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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (288건)

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ICT 수출 부진...메모리 반도체만 고공 성장

지난달 ICT 분야 전반적인 수출 부진 속에 반도체와 컴퓨터 주변기기가 꾸준한 수출 증가세를 이어갔다. 13일 과학기술정보통신부의 ICT 수출입통계에 따르면 1월 ICT 수출은 162억9천만 달러, 수입은 134억5천만 달러, 무역수지 28억3천만 달러로 잠정 집계됐다. 이같은 ICT 수출액 규모는 전년 동월 대비 0.4% 후퇴한 수치다. AI 시장 성장 영향으로 반도체 분야 수출 실적은 꾸준히 크게 늘어 지난달 101억4천만 달러를 기록했다. AI 서버 투자 확대에 따라 고부가가치 품목인 HBM 수요 증가가 결정적인 요인이다. 메모리 반도체와 달리 시스템 반도체 수출은 감소했다. SSD 수출 확대로 컴퓨터 주변기기 수출액은 9억3천만 달러를 기록, 전년 동월 대비 10.0% 증가했다. 디스플레이 수출액은 16.1% 감소한 12억6천만 달러를 기록했다. TV와 PC 등의 완제품 수요 부진으로 10억 달러 수준도 위협받고 있다. 휴대폰 수출액은 8.8% 감소한 10억1천만 달러를 기록했다. 카메라 모듈과 같은 부분품 수출이 중국 대상으로 늘었지만 다른 지역에서는 수출이 감소했다. 통신장비 수출액은 20.9% 감소한 1억6천만 달러를 기록했다. 중소기업과 중견기업의 ICT 수출은 전 분야가 줄어들며 전년 동월 대비 12.7% 감소한 41억6천만 달러에 그쳤다.

2025.02.13 11:00박수형

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤

SK하이닉스, 업계 최초 글로벌 자동차 정보 보안 인증 'TISAX' 획득

SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 글로벌 자동차산업 정보 보안 인증인 TISAX(Trusted Information Security Assessment Exchange)를 획득했다고 6일 밝혔다. TISAX는 독일 자동차산업협회(VDA)가 만든 평가 기준을 기반으로 유럽자동차제조·공급협회(ENX)가 운영하는 글로벌 정보 보안 인증 체계다. SK하이닉스는 "경기도 이천과 분당, 충북 청주에 위치한 국내 모든 사업장이 TISAX 인증을 받아 글로벌 자동차업계가 요구하는 보안 역량을 국제적으로 인정받았다"며 "이를 계기로 AI 기반의 미래 자동차 기술 구현에 필수적인 고성능 메모리 설루션 개발을 가속화하겠다"고 말했다. 글로벌 자동차산업은 전기차 시장 확대와 자율주행, 커넥티드카 기술 발전에 따라 전장 비중이 급격히 커지고 있다. 이러한 변화에 맞춰 차량용 반도체는 미래 모빌리티 산업의 핵심 부품으로 주목받고 있다. 특히 차량용 반도체는 ADAS(첨단 운전자 지원 시스템) 브레이크 시스템, 엔진 제어 등 자동차 안전 시스템에 적용되고 있어, 일반 반도체보다 높은 수준의 신뢰성이 요구된다. 최근 자동차를 대상으로 한 해킹, 악성코드 공격도 증가하면서 반도체 자체의 성능은 물론, 제조 과정에서의 체계적인 보안 관리가 강조되고 있다. 이에 SK하이닉스는 글로벌 완성차 고객들이 필수 요건으로 제시하고 있는 TISAX 인증을 전문 기관 검증을 거쳐 확보했다. 회사는 이번 인증 결과를 여러 협력사와 공유할 수 있어 중복 비용을 최소화하고, 협력사들과 장기적인 비즈니스 추진에도 도움이 될 것으로 전망했다. 김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM개발 담당)은 "이번 인증 획득을 계기로 글로벌 자동차 제조사 및 주요 부품사들과의 협력을 더욱 강화해 나가겠다"며, "철저한 보안 체계를 바탕으로 고객과 신뢰 관계를 구축해 차세대 자동차용 메모리 반도체 시장을 선도해 나가겠다"고 말했다.

2025.02.06 08:46이나리

삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"

