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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (351건)

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퀄컴, AI 추론용 신규 가속기 출시…엔비디아·AMD에 도전장

퀄컴이 차세대 AI 가속기로 AI 데이터센터 시장을 공략한다. 해당 칩은 저전력 D램을 채용해 엔비디아·AMD 등 기존 HBM(고대역폭메모리) 기반의 AI 가속기 대비 비용을 낮춘 것이 특징이다. 28일 퀄컴은 데이터센터용 AI 추론 최적화 솔루션인 'AI200', 'A250' 칩 기반 가속기 카드와 랙을 출시한다고 밝혔다. 퀄컴에 따르면 AI200은 LLM 및 멀티모달 추론 등 다양한 AI 기능에 최적화된 성능과 낮은 총소유비용(TCO)를 제공하도록 설계됐다. 카드 당 768GB(기가바이트)의 LPDDR을 지원한다. LPDDR은 저전력 D램을 뜻한다. 엔비디아·AMD 등 기존 데이터센터용 AI 가속기 개발업체가 HBM(고대역폭메모리)을 주요 메모리로 채용한 데 반해, 퀄컴은 LPDDR을 탑재해 비용 및 전력 효율성을 극대화하려는 것으로 풀이된다. 또한 AI250은 메모리 기반 컴퓨팅을 통해 메모리 아키텍처에 변화를 줬다. 퀄컴은 "10배 이상 향상된 유효 메모리 대역폭과 훨씬 낮은 전력 소비를 제공해 AI 추론 워크로드의 효율성과 성능을 획기적으로 향상시킨다"고 설명했다. 이외에도 AI200 및 A250 기반의 랙 솔루션은 열 효율성을 위한 액체 냉각, 160kW 수준의 전력 소비, PCIe·이더넷 등의 연결 기술, 보안 컴퓨팅 적용 등을 특징으로 한다. AI200 및 A250은 각각 2026년과 2027년에 상용화될 예정이다. 기존 AI 가속기 대비 뛰어난 가성비를 강조한 만큼, 업계는 해당 칩이 반도체 업계에 불러올 파장에 대해 주목하고 있다. 다만 AI200 및 AI250의 구체적인 성능이 공개되지 않았다는 점은 아직 변수로 남아있다. 문준호 삼성증권 연구원은 "퀄컴은 AI 추론에 초점을 맞춰 HBM이 아닌 LPPDR을 탑재했기 때문에 가격을 낮출 수 있다"면서도 "랙 솔루션의 예상 전력 소비량이 HBM을 탑재한 엔비디아 GB300 NVL72(140~150kW)에 달하는 만큼, 고객사 및 스펙을 먼저 확인해야 할 것"이라고 밝혔다.

2025.10.28 09:58장경윤

SK하이닉스, AI 낸드 제품군 확장…성능·대역폭·용량 다 잡는다

SK하이닉스는 지난 13~16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 진행된 '2025 OCP(오픈 컴퓨트 프로젝트) 글로벌 서밋' 행사에 참가해 차세대 낸드 스토리지 제품 전략을 발표했다고 27일 밝혔다. SK하이닉스는 "AI 추론 시장이 급성장하면서 많은 데이터를 신속하고 효율적으로 처리할 수 있는 낸드 스토리지 제품 수요가 크게 확대되고 있다"며 "이에 당사는 'AIN(에이아이엔, AI-NAND) 패밀리' 라인업을 구축해 AI 시대에 최적화된 솔루션 제품으로 고객들의 수요를 충족시키겠다"고 말했다. SK하이닉스는 행사 둘째 날 진행된 이그제큐티브 세션에 김천성 부사장(eSSD Product Development 담당)이 발표자로 나서 AIN 패밀리를 소개했다. AIN 패밀리는 성능, 대역폭, 용량 세 가지 측면에서 각각 최적화된 낸드 솔루션 제품들로, 데이터 처리 속도 향상과 저장 용량 극대화를 구현한 제품군이다. AIN P(Performance)는 대규모 AI 추론 환경에서 발생하는 방대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리하는 솔루션이다. AI 연산과 스토리지 간 병목 현상을 최소화해 처리 속도와 에너지 효율을 대폭 향상시킨다. 이를 위해 회사는 낸드와 컨트롤러를 새로운 구조로 설계 중이며, 2026년말 샘플 출시 계획이다. 이와 달리 AIN D(Density)는 저전력, 저비용으로 대용량 데이터를 저장하는데 초점을 맞춘 고용량 솔루션으로 AI 데이터 보관에 적합하다. 기존 QLC(쿼드레벨셀) 기반 TB(테라바이트)급 SSD보다 용량을 최대 PB(페타바이트)급으로 높이고, SSD의 속도와 HDD의 경제성을 동시에 구현한 중간 계층 스토리지를 목표로 하고 있다. 마지막으로 AIN B(Bandwidth)는 낸드를 적층해 대역폭을 확대한 솔루션이다. 이는 'HBFTM'로 불리는 기술을 적용한 회사의 제품명이다. HBF은 디램을 적층해 만든 HBM과 유사하게 낸드 플래시를 적층해서 만든 제품을 뜻한다. 글로벌 최고 수준의 HBM 개발, 생산 역량을 보유한 SK하이닉스는 AI 추론 확대, LLM* 대형화에 따른 메모리 용량 부족 문제를 해결하기 위해 일찍부터 AIN B 연구에 착수했다. 대용량, 저비용의 낸드에 HBM 적층 구조를 결합한 것이 핵심이다. 회사는 AIN B를 HBM과 함께 배치해 용량 문제를 보완하는 구조 등 다양한 활용 방안을 검토하고 있다. SK하이닉스는 AIN B 생태계 확대를 위해 지난 8월 HBF 표준화 양해각서(MOU)를 체결한 미국 샌디스크와 함께 14일 저녁 OCP 행사장 인근 과학 기술 센터(The Tech Interactive)에서 글로벌 빅테크 관계자들을 초청해 'HBF 나이트(Night)'를 열었다. 국내외 교수진이 참가해 패널 토의로 진행된 이날 행사에는 수십여 명의 업계 주요 아키텍트(시스템 설계 전문가)와 기술진들이 참석했다. 이 곳에서 회사는 낸드 스토리지 제품 혁신을 가속화하기 위한 업계 차원의 협력을 제안했다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “이번 OCP 글로벌 서밋과 HBF 나이트를 통해 AI 중심으로 급변하는 시장 환경에서 '글로벌 AI 메모리 솔루션 프로바이더'로 성장한 SK하이닉스의 현재와 미래를 선보일 수 있었다”며 “차세대 낸드 스토리지에서도 고객과 다양한 파트너와 협력해 AI 메모리 시장의 핵심 플레이어로 올라설 수 있도록 할 것”이라고 말했다.

