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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (351건)

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SK하이닉스, 임금협상 타결…매년 영업익 10% 성과급 지급

SK하이닉스는 임금인상률 6%와 새로운 PS(성과급) 기준을 담은 임금 교섭 잠정 합의안이 노동조합 대의원 투표를 통해 타결됐다고 4일 밝혔다. 이로써 SK하이닉스는 지난 5월부터 진행된 임금 교섭을 마무리 했다. 이날 투표는 95.4%의 역대 최고 찬성률로 통과됐다. 이번에 타결된 합의안은 매년 영업이익의 10%를 성과급으로 지급하되, 개인별 성과급 산정 금액의 80%는 당해년도 지급, 나머지 20%는 2년에 걸쳐 매년 10%씩 지급하는 방식을 골자로 한다. 특히 10년간 기준을 유지하기로 정한 새로운 성과급 기준의 의미를 살펴보면, 회사의 경영 성과와 개인의 보상 간 직접적 연계를 명확하고 투명한 기준으로 정립함으로써 시스템 경영을 통한 보상의 내적 동기부여를 극대화했다. 또한 성과급의 일부는 2년에 걸쳐 이연 지급해 회사의 재무건전성과 보상 안정성을 동시에 추구하는 윈-윈(Win-Win) 효과를 얻게 됐고, 이는 회사와 구성원 모두가 장기적 성장 관점에서 접근한 사례다. 10년간 기준을 유지한다는 원칙으로 제도의 장기적인 지속가능성과 회사와 구성원 간 신뢰도 확보했다. 이를 통해 매년 반복되는 논란을 원천적으로 제거하고 구성원이 일에 몰입할 수 있는 환경을 조성할 수 있게 됐다. 이번 합의는 내부적으로 회사 성과의 파이(규모)를 키우자는 동기 부여 효과와 더불어 고성과자에 대한 보상 확대 등 성과주의에 기반한 보상 체제를 강화해, 우리 사회의 의대 선호 현상을 전환시키며 국내외 이공계 우수 인재를 확보, 유지하는 계기를 마련했다는 평가가 나오고 있다. SK의 성과에 대한 보상 철학은 성과급 수준 자체에 집중하거나 회사가 일방적으로 결정해서 지급하는 것이 아닌, 기준에 합의해 함께 파이를 키워서 공유하는 것이라는 의미로 해석된다. 한편 SK하이닉스 노사는 5일 임금협상 조인식을 진행할 예정이다.

2025.09.04 10:11장경윤

오픈엣지, NoC IP로 자동차 기능안전 표준 인증 획득

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문기업 오픈엣지테크놀로지는 자사의 Network-on-Chip(NoC) IP가 자동차 기능 안전 글로벌 표준인 ISO 26262 ASIL-B 등급 인증을 획득했다고 3일 밝혔다. 이번 성과는 지난해 메모리 컨트롤러와 DDR PHY IP에 이어 추가로 확보한 것으로, 국내 반도체 IP 전문기업 최초로 주요 차량용 메모리 서브시스템 IP 전반에 걸쳐 ISO 26262 인증을 완성하게 됐다. 인증은 글로벌 인증기관 DNV의 공인 평가를 통해 이루어졌으며, 이를 통해 오픈엣지의 NoC IP가 차량 내 복잡한 데이터 흐름과 연산을 안전하게 처리할 수 있음을 입증했다. 특히 NoC IP는 차량용 반도체의 인포테인먼트, 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 자율주행 등에서 고속·대용량 데이터 전송을 관리하는 핵심 인프라다. 이번 인증은 오픈엣지가 글로벌 자동차 산업에서 요구하는 최고 수준의 안전 기준을 충족했음을 보여준다. 이성현 오픈엣지 대표는 “이번 NoC IP ISO 26262 ASIL-B 인증은 오픈엣지가 글로벌 차량용 반도체 설계 시장에서 요구되는 최고 수준의 안전성과 신뢰성을 갖춘 IP 포트폴리오를 보유했음을 공식적으로 입증한 성과”라며 “앞으로도 혁신적이고 신뢰도 높은 반도체 IP 솔루션을 지속적으로 제공해 글로벌 차량용 반도체 시장에서의 경쟁력과 입지를 한층 강화해 나가겠다”고 말했다. 오픈엣지는 이번 인증을 통해 메모리 서브시스템 전반에 걸친 안전 인증 IP 포트폴리오를 확보하게 되었으며, 이를 기반으로 글로벌 팹리스 기업들의 증가하는 차량용 반도체 IP 수요에 적극 대응할 계획이다. 한편 오픈엣지는 향후 칩렛 인터페이스 IP(UCIe Controller 및 PHY)까지 ISO 26262 인증 범위를 확대해, 보다 강화된 차량용 IP 솔루션을 제공할 방침이다.

2025.09.03 09:58장경윤

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

美, 삼성·SK 中 반도체 투자 규제…"장비 개별 허가 받아라"

내년부터 삼성전자·SK하이닉스의 중국 첨단 메모리 전환투자에 극심한 제약이 생길 전망이다. 미국 도널드 트럼프 2기 행정부가 그간 중국향 설비 도입에 적용됐던 간소화 절차를 폐지하겠다고 밝혔기 때문이다. 29일(현지시간) 미국 상무부는 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에서 삼성전자, SK하이닉스, 인텔의 중국 내 반도체 사업체를 제외하겠다고 관보를 통해 밝혔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 현재 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다. 미국 상무부는 VEU가 철회되는 시점을 9월 2일로부터 120일 후라고 밝혔다. 이에 따라 해당 기업들은 내년 1월부터 미국산 장비를 반입할 때마다 미국 정부의 개별 허가를 받아야 할 것으로 전망된다. 이번 조치는 삼성전자, SK하이닉스의 첨단 메모리 생산능력 확대에 악재로 작용한다. 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등 미국 주요 반도체 장비기업들의 중국 사업 역시 위축될 가능성이 크다.

