검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'메모'통합검색 결과 입니다. (480건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

'HBM 부진' 인정한 삼성전자, 설비투자 눈높이도 낮춘다

삼성전자가 내년 말 HBM(고대역폭메모리)의 최대 생산능력(CAPA) 목표치를 당초 월 20만장에서 월 17만장 수준으로 하향 조정한 것으로 파악됐다. 최선단 HBM의 주요 고객사향 양산 공급이 지연되는 현실에 맞춰 설비투자 계획 또한 보수적으로 접근하려는 것으로 보인다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 내년도 말까지 확장하기로 한 HBM의 최대 생산능력 목표치를 10% 이상 낮출 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM의 생산능력을 확대하기 위해서는 이 TSV를 비롯한 첨단 패키징 설비가 필요하다. 지난 2분기까지만 해도 삼성전자는 HBM의 생산능력을 올해 말 월 14만~15만장으로, 내년 말 최대 월 20만장으로 늘리는 계획을 세웠다. SK하이닉스 등 주요 경쟁사가 HBM 생산량을 늘리는 데 따른 대응 전략, 엔비디아 등 주요 고객사향 퀄(품질) 테스트가 곧 마무리될 것이라는 긍정적인 전망 등을 반영한 결과다. 그러나 올 하반기 들어 상황이 변했다. 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 8단 및 12단 제품의 엔비디아향 퀄 테스트 통과가 당초 예상보다 지연되면서, 삼성전자는 올 연말 HBM 생산량 계획을 보수적으로 조정했다. HBM용 설비투자도 현재 상황을 반영해 안정적으로 잡았다. 내년 말까지 HBM 생산능력 목표치를 월 20만장에서 월 17만장으로 줄이고, 월 3만장 수준의 축소분은 추후에 투자하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 파악됐다. 용량 기준으로는 내년 말까지의 HBM 생산능력이 130억대 후반 Gb(기가비트)에서 120억Gb 수준으로 낮아진 셈이다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 HBM 사업 부진에 따라 설비투자 속도를 늦추기로 한 것으로 안다"며 "향후 엔비디아향 양산 공급이 확정돼야 추가 투자에 대한 논의가 진행될 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM3E 8단을 3분기 중 양산 공급하고, 12단은 여러 고객사의 양산 일정에 맞춰 하반기 공급할 예정"이라고 밝힌 바 있다. HBM 매출에서 HBM3E가 차지하는 비중도 3분기 10%, 4분기 60%로 빠르게 늘어날 것으로 내다봤다. 그러나 이 같은 전망은 엔비디아향 퀄 테스트 지연으로 사실상 달성이 어려워진 상황이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 마무리하는 등 진전을 이루기도 했으나, 여전히 확실한 성과는 나오지 않았다. 이에 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적 발표에서 "HBM3E의 경우 예상 대비 주요 고객사향 사업화 지연"을 공식화하기도 했다.

2024.10.10 10:07장경윤

4분기 HBM 가격만 오른다…나머지 D램은 '주춤'

올해 4분기 인공지능(AI) 반도체용 고대역메모리(HBM)를 제외한 D램 메모리 가격은 오름세가 둔화될 것으로 전망됐다. 10일 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 PC, 모바일 등 범용 메모리 수요가 감소하면서 범용 D램 가격이 전분기 보다 0~5% 상승하는 데 그칠 것으로 전망했다. 반면 AI 서버 시장에서 높은 수요를 보이고 있는 HBM 가격은 4분기에 8~13% 인상될 전망이다. 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 3분기 6%에서 4분기에 7%로 증가할 것으로 전망된다. 트렌드포스는 “소비자용 메모리 수요가 약화되면서 AI 서버용 메모리가 성장을 주도하고 있다”며 “HBM 생산이 기존 D램 용량을 대체하면서 공급업체는 계약 가격 인상에 대한 강경한 입장을 유지하고 있다”고 말했다. 시장별 D램 가격을 살펴보면, PC용 D램 가격은 전분기와 유사한 수준을 유지할 것으로 보인다. 3분기 PC 시장은 인텔의 루나레이크 시리즈가 출시 지연과 소비 시장 위축으로 인해 전통적인 성수기에도 불구하고 침체기를 겪었다. 이로 인해 PC용 D램 재고가 많아지면서 4분기에도 구수요가 감소할 것으로 예상된다. 서버용 D램은 전분기 대비 0~5% 상승할 전망이다 미국 클라우드서비스업체(CSP)들은 재고가 많아지면서 서버용 D램 구매를 줄였고, 중국 시장은 회복세를 보이고 있지만 여전히 전반적인 수요를 견인하기에 부족한 상황이다. 다만 최근 DDR5 모멘텀이 개선됨에 따라 전체 서버 D램 비트 출하량이 4분기에 개선될 가능성이 있다. 모바일용 D램 가격은 4분기 5~10% 하락이 예상된다. 트렌드포스는 스마트폰 브랜드는 3분기에 기존 모바일 D램 재고를 줄이면서, 지연된 조달 전략을 통해 공급업체 가격 조정에 저항했다”라며 “이로 인해 모바일 D램 수요가 순차적으로 30% 이상 감소했고, 이런 방식이 4분기에도 이어질 것”으로 내다봤다. 그래픽 D램 가격은 평년 수준을 유지할 것으로 보인다. 4분기 그래픽 수요는 여전히 부진한 가운데 메모리 공급업체는 그래픽 D램을 생산하던 캐파를 점점 HBM으로 할당하면서 GDDR 생산에 보수적인 전략을 유지하고 있다. 소비자용 D램 중 DDR5는 4분기 0~5% 하락하고, DDR4 가격은 유지될 전망이다. DDR3는 수요가 급격하게 감소하면서 시장에 과잉 공급이 발생했으며, 일부 공급업체는 출하 목표를 충족하기 위해 4분기에 가격을 인하할 가능성이 있다. DDR4는 중국 제조업체의 생산량 증가로 인해 가격 하락 가능성이 상존하고 있다.

2024.10.10 09:46이나리

SK하이닉스, 3분기 영업익 삼성 추월할 듯

SK하이닉스의 3분기 영업이익이 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적을 1조5천억원 가량 추월할 전망이다. 최근 범용 메모리 사이클 둔화에도 SK하이닉스는 수익성이 높은 AI 반도체용 고대역폭메모리(HBM) 시장을 선점함에 따라 실적이 상승한 것으로 보인다. 메모리 1위 삼성전자의 위상이 흔들리고 있다는 평가도 나온다. 8일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 SK하이닉스는 3분기 영업이익이 6조7천559억원으로 지난 2분기 대비 23.5% 증가하고, 전년 대비 흑자전환할 전망이다. SK하이닉스의 3분기 매출은 17조9천978억원으로 지난 2분기 대비 9.5% 증가하고, 전년 대비 98.5% 증가가 예상된다. 같은날 삼성전자는 3분기 잠정실적으로 전체 영업이익 9조1천억원을 기록하며, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS(디바이스솔루션) 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석됐다. 이날 시장 기대치를 밑도는 실적을 발표하자 삼성전자의 경영진은 이례적으로 사과문을 올리며 “기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복하겠다”며 고개를 숙였다. 삼성전자 반도체 실적의 부진은 스마트폰, PC용 재고 조정에 따라 범용 메모리 사이클이 둔화된 영향 탓이다. 무엇보다 시스템LSI와 파운드리 사업의 적자의 영향이 컸다. 반면, SK하이닉스는 범용 메모리 사이클 둔화라는 시장 여건에도 불구하고 HBM 덕분에 실적 상승을 이끈 것으로 전망된다. HBM은 범용 D램 보다 3~5배 비싼 가격으로 판매되는 고수익성 제품이다. SK하이닉스는 AI 반도체 시장에서 80% 점유율을 차지하는 대형 고객사인 엔비디아에 HBM을 가장 많이 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초 엔비디아에 HBM3E 8단을 가장 먼저 공급한데 이어 지난 9월 HBM3E 12단도 업계에서 가장 먼저 양산을 시작해 연내 고객사에 공급을 목표로 한다. 반면, 삼성전자는 아직 HBM3E 8단과 12단 제품을 엔비디아에 납품을 위한 품질(퀄) 테스트를 진행 중이다. 업계에서는 삼성전자도 연내에 공급할 것으로 내다보고 있다. 김형태 신한증권 연구원은 “모바일, PC향 메모리 수요가 예상보다 하회하고, 환율 영향, 일회성 비용이 반영해 SK하이닉스 3분기 실적 추정치는 하향하나, 신규 데이터센터(AI) 뿐만 아니라 과거 대규모 서버 증설분(일반) 교체로 실적 우상향 추세는 유지될 전망이다”고 진단했다. 이어 “SK하이닉스의 HBM3E 12단 양산은 경쟁사 대비 1개 분기 이상 빠른 상황이기에, 시장 선점으로 경쟁 우위가 지속될 것으로 기대된다”고 덧붙였다. 앞서 SK하이닉스는 지난 7월 말 2분기 컨퍼런스콜에서 “올해 3분기 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것”이라며 “올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스가 삼성전자 반도체의 영업이익을 추월한 것은 이번이 처음이 아니다. 지난해 전세계 반도체 업황 부진인 상황에서 SK하이닉스는 일찌감치 메모리 감산을 실시한 결과, 지난해 4분기 삼성전자 반도체 보다 먼저 흑자전환에 성공했다. 올해 1분기에도 SK하이닉스는 영업이익 2조8천860억원을 기록하면서 삼성전자의 DS 부문이 영업이익 1조9천100억원을 넘어선 바 있다.

