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'메모리 반도체'통합검색 결과 입니다. (303건)

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[단독] SK하이닉스, 지난달 엔비디아에 '12단 HBM3E' 샘플 공급

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리)인 12단 D램 적층 HBM3E(5세대 HBM)의 초기 샘플을 지난달 엔비디아에 공급한 것으로 파악됐다. 지난해 8월 8단 제품의 샘플 공급에 이은 성과로, 주요 고객사와의 AI 반도체 협업을 보다 공고히할 수 있을 것으로 전망된다. 6일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 D램 적층 HBM3E의 초기 샘플을 제공했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 현재 4세대 제품인 HBM3까지 상용화 궤도에 올랐으며, 다음 세대인 HBM3E는 올 상반기 상용화가 예상된다. HBM3E는 D램을 몇 개 적층하느냐에 따라 8단(24GB)과 12단(36GB) 제품으로 나뉜다. SK하이닉스의 경우 8단 HBM3E는 지난해 하반기에 샘플을 공급해 최근 테스트를 통과했다. 공식적인 일정을 밝히지는 않고 있으나, 이르면 이달부터 양산이 시작될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급했다. 해당 샘플은 극 초창기 버전으로, 주로 신규 제품의 표준 및 특성을 확립하기 위해 활용된다. SK하이닉스는 이를 UTV(유니버셜 테스트 비하이클)이라는 명칭으로 부른다. 이미 하이닉스가 8단 HBM3E의 성능 검증을 마무리한 만큼, 12단 HBM3E 테스트에는 많은 시간이 소모되지 않을 것으로 관측된다. D램의 적층 수가 늘어난 데 따른 일부 디바이스 특성과 신뢰성 검증만 해결하면 될 것으로 업계는 보고 있다. 한편 세계 메모리 업계는 AI 반도체 시장의 급격한 성장세에 발맞춰, 엔비디아·AMD에 최선단 HBM 제품을 공급하기 위한 경쟁을 치열하게 전개하고 있다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 개발에 성공했다고 밝혔다. 삼성전자는 해당 제품에 어드밴스드 TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)를 적용해, D램 사이사이의 간격을 7마이크로미터(um)까지 줄이는 데 성공했다. 마이크론 지난달 26일(현지시간) 8단 HBM3E의 대량 생산을 시작했다고 밝혔다. 최선단 10나노급(1b) D램을 적용한 것이 특징으로, 마이크론은 "자사의 8단 HBM3E가 경쟁사 대비 전력 효율이 30% 우수하다"고 강조한 바 있다. SK하이닉스는 12단 HBM3E 샘플 공급과 관련한 질문에 "고객사와 관련한 내용은 어떠한 것도 확인해줄 수 없다"고 전했다.

2024.03.06 13:32장경윤

삼성 설비투자 지연에…핵심 자회사 세메스 2년 연속 '부진'

