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김종우 ISC 대표, 자사주 2천주 매입…"회사 성장 자신감"

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 김종우 대표가 지난 18일 장내 매수를 통해 총 1억3천800만 원 규모의 자사주 2천주를 취득했다고 24일 밝혔다. 비메모리 양산 시장 진입, 글로벌 빅테크 고객사 확보와 반도체 경기회복에 따른 실적 성장 및 미래 회사 가치에 대한 자신감을 드러낸 행보로 풀이된다. 또한 ISC는 올해 '선택과 집중'을 성장 방향성으로 잡고 'ISC 2.0' 프로젝트를 발표한 바 있다. 주력 사업인 테스트 소켓에 더욱 집중할 기반을 만들고 차세대 먹거리인 AI 반도체 수요에 대응하는 전략으로 회사의 밸류에이션을 높여 주주가치를 증진시키는 데 의의가 있다. 지난 2023년 10월 SKC 편입 시 발행한 유상증자를 통해 2천억 원을 확보한 ISC는 이를 토대로 베트남 공장 CAPA 확대, 글로벌 고객사 대응을 위한 북미 R&D 오피스 개설 등 업황 개선에 맞춘 투자를 진행해 왔다. 비수기 선제적인 투자로 북미 대형 고객사를 다수 확보해 비메모리 양산 매출이 빠르게 증가하고 있는 것으로 알려져 2분기 본격 성장 궤도에 오를 것으로 전망된다. 아이에스시 관계자는 ”글로벌 고객사 양산 소켓 수주가 이어지면서 2분기부터 본격 성장이 예상된다”며 “금번 김종우 대표이사의 자사주 매입을 기점으로 주주가치 제고를 위해 최선을 다하겠다”고 강조했다.

2024.06.24 09:57장경윤

서린씨앤아이, 지스킬 립죠스 M5 RGB 메모리 출시

서린씨앤아이가 20일 데스크톱PC용 립죠스 M5 DDR5 RGB 메모리를 국내 출시했다. 지스킬 립죠스 M5 RGB 메모리는 방열판과 RGB LED를 지원하는 보급형 제품이며 기존 출시 제품군 대비 가격을 낮췄다. 상단 RGB LED와 방열판 디자인에 일체성을 부여해 조명을 이용한 튜닝이 가능하다. 기본 작동 클록은 DDR5-5200MHz, 램타이밍은 CL40-40-40-83이며 32GB(16GB 모듈 2개), 64GB(32GB 모듈 2개) 등 2개 제품군으로 출시된다. 전력 관리 반도체(PMIC)를 내장해 저전력 대비 높은 효율을 내며 비트 단위 오류를 정정하는 온다이 ECC 기술 등 DDR5 메모리 기본 기술을 모두 지원한다. 방열판 색상은 블랙, 화이트 두 종류이며 가격은 32GB 패키지 기준 14만 9천원.

2024.06.20 10:09권봉석

오픈엣지, 日 현지 법인·R&D센터 신설

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문회사 오픈엣지테크놀로지(이하 오픈엣지)는 일본 요코하마에 현지 법인인 '오픈엣지스 테크놀로지 재팬(OTJ)' 및 연구개발(R&D) 센터를 설립했다고 18일 밝혔다. 이번 법인 신설은 오픈엣지의 네 번째 글로벌 R&D 조직으로, 미국 및 캐나다에 이어 일본에서도 결성됐다. 앞서 오픈엣지는 지난 10월에도 일본 요코하마에 영업 사무실을 개소한 바 있다. 오픈엣지는 일본 내 팹리스 고객과 디자인하우스 업체를 대상으로 반도체 IP 제품의 적극적인 세일즈 활동을 전개하고 있다. 지난 10월에 개소한 요코하마 사무소는 현지 반도체 IP 수요에 신속하게 대응하고, 고객 요청에 긴밀하게 응대하기 위한 전략적 기지로 기능했다. 이번에 신설된 교토 R&D센터에서는 DDR 메모리 컨트롤러 기술을 중점적으로 개발할 계획이다. 이는 일본 시장의 특성과 수요를 고려한 결정으로, 해당 기술의 혁신을 통해 일본은 물론 글로벌 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 계획이다. 이성현 오픈엣지 대표는 “회사 창립 이래로 국내는 물론 글로벌 반도체 IP 시장에서의 입지를 강화하는 것을 목표로 삼고 있다”며 “향후에는 동유럽 등 연구개발 인력이 집중된 지역을 중심으로 글로벌 거점 확대를 지속적으로 검토할 계획”이라고 밝혔다. 한편 오픈엣지의 캐나다 자회사에서는 DDR PHY(물리계층) IP 연구개발을, 미국 자회사에서는 NoC(네트워크-온-칩) IP개발에 주력하고 있다.

2024.06.18 09:45장경윤

낸드 부활에 日 키오시아 '투자 시동'…韓 장비업계 '방긋'

낸드플래시 시장이 완연한 회복세에 접어든 가운데, 일본 주요 제조업체인 키오시아가 내년부터 설비투자를 재개할 전망이다. 이를 위해 국내 장비업계와도 설비 도입을 활발히 논의 중인 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 일본 키오시아는 내년 V8, V9 등 선단 낸드로 공정을 전환하기 위한 설비투자를 진행할 예정이다. 현재 키오시아는 일본 미에현 욧카이치와 이와테현 기타카미 지역에 팹을 운영하고 있다. 두 공장 모두 낸드를 생산하고 있다. 주력 제품은 6세대에 해당하는 112단 낸드 등으로 알려져 있다. 키오시아의 낸드 팹은 메모리 업황의 회복세에 따라 올해부터 가동률을 본격적으로 끌어올리고 있다. 두 팹의 가동률은 1분기 기준 70~80%대로 추산됐으나, 현재는 사실상 '풀가동' 수준에 도달했다. 일본 닛케이아시아는 최근 보도를 통해 "키오시아가 20개월 만에 감산을 종료해 6월 기준으로 주요 공장의 가동률을 100%로 끌어올렸다"며 "올 1분기 103억 엔의 순이익을 기록하면서 6분기 만에 흑자전환에 성공하기도 했다"고 밝혔다. 나아가 키오시아는 V8, V9 등 선단 낸드로의 공정 전환을 위한 투자에 적극 나설 계획이다. 이를 위해 키오시아는 현재 IPO(기업공개)를 추진 중이며, 신규 설비 투자에 따라 일본 정부로부터 2천400억 엔에 달하는 지원금을 받기로 하는 등 재원을 마련하고 있다. 설비투자는 키오시아가 이전부터 추진해 온 프로젝트를 재가동하는 방식으로 진행된다. 앞서 키오시아는 지난 2022년부터 욧카이치와 기타카미에 신규 팹을 하나씩 착공해 왔다. 생산능력은 각각 월 6만장, 2만5천장 수준으로 알려졌다. 그러나 두 팹 모두 낸드 시장의 급격한 부진으로 인해, 투자 일정이 지속 연기된 바 있다. 국내 장비업계와도 투자를 위한 논의를 활발히 진행 중인 것으로 파악됐다. 내년 상반기에는 욧카이치 신규 팹을 위한 마무리 투자가, 하반기에는 기타카미 신규 팹의 본격적인 투자가 진행될 예정이다. 업계 관계자는 "키오시아 주요 임원진이 올 2분기 초에 국내 장비업체에 방문하기도 하는 등 투자 논의가 적극적으로 진행되는 분위기"라며 "내년 낸드 업황이 더 살아날 수 있다는 신호로 해석된다"고 설명했다.

