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삼양엔씨켐, 1분기 역대 최대 실적…PR 소재 수요 확대 효과

삼양그룹의 반도체 포토레지스트(PR) 소재 전문기업 삼양엔씨켐은 올해 1분기 역대 최대 실적을 경신했다고 11일 밝혔다. 삼양엔씨켐의 2026년 1분기 매출액은 407억원으로 전년 동기 대비 32.9% 증가했다. 같은 기간 영업이익은 65억원으로 45.4% 늘었으며, 당기순이익은 57억원으로 50.1% 증가했다. 매출 성장과 더불어 이익 증가폭이 크게 나타나며 수익성 개선이 뚜렷하게 확인됐다. 이번 실적은 AI 서버 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 증가에 따른 PR 소재 수요 확대가 핵심 요인으로 작용했다. 회사는 메모리 중심의 반도체 슈퍼사이클 구간에서 직접적인 수혜를 받으며 대부분의 제품 공급 물량도 확대됐다. 우호적인 시장 변화에 맞춰 삼양엔씨켐은 선제적으로 AI 서버에 사용되는 낸드용 고집적형 KrF 선단 소재와 D램 공정에 적용되는 ArF, EUV 등 선단 소재 비중을 확대하며 고부가 제품 중심으로 포트폴리오 전환을 가속화했다. 이에 따라 매출 증가뿐 아니라 고부가 첨단 소재 매출 비중이 증가해 수익성 개선 효과도 함께 나타난 것으로 분석된다. 아울러 삼양엔씨켐은 급변하는 반도체 공정에 대응해 차세대 메모리 소재 시장을 선점하기 위한 중장기 전략을 구체화하고 있다. 특히 AI 반도체의 핵심인 고대역폭 메모리(HBM)용 DRAM 공정은 높은 수율 안정성과 정밀한 공정 대응 역량이 요구돼 기술 난이도가 높은 분야로 꼽힌다. 삼양엔씨켐은 해당 공정에 대응 가능한 소재 경쟁력을 기반으로 관련 공급 확대를 추진하며 HBM 시장 내 입지 강화에 나서고 있다. 삼양엔씨켐은 향후 고부가가치 제품 매출 확대를 지속하는 한편 미국, 일본, 대만 등 글로벌 고객사 매출 확대 및 제품 포트폴리오 다각화를 통해 성장 기반을 강화할 계획이다. 또한 최근 반도체 업계의 게임 체인저로 떠오른 유리기판용 PR 소재 개발에도 박차를 가하며 향후 차세대 반도체 시장 대응에도 속도를 낼 방침이다. 기존 반도체 공정용 소재 사업을 통해 축척한 경험을 바탕으로 차세대 유리기판용 소재 공급 가능성을 높일 계획이다. 정회식 삼양엔씨켐 대표는 “AI 수요 확대에 따른 공급 물량 증가, 고부가 제품 중심의 포트폴리오 전환이 맞물리며 실적 성장이 가속화되고 있다”며 “선단 공정 소재 경쟁력과 글로벌 고객 기반을 바탕으로 중장기 성장 모멘텀을 지속 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

2026.05.11 11:22장경윤 기자

1분기 수출 37.8% 증가한 2199억 달러…역대 최대 실적

1분기 수출이 메모리 반도체 호조에 힘입어 역대 최대 실적을 기록했다. 산업통상부는 1분기 수출이 지난해 같은 기간보다 37.8% 증가한 2199억 달러, 수입은 10.9% 증가한 1694억 달러로 무역수지 흑자 504억 달러를 기록했다고 6일 밝혔다. 하루 평균 수출은 34.7% 증가한 22억6000억 달러로 집계됐다. 1분기에는 20대 주요 수출품목 가운데 13개 품목 수출이 증가했다. 반도체 수출은 높은 메모리 가격이 지속되는 가운데 AI 서버 투자 확대로 139% 증가한 785억 달러를 기록했다. 메모리 가격 상승 영향으로 D램은 249.1% 증가한 357억9000만 달러, 낸드는 377.5% 증가한 53억9000만 달러, 시스템반도체도 13.5% 증가한 121억1000만 달러를 기록했다. 자동차 수출은 화물차(7억1000만 달러, 63.9% 증가)는 크게 증가했으나, 승용차(163억 달러, 2.2% 감소), 승합차(7000만 달러, 31.7% 감소) 등이 감소하면서 전체적으로 0.3% 감소한 172억 달러를 기록했다. 바이오헬스(42억 달러, 9.6% 증가)는 의료기기 수출(14억7000만 달러, 5.5% 증가)은 소폭 증가했으나, 주요국의 바이오시밀러 수요가 지속 확대되며 의약품 수출은 11.9% 증가한 27억3000만 달러를 기록했다. 이차전지 수출은 리튬 등 광물 가격 상승과 신제품 출시 등 영향으로 리튬이온전지 수출(12억1000만 달러, 16.9% 증가)이 증가하며 전체적으로 9.9% 증가한 19억6000만 달러를 기록했다. 양극재는 5.5% 감소한 11억60000만 달러에 그쳤다. 섬유 수출은 섬유 원료 1.4% 감소(2억5000만 달러), 직물 7.1% 감소(10억6000만 달러) 등으로 전체적으로 0.6% 감소한 25억2000만 달러를 기록했으나, 섬유제품은 K-패션에 대한 수요 확대로 7.1% 증가(10억 달러)했다. 전기기기 수출(40억5000만 달러, 2.5% 증가)은 글로벌 전력망 투자 확대로 변압기·전선 등에 대한 수요가 지속되면서 상승세를 이어갔으며, 비철금속 수출은 동·알루미늄 등 광물 가격 상승 영향 등으로 28.9% 증가한 40억9000만 달러를 기록했다. 소비재 품목 수출은 한류 확산 영향으로 증가세를 이어갔다. K-뷰티 선호 증가로 화장품(31억3000만 달러, 21.5% 증가) 수출이 증가했다. 농수산식품 수출은 K-푸드 인식 제고로 면류(5억 달러, 24% 증가) 등 품목이 크게 확대되면서 7.4% 증가한 31억1000만 달러를 기록했다. 생활용품(21억 달러, 3.9% 증가) 수출은 K-콘텐츠 인기 확대로 문구·완구(7억8000만 달러, 16.6% 증가) 등이 호조세를 보였다. 1분기 수입은 10.9% 증가한 1694억 달러를 기록했다. 에너지 수입은 저유가 등으로 7.2%(286억6000만 달러) 감소했으나, 에너지 외 수입은 반도체 장비(32.5% 증가) 등을 중심으로 15.4%(140억8000만 달러) 증가했다. 글로벌 경기가 AI 서버 투자를 중심으로 견인되는 가운데, 반도체를 주력으로 수출하는 우리나라는 30% 이상의 높은 수출 증가율을 기록했다. 자동차·일반기계 등 전통적인 제조업을 주력으로 수출하는 일본과, 농수산식품·바이오헬스 등을 주로 수출하는 이탈리아의 경우 10% 내외의 양호한 증가세를 보였다. 김정관 산업부 장관은 “반도체 수출이 전체 수출을 견인하는 한편, 반도체 외 수출도 두 자릿수의 견조한 증가세로 받쳐주면서 1분기 수출이 역대 최대 실적을 기록했으며, 2월까지의 글로벌 수출 순위도 5위로 올라섰다”라고 강조했다. 김 장관은 또 “중동 전쟁으로 인한 유가 상승과 글로벌 공급망 불안, 미국 관세의 불확실성 등 향후 수출 여건이 녹록치 않은 상황”이라며 “무역금융 확대와 수출보험 지원으로 기업의 자금 부담을 완화하고, 물류 차질에 대비한 운송·공급망 안정화 대책을 지속해서 추진해 1분기 수출 호조세가 연말까지 이어질 수 있도록 수출 기업을 지원하겠다”고 밝혔다. 한편, 세계무역기구(WTO)가 발표한 올해 1~2월 기준 우리나라 수출은 중국·미국·독일·네덜란드에 이어 5위를 차지했다. 또 상위 7개 국가 가운데 가장 높은 증가율을 보였다.

