43%를 기록했다. 향후 LPDDR 시장에서는 LPDDR6 비중이 빠르게 확대될 전망이다. 옴디아는 전체 LPDDR 출하량 가운데 LPDDR6 비중이 2027년 3%에서 2028년 9%, 2029년 21%, 2030년 39%까지 확대될 것으로 내다봤다.

2026.09.23 10:40장경윤 기자

"中, 2030년 세계 메모리 생산 비중 20% 차지…韓도 '원팀' 필요"

세계 메모리 반도체 시장에서 중국 후발주자들의 생산능력 비중이 오는 2030년 20% 수준까지 확대될 것이라는 분석이 제기됐다. 21일 오전 서울 여의도 의원회관에서 열린 '대한민국 AI·반도체 메카프로젝트 지원을 위한 글로벌 반도체&AI 산업 세미나'에서 국내 반도체 생태계도 기업 간 경쟁 체제는 유지하되, 국가 인프라와 인재, 표준 등을 '원팀(One Team)'처럼 공동자산으로 활용해야 한다는 목소리가 나왔다. 中, 전체 메모리 생산서 향후 비중 20%…기술 진보도 빨라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들이 주도하는 메모리 반도체 산업은 현재 글로벌 AI 인프라 투자에 따라 전례없는 호황을 맞고 있다. 테크인사이츠에 따르면 올해 메모리 전체 매출은 약 9000억 달러(한화 약 1247조원)로, 과거 최고치였던 전년 대비 4배 수준으로 예상된다. 주요 기업들의 영업이익률도 80%에 육박할 전망이다. 다만 중국 기업들이 메모리 시장을 본격적으로 공략하고 있어, 국내 기업들에게는 위험 요소로 작용하고 있다. 댄 킴 테크인사이츠 최고전략책임자(CSO)는 "중국은 정부 주도의 자본 투자로 사이클에 좌우되지 않는 막대한 투자를 집행 중"이라며 "전체 메모리 생산능력 중 중국이 차지하는 비중은 올해 10% 초반대에서 2030년 20%로 유의미한 수준까지 확대될 것"이라고 말했다. 대표적인 기업으로는 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT, 낸드 제조업체인 YMTC가 거론된다. 이들 기업은 단순한 설비투자 확대를 넘어, AI 인프라향 고부가 메모리도 매우 빠른 속도로 상용화하고 있다는 평가를 받고 있다. 특히 CXMT는 최근 차세대 모바일용 D램인 LPDDR6를 양산하기 시작한 것으로 알려졌다. 15나노미터(nm)급으로 알려진 'G5' 공정도 양산화했다. 고대역폭메모리(HBM)도 현지 서버 기업들과 지속적인 양산 검증을 거치고 있다. 中, 자체 완결형 AI 생태계가 강점…韓도 '원팀' 갖춰야 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 "중국은 자체적으로 완성형 AI 생태계를 가지고 있다는 것이 가장 큰 강점"이라며 "AI 칩 설계 기업과 시스템 기업, 대규모 수요의 내수 시장, 장비기업, 정부 정책 등이 모두 연결돼 있다"고 말했다. 다만 중국 기업들의 추격 속도를 단순히 공정 세대만으로 파악해서는 안 된다는 것이 전문가의 조언이다. 최 부사장은 "셀(메모리를 저장하는 최소 단위) 면적을 축소해도 수율이 낮거나 전력효율성이 떨어지면 효용이 없다"며 "공정 세대 명칭보다는 적용 기술이나 양산 완성도를 봐야한다"고 강조했다. 국내 기업들은 고부가 AI 메모리 분야에서 탄탄한 양산 경험을 보유하고 있다. 테크인사이츠는 이를 토대로 한국 반도체 산업이 국가 차원의 'One AI 팩토리'를 구축할 필요가 있다고 주장했다. 최 부사장은 "삼성전자의 통합형 AI 플랫폼, SK하이닉스의 고객형 계층 메모리 등을 잘 발전시킴과 동시에, 소부장이 공정 고도화를 담당해야 한다"며 "동시에 학계 밎 정부가 개별 기업이 해결하기 어려운 부분을 해결해, 기업 간 간경쟁 속에서도 국가 인프라 및 표준을 공동 자산으로 만들어야 한다"고 말했다.

2026.09.21 16:52장경윤 기자

SK하이닉스 손자회사 솔리다임, 美 첫 낸드 공장 구축 추진

SK하이닉스의 낸드 손자회사 솔리다임이 미국에 첫 낸드 양산라인 구축을 검토 중인 것으로 19일 파악됐다. 현재 공장 부지, 투자 시점 등 세부 계획을 조율하는 단계다. 최근 인공지능(AI) 인프라 구축 확대로 낸드 수요가 폭증하는 만큼, 미국 현지 고객과 협력을 강화하기 위한 전략이란 풀이가 나온다. 최근 최태원 SK 회장이 그룹 차원에서 주도하는 미국 AI 투자 확대 기조와도 맞물린다. 솔리다임은 SK하이닉스가 지난 2021년 말 인텔 낸드플래시 사업부를 인수하면서 설립한 미국법인이다. 당시 전체 인수 규모는 90억 달러(당시 환율 기준 약 10조원)였다. 솔리다임은 중국 다롄에 1공장이 있고, 올 3분기부터 다롄 2공장 설비투자도 시작했다. 미국에는 본사와 연구개발(R&D) 센터만 있고 생산거점은 없다. 솔리다임이 미국 첫 생산거점 구축을 검토하는 지역은 미국 동부다. 현재 부지 선정과 생산품목, 양산시점 등을 세부적으로 논의 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "솔리다임이 미국 빅테크 기업의 AI 서버용 낸드 수요에 대응하기 위해 현지 양산라인 구축을 추진하고 있다"며 "고객들과 장기공급계약(LTA) 협의를 바탕으로 투자계획을 구체화할 것"이라고 전망했다. 그간 솔리다임은 AI 데이터센터용 쿼드레벨셀(QLC) 낸드 개발에 주력해 왔다. QLC는 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 4비트를 저장하는 방식이다. 3비트를 저장하는 트리플레벨셀(TLC) 등 타 방식 대비 대용량 SSD 구현에 유리하다. 특히 엔비디아의 블랙웰·베라루빈 등 차세대 AI 플랫폼이 요구하는 낸드 용량이 급증하면서, 고용량 낸드 주문도 몰리고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 올 2분기 SK하이닉스(솔리다임 포함) 낸드 매출은 142억 7290만 달러(약 19조 8000억원)로 전 분기보다 89.5% 뛰었다. 솔리다임의 미국 투자는 SK그룹이 추진 중인 미국 내 투자 확대 기조와 맞물린다. 현재 SK그룹은 SK하이닉스의 미국 주식예탁증서(ADR) 상장과 현지 첨단 패키징 팹 구축에 이어, 추가 메모리 생산공장 구축 가능성도 열어두고 있다. 솔리다임 역시 나스닥에 기업공개(IPO)를 준비 중이다. 최태원 SK 회장도 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 SK하이닉스 ADR 상장 기념행사에서 "미국 인디애나주 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토하고 있다"며 "전력·용수·인력·공급망 등 여건이 갖춰지면 메모리 생산공장 건설도 가능하다"고 말한 바 있다. 최근에는 외신과 업계를 통해 SK하이닉스와 인텔의 미국 내 메모리 생산 협력설도 나온다. 최종 확정되려면 시간이 필요하지만, 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 수요가 중장기적으로 지속 증가할 것으로 전망돼 실현 가능성은 있다는 게 업계 시각이다. 솔리다임 관계자는 미국 내 설비투자 계획과 관련해 "사업 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토 중이나 확정된 바는 없다"고 밝혔다.

