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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (274건)

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"美, 다음 주 中반도체 추가 규제 발표할 듯"

미국 조 바이든 행정부가 이르면 다음 주 중국 반도체 수출을 규제하는 방안을 또 내놓을 것이라고 미국 블룸버그통신이 27일(현지시각) 보도했다. 소식통에 따르면 바이든 행정부는 반도체 장비와 인공지능(AI) 반도체를 중국에 판매하지 못하게 하는 방침을 발표할 예정이다. 소식통은 100개사 이상이 추가 제재 명단에 오를 것으로 내다봤다. 그러면서 중국 통신장비 기업 화웨이테크놀로지를 주요 고객으로 둔 반도체 위탁생산(파운드리) 회사 중신궈지(SMIC)가 포함될 것으로 전망했다. 이번 규제에는 고대역폭 메모리(HBM) 관련 조항도 들어갈 것으로 소식통은 예상했다. 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 같은 메모리 반도체 회사가 영향을 받을 수 있다. HBM은 인공지능(AI) 기기에 적합한 고부가가치 메모리 반도체로 꼽힌다. 지금까지 미국은 세계 주요 기업이 중국에 첨단 기술을 수출하지 못하게 했다. 대표적으로 세계 최고 반도체 장비 기업 네덜란드 ASML은 첨단 극자외선(EUV) 노광 장비를 중국에 팔 수 없다.

2024.11.28 16:48유혜진

韓 반도체 경쟁력은 결국 'R&D'…"주 52시간 규제 예외 둬야" 한목소리

고용노동부와 반도체 업계 주요 인사들이 국내 반도체 경쟁력의 초격차 유지를 위한 방안을 논의했다. 각 전문가들은 첨단 반도체 기술의 발빠른 확보를 위해 '최대 노동시간 52시간 예외 적용' 등 근로시간의 유연화가 필요하다는 데 뜻을 모았다. 28일 삼성전자 평택캠퍼스에서는 '반도체산업 초격차 확보를 위한 협회 초청 간담회'가 개최됐다. 이번 행사는 반도체 업종의 근로시간 유연화 필요성을 논의하고자 마련됐다. 김문수 고용노동부장관, 김정회 한국반도체산업협회 부회장, 제임스 김 주한미국상의 회장과 남석우 삼성전자 사장, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 등 반도체 업계 주요 인사들이 참석했다. 남석우 삼성전자 사장은 "급변하는 글로벌 시장 환경과 각국의 치열한 경쟁 속에서 우리는 새로운 도전에 직면해 있다"며 "국내 반도체 산업의 위기를 극복하고 글로벌 반도체 시장에서 주도권을 유지하기 위해 이 자리가 유의미한 시간이 됐으면 한다"고 밝혔다. 앞서 국민의힘은 지난 11일 반도체특별법을 발의하면서, 근로소득이 일정 수준 이상인 연구개발직이 최대 노동시간 52시간을 적용받지 않도록 하는 조항을 포함한 바 있다. 다만 해당 조항은 여야 합의 불발로 최근 국회 본회의 처리가 무산됐다. 김문수 고용노동부 장관은 이와 관련해 "반도체 연구개발자에 대한 세제혜택 건강보험 등 보상을 마련해서 합의를 이뤄낸다면 대한민국 반도체가 활로를 찾을 수 있을 것"이라며 "근로시간 연장에 대해서는 고용노동부가 최대한 지원하도록 할 것"이라고 밝혔다. 김정회 한국반도체산업협회 부회장 역시 "국내 반도체 업계가 미국과 일본 등을 추격할 수 있었던 핵심 요소는 '스피드'였으나, 과연 우리가 지금도 이러한 장점을 가지고 있는지 우려된다"며 "국내 반도체 생태계가 첨단 기술 개발을 가속화할 수 있게 인력 확보 및 근로시간 유연성 문제에 대해 더 생산적인 논의가 이뤄졌으면 한다"고 말했다. 김희성 강원대학교 법학전문대학원 교수는 "반도체 기술개발은 마지막 단계에서 핵심 인력이 얼마나 시간을 집중적으로 투입하느냐에 따라 성패가 갈리는데, 현행법상에서는 6시가 되면 컴퓨터가 자동으로 다운되는 등의 문제가 발생하고 있다"며 "현재 우리나라가 글로벌 초격차 경쟁에서 뒤지는 원인 중 하나가 근로시간 문제라고 생각한다"고 강조했다. 김 교수는 이어 "지난 1953년 이래로 가져온 집단적 통일적 공장 근로를 전제로 한 근로시간 제도는 지양돼야할 것"이라며 "산업과 직종에 맞는, 그리고 근로시간이 아닌 업무의 진로 성과를 판단하는 새로운 근로시간 제도가 필요한 시점"이라고 덧붙였다.

2024.11.28 16:33장경윤

삼성전자 메모리 위기 돌파구는 '전영현 추진력'