2026.05.06 15:56주문정 기자

신제윤 삼성전자 이사회 의장 "파업하면 타격 심각...대화로 해결을"

신제윤 삼성전자 이사회 의장이 노동조합이 파업에 돌입하면 "주주와 투자자, 국가 경제에 심각한 타격을 입힐 수 있다"며 "대화로 문제를 해결해야 한다"고 밝혔다. 삼성전자 노조는 성과급 상한 폐지와 성과급 산정 기준 개선을 요구하고 있다. 현행 연봉의 50%인 초과이익성과급(OPI) 상한선을 없애고, 경제부가가치(EVA) 기준 대신 영업이익 15%를 성과급 재원으로 할당하자는 것이 주장의 뼈대다. 요구안이 수용되지 않으면 이달 21일부터 18일간 총파업에 돌입할 예정이다. 신제윤 의장은 5일 사내 게시판에 "최근 회사 상황으로 주주와 고객, 국민들이 큰 걱정을 하고 있다"며 "이사회 의장으로서 책임감을 느끼고 심려를 끼쳐 송구하다"고 말했다. 신 의장은 "최악 상황이 발생하면 노사 모두 설 자리를 잃고, 사업 경쟁력 저하와 고객 신뢰 상실, 주주와 투자자 손실 등 국가 경제에 심각한 악영향을 끼칠 수 있다"고 밝혔다. 그는 "국가 기반 산업인 반도체 사업은 타이밍과 고객 신뢰가 핵심"이라며 "개발과 생산 차질, 납기 미준수 등이 발생하면 근본 경쟁력을 잃고 고객 이탈로 시장 지배력 상실이 우려된다"고 말했다. 신 의장은 "막대한 파업 손실과 고객 이탈로 회사가치가 하락하면 주주와 투자자, 임직원, 지역사회에 심각한 손실을 초래할 수 있다"면서 "수백억달러 수출과 수십조원 세수가 감소하고, 환율 상승 유발로 국내총생산(GDP)이 줄어드는 등 국가 경제에도 심각한 영향을 줄 수 있다"고 밝혔다. 그는 "지금은 회사가 직면한 무한경쟁 속에서 지속가능한 성장을 위해 임직원 모두 합심하고, 진정성 있는 대화로 문제를 해결해야 할 때"라고 강조했다. 이어 "지금의 갈등이 앞으로 더 건설적 노사관계를 만드는 밑거름이 되도록 함께 노력하자"며 "저도 경영진과 머리를 맞대고 지혜를 모아 문제를 푸는 데 최선을 다하겠다"고 덧붙였다.

2026.05.05 13:30이기종 기자

삼성·SK도 주목…차세대 AI 메모리 'MRDIMM' 표준 완성 임박

차세대 서버용 D램 모듈 'MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module)'의 2세대 표준이 완성 단계에 접어들었다. 해당 모듈은 인공지능(AI) 데이터센터에 최적화한 메모리로, 고대역폭메모리(HBM)와 더불어 수요가 빠르게 확대될 것으로 기대된다. 삼성전자, SK하이닉스 역시 시장 선점을 위해 제품을 개발해 왔다. 5일 업계에 따르면 국제반도체표준화기구(JEDEC)는 MRDIMM 2세대 표준에 대한 개발 마무리 단계에 접어들었다. MRDIMM은 AI·고성능컴퓨팅(HPC) 작업에 최적화한 차세대 서버용 D램 모듈이다. 모듈 기본 동작 단위인 랭크(Rank)를 2개 동작시킬 수 있어 데이터 처리 속도가 빠르다. MRDIMM은 메모리 업계 최신 기술로, 그간 표준화와 상용화가 이뤄지지 않았다. MRDIMM을 지원하는 중앙처리장치(CPU)도 현재로선 인텔 '제온 6' 등 소수에 불과하다. 그러나 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업은 향후 수요 확대를 예상해, 선제적으로 MRDIMM 제품을 개발하고 있다. 전세계 주요 반도체 기업들이 차세대 제품 표준을 정하는 기구인 JEDEC도 MRDIMM 생태계 강화에 힘쓰고 있다. 최근 2세대 MRDIMM 표준을 거의 완성한 상태다. 또한 JEDEC은 1만2800MT/s(1MT/s는 초당 100만번 데이터 전송) 속도를 구현하는 2세대 MRDIMM 표준 설계 도면을 개발하고 있다. 1세대 제품 속도가 8800MT/s급임을 고려하면, 45%가량 성능이 향상됐다. 최근 AI 데이터센터 내 메모리와 시스템반도체 간 데이터 병목 현상 문제가 대두한 만큼, MRDIMM은 HBM과 더불어 채용량이 늘어날 것으로 기대된다. HBM은 그래픽처리장치(GPU)와 함께 집적돼 AI 연산 처리를, MRDIMM은 CPU가 직접 접근하는 메인 메모리 역할을 담당한다.

2026.05.05 12:11장경윤 기자

SK하이닉스, 차세대 1C D램 수요 확대 선제 대응 나선다

SK하이닉스가 충북 청주에 위치한 신규 메모리 생산기지 'M15X'의 D램 투자 전략을 1b(5세대 10나노급)에서 1c(6세대 10나노급) D램 중심으로 전환하는 방안을 검토 중인 것으로 파악됐다. 최근 급변하는 고대역폭메모리(HBM) 및 범용 D램 시황에 선제 대응하기 위한 조치로 풀이된다. 4일 업계에 따르면 SK하이닉스는 M15X 내 6세대 10나노급(1c) D램 설비투자 규모를 당초 계획보다 확대하는 방안을 논의 중이다. M15X는 SK하이닉스의 신규 메모리 생산기지다. 부지 규모는 6만㎡로, 확보 가능한 D램의 총 생산능력은 월 9만장 내외로 추산된다. 당초 SK하이닉스는 M15X에 5세대 10나노급(1b) D램을 집중 투자할 계획이었다. 1b D램은 SK하이닉스 HBM3E 및 HBM4의 코어 다이로 활용된다. 특히 HBM4는 올해 본격 상용화되는 제품으로, 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 시리즈에 처음 탑재된다. 이에 SK하이닉스는 지난해 4분기부터 M15X에 월 3만장 규모의 1b D램용 설비투자를 집행해 왔다. 이후 추가 투자를 통해 1b D램 생산능력을 약 8만장까지 확대하고, 유휴 공간에 1c D램용 라인을 소규모로 도입할 계획이었다. 그러나 최근 SK하이닉스는 올 하반기로 예정된 M15X용 설비 발주를 1c D램으로 진행하는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 투자 효율성을 고려해 올해에는 M15X에 1b D램용 설비만을 도입하려고 했으나, 최근에는 1c D램을 투자하는 방향으로 선회 중"이라며 "급변하는 시황에 맞춰 투자 전략을 수정한 것으로 안다"고 설명했다. 전략 수정의 주요 원인은 HBM4에 있다. SK하이닉스는 올해 엔비디아향으로 60억Gb(기가비트) 수준의 HBM4 출하량을 계획했었다. 그러나 베라 루빈이 최적화 문제로 출하량이 감소가 불가피해지면서, 최근 SK하이닉스의 HBM4 목표 출하량도 이보다 20~30%가량 낮아진 것으로 파악됐다. SK하이닉스로서는 1b D램의 생산능력을 확대할 요인이 줄어든 셈이다. 반면 1c D램은 가장 최신 세대의 D램으로서, 향후 수요가 크게 증가할 전망이다. SK하이닉스의 경우 차세대 HBM인 HBM4E는 물론, 서버 시장에서 각광받고 있는 소캠2(SoCAMM2)에도 1c D램을 적용한다. 소캠은 엔비디아가 독자 표준으로 개발해 온 차세대 메모리 모듈이다. 이를 고려하면 SK하이닉스는 M15X에 최소 4만장 규모의 1c D램용 설비투자를 집행할 것으로 예상된다. 또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 M15X용 설비 발주를 서두르는 분위기"라며 "아직 정식으로 투자 계획이 나온 것은 아니지만, 추가 투자분은 1c D램에 초점을 맞추는 방안이 유력하게 거론되고 있다"고 말했다. 이에 대해 SK하이닉스는 "생산 전략을 확인해드릴 수 없으나 사실과 다르다"라고 밝혔다.