2024.06.17 11:01장경윤

네이버, 검색·정리 편하도록 '메모' 서비스 개편

네이버가 '네이버 메모' 서비스를 전면 개편하고 이달 28일까지 순차적으로 앱 업데이트를 진행한다고 14일 밝혔다. 네이버는 메모 서비스의 사용성은 유지하면서 다크 모드 등 사용자 선호도 높은 신규 기능들을 추가했다. PC·스마트폰·태블릿 등 환경에서 네이버 메모의 편의성을 높일 계획이다. 이번 개편을 통해 사용자는 자신의 사용성에 따라 다양한 옵션을 선택해 편리하게 메모 서비스를 이용할 수 있다. 네이버 메모 홈화면에서는 메모 내용이 더욱 뚜렷하게 보이도록 디자인이 개선됐으며 사용자가 원하는 대로 메모 보기 방식을 선택할 수 있다. 네이버에 따르면, 모바일 네이버 메모 앱에서는 5단계의 글자 크기와 6가지 글꼴, 메모지 색상, 다크/라이트 모드 등을 취향에 맞게 설정할 수도 있다. 메모 앱에서 사진을 첨부하면 사진 속 글자를 텍스트로 추출할 수도 있다. 음성 인식 기능을 활용하면 음성을 텍스트로 변환해 메모를 작성할 수 있다. 검색 기능과 주제별 정리 기능도 편리해졌다. 즐겨찾기·태그·메모 고정 기능을 통해 자주 찾는 메모를 따로 분류할 수 있고, 콘텐츠별 모아보기 기능을 활용해 메모에 흩어져 있는 사진·음성·링크를 모아볼 수도 있다. 아울러 여러 개의 키워드를 모두 포함하는 메모를 찾거나 메모 내 검색을 통해 원하는 내용을 빠르게 찾을 수 있다. 최지나 네이버 개인화웹서비스 리더는 "네이버 메모가 사용자의 업무·학습·일상 속 편리하고 유용한 도구로 활용될 수 있도록 서비스의 편의성과 안전성을 강화해 나갈 것"이라고 말했다.

2024.06.14 10:59정석규

美 마이크론, 1분기 D램 매출 '껑충'…삼성·SK 추격

미국 주요 메모리 공급업체 마이크론의 1분기 D램 매출이 전분기 대비 두 자릿 수로 상승했다. 이에 따라 업계 1·2위인 삼성전자, SK하이닉스와의 시장 점유율 격차도 좁혀졌다. 13일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 1분기 전 세계 D램 매출 규모는 전분기 대비 5.1% 증가한 183억5천만 달러로 집계됐다. 매출 확대의 주요 원인은 ASP(평균거래단가)의 상승이다. 메모리 공급사들이 가격 인상에 적극적인 의지를 보이면서, D램 가격은 지난해 4분기부터 올 1분기까지 꾸준히 상승해 왔다. 특히 모바일 D램이 중국 스마트폰 판매 호조로 가장 높은 가격 상승률을 기록했다. 반면 소비자용 D램 가격은 여전히 높은 고객사의 재고 수준으로 가장 부진한 흐름을 보였다. 기업 별로는 마이크론이 가장 큰 성장세를 기록했다. 1분기 마이크론의 D램 매출은 39억5천만 달러로 전분기 대비 17.8% 증가했다. 시장점유율도 전분기 19.2%에서 1분기 21.5%로 확대됐다. 트렌드포스는 "마이크론은 해당 분기 ASP가 23% 상승한 반면 출하량은 4~5% 감소하는 데 그쳤다"며 "미국 고객사의 주문량 증가, 서버용 D램 출하량 확대 등이 성장을 주도했다"고 설명했다. 삼성전자는 1분기 매출이 80억5천만 달러로 전분기 대비 1.3% 증가했다. 출하량이 한 자릿수 중반 대로 감소했으나, 가격이 20%가량 오르면서 이 같은 영향을 상쇄했다. 다만 시장 점유율은 43.9%로 전분기 대비 1.6%p 하락했다. SK하이닉스는 1분기 매출이 전분기 대비 2.6% 증가한 57억 달러로 집계됐다. 다만 삼성전자와 마찬가지로 시장 점유율은 전분기 대비 0.7%p 감소해 31.1%를 기록했다. 한편 D램 시장은 올 2분기 출하량 면에서도 회복세가 예상된다. 트렌드포스는 "지난 4월 발생한 대만 지진에 따른 불확실성으로 일부 PC OEM 업체들이 당초보다 가격 인상을 수용하는 분위기"라며 "최종 D램 고정거래가격이 13~18% 상승할 것으로 추정된다"고 밝혔다.