2025.08.30 10:42장경윤

SSD-프로세서 직결 난항…HBF가 돌파구 될까

“SSD(솔리드스테이트드라이브)를 프로세서에 직접 연결하는 기술은 오랜 시간 꾸준히 연구됐습니다. 그러나 실제 적용에는 다소 난항을 겪는 상황입니다.” 26일 한 반도체 업계 관계자는 현재 SSD 연결 기술에 대해 이 같이 평했다. CPU, GPU 등 프로세서와 SSD를 직접 연결하기 어렵다는 것이다. 이 같은 상황이 발생한 가장 큰 이유는 메모리와 스토리지의 역할 차이에서 기인한다. CPU 등 프로세서는 연산을 하기 위해 매우 빠른 데이터 접근이 필요하다. 그래서 접근 속도가 빠른 D램과 직접 연결돼 동작한다. 반면 SSD는 저장장치라서 접근 속도가 D램 대비 다소 느리다. CPU가 SSD를 주 메모리처럼 쓰면 연산 속도가 크게 떨어질 수 밖에 없다. 그럼에도 불구하고 SSD와 프로세서를 직접 연결하려는 이유는 데이터 이동 비용을 절감하기 위해서다. 현재 반도체 구조에서 프로세서가 SSD 데이터를 사용하려면 SSD-낸드플래시 컨트롤러-D램-프로세서 단계를 거쳐야 한다. 반도체가 데이터 이동에서 발열이 발생한다는 점을 고려하면, 에너지 낭비가 심한 셈이다. 대규모 데이터센터에서는 비용 문제와도 직결된다. 이에 글로벌 반도체 기업들은 프로세서와 SSD를 직접 연결하기 위한 연구를 진행 중이다. 대표적인 기업이 엔비디아다. 엔비디아는 IBM, 여러 대학들과 손을 잡고 GPU를 위한 대용량 가속기 메모리 기술 BaM(Big Accelerator Memory)을 개발하기도 했다. BaM은 차세대 전송 프로토콜 NVMe(비휘발성 기억장치 익스프레스)를 통해 SSD와 GPU를 직접 연결하는 기술이다. HBF, SSD 연결 판도 바꿀 게임체인저될까 업계에서는 HBF(High Bandwidth Flash)가 SSD와 프로세서간 연결을 바꿀 게임체인저로 보고 있다. HBF는 D램과 유사한 방식으로 프로세서에 더 가까이 배치된 플래시 메모리다. HBM(고대역폭메모리)이 D램을 적층한 제품이라면, HBF는 플래시를 쌓아 올린 메모리다. 두 제품 모두 메모리 적층을 통해 대역폭을 대폭 넓혔다는 공통점을 갖고 있다. HBF가 HBM처럼 정보 처리를 빠른 속도로 할 수 있는 것이다. SSD와 프로세서 연결간 문제로 지적되던 속도 문제를 해결한 셈이다. 다만, 아직 넘어야할 장애물이 존재한다. HBF를 구현하기 위한 일종의 인프라 구축이 어렵다는 의견이다. HBF를 오가는 블록 스토리지(일종의 데이터 묶음)의 단위가 크기 때문이다. 정명수 카이스트 교수는 “블록 스토리지가 커서 I/O 그래뉴얼리티(한 번의 입출력으로 접근하거나 전송할 수 있는 데이터 블록의 최소 단위)가 기존과 다르다”며 “큰 정보량을 한 번에 움직일 수 있을만한 소프트웨어 등 인프라가 필요하다”고 말했다.

2025.08.26 16:25전화평

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

SK하이닉스, 321단 QLC 낸드 양산 돌입…"내년 상반기 본격 출시"

SK하이닉스는 321단 2Tb(테라비트) QLC 낸드 플래시 제품의 개발을 완료하고 양산에 돌입한다고 25일 밝혔다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 규격이 나뉜다. QLC는 4개의 정보를 저장하며, 이는 상용화된 낸드 중 가장 많은 데이터를 저장하는 수준이다. SK하이닉스는 "세계 최초로 300단 이상 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "현존하는 낸드 제품 중 최고의 집적도를 가진 이 제품으로 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장을 본격 공략하겠다"고 강조했다. SK하이닉스는 이번 제품의 원가경쟁력 우위를 극대화하기 위해 용량을 기존 제품 대비 2배 늘린 2Tb로 개발했다. 일반적으로 낸드는 용량이 커질수록 하나의 셀에 더 많은 정보를 저장하고, 메모리 관리가 복잡해져 데이터 처리 속도가 느려지는 문제가 발생한다. 회사는 대용량화로 인한 성능 저하를 해결하기 위해 낸드 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 그룹의 단위인 플레인(Plane)을 4개에서 6개로 늘려 더 많은 병렬 작업이 가능하도록 했다. 플레인은 하나의 칩 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 셀과 주변부 회로를 말한다. 이를 4개에서 6개로 늘려 데이터 처리 성능(Data Bandwidth) 중 하나인 동시 읽기 성능이 개선됐다. 그 결과 이번 제품은 높은 용량과 함께 이전 QLC 제품 대비 크게 향상된 성능을 구현했다. 데이터 전송 속도는 100% 빨라졌고, 쓰기 성능은 최대 56%, 읽기 성능은 18% 개선됐다. 데이터 쓰기 전력 효율도 23% 이상 증가해 저전력이 요구되는 AI 데이터센터 등의 분야에서도 경쟁력을 확보했다. 회사는 우선 PC용 SSD에 321단 낸드를 적용한 후, 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 UFS 제품으로 적용 영역을 확대해 나간다는 전략이다. 더 나아가 낸드 32개를 한번에 적층하는 독자적인 패키지(32 DP) 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 eSSD 시장까지 본격 공략할 방침이다. 정우표 SK하이닉스 부사장(NAND개발 담당)은 "이번 제품 양산 돌입으로 고용량 제품 포트폴리오를 대폭 강화하고 가격 경쟁력까지 확보하게 됐다"며 "폭발적으로 성장하는 AI 수요와 데이터센터 시장의 고성능 요구에 발맞춰 풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로서 더 큰 도약을 이뤄내겠다"고 밝혔다.