2024.10.08 16:48이나리

ST, 스마트 엣지 위한 하이브리드 메모리 'Page EEPROM' 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 EEPROM의 전력 효율성 및 내구성과 플래시 메모리의 용량 및 속도를 결합한 하이브리드 메모리 'Page EEPROM'을 출시했다. 새로운 Page EEPROM은 데이터 집약적이면서, 전력 제약이 있는 애플리케이션을 지원한다. 헬스케어 기기, 자산 추적기, 전기 자전거를 포함한 다양한 산업 및 소비자 제품 등이 대표적이다. 예를 들어, 귀걸이형 보청기에서는 Page EEPROM을 사용해 자재비를 절감하고 더욱 슬림하면서도 편안한 제품을 만들 수 있다. ST의 EEPROM 제품군 필리페 가니벳(Philippe Ganivet) 부장은 "지능형 엣지가 빠르게 진화하면서 임베디드 메모리의 스토리지 밀도, 성능 및 전력 소모에 대한 요구사항이 급격하게 변화하고 있다"라며 "ST의 새로운 Page EEPROM은 배터리 기반 원격 IoT 모듈을 위한 마이크로컨트롤러를 보완하는 완벽한 초저전력 메모리다"고 말했다. ST의 Page EEPROM 제품군은 표준 EEPROM 디바이스에 비해 저장용량이 크게 증가하여 8Mbit, 16Mbit, 32Mbit의 밀도를 제공한다. 내장된 스마트 페이지 관리 기능을 통해 데이터 로깅과 같은 프로세스에서 바이트 단위의 쓰기 동작이 가능하다. 페이지/섹터/블록 단위의 지우기와 함께 최대 512byte의 페이지 프로그램 기능을 지원해 펌웨어 무선(OTA) 업데이트를 효율적으로 처리한다. 또한, 이 디바이스들은 버퍼 로딩이 가능해 여러 페이지를 동시에 프로그래밍하여 생산 시 소프트웨어 로딩 시간을 단축한다. 데이터 읽기 속도는 표준 EEPROM보다 약 16배 빠른 320Mbit/s이며, 쓰기 사이클 내구성은 기존 시리얼 플래시보다 몇 배 더 높은 50만회에 이른다. 또한 Page EEPROM은 새로운 피크 전류 제어 기능을 갖춰 전원 공급 노이즈를 최소화하고 배터리로 작동하는 장비의 사용 시간을 연장한다. 쓰기 전류는 대부분의 일반적인 EERPOM보다 낮으며, 고속 웨이크업 기능이 있는 딥 파워-다운(Deep Power-Down) 모드를 통해 전류를 1µA 미만으로 줄일 수 있다. Page EEPROM은 100년 데이터 보존이 가능하여 긴 수명을 보장한다. 이 디바이스들은 제품의 장기적인 가용성을 보장하는 ST의 10년 제품 공급 보증 프로그램에 포함된다. 사용자들이 페이지 EEPROM과 상호작용하고 애플리케이션 설계에 새로운 디바이스를 통합하는 방법을 학습할 수 있도록 X-NUCLEO-PGEEZ1 확장 보드와 X-CUBE-EEPRMA1 소프트웨어 패키지도 현재 제공 중이다. M95P08, M95P16, M95P32 Page EEPROM은 현재 생산 중이다. 판매 가격은 8Mbit M95P08은 0.5달러, X-NUCLEO-PGEEZ1은 40달러다.

2024.10.08 11:10이나리

고개 숙인 삼성전자, 3Q 성적표 기대 밑돌아

삼성전자가 올 3분기 잠정실적에서 영업이익 9조1천억원을 기록하며, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 경영진은 이례적으로 실적 부진에 "기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복하겠다"며 고개를 숙였다. AI 메모리 수요 강세에도 불구하고, 스마트폰, PC 등 재고 조정에 메모리 사이클 둔화까지 겹쳐 실적에 악영향을 미친 것으로 분석된다. 하지만 3분기 매출은 79조원으로 분기 기준 사상 최대를 기록했다. 삼성전자는 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 9조1천억원으로 전기 대비 12.84% 감소했고, 전년 동기 대비 274.49% 증가했다고 8일 공시했다. 지난해 반도체에서 적자를 기록한 삼성전자는 올해 업황 개선으로 지난 2분기 영업이익 10조4천439억원을 기록하는 깜짝 실적을 기록하며 하반기 기대감을 높였다. 분기 영업이익이 10조원을 넘어선 건 2022년 3분기(10조8천520억원) 이후 7분기 만이었다. 그러나 이번 3분기는 다시 10조원 밑으로 내려가며 아쉬움을 남겼다. 3분기 매출은 79조원으로 전기 대비 6.66% 증가, 전년 동기 대비 17.21% 증가했다. 앞서 증권가는 3분기 매출액 전망치를 82조9천520억원, 영업이익을 13조1천480억원으로 전망했지만 이달 초 매출 80조9천억원, 영업이익 10조7천억원으로 하향 조정한 바 있다. 그러나 이번 잠정실적이 하향 전망치 보다 낮은 성적을 낸 것이다. ■ 범용 메모리 출하량 둔화…시스템LSI·파운드리 적자 지속 증권가에서는 3분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5조3천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소할 것으로 내다봤다. 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 약 4조원대, 낸드 1조원대를 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원이 추정된다. 시스템반도체, 파운드리 사업의 적자와 더불어 재고손실, 투자, 환율 등의 일회성 비용이 증가한 것이 실적 하락에 악영향을 미쳤다. 김형태 신한투자증권 연구원은 “구형(레거시) 메모리 수요 둔화, 전 분기 대비 비메모리 적자 폭 확대, 경쟁사 대비 늦은 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입까지 반도체(DS) 부문 우려가 가중되고 있다"며 “3분기 DS 부문은 일회성 비용, 재고평가손실 충당금 환입 규모 축소로 전 분기 대비 영업이익이 감소했다”고 분석했다. 삼성전자는 HBM 5세대인 HBM3E 8단과 12단 제품을 AI 반도체 고객사인 엔비디아에 납품하기 위한 품질(퀄) 테스트를 진행 중이다. 김동원 KB증권 연구원은 “3분기 스마트폰, PC 판매 부진으로 메모리 모듈 업체들의 재고가 12~16주로 증가하며 하반기 메모리 출하량과 가격 상승이 당초 기대치를 하회할 것으로 전망된다”며 “반면 HBM, DDR5 등 AI 및 서버용 메모리 수요는 여전히 견조한 것으로 파악된다”고 덧붙였다. 시장조사업체 램익스체인지가 지난 1일 발표한 메모리 고정거래가격에 따르면 9월 PC용 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8′의 평균 고정 거래가격은 전월 대비 17.7% 감소한 1.7달러를 기록했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락한 것으로 집계된다. ■ 디스플레이·모바일 소폭 상승…가전·TV는 작년과 비슷 3분기 모바일(MXㆍNW) 영업이익은 2조6천억원으로 지난해(2조2천300억원)와 비슷할 전망이다. 다만, 삼성전자가 하반기 반등을 노리며 출시한 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈 판매량은 기대치를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 생활가전과 영상디스플레이 사업부문 영업이익은 4천억원으로 전년 동기와 유사하거나 소폭 성장이 예상된다. 삼성디스플레이는 아이폰16, 갤럭시Z6 등 고객사의 신제품 스마트폰 출시 효과로 3분기 영업이익이 1조4천억원으로 전년 동기 영업이익(1조1천억원) 보다 증가한 것으로 보인다. 하만 3분기 영업이익은 3천억원으로 전년(4천500억원)보다 감소할 전망이다. ■ 전영현 부회장 "위기론 송구, 기술 경쟁력 복원해 위기 극복" 약속 이날 3분기 잠정발표 이후 삼성전자에서 반도체 수장을 맡은 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장)은 3분기 실적이 기대에 미치지 못한 성과에 대해 사과하며, 기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복에 앞장서겠다고 고개를 숙였다. 전 부회장은 "지금 저희가 처한 엄중한 상황도 꼭 재도약의 계기로 만들겠다"며 "기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심이다. 단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다"고 말했다. 삼성전자는 이달 31일 3분기 컨퍼런스콜을 통해 잠정실적 및 사업부별 실적을 발표할 예정이다.

