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드림텍, 인도 메모리 모듈 팹 준공…4분기 양산 시작

드림텍은 종속회사인 '드림텍 인디아'가 그레이터 노이다에 제1공장을 건설하고 준공식을 개최했다고 28일 밝혔다. 이날 준공식에는 박찬홍 드림텍 대표이사, 장재복 주 인도대사, Ravi Kumar N.G 인도 GNIDA 대표, 우타르 프라데시주 관계자 및 삼성전자 인도법인 관계자 등이 참석했다. '북인도의 디트로이트'로 불리는 그레이터 노이다는 글로벌 제조업의 허브로 부상하고 있는 지역이다. 드림텍 인도공장은 수도 뉴델리에서 52km, 삼성전자 인도 법인(SIEL)에서는 27km 거리에 위치해 있다. 드림텍은 글로벌 기업이 포스트 차이나 제조 허브로 인도를 주목하는 흐름에 발맞춰 제조 경쟁력을 갖춘 인도 생산거점을 조기에 확보, 고객사 수요에 적시 대응하고자 인도 진출을 결정한 바 있다. 이를 위해 드림텍은 851억원을 투입해 축구장 11개 규모인 8만942㎡의 부지 및 설비 시설을 마련했다. 이 중 제1공장은 2만4천472㎡ 규모다. 드림텍은 지난 20여년간 축적해 온 '맞춤형 대량생산' 노하우와 경제 성장률 7%를 웃도는 인도의 잠재력이 시너지를 낼 것으로 기대하고 있다. 연간 매출액은 5천억 원에 이를 것으로 전망된다. 드림텍은 인도에 진출한 글로벌 제조 기업들과의 협력을 강화하고 신규 고객을 확보, 다양한 세트 업체의 IT부품 수요에 대응하면서 사업 다각화를 추진한다는 방침이다. 특히 인도공장은 드림텍의 메모리 모듈 사업을 전담하게 된다는 측면에서 주목받는다. 4차 산업혁명과 함께 급증하고 있는 AI 반도체 수요에 대응하기 위한 것으로, 드림텍은 반도체 생산 라인에 인도법인 전체 투자금의 40%을 들였다. 오는 4분기부터 메모리 반도체 D램 모듈과 SSD 완제품을 생산할 계획이며 전체 양산 라인이 가동되는 내년부터는 연간 1000억원 수준의 매출이 발생하게 될 것으로 기대된다. 스마트폰 모듈 부문에서는 삼성전자 인도 법인 물량을 대응, 삼성전자의 스마트폰 물량 증가에 맞춰 연간 물량의 20~25%를 생산하는 것을 목표로 한다. 드림텍 인도공장은 생산 라인을 100% 가동할 경우, 연간 최대 1억개의 스마트폰 부품 모듈을 생산할 수 있는 규모로, 삼성전자의 물량 확대에 유연한 대응이 가능하다. 또한 드림텍은 인도 내 바이오센서 수요 증가에 발맞춰 인도 현지에서 '바이오센서 1Ax, 2A' 등을 생산·공급해 2030년 500억 달러(68.8조원) 규모로 전망되는 인도 의료기기 시장도 공략할 계획이다. 인도 의료기기 시장은 의료 서비스와 인프라가 열악한 데다 지역간 접근성 격차가 커 환자의 건강 상태를 모니터링하고 분석, 진단할 수 있는 웨어러블·빅데이터·로봇공학 분야가 선도하고 있다. 드림텍의 바이오센서는 환자의 가슴 부위에 부착해 심전도, 심박수 등 주요 생체 정보들을 실시간으로 모니터링하는 의료기기로 향후 인도공장을 통해 월 1백만개 수준의 생산능력을 구축, 병원을 중심으로 한 인도 의료시장을 대상으로 제품을 공급한다는 목표다. 이 외에도 인도공장에는 자동화 시스템 및 AI 딥러닝을 적용한 검사 장비가 도입될 예정으로, 생산 효율성 향상과 균일한 품질 수준 유지가 기대된다. 특히, 검사 공정에는 드림텍의 자회사인 '에이아이매틱스'와 협업해 개발한 AI 딥러닝 기반 자동화 검사 장비가 도입된다. 사람이 놓칠 수 있는 불량까지 잡아내 불량 검출력을 획기적으로 향상시킬 뿐만 아니라, 공정 검사 인력을 절감하는 데 크게 기여할 것으로 기대된다. 이창직 드림텍 관리본부장은 “드림텍은 현지의 인프라와 정책적 지원을 바탕으로 글로벌 고객사 요구에 적시에 대응, 신속하고 안정적인 공급망을 제공해 글로벌 ODM기업으로서의 경쟁력과 입지를 강화하겠다”며 “궁극적으로는 다양한 산업군에서의 성장 잠재력을 보유한 인도에서 고부가가치 산업을 중심으로 밸류업 할 것”이라고 말했다.

2024.07.29 06:00장경윤

'낸드냐 D램이냐' 삼성電, P4 설비투자 전략 고심...QLC에 달렸다

삼성전자가 최선단 메모리 투자 방향을 두고 고심하고 있다. 데이터센터·스마트폰 등에서 수요가 강한 9세대 'QLC(쿼드 레벨 셀)' 낸드용 설비 투자 계획이 불투명해졌기 때문이다. 이에 삼성전자 내부에서는 낸드가 아닌 D램향 투자를 늘리는 방안까지 거론되고 있다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 반도체 제4공장(P4)의 향후 투자 방향을 두고 여러 전략을 검토하고 있다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹이다. 기존 P3와 동일하게 D램·낸드 등 메모리, 파운드리를 동시에 생산하는 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인에 해당한다. 그러나 올해 상반기에 들어 P4 투자 계획에 변동이 생겼다. 삼성전자가 7나노미터(nm) 이하의 대형 파운드리 고객사 확보에 부침을 겪으면서, 최선단 파운드리 공정 투자를 서둘러 진행할 필요가 없어졌기 때문이다. 이에 삼성전자는 페이즈2 대신 메모리 투자에 우선순위를 두기로 했다. 다만 이 계획마저도 현재로선 변동성이 상당히 큰 상황이다. 당초 삼성전자는 P4 페이즈1을 순수 낸드 제조라인으로 구성하려고 했으나, 최근 여기에서도 D램을 양산하자는 논의가 제기된 것으로 파악됐다. 가장 큰 원인은 P4 페이즈1의 주력 생산제품이 될 'V9' 낸드다. V9는 280단대로 추정되며, 삼성전자의 경우 지난 4월에 TLC(트리플 레벨 셀) 제품의 본격적인 양산에 들어갔다. TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 구조를 뜻한다. 반면 최선단 낸드 시장은 TLC 대비 고용량 스토리지 구현에 용이한 QLC(셀 하나에 4비트 저장)에 대한 수요가 증가하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 QLC가 올해 낸드 출하량에서 차지하는 비중은 20%에 육박할 것으로 관측된다. AI 서버는 물론, 모바일 시장에서도 QLC 제품 채택이 활발히 일어나고 있다. 삼성전자 역시 이 같은 추세에 맞춰 올 하반기 내로 QLC V9 낸드를 양산하겠다고 밝힌 바 있다. 그러나 이달 기준으로 QLC에 대한 PRA(양산승인)은 아직 떨어지지 않았다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 V9 양산 소식을 알리기 위해 TLC를 전면적으로 내세우긴 했으나, 실제 최선단 낸드 수요는 TLC가 아닌 QLC에 집중돼 있다"며 "삼성전자가 PRA가 확정되지 않은 이상 낸드에 당장 투자를 진행하기는 어렵다는 판단을 하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "구체적인 사유는 밝히지 않았지만, 삼성전자는 이전 세대인 V8에서도 QLC 낸드 출시를 취소한 바 있다"며 "급하게 QLC 낸드를 준비해야 하는 상황인 만큼 개발이 원활히 진행될 것이라고 장담하기 어렵다"고 평가했다. 실제로 삼성전자는 P4 페이즈1의 낸드 설비 투자를 현재까지 월 1만장 규모로만 확정했다. 물론 이를 내년 4만5천장 수준으로 키우기 위한 투자 전략을 내부적으로 수립한 상황이나, QLC V9 낸드가 적기에 양산승인을 받지 못한다면 D램에 자리를 뺏기는 상황을 맞게 될 수도 있다. 한편 이와는 별개로, 삼성전자의 P4 내 D램 생산능력이 당초 예상보다 확대될 가능성은 매우 높은 것으로 관측된다. QLC가 주요 변수로 작용하고 있는 페이즈1과 달리, 당초 파운드리 라인이었던 페이즈2는 D램으로의 전환 가능성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "D램은 범용 제품의 공급량 부족, HBM 활황 등으로 D램 증설에 대한 목소리가 높다"며 "현실화되는 경우 1a·1b 등 선단 D램의 생산능력이 확대될 수 있다"고 말했다.

