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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (274건)

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삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

SK하이닉스, HBM으로 사상 최대 실적…삼성도 제쳤다

SK하이닉스가 AI 메모리 고대역폭메모리(HBM) 출하 증가에 힘입어 3분기 매출과 영업이익에서 분기 최대 실적을 달성했다. SK하이닉스의 3분기 영업이익은 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적보다 1조5천억원 가량 많은 것으로 추정된다. SK하이닉스는 24일 실적 발표를 통해 3분기 영업이익이 7조300억원으로 전년대비 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 40%, 순이익 5조7천534억원(순이익률 33%)을 기록했다. 3분기 영업이익과 순이익은 반도체 슈퍼 호황기였던 2018년 3분기 기록(영업이익 6조4천724억원, 순이익 4조6천922억원)을 크게 뛰어넘었다. 매출은 17조5천731억 원으로 지난해 같은 기간보다 93.8, 전기에 비해 7% 늘었다. 기존 최대 기록인 지난 2분기 매출(16조4천233억원)보다도 1조원 이상 많았다. SK하이닉스의 실적은 메모리 업계 경쟁사인 삼성전자와 대비된다. 삼성전자는 지난 8일 잠정실적에서 전체 영업이익 9조1천억원을 기록, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 이날 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 추정하며 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석했다. 메모리 분야 만년 2위인 SK하이닉스가 1위 삼성전자 실적을 제친 것이다. ■ HBM 연매출 전년比 330% 상승…내년 HBM4 출하, TSMC와 '원팀' SK하이닉스 실적 상승의 일등공신은 HBM이다. SK하이닉스는 "데이터센터 고객 중심으로 AI 메모리 수요 강세가 지속됐고, 이에 맞춰 회사는 HBM(고대역폭메모리), eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대해 창사 이래 최대 매출을 달성했다"며 "특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하는 탁월한 성장세를 보였다"고 강조했다. 이어서 "수익성 높은 고부가가치 제품 중심으로 판매가 늘며 D램 및 낸드 모두 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 전 분기 대비 10%대 중반 가량 상승해 사상 최대 영업이익을 거두게 됐다"고 설명했다. HBM 매출 성장은 내년에도 지속될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 컨퍼런스콜에서 "(HBM과 관련해) 2025년 고객 물량과 가격 모두 협의가 완료된 상태"라고 밝히며 "AI 발전으로 앞으로 더 많은 컴퓨팅 파워 요구량이 늘어나고 있기에, HBM 수요 둔화를 걱정하는 것은 시기상조"라고 말했다. 또 "내년 HBM 수요는 AI 칩 증가, 고객들의 AI 투자확대 의지가 확인되면서 예상보다 늘어날 것으로 보인다"고 덧붙였다. 이에 따라 SK하이닉스 3분기 전체 D램 매출에서 30%에 달했던 HBM 비중은 4분기에는 40%에 이를 전망이다. 이어 SK하이닉스는 "3분기 HBM3E 출하량이 HBM3를 넘어섰고 4분기는 예정대로 HBM3E 12단 출하를 시작할 것"이라며 "내년 상반기 HBM3E 12단 제품의 비중이 HBM3E 8단 물량을 넘어설 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 "내년 하반기엔 전반 이상이 12단 제품이 될 것으로 전망된다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 차세대 제품인 HBM4를 내년 하반기에 양산해 고객사에 출하할 계획이다. 고객 맞춤형 제작을 요하는 HBM4에서는 대만 파운드리 업체 TSMC와 협력을 강화한다. 회사는 "HBM4와 관련해 당사와 파운드리 파트너사간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 말했다. ■ 범용 메모리 재고, 내년 상반기에 정상화…시설투자 늘려 HBM 공급 강화 최근 메모리 업계는 범용 메모리와 HBM과 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 AI향 제품 가격의 양극화가 심화됐다. 스마트폰, PC 시장 등의 침체로 인해 범용 메모리의 재고가 쌓인데 따른 결과다. 범용 메모리 재고는 내년 상반기 정상화가 될 전망이다. SK하이닉스는 "PC와 모바일 수요 개선이 지연되고 중국 공급사가 레거시 제품에 진출을 가속하는 등 D램 수급에 부정적 영향이 증가하고 있다"면서 "DDR4나 LPDDR4 등 레거시 제품과 HBM, DDR5, LPDDR5 등 프리미엄 제품의 수급 상황이 크게 달라 각 제품 가격의 변동 방향도 서로 다르게 나타났다"고 설명했다. 또 중국 메모리 업체의 공급 증가와 관련한 우려에 대해서는 후발 업체와 선두 업체 사이의 기술 격차가 크다고 짚었다. SK하이닉스는 중국 업체와 격차를 더 벌리고 수익성을 강화하기 위해 범용 메모리 생산 규모는 줄이고 HBM, DDR5, LPDDR5 등 선단 공정으로 전환을 앞당겨서 추진할 계획이다. 낸드에서도 SK하이닉스는 투자 효율성과 생산 최적화 기조에 무게를 두면서 시장 수요가 가파르게 늘고 있는 고용량 엔터프라이즈향 SSD의 판매를 확대한다. SK하이닉스는 프리미엄 메모리 공급 확대를 위해 시설투자 규모를 연초 계획보다 늘려 10조 중후반대를 집행했고, 내년에는 올해보다 더 늘릴 계획이다. 회사는 "올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM(고대역폭메모리) 수요 대응과 (청주에 위치한) M15X 팹 투자 결정을 반영해서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조원 중후반대가 예상된다"며 "내년에는 아직 구체적 투자 규모는 확정되지 않았지만 안정적 공급을 위한 투자, DDR5 및 LPDDR5 양산 확대를 위한 전환 투자, M15X, 용인 반도체 클러스터 투자 등을 감안하면 올해보다 소폭 (투자 금액이) 증가할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 다만, 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라, R&D, 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적일 전망이다.

2024.10.24 14:16이나리

SK하이닉스, '반도체의 날'서 은탑산업훈장 수상

SK하이닉스가 22일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '제17회 반도체의 날' 시상식에서 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받아 산업훈장을 비롯한 주요 상을 받았다. 이날 최준기 부사장(이천FAB 담당)은 은탑산업훈장을, 양명훈(Mobile검증), 정춘석(Leading HBM Design), 방유봉(장비통합기술) 팀장은 산업통상자원부장관 표창을, 이진희(HBM 수율개선) 팀장은 한국반도체산업협회장상을 수상했다. 반도체의 날 시상식은 산업통상자원부가 반도체 산업 발전에 기여한 산·학·연 종사자들을 포상하는 행사다. 최준기 부사장이 국가 산업 발전을 돕고, 회사 수익성을 높인 공로를 인정받아 은탑산업훈장을 수상했다. 최 부사장의 주요 성과로는 ▲HBM/HDM(High Density Memory) 생산 비중 확대를 통한 D램 경쟁력 확보 ▲WPD(Wafer Per Day) 관리를 통한 장비 효율 향상 및 웨이퍼 증산 체계 구축 등이 꼽힌다. 산업부장관 표창을 받은 3명의 수상자 중 방유봉 팀장은 외산 부품인 ALN 히터(Heater)를 국내 협력사와 공동 개발한 성과를 냈다. 10여 년에 걸쳐 개발된 이 제품을 통해 반도체 장비·부품 국산화에 기여했다는 평가를 받았다. 정춘석 팀장은 2013년부터 HBM 개발을 이끌며 시장을 창출하고 성장시킨 성과를 거뒀다. 이와 함께 그는 GDDR6-AiM(PIM)을 비롯해 CXL 메모리 기술 개발을 주도하는 등 AI 메모리 시장에서 국가 경쟁력을 높였다는 평가를 받았다. 양명훈 팀장은 낸드플래시 및 메모리 솔루션의 수출 확대에 앞장섰다. 특히 그는 스마트폰용 MCP(Multi Chip Package) 위주의 사업을 플래그십 스마트폰용 UFS* 4.0 중심으로 재편하는 성과를 얻었다. 반도체산업협회장상을 수상한 이진희 팀장의 주요 공적은 HBM 핵심 생산장비 국산화 및 동반성장이다. 중소기업의 HBM 생산기술 경쟁력을 키운 공로로, 이 팀장은 상생 분야에서의 유공을 인정받았다. 이날 최 부사장을 비롯한 SK하이닉스 수상자들은 “모두의 땀과 노력이 있었기에 가능했던 결과”라며 원팀으로 함께한 구성원들과 협력사 관계자들에게 감사 인사를 전했다. 반도체산업협회장 자격으로 참석한 SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 “우리 반도체 산업은 30년 넘도록 수출 1위를 지켜내고 있으며, 2013년부터는 세계 반도체 시장 1위를 고수하고 있는 대한민국의 대표 산업이 되었다”며 “뜨거운 열정을 바탕으로 헌신해 주신 반도체인들 덕분이며, 모든 분께 진심으로 감사와 경의를 표한다”고 수상자들을 격려했다.

2024.10.23 09:36이나리

곽노정 SK하이닉스 "HBM3E 계획대로 준비…내년 메모리 AI가 이끌 것"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대해 자신감을 드러냈다. 또한 내년 메모리 시장이 AI를 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라고 내다봤다. 곽 사장은 22일 오후 서울 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 기자들과 만나 향후 메모리 시장에 대해 이같이 밝혔다. 곽 사장은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 12단 제품의 양산 계획에 대해 "구체적인 고객사를 언급할 수는 없으나, 출하나 공급 시기 등은 원래 계획한 대로 진행하려고 한다"고 밝혔다. 내년 메모리 시장에 대해서는 AI 산업에서 견조한 수요가 있을 것으로 내다봤다. 곽 사장은 "내년 메모리 시장은 AI 분야는 꽤 괜찮을 것이나, 나머지는 상황을 지켜볼 필요가 있다"며 "PC와 모바일 쪽은 성장세가 정체된 느낌이 있는데, 내년이 되면 AI 덕분에 조금은 나아지지 않을까 생각한다"고 강조했다. 한편 곽 사장은 최근 유럽 출장길에 올라, 현지 최대 반도체 연구소인 아이멕(IMEC)을 방문한 바 있다. 곽 사장은 이와 관련해 "아이멕과 공동으로 진행 중인 프로그램을 점검했고, 향후 있을 프로젝트에 대해서도 논의했다"고 밝혔다. 끝으로 곽 사장은 "향후에는 CXL이나 LPCAMM과 같은 제품들을 고객사의 니즈에 맞춰 출시하고 있다"며 "내년쯤 되면 이런 성과들이 가시화될 것"이라고 덧붙였다.