2024.10.08 10:24이나리

IEEE "HDD 용량, 4년 뒤 60TB까지 늘어날 것"

현재 단일 최대 용량 30TB(테라바이트)까지 올라선 하드디스크 드라이브(HDD) 용량이 4년 뒤 두 배인 60TB까지 높아질 것이라는 전망이 나왔다. 국제전기전자기술자협회(IEEE) 컴퓨터학회가 지난 9월 말 발간한 학회지에서 이같이 밝혔다. IEEE는 저장장치 제조사와 관련 기술 연구소 등 학계·업계 관계자의 전망을 모아 2년에 한 번씩 관련 로드맵을 내놓고 있다. 올해 공개된 로드맵 관련 논문에도 IBM과 웨스턴디지털, 키오시아 관계자가 참여했다. IEEE 컴퓨터학회는 최근까지 시장에 출시된 고용량 HDD와 낸드 플래시메모리 진척상황을 토대로 "향후 4년간 HDD 용량은 두 배까지 높아지며 낸드 플래시메모리는 500단 이상 적층을 통해 모듈 하나당 1TB까지 저장 가능할 것"이라고 설명했다. ■ HDD 최대 용량 내년 40TB까지 확대 씨게이트는 지난 해 말 HAMR(열보완 자기기록) 방식 HDD '엑소스 X 모자이크 3+' 30TB 시제품을 공개한 데 이어 지난 1분기부터 클라우드 서비스 업체 등 대형 공급사에 제품을 공급한다. 웨스턴디지털도 지난 해 말 울트라SMR 방식을 적용한 울트라스타 DC HC680 28TB HDD 시제품을 공개하고 3분기부터 주요 고객사에 공급중이다. 3위 업체 도시바는 HAMR/MAMR(극초단파 보완 자기 기록) 방식 30TB 이상 HDD 시제품을 내년에 공개할 예정이다. 씨게이트는 이미 내년 중 최대 40TB 저장 가능한 기업용 HDD를 공개하겠다고 밝혔다. IEEE 컴퓨터학회도 이를 토대로 "HDD 최대 용량이 내년에는 40TB, 2028년까지 60TB까지 높아질 것"이라고 설명했다. 단 IEEE 컴퓨터학회는 "HDD 용량을 높이려면 내부에서 이를 기록하는 헤드, 데이터가 실제로 저장되는 플래터(Platter)의 기록 방식을 바꿔 데이터 저장 밀도를 높여야 한다"고 지적했다. ■ HDD 저장 용량 늘어나면 출하량도 반등... "2028년 2억 대 넘긴다" HDD 출하량은 2010년대 초반 SSD 부상 이후 지속적으로 줄고 있다. 현재 일반 소비자의 HDD 수요는 거의 없는 것과 마찬가지이며 NAS(네트워크 저장장치)를 구축, 클라우드 대신 대용량 데이터를 저장하기 위한 SOHO나 기업용에 집중돼 있다. IEEE 컴퓨터학회는 HDD 저장 용량이 늘어나는 것을 전제로 오는 2026년부터 HDD 출하량이 반등할 것으로 전망했다. 2022년 출하량은 1억 6천600만 대 수준이었지만 2028년에는 2억 대를 넘어설 것이라는 것이다. IEEE는 "적절한 성능에 대용량 데이터를 저장할 수 있는 수요가 필요하며 HDD는 이를 충족할 수 있는 완벽한 후보군이므로 HDD 판매 수요를 증가세로 돌려세울 것"이라고 설명했다. ■ "5년 뒤 QLC 낸드 플래시 500단 이상 쌓아 칩 하나당 1TB 저장" IEEE 컴퓨터학회는 낸드 플래시메모리 용량도 향후 5년 안에 최대 4배까지 늘어날 것으로 예상했다. 셀 당 4비트를 저장하는 QLC 낸드 플래시와 수직 적층 기술 등장이 그 원인으로 꼽힌다. QLC(4비트) 낸드 플래시메모리는 TLC(3비트) 플래시메모리 기반 제품 대비 떨어지는 쓰기 속도와 수명 문제로 이를 적용한 SSD 보급이나 판매에 어려움을 겪었다. 그러나 대용량 확보가 필요한 기업용 시장을 시작으로 일반 소비자용 제품 출시도 늘어났다. IEEE는 "현재 200단 수준인 낸드 플래시 적층 기술이 내년에는 300단, 2027년에는 500단을 돌파하며 2029년에는 모듈 하나당 8테라비트(1TB)를 저장하게 될 것"이라고 밝혔다. 향후 5년 안에 SSD 용량이 최대 4배 향상될 것이라는 의미다.

2024.10.07 16:21권봉석

메모리 사이클 둔화...삼성전자 3분기 영업익 전망치 하회할 듯

삼성전자 3분기 실적이 증권가 전망치 보다 하회해 매출 80조원대, 영업이익 10~11조원대를 기록할 전망이다. AI 메모리 수요 강세에도 불구하고 메모리 사이클 둔화, 하반기 플래그십 스마트폰 판매 부진 등이 요인으로 분석된다. 삼성전자는 오는 8일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 6일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 3분기 매출 81조3천88억원, 영업이익은 11조379억원을 기록하며 전년 보다 각각 20.6%, 353% 증가할 전망이다. 하지만 최근 증권가에서는 삼성전자 실적 기대치를 계속 낮추고 있다. 지난 4일 IBK투자증권은 3분기 매출액 전망치를 기존 82조9천520억원에서 80조3천470억원으로, 영업이익은 13조1천480억원에서 10조1천580억원으로 각각 하향 조정했다. 앞서 지난 2일 신한투자증권은 3분기 매출액 81조원, 영업이익은 10조2천억원으로 기존 전망치 보다 낮췄다. 삼성전자는 2022년 4분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 이후, 메모리 업황 개선으로 지난 2분기 7개 분기 만에 10조원대로 회복한 바 있다. 당시 기대치를 크게 웃도는 어닝 서프라이즈였기에 이번 3분기에도 증권가의 기대감이 컸지만, 최근 범용 메모리 출히량 부진과 가격 하락에 따라 전망치를 조정했다. ■ 레거시 메모리 출하량 둔화…시스템LSI·파운드리 적자 지속 3분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5조4천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원)와 비교해서 16% 감소할 전망이다. 메모리를 제외한 시스템반도체, 파운드리 사업은 적자가 지속되고 있다. 증권가에 따르면 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 4조4억원, 낸드 1조5천억원을 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원으로 추정된다. 김형태 신한투자증권 연구원은 “구형(레거시) 메모리 수요 둔화, 전 분기 대비 비메모리 적자 폭 확대, 경쟁사 대비 늦은 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입까지 반도체(DS) 부문 우려가 가중되고 있다"며 “3분기 DS 부문은 일회성 비용, 재고평가손실 충당금 환입 규모 축소로 전 분기 대비 영업이익이 감소했다”고 분석했다. 김동원 KB증권 연구원은 “3분기 스마트폰, PC 판매 부진으로 메모리 모듈 업체들의 재고가 12~16주로 증가하며 하반기 메모리 출하량과 가격 상승이 당초 기대치를 하회할 것으로 전망된다”며 “반면 HBM, DDR5 등 AI 및 서버용 메모리 수요는 여전히 견조한 것으로 파악된다”고 덧붙였다. 실제로 시장조사업체 램익스체인지가 지난 1일 발표한 메모리 고정거래가격에 따르면 9월 PC용 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8′의 평균 고정 거래가격은 전월 대비 17.7% 감소한 1.7달러를 기록했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락한 것으로 집계된다. 박유학 키움증권 연구원은 “높아진 고객 재고로 인해 3분기 메모리 출하량이 전분기 대비 D램 2%, 낸드 5% 감소가 예상되지만, 전체 가격상승이 이를 상쇄하며 실적 성장을 견인할 것으로 보인다”며 “D램 평균가격이 전분기 대비 8%, 낸드 3% 각각 증가했다”고 밝혔다. ■ 디스플레이·모바일 소폭 상승…가전·TV는 작년과 비슷 3분기 모바일(MXㆍNW) 영업이익은 2조6천억원으로 지난해(2조2천300억원)와 비슷할 전망이다. 다만, 삼성전자가 하반기 반등을 노리며 출시한 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈의 판매량은 기대치를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 생활가전과 영상디스플레이 사업부문 영업이익은 4천억원으로 전년 동기와 유사하거나 소폭 성장이 예상된다. 삼성디스플레이는 아이폰16, 갤럭시Z6 등 고객사의 신제품 스마트폰 출시 효과로 3분기 영업이익이 1조4천억원으로 전년 동기 영업이익(1조1천억원) 보다 증가한 것으로 보인다. 하만 3분기 영업이익은 3천억원으로 전년(4천500억원)보다 감소할 전망이다.