2024.07.26 10:26장경윤

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 6년만 역대급 실적...하반기도 기대

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 공급 증가에 힘입어 2분기 영업이익이 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 이후 6년만에 5조원대에 진입했다. 매출 또한 분기 기준 역대 최대 실적을 냈다. 이 같은 실적은 인공지능(AI)향 메모리 특화 고대역폭메모리(HBM)과 고용량 DDR5 등 고부가가치 제품의 매출 비중이 늘면서 수익성이 개선된 덕분이다. SK하이닉스는 메모리 수요 개선에 따라 하반기에도 실적 상승세를 이어갈 전망이다. 회사는 올해 HBM 매출은 전년 보다 300% 성장하고, 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD) 매출은 전년 보다 4배 성장이 예상된다고 밝혔다. ■ SK하이닉스, 영업이익 5.5조원 '어닝 서프라이즈'...하반기도 상승세 SK하이닉스는 25일 실적발표를 통해 2분기 매출 16조4천233억원으로 전년 보다 125% 증가하고, 전기 대비 32% 증가했다고 공시했다. 이번 매출은 그간 회사가 거둬온 2분기 실적 중 최대다. 기존 기록인 2022년 2분기 13조8천110억 원을 크게 뛰어넘었다. 2분기 영업이익은 5조4천685억원을 기록하며 시장 전망치(증권사 평균 5조1923억원)을 크게 웃도는 어닝 서프라이즈를 기록했다. 지난해와 비교하면 흑자전환이고, 전 분기 대비 89% 증가했다. 이는 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 2분기(5조5천739억원), 3분기(6조4천724억원) 이후 6년 만에 5조원대 재진에 성공했다. 2분기 영업이익률은 33%로 1분기(23%) 보다 10%포인트(P) 올랐다. ■ 올해 HBM 매출 전년比 300% 상승…내년 HBM3E 12단 공급량 8단 넘어설 것 SK하이닉스는 지난 3월부터 양산에 들어가 공급을 본격화한 HBM3E(5세대)와 서버 D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중이 확대됐다. 특히 HBM 2분기 매출은 전분기 대비 80% 이상, 전년 동기 대비 250% 이상 증가하며 회사의 실적 개선을 주도했다. 이런 상승세에 SK하이닉스는 HBM 올해 매출이 전년 보다 300% 증가한다고 밝혔다. 또 HBM3E 출하량이 자사 전체 HBM 출하량의 절반을 차지할 것을 예상했다. SK하이닉스는 “오는 3분기에 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것"이라며 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3E 12단 제품은 2분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했고, 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. 이어서6세대 HBM4는 내년 하반기에 출시할 계획이다. 회사는 “HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)를 적용한 12단 제품부터 출하할 것”이라며 “HBM4 16단에는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 쓸 계획"이라고 전했다. 서버용 D램 또한 성장세를 보인다. 회사는 “일반 서버 교체 수요가 본격적으로 시작될 것임을 고려하면 올해와 내년 HBM를 제외한 서버용 D램의 성장률은 약 20% 중반 정도로 전망하고 있다”고 말했다. 그 밖에 온디바이스(On-Device) AI를 지원하는 새로운 PC와 모바일 제품들이 시장에 출시되며 여기에 들어가는 고성능 메모리도 하반기 판매가 늘어날 전망이다. ■ 올초 계획보다 투자 늘린다…HBM에 집중 SK하이닉스는 폭발적인 HBM 수요에 대응하기 위해 올초 계획보다 투자를 늘린다고 밝혔다. 회사는 늘어나는 AI형 메모리 수요에 대응하기 위해 지난 4월 착공한 청주 M15X 팹은 내년 하반기 양산을 목표로 공사를 진행 중이다. 또 차세대 반도체 생산기지인 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 예정대로 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. SK하이닉스는 “과거에 비해서 인프라 투자 규모가 증가하고 있는 가운데 일반 D램에 비해 더 많은 웨이퍼 캐파가 필요한 HBM과 일반 D램의 수요에 적절하게 대응하기 위해 필요한 투자 규모도 증가하고 있다”라며 “올해 투자 규모는 연초 계획 대비 증가할 예정이다”고 밝혔다. 이어서 “다만 당사의 투자 계획은 철저히 고객의 수요와 수익성에 근거해 신중히 결정해 나갈 것”이라며, “최대한 영업 활동을 통해 창출되는 현금 흐름 범위 내에서 집행하며 투자 효율성과 재무 건전성을 동시에 확보해 나갈 계획”을 강조했다. 이어 “HBM은 1년 이상 고객 계약 물량을 기반으로 투자를 결정하기 때문에 투자 증가는 곧 제품 주문량의 증가를 의미한다”며 “향후 다양한 응용처에서 AI 기술이 적용되면 PIM(프로레싱인메모리) 등 수요가 늘어날 것”이라고 덧붙였다. 메모리 산업이 소품종 대량생산 구조에서 다품종 소량생산 구조로 변화하면서 고객사가 원하는 제품을 공급하는 주문형 산업으로 진화하는데 따른 판단이다. 한편, 올 초 증권업계는 SK하이닉스가 올해 투자하는 금액을 12조원으로 추정한 바 있다. SK하이닉스가 연초보다 더 많은 규모의 투자를 전망함에 따라 투자 규모는 12조원 보다 더 높을 것으로 예상된다. ■ 낸드 출하량 4분기부터 반등…eSSD 매출 4배 성장 예상 SK하이닉스는 3분기 낸드플래시 출하량이 한자릿수 중반으로 감소하다가 4분기에 성장세로 전환한다고 전망했다. 낸드는 엔터프라이즈 SSD 분야에서는 수요가 상승되고 있으나, 스마트폰 PC 등 일반 응용체의 전방적인 수요는 회복이 느리기 때문이다. 반면 기업용 솔리드스테이트드라이브(Enterprise SSD, eSSD)의 올해 매출은 전년 보다 4배 성장하고, 전체 낸드 매출에서 eSSD의 비중이 절반 가까이 차지할 것으로 내다봤다. 회사는 “엔터프라이즈 SSD의 수요 성장과 함께 당사의 2분기 엔터프라이즈 SSD 매출액은 전 분기 대비 50%가량 증가했고, 연간 엔터프라이즈 SSD 매출액은 작년에 비해 약 4배 가까이 성장할 것으로 기대한다”라며 “수익성 중심의 제품 믹스와 실수요에 기반한 판매 전략을 통해서 매출액 기준의 시장 점유율은 유지해 나가겠다”고 말했다. SK하이닉스는 현재 QLC 기반의 60TB(테라바이트) 이상 엔터프라이즈 SSD 제품을 공급하고 있으며, 내년 초에는 128TB, 그 이후에는 256TB 제품도 선보이면서 고용량 제품 리더십을 계속 유지한다는 목표다.