2025.08.25 10:41장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

곽노정 사장 "존폐 위기 하이닉스, SK 만나 시총 200조원 달성"

“문 닫기 직전까지 갔던 회사가 SK를 만나면서 세계 최초 HBM 개발, 글로벌 D램 시장 1위, 시총 200조원 달성 등 도약을 이뤄냈다. 이 모든 과정은 SK의 과감한 투자, 미래를 내다보는 안목 덕분이었다.” 곽노정 SK하이닉스 사장은 18일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 '이천포럼 2025' 개회사에서 이같이 밝혔다. 이천포럼은 SK그룹의 대표 변화추진 플랫폼으로, 최태원 SK 회장 등 그룹 주요 경영진 및 구성원들은 오는 20일까지 AI 혁신, 디지털전환(DT), SK고유 경영체계인 SKMS 실천 강화 방안 등을 논의할 예정이다. 곽 사장은 지난 2016년 최태원 SK그룹 회장이 “근본적인 변화가 없으면 갑작스러운 죽음(서든 데스)을 맞을 수 있다”고 경고했던 발언을 언급하며, “지난 몇 년은 이 말씀이 얼마나 중요했는지를 입증하는 시간이었다”고 밝혔다. 곽 사장은 “최근 변화의 중심에는 AI가 불러온 혁신이 있다”며 AI가 불러온 변화는 점진적 혁신을 넘어 기존 산업 틀을 근본적으로 바꾸는 '파괴적 혁신'이라고 강조했다. 또한 "오늘날 AI 시대에 주목받는 기업이 바로 SK하이닉스”라며 “20여 년 전 존폐 위기까지 몰렸던 하이닉스가 SK를 만나 완전히 새롭게 바뀌었다”고 밝혔다. 곽노정 사장은 형광등을 하나씩 빼며 전기를 아껴 경비를 줄이고, 임직원들은 무급휴가를 쓰고 급여를 반납해야 했던 과거를 회상하기도 했다. 그는 “세계 최초 HBM 개발은 SK와 손잡은 이듬해 이뤄낸 성과였다”며 “그 과정은 결코 순탄치 않았지만 포기하지 않았고, SK가 단기 성과에 매몰되지 않고 과감히 미래 투자를 지속했기에 오늘의 HBM 신화가 가능했다”고 강조했다. 지난 2012년 당시 최태원 SK 회장은 경영난에 시달리던 하이닉스를 과감하게 인수하며 오늘날 SK하이닉스를 국내 대표 반도체 기업으로 탈바꿈시키는 데 결정적인 역할을 했다. 최 회장은 회사 인수에 이어 적극적인 자금 투입을 통해 투자 여력을 확보했고 채권단 체제 하에서 여의치 않았던 대규모 장비와 설비 투자를 본격화했다. 미래 기술과 시장 변화를 내다보며 장기적 관점의 혁신에 집중하는 최태원 회장의 선구안과 리더십이 있었기에 오늘의 SK하이닉스가 있다는 것이 재계의 평가다. 경쟁사들이 단기 실적에 집착할 때 SK하이닉스는 AI 등 첨단 반도체 분야, 특히 HBM차세대 메모리 개발에 전략적으로 집중하며 글로벌 AI·첨단 반도체 산업의 선두 주자로 확고히 자리매김했다. 이날 곽 사장은 SK그룹 특유의 '수펙스(SUPEX)' 추구 정신을 강조했다. 그는 “수펙스는 인간의 능력으로 도달할 수 있는 최고 수준을 지향한다는 그 자체의 뜻을 넘어 끊임없는 혁신과 개선을 지속하자는 의미를 갖고 있다”며 수펙스 추구 정신이 오늘날의 SK를 만들고 앞으로의 SK를 만들어 나갈 것임을 강조했다. 곽 사장은 이어 사자성어 '지불시도(智不是道)'를 언급했다. 지불시도는 '아는 것이 다 길이 되는 건 아니다'라는 뜻이다. 그는 “아는 것을 깊이 몸속으로 받아들이고 어떠한 어려움 속에서도 한 걸음 한 걸음 앞으로 나아가려는 자세와 노력이 길을 만드는 것”이라고 덧붙였다. 끝으로 곽 사장은 “AI 시대 변화는 이제 시작이며 엄청난 크기의 변화에 두려움을 느낀다”면서도 “문 닫을 위기를 겪어내면서도 HBM을 만든 SK하이닉스는 결국 어려움을 헤쳐 나가고 문제를 풀어나갈 수 있을 것”이라고 강조하며 개회사를 마무리했다. SK그룹은 AI 시대에 맞춰 발 빠른 행보를 보이며 SK하이닉스에 이어 미래 AI 시대의 또 다른 '전략적 결실'을 맺기 위해 분주하게 노력 중이다. 최태원 회장은 연초 신년사에서 그룹 미래 도약의 원동력으로 'AI'를 꼽으며 “AI 산업의 급성장에 따른 글로벌 산업구조와 시장 재편은 거스를 수 없는 대세이며, AI를 활용해 본원적 사업 역량을 높여야 한다”고 강조했다. SK그룹은 지난 6월 아마존웹서비스(AWS)와 협력을 통해 울산 미포 국가산업단지에 국내 최대 규모 초대형 AI 데이터센터 건립을 발표하고 7조원을 투자하겠다고 밝혔다. AI 데이터센터에는 SK하이닉스 HBM 등 첨단 AI 반도체 기술이 적용되고, SK텔레콤과 SK브로드밴드가 지난 25년간 축적한 데이터센터 사업 역량을 바탕으로 구축 총괄과 운영을 담당할 예정이다. 총 6만장 GPU가 투입되는 이 데이터센터는 2027년 말 1단계 준공(41MW 규모), 2029년 2월 완공(103MW 규모)을 목표로 하고 있으며 향후 1GW급까지 확장해 동북아 최대 AI 허브로 성장시키겠다는 목표이다. 대규모 투자로 향후 30년 간 7만8천명 이상의 고용이 창출되고, 25조원 이상 경제 파급효과가 기대된다.

