검색 - IT세상을 바꾸는 힘 지디넷코리아

ZDNet 검색 페이지

'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (271건)

태그
기간
- 3개월
- 1년
- 1년 이전

재검색

브로드컴, AI칩 고성장 자신…삼성·SK 메모리 수요 견인

브로드컴이 주문형 인공지능(AI) 반도체 사업 성장세를 자신했다. 구글·오픈AI 등 글로벌 기업들의 자체 AI 가속기 출하량 확대에 따른 효과다. 오는 2027년에는 관련 매출이 연 1000억 달러(약 146조원)에 달할 것으로 내다봤다. 해당 칩에 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리를 공급하는 삼성전자·SK하이닉스도 견조한 수요가 지속될 전망이다. 브로드컴은 4일(현지시간) 회계연도 2026년 1분기(2026년 2월 1일 마감) 매출액 193억 1100만 달러(약 28조원)를 기록했다고 밝혔다. 전년동기 대비 29%, 전분기 대비 7% 증가했다. 특히 AI 반도체 매출은 86억 달러로 전년동기 대비 106%, 전분기 대비 29% 증가했다. 전체 사업군 중 가장 가파른 성장세다. 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글·메타·앤트로픽 등 고객사의 AI 반도체를 위탁 개발하고 있다. 향후 전망도 긍정적이다. 브로드컴은 회계연도 2026년 2분기 AI 반도체 매출액 예상치를 107억 달러로 제시했다. 전년동기 대비 143%, 전분기 대비 27% 증가한 수준이다. 증권가 컨센서스(약 92억 달러) 역시 크게 웃돌았다. 성장세의 주요 배경은 글로벌 기업들의 적극적인 AI 인프라 투자다. 현재 브로드컴은 AI 반도체 사업에서 5개 고객사를 확보한 상황으로, 각 고객사들은 맞춤형 AI 가속기(XPU) 도입을 가속화하고 있다. 최근에는 6번째 고객사도 추가로 확보했다. 특히 브로드컴의 핵심 고객사인 구글의 텐서처리장치(TPU)가 강력한 수요를 보일 것으로 예상된다. TPU는 대규모 학습 및 추론 분야에서 범용 GPU 대비 높은 효율을 보인다. 현재 7세대 칩인 '아이언우드'까지 상용화가 이뤄졌다. 호크 탄 브로드컴 최고경영자(CEO)는 "구글은 물론 메타의 AI 가속기 출하량이 확대될 예정"이라며 "또다른 고객사들도 출하량이 호조세를 보여, 2027년에는 규모가 2배 이상 증가할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 그는 이어 "여섯 번째 고객으로 오픈AI가 2027년에 1GW(기가와트) 이상의 컴퓨팅 용량을 갖춘 1세대 AI XPU를 대량으로 도입할 것으로 기대한다"며 "AI XPU 개발을 위한 협력은 다년간 지속될 것임을 강조하고 싶다"고 덧붙였다. 브로드컴의 AI 반도체 매출 확대는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들의 실적과도 연계된다. 브로드컴이 설계하는 XPU에 HBM 등 고부가 메모리가 탑재되기 때문이다. 올해만 해도 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 3사의 HBM3E 물량 30%가 구글 TPU에 할당될 것으로 알려졌다. 오픈AI 역시 삼성전자, SK하이닉스 메모리 사업의 '큰손' 고객사로 떠오를 전망이다. 앞서 오픈AI는 지난해 하반기 삼성전자·SK하이닉스와 핵심 AI 인프라 구축을 위한 전방위적 협력 체계를 맺은 바 있다. 호크 탄 CEO는 "당사는 오는 2027년 XPU, 스위치 칩 등을 포함한 AI 반도체 매출액이 1000억 달러를 넘어설 것으로 예상하고 있다"며 "이를 달성하는 데 필요한 공급망도 확보했다"고 강조했다.

2026.03.05 17:24장경윤 기자

SK하이닉스, HBM4 '성능 점프' 비책 짰다…新패키징 기술 도입 추진

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)용 패키징 기술 변혁을 꾀한다. 대대적인 공정 전환 없이 HBM의 안정성과 성능을 강화할 수 있는 기술을 고안해, 현재 검증을 진행 중인 것으로 파악됐다. 실제 상용화가 이뤄지는 경우, 엔비디아가 요구하는 HBM4(6세대)의 최고 성능 달성은 물론 차세대 제품에서의 성능 강화도 한층 수월해질 것으로 예상된다. 이에 해당 기술의 성패에 업계의 이목이 쏠린다. 3일 지디넷코리아 취재를 종합하면 SK하이닉스는 HBM 성능 강화를 위한 새로운 패키징 기술 적용을 추진하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)를 뚫어 연결한 메모리다. 각 D램은 미세한 돌기의 마이크로 범프를 접합해 붙인다. HBM4의 경우 12단 적층 제품부터 상용화된다. SK하이닉스는 현재 HBM4의 초도 양산을 시작했다. HBM4의 리드타임(제품 양산, 공급에 필요한 전체 시간)이 6개월 내외인 만큼, 엔비디아와의 공식적인 퀄(품질) 테스트 마무리에 앞서 선제적으로 제품을 양산하는 개념이다. HBM4 공급은 문제 없지만…최고 성능 구현 고심 그간 업계에서는 SK하이닉스 HBM4의 성능 및 안정성 저하를 우려해 왔다. 엔비디아가 HBM4의 최대 성능(핀 당 속도)을 당초 제품 표준인 8Gbps를 크게 상회하는 11.7Gbps까지 요구하면서, 개발 난이도가 급격히 상승한 탓이다. 실제로 SK하이닉스 HBM4는 AI 가속기를 결합하는 2.5D 패키징 테스트 과정에서 최고 성능 도달에 어려움을 겪어, 올해 초까지 일부 회로의 개선 작업을 거쳐 왔다. 이에 따라 본격적인 램프업(대량 양산) 시점도 당초 업계 예상보다 일정이 늦춰진 상황이다. 다만 업계 이야기를 종합하면, SK하이닉스가 엔비디아향 HBM4 공급에 큰 차질을 겪을 가능성은 현재로선 매우 낮은 수준이다. 주요 배경은 공급망에 있다. 엔비디아가 HBM4에 높은 사양을 요구하고 있긴 하지만, 이를 고집하는 경우 올 하반기 최신형 AI 가속기 '루빈'을 충분히 공급하는 데 제약이 생길 수 있다. 현재 HBM4에서 가장 좋은 피드백을 받고 있는 삼성전자도 수율, 1c D램 투자 현황 등을 고려하면 당장 공급량을 확대하기 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 초기 수급하는 HBM4의 성능 조건을 10Gbps대로 완화할 가능성이 유력하다고 보고 있다. 반도체 전문 분석기관 세미애널리시스는 최근 보고서를 통해 "엔비디아가 루빈 칩의 총 대역폭을 당초 22TB/s로 목표했으나, 메모리 공급사들은 엔비디아의 요구 사항을 충족하는 데 어려움을 겪고 있는 것으로 파악된다"며 "초기 출하량은 이보다 낮은 20TB/s(역산하면 HBM4 핀 당 속도가 10Gbps급)에 가까울 것으로 예상한다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순 속도가 아니라 수율·공급망 안정성 등 어려 요소가 고려돼야 하기 때문에, SK하이닉스가 가장 많은 물량을 공급할 것이라는 전망은 여전히 유효하다"며 "다만 최고 성능 도달을 위한 개선 작업도 지속적으로 병행하는 등 기술적으로 안주할 수 없는 상황"이라고 말했다. HBM 성능 한계 돌파할 '신무기' 준비…현재 검증 단계 이와 관련, 현재 SK하이닉스는 HBM4 및 차세대 제품에 적용하는 것을 목표로 새로운 패키징 공법 도입을 시도하고 있다. 업계가 지목하는 HBM4 성능 제약의 가장 큰 요인은 입출력단자(I/O) 수의 확장이다. I/O는 데이터 송수신 통로로, HBM4의 경우 이전 세대 대비 2배 증가한 2048개가 구현된다. 그런데 I/O 수가 2배로 늘면 밀집된 I/O끼리 간섭 현상이 발생할 수 있다. 또한 전압 문제로 하부층의 로직 다이(HBM 밑에서 컨트롤러 역할을 담당하는 칩)에서 가장 높은 상부층까지 전력이 충분히 전달되기가 어렵다. 특히 SK하이닉스는 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 한 세대 이전의 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한다. 로직 다이도 TSMC의 12나노미터(nm) 공정으로, 삼성전자(삼성 파운드리 4나노) 대비 집적도가 낮다. 때문에 기술적으로 I/O 수 증가에 따른 문제에 취약하다. 대대적 공정 전환 없이 HBM 성능·안정성 향상…상용화 여부 주목 이에 SK하이닉스는 새로운 패키징 공법으로 새로운 비책을 마련하고 있는 것으로 파악됐다. 핵심은 ▲코어 다이 두께 향상, 그리고 ▲D램 간 간격(Gap) 축소다. 우선 일부 상부층 D램의 두께를 이전보다 두껍게 만든다. 기존엔 HBM4의 패키징 규격(높이 775마이크로미터)을 맞추기 위해 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정이 적용된다. 다만 D램이 너무 얇아지면 칩 성능이 저하되거나 외부 충격에 쉽게 손상을 받을 수 있다. 때문에 SK하이닉스는 D램의 두께 향상으로 HBM4의 안정성을 강화하려는 것으로 풀이된다. 또한 D램 간 간격을 더 줄여, 전체 패키징 두께가 늘어나지 않도록 하는 동시에 전력 효율성을 높였다. 각 D램의 거리가 가까워지면 데이터가 더 빠르게 도달하게 되고, D램 최상층으로 전력이 도달하는 데 필요한 전력이 줄어들게 된다. 관건은 구현 난이도다. D램 간 간격이 줄어들면 MUF(몰디드언더필) 소재를 틈에 안정적으로 주입하기 힘들어진다. MUF는 D램의 보호재·절연체 등의 역할을 담당하는 소재로, 고르게 도포되지 않고 공백(Void)가 생기면 칩의 불량을 야기할 수 있다. SK하이닉스는 이를 해결할 수 있는 새로운 패키징 기술을 고안해냈다. 구체적인 사안은 밝혀지지 않았으나, 대대적인 공정 및 설비 변화 없이 D램 간격을 안정적인 수율로 줄일 수 있는 것이 주 골자다. 최근 진행된 내부 테스트 결과 역시 긍정적인 것으로 알려졌다. 만약 SK하이닉스가 해당 기술을 빠르게 상용화하는 경우, HBM4 및 차세대 제품에서 D램 간격을 효과적으로 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 반대로 해당 기술이 양산 적용에 난항을 겪을 가능성도 남아 있다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 기존 HBM의 한계를 극복하기 위한 새로운 패키징 공법을 고안해, 현재 검증 작업을 활발히 거치고 있다"며 "대규모 설비투자 없이 HBM 성능을 개선할 수 있기 때문에 상용화 시에는 파급 효과가 적지 않을 것"이라고 설명했다.

