• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 인터뷰
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
인공지능
배터리
양자컴퓨팅
컨퍼런스
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'메모'통합검색 결과 입니다. (480건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

삼성전자, 1c D램 상용화에 '올인'…성과와 과제는

삼성전자가 1c(6세대 10나노급) D램을 성공적으로 양산하기 위한 만반의 준비에 나섰다. 컴퓨팅·서버 모바일용 제품을 동시다발적으로 개발하는 것은 물론, 수율 향상에 따른 설비투자 확대도 추진하고 있다. 다만 1c D램의 개발 상황과 양산성 확보는 '별개의 문제'라는 지적도 나온다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 ▲재설계에 따른 생산성 저하 ▲제조 공정에서 허용되는 공정 변동의 폭이 좁다는 점 등이 향후 해결해야 할 핵심 과제로 지목된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램의 상용화를 위한 제품 개발에 주력하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 제품이다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 탑재할 예정이기 때문에, 차세대 메모리 사업에 있어 매우 중요한 의미를 가지고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어 올린 메모리다. 현재 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 이르렀다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4에 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 삼성전자는 이보다 한 단계 앞선 1c D램을 활용한다. D램이 HBM의 성능을 좌우하는 핵심 요소인 만큼, HBM4 시장에서 경쟁사 대비 강점을 드러내겠다는 전략으로 풀이된다. 다만 1c D램은 이제 막 개발이 진행되고 있는 제품으로, 수율이나 양산 효율성이 떨어진다는 단점을 동시에 품고 있다. DDR·LPDDR 동시 개발…1c D램 상용화 속도 의지 이에 삼성전자는 1c D램의 성공적인 시장 진입을 위해 다양한 전략을 구사하고 있다. 먼저 LPDDR(저전력 D램)을 포함한 제품의 동시다발적인 개발이다. 1c D램이 HBM에 초점이 맞춰져 있긴 하지만 삼성전자는 현재 1c D램 기반의 LPDDR 개발도 상당 부분 진척된 것으로 파악됐다. 통상 D램은 DDR, LPDDR, GDDR(그래픽 D램) 순으로 개발된 뒤 HBM에 적용한다. 삼성전자는 이 같은 관례를 깨기 위한 혁신을 시도 중이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 그래픽을 제외한 모든 영역에서 1c D램을 거의 동시 개발하고 적용하는 전략을 추진하고 있다"며 "주요 기업들과의 경쟁에서 우위를 다시 선점하려는 의도"라고 설명했다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 이 회사가 1c D램의 내부 양산 승인(PRA)을 목표로 둔 시점은 LPDDR이 올해 중순, HBM용으로 재설계를 진행한 DDR은 올 3분기께로 관측된다. 앞서 삼성전자는 HBM4용 1c D램의 높은 수율 확보를 위해 지난해 하반기부터 주변 회로의 크기를 키우는 재설계를 단행한 바 있다. 주변 회로가 커지면 칩 사이즈도 커져 웨이퍼 당 생산할 수 있는 칩의 수는 줄어들지만, 개발 난이도를 낮출 수 있다. 수율 높였지만…양산성 확보 결과 지켜봐야 덕분에 삼성전자는 내부적으로 수율 향상에 대한 자신감을 얻은 분위기다. 올해 초 1c D램의 첫 양산 라인 구축을 위한 투자를 진행한 데 이어, 최근에는 평택·화성을 중심으로 추가 설비투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 다만 삼성전자가 1c D램의 수율을 끌어올려 PRA를 마무리 하더라도, 양산 관점에서는 여전히 해결해야 할 과제들이 남아있다. 개발단에서는 소수의 특정 장비로 시제품을 생산한다. 이를 양산 공정으로 이관할 경우, 다수의 장비를 운용해야 하기 때문에 균일한 제조 환경을 구현해줘야 한다. 만약 각 장비 별로 설정이 크게 상이하면 양품을 균일하게 생산할 수 없게 된다. 때문에 양산 공정에서는 공정 변동(Process Variation)의 폭이 넓어야 양산에 유리하다. 그러나 삼성전자 1c D램은 공정 변동 폭이 이전 대비 좁은 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자의 1c D램은 공정 변동 폭이 좁아 일반적인 환경 대비 설정이 조금만 빗겨가도 불량이 발생해 마진을 확보하기 어렵다는 한계가 있다"며 "재설계에 따른 PRA를 비교적 수월하게 통과하더라도 양산성 확보는 다른 문제"라고 설명했다.

2025.06.02 15:02장경윤

DDR4 3분기까지 가격↑…삼성·SK 등 단종 효과

DDR4 등 레거시 메모리 가격이 올 3분기까지 가파르게 상승할 것으로 관측된다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업이 해당 제품의 출하량을 단종 수준까지 줄이면서, 일시적으로 수요가 대두된 데 따른 영향이다. 31일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)의 5월 평균 고정거래가격은 2.10 달러로 전월 대비 27.27% 증가했다. 반면 DDR5 16Gb 2Gx8 가격은 4.80 달러로 전월 대비 4.35% 오르는 데 그쳤다. 이에 따라, DDR5 및 DDR4 모듈 간의 가격 프리미엄은 지난 1분기 40%대에서 5월 26%로 크게 축소됐다. 이는 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업이 구형 메모리 제품의 생산량을 급격히 줄인 데 따른 영향이다. 이들 기업은 현재 최선단 공정을 활용한 D램 및 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "주요 D램 공급업체들이 PC 제조사들에 DDR4 모듈 제품의 단종 일정을 통보하면서 모듈 가격도 인상됐다"며 "수요 측면에서는 PC 제조사들이 보급형 CPU와 호환되는 DDR4 모듈의 주문을 크게 늘렸다"고 설명했다. 단종에 따른 DDR4 가격 인상 효과는 단기적으로 지속될 것으로 전망된다. 트렌드포스는 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격의 가격 상승률을 전분기 대비 3~8%에서 13~18%로 상향 조정했다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 조정했다. 레거시 메모리 가격 상승이 국내 주요 기업들에게 미칠 영향은 제한적이다. 삼성전자·SK하이닉스는 올해까지 DDR4 등 레거시 메모리 비중을 최대 한 자릿수까지 줄이겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 낸드는 저용량 제품을 중심으로 가격 상승세가 나타났다. 메모리카드용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 5월 평균 고정거래가격은 2.92 달러로 전월 대비 4.84% 증가했다. 낸드는 셀 하나에 데이터를 저장하는 수에 따라 1개(SLC), 2개(MLC), 3개(TLC), 4개(QLC) 등으로 나뉜다. 비트를 더 많이 저장할수록 고용량 낸드 구현에 용이하다. 반대로 비트 저장량이 적을 수록 데이터 처리 속도와 신뢰성이 뛰어나다. SLC의 경우 산업용 장비와 엣지 AI 컴퓨팅, 중국 통신 인프라 등을 중심으로 수요가 증가했다. 특히 스마트 모니터링, 스마트 팩토리 등을 위한 이미지 인식 분야에서 채택량이 늘어난 것으로 알려졌다. 또한 삼성전자는 다음달부터 소비자용 MLC 낸드 시장에서 철수하고, 자동차 및 산업 제어 용으로의 전환을 추진하고 있다. 이에 따라 공급업체들이 MLC 가격 인상을 추진하게 돼, 낸드의 가격 상승세를 주도했다.

2025.05.31 08:20장경윤

TSMC 손 잡은 SK하이닉스, HBM4 로직 다이 비용 압박↑

SK하이닉스가 올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산에 본격 나선다. HBM4는 이전 세대 대비 데이터 처리 속도를 크게 끌여올렸으며, 내부 제어를 담당하는 '로직 다이(베이스 다이)의 기능을 대폭 강화한 것이 특징이다. 이에 따라 제품 가격도 이전 대비 30% 이상 상승할 것으로 예상된다. 다만 SK하이닉스가 HBM4의 가격 인상분 만큼 수익성 증대 효과를 거두기는 어려울 것으로 보인다. 로직 다이의 양산을 대만 주요 파운드리 TSMC에 위탁하기 때문이다. 업계에서는 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중이 20%대에 이를 것으로 추산하고 있다. 30일 업계에 따르면 SK하이닉스가 TSMC에 의뢰한 HBM4용 로직 다이의 생산 단가는 상당히 높은 수준으로 분석된다. TSMC 손 잡았지만…SK하이닉스, '로직 다이' 비용 압박 현재 HBM 시장에서 압도적인 우위를 차지하고 있는 기업은 SK하이닉스다. 글로벌 빅테크인 엔비디아에 가장 많은 HBM을 공급해 왔으며, 지난해 하반기에는 세계 최초로 12단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 시작한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 세대 수가 진화할수록, D램을 더 많이 쌓을수록 성능이 뛰어나다. 12단 HBM3E의 경우 현재 상용화된 HBM 중 가장 고부가 제품에 해당한다. 엔비디아가 올 하반기 출시하는 최신형 AI 가속기 'GB300' 등에 탑재될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 12단 HBM4 샘플을 엔비디아에 조기 공급하는 성과를 거뒀다. HBM4는 기존 D램 공정에서 양산되던 로직 다이(베이스 다이)를 파운드리를 통해 양산하는 것이 큰 특징이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이 로직 다이의 양산을 TSMC의 최선단 파운드리 공정에 맡기기로 했다. TSMC는 전 세계 1위 파운드리 기업으로, 삼성전자와 더불어 5나노미터(nm) 이하의 초미세 공정을 구현할 수 있는 기술력을 갖췄다. 다만 로직 다이의 외주 양산이 SK하이닉스의 차세대 HBM 수익성을 약화시킬 수 있다는 우려도 제기된다. ▲TSMC가 최선단 파운드리 공정에서 사실상 독점적인 지위를 보유하고 있다는 점 ▲로직 다이가 HBM4로 넘어오면서 각종 부가 기능들이 추가된다는 점이 주된 배경이다. HBM4 내 로직 다이 단가 비중, 20%대 육박할 듯 반도체 업계 전문가와 패키징 업계 관계자들의 말을 종합하면, 현재 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중은 20%대에 달할 것으로 분석된다. 반도체 전문 분석기관 테크인사이츠의 최정동 박사는 "HBM4용 로직 다이는 단순히 각 칩을 연결하기만 했던 이전 세대와는 달리, 수 많은 기능을 탑재하고 커스터마이즈화되기 때문에 차원이 다르다"며 "HBM4 모듈 전체에서 20% 정도의 비중을 차지할 것이라는 게 합리적인 추정"이라고 설명했다. HBM4는 Gb(기가비트)당 2달러 초중반대의 가격이 형성될 것으로 알려져 있다. 이전 세대인 HBM3E 대비 약 30%가량 비싼 가격이다. 시장조사업체 트렌드포스도 최근 "HBM3E로의 전환에서 이미 20%의 가격 인상이 나타났었고, HBM4의 경우 30% 이상의 가격 인상이 예상된다"고 밝힌 바 있다. 때문에 HBM4의 가격이 이전 세대 대비 크게 높아진다 하더라도, 실제 SK하이닉스가 거둘 효용성은 크게 저하될 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "최첨단 로직 다이 공정에서 뛰어난 성능을 입증한 건 사실상 TSMC가 유일하기 때문에, 부르는 게 값인 상황"이라며 "HBM4의 가격 인상분에서 SK하이닉스가 가져갈 수 있는 부분은 제한적일 것"이라고 말했다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 다음달 엔비디아와 내년 HBM4 공급량에 대한 협상을 마무리할 것으로 관측된다"며 "더 많은 공급량을 확약받을수록 가격을 인하할 가능성이 커 논의 결과를 지켜봐야 할 것"이라고 밝혔다.