2026.05.04 11:13장경윤 기자

글로벌 CSP, 투자규모 또 상향…AI 메모리 호황에 힘 싣는다

전세계 주요 클라우드서비스업체(CSP)들이 최근 실적발표에서 기존 전망을 웃도는 설비투자를 집행하겠다고 밝혔다. 인공지능(AI) 과잉투자론을 반박한 셈이다. 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 반도체 기업도 AI 메모리 수요가 중장기적으로 지속될 것이라고 전망하고 있다. 1일 업계에 따르면 주요 CSP 기업들이 AI 데이터센터와 클라우드 용량 확보를 위한 올해 설비투자(CAPEX) 규모를 상향하고 있다. 최근 마이크로소프트는 올해 설비투자 규모를 총 1900억달러로 제시했다. 증권가 컨센서스 1500억달러를 크게 웃돈다. 회사 투자 규모 중 역대 최대치다. 마이크로소프트는 "투자액 중 250억달러는 반도체 등 부품 가격 상승 때문"이라며 "그럼에도 급증하는 AI와 클라우드 수요를 충족하려며 이러한 투자가 필요하다"고 설명했다. 구글도 올해 연간 설비투자 전망치를 기존 1750억~1850억달러에서 1800억~1900억달러로 상향했다. 2027년 투자 전망에 대해선 "2026년 대비 크게 증가할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 메타도 올해 자본지출 규모를 기존 1150억~1350억달러에서 1250억~1450억달러로 상향했다. 메타는 "부품 가격 상승과 향후 용량 확대를 위한 추가 데이터센터 구축 비용 때문"이라고 설명했다. 그간 업계에서는 글로벌 CSP 기업들의 AI 인프라 투자 규모가 시장 잠재력 대비 과도하다는 비판이 제기돼 왔다. 그러나 이들 기업은 실적발표에서 매번 AI 과잉투자론을 정면 반박하는 수준의 자본지출 계획을 공표하고 있다. 또 다른 주요 CSP 기업 아마존웹서비스(AWS)는 "향후 몇년 간 자본지출 증가율이 매출 성장률을 앞지를 수 있다"고 말하기도 했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업도 중장기 관점에서 AI 메모리 수요가 견조할 것이라고 전망한다. 삼성전자는 지난달 30일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "주요 고객사들은 AI 관련 미래 수요에 대한 확신을 바탕으로 중장기 물량 확보를 요청하고 있다"며 "당사가 공급 가능한 범위 내에서 다년 계약을 추진 중이고, 다년계약을 통해 고객과 당사 모두 사업 안정성과 가시성을 높일 수 있을 것"이라고 말했다. SK하이닉스는 지난달 23일 실적발표에서 "메모리 공급 부족이 장기화되면서 고객들로부터 중장기 물량 확보 요청이 크게 늘고 있다"며 "고객들이 향후 가격과 공급 불확실성을 사업 핵심 리스크로 인식할 만큼 메모리 중요도가 매우 높아졌다"고 강조했다. 서버용 D램 가격 상승세도 당초 예상보다 강하게 나타날 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스는 최근 보고서에서 올 2분기 서버용 D램 고정가 상승세(전 분기 대비)를 기존 43~48%에서 45~50%로 높였다. 올 3·4분기 전망치도 각각 10~15%, 3~8%로 이전 대비 상향 조정했다.

2026.05.01 10:00장경윤 기자

메모리 정확도 100배·처리속도 7.6배 개선할 최적 구조 찾았다

인공지능(AI) 성능을 좌우하는 메모리 반도체 정확도를 100배, 처리 속도는 7.6배 정도를 개선할 수 있는 기술이 개발됐다. 고려대학교는 유현용 전기전자공학부 교수와 DGIST 권혁준 교수 연구팀이 p-채널 실리콘과 n형 산화물 반도체를 집적한 '상보형 게인 셀(CGC) 구조'를 구현하는데 성공했다고 30일 밝혔다. 'p-채널 실리콘'은 실리콘 결정립 크기를 정밀 제어하는 방법으로 정보 처리 속도를 빠르게 하고, 안정성을 구현한 반도체 재료다. 또 n형 산화물 반도체는 전자를 제어해 전력 손실을 최소화하고 데이터 유지력을 극대화하는 소재로 쓰인다. 연구팀은 "3차원 반도체 적층에서는 저온 공정이 필수다. 그러다보니 n형 산화물 반도체가 소자간 불필요한 간섭 현상을 일으켜 데이터를 정확히 읽어내는 '센싱마진'이 급격히 저하되는 고질적인 문제가 있었다"고 설명했다. 연구팀은 이에 n형 산화물 반도체와 p-채널 실리콘을 결합한 'CGC' 구조를 개발했다. n형 산화물 반도체는 전력 소모를 줄이면서 데이터를 오래 보관할 수 있고, p-채널 실리콘은 정보를 빠르고 정확하게 읽어낼 수 있다. 이 두 장점을 결합했다. 연구팀에 따르면 이번에 개발한 CGC 구조는 기존에 방해가 됐던 용량성 결합 현상을 오히려 전압을 증폭시키는 유리한 기제로 전환, 센싱 마진을 기존 방식 10⁴보다 100배 이상 높은 10의 6승 수준까지 끌어올렸다. 이는 1,024개 셀이 연결된 대규모 환경에서도 안정적인 동작이 가능한 수치다. 이와함께 저온 공정을 통해 레이저 결정화 실리콘 소자 중 세계 최대 크기인 32.3µm 결정립도 확보했다. 결정립이 클수록 정공 이동도(동작 속도)가 빨라진다. 연구팀은 "CGC 구조는 기존 산화물 기반 소자보다 월등히 빠른 265cm²/Vs의 동작 속도를 기록했다. 시뮬레이션 결과, 읽기 시간은 11.8ns로 기존 n형 산화물 반도체 전용 셀(90.1ns) 대비 약 7.6배 빨라졌다. 유지시간도 1,000조 이상 달성했다"고 말했다. 유현용 교수는 “이번에 개발된 레이저 기반 공정 기술은 3D 적층 반도체 기술 상용화를 앞당기는 핵심 동력이 될 것”이라며 “향후 차세대 지능형 반도체, 고성능 인공지능 칩, 고용량 메모리, 초고속 통신 칩 등 고집적·고성능 반도체 개발에 필수적인 기반 기술로 활용될 것"으로 전망했다. 연구결과는 반도체 소자 분야 국제 학회(2026 IEEE/JSAP symposium on VLSI technology & circuits)에서 오는 6월 발표한다.