삼성전자가 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올 1분기 반도체 사업의 약세가 지속될 것으로 내다봤다. 특히 시스템반도체 분야가 부진할 전망으로, 엑시노스 2500의 상용화 지연이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 이에 삼성전자는 올해 메모리 분야에서는 첨단 공정 기반의 고용량 메모리 비중을 확대하고, HBM(고대역폭메모리) 사업을 강화할 계획이다. 시스템반도체 분야에서는 플래그십 SoC(시스템온칩)의 적기 개발, 2나노 공정 양산 및 안정화 등을 추진할 계획이다. ■ 1분기 첨단 메모리 전환 집중…파운드리·LSI는 부진 지속 올 1분기는 반도체 분야 약세가 지속되면서 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상되나, 세트 부문에서 AI 스마트폰과 프리미엄 제품군 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. DS부문의 경우, 메모리는 모바일 및 PC 제품의 경우 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 고사양 및 고용량 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환을 가속화할 방침이다. D램은 1b 나노 전환을 가속화해 DDR5 및 LPDDR5X(저전력 D램) 공급 비중을 확대하고, 낸드는 V6에서 V8로 공정 전환을 진행하고 서버용 V7 QLC(쿼드레벨셀) SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 실적 부진이 지속될 것으로 전망된다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 시장 진입 실기가 주된 영향을 끼쳤다. 다만 플래그십 스마트폰 출시로 이미지센서, DDI(디스플레이구동칩) 등 제품 수요는 증가할 것으로 예상된다. 파운드리는 모바일 수요 부진 및 가동률 저하에 따라 실적 부진 지속이 예상되지만, AI·HPC 등 응용처 및 첨단 공정 수주 확대를 위해 공정 성숙도 향상에 집중할 계획이다. DX부문의 경우, MX는 신모델 출시 효과로 스마트폰 출하량 및 평균판매단가가 상승할 전망이다. 태블릿 출하량은 전분기 대비 동등 수준을 유지할 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 갤럭시 S25 등 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 새로운 AI 경험과 제품 경쟁력을 적극 소구하고, 거래선과 협업을 강화해 AI 스마트폰 시장을 주도할 계획이다. 네트워크는 국내 이동통신사의 망 투자 축소로 매출은 전분기 대비 소폭 감소할 전망이다. VD는 계절적 비수기 진입으로 수요 감소가 예상되는 가운데 ▲QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 고부가가치 제품 시장 수요는 견조할 것으로 전망된다. 차별화된 개인화 경험을 제공하는 '삼성 비전 AI'를 적용해 전략 제품 중심으로 판매를 확대하고 수익성을 강화할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 프리미엄 제품 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. 또한 하만은 오디오 제품 중심으로 판매를 확대해 전년 대비 매출 성장을 추진할 방침이다. 디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 시장 수요 약세가 예상됨에 따라 실적은 보수적으로 전망하고 있으며, 대형은 향상된 성능의 TV와 고해상도 모니터 등 신제품들을 본격 출시할 예정이다. ■ 올해 반도체 사업 경쟁력, HBM·2나노 등에 초점 메모리는 2분기부터 메모리 수요가 회복세를 보일 것으로 예상되는 가운데, D램과 낸드 모두 시장 수요에 맞춰 레거시 제품 비중을 줄이고 첨단 공정으로의 전환을 가속화할 방침이다. 또한 첨단 공정 기반 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲GDDR7(그래픽 D램) ▲서버용 SSD 등 고부가가치 제품 비중을 늘려 사업 경쟁력 강화에 집중할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 SoC를 적기에 개발해 고객사의 주요 모델에 신규 적용을 추진할 계획이다. 센서 부문은 2억 화소 등 고화소 수요에 적극 대응해 다양한 응용처로 사업을 확장해 나갈 예정이다. 파운드리는 2나노 공정 양산과 안정화를 통해 고객 수요를 확보하고, 4나노 공정도 경쟁력 있는 공정과 설계 인프라를 강화해 나갈 방침이다. MX는 갤럭시 S25 시리즈의 출시를 통해 차별화된 AI 경험으로 모바일 AI 리더십을 공고히 하고 폴더블은 S25의 AI 경험을 최적화하고 라인업을 강화해 판매를 확대할 방침이다. ▲태블릿 ▲노트 PC ▲웨어러블 ▲XR(eXtended Reality)도 고도화된 갤럭시 AI 기능을 적용해 더욱 풍부한 고객 경험을 제공할 계획이다. 제품 경쟁력 강화와 스펙 향상 등으로 주요 원자재 가격 상승이 예상되나, 갤럭시 AI 고도화와 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성 개선에 집중할 방침이다. 네트워크는 주요 사업자의 추가 망 증설과 신규사업자 수주를 확보하고 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 도입을 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. VD는 주요 이머징 마켓 중심으로 TV 수요가 소폭 증가할 것으로 전망된다. 'Home AI' 비전 아래, 스마트싱스(SmartThings) 기반 연결 경험에 AI 기술을 결합하고 보안 솔루션인 '삼성 녹스(Samsung Knox)'를 확대 적용해 AI 스크린 시장을 주도해 나갈 계획이다. 생활가전은 2025년형 AI 혁신 제품 론칭과 사업구조 개선 등을 통해 수익성 개선에 집중할 계획이다. 하만은 전장 고객사를 다변화하고 성장세가 높은 오디오 제품군 판매 확대를 통해 매출 성장을 추진할 계획이다. 디스플레이는 중소형의 경우 제품 경쟁력 강화로 프리미엄 스마트폰 시장 리더십을 유지하고 대형은 다양한 고성능 TV와 모니터의 판매를 확대할 계획이다.

2025.01.31 10:12장경윤

삼성전자, 지난해 설비투자 53.6조원…업황 부진에도 역대 '최대'

삼성전자가 지난해 역대 최대 규모의 시설투자를 진행했다. HBM(고대역폭메모리) 등 첨단 메모리와 중소형 디스플레이 사업 경쟁력 강화에 집중한 것으로 풀이된다. 삼성전자는 지난해 4분기 시설투자에 17조8천억원을 투자했다고 31일 밝혔다. 전분기 대비로는 5조4천억원 증가한 규모다. 사업별로는 DS(반도체) 부문이 16조원, 디스플레이 사업에 1조원이 할당됐다. 이로써 삼성전자는 지난해 연간 설비투자 규모로 53조6천억원을 투입하게 됐다. 역대 최대 규모였던 지난 2022년(53조1천153억원)을 넘어섰다. 사업별로는 DS에 46조3천억원, 디스플레이에 4조8천억원이 투자됐다. 메모리는 미래 기술 리더십 확보를 위한 연구개발비 집행과 HBM 등 첨단 공정 생산능력 확대를 위한 투자를 지속해 지난 분기 및 연간 대비 투자가 모두 증가했다. 반면 파운드리는 시황 악화로 전년 대비 연간 투자 규모가 감소했다. 디스플레이는 중소형 디스플레이를 중심으로 경쟁력 우위 확보를 위한 투자를 지속하며 전년 대비 연간 투자 규모가 증가했다. 삼성전자는 "2025년 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 메모리 투자는 전년 수준과 유사할 것으로 전망된다"며 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 연구개발비 투자를 꾸준히 이어갈 방침"이라고 밝혔다.