2024.10.06 09:00이나리

삼성전자, 엔비디아향 HBM3E 공급 '칠전팔기'…평택서 실사 마무리

삼성전자와 엔비디아가 최근 진행된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 관련 실사(Audit)를 차질없이 마무리한 것으로 파악됐다. 제품의 양산 공급이 당초 예상보다 늦어지는 가운데, 기존 제기된 품질 문제를 해결했다는 점에서 긍정적인 평가가 나온다. 다만 이번 실사는 HBM 공급을 위한 중간 과정으로, 최종적인 퀄(품질) 테스트로 직결되는 사안은 아니다. 때문에 양사 간 HBM3E 사업 전망에 대해서는 조금 더 지켜봐야 한다는 의견도 적지 않다. 2일 업계에 따르면 엔비디아는 지난달 말 삼성전자 평택캠퍼스를 찾아 HBM에 대한 실사를 진행했다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "엔비디아가 최근 평택캠퍼스를 방문해 8단 HBM3E에 대한 실사를 진행했다"며 "최근 대두됐던 HBM 품질 문제는 이번 실사에서 해결이 된 것으로 가닥이 잡혔다"고 설명했다. HBM3E는 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 8단 및 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 퀄 테스트를 지속해 왔다. 당초 업계에서는 8단 제품이 8~9월 결과가 나올 것으로 예상해 왔으나, 공식적인 퀄 승인은 아직 나오지 않은 상황이다. 주로 전력(파워) 미흡이 발목을 잡은 것으로 알려졌다. 실사는 고객사가 제조사의 팹을 방문해 양산 라인 및 제품 등을 점검하는 행위다. 업계에서는 퀄 테스트 통과 이전에 거쳐야 하는 관례적인 수순으로 본다. 이번 실사로 삼성전자는 8단 HBM3E에 대한 내부적인 양산 준비를 차질없이 완료할 수 있을 것으로 관측된다. 다만 실사는 엔비디아향 퀄 테스트 결과와는 무관하다. 퀄 테스트에서는 HBM 자체만이 아니라 시스템반도체와 결합되는 패키징 단계에서의 수율·성능 등을 추가로 검증해야 한다. 때문에 삼성전자 HBM3E가 엔비디아의 고성능 AI 가속기인 'H200'·'B100' 등에 곧바로 대량 공급될 가능성은 현재까지 조금 더 두고 봐야한다는 분석된다. 이보다는 저가형 커스터머 칩 등 비(非) 주력 제품에 먼저 적용되는 방안이 유력하다는 게 업계 전언이다. 실제로 삼성전자는 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 H200에서 성능을 낮춘 'H20' 칩에 올해 HBM3를 공급한 바 있다. 업계 한 관계자는 "가장 최근 진행된 실사에서 HBM3E의 품질 문제를 해결한 것은 긍정적인 신호"라면서도 "본격적인 양산 공급을 위한 최종 퀄 테스트 통과는 지속 연기돼 온 만큼, 실제 영향은 조금 더 지켜봐야 한다"고 설명했다.

2024.10.02 15:13장경윤

웨스턴디지털, 플래시 메모리 부문 웹사이트 분리

웨스턴디지털이 1일(미국 현지시간) 회사 분할을 앞두고 낸드 플래시메모리 기반 제품 정보와 판매 관련 웹사이트를 샌디스크닷컴으로 분리했다. 웨스턴디지털은 2016년 5월 낸드 플래시메모리 기반 저장장치 제조사인 샌디스크를 160억 달러(약 21조 2천억원)에 인수했다. 이후 샌디스크는 웨스턴디지털의 제품 브랜드로만 남아 있었다. 그러나 하드디스크 드라이브(HDD) 수요 감소로 성장이 정체되자 웨스턴디지털은 지난 해 10월 회사를 소비자·기업용 HDD 관련 기업과 낸드 플래시메모리 기반 기업으로 분할할 것이라고 밝힌 바 있다. 이번 웹사이트 분리에 따라 HDD와 낸드 플래시 메모리 기반 SSD와 각종 저장장치 관련 고객 지원도 분리됐다. 회사 분할은 올 하반기 중 마무리 될 예정이다. 데이비드 게클러(David Goeckeler) 웨스턴디지털 CEO가 낸드 플래시메모리 기반 회사 CEO로 이동하며 어빙 탄(Irving Tan) 글로벌 부문 수석부사장은 HDD 회사인 웨스턴디지털 CEO가 될 예정이다. 웨스턴디지털은 낸드 플래시메모리 부문 분할 이후 이를 재상장할 계획이다. 새 회사 이름은 과거 이용했던 '샌디스크'가 유력하다.

2024.10.02 09:39권봉석

기세 꺾인 메모리…D램·낸드 가격 '두 자릿 수' 하락

D램·낸드 등 메모리의 고정거래가격이 지난달 전월 대비 두 자릿 수 하락한 것으로 나타났다. IT 시장의 수요 회복세가 부진한 데 따른 영향으로, 올 4분기 D램 가격은 보합세에 접어들 전망이다. 30일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 9월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 평균 1.70 달러로 전월 대비 17.07% 감소했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락했다. 앞서 D램·낸드 가격은 지난해 중반까지 가격이 지속 하락한 뒤, 4분기부터 본격적인 반등세에 접어들었다. 그러나 지난달 D램 가격은 전월 대비 -2.38% 하락했으며, 낸드는 지난 3월부터 지난달까지 보합세를 유지한 바 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "PC 제조사들은 수요 반등이 부족하다는 점을 반영해 여전히 전체 재고 수준을 상대적으로 높게 유지하고 있다"며 "4분긴 PC 출하량은 전분기 대비 3.8% 감소할 것으로 예상되며, 이는 당초 예상치인 0.8% 감소에 비해 하향 조정된 수치"라고 설명했다. 이에 따라 트렌드포스는 올 4분기 PC용 D램 모듈의 가격 전망을 당초 전분기 대비 3~8% 증가에서 '보합세(Flat)'로 하향했다. 이는 DDR4와 DDR5 모두 해당된다. PC 제조사들의 재고 감축 기조와 국내 D램 제조업체들의 점유율 확대 전략 등이 영향을 미치고 있다. 낸드의 경우 TLC(트리플 레벨 셀)의 계약 및 현물 가격 하락으로 SLC(싱글), MLC(멀티) 제품까지 연쇄적인 하락세가 나타났다. 트렌드포스는 "중국 내 경제 부진과 지방 정부의 지출 둔화 등으로 10월에도 SLC 및 MLC 제품의 가격이 지속 하락할 가능성이 높다"고 밝혔다.