삼성전자가 메모리사업을 전두지휘할 수장으로 전영현 부회장을 택했다. 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리), 낸드 등 메모리 전반의 기술력이 흔들리는 가운데 전 부회장이 메모리 경쟁력을 회복할 수 있도록 '추진력'을 부여하려는 쇄신 전략이다. 삼성전자는 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 전영현 부회장을 삼성전자 DS부문장에서 DS부문장 겸 메모리사업부장, SAIT 원장으로 선임했다. ■ 메모리 경쟁력 회복 위한 '추진력'에 방점 삼성전자는 이번 인사로 메모리사업부의 경쟁력 회복 가속화에 집중할 전망이다. 파격적이고 새로운 인재를 등용하는 대신, 사업 전반을 빠르게 끌고 나갈 수 있는 전영현 부회장이 메모리사업부장을 총괄하게 된 대목도 여기에 있다. 현재 삼성전자 메모리사업부는 D램, 낸드 전반에서 난항을 겪고 있다. 일례로 D램 부분은 레거시 제품을 중심으로 중국 CXMT 등 후발주자들의 추격이 거세다. CXMT의 연간 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해 월 20만장으로 가파른 성장세를 보이고 있다. 최선단 공정은 2021년 양산한 1a(4세대 10나노급)와 지난해 양산한 1b(5세대) D램부터 경쟁력이 흔들리고 있다는 지적을 받는다. 차세대 D램의 향방을 결정 지을 1c(6세대) D램도 현재로선 수율이 저조한 것으로 알려졌다. 이로 인해 삼성전자는 주요 고객사인 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급이 지연되는 문제를 겪고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 만들기 때문에 D램의 기본적인 성능과 안정성이 갖춰져야만 HBM의 경쟁력을 갖출 수 있다. 이러한 상황에서 삼성전자는 전영현 부회장에게 메모리사업에 대한 전권을 맡길 것으로 관측된다. 삼성전자 출신 반도체 업계 고위 임원은 "현재로선 메모리사업부에서 공정 기술과 마케팅을 전반적으로 관리할 인물은 전영현 부회장밖에 없는 상황"이라며 "특히 메모리는 리더의 맨파워가 가장 중요한데, 전 부회장의 경우 추진력 하나는 확실한 것으로 평가받고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "전 부회장은 HBM(고대역폭메모리) 사업에서도 과감한 조직개편을 시행하는 등 인사적인 부분에도 깊게 관여하고 있다"며 "메모리 사업의 전공정, 후공정 등 모든 전권이 전영현 부회장에게 쥐어지는 추세"라고 말했다. ■ '젊은 피'가 없다…우려의 시각도 다만 삼성전자 반도체 사업부문의 중장기 미래를 책임질 새로운 인재가 발탁되지 않았다는 우려의 목소리도 제기된다. 반도체 업계 관계자는 "이번 삼성전자의 사장단 인사는 전체적으로 혁신보다는 기존 임원들을 재배치하거나 복귀시키는 방향으로 이뤄졌다"며 "메모리사업부장의 경우 전영현 부회장이 적임자로 꼽히기도 하지만, 현재로선 다른 마땅한 후보가 없다는 이야기가 삼성 안팎에서 나오고 있다"고 말했다. 한편 전영현 부회장은 지난 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램 및 낸드 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리 사업부장을 역임했다. 이후 2017년에는 삼성SDI로 자리를 옮겨 5년간 삼성SDI 대표이사 역할을 수행한 뒤, 올해 삼성전자 미래사업기획단장으로 위촉됐다. 지난 5월에는 DS부문장직에 올랐다.

