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'12단 HBM3E' 수급 다급해진 엔비디아…삼성·SK 대응 분주

엔비디아가 최근 생산 차질 논란이 불거진 최신형 AI 반도체 '블랙웰'을 당초 일정대로 양산하겠다고 밝혔다. 칩 재설계를 통한 대체품을 내놓는 것으로, HBM(고대역폭메모리) 역시 더 높은 용량의 제품을 탑재하기로 했다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업도 최선단 HBM의 인증을 서두르기 위한 대응에 나선 것으로 파악됐다. 29일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 엔비디아의 최신 GPU '블랙웰' 칩 설계 변경에 따라 HBM3E 12단 인증을 서두르고 있다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 세부적으로 블랙웰 GPU는 전력소모량에 따라 700W급인 B100, 최대 1200W급인 B200으로 나뉜다. 당초 엔비디아는 B100 GPU 2개와 '그레이스' CPU 1개를 결합한 구조의 AI 가속기 'GB200'을 회사 회계연도 기준 2025년 4분기(2024년 11월~2025년 1월) 출시할 예정이었다. ■ SoC 재설계로 HBM3E도 8단→ 12단 변경 그러나 최근 GB200의 양산 일정에 차질이 생겼다. 업계에서 분석하는 원인은 크게 두 가지다. 하나는 B100 칩 설계의 문제, 또 하나는 GB200에 필요한 TSMC의 최첨단 패키징 'CoWoS-L'의 용량 부족이다. CoWoS는 엔비디아가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 로직반도체와 HBM을 SiP(시스템 인 패키지) 형태로 묶는 것을 뜻한다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 활용되는 소재에 따라 종류가 나뉘며, CoWoS-L의 경우 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 채용한다. 이에 엔비디아는 즉각 대응책을 수립했다. 기존 B100을 개량한 'B102'를 대체품으로 재설계하고, 이를 기반으로 'GB200A'를 제작하기로 했다. A는 공랭(Air Cooling)의 의미다. 패키징 구조 역시 변경된다. GB200은 GPU 2개를 묶어 한 칩처럼 동작하게 하고, 주변에 HBM3E 8단(24GB)을 8개 집적하는 형태다. 반면 GB200A는 GPU를 묶지 않고 B102 칩 하나에 HBM3E 12단(36GB)를 4개 집적한다. 내장된 GPU 2개가 총 HBM 8개를 운용하는 것보다 효율이 떨어지기 때문에, 단일 HBM의 용량을 높이고자 12단을 채용한 것으로 분석된다. 엔비디아는 이 같은 칩 재설계를 통해 어제(29일 한국시간) 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당초 계획대로 블랙웰 GPU 양산 공급을 연말에 진행하겠다"는 뜻을 밝혔다. ■ HBM3E 12단 공급 빨라져야…삼성·SK 대응 분주 엔비디아가 블랙웰 GPU의 양산 일정을 고수하면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 제조업체들의 대응 또한 분주해지고 있다. 당초보다 빨리 HBM3E 12단 제품을 엔비디아에 공급해야 하는 상황에 놓였기 때문이다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해 상반기 8단 제품부터 상용화에 들어갔다. 더 많은 D램을 적층하는 12단 제품은 주요 메모리 3사 모두 고객사와의 퀄(품질) 테스트를 거치고 있으며, 아직까지 공식 승인을 받은 기업은 없다. 이에 엔비디아도 주요 메모리 제조사에 HBM3E 12단 승인을 앞당기기 위한 논의를 진행한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아의 요청에 따라 메모리 제조사들도 HBM3E 12단 물량을 급하게 늘리려는 움직임을 보이고 있다"며 "HBM3E 12단의 수율이 상대적으로 낮고, 긴급한 주문이기 때문에 메모리 제조사 입장에서도 더 높은 가격을 책정받을 수 있다는 이점을 누릴 수 있다"고 설명했다.

2024.08.30 10:04장경윤

파두, 2분기 매출 71억원 회복세…"하반기 추가 수주 기대"

데이터센터 반도체 전문기업 기업 파두(FADU)는 반기보고서 제출 공시를 통해 상반기 매출 94억원을 달성했다고 29일 밝혔다. 지난 1분기 23억원의 매출을 올린 파두는 2분기에만 71억원의 매출을 달성했다. 전분기 대비 매출 증가는 5월부터 본격화된 총 333억원 규모의 신규 수주 물량이 매출로 실현되기 시작했기 때문이다. 이에 더해 하반기에는 추가적인 수주도 기대되고 있다. 다만 올 1분기와 2분기 영업손실은 각각 162억원, 222억원으로, 상반기 누적 규모가 384억원에 달한다. 지난해(영업손실 586억원)에 이어 적자를 지속했다. 파두의 주요 고객사는 미국의 하이퍼스케일 데이터센터 업체로 알려져 있다. 최근 미국 하이퍼스케일기업들은 실적 발표를 통해 올해 하반기 및 내년도 투자계획을 기존 계획보다 확대 발표하면서 스토리지 수요 확대 전망을 높이고 있다. 특히 파두의 신제품인 5세대(Gen.5) 컨트롤러는 최근 세계 최대 반도체 행사 중 하나인 '2024 FMS'에서 메타, 웨스턴디지털과 공동으로 진행한 연설에서 "AI 학습·추론 워크로드를 위한 Compute SSD(연산전용 SSD)뿐만 아니라 고용량의 데이터를 저장하기 위한 Storage SSD(저장전용 SSD)에도 쓰일 예정"이라고 언급된 바 있다. 아울러 파두는 최근 중국시장 진출계획도 공식적으로 밝혔다. 이를 통해 칩 기반의 컨트롤러 사업뿐만 아니라 기업용 SSD 완제품 모듈 기반 사업 모델도 확대할 수 있는 기반을 마련했다. 특히 모듈 사업은 사업 초기에는 높은 재료비 및 고정비 등으로 원가부담이 높을 수 있으나 평균판매단가가 칩 기반 사업 대비 10배 이상으로 높기 때문에 물량증가에 따라 매출 및 수익성 확대에 기여할 수 있는 부분이 매우 큰 사업이다. 파두 관계자는 “2분기의 경우 모듈 사업이 매출의 대부분을 차지했기 때문에 원가부담이 좀 더 커진 것이 사실”이라며 “모듈 사업은 컨트롤러 사업 대비 투입되는 비용 수준이 절대적으로 높고 양산 물량이 적은 상태에서는 고정비 부담이 클 수 밖에 없지만 최근 모듈 사업 관련해 신규 수주가 계속 발생하고 있는 만큼 수익성도 점차 개선될 것으로 예상된다”고 설명했다. 이어 “기업용 SSD 시장의 경우 올해보다 내년도 성장률이 더 높을 것으로 전망되기 때문에 현재 여러 고객사들과 물량 확대에 대해 활발히 논의 중에 있다”며 “내년도에는 본격적인 성장궤도에 오르며 매출 뿐만 아니라 수익성 측면에서도 높은 성장률을 달성할 수 있을 것으로 기대하고 있다”고 말했다.