삼성전자의 반도체·디스플레이 장비 전문 자회사 세메스가 2년 연속 매출 및 영업이익이 하락했다. 근 2년간 삼성전자가 설비투자 지연, 인프라 중심의 투자 기조를 이어간 데 따른 영향으로 풀이된다. 22일 업계에 따르면 세메스는 지난해 연 매출액 2조5천21억 원, 순이익 587억 원을 기록했다. 세메스의 지난 해 매출은 전년 대비 13.4% 감소한 수치다. 순이익은 전년 대비 68.4%가량 줄어들어 하락폭이 더 크다. 세메스는 IT 시장 호황으로 반도체 설비투자가 활발하던 지난 2021년, 매출 3조1천280억 원으로 사상 처음 매출 3조원을 뛰어넘었다. 해당 기간 순이익도 2천643억원에 달했다. 그러나 곧바로 다음 해인 2022년에는 매출 2조8천892억 원, 순이익 1천857억 원으로 실적이 하락했다. 삼성전자의 2022년 DS(반도체)부문 설비투자가 47조9천억 원으로 전년(43조6천억 원) 대비 늘었으나, 실제 생산능력 확대를 위한 설비투자가 지연된 것이 주 원인으로 지목된다. 당시 삼성전자는 반도체 산업의 불확실성이 높아지는 추세에 대비하기 위해 '쉘 퍼스트(shell First)' 전략을 가동했다. 쉘 퍼스트는 반도체 인프라 투자에 먼저 집중하고, 이후 시장 상황을 고려해 생산능력을 늘리는 방식이다. 이에 따라 삼성전자 평택 P3 등 주요 생산기지의 설비투자 시기가 지연됐다. 지난해 상반기는 이연된 P3 투자 효과로 실적이 견조했으나, 하반기는 추가적인 매출 성장 요인이 부족했다. 해당 기간 삼성전자의 투자가 미국 테일러 신규 파운드리 팹, 평택 P4를 위한 인프라 투자에 집중된 데 따른 영향으로 풀이된다. 특히 지난해 3분기에는 순손실 421억 원으로 전분기 대비 적자전환하기도 했다. 다만 올해에는 실적 회복을 기대할 수 있는 요소들이 다수 존재한다. 삼성전자는 올해 HBM(고대역폭메모리) 생산능력을 기존 대비 2.5배 확대하기 위한 패키징 투자에 나선다. 또한 최선단 D램의 비중을 늘리기 위한 공정 전환 투자도 진행할 것으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 "삼성전자가 올 상반기 P3에 월 3만장 수준의 신규 투자를 진행하고, 하반기 P4 완공 후 전공정 장비 투자에 집중할 것으로 예상한다"며 "하반기 업황 회복에 따라 P3 전공정 장비의 추가 투자도 가능할 것"이라고 밝혔다. 세메스는 삼성전자의 자회사로, 반도체 및 디스플레이 장비를 전문으로 개발하고 있다. 반도체 분야에서는 식각·포토·세정 등 전공정 관련 장비 소터, 본더 등 후공정 장비를 두루 개발해 왔다.

2024.02.22 14:38장경윤

SEMI "1분기 글로벌 메모리 설비투자 규모 10% 증가 전망"

지난해 부진했던 반도체 설비투자 및 가동률이 올 1분기부터 회복세에 접어들 전망이다. 특히 메모리 설비투자 규모가 1분기 전분기 및 전년동기 대비 각각 9%, 10% 증가할 것으로 관측된다. 21일 SEMI(국제반도체장비재료협회)는 반도체 전문 조사기관인 테크인사이츠와 함께 발행하는 반도체 제조 모니터링 보고서의 최신 자료를 통해 올해 전 세계 반도체 제조산업의 회복세를 예상했다. 전자 제품 판매는 지난해 4분기 전년동기 대비 1% 상승해, 2022년 하반기 이후 처음으로 증가세를 기록한 바 있다. 올해 1분기에도 전년 동기 대비 3%의 증가가 예상된다. 또한 반도체 수요 개선과 재고 정상화가 시작되면서, 지난해 3분기 집적회로(IC) 매출액은 작년 동기 대비 10% 상승했다. 이는 올해 1분기 18% 증가해 더 큰 성장세를 보일 것으로 예상된다. 설비투자액과 팹 가동률은 2023년 하반기에 큰 하락세를 겪은 뒤 올해 1분기부터 점차 회복되기 시작할 것으로 내다봤다. 올해 1분기 메모리 부문 설비투자액은 전분기 대비 9%, 전년동기 대비 10% 증가할 것으로 예상된다. 비메모리 부문은 설비투자액은 전분기 대비 16% 증가할 것으로 전망되나, 전년 동기보다는 낮을 것으로 보인다. 팹 가동률은 지난해 4분기 66%에서, 올 1분기 70%에 달해 소폭 개선될 것으로 전망된다. 한편 팹 생산능력은 지난해 4분기 1.3% 늘었으며, 올 1분기에도 이와 비슷하게 확장될 것으로 기대된다. 지난해 장비 투자액은 예상치를 상회했으나, 장비 구매가 보통 하반기께 진행되면서 올해 상반기의 장비 투자액은 대폭 감소할 것으로 예상된다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터는 "전자 제품과 집적회로(IC)시장은 지난해 부진으로부터 회복되고 있다"며 "지금은 공장 가동률이 낮더라도 올해 점차 개선될 것으로 보인다"고 밝혔다.