2025.01.31 09:33장경윤

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤

'저전력' AI칩에 힘 주는 엔비디아…삼성·SK, LPDDR 성장 기대감

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 시장 영역을 자율주행·로봇·개인용 PC 등으로 적극 확장하기로 하면서 고성능 데이터 연산과 동시에 '저전력' 특성이 중요한 삼성전자, SK하이닉스의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 관측된다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 6일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 IT 박람회 'CES 2025′ 기조연설을 진행했다. 이날 젠슨 황 CEO는 ▲ 휴머노이드 로봇 및 자율주행용 컴퓨터인 '젯슨 토르' ▲ 물리적 AI 개발 플랫폼인 '코스모스' ▲ 개인용 AI 슈퍼컴퓨터를 위한 'GB10' 슈퍼칩 등 차세대 AI 시장을 선점하기 위한 솔루션을 대거 공개했다. 엔비디아 신규 솔루션, 물리적 AI 등 '저전력' 초점 물리적 AI는 실제 물리적 환경에서 센서와 구동기를 통해 작업을 수행하는 AI를 뜻한다. 자율주행과 로봇 등이 대표적인 응용처다. 기존 서버 중심의 LLM(거대언어모델) 대비 빠른 응답 속도와 다양한 환경 변수 처리 성능이 필요하다. 물리적 AI를 제대로 구현하기 위해서는 기기 자체에서 AI 연산을 처리하는 온디바이스 AI가 필수적이다. 이에 일반 메모리 대비 전력 효율성이 높은 LPDDR(저전력 D램)의 수요가 촉진될 것으로 관측된다. 구체적으로 엔비디아는 올 상반기 중 젯슨 시리즈의 신규 제품 '토르'를 출시할 예정이다. 젯슨은 엔비디아가 로보틱스 및 엣지 컴퓨팅 시장을 겨냥해 개발한 제품군이다. 토르의 경우 최대 800테라플롭스(1테라플롭스는 초당 1조번 연산 수행)의 AI 처리 성능과 엔비디아의 차세대 GPU인 블랙웰을 탑재한다. 젯슨 시리즈가 LPDDR을 채용해온 만큼, 토르 역시 최첨단 LPDDR 제품이 쓰일 것으로 전망된다. GB(그레이스블랙웰)10 슈퍼칩은 엔비디아가 대만 주요 팹리스 미디어텍과 개발한 개인용 AI 슈퍼컴퓨터 '프로젝트 디지트(Digits)'에 채용된다. 프로젝트 디지트는 오는 5월 출시 예정이다. GB10 슈퍼칩은 FP4 정밀도에서 최대 1페타플롭스(1초당 1천조번 연산)의 AI 성능을 제공한다. 또한 GB10 내부의 '그레이스' CPU는 128GB(기가바이트) 용량의 LPDDR5X를 채용했다. 그레이스는 엔비디아가 서버 시장을 겨냥해 자체 개발한 CPU다. 향후 노트북 등 개인용 PC에도 적용될 예정이다. 메모리반도체 업계 관계자는 "엔비디아가 이전부터 AI 시장의 영역을 슈퍼컴퓨팅에서 온디바이스AI, 물리적 AI 등 에지 영역으로 확장하겠다는 계획을 발표해 왔다"며 "현재로선 저전력 구동에 LPDDR 제품이 필수불가결하기 때문에 수요가 늘어날 것이고, 향후 AI 기술이 고도화되면 이에 맞춰 차세대 메모리가 상용화될 것"이라고 설명했다. LPDDR·LPCAMM 중요성 높아져…삼성·SK 기회 이 같은 추세는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 전망이다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔다. 가장 최근 상용화된 7세대 LPDDR5X은 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론만이 상용화에 성공한 고부가 제품에 해당한다. CXMT(창신메모리) 등 후발 주자들은 지난 2023년 말 기준 LPDDR5 양산에 돌입했다. LPCAMM도 차세대 메모리로서 상용화가 기대된다. LPCAMM은 기존 LPDDR 모듈 방식인 So-DIMM(탈부착)과 온보드(직접 탑재)의 장점을 결합한 기술이다. 기존 방식 대비 패키지 면적을 줄이면서도 전력 효율성을 높이고, 탈부착 형식으로 제작하는 것이 가능하다. 이에 주요 메모리 기업들은 지난 2023년께 2세대 LPCAMM인 LPCAMM2을 앞다퉈 개발하는 등 시장 선점을 준비해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "젠슨 황 CEO의 이번 발표는 엔비디아가 GB 플랫폼의 중심을 저전력으로 변화시키고 있다는 것을 보여준다"며 "엔비디아도 PC 시장을 위한 차세대 솔루션에서 LPCAMM을 채용하는 방안을 검토하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2025.01.09 13:57장경윤

엔비디아 젠슨황 "삼성 HBM 성공 확신...설계는 새로 해야"

세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 미국 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 삼성전자 고대역폭메모리(HBM)에 대해 “새로 설계해야 한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 메모리 반도체다. SK하이닉스와 미국 마이크론이 엔비디아에 공급하고 있다. 삼성전자는 납품에 앞서 품질 테스트 중이다. 황 CEO는 7일(현지시간) 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 'CES 2025'가 개막한 미국 라스베이거스 퐁텐블루호텔에서 열린 기자간담회에서 '삼성전자 HBM을 왜 이리 오래 시험하느냐'는 물음에 “오래 걸리는 게 아니다”라며 “한국은 서두르려 한다”고 답했다. 황 CEO가 삼성전자 HBM을 공개적으로 지적한 일은 이번이 처음이다. 다만 그는 “엔비디아가 처음 쓴 HBM은 삼성전자가 만든 것이었다”며 “내일(8일)이 수요일이라고 확신할 수 있듯 삼성전자 성공을 확신한다”고 덧붙였다. 황 CEO는 소비자용 그래픽처리장치(GPU) 신제품 '지포스 RTX 50'에 마이크론 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7을 쓴다고 밝힌 이유도 언급했다. 그는 “삼성전자와 SK하이닉스는 그래픽 메모리가 없는 것으로 안다”며 “그들도 하느냐”고 되물었다. 이어 “삼성전자와 SK하이닉스는 엔비디아의 가장 큰 공급업체 중 두 곳”이라며 “매우 훌륭한 메모리 반도체 기업”이라고 평가했다. GDDR7은 영상과 그래픽을 처리하는 초고속 D램이다. 마이크론뿐 아니라 삼성전자와 SK하이닉스도 생산한다. 한편 황 CEO는 곧 최태원 SK그룹 회장과 만날 것으로 보인다. '이번 CES 기간 최 회장을 만나느냐'는 질문에 황 CEO는 “만날 예정”이라며 “기대하고 있다”고 답했다.