2024.10.22 18:15장경윤

박광선 AMAT코리아 대표, 'SEDEX 2024'서 기조연설 나서

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 박광선 AMAT코리아 대표가 10월 23일부터 25일까지 서울 코엑스에서 열리는 국내 최대 반도체 전시회 '반도체대전(SEDEX) 2024'에서 기조연설을 진행한다고 22일 밝혔다. 박 대표는 오는 24일 '반도체 산업의 미래: 에너지 효율적 컴퓨팅과 혁신의 가속화'를 주제로 기조연설을 진행한다. 이번 발표에서 박 대표는 AI 경쟁에서 에너지 효율적인 컴퓨팅 성능의 중요성을 강조하고 최첨단 로직, 고성능 D램, HBM(고대역폭 메모리), 첨단 패키징을 중심으로 진화하는 반도체 소자 아키텍처 변화에 대한 새로운 산업 전략과 인사이트를 공유한다. 또한 AI 구현에 필수적인 HBM과 이종 집적을 위한 어플라이드의 첨단 패키징 기술에 대해 설명할 예정이다. 한국반도체산업협회가 주관하는 SEDEX 2024는 메모리와 시스템 반도체, 장비 및 부품, 재료, 설비, 센서 등 반도체 산업 전 분야를 아우르는 전시회다. 이번 행사에서 반도체 관련 기업들은 최신 기술과 제품을 선보이고, 산업 혁신의 동향을 공유한다.

2024.10.22 10:14장경윤

삼성 HBM4 희망 불씨...'1c D램' 성과에 달렸다

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 개발 중인 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 반도체 업계 최대 화두로 떠오르고 있다. 1c D램은 삼성전자, SK하이닉스 등이 내년 양산을 본격화할 것으로 예상되는 차세대 메모리다. 삼성전자의 경우 1c D램의 초도 양산라인을 올해 연말 구축할 계획이다. 1c D램이 삼성전자에게 중요한 이유는 반도체 시장 성장을 이끌고 있는 HBM(고대역폭메모리) 때문이다. 삼성전자는 내년 말 출시를 앞둔 6세대 HBM, HBM4의 코어 다이(core die)로 1c D램을 채용하기로 했다. 삼성전자는 이전 세대인 HBM3, HBM3E 등에서 주요 고객사인 엔비디아향 양산이 지연되는 등 차질을 빚어 왔다. HBM3E에 경쟁사가 1b D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 낮은 1a D램을 활용한 것이 성능 부진의 주된 요소로 지목된다. 반대로 HBM4에는 삼성전자가 1c D램을, SK하이닉스·마이크론이 1b D램을 채택했다. 삼성전자가 경쟁사보다 집적도를 높인 D램 채용으로 그동안 탈많은 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이다. ■ "관례 뒤집는 승부수"…삼성 1c D램 성능 안정성 여부 의문 다만 삼성전자의 HBM 로드맵에 업계의 우려 섞인 시선도 적지 않다. 그간 D램 및 HBM이 개발돼 온 기술적인 절차와 관례를 삼성전자가 이번 HBM4부터 뒤집을 가능성이 높기 때문이다. 이유는 이렇다. HBM은 범용 D램을 기반으로 만들어지기 때문에, 범용 D램의 성능을 안정적으로 확보하는 것이 중요하다. 이에 업계는 먼저 컴퓨팅과 모바일 등으로 D램 제품을 개발하고, 이후 이를 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 그러나 현재 삼성전자의 행보를 봤을때 이러한 과정을 생략하거나 축소할 가능성이 크다. 삼성전자는 당초 연내 1c D램의 초도 양산을 시작하겠다는 계획을 세운 바 있다. 설비투자 시점을 고려하면 본격적인 양산은 빨라도 내년 상반기에나 가능하다. 이 경우, HBM4의 목표 양산 시점과의 간격이 1년도 채 되지 않는다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "통상 D램은 컴퓨팅을 코어로 개발하고 모바일, HBM 등으로 파생되는 순서를 거쳐야 안정적"이라며 "반면 삼성전자는 양산 일정을 고려하면 HBM이 사실상 신규 D램의 가장 빠른 주 적용처가 되는 것으로, 이례적인 시도"라고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 지난 8월 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했으나, HBM4에는 적용하지 않는다. 시장 상황을 고려해 성능 향상 보다는 안정성에 무게를 두는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. ■ '희망 불씨' 봤다지만…확실한 성과 보여줘야 이달 삼성전자는 1c D램 개발 과정에서 처음으로 '굿 다이'(Good die)를 확보했다. 굿 다이란 제대로 작동하는 반도체 칩을 뜻하는 단어다. 이에 회사 내부에서는 "희망이 생겼다"는 긍정적인 평가가 나오기도 한 것으로 전해졌다. 다만 삼성전자가 1c D램을 안정적으로 양산하기 위해선 아직 많은 준비와 절차가 필요하다는 지적이 제기된다. 이번 개발 과정에서 삼성전자가 확보한 굿 다이의 수는 웨이퍼 투입량 대비 매우 적은 수준이다. 수율로 환산하면 10%를 밑도는 것으로 산출된다. 또한 반도체 공정은 굿 다이 확보 이후 해당 칩을 패키징까지 완료하는 엔지니어링 샘플(ES), 고객사향 품질 인증을 마치기 위한 커스터머 샘플(CS) 등 상용화를 위한 여러 과정을 거쳐야 한다. 업계 관계자는 "삼성전자가 빠른 시일 내에 1c D램에서 수율과 성능 안정성 등 두 마리 토끼를 모두 잡아야 하는 상황"이라며 "최근 성과가 무의미한 것은 아니나, HBM의 경쟁력을 크게 끌어올리기 위해서는 더 많은 진전을 이뤄야 한다"고 설명했다.

2024.10.21 14:43장경윤

'절치부심' 삼성 1b D램 수율 향상 본궤도...HBM 로드맵엔 없어

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 현재 국내 D램 업계는 중국 후발주자들로부터 거센 추격을 받고 있다. DDR5·LPDDR5X(저전력 D램) 등 최선단 분야에서는 여전히 기술 격차가 공고하지만, DDR4·LPDDR4 등 레거시(성숙)는 현지 중국 정부의 막대한 지원 하에 생산량을 확대해 왔다. 특히 중국 최대 메모리 제조업체로인 창신메모리(CXMT)의 약진이 눈에 띈다. CXMT는 D램 생산능력을 2022년 월 7만장에서 2023년 12만장, 올해 20만장 수준으로 늘릴 계획이다. 중국이 D램 출하량을 급격히 확대하는 경우, 삼성전자·SK하이닉스 등 기존 업체들의 매출 및 수익성은 감소할 수밖에 없다. 실제로 삼성전자는 최근 발표한 3분기 잠정실적 자료에서 "중국 메모리 업체의 레거시 제품 공급 증가에 따른 실적 하락"을 언급한 바 있다. ■ 中 추격에 최선단 1b D램 공정 전환 속도 삼성전자는 이 같은 상황을 타개하기 위한 방안으로 '1b D램(5세대 10나노급 D램)'에 주목하고 있다. 해당 D램은 삼성전자가 개발에 어려움을 겪었던 이전 세대 제품, 1a D램의 부진을 만회하기 위해 절치부심의 심정으로 개발한 메모리다. 삼성전자는 지난해 5월 16Gb(기가비트) 1b DDR5의 양산을 시작했으며, 이후 9월에는 32Gb 1b D램을 개발하는 데 성공했다. 생산능력 역시 빠르게 확대할 전망이다. 올해 말까지 1b D램의 생산능력을 월 10만장 수준까지 확대하기 위한 투자가 진행되고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자도 협력사에 중국 D램 제조기업의 동향을 물어볼 만큼 관련 사안에 관심이 많다"며 "현재 1b D램으로 공정 전환을 서두르는 이유 중 하나가 중국 기업들 때문"이라고 설명했다. 1b D램이 삼성전자에게 더욱 중요한 이유는 AI 산업 확대에 있다. 삼성전자의 32Gb D램은 서버 시장을 메인 타깃으로 개발된 제품으로, 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(실리콘관통전극) 공정 없이도 제조할 수 있도록 설계됐다. 기존 메모리 업계에서는 128GB 모듈 제작을 위해 TSV로 16Gb D램 칩 2개를 연결한 패키지를 만들어야 했다. 이 공정을 생략하면 제조비용을 크게 줄이면서도, 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있다. ■ 수율 향상 본궤도 올랐지만…HBM 로드맵엔 배제 메모리 경쟁력의 핵심인 수율은 비교적 견조한 수준으로 끌어올린 것으로 관측된다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 올 3분기 말 기준으로 삼성전자 1b D램의 평균 수율은 60%를 넘어선 것으로 전해졌다. 세부적으로 16Gb 제품의 수율은 더 높고, 32Gb 제품 수율은 아직 60% 수준에는 미치지 못한 것으로 알려졌다. 통상 D램 양산에 이상적인 수율(80~90%)보다는 낮지만, 올해 초중반 대비 수율을 향상시키는 데에는 성공했다는 평가다. 다만 삼성전자 1b D램이 HBM(고대역폭메모리) 로드맵에서 배제돼 있다는 점은 한계로 지적된다. 삼성전자는 HBM3와 HBM3E에 1a D램을 채용하고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램을 채용하고 있다는 점을 감안하면 한 세대 뒤쳐졌다. 반대로 내년 말 양산을 목표로 하고 있는 HBM4와 관련해, 삼성전자는 차세대 1c D램을 적용할 계획이다. 성능 극대화를 위한 전략으로도 볼 수 있으나, 기술적인 면에서도 1b D램이 HBM에 적용될 가능성은 현재로선 매우 낮은 것으로 관측된다. 사안에 정통한 관계자는 "1b D램은 설계 당시부터 HBM 적용을 고려하지 않아, 현재 계획 상에서는 HBM향 개조 등이 어려운 상황"이라며 "범용 D램 쪽에서 수율 향상에 집중하고 있다"고 말했다.