2025.08.18 10:27장경윤

삼성·SK, 올 상반기 R&D에 '적극 투자'…AI 시대 준비

삼성전자, SK하이닉스가 올 상반기 공격적인 연구개발(R&D) 투자에 나선 것으로 집계됐다. AI 산업 발전에 따라 최첨단 가전·반도체 수요가 급증하고 있는 만큼, 경쟁력을 선제적으로 확보하기 위한 전략으로 풀이된다. 14일 각 사 사업보고서에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 상반기 R&D 비용을 전년동기 대비 크게 늘렸다. 삼성전자는 올 상반기 R&D에 18조641억원을 투자했다. 매출액 대비 11.8%에 해당하는 규모다. 앞서 삼성전자는 지난해 상반기 R&D에 15조8천965억원을 투자한 바 있는데, 이보다 2조원 넘게 투자 규모를 늘린 셈이다. SK하이닉스의 올 상반기 R&D 투자비용은 3조456억원으로 집계됐다. 전년동기(2조3075억원) 대비 7천억원 가량 증가했다. 이처럼 국내 주요 IT기업들은 차세대 제품 개발 및 선도 기술 확보를 위한 공격적인 투자를 이어가고 있다. 삼성전자의 경우, 주요 사업인 스마트폰에서 초슬림·초경량 디자인의 '갤럭시S25 엣지' 제품을 출시한 바 있다. 또한 모니터, 사이니지, 프로젝터 등 신규 가전제품 라인업을 확대했다. 반도체 사업부문에서는 지난 6월 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 준비를 마쳤다. 해당 제품은 이전 세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 저전력 특성이 10%가량 개선됐다. 삼성전자는 이를 HBM(고대역폭메모리)에 적용해 AI 시장에 대응할 예정이다. SK하이닉스도 올 2분기 1c 공정 기반의 LPDDR5X(저전력 D램) 개발에 성공했다. 향후 AI 서버 및 PC 시장을 위한 차세대 메모리 모듈에 적용될 계획이다.

2025.08.14 18:13장경윤

트럼프 "수입 반도체에 100% 관세"…삼성·SK 악영향 우려

미국이 수입 반도체에 대해 100%에 달하는 막대한 관세 부과를 예고했다. 구체적인 시기나 세부 조건 등은 밝혀지지 않았으나, 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 기업들의 대미 수출에 악영향을 끼칠 것이라는 우려가 제기된다. 다만 한국은 최근 미국과의 무역합의 과정에서 반도체와 의약품의 경우 다른 나라와 비교해 불리하지 않은 최혜국 대우를 받도록 요구했고, 미국도 이를 수용한다는 입장이어서 이보다는 낮은 품목 관세만 적용받을 가능성이 있다. 도널드 트럼프 미국 대통령이 수입 반도체에 100%의 관세를 부과하겠다고 밝혔다고 블룸버그통신 등이 7일 보도했다. 다만 미국 내에 생산시설을 이전하는 기업은 관세를 면제 받는다. 트럼프 대통령은 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO)와의 대담에서 반도체 관세에 대한 내용을 직접 언급했다. 이날 애플은 미국 내 1천억 달러의 신규 투자 계획을 발표했다. 트럼프 대통령은 "우리는 칩과 반도체에 매우 높은 관세를 부과할 것"이라며 "그러나 애플과 같은 회사들에게 좋은 소식은 미국에서 제품을 생산을 하거나, 의심의 여지 없이 미국에서 생산하기로 약속했다면 아무런 관세도 부과되지 않을 것이라는 것"이라고 말했다. 그동안 트럼프 대통령은 철강 및 알루미늄, 자동차, 반도체 등 주요 산업에 대해 별도의 관세 기준을 고려해 왔다. 반도체 산업에 적용되는 관세는 타 산업 대비 매우 높은 수준으로, 발효 시 전 세계 공급망에 상당한 영향을 줄 것으로 관측된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들도 영향권에 들 것이라는 우려가 제기된다. 현재 삼성전자는 미국 텍사스 오스틴에 파운드리 팹을 두고 있으며, 약 370억 달러(한화 약 48조원)를 들여 테일러 신규 파운드리 팹과 R&D 팹 등을 건설 중이다. SK하이닉스도 미국 애리조나주에 패키징 시설을 들일 계획이다. 다만 이들 기업은 주력 제품인 D램, 낸드 등 메모리반도체를 한국과 중국에서 양산하고 있다. 해당 제품을 미국으로 수출하는 경우 관세가 부과될 가능성이 있다.