2025.01.08 11:13유혜진

'AI 인프라'에 수백조 쏟는 빅테크…삼성·SK AI 메모리 훈풍 불까

글로벌 빅테크 기업들이 새해 인공지능(AI) 인프라 확충에 적극 나서고 있다. 마이크로소프트, 아마존 등이 최근 조 단위의 AI 데이터센터용 설비투자 계획을 잇따라 발표했다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계도 긍정적인 효과를 거둘 수 있을 것으로 분석된다. 6일 업계에 따르면 해외 주요 클라우드서비스제공자(CSP)들은 새해 AI 데이터센터 구축에 막대한 비용을 투자할 계획이다. 마이크로소프트(MS)는 회계연도 2025년(지난해 7월~올해 6월)에만 800억 달러(한화 약 118조원)에 이르는 대규모 투자를 AI 데이터센터에 투자한다. 전년 전체 자본지출 규모인 557억 달러 대비 43% 가량 많다. 브래드 스미스 MS 부회장 겸 사장은 지난 3일 회사 블로그를 통해 "AI 모델을 훈련하고, 전 세계에 AI 및 클라우드 기반 서비스를 지원하기 위한 AI 데이터센터 구축에 약 800억 달러를 투자할 예정"이라며 "이 중 절반 이상이 미국에 투자될 것"이라고 밝혔다. 아마존도 올해 최소 800억 달러의 설비투자가 예상된다. 앤디 재시 아마존 최고경영자(CEO)는 지난해 "2024년 설비투자에 750억 달러를 지출하고, 2025년에는 더 많은 비용을 지출할 것"이라며 "생성형 AI에 의해 주도되는 투자로, 일생에 한 번 있을까 말까 한 기회"라고 강조한 바 있다. 지난해 12월에는 미국 오하이오주 소재의 AWS(아마존웹서비스) 데이터센터 구축에 100억 달러를 추가 투입하겠다고 발표했다. AWS는 오하이오주 데이터센터에 2020년까지 60억 달러를 투자했으며, 2023년에도 79억 달러의 추가 투자를 확정했다. 이번 발표로 해당 데이터센터에 대한 AWS의 투자 규모는 230억 달러를 넘어서게 된다. 이외에도 메타, 구글 등이 올해 자본지출 규모의 증가를 예상하고 있다. 이들 4대 CSP의 지난해 설비투자 규모는 2천억 달러를 넘을 것으로 관측되고 있다. 이를 고려하면 올해 역시 2천억 달러를 웃도는 설비투자가 이뤄질 전망이다. 글로벌 빅테크의 데이터센터를 비롯한 AI 인프라 투자는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업들에게도 수혜로 작용할 전망이다. 데이터센터에는 GPU, CPU 등의 시스템반도체와 D램, SSD 등 메모리반도체가 대거 탑재되기 때문이다. 최근 메모리반도체 시장은 스마트폰, PC 등 IT기기 수요 부진으로 범용 제품의 가격 하락세가 심화되는 추세다. 다만 서버용 고성능 DDR5, eSSD(기업용 SSD) 등은 비교적 견조한 수요를 나타내고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 1분기 서버용 D램 가격은 전분기 대비 3~8% 하락할 것으로 예상된다. 범용 D램이 8~13% 하락하는 데 비해 낙폭이 적다. 낸드는 범용 제품이 10~15% 하락하나, eSSD는 5~10% 수준으로 하락할 전망이다. 또한 삼성전자, SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에도 적극적으로 나서고 있다. HBM은 AI 업계를 주도하는 엔비디아와 자체 ASIC(주문형반도체)를 개발하는 CSP 기업들로 인해 수요가 급증하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "비용에 대한 부담으로 AI 관련 기업들이 설비투자를 줄일 수도 있다는 우려가 제기되기도 했으나, 낙관적인 전망이 꾸준히 확인되고 있다"며 "국내 메모리 기업들에게도 긍정적으로 작용할 것"이라고 말했다.

2025.01.06 10:58장경윤

김남석 LB세미콘 대표 "세계 OSAT 10위권 진입…매출 1兆 달성 목표"

LB세미콘이 향후 3~4년 뒤 회사의 매출을 1조원까지 성장시키겠다는 목표를 제시했다. 글로벌 OSAT(외주반도체패키징테스트) 10위권에 진입할 수 있는 규모다. 동시에 해외 시장을 중심으로 고객사를 다변화한다는 전략이다. 이를 위해 LB세미콘은 LB루셈과의 합병을 통해 전력반도체 사업을 크게 확대할 계획이며, 메모리 및 플립칩 패키징 등 신규 사업으로의 진출도 준비하고 있다. 김남석 LB세미콘 대표는 26일 서울 양재 모처에서 기자들과 만나 회사의 향후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. ■ "DDI 의존 탈피…매출 1조원 및 해외 매출 비중 40% 달성할 것" LB세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 삼성전자를 비롯한 국내외 고객사로부터 의뢰를 받아 범핑·테스트·백엔드(Back-End) 등의 공정을 수행한다. 주력 사업 분야로는 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등이 있다. 특히 DDI는 LB세미콘의 전체 매출에서 60~70%를 담당할 정도로 비중이 높다. 다만 DDI 시장은 스마트폰 및 PC 시장의 부진으로 최근 수요가 감소하는 추세다. 이에 LB세미콘은 중장기적 관점에서 회사의 신(新)성장 동력을 확보하기 위한 준비에 나섰다. ▲ AI·자동차 등 고전력 산업에 필요한 전력반도체 패키징 ▲ D램 등 메모리용 범핑 ▲ 플립칩 패키징 등이 핵심으로 꼽힌다. 김 대표는 "패키징 사업 분야 확대와 신사업 추진 등으로 오는 2027~2028년 매출 1조원과 글로벌 OSAT 기업 순위 10위권에 진입하는 것이 목표"라며 "해외 고객사 영업도 적극적으로 진행하고 있어, 해외 매출 비중이 기존 10%에서 40% 수준으로 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다"고 강조했다. 그는 이어 "구체적인 고객사를 밝힐 수는 없으나, 해외 주요 고객사 몇 곳과 내년도부터 사업을 시작한다"며 "새해에는 소규모지만 내후년부터 사업이 굉장히 커질 것"이라고 덧붙였다. ■ LB루셈과 합병해 전력반도체 시장 공략…日 고객사 공급 유력 먼저 전력반도체 패키징은 자회사 LB루셈과의 합병으로 주요 고객사에 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 제공할 계획이다. 앞서 LB세미콘은 지난 10월 사업 간 시너지 효과 도모, 재무 건전성 강화 등을 목적으로 LB루셈을 흡수합병하겠다고 밝힌 바 있다. LB루셈은 전력반도체 공정을 위한 ENIG(무전해 도금) 공정 설치와 타이코(TAIKO) 그라인딩 공정에 투자해 왔다. 타이코 그라인딩은 일본 디스코사가 개발한 기술로, 웨이퍼의 가장자리를 남기고 연삭해 웨이퍼의 강도를 높인다. 이를 기반으로 LB세미콘은 BGBM(Back Grinding Back Metal)·RDL(재배선)·ENIG·타이코 그라인딩·MOSFET 웨이퍼 테스트에 이르는 전력반도체용 턴키 공정을 구축해, 해외 고객사와 테스트를 진행하기로 협의했다. BGBM은 실리콘 웨이퍼를 얇게 연삭한 뒤, 후면에 전기회로 역할을 하는 금속을 증착해주는 공정이다. LB루셈의 BGBM은 웨이퍼를 30마이크로미터(um), 도금을 50마이크로미터 수준으로 매우 얇게 구현할 수 있다. SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 시장도 공략한다. 이달 국내 파운드리 기업 DB하이텍과 협력해, 이들 반도체를 위한 패키징 및 테스트 서비스를 제공하기로 했다. 김 대표는 "LB루셈과의 합병으로 전력반도체용 패키징 솔루션을 턴키로 고객사에 제공할 수 있게 됐는데, 현재 상용화와 관련해 굉장히 빠른 진전을 이루고 있다"며 "내후년 일본 주요 고객사로부터 양산이 시작될 것이고, 국내 기업들과도 협력해 공급량을 확대하도록 할 것"이라고 설명했다. ■ 메모리·플립칩 시장 진출 기대…"역량 충분" 향후 메모리 시장으로의 진출도 기대된다. 현재 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 AI 산업의 성장에 맞춰 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 이를 위해 기존 범용 D램용 설비를 HBM에 할당하는 추세다. 이 경우 범용 D램의 패키징 공정은 외부에 맡기게 될 가능성이 크다. LB세미콘은 이러한 전망 하에 삼성전자·SK하이닉스로부터 DDR 및 GDDR(그래픽 D램) 모듈용 범프 공정을 수주하기 위한 논의를 진행 중이다. 플립칩 시장 진출은 국내 또 다른 OSAT인 하나마이크론과의 협력을 통해 추진하고 있다. 플립칩은 칩 위에 범프를 형성한 뒤 뒤집어 기판과 연결하는 패키징 기술로, 기존 와이어 본딩 대비 전기적 특성이 우수하다. 김 대표는 "국내 메모리 입장에서는 HBM 인프라를 효율적으로 늘리려면 기존 D램을 외주로 돌릴 수 밖에 없어, 윈-윈 효과를 기대하고 시장을 모니터링 중"이라며 "플립칩 패키징을 위한 범프 인프라를 충분히 갖춘 기업도 현재로선 국내에 LB세미콘 말고는 없다"고 밝혔다. 한편 LB세미콘은 기존 및 신사업 확대에 적기 대응하기 위한 설비투자도 준비하고 있다. 올해 평택 소재 일진디스플레이 공장을 인수해, 현재 라인 구축을 위한 설계를 진행하고 있다.

