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삼성 반도체 50주년에 맞은 위기...새로운 신조 만든다

삼성전자가 반도체 사업 50년을 맞아 '반도체인(人) 신조'를 새롭게 만들며 혁신에 나선다. 1983년 '반도체인의 신조'라는 10가지 행동 다짐을 만들어낸 지 31년 만이다. 23일 업계에 따르면 삼성전자 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문은 사내 게시판을 통해 이달 10일부터 25일까지 'DS인의 일하는 방식'을 제정하기 위해 임직원을 대상으로 의견을 받고 있다. 이를 두고 업계에서는 최근 삼성전자의 반도체 위기론이 나오고 있는 상황에 '조직 문화 쇄신'으로 위기를 극복한하려는 의지라고 해석하고 있다. 삼성전자는 1974년 한국반도체를 인수하면서 반도체 사업을 시작해 올해 50주년을 맞는다. 삼성전자는 1983년 메모리 반도체 사업에 도전하면서 직원들의 의지를 다지기 위해 ▲안된다는 생각을 버려라 ▲큰 목표를 가져라 ▲일에 착수하면 물고 늘어져라 ▲지나칠 정도로 정성을 다하라 등으로 구성된 10가지 행동다짐 '반도체인 신조'를 제정했다. 반도체인 신조는 삼성전자가 메모리 반도체 세계 1위에 오르고 이를 굳건히 하는 구심점이 됐다. 그러나 최근 삼성전자는 메모리 초격차가 흔들리고 있고, AI 시장에서 고대역폭메모리(HBM) 기술이 경쟁사인 SK하이닉스에 밀리고 있다는 평가를 받는다. 파운드리 사업에서는 적자 지속과 함께 대형 고객사를 확보하는데 어려움을 겪고 있고, 반도체 인재 유출 문제도 끊임없이 제기되고 있다. 또 노사 갈등으로 올해 창사 이례 처음으로 파업에 들어가기도 했다. 삼성전자 관계자는 "50년간 이어진 반도체의 신조가 새로운 모습으로 재탄생해야 할 때"라며 "반도체인의 신조를 계승하되, 현재의 가치를 반영해 모두가 공감할 수 있는 문장으로 수립하고자 한다"고 말했다. 앞서 삼성전자는 지난 5월 반도체 위기를 극복하기 위해 미래사업기획단장을 맡고 있던 전영현 DS부문장(부회장)을 새로운 반도체 수장으로 임명했다. 전 부회장은 취임 후 첫 메시지로 "메모리사업부장 이후 7년 만에 다시 DS로 돌아오니 그 사이 사업 환경도, 회사도 많이 달라졌다는 것을 느끼게 된다. 무엇보다 우리가 처한 반도체 사업이 과거와 비교해 매우 어려운 상황이라는 것을 절감하고 있다"며 "경영진과 구성원 모두가 한마음으로 힘을 모아 최고 반도체 기업의 위상을 되찾기 위해 다시 힘차게 뛰어보자"고 전했다. 이어 그는 지난 8월 2분기 실적 발표 이후 경쟁력 강화의 일환으로 새로운 조직 문화인 '코어(C.O.R.E.) 워크'를 제시했다. C.O.R.E는 문제 해결 및 조직 간 시너지를 위해 효과적으로 소통하며(Communicate), 직급 및 직책과 무관한 치열한 토론으로 결론을 도출하고(Openly Discuss), 문제를 솔직하게 드러내어(Reveal), 데이터 기반으로 의사결정하고 철저하게 실행하는(execute)를 뜻한다. 전 부회장은 "현재 우리는 어려운 상황에 처해있지만, 반도체 고유의 소통과 토론 문화, 축적된 연구 경험과 노하우를 토대로 빠르게 경쟁력을 회복할 수 있으리라 믿어 의심치 않는다"라며 "하반기를 DS부문에 다시없을 기회로 만들어 나가자"라고 밝혔다.

2024.09.23 18:28이나리

SK하이닉스, CXL 최적화 솔루션 '리눅스'에 탑재…SW 강화

SK하이닉스가 메모리 소프트웨어 경쟁력을 높인다. SK하이닉스는 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 메모리의 구동을 최적화해주는 자사의 소프트웨어인 'HMSDK'의 주요 기능을 세계 최대 오픈소스 운영체제 리눅스에 탑재했다고 23일 밝혔다. CXL은 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU, GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스다. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있다. HMSDK는 SK하이닉스 고유의 이종(異種) 메모리 소프트웨어 개발 도구로 CXL 메모리를 포함한 이종 메모리 시스템의 성능을 향상시켜준다. SK하이닉스는 “CXL메모리는 HBM을 이을 차세대 AI 메모리로 주목받는 제품으로, 당사는 자체 개발한 CXL 최적화 소프트웨어인 HMSDK의 성능을 국제적으로 인정받아 이를 세계 최대 오픈소스 운영체제인 리눅스에 적용하게 됐다”며, “HBM 등 초고성능 하드웨어 메모리뿐 아니라 소프트웨어 경쟁력도 인정받게 됐다는 데 큰 의미가 있다”고 강조했다 앞으로 리눅스를 기반으로 일하는 전세계 개발자들이 CXL 메모리를 이용할 때 SK하이닉스의 기술을 업계 표준(Standards)으로 삼게 돼, 회사는 향후 차세대 메모리와 관련한 글로벌 협력을 해나가는 데 있어 유리한 입지를 점하게 될 것으로 기대하고 있다. HMSDK는 기존 메모리와 확장된 CXL 메모리 간의 대역폭에 따라 차등적으로 메모리를 할당해 기존 응용 프로그램을 조정하지 않고도 메모리 패키지의 대역폭을 30% 이상 확장시켜 준다. 또, 이 소프트웨어는 자주 사용하는 데이터를 더 빠른 메모리로 옮겨주는 '접근 빈도 기반 최적화' 기능을 통해 기존 시스템 대비 성능을 12% 이상 개선시켜 주는 것으로 확인됐다. 반도체 업계는 올 하반기 중 'CXL 2.0' 규격이 적용된 첫 서버용 CPU가 시장에 출시되면서 CXL이 본격 상용화 단계에 접어들 것으로 보고 있다. 이에 맞춰, SK하이닉스도 96GB(기가바이트), 128GB 용량의 CXL 2.0 메모리에 대한 고객사 인증을 진행 중이며, 연말 양산을 계획하고 있다 SK하이닉스 주영표 부사장(소프트웨어 솔루션 담당)은 “거대언어모델(LLM)과 같은 AI의 발전과 확산을 위해서는 이제 반도체뿐 아니라 이를 뒷받침하기 위한 시스템 어플리케이션 수준도 크게 향상시켜야 한다”며, “당사는 이번 리눅스 탑재와 협업을 계기로, 기술 혁신과 이 분야 생태계 확장에 힘쓰면서 '토탈 AI 메모리 솔루션 기업'의 위상을 더욱 높이겠다”고 말했다.