2024.07.25 13:49이나리

SK하이닉스 "올해 HBM 매출 전년比 300% 성장할 것"

SK하이닉스가 AI 서버에서 수요가 강한 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에 대한 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장할 것"이라고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 고용량 데이터 처리가 필요한 AI 서버에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 이에 SK하이닉스는 TSV의 생산능력을 올해 2배 이상 확대하기로 했다. 청주에 위치한 M15 팹을 중심으로 투자가 진행되고 있는 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)에 쓰일 1b(5세대 10나노급 D램)으로의 공정 전환도 추진 중이다. 1b D램은 현재 상용화된 D램 중 가장 최선단에 위치한 제품으로, 연말까지 월 9만장 수준의 생산능력을 확보할 계획이다. SK하이닉스는 "늘어난 TSV 및 1b 생산능력을 기반으로 HBM 공급을 빠르게 확대할 것"이라며 "올해 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다"고 밝혔다.

2024.07.25 10:58장경윤

SK하이닉스 "낸드 출하량 3분기 한자릿수 중반 감소...4분기 성장세"

SK하이닉스가 3분기 낸드플래시 출하량이 한자릿수 중반으로 감소하다가 4분기에 성장세로 전환한다고 전망했다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "3분기 낸드는 엔터프라이즈 SSD 제품 중심으로 판매를 확대하고 있으나, 일반 응용체의 전방적인 수요 환경, 그리고 고객 재고 상황 등을 고려해서 한 자릿수 중반에 출하량 감소를 계획하고 있다"고 말했다. 단, SK하이닉스는 3분기 낸드 매출은 지속적으로 성장이 예상된다. 회사는 "당사는 수익성 중심의 제품 믹스와 실수요에 기반한 판매 전략을 통해서 매출액 기준의 시장 점유율은 유지해 나간다는 방침을 가지고 있다"고 설명했다. SK하이닉스의 낸드 출하량은 4분기에 다시 상승할 전망이다. 회사는 "4분기에는 내부적으로는 생산 비트도 늘어나고 외부적으로는 일부 수요 환경 개선되면서 저의 전체 출하량은 다시 성장세로 전환될 것으로 예상한다"라며 "내년에도 당사는 투자 최적화와 수익성 개선 기조를 유지하면서 향후 시장 변동에도 수익성을 확보할 수 있는 사업 체제를 확보하겠다"고 밝혔다. 회사는 "올해는 일반 서버에 대한 투자가 작년에 비해 늘어나고 있고 그동안 D램에 국한된 AI 관련 수요가 낸드 스토리지 영역으로도 확산되면서 고용량 제품 중심으로 한 엔터프라이즈 SSD 수요가 연초 예상을 크게 크게 상회하는 수준으로 성장하고 있다"라며 "이러한 성장세에 맞춰서 다양한 엔터프라이즈 제품 라인업을 제공해 고객 수요에 대응하겠다"고 말했다.

2024.07.25 10:51이나리

SK하이닉스 "HBM3E 12단 공급량, 내년 상반기 8단 앞지를 것"

SK하이닉스가 HBM3E 12단 제품의 출하량이 내년 상반기부터 8단 제품을 앞지를 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 HBM3E(5세대 HBM) 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 올해부터 5세대 제품인 HBM3E의 양산이 시작되며, 8단과 12단 적층 제품이 순차적으로 상용화될 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM3E 8단 제품을 주요 고객사에 공급하기 시작했다. 12단 제품은 지난 5월 고객사에 샘플을 전달한 상태다. SK하이닉스는 "12단 제품은 이번 분기부터 양산을 시작해, 4분기에는 고객사에 공급할 것"이라며 "12단 수요는 내년부터 본격적으로 늘어나, 내년 상반기 12단 공급량이 8단을 넘어설 것으로 전망된다"고 밝혔다. 차세대 제품인 HBM4에 대한 전망도 제시했다. SK하이닉스는 "HBM4는 내년 하반기 어드밴스드 MR-MUF를 적용한 12단 제품부터 출하할 것"이라며 "16단은 2026년 수요가 발생할 것으로 예상돼, 이에 맞춰 기술을 개발하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.07.25 10:35장경윤

[1보]SK하이닉스, 2분기 영업익 5.4조원…6년 만에 5조원대 진입

SK하이닉스는 2024년 2분기 연결기준 매출 16조4천233억 원, 영업이익 5조4천685억 원, 순이익 4조1천200억 원을 기록했다고 25일 밝혔다. 영업이익률은 33%다. 매출은 전분기 대비 32%, 전년동기 대비 125% 증가했다. 영업이익은 전분기 대비 89% 증가했으며, 전년동기 대비로는 흑자전환했다. 특히 영업이익은 지난 2018년 2분기(5조5천739억 원), 3분기(6조4천724억 원) 이후 6년 만에 5조 원대 실적을 달성했다.

2024.07.25 08:21장경윤

中 반도체 굴기에…핵심부품 '블랭크마스크' 가격 상승 조짐

중국이 레거시(성숙) 반도체에 대한 생산량 확대를 지속 추진하고 있다. 최근 국내 기업으로부터 반도체 제조의 핵심 부품인 '블랭크마스크'를 적극 구입한 것으로 파악됐다. 이에 따라 올 하반기 일부 블랭크마스크 가격이 크게 인상되는 조짐까지 나타나고 있다. 23일 업계에 따르면 국내 블랭크마스크 제조기업 에스앤에스텍은 중국 고객사들로부터 올해 11월까지의 DUV 블랭크마스크 물량 구매주문(PO)을 받았다. 블랭크마스크는 반도체 제조의 핵심 공정인 노광공정에 쓰이는 부품이다. 블랭크마스크에 반도체 회로를 새기면 포토마스크가 되는데, 포토마스크에 빛을 투사해 웨이퍼에 회로를 새길 수 있다. 현재 에스앤에스텍은 국내에서 유일하게 DUV(심자외선) 블랭크마스크를 생산하고 있다. DUV는 ArF(불화아르곤)이라는 광원을 활용하는 노광 기술이다. 단일 패터닝으로는 최소 38나노미터(nm) 공정까지, 멀티 패터닝으로는 7nm까지 구현할 수 있다. 중국은 반도체 생산능력 확장에 따라 블랭크마스크에 대한 수요를 꾸준히 늘리는 추세다. 반도체 관련 협회 SEMI에 따르면, 중국의 반도체 생산능력은 올해 15%·내년 14% 성장해 내년 1천10만 장까지 증가할 것으로 전망된다. 특히 중국은 DUV 공정 활용에 초점을 맞추고 있다. DUV보다 진보된 EUV(극자외선) 기술이 TSMC·삼성전자·인텔 등 주요 반도체 기업을 중심으로 보편화되고 있으나, 중국은 해당 기술에 접근하는 것이 사실상 불가능하다. 지난 2019년부터 미국이 전 세계 유일의 EUV 노광장비 업체인 ASML의 중국향 수출을 규제하고 있기 때문이다. 이는 에스앤에스텍과 같은 블랭크마스크 제조업체에게는 수혜로 작용한다. 최근 중국 고객사들은 에스앤에스텍의 로우엔드, 미들엔드급 DUV 블랭크마스크에 대한 구매주문을 11월 물량까지 완료했다. 또한 중국 내 수요 증가로 공급 제한이 예상되면서 특정 제품의 경우 올 하반기부터 가격을 50% 이상 인상하기로 한 것으로 알려졌다. 에스앤에스텍 관계자는 "고객사에 대한 구체적 사안을 언급할 수는 없지만 중국 내 로우엔드, 미들엔드 급의 블랭크마스크 수요가 지속적으로 오르고 있는 것은 사실"이라고 밝혔다. 한편 에스앤에스텍은 EUV 블랭크마스크에 대한 개발도 지속하고 있다. EUV 블랭크마스크는 개발 난이도가 매우 높은 분야로, 일본 호야 등이 시장을 독과점하고 있다.