2024.12.26 16:28장경윤

브로드컴 "2020년대 말까지 AI 투자 열풍 이어진다"

미국 반도체 기업 브로드컴이 대형 기술 기업(빅테크)의 인공지능(AI) 투자 열풍이 2020년대 말까지 이어질 것으로 내다봤다. 브로드컴은 엔비디아와 더불어 AI 반도체를 개발한다. 혹 탄 브로드컴 사장은 20일(현지시간) 영국 경제일간지 파이낸셜타임스(FT)와의 인터뷰에서 “미국 실리콘밸리 고객들이 3~5년에 걸친 AI 투자 계획을 매우 서둘러 세우고 있다”며 이같이 말했다. 그는 “빅테크들은 온 힘을 다해 AI에 투자하고 있다”며 “돈이 바닥나거나 주주가 반대해야 투자를 멈출 것”이라고 분석했다. 브로드컴의 AI 칩 사업에 대한 투자자 관심이 커지면서 회사 가치는 지난주 처음으로 1조 달러(약 1천400조원)를 넘어섰다. 탄 사장은 회계연도 4분기(8∼10월) 실적을 지난주 발표한 뒤 열린 투자자와의 전화회의(컨퍼런스콜)에서 “2027년까지 AI 칩으로 해마다 수천억 달러의 추가 수익을 낼 수 있다”고 설명했다. 또 “대형 정보기술(IT) 업체 3곳과 AI 칩을 개발하고 있다”며 “이들 회사는 2027년까지 맞춤형 AI 칩을 100만개씩 데이터센터에 이용할 것”이라고 언급했다. 브로드컴이 고객사 이름을 공개하지 않았지만, 업계는 미국 알파벳(구글 모회사)·메타플랫폼(옛 페이스북)과 중국 동영상 공유 플랫폼 '틱톡' 모회사 바이트댄스로 추정한다. 탄 사장은 “빅테크는 세상이 본 적 없을 만큼 AI를 많이 훈련해야 한다”며 “굉장히 많은 반도체가 필요하고, 그곳이 바로 브로드컴이 있을 자리”라고 강조했다. 브로드컴 시가총액이 1조 달러를 돌파한 데 대해서는 “새롭지 않다”고 했다.

2024.12.21 12:00유혜진

삼성전자 메모리사업부 성과급 200% '역대 최대'

삼성전자가 메모리사업부 직원들에게 하반기 성과급으로 월 기본급의 200%를 성과급으로 지급하기로 결정했다. 이는 기존 제도상 최대한도인 100%를 크게 웃도는 수준으로 직원들에게 사기 진작 차원에서 예외 규정을 적용한 것으로 보인다. 삼성전자는 20일 사내 게시판을 통해 하반기 사업부별 '목표달성 장려금'(TAI) 지급 계획을 공지했다. TAI는 삼성의 성과급 제도 중 하나로 매년 상·하반기 한차례씩 실적을 고려해 월 기본급의 최대 100%까지 지급한다. DS(디바이스솔루션) 부문에서 메모리사업부는 최대 지급률의 2배인 200%를 받게 되며, 반도체 창립 50주년을 기념해 200만원의 특별 지원금도 추가된다. 같은 반도체 부문인 파운드리사업부와 시스템LSI사업부는 각각 기본급의 25%를 받는다. DX(디바이스경험) 부문의 경우 사업부별로 차등 지급된다. TV·모바일·의료기기·전장사업부가 75%로 가장 높고, 생활가전사업부 37.5%, 네트워크사업부가 25%다. 스마트폰을 담당하는 MX사업부는 올해 갤럭시 스마트폰의 판매 호조로 비교적 높은 성과급이 책정된 것으로 분석된다. 업계 관계자는 "DS부문 직원들의 사기 진작을 위해 파격적인 성과급을 결정한 것으로 보인다"고 설명했다. 이전에 삼성전자 DS 부문은 실적 호조로 2025년부터 2021년 상반기까지 TAI 100%를 받아왔다. 그러나 2022년 말부터 글로벌 경기침체로 인한 반도체 수요 부진으로 2022년 하반기 TAI 50%로 반토막이 났으며, 지난해 하반기에는 메모리반도체 12.5%, 파운드리·시스템LSI 0% 등으로 책정되며 업계 불황을 실감케 했다. 이는 TAI 제도 시행 후 8년 만에 역대 최저였다. 올해 상반기에는 ▲메모리 사업부 75% ▲ 파운드리 사업부 37.5% ▲ 시스템LSI 37.5% ▲ 반도체연구소 50% 등으로 책정된 바 있다.