2024.11.27 13:59장경윤

삼성전자, 베테랑 경영자 택했다...안정 속 쇄신

삼성전자가 기존 한종희 부회장 1인 대표이사 체제에서 반도체 수장 전영현 DS 부문장(부회장)이 대표이사를 함께 맡는 2인 체제로 복귀했다. 이들에게 더 많은 역할과 책임을 부여하면서 '안정 속 쇄신'을 이끈다는 계획이다. 아울러 삼성전자의 컨트롤타워 역할을 하는 태스크포스(TF)의 사령탑 정현호 부회장은 유임됐다. 메모리·HBM 반도체 위기 극복과 미국 트럼프 2.0 출범 등 내년 혹독한 경영 환경을 고려해 젊은 피 수혈보다는 베테랑 경영자를 택했다는 평가다. 삼성전자의 이번 인사는 핵심 사업인 반도체 '위기 돌파'에 초점이 맞춰졌다. 전영현 부문장 부회장이 직접 메모리사업부를 직할하고, 파운드리 사업부장을 교체하며 쇄신에 나섰다. 또 파운드리 사업부에 사장급 최고기술책임자(CTO) 보직을 신설했다. 삼성전자는 이같은 내용을 골자로 27일 사장 승진 2명, 위촉업무 변경 7명 등 총 9명 규모의 2025년 정기 사장단 인사를 발표했다. 반도체 위기 돌파…대표이사가 메모리 직접 챙긴다 삼성전자는 이번 인사에서 반도체 부분에 큰 변화를 줬다. 삼성전자는 지난 3분기 실적에서 시장 기대치보다 낮은 성적을 내면서 반도체 사업 수장인 전영현 부회장이 이례적으로 사과문까지 발표하며 위기를 인정했을 정도다. 첨단 반도체 수요에 미리 대비하지 못하면서 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스에 밀렸고, 파운드리 시장에서는 1위인 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어졌다. 삼성전자는 지난 5월 '원포인트' 인사를 통해 전격 투입된 '기술통' 전영현 DS 부문장 부회장을 대표이사로 내정하면서 반도체에 더 힘을 실어줬다. 아울러 전 부회장은 이번 인사로 메모리사업부장도 겸임하게 됐다. 이는 메모리 경쟁력 회복에 총력을 기울인다는 취지다. 재계 관계자는 “대표이사 직할체제로 강화한 것은 책임을 지고 조직을 좀더 체계적이고 집중력 있게 관리해 나가겠다는 의지를 보여주는 것”이라고 해석했다. 삼성전자 내부 관계자는 “전영현 대표이사(부회장)가 메모리 사업부장을 겸임하고, 파운드리 사업부에 사업부장급 2명을 전진배치한다는 것은 고객과 기술을 동시에 챙기겠다는 의지”라며 “핵심 사업부인 메모리를 대표이사가 직접 사업부장을 맡으면 기술 로드맵을 빠르게 추진할 수 있을 것으로 기대된다”고 밝혔다. 삼성전자는 매분기 적자를 기록하고 있는 파운드리 사업에서도 대대적인 쇄신 인사를 단행했다. 한진만 삼성전자 DS부문 DSA총괄 부사장이 파운드리 사업부 사장으로 승진하며 파운드리 사업을 총괄한다. 한진만 신임 사장은 D램 및 플래시 설계팀을 거쳐 SSD개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임했으며 2022년말 DSA총괄로 부임해 현재까지 미국 최전선에서 반도체 사업을 진두지휘해 왔다. 삼성전자는 “한 사장은 기술 전문성과 비즈니스 감각을 겸비했고 글로벌 고객대응 경험이 풍부하다”며 “공정기술 혁신과 더불어 핵심 고객사와 네트워크를 강화하고 파운드리 비즈니스 경쟁력을 한 단계 성장시킬 것으로 기대된다”고 밝혔다. 삼성전자는 DS부문 직속의 사장급 경영전략담당 보직과 파운드리사업부에 사장급 CTO 보직을 신설하는 등 기술 경쟁력 강화에 나선다. 김용관 사업지원TF 부사장은 사장으로 승진하면서 DS부문 경영전략담당을 맡게 됐다. '반도체 전력 기획 전문'인 김 사장은 반도체 경쟁력 조기회복에 앞장설 것으로 기대된다. 남석우 DS부문 제조&기술 담당 사장은 파운드리 사업부 최고기술책임자(CTO)를 맡았다. 남 CTO는 제조 전문가로 반도체연구소에서 메모리 전제품 공정개발을 주도했고 메모리/파운드리 제조기술센터장, DS부문 제조&기술담당 등의 역할을 수행해 왔다. 그는 앞으로 반도체 첨단 공정 수율과 고객사 신뢰도 확보에 주력할 것으로 보인다. 이 밖에 시스템반도체 사업을 담당하는 박용인 시스템LSI사업부장 사장과 송재혁 반도체연구소장 겸 최고기술책임자(CTO)는 유임됐다. 정현호·한종희·전영현 부회장 3인 체제…'변화 속 안정' 삼성전자는 반도체 사업의 변화 속에서도 나머지 인사는 '안정'을 택했다. 한종희 DX부문장 부회장, 전영현 DS부문장 부회장 2인 대표이사 체제를 복원하면서 부문별 대표이사 사업책임제를 확립했다. 또 이번 인사에서 가장 주목됐던 정현호 사업지원TF장 부회장도 유임하며 3인 부회장 체제를 이어간다. 재계에서는 “이재용 회장의 사법리스크가 아직 해소되지 않은 상황에서 조직의 안정을 위해 컨트롤타워 역할을 대신하고 있는 정 부회장이 역할을 이어가는 것은 당연한 수순이다”고 진단했다. 삼성전자는 금번 인사에서 품질혁신위원회를 신설하고 위원장으로 한종희 부회장을 선임해 품질 분야의 근본적인 혁신을 이끌어 내도록 했다. 이로써 한종희 부회장은 대표이사, DX부문장, DA(생활가전)사업부장, 품질혁신위원장 등 4개 보직을 겸임하게 됐다. 또한 전영현 부회장도 대표이사, DS부문장에 이어 메모리사업부장, SAIT(옛 삼성종합기술원) 원장을 새롭게 겸임한다. 노태문 모바일경험(MX)사업부장(사장)을 비롯해 김우준 네트워크사업부장 등도 모두 유임됐다. ▲박학규 DX부문 경영지원실장 사장이 사업지원T/F 담당 사장으로 ▲이영희 DX부문 글로벌마케팅실장 겸 글로벌브랜드센터장 사장이 DX부문 브랜드전략위원 사장으로 ▲이원진 상담역이 DX부문 글로벌마케팅실장 사장으로 ▲고한승 삼성바이오에피스 사장이 삼성전자 미래사업기획단 단장으로 업무가 변경됐다. 삼성전자는 부사장 이하 2025년도 정기 임원인사와 조직개편도 조만간 확정해 발표할 예정이다. 오일선 한국CXO연구소 소장은 “사장단 인사를 통해 유추해보면, 향후 단행될 부사장급 이하 임원 인사 폭은 예상보다 다소 커질 수 있을 것으로 예상된다”며 ”물러나는 임원도 많아지고 신규 발탁 및 보직 변경되는 임원도 다수 생길 것”으로 전망했다.

2024.11.27 13:50이나리

FT "삼성전자, 혹독한 시험대 올라"

이재용 삼성전자 회장이 사업가로서 가장 혹독한 시험을 겪고 있다고 영국 경제일간지 파이낸셜타임스(FT)가 23일(현지시각) 보도했다. 파이낸셜타임스는 삼성전자가 세계 최대 메모리 반도체 칩 제조업체이지만 인공지능(AI) 기기에 필요한 고대역폭메모리(HBM) 분야에서는 경쟁사 SK하이닉스에 뒤처졌다고 지적했다. 반도체 위탁생산(파운드리) 분야에서도 삼성전자가 2030년까지 대만 TSMC를 추월하고 세계 1위에 오르겠다는 야망도 거의 진전을 이루지 못했다고 비판했다. 이에 삼성전자는 반도체 사업부 조직과 경영진을 개편할 계획이라고 전했다. 삼성전자가 지배하던 디스플레이와 스마트폰 분야에서도 중국 경쟁사에 시장 점유율을 빼앗기고 있다고 파이낸셜타임스는 덧붙였다. 삼성전자 직원과 투자자도 불만이라고 파이낸셜타임스는 꼬집었다. 삼성전자 노동조합은 임금과 근무 조건이 불만족스러워 지난 7월 사상 첫 파업에 나섰다. 지난해 말 7만8천500원이던 삼성전자 주가는 지난주 5만6천원으로 30% 가까이 떨어졌다. 삼성전자는 주주 가치를 높이고자 자사주를 10조원어치 사들이겠다고 최근 발표했다. 파이낸셜타임스는 이 회장이 오랜 기간 재판을 받고 있는 사실도 언급했다. 이 회장은 경영권 승계를 위해 삼성물산과 제일모직이 부당하게 합병하도록 하고 삼성바이오로직스 4조5천억원 분식회계에 관여한 혐의로 기소됐다. 서울고등법원은 25일 오후 2시 자본시장과 금융투자업에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 이 회장에 대한 항소심 결심공판을 연다. 검찰이 구형하고 이 회장 측은 최후진술할 예정이다. 1심 재판부는 이 회장의 19개 혐의에 모두 무죄를 선고했다.