2026.04.30 15:37박희범 기자

최태원 "韓 AI 성장하려면 스케일·스피드 중요…엔비디아 전략 카피해야"

최태원 SK그룹 회장이 인공지능(AI) 성장전략 핵심요소로 에너지·반도체 등 병목현상 해결을 꼽았다. 한국은 미국과 중국보다 데이터센터 등 인프라가 부족해, 빠른 기술 개발과 투자 확대가 필요하다고 강조했다. 최 회장은 28일 오전 국회 의원회관에서 열린 '한중의원연맹 2026 제1회 정책세미나'에서 '미·중 AI 기술패권 경쟁 속 대한민국 성장전략'을 주제로 특별강연을 진행했다. 최 회장은 "AI 산업이 발전하면서 생기는 병목현상을 어떻게 잘 이용할 것인지가 세계 각국이 추진하는 AI 성장전략의 관건"이라며 "AI 데이터센터 같은 인프라, 전기, 그래픽처리장치(GPU), 메모리 등 4가지가 핵심 병목현상 요소"라고 설명했다. 한국은 주요 경쟁국 대비 데이터센터 구축 규모가 부족하다. 최 회장은 "국내 데이터센터를 다 합치면 1기가와트 정도 되는데, 그 중 AI에 쓸 수 있는 건 5%도 되지 않는다"며 "향후 전세계적으로 연간 10~20기가와트급 데이터센터를 구축할 것으로 보이는데, 대부분 미국과 중국이 짓고 있는 상황"이라고 진단했다. 중국 약진이 특히 거세다. 최 회장은 "중국은 서쪽 지역의 풍부한 자원을 토대로 미국보다 전기를 만드는 속도가 매우 빠르다"며 "AI 전쟁에서 전기는 중국이 우세할 것"이라고 평가했다. 이어 "(중국은) 최첨단 GPU를 쓸 수 없는 대신 스스로 반도체를 개발해야 하는데, 속도가 매우 빨라 저희같은 반도체 회사에도 위협"이라고 밝혔다. 반면 국내 메모리 업계는 전체 AI 생태계 내에서 위상이 크게 올라가고 있다. AI 가속기에 탑재하는 고대역폭메모리(HBM)는 물론, 서버용 D램과 낸드 모두 구조적인 공급부족에 직면해 있다. 최 회장은 "현재 누구를 만나도 '메모리를 달라'고 얘기하는데, 생산량이 정해져 있어 상당한 공급부족에 시달리고 있다"며 "최대한 공급량을 늘리도록 투자를 지속하고 있다"고 말했다. 한국 AI 성장전략에 대해서는 "일단은 과감하게 인프라에 투자해야 한다"며 "스케일(규모)과 스피드(속도)가 중요하다"고 강조했다. 최 회장은 "현재 SK는 아마존과 협력해 100메가와트급 데이터센터를 울산에 짓고 있는데, 용량을 900메가와트 더 늘려 1기가와트까지 가보려는 생각을 하고 있다"며 "여기에 정부 혹은 공공 수요가 뒷받침되면 대한민국이 AI 이니셔티브를 가져가는 선순환 엔진이 돌기 시작할 것"이라고 말했다. 그는 "빠른 개발 속도로 주도권을 확보하려면 엔비디아 전략을 우선 카피해야 한다"며 "동시에 AI가 가져올 충격에 대비해 사회적 가치를 더 정밀하게 측정하고 이를 키우는 새로운 자본주의가 필요하다"고 덧붙였다. 한일 경제협력 필요성도 강조했다. 최 회장은 "미중 패권 (경쟁) 속에서 우리가 스스로를 보호할 수 있으려면 경제 규모를 키워야 하는데, 우리와 비슷한 처지의 일본과 협력해야 한다"며 "양국을 합치면 6조달러 국내총생산(GDP)으로 중국 3분의 1 수준까지 올라오기 때문에, 열린 마음으로 협력해야 한다"고 말했다.

2026.04.28 16:24장경윤 기자

SK하이닉스, IEEE 기업 혁신상 수상…"HBM 혁신으로 AI 컴퓨팅 확산"

SK하이닉스는 24일(현지시간) 미국 뉴욕에서 열린 '2026 IEEE 어워즈(Awards)'기념식(Honors Ceremony)에서 기업혁신상(Corporate Innovation Award)을 수상했다고 26일 밝혔다. IEEE 국제전기전자공학회로, 세계 최고 권위의 기술 전문가 단체다. 인류 발전을 위한 기술 혁신을 추구하고 있다. 이 단체가 주최하는 'IEEE 어워즈'는 100년이 넘는 역사를 가진 시상식으로, 메달(Medals), 기술 분야 상(Technical Field Awards), 공로상(Recognitions) 등 3개 부문에서 기술 혁신과 사회 발전을 이룬 수상자를 선정한다. 공로상에 속하는 기업혁신상은 혁신 기술로 산업과 사회 발전에 기여한 기업에 1986년부터 수여해 왔으며, SK하이닉스가 이 상을 받은 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스는 "모든 세대의 HBM을 안정적으로 양산하며 글로벌 AI 컴퓨팅 생태계 활성화에 기여한 점을 인정받았다"며 "AI 플랫폼의 성능 한계를 극복하는 데 결정적인 메모리 설루션을 제공해 글로벌 AI 시장에서 신뢰받는 파트너로 자리매김하겠다"고 말했다. 이번 수상은 HBM 혁신과 응용을 통해 AI 컴퓨팅 확산을 이끈 공로에 대한 것으로, 글로벌 AI 시장에서 혁신적인 HBM 설루션을 선제적으로 제시하며 고객 수요에 적기 대응한 점이 주효했다. 장기적 관점에서의 기술 경쟁력 확보를 강조해 온 최태원 SK그룹 회장의 경영 기조 아래 미국 내 글로벌 빅테크와의 AI 인프라 파트너십을 꾸준히 넓혀온 행보도 이번 수상의 밑거름이 됐다는 평가다. 이날 시상식에는 안현 개발총괄 사장(CDO)이 회사 대표로 참석해 수상했다. 안 사장은 "기술 한계에 끊임없이 도전하고 이를 극복해 온 SK하이닉스 구성원들을 대표해서 수상하게 돼 영광"이라며 "글로벌 고객, 파트너들과 긴밀히 협력해 시장이 요구하는 가치를 앞서 만들어 내며 AI 혁신을 이끄는 일류 기업이 되겠다"고 말했다.

2026.04.26 10:38장경윤 기자

SK하이닉스, 2분기 더 좋다...메모리 훈풍에 역대급 수익성 예고

SK하이닉스가 전례 없는 메모리 슈퍼사이클의 효과로 지난 1분기 역대 최대 수익성을 거뒀다. 영업이익률은 72%로, 글로벌 제조 기업 중 최상위권에 올랐다. SK하이닉스는 올 2분기에도 기록적인 수익성을 거둘 가능성이 유력하다. D램·낸드 가격의 상승세가 지속되고 있고, 고부가 제품을 중심으로 출하량이 확대되기 때문이다. 23일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지속된 메모리 슈퍼사이클 효과로 올 2분기 역대 최대 영업이익률을 경신할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 지난 1분기 매출액 52조 5763억원, 영업이익 37조 6103억원을 기록했다. 매출은 전년동기 대비 198%, 전분기 대비 60% 증가했다. 영업이익은 각각 405%, 96% 늘었다. SK하이닉스의 이번 실적은 역대 최대 실적에 해당한다. 영업이익률도 72%로 제조업 중 최상위를 기록했다. TSMC·엔비디아·마이크론 등 전 세계 주요 기업들의 최근 수익성을 모두 뛰어넘은 수준이다. 올 1분기 SK하이닉스의 메모리 출하량(빗그로스)은 제한적이었다. D램은 전분기와 동일한 수준, 낸드는 전분기 대비 약 10% 감소했다. 그러나 D램 및 낸드 평균판매가격(ASP)이 각각 60% 중반, 70% 중반대로 상승하면서 수익성을 대폭 끌어올렸다. 이는 AI 인프라 투자에 따른 고부가 서버용 메모리 수요 증가 덕분이다. 특히 가격 변동폭이 제한적인 고대역폭메모리(HBM)를 제외한 범용 D램의 ASP 상승률은 100% 내외를 기록한 것으로 분석된다. 2분기에도 SK하이닉스의 실적은 더욱 확대될 전망이다. 물량 확대와 가격 상승세가 동시에 나타나기 때문이다. SK하이닉스는 해당 분기 D램 빗그로스가 한 자릿수 후반, 낸드는 10% 중반 증가할 것으로 내다봤다. ASP 또한 상승세가 지속될 것으로 전망된다. 현재 업계가 추산하는 2분기 SK하이닉스의 전분기 대비 ASP 상승률은 D램이 20%대, 낸드가 30%대 수준이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 업황을 고려하면 올 2분기까지 메모리 가격의 급격한 상승세는 확정적"이라며 "SK하이닉스의 영업이익률도 올 2분기 역대 최고치를 경신할 가능성이 높다"고 설명했다.