2024.09.23 09:23이나리

삼성·SK '반도체 겨울' 보고서 논란…마이크론 실적 발표 주목

미국 마이크론이 곧 진행할 분기 실적발표에 업계의 이목이 쏠리고 있다. 모건스탠리가 최근 SK하이닉스를 중심으로 주요 메모리 제조 기업의 목표주가를 크게 하향조정하면서, 반도체 업계의 혼란이 가중되고 있기 때문이다. 모건스탠리가 내세운 주요 근거는 크게 범용 D램의 가격 하락세, 내년도 HBM 시장의 공급 과잉 등이다. 다만 업계에서는 모건스탠리의 주장이 과장됐다는 의견이 우세하다. 마이크론 역시 최근 실적발표에서 내년도 HBM 물량의 안정적인 공급 등을 강조한 바 있어, 이번 실적발표에서 어떠한 발언을 꺼낼지 귀추가 주목된다. 21일 업계에 따르면 미국 마이크론은 25일(현지시간) 2024 회계연도 4분기(6~8월) 실적발표를 진행할 예정이다. 마이크론은 D램에서 3위, 낸드에서 4~5위의 시장 점유율을 기록하고 있는 미국 주요 메모리 제조업체다. 특히 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업과 더불어 최선단 HBM(고대역폭메모리)를 제조할 수 있는 역량을 보유하고 있다. 때문에 마이크론의 실적 발표는 국내 메모리 업계의 동향을 미리 파악할 수 있는 지표로 활용돼 왔다. 특히 범용 메모리 및 HBM 시장에 대한 불확실성이 커진 지금, 마이크론의 매출 및 전망에 업계의 이목이 쏠리고 있다. 반도체 업계 관계자는 "최근 소비자용 IT 기기 수요 부진, 중국 후발 주자업체들의 진입 등으로 범용 D램 및 낸드에 대한 과잉 공급 우려가 커지고 있다"며 "이러한 상황에서 마이크론이 보수적인 설비투자 전략, HBM 시장 전망 등을 미리 언급한다면 업계의 불안도 상당 부분 줄어들 것"이라고 설명했다. 앞서 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출로 시장의 예상치 (66억7천만 달러)를 상회했다. 당시 마이크론은 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐다", "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것", "DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한할 것"이라고 말하는 등 향후 시장 전망을 긍정적으로 발표한 바 있다. ■ 모건스탠리 '반도체 겨울'說 논란…마이크론 실적 발표 이목 집중 특히 모건스탠리는 지난 주 '겨울이 다가온다(Winter Looms)' 리포트를 발간하면서 메모리 시장이 당초 예상보다 부진할 것이라는 전망을 내놨다. 국내 SK하이닉스의 경우 투자 의견을 비율 확대(overweight)에서 비율 축소(underweight)로 두 단계 하향 조정했다. 목표 주가는 26만 원에서 12만 원으로 54% 낮췄다. 삼성전자의 목표주가도 10만5천 원에서 7만6천 원으로 27.6% 하향조정했다. 주요 근거는 ▲D램 가격의 내년 하락세 전환 전망 ▲내년 HBM 시장의 공급 과잉 우려다. 모건스탠리는 "AI향을 제외한 IT 수요 부진으로 D램 평균판매가격(ASP)이 올 4분기 고점을 찍고 내년 1분기부터 하락할 것"이라며 "HBM 시장도 내년 공급량이 250억Gb(기가비트)인 데 반해, 수요는 150Gb 수준으로 계약가격에 악영향을 미칠 것"이라고 밝혔다. 그러나 업계에서는 모건스탠리의 주장이 과도하다는 의견이 지속적으로 제기되고 있다. 김영건 미래에셋증권 연구원은 20일 리포트를 통해 "HBM3E 8단뿐 아니라 12단도 25년도 계약 물량에 대한 협의가 대부분 이뤄졌기 때문에 회사의 HBM 분야 영업이익은 올해 5조9천억원, 내년 10조7천억원으로 성장할 것"이라며 "설령 겨울이 오더라도 가장 돋보일 수 있다"고 밝혔다. 시장조사업체 트렌드포스는 "D램 가격이 최근 약세를 보이고는 있으나, 전반적인 평균판매가격은 내년까지 상승할 것으로 예상된다"며 "HBM 비중의 확대도 D램 시장을 안정화하는 데 일조하면서 내년 전망은 덜 비관적일 것"이라고 주장했다. 업계 관계자는 "마이크론도 최근 BNP파리바, 모건스탠리 등으로부터 목표 주가 하향 의견을 받고 있으나, HBM 공급 과잉 등에 대한 근거가 부족하다는 의견이 적지 않다"며 "가장 먼저 공식 발표를 앞둔 마이크론이 적극적인 대응을 펼칠 것으로 예상된다"고 말했다.

2024.09.21 08:00장경윤

삼성·SK, 고부가 'LPDDR5X'에 집중...애플·엔비디아도 수요 촉진

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체가 최선단 D램 기반의 'LPDDR5X' 공급 확대를 추진하고 있다. LPDDR5X는 중국 등 후발주자들도 아직 양산하지 못한 고부가 D램으로, 애플·엔비디아 등 글로벌 빅테크도 차세대 제품에 이를 적극 채용하는 추세다. 19일 업계에 따르면 올 하반기 스마트폰, 서버용 칩 시장에는 LPDDR5X를 탑재한 신규 제품이 잇따라 출시될 예정이다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램이다. CPU(중앙처리장치)는 물론 스마트폰, 태블릿 등 IT 기기에서 수요가 높다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 삼성전자는 지난 4월 업계 최고 속도의 10.7Gbps LPDDR5X D램 개발에 성공했다. 업계 최선단인 1b D램(12나노급)을 기반으로, 이전 세대 대비 성능을 25%, 용량을 30% 높인 것이 특징이다. 나아가 삼성전자는 지난 8월 업계 최소 두께(0.65mm)의 LPDDR5X 양산을 시작했다. SK하이닉스의 경우 올해 초 최대 9.6Gbps의 동작속도를 갖춘 'LPDDR5T'를 개발하고, 고객사에 샘플을 공급한 바 있다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 초기 LPDDR5X 대비 속도를 더 높였다는 점을 강조하기 위해, '터보(Turbo)'라는 이름을 붙인 브랜드명이다. LPDDR5X는 삼성전자와 SK하이닉스의 올 하반기 및 내년 메모리 실적을 끌어올릴 제품 중 하나가 될 것으로 예상된다. 현재 CXMT 등 중국 업체들은 레거시 제품인 LPDDR4의 생산능력을 빠르게 늘리고 있으며, 지난해 말 LPDDR5 상용화에 성공하는 등 거센 추격을 벌이고 있다. 반면 LPDDR5X는 현재로선 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 제조업체 3개사만 양산 가능한 고부가 제품에 해당한다. 또한 AI 시대에 맞춰 고성능·저전력 메모리 수요가 증가하면서, 스마트폰 및 HPC(고성능컴퓨팅) 분야 모두 최신형 LPDDR5X의 채택률이 꾸준히 늘어나는 추세다. 일례로 애플은 올 3분기 출시하는 플래그십 스마트폰 '아이폰16' 시리즈에 LPDDR5X를 처음으로 탑재했다. 이전 세대인 '아이폰15'는 LPDDR5가 탑재됐다. 중국 화웨이도 올해 중반 출시한 '퓨라 70' 울트라 모델에 LPDDR5X를 채택한 바 있어, 향후 적용처가 확대될 것으로 예상된다. 인텔·엔비디아 등도 차세대 CPU(중앙처리장치)에 고성능 LPDDR5X를 지속 채용하고 있다. 인텔의 경우 올 하반기 최신형 모바일용 프로세서인 '루나레이크'와 PC·모바일용 프로세서인 '애로우레이크'를 잇따라 출시할 계획이다. 이 중 루나레이크는 최대 32GB(기가바이트) 용량의 LPDDR5X를 시스템반도체와 직접 통합하는 방식으로 제작된다. 엔비디아 역시 올 4분기부터 차세대 AI 가속기인 'GB200'를 양산한다. GB200은 두 개의 '블랙웰' GPU와 72코어의 '그레이스' CPU를 결합한 구조다. 이 그레이스 CPU는 LPDDR5X를 채용하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "서버와 온디바이스 AI 등에서 최선단 D램을 기반으로 한 LPDDR5X 수요는 견조한 분위기"라며 "최선단 공정에 해당하는 1a·1b D램(4·5세대 10나노급 D램)의 주요 적용처기 때문에, 국내 메모리 기업들의 수익성에 향후 상당한 영향을 미칠 것"이라고 설명했다.