2024.10.17 14:06장경윤

SK하이닉스, 돈 안되는 CIS 사업 축소...HBM에 올인

SK하이닉스가 사업성이 낮은 이미지센서와 파운드리 사업을 축소하고, 수익성이 높은 고대역폭 메모리(HBM)와 AI 메모리에 집중하는 선택과 집중 전략을 강화한다. 17일 업계에 따르면 SK하이닉스는 CMOS 이미지센서(CIS) R&D 투자 규모를 줄이고, 생산 캐파도 작년 보다 절반 이상으로 줄여 12인치 기준 월 7000장 이하로 추정된다. 또 메모리 컨트롤러 등을 설계하던 시스템온칩(SoC) 설계 사업부 인력을 HBM 부서로 전환 재배치하고 있다. 아울러 올해 SoC 설계 인력을 충원해 연산 역할까지 수행할 수 있는 차세대 메모리 개발 등에 투입하고 있는 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 일부 사업을 축소하는 대신 수익성이 높은 HBM에 올인한다는 전략이다. 또 미래 먹거리로 주목되는 CXL(컴퓨트 익스프레스링크), PIM(프로세싱 인 메모리), AI SSD 등에 집중하고 있다. 반도체 업계 관계자는 “HBM은 생산 라인을 하나 만들면, ROI(투자자본수익률)를 내기까지 3개월 밖에 안 걸린다”라며 “기업 입장에서는 수요가 높으면서 높은 수익성을 내는 HBM에 집중적으로 투자하는 것은 당연한 선택”이라고 말했다. 트렌드포스에 따르면 HBM 가격은 범용 D램 보다 약 3~5배 비싸다. 또 올해 4분기 범용 D램, 낸드 가격이 하락한다는 전망인 가운데 HBM은 홀로 8~13% 오를 것으로 예상된다. SK하이닉스가 축소한 CIS 사업은 그동안 핵심 사업으로 자리잡지 못했다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 지난해 CIS 시장 점유율은 1위 소니(45%), 2위 삼성전자(19%), 3위 옴니비전(11%) 등에 이어 6위 SK하이닉스는 4% 점유율에 불과하다. SK하이닉스는 2008년 CIS 개발업체 실리콘화일을 인수하면서 이미지센서 시장에 진출했다. 2019년에는 일본에 CIS 연구개발(R&D) 센터를 개소하고, 같은해 이미지센서 브랜드 '블랙펄'을 출시하면서 사업 확대에 의지를 보였다. SK하이닉스는 중국 중저가 스마트폰과 2021년 삼성전자 폴더블폰 갤럭시Z3시리즈, 및 갤럭시A 시리즈에 CIS를 공급하는 성과를 내기도 했다. 그러나 최근 몇 년간 스마트폰 시장 수요 감소와 경쟁 심화로 인해 CIS 사업의 경쟁력을 잃은 것으로 분석된다. 아울러 SK하이닉스는 파운드리 사업도 축소했다. SK하이닉스의 8인치 파운드리 자회사 SK시스템IC는 지난 5월 중국 국영기업인 우시산업발전집단(WIDG)에 파운드리(반도체 수탁생산) 사업 지분 49.9% 넘겼다. 우시산업발전집단은 SK하이닉스와 현지 파운드리 합작사를 함께 세운 우시 지방정부의 투자회사로 이번 매각은 2018년 계약에 따라 이뤄졌다. SK시스템IC는 지난 몇년 동안 DDI, CIS 등 레거시 반도체 수요 부진으로 가동률이 50% 이하로 떨어지며 어려움을 겪은 것으로 알려졌다. 반면 SK하이닉스는 8인치 파운드리 자회사 SK키파운드리를 통해 수익성이 높은 전략 반도체 생산에 힘을 쏟기로 했다. SK키파운드리는 올해 전력 반도체 생산을 위해 4세대 0.18㎛를 비롯해 신규 BCD 공정 잇달아 출시하며 사업을 확장했다. 또 회사는 내년 하반기에 차세대 전력 반도체인 GaN(질화갈륨)을 양산할 계획이며, SiC(실리콘카바이드) 반도체 생산도 검토 중이다. 업계 관계자는 “그동안 SK는 DB하이텍 등 경쟁사에 비해 파운드리 투자에 소극적이라는 평가를 받아왔다”며 “그러나 최근 전력 반도체 성장 가능성을 보고 SK키파운드리 투자를 확대하는 방향으로 전략을 바꾼 것으로 보인다”고 말했다.

2024.10.16 17:32이나리

삼성, 위기라는데…

모든 기업은 위기를 맞는다. 위기는 기업에게 숙명과도 같다. 그래서일까, 대한민국을 대표하는 삼성은 더 많은 위기를 마주하게 마련이다. 아마도 그 때문일 것이다. 삼성은 우리 경제의 역경과 고난, 그리고 성장과 늘 함께 했던 것 같다. 마치 모든 인간은 죽는다는 필연적 예측을 근거로 삼성의 안위는 언제나 우리의 화두였다. 삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯하다. 인공지능(AI)과 양자(Quantum) 시대, 기술 선진국들의 다툼 속에 미래 반도체 산업이 국가 경제안보로까지 대두되는 현실과 궤를 같이한다. 지난 9월 국내 ICT 수출액에서 반도체 분야가 차지하는 비중이 60%를 넘어섰다는 사실도 30년째 세계 메모리 반도체 1위를 지키고 있는 삼성에 거는 기대치가 그만큼 커졌다는 것을 반증한다. 그럼 지금의 삼성전자의 위기 수위는 어느 정도일까. 삼성전자는 지난 3분기 매출 79조원, 영업이익 9.1조원을 잠정 기록했다. 직전 분기에는 74조원에 10.4조원, 1분기엔 72조원에 6.6조원을 했다. 작년 한해 반도체 불황 탓에 연간 영업익 6.6조원을 기록한 것에 비하면 솔찬하다. 삼성전자는 올해 연간 영업익이 39조원에서 40조원 사이로 관측되는데 반도체 호황기로 불리는 2017년(53.6조원), 2018년(58.9조원)과 비교해 실망하기에는 아직 이르다. '분기당 9조원 넘게 돈을 버는 회사가 위기인가?'라는 물음이 나올만했다. 반도체 부문만 놓고 봐도 그렇다. 이달 말 공식 발표가 나와 봐야 알겠지만 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5.3조원으로 지난 2분기(6.46조원) 보다는 감소한 것으로 관측된다. 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 약 4조원대, 낸드 1조원대를 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원이라는 게 증시 예측이다. 메모리 위주인 SK하이닉스가 HBM 시장 선점을 등에 업고 3분기 영업이익이 6조원대로 추정되는 것과 비교하면 '잘했다'며 등을 두드려주기 어렵다. 하지만 삼성전자가 대만 TSMC가 독점하다시피한 파운드리 사업에 쏟고 있는 노력과 비용을 감안해야 한다. 돌이켜볼때 2019년 4월 메모리에 이어 '2030 시스템반도체 1등'을 외칠때 SK하이닉스가 HBM에 힘을 더 싣고 준비를 잘 해왔다는 점은 삼성 입장에서 뼈 아픈 실기였다. 구조적으로 어려운 시스템반도체 시장에서 1등을 하려다 메모리까지 잃어서는 안 된다. 그럼에도 한 가지 짚고 가야할 일은 이번 삼성 위기설이 과거 안기부 엑스파일이나 검사떡값, 최순실 국정농단 사건으로 비화된 정치·경제·사회적으로 통제되지 않는 삼성의 힘과 자본의 지배력을 향한 질타와는 결이 다르다는 데 있다. 그래서 더 깊은 내적 성찰과 위기극복의 대안이 시급히 마련돼야 한다. 무엇보다 경쟁사에 뒤쳐진 HBM(고대역폭메모리)으로 대변되는 AI 메모리 사업에 대한 삼성전자의 결단과 분발이 요구된다. 또한 하드웨어(공정)도 중요하지만 반도체가 고성능화될 수록 소프트웨어(설계), 알고리즘 분야가 차지하는 비중이 더 늘어나기 때문에 관련 분야의 기술인력 육성에 좀 더 힘을 쏟았으면 한다. 무사안일도 경계해야 하지만 사회적 위기 과잉도 좋을 게 없다. 조롱과 빈정거림이 난무하고 책임을 전가하는 소통은 필패뿐이다. 위기 과잉은 공포와 피로감을 초래한다. 두려움과 무서움은 혁신과 도전을 망설이게 한다. 그래서는 미래로 갈 수 없다. 세계 유수의 빅테크와 미·중 패권 전쟁 속에 지금, 삼성에게 필요한 것은 무엇일까. 전영현 부회장이 두 번째 사과문을 내는 일이 없기를 바란다.

2024.10.16 11:11정진호

ASML, 3분기 장비 수주액 '반토막'…EUV·中 수요 부진 영향

전 세계 유일의 EUV(극자외선) 노광장비 업체 ASML이 내년 매출 전망치를 당초 대비 크게 하향 조정했다. 주력 사업과 핵심 시장의 수요가 모두 부진하면서, 장비 수주액이 절반 수준으로 줄어든 데 따른 영향으로 풀이된다. ASML은 올 3분기 순매출액 약 75억 유로, 순이익 21억 유로, 매출총이익률 50.8%를 기록했다고 15일 밝혔다. 이번 실적은 당초 증권가 컨센서스를 웃도는 수치다. 분석가들은 ASML의 3분기 매출을 71억2천만 유로로 예상해 왔다. 그러나 ASML의 올 3분기 장비 수주액은 26억3천만 유로로, 당초 예상치였던 53억9천만 유로를 크게 하회했다. 내년 매출 전망치 역시 기존 300억~400억 유로에서 300억~350억 유로로 크게 하향 조정했다. 크리스토퍼 푸케 최고경영자(CEO)는 “AI 분야의 강력한 발전과 상승 잠재력이 계속되고 있으나, 다른 시장 부문의 회복이 더디다"며 "이전에 예상했던 것보다 회복세가 더 완만한 것으로 보인다"고 설명했다. 업계는 ASML의 주력 사업인 EUV 장비 수요 감소 및 중국향 공급 제한이 실적 전망 하향에 영향을 미쳤을 것으로 보고 있다. EUV는 기존 반도체 노광공정에서 활용돼 온 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 짧아, 7나노미터(nm) 이하의 미세 공정 구현에 용이하다. 다만 기술적 난이도가 높아 전 세계에서 ASML만이 유일하게 상용화에 성공했다. 그러나 세계 주요 파운드리 업체들은 업계 1위 TSMC를 제외하면 사업에 난항을 겪고 있다. 선단 메모리 업체들도 EUV를 도입하고 있으나, 이 역시 당초 예상보다 속도가 느리다는 평가를 받는다. 주요 매출처인 중국향 사업 축소도 우려된다. ASML의 2분기 전체 매출에서 중국이 차지하는 비중은 49%에 달한다. 반면 미국 정부는 네덜란드와 협업해 중국향 첨단 반도체 제조장비 수출 금지 조치를 꾸준히 강화하고 있다.