2025.05.30 14:32장경윤

엔비디아 '블랙웰' 칩 수요 쾌청…삼성·SK HBM 성장 기회

엔비디아가 AI 반도체 산업의 성장세를 자신했다. 미국의 대중 수출 규제 여파에도 최첨단 AI 반도체인 '블랙웰'의 수요가 강력하고, 전 세계 AI 인프라 투자가 활발히 진행되고 있기 때문이다. 초고성능 AI 반도체인 'GB300' 역시 올 3분기 초 차질없이 양산이 시작될 것으로 전망된다. 이에 따라 국내 주요 메모리 업체인 삼성전자, SK하이닉스의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 지속적인 성장의 기회를 잡을 수 있을 것으로 기대된다. 中 수출 규제, AI 산업 성장세 등 불확실성 '해소' 이날 엔비디아는 2026년 회계연도 1분기(올해 2~4월) 매출액 440억6천만 달러를 기록했다고 밝혔다. 전년동기 대비 69%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 영업이익도 232억7천만 달러(Non-GAAP 기준)로 전년동기 대비 43%, 전분기 대비 6% 증가했다. 다만 데이터센터 매출액은 391억1천만 달러로 증권가 컨센서스(약 393억 달러)를 소폭 하회했다. 미국 트럼프 2기 행정부의 수출 규제 강화로 중국향 AI 반도체 'H20'의 판매가 전면 금지된 데 따른 영향이다. 엔비디아는 해당 규제로 1분기 45억 달러의 손실이 발생했으며, 2분기에도 80억 달러의 추가 손실이 있을 것으로 추산했다. 그럼에도 엔비디아는 2분기(5~7월) 매출 가이던스를 약 450억 달러로, 기존 증권가 컨센서스인 455억에 근접한 수준을 제시했다. H20의 수출 금지에도 최신형 AI 반도체인 블랙웰 시리즈의 수요가 견조한 덕분이다. 문준호 삼성증권 연구원은 "엔비디아의 2분기 매출 전망치는 전분기 대비 2% 증가에 그치나, H20의 손실 반영을 제외하면 14%의 성장세"라며 "그만큼 블랙웰의 수요는 같은 기간 더 좋아졌고, 이번 실적 발표에서 불확실성 요인이 다수 해소된 것도 중요한 대목"이라고 설명했다. GB300 양산 임박…SK하이닉스 HBM 훈풍 나아가 엔비디아는 올 하반기에도 전 세계 AI 인프라 투자로 인한 지속적인 성장을 자신했다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 ▲ 추론형 AI의 수요 증가 ▲ AI 확산 규정의 철폐 ▲ 엔터프라이즈 AI 시장의 본격적인 성장 ▲ 리쇼어리 정책 대두로 인한 '옴니버스' 등 산업용 AI 수요 증가 등 네 가지를 주요 배경으로 꼽았다. 견조한 AI 산업의 성장세는 국내 메모리 제조업체인 삼성전자, SK하이닉스에게도 긍정적이다. 특히, AI 반도체의 핵심인 HBM(고대역폭메모리)를 엔비디아 주력으로 공급하는 SK하이닉스의 매출 확대가 두드러질 전망이다. 엔비디아는 올 하반기 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재한 최신형 AI 반도체 'GB300'를 출시할 예정이다. GB300은 이달 초 주요 CSP(클라우드서비스제공자)에게 샘플이 공급됐으며, 오는 7월께 양산이 시작될 것으로 예상된다. 엔비디아 역시 GB300에 당초 적용하기로 했던 신규 보드 플랫폼의 채용을 미루는 등 제품 안정성 강화에 만전을 기하는 분위기다. SK하이닉스와 엔비디아간 내년 HBM 공급량 협의도 마무리 단계에 접어들었다. 이르면 다음달 최종 결정이 내려질 것으로 알려졌다. 특히, 엔비디아의 차세대 AI 반도체인 '루빈'에 탑재되는 HBM4(6세대 HBM)의 가격 및 물량이 주요 변수로 작용하고 있다.

2025.05.29 14:07장경윤

삼성전자, 화성 H1 사업장 '패키징' 라인으로 전환 추진

삼성전자가 화성 사업장 내 구형 메모리 라인을 정리하고, 패키징 라인으로 전환한다. 이를 위한 설비 이관을 이르면 올 하반기부터 진행할 계획인 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자는 화성 H1 사업장 내 구형 메모리 제조라인을 패키징 주력 라인으로 변경하는 방안을 추진 중이다. H1은 삼성전자의 12라인, 13라인 등이 위치한 곳이다. 12라인은 낸드를, 13라인은 D램을 생산해 왔다. 두 제품 모두 국내 메모리 시장에서 출하량이 줄어들고 있는 구형 제품을 담당하고 있다. 13라인의 경우 CIS(이미지센서)로의 전환을 준비하기도 했으나, CIS 업황 부진으로 계획이 지속 지연된 바 있다. 삼성전자는 활용도가 저조해진 H1 사업장을 패키징 라인으로 활용할 계획이다. 이르면 올 하반기부터 내후년까지 구형 메모리 설비를 빼내고, 빈 공간을 패키징 설비로 채우는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 서버용 D램 등에 쓰이는 TSV(실리콘관통전극) 설비도 소량 입고될 예정이다. 삼성전자는 투자비용 효율화 및 첨단 D램 수요에 대비해 이 같은 전략을 구상한 것으로 관측된다. H1 사업장은 인근에 위치한 타 라인 대비 제조 환경이 오래됐다. 때문에 해당 사업장에 전공정 투자를 진행한다 하더라도, 최신 세대의 메모리로 라인을 전환하기가 매우 어렵다. 일례로 H1 사업장보다 앞선 세대의 D램을 양산해 온 15·16 라인은 이미 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되고 있다. 반면 후공정은 비교적 기술적 난이도가 낮아 라인 전환을 진행하기에 용이하다. 또한 인근 라인에 소량 투입된 패키징 설비를 한 데 모아, 관리 및 투자의 효율성을 높일 수 있다는 장점도 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 구형 메모리 사업 정리와 패키징 생산능력 확대를 동시에 이뤄내기 위해 H1 사업장에 관련 설비를 들이려는 것으로 안다"며 "인근 라인 도 패키징 설비를 빼내면서 첨단 D램의 전환 투자를 늘릴 수 있는 여유 공간을 확보하게 됐다"고 설명했다.