2025.10.27 08:59장경윤

신성이엔지, 클린룸 사업 확장..."EDM, 韓메모리 고객사 평가 완료"

신성이엔지가 반도체 클린룸 사업 영역을 확장한다. 초소형 습도 제어 모듈·내장형 케미컬필터 등을 개발해 올해 국내 주요 반도체 고객사향 퀄(품질) 테스트를 마무리한 것으로 알려졌다. 국내외 반도체 인프라 투자가 활발히 진행되고 있는 만큼 매출 확대 효과가 기대된다. 이영일 신성이엔지 클린환경 사업부문 부사장은 지난 23일 서울 코엑스에서 열린 'SEDEX 2025(반도체대전)' 행사장에서 기자와 만나 회사의 향후 사업 전략에 대해 밝혔다. 신성이엔지는 반도체·디스플레이 제조 공정의 오염도 및 온도 등을 제어하는 클린룸을 주력 사업으로 영위하고 있다. 공기를 정화하는 FFU(팬필터유닛)와 장비에 부착하는 EFU(장비 팬필터유닛) 등이 대표적인 제품이다. 나아가 신성이엔지는 EDM(장비제습모듈)으로 클린룸 사업 확장에 나선다. EDM은 반도체 공정 상에서 EFEM(웨이퍼 이송 장비) 내부 및 상부에 부착돼, 웨이퍼 표면의 습도를 제어한다. 기존에는 공정 장비의 습도 제어를 위해 배관 등 여러 부품이 필요했으나, EDM은 소형 내장형 모듈로 사용성이 매우 편리하다는 장점이 있다. 신성이엔지는 3년 전부터 EDM 개발을 시작해, 올해 상반기 국내 주요 메모리 고객사향으로 양산 퀄 인증을 받았다. 국내외 복수의 주요 전공정 장비업체와도 공급 논의를 적극 진행 중이다. 이 부사장은 "반도체 공정의 미세화로 습도 제어에 대한 필요성이 높아지면서, 2년 전부터 관련 기술에 대한 고객사들의 문의가 많아졌다"며 "1세대 EDM은 이미 일부 제품이 고객사에 도입돼 있고, 2세대 제품도 내년 상반기를 목표로 개발하고 있다"고 설명했다. ICF(내장형 케미컬필터)도 최근 반도체 분야에서 괄목할 만한 성과를 거뒀다. ICF는 클린룸 상단에 위치한 FFU에 탑재돼, 각종 유해가스를 제거하는 케미컬필터다. 기존 FFU 상부에 위치해있던 방식 대비 약 300mm가량 두께를 줄일 수 있다. 덕분에 ICF를 활용하면 층고 간섭물에 대한 설치 유연성을 확보할 수 있고, 공기 흐름 개선으로 운전 에너지를 저감할 수 있게 된다. 이 부사장은 "ICF는 디스플레이 산업에 우선 적용돼, 주요 메모리 고객사향으로도 평가는 완료했다"며 "올해부터 반도체 산업으로도 양산 공급이 시작될 것"이라고 밝혔다. 클린룸 시장 전망에 대해서는 내년과 내후년까지 긍정적인 흐름이 이어질 것으로 내다봤다. 국내 주요 고객사들이 메모리 재고 감소로 신규 및 전환 투자를 진행하고 있고, 미국 등 해외 팹 건설 프로젝트도 진행되고 있기 때문이다. 이 부사장은 "반도체 산업에서 당분간 인프라 투자가 활발히 진행될 것으로 예상한다"며 "또한 클린룸 내 에너지 소모량 저감, 장비 내 AI 기술 적용으로 에너지 효율성을 높이는 기술 등을 고객사와 논의하고 있어, 중장기적으로 매출 증대 효과를 거둘 수 있을 것"이라고 강조했다.

2025.10.27 08:47장경윤

SK하이닉스, HBM4용 테스트 장비 공급망 '윤곽'…연내 발주 시작

SK하이닉스가 내년 HBM4 본격 양산을 위해 테스트 장비 투자를 준비하고 있다. 연말까지 공급망을 구축할 예정으로, 내년 1분기부터 설비 도입이 시작될 것으로 전망된다. 일부 협력사의 경우 양산 퀄(품질) 테스트를 마무리한 것으로도 알려졌다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 내년 1분기부터 HBM4(6세대 고대역폭메모리)용 번-인 테스터를 도입할 계획이다. HBM4는 내년 엔비디아가 출시하는 AI 반도체 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 정보를 주고받는 입출력단자(I/O) 수를 2배 늘려 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. SK하이닉스의 경우 1b(5세대 10나노급) D램을 적용했으며, 지난달 양산 체계 구축을 완료했다. SK하이닉스는 HBM4 본격적인 양산 확대를 위해, 내년 초부터 신규 번-인 테스트 설비를 들일 예정이다. 투자처는 청주에 신규로 구축 중인 M15X 팹이다. 이르면 10~11월 관련 설비에 대한 초도 발주가 나올 전망이다. 번-인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품 불량 여부를 판별하는 장비다. 그간 SK하이닉스는 HBM3E 등 이전 세대에 적용된 번-인 테스터로 HBM4 샘플을 제조해 왔다. 그러나 해당 설비로는 HBM4의 원활한 양산 대응에 한계가 있어, 주요 협력사에 신규 번-인 테스터 개발을 의뢰한 바 있다. 이에 따라 국내 주요 후공정 장비기업들이 SK하이닉스 HBM4용 번-인 테스터 공급망 진입을 위해 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔다. 디아이, 와이씨, 유니테스트 3곳이 대표적이다. 특히 디아이는 최근 SK하이닉스와의 퀄 테스트를 마무리해, 협력사 중 가장 먼저 초도 주문에 대응할 것으로 알려졌다. 유니테스트, 와이씨는 이르면 연말께 공급을 확정지을 것으로 예상된다. 업계는 SK하이닉스의 내년 HBM4용 번-인 테스터 총 발주량이 150~200여대 수준으로 비교적 큰 규모가 될 것으로 기대하고 있다. HBM4에서 메모리 업체 간 수익성 확보 경쟁이 더 치열해질 것으로 전망되는 만큼, SK하이닉스가 HBM4 수율 및 생산성 향상에 주력하고 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 HBM용 번-인 테스터에 대한 공급망 이원화 전략을 꾸준히 추진하고 있어, 연말까지 추가적인 움직임이 감지될 것"이라며 "M15X 팹 증설과 맞물려 내년에 전체적으로 투자가 활발히 진행될 예정"이라고 설명했다.

2025.10.24 09:45장경윤

삼성전자, 8세대 낸드도 흥행 가도…가동률 10% 이상 올라

삼성전자가 최근 평택캠퍼스 내 주력 낸드 양산 라인의 가동률을 크게 끌어올린 것으로 파악됐다. AI 산업 주도로 낸드 업황이 빠르게 개선되면서 소비자용 낸드 재고까지 덩달아 빠르게 감소한 덕분이다. 20일 업계에 따르면 삼성전자는 올 3분기 8세대(V8) 낸드 가동률을 전분기 대비 10% 이상 높였다. V8 낸드는 삼성전자가 지난 2022년 말부터 양산하기 시작한 낸드다. 적층 수는 236단으로, 6세대(V6)와 더불어 삼성전자의 주력 낸드 제품으로 자리해 왔다. 생산능력은 월 10만장 내외로 추산된다. 지난 2분기만 해도 삼성전자 V8 낸드의 가동률은 60~70%로 평이한 수준이었다. 그러나 올 3분기 들어서는 라인 가동률이 80%대까지 올라간 것으로 파악됐다. 해당 낸드 제조를 위한 소재·부품 발주량도 올해 중반을 기점으로 함께 증가했다. 반도체 업계 관계자는 "하반기 들어 V8 낸드 재고가 급감하면서 삼성전자가 생산량을 다시 늘리는 추세"라며 "3분기 최소 80% 이상의 가동률을 유지하고, 4분기에도 긍정적인 분위기가 지속될 것"이라고 설명했다. 주 요인은 낸드 업황의 개선 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 낸드 평균판매가격은 올 3분기와 4분기 각각 5~10%가량 상승할 것으로 관측된다. 올 상반기 메모리 공급사의 감산 전략으로 재고가 줄어든 반면, 수요는 전반적으로 증가한 데 따른 영향이다. 삼성전자 V8 낸드는 이러한 추세에 간접적인 수혜를 입었다. 현재 낸드 수요 증가는 주로 AI 인프라를 위한 eSSD(기업용 SSD) 분야가 주도하고 있다. 서버용 eSSD는 QLC(쿼드레벨셀) 낸드가 주로 탑재된다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, TLC(트리플레벨셀) 대비 고용량 저장장치 구현에 유리하다. 삼성전자 V8 낸드는 주로 소비자용으로 활용되는 TLC가 주축을 이루고 있다. QLC 제품으로는 출시되지 않았다. 그럼에도 낸드 공급망 전체가 eSSD로 수급이 쏠리면서, 소비자용 SSD도 재고가 빠르게 감소한 것으로 알려졌다. 한편 삼성전자의 eSSD 수요를 사실상 전담하는 V6 낸드도 지난해 중반부터 높은 가동률을 유지하고 있다. 중국 내 노후화된 설비를 갖춘 현지 데이터센터들의 수요가 꾸준히 발생하고 있는 것으로 전해진다.