2024.12.20 11:30이나리

美 정부 "SK하이닉스, 세계 최고 HBM 생산 업체"

미국 정부가 SK하이닉스를 세계 최고의 고대역폭메모리(HBM) 생산 업체라고 극찬했다. 외신도 SK하이닉스가 경쟁사를 앞지른다고 치켜세웠다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 차세대 AI 메모리 제품이다. 조 바이든 미국 행정부는 19일(현지시간) SK하이닉스에 4억5천800만 달러(약 6천600억원)의 보조금과 5억 달러 대출금을 제공하기로 확정 계약했다. SK하이닉스는 지난 4월 미국 인디애나주에 38억7천만 달러(약 5조6천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징(advanced packaging) 생산 기지와 연구개발(R&D) 시설을 짓겠다고 발표한 바 있다. 지나 라이몬도 미국 상무부 장관은 “SK하이닉스는 세계적인 고대역폭메모리 칩 생산 업체”라며 “SK하이닉스 덕분에 미국은 지구의 어떤 나라도 따라올 수 없는 방식으로 AI 하드웨어 공급망을 강화할 것”이라고 말했다. 그러면서 “SK하이닉스가 새로 짓는 공장에서만 일자리가 1천개, 건설 일자리도 수백개 생긴다”며 “SK하이닉스의 투자는 미국 경제와 안보를 발전시키는 데 중요한 역할을 한다”고 기대했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 “미국 정부 등과 힘을 모아 미국에서 강력한 AI 반도체 공급망을 구축하겠다”고 말했다고 상무부는 전했다. 미국 블룸버그통신은 “SK하이닉스는 인공지능 소프트웨어를 만드는 컴퓨터에 필수인 HBM 칩을 생산하는 업체”라며 “경쟁사 삼성전자를 앞질러 새로운 칩을 출시해 엔비디아의 주요 공급 업체가 됐다”고 소개했다. 이어 “SK하이닉스는 여전히 아시아에서 칩을 만든다”면서도 “칩을 장치에 연결하기 위해 감싸는 패키징 공정이라도 미국으로 확장해 입지를 다각화하려는 욕구를 나타냈다”고 평가했다. 영국 로이터통신은 “상무부는 세계 5대 반도체 제조 업체에 대규모 보조금을 주기로 했다”며 “미국 인텔과 마이크론, 대만 TSMC, SK하이닉스는 확정했지만 삼성전자만 확약하지 못했다”고 지적했다. 삼성전자는 지난 4월 상무부로부터 64억 달러(약 8조9천억원)의 보조금을 받기로 예비 계약했다. 삼성전자는 미국 텍사스주에 반도체 위탁생산(파운드리) 공장 2개와 첨단 패키징 공장, R&D 시설을 짓기로 했다. 바이든 행정부에서 제정된 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러(약 73조원)를 지원하는 내용을 담았다.

2024.12.20 10:39유혜진

中, 첨단 D램 DDR5 온라인 출시...양산 성공?

중국이 첨단 D램으로 분류되는 더블데이터레이트(DDR)5를 국산화한 것으로 알려져 주목된다. 중국 최대 메모리 반도체 회사 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발한 것으로 보인다. DDR은 정보를 읽고 쓰는 데 특화된 고사양 D램이다. 뒤에 붙는 숫자가 클수록 정보를 빠르게 처리한다. DDR5는 이전 세대 DDR4보다 정보 처리 속도가 2배 빠르다. 18일(현지시간) 중국 정보통신 매체 IT홈에 따르면 중국 저장장치 업체 킹뱅크와 글로웨이는 전날 32기가바이트(㎇) 용량 DDR5를 내놨다. 16㎇ 2개가 한 묶음이다. 예약 구매 가격은 499위안(약 9만9천원)이다. 이들 업체는 메모리 반도체 회사로부터 D램을 사서 컴퓨터(PC)나 서버에 꽂을 수 있게 조립해 판다. 이들 업체는 '중국산 DDR5 칩'이라고 제품을 소개했다. 상품 설명서에는 창신메모리가 칩을 만들었다고 쓰였다. IT홈은 중국 기술 경쟁력이 또 한 번 도약했다고 강조했다. 이 제품 성능이 아직 강력하지 않더라도 중국산 첨단 D램이 나왔다는 사실 자체가 중국 반도체 기술이 역사적으로 전진했다는 뜻이라고 평가했다. DDR5는 2020년 SK하이닉스가 세계에서 처음으로 출시했다. 삼성전자는 2021년 처음 들고 나왔다. 중국이 3~4년 만에 따라온 셈이다.