2025.05.28 14:16장경윤

삼성전자, 평택 이어 화성서도 '1c D램' 투자 준비…HBM4 양산 채비

삼성전자가 평택에 이어 화성 팹에도 1c D램(6세대 10나노급 D램)의 양산 라인 구축 계획을 세운 것으로 파악됐다. 이르면 올 연말께 투자가 진행될 예정으로, 수율 향상에 대한 내부 자신감이 반영된 행보로 풀이된다. 1c D램은 삼성전자 'HBM4(6세대 고대역폭메모리)'에 적용될 핵심 제품이기도 하다. 그간 삼성전자가 최신형 HBM 상용화에서 난항을 겪어 온 만큼 적극적인 양산 의지를 보이고 있다는 평가가 나온다. 22일 업계에 따르면 삼성전자는 올 하반기 화성·평택 지역에서 1c D램 생산능력을 추가하기 위한 투자에 나설 계획이다. 앞서 삼성전자는 올해 초부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램 양산 라인을 처음으로 구축하기 시작했다. 당시 투자 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 수준이다. 삼성전자는 우선 1c D램의 초도 양산을 준비하고, 향후 제품의 개발 진척도에 따라 투자를 확대하겠다는 전략을 추진해 왔다. 이후 삼성전자는 올 하반기 P4에 1c D램 생산능력을 확대하기 위한 추가 투자를 논의하고 있다. 규모는 최소 월 4만장에 이를 것으로 관측된다. 나아가 화성 17라인에서도 이르면 올 연말께 1c D램에 대한 전환 투자가 이뤄질 예정이다. 현재 내부 계획을 수립하고 협력사들과 구체적인 논의를 진행 중인 것으로 파악됐다. 삼성전자 화성 17라인은 1z(10나노급 3세대) D램 등을 주력으로 제조해 온 라인이다. 해당 D램은 레거시 공정에 속해, 생산 비중이 빠르게 줄어들고 있다. 삼성전자는 이미 인근에 위치한 화성 15·16 라인에서도 1b D램 전환 투자를 진행한 바 있다. 삼성전자가 화성·평택 팹 전반에서 1c D램 투자 계획을 구체화한 배경에는 수율 향상에 대한 자신감이 반영된 것으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 내부에서 1c D램의 수율 개선 현황을 긍정적으로 인식하고 있다. 오는 3분기에는 재설계 제품에 대한 PRA(내부 양산 준비 승인)을 받는 것이 목표"라며 "PRA 이후에도 실제 양산을 위해 해결해야 할 과제들은 여전히 많지만, 설비투자 계획은 견조하게 진행 중"이라고 설명했다. 1c D램은 삼성전자가 이르면 올 연말 양산할 예정인 가장 최신 세대의 D램이다. 해당 D램이 삼성전자에게 있어 중요한 이유는 HBM 주도권 때문이다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM4에 1b D램을 채택한 것과 달리, 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하기로 했다. 이를 통해 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 코어 다이(Core Die)의 성능을 대폭 끌어올릴 가능성이 높다. 반면 높은 기술적 난이도로 제품의 수율이 저하된다는 한계점도 동시에 지닌다. 판세를 바꿀 수 있는 과감한 도전이기 때문에 삼성전자는 1c D램의 칩 사이즈를 초안 대비 키우는 방식으로 안정성을 보완하고 있다.

2025.05.22 14:00장경윤

전영현 부회장 취임 1년...삼성 반도체 두번 실패는 없다

전영현 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문장(부회장)이 오늘(21일)로 취임 1주년을 맞았다. 전례없는 위기를 맞은 삼성 반도체 사업 부문의 '구원투수'로서 등판한 전 부회장은 정확한 문제 인식을 바탕으로 한 현실적인 제품개발 및 조직개편을 단행했다는 평가를 받고 있다. 반면 삼성전자의 고질적인 책임 회피 문화가 여전히 남아있고, 차세대 HBM(고대역폭메모리) 사업 등에서 명확한 성과를 보여줘야 한다는 과제도 동시에 제기된다. 21일 업계에 따르면 전 부회장은 지난 1년간 반도체 사업의 근원적 경쟁력 회복, 조직 구조 및 문화 개편 등에 주력해 왔다. 지난해 5월 '원포인트' 인사를 통해 DS부문장직에 오른 전 부회장은 취임 초기부터 어려운 경영 환경 속에서 많은 과제를 떠안았다. 당시 삼성전자는 메모리 시장의 부진으로 인한 수익성 감소, 최신 HBM의 상용화 지연, 최선단 파운드리 고객사 부재 등 여러 악재에 직면해 있었다. 당시 전 부회장은 취임사를 통해 "부동의 1위 메모리 사업은 거센 도전을 받고 있고, 파운드리 사업은 선두 업체와의 격차를 좁히지 못한 채 시스템LSI 사업도 고전하고 있다"며 "새로운 각오로 상황을 더욱 냉철하게 분석해 어려움을 극복할 방안을 반드시 한마음으로 힘을 모아, 최고 반도체 기업의 위상을 되찾기 위해 다시 힘차게 뛰어 보자"는 각오를 밝힌 바 있다. 전 부회장, 현 DS 부문 문제점 정확히 짚어…변화 방향성 '긍정적' 이후 전 부회장은 삼성전자 반도체 사업의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 대대적인 혁신에 나섰다. 특히 기존 회사의 기술적 문제점을 정확히 파악하고 개발 방향성을 바꾸는 등 보다 '현실적인' 대안책을 마련하고 있다는 게 업계의 평가다. 삼성전자 내부사정에 밝은 한 관계자는 "삼성전자 반도체 조직이 워낙 거대하다보니 부서 간에 원활한 소통이 어렵고, 때로는 실무진이 중심인 화성과 최종 결정권자인 서초 간의 정보가 왜곡되는 문제점이 있었다"며 "다행히 전 부회장은 현존하는 약점 및 문제점에 대한 맥을 비교적 정확히 짚고, 지시를 내리는 것으로 안다"고 설명했다. 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 하고 있는 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 대표적인 사례다. 해당 D램은 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 적용될 예정으로, 삼성전자는 지난해 하반기 첫 양품(Good Die)을 확보하는 등 성과를 거뒀다. 그러나 실제 수율 확보에는 난항을 겪었는데, 선폭 미세화에 따른 안정성 하락이 주된 원인으로 지목됐다. 이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 주변 회로의 선폭을 키우는 방향으로 재설계 결정을 내렸다. 이 경우 공정 난이도가 하락해 칩의 안정성을 높일 수 있다. 다만 전체 칩 사이즈가 커져 웨이퍼 대비 생산량이 하락하기 때문에, 제조 비용 측면에서는 불리하다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 엔비디아향 HBM3E 공급에 차질을 겪어 왔고, 차세대 HBM4 역시 최선단 D램 적용으로 개발이 쉽지 않을 것이라는 우려가 많았다"며 "원가 경쟁력을 포기하고서라도 1c D램 재설계를 추진한 것은 그만큼 부족한 현실을 받아들이고 제품 상용화를 우선순위에 뒀다는 것을 의미한다"고 말했다. 조직 개편 측면에서는 지난해 7월 HBM 개발팀을 신설하고, 전 부회장 직속으로 AVP(어드밴스드패키징) 사업팀을 재편했다. 또한 반도체 공정 기술을 연구하는 설비기술연구소의 기능을 사실상 축소했다. 기존 반도체연구소 역시 R&D 역할을 담당하고 있어, 조직을 보다 효율화하기 위한 전략이라는 분석이 나온다. 또 다른 관계자는 "전 부회장 체제 하에서 삼성전자는 기존 방대했던 연구개발 조직이 슬림화되고, 인력 관리가 더 타이트해지는 추세"라며 "전 부회장이 직접 엔비디아를 찾아가는 등 사업 목표 달성을 위한 집중도도 이전보다 높아진 분위기"라고 말했다. 여전히 남아있는 '책임 회피' 문화…과감한 결단 내려야 그러나 삼성전자 반도체가 체질을 개선하기 위해서는 더 과감한 결단이 필요하다는 지적도 제기된다. 회사 안팎의 이야기를 종합하면, 현재 삼성전자가 개선해야 할 가장 큰 한계점은 '책임 회피 문화'로 지목된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 내부적으로 위기감을 인지하고는 있으나, 비교적 큰 규모의 기술 및 공정 변화에 대해서는 여전히 망설이고 있는 상황"이라며 "소위 '총대'를 메고 과감한 시도를 하려는 문화가 없다면 삼성전자가 맞이한 지금의 위기 상황이 지속될 것"이라고 꼬집었다. 실제로 삼성전자는 신기술 도입을 위한 JDP(공동개발 프로젝트) 진행 등에서 더딘 모습을 보이고 있다. 협력사가 신기술을 제안하더라도 삼성전자 측에서 개발 실패 시 부담할 비용을 고려해 소극적인 태도를 보이거나, 처음부터 비용을 부담하지 않으려하기 때문이다. 최근까지도 전공정·후공정 분야에서 이와 같은 이유로 JDP가 성사되지 않은 일이 다수 있었던 것으로 파악됐다. 올 하반기부터 HBM·파운드리 등 본격적인 성과 기대 전 부회장의 취임 후 삼성전자 반도체 사업은 개발 및 사업 전략에서 많은 변화를 겪었다. 올 하반기부터는 이러한 노력의 성과가 차츰 드러날 것으로 전망된다. 그 중에서도 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM3E 및 HBM4의 상용화 여부가 중대한 관심사다. 전 부회장은 지난 3월 회사의 제56기 정기주주총회 현장에서 "고객의 피드백을 적극 반영해 빠르면 2분기, 늦으면 하반기부터 HBM3E 12단 제품이 시장에서 주도적 역할을 할 것"이라며 "HBM4와 커스텀 HBM 등 신시장에서는 과오를 되풀이하지 않도록 차질 없이 개발 및 양산을 진행할 예정"이라고 밝힌 바 있다. 실제로 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 공급을 전제로 HBM3E 12단 제품을 선제적으로 양산하는 등 구체적인 대응에 나서고 있다. HBM을 위한 1c D램 생산능력 확대도 올 상반기에 이어 하반기에도 꾸준히 진행될 예정이다. 시스템반도체 분야도 하반기 반등을 위한 준비로 분주하다. 최선단 공정인 2나노미터(nm) 분야에서 대형 고객사를 확보하기 위해 글로벌 빅테크와의 협의를 꾸준히 진행하고 있다. 특히 올 하반기 퀄컴의 최신형 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)인 '2세대 스냅드래곤 8 엘리트(모델명 SM8850)' 제품을 소량 양산할 수 있을 것으로 기대된다.