2024.06.14 09:52장경윤

차세대 2나노 첨단공정 개발에 'W2W' 웨이퍼 본딩 기술 뜬다

최첨단 패키징 기술인 W2W 하이브리드 본딩이 미래 반도체 시장의 핵심 요소로 떠오를 전망이다. 특히 2나노미터(nm) 이하에서 상용화될 BSPDN, CFET 등이 유력한 적용처로 떠오르고 있다. 한국EV그룹(EVG)는 13일 코트야드 메리어트 서울 판교에서 'EVG 테크놀로지 데이'를 열고 최첨단 본딩 기술의 시장 전망에 대해 밝혔다. 오스트리아에 본사를 둔 EVG는 반도체 및 디스플레이 후공정용 장비를 전문으로 개발하는 업체다. 웨이퍼 본딩장비 및 나노임프린트(NIL), 얼라이너, 코터, 적외선(IR) 계측 시스템 등을 개발해 왔다. 특히 EVG는 W2W 등 첨단 하이브리드 본딩 시장에 주력하고 있다. 하이브리드 본딩은 두 반도체 칩을 구리 배선은 구리 배선끼리, 절연 물질은 절연 물질끼리 각각 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이고, 전기적 특성 및 방열 특성을 높일 수 있다. 하이브리드 본딩은 패키징을 웨이퍼, 혹은 개별 다이(Die)에서 수행하는지에 따라 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼), D2D(다이-투-다이), D2W(다이-투-웨이퍼) 등으로 나뉜다. 이 중 W2W는 웨이퍼끼리의 연결로 생산성이 높다는 장점이 있다. EVG가 전망하는 W2W 하이브리드의 유망한 적용처는 BSPDN(Back Side Power Delivery Network), CFET(Complementary FET) 등 첨단 반도체 공정이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자가 내년 양산 예정인 2나노 공정에 BSPDN을 첫 적용하기로 하는 등 주요 반도체 기업들로부터 많은 주목을 받고 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술이다. 향후 1나노급 공정에서 적용될 것으로 점쳐진다. 기존 트랜지스터 내부에는 +극을 인가하면 전류를 발생시키는 p형 반도체(pMOS)와 -극을 인가하면 전류를 발생시키는 n형 반도체(nMOS)가 수평적으로 집적돼 있다. 반면 CFET은 이 nMOS와 pMOS를 수직으로 적층한다. GAA 트랜지스터가 위로 겹겹이 적층되는 셈이다. 토스튼 마티아스 EVG 아시아태평양 세일즈 총괄은 "BSPDN 혹은 새로운 트랜지스터 구조를 구현하려면 첨단 웨이퍼 본딩 공정이 단일, 혹은 복수로 적용돼야 한다"며 "EVG는 이러한 솔루션을 위한 본딩 장비를 적용처별로 보유하고 있다"고 설명했다.

2024.06.13 15:16장경윤

파두, 해외기업 매각·투자설에 "사실무근" 반박

국내 팹리스 파두는 복수의 IT 기업으로부터 기업 매각 및 투자 제안을 받았다는 주장에 대해 "사실무근"이라고 13일 밝혔다. 앞서 일각에서는 파두가 글로벌 기업으로부터 15억 달러(한화 약 2조원) 규모의 투자 제안을 받았으나, 해당 제안을 끝내 반려했다는 주장이 제기됐다. 이와 관련 파두는 "당사 임직원은 해당 사실에 대해 알고 있는 바가 없음을 명확히 고지드린다"며 "해당 보도를 한 언론사가 기사의 내용을 확인하기 위해 당사에 사전 문의한 바도 없었다"고 밝혔다. 회사는 이어 "당사는 기업가치 제고와 주주 이익 제고를 위해 최선의 노력을 다하고 있으며, 향후에도 이러한 자세를 견지할 것임을 다시 한번 약속 드린다"고 강조했다. 파두는 데이터센터용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)에 필요한 컨트롤러 칩을 주력으로 개발하는 기업이다. 메인보드 및 운영체제가 낸드플래시를 저장 장치로 인식하고 사용할 수 있도록 지원하는 반도체다. 파두의 주요 거래처는 국내 주요 메모리 기업인 SK하이닉스로, 최근에는 미국 웨스턴디지털(WD)과도 기업용 SSD 관련 협력을 체결하는 등 외연을 확장하고 있다.

2024.06.13 13:43장경윤

美, 中에 'GAA·HBM' 등 AI반도체 기술 수출 규제 논의

미국 정부가 최첨단 반도체 기술인 GAA(게이트-올-어라운드)에 대한 중국의 접근을 막는 추가 조치를 고려하고 있다고 블룸버그통신이 11일 보도했다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국 상무부 산업보안국(BIS)이 최근 GAA 기술과 관련된 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술 자문위원회에 보냈다"며 "다만 규제는 아직 확정된 사안이 아니고, 업계 관계자들은 초안의 규제가 지나치게 광범위하다고 비판했다"고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 현재 GAA는 최첨단 파운드리 공정을 중심으로 상용화가 진행되고 있다. 대표적으로 삼성전자가 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA 공정 기반의 3나노미터(nm) 칩 양산을 시작한 바 있다. 주요 파운드리 TSMC도 내년 양산 예정인 2나노 공정에 GAA를 첫 적용하기로 했다. 미국의 GAA 관련 규제 논의는 중국의 인공지능(AI) 산업 발전을 견제하기 위한 수단으로 풀이된다. 엔비디아와 AMD, 인텔 등 주요 반도체 기업들은 향후 GAA를 적용한 AI 반도체를 양산할 계획이다. 블룸버그통신은 "미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 시스템을 조립하는 것을 더 어렵게 만드는 것"이라며 "기술이 상용화 초기에 이른 지금, 중국의 굴기를 사전에 차단하려고 하고 있다"고 밝혔다. GAA 만큼 진전된 것은 아니지만, HBM(고대역폭메모리)의 중국향 수출을 제한하는 방안도 초기 단계에서 논의되고 있는 것으로 알려졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 빠르게 수요가 증가하는 추세로, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 소수의 기업만이 양산에 성공했다.