2024.02.21 15:43장경윤

김기태 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM '완판'...이젠 속도전 승부수"

김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 부사장이 "올해 HBM은 이미 완판"됐다며 "2024년이 막 시작되었지만, 우리는 시장 선점을 위해 벌써 2025년을 준비하고 있다"고 자신감을 내비쳤다. HBM(고대역폭메모리)는 여러 개의 D램 칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 메모리다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)를 거쳐 현재 5세대(HBM3E)까지 개발된 상태다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 점유율 1위를 차지한다. 김기태 부사장은 21일 SK하이닉스 뉴스룸을 통해 "생성형 AI 서비스의 다변화 및 고도화로 AI 메모리 솔루션인 HBM 수요 역시 폭발적으로 증가했다. 고성능·고용량의 특성을 지닌 HBM은 메모리 반도체가 전체 시스템의 일부에 불과하다는 기존 통념을 뒤흔든 기념비적인 제품"이라며 "특히, SK하이닉스 HBM의 경쟁력은 탁월하다. 높은 기술력으로 글로벌 빅테크 기업에서 앞다퉈 찾고 있다"고 말했다. SK하이닉스는 올해 전사 역량을 결집해 이룬 HBM 1등 타이틀을 사수하고, 더욱 강한 HBM 시장 리더십을 구축하는 것을 목표로 한다"라며 "이를 위해 회사는 김 부사장이 이끄는 HBM Sales & Marketing 조직을 포함해 제품 설계, 소자 연구, 제품 개발 및 양산까지의 모든 부서를 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 김 부사장은 "SK하이닉스는 영업·마케팅 측면에서 AI 시대에 대응할 준비를 꾸준히 해왔다"라며 "고객과의 협력 관계를 미리 구축했고, 시장 형성 상황을 예측했다. 이를 바탕으로 회사가 누구보다 앞서 HBM 양산 기반을 구축하며 제품 개발을 진행해 빠르게 시장을 선점할 수 있었다"고 강조했다. 이어서 그는 "지속적인 시장 우위를 점하기 위해서는 기술 경쟁력은 기본이고, 영업적인 측면에서 TTM(Time To Market: 제품이 구상되고 시장에 나오기까지 걸리는 시간)을 단축하는 것이 관건"이라며 "고객 물량을 선제적으로 확보해서, 좋은 제품을 더 좋은 조건에 판매할 수 있도록 협상하는 것이 반도체 영업의 기본이다"고 말했다. 그는 대외적으로 불안정한 요소들이 아직 남았지만, 올해 메모리 반도체 업황 상승세가 시작되었다고 진단했다. 글로벌 빅테크 고객들의 제품 수요가 회복되고 있으며, PC나 스마트폰 등 자체 AI를 탑재한 온디바이스(On-Device) 등 AI의 활용 영역이 넓어짐에 따라 HBM3E뿐만 아니라 DDR5, LPDDR5T 등 제품 수요까지 커질 것으로 기대했다.