2024.11.25 11:11유혜진

젠슨황 엔비디아 "삼성전자 HBM 승인 위해 빨리 작업 중"

세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 “삼성전자 AI 메모리 칩 납품을 승인하기 위해 최대한 빠르게 작업하고 있다”고 밝혔다. 23일(현지시각) 홍콩 과학기술대 명예박사 학위 수여식에 참석하기 위해 홍콩을 찾은 황 CEO는 블룸버그TV와의 인터뷰에서 이같이 말했다고 블룸버그통신이 보도했다. 엔비디아는 삼성전자 5세대 고대역폭 메모리(HBM) HBM3E 8단과 12단 품질을 검증하고 있다. 지난달 31일 삼성전자는 3분기 실적을 내놓은 뒤 주요 고객사 품질 시험에서 중요한 단계를 완료하는 의미 있는 진전을 이뤘다며 4분기 (HBM3E) 판매를 확대할 수 있을 것이라고 발표했다. 다만 블룸버그는 지난 20일 황 CEO가 3분기(8∼10월) 실적을 발표한 뒤 메모리 공급 업체로 SK하이닉스와 마이크론 등을 언급했으나 삼성전자는 거론하지 않았다고 지적했다.

2024.11.24 15:45유혜진

엠디바이스, 코스닥 상장 예비심사 승인…"SSD 시장 적극 공략"

반도체 스토리지 전문기업 엠디바이스는 한국거래소로부터 코스닥 상장을 위한 예비심사 승인을 받았다고 21일 밝혔다. 엠디바이스는 증권신고서 제출을 위한 제반 사항을 준비한 뒤 본격적인 공모 절차에 착수할 예정이다. 상장 주관사는 삼성증권이다. 엠디바이스는 지난 9월 2일 한국거래소에 테슬라 요건(이익 미실현 특례상장)으로 코스닥 예비심사신청서를 제출했다. 테슬라 요건은 성장 잠재력이 큰 기업에게 상장자격을 완화해주는 제도이다. 이에 상장 주관사는 3개월 간 일반 청약자에게 풋백옵션(환매청구권)을 부여하게 된다. 2009년에 설립된 엠디바이스는 반도체 기반 스토리지 시스템을 설계하고 제작하는 전문기업이다. 글로벌 반도체 스토리지 시장에서 엠디바이스는 독보적인 기술력과 자체 생산능력을 기반으로 지속적인 성장을 이뤄왔다. 초소형 및 고용량 저장장치 수요가 급증하는 가운데, 엠디바이스는 2017년 컨트롤러, 낸드플래시, D램 등을 하나의 칩 속에 넣은 'BGA SSD'를 세계에서 네 번째로 독자 개발에 성공했다. 이러한 첨단 반도체 기술과 고용량 제품을 앞세워 중국과 유럽 시장 진출에 성공한 엠디바이스는 2021년 말부터 반도체 스토리지 산업의 성장 가능성에 주목하며 SSD를 중심으로 저장장치 사업을 본격적으로 확대하고 있다. 글로벌 경기 둔화 및 반도체 업황 부진의 여파로 2022년부터 2023년 상반기까지 실적 부진을 겪었지만, 지난해 하반기부터 반도체 업황 반등과 기업용 SSD 수요 증가에 힘입어 실적 회복세를 보이고 있다. 특히 올해 3분기 누적 매출액은 360억원, 영업이익은 32억원으로 전년 대비 큰 성장세를 보이며 흑자전환에 성공했다. 엠디바이스는 실적 회복세를 바탕으로 대규모 데이터센터용 고사양 SSD의 양산과 중국 및 유럽 시장 내 수주 확대를 통해 수출 물량을 늘려갈 계획이다. 아울러 매출 구조 다각화를 위해 첨단 패키징 사업을 새롭게 추진 중이며, 내년 양산 체제 구축과 제품 테스트 완료를 목표로 사업을 진행하고 있다고 밝혔다. 엠디바이스의 회사 관계자는 “전 세계적으로 SSD 시장 규모가 확대됨에 따라 당사의 성장세도 지속될 것으로 전망한다”고 밝혔다. 이어 “엠디바이스는 반도체 저장장치 제품을 핵심 동력으로 지속적인 연구개발을 통해 경쟁력을 확보하고 업계를 선도해왔다”며 “향후 당사 반도체 스토리지 기술 역량을 기반으로 인공지능, 전기차, 빅데이터 등 다양한 미래 성장 산업으로 당사 사업의 외연 확장 및 고도화를 진행할 예정"이라고 말했다.

2024.11.22 09:50장경윤

SK하이닉스 투자한 日 키옥시아, 내달 도쿄증시 상장

일본 메모리 반도체 기업 키옥시아홀딩스(옛 도시바 메모리)가 다음 달 중순 상장한다고 일본 경제신문 니혼게이자이신문(닛케이)이 21일(현지시각) 보도했다. 닛케이에 따르면 키옥시아는 22일 도쿄증권거래소로부터 상장 승인을 받을 전망이다. 시가총액은 7천500억엔(약 6조7천600억원)으로 추정된다. 키옥시아가 목표로 삼은 1조5천억엔의 절반이다. 예상보다 적은 시총이지만 키옥시아는 내년부터 메모리 반도체 시장이 나아질 것으로 보고 상장을 추진한다고 닛케이는 전했다. 키옥시아는 인공지능(AI) 관련 데이터센터에서 메모리 반도체 수요가 늘 것으로 기대했다. 상장으로 조달한 자금 역시 AI용 최첨단 메모리 만드는 데 쓰기로 했다. 키옥시아는 이번 주식공개로 많게는 991억엔을 조달한다. 키옥시아 대주주인 미국 사모펀드 베인캐피털과 도시바는 보유 주식을 일부 팔 것으로 닛케이는 내다봤다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각됐다. 베인캐피털을 비롯한 한·미·일 연합이 키옥시아 지분을 56%, 도시바가 41% 들고 있다. SK하이닉스는 2018년 이 연합에 약 4조원을 투자했다.