2025.08.07 09:18장경윤

파운드리 기지개 펴는 삼성전자...남은 과제는 HBM4 성공

반도체 등 핵심사업 부문에서 어려움을 겪던 삼성전자가 최근 모처럼 기지개를 펴고 있다. 이재용 회장이 10년 가까이 이어진 사법 리스크에서 벗어난데 이어 DS(반도체) 부문의 아픈 손가락이던 파운드리(반도체 위탁생산)는 미국 테슬라와 22조원 규모의 위탁생산 계약을 맺었다. 게다가 시스템LSI사업부는 갤럭시Z플립7에 엑시노스 2500을 탑재하며 그간의 부진을 일단락했다. 이제 회사의 마지막 남은 과제는 AI 시대에 성장세가 뚜렷한 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 소기의 성과를 거두는 일이다. 사법리스크 벗은 이재용...관세협상 지원 등 대외 활동 왕성 이재용 회장은 최근 글로벌 경영에서 보폭을 넓히고 있다. 대표적으로 지난 달 29일 미국 워싱턴으로 날아가 한미 관세협상 타결을 위해 측면 지원에 나선 데 이어 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)와 직접 화상 통화를 통해 향후 구체적인 협력 방안에 나서는 등 예전에 없던 왕성한 활동을 벌이고 있다. 이 회장의 이 같은 행보는 그간 업계에서 기대한 모습이다. 그간 삼성은 이 회장을 둘러싼 사법 리스크로 대규모 전략적 투자 등 경영 행보에 제약이 있었다. 이번 협상에서 국내 기업들이 적극적인 투자 의지를 강조했던 점이 주효했다는 걸 고려하면, 관세 협상에 간접적으로 영향을 미친 셈이다. 강석구 대한상공회의소 조사본부장은 “첨단산업 글로벌 경쟁이 치열한 상황에서 해당 기업의 경영 리스크 해소 뿐만 아니라 한국경제 전반에 긍정적인 파급 효과를 가져올 것으로 기대된다”고 말했다. 상향곡선 그리는 시스템 반도체...남은 과제는 HBM4 성공 삼성전자 DS부문은 올해 하반기 당면했던 과제 세 가지 중 두가지를 해결했다. 반도체 업계에서 꼽은 DS부문의 3대 과제는 메모리의 HBM, 파운드리의 2nm(나노미터, 10억분의 1m), 시스템LSI의 엑시노스다. 가장 먼저 해결된 과제는 엑시노스다. 지난달 9일 공개된 갤럭시Z플립7에 엑시노스 2500이 탑재되며 그간의 부진을 만회한 것이다. 당초 업계 안팎에서는 올해 초 출시된 갤럭시S25 시리즈에 해당 칩이 탑재될 것으로 점쳤었다. 그러나 MX사업부(모바일)에서 탑재되는 칩 전량을 퀄컴 스냅드래곤8으로 선택하며, 엑시노스는 쓴맛을 봤었다. 파운드리의 경우 22조7647억원 규모 2나노 공정 대량 반도체위탁 생산물량 수주 소식을 지난 28일 공시했다. 계약 상대는 테슬라로, 삼성전자 파운드리가 염원하던 큰손이다. 그간 삼성 파운드리는 대형 고객사가 없다는 점이 약점이었다. 기술 검증이 되지 않아 찾는 고객이 적었던 것이다. 그러나 이번 수주로 반등의 기회와 함께 생태계 확장 기회까지 마련했다. 시스템 반도체 생태계는 파운드리(제조)를 축으로 IP, 디자인하우스, 후공정 등 다양한 협력사로 이뤄진다. 대형 고객사의 등장이 반도체 업계 전반을 활성화시킬 수 있는 셈이다. 디자인하우스 관계자는 “글로벌 기업이 고객사로 들어오면서 생태계 자체가 갖춰지게 될 것"이라며 "특히 IP가 의미가 있다. 칩 난이도가 높은 글로벌 빅테크 기업들은 최신 기술의 IP가 많이 들어가는데 이번 수주로 인해서 2나노 공정이 준비가 되는 것이기 때문에, 다음에 2나노를 쓸 고객에게 굉장히 큰 도움이 된다”고 말했다. 남은 숙제는 HBM(고대역폭메모리) 사업이다. 삼성전자는 AMD에 HBM3E 12단 공급을 확정하는 등 발전해 가는 모습을 보여주고 있지만, 아직까지 경쟁사인 SK하이닉스에 밀린다는 시장 평가를 뒤집을만한 모멘텀을 만들지 못하고 있는 상황이다. 하지만 하반기부터는 양상이 조금 달라질 전망이다. 올 2분기 삼성전자의 전체 HBM 사업에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80% 후반으로, 올 하반기에는 90%를 넘어설 전망이다. 또한 HBM4용 1c D램의 양산 전환 승인을 완료하고, HBM4 샘플을 고객사에 공급했다. 증권가와 반도체 업계에서는 삼성전자가 하반기를 시작은 내년도 HBM 시장에서 긍정적인 성과를 낼 것으로 보고 있다. 김광진 한화투자증권 애널리스트는 “엔비디아향 인증 여부가 여전히 과제이지만 비엔비디아 진영(AMD, 브로드컴 등)에서의 인증 성과가 확인되기 시작한 점을 고려하면 긍정적 관점에서 바라볼 필요가 있다”고 밝혔다. 반도체 장비사 관계자는 “삼성전자 내부에서 HBM3E 12단에 대한 분위기가 좋은 걸로 안다”며 “통과 여부는 모르겠으나 전반적으로 이전과 비교해 좋아지는 분위기인 건 확실한 것 같다”고 말했다.

2025.08.05 17:01전화평

가천대 반도체영재교육생, SK하이닉스 팹 투어 성료

가천대학교 과학영재교육원·반도체교육원은 지난달 30일 초등 6학년과 중학교 1학년 영재 40명을 대상으로 이천 소재 SK하이닉스 반도체 생산라인(Fab)을 탐방하는 특별 프로그램을 진행했다고 1일 밝혔다. 가천대는 올해 국내 최초로 과학영재교육원에 선발된 초등학생·중학생 영재를 대상으로 반도체교육 과정을 개설했다. 이를 통해 반도체에 흥미를 갖게 하고, 영재들을 미래 우수 반도체 인재로 키우겠다는 의도다. 이번 프로그램은 그동안 공부한 이론과 산업현장 체험을 결합해, 학생들이 반도체 제조공정을 더 잘 이해시키고자 마련됐다. 학생들은 SK하이닉스 회사소개를 간단히 듣고, 바로 이어서 옆 건물인 반도체 팹 투어를 시작했다. 이곳에서 학생들은 팹 시설 및 장비 구성에 대한 간략한 설명과 12인치(300mm) 메모리 소자 칩들로 구성된 실물 웨이퍼를 관람했다. 또한 패턴을 형성하는 노광공정부터 여러 공정 단계를 거쳐 최종 반도체 소자가 완성되는 과정을 공부했다. 팹 투어 이후 마련된 SK하이닉스 연구원들과의 대화 시간에서는 학생들의 많은 질문이 이어졌다. 한 학생은 “앞으로 제가 반도체 웨이퍼 재료인 잉곳을 제작한다면 SK하이닉스에서 사줄 의향이 있는지”를 물었다. 또 다른 학생은 반도체 엔지니어를 직업으로 선택한 이유, 필요한 전공과 역량은 무엇인지 등에 대해 물었다. 이에 영재 출신 SK하이닉스 연구원은 "특히 과학과 수학을 좋아해서 화학공학을 전공하고, 반도체 공정(식각)업무를 하게 됐다"고 답변했다. 이날 학생들은 "반도체 제조공정 현장을 직접 보며 그동안 반도체 공정이론과 직접 반도체 제조 과정을 이해하게 됐다. 반도체 공장이 정말 크다"며 "많은 부분이 자동화되어 있는 것도 신기하다. 오늘은 정말 기억에 남는 날이 될 것 같다"고 소감을 밝혔다. 해당 프로그램을 기획한 김용석 가천대 석좌교수(반도체교육원장)은 "이번 SK하이닉스 팹 투어 프로그램이 영재학생들이 반도체를 이해하는데 큰 도움이 될 것"이라며 "반도체에 좀더 관심을 갖는 계기가 되고, 많은 학생들이 대학 진학때에 이공계를 선택하기를 기대한다"고 말했다.

