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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (351건)

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SK하이닉스, 인텔과 美 메모리 협력설에 "확정된 바 없다"

SK하이닉스가 인텔과의 미국 내 메모리 칩 생산 협상과 관련한 외신 보도에 대해 결정된 사항은 없다고 밝혔다. SK하이닉스는 16일 회사 뉴스룸을 통해 "SK하이닉스는 글로벌 경쟁력 강화를 위해 다양한 방안을 검토하고 있으나 현재 어떠한 사안도 확정된 바 없다"며 "기사에 언급된 두 가지 시나리오 등에 대해서도 결정된 사항이 없다"고 밝혔다. 앞서 로이터통신은 SK하이닉스가 인텔과 미국 내 메모리 반도체 생산을 위한 초기 협상을 진행 중이라고 보도한 바 있다. 로이터는 "인텔이 오하이오주에 장기간 계획해 온 반도체 생산시설 일부를 SK하이닉스가 임차할 가능성이 있다", "SK하이닉스가 인텔 및 주요 클라우드 기업들과 합작법인을 설립하는 방안도 논의되고 있다" 등 두 가지 잠재 시나리오가 제시했다. 해당 보도에 대해 SK하이닉스는 "기사에서 언급한 특정 기업과 협력 및 미국 내 생산과 관련해 확정된 바가 없다"고 밝혔다. 이와는 별개로 SK하이닉스는 미국 내 투자 규모를 확대하는 방안을 지속 검토 중이다. 현재 SK하이닉스는 미국 인디애나주에 고대역폭메모리(HBM) 등을 양산할 최첨단 패키징 팹을 건설하고 있다. 최태원 SK 회장은 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 ADR 상장 기념행사에서 "미국 인디애나주 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토하고 있다"며 "전력·용수·인력·공급망 등 여건이 갖춰질 경우 메모리 생산공장 건설도 가능하다"고 말했다.

2026.09.16 20:02장경윤 기자

'열 감옥' 족쇄 3D 반도체…냉각 솔루션이 양산 물꼬 트나

평면(2D) 집적도 향상이 물리적 벽에 부딪히며 반도체 업계 관심이 '수직 적층(3D IC)'으로 쏠리는 가운데, 기술 도입 최대 장벽이었던 '발열 문제'를 해결할 냉각 솔루션이 속속 가시화하고 있다. 3D 반도체 시장도 본격 개화를 기대할 수 있다. 11일 반도체 업계에 따르면 국내외 팹리스(반도체 설계전문) 기업이 차세대 반도체 아키텍처로 3D IC 도입을 적극 추진 중인 것으로 파악됐다. 최근 삼성전자 파운드리 생태계에 접수되는 고객 문의 중 상당수가 3D IC 구현에 집중되고 있다. 이는 선단 공정으로 갈수록 트랜지스터 축소에 따른 면적 효율 한계가 뚜렷해지면서, 로직 칩 위에 메모리를 올리거나 이종 다이를 수직으로 쌓아 올려 성능과 면적 효율을 동시에 잡으려는 움직임이 본격화된 결과다. 국내 반도체 업계에서도 3D IC 양산 사례가 등장하고 있다. 코아시아세미가 대표 사례다. 회사는 로직 시스템온칩(SoC) 위에 D램을 수직 적층하는 3D IC 패키지 적용 제품 양산에 돌입한 바 있다. 하지만 3D 반도체는 태생적으로 열과의 싸움을 피할 수 없는 구조적 한계를 안고 있다. 칩을 수직으로 겹겹이 쌓을수록 안쪽 깊숙이 갇힌 다이(Die)의 열이 외부로 방출되지 못하는 열 감옥 현상이 발생하기 때문이다. 메모리 소자의 경우 일정 온도 이상 상승하면 전하 누설이 심화돼 데이터를 유지하기 위한 리프레시 주기를 억지로 단축해야 하는데, 이는 시스템 전반의 치명적 성능 저하로 이어진다. 업계에서는 최근 이 같은 발열 난제를 해결할 하드웨어·소프트웨어 방열 기술이 빠르게 성숙하면서 3D 구조 도입 속도가 붙기 시작했다는 평가가 나온다. 반도체 업계 한 관계자는 "이전까지 발열을 이유로 칩 성능에도 제한이 있었는데 냉각 솔루션이 발전하면서, 발열 걱정 때문에 칩 성능을 제한하는 일이 줄었다"며 "냉각 기술이 3D 반도체 시장 개화에 결정적 역할을 할 것"이라고 말했다. 3D IC 시장 개화는 물리적 크기 한계에 부딪힌 반도체 구조와 방열 기술 발전이 맞물린 결과로 풀이된다. 평면상에서 집적도를 높이기 어려워진 칩 제조사의 적층 요구에 차세대 냉각 기술이 해법을 제시한 것이다. 전덕호 프라임마스코리아 대표는 "단순히 냉각 기술이 발전해서 3D로 쌓기 시작했다기보다는, 평면 미세화 한계로 더 이상 칩을 작게 만들 수 없다는 '적층의 당위성'이 먼저 임계점에 달했다"며 "수직으로 쌓아야만 하는 산업 요구가 확립된 이후 이를 구현하기 위한 핵심 전제조건으로 냉각 기술이 뒤따라 발전하면서 비로소 3D 상용화 물꼬가 트였다"고 설명했다.

2026.09.11 18:41전화평 기자

中CXMT, 상하이 신규 팹 설비투자 준비…韓 맹추격

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 공격적인 설비투자 준비에 돌입했다. 최근 협력사와 신규 팹에 도입할 설비 입찰을 시작하는 한편, 추가 팹 증설계획도 구체화하고 있다. 투자가 차질없이 진행되면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 기업과 생산능력 격차를 빠르게 좁힐 것으로 예상된다. 11일 업계에 따르면 CXMT는 최근 상하이 신규 팹 건설을 위한 협력사 장비 입찰 과정에 착수했다. CXMT는 현재 허페이 팹 2기, 베이징 팹 1기 등에서 D램을 양산하고 있다. 생산능력은 현재 월 20만장 중반대로 추산된다. 연말에는 최대 월 30만장을 넘어설 것으로 관측된다. 추가 팹 증설 계획도 가시화되고 있다. 협력사 등과 논의한 내용에 따르면 CXMT는 올 4분기 상하이 소재 신규 팹을 오픈할 계획이다. 해당 팹 관련 장비 입찰도 최근 시작됐다. 한 반도체 장비업계 관계자는 "CXMT가 상하이 신규 팹을 두 단계에 걸쳐 확대할 계획"이라며 "최근 장비 입찰 규모를 고려하면, 해당 팹에서만 월 10만장 이상을 크게 웃도는 생산능력을 확보할 것으로 보인다"고 말했다. CXMT는 이후 허페이 신규 팹을 내년 상반기, 베이징 신규 팹을 이르면 내년 하반기 순차 오픈한다. 내후년 상반기에도 허페이 지역 추가 팹 오픈을 목표로 하고 있다. 또 다른 장비업계 관계자는 "CXMT가 최근 중국 현지 복수의 팹 구축 계획 시점을 정하고 관련 사항을 공유하고 있다"며 "현지 정부의 막대한 보조금 정책과 메모리 수요 급증으로 증설 의지가 강력하다"고 설명했다. 설비투자 계획이 모두 실행되는 경우, CXMT는 올해부터 2028년까지 최소 월 7만~8만장 수준 신규 생산능력을 매년 꾸준히 확보할 수 있다. 장기적으로는 월 60만장 이상으로 생산능력이 확대될 것이라는 관측도 제기된다. 이는 D램 시장 선두업체의 현재 생산능력과 맞먹는 수준이다. 국내 삼성전자와 SK하이닉스의 총 D램 생산능력은 각각 월 70만장, 월 60만장 수준으로 추산된다. 다만 삼성전자와 SK하이닉스도 최근 메모리 반도체 공장 증설에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 평택 제4캠퍼스(P4) 내에 D램 양산라인을 구축해 왔다. 올 하반기부터 차세대 생산기지 P5 클린룸 공사를 시작했다. SK하이닉스는 올해 1분기부터 M15X 조기 가동을 시작해, 현재 생산능력 확대를 위한 투자를 지속하고 있다. 용인 대규모 반도체 클러스터인 Y1도 올 3분기 설비발주를 시작했다.