2024.10.01 12:00장경윤

HBM 공급 자신감…SK하이닉스·마이크론 주가로 답했다

고대역폭메모리(HBM) 수요 강세가 이어지면서 주요 공급 업체인 SK하이닉스와 마이크론의 주가가 전날에 이어 27일 급격한 상승세를 보이고 있다. 삼성전자 또한 소폭 오름세를 보였다. 마이크론은 현지시간 26일(한국시간 27일 새벽) 뉴욕증시에 전날 보다 14.73% 급등한 109.88달러(14만4천711원)에 거래를 마쳤다. 마이크론 주가가 100달러선을 넘은 것은 지난 8월 23일 이후 한 달여만이다. 이날 장중 상승폭은 20%까지 확대되기도 했다. SK하이닉스의 주가도 크게 올랐다. 26일 SK하이닉스의 주가는 전일 대비 9.44% 오른 18만900원에 장을 마쳤다. 27일 오후 1시 5분 기준으로 전날보다 2.43% 오른 18만5300원을 기록 중이다. 삼성전자의 주가는 26일 전날보다 4.02% 상승한 6만4700원으로 장을 마감했고, 27일 같은 시간 기준으로 전날보다 0.15% 오른 6만4800원을 나타내고 있다. 메모리 업계의 주가가 오른 배경은 마이크론이 시장 예상을 뛰어넘는 깜짝 실적을 냈기 때문이다. 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 주요 투자은행이 HBM 공급과잉을 주장하는 비관론을 내놓았지만, 마이크론은 'HBM 완판'을 소식을 전하며, 반도체 겨울론을 뒤집었다. 26일(현지시간) 마이크론은 2024 회계연도 4분기(~8월 29일) 매출이 77억5천만 달러(약 10조3천400억원)로 전년 대비 93%, 직전 분기 대비 14% 증가했고, 영업이익은 17억4천500만 달러(약 2조3천300억원)로 직전 분기보다 85% 늘었다. 이는 4분기 실적 중 10년 만에 가장 좋은 분기별 매출 성장률을 달성한 것이다. ■ AI 반도체 성장 속에 'HBM 수요 강세' 이어져 일부 투자은행의 우려와 달리 AI 반도체 성장 속에 HBM 수요 강세는 지속될 전망이다. 4분기 실적발표 이후 컨퍼런스콜에서 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "HBM은 올해는 물론 2025년 물량까지 완판됐다”며 “HBM 수급 상황은 걱정할 필요가 없다"고 강조했다. 그는 이어 "강력한 AI 수요가 데이터센터용 D램과 HBM 판매를 주도하고 있기에 다음 분기에도 기록적인 매출을 올릴 것"이라고 말했다. 로이터통신은 26일 AJ벨의 댄 코츠워스 투자 분석가를 인용해 "엔비디아를 포함한 고객들이 마이크론의 HBM 칩을 얻기 위해 줄을 서고 있는 것을 보면, AI 열풍이 아직 끝나지 않았다는 것이 분명하다"고 진단했다. 시장조사업체 트렌드포스는 보고서를 통해 "HBM의 올해 연간 성장률은 200%를 넘어설 전망이고, 내년 HBM 소비는 올해 보다 2배가 될 것으로 예상된다"며 "내년 신제품 블랙웰 울트라 등이 출시되면, 엔비디아의 HBM 조달율은 70%를 넘을 전망이다"고 말했다. 트렌드포스는 고가의 HBM의 판매 확대로 인해 D램 평균가격은 올해 전년 보다 53% 상승, 내년에는 35% 상승할 것으로 예상했다. 이로 인해 올해 전체 D램 매출은 전년 보다 75% 증가한 907억 달러, 내년에는 전년보다 51% 증가한 1천365억 달러를 기록할 것으로 보인다. ■ 1등 SK하이닉스 세계 최초 HBM3E 12단 양산...TSMC·엔비디아 동맹 강조 마이크론이 실적을 발표한 날, HBM 1등 SK하이닉스는 세계 최초로 HBM3E 12단 양산을 발표하면서 HBM 시장에 대한 기대감을 높였다. SK하이닉스의 HBM3E 12단은 연내에 엔비디아에 공급될 예정이다. HBM3E 12단은 B200A, GB200A 등 엔비디아의 최첨단 고성능 AI 반도체에 들어갈 전망이다. 지난 3월 HBM3E를 엔비디아에 납품한지 약 6개월 만이다. 또 이날 SK하이닉스는 대만 TSMC가 미국 캘리포니아에서 개최한 'OIP 에코시스템 포럼 2024'에 참가해 HBM3E 12단과 엔비디아 'H200'을 나란히 공동 전시하며, '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 이는 AI 반도체 1위인 엔비디아의 주요 고객사란 점을 강조한 것으로 해석된다. 마이크론과 삼성전자의 HBM3E 12단 제품이 엔비디아의 퀄(품질) 테스트를 통과할지도 주목된다. 마이크론은 이달 초 자사의 홈페이지를 통해 HBM3E 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔다. 김형태 신한증권 연구원은 "마이크론은 HBM3E 12단을 내년 1분기에 고객사에 공급이 예상되며, 내년 2분기부터 12단 제품이 주력 제품으로 자리잡을 전망이다"고 말했다. 이달 초 트렌드포스는 "삼성이 (SK하이닉스, 마이크론에 비해) 다소 늦게 뛰어들었지만, 최근 HBM3E 인증을 완료하고 H200용 HBM3E 8단 제품의 출하를 시작했다"고 밝힌 바 있다. 예상대로 HBM3E 8단 제품이 출하를 시작했을 경우 HBM3E 12단 제품의 퀄테스트 통과도 탄력을 받을 것으로 보인다. 삼성전자는 지난 7월 2분기 컨콜에서 HBM3E 8단 제품을 올해 3분기 내 양산해 공급을 본격화하고, 12단 제품도 하반기에 공급한다는 로드맵을 제시한 바 있다.

2024.09.27 15:11이나리

파네시아, 세계 최초 'CXL 3.1 스위치 활용 AI 클러스터' 공개

국내 팹리스 스타트업 파네시아가 '2024 OCP 글로벌 서밋' 세계 최초로 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 3.1 스위치를 탑재한 AI 클러스터를 공개해 글로벌 고객사 확장에 나선다, 2024 OCP 글로벌 서밋은 세계 최대 규모의 데이터센터 하드웨어 개발 협의체인 OCP가 주최하는 행사로, 10월 15일부터 17일까지 미국 캘리포니아 산호세에서 진행된다. 파네시아는 CXL 스위치 SoC 및 CXL IP(설계자산)를 개발한다. CXL 스위치는 CPU, 메모리, 가속기 등 여러 시스템 장치들을 연결하고 이들 사이의 종단간(end-to-end) 통신을 관리하는 핵심 장치다. 파네시아는 이번 2024 OCP 글로벌 서밋 전시회에서 'CXL 탑재 AI 클러스터'를 출품할 예정이다. 파네시아의 CXL 탑재 AI 클러스터는 'CXL-메모리 노드'와 'CXL-GPU 노드'가 연결된 형태인데, 이 중 'CXL 메모리 노드'에는 CXL 메모리 확장장치가 다수 장착돼 대용량 메모리를 제공한다. 'CXL-GPU 노드'에는 CXL-GPU 장치가 집약적으로 장착되어 AI 연산을 가속한다. 클러스터에 장착된 다수의 CXL 장치에는 모두 파네시아가 개발한 고성능 CXL IP가 내재된다. 이 CXL IP는 장치들 간의 통신 과정을 최적화해 성능 저하 없는 메모리 확장을 가능케 한다. 뿐만 아니라 파네시아 CXL 3.1 스위치는 기존 CXL 2.0 스위치와 달리 고확장성 기능을 지원해 여러 노드(서버) 간의 연결이 가능하다. 파네시아 관계자는 "CXL 3.1 스위치가 포함된 AI 클러스터는 세계 최초로 공개되는 것이며, AI 가속 솔루션인 CXL-GPU가 포함된 온전한 시스템 또한 파네시아가 세계 최초로 개발한 것"이라고 강조했다. 파네시아의 CXL 3.1 스위치 칩은 내년 하반기 고객사들에게 공급될 예정이다. 아울러 파네시아는 CXL 탑재 AI 클러스터를 활용한 RAG(Retrieval-Augmented Generation) 가속 데모를 세계 최초로 공개한다. RAG은 챗GPT를 개발한 오픈AI가 개발하는 차세대 LLM (대규모 언어 모델)의 한 형태로, 기존 LLM이 가지고 있던 고질적인 문제인 '환각현상'을 극복한 최신 AI 응용이다. 파네시아 관계자는 "CXL 3.1 스위치와 고성능 CXL IP를 활용하면 수십, 수백대의 장치들을 연결할 수 있어 RAG와 같은 최신 AI 응용들을 데이터센터 수준에서 효과적으로 가속할 수 있다"며 "이번 OCP 글로벌 서밋 출품을 통해 기존 협업을 진행하던 글로벌 기업들과의 관계를 확고히 다지고, 새로운 고객사를 확보할 계획이다"고 밝혔다.