2026.03.03 14:29장경윤 기자

한미반도체, 마이크론 印 반도체 공장 오픈식 참석...핵심 협력사 지위 굳건

한미반도체는 지난달 28일 인도 구자라트주 사난드에서 개최된 마이크론 테크놀로지 인도 최초 반도체 공장 오픈식에 참석했다고 3일 밝혔다. 이번 마이크론 인도 공장 오픈식에는 나렌드라 모디 인도 총리가 참석해 기념사를 발표했으며, 인도 정부 관계자, 마이크론 산자이 메로트라 회장과 주요 임원진 등이 대거 참석했다. 한미반도체는 마이크론 인도 공장의 가장 중요한 장비 공급사로 초청받으며 핵심 협력사의 위상을 확립했다. 마이크론 인도 공장은 총 27억5000만 달러(약 4조원)가 투자된 첨단 패키징 공장이다. 인도 반도체 산업 육성을 위해 인도 정부가 50%, 구자라트주가 20%의 보조금을 각각 지원하며 국가 전략 프로젝트로 추진됐다. 50만 평방피트(약 1만4000평)에 달하는 세계 최대 규모의 단일층 클린룸을 갖추고 있으며, 이는 축구장 7개 규모에 달하는 면적이다. 앞으로 적층형 GDDR(그래픽 D램)과 기업용 eSSD(기업용 SSD) 등 고성능 AI 메모리의 테스트, 패키징 거점으로 운영될 계획이다. 현재 인도 구자라트에서 생산하고 있는 DDR5 D램은 마이크론 최첨단 D램 공정이 적용된 최신의 1감마 공정 제품으로 올해 수천만 개의 칩을 패키징·테스트를 시작하고 내년에는 수억 개로 생산량을 확대할 계획이라고 밝혔다. 이에 따라 AI 메모리 반도체칩을 적층 생산하는 TC본더와 같은 첨단 반도체 패키징 장비에 약 1조원에서 2조원이 투자될 예정이다. 인도 반도체 미션의 승인을 받은 첫 번째 프로젝트이자 인도 최초의 반도체 공장이라는 역사적 의미도 지닌다. 이는 인도가 글로벌 반도체 공급망에서 핵심 제조 거점으로 도약하는 중요한 이정표로 평가받는다. 인도 정부는 '세미콘 인디아' 정책을 통해 약 100억 달러(약 14조5000억원) 규모의 보조금을 가동하며 글로벌 반도체 제조 허브로 도약을 추진하고 있다. 신규 공장의 안정적 가동을 위해서는 첨단 정밀 본딩 기술과 신속한 기술 지원이 필수적이다. 한미반도체는 마이크론의 핵심 협력사로서 인도 현지에 엔지니어를 파견해 밀착형 기술을 지원하고, 교육 프로그램을 운영하는 등 장기적 협력을 이어나갈 방침이다. 지난해 한미반도체는 마이크론으로부터 '탑 서플라이어'상을 수상하며 최우수 협력사로 선정된 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 인도 공장 오픈식과 라운드 테이블 참석은 한미반도체가 글로벌 반도체 공급망의 핵심 협력사로서 위상을 다시 한번 인정받는 계기”라며 “인도 현지에 엔지니어를 파견하고 적극적인 기술을 지원으로 고객 만족을 위해 노력하겠다”고 밝혔다.

2026.03.03 08:51장경윤 기자

반도체 고공행진…2월 수출 '훨훨' 날았다

2월 수출이 역대급 반도체 호황에 힘입어 역대 2월 최고 실적을 기록했다. 산업통상자원부는 2월 수출이 지난해 같은 달보다 29% 증가한 674억5000만 달러, 수입은 7.5% 증가한 519억4000만 달러로 무역수지가 역대 최대인 155억1000만 달러를 기록했다고 1일 밝혔다. 2월 수출은 설 연휴로 인해 지난해 같은 달보다 조업일수가 3일 줄었음에도 역대 2월 중 최대 실적인 674억5000만 달러를 기록했다. 조업일수를 고려한 하루 평균 수출도 49.3% 증가한 35억5000만 달러로 사상 처음으로 30억 달러 이상 실적을 기록했다. 13개월 연속 흑자를 보인 무역수지는 월간으로는 역대 최대 흑자규모를 보였다. 2월에는 15대 주력 수출품목 가운데 반도체, 컴퓨터, 선박, 무선통신, 바이오 등 5개 품목 수출이 증가했다. 반도체 수출(251억6000만 달러, 160.8% 증가)은 AI 투자 확대로 인한 초과 수요와 이에 따른 메모리 가격 급등이 지속되며 월 기준 전기간 역대 최대 실적 기록과 3개월 연속 200억 달러 이상 수출을 이어갔다. 무선통신기기(14억7000만 달러, 12.7% 증가)는 신규 모델 출시 영향으로 휴대폰 완제품(5억3000만 달러, 131.6% 증가)을 중심으로 4개월 연속 플러스를, 컴퓨터(25억6천만 달러, 221.6% 증가)는 SSD 수출 호조가 지속되며 5개월 연속 플러스를 기록했다. 자동차(48억1000만 달러, 20.8% 감소)와 자동차부품(14억5000 달러, 22.4% 감소) 수출은 설 연휴가 지난해 1월에서 올해 2월로 이동하면서 조업일수가 3일 감소해 생산 물량이 줄어들며 감소를 기록했다. 석유제품 수출은 가동률 상승으로 수출 물량은 확대됐으나, 글로벌 저유가 지속에 따른 수출단가 하락으로 3.9% 감소한 37억3000만 달러를 기록했고, 바이오헬스(13억1000만 달러, 7.1% 증가)는 기존·신규 제품 매출이 안정적인 성장세를 보이며 4개월 연속 플러스가 지속됐다. 한편, 석유화학(33억3000만 달러, 15.4% 감소)과 철강(23억6000만 달러, 7.8% 감소) 수출은 글로벌 공급과잉에 따른 수출단가 하락 영향으로 감소했다. 일반기계 수출은 조업일수 감소와 주요국의 설비투자 부진 등으로 16.3% 감소한 32억6000만 달러를 기록했다. 2월에는 9대 주요 수출지역 가운데 미국·중국·아세안·EU·일본·중동·인도 등 7개 지역 수출이 증가했다. 미국 수출(128억5000만 달러, 29.9% 증가)은 반도체와 컴퓨터 수출이 세자릿수의 높은 증가율을 기록한 가운데, 바이오헬스·석유제품·이차전지 등 품목이 고른 증가세를 보이면서 역대 2월 중 최대 실적을 경신했다. 중국 수출은 설 연휴와 춘절 영향으로 조업일수가 감소하며 다수 품목이 부진했으나, 반도체·컴퓨터·석유제품 등 수출이 큰 폭으로 증가하면서 전체적으로 34.1% 증가한 127억5000만 달러를 기록했다. 아세안 수출(124억7000만 달러, 30.4% 증가)은 최대 품목인 반도체·디스플레이·선박 등 주요 품목이 높은 성장세를 보이면서 역대 2월 중 1위 실적을 기록했다. EU 수출(56억 달러, 10.3% 증가)도 반도체·바이오헬스·선박 등 주력 품목이 고르게 증가하며 호실적을 기록했다. 2월 수입은 7.5% 증가한 519.4억 달러로, 에너지 수입(92억9000만 달러, 1.4% 감소)은 감소했으나, 에너지 외 수입(426억4000만 달러)은 9.6% 증가했다. 에너지 수입은 유가하락으로 원유(54억3000만 달러, 11.4% 증가) 수입은 감소했으나, 가스(26억4000만 달러, 15.9% 증가)는 증가했으며, 비에너지는 반도체(67억6000만 달러, 19.1% 증가), 반도체장비(25억6000만 달러, 43.4% 증가), 전화기(10억3000만 달러, 80.2 증가) 등 품목의 수입이 증가했다. 2월 무역수지는 전년대비 115억5000만 달러 증가한 155억1000만 달러 흑자로 전기간 역대 최대치를 경신함과 동시에 2025년 2월부터 13개월 연속 흑자를 기록했다. 김정관 산업부 장관은 “2월 수출은 설 연휴에 따른 조업일수 감소에도 반도체·컴퓨터·선박 등 주력 품목이 전체 수출을 견인하며 9개월 연속 증가세를 이어갔다”고 평가했다. 김 장관은 이어 “최근 중동 지역 긴장 고조와 미국 관세정책 등으로 우리 수출을 둘러싼 대외 불확실성이 확대되고 있다”며 “중동발 지정학적 리스크에 따른 영향을 최소화하기 위해 수출입 동향을 면밀히 점검하고 필요한 지원 대책을 차질 없이 추진하는 한편, 한-미 관세 합의를 통해 확보한 이익의 균형과 대미 수출 여건이 훼손되지 않도록 미국과의 긴밀한 소통을 지속하고 대미투자특별법의 조속한 국회 통과에도 만전을 기하겠다”고 밝혔다.