2024.08.29 11:16장경윤

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 '1c DDR5' 개발

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 이로써 회사는 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓게 됐다. SK하이닉스는 2023년 2분기 10나노급(1B) D램을 양산한 이후 내년 약 2년 만에 1c DDR5 양산에 돌입한다. SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다”며, “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다. 또, EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또 전력효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다. 김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.

2024.08.29 09:13이나리

박경 SK하이닉스 부사장 "AI 시대, 메모리 단품이 아닌 솔루션으로 변화 필요"

박경 SK하이닉스 시스템아키텍처 담당 부사장이 27일 최종현학술원에서 열린 'AI 대전환 반도체가 이끈다' 컨퍼런스 토론회에서 "AI 시장에서 메모리가 단순한 부품이 아닌 솔루션으로 변화하고 있으며, 이러한 전환은 더욱 확대될 필요가 있다"고 강조했다. 박 부사장은 AI 시대에 메모리 기업이 직면한 변화에 대해 설명하며, "이제는 단순히 D램 설계 기술만으로는 충분하지 않다. 시스템이 어떻게 변하고, 어떤 기회와 도전 과제가 있는지 반도체 기술에만 국한하지 않고 '운영과 시스템'의 관점에서 바라봐야 한다"고 말했다. 그는 이러한 변화 속에서 SK하이닉스가 중요한 역할을 수행하고 있다고 덧붙였다. 이어 그는 "과거 반도체 생태계에서는 수요와 공급의 관계가 주를 이뤘지만, 앞으로는 공동 목표를 해결하는 협력 관계로 전환되어야 한다"며 "이 구조에 얼마나 신속하게 대응하느냐가 미래 제품을 빠르게 출시하는 방법이다"고 설명했다. SK하이닉스가 메모리 외의 AI 프로세서 생산에 대한 비전을 가지고 있는지에 대한 질문에 박경 부사장은 "현재로서는 메모리 이외의 반도체 개발 계획은 없다"고 명확히 밝혔다. 박 부사장은 "우리는 메모리 분야에서 시작했기 때문에, 메모리의 가치를 극대화하는 AI 전략을 세웠고, 이 전략이 성공을 거둔 후에야 다른 계획을 고려할 것"이라고 덧붙였다. 이어 박 부사장은 SK하이닉스가 HBM(고대역폭 메모리) 시장에서 1위를 차지한 것에 대해 언급하며, "우리가 잘해서 1등이 된 걸까, 아니면 하다 보니 1등이 되어서 잘한다는 평가를 받는 것일까라는 생각이 든다"고 말했다. 그는 "우리는 항상 후자라고 생각한다. 기술에 있어 지금보다 더 겸손해야 하며, 알지 못하는 것들을 찾기 위해 부단히 노력해야 한다"고 강조했다.

2024.08.27 18:03이나리

'韓 반도체' 미래기술 로드맵 나왔다…CFET·3D 메모리 주목

국내 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위한 전략이 한층 고도화된다. 기존 선정된 45개 연구주제에 더해, CFET과 3D 적층 등 14개 핵심기술이 추가 과제로 선정됐다. 27일 '2024 반도체 미래기술 로드맵 발표회'가 양재 엘타워에서 진행됐다. 앞서 정부는 지난해 5월 반도체 초격차 기술 확보를 위한 반도체 미래기술 로드맵을 발표한 바 있다. 해당 로드맵에는 고집적 메모리·AI 반도체·첨단 패키징 및 소부장 등이 포함됐다. 추진 전략은 크게 설계 소자·설계·공정 등 세 가지로 나뉜다. 세부적으로는 ▲D램·낸드 신소자 메모리 및 차세대 소자 개발 ▲AI·6G·전력·차량용 반도체 설계 분야 원천기술 선점 ▲전·후공정 분야 핵심기술 확보로 소재·장비·공정 자립화 등이다. 이번 발표회에서는 지난해 추진 전략을 고도화한 신규 로드맵이 발표됐다. 반도체 기술이 나노미터(nm)를 넘어 옹스트롬(0.1nm)으로 넘어가는 추세에 선제 대응하기 위해, 연구주제를 기존 45개에서 59개로 총 14개 추가한 것이 주 골자다. 새롭게 추가된 주요 과제로는 CFET과 3D 메모리 등이 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 3D 메모리는 기존 수평으로 집적하던 셀(Cell)을 수직으로 적층하는 기술을 뜻한다. 정부 역시 반도체 분야 R&D 투자에 더 많은 지원을 펼치고 있다. 정부의 예산 투자 규모는 지난해 5천635억원에서 올해 6천361억원으로 12.8% 증가했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "AI 반도체 시장이 부흥하고 있는 만큼 국내에서도 1페타바이트 급의 NPU(신경망처리장치) 개발을 추진할 것"이라며 "하이브리드 본딩과 고방열 소재, 광패키징 등 최첨단 패키징 분야도 새롭게 로드맵에 추가했다"고 밝혔다.

2024.08.27 17:35장경윤

SK하이닉스 "고객사와 CXL 2.0 인증 중…CXL 컨트롤러 개발 착수"