2026.09.11 11:15장경윤 기자

SK하이닉스 "3D 스택드 D램에 파운드리 공정 활용"

SK하이닉스가 차세대 메모리 '3D 스택드(stacked) D램' 개발에 파운드리 공정을 활용할 수 있다고 9일 밝혔다. 전날 이천캠퍼스 수펙스센터에서 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 SK하이닉스 김경훈, 손호영 부사장은 3D 기술 주요 방향으로 D램 주변회로의 로직 파운드리 공정 활용, 데이터 버스 대역폭 극대화, 초단거리 전송 등을 제시했다. 3D 스택드 D램은 로직 반도체 위에 D램을 수직으로 직접 쌓아 올리는 첨단 적층 기술이다. 데이터 통로(I/O)를 대폭 늘려 지연시간을 최소화하고 전력 효율과 공간 활용도를 개선할 수 있다. 김 부사장과 손 부사장은 이 기술을 구현하려면 설계와 발열 문제뿐 아니라 미세 인터커넥트와 본딩, 공정 통합 등 패키징 영역 난제를 함께 해결해야 한다고 설명했다. 또한 전공정과 후공정(패키징), 파운드리와 메모리 기술 경계가 가까워진 만큼 기존 영역을 넘어선 공동 최적화가 중요해질 것으로 내다봤다. 손 부사장은 "3D 기술은 팹과 패키징의 기술 경계까지 바꾸고 있다"며 "어드밴스드 패키지 기술 혁신과 함께 기존 영역을 넘어선 최적화와 새로운 협업 체계를 만드는 것이 중요하다"고 강조했다. 같은 주제로 발표를 한 신창환 고려대 교수는 "3D D램은 단순히 칩을 수직으로 쌓는 기술을 넘어, 메모리와 로직 경계를 허무는 기술"이라며 "소자 미세화가 한계에 가까워지고 시스템과 메모리 간 데이터 이동에 따른 시간·전력 소모가 증가하면서 3D 기술로 전환은 불가피하다"고 설명했다. 이에 소재, 소자, 패키징, 아키텍처 등 네 영역을 인공지능(AI)으로 연계한 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 인사말에서 "과거 메모리 시장은 누가 더 빠르게 달리는지 경쟁하는 '직선도로'였다면, 현재는 시시각각 변하는 '곡선도로'를 달리는 것과 같다"며 "내부 역량뿐 아니라 외부 환경 변화 속도와 방향을 파악하고 유연하게 적응하는 속도도 중요하다"고 당부했다.

2026.09.09 11:51진운용 기자

삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'

삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다. 7일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기 4나노 공정 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4향 베이스 다이 제조에 투입하고 있다. HBM4는 현재 상용화된 가장 최신 세대 HBM이다. 엔비디아의 최첨단 AI 가속기 베라 루빈(Vera Rubin) 등에 탑재된다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다. 초도 양산인 만큼 올 상반기 내 공급량은 크지 않았던 것으로 추산된다. 삼성전자는 올 3분기부터 HBM4 공급량을 본격 확대할 계획이다. 이에 맞춰 올해 중반부터 HBM4용 베이스 다이 양산을 위한 웨이퍼 투입을 크게 늘리고 있다. 해당 칩은 삼성 파운드리 4나노(SF4) 공정을 기반으로 한다. 삼성전자 안팎 이야기를 종합하면, 지난달 기준 삼성전자의 전체 4나노 생산능력 중 50% 이상을 HBM4 베이스 다이에 할당했다. 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자의 4나노 공정은 현재 풀생산 체제로, 이 중 HBM4용 베이스 다이가 50~60%대의 비중을 차지하고 있는 것으로 안다"며 "하반기 내내 높은 비중을 유지할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 평택 2캠퍼스(P2)와 3캠퍼스(P3) 내 파운드리 라인(S5, S6)에서 4~7나노급 공정을 양산 중이다. 이 중 4나노로 할당된 생산능력은 월 3만장 내외로 추산된다. 이를 고려하면 HBM4용 베이스 다이향으로 월 1만5000장 수준의 웨이퍼 투입이 진행되는 것으로 관측된다. 베이스 다이는 HBM에서 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해, 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원한다. HBM 세대가 진화할수록 베이스 다이의 중요성도 높아지는 추세다. 이에 삼성전자는 내부 시스템LSI 및 파운드리 사업부를 통해 베이스 다이 기술력을 더욱 고도화하고 있다. 특히 HBM4에서는 경쟁사 대비 앞선 4나노 공정을 적용하기도 했다. 이번 베이스 다이 양산 확대로 삼성전자의 올해 HBM 사업 확대 목표 달성에 청신호가 켜졌다는 평가다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망된다"며 "하반기 기준으로는 HBM4 매출이 당사 전체 HBM 매출의 60%를 넉넉히 상회할 것"이라고 설명했다.

2026.09.07 14:27장경윤 기자

마이크론, YMTC 특허 7번째 무효 판단 받았다...쟁점특허 27건

미국 마이크론이 중국 YMTC를 상대로 자국에서 힘겨운 특허분쟁을 이어가고 있다. YMTC는 미국에서 마이크론을 상대로 메모리 반도체 특허침해소송 3건을 제기했다. 마이크론은 무효심판 등으로 대응 중이지만 결과는 신통치 않다. YMTC가 소송 3건에 사용한 특허는 모두 27건이다. 마이크론은 27건 중 19건에 대해 특허심판원(PTAB)에 무효심판(IPR·PGR)을 청구했고, 나머지 8건에 대해선 특허청에 결정계 재심사(EPR)를 신청했다. 6일 업계에 따르면 미국 특허심판원은 지난 2일(현지시간) YMTC 특허 1건(등록번호 12,010,838·아래 '838 특허)이 무효라고 판단했다. 이로써 마이크론이 특허심판원에 무효심판을 청구한 YMTC 특허 19건 중 무효 판단을 받은 특허는 7건으로 늘었다. 무효 판단에 대해 YMTC는 항소할 수 있다. 마이크론이 '838 특허 등 YMTC 특허 7건에 대해 무효 판단을 받았지만, 마이크론이 특허심판원에 무효심판을 청구한 YMTC 특허 19건 중 12건은 유효 취지 판단이 나왔다. 유효 취지 판단은 무효심판이 개시되지 않았거나, 심판 개시 후 유효 또는 일부 유효(일부 무효) 판단이 나온 특허를 말한다. 특허심판원은 무효심판 심리에서 특허가 무효화될 가능성이 낮다고 판단하면 무효심판을 개시하지 않는다. 특허심판원의 무효심판 개시 기각 결정에 대해선 항소할 수 없다. 마이크론은 특허심판원 심리 후 유효 또는 일부 유효 판단이 나온 YMTC 특허에 대해선 연방항소법원(CAFC)에 항소했다. 마찬가지로, 무효 또는 일부 무효(일부 유효) 판단이 나온 특허에 대해선 YMTC가 항소하고 있다. YMTC가 마이크론을 상대로 소송 3건을 제기하며 사용한 특허 27건 중 나머지 8건에 대해 마이크론은 특허청에 결정계 재심사(EPR)를 청구했다. 8건 중 1건은 기각됐고, 7건은 재심사 명령을 받았다. 마이크론이 결정계 재심사 8건을 청구한 시점은 올해 3~7월이다. 지난해부터 미국 특허청이 특허 안정성 제고를 명분으로 특허심판원의 무효심판 재량적 기각을 늘리면서, 무효심판 개시율이 크게 떨어졌다. 이 때문에 최근 특허청 결정계 재심사를 활용하는 사례가 늘었다. 특허심판원 무효심판이 특허청 결정계 재심사보다 특허권자를 압박하는 힘이 더 크다. YMTC는 지난 2022년 12월 미국 상무부 블랙리스트(Entity List)에 포함된 다음해인 2023년부터 미국에서 마이크론을 상대로 특허소송을 제기했다. YMTC가 미국에서 사업을 하기 어렵기 때문에 미국에서 YMTC는 사실상 특허관리전문기업(NPE) 같은 지위로서 분쟁을 지속할 수 있다. YMTC는 지난 2023년부터 2025년까지 매년 마이크론을 상대로 특허침해소송을 1건씩 제기했다. 각 소송에 사용한 특허 수는 차례로 ▲19건(캘리포니아북부법원) ▲11건(캘리포니아북부법원) ▲8건(텍사스동부법원) 등이다. 두 번째 소송에 사용한 특허 11건은 모두 첫 번째 소송에 사용한 특허 19건에 포함된다. YMTC가 마이크론을 상대로 소송을 제기하며 사용한 특허는 모두 27건이다. YMTC가 소송에서 특허침해품으로 지목한 마이크론 제품은 96단, 128단, 176단, 232단 3D 낸드 플래시 메모리, 그리고 DDR5, LPDDR5 등 D램 메모리 등이다.