2024.07.23 11:26장경윤

파네시아 "내년 하반기 CXL 3.1 스위치 칩 고객사에 제공"

파네시아가 내년 하반기에 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 3.1 기반 스위치 시스템온칩(SoC)을 생산해 고객사에게 제공한다고 밝혔다. 이 칩은 LLM(대규모언어모델) 등 대규모 AI 응용을 처리하는 차세대 데이터센터 구조 설계에 활용될 수 있다. 정명수 파네시아 대표는 지난 16일 부산에서 개최된 반도체공학회 포럼의 메인 키노트에서 CXL 핵심 제품군의 개발현황과 로드맵을 발표했다. CXL 스위치는 CPU, 메모리, 가속기 등 여러 시스템 장치들을 연결하고 이들 사이의 종단간(end-to-end) 통신을 관리하는 핵심 장치다. 이날 정명수 대표는 올해 파네시아가 실리콘 공정을 마친 CXL 3.1 컨트롤러 칩의 실물을 공개했다. 정 대표는 제품을 꺼내들며 "본 실리콘 칩에는 파네시아가 기존에 순수 국내 기술력만으로 개발한 세계에서 가장 빠른 CXL 3.1 IP 가 내재됐다"고 강조했다. 파네시아의 CXL 3.1 IP는 세계 최초로 두 자리 나노초(nanosecond)의 지연시간을 달성한 바 있다. 파네시아의 CXL 스위치는 최신 표준인 CXL 3.1에 정의된 기능 지원뿐 아니라 이전 표준을 지원하는 장치와도 상호 동작 가능하다. 또 고확장성도 특징이다. 여러 대의 스위치를 다수의 계층으로 연결하거나, 섬유와 같은 구조(패브릭 구조)를 구성함으로써 여러 개의 서버에 장착된 수백대 이상의 장치들을 연결할 수 있다. 파네시아는 CXL.mem, CXL.cache, CXL.io 까지 모든 CXL 프로토콜의 IP를 확보해뒀기에 메모리, AI가속기, GPU등 스위치에 연결할 수 있는 장치 종류가 특정 타입에 제한되지 않는다. 파네시아는 CXL 3.1 스위치의 활용 예시로, 챗GPT와 같은 대규모 AI 응용을 가속하는 차세대 데이터센터 구조를 소개했다. 정 대표는 "파네시아가 제안하는 것은 GPU 풀(GPU로 구성된 서버), 메모리 풀(메모리로 구성된 서버) 처럼 특정 시스템 장치를 한데 연결한 서버를 각각 구성하고, 이 서버들을 CXL로 연결해 통합된 시스템을 구성하는 것"이라며 "이후 각각의 시스템 장치 풀에서 잘 처리할 수 있게하면, 다양한 모델·연산을 가장효율적인 형태로 처리하는 것이 가능해진다"고 말했다. 이어서 그는 "이를 위해서는 CXL 스위치가 다양한 종류의 장치를 연결하고, 여러 서버를 하나의 시스템으로 연결해야 하는데, 범용적이며 고확장성을 지원하는 파네시아의 스위치가 적합하게 활용될 수 있다"고 설명했다. 한편, 파네시아는 2022년 USENIX 연례회의에서 전세계 최초로 CXL 스위치를 포함한 CXL 2.0 전체 시스템을 공개하며 주목 받았으며, 이듬해는 앞선 시스템을 발전시켜 CXL 3.0, CXL 3.1 표준을 지원하는 전체 시스템을 국제 전시회에서 공개하며 이름을 알렸다. 올해 초에는 CXL 탑재 AI 가속기를 공개하여 CES 2024 혁신상을 수상했다.

2024.07.23 10:30이나리

차세대 HBM 개발에 소재도 '혁신'…SiC·레이저 주목

HBM(고대역폭메모리)의 D램 적층 수가 점차 증가하는 추세에 따라 이를 위한 포커스링·디본딩 기술도 향후 많은 변화와 발전이 일어날 것으로 예상된다. 주요 메모리 제조업체와 관련 협력사들도 관련 기술에 대한 선제 개발에 이미 뛰어든 것으로 알려졌다. 22일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 차세대 HBM용 TSV 공정의 소재를 변경하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. TSV는 층층이 쌓인 D램에 미세한 구멍(홀)을 뚫는 식각 공정을 진행한 뒤, 내부에 전도성 물질을 도금하는 공정을 뜻한다. D램에 홀을 뚫기 위해서는 포커스링이라는 부품이 활용된다. 포커스링은 웨이퍼를 고정하면서 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하고, 웨이퍼 측면의 오염을 방지하는 등의 역할을 맡고 있다. 기존에는 쿼츠(석영) 소재가 적용돼 왔다. 그러나 HBM이 현재 8단에서 12단·16단 등 보다 고적층 제품이 상용화되는 경우, 포커스링 소재도 쿼츠에서 실리콘 카바이드(SiC) 등으로 변경될 전망이다. SiC는 쿼츠 대비 고온 및 플라즈마에 대한 내성이 뛰어나다. 현재 전 세계 주요 식각 업체와 포커스링 제조업체가 HBM용 SiC 포커스링 개발을 추진 중이며, HBM 제조사인 삼성전자·SK하이닉스 등도 협력사 구성을 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 관계자는 "HBM 단수가 높게 쌓일수록 플라즈마 식각 환경에 노출되는 시간이 길어져, 관련 부품들의 소재 변경도 불가피한 것이 자명한 상황"이라며 "HBM 제조업체들도 이미 공급망 구성을 검토하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM4(6세대 HBM) 등 차세대 제품에서 SiC 포커스링이 활용될 것으로 전망된다"며 "일부 부품업체도 이에 대한 준비에 분주한 것으로 안다"고 밝혔다. HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 이상에 도달하는 경우, '디본딩' 기술에도 변화가 일어날 것으로 관측된다. HBM은 제한된 높이에 D램을 적층해야 하기 때문에 웨이퍼를 매우 얇게 만들어야 한다. 이 경우 워피지(휨) 현상이 발생할 수 있어, 웨이퍼를 받쳐주는 '캐리어 웨이퍼'가 임시로 부착된다. D램에 범프를 형성한 후에는 캐리어 웨이퍼를 다시 제거해야 하는 데, 이 공정을 디본딩이라고 부른다. 현재 디본딩은 얇은 휠로 직접 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 떼 내는 메커니컬(Mechanical peel-off) 기술이 활용된다. 그러나 향후에는 이를 레이저로 떼내는 기술이 채용될 예정으로, 복수의 장비업체들이 관련 장비 개발에 매진하고 있다. 업계 관계자는 "D램 웨이퍼 두께가 30마이크로미터 이하가 되면 메커니컬 디본딩으로는 크랙이 발생하는 등 문제가 생길 수 있다"며 "HBM이 20단으로 나아가면 D램 웨이퍼 두께가 25~28마이크로미터가량 돼야하기 때문에, 레이저를 활용할 수밖에 없다"고 말했다.