2024.09.27 10:13이나리

SK하이닉스, TSMC 포럼서 HBM3E·엔비디아 H200 나란히 전시...동맹 강조

SK하이닉스가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC OIP 에코시스템 포럼 2024(이하 OIP 포럼)에서 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 함께 전시해 TSMC와 전략적 파트너십을 강조했다. 아울러 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개해 주목을 받았다. OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다. TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 OPI 행사를 개최한다. SK하이닉스는 올해 처음으로 이 행사에 참여했다. 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 ▲글로벌 No.1 HBM ▲AI·데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였다. 특히 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 'HBM3E'와 엔비디아 'H200'을 공동 전시하며 '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 'HBM3E 12단'은 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도를 자랑하는 AI 메모리다. 성능 검층을 마친 HBM3E 12단은 H200의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다. AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 'DDR5 RDIMM(1cnm)' 실물을 처음으로 공개해 많은 관심을 모았다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모은다. 이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 'DDR5 MCRDIMM*'과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 'DDR5 3DS RDIMM' 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 'LPCAMM2', 세계 최고속 모바일 D램 'LPDDR5T' 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 'GDDR7'까지 선보였다. MCRDIMM은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품이다. 이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 'OIP 파트너 테크니컬 토크' 세션에서 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획"이라고 설명했다. 한편, SK하이닉스는 이번 행사를 'AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리'라고 평가했다. 회사는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.

2024.09.26 15:57이나리

삼성전자, 최고 수준 성능·효율 갖춘 '990 EVO Plus' SSD 출시

삼성전자가 PCIe 4.0 기반의 고성능 소비자용 SSD 제품인 '990 EVO Plus'를 출시했다고 26일 밝혔다. '990 EVO Plus'는 8세대 V낸드와 5나노 컨트롤러를 탑재해 업계 최고 수준의 성능과 전력 효율을 갖췄다. 이번 제품의 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 최대 초당 7,250MB(메가바이트), 6,300MB로, 전작 '990 EVO' 대비 각각 45%, 50% 향상돼 업계 최고 수준의 성능을 자랑한다. 이를 통해 전력 효율이 70% 이상 개선돼 같은 전력으로 데이터를 더 빨리 전송할 수 있게 됐다. 이번 '990 EVO Plus'는 고용량 4TB(테라바이트) 제품이 추가돼 1TB, 2TB, 4TB 3가지 용량으로 출시된다. 특히 4TB 제품의 임의 읽기·쓰기 속도는 각각 1,050K IOPS, 1,400K IOPS로, 제품 내부 D램 탑재 없이도 빠른 데이터 전송 속도를 구현했다. 소비자는 이번 제품을 노트북∙PC의 메인보드에 장착해 성능과 용량 모두를 손쉽게 업그레이드 할 수 있고, 향상된 성능과 용량을 바탕으로 게임∙크리에이티브 등 고성능을 요구하는 작업에도 유용하다. '990 EVO Plus'는 인텔리전트 터보 라이트 2.0 기술을 적용해 데이터 전송 속도가 크게 향상됐고, 데이터 지연도 최소화했다. 인텔리전트 터보 라이트는 SSD의 일부 영역을 SLC Cache로 활용해 데이터를 빠른 속도로 전송할 수 있는 기능이다. 또한 니켈로 코팅된 컨트롤러와 열 분산 라벨을 통해 제품에서 발생하는 열을 효과적으로 방출시키는 등 제품 안정성을 높였다. 열 분산 라벨은 제품 동작 중 내부 부품에서 발생하는 열을 배출하기 위해 별도 부착된 금속 라벨이다. 이 외에도 '삼성 매지션(Samsung Magician) 8.2' 소프트웨어를 통해 ▲데이터 마이그레이션 ▲펌웨어 업데이트 ▲드라이브 상태 모니터링 ▲데이터 보호 등도 가능해 제품의 관리 및 사용이 증대된 것이 특징이다. 손한구 삼성전자 메모리사업부 브랜드제품Biz팀 상무는 "고화질 이미지와 영상 등으로 인해 고용량 데이터를 저장할 수 있는 스토리지에 대한 소비자들의 니즈가 증가하고 있다"며 "'990 EVO Plus'는 빠른 데이터 처리 속도와 큰 저장 용량을 제공해 일반 PC 사용자부터 전문가까지 다양한 사용자들을 만족시킬 것으로 기대된다"고 말했다.

2024.09.26 09:58장경윤

SK하이닉스, 12단 HBM3E 세계 첫 양산…엔비디아 공략 속도

SK하이닉스가 현존 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM3E는 5세대 제품에 해당된다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. 회사는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 또 한번 괄목할 만한 성과를 거뒀다. SK하이닉스는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어HBM3E까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다. 회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 회사는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 회사는 자사 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 기술이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “당사는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.

2024.09.26 09:57장경윤

마이크론, '반도체 겨울' 전면 반박…"내년 HBM 등 성장"

미국 반도체기업 마이크론이 증권가 컨센서스를 웃도는 '어닝 서프라이즈'를 기록했다. 메모리 시장이 약세를 보일 것이라는 우려를 뒤집은 것으로, 회사는 내년에도 고대역폭메모리(HBM) 등이 견조한 성장세를 거둘 것이라고 전망했다. 마이크론은 2024 회계연도 4분기(6~8월) 77억 5천만 달러 매출을 기록했다고 26일 발표했다. ■ D램·낸드 모두 호조세…어닝 서프라이즈 기록 이번 분기 매출은 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 이로써 마이크론의 2024 회계연도 전체 매출은 251억 달러로, 작년에 비해 62% 증가한 것으로 집계됐다. 4분기 매출도 시장 예상치를 크게 웃돌았다. 최근 증권가에서는 마이크론의 이번 분기 예상 매출액을 76억6천만 달러 수준으로 하향 조정한 바 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리 수요 부진, 중국 후발주자들의 생산량 확대 등이 주요 근거였다. 그러나 마이크론은 예상보다 견조한 매출을 달성했다. 해당 분기 주당 순이익(비GAAP 기준)도 1.18달러로 마이크론 및 증권가의 예상치였던 1.11달러를 모두 넘어섰다. 산제이 메흐로트라 최고경영자(CEO)는 "강력한 AI 수요가 서버용 D램과 HBM 등의 성장을 견인했고, 낸드 분야도 서버용 eSSD 매출이 처음 10억 달러를 돌파하는 등 호조세를 보였다"며 "2025 회계연도에도 기록적인 매출을 예상한다"고 밝혔다. 마이크론이 제시한 2025 회계연도 1분기(2024년 9~11월) 매출 전망치는 85억~89억 달러다. 시장 예상치였던 83억 달러를 넘어서는 범위다. 주당순이익도 시장 예상치인 1.52달러를 웃도는 1.68~1.82달러의 전망을 제시했다. 이외에도 마이크론은 EUV(극자외선) 공정 기반의 최선단 D램 시생산이 순조롭게 진행 중이며, 현재 1b(5세대 10나노급 D램), 9세대 낸드 생산 비중이 급증하고 있음을 강조했다. ■ HBM 등 메모리 공급 과잉 우려 '일축' 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 해외 주요 증권사들은 메모리 시장에 '겨울'이 오고 있다는 의견을 내놨다. D램 가격이 내년 하락세로 전환하고, HBM 시장도 과잉 공급 체제로 기울 것이라는 게 핵심 근거였다. 그러나 마이크론은 향후 메모리 및 HBM 시장 전망에 대해 긍정적인 견해를 내비쳤다. 마이크론은 HBM 매출이 2023 회계연도 40억 달러 수준에서 2025 회계연도 250억 달러까지 성장할 것으로 내다봤다. HBM이 D램에서 차지하는 비중도 비트(Bit) 기준 1.5%에서 6%로 성장할 것으로 예상했다. 메모리 공급 전망에 대해서는 "올해 D램과 낸드 업계의 웨이퍼 용량이 2022년 최고치를 기록했을 때보다 낮을 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급·수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 한편 2024 회계연도 마이크론의 설비투자 규모는 약 81억 달러를 기록할 전망이다. 2025 회게연도 설비 투자는 매출 대비 약 30% 중반대의 비율로 의미 있는 수준으로 높아질 것으로 예상했다. 해당 설비투자의 대부분은 미국 그린필드 팹과 HBM 분야에 집중된다.