2024.09.19 11:10장경윤

삼성전자, 차세대 D램 전환투자 전략 고심…연내 윤곽 나올 듯

삼성전자가 이르면 연내 제2평택캠퍼스(P2)의 차세대 D램 라인 구축 방안을 결정할 것으로 전망된다. 삼성전자는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램 대비 1세대, 혹은 2세대 앞선 공정까지 설비투자를 고려하고 있는 것으로 알려졌다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 올 연말까지 P2 내 D램 라인의 최선단 D램 전환투자 계획을 세울 예정이다. P2는 삼성전자가 지난 2020년 하반기부터 가동한 팹이다. D램 라인의 경우 1z D램(3세대 10나노급 D램)을 주력으로 생산해 왔다. 1z D램은 메모리 업계에서 레거시(성숙) 공정에 해당하는 제품으로, 지난해까지 이어진 메모리 불황 시기에 감산이 적극적으로 진행됐다. 이에 삼성전자는 P2를 최선단 D램의 생산기지로 전환하기 위한 준비에 나섰다. 올해 1b D램(5세대 10나노급 D램) 양산용 설비를 들이기 시작한 것으로 파악됐다. 1b D램은 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) DDR5 제품부터 양산을 본격화했다. P2 외에도 P3, 화성 15·16 라인 등에서 1b D램에 대한 전환 투자가 진행되고 있다는 점을 고려하면, 삼성전자는 내년 초까지 월 10만장 수준의 1b D램 생산능력을 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 나아가 삼성전자는 P2에 1b D램을 이을 '차세대 D램' 투자를 계획하고 있다. 1b D램 전환 뒤 남아있는 1z D램 양산 라인을 1c(6세대), 혹은 1d(7세대)로 전환하는 것이 주 골자다. 업계 관계자는 "P2의 전환 투자를 위한 라인 구성 설계가 오는 4분기 중에 완료될 예정"이라며 "이후 내년도에 관련 설비 발주가 진행될 것으로 안다"고 설명했다. 삼성전자가 구상 중인 P2 설비투자 전환 계획은 최선단 D램의 개발 현황에 따라 달라질 전망이다. 앞서 삼성전자는 1c D램을 연내 양산하겠다는 계획을 세우고, 하반기 초도 양산라인 구축을 준비하고 있다. 업계 관계자는 "1c D램의 수율이 견조할 경우, P2에 더 앞선 1d D램 라인을 선행 도입하는 방안이 거론되고 있다"며 "물론 1c D램의 개발이 저조해 P4 내 1c D램 투자가 미뤄지면 P2에서 1c D램 전환 투자가 진행될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.12 13:33장경윤

고동진 의원 "반도체 직접보조금 줘야"…경제부총리 "검토할 것"

고동진 국회의원은 지난 11일 국회에서 열린 '경제 분야 대정부질문'에서 반도체 직접보조금의 필요성을 강조했다. 이날 고 의원은 ▲반도체 원가 및 가격 경쟁력 확보 ▲팹 건설기간 단축을 통한 생산 속도 경쟁력 제고 ▲팹리스 등 반도체 생태계 지원 및 활성화 ▲기업 측 동기부여 확산 및 반도체 기술혁신 촉진 등을 위해 "반도체 직접보조금을 지원해야 한다"고 지적했다. 이에 최상목 경제부총리는 "기업 측 상황을 고려하는 동시에 반도체 패권 경쟁에서 문제가 생긴다면 보조금 지원을 검토하겠다"고 답변했다. 또한 고 의원은 "미국에서 8조9천억원, 일본에서 12조원의 보조금을 받기로 한 TSMC가 파운드리 기반을 계속 늘려가고 있는 현실 속에서 대한민국 파운드리와의 격차가 더욱 벌어질 것"이라며 "국내 파운드리 기업들도 용인 클러스터를 통해 신규 제조 기반을 추가 조성하는 것은 동일한데 이미 기존에 구축된 제조 기반이 있다고 해서 보조금을 지원할 수 없다는 논리는 세계적 흐름을 제대로 인식하지 못하는 것"이라고 말했다. 이어 고 의원은 일본이 4조원의 보조금을 투입해 TSMC 구마모토 1공장의 경우 통상 5년이 걸리는 것을 2년 4개월만에 준공한 사례를 거론했다. 정부 보조금 지원 시에 기업 입장에서는 투자 여력이 확보됨에 따라, 상대적으로 팹 건설 기간을 단축시킬 수 있는 효과를 기대할 수 있다는 입장을 나타냈다. 아울러 "정부 보조금 지원 시 기업 입장에서는 생산비용이 낮아지면서 더 저렴한 가격에 반도체를 공급할 수 있고, 이는 국제시장에서 원가 경쟁력으로 이어질 수 있다"며 "매출 확대에 따라 기업은 법인세, 임직원들은 소득세 납부 등으로 기업경제의 선순환적인 구조 확립이 가능하다"고 강조했다. 특히 "국내의 팹리스 기업들의 규모를 볼 때, IP 및 연구개발 비용, 설계칩 테스트베드와 공공팹 구축, 그리고 국내 팹리스 설계칩을 생산하는 파운드리에 보조금을 지원한다면 반도체 생태계의 경쟁력이 제고될 수가 있어 대한민국의 반도체 주권 확립이 가능하다"고 주장했다. 이에 최 부총리는 “정부가 재정을 아끼기 위해 우리 기업들에 대한 지원 의사가 없다거나 의지가 약한 것은 절대 아니다”며 “어차피 재정 여건이나 재원은 효율적으로 써야 되는 부분이 있어 범위 안에서 최대한 지원을 할 의사를 갖고 있다”고 답변했다. 최 부총리는 “보조금이 필요한데 정부가 주지 않을 경우 반도체 패권 경쟁에서 문제가 생기는 부분이 있다면 보조금이 됐든 세제지원, 인프라 지원이 됐든 검토해서 지원해야 한다는 생각”이라고 덧붙였다. 고 의원은 “무엇보다 자라고 있는 어린이들과 청년들의 미래를 풍요롭게 하기 위해서는 우리가 그동안 잘해 온 반도체를 국가 주도 초격차 산업으로 성장 발전시켜야 한다”며 “여야가 모두 힘을 합쳐 반도체특별법을 조속히 통과시켜 대한민국 경제를 몇 단계 상승시킬 수 있도록 우리 모두가 노력해야 한다”는 발언을 끝으로 대정부질문을 마쳤다.