2024.07.22 13:49장경윤

인스타그램, 게시물에도 '메모' 기능 도입

인스타그램이 다이렉트 메시지(DM)함에서 운영하던 메모 기능을 피드·릴스 게시물에도 확대한다고 22일 밝혔다. 인스타그램 메모는 60자 이내의 텍스트·동영상·음악 등을 게시하는 기능이다. 이번 업데이트로 이용자는 본인이 게시한 게시물과 함께 다른 이용자의 게시물에도 메모를 남길 수 있게 됐다. 인스타그램에서 피드나 릴스 게시물을 공유할 때 비행기 모양 아이콘을 누르면 하단에 '메모 추가' 버튼이 나온다. 메모 글자 수는 기존과 동일하게 최대 60자로 제한되며 공개 범위는 맞팔로우 중인 사용자 또는 별도로 설정한 친한 친구 중 선택할 수 있다. 추가한 메모는 최대 3일간 게시물 위에 말풍선 모양으로 표시된다. 해당 메모를 본 이용자는 '좋아요'를 누르거나 답장할 수 있다. 메모에 답장하면 DM 채팅이 시작된다. 다른 사람이 사용자 피드나 릴스 게시물에 메모를 추가하지 못하도록 설정하는 것도 가능하다. 프로필 내 설정 페이지에서 '공유 및 리믹스'로 이동 후 '게시물 또는 릴스에 메모 허용'을 해제하면 된다. 설정이 해제되면 다른 이용자는 내 피드나 릴스 게시물에 더 이상 메모를 추가할 수 없으며 이미 게시된 메모는 숨김 처리된다. 인스타그램 관계자는 "콘텐츠에 메모를 남김으로써 이용자들은 보고 있는 콘텐츠에 대해 친구들과 보다 간편하고 자유롭게 의견을 나눌 수 있다"며 "업데이트된 메모 기능이 서로 간 연결을 강화할 수 있는 새로운 수단이 될 것으로 기대한다"고 말했다.

2024.07.22 10:53정석규

파두, 메타·WD와 '美 FMS'서 공동 기조연설 진행

데이터센터 반도체 전문기업 기업 파두(FADU)는 8월 초 열리는 '2024 FMS(Future of Memory and Storage)'에서 인공지능(AI) 데이터센터에 최적화한 기업용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 컨트롤러 및 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 솔루션을 선보인다고 22일 밝혔다. 2024 FMS는 현지시간 기준 오는 8월 6일부터 8일까지 미국 캘리포니아 실리콘밸리 산타클라라컨벤션 센터에서 열리는 세계 최대규모 반도체 전시회다. 기존 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit)에서 올해부터 퓨처 오브 메모리 앤드 스토리지(Future of Memory and Storage)로 명칭이 변경됐다. 이 행사 개막일인 6일(현지시간) 파두 이지효 대표는 로스 스텐포트 메타 스토리지 엔지니어인와 에릭 스패넛 웨스턴디지털 마케팅 부사장과 함께 3사 공동 기조 연설에 나선다. 개막일 기조연설은 파두 외에도 삼성전자, SK하이닉스, 키옥시아 등 업계 대표 기업들이 참여하는 행사의 백미다. 이 대표는 “AI 혁명을 이끌다”라는 주제로 AI 시대에 요구되는 플래시 메모리 저장장치의 미래와 이에 따른 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 및 컨트롤러 기술 변화에 대해 진단하고 저전력 고효율 중심의 표준화를 제안할 예정이다. 이를 통해 ▲AI 시대 맞춤형 차세대 SSD 개발 ▲5세대(Gen5) 컨트롤러 리딩 기업 및 6세대(Gen 6) 컨트롤러 선도 기업으로 자리매김 ▲CXL을 중심으로 한 차세대 데이터센터 시스템 등 파두가 개척해 나아가야 할 미래를 제시할 계획이다. 파두는 이번 FMS를 통해 최근 데이터센터의 화두가 되고 있는 총 소요비용(TCO) 절감을 위한 저전력, 고효율 관점의 차별점을 중심으로 업계 최고 성능을 갖춘 5세대 및 6세대 컨트롤러와 함께 FDP(Flexible Data Placement), ATS(Address Translation Service) 등 차세대 SSD에 요구되는 혁신기술들을 대거 선보일 예정이다. 또한 CXL 스위치를 통해 GPU와 DRAM, SSD를 보다 효율적으로 연결함으로써 AI시대에 맞는 데이터센터 시스템을 제안한다. 이 대표는 “이번 FMS에서는 이미 경쟁우위가 확인된 5세대 SSD 컨트롤러에 이어 초고성능 6세대 컨트롤러 및 고효율 전력관리 반도체(PMIC)를 FDP와 같은 차세대 기술과 묶어 선보일 것"이라며 "본격 성장기에 들어서는 기업용 SSD 시장을 제패함은 물론 CXL 스위치를 통해 시스템 차원의 종합 반도체 업체로 발돋움하는 계기로 삼겠다”고 밝혔다.

2024.07.22 09:17장경윤

"건축허가 45일만에"…용인 반도체산단에 韓 소부장도 '깊은 관심'

용인특례시가 주요 반도체 기업들의 투자 유치를 위한 지원책 마련에 분주하다. 최근 대규모 제조시설 건립에 필요한 상수보호구역 해제, 산업단지 심의 통과 등을 진행했으며, 논란이 된 전력·용수 문제도 적극 해결할 계획이다. 특히 해외 주요 반도체 장비기업 램리서치에 건축허가를 45일만에 내주는 등, 소부장 생태계 활성화에도 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 동진쎄미켐 등 국내 소부장 기업들도 투자에 깊은 관심을 기울이고 있다. 이상일 용인특례시장은 19일 용인미디어센터에서 열린 '제6회 소부장미래포럼'에서 용인 반도체 클러스터 구축 현황 및 향후 계획에 대해 발표했다. 현재 용인시는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 제조기업과 함께 '용인 L자형 반도체 벨트'를 조성하고 있다. 삼성전자는 해당 지역에 총 360조 원을 투자해, 첨단 시스템반도체 클러스터 국가산업단지를 조성하고 있다. 부지 규모는 220만 평이다. 또한 20조 원을 들여 37만 평 규모의 첨단 반도체 R&D(연구개발) 산업단지를 조성하고 있다. SK하이닉스는 총 122조 원을 투자해 용인 반도체 클러스터 일반산업단지를 만들고 있다. 현재 토목공사가 잘 진행된 상태로, 내년 1분기 말 팹 착공에 들어가 오는 2027년 하반기 첫 가동을 시작할 예정이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스와 협력 관계를 맺고 있는 주요 협력사들도 용인에 지속적으로 투자하는 추세다. AMAT(어플라이드머티어리얼즈)·램리서치·TEL(도쿄일렉트론)이 국내에 공장 및 R&D 센터를 확장하고 있으며, 국내 최대 반도체 장비기업 세메스도 최근 용인 R&D 센터 건립을 승인받았다. 이 시장은 "램리서치의 경우 판교에서 용인으로 본사 및 R&D센터를 확장 이전하기로 했는데, 45일 만에 건축허가를 내줬다"며 "이는 기록적인 사례로, 훌륭한 기업이 오면 레드카펫을 깔고 환영하겠다는 메시지"라고 말했다. 이를 위해 용인시는 대규모 반도체 제조시설에 필요한 토지·전력·용수 문제 해결에 집중하고 있다. 대표적으로 용인시는 평택시와 논의해 1천950만 평에 달하는 송탄 상수원보호구역을 지난 4월 해제하기로 했다. 삼성전자의 신규 R&D 산업단지에 대한 경기도 심의도 비슷한 시기에 통과 시켰다. 이 시장은 "SK하이닉스 산업단지는 전력 시설이 75% 정도 진행됐고, 용수 분야는 30% 정도 진행됐다"며 "다만 삼성전자 산업단지는 전력 문제 해결이 관건으로, 필요한 전력의 총량이 9.3GW(기가와트)에 달할 것으로 예상돼 송배전망 공사 예타 면제 등으로 대응하고 있다"고 밝혔다. 한편 국내 소부장 기업들도 용인 반도체 클러스터에 관심을 표했다. 김성일 동진쎄미켐 사장은 "경기 화성에 있는 기업으로서 용인 반도체 클러스터에 굉장히 관심이 많다"며 "용인 클러스터 입주 비용 및 시 차원의 지원 규모 등이 궁금한 상황"이라고 말했다. 이에 대해 이 시장은 "50여개 소부장 기업이 입주 가능한 SK하이닉스 산업단지는 거의 분양이 끝났다"며 "150여개사가 입주 가능한 삼성전자 산업단지는 내년 1월 산업단지 승인이 나오면 LH 등과 논의해 비용 등이 정해지게 될 것"이라고 설명했다.