2025.05.21 06:00장경윤

K-반도체 육성, 기존 틀 깨야 불확실성 돌파…새 정부 과제 '산적'

윤석열 전 대통령의 탄핵 이후 들어서는 새 정부는 정치 혼란 속에서도 산업과 기술의 방향성을 다시 세울 중대한 책임을 떠안게 됐다. 동시에 전 세계는 기술의 또 다른 거대한 전환점을 맞이하고 있다. AI가 특정 산업의 기술을 넘어, 모든 산업에 스며드는 '기반 인프라'로 자리 잡고 있는 것. 자동차에서 헬스케어, 게임, 미디어, 금융에 이르기까지 AI는 이미 산업 생태계의 기초 체력으로 작동하기 시작했다. 지디넷코리아는 창간 25주년을 맞아 이 격변의 시점에서 AI 기반 산업 대전환기에 진입한 대한민국의 산업 현장을 진단하고, 각 산업 분야 전문가들과 함께 'AI시대, 새 정부가 해야 할 일'을 짚어본다. [편집자주] 국내 반도체 산업이 어느 때보다 높은 불확실성에 휩싸였다. 거시경제의 악화로 전방산업 수요가 빠르게 회복되지 않는 가운데, 중국 후발주자들의 거센 추격으로 탄탄했던 경쟁력을 잃어가고 있다는 우려가 제기된다. 최근 심화된 미·중간 패권 다툼도 국내 반도체 생태계를 위협하는 요소 중 하나다. 이 같은 글로벌 국면에서 다음 달 출범하는 새 정부는 수 많은 과제들을 시급히 해결해야 하는 과제를 떠안고 있다. 전문가들은 엄중한 현실에 맞춘 실용적인 반도체 설비투자 및 R&D(연구개발) 지원 정책, 근원적인 시스템반도체 경쟁력 회복을 위한 전략 및 인력 양성 계획 수립이 필요하다고 지적한다. 자유무역 시대 지나가…"기존 틀 깨고 반도체 육성에 집중해야" 미국은 지난해부터 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위를 꾸준히 높여가고 있다. 지난해 말에는 국내 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 기업이 시장을 주도하는 HBM(고대역폭메모리)에 대한 수출 제한과 함께, 반도체 제조장비에 대한 수출 규제 범위를 대폭 넓혔다. 올해 트럼프 2기 행정부에 들어서는 전 세계 무역질서 변화와 IT 수요 감소를 야기하는 관세 정책이 발효됐다. 나아가 트럼프 대통령은 반도체 분야에 대한 별도의 관세율 부과를 계획하고 있으며, 자국 내 투자를 계획한 반도체 기업들에 대한 보조금(Chips Act) 지급도 재검토에 나서는 등 업계의 불안감을 키우고 있다. 중국은 이에 맞서 자국 내 반도체 공급망 자립화에 속도를 내는 분위기다. 지난해 5월 발표된 3기 반도체 투자기금의 경우 자본금 규모가 3천440억 위안(한화 약 64조원)으로 2기(약 2천억 위안) 대비 크게 늘어났다. 덕분에 현지 주요 파운드리인 SMIC와 메모리 기업인 CXMT·YMTC 등은 물론, 나우라·AMEC 등 장비기업들도 기술력을 빠르게 끌어 올렸다. 이처럼 반도체 산업은 단순히 시장경제를 넘어 국가 안보의 핵심 수단으로서 주목받고 있다. 우리나라 정부 역시 국제 정세를 반영해, 반도체 산업을 집중 육성하기 위한 정책을 펼쳐야 한다는 주장이 나온다. 김정회 한국반도체산업협회 부회장은 "자유무역 시대가 지나가면서, 정부에서도 기존 정책적인 틀 자체를 바꿔서 새로운 시도를 해야 한다"며 "이전에는 개별 업종에 대한 보조금 지급에 대해 정부나 WTO 등에서 거부감을 드러냈으나, 물리적 환경이 바뀐 지금은 반도체 산업에 초점을 맞춘 지원책이 필요하다"고 말했다. 반도체 정책 진두지휘할 '컨트롤 타워' 절실 보다 과감한 국가 반도체 육성 전략을 위해서는 두 가지 선별 과제가 제시된다. 먼저 김형준 차세대지능형반도체사업단장은 국내 반도체 산업 정책을 총괄할 수 있는 컨트롤 타워의 필요성을 강조했다. 김 단장은 "현재 반도체 투자에 대한 지원은 산자부, 과기부, 중기부 등에서 각각 관리하고, 인력은 교육부가 담당하는 등 분산 및 중복이 되는 사례들이 있다"며 "장치산업으로서 대규모 투자가 필요한 반도체를 지원하려면 범부처 성격의 통합적인 컨트롤 타워가 세워져야 한다"고 강조했다. 정부의 반도체 산업 육성 전략도 현실성과 속도에 무게를 둬야 한다는 게 전문가들의 시각이다. 최근 반도체 시장의 부진으로 기업들의 수익성 확보가 어렵고, AI 등 첨단 산업에 대한 생태계 구축이 시급한 만큼 단기적으로 성과를 낼 수 있는 분야에 주력해야 한다는 이슈에서다. 김 단장은 "최근 출범한 양자전략위원회처럼 장기적 관점에서의 성장 동력을 확보하는 것도 물론 중요하지만, 지금 당장 국내 반도체 산업은 대내외적으로 위기를 맞고 있다"며 "반도체가 우리나라 전체 수출에 20% 이상을 기여하고 있음에도, 매출액 대비 지원 규모는 미국·중국에 비해 떨어지는 것이 현실"이라고 꼬집었다. 김용석 가천대 반도체교육원장 겸 반도체공학회 고문은 "국내 반도체 기업들의 성장을 촉진하기 위한 요소는 결국 자금으로, 충분한 투자비를 지원해주는 것이 가장 시급하다"며 "R&D(연구개발) 속도를 높이기 위해서는 연구인력에 대한 주 52시간 근무 예외 적용도 더는 지체되서는 안 된다"고 강조했다. 시스템반도체 육성도 중요…토종 팹리스서도 '한강 작가' 나와야 국내 반도체 시장이 강세를 보이는 분야는 단연 D램·낸드 등 메모리반도체다. 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 기업들을 중심으로 한국은 전 세계 메모리 시장에서 60% 수준의 점유율을 기록하고 있다. 반면 시스템반도체 시장 점유율은 3%대에 불과하다. 시스템반도체의 핵심인 양질의 설계 인력이 부족하고, 팹리스·디자인하우스·파운드리 등 관련 생태계가 주요 경쟁국 대비 미흡한 탓이 크다. 한 팹리스 기업 대표는 "(대만)엔비디아가 세계에서 기업 가치가 가장 높은 것 처럼, 시스템반도체 설계를 잘 하면 빠른 시간 내에 부가가치를 올릴 수 있다"며 "한강 작가의 책이 전 세계에서 사랑을 받았듯이, 뛰어난 아이디어와 설계 실력을 갖춘 팹리스가 한국에서 나온다면 시스템반도체 시장에 변혁을 가져올 수 있다"고 말했다. 때문에 새 정부는 시스템반도체와 관련한 소프트웨어 기술력 및 인재 육성에 집중할 필요가 있다. 팹리스 기업들을 위한 체계적인 인력 양성 정책, 원활한 R&D 환경 구축을 위한 기금 조성 등이 선결 과제로 꼽힌다. AI 산업의 주요 트렌드로 자리잡고 있는 온디바이스AI에 대해서도 발빠른 준비가 필요하다. 온디바이스 AI는 서버 및 클라우드를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술로, 가전과 로봇, 드론 등에 활발히 채용될 것으로 전망된다. 김용석 원장은 "우리나라는 전통적으로 제조업이 강한 나라로, 제품에 탑재되는 반도체가 가장 중요한 차별화 요소"라며 "자동차, 스마트홈 등 여러 산업과 두루 연관이 있어 이 분야를 집중적으로 투자해야 미래 경쟁력 확보가 가능할 것"이라고 말했다. "반도체 육성 결국 자금과 R&D, 주52시간제 근무 예외 적용 더 지체 안돼" [전문가 인터뷰] 김용석 가천대학교 반도체교육원장 겸 반도체공학회 고문 -차기 정부의 시급한 반도체 육성 정책은 무엇인가. "국내 반도체 기업들의 성장을 촉진하기 위한 요소는 결국 자금으로, 충분한 투자비를 지원해주는 것이 가장 시급하다. R&D(연구개발) 속도를 높이기 위해서는 연구인력에 대한 주 52시간 근무 예외 적용도 더는 지체되서는 안 된다." -한국 반도체 산업에서 시스템 반도체 분야가 가장 취약한데. "국내 시스템반도체 산업을 키우려면 시스템 아키텍트, 시스템 소프트웨어 인재를 육성하고, 산업체 출신을 전임, 정년보장 트랙 교수로 채용해 기업이 원하는 수준으로 실무 교육을 강화해야 한다. 많은 기업 경영자를 만나보면, 대학에서 배운 지식이 실제 산업계에 활용되지 않는다는 것에 아쉬움이 많다. 이를 개선하기 위해서는 교육 커리큘럼을 이론 중심에서 벗어나 실습 위주로 전면 개편해야 한다." -한국 반도체 산업에 미래를 걸어야 하는 이유는. "우리나라는 전통적으로 제조업이 강한 나라로, 제품에 탑재되는 반도체가 가장 중요한 차별화 요소"라며 "자동차, 스마트홈 등 여러 산업과 두루 연관이 있어 이 분야를 집중적으로 투자해야 미래 경쟁력 확보가 가능하다." ■김용석 원장은 김용석 가천대학교 반도체대학 석좌교수이자, 가천반도체교육원 초대 원장은 삼성전자에 1983년 입사해 31년간 시스템반도체, 이동통신 소프트웨어, 갤럭시 스마트폰 개발 등 다양한 분야에서 경력을 쌓은 시스템반도체 전문가다. 최근 김 교수는 반도체 전쟁과 신제조업 경쟁을 다룬 'AI 반도체 전쟁'이란 책을 출간했다.