2024.09.12 09:43장경윤

로이터 "삼성電 해외 인력 최대 30% 감축"...삼성 "늘 하던 효율화 작업"

삼성전자가 일부 사업부에서 해외법인의 인력을 최대 30% 감축할 예정이라고 로이터통신이 12일 보도했다. 로이터통신은 복수의 소식통을 인용해 "삼성이 영업 및 마케텡 직원을 15%, 관리 직원을 최대 30%까지 감축하라는 지시를 내렸다"며 "해당 계획은 올해 말까지 실행될 예정"이라고 밝혔다. 삼성전자의 최신 지속가능성 보고서에 따르면, 지난해 말 기준 삼성전자 임직원 수는 액 26만7천800명이다. 이 중 절반 이상인 14만7천명이 해외에 근무하고 있다. 감축 계획이 실제 어떤 국가와 사업부에서 진행될 지, 감축 규모가 몇 명인지 등 구체적인 사안은 알려지지 않았다. 다만 아시아, 아메리카, 유럽, 아프리카 등 세계 각국의 법인이 영향을 받을 전망이다. 이와 관련해 삼성은 성명을 통해 "일부 해외 사업장에서 수행된 인력 조정은 일상적이고, 효율성을 개선하기 위한 것"이라며 "계획에 대한 구체적인 목표는 없으며 생산 직원에게 영향을 미치지 않는다"고 밝혔다. 대표적으로 삼성전자 인도법인은 최근 몇 주간 퇴사한 일부 중간 관리직에게 퇴직금 패키지를 제공한 것으로 알려졌다. 로이터에 해당 사안을 밝힌 소식통은 인도 사업부에서 퇴직해야 하는 직원의 수가 1천명에 달할 수 있다고 설명했다. 현재 삼성전자 인도사업부는 약 2만5천명을 고용하고 있다. 로이터는 "이번 인력 감축은 삼성전자가 주요 사업에 대한 경쟁 압박이 커지는 가운데 이뤄졌다"고 논평했다. 주력 사업인 메모리 반도체의 경우, 극심한 불황으로 지난해 연간 영업이익이 15년 만에 최저치를 기록했다. 파운드리 사업은 선두업체인 대만 TSMC와의 격차가 좀처럼 좁혀지지 않는 형국이다. 스마트폰 사업에서는 미국 애플, 중국 화웨이 등과 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 각 소식통은 "삼성전자가 세계 경제 침체로 IT에 대한 전 세계 수요가 둔화될 것을 대비해 일자리를 줄이고 있다"며 "삼성이 비용 절감을 통해 수익성을 높이려 하고 있다"고 설명했다.

2024.09.12 09:43장경윤

삼성전자, AI 시장 겨냥한 'QLC 9세대 V낸드' 업계 최초 양산

삼성전자는 초고용량 서버SSD를 위한 '1Tb(테라비트) QLC(쿼드 레벨 셀) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 지난 4월 'TLC 9세대 V낸드'를 최초 양산한데 이어, 이번에 QLC 제품을 선보이게 됐다. QLC는 하나의 셀에 4비트 데이터를 기록할 수 있는 구조로, 3비트를 저장하는 TLC 대비 고용량 구현에 유리하다. 삼성 9세대 V낸드는 독보적인 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다. 채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술을 뜻한다. 더블 스택은 채널 홀 공정을 두 번 진행해 만든 구조다. 특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도를 자랑한다. V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해졌으며, 삼성전자는 이를 위해 '디자인드 몰드(Designed Mold)' 기술을 활용했다. 몰드란 셀을 동작시키는 WL(워드라인)의 층이다. 디자인드 몰드는 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL의 간격을 조절하여 적층하는 기술로, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰다. 이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램 기술' 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다. 또한 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(비트라인)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 밝혔다. 삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.

2024.09.12 08:50장경윤

美 마이크론, 12단 HBM3E 샘플 출하…"다수 고객사와 퀄 진행"

미국 마이크론이 최선단 HBM(고대역폭메모리) 제품인 12단 적층 HBM3E의 샘플을 개발해 주요 고객사와 퀄(품질) 테스트를 거치고 있다. 11일 업계에 따르면 마이크론은 최근 자사 홈페이지를 통해 HBM3E 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔다. 마이크론은 "12단 HBM3E는 8단 제품 대비 용량이 50% 증가한 36GB(기가바이트)를 제공한다"며 "이를 통해 700억 개의 매개변수를 가진 'Llama 2'와 같은 거대언어모델을 단일 프로세서로 실행할 수 있다"고 설명했다. 동시에 마이크론은 자사 HBM의 전력 효율성도 강조했다. 마이크론은 "우리의 12단 HBM3E는 경쟁사의 8단 HBM3E 대비 상당히 낮은 전력 소모를 구현한다"며 "초당 1.2TB(테라바이트) 이상의 메모리 대역폭을 초당 9.2Gb(기가비트) 이상의 핀 속도로 제공한다"고 밝혔다. 이외에도 마이크론의 12단 HBM3E는 완전 프로그래밍이 가능한 'MBIST'를 통합해, 제품 출시 시간을 단축하고 시스템 안정성을 향상시킬 수 있다. MBIST란 메모리 내부 셀에 발생할 수 있는 오류를 자체 테스트하고 복구하는 기술이다. 마이크론은 "주요 파트너사에 양산 가능한 12단 HBM3E을 출하해 테스트를 진행하고 있다"며 "이 제품은 진화하는 AI 인프라의 데이터 수요를 충족하기 위한 마이크론의 혁신을 보여준다"고 강조했다.