2024.07.19 14:06장경윤

삼성전자, CXL 2.0 D램 하반기 양산 시작…"1y D램 탑재"

삼성전자가 차세대 메모리 솔루션으로 주목받는 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 2.0 D램의 양산을 연내 시작한다. 해당 제품은 1y D램(10나노급 2세대)을 기반으로, 256GB(기가바이트)의 고용량을 구현한 것이 특징이다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 18일 서울 중구 소재의 삼성전자 기자실에서 열린 'CXL 기술 및 삼성전자 CXL 솔루션 설명회'에서 "올해 하반기부터 CXL 시장이 열릴 것이고, 삼성전자의 제품은 준비가 돼 있다"고 밝혔다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU, CPU, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 기존 각각의 칩들은 별도의 인터페이스가 존재해 빠른 상호연결이 어렵다는 문제점이 있었다. 반면 CXL은 PCIe(PCI 익스프레스; 고속 입출력 인터페이스)를 기반으로 각 칩의 인터페이스를 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 정해진 아키텍쳐에 따라 서버 내 칩을 구성해야 하는 기존 시스템과 달리, 용도에 따라 유연하게 서버를 설계할 수 있다는 것도 장점이다. 또한 CXL은 시스템 반도체와 메모리의 거리가 멀어져도 원활한 통신을 가능하게 해, 더 많은 메모리 모듈을 연결할 수 있게 만든다. 삼성전자는 이 CXL 인터페이스를 갖춘 D램, 'CMM-D(CXL 메모리 모듈 D램' 개발에 주력해 왔다. 최 상무는 "CMM은 한마디로 SSD를 장착할 자리에 메모리를 추가할 수 있는 제품"이라며 "기존 D램 등 메인 메모리의 주변에서 CPU의 고용량 데이터 전송을 도와주는 역할을 하게될 것"이라고 설명했다. 삼성전자는 지난 2021년 업계 최초로 CXL 기반 D램 제품을 개발했으며, 이후 업계 최고 용량 512GB CMM-D 개발, 업계 최초 CMM-D 2.0 개발 등에 성공한 바 있다. 특히 지난해 5월 개발 완료한 삼성전자의 'CXL 2.0 D램'은 업계 최초로 '메모리 풀링(Pooling)' 기능을 지원한다. 메모리 풀링은 서버 플랫폼에서 다수의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 각각의 호스트가 풀에서 메모리를 필요한 만큼 나누어 사용할 수 있는 기술이다. 이를 이용하면 CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있어 데이터 전송 병목현상이 줄어든다. 또한 삼성전자는 올해 2분기 CXL 2.0을 지원하는 256GB(기가바이트) CMM-D 제품을 출시하고, 주요 고객사들과 검증을 진행하고 있다. 실제 양산은 연내 시작할 계획이다. 적용되는 D램은 1y D램으로, 가장 최신 세대인 1b(10나노급 6세대)와 비교하면 레거시 메모리에 해당한다. 최 상무는 "금년 256GB CMM-D 2.0 양산을 시작하고, CXL 3.1 버전과 풀링 기술이 지원되는 2028년 정도가 되면 CXL 시장이 본격적으로 개화할 것"이라며 "이번 CXL 2.0 D램은 고용량 구현 및 즉시 적용에 용이한 1y D램을 채용했다. 향후에는 탑재 D램을 바꿀 수 있다"고 밝혔다. 또한 최 상무는 CXL이 HBM(고대역폭메모리)을 대체하는 것이냐는 질문에 "서버 내 SoC(시스템온칩)에 최적화된 메모리 솔루션이 각각 다르기 때문에, AI 산업에서 두 제품의 쓰임새가 다를 것"이라며 "HBM의 다음 제품이 아닌 AI용 솔루션들 중 하나라고 보면 된다"고 답변했다. CXL 제품의 향후 로드맵에 대해서도 소개했다. 삼성전자는 CMM-D를 박스 형태로 만든 CMM-B, CMM-D에 컴퓨팅 기능을 더한 CMM-DC, CMM-D에 낸드를 결합하는 CMM-H 등 다양한 응용 제품을 연구하고 있다. 최 상무는 "CMM-DC 등은 당장 상용화 단계는 아니지만 연구 단계에서 프로젝트를 진행 중"이라며 "CMM-D을 시작으로 여기에 낸드, 컴퓨팅 기능 등을 어떻게 붙여야할 지 고민도 하고 있다"고 말했다. 한편 삼성전자는 CXL 컨소시엄을 결성한 15개 이사회 회원사 중 하나로, 메모리 업체 중 유일하게 이사회 멤버로 선정되어 CXL 기술의 고도화 및 표준화를 위한 역할을 수행하고 있다. CXL 컨소시엄은 CXL 표준화와 인터페이스의 진화 방향 등에 대해 논의하는 협회다. 삼성전자, 알리바바 그룹, AMD, Arm, 델, 구글, 화웨이, IBM, 인텔, 메타, MS, 엔비디아 등 빅테크 기업들이 이사회 회원사로 참여하고 있다.

2024.07.18 14:00장경윤

美, 中 반도체 수출 규제 강화한다…TEL·ASML 등 압박

미국 정부가 중국에 대한 최첨단 반도체 제조장비 수출 규제 수위를 높이는 방안을 고려하고 있다고 블룸버그통신이 17일(현지시간) 보도했다. 해당 방안은 네덜란드 ASML, 일본 도쿄일렉트론(TEL) 등 동맹국의 반도체 장비기업이 중국과 지속 거래할 경우, 해외직접생산품규칙(FDPR)을 부과하겠다는 것이 주 골자다. FDPR은 미국이 통제 대상으로 정한 미국산 소프트웨어 및 기술을 사용한 외국 기업에 대해 수출을 금지할 수 있도록 하는 규제다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국이 일본 및 네덜란드 관료들을 만나 중국에 대한 규제 조치를 자체적으로 강화하지 않고 있음을 지적했다"며 "핵심 목표는 동맹국을 설득해 중국의 첨단 반도체 제조에 대한 접근을 막는 것"이라고 밝혔다. 현재 미국은 네덜란드 정부 및 ASML이 중국에 첨단 반도체 제조장비를 수출하지 못하도록 규제하고 있다. EUV 장비는 2019년부터 규제 대상에 올랐다. 이후 미국 정부는 지난해 3월 고성능 DUV(이머전 DUV) 장비에 대해서도 수출 규제를 적용하기로 했다. 그러나 이러한 조치에도 ASML은 여전히 중국향 매출 의존도가 높은 것으로 나타났다. ASML의 올 2분기 반도체 장비 매출액은 47억6천만 유로로, 이 중 중국이 차지하는 비중은 49%에 달한다. TEL 역시 지난 1분기 전체 매출에서 중국향 매출 비중이 44.4%로 매우 높은 수준을 기록했다.