2026.09.18 13:44장경윤 기자

아이폰18 사전예약 10명 중 7명 '프로'...256GB·실버에 꽂혔다

SK텔레콤, KT, LG유플러스 등 이동통신3사의 아이폰18 프로 시리즈 사전예약에서 가입자 10명 중 7명 이상이 '프로' 모델을 선택한 것으로 나타났다. 저장용량은 256GB, 프로 색상은 실버가 3사에서 공통으로 가장 높은 선호도를 보였다. 18일 통신업계에 따르면 이동통신3사가 지난 12일부터 일주일간 진행한 아이폰18 프로와 아이폰18 프로맥스 사전예약에서 프로의 예약 비중이 각각 70%를 넘어섰다. 3사는 이날부터 사전예약자를 대상으로 정식 개통을 시작했다. 프로는 실버로 통했다...프로맥스 색상 취향은 제각각 저장용량에서는 통신사와 모델에 관계없이 256GB가 가장 많이 선택됐다. 색상 역시 프로에서는 3사 모두 실버가 1위를 차지했다. SK텔레콤과 KT에서는 실버에 이어 블랙, 글레이셔, 버건디 순으로 프로 색상 선호도가 높았다. LG유플러스는 실버에 이어 버건디, 글레이셔, 블랙 순으로 집계됐다. 프로맥스에서는 통신사별 취향이 엇갈렸다. SK텔레콤 가입자는 블랙을 가장 많이 선택했고 실버, 버건디, 글레이셔가 뒤를 이었다. KT는 버건디, 블랙, 실버, 글레이셔 순이었다. LG유플러스에서는 실버가 가장 인기가 높았고 글레이셔, 버건디, 블랙 순으로 나타났다. 전체 사전예약 규모는 SK텔레콤이 전작인 아이폰17 프로 시리즈와 비슷한 수준을 기록했다. KT는 전작보다 예약 가입자가 늘어난 것으로 나타났다. 아이폰18 프로 시리즈 출고가는 전작보다 약 20만원 올랐다. 256GB 기준 아이폰18 프로는 199만 1000원, 아이폰18 프로맥스는 220만원이다. 프로 최대 45만원 지원…이통3사 개통 경쟁 이동통신3사는 아이폰18 프로 시리즈 정식 개통에 맞춰 지원금과 구독 서비스, 요금 할인 등 가입자 확보 경쟁에 들어갔다. 공시지원금은 이용 요금제에 따라 차등 적용된다. 최대 지원금은 아이폰18 프로 45만원, 아이폰18 프로맥스 26만원으로 책정됐다. SK텔레콤은 10월 18일까지 개통을 마친 가입자에게 T우주 구글 AI Plus 400GB 2개월 구독권과 티빙 광고형 스탠다드 4개월 이용권을 제공한다. KT는 온라인몰 KT닷컴에서 개통한 가입자를 대상으로 선택약정 25%에 전용 할인 7%를 더해 최대 32%의 요금 할인 혜택을 제공한다. LG유플러스는 공식 온라인스토어에서 기존 스마트폰을 반납하고 아이폰18 프로 시리즈를 구매하면 중고폰 보상금에 네이버페이 5만원을 추가로 지급한다. 애플의 첫 폴더블 스마트폰 '아이폰 듀오'는 10월16일부터 사전예약에 들어갈 예정이다.

2026.09.18 11:01홍지후 기자

래티스반도체, AMD·알테라에 도전장...신규 FPGA 칩 성능·보안 강화

미국 래티스반도체가 인공지능(AI) 데이터센터 등 첨단 산업을 위한 신규 필드프로그래머블게이트어레이(FPGA)를 선보인다. AMD·알테라 등 경쟁사 대비 빠른 부팅 속도와 차세대 보안 기술을 탑재한 것이 특징이다. 현재 복수 고객을 상대로 샘플 공급을 추진 중이다. 래티스반도체는 지난 15일 온라인 간담회를 열고 신규 FPGA 하드웨어 및 설계 소프트웨어 제품을 공개했다. 래티스는 간담회에서 소형 FPGA 플랫폼 '래티스 넥서스(Lattice Nexus) 2'의 신규 제품 '마크(Mach)-N2'를 출시했다. FPGA는 엔지니어가 내부 회로 구조를 원하는 방식으로 바꿀 수 있는 반도체다. 반도체 샘플 검증부터 통신, 데이터센터, 차량 등 등 다양한 산업에서 활용되고 있다. 마크-N2는 전 세계 사이버 공격이 증가하는 추세에 맞춰 래티스가 내놓은 비휘발성 보안 제어 FPGA다. 최대 7.8Gbps 데이터 통신 인터페이스(MIPI D-, C-PHY)를 지원하며, 저전력에서 2배 더 빨라진 프로그래머블 패브릭 속도를 갖췄다. 업계 선도적인 보안 기술도 적용했다. 마크-N2는 암호화 유연성을 비롯해, 양자 컴퓨터 공격에 저항하는 암호화 알고리즘 '양자내성암호(PQC)'를 지원한다. 부팅 속도는 30밀리초(ms) 이내다. 해당 속도가 빨라야 해킹 위험으로부터 칩을 안전히 보호할 수 있다. 빠른 부팅 속도를 가능케 하는 비결은 '통합 플래시메모리'에 있다. 이기훈 래티스 이사는 "통상 FPGA는 플래시 메모리가 외부에 있어 데이터를 읽는 데 시간이 걸렸으나, 래티스 제품은 플래시 메모리를 칩 내부에 통합해 처리속도를 높였다"며 "칩이 외부에 노출되지 않아 해킹 위협도 차단할 수 있다"고 설명했다. 래티스는 마크-N2 장점을 무기로 AI 데이터센터, 네트워크 인프라, 에지 디바이스, 휴머노이드 등 첨단 산업을 공략한다. 곧 일부 고객에 샘플을 제공할 계획인 것으로 알려졌다. AMD, 알테라 등 FPGA 업계 선도업체들과 경쟁 구도가 주목된다. 경쟁사 제품 부팅 속도는 200ms 이상으로, 래티스 대비 크게 느리다. PQC 서비스를 제공하는 칩 역시 래티스가 유일하다. 특히 PQC는 세계 각국에서 향후 3~5년 내 데이터센터 적용을 서두르고 있어, 향후 시장 규모가 커질 것으로 기대된다. 이 이사는 "서버 시장에서 마크-N2의 정확한 공급 시점을 밝히기 어렵지만, 고객사 수요를 확인한 만큼 이미 적용이 예정돼 있다고 보면 된다"고 말했다. 또한 래티스반도체는 AI 기반 FPGA 설계 지능형 소프트웨어 툴 '래티스 프롬프트(Lattice Prompt)'를 출시했다. 해당 도구는 엔지니어가 자연어나 파이썬, C-코드를 입력하면 AI가 FPGA 전용 하드웨어 설계 언어(VHDL, 베릴로그 등)로 자동 변환해 준다. 이를 통해 기존 약 4개월(120일)이 소요되던 복잡한 설계 및 타이밍 맞추기 작업을 10~12일 수준으로 단축했다.