2026.09.06 19:44이기종 기자

삼성전자, 2분기 HBM 점유율 33%로 급등…SK하이닉스와 격차 축소

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 업계 1위 SK하이닉스와 격차를 좁혔다. 올 2분기 양사 점유율 차이는 17%p로, 전년 동기(43%p), 전 분기(37%p) 대비 크게 줄었다. 3일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 전세계 HBM 시장 점유율(매출액 기준)은 SK하이닉스가 50%로 1위를 유지했다. 다만 점유율 수치는 지속 감소하고 있다. SK하이닉스의 올 2분기 점유율(50%)은 전 분기 대비 8%p, 전년 동기 대비 14%p 감소했다. 반면 삼성전자는 올 2분기 33% 점유율로 SK하이닉스와 격차를 17%p로 좁혔다. 전 분기 대비 12%p, 전년 동기 대비 18%p 개선했다. 카운터포인트리서치는 "삼성전자가 HBM4 출하를 본격화하면서 점유율이 점차 늘어날 것"이라고 내다봤다. HBM4는 올해 본격 상용화된 최신형 HBM이다. 엔비디아의 고성능 인공지능(AI) 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 시리즈에 탑재된다. 마이크론은 시장 점유율 변동폭이 비교적 작았다. 마이크론은 올 2분기 18% 점유율을 기록했다. 전 분기 및 전년 동기 대비 3%p 감소했다. 카운터포인트리서치는 "현재 HBM 매출 대부분은 HBM3E에서 발생한다"며 "HBM4 출하는 올 하반기부터 본격 가시화될 전망"이라고 밝혔다.

2026.09.03 16:43장경윤 기자

中 낸드, 글로벌 1위 되기 어려운 이유

글로벌 낸드(NAND) 플래시 메모리 산업 지형도가 급변하고 있다. 선두업체를 추격하기 위해, 해외 후발주자 기업들이 앞다퉈 공격적인 증설 계획을 꺼내들고 있다. 특히 중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)의 투자 속도가 매우 빠른 것으로 평가된다. 반면 시장점유율 1위인 삼성전자의 낸드 투자는 증설보다 세대 전환에 초점이 맞춰져 있어, 총 생산능력이 오히려 감소하는 추세다. 때문에 삼성전자와 후발주자간 낸드 생산능력 격차가 2~3년 내 빠르게 좁혀질 것이라는 우려도 제기된다. 다만 기업 간 낸드 경쟁을 단순히 생산능력만으로 평가할 수는 없다는 게 업계 전문가들의 중론이다. 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 복수로 쌓는 낸드 특성 상, 동일한 양의 웨이퍼를 투입하더라도 적층 수에 따라 메모리 총량이 크게 달라지기 때문이다. 시장 측면에서의 한계도 존재한다. YMTC의 총 낸드 출하량은 삼성전자·SK하이닉스를 위협하는 추세지만, AI 데이터센터에 필요한 기업용 SSD(eSSD) 매출은 아직 5위권 밖에 머물러 있다. 중국 현지 외 글로벌 고객사 확보가 어렵다는 점도 문제다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 최근 기자와의 서면 인터뷰를 통해 "중국 YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력에서 선두권에 진입할 가능성은 있지만, 선두업체들이 고적층 낸드를 통해 공급하는 메모리 총량이 더 크다는 점을 고려해야 한다"며 "글로벌 매출과 수익성 측면에서는 중국 기업이 단기간에 1위에 오를 가능성은 매우 낮다"고 분석했다. YMTC, 공격적인 증설 속도…"부지 확보 충분" 최근 업계 낸드의 최대 화두는 중국 YMTC의 공격적인 설비 투자다. YTMC는 중국 최대 낸드 제조업체로, 우한시에 주요 생산거점을 두고 있다. 올해 말에는 신규 3공장의 가동을 앞두고 있다. 업계가 추산하는 YMTC의 생산능력은 웨이퍼 투입량 기준 월 16만~17만장 수준이다. 우한 3공장이 본격 가동되는 내년에는 월 20만장을 넘어설 것으로 전망된다. 중장기적으로는 생산능력을 월 30만~40만장 수준까지 확대할 계획을 세우고 있는 것으로 전해진다. YMTC 협력사인 한 반도체 장비업계 관계자는 "YMTC가 내년 및 내후년에도 생산능력을 추가 확보할 계획을 세우고 있다"며 "팹을 10개까지 지을 수 있는 부지를 이미 갖추고 있어, 낸드 제조기업 중 증설 속도가 가장 빠르다고 평가 받는다"고 설명했다. YMTC의 최근 발언도 향후 증설 계획에 대한 자신감을 근간에 둔 것으로 풀이된다. 앞서 YMTC는 기업공개(IPO)를 앞두고 투자자들과 만나 내년 말까지 글로벌 낸드 시장에서 1위를 달성하겠다는 목표를 제시한 바 있다. 삼성·SK 신규 팹 구축 시점 아직 멀어…최소 2028~2029년 반면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들은 신규 증설보다 최첨단 낸드용 전환투자에 집중하고 있다. 때문에 절대적인 생산능력은 근 2~3년간 정체를 기록해 왔다. 일례로 업계 1위인 삼성전자의 낸드 총 생산능력은 월 39만장 수준으로 추산된다. 화성 일부 라인에서 구형 낸드를 양산하던 시점에는 생산능력이 50만장을 넘어선 적도 있었으나, 구형 낸드 양산을 순차적으로 종료하면서 수치가 감소했다. 최첨단 낸드 생산능력은 신규 팹이 아닌 평택·중국 시안 라인에 대한 전환투자로 확충해 왔다. 삼성전자가 가장 최근 구축한 낸드 전용 라인은 지난 2022년 가동을 시작한 P3 Ph1(페이즈1)다. 당초 P4에서도 낸드 라인을 구축하려고 했으나, 시황을 고려해 D램을 함께 양산하는 하이브리드 라인으로 조성했다. 삼성전자가 신규 낸드 양산 라인을 가장 빠르게 구축할 수 있는 곳은 P5다. P5는 올 하반기부터 클린룸 구축이 시작된 팹으로, 가동 목표 시점은 오는 2027년 말이다. 다만 P5도 현재로선 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 라인 조성에 우선순위 둘 가능성이 높다. 때문에 삼성전자의 낸드 생산능력이 크게 확대되는 시점은 아무리 빨라도 2028년께가 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 경우 근 3년간 대규모 낸드 라인 증설이 없었고, 현재도 전환투자에 집중하고 있어 후발주자와의 생산능력 격차는 2~3년 내 크게 축소될 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스의 경우 청주 및 중국 다롄 지역에서 낸드 팹을 운영하고 있다. 현재 생산능력은 월 25만장 내외로 추산된다. 현재 다롄 2공장 증설을 위한 설비투자가 시작됐으나, 규모는 월 3만장으로 비교적 적은 규모다. SK하이닉스의 대규모 낸드 생산능력 확보는 청주 신규 낸드 팹인 M17이 준공된 뒤에나 가능하다. M17은 오는 2028년 말 첫 클린룸 오픈을 목표로 하고 있다. 생산능력만으론 1위 어려워…eSSD 키우고 해외 시장 뚫어야 그러나 YMTC가 낸드 업계 선두권으로 진입하기 위해서는 아직 해결해야 할 과제들이 많다는 지적이 제기된다. 최 부사장은 "낸드의 지속적인 고단화로 적층 수가 400~500단 이상이 되면 웨이퍼 당 비트(Bit) 출하량은 더욱 증가하게 된다"며 "YMTC가 실제 내년 말까지 비트 출하량 1위를 기록하려면 신규 팹에 대한 제조 장비의 국산화, 300~400단 이상의 차기 제품들에 대한 수율 및 생산성 확보, 낸드에 탑재되는 컨트롤러의 고객 인증을 동시에 모두 해결해야 한다"고 평가했다. 현재 YMTC는 267단 낸드까지 상용화에 성공한 것으로 알려져 있다. 낸드는 구성 요소인 셀과 페리를 각각 제조해 칩과 칩을 직접 이어 붙이는 하이브리드 본딩 방식으로 제조된다. YMTC는 이를 '엑스태킹(Xtacking)'이라고 부른다. 국내 기업들은 300~400단 낸드에 이미 진입한 상태다. 삼성전자는 지난달부터 420단대의 V10(10세대) 낸드의 초도 양산을 시작했다. 당장의 출하량은 크지 않지만, 업계 최초로 400단 이상의 낸드에 진입했다는 점에서 의의가 있다. SK하이닉스도 지난해 321단 낸드 상용화에 이어, 올해에는 375단 적층의 10세대 낸드 양산을 계획하고 있다. 시장적인 한계도 존재한다. 특히 AI 데이터센터에서 각광받는 eSSD의 경우, 현지 최대 고객사인 화웨이가 YMTC 제품만을 고집하기 어려운 상황이다. eSSD는 일반 소비자용 SSD 대비 높은 제품 성능 및 안정성을 요구한다. 또한 YMTC의 전체 낸드 출하량에서 eSSD가 차지하는 비중은 아직 낮은 것으로 평가된다. 시장조사업체 트렌드포스가 집계한 올 2분기 eSSD 시장 점유율은 삼성전자가 35.1%로 1위, SK하이닉스가 21.1%로 2위다. 그 뒤로 마이크론·키오시아·샌디스크가 뒤를 따르고 있다. 최 부사장은 "YMTC가 웨이퍼 기준 생산능력과 중국 내 출하량에서는 선두권에 진입할 가능성은 있다"며 "그러나 글로벌 매출과 수익성, eSSD 비중까지 고려한 업계 1위는 1~2년 내에 달성하기가 사실상 어렵다"고 말했다.