2025.10.20 13:38장경윤

"中 시장 점유율 0%"…엔비디아 규제에 메모리 업계도 한숨

엔비디아의 중국 내 AI 반도체 시장 입지가 휘청이고 있다. 미중간 AI 반도체 패권 경쟁이 심화되면서 현지 칩 판매가 사실상 불가능해졌기 때문이다. 엔비디아에 제품을 공급하는 메모리 업계에도 부정적인 영향이 미치고 있다. 19일 업계에 따르면 AI 반도체를 둘러싼 미중갈등의 여파로 HBM(고대역폭메모리) 등 엔비디아향 메모리 수요가 일시 감소할 수 있다는 우려가 제기된다. 앞서 젠슨 황 엔디비아 최고경영자(CEO)는 지난 6일 뉴욕에서 열린 시타델 증권 행사에서 "미국의 반도체 수출 규제에 따라 중국 본토 기업에 첨단 제품을 판매할 수 없게 되면서, 중국 내 첨단 반도체 시장 점유율이 95%에서 0%로 떨어졌다"고 밝혔다. 그는 이어 "현재 우리는 중국에서 완전히 철수했다"며 "정책 변화에 대한 희망을 갖고 설명 및 정보 제공을 지속할 수 있기를 바란다"고 덧붙였다. 엔비디아는 지난 2022년부터 A100, H100 등 고성능 AI 반도체의 중국 수출에 대한 규제를 받아 왔다. 중국 시장을 겨냥해 성능을 낮춘 'H20' 등의 반도체도 지난 7월 미국 정부로부터 수출 승인을 받아냈지만, 반대로 중국 인터넷 규제 당국은 보안 우려를 근거로 현지 기업들에 엔비디아 칩을 사용하지 말라고 권고하는 등 맞불을 놓고 있다. 이에 젠슨 황 CEO는 "미국의 제재는 중국의 AI 반도체 자립화 속도를 오히려 부추기는 것"이라며 반대 입장을 견지해 왔다. 엔비디아의 중국향 AI 반도체 수출 규제는 국내 메모리 업계에도 부정적인 여파를 미친다. 특히 SK하이닉스는 엔비디아의 중국향 AI 반도체에 주력으로 HBM(고대역폭메모리)을 공급하고 있어, 영향이 더 크다. 반도체 업계 관계자는 "최근 SK하이닉스의 HBM3E 8단 제품용 소재·부품 발주가 예상보다 빠르게 둔화된 것으로 파악된다"며 "향후 정책 변화에 따라 내용이 달라질 순 있지만, 지금 당장은 업계 우려가 커지는 상황"이라고 설명했다.

2025.10.19 03:11장경윤

2분기 반도체 장비 매출, 전년比 24% 증가…중화권 투자 강세

지난 2분기 전 세계 반도체 장비 투자가 활발히 진행된 것으로 나타났다. 특히 반도체 공급망 강화를 적극 추진 중인 중국이 투자 규모에서 점유율 1위를 지속하고 있다. 15일 글로벌 전자산업 관련 협회 SEMI에 따르면 지난 2분기 세계 반도체 장비 매출액은 전분기 대비 3%, 전년동기 대비 24% 증가한 330억7천만 달러(한화 약 42조8천억원)로 집계됐다. 이는 전 분기 대비로는 3% 증가한 수치로, 첨단 로직 공정과 고대역폭 메모리(HBM) 수요 확대, 아시아 지역으로의 출하량 증가가 성장을 견인한 것으로 분석된다. 아짓 마노차 SEMI CEO는 “올해 상반기 글로벌 반도체 장비 시장은 650억 달러 이상의 매출을 기록하며, 2024년의 강력한 성장세를 이어갔다”며 “AI 혁신을 이끄는 첨단 로직 및 메모리 생산 역량을 강화하고, 지역별 공급망 회복력을 제고하기 위한 투자가 지속되고 있다”고 설명했다. 국가별로는 중국 시장이 113억6천만 달러로 가장 큰 규모의 매출이 발생했다. 전분기 대비 11% 증가한 수준이다. 2위 대만은 87억7천만 달러로 전분기 대비 24% 증가했다. 반면 한국은 59억1천만 달러로 전분기 대비 도입 규모가 23% 가량 감소한 것으로 나타났다. 다만 전년동기 대비로는 31% 증가했다.

2025.10.15 11:23장경윤

삼성전자, SK하이닉스 제치고 메모리 시장 1위 탈환

삼성전자가 올 3분기 메모리 사업에서 호실적을 기록하며 시장점유율 1위 자리를 되찾은 것으로 나타났다. 14일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 3분기 메모리 시장에서 삼성전자는 194억 달러(한화 약 27조7천억원)의 매출을 기록해 시장 점유율 1위를 기록했다. SK하이닉스는 175억 달러로 2위를 차지했다. 삼성전자 메모리 매출은 전분기 대비 25% 상승하며 그동안의 부진을 만회했다. 앞서 삼성전자는 1분기 D램 시장에서, 2분기에는 메모리 시장 전체에서 SK하이닉스에 밀려 2위를 기록한 바 있다. 다만 3분기에는 범용 D램과 낸드 부문의 선전으로 다시 시장 점유율 1위에 올라서게 됐다. 스마트폰 분야에서는 갤럭시Z폴드7·Z플립7 시리즈 출시로 인한 폴더블 스마트폰 비중 확대가 큰 역할을 했다. 카운터포인트리서치의 월간 스마트폰 판매량 트래커에 따르면, 삼성의 스마트폰 전체 판매량도 3분기 첫 두 달 동안 전년대비 증가하는 등 좋은 성적을 내고 있다. 최정구 카운터포인트리서치 책임 연구원은 “삼성전자는 메모리 분야에서 상반기 HBM 부진 등으로 어려움을 겪었으나 품질 회복을 위한 강도 높은 노력의 효과로 반격에 성공하며 이번 분기 1위를 탈환했다"며 "아쉽게도 D램 시장은 근소한 차이로 1위를 탈환하지 못했으나, 내년 HBM3E의 선전과 HBM4의 확판을 기대하고 있다“고 말했다.