SK하이닉스가 차세대 메모리 'CXL(컴퓨트익스프레스링크)' 2.0 양산 준비에 속도가 붙였다. 또 그동안 중국 팹리스업체 몬타지테크놀로지로부터 구매해서 쓰던 CXL 컨트롤러를 자사 제품으로 대체하기 위해 CXL 컨트롤러 IC 자체 개발에도 착수했다. 박경 SK하이닉스 시스템아키텍처 담당 부사장은 27일 최종원학술원에서 주최한 'AI 대전환 반도체가 이끈다' 세미나 전에 기자들을 만나 “CXL 메모리 모듈은 이미 제품화가 완료된 상태로, 고객이 요청해야 양산이 가능하다”라며 “현재 샘플이 안정화돼 주요 고객사와 시스템 연동을 체크하는 이네이블링(인증)을 진행 중이다”고 밝혔다. 경쟁사인 삼성전자가 지난달 미디어 간담회에서 올해 하반기 중 CXL 2.0 양산을 시작한다고 공식 발표한 것과 달리 SK하이닉스는 아직까지 구체적인 양산 소식이 들려오지 않았다. 하지만 SK하이닉스가 고객사와 활발히 인증 단계를 진행하고 있는 만큼, 양산 준비에 속도가 붙은 것으로 보인다. 박 부사장은 “양산 예정인 CXL 2.0에는 몬타지의 컨트롤러 IC가 탑재되지만, SK하이닉스는 자체 기술을 확보하기 위해 CXL 컨트롤러 IC 개발을 진행 중이다”라고 덧붙였다. 이는 차세대 CXL 메모리에는 자사에서 개발한 컨트롤러 IC를 탑재하겠다는 목표다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 2023년 기준 CXL 컨트롤러 가격은 약 60달러다. SK하이닉스가 CXL 메모리에 자체 개발한 CXL 컨트롤러를 탑재하면, 전체 생산 비용을 절감할 수 있게 된다. CXL은 생성형 AI, 데이터센터 등 처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 증가하면서 최근 HBM과 함께 차세대 메모리로 주목받고 있는 제품이다. SK하이닉스는 CXL을 HBM(고대역폭메모리)에 이어 '차세대 메모리의 새로운 기회'로 보고 생태계 확장에 적극적으로 나서고 있다. SK하이닉스는 2022년 8월 CXL 2.0을 지원하는 96GB D램 샘플을 선보였고, 같은해 10월에는 업계 최초 CXL 기반 연산 기능을 통합한 메모리 솔루션 CMS을 개발했다. 지난해 10월 SK하이닉스는 미국 캘리포니아에서 열린 'OCP 글로벌 서밋 2023'에 참가해 CXL 기반 CMS(컴퓨테이셔널 메모리 솔루션) 메모리 솔루션을 시연하며 기술을 입증했다. 올해 8월에는 미국 산타클라라에서 열린 메밀 행사 'FMS 2024'에서 AI 메모리 제품과 함께 CXL 기능을 통합한 CMS 2.0 제품을 공개했다.

2024.08.27 16:01이나리

"HBM용 하이브리드 본딩은 아직 미완성"…기술적 난제는

"차세대 HBM에 하이브리드 본딩을 적용하면 여러 이점이 있으나, 이 기술은 아직 완성되지 않아 시간이 더 필요하다. 현재로선 CMP와 파티클이라는 두 가지 문제가 가장 큰 허들로 작용하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 지난 26일 한양대학교 'SSA(Smart Semiconductor Academy)'에서 HBM용 하이브리드 본딩 기술에 대해 이같이 말했다. 이날 '어드밴드스 패키징 기술과 미래 전망'을 주제로 발표를 진행한 문 부사장은 "AI 산업 발전에 따라 메모리 패키징 기술도 제품의 성능과 용량을 극대화하는 방식으로 발전해 왔다"며 "HBM도 현재 범프를 쓰고 있으나 결국 하이브리드 본딩으로 나아가기는 할 것"이라고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 각각의 D램은 수십 마이크로미터(㎛) 수준의 작은 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결된다. 이 때 층마다 형성되는 범프의 수는 20만개에 달한다. 다만 기존 본딩 기술은 HBM 분야에서 점차 한계에 직면하고 있다. HBM의 D램 적층 수가 8단, 12단, 16단 순으로 점차 많아지는 반면, HBM 패키지의 두께는 크게 늘어나고 있지 않기 때문이다. 내년 양산될 HBM4의 두께가 775마이크로미터로 이전 세대(720마이크로미터) 대비 늘어날 예정이기는 하나, 임시 방편의 성격이 강하다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. TSV의 간격을 줄일 수 있어 칩 사이즈 축소에도 유리하다. 당초 업계는 HBM4에 하이브리드 본딩 기술이 적용될 것이라고 예상해 왔다. 그러나 HBM4 패키지 두께 완화, 하이브리드 본딩 기술의 미성숙 등으로 여전히 기존 본딩 기술이 채택될 가능성이 높은 상황이다. 문 부사장은 "칩과 칩을 직접 붙이기 위해서는 표면이 굉장히 평평해야 하기 때문에 CMP(화학·기계적 연마) 공정을 거친다"며 "일반 제조 환경에서 요구하는 CMP의 평탄함 정도가 수십 나노미터(nm)인 데 반해, 하이브리드 본딩에서는 수 나노의 미세한 수준을 요구한다"고 설명했다. 그는 이어 "표면이 무작정 평탄해서도 안되고, 어떤 경우에는 디싱(오목하게 들어간 부분)을 고의적으로 수 나노 수준으로 형성하기도 한다"며 "웨이퍼 공정 이후의 패키징 공정에서 발생하는 파티클(미세오염)도 큰 문제"라고 덧붙였다. 패키징은 웨이퍼 상의 칩을 개별 다이(Die)로 분리하는 다이싱(Dicing) 공정을 거친다. 이 때 표면이 갈려나가면서 작은 파티클이 형성되는데, 이는 반도체 수율을 떨어뜨리는 악영향을 미친다. 문 부사장은 "기계적인 다이싱 공정에서는 기존 패키징 단에서는 상상도 할 수 없는 파티클이 발생하게 된다"며 "미세한 파티클을 계측하고, 이를 제거할 수 있는 기술이 필요해 공정적으로 수율 확보가 어려운 상황"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:00장경윤

삼성전자, 퀄컴 차량용 플랫폼에 'LPDDR4X' 공급...첫 협력

삼성전자가 퀄컴의 프리미엄 차량용 플랫폼인 '스냅드래곤 디지털 섀시' 솔루션에 차량용 메모리 LPDDR4X를 공급을 시작했다. 이번 공급은 삼상전자가 퀄컴과 차량용 반도체 분야에서 첫 협력으로, LPDDR4X를 글로벌 완성차 및 자동차 부품 업체 등에 장기 공급할 수 있게 됐다. 삼성전자는 퀄컴 '스냅드래곤 디지털 섀시' 솔루션에 최대 32GB(기가바이트) LPDDR4X를 공급하여 프리미엄 차량용 인포테인먼트(IVI) 시스템을 지원한다. LPDDR4X는 차량용 반도체 품질 기준 'AEC-Q100'을 충족하며 영하 40℃에서 영상 105℃까지의 극한 환경에서도 안정적인 성능을 보장한다. AEC-Q100는 자동차 전자부품 협회에서 자동차에 공급되는 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차를 규정한 문서로 전세계 통용되는 기준이다. 삼성전자는 차량용 LPDDR4X에 이어 차세대 제품인 LPDDR5를 올해 양산 예정이다. 해당 제품은 퀄컴의 차세대 '스냅드래곤 디지털 섀시'에 공급된다. 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 조현덕 상무는 "삼성전자는 경쟁력 있는 메모리 설계 및 제조 역량을 기반으로 고객에 최적화된 차량용 D램 및 낸드 제품 라인업을 구축했다"며 "퀄컴과의 지속적인 협력을 통해 전장 업체를 장기적으로 지원하는 것은 물론 성장하는 차량용 반도체 시장을 적극 공략하겠다"고 밝혔다.