2026.09.02 14:56장경윤 기자

삼성전자, 3D 적층 메모리 선점 나선다…'CUBE' 전략 공개

삼성전자가 차세대 메모리 반도체 시장 선점을 위한 수직(3D) 적층 기술력을 통해 초격차 경쟁력 우위를 강조하고 나섰다. 3D는 기존 수평 배치 구조의 메모리 대비 칩의 집적도 및 전력효율성을 높일 수 있어, AI 산업에서 크게 각광받을 것으로 기대된다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 1일 타이베이에서 진행된 '세미콘 타이완 2026'에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 '큐브(CUBE)' 전략을 발표했다. 최장석 상무는 '메모리 고위급 서밋(Memory executive Summit)' 기조연설에서 ▲Capacity(용량) ▲Utilization(최적화) ▲Bandwidth(대역폭) ▲Efficiency(전력·열 효율) 기술 향상을 통해 메모리 기술 주도권을 강화해 나가겠다는 비전을 공유했다. 최 상무는 "이제 더 이상 PCB 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것"이라며 "3D는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심으로, 삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화하고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "다이 사이의 거리를 획기적으로 단축함으로써 수직 고속도로를 형성해 대역폭을 획기적으로 개선할 수 있다"며 "또한 삼성전자는 구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하고 있다"고 말했다. 한편 삼성전자는 HBM2부터 HBM4E, HBM5까지 세대별로 ▲용량 ▲대역폭 ▲전력 효율 ▲열 관리 기술을 지속적으로 고도화해왔으며, AI 연산 수요 증가에 맞춰 기술 개발 속도를 높이고 있다. 특히 HBM5는 HBM4E 대비 ▲성능 2배 ▲와트당 성능 20% 향상 ▲열 저항 20% 감소를 실현하는 것이 목표다. zHBM은 HBM4E 대비 ▲성능 8배 ▲와트당 성능 3배 향상 ▲열 저항 75~90% 감소를 목표로 하고 있으며 성능과 효율성 측면에서 기존의 벽을 뛰어넘는 혁신적인 제품이 될 것으로 기대된다. zNAND-O는 D램보다 10배 높은 비트 밀도를 제공해 LLM에 필요한 대규모 용량을 지원하는 한편, 낸드보다 7배 더 높은 읽기 대역폭과 전력 효율성을 제공한다. zNAND-O는 D램과 가 가진 고유한 한계를 극복하는 제품이며, 삼성전자는 2028년 샘플링을 시작할 계획이다.

2026.09.01 15:37장경윤 기자

수출 3개월 연속 900억 달러 상회…반도체 수출 467억 달러로 역대 최대

8월 반도체 수출이 지난해 같은 달보다 209% 증가한 466억 5000만 달러로 상상 최대 실적을 기록했다. 또 전체 수출도 3개월 연속 1000억 달러를 오르내리는 호조를 이어갔다. 산업통상부는 8월 수출이 지난해 같은 달보다 68.7% 증가한 982억 5000만 달러, 수입은 22.5% 증가한 635억 1000만 달러, 무역수지는 347억 5000만 달러 흑자를 기록했다고 1일 밝혔다. 조업일수를 고려한 하루 평균 수출은 72.5% 증가한 44억 7000만 달러로 4개월 연속 40억 달러를 웃돌았다. 강감찬 산업부 무역투자실장은 “8월 수출은 지난 6월 1000억 달러 대를 달성한 이후에 지난 3개월 연속 900억 달러대의 높은 실적을 계속 이어가고 있다”며 “품목별로 보면 20대 품목 가운데 14개 품목 수출이 증가했다”고 설명했다. 반도체는 구글·아마존 등 하이퍼 스케일러의 설비투자 확대로 인공지능(AI) 인프라 수요가 견조하게 지속되면서 역대 최대 기록을 경신했다. 3개월 연속 400억 달러 이상을 기록했다. 컴퓨터는 기업용 SSD 핵심부품인 낸드 플래시메모리 가격 상승세가 지속되면서 419.5% 증가한 62억 4000만 달러로 역대 최대 실적을 경신했다. 무선통신기기는 갤럭시 S26과 Z폴드·플립8 등 신제품 판매량이 증가하면서 21.2% 증가한 18억 8000만 달러를 기록, 10개월 연속 플러스를 이어갔다. 자동차는 주요 업체의 하계 휴가 시점이 7월 말에서 8월 초로 이동한 데 따른 기저효과와 부분 파업으로 인한 생산 차질 등의 영향으로 29.8% 감소한 38억 5000만 달러로 일시적인 감소세를 보였다. 선박도 인도 물량이 감소하면서 마이너스(45.9% 감소, 16억 9000만 달러)를 기록했다. 석유제품(68억 4000만 달러, 65.3% 증가) 및 석유화학(38억 6000만 달러, 12.2% 증가)은 호르무즈 해협 통행 불안에 따른 유가 상승으로 전년 대비 높은 수출단가가 지속되면서 두 자릿수 증가율을 보였다. 다만 물량은 석유제품과 석유화학이 각각 2.2%와 7.0% 감소했다. 이차전지는 리튬 등 광물 가격 상승으로 단가가 회복세를 보이는 가운데, 전기차용 신규 제품 주문 확대와 ESS 시장 활성화 등 영향으로 24% 증가한 6억 달러를 기록, 4개월 연속 플러스를 이어갔다. 바이오헬스는 바이오시밀러 제품군의 유럽 입찰 수주 성과가 물량 공급 확대와 처방 증가로 이어지며 22.3% 증가한 14억 1000만 달러를 기록, 역대 8월 중 최대 실적을 보였다. 지역별로는 9대 주요 수출지역 가운데 7개 지역에서 수출이 증가했다. 중국 수출은 석유화학·무선통신기기·디스플레이 등 다수 폼목이 부진했지만, 반도체·일반기계 등이 높은 증가율을 기록하면서 119.3% 증가한 241억 달러로 3개월 연속 200억 달러를 초과했다. 미국 수출 역시 반도체·컴퓨터 수출이 세 자릿수 증가율을 기록한 데 힘입어 89.3% 증가한 165억 달러로 늘어났다. 아세안 수출은 반도체·석유제품·디스플레이 등 주요 품목이 고르게 증가하면서 190억 9000만 달러로 역대 8월 중 최대 실적을 기록했다. EU 수출(66억 2000만 달러, 14.6% 증가) 역시 반도체·석유제품 등이 증가하면서 9개월 연속 플러스 흐름을 이어갔다. 수입은 22.5% 증가한 635억 1000만 달러로 집계됐다. 에너지 수입은 15.3% 증가한 126억 8000만 달러, 에너지 외 수입은 24.4% 증가한 508억 3000만 달러로 나타났다. 무역수지는 전년대비 283억 4000만 달러 증가한 347억 5000만 달러 흑자로 집계됐다. 3개월 연속 300억 달러를 넘어섰다. 1~8월 누적 수지는 2025억 달러 흑자로 지난해 같은 기간보다 1622억 달러 증가했다. 김정관 산업부 장관은 “8월 수출은 900억 달러 이상의 높은 실적을 기록하면서 상승 모멘텀을 이어갔다”며 “반도체 수출 강세가 지속되는 가운데, 반도체 외 품목 수출도 20%의 높은 증가율을 기록하고 있어, 우리 수출의 저변이 확대되고 있다는 점이 긍정적”이라고 평가했다. 김 장관은 이어 “미국의 관세정책과 EU의 TRQ 등 주요국의 보호무역주의 강화, 글로벌 공급망 재편, 중동정세 등 국내 기업이 직면하고 있는 통상환경의 불확실성이 그 어느 때보다 높은 상황”이라며 “정부는 현재의 수출 호조에 안주하지 않고, 통상환경 변화가 우리 기업 수출에 미치는 영향을 면밀하게 점검해 나가겠다”고 밝혔다.