2024.09.26 09:07장경윤

'SK하이닉스 투자' 日키옥시아, 상장 11월 이후로 연기

SK하이닉스가 간접 출자한 일본 반도체 메모리 업체 키옥시아홀딩스(옛 도시바메모리)가 상장 시기를 기존 10월에서 11월 이후로 연기했다. 반도체 시장 약세에 따른 결정이다. 25일 니혼게이자이신문(닛케이), 로이터통신에 따르면 키옥시아는 10월에 계획한 IPO 를 취소했다. 앞서 키옥시아는 지난 8월 23일 도쿄증권거래소에 10월 상장을 신청한 바 있다. 키옥시아 주요 투자사인 베인캐피탈은 키옥시아의 시장 가치를 1조5천억 엔으로 예상했다. 그러나 로이터는 소식통을 인용해 "최근 반도체 증시 환경이 불안정해지면서 키옥시아가 목표를 달성하지 못할 것으로 보고 있다"고 전했다. 메모리 업계에서 최근 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등이 최고치에 비해 약 3분의 1이 하락했다. 일본 주식 시장은 8월 초 예상치 못한 금리 인상과 미국 경기 침체에 대한 우려로 인해 역사적인 폭락을 겪었지만, 이후 회복세를 보이고 있다. 일본 니혼게이자이신문은 "키옥시아 상장 계획은 변함없으며, 11월 이후 조기 상장을 목표로 한다"고 밝혔다. 키옥시아 관계자는 "적절한 시기 상장을 목표로 한다"고 말했다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각돼 현재 사명을 갖게됐다. 키옥시아의 IPO 불발은 이번이 두 번째다. 회사는 2020년 10월 IPO를 추진했지만 코로나 팬데믹과 미중 지정학적 갈등 등으로 무산됐다. 이후 키옥시아는 지난해 미국 웨스턴디지털(WD) 반도체 부문과의 합병을 추진했지만, 업황 부진과 주요 투자자인 SK하이닉스 등의 반대로 인해 불발됐다. 키옥시아의 최대 주주는 56% 지분을 보유한 미국계 사모펀드인 베인캐피털이다. SK하이닉스는 2018년 베인캐피털이 주도한 한미일 연합 컨소시엄에 약 4조 원을 투자하면서 키옥시아의 15%의 지분을 확보했다. 도시바는 41%의 지분을 보유하고 있다. 키옥시아는 낸드플래시 메모리 세계 시장 점유율 3위 업체다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 낸드 시장 점유율에서 삼성전자(36.9%), SK하이닉스(22.1%), 키옥시아(13.8%) 순으로 차지했다.

2024.09.25 13:41이나리

자율주행 산업서 '물리적 AI' 뜬다…삼성, 'LP-PIM'로 미래 준비

자율주행을 위한 AI 기술이 급속도로 발전하는 가운데, 삼성전자가 이를 위한 솔루션으로 'LPDDR-PIM(LP-PIM)'에 주목하고 있다. 해당 반도체는 메모리가 자체적으로 데이터를 연산해, 성능 및 전력 효율성을 높인 것이 특징이다. 25일 오전 여의도 국회의원회관에서는 'AI·모빌리티 신기술전략 조찬포럼'이 개최됐다. 이번 포럼은 정동영 더불어민주당 의원·최형두 국민의힘 국회의원이 공동 주최했다. 국내 미래기술의 발전을 위해 각계 전문가가 모여 트렌드를 분석하고, 정책 분석 및 제안을 논의하고자 마련됐다. 이날 '물리적(Physical AI)'와 모빌리티 융합을 위한 방안 제언'을 주제로 발표를 진행한 유재훈 삼성전자 마스터는 자율주행용 물리적 AI 기술의 고도화가 필요함을 강조했다. 물리적 AI는 실제 물리적 환경에서 센서와 구동기를 통해 작업을 수행하는 AI를 뜻한다. 자율주행을 비롯해 로봇, 드론 등이 대표적인 응용처다. 거대언어모델(LLM) 등 기존 AI 대비 더 뛰어난 실시간 의사 결정과 다양한 환경 변수 처리 성능이 요구된다. 유 마스터는 "젠슨 황 엔비디아 CEO도 올해 컴퓨텍스 행사에서 물리적 AI를 차세대 기술로 소개해 주목받은 바 있다"며 "향후 2~5년 내에 관련 기술의 생산성이 정상에 도달할 수 있을 것으로 전망된다"고 밝혔다. 물리적 AI를 구현하기 위해서는 ▲고성능 GPU 인프라 기반의 'AI 모델 학습' ▲가상 환경에서 AI 모델을 테스트하는 '시뮬레이션' ▲실제 환경에서 데이터를 처리하기 위한 '온디바이스 AI' 등 3단계가 중요하다. 특히 온디바이스 AI의 경우, 고효율 AI 가속기와 고성능 메모리가 필요하다. 이를 위한 솔루션으로 유 마스터는 LPDDR(저전력 D램) 기반의 PIM(프로세싱-인-메모리)를 제시했다. PIM은 메모리 반도체에서 자체적으로 데이터 연산 기능을 처리할 수 있도록 만든 반도체다. 메모리와 시스템반도체 간 데이터를 주고받는 과정을 생략하기 때문에 효율성이 높다. 삼성전자의 경우 LPDDR5-PIM을 개발해 기존 LPDDR 시스템 대비 성능은 4.5배, 전력효율성은 72% 향상됐음을 확인했다. 유 마스터는 "이는 작년에 공개한 성과로, 구체적으로 언급할 수는 없으나 성능을 지속 개선 중"이라고 말했다. 유 마스터는 이어 "차량용 칩이나 PIM 연구 개발에서 AI 반도체 핵심 인력을 확보하고 유지하는 것이 관건일 것"이라며 "국내로 복귀하는 인력에게 조세 혜택이나 세액공제를 제공하는 것도 방안이 될 것"이라고 덧붙였다. 이어진 토론 시간에서 채정석 현대자동차 상무는 "향후 자율주행 레벨이 높아지게 되면 칩 사이즈가 커지고, 이에 따라 수율 등 여러 문제점이 발생할 수 있다"며 "이는 원가 상승으로 연결되기 때문에, 칩 설계 관점에서 보완 기술을 준비해야 할 것"이라고 밝혔다. 하정우 네이버 AI Future센터장은 "AI 기술이 고도화되려면 계속해서 정보를 산출하고 고치는 과정이 필요한데, 이를 위해서는 양질의 데이터를 많이 확보하는 것이 중요하다"며 "현재의 LPDDR로는 용량이 부족해, 이를 개선하기 위한 연구개발이 있어야 한다고 생각한다"고 강조했다. 유 마스터는 이에 "데이터 용량 자체가 커져야 한다는 부분에 동감한다"며 "이러한 부분들에 주의하면서 연구를 진행하도록 할 것"이라고 답변했다.