2024.08.27 08:25이나리

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM) 상용화 계획이 가시권에 접어들었다. 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4 설계가 마무리 단계에 접어들어, 4분기 초에 설계 도면을 제조 공정에 넘기는 '테이프아웃'을 진행할 것으로 파악됐다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월 엔비디아향 HBM4에 대한 '테이프아웃'을 완료할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화된 상태로, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기부터 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개 집적한 것이 특징이다. D램 적층 수는 제품 개발 순서에 따라 12단·16단으로 나뉜다. 엔비디아의 경우 2026년 출시 예정인 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 채용할 것으로 관측된다. 이에 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4를 공급하기 위한 개발팀을 꾸리고 설계를 진행해 왔다. 최근에는 설계가 마무리 단계에 접어들어, 오는 10월 테이프아웃 일정을 확정했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 실제 제조 환경에서 양산용 개발이 이뤄지기 때문에, 칩 상용화를 위한 핵심 과정으로 꼽힌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 AMD를 위한 HBM4 개발팀을 각각 꾸려 제품을 개발해 왔다"며 "엔비디아향 HBM4 테이프아웃은 10월에 진행될 예정이며, AMD향 테이프아웃은 연말이 목표"라고 설명했다. 한편 SK하이닉스는 HBM4의 코어다이로 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 활용한다. HBM은 D램을 집적한 코어다이와 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이로 나뉜다. 앞서 SK하이닉스는 올해 상용화를 시작한 HBM3E에도 1b D램을 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 HBM4에 1c D램(10나노급 6세대 D램) 적용을 추진하는 등 기술적 변혁을 시도하고 있으나, SK하이닉스는 안정성에 무게를 둔 것으로 풀이된다. 로직다이의 경우 주요 파운드리인 TSMC의 공정을 통해 양산한다. 현재 SK하이닉스가 채택한 TSMC의 공정은 12나노미터(nm)와 5나노급 공정으로 알려져 있다.

2024.08.26 14:23장경윤

日 키옥시아, 10월 상장 임박...SK하이닉스 투자금 회수하나

일본의 낸드 메모리 업체 키옥시아가 23일 도쿄증권거래소에 상장신청서를 제출했다. 키옥시아가 상장에 성공해 높은 기업가치를 인정받을 경우, 주요 투자자인 SK하이닉스가 투자금을 회수할 수 있을지에 주목된다. 23일 일본 니혼게이자신문(닛케이)은 키옥시아가 이날 도쿄증권거래소에 상장신청서를 제출했으며, 오는 10월에 상장하는 것을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 키옥시아는 인공지능(AI) 분야에서 메모리 수요가 급증함에 따라 상장을 서두르는 것으로 파악된다. 키옥시아는 이번 상장을 통해 1조5천억엔(103억 달러, 13조7천억원) 이상의 시가총액을 달성할 것으로 예상된다. 이는 올해 도쿄증권거래서에서 가장 큰 신규주식 공모가 될 전망이다. 키옥시아는 상장에서 확보한 자금을 AI용 메모리 투자와 생산확대에 사용할 계획이다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각돼 현재 사명을 갖게됐다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 기준 낸드 시장에서 1위 삼성전자(36.7%), 2위 SK하이닉스(22.2%)에 이어 키옥시아는 12.4% 점유율로 3위다. 키옥시아의 최대 주주는 56% 지분을 보유한 미국계 사모펀드인 베인캐피털이다. SK하이닉스는 2018년 베인캐피털이 주도한 한미일 연합 컨소시엄에 약 4조 원을 투자하면서 키옥시아의 15%의 지분을 확보했다. 도시바는 41%의 지분을 보유하고 있다. SK하이닉스는 지금까지 키옥시아에 대한 투자가 수익을 창출하지 못해 '아픈 손가락'이었다. 그러나 키옥시아가 상장에 성공할 경우, SK하이닉스는 상당한 규모의 투자금을 회수할 수 있을 것으로 기대된다. SK하이닉스의 올해 반기보고서에 따르면, 키옥시아 특수목적법인(BCPE Pangea Intermediate Holdings Cayman)은 올해 상반기에 1천912억원의 평가손실을 기록한 바 있다. 닛케이는 키옥시아의 상장 시점에 기업가치가 1조5천억엔을 넘어설 경우, 2018년 소프트뱅크 그룹의 통신 계열사인 소프트뱅크가 상장한 이래 역대 최대 규모가 될 것으로 예상했다. 한편, 지난해 키옥시아는 낸드 시장에서 경쟁력을 강화하기 위해 미국 웨스턴디지털 메모리 부문과 합병을 추진했으나, 업황 부진 등의 이유로 무산된 바 있다. 기업 통합에는 투자의 동의가 필요한데, 당시 SK하이닉스는 컨콜에서 "키옥시아에 투자한 자산과 가치에 미치는 영향을 종합적으로 고려해서 합병 건에 대해 동의하지 않는다"라고 밝혔다.

2024.08.23 17:46이나리

'200단 식각' 벽 뚫었다…램리서치 "400단 낸드에 도입 적극 검토"