2024.02.21 10:56이나리

美 AMAT, 1분기 매출 67.1억 달러…예상치 상회

미국 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 지난달 28일 마감한 회계연도 2024년 1분기 실적 발표를 통해 글로벌 매출은 미국 회계기준으로 67억1천만 달러, 매출총이익률 47.8%를 기록했다고 밝혔다. 매출은 전년동기와 비슷한 수준이나, 증권가 컨센서스인 64억8천만 달러를 상회했다. 영업이익과 영업이익률은 각각 19억7천만 달러와 29.3%였으며, 주당순이익(EPS)은 2.41달러를 기록했다. 비일반회계기준(Non-GAAP)으로는 ▲매출총이익률 47.9% ▲영업이익 19억8천만 달러 ▲영업이익률 29.5% ▲주당순이익 2.13달러를 기록했다. 어플라이드 머티어리얼즈는 영업활동으로부터 23억3천만 달러 현금을 확보했으며, 7억 달러의 자사주 매입과 2억6천600만 달러의 배당금을 포함해 총 9억6천600만 달러를 주주에게 환원했다. 게리 디커슨 어플라이드머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 "어플라이드는 회계연도 2024 년 1분기 견고한 실적과 함께 5년 연속 업계 평균보다 높은 성과를 달성했다”며 “주요 반도체 분야에서 선도적 위치를 점한 어플라이드는 고객이 향후 몇 년 동안 AI와 사물인터넷(IoT)에 중요한 차세대 칩 기술을 강화하고 지속적인 성과를 낼 수 있도록 지원할 것”이라고 밝혔다. 어플라이드머티어리얼즈는 2분기 실적에 대해서도 긍정적인 전망을 드러냈다. 회사가 제시한 해당 분기 매출 예상치는 61억~69억 달러로, 평균치는 65억 달러다. 이는 증권가 컨센서스인 59억2천만 달러를 크게 앞서는 수치다.

2024.02.16 14:37장경윤

ICT 수출액, 20개월 만에 두자릿수 증가

우리나라의 주력 수출 품목인 반도체 업황이 개선되면서 국내 ICT 수출이 지난 2022년 5월 이후 20개월 만에 두 자릿수 상승을 기록했다. 15일 과학기술정보통신부에 따르면 지난 1월 ICT 수출은 163억5천만 달러, 수입은 118억5천만 달러, ICT 무역수지는 45억 달러 흑자로 잠정 집계됐다. 반도체 수출은 지난해 말부터 증가세를 보였다. 2023년 10월까지 전년 대비 감소세를 보이던 반도체 수출은 그해 11월과 12월에 10%대 증가를 기록했고, 올해 1월에 들어 전년 대비 53%의 증가세를 기록했다. 이 같은 반도체 수출 개선 효과로 지난달 전체 ICT 수출은 25.1% 증가했다. 지난해 경기 침체에 따른 기저효과도 반영된 것으로 풀이된다. 품목별 수출 증가율을 보면 53.0% 증가세의 반도체에 이어 컴퓨터 주변기기 33.6%, 통신장비 27.6%, 디스플레이 2.6%를 기록했다. 다만 휴대폰 수출은 전년 대비 20.1% 감소했다. 반도체 수출 실적을 살펴보면 메모리 반도체 고정거래 가격이 큰 영향을 미친 것으로 보인다. D램 고정가가 4개월 연속 상승했고, 메모리반도체 수출이 전년 대비 90.5% 급증했다. 디스플레이는 TV와 노트북 등 고부가가치 품목용 패널 수출이 증가했다. 컴퓨터 주변기기 품목에서는 SSD 수출이 큰 폭으로 늘었다. 통신장비는 베트남과 미국을 중심으로 수요가 확대된 효과가 나타났다. 휴대폰은 지난해 1월 완제품 수출 호조의 기저효과로 감소한 모습을 보였다. 다만 국내 기업의 주요 생산기지가 위치한 베트남 수출은 부분품을 중심으로 증가했다.