2024.10.16 09:11장경윤

삼성, 1a D램 재설계 고심…HBM 경쟁력 회복 '초강수' 두나

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 위기를 맞았다. 반도체를 비롯해 가전, MX, SDC 등 전 사업부가 난항을 겪고 있지만, 주력 사업인 메모리 분야가 올 3분기 호황 사이클에서도 빛을 발하지 못했다는 점이 특히 뼈아프다. 그 중에서도 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대한 시장의 실망감은 컸다. 삼성전자는 당초 엔비디아향 HBM3E 공급을 올해 3분기부터 본격화하기 위한 물밑 작업을 진행해 왔다. 그러나 아직까지 8단 제품의 퀄 테스트도 통과하지 못한 상황이며, 12단의 경우 내년 2·3분기까지 지연될 가능성이 농후하다. 삼성전자의 HBM 사업화 지연에는 복합적인 이유가 작용한다. 그러나 근본적으로 HBM의 문제는 코어(Core) 다이인 D램의 문제라는 게 전문가들의 지적이다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 연결하는 HBM 구조 상, D램의 성능이 HBM 성능으로 직결될 수밖에 없다. EUV 선제 적용했지만…1a D램 경쟁력 흔들 이러한 관점에서 삼성전자가 D램 기술력 1위의 지위가 크게 흔들린 시점은 '1a D램' 부터로 지목된다. 10나노급 D램은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대) 순으로 진화해 왔다. 1a D램은 선폭이 14나노미터(nm) 수준이다. 삼성전자의 경우 지난 2021년 하반기부터 양산을 시작했다. 삼성전자는 1a D램을 경쟁사 대비 빠르게 양산하지는 못했으나, EUV(극자외선) 등 첨단 기술을 더 적극적으로 도입하는 방식으로 경쟁력을 높이고자 했다. 삼성전자가 1a D램에 적용한 EUV 레이어 수는 5개로, 경쟁사인 SK하이닉스(1개) 대비 많았다. 그러나 이 같은 시도는 현재로선 성공적인 결과로 이어지지 않았다는 평가가 지배적이다. EUV는 기존 노광(반도체에 회로를 새기는 공정) 공정인 ArF(불화아르곤) 대비 선폭 미세화에 유리하다. 때문에 공정 효율성을 높여, 메모리의 핵심인 제조 비용을 저감할 수 있다는 게 EUV가 지닌 장점이었다. 다만 EUV는 기술적 난이도가 높아, 실제 양산 적용 과정에서 공정의 안정성을 떨어뜨리는 요인으로 작용했다. 이로 인해 삼성전자 1a D램의 원가가 당초 예상대로 낮아지지 않았다. D램 설계 자체도 완벽하지 못했다는 평가다. 특히 서버용 제품 개발에서 차질을 겪어, 경쟁사 대비 DDR5 적용 시점이 늦어진 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 지난해 1월 인텔로부터 1a D램 기반의 서버용 DDR5 제품을 가장 먼저 인증받기도 했다. HBM 사업화 지연 속 '재설계' 논의…대변혁 시도하나 삼성전자가 최근 부진을 겪고 있는 엔비디아향 HBM3E 양산 공급에도 1a D램의 성능이 발목을 잡고 있다는 지적이 나온다. 최근 삼성전자는 평택캠퍼스에서 엔비디아와 HBM3E 8단 제품에 대한 실사를 진행한 바 있다. 엔비디아 측은 실사 자체에 대해 별 문제없이 마무리했다. 그러나 HBM의 데이터 처리 속도가 타 제품 대비 낮다는 평가를 내린 것으로 알려졌다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 삼성전자 HBM3E 8단의 데이터 처리 속도(Gbps)는 SK하이닉스·마이크론 대비 10%대 수준으로 떨어진다. 구체적인 수치는 테스트 결과 및 고객사에 따라 차이가 있으나, 1b D램을 활용하는 두 경쟁사 대비 성능이 부족하다는 데에는 이견이 없다. 이에 삼성전자는 전영현 부회장 체제 하에서 서버용 D램 및 HBM의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 '초강수'를 고려하고 있다. 전 부회장은 최근 3분기 잠정실적 발표 후 사과문을 통해 "무엇보다, 기술의 근원적 경쟁력을 복원하겠다"며 "기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심"이라고 언급했다. 또 "단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다"며 "더 나아가, 세상에 없는 새로운 기술, 완벽한 품질 경쟁력만이 삼성전자가 재도약하는 유일한 길이라고 생각한다"고 했다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 최근 삼성전자는 1a D램의 회로 일부를 재설계(revision)하는 방안을 내부적으로 논의하고 있는 것으로 파악됐다. 업계 한 관계자는 "메모리 전략을 고심 중인 삼성전자가 1a D램을 재설계해야한다는 결론을 내놓고 있다"며 "다만 최종 결정은 나오지 않았고, 이를 위해서는 여러 위험 부담을 안아야하기 때문에 과감한 결단력이 필요한 상황"이라고 설명했다. 실제로 삼성전자가 1a D램을 재설계하는 경우, 제품이 완성되려면 최소 6개월 이상이 소요될 것으로 전망된다. 내년 2분기는 돼야 양산이 가능해지는 셈이다. 재설계가 문제없이 마무리 되더라도, 시장 상황을 고려하면 제품을 적기에 공급하기가 사실상 쉽지 않다. 또 다른 관계자는 "일정이 늦더라도 HBM3E 공급망 진입을 끝까지 시도하느냐, 아니면 HBM3E를 사실상 포기하느냐는 1a D램 개조 여부에 달려있다"며 "전영현 부회장도 이러한 문제점을 인식하고 있기 때문에, 조만간 구체적인 변화가 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