2026.09.01 13:55주문정 기자

어플라이드, AI메모리 핵심요소 '3D 적층' 주목…韓 협력 강화

글로벌 반도체 장비업체인 어플라이드머티어리얼즈가 AI 반도체의 필수 요소인 최첨단 패키징 사업을 강화한다. 중장기 수요를 바탕으로 장비 공급 능력을 강화하는 한편, 고객사와 차세대 기술 개발에도 나서고 있다. 특히 향후 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업과 고대역폭메모리(HBM)·3D D램 분야에서의 협력이 기대된다. 어플라이드머티어리얼즈코리아(이하 어플라이드)는 31일 서울 코엑스 오크우드호텔에서 'AI 시대를 위한 D램·첨단 패키징 미디어 브리핑'을 열고 AI 메모리 시장에 대한 사업 전략을 밝혔다. 어플라이드는 AI용 고성능 반도체에서 3D(수직) 적층 기술의 활용도가 급증할 것으로 보고, 최첨단 패키징 솔루션을 적극 개발하고 있다. 대표적인 사례가 HBM이다. HBM은 복수의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)으로 연결해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 반도체다. 엔비디아·AMD를 비롯한 글로벌 빅테크 주도로 수요가 폭증하고 있다. 어플라이드는 차세대 HBM에 도입될 수 있는 다이-투-웨이퍼(D2W) 하이브리드 본딩 장비를 개발해 왔다. 하이브리드 본딩은 각각의 칩의 구리를 직접 이어붙이는 기술이다. 기존 칩 간 연결에 쓰이던 마이크로범프(돌기)가 필요하지 않아, HBM의 집적도 및 전력 효율성, 성능을 높이는 데 용이하다. HBM에서 하이브리드 본딩을 상용화하려면 본딩 뿐만 아니라 각 칩을 평탄화하는 CMP, 표면 세정, 매우 정밀한 정렬 등을 구현해야 한다. 어플라이드는 이를 키넥스(Kinex) 본딩 시스템으로 통합 지원하고 있다. 무쿤드 스리니바산 어플라이드 그룹 부사장은 "3D 적층 전반에 있어 하이브리드 본딩이 필수적으로 동반돼야 할 것으로 보인다"며 "흥미를 가지고 있는 많은 고객사와 협력하고 있는 상태"라고 말했다. 3D D램도 유망한 적용처다. 3D D램은 트랜지스터 구성 요소인 비트라인 혹은 워드라인을 세워, 기존 수평으로 집적되던 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 이를 활용하면 같은 면적에 더 많은 셀을 넣을 수 있고, 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상도 줄어든다. 또한 회로 선폭을 극한으로 줄일 필요가 없어, 고비용의 극자외선(EUV) 공정을 거치지 않아도 된다. 어플라이드는 이 같은 사업 전망을 토대로 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 제조업체와의 협력을 적극 강화할 것으로 관측된다. 박 대표는 "삼성전자와 SK하이닉스는 AI 생태계에서의 역할이 대두되고 있고, 생산능력 확장에도 적극 나서고 있다"며 "메모리를 넘어 패키징 분야에서도 기술 개발 및 상용화를 앞당기기 위한 논의를 많이 하고 있다"고 강조했다. 무쿤드 부사장은 "반도체에 대한 수요가 공급을 크게 상회하고 있어, 생태계 차원에서 반드시 생산량 확대가 이뤄져야 한다"며 "고객사에서 로직 및 메모리반도체 팹을 적극 증설하는 가운데, 당사에 대한 장비 추가 공급 요청도 계속해서 오고 있다"고 말했다. 한편 어플라이드는 고객사와 협력해 신규 장비 상용화를 가속화하는 EPIC 센터를 운영하고 있다. 현재 첫 R&D 장비가 투입돼, 1~2개월 내 본격 가동될 것으로 예상된다. 향후 한국 고객사 대응 강화를 위한 '어플라이드 컬래버레이션 센터 코리아'를 설립 추진 중이다.

2026.08.31 15:47장경윤 기자

"군용 칩 만든 적 없다"…中 CXMT, 美 국방부 상대 블랙리스트 취소 소송

중국 최대 D램 제조사인 창신메모리(CXMT)가 자사를 중국군 지원 기업 명단(블랙리스트)에 올린 미국 국방부를 상대로 법적 대응에 나섰다. 30일 블룸버그 통신에 따르면 CXMT는 최근 워싱턴DC 연방지방법원에 미 국방부와 피트 헤그세스 미 국방부 장관을 상대로 블랙리스트 지정 취소 청구 소송을 제기했다. CXMT는 소장에서 자사가 설계·생산하는 칩이 순수 민간 및 상업용 용도에 국한돼 있으며, 블랙리스트 등재는 부당한 조치라고 주장했다. 이번 소송으로 CXMT는 알리바바그룹 등 미국 정부의 제재 명단에서 벗어나기 위해 소송전에 뛰어든 중국 기술 기업 대열에 합류하게 됐다. CXMT는 소송 제기 직후 발표한 공식 성명을 통해 "CXMT는 군사 기업이 아니며, 중국군과 어떠한 연계도 맺고 있지 않다"며 "2025년 1월 해당 명단에 처음 포함된 이후 지속적인 평판 저하와 상업적 피해를 겪어왔다. 회사의 정당한 명성과 사업적 이익을 보호하기 위해 법적 조치를 취했다"고 말했다. 블랙리스트 지정이 즉각적인 법적 제재를 수반하는 것은 아니지만, 미 국방부는 이를 근거로 미군과의 계약 체결이나 연구 자금 지원 대상에서 해당 기업들을 배제한다. 또한 '1260H조' 지정은 미국 투자자들에게 경고 신호로 작용해 향후 더 강력한 무역 제재로 이어질 수 있는 위험 징후로 인식된다. 1260H조는 중국군을 지원하는 것으로 판단되는 중국의 군사 기업 목록을 작성할 수 있도록 한 조항으로, 미 국방부가 작성·관리한다. CXMT는 낸드플래시 기업인 양쯔메모리(YMTC)와 함께 지난 2월 명단에서 잠시 제외됐으나, 4개월 만인 6월 다시 블랙리스트에 등재됐다. 회사 측은 이번 지정이 통상적인 영업 활동에 지장을 주지는 않는다고 밝혔다. 현재 글로벌 4위 D램 제조사인 CXMT는 인공지능(AI) 열풍에 따른 하드웨어 수요 급증 속에서 중국 반도체 자립의 핵심 축을 담당하고 있다. 최근에는 텐센트홀딩스를 제치고 중국 내 시가총액 1위 기업으로 도약하기도 했다. 애플은 중국 내 판매용 기기에 탑재할 메모리 칩 공급선 다변화를 위해 CXMT·YMTC와 조달 협상을 진행 중인 것으로 전해졌다. 다만 이 같은 움직임이 알려지자 미 의회 상원의원들이 애플을 향해 중국 공급망 의존 확대를 중단할 것을 촉구했다. 미국 유학파 출신 반도체 전문가 주이밍이 설립한 CXMT는 해외 기술 의존도를 낮추려는 중국 정부의 '반도체 굴기' 상징이다. 회사는 범용 D램을 넘어 AI 가속기의 필수 부품인 고대역폭메모리(HBM)의 자체 개발까지 속도를 내고 있다. CXMT는 18나노급 공정을 사용해 HBM2E(3세대 HBM)의 리스크 양산(초도생산) 단계에 진입한 것으로 알려졌다. 16나노급 공정 기반의 HBM3는 샘플링 진행 중이다.