2024.06.12 10:06장경윤

삼성전자, '1b D램' 양산에 사활…수율 잡을 TF 가동

삼성전자가 데이터센터용 최선단 D램 사업 확대에 사활을 걸고 있다. 최근 1b(5세대 10나노급) D램의 수율을 끌어올리기 위한 조직을 만들고, 연내 생산량을 크게 확대하기 위한 계획을 세운 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자 메모리사업부는 지난달 1b D램의 수율을 높이기 위한 별도의 TF(태스크포스)를 구성했다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준인 5세대 10나노급 D램을 뜻한다. 앞서 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공한 바 있다. 특히 삼성전자는 32Gb 1b D램을 향후 주력 제품으로 내세울 계획이다. 해당 D램이 16Gb 제품과 동일한 패키지 크기로 구현된 것은 물론, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있기 때문이다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. 삼성전자는 32Gb 1b D램의 퀄(품질) 테스트를 지난 3월 완료하고 본격적인 양산 준비를 해왔다. 그러나 해당 계획에 가장 큰 발목을 잡고 있는 요소가 바로 '수율'이다. 수율은 웨이퍼 투입량 대비 산출되는 반도체 양품의 비율을 뜻한다. 현재 삼성전자의 1b D램 수율은 통상적인 D램의 목표 수율인 80~90%에 아직 도달하지 못한 것으로 추산된다. 수율이 일정 수준까지 도달하지 않으면 제조사 입장에서는 생산성 및 수익성을 담보하기가 어렵다. 이에 삼성전자는 지난달 1b D램의 수율을 최대한 빨리 끌어올리기 위한 TF를 만들었다. 해당 조직은 메모리사업부 내 전공정 담당 직원들로 구성된 것으로 알려졌다. 동시에 삼성전자는 1b D램의 생산량도 적극 확대하기로 했다. 올 상반기까지 생산능력을 월 4만장 수준에서 3분기 7만장, 4분기 10만장으로 확대하고, 내년에는 이를 20만장까지 늘릴 계획을 세운 것으로 파악됐다. 1b D램의 주요 생산거점은 평택 P2와 화성 15라인이 될 것으로 관측된다. 특히 P2는 메모리 불황 시절 감산이 적극적으로 진행된 1z(3세대 10나노급 D램) 라인으로, 공정 전환이 활발히 진행될 예정이다. 업계 관계자는 "경쟁사 대비 생산능력을 충분히 갖출 수 있고, HBM(고대역폭메모리)과 달리 TSV를 활용하지 않기 때문에 삼성전자가 1b D램 확대에 사활을 걸고 있다"며 "새로 부임한 전영현 DS부문장도 1b D램 수율 향상에 주목하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.06.11 14:59장경윤

1Q 반도체 장비 청구액 264억 달러...전년比 2% 하락

국제반도체장비재료협회(SEMI)는 올해 1분기 반도체 장비 청구액이 전년동기 대비 2% 감소한 264억 달러를 기록했다고 11일 밝혔다. 전분기 대비로는 6% 하락한 수치다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 "전 세계 반도체 장비 매출액이 소폭 감소했음에도, 반도체 산업에 대한 주요 지역의 전략적 투자와 첨단 기술에 대한 수요가 반도체 장비 시장의 회복세를 촉진할 것"이라고 말했다. 국가별로는 중국이 125억2천만 달러로 가장 큰 규모를 기록했다. 전년동기 및 전분기 대비 각각 113%, 3% 증가했다. 2위 한국은 52억 달러로 전년동기 대비 7% 감소했다. 다만 전분기 대비로는 8% 늘었다. 3위 대만은 23억4천만 달러로 전년동기 대비 66%, 전분기 대비 22% 감소했다. 한편 SEMI 회원사와 일본 반도체 장비 협회(SEAJ)가 제출한 데이터를 바탕으로 작성된 전 세계 반도체 장비 시장 통계 리포트는 글로벌 반도체 장비 산업의 월간 청구액을 자세히 보여준다.

2024.06.11 11:50장경윤

한미반도체, SK하이닉스로부터 HBM용 TC본더 1500억 수주

한미반도체 대표이사 곽동신 부회장은 SK하이닉스로부터 인공지능 반도체 고대역폭메모리(HBM) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC본더 그리핀'을 1천500억원 규모로 수주했다고 7일 밝혔다. 이로써 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM용 듀얼 TC 본더로만 지난해 하반기 1천12억원, 올해 1분기 1천76억원, 그리고 이번 1천500억원 규모의 수주를 더해 누적 3천587억원으로 창사 최대 수주를 또 다시 갱신했다. 한미반도체는 "이번 수주로 한미반도체가 SK하이닉스 HBM 생산 라인에 가장 중요한 TC 본더 장비 공급사로 다시 한번 입증 됐다"며 "회사 매출은 2025년 1조원을 달성할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 곽동신 부회장은 "이번 대만에서 열린 '컴퓨텍스 2024'에서 엔비디아 최고 경영자인 젠슨 황이 언급한 바와 같이, 향후 차세대 GPU인 루빈과 루빈울트라 칩의 HBM 탑재 수량이 늘어날 것으로 밝혔다"며 "HBM 수요 증가 대비와 원활한 TC 본더 공급을 위해 올해 상반기 여섯 번째 공장을 추가 확보하며 고객 만족 향상에 전력을 다하고 있다”고 말했다. 한미반도체는 2002년 지적재산부 창설 후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하고 있다. 지금까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했으며, 이를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 보여진다. 지난 달 글로벌 반도체 리서치 전문기관인 테크인사이츠로부터 국내 기업 중 유일하게 세계 10대 장비 기업으로 선정된 한미반도체는 코리아 디스카운트를 돌파한 대한민국 대표 반도체 장비 기업으로 평가받고 있다. 최근 3년간 1천500억원 규모의 자사주 신탁 계약을 통해 주주가치 제고와 향상에도 적극적으로 대응하고 있다.