2025.10.14 15:30장경윤

SK하이닉스, 시총 '300조원' 첫 돌파…AI 메모리로 주가 고공행진

SK하이닉스가 처음으로 시가총액 300조원을 돌파했다. 지난 6월 회사의 당초 목표였던 시가총액 200조원을 기록한 지 4개월 만이다. 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리에 대한 수요 증가 기대감이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 10일 오전 9시15분 기준 SK하이닉스는 전일 대비 7.21% 상승한 42만4천원에 거래되고 있다. 이를 기반으로 한 시가총액은 308조원에 달한다. SK하이닉스가 시가총액 300조원을 돌파한 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스의 총 상장주식수는 7억2천800만2천365주로, 시가총액 300조원에 도달하기 위해서는 주가가 41만2천원을 넘어서야 한다. 기존 SK하이닉스의 종가 기준 최고가는 지난 2일 39만5천500원, 장중 최고 거래가는 40만4천500원 수준이었다. SK하이닉스는 오늘 신고가 경신을 통해 시가총액 300조원을 상회하게 됐다. SK하이닉스의 주가는 올해 들어 매우 가파른 성장세를 보이고 있다. 앞서 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 지난해 1월 미국 'CES 2024' 행사에서 "3년 내 시가총액 200조원을 달성하겠다"고 밝힌 바 있다. 이후 회사는 1년 반만인 지난 6월, 시가총액 200조원을 처음으로 돌파했다. 나아가 SK하이닉스는 약 4개월 만에 시가총액을 100조원 가까이 늘리는 데 성공했다. D램과 낸드를 비롯한 메모리 시장이 AI·HPC(고성능컴퓨팅) 등을 중심으로 견조한 수요를 기록하고 있고, 엔비디아향 HBM와 SoCAMM 양산 공급에 대한 기대감이 반영된 것으로 풀이된다. 또한 SK하이닉스는 최근 오픈AI와 '스타게이트' 인프라 구축을 위한 대규모 메모리 공급 협력을 발표한 바 있다. 오픈AI가 요청한 고부가 D램 웨이퍼 물량은 월 90만장으로, SK하이닉스의 현재 전체 D램 생산능력인 50만~55만장 수준을 크게 뛰어넘는다.

2025.10.10 09:53장경윤

AI 칩 '큰손' 떠오른 오픈AI...삼성·SK HBM 확장 기회 열려

인공지능(AI) 반도체 선두 주자인 엔비디아가 주도하는 HBM(고대역폭 메모리) 공급망에 균열이 발생하고 있다. 글로벌 빅테크들이 자체 AI 반도체 개발에 주력하는 가운데 챗GPT 개발사인 오픈AI도 최근 삼성전자·SK하이닉스와 중장기적 협력을 발표했다. 이에 따라 이들 메모리 기업의 HBM 시장 확장은 물론 가격 협상력도 동시에 높아질 것으로 기대된다. 9일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들은 중장기적으로 HBM 고객사 다변화를 추진할 계획이다. HBM 시장은 AI 반도체 최대 기업인 엔비디아가 핵심 고객사로 자리해 왔다. 그러나 엔비디아 칩의 독과점 및 높은 구매비용으로 인해 전 세계 빅테크 기업들은 최근 자체 AI ASIC(주문형반도체) 개발을 적극 추진하고 있는 추세다. 구글과 메타, 아마존웹서비스(AWS), 화웨이 등이 대표적인 사례다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트의 최근 분석에 따르면 AI ASIC 시장은 지난해 90억 달러에서 오는 2030년 850억 달러로 연평균 45%의 성장률을 보일 것으로 전망된다. 욜디벨롭먼트는 "현재 AI칩 시장은 GPU가 주도하고 있지만, AI AISC이 전략적 대안으로 부상하고 있다"며 "AI칩 업계 중 가장 빠르게 성장하는 분야가 될 것"이라고 설명했다. 오픈AI도 최근 대형 HBM 고객사로 부상하고 있다. 오픈AI는 최첨단 파운드리인 3나노미터(nm) 공정 기반의 자체 AI 반도체 개발을 추진 중인 것으로 알려졌다. 칩 설계는 브로드컴과 양산은 TSMC와 협력하는 구조다. 이와 관련 샘 알트만 오픈AI 대표는 지난 1일 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장 등과 잇따라 만나 메모리(HBM) 공급과 관련한 LOI(의향서)를 체결한 바 있다. 샘 알트만 오픈AI 대표는 양사와의 만남에서 웨이퍼 기준 최대 월 90만장에 달하는 고성능 D램 공급량을 요구한 것으로 알려졌다. 업계가 추산하는 삼성전자·SK하이닉스의 D램 생산능력 합계가 월 120만장 수준이라는 점을 고려하면 막대한 규모다. 고성능 D램에는 HBM과 첨단 공정 기반의 서버용 D램, 저전력 D램(LPDDR), HBM 등이 포함될 것으로 관측된다. 빅테크 기업들의 이 같은 탈(脫) 엔비디아 전략은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리 기업들에게는 기회로 작용할 전망이다. HBM 시장 자체가 커질 뿐만 아니라, 고객사 다변화를 통해 가격 협상력에서 유리한 위치를 점할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "오픈AI가 삼성전자, SK하이닉스와 중장기적인 협력을 논의한 만큼 HBM4E 시장부터는 시장 구도에 변화가 예상된다"며 "엔비디아도 구매 비중이 축소되면서 이전만큼 HBM에 대한 단가 인하 압박을 요구하지는 못하게 될 것"이라고 설명했다.

2025.10.09 09:17장경윤

"최대 월 120만장인데"...오픈AI, 삼성·SK에 HBM용 D램 90만장 요청

글로벌 빅테크 기업 오픈AI가 삼성전자·SK하이닉스와 핵심 AI 인프라 구축을 위한 전방위적 협력 체계를 구축했다. 오픈AI의 핵심 프로젝트인 '스타게이트'에 고성능 메모리를 공급하는 것이 주 골자로, D램 및 HBM(고대역폭메모리) 수요를 강하게 촉진할 것으로 기대된다. 1일 샘 알트만 오픈AI 대표는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장 등과 만나 메모리 공급과 관련한 LOI(의향서)를 체결했다. 삼성·SK에 손 내민 오픈AI…K-메모리 성장동력 '기대감' 오픈AI는 미국 클라우드 기업 오라클, 일본 투자 회사 소프트뱅크와 함께 초거대 데이터센터를 건설하는 스타게이트 프로젝트를 추진하고 있다. 오는 2029년까지 약 5천억 달러(한화 약 700조원)의 거금이 투입될 예정이다. 데이터센터 구축에는 방대한 양의 데이터 처리를 위한 고성능·고효율 메모리가 필수적으로 탑재된다. 기업용 낸드인 eSSD는 물론, 서버용 D램과 HBM(고대역폭메모리) 등 제품 전반이 필요하다. 특히 HBM의 경우, 기존 D램 대비 메모리를 전송하는 통로인 대역폭이 높아 고부가 제품으로 각광받고 있다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 중장기적 매출 성장을 위한 추가 동력을 확보하게 됐다. 삼성전자는 "회사는 스타게이트 프로젝트를 진행하고 있는 오픈AI가 고성능·저전력 메모리를 원활하게 공급받을 수 있도록 지원할 계획"이라며 "오픈AI가 메모리 솔루션 수급에 어려움을 겪지 않도록 지원할 방침"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 "스타게이트 프로젝트에서 HBM 반도체 공급 파트너로 참여한다"며 "이번 메모리 공급 의향서 체결은 올해 상반기 기준 D램 글로벌 매출 1위인 SK하이닉스의 AI 전용 메모리반도체 기술력과 공급 역량을 인정받은 결과"라고 설명했다. D램 최대 월 90만장 요구…삼성·SK 총 생산능력 120만에 필적 업계의 이목을 끈 또 하나의 대목은 오픈AI가 요구한 D램 물량이다. 샘 알트만 오픈AI 대표는 양사와의 만남에서 월 90만장에 이르는 D램 공급량을 요구한 것으로 알려졌다. 삼성·SK 역시 각사 보도자료에 해당 물량을 명시했다. 현재 삼성전자의 전체 D램 생산능력(CAPA; 캐파)은 월 60만~65만장으로 추산된다. SK하이닉스는 월 50만장 수준이다. 이를 고려하면 오픈AI는 양사의 도합 D램 생산능력에 필적하는 수준의 물량을 요청한 셈이다. 반도체 업계 관계자는 "오픈AI가 자체 AI 가속기 등을 개발하면서 국내 메모리사에 HBM 샘플을 요청하는 등 메모리 수급에 지대한 관심을 가지고 있는 것으로 안다"며 "당장 오픈AI가 요구한 메모리 물량은 양사의 총 생산능력과 맞먹어 현실과는 괴리가 있다"며 "중장기적 관점에서 AI 인프라 구축에 상당한 메모리가 필요하다는 관점으로 보는 것이 더 적절할 것"이라고 말했다.