2026.03.01 12:08주문정 기자

삼성 "지금 반도체 산업은 전쟁 상황...더 늦출 수 없어"

경기도가 K-반도체의 골든타임을 지키기 위한 대규모 클러스터 구축에 속도를 낸다. 반도체 기업들의 투자 지원을 위한 전담조직 가동, 인허가 단축 목표제 등을 추진할 계획이다. 삼성전자 역시 반도체 클러스터 구축을 가속화해야 한다는 점에 적극 공감하고 나섰다. 김용관 삼성전자 DS부문 경영전략담당 사장은 "지금 반도체 산업은 전쟁 상황이고, 시간이 제일 중요하다. 더 이상 늦출 수 없다"고 말했다. 김동연 경기지사는 27일 오전 단국대학교 용인 글로컬 산학협력관에서 'K-반도체 메가클러스터 상생 타운홀 미팅'을 개최했다. 행사에는 김동연 지사를 비롯해 반도체 기업 관계자, 지역 주민, 대학 관계자, 대학생, 시군 공무원 등 100여 명이 참석했다. 김용관 삼성전자 DS부문 경영전략담당 사장도 함꼐 자리했다. 김 지사는 “반도체 산단은 전기나 물, 교통 문제, 일하는 분들의 정주 여건 등에 대한 사전 준비가 필수적”이라며 “경기도는 선제적으로 하이닉스 전력 문제 해결을 위해 지방도 318호 지하로 전력망을 깔 계획으로, 국가산단 안에 있는 국지도 82호선에 대한 확충 계획도 중앙정부와 도가 입주할 삼성과 협의해서 좋은 방향을 찾도록 하겠다”고 말했다. 그는 이어 "전세계적인 반도체 산업 경쟁에서 우리가 고지를 선점할 수 있도록 모든 노력을 경주하겠다는 뜻에서 '반도체 올케어'라는 말을 썼다"며 "반도체메가클러스터는 조금도 흔들림 없이 추진한다는 것을 분명히 말씀드린다”고 덧붙였다. 이날 행사에서 기업 관계자들도 인허가 신속 처리와 기반시설 조기 구축을 요청했다. 삼성전자 DS부문 김용관 사장은 "지금 반도체는 여러 국가들이 정부에서부터 기업까지 전면에 나서고 있는 전쟁 상황으로, 저희도 전쟁을 하고 있다"며 "반도체 올케어를 위해 시간이 중요하다는 데 대해 깊이 공감한다"고 강조했다. 한편 경기도는 '반도체산업 경쟁력 강화 및 지원에 관한 특별법'(이하 반도체특별법) 제정을 앞둔 지난해 11월 '반도체특별법 대응 전담조직(TF)'을 가동해 특별법 제정 이후 달라질 정책 환경에 대응하기 위한 도 차원의 전략과 실행 과제를 논의해 왔다. 이후 지난달 29일 반도체특별법이 국회 본회의를 통과함에 따라 이를 '반도체 올케어(All-Care) 전담조직(TF)'으로 개편해 운영하기로 했다. 전담조직은 경제부지사를 단장으로 기획·기반조성·인력기술지원 등 3개 팀으로 구성돼 있으며, 차세대융합기술연구원 등 전문 자문기관과 연계해 현안을 전담 처리한다.

2026.02.27 17:23장경윤 기자

삼성 HBM4 자신감의 근원 '1c D램'…다음 목표는 수율 개선

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자가 AI 산업 인프라의 핵심 메모리인 6세대 HBM4(고대역폭메모리) 시장 경쟁에서 강한 자신감을 내보이고 있다. HBM의 핵심 기술요소에 경쟁사 대비 진일보된 공정을 사용하면서, 최대 고객사인 엔비디아(NVIDIA)가 요구하는 최고 성능을 가장 최적으로 달성했다는 평가가 나오고 있다. 특히 삼성전자는 코어 다이인 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 키우는 결단을 내린 바 있다. 칩 사이즈가 커지면 D램 및 HBM4의 안정성을 동시에 높일 수 있다. 반면 이 같은 결정은 웨이퍼 당 생산 가능한 칩 수량을 줄어들기 때문에 수익성 측면에서는 불리하게 작용한다. 또한 1c D램의 수율이 아직 60% 내외인 만큼, 삼성전자가 최대한 빠르게 공정 고도화에 나서야 한다는 의견도 제기된다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아향 HBM4 선제 양산 출하와 더불어 1c D램 수율 고도화에 집중하고 있다. HBM4는 올해 본격적인 상용화가 예상되는 차세대 HBM이다. 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '루빈' 칩에 본격 채용되며, 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가한 2048개로 성능을 크게 높였다. 특히 엔비디아는 메모리 공급사에 HBM4에 요구되는 성능 기준을 꾸준히 높일 것을 요청해 왔다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)의 HBM4 성능 표준은 8Gbps 급이었으나, 최근 메모리 공급사는 이를 11.7Gbps까지 높여 엔비디아와 테스트를 진행한 바 있다. 삼성 HBM4 자신감의 근원 1c D램…"칩 사이즈 키워 안정화" 아직 정식 퀄테스트 일정이 최종적으로 완료된 것은 아니지만, 삼성전자는 내부적으로 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 지난 12일 HBM4 양산 출하식을 선제적으로 진행한 것이 대표적인 예시다. 당시 삼성전자는 "HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정했다"며 "재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 강조했다. 이같은 자신감의 근간은 HBM4에 적용된 최선단 공정이다. 삼성전자는 HBM4 코어 다이에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 채용했다. 또한 HBM의 컨트롤러 역할을 담당하는 베이스(로직) 다이를 자사 파운드리의 4나노미터(nm) 공정으로 양산했다. TSMC의 12나노 공정을 적용한 SK하이닉스 대비 상당히 미세화된 공정이다. 당초 업계는 삼성전자의 이같은 기술 승부수에 적잖은 우려를 나타냈다. HBM3E와 동일한 코어 다이(1b D램)를 HBM4에 탑재한 SK하이닉스·마이크론 대비, 수율 측면에서 안정성이 크게 떨어질 수 있어서다. 실제로 삼성전자는 1c D램 개발 초기 단계에서 수율 저조로 문제를 겪은 바 있다. 삼성전자의 돌파구는 1c D램의 '칩 사이즈 확대'였다. 삼성전자는 지난 2024년 말께 1c D램의 설계 일부를 수정하기로 결정했다. 핵심 회로의 선폭은 유지하되, 주변부 회로의 선폭 기준은 일부 완화해 양산 난이도를 낮춘 것이 주 골자다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 1c D램 사이즈 확대는 크게 두 가지 효과를 거뒀다. 먼저 1c D램의 수율 향상이다. 주변부 회로의 구현이 이전 대비 수월해지면서, 삼성전자의 1c D램 수율은 비교적 견조한 속도로 개선되고 있다. 업계가 추산하는 삼성전자의 HBM4용 1c D램 수율은 이달 기준 50~60%대다. 또한 칩 사이즈 확대로 HBM 제조에 필수적인 TSV(실리콘관통전극) 공정에서 안정성을 확보했다는 평가다. HBM4는 이전 대비 I/O 수가 늘어나면서 D램에 TSV 홀(구멍)을 더 많이 뚫어야 한다. 삼성전자 1c D램은 가용 면적이 넓어 TSV를 비교적 여유롭게 배치할 수 있는데, 이 경우 TSV 밀도를 완화해 열 관리와 신뢰성 확보에 용이하다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4의 적기 상용화를 위해 1c D램 칩 사이즈 확대 등 여러 안전 장치를 마련해 온 것으로 안다"며 "덕분에 내부적으로도, 고객사 기준으로도 HBM4에 대한 평가가 좋은 상황"이라고 설명했다. 수익성 측면은 다소 불리…수율 고도화 필요 다만 삼성전자 HBM4의 수익성이 경쟁사 대비 부족하다는 평가도 나온다. 통상 D램 공정이 고도화되면 칩 사이즈가 줄어들어, 동일한 웨이퍼에서 생산량이 더 많아진다. 그러나 삼성전자의 HBM4용 1c D램은 당초 계획 대비 칩 사이즈가 커져 수익성 측면에서 불리하다. 수율 역시 현재 기준으로는 HBM3E와 동일한 코어 다이를 활용하는 경쟁사 대비 낮을 수 밖에 없다. 여기에 각 D램을 쌓고 연결하는 패키징(TC-NCF; 열압착-비전도성 접착 필름)공정 적용 시 수율은 구조적으로 낮아지게 된다. 삼성전자가 HBM4에 적용한 4나노 공정의 가격도 TSMC 12나노 공정 대비 단가가 비싸다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용된 코어 다이 및 베이스 다이의 원가 모두 경쟁사보다는 높기 때문에, 빠르게 수율을 높이는 것이 관건"이라고 말했다. 맥쿼리 증권도 최근 리포트를 통해 "삼성전자의 HBM 영업이익률은 낸드보다 낮은 50% 미만으로, 불리한 거래 조건과 낮은 생산 수율, 작은 생산규모로 인한 것"이라며 "추가적인 가격 인상과 수율, 규모 개선을 통해 HBM 마진을 높일 필요가 있다"고 평가했다.