2024.06.07 10:37장경윤

말풍선 모양 뭐지?…인스타그램, 24시간 표시 메모 기능 업데이트

인스타그램이 친구들과의 더 가까운 연결을 돕고자 '콜라보 게시물'을 포함한 새로운 '메모' 기능 3종을 선보인다고 4일 밝혔다. 인스타그램 메모는 자신의 생각을 60자 이내의 텍스트, 동영상, 또는 음악으로 가볍게 올리고 공유할 수 있는 기능이다. 나의 프로필 사진과 다이렉트 메시지(DM)함 상단에 말풍선 모양으로 24시간 동안 표시되며, 상대방의 메모에 답장할 수도 있다. 작년 처음 도입된 메모는 나의 생각과 상태를 부담 없이 공유하고, 자연스럽게 친구와 대화를 시작할 수 있어 주목 받았다. 특히, 맞팔로우한 계정 또는 친한 친구 리스트에게만 공개할 수 있어 가까운 친구들과의 긴밀한 소통을 돕고 있다. 회사가 이날 공개한 메모 3종 기능은 콜라보 게시물과 메모 좋아요, @언급이다. 먼저 콜라보 게시물은 스토리의 '직접 추가' 스티커와 유사한 기능으로, 하나의 주제를 설정하면 친구들이 그에 대한 반응을 공유하고, 함께 모아 볼 수 있다. 메모에서 콜라보 게시물을 시작하려면, 새로운 메모를 만들 때 하단의 '물음표 말풍선' 버튼을 클릭하면 된다. 공개 대상을 맞팔로우한 계정 또는 친한 친구 리스트로 직접 설정할 수 있다. 누군가 내가 시작한 콜라보 게시물에 응답을 남기면, 그의 맞팔로우 또는 친한친구 계정에도 내가 시작한 콜라보 게시물이 보인다. 나의 메모는 내가 공유를 설정한 범위(맞팔로우 계정 또는 친한 친구)에만 공개된다. 메모 좋아요는 공감되는 메모를 더블 클릭하거나, 메모를 누른 후 새롭게 추가된 하트 아이콘을 눌러 '좋아요'를 남길 수 있다. 좋아요를 누른 사실은 본인과 메모를 처음 쓴 사람만 알 수 있다. 메모를 작성할 때 다른 계정을 @언급할 수 있다. 메모에 언급되면 알림을 통해 확인할 수 있다. 현재 새로운 메모 기능 3종은 일부 이용자에 한해 사용 가능하며, 추후 모든 이용자들에게 순차적으로 도입될 예정이다.

2024.06.04 10:30안희정

류병훈 SK하이닉스 부사장 "HBM 전망 청신호…그래도 투자 신중해야"

"AI 서비스가 고도화될 수록 HBM(고대역폭메모리)의 수요는 더더욱 증가할 것으로 예상됩니다. 다만 전방산업의 변동성과 AI 데이터센터 구축 속도를 감안하면 신중하게 투자를 늘려야 할 것입니다." SK하이닉스는 4일 공식 뉴스룸을 통해 류병훈 미래전략 담당 부사장과의 인터뷰 내용을 공개했다. 미래전략은 장기적인 관점에서 회사의 성장 방향을 고민하고 지원하는 조직이다. 시황, 트렌드, 경쟁 환경 등을 파악하고 회사의 성장 전략에 반영하여 수익성을 높이는 것이 조직의 주 역할이다. 이에 미래전략은 다양한 부서와 협업해 정보를 폭넓게 수집하고 시장 변화에 기민하게 대응해 나가고 있다. 올해 류 부사장은 생산·판매를 최적화하고, 제조와 R&D의 원가 효율을 높이기 위해 조직을 재편했다. 특히 그는 전사 ESG 활동을 지원하기 위한 조직을 미래전략 산하에 새롭게 편입하고, 기존 조직을 경영전략과 경영기획으로 이원화해 전문성을 높였다. 류 부사장은 회사의 목표 달성을 위한 필수 요소로 '원팀 스피릿(One Team Spirit)'을 지목했다. 경영 환경 전반과 수많은 기술 트렌드를 익히고, 현장 목소리까지 반영해 사업 전략을 수립하는 조직 특성상 전사 구성원과의 협업이 무엇보다 중요하다는 시각에서다. 류 부사장은 “R&D 조직에서 접한 업계 정보, 선행기술연구 조직에서 파악한 실리콘밸리 하드웨어 변화 등 데이터와 인사이트를 펼쳐 놓고 함께 논의해야 글로벌 경쟁력을 높일 수 있다"며 "때문에 전사적 차원에서 트렌드를 읽을 수 있도록 원팀 스피릿을 추구해야 한다"고 밝혔다. 원팀 스피릿의 대표적인 사례가 SSD다. 최근 AI가 급부상하면서 HBM과 함께 AI 데이터센터에 탑재되는 고용량 기업용 SSD의 수요가 급증하고 있다. 류 부사장은 “현업에서 이 수요를 빠르게 읽고 전략 부서에 공유해 주면서 사업 전략에 즉시 반영해 선제적으로 대응할 수 있었다”며 “전사가 유기적으로 움직이며 실시간 정보를 공유하는 문화가 정착되면 이것만으로 수천억 원에 달하는 효과를 낼 수 있다”고 말했다. 류 부사장은 지난해 1월 SK하이닉스에 합류한 이래 줄곧 협업의 장을 조성하기 위해 힘써왔다. 또한 미래전략에서 직접 개발한 '시황 분석 툴(Tool)'도 적극 활용할 계획이다. 시황 분석 툴은 전후방 산업 데이터로 회귀 분석해 메모리 시황을 내다보는 모델이다. 미래전략의 분석에 따르면, 올해 HBM 시장도 청신호다. PC용, 모바일용, 서버용 메모리에 이어 전도유망한 제품군으로 확실히 자리매김할 전망이다. 물론 장밋빛 미래만 기대하는 것은 아니다. 류 부사장은 앞으로 고려해야 할 변수도 많다고 덧붙였다. 류 부사장은 "단기적으로는 성장이 확실하지만, 전방 산업이 탄탄히 자리 잡기 전까진 변동성을 염두에 두어야 한다"며 "때문에 AI 데이터센터의 구축 속도까지 감안해 신중하게 투자를 늘려야 할 것이다. 우리는 이 모든 시그널을 유심히 살피며 수요를 전망하고 가장 효율적이고 효과적인 전략을 세워나갈 것"이라고 설명했다. 마지막으로 류 부사장은 "지정학적 상황, 공급망 변화, 기업 간 합종연횡 영향으로 미래 반도체 시장은 급격히 변할 것"이라며 이에 대응할 수 있는 진일보한 운영 체계를 강조했다. 이를 위해 그는 큰 그림부터 보고 세부적으로 채워나가는 '탑다운(Top Down) 관점'에서 통찰력과 예지력을 키우겠다고 밝혔다. 류 부사장은 “AI 시장 전체를 보면, 전방 사업자들이 지출을 최소화하면서 효율을 높이려는 흐름이 있다"며 "여기서 고객 맞춤형 제품의 수요가 증가한다는 인사이트가 나오기 때문에, 앞으로는 경쟁 환경을 고려한 합종연횡과 고객 밀착 서비스가 더욱 중요해질 것이라 보고, 미래전략을 고민할 것"이라고 말했다.