2025.08.01 10:00장경윤

HBM3E '가격 하락' 가능성 언급한 삼성전자…속내는

삼성전자가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 가격이 하락할 수 있음을 암시했다. 공급이 시장 수요를 웃돌면서 수급의 변화가 예상된다는 게 주요 근거다. 다만 업계는 삼성전자가 주요 고객사향 HBM3E 12단 상용화를 위해 펼치고 있는 가격 인하 정책도 적잖은 영향을 끼쳤을 것으로 보고 있다. 31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 제품의 경우 수요 성장속도를 상회하는 공급 증가로 수급의 변화가 예상된다"며 "당분간 시장 가격에도 영향이 있을 것으로 전망한다"고 밝혔다. 회사는 이어 "실제로 하반기 컨벤셔널 D램의 가격 상승세를 감안하면 앞으로 HBM3E와 컨벤셔널 D램 수익률 격차는 가파르게 축소될 것으로 판단된다"고 설명했다. HBM3E는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램이다. D램 적층 수에 따라 8단과 12단으로 나뉜다. 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크가 최신형 AI 가속기를 출시함에 따라, HBM3E 12단에 대한 수요 증가세가 올해 크게 두드러질 전망이다. 그럼에도 삼성전자는 HBM3E의 공급 과잉 가능성을 언급하며 수익성 최적화를 위한 운영 전략의 필요성을 강조했다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E 12단을 적극 양산하고 있다는 점을 반영한 것으로 풀이된다. 삼성전자의 공격적인 HBM3E 마케팅 전략도 큰 영향을 끼칠 것이라는 게 업계의 시각이다. 복수의 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 엔비디아향 HBM3E 12단 상용화가 지연되는 상황에서, 가격 인하 등 다양한 제안을 건넨 것으로 안다"며 "실제 공급 성공 여부에 따라 HBM 시장에 변화가 생길 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 13:23장경윤

삼성전자 "HBM4 샘플 이미 출하…내년 수요에 적기 대응"

31일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4 제품은 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 이미 출하했다"며 "내년 HBM4 수요가 본격 확대되는 추세에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다. 삼성전자는 1c(6세대 10나노급) D램 기반의 HBM4를 개발해 왔다. SK하이닉스·마이크론 등 주요 경쟁사가 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 앞선 D램을 채용해 성능 경쟁력 확보를 추진하고 있다. 삼성전자는 "당사 HBM4는 베이스다이에 선단 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화해, HBM3E 대비 성능 및 에너지 효율을 크게 개선했다"고 설명했다. 1c D램의 생산능력 확대를 위한 설비투자도 진행 중이다. 삼성전자는 올 상반기부터 평택 및 화성캠퍼스에서 1c D램용 양산라인을 구축하고 있다. 올해만 최소 월 7~8만장 규모의 생산능력 확보가 기대된다. 한편 삼성전자는 올 하반기 HBM3E 판매 확대도 계획하고 있다. 삼성전자는 "올 2분기 HBM 출하량이 전분기 대비 30% 증가했고, 전체 HBM 수량에서 HBM3E가 차지하는 비중은 80%까지 확대됐다"며 "추가적으로 수요를 지속 확보하고 있어 올 하반기 HBM3E 판매 비중은 90%를 상회할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.31 11:29장경윤

ISC, 2분기 매출 517억원…전분기 대비 63% 증가

글로벌 반도체 테스트 솔루션 전문기업 아이에스시(ISC)는 2025년 2분기 연결기준 매출 517억원, 영업이익 137억원을 기록했다고 30일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 4%, 전분기 대비 63% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 8% 하락했으나, 전분기 대비로는 96% 증가했다. 아이에스시는 "2분기 실적 호조는 ▲AI 데이터센터향 고속·고신뢰성 테스트 소켓 수요 급증, ▲비메모리 고객 대상 양산 수요 확대에 따른 주문 증가에 기인한다"며 "특히 고속 인터페이스와 열 신뢰성이 요구되는 하이엔드 테스트 소켓의 평균판매단가(ASP)와 출하 물량이 모두 동반 성장하며 실적 성장을 견인했다"고 설명했다. 3분기에는 사상 최대 실적 경신이 유력하다고 내다봤다. AI 가속기 및 고성능 GPU 수요 확산과 더불어 자회사 아이세미가 공급하는 하이스피드 번인 테스터 및 모듈 테스터의 본격 출하가 예정돼 있기 때문이다. 또한 국내 주요 파운드리 고객사와의 견고한 협력 관계를 바탕으로 자율주행 및 차량용, 휴머노이드 칩 테스트 영역에서도 수혜가 기대된다. 또한 아이에스시는 기존 테스트 소켓 중심에서 벗어나, 장비·소켓을 아우르는 수직 통합형 테스트 플랫폼 기업으로의 전환을 본격화하고 있다. 자회사 아이세미는 글로벌 메모리 고객사와 공동 개발한 차세대 메모리용 하이스피드 번인테스터를 3분기 중 첫 출하할 예정이며, AI 반도체 실장 테스트용 장비 공급도 동시에 진행된다. 이를 통해 고객사는 테스트 효율성과 부품 호환성, 장비 전환 속도 등의 측면에서 최적화된 운영이 가능해지며, 아이에스시는 가격경쟁에서 벗어난 고수익 구조로의 전환 기반을 마련하게 될 전망이다. 아이에스시 관계자는 “AI 반도체, 고대역폭 메모리(HBM), 고성능 GPU 등 고부가 테스트 시장이 빠르게 확대되는 가운데, 아이에스시는 장비-소켓 간 통합 솔루션을 통해 고객 밀착도를 강화하고 있다”며 “3분기에는 장비 및 소켓 동시 출하가 본격화되며, 창사 이래 최대 분기 실적 달성이 기대된다”고 밝혔다. 관계자는 이어 “최근 글로벌 고객사의 자율주행 칩 수주와 같은 글로벌 공급망 변화는 아이에스시에 새로운 기회를 제공하고 있다”며 “엔드-투-엔드(End-to-End) 테스트 플랫폼 전략과 기술우위를 바탕으로, 차세대 반도체 테스트 시장의 주도권을 강화해 나가겠다”고 덧붙였다.