2024.07.18 09:34장경윤

"엔비디아 천하 영원하지 않아…韓 반도체 기회 잡아야"

"현재 AI 반도체 시장은 엔비디아가 주도하고 있지만, 전력소모 등의 문제로 NPU가 향후 대체재로 떠오를 것이다. 차세대 메모리 시장에도 많은 변화가 올 것이다. 국내 업계도 이러한 이러한 흐름에서 기회를 잡을 수 있다." 유회준 반도체공학회 회장은 최근 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 국내 반도체 산업이 나아가야 할 방향을 이 같이 평가했다. 유 회장은 서울대 전자공학과를 졸업한 후 한국과학기술원(KAIST)에서 전기전자공학 박사 학위를 취득했다. 이후 미국 벨사 연구원, SK하이닉스 반도체연구소 D램설계실장을 거쳐, 현재 KAIST 전기전자공학과 교수로 재직 중이다. ■ "엔비디아의 독과점 지속되지 않을 것…차세대 기술 대비해야" 현재 반도체 업계는 AI 시대의 부흥에 따라, HBM(고대역폭메모리)의 뒤를 이을 차세대 반도체 기술을 대거 개발하고 있다. CXL(컴퓨트 익스프레스 링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 뉴로모픽, 실리콘 포토닉스 등이 대표적이다. 유 회장은 이 중 CXL이 가장 먼저 상용화 단계에 도달할 것으로 내다봤다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 유 회장은 "현재 전세계의 몇몇 기업들이 CXL 관련 칩을 개발하고 있는데 여러 차세대 기술 중 가장 빨리 상용화될 것"이라며 "특히 삼성전자도 CXL 시장이 이미 개화됐다고 이야기하면서, 실리콘밸리를 중심으로 연구를 활발히 진행하고 있다"고 밝혔다. 메모리 업계도 커스텀 방식이 대세가 될 것으로 전망된다. 기존 메모리는 공급사 중심의 소품종 대량 생산의 성격이 강했다. 그러나 향후에는 다양한 AI 애플리케이션이 출시되면서, 각 고객사의 요구에 맞춘 특수 메모리에 대한 수요가 증가하고 있다. 유 회장은 "HBM을 시작으로, 고객사의 시스템반도체 및 적용처에 맞춘 커스텀 메모리가 대세가 될 것"이라며 "범용 D램 등도 커스텀화가 될 가능성이 있다고 본다. 삼성전자와 SK하이닉스도 이러한 추세에 대비해야 할 것"이라고 말했다. 또한 유 회장은 "현재 업계를 뒤흔들고 있는 엔비디아의 AI 반도체는 범용 GPU이기 때문에 전력소모 등의 문제로 NPU(신경망처리장치)에 자리를 내줄 수 있다"며 "이 경우 메모리 업계도 HBM이 아닌 최신형 LPDDR, 3D 메모리 등이 더 각광받게 될 가능성이 있다"고 내다봤다. ■ "K-반도체 키우려면…인적 네트워크 강화·원천기술 확보 시급" 유 회장은 최근 미국과 중국을 둘러싼 반도체 패권 경쟁에 대해 "미국 제재에 협력하는 전략이 필요하지만, 동시에 중국 시장의 유지 및 진입에도 신경을 쓰는 전략이 필요하다"며 "미국 기업들도 중국향 매출이 30%가 넘는다. 이 상황에서 우리 기업들의 중국 입지는 반대로 좁아지고 있다"고 꼬집었다. 다만 이러한 전략은 개별 기업들의 대응만으로는 한계가 있다. 때문에 정부가 원칙적으로 미국을 따르돼 경제적으로는 중국과 연계하는 '정경분리'의 큰 가이드라인을 마련해야 한다는 게 유 회장의 시각이다. 또한 유 회장은 국내 기업들이 글로벌 경쟁력 확보를 위해 보완해야 할 가장 시급한 사항으로 ▲해외 인적 네트워크 강화 ▲원천기술 확보 등 두 가지를 꼽았다. 유 회장은 "예를 들어 일본은 미국과의 협력 강화를 위해 고위 관료가 미국 인사를 직접 만나 '탑-다운' 형식으로 계약을 맺어오거나, IBM과 같은 주요 기업과 관계를 튼다"며 "반면 우리나라 정부는 이러한 부분이 미흡하다. 국내 AI 반도체 스타트업들도 해외 유수의 학술행사에서 직접 네트워킹을 하지, 정부의 지원이 있었다는 말은 들은 바 없다"고 강조했다. 그는 이어 "반도체 업계는 항상 승자가 독식하는 구조로, 한국만의 독자적인 기술을 가지고 있어야 비로소 경쟁력을 갖출 수 있다"며 "개인적으로는 우리나라가 빠르게 대응할 수 있는 분야가 기존 강점인 메모리와 프로세서까지 함께 아우를 수 있는 AI SoC(시스템온칩)이라고 생각한다"고 덧붙였다. ■ "반도체공학회, 업계 경쟁력 강화에 집중할 것" 반도체공학회를 이끄는 리더로서, 유 회장은 국내 반도체 산업 경쟁력 강화를 위해 크게 네 가지의 활동을 중점적으로 전개할 계획이다. 유 회장은 "첫째로 반도체 업계의 15년 뒤를 내다보는 비전과 전략을 짜야한다. 그래야 기술 발전 및 투자에 대한 방향을 정할 수 있다"며 "두 번째는 외국과의 협력 체계 강화로, 현재 일본 전자공학회와 협약을 맺고 워크샵을 진행하는 등의 활동을 하고 있다"고 밝혔다. 세 번째는 실무적인 반도체 인재 양성 교육이다. 이와 관련, 반도체공학회는 최근 홍익대학교를 중심으로 200명의 학생들에게 케이던스의 소프트웨어 툴 교육을 시행한 바 있다. 네 번째는 산·학 협력 강화다. 반도체공학회는 향후 국내 기업이 제작한 NPU를 기반으로 학회에서 소프트웨어 제작, 경진대회 개최 등의 전략을 구상하고 있다. 유 회장은 "앞의 3개는 진척사항이 꽤 이뤄졌고, 산학 협력은 이제 막 시작한 단계"라며 "특히 반도체 인력양성이 시급하기 때문에, 관련 학생들의 취업을 위한 인턴 프로그램이나 경진대회 등을 진행할 생각"이라고 말했다.

2024.07.18 06:00장경윤

"現 반도체 한계 뛰어넘자"…소니드, R&D 컨소시엄 구성

소니드가 인공지능(AI) 반도체 메모리 용량 한계를 극복하기 위해 나섰다. 소니드는 '컴퓨터익스프레스링크-그래픽처리장치(CXL-GPU)' 기술 개발을 위해 서울대학교 컴퓨터공학부·스타랩스와 컨소시엄을 구성했다고 17일 밝혔다. 소니드가 이처럼 나선 것은 생성형 AI 서비스로 인해 기하급수적으로 늘어난 데이터 처리 용량 때문이다. '챗GPT' 등 생성형 AI 데이터 처리에는 수십 테라바이트(TB) 용량이 필요한 반면 엔비디아 'H100'과 같은 첨단 그래픽처리장치(GPU)는 메모리 용량이 수십 기가바이트(GB)에 그친다. 이에 반도체 업계는 용량 문제를 지속적으로 제기해 왔다. 소니드는 CXL-GPU 기술로 기존 메모리 확장 기술보다 2배 이상 높은 성능을 구현할 방침이다. 특히 CPU와 GPU, 저장장치를 CXL 인터페이스로 직접 연결해 메모리 비용을 줄이고 성능을 올릴 예정이다. 이곳은 클라우드프리(Cloud-free) AI 플랫폼도 보급형과 고성능형으로 나눠 양산할 방침이다. 또 AI 애플리케이션 통합 알고리즘을 개발하고 CXL 보드를 총 3종 시험생산할 계획이다. 이미 AI 분야에서는 다양한 성과를 거뒀다. 특히 지난 2월 자회사 소니드로보틱스를 통해 AI '브레인 봇'을 개발·양산했다. 이 제품은 알고리즘을 통한 영상 데이터 분석으로 특정 이벤트나 인물을 자동 감지한다. 오중건 소니드 대표는 "이번 기술 개발을 통해 AI 반도체 시장에서의 경쟁력을 갖출 것"이라며 "CXL을 활용해 혁신적인 메모리 확장 솔루션을 제공하려고 노력하겠다"고 강조했다.