2024.06.04 10:12장경윤

삼성전자 시안 낸드 팹 '풀가동' 전환…V6 낸드 '깜짝 수요'

삼성전자 중국 시안 낸드 팹이 올 2분기 사실상 '풀가동' 체제를 유지하고 있는 것으로 파악됐다. 현지 노후 데이터센터의 메모리 교체 수요가 몰리면서, 시안 팹의 주력 제품인 V6 출하량이 급증했기 때문이다. 3일 업계에 따르면 중국 시안에 위치한 삼성전자 낸드 공장은 현재 풀가동 체제를 유지하고 있다. 시안 팹은 삼성전자 전체 낸드 생산량의 40%를 담당하는 주요 생산기지다. 12인치 웨이퍼 기준 월 20만장의 생산능력을 갖췄다. 주력 생산 제품은 128단 적층의 V6 낸드다. 시안 팹의 가동률은 IT 업황 부진으로 지난해 하반기 20~30% 수준까지 떨어졌으나, 올해 초부터 가동률이 회복돼 1분기 기준 60~70%대를 기록했다. 이후 2분기부터는 가동률이 90%대를 넘어가면서 사실상 풀가동 체제로 전환됐다. 가장 큰 원인은 중국 내 eSSD(기업용 SSD) 수요 증가다. 매우 노후화된 설비를 갖춘 중국 데이터센터들이 메모리 교체를 진행하면서, 가격 대비 성능이 견조한 V6 낸드를 적극 사들이고 있다는 게 업계의 전언이다. 삼성전자는 올해 4월 280단대의 V9 낸드를 양산하시 시작한 상황으로, V6는 이보다 3세대 뒤쳐진 레거시 제품에 해당한다. 삼성전자가 시안 팹을 선단 제품에 속하는 V8로 전환하고 있다는 점도 가동률에 영향을 미쳤을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 올해 초부터 내년까지 시안 팹의 V6 생산라인을 V8 라인으로 전면 교체하기로 결정한 바 있다. 실제로 삼성전자는 올 1분기 복수의 협력사에 시안 낸드 팹 공정 전환을 위한 보완 투자를 진행했다. 다만, 이번 V6의 호황으로 삼성전자의 낸드 팹 전환 투자 속도가 늦춰질 가능성도 존재한다. 반도체 업계 관계자는 "V6 수요가 예상보다 급증하면서, 삼성전자 내부에서 V8로 전환하려던 전략을 일시적으로 보류해야 하는 것 아니냐는 논의가 나오고 있다"고 설명했다.

2024.06.03 17:04장경윤

5월 메모리 가격 보합세…D램, 3분기 추가 상승 전망

지난달 가격이 큰 폭으로 상승했던 D램 시장이 이달에는 보합세를 기록했다. 오는 3분기에는 이전보다 완만한 수준의 가격 상승이 예상된다. 31일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 5월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월과 동일한 2.10 달러로 집계됐다. D램 가격은 지난해 10월부터 상승세로 전환된 뒤, 지난 4월에도 전월 대비 16.67%의 큰 폭의 성장세를 기록한 바 있다. 이후 5월에는 제품 전반이 보합세를 나타냈다. 3분기 PC D램 계약 가격은 전분기 대비 3~8% 인상될 것으로 예상된다. 제품별로는 DDR4가 5~10% 상승, DDR5가 0~5%의 상승폭을 기록할 전망이다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "현재 PC OEM 업체들의 평균 D램 재고 수준은 12주 이상으로 DDR4가 DDR5보다 높다"며 "동시에 DDR5는 주요 기업들의 HBM(고대역폭메모리) 비중 확대로 웨이퍼 투입량이 계속 줄어들고 있다"고 설명했다. 같은 기간 낸드 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 전월과 동일한 4.90 달러를 기록했다. 트렌드포스는 "중국 주요 통신 사업자들의 수요가 예상보다 부진해 낸드 제품 전반의 가격 변동이 크지 않았다"며 "6월까지 가격이 안정세를 보일 것"이라고 밝혔다.

2024.05.31 17:02장경윤

삼성·SK "차세대 메모리 PIM, AI PC·스마트폰에 적용"