2025.10.01 18:47장경윤

삼성, 오픈AI와 'AI 인프라' 구축…메모리·데이터센터 전방위 협력

삼성은 오픈AI와 삼성전자 서초사옥에서 글로벌 AI 핵심 인프라 구축을 위해 상호 협력하는 LOI(Letter of Intent, 의향서) 체결식을 거행했다고 1일 밝혔다. 오픈AI와 LOI를 체결한 삼성 관계사는 삼성전자, 삼성SDS, 삼성물산, 삼성중공업 등 4개사다. 삼성은 오픈AI의 전략적 파트너사로서 반도체, 데이터센터, 클라우드, 해양 기술 등 각사의 핵심 역량을 결집시켜 전방위적인 협력 체계를 구축할 예정이다. LOI 체결식에는 ▲전영현 삼성전자 부회장 ▲최성안 삼성중공업 부회장 ▲오세철 삼성물산 사장 ▲이준희 삼성SDS 사장이 참석했다. 오픈AI 고성능 D램 '월 90만장' 필요…삼성 반도체 역량 총동원 삼성전자는 스타게이트 프로젝트를 진행하고 있는 오픈AI가 고성능· 저전력 메모리를 원활하게 공급받을 수 있도록 지원할 계획이다. 스타게이트 프로젝트는 오픈AI가 글로벌 기술·투자 기업들과 함께 슈퍼컴퓨터와 데이터센터를 건설하는 대규모 프로젝트다. 삼성전자는 오픈AI의 전략적 파트너로서 오픈AI가 메모리 솔루션 수급에 어려움을 겪지 않도록 지원할 방침이다. 오픈AI는 웨이퍼 기준 월 90만 장의 대량의 고성능 D램이 필요할 것으로 전망하고 있다. 삼성전자는 ▲메모리 반도체 ▲시스템반도체 ▲파운드리 사업 역량을 모두 보유하고 있는 종합반도체 회사로, AI 학습과 추론 전 과정에 필요한 다양한 제품 포트폴리오를 갖추고 있다. 또한 패키징 기술, 메모리·시스템반도체 융복합 기술 측면에도 오픈AI에 차별화된 솔루션을 제공할 수 있다. 삼성SDS는 오픈AI와 AI 데이터센터 공동 개발, 기업용 AI 서비스 제공에 대한 파트너십을 맺었다. 삼성SDS는 첨단 데이터센터 기술을 기반으로 오픈AI 스타게이트 AI 데이터센터의 ▲설계 ▲구축 ▲운영 분야에서 협력할 예정이다. LOI를 통해 삼성SDS는 오픈AI 모델을 사내 업무시스템에 도입하길 원하는 기업들을 대상으로 ▲컨설팅 ▲구축 ▲운영 사업을 진행할 수 있게 됐다. 또한 삼성SDS는 국내 최초로 OpenAI 기업용 서비스를 판매하고 기술지원할 수 있는 리셀러 파트너십을 체결해, 향후 국내 기업들이 오픈AI 챗GPT 엔터프라이즈 서비스를 사용할 수 있도록 지원할 예정이다. 차세대 플로팅 데이터센터 분야 개발 협력 삼성물산과 삼성중공업은 글로벌 AI 데이터센터의 진보와 발전을 위해 오픈AI와 협업하고, 특히 플로팅 데이터센터 공동 개발을 위해 협력할 예정이다. 플로팅 데이터센터는 해상에 설치하는 첨단 데이터센터로, 육지에 데이터센터를 설치할 때보다 공간 제약이 적고 열 냉각 비용을 절감할 수 있으며 탄소 배출량도 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 다만 기술적 난도가 높아 몇몇 국가에서 상용화를 위한 연구 개발이 진행되고 있는 단계다. 삼성물산과 삼성중공업은 독자 기술을 바탕으로 ▲플로팅 데이터센터 ▲부유식 발전설비 ▲관제센터 개발을 추진할 예정이다. 삼성은 오픈AI와의 협력을 시작으로 한국이 글로벌 인공지능 분야에서 3대 강국으로 도약하는 데 핵심적인 역할을 수행할 계획이다. 삼성전자는 ▲메모리 기술력 ▲글로벌 반도체업계 1위 생산능력 ▲안정적인 글로벌 생산 거점을 기반으로 OpenAI와 같은 글로벌 AI 선도 기업과의 협력을 강화할 예정이다. 또한 미래 AI 경쟁력을 제고하기 위해 ▲대규모 R&D 투자 ▲선제적 국내외 시설 투자 ▲국내외 우수인재 육성과 유치를 지속할 방침이다. 삼성SDS, 삼성물산, 삼성중공업도 AI 사업 기회를 확대해 한국이 AI 분야에서 글로벌 인공지능 3대 강국으로 도약하는 데 기여할 계획이다. 한편, 삼성은 임직원들의 기술 개발 생산성을 높이고 혁신 속도에 박차를 가하기 위해 챗GPT 사내 확대 도입도 검토하고 있다.