2025.07.30 11:21장경윤

"엔비디아, TSMC에 'H20' 30만개 주문"…HBM3E 수요 촉진 기대

엔비디아가 중국향 AI 반도체 'H20'의 생산량을 확대할 것으로 관측된다. 이에 따라 H20에 탑재되는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 제품의 수요도 당초 예상보다 늘어날 것으로 기대된다. 29일 로이터통신은 엔비디아가 파운드리 협력사 TSMC에 H20 반도체를 30만개 가량 추가 주문했다고 보도했다. H20은 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 제작한 맞춤형 AI 반도체다. 주력 제품 대비 컴퓨팅 성능을 크게 낮춘 것이 특징이다. 다만 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아의 계획에도 차질이 생겼다. 그러나 트럼프 행정부는 이달 중순 엔비디아의 중국향 H20 수출 재개를 허락했다. 당시 엔비디아는 회사 공식 블로그를 통해 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 밝힌 바 있다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 내 강력한 수요로 인해 엔비디아가 기존 재고에만 의존하지 않기로 결정을 바꾸면서, TSMC에 H20을 30만개 주문했다"며 "기존 H20 재고인 60만~70만개에 추가될 예정"이라고 밝혔다. 업계에서는 엔비디아가 H20 공급량을 늘리기 어렵다는 의견도 제기돼 왔다. 엔비디아가 수출 규제에 따라 당초 TSMC에 의뢰했던 물량을 취소했기 때문이다. 생산 재개를 위해서는 최소 9개월이 걸릴 것으로 알려졌다. 그럼에도 엔비디아가 H20 공급량 확대에 나서면서, HBM 수요 확대에도 긍정적인 영향이 예상된다. 실제로 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 추가 생산을 검토해온 것으로 파악된다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 상황이다.

2025.07.29 13:41장경윤

SK하이닉스, 엔비디아 H20향 'HBM3E' 대응 분주…추가 생산 검토

SK하이닉스가 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 출하량을 당초 예상 대비 확대할 수 있을 것으로 관측된다. 최근 엔비디아의 중국향 AI 반도체 'H20'에 가해진 수출 규제가 해제된 덕분이다. H20은 당초 HBM3를 활용했으나, 올해부터 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품을 주력으로 탑재한다. 이에 SK하이닉스는 우선 올 3분기까지 H20향 HBM3E 8단 양산을 진행할 계획이다. 나아가 추가적인 수요가 발생할 가능성을 고려해, 해당 HBM 생산량 확대를 위한 소재·부품 발주를 검토하고 있는 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품의 생산을 당초 예상보다 확대하는 방안을 논의 중이다. 앞서 엔비디아는 지난 15일 공식 블로그를 통해 중국 시장에 H20 GPU 판매를 재개할 계획이라고 밝혔다. 당시 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)는 "고객들에게 H20 판매를 위한 신청서를 다시 제출하고 있다"며 "미국 정부가 엔비디아에 관련 라이센스를 부여할 것이라고 약속했고, 엔비디아는 곧 제품 공급을 시작할 수 있기를 기대한다"고 설명했다. H20은 엔비디아의 기존 주력 제품에서 성능을 하향 조정한 AI 가속기다. 미국의 대중(對中) AI 반도체 수출 규제를 우회하기 위해 출시됐다. 그러나 지난 4월 미국 정부가 H20에 대한 무기한 수출 규제를 통보하면서, 엔비디아는 약 55억 달러(한화 약 7조4천억원) 수준의 비용이 발생할 것으로 예상돼 왔다. 이번 미국 정부의 결정으로 H20 수출길이 다시 열리면서, SK하이닉스도 HBM3E 8단 사업 매출을 확대될 수 있는 기회를 잡게 됐다. 당초 H20은 HBM3를 탑재했으나, 엔비디아는 올해 초 HBM3E 8단을 대신 채용해 성능을 높인 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스·마이크론에 HBM3E 8단에 대한 추가 공급을 요청했다. 특히 SK하이닉스가 퍼스트 벤더로서의 지위를 부여받은 것으로 알려졌다. 실제로 SK하이닉스는 올해 1분기부터 H20용 HBM3E 8단 공급을 시작해, 3분기까지 제품을 지속 생산할 계획인 것으로 파악됐다. 나아가 올 4분기 혹은 내년에도 제품을 추가 양산하는 방안을 내부적으로 논의하고 있다. 이를 위한 관련 소재·부품의 추가 주문 계획을 구체화하는 중이다. 중국이 H20 등 엔비디아 AI칩 수급에 적극 나서고 있는 분위기를 고려한 전략으로 풀이된다. 실제로 엔비디아가 중국향 AI 반도체 공급량을 늘리는 경우, HBME 8단의 양산 비중은 당초 예상 대비 확대될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 하반기 HBM3E 생산 비중에서 12단 제품을 80%, 8단 제품을 20% 수준으로 계획해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 H20의 중국 수출 재개 움직임과 맞물려 HBM3E 8단 양산을 확대하는 분위기"라며 "추가 수요에 대비해 관련 소재·부품을 확보하는 방안을 논의하고 있다"고 설명했다. 변수는 엔비디아의 공급망 대책이다. 엔비디아는 H20 수출 규제 당시 TSMC에 위탁했던 양산을 취소했으며, 해당 양산 라인은 타 고객사에 할당된 것으로 알려졌다. H20을 다시 양산하기 위해선 9개월의 시간이 필요하다. 결과적으로, H20 양산에 대한 병목현상을 해결해야만 사업 확대가 가능할 전망이다. 최근 미국 IT매체 디인포메이션은 소식통을 인용해 "성능이 높아진 엔비디아 H20은 주로 SK하이닉스의 HBM을 탑재하고 있으나, 이번 주 SK하이닉스가 엔비디아에 H20용 추가 메모리 공급 여력이 제한적일 것이라고 통보했다"며 "엔비디아는 최근 몇 주간 중국 내 주요 고객들과 접촉해 H20 및 블랙웰 칩에 대한 수요 및 반응을 파악하고 있다"고 보도했다.