반도체 장비 업체인 램리서치가 최근 출시한 반도체 식각 기술 'Cryo 3.0'의 시장 확대를 자신했다. 해당 기술은 낸드 셀을 200단 이상 한 번에 식각할 수 있어, 고적층 낸드의 개발을 가속화할 수 있을 것으로 기대된다. 주요 메모리 고객사 역시 400단 이상 낸드에 Cryo 3.0을 도입을 적극 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 23일 램리서치는 서울 종로구 포시즌스호텔에서 'Cryo 3.0 인포 세션'을 열고 회사의 최신 식각 기술 및 사업 로드맵을 소개했다. 램리서치는 전 세계 5대 주요 반도체 장비업체 중 한 곳으로, 한국법인은 지난 1989년 설립됐다. 현재 반도체 제조공정의 핵심인 식각·증착·세정용 장비를 주력으로 개발하고 있다. ■ 한 번에 '200단' 식각도 가능…"고객사 반응 긍정적" 최근에는 극저온 유전체 식각 기술인 Lam Cryo 3.0을 출시했다. 식각은 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. 특히 셀을 수백층 쌓아야 하는 3D 낸드 산업의 경우, 전자가 이동하기 위한 채널 홀(구멍)을 매우 깊게 뚫어야 하기 때문에 식각 기술의 중요도가 높다. Lam Cryo 3.0는 채널 홀을 최대 10마이크로미터(um) 수준으로 구현하며, 비(非) 극저온 식각 기술 대비 속도가 2.5배 빠르다. 식각의 정밀성도 높다. Cryo 3.0의 프로파일 편차는 0.1% 수준으로, 기존 대비 2배가량 개선됐다. 프로파일이란 채널 홀이 위부터 아래까지 얼마나 균일하게 형성됐는지를 나타내는 척도다. 김태원 램리서치 유전체 식각사업 부문장 겸 CVP는 "현재 양산되고 있는 낸드 기준, Cryo 3.0은 200단 이상까지 한 번에 홀을 뚫을 수 있을 것"이라며 "현재 몇몇 고객사들이 400단 이상 낸드에 Cryo 3.0을 적용하는 방안을 적극적으로 검토하고 있다"고 설명했다. 현재 상용화된 3D 낸드는 한 번에 뚫을 수 있는 채널 홀이 150~170단 수준이다. 채널 홀이 형성된 셀 층을 2개(더블 스택), 3개(트리플 스택) 등으로 쌓으면 200단 이상의 낸드를 만들 수 있다. 다만 스택이 늘어날 수록 제조 공정이 길어지고 안정성이 떨어지기 때문에, 메모리 제조사 입장에서는 한 번에 최대한 많은 채널 홀을 뚫는 것이 좋다. 이를 고려하면 Cryo 3.0 기술 도입 시 고적층 낸드를 더 효율적으로 개발할 수 있을 것으로 분석된다. 이 같은 식각 기술을 구현하기 위한 핵심 요소는 극저온이다. 식각 환경의 온도가 낮으면 화학적 반응성이 낮아지기 때문에, 더 정밀한 식각이 가능해진다. 또한 기존 식각 시 필요한 탄소 기반의 보호막을 형성하지 않아도 돼, 탄소 배출량을 크게 저감한다. ■ "1000단 낸드 시대, 식각과 본딩 기술 모두 중요" Cryo 3.0 등 극저온 식각이 양산 공정에서 구현하는 온도는 -63°C 수준이다. 온도를 더 낮출수록 식각 성능이 올라가긴 하지만, 주변의 다른 화학 반응 및 생산 효율성을 감안하면 현재 -63°C가 양산에 가장 적합하다는 게 램리서치의 설명이다. 램리서치는 향후에도 Cryo 기술을 고도화해 1000단 낸드용 식각 시장을 선점하겠다는 계획이다. 김태원 부문장은 "Cryo와 같은 새로운 식각 기술 등이 나오게 되면, 본딩에만 의거하지 않고 1000단 낸드를 개발할 수 있는 방향이 나오지 않을까 조심스럽게 예상해 본다"며 "다만 셀과 페리를 나눠서 붙이거나, 셀과 셀을 붙이는 등의 본딩 기술도 필요할 것이라고 본다"고 밝혔다. 현재 낸드는 셀과 셀 구동을 위한 주변 회로인 페리가 한 장의 웨이퍼 위에서 만들어진다. 보통 페리가 셀 아래에 위치해 있어 '페리 언더 셀(PUC)', 셀 온 페리(COP)' 등으로 부른다. 다만 셀 적층 수가 올라갈 수록 현재 방식으로는 페리에 가해지는 부담이 커진다. 이에 업계는 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조하고, 각 웨이퍼를 연결하는 하이브리드 본딩 기술이 주목받고 있다. 메모리 제조사가 이 기술을 도입하는 시기는 400단 낸드부터로 관측된다.

2024.08.23 15:30장경윤

마우저, AMD의 최신 AI·엣지 반도체 제공

반도체 및 전자부품 유통기업 마우저일렉트로닉스는 AMD의 최신 AI(인공지능) 및 엣지용 반도체를 공급한다고 밝혔다. 마우저는 AMD 알베오 V80 컴퓨팅 가속기 카드 판매를 시작했다. 이 가속기는 대규모 데이터 세트를 가진 메모리 의존적 애플리케이션을 위해 HBM2E D램을 통합한 AMD 버설 HBM 적응형 SoC(adaptive system-on-chip)를 기반으로 한다. 또 FPGA의 적응형 기능을 제공한다. 마우저가 공급 중인 알베오 MA35D 미디어 가속기는 고밀도, 초저지연 스트리밍을 위해 설계된 ASIC(application-specific integrated circuit)을 기반의 AI 지원 비디오 프로세싱 PCIe 카드다. 이 가속기는 비디오 품질 전용 엔진과 통합 AI 프로세서를 갖추고 있어, 비트 전송률을 최소화하면서도 인식되는 시각적 품질을 향상할 수 있다. AMD 크리아 SOM(시스템온모듈)은 징크 울트라스케일+ MPSoC(multiprocessor systems-on-chip)을 기반으로 한다. 크리아 SOM은 커넥터 호환이 가능한 상호 보완적인 두 종의 제품으로 공급된다. 비용에 최적화된 디지털 신호 처리(DSP) 애플리케이션과 중간급 비전 AI 및 로보틱스에 활용될 수 있다. 크리아 SOM에는 DDR 메모리와 비휘발성 메모리, 보안 모듈 및 방열 솔루션이 포함됐다. 솔루션별로 특화된 주변장치와 함께 캐리어 카드에 삽입할 수 있도록 설계됐다. 마우저는 비전 AI, 로보틱스 및 모터 제어 등 애플리케이션별로 특화된 스타터 키트(starter kit)도 공급한다. 버설 HBM 시리즈 VHK158 평가 키트는 AMD 버설 HBM VH1582 적응형 SoC가 탑재됐다. 이 키트는 데이터센터, 유선 네트워킹, 테스트 및 측정, 우주항공 애플리케이션 등 컴퓨팅 집약적인 메모리 의존적 애플리케이션에서 필요로 하는 대용량 메모리를 지원한다.