2026.09.17 11:00장경윤 기자

SK하이닉스, 인텔과 美 메모리 협력설에 "확정된 바 없다"

SK하이닉스가 인텔과의 미국 내 메모리 칩 생산 협상과 관련한 외신 보도에 대해 결정된 사항은 없다고 밝혔다. SK하이닉스는 16일 회사 뉴스룸을 통해 "SK하이닉스는 글로벌 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토하고 있으나 현재 어떠한 사안도 확정된 바 없다"며 "기사에 언급된 두 가지 시나리오 등에 대해서도 결정된 사항이 없다"고 밝혔다. 앞서 로이터통신은 SK하이닉스가 인텔과 미국 내 메모리 반도체 생산을 위한 초기 협상을 진행 중이라고 보도한 바 있다. 로이터는 "인텔이 오하이오주에 장기간 계획해 온 반도체 생산시설 일부를 SK하이닉스가 임차할 가능성이 있다", "SK하이닉스가 인텔 및 주요 클라우드 기업들과 합작법인을 설립하는 방안도 논의되고 있다" 등 두 가지 잠재 시나리오가 제시했다. 해당 보도에 대해 SK하이닉스는 "기사에서 언급한 특정 기업과 협력 및 미국 내 생산과 관련해 확정된 바가 없다"고 밝혔다. 이와는 별개로 SK하이닉스는 미국 내 투자 규모를 확대하는 방안을 지속 검토 중이다. 현재 SK하이닉스는 미국 인디애나주에 고대역폭메모리(HBM) 등을 양산할 최첨단 패키징 팹을 건설하고 있다. 최태원 SK 회장은 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 ADR 상장 기념행사에서 "미국 인디애나주 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토하고 있다"며 "전력·용수·인력·공급망 등 여건이 갖춰질 경우 메모리 생산공장 건설도 가능하다"고 말했다.

2026.09.16 20:02장경윤 기자

최우석 교수, SK하이닉스 산학연구 우수특허 최우수상 수상

최우석 서울대 교수가 SK하이닉스의 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'에서 최우수상을 받았다. 17일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 최우석 교수가 발명한 '차세대 다중 레벨 신호 전송 회로 설계' 특허가 시상식에서 가장 높은 평가를 받았다. SK하이닉스는 대학 연구실의 창의적 연구성과를 현장에 접목하고 미래 반도체 원천기술을 확보하기 위해 산학협력 포상 행사를 개최해왔다. 최 교수는 연산 칩과 메모리 간 데이터를 더 빠르고 적은 전력으로 전송하는 통신 회로 기술을 개발, 초고속 메모리 인터페이스의 핵심 난제인 전원 잡음 문제를 해결한 공로를 인정받았다. 우수상은 김형준 연세대 교수의 '차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 제어' 특허가 받았다. 단일 공정 변수만으로 전극 물성을 정밀 제어하는 기술로, 구체적인 정량 데이터를 확보해 양산 적용 가능성을 입증했다. 장려상 수상자는 ▲황철성 서울대 교수(수직형 SOM 셀 물질 증착용 고온 ALD/CVD 공정) ▲최병준 서울과기대 교수(차세대 메모리용 고온 ALD/CVD 전구체 및 공정) ▲한재덕 한양대 교수(UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로) 등이다. 산학연구과제 우수발명포상 시상식은 지난 2013년부터 매년 열리고 있다. 대학과 기업이 공동 수행한 연구 중 기술 완성도가 높고 특허 가치가 뛰어난 발명을 격려하는 자리다. 올해는 지난해 출원된 산학특허 26건을 심사해 최우수상 1건, 우수상 1건, 장려상 3건 등 총 5건을 최종 선정했다. 행사는 지난 16일 SK하이닉스 경기 이천캠퍼스 영빈관에서 열렸다. 행사에는 차선용 미래기술연구원장을 비롯해 채희석 법무·특허 부문장, 김재범 R&D전략 담당, 김연수 특허담당 등 기술·특허 부문 임원진이 참석해 수상 연구진을 축하했다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장은 "산학협력으로 발굴한 우수 특허가 국내 반도체 산업 경쟁력을 높이는 마중물이 될 것"이라며 "앞으로도 혁신적 연구가 지속되도록 지원을 아끼지 않겠다"고 말했다.

2026.09.16 17:38전화평 기자

삼성전자, 커스텀 HBM서 '핵심 칩' 공급망 변화…내부·TSMC '투트랙' 추진

삼성전자의 고대역폭메모리(HBM)용 베이스 다이 공급 전략이 커스텀 HBM(cHBM) 시대에 큰 변화를 맞을 전망이다. 기존 내부 파운드리를 통한 자체 생산에서 벗어나, TSMC 공정 기반의 베이스 다이를 함께 활용하는 '투트랙' 전략을 추진 중이다. 커스텀 HBM은 엔비디아 등 글로벌 빅테크가 원하는 로직 기능을 칩 내부에 일부 탑재할 수 있어, 향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 시장이다. 삼성전자도 다양한 고객 수요에 대응하기 위해, 베이스 다이 공급망 유연성을 높이려는 것으로 풀이된다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 커스텀 HBM용 베이스 다이에 삼성 파운드리와 TSMC 공정을 동시에 활용할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직 적층한 코어 다이와, 그 밑에 베이스 다이를 배치한 구조로 이뤄져 있다. 베이스 다이는 메모리와 시스템 반도체를 연결해, 고속으로 데이터를 송수신한다. 베이스 다이 중요성은 HBM 세대가 진화할수록 커지고 있다. 삼성전자·SK하이닉스는 올해 양산을 시작한 HBM4부터 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정에서 베이스 다이를 제조하기 시작했다. 파운드리 공정은 D램 공정 대비 베이스 다이에 더 많은 기능을 집적하고, 성능 및 전력 효율성을 높이는 데 유리하다. 다가오는 커스텀 HBM 시대…'NVHBM' 등장 커스텀 HBM 시대에 베이스 다이는 또 한번 큰 변화를 맞을 전망이다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 기능을 베이스 다이에 맞춤형으로 탑재하는 개념이다. 제품 설계부터 제조에 이르는 전 과정에서 고객사와 메모리, 파운드리 기업 간 협력이 요구된다. 대표 사례가 NVHBM이다. NVHBM은 엔비디아가 지난달 발표한 커스텀 HBM 구조다. 메모리 컨트롤러 기능을 기존 인공지능(AI) 가속기에서 HBM 베이스 다이로 옮기는 것이 핵심이다. HBM4E부터 적용할 예정이다. 표준 HBM4E 대비 메모리 대역폭은 최대 30% 높이면서 전력 소모는 15%까지 낮출 수 있다. NVHBM 첫 적용 고객은 아마존이 거론된다. 아마존 내 반도체 개발 조직인 안나푸르나 랩스가 NV링크 퓨전, NVHBM 기술을 통해 차세대 AI 가속기 '트레이니엄4'를 설계하기로 했다. 삼성전자, 베이스 다이 공급망 '투트랙' 전략 공급망 구조도 바뀐다. 그간 삼성전자는 내부 시스템LSI 사업부와 파운드리 사업부를 통해, HBM에 쓰일 베이스 다이를 자체 조달해 왔다. 그러나 NVHBM 등 커스텀 HBM에서는 TSMC 베이스 다이도 함께 채택할 예정이다. 삼성전자 HBM 코어 다이를 두고, 고객 요구에 따라 삼성 파운드리에서 제조된 베이스 다이와 TSMC에서 제조된 베이스 다이가 혼용 탑재되는 구조다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 고객 요청에 따라 NVHBM용 베이스 다이를 내부 파운드리 및 TSMC 투트랙으로 활용할 계획"이라며 "구체적인 채택 여부와 비중은 최종 고객 수요에 따라 달라질 것"이라고 말했다. 턴키 고집보다 공급망 유연성…메모리사업부가 주축 삼성전자 HBM용 베이스 다이를 TSMC가 제조하는 경우, 관련 칩 설계와 최적화 지원은 삼성전자 메모리 사업부가 담당하는 것으로 파악됐다. 내부 시스템LSI 사업부는 삼성전자 파운드리향 제품만 설계한다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 메모리 사업부로 넘어간 시스템LSI 사업부 인력들이 존재한다. TSMC 베이스 다이 관련 작업은 해당 인력들이 담당하는 구조"라며 "이미 삼성전자 HBM 코어 다이와 TSMC 공정 기반 베이스 다이로 제품을 설계 중인 고객이 있다"고 설명했다. 한편 삼성전자의 커스텀 HBM용 베이스 다이 이원화는 공급망 측면에서 고립을 피하기 위한 전략으로 풀이된다. 현재 TSMC는 자사 파운드리 및 패키징 공정으로 엔비디아 등 글로벌 빅테크와 탄탄한 공급망을 구축하고 있다. 안정성과 성능 면에서 고객 선호도가 높다. 이 같은 상황에서 삼성전자가 자사 파운드리 턴키(일괄 생산)만을 고집할 경우, 고객사의 다양한 맞춤형 수요를 충족하지 못할 가능성이 커진다.