2025.07.21 10:53장경윤

ASML, 2분기 실적 호조세…"High-NA EUV 장비 첫 출하"

주요 반도체 장비기업 ASML이 올 2분기 견조한 실적을 거뒀다. 또한 차세대 EUV 장비 첫 출하, 신규 수주액 증가 등 중장기적 성장동력 확보도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 나타났다. ASML은 올 2분기 매출액 76억9천만 유로(한화 약 12조4천억원), 순이익 23억 유로(약 3조7천억원)를 기록했다고 16일 밝혔다. 전년동기 대비 매출은 24.2%, 순이익은 43.8% 증가했다. 매출총이익률은 53.7%다. 이번 매출과 수익성은 증권가 컨센서스를 상회하는 수치다. 서비스 매출 증가와 일회성 이익이 영향을 끼쳤다. 또한 고부가 제품인 EUV(극자외선) 장비 매출액이 전년동기 대비 크게 늘어났는데, 차세대 EUV 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비가 해당 분기 첫 출하됐다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "특히 D램 분야에서 공정 미세화가 진전을 보이고 있고, 신규 EUV 장비인 'NXE:3800E'의 도입이 이러한 추세를 강화하고 있다"며 "이번 분기 High-NA EUV 장비인 'EXE:5200B' 시스템을 처음으로 출하했다"고 밝혔다. 3분기 총 순매출은 74억~79억 유로, 매출총이익률은 50%~52%로 전망했다. 올해 연간 총 순매출은 전년 대비 15% 성장을, 매출총이익률은 약 52% 수준으로 내다봤다. 3분기 전망치는 업계 예상을 하회하나, 연간 전망치는 대체로 컨센서스에 부합하는 수준이다. 다만 신규 수주액이 증가했다는 점은 고무적이다. ASML의 올 2분기 신규 수주액은 55억 유로로, 증권가 컨센서스인 48억 유로를 크게 웃돌았다.

2025.07.16 17:19장경윤

삼성전자 "D램, 3D 시대 온다…핀펫 기술 적용 가속"

“BCAT 기반 기존 D램은 10nm(나노미터, 10억분의 1m) 미만에서 한계에 달할 것으로 전망됩니다.” 오정훈 삼성전자 마스터는 15일 소노캄 여수에서 진행 중인 '2025년도 반도체공학회 하계종합학술대회'에서 이같이 전망했다. BCAT(Buried Channel Array Transistor)은 메모리 셀의 누설 전류를 줄이기 위해 개발된 트랜지스터 구조다. 채널 길이를 줄여 D램 셀의 크기를 줄이고 집적도를 높인다. 10나노 이하의 극미세 공정에서는 트랜지스터 크기를 줄여도 소자 간 간격이 좁아져 소자 간 연결을 위한 메탈의 저항이 커지고, 발열 문제가 발생할 수 있다. 오 마스터는 “셀 트랜지스터 공간을 다른 형태로 확장해서 써야한다”며 3D D램을 대안으로 제시했다. 3D D램은 메로리를 수직으로 쌓은 제품이다. 기존 D램은 셀이 수평으로 배치됐다. 기존 D램 대비 더 많은 셀을 집적할 수 있기 때문에 용량을 늘리고, 성능도 상승한다. 삼성전자는 3D D램 구현에 핀펫(FinFET) 공정을 적용한다. 핀펫은 반도체 소자의 성능 향상을 위해 개발된 3차원 구조 공정 기술이다. 평면(2D) 구조 한계를 극복하고 채널을 3면으로 둘러싼 게이트를 통해 전류 흐름을 효과적으로 제어한다. 과거 주로 파운드리(반도체 위탁생산)에 활용되던 기술이다. 오 마스터는 “컨벤셔널 D램에서도 핀펫을 전 제품에 쓰는 시대가 찾아올 것”이라고 말했다. 그러면서 “핀펫이 적용된 칩이 언젠가는 나오겠지만 시점에 대해서는 언급할 수 없다”며 “열심히 개발하고 있는 단계”라고 전했다. 다만 핀펫 공정은 페리 트랜지스터에만 적용된다. 페리는 D램에서 셀 주변의 회로를 제어하는 트랜지스터다. 4F스퀘어 적용 여부에 대해서는 발표하지 않았다. 4F스퀘어는 현재 시장 주류 기술인 6F 스퀘어에서 셀 면적을 더 줄인 구조로, 집적도를 높일 수 있는 차세대 기술로 평가받는다. 그러나 삼성전자가 4F스퀘어를 기반으로 D램 구조를 바꾼 뒤, 3D D램을 개발한다는 점을 고려하면 4F스퀘어부터 핀펫 공정이 적용될 가능성이 크다. 그는 파운드리 기술이 메모리 공정으로 적용이 가속화되는 상황이냐는 질문에 “그렇다”고 긍정했다.

2025.07.15 16:14전화평

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