2024.08.23 12:19이나리

SK하이닉스 "핵심 소재·부품 빠르게 수급해 AI 메모리 리더십 지키겠다"

김성한 SK하이닉스 부사장이 22일 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 'HBM(고대역폭메모리) 1위 수성'이라는 전사 목표 달성을 지원하기 위해 구매 본연의 업(業)에 집중하고 있다고 강조했다. 그는 "우리의 목표는 핵심 소재·부품을 빠르게 수급해 회사의 AI 메모리 시장 리더십을 지키고, 설비투자비(CapEx)와 유지보수비를 효율적으로 관리해 경영 목표를 달성하는 데 기여하는 것"이라며 "장기적으로는 총소유비용(TCO)을 줄이면서 미래 반도체 개발을 원활히 수행하도록 지원하는 것이 목표다"고 밝혔다. 김성한 부사장은 SK하이닉스에서 FE구매 담당을 총괄한다. FE구매는 전공정(Front-End)에 필요한 소재·부품·장비를 구매해 현업에 공급하는 조직이다. 품질, 비용, 기술은 기본이며, 배송 전반을 관리하고 수요까지 예측해 업무 간 유기적인 연결을 최적화하는 역할을 맡는다. 이 과정에서 FE구매 구성원들은 총소유비용 절감 전략 수립, 생산능력(CAPA) 확보, 공급업체 최적화, 물량 배분 등을 통해 구매 경쟁력을 높이고 있다. 김 부사장은 "FE구매를 비롯한 구매 조직은 양질의 소부장을 확보하면서도 원가는 절감해 제품 경쟁력을 높이는 일을 한다"라며 "과거 조달구매 중심이었던 조직의 역할이 최근에는 기술구매, 글로벌 소싱, 공급망 생태계 관리 등으로 확대되면서 대내외적으로 중요성이 커졌다. 그 중에서도 FE구매는 웨이퍼 생산에 필요한 필수 소재, 극자외선(EUV) 노광 장비 같은 핵심 장비를 적시에 공급하는, 중요한 역할도 수행하고 있다"고 설명했다. SK하이닉스는 확대된 역할을 한층 효과적으로 해내기 위해 최근 조직 개편을 진행했다. FAB원자재 구매의 경우 개발과 양산 조직을 통합해 유기적으로 협업할 환경을 조성했다. 또 장비·부품구매 조직의 역할을 명확히 하는 한편, 공급망 관리 및 준법 활동을 담당하는 '구매Compliance전략 조직'도 신설했다. 이를 통해 FE구매는 전문성과 유연성을 높이며 다양한 이슈를 해결해 나갈 기반을 갖추게 됐다는 평가가 나온다. 김 부사장은 "구매의 역할이 다양해지고 비중이 커지고 있지만 결국 가장 중요한 것은 기본으로 돌아가(Back To The Basic) 구매 본연의 업무를 충실히 하는 것"이라고 강조했다. 이어서 그는 "다운턴 당시, 구매는 투자를 줄이고 원가 경쟁력을 높여 전사적 비용 절감에 힘을 보탰다. 또 수시로 단가 협상을 했고, 제조·기술 조직과 협업 아이템을 발굴하며 유지보수비(OpEx)를 줄인 것이 주효했다"라며 "동시에 불안정한 국제정세, AI 붐과 같은 변수들에도 대처하면서 공급망 확보, 지속적인 납기 점검, 생산능력 확충 등을 통해 요동치는 메모리 수요에 안정적으로 대응할 수 있었다"고 말했다. SK하이닉스는 공급망을 다변화해 원가를 낮추고 단일 공급망에서 발생할 수 있는 리스크를 줄이는 데 힘썼다. 이를 위해 협력사에 ESG 컨설팅을 제공하고 탄소 저감 관련 현장 평가를 수행하는 등 공급망 ESG 관리도 시행했다. 유관부서 협업, 협력사 교류를 통해 다방면의 마켓 인텔리전스(MI)를 확보하고 시황 예측 체계도 고도화했다. 김 부사장은 "이 모든 것은 '경쟁력 있는 구매를 실현한다'는 본연에 집중했기에 가능했다"고 밝혔다. 그는 현재의 반도체 시장을 '장밋빛'으로만 바라볼 수 없다고 진단하며, 다가올 미래를 대비하는 데 계속해서 힘쓰겠다는 뜻을 전했다.

2024.08.22 09:46이나리

에이엘티, 비메모리 반도체 테스트 장비 셋업...4분기 매출 기대

비메모리 반도체 후공정 테스트 전문기업 에이엘티가 지난달 비메모리 반도체 테스트용 첫 장비 셋업을 진행하며 사업 확장에 속도를 낸다. 에이엘티는 올해 4월 195억원 규모의 비메모리 반도체 테스트용 장비 발주를 시작으로 7월 첫 장비를 취득해 가동을 위한 셋업을 진행중이라고 20일 밝혔다. 셋업이 완료되는 즉시 가동을 시작해 올해 4분기부터 매출이 가시화될 전망이다. 또한, 메모리 컨트롤러 웨이퍼 테스트, 시스템온칩(SOC) 테스트 등의 신규 생산기지인 오창테크노밸리 신공장 건설을 위한 준비도 순조롭게 진행되고 있다. 에이엘티 회사관계자는 "지난달 취득한 비메모리 반도체 테스트용 장비 셋업 준비와 신규 테스트 제품을 확대하는 등 비메모리 반도체 사업 진행 및 확장에 있어 긍정적인 성과를 보이고 있다"라며 "회사는 안정적인 사업 확장을 위한 지속적인 투자와 연구개발에 박차를 가하고 있다"고 설명했다. 이덕형 에이엘티 대표이사는 "비메모리 반도체 사업에서 좋은 성과를 낼 수 있도록 에이엘티 임직원 모두 최선을 다 할 것"이라며 "내년에는 더욱 성장한 에이엘티가 될 수 있도록 노력하겠다"고 설명했다.

2024.08.20 09:32이나리

SK하이닉스 "애플·엔비디아 등 M7 맞춤형 HBM 요청중"

류성수 SK하이닉스 부사장은 "M7(매그니피센트7)에서 모두 찾아와 HBM(고대역폭 메모리) 커스텀(맞춤형 제작)을 해달라는 요청을 하고 있다"고 말했다. M7은 탠더드앤드푸어스(S&P) 500 기업 중 대형 기술주 7개 종목인 애플, 마이크로소프트, 구글 알파벳, 아마존, 엔비디아, 메타, 테슬라를 의미한다. 류 부사장은 19일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 SK그룹의 '이천포럼 2024'에서 이 같이 밝히며 "주말 동안 M7 업체들과 전화를 하며 쉬지 않고 일을 했다"며 "그들(M7)의 요청을 만족하게 하기 위해 내부적으로, 한국 전체적으로도 굉장히 많은 엔지니어링 리소스(자원)가 필요한데 이를 확보하려고 다방면으로 뛰어다니고 있다"고 말했다. 이어서 그는 "커스텀 제품과 관련한 요구 사항이 많아지는 등 패러다임의 큰 전환점에 직면했다"며 "이 기회를 잘 살리면서 메모리 사업을 지속 발전시켜가겠다"고 덧붙였다. HBM은 고성능 메모리로 많은 양의 데이터를 처리할 수 있어 인공지능(AI) 가속기에 필수적으로 사용되고 있다. 최근에는 AI 반도체 기업들이 자사 기술의 특징에 맞는 맞춤형 HBM을 요구하기 시작했다. HBM 시장 세계 1위인 SK하이닉스는 내년 하반기 맞춤형 HBM인 6세대 HBM4을 파운드리 업체인 TSMC와 협력해 준비 중이다. SK하이닉스는 두 가지 방향의 AI 메모리 전략도 소개했다. 류 부사장은 "AI 시장이 세분화하면서 지금의 HBM보다 성능과 저전력에서 20~30배 개선되고 차별화한 (메모리) 제품을 목표의 한 가지 축으로 전개해야 할 것"이라고 밝혔다. 이번 포럼에는 최태원 SK그룹 회장을 비롯해 최재원 수석부회장, 최창원 SK수펙스추구협의회 의장, 박상규 SK이노베이션 사장, 유영상 SK텔레콤 사장, 곽노정 SK하이닉스 사장, 이석희 SK온 사장 등이 참석했다.