2024.10.15 16:55장경윤

한국 반도체 위기, 메모리도 긴장…정부 직접 보조금 절실

“한국 반도체 업계가 위기입니다.” “남들과 비슷한 수준으로 해서는 돌파구를 찾지 못합니다. 훨씬 담대한 계획을 세워 기술 초격차를 이어가고, 정부의 강력한 지원이 있어야 합니다.” 역대 산업부장관들은 한국 반도체 산업이 위기에 봉착했다고 진단하면서 정부가 이전 보다 더욱 과감한 방식으로 반도체 산업을 지원해야 한다고 의견을 모았다. 이대로 가다가는 메모리 기술에서는 중국에 쫓기고, AI 반도체에서 밀릴 수 있다는 우려가 나온다. 한국경제인협회(이하 한경협)는 14일 오후 서울 영등포구 FKI타워에서 역대 산업부 장관들을 초청해 특별대담을 개최했다. 대담회에는 이윤호 前지식경제부 장관, 윤상직 前산업부 장관(現법무법인율촌 고문), 성윤모 前산업부 장관(現김앤장 법률사무소 고문, 중앙대 석좌교수), 이창양 前산업부 장관(現카이스트 경영대학원 교수), 이종호 前과기부 장관(現서울대 전기정보공학부 교수) 등이 토론에 참가했고, 황철성 서울대학교 석좌교수가 주제발제와 함께 토론 사회를 맡았다. 국내 반도체 경쟁력을 확보하기 위해서는 ▲직접 보조금 지원 ▲소·부·장 맞춤 지원 ▲반도체 인프라․인력 확보 위한 지원 ▲안정적 전력공급 긴요 ▲반도체 연구 조직 마련 등을 강화해야 한다는 주장이다. 황철성 교수는 “파운드리 시장에서 1위 TSMC와 2위 삼성전자의 점유율 격차가 점차 벌어지고 있으며, 단기간에 개선되기엔 쉽지 않을 것 같다. 더 심각한 것은 D램 초격차가 중국과 좁혀지고 있다는 것”이라며 중국의 급격한 추격을 경계했다. 황 교수는 “창신메모리(CXMT)는 DDR4 메모리 반도체를 생산하고 있지만 (기술력을) 무시 못할 수준으로 올라왔다”며 “한국의 메모리 분야 경쟁력이 약화될 수 있다”고 우려했다. 올해 1분기 기준 D램 캐패시티(용량)에서 삼성전자 33%, SK하이닉스 21%인데, 중국 양쯔강메모리(YMTC)가 9%로 올라왔다는 점에서 주목된다. 낸드 시장에서 삼성전자 30%, SK하이닉스 23%를 차지했으며, 양쯔강메모리(YMTC)가 13%로 크게 올라왔다. ■ 美中日 정부 처럼...한국도 반도체 직접 보조금 지급해야 한다 이윤호 전 장관은 한국도 반도체 기업에 직접 보조금을 지급해야 한다고 주장했다. 이윤호 전 장관은 “중국 D램 업체와 삼성 간의 격차가 시간으로 따지면 한 3~4년 정도 될 것”이라며 “우리가 늘 믿고 잘해 나간다고 했던 삼성도 국내에서 SK하이닉스한테 HBM에서 밀리고 있고, 비메모리 쪽은 더 취약하다”라며 “반도체 전쟁 시대에 무기가 필요한데, 남들(다른 국가)은 대포를 쏘는데, 우리는 소총가지고는 안될 것 같다. 우리가 해야 할 숙제가 많고, 발전시켜야 할 부분이 너무 많다”고 말했다. 이어서 그는 “반도체 산업에 대한 지원을 단순히 개별 기업에 대한 혜택으로 봐서는 안 된다.”고 하며 “미국, 중국, 일본이 막대한 보조금 지원을 결정한 것은 반도체가 단순한 산업을 넘어 국가 경쟁력과 직결되기 때문”이라고 강조했다. 미국 정부는 반도체 과학법으로 527억 달러를 직접 지원, 중국은 이미 6천500억 위안을 직접 지원했고, 올해 추가로 3천억 위안 이상을 반도체에 쏟아붓고 있다. 일본도 TSMC의 일본 팹에 투자금의 50%를 지원했다. 성윤모 전 장관은 “반면 우리 정부가 지원하는 것은 세액 공제가 대표적이다. 반도체 시설투자에 15%, 연구개발 투자에 30~40% 세액을 공제할 뿐”이라고 지적하며 “정부는 지원 범위를 보다 확대하고, 직접 보조금을 지급해야 한다”고 주장했다. ■ 일본 화이트리스트 조치의 교훈…소·부·장 지원 강화 필요 정부는 반도체 소재·부품·장비 산업에 대한 지원을 대폭 강화해 흔들리지 않는 대한민국 반도체 산업 생태계를 조성해야 한다. 성윤모 전 장관은 대담에서 “반도체 공급망을 안정시키기 위해 소부장 산업을 키워야한다”며 “우리는 반도체 산업에 30년 넘게 매진했는데, 왜 시스템반도체는 잘 못하고 있는지 분석하고, 우리 생태계에 맞는 방향으로 조성해야 한다”고 말했다. 지난 2019년 일본이 화이트리스트 조치로 반도체·디스플레이 제조에 필요한 3대 핵심 소재(불화수소·포토레지스트· 불화폴리이미드)를 한국에 수출 금지한 바 있다. 이를 계기로 한국은 해당 소재에 대한 기술 자립에 성공했다. 성 전 장관은 “당시 정부와 우리 민간 기업이 합심한 결과 3개 품목에 대한 수급 안정성을 회복하고 기술적인 독립에도 성공했다”라며 “동진세미켐이 2021년 포토레지스트 R&D에 성공하고, 시험평가 인증을 거쳐 생산현장에 납품을 하는 성과를 냈다. 켐트로닉스는 EUV 노광공정의 핵심 원료인 PGMEA 개발에 성공해 성능테스트를 통과했다”고 예시로 설명했다. ■ 반도체 인프라 확보하고, 양질의 인력 키워야 이종호 전 장관은 AI 시대의 기술 혁신 필요성을 역설했다. “산학연 협력을 통해 AI의 엄청난 전력 소비를 줄일 수 있는 저전력 반도체 기술 개발이 신속하고 실효적으로 이루어져야 한다.”며 “우리나라가 가진 특장점을 적극 활용해야 세계를 선도할 수 있다”고 주장했다. 이창양 전 장관은 “정부는 소자 기술, 첨단 패키징에 대한 R&D에 많은 신경을 써야 한다”며 “미국은 반도체 기업은 매출액 대비 R&D 지출액이 20% 가까이된다. 반면 우리나라 반도체 기업의 매출액 대비 R&D는 9% 수준이다. 물론 미국은 팹리스 비중이 높고, 우리나라는 메모리 생산비중이 많아 단순 비교할 수는 없지만, 기본적으로 우리나라는 R&D 투자가 부족한 것으로 보인다”라며 “팹리스 기업에 정부가 상당 규모의 R&D 지원이 필요하다”고 제안했다. 인력 수급도 시급하다. 이창양 전 장관은 “우리나라도 반도체 인력 수급을 위해서 특성화 대학 및 대학원을 만들며 노력하고 있지만, 이 정도로 부족하다. 앞으로는 질적 인력이 더 중요한 시대다. 기업의 인력 육성 투자에 대해서는 정부가 상당한 세제 혜택을 주거나 직접 보조금을 줄 필요가 있다”고 말했다. 대학과 기업의 연구개발을 위한 컴퓨팅 인프라 구축과 지원이 시급하며 AI 관련 기업 지원 펀드 조성도 필요하다. 우리나라 인력만으로 반도체 산업 끌고 나가는 것이 부족하기 때문에 글로벌 인재 허브를 우리나라에 구축하는 것 중요하다. 이창양 전 장관은 “벨기에 IMEC은 글로벌 인재 허브의 역할을 하고 있는데, 우리도 한국형 IMEC을 만드는 것이 필요하고, 또 반도체 산업과 정책을 분석하는 연구소, 씽크탱크도 마련되어야 한다”고 주장했다. 이윤호 전 장관은 “더 나아가서 정부에서 반도체 관련 계획을 세우고, 자금을 배분하고, 생태계를 키울 수 있는 전담 조직이 필요하다”고 덧붙였다. 심각한 전력 수급 문제도 지적됐다. 윤상직 전 장관은 “반도체 산업발전을 위해서는 기술인력, 자금력, 전력, 데이터 4가지 필수 전제조건이 충족되어야 한다”며 “2030년경에는 현재 발전용량('23년 기준 약 144GW)의 50% 이상이 추가로 필요할 것”이라며 구체적 수치를 제시했다. 아울러 용인 반도체 클러스터만 최소 10GW 전력이 필요하고, 2029년까지 신규 데이터센터 전력수요만 49GW에 달할 것이라면서 “특별법 제정을 통해 지체되고 있는 송전망 건설을 조속히 완공하고, 신규 원전건설과 차세대 SMR(소형모듈원전) 조기 상용화도 시급하다”고 강조했다.

2024.10.15 02:55이나리

삼성 반도체 위기론에...전직 장관들 "조직문화 바꾸고, 기술 매진해야"

“삼성의 위기는 인텔의 위기와 다르다.” ”삼성은 지난 30년간 D램의 성공을 즐기면서, 조직 긴장도가 떨어져 있었던 것 같다.” ”그동안 경각심이 부족했다. 오히려 지금의 위기가 기회가 될 수 있을 것이다.” 한국경제인협회(이하 '한경협')는 14일 역대 산업부 장관을 초청해 '반도체 패권 탈환을 위한 한국의 과제'란 주제로 특별 대담회를 열었다. 이날 대담회에서 '삼성전자의 위기와 극복을 위한 조언에 대한 질문에 역대 산업부 장관들은 삼성전자가 위기를 돌파하려면, 조직문화를 바꾸고, 기본으로 돌아가 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 대담회에는 이윤호 前지경부 장관, 윤상직 前산업부 장관(現법무법인율촌 고문), 성윤모 前산업부 장관(現김앤장 법률사무소 고문, 중앙대 석좌교수), 이창양 前산업부 장관(現카이스트 경영대학원 교수), 이종호 前과기부 장관(現서울대 전기정보공학부 교수) 등이 토론에 참가했고, 황철성 서울대학교 석좌교수가 주제발제와 함께 토론 사회를 맡았다. 이윤호 전 장관은 “삼성이 D램의 성공에 너무 오래 엔조이(enjoy)하면서 조직 긴장도가 많이 떨어져 있지 않나 생각한다”며 “최근 D램 쪽에서 압박을 받고 파운드리가 약화되는 것은 오히려 삼성에 경각심을 불러일으킬 수 있는 좋은 기회”라고 말했다. 이어서 그는 “아마 삼성도 준비하고 있지만 내부적으로 정비하고 새롭게 전략을 짠다면, (위기에서) 빠져나올 저력이 충분히 있다고 본다”고 덧붙였다. 윤상직 전 장관은 “삼성위 위기는 인텔의 위기와 다르다. 최근 삼성은 위기 극복을 위해 근원적인 기술 경쟁력을 제공하겠다고 밝혔는데, 이를 어디서부터 출발해야 하는 것인지 잘 진단해야 한다”고 말했다. 이어서 그는 “반도체는 생태계 싸움이다. 삼성은 생태계를 만들어야 하고, 무엇보다 조직문화를 바꿔야 한다”고 강조했다. 이창양 전 장관은 “삼성은 크게 도약하기 위한 내부 정리와 새로운 목표 설정들을 시도할 때다”라며 “삼성전자는 오픈 이노베이션이 취약하고, 개방된 혁신이 부족하다”고 지적했다. 이어 그는 “선두에 선 기업은 앞에 무슨 일이 벌어질지 모르기 때문에 경영 안테나가 필요하다. 안테나 능력이 취약하면 뒤에 무슨 일이 벌어지는지 예측하는 데 둔감해질 수 있다”고 말했다. 이 장관은 삼성은 안테나를 높게 세우고 경쟁사들이 뭘 하고 있는지 예시하면서, 그 중에서 좋은 기술이 있으면 받아 들어야 한다고 조언했다. 필요시에는 인수합병(M&A)과 협력을 발휘해야 한다는 주장이다. 이종호 전 장관은 협업을 강조했다. 그는 “삼성은 유의미한 산업협력을 제대로 해야한다. 앞으로 어떤 기술이 나올지, 어떻게 될지를 한 회사에서 다 하기는 어려운 시대가 됐다. 회사와 출연 연구소, 또는 대학 사이에 장벽을 낮추고 하나가 돼서 체계적으로 소통하고 협력한다면 어려움을 슬기롭게 잘 타개할 수 있을 것으로 생각한다”고 말했다. 성윤모 전 장관은 결국에는 기본으로 돌아가서 기술 개발에 매진해야 한다고 조언했다. 그는 “삼성은 D램 초격차를 가지고 30년 동안 1등을 해온 저력을 가지고 있는 기업이다. 어려움에 닥쳤을 때 우리가 선택하고 갈 수 있는 길은 기본으로 돌아가는 것”이라며 “현재 사업과 계획이 방향에 맞게 하고 있는 건지, 하고 있는 속도가 맞는 건지, 끊임없이 점검하고 반성하고 새로운 도전을 해야한다”고 강조했다. 한편, 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적에서 시장 기대치에 못미치는 실적을 내면서 반도체 위기론이 커지고 있다. AI 메모리로 부상한 고대역폭메모리(HBM)에서는 SK하이닉스에 밀렸고, 파운드리 사업에서는 1위인 대만 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어진 상태다. 잠정실적 발표 후 반도체 사업 수장인 전영현 DS부문 부회장은 이례적으로 “시장의 기대에 미치지 못하는 성과로 걱정을 끼쳐 고객, 투자자, 임직원에게 송구하다”며 사과문을 직접 발표하며 “기술 경쟁력 복원해, 극복에 앞장서겠다”고 밝혔다.