2026.08.30 08:12진운용 기자

HBM만으론 부족해?...AI 메모리 신기술 뜬다

인공지능(AI) 반도체 시장에서 메모리 기술 경쟁의 축이 고대역폭메모리(HBM)의 대역폭 확대에서 새로운 저장구조와 시스템으로 이동하고 있다. AI 모델이 커지면서 연산 성능뿐 아니라 메모리 용량과 데이터 이동에 따른 전력 소모, 발열 등이 새로운 병목으로 떠오르면서다. 28일 반도체 업계에 따르면 미국 스탠퍼드대에서 지난 23~26일 열린 '핫칩스(Hot Chips) 2026'에서도 이 같은 흐름이 부각됐다. 삼성전자와 SK하이닉스의 차세대 HBM 기술을 비롯해 3D D램, HBF(고대역폭플래시), PIM(프로세싱 인 메모리), CXL(컴퓨트익스프레스링크) 등 기존 HBM의 한계를 보완하기 위한 차세대 신기술이 잇따라 공개됐다. 현재 AI 가속기의 핵심 메모리로 자리 잡은 HBM은 GPU와 가까운 위치에서 초고속으로 데이터를 처리할 수 있다는 장점이 있다. 하지만 적층 수가 늘어날수록 패키징 난도가 높아지고 발열과 두께, 수율 등의 문제가 커진다. HBM만으로 AI가 요구하는 대역폭과 용량을 모두 충족하기 어려워질 수 있다. HBM도 진화…베이스 다이·패키징에 힘 주는 삼성·SK 삼성전자는 HBM의 핵심 구성요소인 베이스 다이를 고도화하는 방향을 제시했다. 베이스 다이에 더 많은 로직 기능을 집적해 단순히 데이터를 전달하는 역할을 넘어 AI 가속기의 연산과 시스템 특성에 맞는 기능을 수행하도록 만드는 방식이다. HBM을 범용 메모리에서 고객 맞춤형 메모리로 확장하려는 전략으로 해석된다. SK하이닉스는 HBM의 물리적 한계를 해결하기 위한 첨단 패키징에 초점을 맞췄다. 메모리 적층이 증가할수록 칩 사이 연결과 열 관리가 중요해지는 만큼 하이브리드 본딩 등 차세대 기술을 통해 더 많은 메모리를 안정적으로 쌓는 기술 경쟁에 나서고 있다. 업계에서는 HBM의 발전 방향이 단순히 '더 많이 쌓고 더 빠르게 만드는 것'에서 벗어나고 있다는 분석이 나온다. 한 반도체 업계 관계자는 "AI 반도체에서는 연산 성능만 높이는 방식으로 전체 시스템 성능을 끌어올리는 데 한계가 있다"며 "결국 향후 메모리에서 데이터를 얼마나 효율적으로 처리하고 이동시키느냐가 중요한 경쟁 요소가 될 것"이라고 말했다. HBM 넘어 PIM·CXL·3D D램으로…메모리 역할 확대 실제로 이번 '핫칩스' 행사에서는 HBM을 대체하거나 보완할 새로운 메모리 기술도 등장했다. D-매트릭스(Matrix)와 메타는 3D D램 기반 생성형 AI 추론 가속기를 소개했고, HBF를 활용한 AI 컴퓨팅 기술도 발표됐다. 메모리를 단순한 저장 공간으로 활용하는 데서 벗어나 연산과 데이터 처리에 보다 적극적으로 활용하려는 움직임이다. 삼성전자가 공개한 LPDDR5X-PIM도 같은 연장선상에 있다. PIM은 메모리 내부에서 일부 연산을 수행해 CPU나 AI 가속기로 데이터를 옮기는 횟수를 줄이는 기술이다. 삼성전자는 이번 행사에서 LPDDR5X-PIM의 AI 추론 성능을 공개했으며, 메타의 라마3.1을 활용한 테스트에서 기존 LPDDR5X 대비 약 3배의 토큰 처리 성능을 제시했다. CXL을 활용한 메모리 컴퓨팅도 주목받았다. 삼성전자와 엑시나(XCENA)는 CXL 기반 컴퓨테이셔널 메모리 기술을 선보이며 용량 확장뿐 아니라 메모리 가까이에서 연산을 수행하는 구조를 제시했다. AI 서버가 필요로 하는 대규모 메모리를 여러 시스템이 공유하면서 동시에 데이터 이동을 줄이는 방향이다. 이 같은 변화는 차세대 AI 메모리 시장이 하나의 제품에 모든 기능을 집중하는 구조에서 벗어날 가능성을 보여준다. HBM은 높은 대역폭을 담당하고, CXL 기반 메모리는 대용량 메모리 확장과 풀링을 지원하며, PIM이나 컴퓨테이셔널 메모리는 데이터 이동을 줄이는 역할을 맡는 방식이다. 업계 관계자는 "앞으로는 HBM의 성능 자체뿐 아니라 HBM과 다른 메모리 계층을 어떻게 조합해 AI 시스템 전체의 효율을 높이느냐가 중요해질 것"이라며 "메모리 업체들도 단순히 D램을 공급하는 데서 벗어나 연산과 패키징, 인터페이스까지 함께 설계하는 방향으로 사업 영역을 넓힐 필요가 있다"고 말했다.

2026.08.28 15:58전화평 기자

SK하이닉스, 美 인디애나 패키징팹 첫 삽..."2029년 HBM4E 양산"

SK하이닉스가 미국 첨단 반도체 패키징 공장 첫 삽을 떴다. 해당 팹은 2029년 3분기부터 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 양산할 계획이다. 연간 수십만 장 생산 능력을 갖출 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 27일(현지시간) 미국 인디애나주 퍼듀대학교에서 열린 인공지능(AI) 메모리용 최첨단 패키징 생산기지 기공식에서 이같이 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 약 40억 달러(약 5조 5200억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라피엣 지역에 최첨단 패키징 공장을 짓겠다고 밝혔다. 단순 생산시설을 넘어, 최첨단 패키징 기술 연구개발(R&D) 센터도 함께 들어선다. 인디애나 팹은 SK하이닉스의 미국 내 첫 번째 반도체 공장이다. 이 곳은 현재 부지 기초 공사 중이다. 오는 10월 주요 시설 건설에 착수할 예정이다. 2028년 10월 클린룸 준공이 목표다. 곽 사장은 "2029년 3분기부터 해당 팹에서 HBM4E 양산을 시작할 계획"이라며 "연간 수십만장 웨이퍼 생산능력을 갖출 것으로 기대한다"고 밝혔다. 이어 "2030년까지 인디애나는 미국의 핵심 HBM 생산거점이 될 것"이라며 "미국 AI 메모리 반도체 수요 확대에 대응하겠다"고 말했다. SK하이닉스는 한국에서 생산한 첨단 HBM 웨이퍼를 인디애나주 패키징 팹에 들여와, 후공정을 진행한 뒤 미국 고객사에 제품을 인도할 계획이다. 곽 사장은 "완전히 통합된 한·미 생산 시스템이 가동될 것"이라며 "SK하이닉스는 미국 반도체 공급망을 강화하고 국가·경제 안보에 기여하는 동시에, 고객사에 미국산 HBM의 새로운 공급원을 제공할 것"이라고 강조했다.

2026.08.28 00:35장경윤 기자

中 CXMT, 고유전율 D램 소재 양산 적용...삼성·SK '맹추격'