2024.08.19 22:56이나리

"땡큐 HBM" SK하이닉스, 2분기 D램 점유율 나홀로 상승

SK하이닉스는 수익성이 높은 HBM(고대역폭메모리) 매출 1위에 힘입어 2분기 D램 시장에서 SK하이닉스만 유일하게 점유율이 전분기 보다 상승했다. 삼성전자는 점유율 1위를 유지했다. 16일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 2분기 D램 매출은 229억 달러(약 31조원)으로 전분기 보다 24.8% 증가했다. 메모리 업황 회복으로 인해 주요 업체인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 모두 2분기 출하량이 전분기 보다 증가했다. 또 2분기 D램 평균판매가격(ASP)은 전분기 보다 13~18% 증가하면서 1분기에 이어 상승세를 이어갔다. 가격 상승에는 HBM 제품의 높은 수요가 크게 반영된 것으로 파악된다. 1위 삼성전자는 D램 매출 98억2천만 달러(13조4천억원)으로 전분기 보다 22% 증가했다. 삼성전자 D램 ASP는 17~19% 증가하면서 실적 상승을 이끌었다. 다만 시장 점유율은 1분기 43.9%에서 2분기 42.9%로 소폭 감소했다. 2위 SK하이닉스는 2분기 매출 79억1천100만 달러로 전분기 보다 38.7% 늘었고, 점유율은 34.5%로 1분기(31.1%) 보다 3.4%포인트 증가했다. SK하이닉스는 상위 6개 D램 업체중에서 가장 높은 매출 증가를 기록했으며, 시장 점유율이 유일하게 올랐다. 이 같은 실적은 SK하이닉스 HBM3E이 세계 최초로 고객사 엔비디아의 인증을 받고, 대량 출하하면서 비트 출하량이 20% 이상 증가한 덕분이다. 3위 마이크론은 2분기 매출이 전분기 보다 14.1% 증가한 45억달러를 기록했다. ASP가 약간 감소했음에도 불구하고 비트 출하량이 15~16% 증가했다. 2분기 마이크론 점유율은 19.6%로 1분기(21.5%) 보다 감소했다. SK하이닉스는 2분기 영업 이익률에서도 가장 높았다. SK하이닉스의 2분기 영업이익률은 45%로 전분기(33%) 보다 12%(P)포인트 크게 올랐다. 삼성전자의 영업이익률은 1분기의 22%에서 2분기 37%로 증가했고, 마이크론은 6.9%에서 13.1%로 개선됐다. 트렌드포스 2분기에 이어 3분기에도 D램 가격이 상승세를 유지할 것으로 전망했다. 트레드포스는 3분기 D램 계약가격이 전분기 보다 8~13% 인상으로 상향 조정했다. 이는 이전 예측보다 5% 포인트 올린 것이다. D램 제조업체들은 지난달 말 PC 업체, 클라우드 서비스공급자(CSP)와 3분기 계약 가격 협상을 마무리했다. 트렌드포스는 “삼성전자는 HBM3E 제품 검증 후 적시 출하하기 위해 2분기에 HBM3E용 웨이퍼 생산을 시작했다. 이는 올해 하반기 DDR5 생산 일정에 영향을 미칠 가능성이 높다”라며 “SK하이닉스와 삼성은 DDR5보다 HBM 생산을 우선시하고 있어 D램 가격이 향후 분기에 하락할 가능성이 낮다”고 분석했다.

2024.08.16 16:24이나리

AMAT, 회계연도 3분기 매출 67.8억 달러…전년比 5% 증가

미국 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 7월 28일 마감한 2024 회계연도 3분기 매출이 지난 해보다 5% 증가한 것으로 나타났다. 어플라이드는 16일 회계연도 3분기 글로벌 매출은 미국 회계기준으로 67억8천만 달러로, 매출총이익률 47.3%를 기록했다고 발표했다. 영업이익과 영업이익률은 각각 19억4000만 달러와 28.7%였다. 주당순이익(EPS)은 2.05달러를 기록했다. 비일반회계기준(Non-GAAP)으로는 ▲매출총이익률 47.4% ▲영업이익 19억5천만 달러 ▲영업이익률 28.8% ▲주당순이익 2.12달러를 기록했다. 어플라이드 머티어리얼즈는 영업활동을 통해 23억9천만 달러 현금을 확보했으며, 8억6천100만 달러의 자사주 매입과 3억3천100만 달러의 배당금을 포함해 총 11억9천만 달러를 주주에게 환원했다. 게리 디커슨(Gary Dickerson) 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 "어플라이드는 해당 분기 예상을 상회하는 기록적인 매출을 달성했다”며 “AI 리더십 경쟁으로 인해 독보적이면서도 연결성이 뛰어난 어플라이드 제품과 서비스 포트폴리오에 대한 수요가 증가하고 있다"고 밝혔다. 어플라이드 실적 관련 자세한 내용은 어플라이드 머티어리얼즈 웹사이트에서 확인할 수 있다.