2024.11.21 15:25유혜진

주성 등 반도체 장비업계 3Q 실적 선방…中서 활로 찾아

국내 반도체 전공정 장비업계가 올 3분기 예상보다 견조한 실적을 기록한 것으로 나타났다. 국내 주요 고객사의 투자 지연 및 축소, HBM(고대역폭메모리)용 후공정 투자 집중 등으로 업황이 부진하지만 중국 등 대체 시장을 적극 공략한 데 따른 효과로 풀이된다. 20일 업계에 따르면 피에스케이, 주성엔지니어링, 테스 등은 중국향 장비 공급 확대로 3분기 매출 및 수익성이 개선됐다. 올해 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 제조업체들은 IT 시장의 전반적인 부진, 불확실성 확대 등으로 투자에 보수적인 기조를 보이고 있다. 신규 설비 투자보다는 비용 효율성이 높은 전환투자에 집중하고 있으며, 최선단 D램과 HBM 등 특정 분야에 투자 쏠림 현상이 심화되는 추세다. 특히 삼성전자의 경우, 당초 계획했던 미국 테일러 파운드리 신규 팹에 대한 투자 계획이 일시적으로 보류된 상태다. 국내 제4 평택캠퍼스(P4)도 계획이 지속적으로 조정되고 있다. 파운드리 라인에 대한 투자를 보류했으며, 낸드 전용 라인은 D램을 함께 생산하는 '하이브리드' 라인으로 전향했다. 이에 국내 반도체 전공정 장비업계는 중국 등 대체 시장에서 활로를 찾고 있다. 피에스케이는 올 3분기 매출 1천180억원, 영업이익 291억원을 기록했다. 전년동기 대비 각각 25.6%, 14.4% 늘었다. 영업이익은 증권가 컨센서스(254억원)도 크게 상회했다. 남궁현 신한투자증권 연구원은 "피에스케이의 국내 매출 비중은 29%로, 이전 대비 3%p 축소된 것으로 분석된다"며 "대신 중화권 중심의 해외 고객사 수요가 증가하면서 수익성이 개선됐을 것"이라고 밝혔다. 주성엔지니어링은 올 3분기 매출 1천472억원, 영업이익 522억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 71%, 영업이익은 744% 늘었다. 이민희 BNK투자증권 연구원은 "주성엔지니어링의 반도체 분야 매출은 942억원으로 수익성이 높은 중국 수출 비중이 이번 분기에도 4분의 3가량을 차지했다"며 "이에 수익성이 호조세를 보였다"고 설명했다. 테스는 올 3분기 매출 507억원, 영업이익 40억원을 기록했다. 증권가 컨센서스(매출 467억원, 영업이익 35억원)를 소폭 상회했다. 국내 주요 고객사의 장비 입고 일정 지연으로 전분기 대비 실적이 감소하기는 했으나, 지난해 말 확보한 중국 신규 고객사향 매출 확대가 본격화된 데 따른 영향으로 풀이된다. 실제로 중국 CXMT 등 메모리 기업들은 올해까지 범용 메모리 생산능력 확대를 위한 적극적인 투자를 진행해 왔다. CXMT 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 크게 성장할 전망이다. 반도체 장비업계 관계자는 "올해 중국 기업들의 적극적인 설비투자로 국내 전공정 장비 기업 중 상당수가 수익성을 확보할 수 있었다"며 "다만 내년에는 국내 기업들의 밀렸던 투자가 재개되고, 중국 메모리 기업들의 투자 속도가 줄어들면서 다시 비중이 조정될 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.11.20 12:53장경윤

삼성전자, 기흥 반도체 R&D 단지 설비 반입식…"재도약 발판"

삼성전자는 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K) 설비 반입식을 개최했다고 18일 밝혔다. 기흥 R&D 단지는 내년 중순부터 본격 가동될 예정이다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설중인 1만9천㎡(3만3천여 평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지로 2030년까지 총 투자 규모가 20조원에 이른다. 이날 행사에는 삼성전자 전영현 부회장을 비롯한 DS부문 주요 경영진과 설비 협력사 대표, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다. 전 부회장은 기념사를 통해 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"고 밝혔다. 삼성전자 반도체의 역사이자 미래, 다시 기흥에서… 기흥캠퍼스는 1983년 2월 도쿄선언 이후 삼성전자가 반도체 사업을 본격적으로 시작한 상징적인 곳이다. 1992년 세계 최초로 64Mb D램을 개발하고, 1993년 메모리 반도체 분야 1위 등을 이뤄낸 반도체 성공 신화의 산실이다. 삼성전자는 반도체 사업 태동지인 기흥에 미래 기술 연구의 핵심인 NRD-K를 건설해 혁신의 전기를 마련하고, 기술력과 조직간 시너지를 극대화할 계획이다. NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지로 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 차세대 메모리 반도체 개발에 활용될 고해상도 EUV 노광설비나 신물질 증착 설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙여 혁신적 구조를 구현하는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입해 최첨단 반도체 기술의 산실 역할을 할 것으로 기대된다. NRD-K, 첨단 반도체 생태계 중심으로 거듭나 기흥은 삼성전자 반도체 사업장을 중심으로 수많은 국내외 소재∙부품∙설비 회사들이 소재한 대한민국 반도체 산업의 심장과도 같은 곳이다. NRD-K 조성으로 기흥은 첨단 반도체 산업 생태계의 중심지로 거듭날 것으로 전망되며, 삼성전자는 협력 회사와 R&D 협력을 더욱 확대해 나갈 계획이다. 이날 설비 반입식에 참석한 박광선 어플라이드 머티어리얼즈 지사장은 "상생 협력의 파트너십이 더욱 중요한 시기에 어플라이드 머티어리얼즈는 삼성전자와의 긴밀한 협력을 통해 함께 혁신의 속도를 높여 반도체 산업 발전에 기여할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 밝혔다. 한편 삼성전자는 지난 3분기 연구개발 분야에 분기 기준 역대 최대 규모인 8조8천700억원을 투자한 바 있으며, 첨단 패키징 설비를 확대하는 등 미래 기술 경쟁력 확보를 위해 총력을 기울이고 있다.