D램 업계 후발주자인 중국 창신메모리(CXMT)의 기술 추격이 거세다. 기존 메모리 선두업체들의 전유물처럼 여겨지던 고유전율(High-k) 소재를 최신 D램 제품에 성공적으로 양산 적용한 것으로 확인됐다. 이에 삼성전자·SK하이닉스 등은 초격차를 통한 경쟁력 우위를 위해 4F스퀘어, 3D D램 등 차세대 구조 개발에 박차를 가하고 있다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 27일 메모리 산업 동향 웨비나에서 최첨단 D램 기술 개발 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 반도체 전문 분석기관이다. 中, 고성능 D램 소재 'High-k'도 본격 도입…선두 업체 맹추격 글로벌 D램 시장은 국내 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론 등 소위 빅3 기업이 주도해 왔다. 이들 기업은 12나노미터(nm)급 D램 및 고대역폭메모리(HBM) 상용화로 AI용 고부가 메모리 출하량을 적극 늘리는 추세다. 그러나 중국 기업들의 추격도 거세다. 현재 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT는 G4(16나노급) 공정을 기반으로 DDR5 및 LPDDR5 제품 상용화에 성공한 상황이다. 최근에는 D램 내 트랜지스터에 기존 선두업체들만 적용하던 고성능 소재도 활용하기 시작한 것으로 나타났다. 최 부사장은 "중요한 점은 당사 조사 결과 CXMT가 G4 공정 및 LPDDR5X 제품에 High-k 메탈 게이트(HKMG) 기술을 성공적으로 도입했다는 것"이라고 강조했다. High-k는 회로 간 누설 전류를 막는 절연막에 쓰이는 소재다. 동일한 전압에서 더 많은 전하(전자의 흐름)을 저장할 수 있어, 기존 절연막 소재(실리콘산화물, SiO2) 대비 초미세 공정을 구현하는 데 용이하다. 때문에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 4~5년 전부터 이 소재를 도입하고 있다. HBM 기술 역시 고도화하고 있다. 현재 CXMT는 G3(18나노급) 공정을 사용해 HBM2E(3세대 HBM)의 리스크 양산(초도생산) 단계에 진입한 것으로 알려졌다. G4 공정 기반의 HBM3는 샘플링을 진행 중이다. 최 부사장은 "CXMT는 선두업체보다 약 2세대 정도 기술이 뒤쳐져 있으나, 더 높은 성능의 메모리 솔루션을 향해 HBM 로드맵을 꾸준히 발전시키고 있다"며 "G5(15나노급) D램 공정도 개발되고 있다"고 평가했다. D램 3강, 4F스퀘어·3D D램으로 기술 변혁 시도 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 10나노미터 미만의 차차세대 D램(D0A) 개발로 기술 초격차를 꾀하고 있다. 특히 기존 D램의 구조를 바꾼 4F스퀘어, 3D D램을 가장 유력한 후보로 보고 있다. 최 부사장은 "현재 당사 평가로는 삼성전자와 SK하이닉스는 4F스퀘어 D램을 추진할 가능성이 높다"며 "반면 마이크론은 3D D램으로 바로 이동할 가능성이 더 높아 보인다"고 말했다. 4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다. 기존 D램은 6F스퀘어 구조를 갖추고 있다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도가 높아져, 데이터 처리 성능 및 전력 효율성을 향상시킬 수 있다. 업계가 4F스퀘어 구조에 주목하는 이유다. 3D D램은 비트라인 혹은 워드라인을 세워, 기존 수평으로 집적되던 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 비트라인과 워드라인은 셀 내 트랜지스터를 동작하게 하는 구성 요소다. 3D D램 구조에서는 같은 면적에 더 많은 셀을 넣을 수 있고, 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상도 줄어든다. 다만 3D D램은 새로운 소재와 본딩 기술을 도입해야 하는 등 4F스퀘어 대비 기술적 난이도가 높다고 평가받는다. 최 부사장은 "3D D램은 여전히 기술적으로 매우 도전적인 과제로, D0A에서 상용화되기에는 상당한 공정 복잡성과 수율 문제를 야기한다"며 "이러한 이유로 4F스퀘어 D램이 D0A 세대에서 보다 실용적인 후보로 떠오르고 있다"고 설명했다.

2026.08.27 14:02장경윤 기자

엑시나, '핫칩스 2026'서 CXL 연산 메모리 'MX1' 공개

AI 반도체 스타트업 엑시나(XCENA)가 세계적 권위의 반도체 학회에서 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 기반 연산 메모리 장치 'MX1'을 공개했다. 엑시나는 25일(현지시간) 미국 스탠퍼드대학교에서 열린 '핫칩스(Hot Chips) 2026'에서 MX1의 하드웨어 아키텍처와 실측 성능 결과를 발표했다고 26일 밝혔다. 발표는 김주현 엑시나 최고제품책임자(CPO)가 맡았다. 핫칩스는 실제 구현된 반도체 칩과 시스템을 중심으로 기술적 혁신성과 시장 파급력을 평가해 발표를 선정하는 고성능 반도체 학회다. 1989년 출범 이후 한국 팹리스(반도체 설계전문) 기업이 메모리 분야 정규 세션 발표사로 선정된 것은 엑시나가 처음이다. 올해는 엔비디아, AMD, 인텔, 구글, 마이크로소프트, 메타, 오픈AI 등 27개 글로벌 빅테크 기업의 발표가 본 세션에 포함됐다. 엑시나는 '메모리 세션'을 통해 MX1의 하드웨어 구조 및 프로그래밍 모델과 함께 실제 데이터 분석 워크로드 측정 결과를 제시했다. 성능 측정 결과 ▲메모리 압축·해제 ▲파케(Parquet) 디코딩 ▲데이터 필터링 등 핵심 연산에서 호스트 CPU가 CXL로 데이터를 전송해 처리하는 기존 방식 대비 처리량은 최대 4.7배, 에너지 효율은 최대 18.7배 향상됐다. 호스트 CPU가 로컬 D램(DDR5)을 직접 처리하는 구조와 비교해도 처리량은 2배, 에너지 효율은 6.2배 높았다. 김주현 엑시나 CPO는 "MX1은 메모리 용량 확장과 동시에 연산을 데이터 가까이 배치해 불필요한 전송 병목을 줄이고 전력 효율을 극대화한 아키텍처"라며 "이번 학회에서 삼성전자와 함께 실제 성능을 입증했다는 점에서 의미가 깊다"라고 말했다. 엑시나는 내년 초 MX1의 본격적인 양산에 돌입해 글로벌 고객 공급을 본격화할 계획이다.

2026.08.26 11:05전화평 기자

삼성 '가이아'에 LPDDR5X-PIM 탑재…AI PC서 PIM 첫 상용화

삼성전자가 개발 중인 인공지능(AI) PC용 칩셋 '가이아(GAIA)'에 연산 기능을 내장한 메모리 반도체 LPDDR5X-PIM이 탑재된다. PIM(Processing in Memory)이 실제 AI PC용 칩셋과 결합되는 것은 이번이 처음이다. 가이아가 양산에 들어갈 경우 PIM이 연구·검증 단계를 넘어 실제 제품에 적용되는 첫 사례가 될 전망이다. 삼성전자는 23~25일(현지시간) 미국에서 열리는 반도체 학회 '핫칩스(Hot Chips)'에서 '삼성 LPDDR5X-PIM: 세계 최초 LPDDR 기반 AI 추론용 PIM 솔루션'을 주제로 발표했다. 반도체 업계 한 관계자는 발표에 앞서 "삼성전자는 이번 핫칩스 발표에서 LPDDR5X-PIM의 AI 추론 적용 사례와 함께 가이아를 소개한다"고 밝힌 바 있다. 다만 이번 핫칩스 발표에서 가이아가 제품명으로 직접 언급되지는 않았다. 발표자료에는 삼성의 엣지 AI 가속기 시스템 온 칩(SoC)이 언급됐는데, 업계에서는 이 제품을 가이아로 추정하고 있다. 삼성전자는 이 SoC에 LPDDR5X와 LPDDR5X-PIM 메모리를 탑재해 검증했다. 그 결과 LPDDR5X-PIM은 기존 LPDDR5X에서 12.3초가 걸렸던 테스트를 5.4초 만에 완료했다. 2.28배의 성능 향상을 보인 셈이다. 출력 또한 초당 27.0개에서 81.3개로 3.01배 증가했다. 가이아는 삼성전자 시스템LSI사업부가 개발하고 있는 AI PC용 AI 가속기다. 삼성 파운드리의 4nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 기반으로 제작되며, AI 연산 처리에 특화했다. 삼성전자는 이미 중국 레노버와 미국 HP 등 주요 PC 제조사에 가이아 시제품을 공급하고 성능을 검증 중인 것으로 알려졌다. 이르면 내년 양산이 거론된다. LPDDR5X-PIM은 저전력 메모리인 LPDDR5X에 PIM 기술을 결합한 제품이다. 기존 메모리 반도체가 데이터를 저장하는 역할에 집중했다면, PIM은 메모리 내부에 연산 기능을 추가해 데이터를 저장하면서 동시에 처리할 수 있는 기술이다. 중앙처리장치(CPU)나 그래픽처리장치(GPU)와 메모리 사이에서 데이터가 반복적으로 이동하는 과정을 줄여 AI 연산 과정에서 발생하는 병목과 전력 소모를 낮추는 것이 핵심이다. 삼성전자는 앞서 LPDDR5X-PIM 시뮬레이션을 통해 기존 메모리 대비 AI 행렬 연산 성능을 최대 6.2배 높일 수 있다고 밝힌 바 있다. LPDDR5X-PIM은 전력 효율이 중요한 온디바이스 AI 시장을 겨냥한다. 노트북과 스마트폰 등 개인 기기는 전력과 발열 제약이 크기 때문에 연산 과정에서 메모리와 프로세서 사이 데이터 이동을 줄이는 것이 중요하다. 경쟁사인 SK하이닉스도 PIM이 온디바이스 시장에서 성장할 것으로 내다본 바 있다. 강욱성 SK하이닉스 부사장은 지난해 진행된 OCP 코리아 테크데이에서 "PIM은 클라우드보다 스마트폰, PC 등 엣지에서 먼저 상용화가 전망된다"며 "GPU 개수를 늘릴 수 있는 클라우드와 달리, 엣지 디바이스는 늘릴 수 없기 때문"이라고 설명했다. 그러면서 "휴머노이드나 로보틱스에서도 활용될 가능성이 크다"고 덧붙였다. 가이아와 LPDDR5X-PIM의 결합은 삼성전자가 시스템LSI와 메모리를 아우르는 AI 반도체 전략을 추진한다는 점에서도 의미가 있다. 가이아가 AI 연산을 담당하고 LPDDR5X-PIM이 메모리 내부에서 일부 연산을 처리하는 방식으로 역할을 분담하면 프로세서와 메모리 간 데이터 이동을 줄여 전체 시스템 성능과 전력 효율을 높일 수 있다. 삼성전자는 그동안 PIM을 다양한 메모리 제품에 적용해 왔다. 서버용 고대역폭메모리(HBM)에 PIM을 적용한 HBM-PIM을 비롯해 모바일용 LPDDR에 PIM을 결합한 기술을 공개하며 적용 범위를 확대해왔다. 다만 실제 제품에 PIM을 적용해 상용화하는 데는 기술·생태계 측면 과제가 남아 있었다. 업계에서는 가이아의 PIM 적용이 PIM 기술 상용화 가능성을 확인하는 계기가 될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 한 관계자는 "AI PC 시장에서 실제 고객사 성능 검증을 거친 뒤 양산까지 이어질 경우 PIM이 단순한 차세대 메모리 기술을 넘어 온디바이스 AI를 위한 핵심 메모리 기술로 자리 잡을 가능성이 있다"고 말했다.