2026.04.23 15:32장경윤 기자

SK하이닉스 1분기 영업이익률이 무려 72%...마이크론·TSMC 제쳐

SK하이닉스가 분기 기준 사상 최대 실적을 또 한번 갈아치웠다. 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 메모리 등 고부가 제품 판매가 확대된 데 따른 효과다. 1분기 영업이익률은 무려 72%에 달해 미국 마이크론(67.6%), 대만 TSMC(50%대 후반) 등 글로벌 톱 수준을 넘어선 것으로 관측된다. SK하이닉스는 올해에도 HBM 등 고부가 제품 판매 확대에 따라 성장세가 지속될 전망이다. SK하이닉스는 올해 1분기 매출액 52조5763억원, 영업이익 37조6103억원(영업이익률 72%), 순이익 40조3459억원(순이익률 77%)의 경영실적을 기록했다고 23일 밝혔다. 분기 기준으로 매출은 사상 최초로 50조원을 돌파했으며, 영업이익과 영업이익률 역시 각각 37조6000억원, 72%로 창사 이래 최고 기록을 달성했다. 매출은 전년동기 대비 198%, 전분기 대비 60% 증가했다. 영업이익은 각각 405%, 96% 늘었다. 증권가 컨센서스 대비로도 매출과 영업이익 모두 소폭 상회한 수준이다. SK하이닉스는 "1분기는 계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대로 수요 강세가 이어진 가운데, HBM·고용량 서버용 D램 모듈·eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대하며 실적 상승세를 이어갔다"고 설명했다. 이 같은 실적 호조에 힘입어 1분기 말 현금성 자산은 전분기 말 대비 19조4000억원 늘어난 54조3000억원을 기록했다. 반면, 차입금은 2조9000억원 감소한 19조3000억원을 기록하며 35조원의 순현금을 달성했다. 회사는 AI가 대형 모델 학습 중심에서 다양한 서비스 환경의 실시간 추론을 반복하는 에이전틱 AI 단계로 진화하면서 메모리 수요 기반이 D램, 낸드 전반으로 넓어지고 있다고 분석했다. 메모리 효율화 기술 확산 역시 AI 서비스의 경제성을 높이고 전체 서비스 규모 확대로 이어져 메모리 수요를 추가로 견인할 것이라고 내다봤다. 이를 바탕으로 D램·낸드 모두에서 우호적인 가격 환경이 지속될 것으로 전망했다. SK하이닉스는 D램과 낸드 전반에서 신제품 개발과 공급을 이어가며 다양화된 메모리 수요에 대응한다는 방침이다. HBM은 성능·수율·품질·공급 안정성을 통합한 종합적인 실행 역량을 더욱 강화한다. D램은 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 LPDDR6와, 같은 공정을 기반으로 이달 양산을 시작한 192GB SOCAMM2의 공급을 본격화한다. 낸드는 CTF 기반 321단 쿼드레벨셀(QLC) 기술을 적용한 cSSD 'PQC21'의 공급을 개시한 데 이어, eSSD 전 영역에 걸쳐 고성능 TLC와 대용량 QLC를 아우르는 라인업으로 AI 수요 전반에 유연하게 대응한다. 특히 대용량 QLC eSSD에 강점을 보유한 솔리다임과의 시너지를 바탕으로 AI 데이터센터와 AI PC 스토리지 시장에서의 경쟁력을 강화할 계획이다. CTF는 전하를 도체에 저장하는 플로팅 게이트(Floating Gate)와 달리 전하를 부도체에 저장해 셀간 간섭 문제를 해결한 기술로, 플로팅 게이트 기술보다 단위당 셀 면적을 줄이면서도 읽기, 쓰기 성능을 높일 수 있는 것이 특징이다. 한편 SK하이닉스는 고객 수요가 공급 역량을 상회하는 환경이 지속되는 가운데, AI 시대 구조적 수요 성장에 대응할 수 있는 공급 역량 확보가 핵심 경쟁력으로 부각됐다고 강조했다. 이에 올해 투자 규모는 M15X 램프업, 용인 클러스터를 중심으로 한 인프라 준비와 EUV 등 핵심 장비 확보로 전년 대비 크게 증가할 것이라고 설명했다. SK하이닉스는 "중장기 수요 성장에 선제적으로 대응할 수 있는 생산 기반을 전략적으로 확충하겠다”며 “수요 가시성을 고려한 투자를 통해 공급 안정성과 재무 건전성을 함께 확보하겠다”고 말했다.

2026.04.23 08:39장경윤 기자

SK하이닉스, HBM 생산기지 P&T7 착공..."AI 메모리 리더십 완결"

SK하이닉스는 이병기 양산총괄을 비롯한 임직원 125명 및 구성원 가족 40명과 공사를 맡은 SK에코플랜트 임직원 20명이 참석한 가운데 'P&T7 착공식'을 개최했다고 22일 밝혔다. 이날 착공식은 공장 건설 경과보고를 시작으로, 안전을 다짐하는 퍼포먼스와 기공을 알리는 터치버튼 세리니가 뒤이어 진행됐다. 참가자들은 예기치 않은 안전사고 없이 공사가 순조롭게 진행되기를 기원하며 열렬한 박수와 환호를 보냈다. P&T7은 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제조에 필수적인 어드밴스드 패키징 전용 팹(FAB)이다. 수조 원을 들여 청주 테크노폴리스 산업단지 내 약 23만㎡(7만 평) 규모로 조성될 예정이며, 웨이퍼레벨패키지(WLP) 공정 라인 3개 층 약 6만㎡(약 1만8000 평)와 웨이퍼테스트(WT) 공정 라인 7개 층 약 9만㎡(약 2만8000 평)을 합치면, 클린룸 면적만 약 15만㎡(4만6000 평)에 달한다. 착공 후 2027년 10월에는 WT 라인을 준공하고, 2028년 2월에는 WLP 라인까지 순차적으로 준공하는 것을 목표로 공사가 진행된다. 최근 WLP와 같이 미세화 한계를 뛰어넘을 핵심 기술들이 속속 개발되면서, 후공정은 개발된 제품의 신뢰성을 확보하고 패키징을 완료하는 기존 역할에서 한발 더 나아가, AI 반도체의 성능을 결정짓는 핵심 변수로 부상했다. 이에 첨단 공정 기술이 집약될 P&T7은 완공 이후 급증하는 글로벌 AI 메모리 수요에 선제적으로 대응하고 현재의 기술 초격차를 유지하기 위한 전략적 요충지가 될 전망이다. SK하이닉스 이병기 양산총괄은 인사말을 통해 “P&T7은 SK하이닉스의 AI 메모리 리더십을 완결 짓는 핵심 생산기지”라며 “이곳에서 생산될 첨단 제품들이 글로벌 AI 인프라의 표준이 될 수 있도록 제조 역량을 집중하는 한편, 지역 사회와 긴밀히 소통하며 국가 산업 경쟁력 강화와 지역 상생이라는 두 마리 토끼를 모두 잡는 성공적인 사업 모델을 완성하겠다”고 말했다. SK하이닉스는 P&T7 부지 선정 단계부터 지역 균형 성장의 중요성과 산업 생태계 전반에 미칠 영향을 깊이 고민해 청주를 최종 선택했다. 중장기적으로 국가 산업 기반을 강화하고 수도권에 쏠린 무게추를 지방으로 옮겨, 수도권과 지방이 함께 성장하는 선순환을 이뤄내겠다는 전략적인 판단이었다. P&T7는 M11, M12, M15, 그리고 M15X에 이어 SK하이닉스가 청주에 건설하는 다섯 번째 생산시설이기도 하다. 완공 후 본격적으로 인접 생산 거점과 시너지를 내기 시작하면, 청주는 명실상부한 SK하이닉스의 새로운 AI 메모리 핵심 거점으로 자리매김하게 된다. 지역 사회에 미칠 긍정적인 파급 효과도 클 것으로 전망된다. 우선 공사 기간 동안 현장에 일평균 320명, 최대 9000명에 달하는 인력이 투입돼, 지역 경제에 활기를 불어넣을 것으로 기대된다. 완공 이후에도 P&T7 운영을 위해 약 3000명의 사내 인력이 근무할 예정이라, 지역 경제에 미칠 긍정적인 영향력은 지속될 전망이다. 이와 함께 대규모 산업단지가 활성화되면 교통망을 비롯한 인근 인프라가 확충돼, 지역 주민들의 정주 여건도 크게 개선될 것으로 예상된다. 또한 청주 지역 내 협력사가 늘어나는 만큼, SK하이닉스는 기존 운영 중인 동반성장 프로그램(기술 개발, 경영컨설팅, 금융 지원 등)도 더욱 확대할 방침이다. 이를 통해 지역 산업 생태계 전반의 경쟁력을 높이고, 강화된 협력사의 기술력이 SK하이닉스의 제품 경쟁력에 즉각적으로 반영되는 선순환 구조를 공고히 한다는 구상이다. SK하이닉스는 “P&T7은 생산시설을 증설하는 의미를 넘어, 지역과 기업이 함께 쌓아온 신뢰의 결실로써 지역 균형 성장을 이끌어 나갈 핵심 축이 될 것”이라며 “앞으로도 지역 사회와의 상생 협력에 진심을 다해 국가 균형 발전을 위해 성공적인 이정표를 세우겠다”고 말했다. 한편 SK하이닉스는 AI 수요 대응을 위한 후공정 팹의 추가 확충을 고려 시, 지역 균형 발전에 기여할 수 있는 국내 거점 다변화 방안을 지속적으로 검토해 나간다는 계획이다.