2026.09.15 13:56장경윤 기자

'열 감옥' 족쇄 3D 반도체…냉각 솔루션이 양산 물꼬 트나

평면(2D) 집적도 향상이 물리적 벽에 부딪히며 반도체 업계 관심이 '수직 적층(3D IC)'으로 쏠리는 가운데, 기술 도입 최대 장벽이었던 '발열 문제'를 해결할 냉각 솔루션이 속속 가시화하고 있다. 3D 반도체 시장도 본격 개화를 기대할 수 있다. 11일 반도체 업계에 따르면 국내외 팹리스(반도체 설계전문) 기업이 차세대 반도체 아키텍처로 3D IC 도입을 적극 추진 중인 것으로 파악됐다. 최근 삼성전자 파운드리 생태계에 접수되는 고객 문의 중 상당수가 3D IC 구현에 집중되고 있다. 이는 선단 공정으로 갈수록 트랜지스터 축소에 따른 면적 효율 한계가 뚜렷해지면서, 로직 칩 위에 메모리를 올리거나 이종 다이를 수직으로 쌓아 올려 성능과 면적 효율을 동시에 잡으려는 움직임이 본격화된 결과다. 국내 반도체 업계에서도 3D IC 양산 사례가 등장하고 있다. 코아시아세미가 대표 사례다. 회사는 로직 시스템온칩(SoC) 위에 D램을 수직 적층하는 3D IC 패키지 적용 제품 양산에 돌입한 바 있다. 하지만 3D 반도체는 태생적으로 열과의 싸움을 피할 수 없는 구조적 한계를 안고 있다. 칩을 수직으로 겹겹이 쌓을수록 안쪽 깊숙이 갇힌 다이(Die)의 열이 외부로 방출되지 못하는 열 감옥 현상이 발생하기 때문이다. 메모리 소자의 경우 일정 온도 이상 상승하면 전하 누설이 심화돼 데이터를 유지하기 위한 리프레시 주기를 억지로 단축해야 하는데, 이는 시스템 전반의 치명적 성능 저하로 이어진다. 업계에서는 최근 이 같은 발열 난제를 해결할 하드웨어·소프트웨어 방열 기술이 빠르게 성숙하면서 3D 구조 도입 속도가 붙기 시작했다는 평가가 나온다. 반도체 업계 한 관계자는 "이전까지 발열을 이유로 칩 성능에도 제한이 있었는데 냉각 솔루션이 발전하면서, 발열 걱정 때문에 칩 성능을 제한하는 일이 줄었다"며 "냉각 기술이 3D 반도체 시장 개화에 결정적 역할을 할 것"이라고 말했다. 3D IC 시장 개화는 물리적 크기 한계에 부딪힌 반도체 구조와 방열 기술 발전이 맞물린 결과로 풀이된다. 평면상에서 집적도를 높이기 어려워진 칩 제조사의 적층 요구에 차세대 냉각 기술이 해법을 제시한 것이다. 전덕호 프라임마스코리아 대표는 "단순히 냉각 기술이 발전해서 3D로 쌓기 시작했다기보다는, 평면 미세화 한계로 더 이상 칩을 작게 만들 수 없다는 '적층의 당위성'이 먼저 임계점에 달했다"며 "수직으로 쌓아야만 하는 산업 요구가 확립된 이후 이를 구현하기 위한 핵심 전제조건으로 냉각 기술이 뒤따라 발전하면서 비로소 3D 상용화 물꼬가 트였다"고 설명했다.