2024.09.11 09:54장경윤

2Q 세계 반도체 장비 청구액 268억弗…전년比 4% 증가

글로벌 반도체 산업 관련 협회 SEMI는 2024년 2분기 반도체 장비 청구액이 268억 달러로 전년동기 대비 4%, 전분기 대비 1% 증가했다고 10일 밝혔다. 국가별로는 중국이 약 120억 달러로 전 세계에서 가장 많은 설비를 도입한 것으로 나타났다. 전년동기 대비로는 62% 증가했으나, 전분기 대비로는 2% 감소했다. 한국은 약 45억 달러 규모로 2위를 차지했다. 다만 전년동기 대비 20%, 전분기 대비 13% 감소하면서 장비 도입 비중은 다소 줄어들었다. 대만은 39억 달러로 3위를 기록했다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 “2024년 상반기 전 세계 반도체 장비 청구액은 총 532억 달러로 양호한 실적을 보여줬다”며 “반도체 장비 시장은 첨단 기술의 수요 증가와 여러 국가의 반도체 제조 생태계를 구성하려는 전략적 투자로 인해 성장세로 돌아서고 있다”고 밝혔다. 한편 SEMI 회원사와 일본 반도체 장비 협회(SEAJ)가 제출한 데이터를 바탕으로 작성된 전 세계 반도체 장비 시장 통계 리포트는 글로벌 반도체 장비 산업의 월간 청구액을 자세히 보여준다.

2024.09.10 10:37장경윤

SK하이닉스, 최선단 D램 시대 열었다..."1c D램 개발은 시작일 뿐"

SK하이닉스가 최근 업계 최선단 공정 기반의 D램을 가장 먼저 개발하는 성과를 거뒀다. 회사는 이에 그치지 않고 3D 셀, 이종접합 등 기술 혁신으로 차세대 D램 시대에 대응한다는 전략이다. SK하이닉스는 지난달 29일 10나노급 6세대(1c) 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발한 주역들과 좌담회를 진행했다고 10일 밝혔다. 해당 자리에는 1c 기술 개발을 주도한 오태경 SK하이닉스 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다. 1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 성능뿐만 아니다. SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이루어냈다. SK하이닉스는 1c 개발 가속화를 위해 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택하고, 기존의 3단계(테스트, 설계, 양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계, 양산 준비)로 효율화했다. 오태경 부사장은 "1c 기술 개발을 총괄한 1c Tech TF의 가장 큰 목표는 '1등 개발'이었다"며 "커패시터(Capacitor) 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택한 덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 설명했다. 정창교 부사장은 "공정이 미세화되면서 과거와는 다른 특성들이 더 중요해지고, 이로 인해 수율 저하 등 문제가 발생할 수 있다"며 "1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다"고 밝혔다. 트리밍이란, 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈(eFuse)를 활용해 성능을 상향시키는 기술을 뜻한다. 나아가 SK하이닉스는 1c 이후의 차세대 D램 제품에서도 선두를 유지하기 위한 전략을 구상 중이다. 조영만 부사장은 "1c 기술을 넘어 D램 기술은 점점 더 미세화될 것이고, 특히 10나노 아래 한 자릿수 기술로 넘어가는 시점이 오면 기존 방식으로는 한계가 있을 것"이라며 "이를 극복하기 위해서는 소재 및 장비의 성능을 극대화하는 것뿐만 아니라 2D 셀에서 3D 셀로의 구조 변화, 이종접합 등과 같은 기술 혁신 역시 필요하다"고 강조했다. 한편 SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.

2024.09.10 09:58장경윤

포인트엔지니어링, 'MEMS 핀' 제품군 양산 개시

반도체 부품 및 소재 제조 전문업체 포인트엔지니어링은 신규 사업인 MEMS 핀(Pin) 제품의 라인업을 공개하고 양산에 돌입한다고 9일 밝혔다. 포인트엔지니어링은 지난 2020년부터 사업을 시작한 이후 개발과 양산 준비에 매진해왔으며, 올해 2분기부터 국내외 일부 고객에세 공급을 시작한 바 있다. 이후 고성능 반도체 검사를 위해 필요한 고정밀 형상의 마이크로 핀 라인업을 자사 홈페이지에 공개하고 공격적인 영업을 진행할 계획이다. 공개된 라인업은 HBM과 같은 고사양 메모리 및 고집적 비메모리 반도체 칩 검사용 '버클링 프로브 핀', 팩키지 테스트용 '스프링 프로브 핀', 메모리 칩 검사용 '마이크로 캔티레버 핀' 등이다. 포인트엔지니어링의 독창적인 MMPM(Micro MEMS PEC Mold) 방식을 이용해 생산한 MEMS 핀(Pin)은 20:1의 고종횡비로 100마이크로미터(㎛) 높이에 5마이크로미터 선폭을 가지고 있다. 이를 통해 기존 핀으로는 한계가 있는 고집적 협피치의 반도체 검사가 가능하다. 또한 멀티 빔(Multi Beam)을 형성해 힘 제어 용이성 제공 및 체적과 표면적을 증가시킨 고전력 반도체 테스트도 가능하다. 포인트엔지니어링 관계자는 "최근 반도체 AI용 연산, HBM과 같은 고속 및 고집적 반도체 생산이 증가함에 따라 관련 검사기술이 빠르게 변화하고 있다"며 "포인트엔지니어링의 마이크로 핀은 기존 제조사들의 한계를 넘어서는 성능과 품질, 가격경쟁력 측면에서 고객들로부터 긍정적인 반응을 얻고 있다"고 밝혔다. 이미 일부 고객은 포인트엔지니어링의 마이크로 핀을 통해 검사 신뢰성을 높임으로써 칩메이커 양산이 승인됐으며, 현재 다수의 고객과 양산 및 제품 라인업을 위한 조율과 시제품 생산에 돌입했다. 포인트엔지니어링의 마이크로 핀 총 길이가 가장 짧게는 1.5mm로, 기존 4~4.5mm 수준인 AP 칩 검사용 프로브 카드의 핀 대비 1/4 수준으로 축소됐고, 안정된 핀 포스, 상대적으로 높은 전기적 특성, 100만번 이상 접촉 테스트를 통한 신뢰성 등을 확보했다. 회사측은 수율 문제에 대해서도 "설비 자동화 및 공정개선을 통해 현재 85% 이상을 확보했다"며 "현재 월 100만 핀 양산 체제에서 올해 연말까지 월 300만 핀으로 확대시킨 후 2025년 4분기까지 1000만 핀 양산을 목표로 하고 있다"고 밝혔다. 안범모 포인트엔지니어링 대표이사는 “현재 90~200㎛ 피치에서 포고 스프링 핀의 한계를 극복한 One Mold MEMS 스프링 핀을, HBM과 같은 고성능 반도체 검사의 대안이자 MEMS 핀을 필요로 하는 다수의 고객에게 합리적인 가격으로 제공할 수 있을 것”이라고 설명했다. 안 대표는 이어 “지속적인 연구개발을 통해 독자적인 표준형 제품을 올해 말까지 개발할 예정"이라며 "MMPM 기술을 이용한 파인피치 가이드 플레이트, 마이크로 기어, 마이크로 금형, 마이크로 범프 등의 제품으로 세계시장에서 우위를 선점하겠다”고 덧붙였다.