2026.04.22 14:33장경윤 기자

中 D램 업체, HBM3 개발 난항…韓 추격 아직 '시기 상조'

중국 창신메모리(CXMT)가 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 상용화 시기를 늦출 가능성이 높아지고 있다. 당초 올 상반기 상용화에 나서는 것이 목표였지만, 아직까지 관련 소재·부품 협력사에 양산 수준의 발주를 진행하지 못한 것으로 파악된다. 20일 업계에 따르면 CXMT는 당초 올해 상반기를 목표로 했던 HBM3 양산 일정에 차질을 빚고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 전세계 기준 D램 시장 점유율은 권외 수준이지만, DDR5·LPDDR5X 등 최신 규격의 D램 상용화에 성공했을 정도로 기술을 빠르게 고도화했다는 평가를 받고 있다. CXMT는 AI 데이터센터용 고성능 D램인 HBM 시장에도 문을 두드리고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리 반도체다. 전공정·후공정 모두 매우 높은 수준의 기술을 요구한다. CXMT가 중점적으로 개발 중인 제품은 HBM3다. HBM 중 4세대에 해당하는 제품으로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 속한다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 기업들은 올해 HBM4의 본격적인 양산에 돌입하고 있다. 다만 CXMT의 HBM3는 아직 테스트 단계에 머물러 있다는 게 업계의 평가다. 당초 이르면 올해 상반기에 양산에 나서는 것이 목표였으나, 사실상 일정이 지속 연기되고 있다. 현재 HBM3에 필요한 소재·부품 발주량이 샘플 제조 수준에 머무르고 있는 것으로 파악된다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT의 기술적 진보는 빠른 수준이나, HBM3 양산 일정은 계속 미뤄지고 있다"며 "개발 진척 상황을 보면 연내 양산은 어려울 것으로 관측된다"고 설명했다. 한편 CXMT는 HBM3의 코어 다이로 G4(16나노미터급) D램을 채용했다. 지난해 양산이 본격화된 D램으로, CXMT 기준으로는 최신 공정에 해당한다. D램을 층층이 이어붙이는 후공정 기술로는 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 채택했다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 기술이다. 이후 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 도포한다. 현재 SK하이닉스가 MR-MUF 공정을 활용하고 있다.

2026.04.21 10:55장경윤 기자

SK하이닉스 "AI 시대 협력사와 공급망 경쟁력 강화"

SK하이닉스가 협력사와 함께 인공지능(AI) 시대 반도체 공급망 경쟁력을 강화하기 위한 동반성장 전략을 본격화한다. SK하이닉스는 20일 서울 광진구 그랜드 워커힐에서 '2026년 동반성장협의회 정기총회'를 개최하고 이 같은 구상을 공유했다. 동반성장협의회는 SK하이닉스와 협력사가 공급망 경쟁력 강화와 협력 관계 구축을 위해 2001년 결성한 협의체다. 이날 행사에는 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장, 강유종 부사장(구매 부문장)을 비롯해 황철주 동반성장협의회장(주성엔지니어링 대표) 등 89개 회원사 대표가 참석했다. 이번 총회에서는 2025년 사업 결산과 2026년 사업 계획 및 예산안이 승인됐으며, 올해 협력사 경쟁력 제고를 위한 새로운 협의회 운영 방향이 제시됐다. SK하이닉스는 올해부터 분과간담회 운영 방식을 개편한다. 기존에는 SK하이닉스가 논의 주제를 설정했으나, 앞으로는 협력사가 현장에서 겪는 실제 어려움을 기반으로 주제를 도출한다. 이후 관심사가 비슷한 협력사들이 자율적으로 소그룹을 구성해 실질적인 해법을 찾을 수 있도록 SK하이닉스가 지원할 예정이다. 또한, 맞춤형 상생협력 프로그램도 확대 운영한다. '반도체 아카데미(Academy)'를 활용해 협력사 임직원 대상 심화 교육을 진행하고, 기술, 경영, 금융 등 다양한 분야에서 협력사의 사업 경쟁력을 높이기 위한 지원을 강화할 방침이다. 이날 행사에서는 SK하이닉스의 경영 실적과 AI 메모리 시장 전망, 리더십 확보를 위한 향후 계획 등도 함께 공유됐다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "AI 수요는 일시적인 기회가 아닌 산업의 표준이 되었고, 이에 따라 반도체 산업 구조 자체가 재편되고 있다"며 "다가올 AI 시대에도 회원사들이 글로벌 시장에서 지속 가능한 경쟁력을 갖출 수 있도록 상생협력의 깊이와 범위를 더욱 넓혀 나가겠다"고 말했다. 황철주 동반성장협의회장은 "SK하이닉스가 협의회 회원사와 쌓아온 신뢰와 협력에 힘입어 AI 시대를 주도할 핵심 기업으로 도약하고 있다"며 "앞으로 협력 관계를 더 강화해 새로운 시대를 함께 열어 가자"고 화답했다.