2026.09.11 18:41전화평 기자

中CXMT, 상하이 신규 팹 설비투자 준비…韓 맹추격

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 공격적인 설비투자 준비에 돌입했다. 최근 협력사와 신규 팹에 도입할 설비 입찰을 시작하는 한편, 추가 팹 증설계획도 구체화하고 있다. 투자가 차질없이 진행되면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업과 생산능력 격차를 빠르게 좁힐 것으로 예상된다. 11일 업계에 따르면 CXMT는 최근 상하이 신규 팹 건설을 위한 협력사 장비 입찰 과정에 착수했다. CXMT는 현재 허페이 팹 2기, 베이징 팹 1기 등에서 D램을 양산하고 있다. 생산능력은 현재 월 20만장 중반대로 추산된다. 연말에는 최대 월 30만장을 넘어설 것으로 관측된다. 추가 팹 증설 계획도 가시화되고 있다. 협력사 등과 논의한 내용에 따르면 CXMT는 올 4분기 상하이 소재 신규 팹을 오픈할 계획이다. 해당 팹 관련 장비 입찰도 최근 시작됐다. 한 반도체 장비업계 관계자는 "CXMT가 상하이 신규 팹을 두 단계에 걸쳐 확대할 계획"이라며 "최근 장비 입찰 규모를 고려하면, 해당 팹에서만 월 10만장 이상을 크게 웃도는 생산능력을 확보할 것으로 보인다"고 말했다. CXMT는 이후 허페이 신규 팹을 내년 상반기, 베이징 신규 팹을 이르면 내년 하반기 순차 오픈한다. 내후년 상반기에도 허페이 지역 추가 팹 오픈을 목표로 하고 있다. 또 다른 장비업계 관계자는 "CXMT가 최근 중국 현지 복수의 팹 구축 계획 시점을 정하고 관련 사항을 공유하고 있다"며 "현지 정부의 막대한 보조금 정책과 메모리 수요 급증으로 증설 의지가 강력하다"고 설명했다. 설비투자 계획이 모두 실행되는 경우, CXMT는 올해부터 2028년까지 최소 월 7만~8만장 수준 신규 생산능력을 매년 꾸준히 확보할 수 있다. 장기적으로는 월 60만장 이상으로 생산능력이 확대될 것이라는 관측도 제기된다. 이는 D램 시장 선두업체의 현재 생산능력과 맞먹는 수준이다. 국내 삼성전자와 SK하이닉스의 총 D램 생산능력은 각각 월 70만장, 월 60만장 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자와 SK하이닉스도 최근 메모리 반도체 공장 증설에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 평택 제4캠퍼스(P4) 내에 D램 양산라인을 구축해 왔다. 올 하반기부터 차세대 생산기지 P5 클린룸 공사를 시작했다. SK하이닉스는 올해 1분기부터 M15X 조기 가동을 시작해, 현재 생산능력 확대를 위한 투자를 지속하고 있다. 용인 대규모 반도체 클러스터인 Y1도 올 3분기 설비발주를 시작했다.

2026.09.11 11:15장경윤 기자

SK하이닉스 "3D 스택드 D램에 파운드리 공정 활용"

SK하이닉스가 차세대 메모리 '3D 스택드(stacked) D램' 개발에 파운드리 공정을 활용할 수 있다고 9일 밝혔다. 전날 이천캠퍼스 수펙스센터에서 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 SK하이닉스 김경훈, 손호영 부사장은 3D 기술 주요 방향으로 D램 주변회로의 로직 파운드리 공정 활용, 데이터 버스 대역폭 극대화, 초단거리 전송 등을 제시했다. 3D 스택드 D램은 로직 반도체 위에 D램을 수직으로 직접 쌓아 올리는 첨단 적층 기술이다. 데이터 통로(I/O)를 대폭 늘려 지연시간을 최소화하고 전력 효율과 공간 활용도를 개선할 수 있다. 김 부사장과 손 부사장은 이 기술을 구현하려면 설계와 발열 문제뿐 아니라 미세 인터커넥트와 본딩, 공정 통합 등 패키징 영역 난제를 함께 해결해야 한다고 설명했다. 또한 전공정과 후공정(패키징), 파운드리와 메모리 기술 경계가 가까워진 만큼 기존 영역을 넘어선 공동 최적화가 중요해질 것으로 내다봤다. 손 부사장은 "3D 기술은 팹과 패키징의 기술 경계까지 바꾸고 있다"며 "어드밴스드 패키지 기술 혁신과 함께 기존 영역을 넘어선 최적화와 새로운 협업 체계를 만드는 것이 중요하다"고 강조했다. 같은 주제로 발표를 한 신창환 고려대 교수는 "3D D램은 단순히 칩을 수직으로 쌓는 기술을 넘어, 메모리와 로직 경계를 허무는 기술"이라며 "소자 미세화가 한계에 가까워지고 시스템과 메모리 간 데이터 이동에 따른 시간·전력 소모가 증가하면서 3D 기술로 전환은 불가피하다"고 설명했다. 이에 소재, 소자, 패키징, 아키텍처 등 네 영역을 인공지능(AI)으로 연계한 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 인사말에서 "과거 메모리 시장은 누가 더 빠르게 달리는지 경쟁하는 '직선도로'였다면, 현재는 시시각각 변하는 '곡선도로'를 달리는 것과 같다"며 "내부 역량뿐 아니라 외부 환경 변화 속도와 방향을 파악하고 유연하게 적응하는 속도도 중요하다"고 당부했다.

2026.09.09 11:51진운용 기자

삼성전자, 2028년 메모리 최초 '하이 NA EUV' 도입... ASML과 포토마스크 개발 협력

삼성전자가 네덜란드 반도체 노광장비 기업 ASML과 손잡고 차세대 12인치 포토마스크 개발에 착수한다. 2028년까지 업계 최초로 첨단 메모리 공정에 차세대 노광장비 '하이 NA EUV(극자외선)'를 도입하기로 했다. 삼성전자는 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄'에 공식 참여해 12인치 포토마스크 공동 개발과 표준화에 나선다고 8일 밝혔다. 포토마스크는 웨이퍼 위에 미세회로 패턴을 빛으로 전사하는 핵심 틀이다. 그간 반도체 업계는 6인치 마스크를 표준으로 사용해왔으나, 회로가 극도로 미세화되면서 패턴을 분할해 새긴 뒤 이어 붙이는 '스티칭(Stitching)' 공정 한계가 대두됐다. 마스크 크기를 12인치로 전환하면 스티칭 제약을 해소해 하이 NA EUV 성능을 극대화할 수 있고, 팹 생산성을 높여 제조비용을 크게 절감할 수 있다. 삼성전자는 메모리와 파운드리 전반에서 축적한 오랜 EUV 운용 노하우를 바탕으로 12인치 마스크 표준 전환에 핵심 역할을 수행할 방침이다. 양사는 2028년까지 첨단 D램 양산라인에 하이 NA EUV 장비를 업계 최초로 적용하기 위한 협력을 가속한다. 하이 NA EUV는 렌즈 개구수를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올려 초미세회로를 단일 노광으로 구현하는 차세대 장비다. 이를 통해 삼성전자는 D램 미세화 한계를 돌파하고 공정 단순화와 생산성을 동시에 확보할 계획이다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다"며 "인공지능(AI)이 이끄는 새로운 시대를 맞아 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어가기를 기대한다"고 말했다. 전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 "AI 시대 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신 중요성을 높이고 있다"며 "삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과 협력을 강화해 '넥스트(Next) AI'를 위한 기술 기반을 마련하겠다"고 밝혔다.