2025.05.16 13:37장경윤

도우정보, SK하이닉스 일반 소비자용 SSD 2종 출시

SK하이닉스 국내 공식 유통사 도우정보가 13일 일반 소비자용 SSD 2종을 국내 출시했다. 골드 P42 SSD는 2021년 출시된 '골드 P31' 후속 제품이며 인터페이스를 PCI 익스프레스 4.0으로 교체했다. 176단 3D TLC 낸드 플래시메모리를 탑재했다. 1TB 제품 기준 최대 속도는 읽기 5.1GB/s, 쓰기 4.8GB/s이며 제품 자가 진단 'S.M.A.R.T', 낸드 플래시메모리에 고르게 데이터를 기록하는 '웨어 레벨링', SSD 저장공간 할당으로 수명을 연장하는 '오버 프로비저닝'을 지원한다. 실버 S32는 SATA3 인터페이스로 연결되는 제품이며 2TB 기준 총 쓰기 용량(TBW)은 1200TBW, 평균무고장시간(MTBF)은 150만 시간으로 신뢰성을 높였다. 최대 속도는 읽기 560MB/s, 쓰기 510MB/s로 업무 데이터 저장과 게임 저장에 활용할 수 있다. 두 제품 모두 전용 마이그레이션 소프트웨어를 이용해 현재 구동중인 운영체제와 데이터를 쉽게 복제할 수 있다. 골드 P42는 500GB와 1TB 2개 용량, 실버 S32는 500GB, 1TB, 2TB 등 3개 용량으로 공급된다. 무상보증기간은 구입 후 5년간.

2025.05.13 14:49권봉석

삼성전자, PIM·LLW 등 '넥스트 HBM' 개발 한창…"표준화 논의 중"

삼성전자가 HBM(고대역폭메모리)의 뒤를 이을 차세대 D램 솔루션을 대거 개발하고 있다. PIM(프로세싱-인-메모리) 등 일부 기술의 경우 반도체 표준화 기구에서 규격 논의가 한창 진행되고 있는 상황으로, 향후 상용화 계획이 구체화될 것으로 기대된다. 손교민 삼성전자 마스터는 13일 오전 서울 강남 소재에서 열린 '제10회 인공지능반도체조찬포럼'에서 이같이 밝혔다. 이날 AI 시대를 위한 D램 솔루션(DRAM Solutions for AI Era)을 주제로 발표를 진행한 손 마스터는 "AI 산업에서 요구하는 메모리 성능이 실제 개발 속도를 넘어서면서, 메모리 업체들도 D램의 집적도 향상을 위한 각종 신기술을 개발하고 있다"며 "이에 따라 트랜지스터와 커패시터 모두 미세화되고 구조도 진화하고 있다"고 설명했다. 대표적인 차세대 D램 기술로는 PIM과 VCT(수직 트랜지스터 채널)와 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크), LLW(저지연·광대역) D램 등이 꼽힌다. 삼성전자는 잠재 고객사 및 산업에 따라 각 D램을 병행 개발하며, AI 시대를 준비하고 있다. 손 마스터는 "최근 AI 산업에서 각광받는 HBM은 서버에서 지속 채용될 것이나, 고비용 및 고전력 특성으로 모든 컴퓨팅 시스템이 HBM을 쓸 수는 없을 것"이라며 "때문에 LPDDR-PIM과 CXL 등이 충분히 의미있는 솔루션이 될 수 있다"고 말했다. LPDDR은 저전력 D램을 뜻한다. 현재 LPDDR5X 세대까지 상용화된 상태로, 차세대 버전인 LPDDR6의 표준화 제정이 마무리되고 있다. PIM은 메모리 반도체에서 자체적으로 데이터 연산 기능을 처리할 수 있도록 만든 반도체로, 두 요소를 결합하면 전력 효율성이 뛰어난 D램을 구현하는 것이 가능해진다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 각기 다른 인터페이스로 상호연결이 어려웠던 기존 시스템과 달리, CXL은 PCIe(PCI 익스프레스; 고속 입출력 인터페이스)를 기반으로 각 칩의 인터페이스를 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 손 마스터는 "LPDDR6는 규격이 어느 정도 마무리 돼서 활발히 개발 중"이라며 "PIM, LLW D램 등의 제품도 반도체 표준화 기구인 제덱(JEDEC)에서 규격 논의가 한창 진행되고 있다"고 말했다. LLW D램은 입출력(I/O) 단자를 늘려 데이터를 송수신하는 통로인 대역폭을 높인 차세대 D램이다. 차세대 HBM 시장을 좌우할 커스텀 HBM의 중요성도 강조했다. 손 마스터는 "HBM4부터 파운드리를 통해 베이스 다이(Die) 제조하는데, 고객이 원하는 대로 제품을 만들어 줄 수 있다는 점에서 큰 변화"라며 "메모리 사업부가 고객의 요구에 맞는 메모리를 만들기 시작하게 된 계기라고 볼 수 있다"고 밝혔다.

2025.05.13 14:38장경윤

中, 하이브리드 본딩 특허 경쟁 '우위'…삼성·SK 크게 앞서

삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들이 차세대 패키징 기술인 '하이브리드 본딩' 기술력 확보에 매진하고 있다. 약 5년 전부터 관련 특허를 꾸준히 공개하고 있는 상황으로, 차세대 D램 및 HBM(고대역폭메모리), 낸드 등에 폭넓게 적용할 계획이다. 다만 공개된 특허 수는 메모리 업계 후발주자인 중국 YMTC(양쯔메모리테크놀로지) 대비 저조한 것으로 나타났다. 특허가 향후 메모리 시장의 큰 변수로 작용할 수 있는 만큼, 국내 기업들도 연구개발(R&D)에 속도를 내야 한다는 지적이 제기된다. 하이브리드 본딩, D램·HBM·낸드 등 차세대 메모리서 각광 8일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 등은 하이브리드 본딩 관련 특허를 지속적으로 확보하고 있다. 하이브리드 본딩은 두 개의 반도체 칩을 구리 배선은 구리 배선끼리, 절연 물질은 절연 물질끼리 각각 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이고, 전기적 특성 및 방열 특성을 높일 수 있다. 하이브리드 본딩의 적용처는 매우 다양하다. 메모리의 경우 20단 적층 이상의 차세대 HBM과 3D D램, 400단 이상의 고적층 낸드에서 활용될 것으로 예상된다. 특히 낸드 시장에서는 이미 하이브리드 본딩이 상용화되고 있다. 중국 YMTC는 약 4년 전부터 'Xtaking(엑스태킹)'이라는 이름으로 하이브리드 본딩이 활용된 낸드를 양산 중이다. 낸드의 핵심 요소인 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 하나로 합치는 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼) 방식이 적용됐다. 국내 기업들 역시 400단 이상의 낸드에 하이브리드 본딩 기술을 적용할 계획이다. 그러나 관련된 특허 기반은 크게 부족한 상황으로, 차세대 메모리 경쟁력 강화에 걸림돌이 될 수 있다는 우려가 제기된다. 실제로 삼성전자는 차세대 낸드에 하이브리드 본딩을 적용하기 위해 YTMC와 라이센스 계약을 체결한 바 있다. 기술적으로 YMTC의 특허를 사실상 피하기 어렵다는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. 中 YTMC 특허 공개 수 119건…삼성(83건)·SK(11건) 크게 앞서 지디넷코리아가 입수한 프랑스 특허·기술 리서치 기업 노우메이드(KnowMade)의 자료에 따르면, YMTC는 지난 2017년부터 2024년 1월까지 총 119건의 특허를 공개했다. 니콜라스 배런 노우메이드 최고경영자(CEO)는 "YMTC는 해당 기간 총 700건 이상의 특허를 출원했으며, 이 중 최소 119개가 하이브리드 본딩과 관련된 특허 패밀리(Patent families; 여러 국가에 출원한 특정 특허를 모두 묶은 것)"라고 강조했다. 삼성전자는 그보다 앞선 2015년부터 특허를 출원했으나, 2023년까지의 총 특허 출원 수는 83건으로 집계됐다. 초기 특허 출원 수가 저조한 데 따른 영향이다. 다만 2023년에는 한 해에만 31건의 특허를 출원하는 등, 기술력 확보에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 지난 2020년부터 특허 출원을 시작해, 2023년까지 총 11건의 특허를 공개하는 데 그쳤다. 노우메이드는 "전 세계 주요 반도체 기업들의 적극적인 기술 개발 덕분에, 2019년 이후로 하이브리드 본딩 관련 특허 수는 4배 이상 증가했다"며 "TSMC, Adeia, YMTC 등이 하이브리드 본딩 관련 IP(지식재산) 리더로 지목된다"고 설명했다. YMTC가 보유한 특허 포트폴리오도 주목할 만 하다. 노우메이드가 YMTC의 핵심 특허 25개를 분석한 결과, 이 회사는 낸드·D램·S램 등을 포함하는 새로운 3D 메모리 설계, 로직 및 메모리 다이의 하이브리드 본딩, 본딩 층 주변 회로와 관련한 기술을 보유하고 있다. 노우메이드는 "YMTC의 특허는 로직과 메모리, 컨트롤러를 모두 포함한 이기종 적층으로 AI 및 HPC 산업을 위한 반도체 제조를 용이하게 한다"며 "또한 YMTC는 하이브리드 본딩 구현을 위한 표면 처리, 웨이퍼 다이싱 등 제조 공정 특허도 다방면으로 보유하고 있다"고 밝혔다.