2024.11.18 13:46장경윤

반도체 수출 12개월 연속 증가...10월 ICT 수출액 200억弗 돌파

반도체 수출이 12개월 연속 전년 대비 증가세를 이어가며 지난달 ICT 수출액이 역대 10월 기준 최고 기록을 달성했다. 14일 과학기술정보통신부가 잠정 집계한 ICT 수출입 통계에 따르면, 10월 ICT 수출은 208억 달러, 수입은 133억3천만 달러, 무역수지는 74억7천만 달러로 흑자를 기록했다. 반도체, 휴대폰, 컴퓨터 및 주변기기 등 주요 품목 전반의 수출 호조 지속으로, 3개월 연속 월 200억불 이상을 달성했다. AI 인프라 투자 시장 성장에 힘입은 반도체 수출은 IT 기기 시장 회복 효과까지 더했다. 지난달 수출액은 125억5천만 달러로 전년 대비 39.9% 증가했다. 지난달 총 ICT 수출에서 차지하는 비중도 60%를 넘어섰다. 특히 메모리반도체는 AI 서버 투자확대로 인한 HBM 등 고부가 품목 수요 증가로 전년 동월 대비 큰 폭으로 증가하며 반도체 수출 증가폭을 확대했다. 총 73억9천만 달러의 수출액을 기록하며 전년 대비 63.9%의 성장세를 보였다. 디스플레이 수출액은 18억 달러로 TV와 PC 등 가전제품 수요 부진 영향에 따라 지난해 대비 21.5% 감소했다. 휴대폰 수출액은 14억4천만 달러로 15.9% 늘었다. 중국, 베트남 등 주요 휴대폰 제조 지역 중심으로 부분품 수출 호조세 보이며 전년 동월 대비 4개월 연속 두 자릿수 증가율을 유지했다. 컴퓨터 주변기기 수출도 SSD 수출 호조로 10개월 연속 증가 기록을 이어갔다. 총 수출액은 11억2천만 달러다. 통신장비 수출은 1억8천만 달러로 전년 대비 8.4% 감소했으나 중국 수출이 회복되면서 수출 하락폭이 축소됐다.

2024.11.14 11:00박수형

두산전자 등 국내 소부장, 엔비디아 '블랙웰' 양산에 수혜 본격화

국내 소부장 기업들이 엔비디아와 주요 메모리 기업들의 AI칩 양산에 따른 대응에 분주히 나서고 있다. 두산전자의 경우 최근 AI 가속기용 부품 공급을 시작했으며, 넥스틴은 HBM용 신규 검사장비를 주요 고객사에 도입했다. 아이에스시도 내년 상반기를 목표로 HBM 검사용 부품의 상용화를 준비 중이다. 11일 업계에 따르면 국내 반도체 소재·부품·장비 기업들은 엔비디아의 '블랙웰' 시리즈 양산에 따라 본격적인 사업 확장에 나서고 있다. 두산전자는 지난달부터 블랙웰용 CCL(동박적층판) 양산에 돌입했다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재 중 하나다. 수지, 유리섬유, 충진재, 기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만든다. 특히 반도체용 CCL은 기술적 난이도가 매우 높은데, 두산전자는 올해 초 블랙웰 시리즈용 CCL 단일 공급업체로 진입한 바 있다. 기존 주요 CCL 공급업체인 대만 엘리트머티리얼즈(EMC)를 제치고 얻어낸 성과다. 이후 두산전자는 지난 3분기 시제품 공급 등을 거쳐, 지난달부터 블랙웰용 CCL의 본격적인 양산을 시작했다. 업계에서는 올 4분기와 내년까지 적지 않은 매출 규모가 발생할 것으로 보고 있다. 국내 반도체 장비기업 넥스틴은 최근 주요 고객사에 HBM용 검사장비인 '크로키'를 소량 공급했다. 그동안 진행해 온 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 정식 발주를 받았다. 크로키는 적층된 D램 사이에 형성된 미세한 크기의 범프를 계측하는 데 쓰인다. 내년에도 고객사의 12단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 양산 확대에 따라 추가 수주를 논의 중인 것으로 알려졌다. 기존 8단 제품 생산라인에 검사장비를 납품하던 캠텍, 온투이노베이션 등을 대체했다는 점에서 의의가 있다. 국내 후공정 부품기업 아이에스시도 내년 상반기 HBM용 테스트 소켓을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 테스트 소켓은 패키징 공정이 끝난 칩의 양품 여부를 최종적으로 검사하는 데 활용되는 부품이다. 기존 메모리 제조기업들은 HBM에 테스트 소켓을 채택하지 않았으나, D램의 적층 수 및 세대가 향상될수록 수율이 하락한다는 문제에 직면하고 있다. 이에 12단 HBM3E부터는 테스트 부품을 양산 공정에 적용하기 위한 준비에 적극 나서고 있다.