2024.10.14 18:42이나리

"삼성·TSMC 모두 적용"…AMAT, 2나노향 최초 신기술 꺼냈다

어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 2나노미터(nm) 이하 등 차세대 반도체 제조를 위한 공정 기술을 공개했다. 특히 AMAT가 업계 최초로 상용화한 구리 배선 기술의 경우, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 기업의 양산 공정에 이미 적용된 것으로 알려졌다. 14일 AMAT코리아는 서울 선릉 세바시X데마코홀에서 미디어 라운드 테이블을 열고 회사의 신규 구리 배선 및 저유전체 기술을 발표했다. ■ '초미세' 공정용 구리 배선 기술로 삼성전자·TSMC 공략 이날 AMAT는 2나노 공정 구현을 위한 구리 칩 배선 기술을 강조했다. 2나노 공정은 반도체 업계에서 '초미세' 영역에 해당하는 기술이다. 전 세계 주요 파운드리인 삼성전자, TSMC, 인텔 등이 내년부터 본격적으로 2나노 공정을 본격적으로 양산할 계획이다. AMAT는 이를 위해 '엔듀라 쿠퍼 배리어 써드 IMS'를 개발했다. 배선 공정은 반도체 회로 패턴에 전기가 잘 통하는 성질의 금속을 도금하는 공정을 뜻한다. 해당 금속으로는 구리가 주로 쓰이며, 구리가 잘 배선될 수 있도록 틀을 잡아주는 역할의 라이너·배리어 2개 층을 입힌다. 그러나 회로 선폭이 줄어들면서 배선 공정도 기술적인 한계점에 부딪히고 있다. 선폭이 미세화될수록 배선되는 구리의 두께도 얇아져야 하는데, 구리의 함량이 너무 많이 줄어들면 전기의 저항성이 높아지기 때문이다. 배리어 층의 간격이 짧아져 간섭이 발생한다는 문제도 있다. 이는 칩의 전력효율성 및 신뢰성을 감소시키는 결과로 이어진다. AMAT가 제시한 해결 방안은 라이너의 두께를 대신 줄이는 것이다. 기존 라이너에는 코발트 소재가 쓰였는데, 30옹스트롬(1옹스트롬 당 0.1나노미터) 정도의 두께다. 반면 AMAT는 라이너 소재로 기존 코발트에 '루테늄'을 더해 라이너 두께를 20옹스트롬 수준으로 줄였다. 이를 통해 표면 물성을 개선하고, 전기 배선 저항을 최대 25%까지 낮췄다. AMAT는 코발트, 루테늄 증착 등을 비롯한 6개의 공정을 하나의 고진공 시스템(IMS)으로 조합해, 삼성전자·TSMC 등 최선단 파운드리 업체의 양산용 공정에 공급하는 데 성공했다. 이은기 AMAT 박막기술총괄은 "AMAT의 차세대 구리 배선 기술은 2나노 이하의 최선단 공정과 그 너머까지 지원할 수 있다"며 "학계에서 연구된 바는 있으나 이를 양산 공정에 적용한 것은 AMAT가 업계 최초"라고 설명했다. ■ 향상된 Low-k 소재 개발…"3나노서 이미 적용 중" 또한 AMAT는 차세대 반도체 기술인 3D 적층을 위한 신규 Low-k(저유전율) 유전체소재에 대해 발표했다. 유전체는 구리를 배선하기 전에 먼저 증착되는 소재로, 배선 사이의 간섭을 막는 역할을 담당한다. 3D 적층은 기존 수직으로 집적하던 트랜지스터를 수직으로 적층하는 기술이다. 기존 반도체 미세화 공정의 한계를 뛰어넘는 대안 기술로, 삼성전자가 2030년께 상용화를 목표로 한 3D D램, GAA(게이트-올-어라운드)를 한층 발전시킨 '3DSFET' 등이 대표적인 사례다. 3D 적층을 구현하기 위해서는 유전율을 낮추는 것이 핵심이다. 유전율이란 동일한 전압에서 전하를 얼마나 잡아둘 수 있는지 나타내는 척도다. 유전율이 낮으면 전기 저항이 낮아 전류를 빠른 속도로 흐르게할 수 있다. 이를 활용하면 전하의 축적량을 낮춰, 각 배선 사이에 발생할 수 있는 간섭 현상을 줄이고 전력 소비량을 줄일 수 있다. 덕분에 3D 칩과 같이 배선이 빼곡하게 들어서는 구조에 적합하다는 평가를 받고 있다. AMAT는 이 Low-k 유전체를 '블랙다이아몬드' 라는 브랜드명으로 개발해 왔다. 이번에 공개한 신규 물질은 실리콘과 탄소 등을 포함한 'SiCoH'를 기반으로 한다. 이은기 총괄은 "특정 고객사는 신규 블랙다이아몬드 물질을 3나노 파운드리 공정에 이미 적용해 사용 중"이라며 "선도적인 로직 및 D램 제조기업들의 채택되고 있음은 물론, 향후에는 BSPDN(후면전력공급)와 같은 차세대 기술에도 적용될 수 있다"고 설명했다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자의 경우 차세대 2나노 공정, 3D D램 등에 적용할 것으로 기대된다. 한편 삼성전자, TSMC 등 고객사들도 AMAT의 차세대 공정 솔루션에 깊은 관심을 기울이고 있다. 김선정 삼성전자 파운드리 개발팀 상무는 "패터닝 발전이 소자의 지속적인 스케일링을 견인하고 있으나 인터커넥트 배선 저항, 정전용량, 신뢰성 등 풀어야 할 과제가 남아있다"며 "삼성은 이 문제를 해결하기 위해 스케일링의 이점을 가장 진보한 공정까지 확대하는 다양한 재료 공학 혁신을 채택하고 있다"고 밝혔다. 미위제 TSMC 수석부사장은 "AI 컴퓨팅의 지속 가능한 성장을 위해 반도체 업계는 에너지 효율적인 성능을 획기적으로 개선해야 한다"며 "인터커넥트 저항을 낮추는 신소재는 다른 혁신과 함께 전반적인 시스템 성능과 전력을 개선하며 반도체 산업에서 중요한 역할을 할 것"이라고 강조했다.

2024.10.14 13:26장경윤

ICT 수출에서 반도체 비중 60% 넘었다

국내 ICT 수출액에서 반도체 분야가 차지하는 비중이 60%를 넘어섰다. 반도체 수출액이 급증하면서 2022년 3월 이후 역대 두 번째 규모의 수출을 기록하게 됐지만, 그만큼 특정 분야에 대한 수출액 의존도가 높아진 것으로 풀이된다. 과학기술정보통신부가 14일 발표한 지난 9월 ICT 수출입 통계에 따르면 수출액은 223억6천만 달러로 전년 동월보다 24.0% 증가한 수치를 기록했다. 같은 기간 수입액은 124억8천만 달러, ICT 무역수지는 98억8천만 달러로 잠정 집계됐다. 9월 ICT 수출입 성과는 전년 대비 11개월 연속 증가세를 이어갔는데, 반도체 수출의 호황이 뒷받침된 결과다. 특히 반도체 수출액이 역대 1위를 기록했는데 전체 ICT 수출액에서 차지하는 비중이 60.9%까지 치솟았다. 전월 통계에서는 57.7%가 반도체 수출액 비중이었다. 반도체에서는 단연 메모리반도체 분야 수출이 크게 증가했다. 총 87억2천만 달러로 전년 대비 60.7% 증가했다. AI 서버 투자확대로 HBM가 같은 고부가 품목 수요가 증가한 결과다. SSD 수출 증가로 컴퓨터와 주변기기 분야의 수출액도 전년 대비 104.8% 증가한 16억4천만 달러를 기록했다. 디스플레이 수출은 19억 달러로 전년 대비 5.1% 감소했다. 올해 월별 수출 금액은 증가 추세다. 지난해 호실적 기저효과 영향을 피하지 못했다. 스마트폰은 신규 완제품 수출 호조에 따라 3개월 연속 두자릿수 증가한 17억1천만 달러를 기록했다. 통신장비 분야에서는 중국과 베트남 중심으로 교환기 품목의 수출 감소로 전년 대비 28.7% 감소한 1억6천만 달러의 수출액에 그쳤다.