2026.09.08 15:23전화평 기자

마이크론, YMTC 특허 7번째 무효 판단 받았다...쟁점특허 27건

미국 마이크론이 중국 YMTC를 상대로 자국에서 힘겨운 특허분쟁을 이어가고 있다. YMTC는 미국에서 마이크론을 상대로 메모리 반도체 특허침해소송 3건을 제기했다. 마이크론은 무효심판 등으로 대응 중이지만 결과는 신통치 않다. YMTC가 소송 3건에 사용한 특허는 모두 27건이다. 마이크론은 27건 중 19건에 대해 특허심판원(PTAB)에 무효심판(IPR·PGR)을 청구했고, 나머지 8건에 대해선 특허청에 결정계 재심사(EPR)를 신청했다. 6일 업계에 따르면 미국 특허심판원은 지난 2일(현지시간) YMTC 특허 1건(등록번호 12,010,838·아래 '838 특허)이 무효라고 판단했다. 이로써 마이크론이 특허심판원에 무효심판을 청구한 YMTC 특허 19건 중 무효 판단을 받은 특허는 7건으로 늘었다. 무효 판단에 대해 YMTC는 항소할 수 있다. 마이크론이 '838 특허 등 YMTC 특허 7건에 대해 무효 판단을 받았지만, 마이크론이 특허심판원에 무효심판을 청구한 YMTC 특허 19건 중 12건은 유효 취지 판단이 나왔다. 유효 취지 판단은 무효심판이 개시되지 않았거나, 심판 개시 후 유효 또는 일부 유효(일부 무효) 판단이 나온 특허를 말한다. 특허심판원은 무효심판 심리에서 특허가 무효화될 가능성이 낮다고 판단하면 무효심판을 개시하지 않는다. 특허심판원의 무효심판 개시 기각 결정에 대해선 항소할 수 없다. 마이크론은 특허심판원 심리 후 유효 또는 일부 유효 판단이 나온 YMTC 특허에 대해선 연방항소법원(CAFC)에 항소했다. 마찬가지로, 무효 또는 일부 무효(일부 유효) 판단이 나온 특허에 대해선 YMTC가 항소하고 있다. YMTC가 마이크론을 상대로 소송 3건을 제기하며 사용한 특허 27건 중 나머지 8건에 대해 마이크론은 특허청에 결정계 재심사(EPR)를 청구했다. 8건 중 1건은 기각됐고, 7건은 재심사 명령을 받았다. 마이크론이 결정계 재심사 8건을 청구한 시점은 올해 3~7월이다. 지난해부터 미국 특허청이 특허 안정성 제고를 명분으로 특허심판원의 무효심판 재량적 기각을 늘리면서, 무효심판 개시율이 크게 떨어졌다. 이 때문에 최근 특허청 결정계 재심사를 활용하는 사례가 늘었다. 특허심판원 무효심판이 특허청 결정계 재심사보다 특허권자를 압박하는 힘이 더 크다. YMTC는 지난 2022년 12월 미국 상무부 블랙리스트(Entity List)에 포함된 다음해인 2023년부터 미국에서 마이크론을 상대로 특허소송을 제기했다. YMTC가 미국에서 사업을 하기 어렵기 때문에 미국에서 YMTC는 사실상 특허관리전문기업(NPE) 같은 지위로서 분쟁을 지속할 수 있다. YMTC는 지난 2023년부터 2025년까지 매년 마이크론을 상대로 특허침해소송을 1건씩 제기했다. 각 소송에 사용한 특허 수는 차례로 ▲19건(캘리포니아북부법원) ▲11건(캘리포니아북부법원) ▲8건(텍사스동부법원) 등이다. 두 번째 소송에 사용한 특허 11건은 모두 첫 번째 소송에 사용한 특허 19건에 포함된다. YMTC가 마이크론을 상대로 소송을 제기하며 사용한 특허는 모두 27건이다. YMTC가 소송에서 특허침해품으로 지목한 마이크론 제품은 96단, 128단, 176단, 232단 3D 낸드 플래시 메모리, 그리고 DDR5, LPDDR5 등 D램 메모리 등이다.

2026.09.06 19:44이기종 기자

"2028년까지 메모리 공급난"…증권가, 삼성전자 '주가 재평가' 전망

국내외 증권가가 강력한 메모리 수요와 제한적 공급을 근거로 국내 반도체 기업 주가가 저평가됐다는 분석을 잇달아 내놨다. 글로벌 빅테크 기업의 장기공급계약(LTA) 체결 요구가 이어지며 공급난이 2028년까지 지속될 것으로 보이는 가운데, 실적 개선과 주주환원이 맞물려 주가 재평가(리레이팅)가 이뤄질 것이란 진단이다. 5일 업계에 따르면 KB증권과 글로벌 투자은행 노무라 등은 메모리 반도체 시장의 구조적 공급 부족에 주목했다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 "미국에 이어 바이두, 알리바바 등 중국 하이퍼스케일러까지 5년 장기공급계약 요구가 급증하고 있다"며 "신규 생산라인 완공부터 양산까지 3년 이상 걸려 공급 부족은 최소 2028년까지 이어질 것"이라고 예상했다. 노무라의 CW 정 연구원 역시 "고객사들이 물량 부족으로 완제품 감산까지 감수하며 불리한 LTA 조건을 수용 중"이라며 "중국 업체들 증설에도 2028년까지 공급 증가 여지는 제한적"이라고 진단했다. 노무라는 이러한 호황 국면에도 주요 메모리 업체 주가가 여전히 고점 대비 37% 낮은 수준이라고 평가했다. 정 연구원은 "2027년 예상 주가수익비율(P/E)이 평균 약 3배에 불과하다"며 "펀더멘털에 비해 주가가 심각하게 저평가돼 있다"고 강조했다. 노무라는 삼성전자(목표가 67만원)와 SK하이닉스(목표가 470만원)에 '매수' 의견을 유지했다. KB증권은 삼성전자 실적 폭증과 역대급 주주환원에 주목하며 목표주가 60만원을 제시했다. 삼성전자의 하반기 영업이익은 전년비 587% 늘어난 221조원으로, 분기 평균 100조원을 상회해 5개 분기 연속 사상 최대 실적을 경신할 것으로 내다봤다. 파운드리(반도체 위탁생산)도 엔비디아가 인수한 그록의 4nm(나노미터, 10억분의 1m) LPU 양산 본격화로 흑자 전환 가능성이 높다고 평가했다. 김 본부장은 "3개년 주주환원 잔여 재원을 110조원으로 보면 현금배당 70조원, 자사주 매입·소각 40조원이 가능하다"며 "하반기 배당수익률은 4%를 웃돌 것"이라고 분석했다. 이어 "실적 개선과 대규모 주주환원이 맞물려 2017년 이후 10년 만에 가장 강력한 주가 재평가 국면이 전개될 것"이라고 전망했다.

2026.09.05 16:00전화평 기자

삼성전자, 2분기 HBM 점유율 33%로 급등…SK하이닉스와 격차 축소

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 업계 1위 SK하이닉스와 격차를 좁혔다. 올 2분기 양사 점유율 차이는 17%p로, 전년 동기(43%p), 전 분기(37%p) 대비 크게 줄었다. 3일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 전세계 HBM 시장 점유율(매출액 기준)은 SK하이닉스가 50%로 1위를 유지했다. 다만 점유율 수치는 지속 감소하고 있다. SK하이닉스의 올 2분기 점유율(50%)은 전 분기 대비 8%p, 전년 동기 대비 14%p 감소했다. 반면 삼성전자는 올 2분기 33% 점유율로 SK하이닉스와 격차를 17%p로 좁혔다. 전 분기 대비 12%p, 전년 동기 대비 18%p 개선했다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자가 HBM4 출하를 본격화하면서 점유율이 점차 늘어날 것"이라고 내다봤다. HBM4는 올해 본격 상용화된 최신형 HBM이다. 엔비디아의 고성능 인공지능(AI) 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 시리즈에 탑재된다. 마이크론은 시장 점유율 변동폭이 비교적 작았다. 마이크론은 올 2분기 18% 점유율을 기록했다. 전 분기 및 전년 동기 대비 3%p 감소했다. 카운터포인트리서치는 "현재 HBM 매출 대부분은 HBM3E에서 발생한다"며 "HBM4 출하는 올 하반기부터 본격 가시화될 전망"이라고 밝혔다.