2024.12.19 15:24유혜진

마이크론, 내년 '메모리 부진' 전망…삼성·SK도 악영향 불가피

미국 메모리 제조업체 마이크론이 다음 분기 실적에 대한 눈높이를 크게 낮췄다. AI를 제외한 IT 수요가 전반적으로 부진한 탓으로, 특히 낸드의 출하량 감소가 예상된다. 내년도 설비투자 역시 보수적으로 집행할 계획이다. 19일 마이크론은 회계연도 2025년 1분기(2024년 9월~11월) 매출액이 87억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 매출액은 전년동기 대비 84%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 마이크론이 전분기에 제시했던 전망치 및 증권가 컨센서스에 부합한다. 주당순이익은 1.79달러로 이 역시 당초 전망과 대체로 일치한다. 제품별 매출 비중은 D램이 64억 달러, 낸드가 22억 달러 수준이다. D램의 경우 ASP(평균판매가격)이 한 자릿수 후반 상승했으나, 낸드의 경우 한 자릿수 초반대로 하락했다. 다만 마이크론은 다음 분기(2024년 12월~2025년 2월) 매출액이 77억~81억 달러로 전분기 크게 감소할 것으로 내다봤다. 해당 전망치는 증권가 컨센서스인 89억9천만 달러에 크게 못 미친다. 주당순이익 전망치도 1.33~1.53달러로 증권가 컨센서스(1.92 달러)를 하회했다. 마이크론이 내년 초 실적 눈높이를 낮춘 이유는 수요 부진에 있다. 마이크론은 이번 실적발표에서 데이터센터용 D램 및 낸드 수요는 계속 성장할 것으로 예상했으나, PC나 오토모티브 등 일부 산업의 수요는 비교적 낮을 것으로 진단했다. 특히 낸드 사업이 약세를 나타낼 것으로 보인다. 마이크론은 회계연도 2025년 낸드의 빗그로스(용량 증가율)를 기존 10% 중반 상승에서 10% 초반 상승으로 하향 조정했다. 소비자용 SSD의 지속적인 재고 조정을 주 요인으로 꼽았다. 이에 따라 설비투자 기조도 최선단 D램에 대한 전환 투자, HBM(고대역폭메모리) 등에 집중될 예정이다. 회계연도 2025년도 총 투자 규모는 135억~145억 달러로 상정했다. 마이크론은 "낸드 설비 투자를 줄이고, 낸드의 공정 전환 속도를 신중하게 관리하고 있다"며 "장기적으로 D램 및 HBM 수요 성장을 지원할 수 있는 투자에 우선순위를 둘 것"이라고 밝혔다.

2024.12.19 09:47장경윤

日 반도체 키옥시아, 상장 첫날 10% 상승

일본 메모리 반도체 기업 키옥시아홀딩스(옛 도시바 메모리)가 증시에 상장된 첫날 10% 넘게 올랐다. 18일(현지시간) 일본 도쿄증권거래소에서 키옥시아는 공모가(1천455엔)보다 146엔(10.03%) 오른 1천601엔으로 장을 마쳤다. 키옥시아는 초과 배정 옵션을 행사해 기업공개(IPO)로 1천200억엔(약 1조1천억원)을 조달했다고 미국 경제방송 CNBC는 전했다. 일본 금융투자업계는 키옥시아 주가가 무섭게 떨어질 수 있다고 봤다. 미쓰비시UFJ자산운용은 메모리 반도체 전망이 좋지 않다며 비싼 주가에 매달릴 이유가 없다고 지적했다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각됐다. 베인캐피털을 비롯한 한·미·일 연합이 키옥시아 지분을 56%, 도시바가 41% 들고 있었다. SK하이닉스는 이 연합에 약 4조원을 투자했다. 키옥시아가 상장하면서 한·미·일 연합의 지분은 51%로, 도시바 지분은 32%로 줄었다.

2024.12.18 17:16유혜진

日 반도체 키옥시아, 18일 도쿄증시 상장...시장 반응 주목

일본 메모리 반도체 기업 키옥시아홀딩스(옛 도시바 메모리)가 18일(현지시간) 일본 도쿄증권거래소에 상장한다. 하지만 시장 반응이 차가울 수 있다는 의견이 나온다. 미국 블룸버그통신은 17일 키옥시아가 기업 가치 52억 달러(약 7조5천억원)를 인정받았다고 보도했다. 이는 미국 사모펀드(PEF) 운용사 베인캐피털이 이끄는 한·미·일 연합이 2018년 투자한 180억 달러의 일부에 불과하다는 지적이다. 블룸버그는 키옥시아가 주식시장에서 냉정한 반응을 받을 수 있다고 내다봤다. 도널드 트럼프 미국 대통령 당선인이 중국 반도체 시장을 공격해 투자자가 일본 반도체 주식을 사길 꺼리기 때문이라는 분석이다. 블룸버그는 중국 반도체 시장은 일본 칩 회사가 가장 많이 찾는 시장이라고 꼽았다. 키옥시아는 2018년 일본 도시바로부터 분리 매각됐다. 베인캐피털을 비롯한 한·미·일 연합이 키옥시아 지분을 56%, 도시바가 41% 들고 있다. SK하이닉스는 이 연합에 약 4조원을 투자했다.

2024.12.17 17:01유혜진

"올해 반도체 시장 규모 900조원…메모리가 동력"