2026.02.27 14:42장경윤 기자

SK하이닉스, 샌디스크와 'HBF' 글로벌 표준화 작업 본격 착수

SK하이닉스와 샌디스크(Sandisk)가 25일(현지시간) 미국 샌디스크 본사에서 'HBF 스펙(Spec.) 표준화 컨소시엄' 킥오프 행사를 열고, AI 추론 시대를 겨냥한 고대역폭플래시(HBF)의 글로벌 표준화 전략을 발표했다. SK하이닉스는 "샌디스크와 함께 HBF를 업계 표준으로 마련해 AI 생태계 전체가 함께 성장할 수 있는 기반을 구축하겠다"며 "오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP) 산하에 핵심 과제 전담 워크스트림을 샌디스크와 함께 구성해 본격적인 표준화 작업에 착수한다"고 밝혔다. OCP는 세계 최대의 개방형 데이터센터 기술 협력체다. 워크스트림은 특정 기술 주제를 중심으로 운영되는 OCP 산하 협업 체계를 뜻한다. 최근 AI 산업은 거대언어모델(LLM)을 만드는 '학습(Training)' 단계에서, 실제 서비스를 제공하는 '추론(Inference)' 단계로 무게중심이 빠르게 이동하고 있다. AI 서비스를 동시에 사용하는 이용자가 급증하면서 빠르고 효율적인 메모리가 필수적이지만, 기존 메모리 구조만으로는 추론 단계에서 요구되는 대용량 데이터 처리와 전력 효율성을 동시에 충족하기 어렵다. 이러한 한계를 해결할 수 있는 대안으로 등장한 것이 HBF다. HBF는 초고속 메모리인 HBM과 대용량 저장장치인 SSD 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층이다. HBM의 뛰어난 성능과 SSD의 대용량 특성 사이의 공백을 메우며, 추론 영역에서 요구되는 용량 확장과 전력 효율성을 동시에 확보한다. 기존 HBM이 최고 수준의 대역폭을 담당하는 가운데, HBF가 이를 보완하는 구조다. 특히 HBF는 AI 시스템의 확장성을 높이면서도 전체 운영 비용(TCO)을 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 업계는 HBF를 포함한 복합 메모리 설루션에 대한 수요가 2030년 전후로 본격 확대될 것으로 보고 있다. AI 추론 시장에서는 단일 칩의 성능보다 CPU·GPU·메모리·스토리지를 아우르는 시스템 레벨 최적화가 경쟁력을 좌우한다. 이로 인해 HBM과 HBF를 모두 제공할 수 있는 종합 메모리 설루션 기업의 역할이 더욱 중요해지고 있다. SK하이닉스와 샌디스크는 HBM과 낸드 분야에서 쌓은 설계·패키징 기술과 대량 양산 경험을 바탕으로 HBF의 빠른 표준화, 제품화를 선제적으로 추진할 계획이다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "AI 인프라의 핵심은 단일 기술의 성능 경쟁을 넘어, 생태계 전체를 최적화하는 것"이라며 "HBF 표준화를 통해 협력 체계를 구축하고, AI시대 고객·파트너를 위한 최적화된 메모리 아키텍처를 제시함으로써 새로운 가치를 창출하겠다"고 밝혔다.

2026.02.26 08:49장경윤 기자

SK하이닉스, 용인 1기팹에 21.6조원 추가 투자…고객사 수요 선제 대응

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 21조6000억원 규모의 추가 투자를 확정지었다. 빠르게 증가하는 글로벌 고객사 수요에 적기 대응하기 위한 전략으로, 투자금은 팹 전체 클린룸 구축에 활용될 예정이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 1기 팹 페이즈2~6을 건설한다고 25일 밝혔다. 총 투자규모는 약 21조6000억원이다. 회사의 전체 자기자본 대비 29.23%에 해당한다. 투지기간은 다음달 1일부터 2030년 12월 31일까지다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2024년 7월 용인 클러스터 1기 팹 건설에 약 9조4000억원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 이를 고려한 전체 투자 규모는 31조원에 달한다. 이번 투자는 빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화하기 위한 전략적 결정이다. AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 첨단 산업의 확산으로 고성능·고집적 반도체에 대한 수요는 구조적으로 확대되고 있다. SK하이닉스는 "변화에 발맞춰 생산 역량을 조기에 확충하고, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 기반을 마련하고자 한다"고 설명했다. 구체적으로 이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고 페이즈 2부터 페이즈 6에 이르는 전체 클린룸을 구축하는데 활용될 예정이다. 이에 따라 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 이를 통해 물리적 생산 기반을 선제적으로 확보해 고객 대응 역량을 강화할 수 있을 것으로 기대된다. 클린룸 오픈 시점도 2027년 5월에서 같은 해 2월로 앞당겨질 것으로 예상된다.

2026.02.25 18:32장경윤 기자

파네시아, PCIe 6.4 지원 링크반도체 기술 주요 연구기관에 공급

파네시아는 최근 PCIe 6세대(Gen6)를 지원하는 고속 인터페이스 링크반도체 기술로 유수연구기관 대상 계약을 체결하고 납품을 완료했다고 25일 밝혔다. 파네시아는 AI 인프라를 더욱 효율적으로 만들기 위한 링크솔루션을 개발하는 팹리스 기업이다. 링크 컨트롤러/IP부터 시작하여 스위치를 포함한 하드웨어, 커스텀 실리콘(맞춤 제작형 반도체), 시스템/소프트웨어 등 풀스택 링크반도체 기술을 개발∙제공한다. 이번 계약은 특히 PCIe Gen6 표준을 지원하는 링크반도체와 관련된 건으로, 차세대 AI 인프라 환경에서 요구되는 초고속 데이터 전송 기술 역량을 인정받은 성과로 볼 수 있다. PCIe(PCI 익스프레스)는 서버에서 CPU와 GPU∙AI가속기∙스토리지∙메모리확장장치 등 시스템 장치를 연결하는 데 주로 활용되는 핵심 인터페이스 기술로, 6세대 표준은 이전 세대인 5세대 표준 대비 두 배 향상된 전송 속도(레인당 64GT/s)를 지원한다. AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시스템이 주요 수요처다. 한편, 파네시아는 지난해 다양한 국제 협력을 진행한 공로를 인정받아 산업부 장관 표창을 수상한 바 있다. 이 외에도 세계 최초로 PCIe 6.4 및 CXL 3.2 표준을 지원하는 스위치 샘플 공개를 계기로 업계의 많은 관심을 받는 등, 선도적인 기술력을 바탕으로 글로벌 시장에서의 입지를 지속적으로 확대해나가고 있다. 정명수 파네시아 대표는 "올해 하반기부터 스위치 샘플 칩 추가 생산 및 협력 네트워크를 확대해 나가면서 매출 성장과 사업 확장이 더욱 가속화될 것으로 기대한다"고 밝혔다.