2024.11.12 11:26장경윤

SK하이닉스, '제6회 혁신특허포상' 실시…총 상금 2억원

SK하이닉스가 8일 경기도 이천 본사에서 '제6회 혁신특허포상' 시상식을 열었다고 8일 밝혔다. 이날 행사에는 수상자들과 함께 김동섭 사장(대외협력 담당), 송현종 코퍼레이트 센터 사장, 김주선 사장(AI Infra 담당) 등 주요 경영진이 참석했다. 2018년 처음으로 시작된 혁신특허포상은 기술 난제를 극복하고 경영성과 기여도가 높은 우수 특허를 선발해 포상하는 행사다. 회사는 올해 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 특허를 포상 대상으로 선정해 총 2억750만원의 상금을 지급했다. SK하이닉스는 "혁신특허포상은 구성원들의 특허 인식 제고 및 연구 의욕을 높여 우수 특허를 창출하고 경영실적 증가로 이어지는 선순환 구조에 기여하고 있다"고 강조했다. 올해 최고상인 금상의 영예는 HBM 테스트의 효율성을 높이는 특허를 낸 윤태식 TL(AI Infra)과 HBM과 DRAM의 오류 정정 기능 효율성 제고 관련 특허를 개발한 김창현 TL(DRAM개발)에게 돌아갔다. 윤태식 TL은 “HBM 등 회사 핵심 제품의 테스트 역량 제고에 기여한 점을 인정받아 기쁘다”며 “앞으로도 혁신 기술을 발명해 회사 발전에 보탬이 되고 싶다”고 말했다. 김창현 TL은 “메모리 동작시 발생하는 오류를 정정하는 기술은 메모리 신뢰성을 높이는 데 매우 중요한 부분”이라며 “이 분야 기술력을 더 고도화하기 위해 연구개발을 지속해나갈 것”이라고 소감을 밝혔다. 은상은 오상묵·윤태식 TL(AI Infra), 강병인·박낙규·이한규 TL(P&T), 이기홍 담당·백지연 TL(미래기술연구원)에게 수여됐으며, 동상은 현진훈·이창현 TL(DRAM개발), 주노근 TL(DRAM개발), 최은지·안근선 TL(NAND개발), 나형주 TL(Solution개발), 양동주·사승훈 TL(CIS개발)에게 수여됐다. 이날 외부 일정으로 행사에 참석하지 못한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 서면을 통해 “이전보다 한층 경쟁력이 강화된 특허로 SK하이닉스의 기술력을 높이는 구성원들 덕분에 든든하다”며 “우리는 회사와 반도체 산업 발전을 위해 기술개발과 발명을 지속함으로써 글로벌 1등 AI 메모리 기업 위상을 더욱 공고히 해나갈 것”이라고 밝혔다. 김동섭 대외협력 사장은 “올해 6회째를 맞은 혁신특허포상 제도를 통해 누적 60건에 이르는 우수 특허가 선정되어 사내 여러 인재들이 공로를 인정받았다”며 “앞으로도 이 제도를 지속 운영하며 구성원들의 기술혁신에 대한 동기부여를 강화할 것”이라고 말했다. 송현종 코퍼레이트 센터 사장은 “축적된 인재풀과 지적 자산은 기술기업의 가치를 높여주는 핵심 지표”라며 “앞으로도 구성원의 기술개발을 지속 독려해 회사의 기술 리더십을 더욱 높여 나갈 것”이라고 했다.

2024.11.08 11:26장경윤

P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

SK하이닉스 "16단 HBM3E, 검증 단계서 12단과 '동등 수율' 확보"

SK하이닉스가 이달 공개한 16단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 신뢰성 확보를 자신했다. 회사의 테스트 결과, 검증 단계에서의 16단 HBM3E 패키지 수율은 양산 단계에서의 12단 HBM3E과 사실상 동등한 수준인 것으로 확인됐다. 16단 HBM3E가 실제 양산되는 경우 수율이 하락할 수는 있으나, 개발 초기부터 제품의 신뢰성을 크게 확보했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스는 여기에 그치지 않고, 16단 HBM3E 구현의 핵심인 '어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)' 기술을 고도화할 계획이다. HBM4와 HBM4E, HBM5 등 차세대 제품의 16단 적층에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용하는 것은 물론, 20단 적층에서도 적용 가능성을 보기 위한 기술 개발도 지속한다. 5일 권종오 SK하이닉스 PL은 5일 오후 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 행사에서 16단 HBM 적층을 위한 본딩 기술을 소개했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. D램을 더 높이 쌓을수록 더 높은 용량과 성능 구현에 용이하다. 때문에 업계에서는 HBM의 세대 진화와 더불어 D램을 8단, 12단, 16단 등으로 더 높이 쌓는 방안을 강구해 왔다. 특히 SK하이닉스는 이달 업계 최초의 16단 HBM3E(5세대 HBM)을 공개해 내년 초 샘플을 공급하겠다는 계획을 발표했다. 현재 상용화된 HBM의 최고 단수는 12단이다. SK하이닉스의 16단 HBM3E 개발의 핵심은 패키징이다. SK하이닉스는 이번 16단 HBM3E에 12단 HBM3E와 같은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 해당 기술은 고적층으로 갈수록 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있어, 12단 적층부터는 신뢰성 확보가 어렵다. 이에 SK하이닉스는 일차적으로 열을 가해 D램을 임시로 붙인 뒤, MR-MUF를 진행하는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 고안해냈다. 권 PL은 "HBM3E를 12단에서 16단으로 쌓으면서 D램 사이의 공간(갭-하이트)이 기존 대비 절반 수준으로 줄어드는 등의 난점이 있었다"며 "그러나 기술 개발을 통해 좁아진 갭-하이트를 비롯한 주요 문제의 신뢰성을 통과하는 등의 결과를 얻었다"고 설명했다. 나아가 SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 지속 고도화해 차세대 HBM에도 적용할 계획이다. 권 PL은 "HBM4와 4E, HBM5에서도 16단 제품은 어드밴스드 MR-MUF를 계속 활용해야 한다고 보고 있다"며 "경쟁사가 HBM4E에서는 하이브리드 본딩을 적용할 것으로 전망되는데, 당사는 16단이나 20단에서 두 본딩 기술의 이점을 비교하고 적용 계획을 수립할 것"이라고 밝혔다.