2025.10.01 18:42장경윤

美 마이크론, 4분기 매출·영업익 '껑충'…"HBM4 11Gbps 속도 구현"

미국 마이크론이 인공지능(AI) 확산에 따른 수요 증가로 시장 기대치를 웃도는 실적을 기록했다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 매출 급증이 실적 개선을 견인한 것으로 분석된다. 마이크론은 2025 회계연도 4분기(6~8월) 매출이 113억2천만달러(약 15조7천914억원)를 기록했다고 23일(현지시간) 밝혔다. 이는 전년 동기 대비 46% 증가한 수치이며, 금융정보업체 LSEG가 집계한 시장 전망치 약 112억달러를 웃도는 실적이다. 영업이익은 전년 동기 대비 126.6% 상승한 39억6천만달러(약 5조5천242억원)를 기록했다. 영업이익률은 35%에 달한다. 조정 주당순이익(EPS)은 3.03달러로 집계됐다. 애널리스트 예상치인 2.93달러를 상회하며 수익성 개선세를 입증했다. 마이크론은 "AI 데이터센터 확산과 고성능 서버용 메모리 수요 증가가 매출과 이익률 개선을 이끈 핵심 요인"이라고 설명했다. 특히 HBM 부문에서 뚜렷한 성장세가 확인됐다. 마이크론은 4분기 HBM 매출이 20억 달러에 달했다고 밝혔다. 이는 분기 기준 최고 실적이며, 연간 환산 시 약 80억달러 규모에 해당한다. AI용 GPU 및 데이터센터 인프라 확장세가 이어지면서 HBM 가격과 수요 모두 상승세를 유지하고 있기 때문이다. D램 매출은 90억달러를 기록했다. 전년 동기 대비 69% 올랐으며, 전 분기와 비교해 27% 상승한 규모다. 비트 기준 출하량과 ASP(평균판매단가) 모두 두 자릿수대의 상승폭을 보인 결과다. 낸드플래시의 경우 전 분기 대비 5% 상승했으나, 전년 동기 대비 5% 감소한 23억 달러의 매출을 기록했다. 출하량은 감소했지만 가격 상승이 실적을 보완했다. 사업 부문별로는 클라우드 메모리(CMBU) 부문이 회사 실적을 견인했다. CMBU 부문 매출은 45억4300만 달러로 전년 대비 213.6% 급상승했다. 모바일&클라이언트 부문은 37억6000만 달러로 24.5% 증가, 자동차&임베디드 부문은 14억3400만 달러로 16.6% 증가했다. 반면 코어 데이터센터 부문 매출은 15억7700만 달러로 23% 쪼그라들었다. 마이크론은 오는 2026 회계연도 1분기 122억~128억달러 매출을 올릴 것으로 전망했다. 이는 월가 예상치인 119억1천만달러를 상회하는 수준이다. 산제이 메트로트라 최고경영자(CEO)는 “2025 회계연도에 데이터센터 사업 부문에서 사상 최고 실적을 달성했으며, 강력한 성장 모멘텀과 역대 가장 경쟁력 있는 포트폴리오를 바탕으로 2026 회계연도를 맞이하고 있다”고 밝혔다.이어 “미국에 기반을 둔 유일한 메모리 제조사로서 마이크론은 다가올 기회를 활용할 수 있도록 독보적인 입지를 확보하고 있다”고 덧붙였다. 마이크론, HBM4로 반전…예상 뛰어넘은 11Gbps 성능 공개 HBM4 성능에 대한 시장 우려도 일축했다. 최근 업계 안팎에서는 마이크론의 HBM4 속도가 8Gbps(초당 10기가비트)로 설계됐다는 분석이 나왔다. 경쟁사인 삼성전자와 SK하이닉스가 파운드리(반도체 위탁생산)를 통해 10Gbps 이상의 성능 우위를 꾀한 반면, 마이크론은 HBM4에서도 D램 공정으로 로직 다이를 자체 제작하는 방안을 고수했다는 관측 때문이다. 그러나 마이크론은 “최근 업계 최고 수준의 2.8TBps를 초과하는 대역폭과 11Gbps 이상의 핀 속도를 갖춘 HBM4 고객 샘플을 출하했다”고 밝혔다. 그러면서 “마이크론의 HBM4는 모든 경쟁사 HBM4 제품을 능가하는 성능과 업계 최고 수준의 전력 효율성을 제공한다”며 “▲검증된 1b D램 ▲첨단 패키징 기술을 조합해 전력 효율적인 HBM4 설계 ▲자체 개발 고급 CMOS 베이스 다이 및 첨단 패키징 기술이 이 최고 수준의 제품을 가능케 하는 핵심 차별화 요소”라고 설명했다.

2025.09.24 06:56전화평

"AI·자동차가 메모리 시장 성장 이끈다"

전통적인 PC·모바일 메모리 시장이 정체 국면에 머무는 반면, 데이터센터와 자동차용 메모리가 차세대 성장 동력으로 부상하고 있다. 22일 업계에 따르면 글로벌 D램 시장이 데이터센터와 자동차를 중심으로 성장할 전망이다. 시장조사업체 테크인사이츠는 글로벌 D램 수요가 지난 2023년 203Eb(엑사비트, 1Eb는 100만 테라비트)에서 2030년 722Eb까지 3.5배 이상 확대될 것으로 전망했다. 연평균성장률(CAGR)은 19.9%로 자동차와 데이터센터가 각각 27.6%, 26.6% 성장률 기록하며 전체 성장을 주도할 것으로 관측된다. 데이터센터 수요 급증...D램 시장 연평균 28.2% 성장 특히 데이터센터 수요는 AI 서버 확산에 힘입어 폭발적으로 증가할 전망이다. AI가 다양한 산업에 깊숙이 침투하면서, 이를 뒷받침할 고성능 AI 서버 시장이 가파른 성장세를 기록하고 있기 때문이다. 시장조사기관 글로벌 마켓인사이츠에 따르면 2024년 기준 1천280억달러(약 178조7천264억원)였던 전 세계 AI 서버 시장 규모는 올해 1천672억달러(약 233조5천억원)으로 급상승할 것으로 예상된다. 이후 2034년까지 연평균 28.2%의 성장세를 기록하며 1조5천600억달러(약 2천178조원)를 기록할 전망이다. 특히 주목할만한 점은 서버당 D램 탑재 용량이다. 테크인사이츠는 2024년에서 2030년까지 D램 탑재 용량이 평균 1TB(테라바이트)에서 2.5TB(테라바이트)로 2.5배 이상 확대되면서 전체 비트 수요를 끌어올릴 것으로 봤다. 이에 따라 데이터센터 DRAM 매출은 2024년 480억 달러에서 2030년 1천540억달러로 급증, 전체 D램 매출의 70%를 차지할 것으로 전망된다. 차량용 메모리, 전장·자율주행 타고 급상승 차량용 메모리 수요 역시 고도화된 전장 시스템과 자율주행 기술 확산으로 빠르게 확대되고 있다. 차량 한 대당 탑재되는 메모리 용량이 늘어나면서, 자동차는 데이터센터와 함께 향후 메모리 시장의 '쌍두마차'로 부상할 것으로 보인다. 시장조사기관들은 차량용 메모리 시장이 상승할 것으로 내다봤다. 리서치앤마케츠는 2025년부터 2033년까지 연평균 11.11% 성장할 것으로 관측했으며, 그로우스마케츠리포츠는 같은 기간 13.2% 성장세를 기록할 것으로 점쳤다. 데이터인텔로는 2024년부터 2032년까지 10.9% 성장할 것으로 예상했다. 리서치앤마케츠는 “자동차가 스마트 기술과 더욱 긴밀하게 연결됨에 따라 고용량 메모리 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있다”며 “이는 시장 성장에 긍정적인 요인”이라고 분석했다. 그러면서 “배터리 관리 및 에너지 효율 향상을 위한 첨단 메모리 시스템이 필요한 전기차(EV) 및 하이브리드 자동차의 보급 확대 또한 시장 성장을 촉진하고 있다”고 덧붙였다. 모바일·PC, 전체 D램 평균 밑돌아...”2030년 전후가 분수령” 반면 모바일, PC는 낮은 성장률을 기록할 전망이다. 테크인사이츠는 모바일과 PC가 2023년부터 2030년까지 연평균 13%, 10.8%씩 성장세를 보일 것으로 봤다. 전체 D램 시장 연평균 성장률인 19.9%를 밑도는 규모다. 이는 시장이 성숙기에 접어들며 정체 양상을 보이고 있기 때문이다. 이는 신규 수요보다는 교체 수요에 의존하는 구조가 고착화되고 있음을 보여주는 셈이다. 업계 관계자는 “메모리 시장의 무게 중심이 PC와 모바일에서 데이터센터와 자동차로 이동하는 추세가 뚜렷하다”며 “AI와 자율주행이 본격화되는 2030년 전후가 메모리 산업의 분수령이 될 것”이라고 말했다.