2024.08.16 15:47장경윤

SK하이닉스, '하이-NA' EUV 장비 2026년 첫 도입

SK하이닉스가 최선단 메모리를 위한 하이(High)-NA EUV 기술 개발을 가속화한다. 오는 2026년 ASML로부터 첫 하이-NA EUV 설비를 1대 도입할 예정으로, 현재 관련 연구개발 팀 신설 및 인력 확충에도 만전을 기하고 있는 것으로 알려졌다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 2026년 하이-NA EUV 설비를 도입할 예정이다. 지난 12일 열린 '차세대 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에 참석한 SK하이닉스 EUV소재기술 담당 임원은 기자와 만나 "하이-NA EUV 설비는 2026년 도입할 예정"이라며 "현재 회사에 하이-NA EUV 개발 인력이 더 많아지고 있다"고 설명했다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이한 광원이다. 7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체, 1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다. High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다. NA는 렌즈 수차로, 해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다. 기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로, High-NA EUV는 0.55로 더 높다. 다만 EUV 노광장비는 기술적 난이도가 매우 높은 기술로, 현재로선 전 세계에서 네덜란드 장비회사인 ASML만이 유일하게 양산 가능하다. 때문에 장비 수급에 여러 제약 사항이 있으며, 장비 가격도 매우 비싸다. 실제로 ASML의 첫 High-NA EUV 장비인 'EXE:5000' 모델은 5천억 원을 호가하는 것으로 알려져 있다. 그럼에도 EXE:5000은 인텔과 TSMC, 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 메모리 기업으로부터 뜨거운 관심을 받고 있다. 해당 설비를 처음 주문한 기업은 인텔로, ASML은 지난해 12월 미국 오리건주에 위치한 인텔 'D1X'에 EXE:5000을 출하한 바 있다. 삼성전자 등도 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 것으로 알려졌다. SK하이닉스도 2026년 설비를 1대 도입해, High-NA EUV에 대한 연구개발을 적극 진행할 예정이다. 설비를 도입하는 팹이나 추가 투자 향방 등 구체적 계획은 밝혀지지 않았으나, 이르면 0a(한 자릿수 나노급 D램)에 양산 적용될 수 있을 것으로 전망된다. 이와 관련, SK하이닉스는 High-NA EUV 기술개발을 위한 팀을 지난해 말 별도로 구성하기도 했다. 기존에도 회사 내 EUV 및 High-NA EUV를 포괄적으로 개발하는 조직이 존재했으나, 이를 세분화해 전문성을 강화하려는 전략으로 풀이된다. 한 SK하이닉스 소속 엔지니어는 "최근 High-NA EUV 팀이 신설돼 여기에 합류해 연구개발을 진행 중"이라며 "최선단 D램에 관련 기술을 적용하는 방안을 꾸준히 검토하고 있다"고 설명했다. 이와 관련해 SK하이닉스 측은 "당사 조직 운영 관련해서는 구체적으로 확인해줄 수 없다"고 밝혔다.

2024.08.16 10:38장경윤

무디스, SK하이닉스 전망 '안정적' 상향…"수익·현금흐름 개선"

국제 신용평가사 무디스(Moody's)는 SK하이닉스의 기업신용등급을 'Baa2'로 유지하고, 전망을 종전의 '부정적(Negative)'에서 '안정적(Stable)'으로 상향 조정했다고 14일 밝혔다. 무디스는 SK하이닉스가 메모리 가격 상승과 AI 부문의 경쟁력에 힘입어 최근 수익과 현금흐름이 크게 개선됐다며, 향후 12~18개월의 기간 동안 이러한 개선세를 계속 유지할 것으로 전망했다. SK하이닉스는 AI 메모리 생산능력 확충을 위한 CAPEX(자본적 지출) 증가에도 부채는 감소할 것으로 전망된다. 실제로 회사는 지난 2분기 4조원의 차입금을 줄였다. 또한 무디스는 HBM, 서버용 DDR5 등 D램 기술력에 eSSD 등 낸드 사업 경쟁력까지 더해지며, 2025년 회사의 EBITDA가 39조원까지 증가할 것이라고 내다봤다. 한편 지난 7일 글로벌 신용평가사 S&P도 SK하이닉스의 실적 성장세와 안정적인 현금흐름에 주목해 신용등급을 기존 'BBB-'에서 역대 최고 등급인 'BBB'로 상향한 바 있다.

2024.08.14 17:28장경윤

SK하이닉스, 구글 웨이모 로보택시에 'HBM2E' 공급…"HBM3도 적용 가능"

"자동차 산업에서 자율주행 기술이 활발히 도입되면서, 고성능 메모리 솔루션도 증가하고 있습니다. SK하이닉스도 구글 웨이모의 로보택시에 유일하게 HBM2E 제품을 공급했습니다. HBM3도 이제는 자동차 응용 산업에서 채용이 될 수 있어, 상용화를 위한 준비를 하고 있습니다." 14일 강욱성 SK하이닉스 부사장은 JW메리어트 서울에서는 열린 '제7회 인공지능반도체포럼'에서 최첨단 차량용 메모리 솔루션에 대해 이 같이 밝혔다. 현재 자동차 산업은 자율주행 기술 및 인-비하이클 AI 기술을 적극 도입하고 있다. 이에 따라 차량용 시스템 아키텍처도 변화가 일어나고 있으며, 고성능 반도체의 필요성이 대두되고 있다. 강 부사장은 "과거에는 30개에서 100개 이상의 기능별 ECU(전자제어장치)가 탑재됐으나, 미래에는 1~2개의 중앙 컴퓨터가 다양한 기능을 모두 수행하는 '조널 아키텍처'가 요구된다"며 "소프트웨어 업데이트 만으로도 신규 기능을 추가하거나 조절할 수 있는 SDV(소프트웨어 정의 차량)도 이러한 추세를 부추기고 있다"고 설명했다. 자동차가 처리하는 데이터 처리량 증가는 메모리 수요의 확대를 촉진할 것으로 예상된다. 예를 들어 자율주행 3단계 수준의 ADAS(첨단운전자보조시스템)에서 D램은 최대 128GB(기가바이트), 1TB(테라바이트)의 낸드가 탑재된다. 자율주행 4단계에서는 최대 384GB D램, 4TB 낸드가 채용될 전망이다. SK하이닉스 역시 차량 및 자율주행 기술을 위한 다양한 메모리 솔루션을 개발해 왔다. 저전력 특성의 LPDDR D램, UFS(유니버설 플래시 스토리지) 등이 대표적이다. HBM(고대역폭메모리)도 자율주행 시장에서 채용이 확대될 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 데이터 처리 성능을 일반 D램 대비 크게 끌어 올렸다. 강 부사장은 "구글 웨이모의 로보택시에도 이미 SK하이닉스의 HBM2E(3세대 HBM)가 탑재된 바 있다"며 "현재 AI와 HPC(고성능컴퓨팅)에서 주목받는 HBM3(4세대 HBM)도 차량용 분야에서 채용이 될 수 있어 인증 등 상용화 준비를 하고 있다"고 설명했다. 그는 또 "LPDDR의 경우 현재는 LPDDR4 제품이 주류이나, 향후에는 LPDDR5와 개선 버전의 채용이 확대될 것"이라며 "UFS는 차량용으로 3~4년 전부터 도입됐고, 차량용 고성능 SSD도 최근 상용화가 시작됐다"고 설명했다.

2024.08.14 10:02장경윤

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