2026.04.20 16:10전화평 기자

SK하이닉스, 엔비디아향 차세대 '소캠2' 본격 양산 개시

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) LPDDR5X 저전력 D램 기반 차세대 메모리 모듈 규격인 소캠(SOCAMM)2 192GB(기가바이트) 제품을 본격 양산한다고 20일 밝혔다. 소캠2는 주로 스마트폰 등 모바일 제품에 사용되던 저전력 메모리를 서버 환경에 맞게 변형한 모듈로 차세대 AI 서버 등에 주력으로 활용된다. 기존 모듈 대비 얇은 두께와 높은 확장성을 갖췄으며, 압착식 커넥터를 통해 신호 무결성을 높이고 모듈 교체가 용이한 장점이 있다. SK하이닉스는 "1c 나노 공정을 적용한 소캠2 제품은 기존 RDIMM 대비 2배 이상의 대역폭과 75% 이상 개선된 에너지 효율을 실현해 고성능 AI 연산에 최적화된 설루션"이라고 강조했다. 특히 이번 소캠2 제품은 엔비디아의 베라 루빈(Vera Rubin)에 최적화 설계됐다. SK하이닉스는 "수천 억 개의 파라미터를 보유한 초거대 AI 모델의 학습과 추론 과정에서 발생하는 메모리 병목 현상을 근본적으로 해소함으로써 전체 시스템의 처리 속도를 비약적으로 높이는 데 기여할 것으로 기대된다"고 밝혔다. 회사는 이어 “AI 시장이 학습에서 추론 중심으로 본격 전환되면서, 거대언어모델을 저전력으로 구동할 수 있는 소캠2가 차세대 메모리 설루션으로 주목받고 있다”며 “글로벌 CSP 고객 수요에 발맞춰 양산 체제를 조기 안정화 했다”고 덧붙였다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장(CMO)은 “소캠2 192GB 제품 공급으로 AI 메모리 성능의 새로운 기준을 세웠다”며 “글로벌 AI 고객과 긴밀한 협력을 바탕으로 고객이 가장 신뢰하는 AI 메모리 설루션 기업으로 자리매김하겠다”고 말했다.

2026.04.20 09:07장경윤 기자

삼성·SK, LPDDR 추가 성장동력 확보…테슬라 AI칩 양산 수혜

테슬라의 자체 인공지능(AI) 반도체 양산 확대로 삼성전자·SK하이닉스의 저전력 D램(LPDDR) 수요가 촉진될 전망이다. 테슬라가 구상 중인 차세대 AI칩은 최신 LPDDR 표준인 'LPDDR6'를 탑재할 것으로 알려졌다. 17일 업계에 따르면 테슬라는 자체 AI 반도체에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업의 최첨단 LPDDR을 채용할 전망이다. 테슬라는 자율주행 및 휴머노이드 로봇 기술을 고도화하기 위해 AI 반도체를 자체 개발해 왔다. 현재 2나노미터(nm) 공정 기반 'AI5'까지 테이프 아웃(Tape-out)에 성공한 상태다. 테이프 아웃은 칩 설계를 완료하고 파운드리 양산 공정에 이관하는 단계를 뜻한다. 차세대 제품 개발도 진행되고 있다. 테슬라는 지난해 하반기 'AI6' 양산을 위해 삼성전자와 22조7600억원 규모 위탁생산 계약을 체결했다. 지난 16일에는 AI6 개선 버전인 AI6.5 양산 계획을 처음 공개했다. AI6.5는 TSMC 2나노 공정을 기반으로 한다. 이로써 테슬라는 AI5와 AI6 시리즈 모두 삼성전자·TSMC를 파운드리로 활용하는 이원화 전략을 취하게 됐다. 향후 칩 생산량 증가를 고려한 결정으로 풀이된다. 당시 일론 머스크 CEO는 "AI6는 미국 텍사스의 삼성전자 2나노 팹을 사용하고, AI6.5는 애리조나의 TSMC 2나노 팹을 사용해 성능을 더욱 향상시킬 것"이라고 밝힌 바 있다. 테슬라의 AI 반도체 양산 확대는 삼성전자, SK하이닉스의 메모리 사업에도 긍정적이다. AI5 및 AI6 시리즈가 최첨단 LPDDR 제품을 탑재하기 때문이다. 세부적으로, AI5용 LPDDR은 SK하이닉스가 주력 벤더 지위에 오른 것으로 파악된다. 테슬라가 최근 공개한 AI5 샘플 역시 SK하이닉스의 LPPDR 제품을 탑재하고 있다. AI6부터는 삼성전자 역시 본격적인 LPDDR 공급망에 합류할 것으로 전망된다. 반도체 업계 관계자는 "AI5는 초기 TSMC가 양산을 수주한 제품으로, SK하이닉스의 LPDDR5X를 채용한 것으로 안다. AI6부터는 삼성전자도 파운드리 및 메모리를 턴키로 공급할 수 있을 것"이라며 "테슬라의 AI칩 라인업 확대는 양사 메모리 사업에 수혜로 작용한다"고 말했다. 특히 AI6 및 AI6.5는 LPDDR6를 탑재할 예정이다. LPDDR6는 8세대 LPDDR로, 지난해 7월 표준이 제정됐다. 메모리의 성능을 좌우하는 대역폭은 10.6~14.4Gbps로 이전 세대인 LPDDR5X(8.5~10.7Gbps) 대비 약 1.5배 가량 향상됐다. LPDDR6의 본격적인 상용화 시점은 이르면 올 하반기다. 이에 고성능컴퓨팅(HPC) 반도체를 설계하는 팹리스 기업들은 이미 LPDDR5X 및 LPDDR6의 설계자산(IP)을 병행 탑재하는 방안을 적극 논의 중인 것으로 알려졌다.

2026.04.17 10:20장경윤 기자

메모리 공급 부족에 VR헤드셋마저 가격 인상

메타가 VR헤드셋 디바이스인 퀘스트3 가격 인상을 단행했다. 메모리 반도체 공급 부족에 따른 단가 상승 영향에 제조 원가를 고려한 결정이다. 16일(현지시간) 미국 씨넷에 따르면 메타는 회사 블로그를 통해 19일부터 퀘스트3와 퀘스트3S 가격을 인상한다고 밝혔다. 저장용량 기준 512GB인 퀘스트3는 기존 500달러에서 600달러로 판매가를 100달러 높였다. 또 128GB와 256GB 용량의 퀘스트3S는 각각 300달러, 400달러에서 50달러씩 인상했다. 메타 측은 급격한 핵심 부품 비용 상승을 가격 인상 이유로 들었다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 RAM 가격은 80~90% 상승했다. 이에 메타 퀘스트에 앞서 마이크로소프트의 서피스와 삼성전자 일부 제품의 가격 인상이 이뤄졌다.