2025.09.22 13:57전화평

삼성전자, 'V9 QLC 낸드' 사업 고전…최첨단 제품 상용화 지연

삼성전자가 9세대(V9) 낸드 고용량 제품 상용화에 난항을 겪고 있다. 당초 지난해 하반기 첫 양산을 발표했으나, 현재 성능 상의 문제로 설계 및 공정 단의 보완 작업이 진행되고 있는 것으로 파악됐다. AI 산업의 발달로 고용량 낸드에 대한 수요가 늘고 있는 만큼, 시장 대응에 발빠르게 나서야 한다는 지적이 제기된다. 16일 지디넷코리아 취재에 따르면 삼성전자는 V9 QLC 낸드에 대한 본격적인 상용화 시점을 최소 내년 상반기로 연기했다. V9 QLC 개선 필요…내년 안정화 및 설비투자 전망 삼성전자 V9 낸드는 280단대로, 지난해 4월 첫 양산이 개시됐다. 당시 제품은 TLC(트리플 레벨 셀) 구조를 기반으로 총 1Tb(테라비트) 용량을 구현해냈다. TLC는 메모리의 최소 저장 단위인 셀(Cell) 하나에 3비트를 저장할 수 있다는 뜻이다. 나아가 삼성전자는 지난해 9월 V9 QLC 낸드 양산 소식을 발표했다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, TLC 대비 고용량 저장장치 구현에 유리하다. 다만 삼성전자는 V9 QLC 낸드의 상용화에 어려움을 겪고 있는 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 삼성전자 V9 QLC 낸드의 초기 제품은 설계 상의 문제로 성능이 저하되는 현상이 발생했다. 이에 삼성전자는 V9 QLC 낸드에 대한 설계 및 공정 단의 개선 작업을 진행 중이다. 업계에서는 이르면 내년 상반기께 개선 작업이 마무리될 것으로 보고 있다. V9 낸드의 생산능력 확대를 위한 설비투자도 비슷한 시점에 진행될 예정이다. 현재 삼성전자는 평택과 중국 시안 팹에서 내년 상반기 V9 낸드 전환투자를 진행하는 방안을 논의 중이다. 구체적인 투자 규모는 확정되지 않았으나, 평택과 시안이 이미 소규모로 V9 낸드 양산라인을 도입하고 있는 만큼 총 생산능력은 크게 늘어날 전망이다. 내년 QLC 낸드서 비중 '9%' 불과 전망…AI 시장 공략 시급 삼성전자의 V9 QLC 낸드는 회사의 고부가 메모리 사업에 큰 영향을 끼칠 수 있다는 점에서 업계의 주목받아 왔다. 현재 낸드 시장은 방대한 양의 데이터 처리를 요구하는 AI 산업의 발달로 고용량 제품에 대한 수요가 크게 증가하는 추세다. 그러나 삼성전자의 주력 QLC 낸드 제품은 V7에 머물러 있다. 다음 세대인 V8 낸드에서는 QLC 제품이 출시되지 않았다. 때문에 삼성전자는 전체 낸드 시장에서는 점유율 1위의 자리를 공고히 하고 있으나, QLC 낸드 시장에서는 비교적 열세에 놓인 형국이다. 트렌드포스와 모건스탠리 조사에 따르면, 내년 전체 QLC 낸드 출하량에서 삼성전자가 차지하는 비중은 9% 가량으로 예상된다. SK하이닉스(자회사 솔리다임 포함)는 36%, 키오시아 및 샌디스크는 29%, 마이크론은 17% 수준이다. 반도체 업계 관계자는 "글로벌 빅테크의 투자 및 기존 레거시(성숙) 낸드에 대한 교체 수요로 QLC 낸드의 중요성이 대두되는 시점"이라며 "삼성전자가 수혜를 보려면 최첨단 제품의 안정적인 양산 확대가 필요하다"고 말했다.

2025.09.16 14:45장경윤

AI 연산 폭증에 반도체 새 판 짠다…삼성 'DTCO', SK '풀스택 메모리'

인공지능(AI)의 폭발적 성장이 반도체 산업의 판도를 흔들고 있다. 데이터센터부터 모바일 기기까지 AI 연산 수요가 기하급수적으로 늘어나면서, 반도체 업계는 설계 최적화와 메모리 혁신을 해법으로 제시하고 있다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 최근 서울 롯데호텔월드에서 개최된 '케이던스라이브 코리아 2025(CadenceLIVE Korea 2025)'에서 AI 시대 대응 방안을 제시했다. 삼성전자, AI 시대의 한계를 뛰어넘기 위한 기술 'DTCO' 먼저 백상훈 삼성전자 부사장은 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 AI 시대의 한계를 뛰어넘기 위한 기술 대안으로 발표했다. DTCO는 반도체 설계와 공정 기술을 동시에 최적화해 PPA(전력·성능·면적), 생산 수율, 제조 비용 등 반도체 칩의 성능을 극대화하는 기술이다. 단순 설계 개선을 넘어 설계와 공정 기술을 하나의 유기체처럼 함께 최적화하는 게 필수다. 설계 과정에서 발생하는 문제점을 공정 단계에서 예측하고, 공정 기술 발전을 고려해 설계를 개선하는 상호 협력 과정이 중요하다. 발표에 따르면 DTCO의 핵심은 하이퍼셀(Hyper cell), 퓨전셀(Fusion cell) 등 차세대 셀 구조다. 하이퍼셀은 인접 채널을 병합해 고밀도 셀에서 발생하는 속도 저하 문제를 해결한다. 물리적으로는 면적 효율성을 유지하면서도 전류 구동 능력(Ion)을 개선할 수 있다. 퓨전셀은 서로 다른 특성을 가진 셀 구조를 통합(Fusion)해 상황에 따라 성능과 전력을 동시에 최적화하는 방식이다. 설계자가 공정 노드 내에서 고성능(HP)셀과 저전력(ULP)셀을 별도 선택할 필요 없이, 융합된 셀 라이브러리를 통해 균형 잡힌 설계가 가능해진다. 백 부사장은 “설계와 공정을 유기적으로 결합하는 DTCO 방식이 전력·성능·면적(PPA) 문제를 동시에 풀어낼 수 있는 해법”이라고 강조했다. 그러면서 "케이던스와의 협업을 통해 이 기술이 실제 제품에서 성과를 내고 있다"고 전했다. SK하이닉스, 풀스택 메모리로 AI 미래 설계 오늘날 AI 산업은 훈련 단계에서 추론 단계로 빠르게 이동하고 있다. 이에 따라 메모리는 단순한 저장 수단을 넘어, 고성능과 전력 효율을 동시에 만족시켜야 하는 핵심 인프라로 자리매김했다. SK하이닉스는 풀스택 메모리 포트폴리오로 이 같은 AI 환경 전반에 대응한다는 전략이다. 발표자로 나선 김천성 SK하이닉스 사장은 HBM(고대역폭메모리), D램, SSD까지 아우르는 풀스택 메모리 포트폴리오를 공개하며, AI 학습뿐 아니라 추론 환경에서도 효율적이고 확장성 높은 솔루션을 제공하겠다고 밝혔다. 그는 “AI 산업이 AI 학습에서 추론으로 빠르게 전환됨에 따라 메모리 기술의 진화가 필수적”이라고 전하며 “SK하이닉스의 스토리지 솔루션은 AI 추론 시나리오에서 데이터 집약적인 워크로드에 빠르고 안정적으로 액세스할 수 있도록 설계되어 있다”고 자신했다. 특히 HBM과 스토리지 SSD의 역할에 대해 강조했다. HBM이 전력 효율과 데이터 처리 속도라는 구조적 장점을 통해 고객 요구를 충족할 수 있다는 주장이다. 스토리지 SSD 등 스토리지 기술은 AI 추론 워크로드에서 요구되는 데이터 집약적인 연산 처리를 가능한 빠르고 안정적으로 지원하는 역할을 담당할 것으로 기대했다. 한편 행사에는 삼성전자 파운드리(위탁생산) 관계사인 가온칩스, 세미파이브, 코아시아 등 디자인하우스들도 참가했다. 이들 업체는 부스를 통해 고객과 만났다. 특히 코아시아의 경우 연사로 참가해 칩렛, SiP(시스템인패키지) 등에 대한 회사의 기술력을 소개했다.