2026.09.03 16:43장경윤 기자

中 낸드, 글로벌 1위 되기 어려운 이유

글로벌 낸드(NAND) 플래시 메모리 산업 지형도가 급변하고 있다. 선두업체를 추격하기 위해, 해외 후발주자 기업들이 앞다퉈 공격적인 증설 계획을 꺼내들고 있다. 특히 중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)의 투자 속도가 매우 빠른 것으로 평가된다. 반면 시장점유율 1위인 삼성전자의 낸드 투자는 증설보다 세대 전환에 초점이 맞춰져 있어, 총 생산능력이 오히려 감소하는 추세다. 때문에 삼성전자와 후발주자간 낸드 생산능력 격차가 2~3년 내 빠르게 좁혀질 것이라는 우려도 제기된다. 다만 기업 간 낸드 경쟁을 단순히 생산능력만으로 평가할 수는 없다는 게 업계 전문가들의 중론이다. 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 복수로 쌓는 낸드 특성 상, 동일한 양의 웨이퍼를 투입하더라도 적층 수에 따라 메모리 총량이 크게 달라지기 때문이다. 시장 측면에서의 한계도 존재한다. YMTC의 총 낸드 출하량은 삼성전자·SK하이닉스를 위협하는 추세지만, AI 데이터센터에 필요한 기업용 SSD(eSSD) 매출은 아직 5위권 밖에 머물러 있다. 중국 현지 외 글로벌 고객사 확보가 어렵다는 점도 문제다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 최근 기자와의 서면 인터뷰를 통해 "중국 YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력에서 선두권에 진입할 가능성은 있지만, 선두업체들이 고적층 낸드를 통해 공급하는 메모리 총량이 더 크다는 점을 고려해야 한다"며 "글로벌 매출과 수익성 측면에서는 중국 기업이 단기간에 1위에 오를 가능성은 매우 낮다"고 분석했다. YMTC, 공격적인 증설 속도…"부지 확보 충분" 최근 업계 낸드의 최대 화두는 중국 YMTC의 공격적인 설비 투자다. YTMC는 중국 최대 낸드 제조업체로, 우한시에 주요 생산거점을 두고 있다. 올해 말에는 신규 3공장의 가동을 앞두고 있다. 업계가 추산하는 YMTC의 생산능력은 웨이퍼 투입량 기준 월 16만~17만장 수준이다. 우한 3공장이 본격 가동되는 내년에는 월 20만장을 넘어설 것으로 전망된다. 중장기적으로는 생산능력을 월 30만~40만장 수준까지 확대할 계획을 세우고 있는 것으로 전해진다. YMTC 협력사인 한 반도체 장비업계 관계자는 "YMTC가 내년 및 내후년에도 생산능력을 추가 확보할 계획을 세우고 있다"며 "팹을 10개까지 지을 수 있는 부지를 이미 갖추고 있어, 낸드 제조기업 중 증설 속도가 가장 빠르다고 평가 받는다"고 설명했다. YMTC의 최근 발언도 향후 증설 계획에 대한 자신감을 근간에 둔 것으로 풀이된다. 앞서 YMTC는 기업공개(IPO)를 앞두고 투자자들과 만나 내년 말까지 글로벌 낸드 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표를 제시한 바 있다. 삼성·SK 신규 팹 구축 시점 아직 멀어…최소 2028~2029년 반면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 신규 증설보다 최첨단 낸드용 전환투자에 집중하고 있다. 때문에 절대적인 생산능력은 근 2~3년간 정체를 기록해 왔다. 일례로 업계 1위인 삼성전자의 낸드 총 생산능력은 월 39만장 수준으로 추산된다. 화성 일부 라인에서 구형 낸드를 양산하던 시점에는 생산능력이 50만장을 넘어선 적도 있었으나, 구형 낸드 양산을 순차적으로 종료하면서 수치가 감소했다. 최첨단 낸드 생산능력은 신규 팹이 아닌 평택·중국 시안 라인에 대한 전환투자로 확충해 왔다. 삼성전자가 가장 최근 구축한 낸드 전용 라인은 지난 2022년 가동을 시작한 P3 Ph1(페이즈1)다. 당초 P4에서도 낸드 라인을 구축하려고 했으나, 시황을 고려해 D램을 함께 양산하는 하이브리드 라인으로 조성했다. 삼성전자가 신규 낸드 양산 라인을 가장 빠르게 구축할 수 있는 곳은 P5다. P5는 올 하반기부터 클린룸 구축이 시작된 팹으로, 가동 목표 시점은 오는 2027년 말이다. 다만 P5도 현재로선 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 라인 조성에 우선순위 둘 가능성이 높다. 때문에 삼성전자의 낸드 생산능력이 크게 확대되는 시점은 아무리 빨라도 2028년께가 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 경우 근 3년간 대규모 낸드 라인 증설이 없었고, 현재도 전환투자에 집중하고 있어 후발주자와의 생산능력 격차는 2~3년 내 크게 축소될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스의 경우 청주 및 중국 다롄 지역에서 낸드 팹을 운영하고 있다. 현재 생산능력은 월 25만장 내외로 추산된다. 현재 다롄 2공장 증설을 위한 설비투자가 시작됐으나, 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 규모다. SK하이닉스의 대규모 낸드 생산능력 확보는 청주 신규 낸드 팹인 M17이 준공된 뒤에나 가능하다. M17은 오는 2028년 말 첫 클린룸 오픈을 목표로 하고 있다. 생산능력만으론 1위 어려워…eSSD 키우고 해외 시장 뚫어야 그러나 YMTC가 낸드 업계 선두권으로 진입하기 위해서는 아직 해결해야 할 과제들이 많다는 지적이 제기된다. 최 부사장은 "낸드의 지속적인 고단화로 적층 수가 400~500단 이상이 되면 웨이퍼 당 비트(Bit) 출하량은 더욱 증가하게 된다"며 "YMTC가 실제 내년 말까지 비트 출하량 1위를 기록하려면 신규 팹에 대한 제조 장비의 국산화, 300~400단 이상의 차기 제품들에 대한 수율 및 생산성 확보, 낸드에 탑재되는 컨트롤러의 고객 인증을 동시에 모두 해결해야 한다"고 평가했다. 현재 YMTC는 267단 낸드까지 상용화에 성공한 것으로 알려져 있다. 낸드는 구성 요소인 셀과 페리를 각각 제조해 칩과 칩을 직접 이어 붙이는 하이브리드 본딩 방식으로 제조된다. YMTC는 이를 '엑스태킹(Xtacking)'이라고 부른다. 국내 기업들은 300~400단 낸드에 이미 진입한 상태다. 삼성전자는 지난달부터 420단대의 V10(10세대) 낸드의 초도 양산을 시작했다. 당장의 출하량은 크지 않지만, 업계 최초로 400단 이상의 낸드에 진입했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스도 지난해 321단 낸드 상용화에 이어, 올해에는 375단 적층의 10세대 낸드 양산을 계획하고 있다. 시장적인 한계도 존재한다. 특히 AI 데이터센터에서 각광받는 eSSD의 경우, 현지 최대 고객사인 화웨이가 YMTC 제품만을 고집하기 어려운 상황이다. eSSD는 일반 소비자용 SSD 대비 높은 제품 성능 및 안정성을 요구한다. 또한 YMTC의 전체 낸드 출하량에서 eSSD가 차지하는 비중은 아직 낮은 것으로 평가된다. 시장조사업체 트렌드포스가 집계한 올 2분기 eSSD 시장 점유율은 삼성전자가 35.1%로 1위, SK하이닉스가 21.1%로 2위다. 그 뒤로 마이크론·키오시아·샌디스크가 뒤를 따르고 있다. 최 부사장은 "YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력과 중국 내 출하량에서는 선두권에 진입할 가능성은 있다"며 "그러나 글로벌 매출과 수익성, eSSD 비중까지 고려한 업계 1위는 1~2년 내에 달성하기가 사실상 어렵다"고 말했다.