2024.07.17 16:20조이환

ASML, 2분기도 中 매출 '절반' 육박…고성능 DUV 수요 여전

세계 유일의 EUV(극자외선) 노광장비 업체 ASML이 올 2분기 기대치를 웃도는 실적을 거뒀다. 지난해부터 급증한 중국향 고성능 DUV(심자외선) 장비 수요가 지속된 데 따른 영향으로 풀이된다. 이 회사의 중국 매출 비중은 1분기와 2분기 모두 49%에 육박한다. 17일 ASML은 올 2분기 순매출 62억 유로(9조 3천325억원), 당기순이익 16억 유로(2조 4천억원)를 기록했다고 밝혔다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 “ASML의 2분기 순매출은 전망 범위 상단인 62억 유로를 기록했고, 매출총이익률은 전망치를 웃도는 51.5%였다"며 "이머전 장비의 매출 증대가 이러한 결과를 견인했다"고 밝혔다. 이머전 장비는 ArF(불화아르곤) 광원을 활용하는 이머전 DUV 기술을 뜻한다. 이머전은 렌즈와 웨이퍼 표면 사이의 공간을 굴절률이 큰 액체의 매질로 대체해 해상력을 높이는 기술로, 고성능 DUV를 구현한다. EUV 만큼의 성능은 아니지만, 이머전 DUV는 멀티 패터닝을 통해 미세 공정 영역인 7나노미터(nm)까지 구현할 수 있다. 때문에 미국의 수출 규제로 EUV 장비를 수입할 수 없는 중국에서 수요가 증가해 왔다. 실제로 ASML의 이번 2분기 매출에서 중국이 차지하는 비중은 49%로 가장 높았다. 지난 1분기(49%)와 동일한 수치다. 특히 이머전 DUV가 포함되는 ArF 장비 매출이 1분기 39%에서 2분기 50%로 급증했다. ArF 장비 판매 수량도 1분기 20대에서 2분기 32대로 증가했다. 반면 EUV 장비는 1분기 11대에서 2분기 8대로 줄어들었다. 다만 ASML의 높은 중국 매출 의존도는 향후에도 지속되기 어려울 전망이다. 앞서 미국 정부는 올해 1월 이머전 DUV 장비에 대해서도 중국 수출을 사실상 금지시켰다. 이번 중국향 매출은 규제 이전에 발생한 '사재기' 효과로 풀이된다. 한편 ASML은 3분기 실적 전망에 대해서는 순매출 70억 유로(중간값), 매출총이익률 50~51%를 제시했다. 올해 연간 순매출은 기존 전망대로 "지난해와 비슷한 수준이 될 것"이라고 밝혔다. 문준호 삼성증권 연구원은 "2분기 실적은 기대치를 상회했으나 3분기 전망치가 다소 아쉬운 상황"이라며 "로직, 파운드리 분야에서 주문이 강하게 나오며 수주 잔고가 다시 증가한 점은 긍정적"이라고 설명했다. 기존 주력 매출원이었던 EUV 장비 사업도 회복세가 나타나는 추세다. ASML의 2분기 말 기준 신규 장비 수주액은 총 55억7천만 유로다. 전분기 대비 54%, 전년동기 대비 23.7% 증가했다. 이 중 EUV 장비 수주 규모는 25억 유로다. 전분기 대비 281%, 전년동기 대비 56% 증가한 수치다.

2024.07.17 14:59장경윤

삼성전자 "1b·4F스퀘어 D램 사업 순항…메모리 초격차 유지할 것"

"삼성전자가 발표한 차세대 D램 로드맵은 모두 차질없이 개발되고 있습니다. 1b D램은 잘 양산되고 있고, 4F스퀘어도 개발이 순조롭습니다. 메모리 분야에서 초격차를 유지할 것입니다." 유창식 삼성전자 부사장(D램 선행개발팀장)은 16일 부산 윈덤그랜드호텔에서 열린 '2024년도 반도체공학회 하계학술대회'에서 기자들과 만나 이같이 밝혔다. 이날 '더 나은 삶을 위한 D램'을 주제로 발표를 진행한 유 부사장은 "첨단 D램에게 요구되는 능력은 크게 고용량, 고대역폭, 저전력 특성 세 가지로 나눌 수 있다"며 "특히 마이크로소프트, 구글 등이 최근 D램 제조업체에 매우 낮은 수준의 전력소모를 요구할 만큼 전력효율성이 중요하다"고 설명했다. D램의 전력효율성을 높이기 위해서는 D램 내부의 셀을 더 촘촘히 만들어야 한다. 셀은 데이터를 저장하기 위한 최소 단위로, 각각 하나의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 다만 최근 들어 셀을 작게 만드는 시도가 기술적 한계에 다다르고 있다. D램에 적용되는 공정이 10나노미터(nm)까지 다다르면서, 구성 요소 간 거리가 너무 가까워 간섭 문제 등이 발생하고 있기 때문이다. 이를 해결하기 위한 유력한 대안은 4F스퀘어다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 현재 상용화된 D램은 6F스퀘어 구조다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도 및 성능이 높아지기 때문에, 주요 메모리 업체들은 4F스퀘어로 나아가기 위한 기술개발에 전념해 왔다. 삼상전자의 경우 내년 4F스퀘어 D램의 초기 샘플을 개발할 것으로 기대를 모으고 있다. 이외에도 삼성전자는 1b(5세대 10나노급 D램) D램의 양산 본격화, 업계 최고 동작속도의 LPDDR5X 검증 등 첨단 D램 솔루션 개발에 주력하고 있다. 특히 삼성전자는 올 1분기 1b D램에 대한 내부 품질 테스트를 마무리하고, 현재 본격적인 양산을 준비하고 있는 것으로 알려졌다. 이를 위해 올 연말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확충할 계획이다. 유 부사장은 "1b D램은 차질없이 양산하고 있고, 4F스퀘어 D램도 문제없이 개발이 순항 중"이라며 "지금까지 삼성전자가 발표한 메모리 로드맵에서 일정이 밀린 부분은 전혀 없다. 초격차를 계속 유지할 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 15:41장경윤

오픈엣지, HBM3 검증용 7나노 테스트 칩 출시

오픈엣지테크놀로지는 HBM3(4세대 고대역폭메모리)를 지원하는 PHY(물리계층) IP(설계자산) 테스트 칩을 성공적으로 출시 및 검증했다고 15일 밝혔다. 이번 검증은 오픈엣지의 자회사 더식스세미컨덕터(TSS)를 통해 진행됐다. 7나노미터(nm) 공정을 기반으로 한 HBM3 PHY IP 테스트 칩은 6.4Gbps로 출시됐으며, 추가 튜닝을 통해 현재 7.2Gbps의 오버클럭까지 검증을 마쳤다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. PHY는 메모리와 시스템반도체 사이에서 고속으로 데이터를 송수신할 수 있게 만드는 인터페이스다. 오픈엣지는 "현재까지 HBM3 메모리 서브시스템을 설계하고 시연해 낸 IP 공급업체는 극소수에 불과하다"며 "해당 반도체를 테스트할 수 있는 환경이 매우 제한적이기 때문"이라고 설명했다. 한편 오픈엣지가 HBM3 PHY IP 테스트 칩을 개발하는 데 활용된 접근법은 향후 칩렛 설계에도 활용될 전망이다. 칩렛이란 각기 다른 기능을 가진 반도체를 하나의 칩으로 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 오픈엣지는 "HBP3 PHY IP 테스트 칩의 성공적인 검증과 완벽한 메모리 서브시스템 IP를 바탕으로, 회사는 칩렛 기술용 IP 공급업체로도 자리매김하고 있다"고 밝혔다. 한편, 해당 PHY IP는 과학기술정보통신부가 지원한 차세대지능형반도체기술개발사업 '고성능 AI 서버용 HBM3급 이상 인터페이스 기술 개발 과제'를 통해 개발한 결과물이다.

2024.07.15 18:11장경윤

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