2025.05.08 11:15장경윤

국내 최대 반도체 소재 컨퍼런스 'SMC 코리아 2025' 14일 개최

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회 SEMI는 국내 최대 규모의 반도체 소재 컨퍼런스인 'SMC(Strategic Materials Conference) Korea 2025'를 이달 14일 수원컨벤션센터에서 개최한다고 7일 밝혔다. 올해로 10회째를 맞이한 이번 행사에서는 국내외 주요 칩 메이커, 반도체 장비·재료 기업, 그리고 전문 리서치 기관이 한데 모여 업계의 최신 기술 이슈와 시장 전망 등을 심도 있게 논의할 예정이다. 올해 행사는 총 2개의 세션으로 나뉘어 진행된다. 첫 번째 세션에서는 3D DRAM, CFET 등 차세대 메모리 반도체 기술의 발전에 따른 소재 혁신을 다룬다. 삼성전자, imec, 한양대학교, 에어리퀴드 등 업계를 선도하는 기업 및 기관 전문가들이 최신 기술 트렌드와 과제를 공유할 예정이다. 두 번째 세션에서는 HBM(고대역폭메모리)과 같은 첨단 메모리 제조 공정에 요구되는 반도체 재료의 기술 혁신 로드맵에 대해 심도 있는 발표가 이어진다. 어플라이드 머티어리얼즈, Linx Consulting, 인테그리스, Chipmetrics, SK하이닉스 등 글로벌 주요 반도체 기업의 연사들이 AI 애플리케이션을 위한 소재 혁신, 웨이퍼 결함 제어, ALD 장비 검증, 차세대 공정 소재 등 다양한 주제를 다룬다. 행사의 하이라이트 중 하나는 '패널 토의' 시간이다. 첫 번째 세션 후반부에 진행되는 해당 토론에서는 연사가 직접 참여, 청중과의 질의응답을 통해 더욱 풍부한 인사이트를 제공할 예정이다. 또한 이 날 마련된 참석자 및 연사 간 교류의 장을 통해 소재 공급망 생태계 내 소통과 협력의 기회를 넓힐 수 있는 시간도 마련된다. 이번 행사는 SEMI Korea가 주관하고, 동우화인켐, 듀폰, TEMC, JSR, 동진쎄미켐, 인테그리스, 헌츠맨, SK트리켐, 에어리퀴드, 유피케미칼이 후원한다.

2025.05.07 15:06장경윤

파네시아, CXL 개발자 컨퍼런스서 'CXL 3.x' 스위치 솔루션 공개

국내 팹리스 스타트업 파네시아는 올해 국내 기업으로서 유일하게 CXL 개발자 컨퍼런스(CXL DevCon)에 참가해 고출력(high fan-out) CXL 3.x 스위치 기반 프레임워크를 선보였다고 7일 밝혔다. CXL DevCon은 CXL 표준을 제정하는 CXL 컨소시엄에서 주관하는 공식행사로서, 올해 2회차를 맞았다. 지난달 29일, 30일 양일간 미국 캘리포니아주 산타 클라라에서 진행됐다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. PCIe(PCI 익스프레스)를 기반으로 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 파네시아는 올해 국내 기업으로서는 유일하게 전시 기업으로 참여해 대표 제품인 고출력 CXL 3.x 스위치와 이를 기반으로 한 프레임워크를 선보였다. 파네시아가 선보인 고출력 CXL 3.x 스위치는 서로 다른 CXL 장치들을 캐시 일관성이 보장된 하나의 시스템으로 통합하는 가교 역할을 한다. 파네시아가 자체 개발한 저지연 CXL IP를 기반으로 개발된 데에 더해, 한꺼번에 더 많은 장치를 연결할 수 있는 고출력 SoC 구조를 가짐으로 시스템의 평균적인 홉 수를 줄여 지연시간을 최소화한다. 또한 파네시아의 스위치는 여러 대의 스위치를 다수의 계층으로 연결하는 멀티-레벨 스위칭(multi-level switching) 기능, 그리고 각 장치가 장착되는 물리적 위치인 '포트'를 기준으로 장치 간의 논리적인 연결 구조와 연결 경로를 유연하게 설정하는 포트-기반 라우팅(port-based routing, PBR) 기능을 모두 지원한다. 뿐만 아니라 CPU, GPU, 메모리 등 모든 종류의 시스템 장치에 대한 연결을 지원하기 때문에, 수많은 시스템 장치들을 다양한 형태와 조합으로 연결해 고객의 요구에 맞는 대규모 시스템을 구축하는 데 용이하다. 파네시아는 이번 전시회에서 CXL 3.x 스위치를 활용해 CXL 서버 노드를 여러 개 연결해 구축한 'CXL Composable Server'도 출품했다. 각 서버 노드에는 파네시아의 또 다른 제품인 CXL IP를 활용해 개발한 CPU, GPU, 메모리 장치 등이 종류별로 장착돼 있다. 덕분에 고객들은 그때그때 필요한 장치가 장착된 노드를 추가로 장착해 수요에 알맞은 형태로 시스템을 구축할 수 있다. 파네시아는 해당 프레임워크를 기반으로 검색증강생성(RAG), 대규모언어모델(LLM) 등의 AI 응용 및 과학 시뮬레이션을 가속하는 데모를 시연하며, 행사에 참석한 CXL 전문기업들로부터 많은 주목을 받았다. 파네시아 관계자는 “CXL 3.x 스위치 기술을 다룬 발표와 출품은 파네시아가 유일했다”며 “CXL 컨소시엄의 리더들에게도 CXL 3.x 스위치는 새로운 기술이기에, 이번 파네시아의 출품작과 발표에 많은 관심을 보인 것 같다”고 말했다.

2025.05.07 14:56장경윤

빅테크, AI 인프라에 공격적 투자…삼성·SK도 서버용 메모리 집중

글로벌 빅테크들이 최근 실적발표를 통해 공격적인 AI 인프라 투자 계획을 밝혔다. 최근 대외적 불확실성이 높아진 상황에서도 AI 서버에 대한 수요가 여전히 높다는 판단에서다. 국내 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 반도체 기업들도 올해 서버용 메모리 사업 확대에 나설 것으로 관측된다. 4일 업계에 따르면 글로벌 주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들은 올해 AI 인프라 투자 규모를 확대하기로 했다. 메타는 지난 1일 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 자본 지출액 전망치를 기존 600억~650억 달러에서 640억~720억 달러로 상향했다. 데이터센터 및 AI 인프라 관련 파드웨어의 예상되는 비용 증가를 반영했다. 전년 투자규모(392억) 대비 크게 늘어난 수치다. 경쟁사들 역시 올해 AI 인프라 투자 비용을 당초 계획대로 전년 대비 크게 늘리기로 했다. 최근 도날드 트럼프 미국 행정부의 관세 정책에 따른 시장 위축 우려에도, 여전히 AI 데이터센터 수요가 공급을 웃돌고 있다는 판단이 작용한 것으로 풀이된다. 같은 날 실적을 발표한 아마존은 올해 1천억 달러를 투자한다. 전년 대비 20%가량 증가한 규모다. 회사는 컨퍼런스콜에서 "투자의 대부분은 AWS(아마존웹서비스) 성장을 지원하기 위한 인프라에 쓰일 것으로 예상한다"고 밝혔다. 마이크로소프트도 올해 AI 데이터센터에 전년 대비 약 44% 증가한 800억 달러를 투자하겠다는 기존 계획을 견지했다. 구글(알파벳)도 전년 대비 43% 증가한 750억 달러를 AI 인프라에 쏟는다. 이에 따라 국내 주요 반도체 기업들도 AI 서버용 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다. 현재 이들 기업은 최선단 공정 기반의 DDR5와 HBM(고대역폭메모리), 서버용 eSSD 비중을 크게 늘려나가고 있다. 삼성전자는 최근 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올 하반기 신규 GPU 출시와 맞물려 AI 서버향 수요 견조세가 지속될 전망"이라며 "순연됐던 데이터센터 프로젝트들이 재개되면서 서버용 SSD 수요도 반등을 기대한다"고 밝혔다. 구체적으로, 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 12단 개선품과 128GB(기가바이트) 이상의 고용량 DDR5 판매를 늘릴 예정이다. 낸드에서는 가장 진보된 PCIe Gen5 SSD 수요에 대응하기로 했다. SK하이닉스도 고용량 서버 시장의 중장기적 성장 가능성을 높게 평가하고 있다. 딥시크와 같은 저비용·고효율 AI 모델 역시 메모리 수요를 견인할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 "올해 생성형 AI 서비스에 대한 요구가 증대되면서 추가적인 메모리 및 인프라가 필요해지고 있다"며 "D램 및 HBM 뿐만 아니라 고성능 TLC(트리플레벨셀) eSSD 수요가 증가할 것으로 기대되고, 고용량 QLC(쿼드레벨셀) eSDD 시장에서도 유의미한 변화가 예상된다"고 강조했다.