2026.02.25 09:38장경윤 기자

"韓, 로봇·자동차·배터리 中에 열세…반도체만 경합"

중국은 반도체를 제외한 로봇, 전기차, 배터리, 자율주행 등 주요 첨단산업 밸류체인 전반에서 한국 대비 경쟁 우위를 확보한 것으로 나타났다. 특히 인공지능(AI) 기반 제조, 자율주행, 휴머노이드 로봇 등 신산업 분야에서 중국이 빠른 실증과 산업 확산을 통해 기술과 시장 경쟁력을 동시에 강화하고 있는 것으로 분석됐다. 24일 산업연구원(KIET) '첨단 산업의 한·중 경쟁력 분석과 정책 방향' 보고서는 전문가 설문조사와 FGI를 실시해 R&D, 조달(공급망), 생산, 서비스, 수요시장(국내·해외시장) 등 밸류체인 부문별 평가를 종합한 결과를 이같이 내놨다. 산업용(제조용) 로봇 산업의 경우 R&D 역량, 즉 제품 개발 및 설계 능력에서는 한국이 근소하게 앞섰다. 조달·생산·해외 시장 창출 부문에서는 중국이 우위를 차지하면서 밸류체인 종합경쟁력은 중국이 앞선 것으로 평가됐다. 한국은 메모리 반도체 분야에서 세계 최고 수준의 경쟁력을 보유하고 있으나, 비메모리 분야에서 중국이 상대적으로 높은 경쟁력을 보유하면서 양국의 밸류체인 경쟁력은 우위와 열위가 혼재하는 것으로 조사됐다. AI 칩 설계 또는 반도체 설계 플랫폼 등 비메모리 관련 분야에서 중국이 한국보다 우위라는 전문가 의견이 다수를 차지했다. 전기차 분야에서는 해외 시장 창출 능력과 배터리 서비스(사후 유지보수 등) 부문에서 한국이 우위를 보이고 있으나, 자율주행 분야에서는 모든 밸류체인 부문에서 중국이 우위를 점하고 있는 것으로 나타났다. 보고서는 "중국의 가격경쟁력 우위와 AI 기반 신시장 전반에서의 글로벌 시장지배력 확대 등은 우리 산업 전반에 공통적인 위협요인으로 작용하고 있다"면서도 "한국은 제품·소재·부품 전반에서 축적해 온 기술력과 신뢰를 바탕으로 글로벌 프리미엄 시장을 공략할 여지가 여전히 존재한다"고 짚었다. 특히 "중국 제품에 대한 경계가 높은 미국, 유럽연합(EU) 등 선진시장에서는 안정성과 신뢰성을 기반으로 한 시장 진출 기회가 남아 있다"고 평가했다. 우리나라 산업이 이를 공략하려면 초격차 기술 확보뿐만 아니라 가치사슬 전반에서 AI 시대에 맞춰 특화된 전략 기술을 발굴하고, 신뢰 기반의 글로벌 공급망을 선도하는 전략을 추진해야 한다고도 제언했다. 수요 시장 창출로 산업 생태계를 신속히 구축하고, 글로벌 시장에서 중국과의 경합성을 고려한 새로운 비즈니스 모델과 제품을 개발하는 것도 과제로 꼽았다. 보고서는 "중국을 단순한 경쟁자로 인식하며 추격과 추월의 대상으로만 볼 것이 아니라, 제조강국으로 인정하고 업종별 밸류체인을 면밀히 분석해 우리의 기술적 우위를 확인하는 동시에 중국 내 수요를 발굴하고 협력 방안을 모색해야 할 필요가 있다"고 봤다. 나아가 "이 과정에서 중국의 첨단산업 및 기술 생태계를 전략적으로 활용하려는 접근도 요구된다"고 덧붙였다. 조은교 산업연구원 중국산업분석팀장은 “한·중 산업 경쟁은 이제 단순한 기술 추격 단계를 넘어 산업 생태계와 공급망, 시장을 포함한 구조적 경쟁 단계로 진입했다”면서 “한국은 초격차 기술 확보와 함께 중국의 산업 생태계를 전략적으로 활용해 새로운 제조 경쟁력을 축적하는 방향으로 산업 전략을 전환할 필요가 있다”고 강조했다.

2026.02.24 11:00김윤희 기자

제주반도체, 지난해 매출 3022억원…전년比 89.8% 증가

제주반도체는 2025년 실적 변경 공시를 통해 매출액 3022억원, 영업이익 358억원을 기록했다고 23일 밝혔다. 이는 전년 대비 각각 89.8%, 274.8% 증가한 수치다. 최근 이어진 반도체 슈퍼사이클의 수혜를 본 것으로 평가된다. 다만 올해 사업 전망은 불확실성이 크다는 분석이 나온다. 제주반도체는 메모리반도체를 설계하는 팹리스(Fabless) 기업으로, 웨이퍼 생산을 비롯해 조립·테스트 등 주요 공정을 외부에 위탁하는 사업 구조를 갖고 있다. 이에 따라 웨이퍼 매입 단가, 파운드리 비용, 조립 및 테스트 비용 등의 변동이 원가에 직접적으로 영향을 미치는 구조로, 이 같은 구조는 업황 호황기에도 수익성 확대에 제약 요인으로 작용할 수 있다. 결과적으로 반도체 가격이 큰 폭으로 상승하더라도 해당 기업의 수익성 개선으로 직접 연결되지 않을 수 있다. 웨이퍼 매입 단가 상승, 파운드리 비용 증가, 조립 및 테스트 비용 인상 등이 원가에 반영되는 구조이기 때문이다. 실제로 2025년 매출은 전년 대비 1430억원 증가했으나, 영업이익률은 전년과 유사한 수준을 유지했다. 이는 사상 최대 이익을 기록한 국내 대형 메모리반도체 기업들과 비교할 때 수익 구조 측면에서 차이를 보이는 부분으로 해석된다. 또한 메모리 공급 부족(shortage) 국면이 제주반도체에 반드시 호재로 작용하지 않을 수 있다. 파운드리, 조립, 테스트 등 생산에 필요한 캐파(CAPA) 확보가 제한적일 수밖에 없으며, 외부에서 조달해야 하는 물량 확보 역시 더욱 어려워질 가능성이 높기 때문이다. 회사 관계자는 “팹리스 구조상 메모리반도체 가격 상승이 곧바로 수익성 개선으로 이어지기 어렵다”며 “공급망 확보 능력과 원가 관리 역량이 향후 실적의 핵심 변수가 될 것으로 보여, 지속적으로 연구개발 및 공급망을 확보하기 위해 노력하고 있다"고 말했다.

2026.02.23 16:15장경윤 기자

삼성전자, 6세대 SSD 양산준비 본격화…상반기 테스터 도입

삼성전자가 6세대(Gen6) SSD 상용화를 위한 본격적인 준비에 나선다. 올 상반기부터 전용 테스트 장비를 도입할 것으로 파악됐다. AI 인프라에서 고성능 스토리지의 역할이 점차 중요해지고 있는 만큼, 시장을 빠르게 선점하기 위한 전략으로 풀이된다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 올 상반기 Gen6 SSD용 테스터를 도입할 계획이다. SSD는 낸드플래시 기반의 데이터 저장장치다. 현재 Gen5까지 상용화가 이뤄졌다. Gen5란, SSD와 컴퓨터 메인보드·프로세서(CPU·GPU 등)을 연결하기 위한 인터페이스 표준인 PCIe(PCI 익스프레스) 5.0 세대가 적용됐음을 뜻한다. Gen6의 기반이 되는 PCIe 6.0는 지난 2022년 표준이 제정된 바 있다. 삼성전자는 올 상반기부터 Gen6 SSD 전용 테스트 장비를 도입할 예정이다. 초기 발주 규모는 소량으로, 연구개발(R&D) 및 초도 생산에 대응할 것으로 관측된다. 본격적인 양산용 발주는 올 하반기에 진행될 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "Gen6 SSD 양산을 위해서는 전송 속도를 검사하는 테스터 장비가 선제적으로 도입돼야 한다"며 "현재 AI 산업 주도로 고성능 SSD 수요가 높아지는 만큼, 삼성전자가 상용화를 적극 준비하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 실제로 삼성전자는 올해 회사의 첫 Gen6 SSD인 'PM1763' 출시를 목표로 하고 있다. 앞서 삼성전자는 지난해 8월 미국 캘리포니아주에서 열린 FMS(퓨처 메모리 앤 스토리지) 행사에서 해당 제품을 첫 선보인 바 있다. PCIe 6.0의 데이터 전송 통로 당 속도는 최대 8GB/s로, 이전 세대 대비 2배 향상됐다. 총 16개 레인 활용 시에는 초당 최대 128GB/s를 전송할 수 있어, 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 데이터센터에서 수요가 강력할 것으로 기대된다. 주요 경쟁사인 마이크론도 지난 13일(현지시간) 업계 최초로 Gen6 SSD(모델명 마이크론 9650) 양산을 발표하는 등 시장 선점에 나서고 있다. 마이크론은 "마이크론 9650이 양산에 들어가 주요 OEM 및 AI 데이터센터 고객사로부터 인증을 받았다"며 "고성능 스토리지는 더 이상 선택이 아닌 필수 요소가 됐고, 데이터 전송과 관련된 아키텍쳐 설계가 AI 워크로드에 있어 매우 중요해지는 전환점을 맞았다"고 강조했다.