2024.11.05 14:50장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

10월 낸드 가격, 전월대비 '29%' 급락…소비자용 수요 둔화

낸드 범용제품의 가격이 지난 9월에 이어 10월에도 큰 폭으로 하락했다. 전반적인 경기 악화 속에서 소비자용 제품의 수요가 급감한 것이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 지난달 평균 고정거래가격은 3.07달러로 전월 대비 29.18% 하락했다. 낸드 가격은 지난 9월에도 이전 4.90달러에서 4.34달러로 11.44% 하락한 바 있다. 이를 고려하면 두 달 연속 두 자릿 수의 급격한 하락세를 겪은 셈이다. 이 같은 현상은 TLC(트리플레벨셀) 제품 가격 하락에 따른 SLC(싱글레벨셀)과 MLC(멀티레벨셀) 제품의 가격적인 이점이 감소하고, 소비자용 SSD 수요가 감소한 데 따른 영향이다. 트렌드포스는 "소니의 PS5, 닌텐도 스위치향 낸드 제품의 출하량이 급감했다. 특히 MLC 제품은 평균 24% 하락해 낙폭이 컸다"며 "전반적인 경기 회복세가 뚜렷하지 않아 급격한 악화를 겪었다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 올 상반기 MLC 생산라인에 대한 EOL(End of Life)를 발표한 바 있다. EOL은 레거시 제품에 대한 유지보수를 중단하는 것으로, 이에 따라 일부 모바일 낸드 가격이 상승했다. 다만 타 기업이 삼성전자의 공백을 빠르게 채우면서 현물시장에 미칠 영향은 일시적일 것으로 분석된다. 지난달 D램 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 1.70달러로 전월과 동일한 수준이다. 지난 9월 평균 가격이 전월 대비 17.07% 하락한 뒤 보합세로 접어들었다. 해당 D램은 올 4분기에 안정적인 흐름을 보일 전망이다.

2024.11.01 11:28장경윤

삼성전자 "내년 반도체 시설투자, 증설보다 전환에 집중"

삼성전자가 내년 반도체 시설투자 규모를 올해와 비슷하게 집행하되, 증설 보다는 전환에 집중할 계획이라고 밝혔다. 삼성전자는 31일 2024년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐픽스(Capex·자본적지출)를 고려 중이다"라며 "설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고, 기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획이다"고 말했다. 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 47조9천억원이 예상된다고 밝혔다. 지난해 반도체 시설투자 비용은 48조4천억원이었다. 삼성전자는 "차세대 반도체 R&D 단지 건설, HBM 후공정 투자, 중장기 클린룸 선 확보 차원의 투자 등에 우선순위를 부여하고 미래 경쟁력 강화에 집중할 예정이다"고 설명했다. 반면 적자를 지속하고 있는 파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모를 축소할 계획이다. 증권가에 따르면 시스템LSI와 파운드리 사업의 3분기 영업손실은 2조원으로 추정된다. 삼성전자는 "올해 파운드리 투자는 모바일, HPC 고객 수요 중심 투자가 이루어졌지만, 시황 및 투자 효율성을 고려해 기존 라인 전환 활용의 우선순위를 두고 투자 운영 중이어서 금년 시설투자 집행 규모는 감소할 전망이다"라고 말했다. 이어 "내년 파운드리는 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단 레거시 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최선단 R&D 준비의 신규 캐파 투자는 가동률 및 수익성을 고려해 신중하고 효율적으로 추진할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.10.31 11:42이나리

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

삼성전자, 올해 시설 투자 56.7조원..."파운드리 부문 축소"

삼성전자는 올해 시설투자 금액이 총 56조7천억원으로 예상된다고 31일 공시를 통해 밝혔다. 사업별로는 반도체(DS) 부문이 47조9천억원, 디스플레이(SDC) 부문이 5조6천원 수준이다. 반도체의 경우 고부가가치 제품 대응을 위한 전환투자 및 연구개발(R&D), 후공정 투자에 투자가 집중된다. 디스플레이는 중소형 OLED 디스플레이 증설 투자에 주력한다. 삼성전자는 기대 효과에 대해 "부품 사업 중심의 기술 리더십 강화를 통한 사업 역량 제고"라고 설명했다. 삼성전자는 지난해 시설투자로 총 53조1천억원을 투입한 바 있다. 반도체가 48조4천억원, 디스플레이가 2조4천억원 수준이었다. 이를 고려하면 올해 시설투자 규모는 반도체가 1%가량 줄었다. 반면 디스플레이는 133%가량 늘었다. 한편 올 3분기 시설투자는 전분기 대비 3천억원 증가한 12조4천억원으로, 사업별로는 반도체가 10조7천억원, 디스플레이가 1조원 수준이다. 3분기 누계로는 35조8천억원이 집행됐다. 반도체가 30조3천억원, 디스플레이가 3조9천억원 수준이다. 삼성전자는 "메모리는 시황과 연계된 탄력적 설비 투자 기조를 유지하면서 HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 예정"이라며 "파운드리는 시황 및 투자 효율성을 고려해 투자 규모 축소가 전망된다"고 밝혔다. 디스플레이는 경쟁력 우위 유지를 위해 중소형 디스플레이 신규 팹(Fab)과 제조라인 보완에 적극적으로 투자할 계획이다.

2024.10.31 09:27장경윤

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