2026.09.02 14:56장경윤 기자

비싸진 SSD 더 알뜰하게 쓴다…카카오엔터프라이즈, 오픈소스 활용 최적화 제시

카카오엔터프라이즈가 메모리와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 가격 상승에 대응해 클라우드 스토리지 자원 활용 효율을 높이는 기술을 공개했다. 오픈소스 기반 스토리지 기술을 활용해 디스크 사용률을 높이면서도 데이터 처리 지연을 줄여 서비스 안정성을 확보하는 전략이다. 카카오엔터프라이즈는 서울 용산구 인근에서 열린 클라우드 오픈소스 콘퍼런스 '오픈인프라데이코리아'에 참여해 카카오클라우드의 스토리지 최적화 기술과 적용 사례를 공개했다고 2일 밝혔다. 올해 행사는 클라우드 네이티브 기술 표준인 쿠버네티스, 오픈소스 분산 스토리지 플랫폼 '세프(Ceph)', 개방형 인프라 기술을 다루는 오픈인프라 등 3개 커뮤니티가 공동 주최했다. 국내외 클라우드 전문가들이 참여해 오픈소스 클라우드 기술과 현장 적용 경험을 공유했다. 이날 발표에 나선 박찬영 카카오엔터프라이즈 IAM·스토리지개발팀 매니저는 '디스크 사용률에 흔들리지 않는 블루스토어 최적화'를 주제로 디스크 사용률을 높이면서 서비스 안정성과 사용자 경험을 개선한 사례를 소개했다. 최근 낸드 플래시 메모리와 이를 기반으로 한 SSD 가격이 상승하면서 클라우드 사업자와 기업 입장에선 기존 스토리지 자원을 효율적으로 활용하는 것이 중요해지고 있다. 다만 디스크 사용률이 높아질수록 데이터가 디스크 여러 곳에 흩어지는 파편화가 발생해 데이터 읽기·쓰기 과정에서 지연시간이 증가할 수 있다는 점이 문제로 꼽힌다. 카카오클라우드는 이를 해결하기 위해 오픈소스 분산 스토리지 플랫폼 세프와 스토리지 엔진 블루스토어를 활용했다. 디스크 파편화로 발생하는 병목 현상을 완화해 높은 수준의 디스크 사용률을 유지하면서 안정적인 서비스 환경을 확보하는 방식이다. 특히 카카오클라우드의 블록 스토리지 서비스는 원본 데이터뿐 아니라 데이터 위치 정보를 담은 메타데이터에서도 기록과 수정이 빈번하게 이뤄진다. 이에 실제 원본 데이터 영역과 메타데이터 영역을 분리하는 '파티셔닝' 기법을 단일 SSD에 적용했다. 이는 단일 SSD 내부에서 각 영역에 별도의 공간 할당자를 설정해 나눠 운영하는 구조다. 이를 통해 디스크 사용률을 높은 수준으로 유지하면서도 낮은 지연시간을 확보할 수 있었다는 게 회사 측 설명이다. 카카오엔터프라이즈는 오픈인프라데이코리아를 비롯해 전 세계 클라우드 개발자와 엔지니어들이 참여하는 '오픈인프라서밋' 등 글로벌 오픈소스 콘퍼런스에 참여하며 관련 기술과 운영 경험을 공유하고 있다. 박 매니저는 "최근 낸드 플래시 메모리와 이를 기반으로 한 디스크의 가격이 크게 상승함에 따라 다수 기업들은 더욱 효율적으로 메모리와 디스크 자원을 활용하려는 시도를 하고 있다"며 "카카오클라우드 사용자가 스토리지 서비스를 원활하게 사용할 수 있도록 오픈소스를 활용해 디스크 파편화로 인한 병목현상을 완화하고 저지연시간을 확보하는 등 선제적인 조치를 취하고 있다"고 강조했다.

2026.09.02 14:50한정호 기자

삼성전자, 3D 적층 메모리 선점 나선다…'CUBE' 전략 공개

삼성전자가 차세대 메모리 반도체 시장 선점을 위한 수직(3D) 적층 기술력을 통해 초격차 경쟁력 우위를 강조하고 나섰다. 3D는 기존 수평 배치 구조의 메모리 대비 칩의 집적도 및 전력효율성을 높일 수 있어, AI 산업에서 크게 각광받을 것으로 기대된다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 1일 타이베이에서 진행된 '세미콘 타이완 2026'에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 '큐브(CUBE)' 전략을 발표했다. 최장석 상무는 '메모리 고위급 서밋(Memory executive Summit)' 기조연설에서 ▲Capacity(용량) ▲Utilization(최적화) ▲Bandwidth(대역폭) ▲Efficiency(전력·열 효율) 기술 향상을 통해 메모리 기술 주도권을 강화해 나가겠다는 비전을 공유했다. 최 상무는 "이제 더 이상 PCB 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것"이라며 "3D는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심으로, 삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "다이 사이의 거리를 획기적으로 단축함으로써 수직 고속도로를 형성해 대역폭을 획기적으로 개선할 수 있다"며 "또한 삼성전자는 구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하고 있다"고 말했다. 한편 삼성전자는 HBM2부터 HBM4E, HBM5까지 세대별로 ▲용량 ▲대역폭 ▲전력 효율 ▲열 관리 기술을 지속적으로 고도화해왔으며, AI 연산 수요 증가에 맞춰 기술 개발 속도를 높이고 있다. 특히 HBM5는 HBM4E 대비 ▲성능 2배 ▲와트당 성능 20% 향상 ▲열 저항 20% 감소를 실현하는 것이 목표다. zHBM은 HBM4E 대비 ▲성능 8배 ▲와트당 성능 3배 향상 ▲열 저항 75~90% 감소를 목표로 하고 있으며 성능과 효율성 측면에서 기존의 벽을 뛰어넘는 혁신적인 제품이 될 것으로 기대된다. zNAND-O는 D램보다 10배 높은 비트 밀도를 제공해 LLM에 필요한 대규모 용량을 지원하는 한편, 낸드보다 7배 더 높은 읽기 대역폭과 전력 효율성을 제공한다. zNAND-O는 D램과 가 가진 고유한 한계를 극복하는 제품이며, 삼성전자는 2028년 샘플링을 시작할 계획이다.

2026.09.01 15:37장경윤 기자

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