2026.02.23 11:02장경윤 기자

LPDDR6' 시대 성큼…AI·HPC 수요 확대 기대감↑

차세대 저전력 D램(LPDDR)인 'LPDDR6'가 당초 업계 예상보다 빠르게 시장에 안착될 것으로 전망된다. 서버 및 엣지 AI 분야에서 고성능·고효율 D램에 대한 필요성이 급격히 높아졌기 때문이다. 실제로 여러 최첨단 반도체 설계 기업이 현재 LPDDR5X와 LPDDR6 IP(설계자산)를 병행 채택하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다. 삼성전자와 퀄컴 등 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 설계 기업들도 차세대 제품부터 LPDDR6를 지원할 계획이다. 20일 업계에 따르면 고성능 반도체 설계 기업들은 자사 칩에 선제적인 LPDDR6 IP 탑재를 검토하고 있다. LPDDR은 일반 D램(DDR) 대비 전력 효율성에 초점을 맞춘 D램 표준이다. 현재 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. 차세대 제품인 LPDDR6는 지난해 7월 표준이 제정됐다. LPDDR6의 경우 대역폭이 10.6Gbps에서 14.4Gbps까지 구현 가능하다. 이전 세대인 LPDDR5X가 8.5Gbps에서 최대 10.7Gbps까지 지원한다는 점을 고려하면, 성능이 약 1.5배 가량 향상되는 셈이다. LPDDR6가 본격적으로 상용화되는 시점은 빨라야 올해 하반기로 예상된다. 기본적인 표준은 제정됐으나, LPDDR6와 관련한 물리계층(PHY)·컨트롤러·인터페이스 IP(설계자산) 등 제반 사항이 아직 제대로 갖춰지지 않았기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 LPDDR6는 12.8Gbps 정도까지 실제적으로 구현이 가능하고, 내년이 되면 14.4Gbps까지 성능을 끌어올릴 수 있을 것"이라며 "이를 위해 국내외 주요 기업들이 IP 개발에 매진하고 있다"고 설명했다. 그럼에도 상당수 인공지능(AI) 및 고성능컴퓨팅(HPC) 반도체 설계 기업들이 LPDDR6 탑재를 이미 추진 중인 것으로 파악된다. 당장은 LPDDR5X를 탑재하되, LPDDR6가 대량 양산되는 시점에 맞춰 성능을 한 차례 끌어올리겠다는 전략이다. LPDDR6 도입이 가속화되고 있는 가장 큰 요인은 AI에 있다. 당초 LPDDR의 주요 적용처였던 스마트폰은 온디바이스 AI 탑재로 더 뛰어난 성능의 LPDDR 제품을 요구하고 있다. 이에 삼성전자, 퀄컴 등 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 개발하는 기업들이 차세대 칩에 LPDDR6 IP를 탑재할 계획이다. 동시에 방대한 양의 데이터를 상시 처리해야 하는 AI 데이터센터가 도입되면서, 서버 부문에서도 고성능 LPDDR에 대한 필요성이 급격히 대두됐다. 글로벌 빅테크인 엔비디아 역시 LPDDR 수급에 적극적으로 나서고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 고성능 반도체 설계 기업 중 절반 이상이 LPDDR5X 및 LPDDR6 IP를 병행 탑재하는 방안을 검토하고 있다"며 "특히 4나노미터(nm) 및 그 이하의 최첨단 반도체를 설계하는 기업들에게서 수요가 예상보다 빠르게 나타나고 있다"고 설명했다.

2026.02.20 10:17장경윤 기자

송재혁 삼성전자 CTO "커스텀 HBM으로 AI 메모리 벽 깬다"

삼성전자가 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 총집결한 '커스텀 HBM(고대역폭메모리)을 앞세워 AI 반도체의 고질적 난제인 '메모리 벽' 돌파에 나선다. 메모리 칩 내부에 직접 연산 기능을 넣는 파격적인 설계와 최첨단 로직 공정을 결합해, 단순한 부품 공급자를 넘어 AI 아키텍처의 설계자로서 주도권을 잡겠다는 전략이다. 송재혁 삼성전자 CTO(사장)는 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 '비욘드(Beyond) ZFLOPS: AI 시스템의 미래 아키텍팅'을 주제로 삼성의 차세대 반도체 로드맵을 발표했다. 송 사장은 "현재 GPU(그래픽처리장치) 성능은 비약적으로 성장하고 있지만, 메모리 대역폭의 증가 속도는 이를 따라가지 못해 AI 시스템 발전의 허들이 되고 있다"고 진단했다. 이러한 불균형을 해결할 삼성전자의 핵심 병기는 '커스텀 HBM'이다. 기존 HBM이 데이터를 전달하는 통로 역할에 충실했다면, 삼성의 커스텀 HBM은 메모리 하단부인 '베이스 다이' 내부에 '컴퓨트 코어'를 이식하는 '컴퓨트 인 베이스 다이' 아키텍처를 채택했다. 이 기술을 적용하면 GPU와 메모리 사이의 불필요한 데이터 이동이 최소화되어 연산 효율이 극대화된다. 삼성전자에 따르면 커스텀 HBM 기반 시스템은 기존 GPU 구조 대비 전력 대비 성능이 약 2.8배 향상되는 것으로 확인됐다. "메모리+파운드리" 원팀 시너지… "삼성만이 가능한 영역" 송 사장은 삼성 커스텀 HBM의 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 동력으로 삼성전자의 '토탈 솔루션' 역량을 강조했다. 회사는 최첨단 D램, 초미세 로직 공정 파운드리(반도체 위탁생산), 어드밴스드 패키징 기술을 전 세계에서 유일하게 보유했다. 이러한 강점을 살려 시장 리더십을 차지하겠다는 계획이다. 송 사장은 "단일 기업 내에서 메모리와 로직의 시너지를 극대화함으로써 AI 시장이 요구하는 폭발적인 기능을 가장 효율적으로 지원할 것"이라고 자신했다. HBM4 넘어 'zHBM'으로…3D 메모리 시대 예고 삼성전자는 이날 기조연설에서 HBM4(6세대) 이후의 미래형 아키텍처인 'zHBM'의 세부 사양도 처음으로 공개했다. zHBM은 기존 평면적인 배치를 넘어 완전한 3D 적층 구조를 지향한다. 제품의 명칭이 zHBM인 것도, HBM을 패키징할 때 z축(수직)으로 쌓았기 때문이다. zHBM은 멀티 웨이퍼 투 웨이퍼 본딩 기술을 통해 수만 개의 I/O(입출력 단자)를 확보하며, 이를 통해 차세대 HBM 대비 대역폭은 4배 이상 높이고 전력 소비는 75% 절감하는 혁신적인 성능을 목표로 하고 있다. 또한 소자 레벨에서 혁신도 가속화한다. 삼성은 차세대 트랜지스터 구조인 CFET 연구 결과를 공유하며, 기존 구조 대비 채널 반응 속도가 20% 이상 빨라졌음을 확인했다고 밝혔다. 아울러 저전력 구현을 위한 산화물 반도체 채널 적용 등 미세 공정의 한계를 넘기 위한 기술 개발도 순항 중임을 시사했다. 송 사장은 "가상 세계를 넘어 현실을 인식하고 행동하는 '피지컬 AI(Physical AI)' 시대가 머지않았다"며 "삼성 반도체는 최적화된 시너지 솔루션을 통해 인류의 진화에 기여할 준비가 되어 있다"고 말했다.