2024.09.09 09:29장경윤

中 D램 물량 공세 심상치 않다…삼성·SK도 동향 파악 '분주'

창신메모리(CXMT) 등 중국 메모리 업체가 공격적인 생산능력과 생산량 확대에 나서고 있어 예의주시되고 있다. 레거시 D램 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들도 이들의 동향 파악에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 5일 업계에 따르면 중국 메모리 기업의 급격한 생산능력 확대에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 레거시 D램 사업에 수익성 저하가 우려되고 있다. 현재 중국은 레거시 D램을 중심으로 생산능력을 확대하는 추세다. 중국 주요 D램 제조업체로는 창신메모리(CXMT), 푸젠진화반도체(JHICC) 등이 있다. 특히 CXMT는 2016년 설립된 이래로 중국 정부의 지원 하에 현지 최대 D램 제조업체로 성장했다. 최근에는 HBM(고대역폭메모리) 양산 준비에도 나서고 있다. 업계 및 증권가가 추산하는 CXMT의 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 가파르게 성장할 전망이다. 주력 생산제품은 17·18나노미터(nm) 공정 기반의 DDR4·LPDDR4 등이다. 현재 양산되는 최선단 D램이 12나노 공정 기반의 DDR5·LPDDR5X 등임을 고려하면 성숙(레거시) 제품에 해당한다. 그럼에도 업계는 CXMT의 생산능력 확대에 상당한 관심을 기울이고 있다. CXMT가 당초 예상보다 D램 공급을 공격적으로 전개하면서, 국내 레거시 메모리 매출 및 수익성에 악영향을 끼칠 수 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 16Gb(기가비트) 기준 DDR4 현물 가격은 지난해 하반기 3달러 선에서 올해 상반기 3.5달러까지 오른 뒤, 올 하반기 3.3달러 선으로 하락했다. DDR5의 경우 지난해 10월 4.2달러 선에서 올 상반기 4.5달러를 넘겨, 올 하반기에는 5달러에 근접한 수준이다. 이에 따라 DDR4 대비 DDR5에 붙은 가격 프리미엄도 지난달 말 기준 53.9%로 6개월 전인 36.9% 대비 크게 증가했다. 노무라증권은 최근 보고서를 통해 "중국 업체들의 급격한 생산 확대로 메모리 업계가 수익성에 훨씬 더 부정적인 영향을 받을 것으로 예상돼, 이에 대한 대비가 필요한 상황"이라며 "특히 CXMT는 막대한 설비 투자로 이미 월 16만 개의 생산능력을 확보하고 있으며, 이는 전체 D램 시장에서 웨이퍼 기준 약 10%, 비트(bit) 기준 약 5%에 해당하는 수치"라고 설명했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 소자업체는 12나노 수준의 DDR5 등 최선단 D램으로의 전환 투자를 서두르고 있다. 동시에 중국 메모리 업계의 투자 동향 파악에도 적극적으로 나서는 분위기다. 국내 반도체 업계 관계자는 "올해 CXMT으로부터 상당한 양의 제품 수주를 확정지은 상황"이라며 "국내 메모리 업체에서도 CXMT의 투자 동향에 깊은 관심을 가지고 있어, 최근 관련된 문의가 왔다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "올해 CXMT와 YMTC 등 중국 메모리 기업들의 설비투자가 매우 활발하다"며 "특히 CXMT의 경우 올 상반기까지 중국 베이징 팹에 당초 업계 예상을 뛰어넘는 규모의 설비를 도입했다"고 밝혔다. 한편 중국 메모리 업계의 급격한 생산능력 확대는 미국의 반도체 수출 규제에 따른 영향이 크다는 분석이다. 앞서 미국 정부는 지난 2022년 10월 자국의 반도체 장비 및 기술이 중국으로 유입되는 것을 사실상 금지하는 규제안을 시행했다. 범위는 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 14나노 이하 시스템반도체 등이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 중국 반도체 기업들은 미국 규제 강화를 우려해 설비투자를 서둘러 진행하려는 추세"라며 "미국 대선 등 향후 다가올 영향을 가늠하기 힘들어 중장기적인 로드맵보다는 단기적인 투자에 집중하고 있다"고 설명했다.

2024.09.05 10:04장경윤

SK하이닉스, 이달 말부터 'HBM3E 12단' 제품 양산 시작

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 양산을 차질없이 진행한다. 올해 초 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급한 데 이어, 이달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 예정이다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra 담당)은 4일 '세미콘 타이완'에서 'AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다'를 주제로 키노트를 진행했다. 이날 김 사장은 AI 산업 발전에 대응하기 위한 메모리 반도체의 중대한 요소로 전력 문제를 짚었다. 오는 2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다. 또한 데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼, 효과적인 방열 솔루션을 찾아야 한다. 이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다. 김 사장은 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나, AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다"고 설명했다. 이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD와 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이며, 이번달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다. 한편 일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 회사는 TSV 기술 기반 서버용 256GB DIMM을 공급 중이다. 또한 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이다. 미래를 위한 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다. SK하이닉스는 HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이다. 베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이다. 낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다. 제품, 기술 개발을 위한 R&D 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이다. 김 사장은 "SK하이닉스는 부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정으로, 이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것"이라며 "SK하이닉스는 2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.04 17:30장경윤

삼성전자, 갤럭시S25향 모바일 '1b D램' 공급 난항

삼성전자가 최선단 모바일용 D램 사업에 난항을 겪고 있다. 최근 갤럭시S25 시리즈에 공급하기 위한 1b D램(5세대 10나노급 D램) 샘플이 저조한 수율 문제로 적기에 공급되지 못한 것으로 파악됐다. 4일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자 MX사업부는 지난달 DS사업부에 1b 기반 LPDDR(저전력 D램) 샘플 공급 차질에 따른 우려를 전달했다. 1b D램은 선폭이 12나노미터(nm) 수준인 D램으로, 현재 양산되고 있는 D램 중 가장 최선단에 해당한다. 삼성전자의 경우 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5 양산을 시작했다. 이후 삼성전자는 HPC(고성능컴퓨팅) 시장을 겨냥해 지난해 9월 32Gb 1b D램을 개발하고, 수율을 끌어올리는 데 집중해 왔다. 동시에 삼성전자는 모바일에 탑재되는 1b LPDDR 제품을 개발해 왔다. 주 적용처는 갤럭시S25 시리즈다. 갤럭시S25는 삼성전자가 내년 1분기 출시할 예정인 최신형 플래그십 스마트폰이다. 그러나 최근 해당 계획에 차질이 생겼다. DS사업부는 12·16Gb 등 다양한 성능의 1b LPDDR 샘플을 지난달까지 MX사업부에 전달하기로 했으나, 수율 문제로 필요한 물량을 공급을 하지 못했다. 통상 반도체는 80% 이상의 수율을 확보해야 안정적이고 경제적인 양산·공급이 가능하다. 삼성전자의 모바일용 1b D램의 구체적인 수율은 밝혀지지 않았으나, 내부에서 충분한 물량 확보가 어렵다는 판단이 나온 만큼 수율이 목표치에 크게 미치지 못 했을 것이라는 게 업계의 시각이다. 사안에 정통한 관계자는 "모바일용 1b D램 수율이 당초 예상보다 개선되지 않아 공급 일정이 늦아지고 있다"며 "이에 MX 측이 항의했고, D램 탑재 계획을 점검하고 있는 상황"이라고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "고성능컴퓨팅(HPC)용 1b D램의 수율 향상은 그간 상당한 진전이 있었으나, 모바일용 D램의 수율이 상대적으로 저조하다"며 "문제가 해결되지 않으면 3분기 삼성전자 모바일 D램의 단가에 부정적인 영향이 갈 수 있다"고 설명했다. 물론 삼성전자가 모바일용 1b D램의 수율을 개선할 수 있는 여지는 남아 있다. 모바일용 1b D램의 성능을 검증하고 있는 시스템LSI사업부도 현재까지 연구개발에 별다른 변동사항은 없는 것으로 알려졌다. 다만 갤럭시S25 출시가 반년도 채 남지 않은 만큼, 문제 해결을 위한 시간이 촉박한 것으로 관측된다. 이에 삼성전자 관계자는 "해당 내용은 사실과 다르다"고 밝혔다.