2025.05.04 10:30장경윤

삼성전자, 재고 리스크에도 HBM3E 12단 선제 양산 나선 이유는

삼성전자가 올 1분기부터 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 대량 양산 체제에 돌입한 이유는 제품의 적기 공급을 통해 뒤쳐진 HBM 사업을 본궤도에 올려놓기 위한 승부수로 보인다. 해당 고객사와 퀄(품질) 테스트가 아직 진행 중이지만, 공급 승인을 가정 하에 미리 제품을 확보해두려는 전략으로 파악된다. 그러나 자칫 엔비디아로부터 공급 승인이 또 다시 지연되는 경우, 해당 제품은 조 단위의 재고로 쌓이는 위험을 초래할 수 있다. 그럼에도 삼성전자가 선제적 양산에 돌입한 이유는 시장의 진입 시점을 최대한 앞당기기 위해서다. 내부적으로 HBM3E 12단에 대한 성능 및 안정성에 대한 자신감도 상당한 것으로 전해진다. 엔비디아향 공급 승인 전부터 선제 양산…시장 적기 진입 의지 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단을 대량 양산 체제로 전환했다. 1a D램을 채용한 이번 삼성전자의 HBM3E 12단은 현재 주요 고객사인 엔비디아와 퀄 테스트를 거치고 있다. 당초 삼성전자는 해당 제품을 지난해 하반기 공급하는 게 목표였다. 그러나 성능 문제로 테스트 일정이 지속 연기되자, 일부 성능을 개선한 제품으로 재공급을 추진 중이다. 삼성전자가 엔비디아로부터 HBM3E 12단 개선품에 대한 공급 승인을 받을 수 있는 시점은 빠르면 오는 6~7월경이다. 그럼에도 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단 생산량을 크게 늘렸다. 기존 개선품 개발로 인한 수요 공백으로 가동률이 극히 저조했으나, 최근엔 '풀가동'에 가까운 수준까지 높아진 것으로 파악된다. 기존 유휴 상태였던 설비들도 2월부터 일부 개조를 거쳐 가동이 시작됐다. 삼성전자가 엔비디아로부터 공급 승인을 받기도 전 제품을 양산하기 시작한 이유는 시장 진입 '타이밍'이 가장 큰 이유라는 해석이다. 엔비디아는 올해 1분기부터 HBM3E 12단의 수요를 크게 늘린 바 있다. 올 하반기에는 최신형 AI 가속기 양산 로드맵에 따라 HBM4 채용량을 확대할 계획이다. 만약 삼성전자가 6~7월경 공급망에 진입하더라도, 이후에 HBM3E 양산을 준비하면 이미 시장의 주류는 HBM4로 넘어가 있을 가능성이 크다. 통상 HBM 양산은 D램 제조부터 패키징까지 최대 5~6개월이 소요된다. 삼성전자로서는 올해 중반 HBM3E 12단을 곧바로 대량 공급해야 의미 있는 매출 효과를 거둘 수 있다. 조 단위 재고 발생 위험에도…"이번엔 반드시 성공" 자신감 다만 이같은 전략에는 잠재적 위험 요소가 존재한다. 만약 엔비디아향 퀄 테스트 일정이 또 다시 지연되는 경우, 미리 생산한 HBM3E 12단이 재고로 처리될 수 있기 때문이다. 올 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장으로 추산된다. 삼성전자가 엔비디아향으로 상정한 HBM3E 12단의 공급 규모는 밝혀지지 않았으나, 업계는 조 단위의 공급량이 준비될 것으로 보고 있다. 다만 삼성전자는 이같은 최악의 상황이 발생할 가능성을 낮게 보고 있다. 내부적으로 HBM3E 12단 개선품에 대한 긍정적인 평가를 내리고 있는 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM3E 12단에 대해 전략적으로 선행 생산에 들어간 건 해당 제품에 대한 강한 자신감이 반영된 것"이라며 "HBM3E 8단은 퀄이 통과되도 사실상 의미가 없기 때문에, 12단 제품에 중점을 두는 상황"이라고 설명했다. 또한 엔비디아향 공급이 좌절되더라도, 또다른 글로벌 빅테크향으로 제품을 공급할 수 있다는 계산도 깔려 있다. 현재 전 세계 주요 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들은 자체 AI 가속기 개발로 첨단 HBM에 대한 수요를 꾸준히 늘려가고 있다. AMD 역시 올해 삼성전자 HBM3E 8단에서 HBM3E 12단 개선품으로 주문을 변경한 것으로 알려졌다.

2025.05.02 10:41장경윤

삼성전자, 엔비디아향 'HBM3E 12단' 선제 양산 나섰다

삼성전자가 올 1분기부터 HBM3E 12단 생산량 확대에 본격 나섰다. 그동안 가동률이 저조하던 제조 라인을 '대량 양산' 체제로 전환시킨 것으로 파악됐다. 이르면 상반기 내 엔비디아로부터 공급 승인이 완료되는 시점에 맞춰 선제적으로 HBM3E 12단 제품을 양산, 적기에 공급하려는 전략으로 풀이된다. 하지만 만약 엔비디아의 퀄 테스트가 또 다시 지연될 경우 재고품을 상당량 떠안게 되는 위험을 초래할 수 있다는 우려도 함께 나온다. 그럼에도 삼성전자는 이번 HBM3E 12단 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 2일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 HBM3E 12단 제품에 대한 선제 양산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자, HBM4 이전 HBM3E 12단 적기 공급 서둘러 HBM3E 12단은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 1a D램(5세대 10나노급)을 채용했다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 HBM3E 12단을 엔비디아에 공급하려 했으나, 성능 문제로 계획이 지연된 바 있다. 이에 삼성전자는 개선(리비전) 제품을 만들어 엔비디아의 공급망 재진입을 추진하고 있다. 개선품에 대한 퀄(품질) 테스트는 오는 6~7월경 완료하는 것이 목표다. 동시에 삼성전자는 지난 2월경부터 HBM3E 12단에 대한 선제 양산 체제에 들어간 것으로 파악됐다. 당초에는 HBM3E 8단 및 12단 수요 부재로 해당 라인 가동률이 저조했으나, 현재는 사실상 '풀가동' 체제로 전환된 분위기다. 올해 초 기준 삼성전자의 HBM3E 생산능력은 월 12만~13만장 수준으로 추산된다. 실제로 삼성전자는 지난해 중반 라인에 투입하고도 보관만 하고 있던 TSV(실리콘관통전극; HBM 제조의 핵심 공정) 관련 설비를 1분기부터 가동하기 시작했다. 비슷한 시점에 HBM용 1a D램 웨이퍼 투입량도 늘렸다. 삼성전자가 엔비디아와의 퀄 테스트를 완료하기도 전에 HBM3E 12단 생산량을 급격히 확대한 건 제품의 상용화 시점을 고려한 전략으로 해석된다. 통상 HBM은 코어 다이인 D램 제조부터 패키징까지의 전 과정을 수행하는 데 5~6개월이 소모된다. 만약 삼성전자가 엔비디아로부터 6~7월경 HBM3E 12단에 대한 양산 승인을 받더라도, 이후 공급을 준비하면 시장을 시기적절하게 공략하기가 어렵다. 엔비디아가 올 하반기부터 신규 AI 가속기 '루빈' 출시에 따라 차세대 HBM4로 수요를 옮기기 시작할 계획이기 때문이다. 자칫 HBM3E 12단 적기 타이밍에 한발 늦어질 수 있다는 것이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자 내부적으로는 엔비디아향 HBM3E 12단에 대한 양산 승인이 문제없이 이뤄질 것이라고 보고 있다"며 "이에 따라 2월부터 생산량을 늘리고, 공급 승인 뒤 곧바로 매출 효과를 거두기 위한 준비에 나서는 중"이라고 말했다. 한편 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 "전년 대비 2배 확대하겠다"는 목표를 세운 바 있다. 지난해 HBM 공급량 목표가 40억 Gb(기가비트)였다는 점을 고려하면 올해 80억 Gb(기가비트)의 공급이 필요하다. 다만 삼성전자는 지난 1분기 HBM 공급량이 6~8억 Gb에 그쳐, 이번 엔비디아향 HBM3E 12단의 적기 공급이 매우 절실한 상황이다.

2025.05.02 10:40장경윤

삼성전자, 내년 커스텀 HBM4 상용화 목표…"복수 고객사 협의"

삼성전자 메모리 사업이 수익성 부진을 겪고 있다. 고부가 메모리 공급량 감소, 첨단 파운드리 및 시스템반도체 수요의 감소가 겹친 데 따른 영향이다. 이에 삼성전자는 HBM3E 12단 및 고용량 DDR5 제품으로 AI 시장 공략을 가속화할 계획이다. 또한 커스텀 HBM4 및 HBM4E 상용화 준비를 위해 복수의 고객사와 협의를 이어가고 있는 것으로 알려졌다. 30일 삼성전자는 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 개선품은 샘플 공급을 완료해 2분기부터 점진적으로 판매 기여 폭이 증가될 것"이라며 "HBM4의 경우 고객사 과제 일정에 맞춰 하반기 양산 목표로 개발을 진행 중"이라고 밝혔다. 삼성전자의 지난 1분기 DS(반도체) 부문 매출은 25조1천억원, 영업이익은 1조1천억원으로 집계됐다. 매출은 전년동기 대비 증가했으나, 영업이익은 43%가량 감소했다. 주요 원인은 HBM 등 고부가 제품의 판매 위축에 있다. 지난해 하반기까지 이어진 중국향 HBM 판매가 미국의 첨단 반도체 수출 규제로 차질을 빚었으며, HBM3E 12단 리비전(개선) 제품 개발에 따른 수요 공백이 발생했다. '엑시노스 2500' 등 신규 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)의 상용화 지연, 파운드리 전반의 부진 등도 영향을 끼쳤다. 올해 HBM3E 12단 판매 확대…HBM4도 상용화 채비 이에 삼성전자는 2분기 HBM3E 12단 개선 제품의 초기 수요 대응을 확대할 계획이다. 또한 첨단 영역에 속하는 8세대 낸드의 생산 전환을 가속화한다. 나아가 하반기에는 AI 서버 및 온디바이스 AI 시장을 집중 공략한다. HBM3E 12단 개선 제품 및 128GB 이상 고용량 DDR5 판매를 확대하며, 10.7Gbps LPDDR5x 등 고사양 제품을 늘릴 계획이다. 커스텀 HBM4 및 HBM4E는 복수의 고객사들과 과제를 협의하고 있다. 삼성전자는 "HBM4와 커스텀 HBM4는 2026년부터 판매에 기여할 것으로 기대된다"며 "HBM4 및 HBM4E 고객사 수요 대응을 위해 필요한 투자를 지속 집행해나가고 있다"고 말했다. 시스템LSI의 경우, 올 2분기 주요 고객사 플래그십 제품향으로 엑시노스 2500 공급 확대에 나선다. 삼성전자는 올 3분기 공개되는 '갤럭시Z' 시리즈 일부에 엑시노스 2500를 탑재하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 파운드리는 차세대 공정으로 꼽히는 2나노 공정에 주력한다. 삼성전자는 올해 하반기 1세대 2나노 공정인 'SF2' 양산을 목표로 하고 있다. 현재 국내 리벨리온과 딥엑스, 일본 PFN 등을 고객사로 확보한 상황이다.