2024.10.14 11:10박수형

SK하이닉스, 3분기 영업익 삼성 추월할 듯

SK하이닉스의 3분기 영업이익이 삼성전자 반도체(DS) 부문 실적을 1조5천억원 가량 추월할 전망이다. 최근 범용 메모리 사이클 둔화에도 SK하이닉스는 수익성이 높은 AI 반도체용 고대역폭메모리(HBM) 시장을 선점함에 따라 실적이 상승한 것으로 보인다. 메모리 1위 삼성전자의 위상이 흔들리고 있다는 평가도 나온다. 8일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 SK하이닉스는 3분기 영업이익이 6조7천559억원으로 지난 2분기 대비 23.5% 증가하고, 전년 대비 흑자전환할 전망이다. SK하이닉스의 3분기 매출은 17조9천978억원으로 지난 2분기 대비 9.5% 증가하고, 전년 대비 98.5% 증가가 예상된다. 같은날 삼성전자는 3분기 잠정실적으로 전체 영업이익 9조1천억원을 기록하며, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 삼성전자는 사업별 실적은 발표하지 않았지만, 증권가에서는 반도체를 담당하는 DS(디바이스솔루션) 사업부의 영업이익이 5조3천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소한 것으로 분석됐다. 이날 시장 기대치를 밑도는 실적을 발표하자 삼성전자의 경영진은 이례적으로 사과문을 올리며 “기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복하겠다”며 고개를 숙였다. 삼성전자 반도체 실적의 부진은 스마트폰, PC용 재고 조정에 따라 범용 메모리 사이클이 둔화된 영향 탓이다. 무엇보다 시스템LSI와 파운드리 사업의 적자의 영향이 컸다. 반면, SK하이닉스는 범용 메모리 사이클 둔화라는 시장 여건에도 불구하고 HBM 덕분에 실적 상승을 이끈 것으로 전망된다. HBM은 범용 D램 보다 3~5배 비싼 가격으로 판매되는 고수익성 제품이다. SK하이닉스는 AI 반도체 시장에서 80% 점유율을 차지하는 대형 고객사인 엔비디아에 HBM을 가장 많이 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초 엔비디아에 HBM3E 8단을 가장 먼저 공급한데 이어 지난 9월 HBM3E 12단도 업계에서 가장 먼저 양산을 시작해 연내 고객사에 공급을 목표로 한다. 반면, 삼성전자는 아직 HBM3E 8단과 12단 제품을 엔비디아에 납품을 위한 품질(퀄) 테스트를 진행 중이다. 업계에서는 삼성전자도 연내에 공급할 것으로 내다보고 있다. 김형태 신한증권 연구원은 “모바일, PC향 메모리 수요가 예상보다 하회하고, 환율 영향, 일회성 비용이 반영해 SK하이닉스 3분기 실적 추정치는 하향하나, 신규 데이터센터(AI) 뿐만 아니라 과거 대규모 서버 증설분(일반) 교체로 실적 우상향 추세는 유지될 전망이다”고 진단했다. 이어 “SK하이닉스의 HBM3E 12단 양산은 경쟁사 대비 1개 분기 이상 빠른 상황이기에, 시장 선점으로 경쟁 우위가 지속될 것으로 기대된다”고 덧붙였다. 앞서 SK하이닉스는 지난 7월 말 2분기 컨퍼런스콜에서 “올해 3분기 HBM3E(5세대)가 HBM3(4세대)의 출하량을 크게 넘어서고, 전체 HBM 출하량 중 절반을 차지할 것”이라며 “올해 HBM 매출은 전년 대비 300% 성장하고, 내년에도 올해 대비 2배 이상의 출하량 성장을 기대한다”고 자신감을 내비쳤다. SK하이닉스가 삼성전자 반도체의 영업이익을 추월한 것은 이번이 처음이 아니다. 지난해 전세계 반도체 업황 부진인 상황에서 SK하이닉스는 일찌감치 메모리 감산을 실시한 결과, 지난해 4분기 삼성전자 반도체 보다 먼저 흑자전환에 성공했다. 올해 1분기에도 SK하이닉스는 영업이익 2조8천860억원을 기록하면서 삼성전자의 DS 부문이 영업이익 1조9천100억원을 넘어선 바 있다.

2024.10.08 16:48이나리

고개 숙인 삼성전자, 3Q 성적표 기대 밑돌아

삼성전자가 올 3분기 잠정실적에서 영업이익 9조1천억원을 기록하며, 시장 기대치 10조7천억원을 밑도는 실망스러운 성적표를 내놨다. 경영진은 이례적으로 실적 부진에 "기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복하겠다"며 고개를 숙였다. AI 메모리 수요 강세에도 불구하고, 스마트폰, PC 등 재고 조정에 메모리 사이클 둔화까지 겹쳐 실적에 악영향을 미친 것으로 분석된다. 하지만 3분기 매출은 79조원으로 분기 기준 사상 최대를 기록했다. 삼성전자는 연결 기준 올해 3분기 영업이익이 9조1천억원으로 전기 대비 12.84% 감소했고, 전년 동기 대비 274.49% 증가했다고 8일 공시했다. 지난해 반도체에서 적자를 기록한 삼성전자는 올해 업황 개선으로 지난 2분기 영업이익 10조4천439억원을 기록하는 깜짝 실적을 기록하며 하반기 기대감을 높였다. 분기 영업이익이 10조원을 넘어선 건 2022년 3분기(10조8천520억원) 이후 7분기 만이었다. 그러나 이번 3분기는 다시 10조원 밑으로 내려가며 아쉬움을 남겼다. 3분기 매출은 79조원으로 전기 대비 6.66% 증가, 전년 동기 대비 17.21% 증가했다. 앞서 증권가는 3분기 매출액 전망치를 82조9천520억원, 영업이익을 13조1천480억원으로 전망했지만 이달 초 매출 80조9천억원, 영업이익 10조7천억원으로 하향 조정한 바 있다. 그러나 이번 잠정실적이 하향 전망치 보다 낮은 성적을 낸 것이다. ■ 범용 메모리 출하량 둔화…시스템LSI·파운드리 적자 지속 증권가에서는 3분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5조3천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원) 보다 감소할 것으로 내다봤다. 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 약 4조원대, 낸드 1조원대를 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원이 추정된다. 시스템반도체, 파운드리 사업의 적자와 더불어 재고손실, 투자, 환율 등의 일회성 비용이 증가한 것이 실적 하락에 악영향을 미쳤다. 김형태 신한투자증권 연구원은 “구형(레거시) 메모리 수요 둔화, 전 분기 대비 비메모리 적자 폭 확대, 경쟁사 대비 늦은 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입까지 반도체(DS) 부문 우려가 가중되고 있다"며 “3분기 DS 부문은 일회성 비용, 재고평가손실 충당금 환입 규모 축소로 전 분기 대비 영업이익이 감소했다”고 분석했다. 삼성전자는 HBM 5세대인 HBM3E 8단과 12단 제품을 AI 반도체 고객사인 엔비디아에 납품하기 위한 품질(퀄) 테스트를 진행 중이다. 김동원 KB증권 연구원은 “3분기 스마트폰, PC 판매 부진으로 메모리 모듈 업체들의 재고가 12~16주로 증가하며 하반기 메모리 출하량과 가격 상승이 당초 기대치를 하회할 것으로 전망된다”며 “반면 HBM, DDR5 등 AI 및 서버용 메모리 수요는 여전히 견조한 것으로 파악된다”고 덧붙였다. 시장조사업체 램익스체인지가 지난 1일 발표한 메모리 고정거래가격에 따르면 9월 PC용 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8′의 평균 고정 거래가격은 전월 대비 17.7% 감소한 1.7달러를 기록했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락한 것으로 집계된다. ■ 디스플레이·모바일 소폭 상승…가전·TV는 작년과 비슷 3분기 모바일(MXㆍNW) 영업이익은 2조6천억원으로 지난해(2조2천300억원)와 비슷할 전망이다. 다만, 삼성전자가 하반기 반등을 노리며 출시한 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈 판매량은 기대치를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 생활가전과 영상디스플레이 사업부문 영업이익은 4천억원으로 전년 동기와 유사하거나 소폭 성장이 예상된다. 삼성디스플레이는 아이폰16, 갤럭시Z6 등 고객사의 신제품 스마트폰 출시 효과로 3분기 영업이익이 1조4천억원으로 전년 동기 영업이익(1조1천억원) 보다 증가한 것으로 보인다. 하만 3분기 영업이익은 3천억원으로 전년(4천500억원)보다 감소할 전망이다. ■ 전영현 부회장 "위기론 송구, 기술 경쟁력 복원해 위기 극복" 약속 이날 3분기 잠정발표 이후 삼성전자에서 반도체 수장을 맡은 전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장)은 3분기 실적이 기대에 미치지 못한 성과에 대해 사과하며, 기술의 근원적 경쟁력을 복원해 위기를 극복에 앞장서겠다고 고개를 숙였다. 전 부회장은 "지금 저희가 처한 엄중한 상황도 꼭 재도약의 계기로 만들겠다"며 "기술과 품질은 우리의 생명이며, 결코 타협할 수 없는 삼성전자의 자존심이다. 단기적인 해결책 보다는 근원적 경쟁력을 확보하겠다"고 말했다. 삼성전자는 이달 31일 3분기 컨퍼런스콜을 통해 잠정실적 및 사업부별 실적을 발표할 예정이다.

2024.10.08 10:24이나리

메모리 사이클 둔화...삼성전자 3분기 영업익 전망치 하회할 듯

삼성전자 3분기 실적이 증권가 전망치 보다 하회해 매출 80조원대, 영업이익 10~11조원대를 기록할 전망이다. AI 메모리 수요 강세에도 불구하고 메모리 사이클 둔화, 하반기 플래그십 스마트폰 판매 부진 등이 요인으로 분석된다. 삼성전자는 오는 8일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 6일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 3분기 매출 81조3천88억원, 영업이익은 11조379억원을 기록하며 전년 보다 각각 20.6%, 353% 증가할 전망이다. 하지만 최근 증권가에서는 삼성전자 실적 기대치를 계속 낮추고 있다. 지난 4일 IBK투자증권은 3분기 매출액 전망치를 기존 82조9천520억원에서 80조3천470억원으로, 영업이익은 13조1천480억원에서 10조1천580억원으로 각각 하향 조정했다. 앞서 지난 2일 신한투자증권은 3분기 매출액 81조원, 영업이익은 10조2천억원으로 기존 전망치 보다 낮췄다. 삼성전자는 2022년 4분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 이후, 메모리 업황 개선으로 지난 2분기 7개 분기 만에 10조원대로 회복한 바 있다. 당시 기대치를 크게 웃도는 어닝 서프라이즈였기에 이번 3분기에도 증권가의 기대감이 컸지만, 최근 범용 메모리 출히량 부진과 가격 하락에 따라 전망치를 조정했다. ■ 레거시 메모리 출하량 둔화…시스템LSI·파운드리 적자 지속 3분기 반도체를 담당하는 디바이스솔루션(DS) 영업이익은 5조4천억원으로 지난 2분기(6조4천600억원)와 비교해서 16% 감소할 전망이다. 메모리를 제외한 시스템반도체, 파운드리 사업은 적자가 지속되고 있다. 증권가에 따르면 반도체 부문 세부 영업이익은 D램 4조4억원, 낸드 1조5천억원을 기록하고, 파운드리와 시스템LSI는 영업손실 5천억원으로 추정된다. 김형태 신한투자증권 연구원은 “구형(레거시) 메모리 수요 둔화, 전 분기 대비 비메모리 적자 폭 확대, 경쟁사 대비 늦은 고대역폭메모리(HBM) 시장 진입까지 반도체(DS) 부문 우려가 가중되고 있다"며 “3분기 DS 부문은 일회성 비용, 재고평가손실 충당금 환입 규모 축소로 전 분기 대비 영업이익이 감소했다”고 분석했다. 김동원 KB증권 연구원은 “3분기 스마트폰, PC 판매 부진으로 메모리 모듈 업체들의 재고가 12~16주로 증가하며 하반기 메모리 출하량과 가격 상승이 당초 기대치를 하회할 것으로 전망된다”며 “반면 HBM, DDR5 등 AI 및 서버용 메모리 수요는 여전히 견조한 것으로 파악된다”고 덧붙였다. 실제로 시장조사업체 램익스체인지가 지난 1일 발표한 메모리 고정거래가격에 따르면 9월 PC용 D램 범용 제품 'DDR4 1Gx8′의 평균 고정 거래가격은 전월 대비 17.7% 감소한 1.7달러를 기록했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락한 것으로 집계된다. 박유학 키움증권 연구원은 “높아진 고객 재고로 인해 3분기 메모리 출하량이 전분기 대비 D램 2%, 낸드 5% 감소가 예상되지만, 전체 가격상승이 이를 상쇄하며 실적 성장을 견인할 것으로 보인다”며 “D램 평균가격이 전분기 대비 8%, 낸드 3% 각각 증가했다”고 밝혔다. ■ 디스플레이·모바일 소폭 상승…가전·TV는 작년과 비슷 3분기 모바일(MXㆍNW) 영업이익은 2조6천억원으로 지난해(2조2천300억원)와 비슷할 전망이다. 다만, 삼성전자가 하반기 반등을 노리며 출시한 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈의 판매량은 기대치를 충족하지 못한 것으로 파악된다. 생활가전과 영상디스플레이 사업부문 영업이익은 4천억원으로 전년 동기와 유사하거나 소폭 성장이 예상된다. 삼성디스플레이는 아이폰16, 갤럭시Z6 등 고객사의 신제품 스마트폰 출시 효과로 3분기 영업이익이 1조4천억원으로 전년 동기 영업이익(1조1천억원) 보다 증가한 것으로 보인다. 하만 3분기 영업이익은 3천억원으로 전년(4천500억원)보다 감소할 전망이다.