2026.04.17 10:02박수형 기자

SK하이닉스, 올해 HBM4 물량 하향 조정...HBM3E 등 확대

SK하이닉스가 올해 엔비디아향 6세대 고대역폭메모리(HBM) 출하량을 당초 계획 대비 20~30% 가량 줄이는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 엔비디아가 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 양산 확대에 어려움을 겪으면서 발생한 영향으로 풀이된다. 다만 줄어드는 SK하이닉스의 HBM4 물량은 이전 세대인 HBM3E와 서버용 D램 등으로 수요가 대체될 전망이다. 각 제품별로 마진율이 상이한 만큼, 올해 사업 실적에 미칠 영향은 더 지켜봐야 한다는게 업계의 전언이다. 14일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 올해 할당했던 엔비디아향 HBM4 출하량 중 일부를 HBM3E 및 서버용 D램 물량으로 변경할 계획이다. HBM4는 올해 본격적으로 상용화되는 최신 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올 하반기 출시를 목표로 하고 있는 AI 반도체 '베라 루빈'에 첫 탑재된다. 이에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 모두 엔비디아향 HBM4 공급에 총력을 기울이고 있다. 다만 업계는 올해 루빈 시리즈의 출하량이 당초 계획보다 줄어들 것으로 보고 있다. 루빈 플랫폼을 구성하는 여러 구성 요소의 최적화가 아직 완벽히 이뤄지지 않았다는 분석에서다. 대표적으로, 엔비디아는 HBM4의 데이터 처리 성능을 업계 표준에서 크게 높인 11Gbps대로 요구한 바 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 최근 발간한 보고서에서 "HBM4 검증에 필요한 시간 외에도 네트워크 인터커넥트 전환과 전력 소비량 증가, 더 고도화된 액체 냉각 솔루션 최적화 등 여러 과제가 남아있다"며 "결과적으로 엔비디아의 고성능 GPU 출하량에서 루빈 시리즈가 차지하는 비중은 기존 29%에서 22%로 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 반면 엔비디아가 현재 가장 주력으로 양산 중인 '블랙웰(Blackwell)' 시리즈의 출하량 비중은 기존 61%에서 71%로 크게 늘어날 전망이다. 블랙웰은 HBM3E를 탑재한다. 이에 국내 메모리 업계도 HBM 사업 전략을 수정 중인 것으로 파악됐다. 특히 SK하이닉스의 사업 변동성이 가장 큰 폭으로 나타나고 있다. SK하이닉스가 HBM 시장의 지배적 사업자로서 엔비디아향 HBM4 및 HBM3E에서 가장 많은 출하량 비중을 차지하고 있기 때문이다. 사안에 정통한 관계자는 "올해 출하되는 루빈 시리즈 자체의 양이 줄어들면서 SK하이닉스의 HBM4 출하량 계획도 수정이 불가피한 상황"이라며 "대신 해당 물량이 HBM3E나 다른 서버용 LPDDR(저전력 D램) 쪽으로 이관되기 때문에, 메모리 수요 총량이 줄어드는 것은 아니다"고 설명했다. 당초 SK하이닉스는 올해 엔비디아향으로 60억Gb(기가비트) 수준의 HBM4 출하를 계획했었다. 현재 논의되고 있는 물량은 이보다 20~30% 적은 수준이다. 감소되는 물량의 일부가 블랙웰 시리즈용으로 전환됨에 따라, HBM3E 물량도 당초 전망치인 80억Gb를 상회할 것으로 관측된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 내부적으로 HBM4의 물량 일부를 HBM3E 및 서버용 LPDDR로 전환하는 방안을 논의 중"이라며 "실제로 HBM4 양산을 위한 소재·부품 발주량도 당초 예상보다 더디게 증가하고 있다"고 말했다.

2026.04.14 14:23장경윤 기자

"캐패시터 없는 DRAM으로 데이터 1천초 유지"

국내 연구진이 인공지능(AI) 연산에 유용한 저전력·고집적 메모리 구조를 제시했다. 별도 캐패시터 없이도 데이터를 안정적으로 저장할 수 있다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 산화물 반도체 트랜지스터(TFT)를 적용한 '2T0C(2-트랜지스터-0-캐패시터)' DRAM 구조를 만들었다고 14일 밝혔다. 연구결과는 국제학술지 어드벤스드 사이언스에 온라인으로 게재됐다. 이 기술은 '캐패시터리스 DRAM'이라 불리는 차세대 메모리 방식이다. 현재 쓰이는 DRAM은 1T1C 구조다. 트랜지스터 1개와 캐패시터 1개가 함께 작동해 데이터를 저장한다. 이때 캐패시터는 전기를 저장하는 공간 역할을 한다. 그러나 반도체가 작아질수록 이 캐패시터를 만드는 과정이 어려워지고, 전력 소모도 커지는 문제가 있다. 연구팀은 '산화물 반도체'라는 소재에 주목했다. 알루미늄이 첨가된 인듐-주석-아연 산화물(ITZO) 소재를 사용해 트랜지스터를 만들고, 아산화질소(N2O) 플라즈마 공정을 통해 내부 결함을 정밀하게 조절했다. 산화물 반도체는 전기가 새 나가는 양인 누설 전류가 적고, 전하를 안정적으로 유지할 수 있다. 데이터를 읽는 트랜지스터 채널 비율(W/L)을 최적화해 저장된 전하가 쉽게 사라지지 않도록 설계했다. 그 결과, 1,000초 이상 데이터를 유지하는데 성공했다. 데이터를 '0'과 '1'로 명확하게 구분할 수 있는 범위인 메모리 윈도우도 약 13배 향상됐다. 남수지 플렉시블전자소자연구실 박사는 "산화물 반도체 기술이 차세대 메모리 소자에도 적용될 수 있음을 확인했다. 앞으로 3차원 반도체 집적 기술과 저전력 컴퓨팅 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다”고 밝혔다. 연구는 양차환 UST 과학기술연합대학원대학교 ETRI 캠퍼스 석사과정생이 제1저자로 진행했다.

2026.04.14 08:53박희범 기자

삼성전자, ASMPT와 HBM TC본더 평가...공급망 다변화 지속

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 열압착(TC) 본딩 장비 공급망 다변화를 지속 추진하고 있다. 최근 해외 반도체 장비기업 ASMPT와 HBM용 TC 본더에 대한 데모 테스트를 마무리하고, 다음 협력 단계를 추진하기로 한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT와 HBM용 TC본더에 대해 JEP(Joint evaluation Project 공동평가프로젝트)를 진행할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리다. 삼성전자의 경우 각 D램 사이에 비전도성 접착 필름(NCF)를 넣고, 열압착을 가해 붙이는 공정을 채택하고 있다. 이 접합 과정에서 쓰이는 장비가 TC본더다. 삼성전자의 HBM용 TC본더는 자회사인 세메스가 주력으로 공급해 왔다. 그러나 지난해부터는 국내외 후공정 장비업체들을 추가로 공급망에 편입하는 조치를 추진해 왔다. 이 중 ASMPT는 삼성전자와 올 1분기까지 HBM용 TC본더에 대한 초기 테스트를 진행해 왔다. 해당 테스트는 연구소 단계에서 데모 장비를 시연해보는 수준이다. 나아가 양사는 최근 TC본더에 대한 JEP를 추진하기로 합의한 것으로 파악된다. JEP는 이미 개발된 장비를 고객사의 양산 라인에 설치해, 장비의 성능 및 신뢰성 등을 검증하는 프로젝트다. 장비의 실제 적용 가능성을 평가하는 단계로 볼 수 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM용 TC본더 공급망 다변화를 지속적으로 검토해 왔다"며 "ASMPT와의 JEP도 이러한 전략의 일환으로, 양사 간 테스트가 점차 진전을 보이고 있다는 움직임"이라고 설명했다. 물론 삼성전자가 ASMPT의 HBM용 TC본더를 실제 양산 공정에 도입할 지는 아직 확신할 수 없다. 양산 공정에서 장비 성능이 만족스럽지 못하거나, 가격 협상이 잘 이뤄지지 않는 등 상용화까지 많은 변수가 남아있기 때문이다. 삼성전자의 하이브리드 본딩 장비 도입 시점도 TC본더 공급망 다변화에 많은 영향을 끼칠 것으로 보인다. 하이브리드 본딩은 기존 D램과 D램 사이의 마이크로 범프를 쓰지 않고, 칩을 직접 연결하는 기술이다. TC본딩 대비 칩 성능 강화에 유리해 차세대 HBM용 본딩 공정으로 주목받고 있다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 높아, HBM용 본딩 분야에서 아직 상용화된 전례가 없다. 또한 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 차세대 HBM의 두께 기준을 완화하는 방안을 추진 중이다. 두께가 더 두꺼워지면 기존 TC본딩 기술을 유지하는 데 용이하다. 또 다른 업계 관계자는 "아직 하이브리드 본딩 기술이 완성되지 않았고, 실제 도입 시에도 일부 층에만 적용하는 등 제한된 방안이 논의되고 있어 TC본딩 기술이 예상 대비 더 성장할 가능성이 있다"며 "이러한 상황에서 삼성전자도 TC본더 공급망 다변화에 더 큰 수요를 느끼게 될 것"이라고 말했다.

2026.04.13 14:32장경윤 기자

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