2024.09.25 11:22장경윤

최선단·레거시 공정 모두 난항...삼성 파운드리 결단의 시간 오나

세계 파운드리 시장이 격랑의 시기를 맞고 있다. 대만 TSMC가 견조한 AI 수요로 성장세를 이어가는 가운데, 인텔은 대규모 적자 속 파운드리 사업부를 분사하는 등 자구책 마련에 나섰다. 이에 삼성전자도 파운드리 경쟁력 강화를 위해 발빠른 결단을 내려야 한다는 의견이 업계 안팎에서 제기된다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 파운드리 사업 전반에서 다양한 위기와 기회 요소를 안고 있다는 평가가 나온다. ■ 최선단 공정 난항…과감한 결단 필요한 시기 김형준 차세대지능형반도체사업단장은 기자와의 통화에서 "거대 IDM(종합반도체기업)인 인텔도 최근 파운드리 사업에서 난항을 겪고 있다"며 "비슷한 시스템을 갖춘 삼성전자도 돌파구를 찾기 위한 과감한 결단을 내려야 할 시기라고 본다"고 평가했다. 앞서 인텔은 지난 17일 파운드리 사업부를 자회사로 분사하는 방안의 구조조정을 시행하기로 결정했다. 2021년 파운드리 사업 재진출을 추진하면서 세계 각국에 첨단 연구개발(R&D) 및 제조 팹을 마련했으나, 지속된 적자로 재정적 어려움에 빠졌기 때문이다. 인텔 파운드리 사업부는 지난해에만 70억 달러의 영업손실을 기록했으며, 올 상반기에도 누적 적자 규모가 53억 달러를 넘어선 것으로 나타났다. 삼성전자 역시 3나노미터(nm) 이하 최선단 공정 분야에서 이렇다할 두각을 나타내지 못하고 있다. 중국 판세미·일본 PFN·미국 암바렐라 등 수주를 따내기는 했으나, 엔비디아, AMD, 퀄컴, 애플 등 글로벌 빅테크는 주요 제품을 사실상 TSMC에만 의존하고 있는 형국이다. 대표적인 사례는 삼성 파운드리의 핵심 고객사인 삼성 시스템LSI가 설계한 '엑시노스 2500'이다. 엑시노스 2500은 삼성 2세대 3나노 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 기반의 모바일 AP(어플리케이션 프로세서)로, '갤럭시S25' 시리즈용으로 개발돼 왔다. 그러나 지속된 수율 문제로 탑재가 불투명해지고 있다. 시스템반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 최선단 공정에서 수율 개선에 어려움을 겪고 있는 것으로 안다"며 "고객사를 다수 확보하고 레퍼런스를 쌓아 규모의 경제를 이뤄야 하는데, 지금은 그러한 선순환이 되지 않고 있다"고 설명했다. ■ "레거시 공정도 TSMC에 한 세대 뒤쳐져…경쟁력 높여야" 레거시(성숙) 공정도 상황은 비슷하다. 레거시는 업계 선단 영역인 7나노 이전 세대의 공정으로, 8·12·14·28·40 등 다양한 공정으로 구분된다. 최선단 공정 대비 매출이나 수익성은 떨어지지만, 해당 분야의 칩을 설계하는 팹리스가 여전히 많기 때문에 파운드리 입장에서도 포기할 수 없는 시장이다. 특히 올해 들어 국내는 물론 중국 팹리스들도 삼성 파운드리와의 거래를 적극 문의 중인 것으로 알려졌다. 다만 삼성 파운드리의 일부 레거시 공정의 경우, 대만 TSMC보다 한 세대 뒤쳐졌다는 평가가 나온다. 업계 한 관계자는 "삼성전자와 TSMC가 동일한 공정에서는 수율이나 IP(설계자산) 라이브러리 등에서 차이가 날 수밖에 없다"며 "때문에 삼성전자의 8나노와 TSMC의 12나노 공정을 비교군으로 두고 고민하는 팹리스가 많은 것이 현실"이라고 꼬집었다. 물론 삼성 파운드리가 국내 팹리스와의 협력으로 레거시 공정 생태계를 강화할 여지는 남아있다. 업계 관계자는 "국내 팹리스 기업들이 삼성전자에 레거시 공정 생산능력을 강화해달라는 목소리를 지속적으로 내고 있다"며 "향후 28나노나 14나노 등 비교적 수요가 견조할 것으로 예상되는 레거시 공정에서 협업이 활발히 이뤄질 수 있다"고 밝혔다. ■ "파운드리 대신 시스템LSI 분사도 고려해야" 이번 인텔의 파운드리 분사 사례 처럼 업계에서는 삼성전자가 파운드리 사업부를 분사해야 한다는 의견을 오랫동안 제기해 왔다. 파운드리 사업부를 분리해야 팹리스 고객사와의 이해충돌이 발생하지 않고, 운영 효율성을 강화할 수 있다는 이점 때문이다. 이와 관련해 김형준 단장은 "학계 전문가들과 논의해보면, 삼성 파운드리 경쟁력 강화 방안에 대한 의견이 달라졌다"며 "처음에는 파운드리 사업 분사가 주류였으나, 최근엔 시스템LSI를 분사해야 하는 게 맞다는 의견이 많다"고 말했다. 현재 삼성 파운드리는 최선단 공정에 EUV(극자외선) 등 고난이도 기술을 활용하고 있다. EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터) 초미세 공정 구현에 용이하다. EUV는 최선단 D램 등 메모리 분야에도 적용되기 때문에, 삼성전자가 제조업 관점에서 시너지를 낼 수 있을 것이라는 게 김형준 단장의 설명이다. 김 단장은 "시스템LSI 분사 시, 우수한 인력들이 다양한 스타트업을 만들어 국내 시스템반도체 생태계를 성장시키는 효과도 얻을 수 있다"며 "지금처럼 담보된 물량을 주고받는 관계에서 벗어나 자생력을 기르기 위해서는 시스템LSI 분사를 고려해야할 것"이라고 강조했다.

2024.09.24 12:58장경윤

삼성전자, 업계 최초 '8세대 V낸드' 차량용 SSD 개발

삼성전자는 업계 최초로 8세대 V낸드를 적용한 PCIe 4.0 차량용 SSD AM9C1 개발을 완료했다고 24일 밝혔다. 삼성전자는 주요 고객사에게 업계 최고 속도 256GB(기가바이트) 샘플을 제공하고 본격적인 시장 확대에 나섰다. 이번 256GB 제품은 각각 4천400MB/s, 400MB/s의 연속 읽기∙쓰기 속도를 제공하고 전작 대비 전력효율은 약 50% 개선돼 차량 내 온디바이스 AI 기능 지원에 최적화됐다. 또한 이번 제품은 ▲5나노 기반 컨트롤러 탑재 ▲보드 레벨 신뢰성 평가 강화 ▲SLC 모드(싱글레벨셀 모드) 기능을 지원한다. SLC 모드는 TLC(트리플레벨셀) 대비 성능이 좋고, 신뢰성이 높은 SLC 파티션을 제공해 유저가 데이터 성격에 맞게 설정 가능하다. SLC 전환 시 연속 읽기∙쓰기 속도는 각각 4천700MB/s, 1천400MB/s다. 단 SLC로 변경 시 용량이 기존 TLC 대비 3분의 1로 감소한다. SLC 모드 기능을 통해 제품을 TLC에서 SLC로 전환하면 SSD의 연속 읽기∙쓰기 속도가 빨라져 차량 내 고용량 파일에 더욱 빠르게 접근 가능하다. 이외에도 이번 제품은 차량용 반도체 품질 기준인 AEC-Q100 2등급을 만족해, 영하 40℃에서 영상 105℃까지 폭넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 보장한다. AEC-Q100은 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것이다. 등급은 온도 기준에 따라 0~3 단계로 나뉜다. 조현덕 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "삼성전자는 업계를 선도하는 글로벌 자율주행 업체들과 협력 중이고, 이번 제품을 통해 고용량∙고성능 제품에 대한 수요를 만족할 수 있을 것으로 기대한다"며 "앞으로도 자율주행, 로봇 등 물리적 AI(Physical AI) 메모리 기술 및 관련 시장을 선도하겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 256GB AM9C1 제품을 연내 양산하고, 차량용 고용량 SSD에 대한 고객의 수요 증가에 맞춰 다양한 용량 라인업을 선보일 계획이다. AM9C1는 용량에 따라 128GB·256GB·512GB·1TB·2TB로 구분된다. 특히 8세대 V낸드 기준 업계 최고 용량인 2TB(테라바이트) 솔루션을 개발 중으로 내년 초 양산 예정이다. 한편, 삼성전자는 차량용 반도체 시장에서 요구하는 높은 안정성을 검증하기 위해 다양한 '차량용 개발 및 관리 프로세스 인증'을 진행하고 있다. 삼성전자는 ISO/SAE21434에 기반한 차량용 사이버 보안 관리 체계 CSMS 인증을 획득하고, 올해 3월 UFS 3.1 제품으로 ASPICE CL3 인증을 획득하는 등 차량용 반도체의 기술 신뢰성과 안정성 향상을 위해 적극적으로 노력할 계획이다. 오화석 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "ASPICE와 ISO/SAE21434 인증은 우리 기술의 신뢰성과 안정성을 대외적으로 인정받는 중요한 이정표"라며 "앞으로도 지속적으로 안전성과 품질을 향상시켜 고객들에게 최고의 솔루션을 제공할 것"이라고 밝혔다.

2024.09.24 08:28장경윤

Prev 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Next