2024.10.06 09:00이나리

기세 꺾인 메모리…D램·낸드 가격 '두 자릿 수' 하락

D램·낸드 등 메모리의 고정거래가격이 지난달 전월 대비 두 자릿 수 하락한 것으로 나타났다. IT 시장의 수요 회복세가 부진한 데 따른 영향으로, 올 4분기 D램 가격은 보합세에 접어들 전망이다. 30일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 9월 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 평균 1.70 달러로 전월 대비 17.07% 감소했다. 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)도 같은 기간 평균 4.34 달러로 전월 대비 11.44% 하락했다. 앞서 D램·낸드 가격은 지난해 중반까지 가격이 지속 하락한 뒤, 4분기부터 본격적인 반등세에 접어들었다. 그러나 지난달 D램 가격은 전월 대비 -2.38% 하락했으며, 낸드는 지난 3월부터 지난달까지 보합세를 유지한 바 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "PC 제조사들은 수요 반등이 부족하다는 점을 반영해 여전히 전체 재고 수준을 상대적으로 높게 유지하고 있다"며 "4분긴 PC 출하량은 전분기 대비 3.8% 감소할 것으로 예상되며, 이는 당초 예상치인 0.8% 감소에 비해 하향 조정된 수치"라고 설명했다. 이에 따라 트렌드포스는 올 4분기 PC용 D램 모듈의 가격 전망을 당초 전분기 대비 3~8% 증가에서 '보합세(Flat)'로 하향했다. 이는 DDR4와 DDR5 모두 해당된다. PC 제조사들의 재고 감축 기조와 국내 D램 제조업체들의 점유율 확대 전략 등이 영향을 미치고 있다. 낸드의 경우 TLC(트리플 레벨 셀)의 계약 및 현물 가격 하락으로 SLC(싱글), MLC(멀티) 제품까지 연쇄적인 하락세가 나타났다. 트렌드포스는 "중국 내 경제 부진과 지방 정부의 지출 둔화 등으로 10월에도 SLC 및 MLC 제품의 가격이 지속 하락할 가능성이 높다"고 밝혔다.

2024.10.01 12:00장경윤

HBM 공급 자신감…SK하이닉스·마이크론 주가로 답했다

고대역폭메모리(HBM) 수요 강세가 이어지면서 주요 공급 업체인 SK하이닉스와 마이크론의 주가가 전날에 이어 27일 급격한 상승세를 보이고 있다. 삼성전자 또한 소폭 오름세를 보였다. 마이크론은 현지시간 26일(한국시간 27일 새벽) 뉴욕증시에 전날 보다 14.73% 급등한 109.88달러(14만4천711원)에 거래를 마쳤다. 마이크론 주가가 100달러선을 넘은 것은 지난 8월 23일 이후 한 달여만이다. 이날 장중 상승폭은 20%까지 확대되기도 했다. SK하이닉스의 주가도 크게 올랐다. 26일 SK하이닉스의 주가는 전일 대비 9.44% 오른 18만900원에 장을 마쳤다. 27일 오후 1시 5분 기준으로 전날보다 2.43% 오른 18만5300원을 기록 중이다. 삼성전자의 주가는 26일 전날보다 4.02% 상승한 6만4700원으로 장을 마감했고, 27일 같은 시간 기준으로 전날보다 0.15% 오른 6만4800원을 나타내고 있다. 메모리 업계의 주가가 오른 배경은 마이크론이 시장 예상을 뛰어넘는 깜짝 실적을 냈기 때문이다. 최근 모건스탠리, BNP파리바 등 주요 투자은행이 HBM 공급과잉을 주장하는 비관론을 내놓았지만, 마이크론은 'HBM 완판'을 소식을 전하며, 반도체 겨울론을 뒤집었다. 26일(현지시간) 마이크론은 2024 회계연도 4분기(~8월 29일) 매출이 77억5천만 달러(약 10조3천400억원)로 전년 대비 93%, 직전 분기 대비 14% 증가했고, 영업이익은 17억4천500만 달러(약 2조3천300억원)로 직전 분기보다 85% 늘었다. 이는 4분기 실적 중 10년 만에 가장 좋은 분기별 매출 성장률을 달성한 것이다. ■ AI 반도체 성장 속에 'HBM 수요 강세' 이어져 일부 투자은행의 우려와 달리 AI 반도체 성장 속에 HBM 수요 강세는 지속될 전망이다. 4분기 실적발표 이후 컨퍼런스콜에서 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 "HBM은 올해는 물론 2025년 물량까지 완판됐다”며 “HBM 수급 상황은 걱정할 필요가 없다"고 강조했다. 그는 이어 "강력한 AI 수요가 데이터센터용 D램과 HBM 판매를 주도하고 있기에 다음 분기에도 기록적인 매출을 올릴 것"이라고 말했다. 로이터통신은 26일 AJ벨의 댄 코츠워스 투자 분석가를 인용해 "엔비디아를 포함한 고객들이 마이크론의 HBM 칩을 얻기 위해 줄을 서고 있는 것을 보면, AI 열풍이 아직 끝나지 않았다는 것이 분명하다"고 진단했다. 시장조사업체 트렌드포스는 보고서를 통해 "HBM의 올해 연간 성장률은 200%를 넘어설 전망이고, 내년 HBM 소비는 올해 보다 2배가 될 것으로 예상된다"며 "내년 신제품 블랙웰 울트라 등이 출시되면, 엔비디아의 HBM 조달율은 70%를 넘을 전망이다"고 말했다. 트렌드포스는 고가의 HBM의 판매 확대로 인해 D램 평균가격은 올해 전년 보다 53% 상승, 내년에는 35% 상승할 것으로 예상했다. 이로 인해 올해 전체 D램 매출은 전년 보다 75% 증가한 907억 달러, 내년에는 전년보다 51% 증가한 1천365억 달러를 기록할 것으로 보인다. ■ 1등 SK하이닉스 세계 최초 HBM3E 12단 양산...TSMC·엔비디아 동맹 강조 마이크론이 실적을 발표한 날, HBM 1등 SK하이닉스는 세계 최초로 HBM3E 12단 양산을 발표하면서 HBM 시장에 대한 기대감을 높였다. SK하이닉스의 HBM3E 12단은 연내에 엔비디아에 공급될 예정이다. HBM3E 12단은 B200A, GB200A 등 엔비디아의 최첨단 고성능 AI 반도체에 들어갈 전망이다. 지난 3월 HBM3E를 엔비디아에 납품한지 약 6개월 만이다. 또 이날 SK하이닉스는 대만 TSMC가 미국 캘리포니아에서 개최한 'OIP 에코시스템 포럼 2024'에 참가해 HBM3E 12단과 엔비디아 'H200'을 나란히 공동 전시하며, '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. 이는 AI 반도체 1위인 엔비디아의 주요 고객사란 점을 강조한 것으로 해석된다. 마이크론과 삼성전자의 HBM3E 12단 제품이 엔비디아의 퀄(품질) 테스트를 통과할지도 주목된다. 마이크론은 이달 초 자사의 홈페이지를 통해 HBM3E 12단 샘플을 주요 고객사에 제공했다고 밝혔다. 김형태 신한증권 연구원은 "마이크론은 HBM3E 12단을 내년 1분기에 고객사에 공급이 예상되며, 내년 2분기부터 12단 제품이 주력 제품으로 자리잡을 전망이다"고 말했다. 이달 초 트렌드포스는 "삼성이 (SK하이닉스, 마이크론에 비해) 다소 늦게 뛰어들었지만, 최근 HBM3E 인증을 완료하고 H200용 HBM3E 8단 제품의 출하를 시작했다"고 밝힌 바 있다. 예상대로 HBM3E 8단 제품이 출하를 시작했을 경우 HBM3E 12단 제품의 퀄테스트 통과도 탄력을 받을 것으로 보인다. 삼성전자는 지난 7월 2분기 컨콜에서 HBM3E 8단 제품을 올해 3분기 내 양산해 공급을 본격화하고, 12단 제품도 하반기에 공급한다는 로드맵을 제시한 바 있다.

2024.09.27 15:11이나리

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