2026.08.26 10:37전화평 기자

SK하이닉스 경영진, 광주군공항 방문…호남 반도체 팹 조성 점검

SK하이닉스 주요 경영진이 광주군공항 일대 현장을 직접 방문해 호남권 반도체 국가산업단지 조성 방안을 점검했다. 전남광주통합특별시는 24일 SK하이닉스 경영진이 반도체 산단 후보지인 광주군공항 부지 일대를 방문해 현장 여건을 확인하고 구체적인 산단 조성 협의를 진행했다고 밝혔다. 이날 현장 방문에는 염성진 SK하이닉스 커뮤니케이션 총괄 사장을 비롯해 황무연·박호현 부사장과 김기홍 특별시 반도체산업지원단장 등이 참석했다. 방문단은 군공항 관제탑에서 후보지 전경과 입지 조건을 점검했다. 이후 특별시 광주청사에서 고광완 안전민생부시장과 면담을 갖고 반도체 팹(Fab) 건설과 운영에 필수적인 전력, 용수, 도로 등 핵심 기반시설 확충 방안과 지자체 차원의 기업 지원책을 논의했다. 특별시는 기업의 최종 투자 결정 시 즉각적인 사업 착수가 가능하도록 부지와 인프라를 선제적으로 구축할 방침이다. 염성진 SK하이닉스 사장은 "현장 여건을 직접 확인하고 지역과 다양한 의견을 나눴다"라며 "호남권 반도체 클러스터의 성공을 위해 특별시와 긴밀히 소통하고 협력하겠다"라고 말다. 고광완 안전민생부시장은 "경영진의 잇단 방문은 현장 점검을 거쳐 구체적인 준비 단계로 진입했다는 의미"라며 "지자체 현안은 신속히 해결하고 정부 협의를 적극 추진해 기업 투자에 걸림돌이 없도록 하겠다"고 강조했다.

2026.08.24 16:25전화평 기자

삼성·SK, 中낸드 생산거점 강화…내년까지 설비투자 집행

국내 메모리 기업들이 중국 낸드플래시 생산거점 투자를 강화한다. 삼성전자는 올해와 내년 현지 최첨단 낸드 전환투자 계획을 구체화했다. SK하이닉스도 올 하반기부터 내년까지 월 3만장 규모 생산능력을 확보할 예정이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 내년까지 중국 낸드 양산라인용 설비투자를 활발히 집행할 계획이다. 삼성전자는 올해 상반기부터 중국 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 대한 전환투자를 진행하고 있다. 삼성전자 V9 낸드는 셀을 280단대로 적층한 최첨단 제품으로, 월 4~5만장 규모 생산능력을 확보할 것으로 예상된다. 삼성전자는 최근 해당 팹의 V9 낸드 생산을 강화하기 위해 보완투자 계획도 확정한 것으로 알려졌다. 낸드 제조 핵심인 식각 공정용 설비를 추가 도입하는 게 골자다. 식각은 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. 셀(Cell:데이터를 저장하는 최소 단위)을 수백층 쌓아야 하는 낸드의 경우, 전자가 이동하기 위한 채널 홀(구멍)을 매우 깊게 뚫어야 하기 때문에 식각 기술 중요도가 크다. 이에 삼성전자는 V9 낸드를 안정적으로 양산하기 위한 보완투자를 내년 하반기부터 진행하기로 했다. 관련 설비 구매주문(PO)도 올 연말께 구체화될 전망이다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자가 올해와 내년, 중국 내 최첨단 낸드 생산능력 확대를 위한 투자를 단계적으로 집행할 계획"이라며 "인공지능(AI) 서버 등 최첨단 낸드 수요 급증에 따른 대응책"이라고 말했다. SK하이닉스는 올 3분기부터 다롄 2공장의 낸드 제품 고도화를 위한 설비투자를 진행하고 있다. 현재 논의 중인 투자 규모는 월 3만장 수준으로 알려졌다. 다롄 공장은 SK하이닉스가 지난 2020년 하반기 인텔 낸드 사업부를 인수하면서 양수한 공장이다. 이후 SK하이닉스는 지난 2022년 낸드 생산능력 확대를 위해 다롄 2공장 착공식을 열었지만, 시황 등을 이유로 설비투자를 보류해 왔다. 또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 다롄 2공장에 내년 상반기까지 월 3만장 규모 낸드용 설비투자를 진행할 계획"이라며 "식각 등 핵심 제조장비도 다음달부터 본격 반입이 시작된다"고 밝혔다.

2026.08.24 15:33장경윤 기자

美 마이크론, AI 메모리 연구소 설립…10년간 100억 달러 투자

미국 메모리 반도체 기업 마이크론 테크놀로지가 인공지능(AI)용 차세대 메모리 기술 개발을 위해 대규모 연구시설 투자에 나선다. 로이터 등 외신은 마이크론이 미국 아이다호주 보이시 본사 인근에 '마이크론 리서치 랩스'를 설립하고 향후 10년간 100억 달러(약 13조8570억원)를 투자할 계획이라고 20일(현지시간) 보도했다. 새 연구시설은 2027년 착공에 들어갈 예정이다. 완공 후 수백 명 규모의 연구 인력을 수용하며, 차세대 메모리 기술 및 컴퓨팅 시스템 개발, 미래 반도체 제조 공정 지원 연구를 전담한다. 마이크론은 해당 시설을 고객사, 학계, 정부, 업계 관계자가 참여하는 글로벌 R&D 거점으로 육성할 방침이다. 아울러 유럽, 일본, 인도, 싱가포르, 대만 등 전 세계에 위치한 마이크론의 기존 연구 네트워크와도 연계해 운영된다. 이번 투자는 글로벌 AI 인프라 확대로 고대역폭메모리(HBM) 등 고성능 AI 메모리 수요가 급증하는 추세에 대응하기 위한 조치다. 마이크론은 기존에 발표한 2500억 달러 이상의 미국 내 반도체 제조·R&D 투자 계획에 이번 연구소 설립 건을 추가하기로 했다. 도널드 트럼프 미 행정부는 해외 반도체 의존도를 낮추고 자국 생산을 늘리기 위한 제조업 육성 정책을 추진 중이다. 마이크론 역시 이에 발맞춰 미국 내 연구·생산 거점 확대를 이어가고 있다.

2026.08.21 16:51전화평 기자

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