차세대 메모리 PIM(프로세싱 인 메모리, Processing-In-Memory) 반도체가 몇 년 안에 AI(인공지능) PC와 AI 스마트폰에 적용될 전망이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 PIM 개발에 주력하며 개화 시기를 엿보고 있다. PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀 수 있는 차세대 메모리다. PIM은 GPU와 CPU가 메모리에서 데이터를 불러와 연산하는 폰노이만 구조와 달리 메모리 내부에서 연산한다는 점이 특징이다. 30일 손교민 삼성전자 마스터, 김동균 SK하이닉스 펠로우는 양재 엘타워에서 열린 'AI-PIM 반도체 워크샵'에서 'AI 반도체 붐 속에서 학계, 산업계에서 바라보는 PIM 반도체 개발 방향'이란 주제로 토론을 펼쳤다. 김동균 SK하이닉스 펠로우는 "PIM은 AI 연산 중 추론 영역에서 활용도가 높다"라며 "PIM을 탑재한 AI PC와 AI 모바일(스마트폰)이 몇년 안에 출시되고, 또 시장 점유율을 높일 수 있을 것으로 본다"고 전망했다. AI 스마트폰은 배터리를 많이 소모한다는 점이 지적되고 있는데, PIM은 이 부분을 해결할 것으로 기대된다. 김 펠로우는 "AI 스마트폰은 실시간 번역 기능만 사용해도 3~4시간만에 배터리를 모두 사용하고, 열도 많이 난다또 스마트폰은 PC와 비교해 내부 공간이 좁아 하드웨어적인 한계가 따르는데, 이런 PIM 사용이 적합하다"고 설명했다. 스마트폰 다음으로 PC에서도 PIM 활용도가 높을 전망이다. 그는 "AI PC를 워크 어시스턴스로 사용할 때, 사내 서버와 클라우드 연결에서 레이턴시(지연시간) 문제가 생길 수 있다. 이 때 PC에 PIM을 탑재하면 아키텍처는 조금 달라지지만, 퍼포먼스가 올라갈 수 있다"라며 "향후 PIM을 탑재한 PC와 스마트폰 점유율이 높아지고, 거시적으로 데이터센터와 클라우드 시장에서도 PIM 적용이 확산될 전망이다"고 덧붙였다. AI에 필요한 메모리는 애플리케이션 별로 다양하게 요구된다. 손교민 삼성전자 마스터는 "AI 메모리에서 HBM(고대역폭메모리)이 각광받고 있는데, HBM의 대역폭(Bandwidth)을 높여가고 단을 계속 올리는 것이 쉽지 않을 것"이라며 "애플리케이션이 여러가지 있고, 시스템도 다양하기 때문에 다음 AI 메모리로 유력한 제품이 PIM이라고 생각한다"고 말했다. 이어서 손 마스터는 "다른 종류의 D램에다 메모리 대역폭을 높일 수 있는 방법, CIM(컴퓨팅 인 메모리, ComPuting In Memory) 안에 어레이 자체로 컴퓨팅 하는 것도 처음에는 도전이지만, 나중에는 더 넓게 가능할 거라고 본다. 디지털 방식으로 하면 CIM은 지금도 충분하지만 키우는 것이 문제다. 그런 관점에서 AI 메모리를 위한 패키징 등 다양한 솔루션이 있다"고 덧붙였다. 그러면서 그는 "HBM이 1번 주자인 것은 확실하나, 우리가 현재만 바라보고 갈 수 없다. 미래를 바라본다면 PIM 등 대역폭을 확보할 수 있는 솔루션이 나와야 된다고 생각한다"며 "앞으로 5년 이내에는 PIM이 꼭 필요한 솔루션기에 산업계와 학계가 개발을 위해 노력하겠다"고 강조했다. 양사는 PIM 상용화를 위한 개발에 한창이다. 삼성전자는 2021년 세계 최초로 HBM-PIM(Processing-in-Memory)을 개발하고 반도체 분야 세계 최고권위 학회인 ISSCC에서 논문을 공개했다. SK하이닉스는 2022년 PIM을 개발하고, PIM이 적용된 첫 제품으로 초당 16기가비트(Gbps) 속도의 'GDDR6-AiM(Accelerator in Memory)' 샘플을 개발했다. 또 지난해 9월 'AI Hardware & Edge AI Summit(이하 AI 서밋) 2023'에서 GDDR6-AiM 기반의 생성형 AI 가속기 카드인 AiMX 시제품을 최초로 시연해 주목받은 바 있다. 한진만 삼성전자 부사장은 앞서 지난 1월 CES 2024에서 "AI 가속기가 요구하는 메모리 성능이 점점 늘어나면서 지금은 HBM이 각광받고 있지만 앞으로는 CXL 등 차세대 메모리가 더 주목받을 것"이라며 "이미 고객사들 사이에서 새로운 메모리 설계에 대한 요구가 나오는 만큼, 2~3년 내 가시화하고 본격적으로 개화될 것으로 생각한다"고 전망했다.

2024.05.30 16:35이나리

KAIST, 물리학 20년 난제 풀어…"기존 메모리 1만배 늘릴 수 있다"

물리학의 20년 난제가 풀렸다. 이로인해 기존대비 1만 배 이상의 고밀도 메모리 소자 개발이 가능해졌다. KAIST는 POSTECH, 서울대, 한국기초과학지원연구원, 미국 로렌스 버클리국립연구소 및 아칸소대 등과 공동으로 나노 강유전체의 3차원적 내부 분극 구조를 규명했다고 30일 밝혔다. 나노 강유전체 분극 구조는 20년 전 로랑 벨라이쉬 (Laurent Bellaiche) 교수(현 미국 아칸소대 물리학과 교수)가 이론적으로만 예측했던 난제였다. 이 이론은 외부 전기장 없이도 분극 상태를 유지하는 강유전체(ferroelectric)를 아주 작은 나노 크기(이를 0차원이라 부름)로 쪼갰을 때, 이 내부에 소용돌이 형태의 분극 분포가 발생할 수 있다는 이론이다. 만약 이 소용돌이 분포가 발생하고, 이를 제어하면 기존 대비 1만 배 이상의 초고밀도 메모리 소자로 응용이 가능할 것이라는 예측을 내놔 당시 학계의 이목을 끌었다. 연구를 주도한 KAIST 양용수 물리학과 교수는 "강자성체(자석)는 나노 크기로 작게 만들면 일정 이하 크기에서는 자석 성질을 잃어버린다는 것이 잘 알려져 있다"며 "반면, 강유전체를 모든 방향에서 아주 작게 나노 크기로 만들면(즉, 0차원 구조를 만들면) 어떤 현상이 발생하는 지는 오랜 기간 논란 거리였다"고 말했다. 연구팀은 인체 내부 장기들을 3차원적으로 보기 위해 병원에서 CT 촬영을 하는 것과 동일한 방식으로 투과전자현미경을 이용해 나노입자 이미지를 획득하고, 이를 3차원으로 재구성하는 방식의 원자 분해능 전자토모그래피 기술을 새로 개발했다. 연구팀은 이 기술로 강유전체인 바륨-티타늄 산화물(BaTiO3) 나노입자 내부 원자 위치를 3차원적으로 측정했다. 또 내부의 3차원적 분극 분포도 단일 원자 단위로 확인했다. 분극 분포 분석 결과, 연구팀은 20년 전 이론적으로 예측됐던 대로 강유전체 내부에 소용돌이를 비롯한 다양한 위상학적 분극 분포가 발생하고, 강유전체의 크기에 따라 내부 소용돌이의 개수 또한 제어할 수 있다는 사실을 처음으로 실험적으로 밝혀냈다. KAIST 연구팀은 이 결과를 바탕으로 20년 전 해당 소용돌이 분극 이론을 처음 제시했던 벨라이쉬(Bellaiche) 교수와 국제공동연구를 수행했다. 연구팀은 실험에서 얻은 소용돌이 분포 결과가 이론적인 계산으로도 잘 설명된다는 것을 추가로 증명했다. 양용수 교수는 "이번 연구 결과는 기판의 유,무나 주변 환경에 무관하게 강유전체 크기와 형태를 적절히 조절하는 것만으로도 나노 크기에서 강유전성 소용돌이를 제어할 수 있다는 것을 시사한다"며 "분극 분포 소용돌이의 개수 및 회전 방향을 조절해 기존보다 약 1만 배 이상 많은 양의 정보를 같은 크기의 소자에 저장할 수 있는 차세대 고밀도 메모리 소자 기술로 발전시킬 수 있을 것"으로 기대했다. KAIST 물리학과 정채화 석박사통합과정 학생이 제1 저자로 참여한 이 연구 결과는 국제 학술지 `네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)' (5월8일자)에 게재됐다. 한편 이번 연구는 한국연구재단 개인기초연구지원사업 및 KAIST 특이점교수사업의 지원을 받아 수행됐다.