2024.09.04 14:32장경윤

ISC, 자회사 합병 결정…국내 생산법인 일원화 추진

아이에스시(ISC)는 국내 제조 자회사 아이티엠티씨(ITMTC)와 프로웰(PROWELL)의 합병을 결정했다고 4일 밝혔다. 합병 목적은 국내 생산법인 일원화를 통한 수익성, 제조 경쟁력 강화를 목표로 하고 있다. 아이티엠티씨와 프로웰은 아이에스시의 국내 생산을 전담하는 자회사로 각각 성남과 안산에 사업장을 두고 있다. 이번 합병은 아이에스시가 올해 발표한 'ISC 2.0' 프로젝트의 일환으로 주력 사업인 테스트 소켓의 경쟁력 강화를 위한 전략적 행보로 해석된다. 아이에스시는 2025년 말까지 전체 생산량의 약 90%를 베트남에서 생산하는 것을 목표로 하고 있다. 이를 위해 베트남 공장의 생산능력(CAPA) 증설과 공정 자동화를 포함한 개선 작업을 진행 중이다. 이러한 노력을 통해 글로벌 고객사에 대한 대응력을 강화하고 수익성을 극대화할 계획이다. 아이에스시 관계자는 "이번 제조 자회사 간 합병은 선택과 집중이라는 'ISC 2.0' 전략의 일환"이라며 "분산되어 있던 국내 제조 자회사 통합으로 양사가 보유한 제조 경쟁력을 극대화하고 인적자원 효율성을 높일 수 있게 되어 사업 경쟁력 강화에 기여할 것"이라고 전망했다. 또한 이 관계자는 "현재 진행 중인 베트남 공장 증설과 공정 자동화 작업을 성공적으로 마무리해 최상의 품질과 솔루션을 고객사에 제공하겠다"고 강조했다. 이번 합병 결정은 아이에스시가 글로벌 시장에서의 경쟁력을 강화하고 효율적인 생산 체계를 구축하려는 노력의 일환으로 보인다. 향후 국내 생산법인 통합과 베트남 생산기지 확대를 통해 아이에스시의 글로벌 반도체 테스트 솔루션 시장에서의 입지가 더욱 강화될 것으로 전망된다.

2024.09.04 09:57장경윤

박문필 SK하이닉스 부사장 "HBM 1등 사수...백엔드 미래 기술 확보"

"SK하이닉스는 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후, 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 바 있다. 나아가 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것이다." 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 4일 회사 공식 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 올 초 전사적으로 HBM 경쟁력을 강화하기 위해 관련 역량과 기능을 결집한 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 산하 조직인 HBM PE 조직 역시 ▲HBM 제품 테스트 및 검증을 통해 품질 관리를 담당하는 프로덕트 엔지니어링(Product Engineering)팀 ▲시스템 레벨에서 제품을 평가하는 어플리케이션 엔지니어링(application Engineering)팀 ▲제품 적기 개발 및 사업화 추진을 위해 고객과 회사간 협업을 주도하는 프로젝트 매니지먼트(Project Management)팀을 산하에 배치해 전문성을 강화했다. 박 부사장은 'HBM 1등' 리더십을 수성하기 위해 가장 중요한 것으로 '적기(適期)'를 꼽으며 "제품을 적시에 개발하고 품질을 확보해 고객에게 전달하는 것이 가장 중요하다"고 설명했다. 또한 그는 “HBM PE 조직은 품질 경쟁력뿐만 아니라 제품 생산성까지 극대화하는 데 많은 노력을 기울이고 있다”고 덧붙였다. HBM은 적층되는 칩의 수가 많은 만큼 여러 품질 문제가 발생할 수 있다. 또한 GPU와 결합하는 SiP(시스템 인 패키지) 등 다양한 조건에서 성능을 종합적으로 확인해야 하기에 테스트 과정이 오래 걸릴 수밖에 없다. 때문에 제품을 빠르게 검증하고, 고품질을 확보할 수 있는 테스트 베이스라인을 만드는 것이 중요하다. 박 부사장은 "HBM PE 조직은 제품의 개선점을 빠르게 찾아 양산 역량까지 확보할 수 있는 기술 노하우를 보유하고 있다"며 "대표적으로 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 사례가 이를 입증한다"고 설명했다. 고객의 목소리에 귀 기울여 HBM의 품질을 더 높이고, 신제품 기획 및 개발 일정을 조율하는 것 또한 HBM PE 조직의 주요 임무다. 이를 위해 박 부사장은 HBM 주요 고객사를 위한 오픈랩(Open Lab)을 운영 중이며, 이 랩은 대내외 소통 창구 역할을 하며 주어진 과제에 기민하게 대응하고 있다. 박 부사장은 입사 후 약 15년간 D램 설계 직무를 수행한 후 2018년 D램 PE 직무로 전환했다. 당시 4명의 소수 구성원으로 출발했던 팀은 5년여 만에 70여 명의 조직으로 성장했다. PE 업무에 자신이 보유한 D램 설계 노하우를 접목시키며 혁신을 불어넣은 박 부사장의 노력 덕분이었다. 그동안 사내 SKMS 실천상을 4번이나 수상하며 능력을 인정받았던 박 부사장은 가장 난이도가 높았던 제품으로 HBM을 꼽았다. 박 부사장은 "지난 2022년 쉽지 않았던 HBM3 고객 인증을 잘 해결해냈던 일이 기억에 남는다"며 "고객 시스템 레벨에서 적용할 수 있는 솔루션까지 확보하며 대응 역량의 수준을 한층 높이는 성과도 얻었다"고 밝혔다. 박 부사장의 다음 목표는 12단 HBM3E와 HBM 6세대 제품인 HBM4의 성공적인 사업화다. 그는 "객관적인 데이터를 바탕으로 우리 제품의 압도적인 성능과 경쟁력을 고객이 이해할 수 있도록 기술 협업 및 신뢰 관계를 잘 구축해 나가겠다"며 "특히 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것"이라고 강조했다. 마지막으로 박 부사장은 "HBM이 고객별 맞춤형 커스텀(Custom) 제품으로 다양하게 변모하면서, 새로운 제품 설계 방식이 도입되고 테스트 관점에서도 기존 패러다임의 전환이 이루어질 것으로 예측하고 있다"며 "HBM PE 조직은 이에 대비해 다양한 이해관계자들과 협업 프로세스를 구축하며 관련 인프라를 확충하고, 이 분야 인재들을 발굴·육성하기 위해 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.09.04 09:51장경윤