올해 전 세계 반도체 시장이 아시아 시장을 중심으로 견조한 성장세를 보일 것이라는 분석이 나왔다. 삼정KPMG는 '반도체 산업 6대 이슈 및 대응 방안' 보고서를 통해 올해 전 세계 반도체 시장이 전년 대비 19% 성장한 6천269억 달러(한화 약 900조원)에 이를 것이라고 17일 밝혔다. 보고서에 따르면 지난해 하락세를 보였던 미주와 아시아·태평양 지역의 반도체 시장이 올해부터 급격히 성장세로 전환될 것으로 예상되며, 특히 메모리 반도체가 시장 성장을 견인하는 주요 동력으로 작용하고 있다. 올해 메모리 반도체는 전년 대비 81%의 높은 성장률을 기록하며 반도체 시장의 성장을 이끌고 있으며, 내년에는 반도체 시장에서도 IC(집적회로) 중심의 확장세가 두드러질 전망이다. 한국 반도체 시장 상황 또한 긍정적이다. 지난해 한국 반도체 수출이 글로벌 공급망 불안과 최대 수출국인 중국의 경기 둔화로 인해 전년 대비 감소했지만, 올해 상반기에는 수출이 전년 동기 대비 52.2% 증가하며 반등에 성공했다. 특히 메모리 반도체 수출은 같은 기간 78.9%의 성장세를 보이며, AI(인공지능) 반도체와 같은 신성장동력을 중심으로 국내 반도체 산업의 회복이 이뤄지고 있는 것으로 분석됐다. 삼성KPMG는 보고서를 통해 "반도체 산업의 6대 주요 이슈를 제시하며, AI, 전력 반도체, 첨단 패키징 기술 등의 혁신 요소가 산업 성장을 주도할 것"이라고 밝혔다. 먼저 AI 시대 고성능 반도체의 필요성이 더욱 강조되면서, AI 반도체가 핵심 기술로 주목받고 있다. 챗GPT와 같은 생성형 AI를 운용하기 위해 대규모 데이터 처리 역량이 필수적이며, 병렬형 구조로 더 많은 데이터를 효율적으로 처리하는 GPU 기반 AI 반도체와 HBM(고대역폭메모리) 기술이 주목받고 있다. 특히 HBM은 적층 기술을 활용하여 메모리 반도체 분야에서 핵심 기술로 자리 잡았으며, 국내 메모리 반도체 기업들은 AI 가속기(AI Accelerator)와 결합된 HBM 제품 개발에 집중하고 있다. 데이터센터와 전기차 등 고전력 소비시설의 증가로 인해 전력 반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. 전력 반도체는 전력 흐름을 효율적으로 관리하며, 에너지 소비를 최적화하는 데 핵심적인 역할을 한다. 기존 실리콘(Si) 소재에서 SiC(실리콘 카바이드)와 GaN(질화갈륨)으로의 전환이 가속화되고 있으며, 이러한 소재 혁신은 전력 손실을 줄이고 고전력 처리 성능을 높이는 데 기여하고 있다. 반도체의 고성능화와 소형화에 대한 수요가 증가하면서 첨단 패키징 기술이 필수적인 요소로 자리 잡았다. 과거와 같이 적층 기술을 통해 생산성 향상을 지속 추구하는 동시에, 현재 각 산업의 요구에 맞춘 맞춤형 패키징 기술을 더해 경쟁력을 확보하고 있다. 효율적인 열 관리와 생산 비용 절감이 중요한 과제로 떠오르며, 기업들은 첨단 패키징 기술 개발에 대규모 투자를 진행 중이다. AI와 고성능 컴퓨팅 애플리케이션 수요가 증가하면서 팹리스(Fabless) 시장도 급격히 변화하고 있다. 국내외 AI 반도체 특화 팹리스 스타트업에 대한 투자가 지속적으로 확대되고 있으며, 빅테크 기업 등 비(非)반도체 기업의 반도체 시장 진출도 가속화되고 있다. 이러한 변화로 반도체 전문 인력 확보 경쟁이 심화되며, 효과적인 인재 유치와 육성을 위한 기업의 전략이 강화되고 있다. 미중 갈등 심화와 보호무역주의 강화로 인해 글로벌 반도체 공급망의 불확실성이 확대되고 있다. 특히 고강도 보호무역주의를 예고한 미국 트럼프 대통령의 재선으로, AI 등 첨단 기술의 핵심인 반도체를 둘러싼 미국의 자국 중심 정책 강화 및 대중국 반도체 규제 범위 및 수준이 확대될 것으로 예상된다. 미국의 대중 규제 동참 압박 등으로 국내 반도체 전후방 산업에 걸쳐 일부 시장 기회 축소 및 불확실성 확대가 우려되나, 새로운 공급망 형성과 시장 재편 과정에서 반사이익을 얻을 가능성 또한 기대된다. 글로벌 반도체 시장에서는 AI 시대의 데이터 수요 증가에 대응하기 위해 AI 반도체, 전력 반도체, 첨단 패키징 분야에서 대규모 M&A(인수∙합병)이 활발히 진행되고 있다. 국내에서도 AI 반도체 스타트업 딥엑스, 퓨리오사AI, 모빌린트 등이 주목받고 있으며, 차세대 메모리 기술인 CXL(Compute Express Link) 전문 IP(지식재산권) 스타트업 파네시아도 국내외 투자를 유치하며 성장하고 있다. 이는 반도체 후공정 밸류체인 강화와 산업 경쟁력 제고로 이어질 전망이다. 염승훈 삼정KPMG 테크놀로지 산업리더 겸 부대표는 "다양한 산업 내 AI 기술의 적용이 본격화되며, 확대되고 있는 첨단 반도체 수요에 빠르게 대응하기 위해 기업 간 파트너십 및 투자 활용 전략을 적극 검토해야 한다”며 “첨단 반도체 기술 역량 강화 및 반도체 전 밸류체인에 걸친 글로벌 경쟁력 강화를 위한 중·장기적인 스케일의 투자 지원책이 마련돼야 한다”고 강조했다.

2024.12.17 13:45장경윤

삼성·SK, 연말 메모리 부진 불안감...마이크론 실적에 '눈길'

미국 주요 메모리 기업 마이크론의 실적 발표가 임박했다. 최근 메모리 시장이 레거시 제품을 중심으로 공급 과잉 우려가 심화된 가운데, 마이크론이 어떠한 전망을 내놓을 지 업계의 귀추가 주목된다. 미국 마이크론은 오는 19일 회계연도 2025년 1분기(2024년 9~11월) 실적발표를 진행할 예정이다. 앞서 마이크론은 지난 6~8월 77억 5천만 달러의 매출로 '어닝 서프라이즈'를 기록한 바 있다. 전분기 대비 14%, 전년동기 대비 93% 증가한 수치다. 마이크론은 이번 분기에도 HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 제품의 영향으로 매출 성장세가 이어질 것으로 예상하고 있다. 회사가 제시한 이번 분기 매출 전망치 중간값은 87억 달러로, 전년동기 대비 84% 높다. 마이크론은 전분기 실적발표 당시 "회계연도 기준 HBM 시장은 2023년 40억 달러에서 2025년 250억 달러로 성장할 것"이라며 "HBM 비중 증가와 차세대 낸드 공정 전환 등으로 내년 메모리 업계의 공급 수요 균형은 건전할 것"이라고 밝혔다. 다만 최근 반도체 업계에서는 메모리 시장에 대한 불확실성이 더욱 커졌다는 우려를 제기하고 있다. 인공지능(AI)을 제외한 범용 메모리의 수요 부진이 지속되고 있고, CXMT·YMTC 등 중국 후발주자들이 생산량을 공격적으로 확대하고 있기 때문이다. 실제로 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 제품의 고정거래가격은 지난 9월 말 전월 대비 17.07% 하락한 데 이어, 지난달 말에도 20.59% 하락한 바 있다. 낸드 가격 역시 9월부터 3개월 연속 두 자릿수로 하락했다. 이러한 상황에서 마이크론의 이번 실적 발표 및 전망은 국내 메모리 업계의 향후 실적을 가늠하는 주요 지표로 활용될 전망이다. 현재 증권가에서는 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 메모리 기업의 목표 주가를 하향 조정하는 추세다. NH투자증권은 삼성전자의 목표 주가를 기존 9만 원에서 7만5천원으로 16.67% 하향했다. 예상보다 가파르게 하락하는 레거시 반도체 가격과 중국 메모리 기업의 추격, HBM 비중 등을 반영했다. JP모건은 최근 삼성전자의 목표주가를 8만3천원에서 6만원으로 낮췄다. 투자 의견도 '중립'으로 하향했다. SK하이닉스에 대한 목표주가도 26만 원에서 21만 원으로 낮췄다.

2024.12.15 06:58장경윤

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

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