2024.05.30 14:10박희범

삼성전자, 14나노 eMRAM 개발 완료…"8나노도 마무리 단계"

"자동차, 고성능컴퓨팅, AI 등에서 내장형 MRAM에 대한 필요성이 점점 더 높아지고 있다. 이에 삼성전자도 14나노미터(nm) 공정 개발을 완료했고, 8나노 공정도 거의 완료가 된 상태다." 정기태 삼성전자 부사장은 30일 양재 엘타워에서 열린 'AI-PIM 반도체 워크샵'에서 회사의 파운드리 개발 현황에 대해 이같이 밝혔다. 이날 정 부사장은 "파운드리 기술은 트랜지스터 구조 진화나 새로운 소자, 물질을 적용하는 방식으로 발전해왔다"며 "삼성전자도 지난 2022년 첫 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 양산을 시작했고, 2세대 공정이 올해 말 나올 예정"이라고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 삼성전자는 GAA 기술을 최선단 공정인 3나노에 세계 최초로 적용했다. 또한 삼성전자는 매그네틱 기반의 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory)에 주목하고 있다. 정 부사장은 "보안에 대한 중요성이 높아지면서, 시스템반도체에도 내부에서 데이터를 저장하고 처리하는 임베디드 메모리의 필요성이 점차 높아지고 있다"며 "삼성전자도 플래시와 매그네틱(Magnetic) 두 분야를 개발하고 있다"고 밝혔다. MARM은 낸드와 같이 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 동시에, 낸드 대비 데이터 쓰기 속도가 약 1천배 빠르고 전력 소모가 낮다는 장점이 있다. 특히 미래 자동차 산업에서 수요가 증가할 것으로 전망된다. 삼성전자는 지난 2019년부터 28나노미터 공정 기반의 eMRAM을 양산해, 스마트워치용으로 공급하고 있다. 향후에는 2027년까지 14나노, 8나노, 5나노로 공정 미세화를 지속 추진할 계획이다. 정 부사장은 "14나노 공정은 개발 완료됐고, 8나노도 거의 완료가 된 상태"라며 "이를 기반으로 5나노까지 계속 기술 개발을 진행해나갈 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 올해 완료를 목표로 AEC-Q100(자동차 안전 규격) 그레이드(Grade) 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발하겠다고 밝힌 바 있다. 이를 고려하면 해당 로드맵을 순탄하게 진행 중인 것으로 관측된다. 정 부사장은 "eMRAM의 주요 기술 개발 방향 중 하나는 온도에 대한 동작 신뢰성을 높이는 것"이라며 "첫 제품은 85도였으나, 현재 개발된 제품은 150~160도까지 대응이 가능해 자동차에도 들어갈 수 있는 정도가 됐다"고 덧붙였다.

2024.05.30 13:25장경윤

SK하이닉스, HBM 고삐 죈다..."내년 공급 계획도 이미 논의 중"

"빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다. 이에 SK하이닉스는 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지 계획을 미리 논의하는 중이다." 30일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 신임 임원들과 첨단 메모리 기술력을 논의하는 좌담회를 열었다. 이번 좌담회에는 SK하이닉스 뉴스룸의 2024 임원 인터뷰 시리즈에 함께한 권언오 부사장(HBM PI), 길덕신 부사장(소재개발), 김기태 부사장(HBM S&M), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 오해순 부사장(낸드 Advanced PI), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 이재연 부사장(Global RTC)이 참석했다. 좌담회 사회는 원정호 부사장(Global PR)이 맡았다. SK하이닉스는 지난 3월부터 AI 메모리인 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)를 세계 최초로 양산한 바 있다. 또한 회사는 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기고 글로벌 투자와 기업간 협력을 통해 차세대 기술력을 확보해 나가는 등 AI 메모리 업계 위상을 강화하고 있다. 권언오 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"며 "이를 바탕으로 우리는 AI 인프라에 필수적인 HBM과 함께, 다양한 분야에서 쓰이게 될 고성능 메모리를 개발하는 등 탄탄하게 경쟁력을 축적해 올 수 있었다"고 밝혔다. 손호영 부사장은 "HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서간 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일"이라며 "앞으로 더 다양해질 시장의 요구에 부응하려면 고객과 한 차원 더 높은 협력 관계를 맺고, 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다"고 말했다. AI 메모리가 이처럼 각광을 받게 된 데 대해 임원들은 HBM, CXL, eSSD, PIM 등 고성능 솔루션들이 기존 메모리의 데이터 병목 현상을 해결하고, AI의 동작 속도를 높여주고 있기 때문이라고 진단했다. 또한 이들은 미래 산업과 기술 변화상에 대해 선제적으로 대응하기 위해 회사가 주목해야 할 부분에 대해서도 다양한 의견을 제시했다. 김기태 부사장은 “현재 시장 상황을 보면, 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"며 "이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중”이라고 밝혔다. 이재연 부사장은 "MRAM, RRAM, PCM 외에도 우리는 초고속·고용량·저전력 특성을 동시에 지닌 SOM(Selector Only Memory), Spin Memory, Synaptic Memory 등 이머징 메모리에 주목하고 있으며, 앞으로도 다양한 미래 기술에 대한 연구개발을 지속 강화할 필요가 있다"고 강조했다.

2024.05.30 13:23장경윤

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