2026.02.11 15:07전화평 기자

SK하이닉스, 차세대 낸드 판도 흔든다…'AIP' 기술 적용 검토

SK하이닉스가 차세대 고적층 낸드를 구현하기 위한 혁신 기술로 'AIP(All-In-Plug)'를 개발하고 있다. 기존 낸드가 핵심 공정을 세 번에 걸쳐 진행했다면, AIP는 해당 공정을 단 한번만 진행해 제조비용을 크게 줄이는 것이 골자다. 이성훈 SK하이닉스 부사장은 11일 서울 코엑스에서 개최된 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 3번 진행하던 낸드 핵심 공정, 단 한번에 이 부사장은 "반도체 공정의 기술 난이도가 굉장히 가파르게 올라가면서, 지난 10년간 해왔던 방식으로는 이를 따라기 힘들 것이라 판단하고 있다"며 "이에 SK하이닉스는 축적된 기술을 바탕으로 다음 세대의 공정 난이도를 예측하는 플랫폼을 구축했다"고 설명했다. 이에 따라 SK하이닉스는 차세대 D램 및 낸드 구현을 위한 선행기술을 검토하고 있다. 특히 낸드 분야에서는 적층 수 향상에 따른 비용 증가를 낮추기 위한 'AIP'와 같은 혁신 기술을 검토 중인 것으로 알려졌다. AIP는 낸드 구현의 핵심인 HARC(고종횡비; High Aspect Ratio Contact) 식각 공정과 관련돼 있다. 식각은 반도체 제조공정에서 특정 물질을 깎는 과정을 뜻한다. 낸드를 만들기 위해서는 메모리의 최소 저장 단위인 셀을 수백 층 쌓고, 각 층을 연결하는 채널 홀(구멍)을 뚫어야 한다. 이 채널 홀을 일정한 너비로 더 좁게, 더 깊게 뚫을수록 낸드 성능을 높일 수 있다. 다만 식각 공정은 난이도가 높아, 전체 낸드 층에 한 번에 구멍을 뚫는 것이 불가능했다. 이에 업계는 낸드의 식각 공정을 2번, 혹은 3번으로 나눠 진행한 뒤, 이를 묶는 기술을 채택해 왔다. 예를 들어, 300단 낸드를 100단+100단+100단으로 나눠 각각 구멍을 뚫고, 다시 본딩 공정을 통해 연결하는 방식이다. SK하이닉스의 가장 최신 세대인 321단 낸드도 3번 식각을 진행하는 '트리플 스택'을 채용하고 있다. 이 경우 낸드를 안정적으로 제조 가능하지만, 식각 공정을 3번이나 진행해야하기 때문에 제조 비용 및 쓰루풋(생산성) 면에서는 효율이 좋지 못하다. 때문에 SK하이닉스는 300단 이상의 고적층 낸드도 한 번에 HARC 식각을 진행하는 AIP 기술에 관심을 쏟고 있다. 해당 기술이 실제 양산 공정에 적용되면, V11 등 차세대 낸드에서부터 HARC 공정 수와 비용이 크게 감소할 것으로 전망된다. 이 부사장은 "고적층 낸드를 구현하기 위해 HARC 식각 공정 수가 늘어나것이 제조비용 증가의 가장 큰 요인"이라며 "이를 억제하기 위해 HARC 공정들을 합쳐서 한 번에 구현할 수 있을지를 고민하고 있다"고 말했다.

2026.02.11 13:41장경윤 기자

D램 구조적 공급 부족 직면…"생산능력 매년 5% 미만 성장"

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계가 주도하는 D램 시장이 중장기적인 공급 부족 현상에 직면할 전망이다. AI 인프라 투자 규모가 매년 빠르게 확대되는 반면, D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 지난해부터 오는 2030년까지 연평균 4.8% 수준으로 비교적 낮은 성장세가 예상되기 때문이다. 클락 청 세미(SEMI) 연구위원은 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기자간담회에서 향후 반도체 시장 전망에 대해 이같이 밝혔다. 클락 청 위원은 "전세계 빅테크 기업들이 AI를 중심으로 투자 속도를 앞당기고 있다"며 "특히 메모리 반도체와 패키징이 AI 인프라에서 중요해지고 있어, 한국의 반도체 생태계가 강점을 지닐 것"이라고 밝혔다. 실제로 마이크로소프트, 구글, 아마존, 메타 등 4대 CSP(클라우드서비스제공자)의 AI 인프라 지출은 크게 늘어나는 추세다. 지난 2024년에서 오는 2028년까지 연간 지출 규모 성장률은 38%에 이를 전망이다. 클락 청 위원은 "오는 2027년에는 글로벌 반도체 매출 규모와 4대 CSP를 포함한 전체 기업들의 AI 인프라 투자가 각각 1조 달러를 넘어서게 될 것"이라고 강조했다. 당초 업계는 글로벌 반도체 매출이 1조 달러를 기록하는 시점을 2030년으로 전망해 왔는데, 크게 앞당겨진 셈이다. 거대한 AI 수요로 D램 시장은 장기적인 공급 부족 현상에 직면할 가능성이 크다. SEMI에 따르면, 연간 D램 생산능력 증가율은 지난해부터 오는 2030년까지 4.8%로 전망된다. AI 인프라 투자 성장률을 고려하면 낮은 수준이다. 클락 청 위원은 "메모리 공급사들이 원칙적으로 신규 투자를 보수적으로 하고 있고, 캐파 증가분도 상당량을 고대역폭메모리(HBM)가 흡수할 것"이라며 "또한 공정 기준으로는 15나노미터(nm) 이하의 선단 분야에 투자가 집중돼, 레거시 및 특수 목적의 D램 공급은 더 제한될 예정"이라고 설명했다. 다만 AI 수요가 예상보다 빠르게 증가함에 따라, 향후 3년간 D램 생산능력 전망이 상향 조정될 가능성도 있다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업들의 팹 투자 규모는 확대될 전망이다. 클락 청 위원은 "한국의 팹 투자 규모는 2026~2028년 연간 400억 달러 수준으로 크게 확대될 것"이라며 "80% 이상이 D램과 낸드와 관련한 투자로, 일부 첨단 로직 투자는 미국에서 진행될 것"이라고 말했다.

2026.02.11 10:17장경윤 기자

한미반도체, 지난해 매출 5767억원…창사 이래 최대

한미반도체는 지난해 연간 매출 5767억원(연결재무제표 기준)을 기록하며 1980년 창사 이래 최대 매출 실적을 달성했다고 9일 밝혔다. 영업이익률은 43.6%를 기록하며 업계 최고 수준의 수익성을 유지했다. 2024년에 이어 2년 연속 창사 최대 매출을 경신한 배경은 반도체 시장에서 기술 경쟁력을 인정받은 결과로 분석된다. 특히 AI 반도체의 핵심 부품인 HBM(고대역폭메모리) TC 본더가 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 매출 성장을 견인했다. 올해 역시 글로벌 AI 반도체 시장은 하이엔드 HBM 수요 급증으로 글로벌 메모리 기업들의 설비투자가 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상된다. 최근 시장조사업체 테크인사이츠는 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 약 13.0% 증가한다고 전망했다. 실제로 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산하고, 올해 말과 내년 초 HBM4E 양산 준비를 앞두고 있어 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 크게 확대될 전망이다. 그 중심에는 삼성전자, SK하이닉스,마이크론, 중국 업체들이 있다. 특히 마이크론은 2025년 12월 실적 발표를 통해 2026년 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4000억원)에서 200억 달러(약 29조3000억원)로 상향 조정하고 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 실제로 마이크론은 2024년 8월 대만 AUO의 디스플레이 팹을 인수한데 이어, 2025년부터 싱가포르 우드랜즈지역에 D램, 낸드 첨단 웨이퍼 제조공장 건설에 착수했다. 이와 함께 일본 히로시마에 증설 확대, 미국에 축구장 800개 규모의 메가팩토리 증설 계획을 연이어 발표했다. 특히 싱가포르를 AI 반도체(HBM,HBF) 생산거점으로 구축하며, 향후 5년간 글로벌 AI 반도체 주도권 확보를 위한 공격적인 행보를 이어 나가고 있다. 이 같은 마이크론의 공격적인 HBM 생산설비 투자 확대는 지난해 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받으며 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상한 한미반도체 TC 본더의 매출 증가에 크게 영향을 미칠 것으로 전망된다. 한미반도체는 2025년 HBM4 생산용 'TC 본더4'를 출시한데 이어, 올해 하반기에 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 와이드 HBM은 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. 이와 동시에 한미반도체는 2020년 이미 개발한 HBM 하이브리드 본더 원천 기술을 기반으로, 2029년경으로 예상되는 16단 이상 HBM 양산 시점에 맞춰 차세대 첨단 하이브리드 본더 출시를 위해 고객사와 소통하고 있다. 한미반도체는 올해 AI 시스템반도체 분야에서도 신규 장비 출시를 예고했다. 이는 부가가치가 높은 AI 패키지 분야에 채택되는 다양한 본딩 장비로 HBM 코어다이, 베이스다이 그리고 GPU·CPU를 통합하는 AI 반도체 패키지와 CPO(Co Packaged Optics) 패키징 분야에 활용되는 핵심 장비(빅다이 TC 본더, 빅다이 FC 본더, 다이 본더)이며, 중국과 대만의 파운드리, OSAT 기업에 공급할 계획이다. 한미반도체는 글로벌 우주항공 분야 핵심 장비 판매에도 적극 나서고 있다. EMI 쉴드 장비는 우주탐사용 로켓, 저궤도 위성통신(LEO), 방산용 드론에 적용되는 필수장비다. 한미반도체는 2016년 EMI 쉴드 장비를 처음 선보인 이후 해당 시장에서 점유율 1위를 계속 유지하고 있으며, 최근 4년 연속 글로벌 항공우주 업체에 EMI 쉴드 장비 라인를 독점 공급하며 기술 경쟁력을 입증했다. 한미반도체 관계자는 “AI 반도체 시장의 지속적인 성장과 글로벌 반도체 기업의 적극적인 투자 확대로 HBM 수요는 그 어느 때보다 높을 것으로 예상하고 있다. 이에 힘입어 한미반도체는 2026년과 2027년에도 창사 최고 실적을 경신할 것으로 전망한다”며 “차세대 제품 개발과 생산능력 확충을 통해 글로벌 반도체 장비 시장에서 리더십을 더욱 강화해 나갈 것” 이라고 밝혔다.