2025.09.11 15:16전화평

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤

삼성서 SK하이닉스로 갈아탄 네이버, 차세대 AI 솔루션 개발 가속

한 때 삼성전자와 인공지능(AI) 반도체 '마하'를 개발하다 중단했던 네이버클라우드가 이번엔 메모리 반도체 1위로 올라선 SK하이닉스와 협업에 나선다. '제2의 HBM(고대역폭메모리)'로 불리는 차세대 AI 메모리 솔루션 개발 역량 강화에 나설 예정으로, 양사 덕에 PIM(프로세싱 인 메모리), CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 등의 상용화가 빨라질 지 주목된다. 네이버클라우드는 SK하이닉스와 AI 서비스 성능과 효율 혁신을 위한 협력을 진행하기로 했다고 10일 밝혔다. 자사 대규모 데이터센터에 SK하이닉스의 최신 하드웨어를 적용하고 데이터센터 소프트웨어 최적화를 병행함으로써 AI 서비스 응답 속도 향상과 서비스 원가 절감을 동시에 달성한다는 목표다. 네이버클라우드는 이번 협력을 통해 SK하이닉스의 CXL, PIM 등 차세대 메모리 솔루션을 실제 AI 서비스에 적용해 그래픽처리장치(GPU) 활용 효율을 높이고 전력 소모를 줄이는 등 실질적 성과를 도출할 예정이다. CXL은 컴퓨팅 시스템 내 중앙처리장치(CPU)와 GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량·초고속 연산을 지원하는 차세대 설루션이다. PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 AI와 빅데이터 처리 분야에서 데이터 병목 문제를 해결하는 기술이다. 앞서 SK하이닉스는 GDDR(그래픽 D램)에 PIM을 접목한 'GDDR6-AiM'을 선보이고 PIM 기술 상용화에 앞장서고 있다. 네이버클라우드는 "최근 생성형 AI의 급속한 확산으로 서비스 운영 비용 절감과 응답 속도 최적화가 핵심 과제로 떠오르고 있다"며 "GPU 성능을 뒷받침하는 메모리·스토리지 효율은 AI 경쟁력의 중요한 차별화 요소로 부각되고 있다"고 설명했다. 이번 협력을 통해 네이버클라우드는 데이터센터 인프라와 소프트웨어를 아우르는 최적화 경험을 확보해 풀스택 AI 기업으로서의 경쟁력을 한층 보완하게 됐다. 나아가 국내 기술 기반의 소버린 AI 인프라 강화에도 기여할 계획이다. 또 양사는 공동 연구, 특허 출원, 국제 AI 컨퍼런스 참여 등 다양한 협력 활동도 추진한다. 이를 통해 기술적 성과를 글로벌 시장에 적극 알리고 산업 전반의 AI 생태계 확산을 가속화한다는 계획이다. 김유원 네이버클라우드 대표는 "AI 서비스 경쟁력은 소프트웨어를 넘어 데이터센터 인프라 전반의 최적화에서 결정된다"며 "글로벌 AI 메모리 대표 반도체 기업과의 협업을 통해 인프라부터 서비스까지 아우르는 경쟁력을 강화하고, 고객에게 보다 혁신적인 AI 경험을 제공하겠다"고 밝혔다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 "실제 상용 환경에서의 엄격한 검증을 거쳐 글로벌 AI 생태계가 요구하는 최고 수준의 메모리 솔루션을 제공해 AI 메모리 선도 기업의 위상을 공고히 하겠다"며 "이번 협력을 시작으로 글로벌 CSP(Cloud Service Provider) 고객들과의 기술 파트너십도 적극 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.09.10 10:12장유미

"美, 삼성·SK 中 공장 장비 반출 연간 승인 검토"

미국 상무부가 자국 반도체 제조장비의 삼성전자·SK하이닉스 중국 공장 수출에 대해 매년 승인을 내리는 안건을 검토하고 있다고 블룸버그통신이 7일 보도했다. 블룸버그통신은 미 상무부 관계자를 인용해 "이전 한국 반도체 제조업체들이 확보했던 무기한 허가 대신, 연간으로 승인을 받는 방안을 한국 정부에 제시했다"며 "바이든 정부 시절의 면제 조치를 철회한 후 글로벌 전자 산업의 혼란을 막기 위한 타협안"이라고 설명했다. 기존 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 '검증된 최종 사용자(VEU)' 명단에 속해 왔다. VEU는 별도 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 중국에 들여올 수 있도록 하는 조치다. 앞서 미국은 지난 2022년 10월 중국에 첨단 반도체 장비 수출 규제를 가하면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등에 VEU를 부여한 바 있다. 그러나 최근 도널드 트럼프 미국 대통령은 삼성과 SK 등 국내 기업들에게 부과된 VEU를 철회하겠다고 밝혔다. VEU 철회 시점은 내년 초부터다. VEU 철회 대신 연간 승인 제도가 도입되는 경우, 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 공장 운영에 대한 압박감은 다소 줄어들 전망이다. 그러나 미국 정부의 입장에 따라 사업에 큰 변수가 상존한다는 점에서는 여전히 악재다. 블룸버그는 "트럼프 행정부의 제안은 한국의 두 기업이 1년 치의 장비, 부품, 소재에 대한 정확한 수량으로 승인을 받도록 요구한다"며 "또한 설비의 업그레이드 혹은 생산능력 확장에 사용될 수 있는 장비의 운송은 승인하지 않을 것"이라고 밝혔다. 한편 삼성전자는 중국 시안에 낸드플래시 공장, 쑤저우에는 후공정 공장을 두고 있다. SK하이닉스는 우시에 D램 공장을 보유하고 있으며, 다롄에는 인텔에서 인수한 낸드플래시 공장을 운영하고 있다.

2025.09.08 17:26장경윤

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

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