SK하이닉스, "16단 HBM에도 '어드밴스드 MR-MUF' 적용 가능성 확인"

"오는 2025년 양산 예정인 HBM4는 이전 세대 대비 성능 및 에너지 효율이 높을 것으로 기대하고 있다. 특히 16단 제품의 경우, 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술의 적용 가능성을 확인했다." SK하이닉스 이강욱 부사장(PKG개발 담당)은 3일 '세미콘 타이완'에서 회사의 HBM 경쟁력에 대해 이같이 말했다. 이날 'AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 세션 발표를 진행한 이 부사장은 HBM 시장의 가파른 성장세를 예견했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 기존 D램에 비해 데이터 처리 성능이 뛰어나다. HBM은 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 성공했다. 8단, 12단 HBM3E는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB 용량을 지원한다. HBM4는 12, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전한다. HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써, 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다. 이와 같은 시장 성장세에 맞춰 HBM 분야 리더인 SK하이닉스는 2015년 업계 최초로 HBM 제품을 양산한 후, 연이어 최고 성능의 HBM 제품들을 세계 최초로 출시하면서 업계를 선도하고 있다. 오는 2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시할 예정이다. 특히 SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 경쟁력을 갖추고 있다. SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력, 온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 다른 공정보다 유리하다. 또한 높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프 형성이 가능해. 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점을 가진다. SK하이닉스는 HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF기술을 적용해 양산을 하고 있으며, 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다. 16단 제품을 위해서는 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획이다. 특히 SK하이닉스는 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중인데, 최근 연구에서 16단 제품에 대한 Advanced MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다. 하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나, 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다. 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여, 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응하겠다는 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있으며, 대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(시스템 인 패키지) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다. 또한 HBM4E 부터는 커스텀(Custom) 성격이 강해질 것으로 예상돼, SK하이닉스는 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다.

2024.09.03 14:36장경윤

서린씨앤아이, 클레브 크라스 V RGB ROG 메모리 출시

서린씨앤아이가 3일 데스크톱PC용 DDR5 메모리 '에센코어 클레브 크라스(CRAS) V RGB ROG'를 국내 출시했다. 클레브 크라스 V RGB ROG는 에이수스 ROG(리퍼블릭오브게이머) 브랜드와 협업으로 개발된 제품이며 알루미늄 소재 방열판 옆에 ROG 로고를 각인했다. 작동 속도는 DDR5-7200MHz이며 에이수스 ROG 메인보드에 내장된 ROG 모드를 활성화하면 최대 DDR5-7400MHz로 작동한다. 방열판 위에는 고휘도 LED RGB 조명을 적용했고 에이수스, 기가바이트, 애즈락 등 주요 메인보드 제조사 RGB 제어 소프트웨어와 연동된다. 공급가는 32GB(16GB×2) 패키지가 20만원, 48GB(24GB×2) 패키지가 27만 5천원이며 제품 단종 후에도 재고 소진시까지 교환이 가능한 '라이프 타임 제한 품질 보증'이 적용된다.

2024.09.03 10:50권봉석

[신간] 반도체 전문가 김용석 석좌교수가 말하는 'AI 반도체 전쟁'

AI 시대가 열렸다. 2016년 알파고, 2022년 챗GPT가 AI 시대를 열 수 있었던 것은 모두 반도체의 힘이었다. 팬데믹을 거치면서 세계는 반도체 공급망의 중요성을 알게 됐고, 미중 반도체 패권전쟁은 AI가 촉발한 시장 격변과 맞물려서 더욱 격화되고, 경쟁은 AI 반도체 전쟁으로 옮겨가고 있는 양상이다. 앞으로 필요한 기술은 단연 AI이다. 따라서 AI 기술 트렌드 변화를 놓치지 않고, 주요 미래 기술들에 대해 알아야 하며, 앞으로 어떠한 변화가 오게 될지 잘 파악하는 것이 매우 중요하다. 또한 산업간 경계가 무너지고 있는 상황에서 AI가 다른 산업에 어떻게 활용될지 이해하는 것이 필요하다. 책 'AI 반도체 전쟁'의 저자는 삼성전자에서 31년간 시스템반도체와 이동통신 소프트웨어, 갤럭시 제품 개발에 참여했고, 이후 성균관대학교에서 10년 넘게 학생들을 가르친 뒤 현재는 가천대학교에서 반도체 인재 양성을 이어가고 있는 김용석 교수다. 이론과 실무를 모두 겸비한 시스템반도체 전문가인 그가 쉽고 명쾌하게 AI 반도체의 개념과 응용 산업에 대해 정리해 담았다. 책은 크게 세 부분으로 나누어져 있다. 1장에서는 반도체란 무엇인지, 시스템반도체의 중요성 등 반도체 관련해 다룬다. 2장에서는 AI 발전 역사, AI 반도체가 무엇이며, AI 맞춤형 메모리인 HBM(고대역폭 메모리)을 비롯해 AI가 만들어 낸 메모리들을 설명한다. 또한 AI가 촉발한 미중 반도체 경쟁 이야기도 함께 한다. 3장에서는 AI 반도체가 만들어 내는 다양한 응용 산업 분야에 관해 설명한다. AI 기술의 발전은 AI 반도체의 수요를 증가시키고, AI 반도체의 발전은 다양한 분야의 AI 산업으로 확대된다. 스마트폰뿐 아니라 가전, 자동차, 드론 제품이나 공장, 도시, 의료기기, 국방 등 전 산업의 AI화 속도가 빠르게 진행될 것이다. 또한 금융, 법률, 교육, 마케팅, 영업, 콘텐츠 제작, 디자인, 게임 개발 등에서도 AI 활용이 늘어날 것이다. AI 시대의 새로운 시작은 우리에게는 기회다. 우리는 강점인 제조업이 있고, AI 반도체를 활용할 시장도 있기 때문이다. 신제조업 경쟁에서 AI 반도체를 선점해야 우위를 점할 수 있다고 저자는 역설한다. 책 'AI 반도체 전쟁'을 통해 독자는 AI가 결코 거품이 아니며, 우리 삶에 얼마나 다양하게 활용될지 구체적으로 알게 되고, AI 반도체를 통해 어떤 산업과 비즈니스에 거대한 기회가 열릴지 새롭게 발견할 수 있을 것이다.

2024.08.30 15:57장경윤

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