2026.02.09 10:00장경윤 기자

AI 인프라 투자 300조 더 는다…삼성·SK 메모리 슈퍼사이클 '청신호'

세계 4대 클라우드서비스제공자(CSP) 기업들이 올해 AI 인프라 투자에 6,600억 달러(한화 약 970조원)을 투자한다. 지난해 대비 2,000억 달러(약 293조원) 가까이 증가한 규모다. 최근 불거진 'AI 거품론' 속에서도 투자 공세를 이어가겠다는 기조로, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업들도 상당한 수혜를 입을 것으로 기대된다. 7일 업계에 따르면 글로벌 주요 CSP 기업들은 올해 AI 인프라 투자 규모를 당초 예상보다 크게 늘리고 있다. 최근 실적을 발표한 아마존은 올해 AI 인프라 투자 규모를 2,000억 달러(약 293조원)로 제시했다. 이는 증권가 전망치인 1446억 달러를 크게 웃도는 수치다. 지난해 총 투자규모인 1250억 달러와 비교해도 60%나 증가했다. 앤디 재시 아마존 CEO는 "기존 서비스에 대한 강력한 수요와 AI·반도체·로봇공학·저궤도 위성 등 중대한 기회를 고려한 것"이라며 "투자 자본에 대해 장기적으로 높은 수익률을 기대한다"고 설명했다. 메타는 올해 AI 관련 설비투자 규모가 최대 1,350억 달러에 이를 것이라고 밝혔다. 지난해 투자 규모인 772억 달러 대비 74%가량 늘었다. 구글은 최대 1850억 달러, 마이크로소프트는 1,400억 달러로 역시 전년 대비 규모가 크게 늘었다. 이들 4개 기업의 총 투자 규모는 6,600억 달러에 이른다. 4,000억 달러대인 지난해와 비교하면 2,000억 달러 가량 늘어난 수준이다. 최근 IT 업계는 막대한 투자 대비 불확실한 매출 성장으로 'AI 거품론'에 휩싸이고 있다. 여기에 AI 데이터센터에 필수적인 메모리 반도체 수급난이 심화되면서, 투자 비용 역시 급증하는 추세다. 그럼에도 CSP 기업들은 AI 인프라 투자를 오히려 가속화하고 있다. 이는 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 기업들의 강력한 매출 성장 전망치에 힘을 실어주는 기폭제가 될 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스는 AI 가속기에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 시장을 주도하고 있다. 또한 이들 기업이 생산하는 서버용 D램, 기업용 SSD(eSSD) 등은 AI 데이터센터 시장에서 수요가 매우 높다. 반도체 업계 관계자는 "최근 메모리 공급난이 극심함에도 불구하고, CSP 기업들은 이번 실적발표를 통해 투자비용에 대한 부담 대신 더 공격적인 기조를 나타냈다"며 "AI 고도화의 주역인 메모리반도체 기업들 입장에서는 매우 반가운 소식"이라고 밝혔다.

2026.02.08 08:58장경윤 기자

SK하이닉스, 성과급 2964% 책정…사상 최대 실적에 '통 큰' 보상

지난해 역대 최대 실적을 기록한 SK하이닉스가 임직원에게 기본급(연봉의 20분의 1)의 2964%를 성과급으로 지급하기로 했다. 4일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이날 올해 '초과이익분배금(PS)'의 지급률을 2964%로 책정했다. 지급일은 오는 5일이다. 연봉이 1억원일 경우 1억4800만원을 받게 되는 셈이다. PS는 연간 실적에 따라 영업이익의 10%를 재원으로 활용해, 1년에 한 번 연봉의 일정 비율을 지급하는 SK하이닉스의 성과급 제도다. 올해 지급분부터는 지난해 하반기 노사가 새롭게 도출한 PS 지급 기준이 적용됐다. 새 기준은 기존 PS 지급 한도(최대 1천%)를 폐지하고, 전년 영업이익의 10% 전체를 재원으로 상정한다. 이 중 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해 지급되고, 나머지 20%(매년 10%씩)는 2년에 걸쳐 이연 지급된다. 최근 업계에서는 AI 반도체 역량 확보 경쟁이 본격화됨에 따라 설비 투자와 더불어 핵심인재 확보·유지가 경쟁력의 핵심 요소가 되고 있다. 이에 SK하이닉스도 역대 최고 수준의 성과급을 책정한 것으로 풀이된다. SK하이닉스는 "성과급을 포함해 우수 인재에게 차별화된 보상을 적용하는 SK 하이닉스의 보상체계는 단기적 사기 진작을 넘어, 최고 수준의 연구 개발 경쟁력을 확보하고 미래 더 큰 성장이 지속될 수 있는 기반을 강화하는 투자"라고 밝혔다. 회사는 이어 "특히 날로 치열해지는 글로벌 환경에서 국가 경쟁력 강화를 위한 반도체 인재 유출 방지, 글로벌 핵심 인재 확보 등 장기적 경쟁 우위를 유지할 수 있을 것으로 기대한다"고 덧붙였다.

2026.02.04 17:31장경윤 기자

삼성·SK, 낸드 마진율 역대 최대치 찍는다…"10년 간 없던 일"

삼성전자·SK하이닉스가 올 상반기에도 공격적인 낸드 가격 인상에 나선다. 이에 양사의 낸드 마진율이 40~50%대를 기록할 가능성이 유력하다. 업계는 지난 2017년 메모리 슈퍼사이클 이후 근 10년만에 낸드 제품이 사상 최대의 수익성을 거둘 것으로 기대하고 있다. 4일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스의 올 상반기 낸드 마진율은 40~50%에 육박할 것으로 관측된다. 양사의 낸드 마진은 지난해 4분기 기준으로 20%대까지 상승한 것으로 추산된다. 세부적으로는 쿼드레벨셀(QLC) 비중이 더 높은 SK하이닉스가 삼성전자 대비 수익성이 더 높았다. QLC는 메모리의 최소 저장 단위인 셀(Cell) 하나에 4비트를 저장하는 기술로, 고용량 구현에 용이해 서버용 SSD에 활발히 채택되고 있다. 최근 전 세계 빅테크 기업들이 공격적인 AI 인프라 투자를 진행하면서, 서버용 SSD 수요는 빠르게 증가하고 있다. 특히 엔비디아가 QLC만이 아니라 트리플레벨셀(TLC; 셀 당 3비트 저장) 제품까지 적극 주문하는 추세다. 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기에도 고부가 제품을 중심으로 낸드 가격을 크게 올릴 계획이다. 시장조사업체 트렌드포스는 낸드의 평균판매가격(ASP)이 지난해 4분기 33~38% 증가하고, 올해 1분기에는 55~60%로 더 큰 폭의 상승세를 기록할 것으로 분석했다. 이에 삼성전자, SK하이닉스의 낸드 마진은 올 상반기 40~50%에 도달할 가능성이 유력하다. 업계에선 그간 발생했던 메모리 슈퍼사이클 중에서도 전례를 찾기 힘들 정도의 높은 수익성으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "낸드 마진율이 40~50%대에 달하는 건 지난 2017년, 메모리 슈퍼사이클과 3D 낸드가 본격적으로 성장하던 시기 이후 처음 있는 일"이라며 "30%대 마진율 달성도 매우 어려운데, 이렇게 단기간에 수익성이 높아지다니 매우 놀랍다"고 말했다. 또 다른 관계자는 "낸드 가격이 올 1분기와 2분기 계단식으로 상승할 것이라는 전망은 이미 확실시된 상황"이라며 "메모리 공급사가 낸드용 설비투자에 보수적으로 나섰던 게 극심한 공급난을 일으키고 있다"고 설명했다.

2026.02.04 09:29장경윤 기자

Prev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next