2025.04.30 11:21장경윤

美·中 관세 전쟁에 휩싸인 반도체…"내년 시장 전망 최대 34% 하향"

전 세계 반도체 시장이 미국 관세 정책에 따른 불확실성에 휩싸였다. 미·중 갈등 심화로 평균 관세율이 40%를 넘어서는 경우, 내년 반도체 시장 규모가 당초 예상 대비 34%가량 감소할 수 있다는 분석도 제기된다. 26일 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 전 세계 반도체 시장의 성장세는 미국 관세 영향에 따라 크게 변동될 것으로 예상된다. 앞서 테크인사이츠는 이달 중순 미국의 관세 정책 발표에 따라 전 세계 반도체 시장 규모를 하향 조정한 바 있다. 적용되는 관세율을 10% 수준으로 가정했을 경우의 시장 규모는 올해 7천770억 달러, 내년 8천440억 달러 수준이다. 그러나 중국에 대한 관세율이 30~40% 수준으로 상향되고, 전 세계 관세율이 20~40% 정도로 올라가게 되면 반도체 시장 규모는 크게 하락할 것으로 전망된다. 예상치는 올해 7천360억 달러, 내년 6천990억 달러다. 테크인사이츠는 "해당 가정 시 올해 상반기에는 스마트폰, PC, 반도체 등 고객사의 재고 확보 추세가 두드러질 것"이라며 "하반기에는 데이터센터용 반도체는 여전히 강세를 유지하겠지만, 전자제품 출하량이 둔화될 것"이라고 설명했다. 미중간 부과되는 관세가 100%를 넘어가면서, 관세율 전반이 40%를 넘어서는 경우 반도체 장비 시장의 하락세는 더욱 가파라질 전망이다. 예상치는 올해 6천960억 달러, 내년 5천570억 달러 수준이다. 관세율 10%의 기본 가정과 비교하면 최대 낙폭이 올해 10%, 내년 34%에 이를 수 있다는 분석이 나온다. 테크인사이츠는 "이 경우 하이퍼스케일러 수익이 압박을 받아 데이터센터 자본지출이 감소하게 되고, 올 하반기부터 GPU 및 HBM 수요가 감소하게 될 것"이라며 "미국과 EU 등도 전자제품에 대한 소비자 수요가 감소하게 된다"고 밝혔다.

2025.04.27 07:13장경윤

1분기 7.4조 쓸어담은 SK하이닉스, 2분기 '사상 최대' 영업익 쏜다

SK하이닉스의 영업이익 성장세가 2분기에도 지속될 전망이다. 주요 매출원인 D램의 출하량을 10% 이상 확대하고, 가장 최신의 HBM(고대역폭메모리) 판매 비중도 크게 늘어나기 때문이다. 기존 SK하이닉스의 분기 최대 영업이익(2024년 4분기 8조828억원)도 웃돌 가능성이 매우 유력하다. 25일 업계에 따르면 SK하이닉스는 올 2분기 최소 8조원 중후반대의 영업이익을 기록할 것으로 전망된다. 2분기 영업이익, 최소 8조원 중후반대 예상…최대 실적 예고 앞서 SK하이닉스는 올 1분기 매출액 17조6천391억원, 영업이익 7조4천405억원을 기록한 바 있다. 영업이익률은 42%로, SK하이닉스 기준 역대 최대의 수익성을 거뒀다. 주요 배경은 HBM을 비롯한 고부가 메모리 판매 확대다. 1분기 실적에 대해 SK하이닉스는 “1분기는 AI 개발 경쟁과 재고 축적 수요 등이 맞물리며 메모리 시장이 예상보다 빨리 개선되는 모습을 보였다”며 “이에 맞춰 HBM3E 12단, DDR5 등 고부가가치 제품 판매를 확대했다”고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 올 2분기 역대 최대 영업이익 경신이 확실시되는 상황이다. 메모리 출하량이 전분기 대비 두 자릿 수로 늘어나고, 최선단 HBM 출하량 비중이 크게 확대되기 때문이다. 업계가 추산하는 SK하이닉스의 해당 분기 영업이익은 8조원 중후반대에서 최대 9조원에 이른다. 현재 SK하이닉스의 최대 분기 영업이익은 지난해 4분기 기록한 8조828억원이다. D램 출하량·최선단 HBM 비중 확대가 요인 SK하이닉스는 해당 분기 D램 및 낸드 출하량을 전분기 대비 각각 10% 초반, 20% 이상 늘리겠다는 목표를 제시했다. 주요 매출원인 D램의 ASP(평균판매가격)는 제품별로 등락이 있겠으나, 전반적으로 보합세를 나타낼 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 올 2분기 미국 관세 정책에 따른 고객사의 재고 확보 노력으로 D램과 낸드 가격이 모두 3~8%가량 상승할 것으로 내다보기도 했다. 반도체 업계 관계자는 "D램 가격에 대한 불확실성은 다소 높지만, 빗그로스(비트 생산량 증가율)이 10% 이상 증가하면서 영업이익은 또 한번 성장세를 나타낼 것"이라며 "특히 SK하이닉스는 서버용 D램, HBM3E(5세대 HBM)의 비중이 높아 수익성 측면에서는 경쟁사 대비 유리한 입지에 놓여 있다"고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 올 상반기 현존하는 가장 최신 HBM인 HBM3E 12단 제품의 비중 확대에 주력하고 있다. 2분기에는 기존 계획대로 전체 HBM3E 출하량의 절반 이상을 12단으로 판매할 예정이다.

2025.04.25 08:59장경윤

SK하이닉스, 2분기도 D램·낸드 출하량 확대…"美 관세 영향 제한적"

SK하이닉스가 대외적인 경제 불확실성이 높아진 상황에서도 메모리 업계에 미칠 영향은 아직 제한적일 것으로 내다봤다. HBM(고대역폭메모리) 역시 수요 변동성이 없어, 기존 계획대로 올해 사업을 진행할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 올해 메모리 사업에 대한 전망 및 대응 전략에 대해 이같이 밝혔다. 2분기 D램·낸드 출하량 확대…HBM 사업도 굳건 SK하이닉스가 제시한 2분기 메모리 빗그로스(비트 생산량 증가율)는 D램이 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 20% 이상이다. 올 1분기 D램 및 낸드의 출하량이 전분기 대비 감소했던 데 따른 기조 효과와 더불어, 단기적인 메모리 수요 증가가 영향을 끼친 것으로 풀이된다. 1분기에는 중국 이구환신 정책에 따른 시장 활성화, 미국 관세 정책을 우려한 일부 고객사들의 재고 축적 효과가 발생했다. HBM(고대역폭메모리) 역시 기존 전망대로 견조한 수요가 예상된다. SK하이닉스는 "올해 HBM 수요 전망은 전년대비 약 2배 성장할 것"이라며 "HBM3E 12단 전환도 순조롭게 진행되고 있어, 2분기에는 기존 계획대로 HBM3E 출하량의 절반 이상이 12단으로 판매될 예정"이라고 밝혔다. 미국 관세 정책, 저비용 AI 모델 확대 등 악영향 제한적 현재 업계는 중국 딥시크와 같은 고효율·저비용 AI 모델의 등장, 미국의 관세 정책에 따른 수요 불확실성 등을 우려하고 있다. 다만 SK하이닉스는 영향력이 제한것일 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 "오픈AI o3나 딥시크 R1은 정교한 결과 도출을 위해 더 많은 메모리를 요구하기 때문에, 추가적인 고용량 메모리 수요를 창출하는 원인 중 하나"라며 "당사도 DDR5 기반 96GB 모듈의 수요 증가를 경험했고, 올해 고용량 DIMM 수요는 지속 증가할 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "관세의 경우 세부 내용이 정해지지 않아, 2분기 풀-인 수요가 하반기 재고조정 리스크를 야기할만큼 크지는 않을 것"이라며 "공급사들도 시장 불확실성을 반영해 계획을 조절하므로 팬데믹 때와 같은 변동성은 없을 것"이라고 덧붙였다.

2025.04.24 10:45장경윤

  Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

삼성전자, 브로드컴에 HBM3E 12단 공급…ASIC서 기회 포착

메타의 공격적 AI 인재 사냥, 핵심은 '데이터 전쟁'

마디마다 구동기 탑재…정교한 로봇손에 숨겨진 비밀

이재명 대통령 "AI·반도체·재생에너지·문화 투자 아끼지 않겠다"

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.