2024.02.15 13:10박수형

ISC, 작년 매출 1천402억 원…4분기 흑자 전환 성공

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 2023년 연간 매출액이 1천402억 원, 영업이익은 107억 원(영업이익률 8%)을 기록했다고 15일 밝혔다. 해당 실적은 전년 대비 매출액은 21.6%, 영업이익은 80.8% 감소한 수치다. 2023년 4분기 매출액은 250억 원으로 전분기 대비 감소했으나, 영업이익은 25억 원(영업이익률 10%)으로 흑자 전환했다. AI 반도체 및 비메모리 반도체용 제품 매출 상승이 핵심 요인으로 작용했다. 비수기 시즌임에도 전체 매출의 약 80%가 비메모리 부문에서 발생했으며, 그중 AI 스마트폰의 AP 반도체, 주력 제품군인 데이터센터용 AI 서버 CPU·GPU·NPU 소켓이 좋은 성과를 거뒀다는 것이 ISC의 설명이다. 한편 메모리 부문에서는 글로벌 고객사의 생산량 감소 및 단가 인하 압박으로 어려움을 겪고 있으나, ISC가 메모리 분야 빅3 고객사 내 가장 높은 점유율을 유지하고 있어 메모리 업황 개선 시 큰 혜택을 볼 것으로 ISC는 전망했다. 또한 주력 제품군인 실리콘 러버 소켓이 전체 매출의 80%를 차지하는 가운데, ISC가 북미 지역을 중심으로 한 해외시장에서 꾸준한 성과를 거뒀으며 온디바이스 AI, AI 서버 등 고마진 하이엔드 반도체 제품 중심으로 매출이 발생해 24년 높은 성장을 전망하게 한다고 강조했다. ISC는 관계자는 “2024년은 회사의 밸류에이션을 높여 주주가치를 증진시키는 'ISC 2.0' 프로젝트의 시작”이라며 “주력사업 외에도 반도체 포트폴리오를 확장해 사상 최대 실적, 반도체 테스트 소켓 시장 점유율 1위를 달성할 것”이라고 강조했다.

2024.02.15 09:30장경윤

삼성·SK, 최선단 D램에 주목하는 이유…"가격 프리미엄 최대 4배"

고용량 서버용 D램의 가격이 올해까지 매우 높은 수준의 가격을 유지할 것이라는 분석이 나왔다. 해당 D램은 최첨단 패키징 기술이 적용되는 메모리로, 가격 프리미엄이 일반 제품 대비 3~4배에 달하는 것으로 알려졌다. 9일 시장조사업체 옴디아에 따르면 서버용 256GB(기가바이트) DDR5의 가격은 지난해 4분기 기준 3천328달러(한화 약 410만 원)를 기록했다. DDR5는 현재 사용화된 가장 최신 규격의 D램이다. 이전 세대(DDR4) 대비 동작 속도 및 전력 효율성이 높아 PC, 스마트폰, 서버 등에서 전환 수요가 증가하고 있다. 특히 높은 데이터 처리 성능이 요구되는 서버 시장에서 최선단 공정 기반의 고용량 D램이 활발히 적용되는 추세다. 현재 가격 프리미엄이 붙은 서버용 D램은 128GB DDR5, 256GB DDR5 두 모델이다. 지난해 4분기 기준으로 가격이 각각 920달러, 3천328달러에 달한다. 이보다 한 단계 용량이 작은 64GB DDR5의 가격이 150달러임을 고려하면 큰 차이다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "128GB D램은 일반 제품의 3배, 256GM D램은 4배 정도의 가격 프리미엄을 받는 상황"이라며 "이 중 256GB D램은 TSV(실리콘관통전극)으로만 구현이 가능한 제품으로 SK하이닉스가 독무대를 차지하고 있는 것으로 보인다"고 밝혔다. TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단의 구멍을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다. 서버용 D램에서는 126GB 용량에서부터 일부 업체가 적용하고 있다. 특히 SK하이닉스가 고용량 D램 상용화에 가장 앞선 것으로 평가 받는다. TSV는 기술적 난이도가 높고, 현재 제조업체의 생산능력이 충분치 않아 공정 가격이 높다. 때문에 옴디아는 두 고부가 D램이 올해 내내 높은 가격을 유지할 것으로 내다봤다. 128GB DDR5은 올해 연말 기준으로 760달러, 256GB DDR5은 2천200달러를 기록할 전망이다. 제조업체 입장에서는 고부가 D램의 가격 하락세가 오히려 긍정적인 영향으로 다가올 수 있다. 상용화 초창기에 지나치게 높은 가격으로 인해 구매를 보류하던 고객사들의 대기 수요가 증가하기 때문이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스도 고용량 D램으로의 공정 전환에 적극 나서는 중이다. 삼성전자는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "지난해 4분기 DDR5가 1a(4세대 10나노급) 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과했다"며 "올해 D램 사업은 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 1b(5세대 10나노급) 32기가비트 DDR5 도입으로 고용량 D램 시장의 리더십을 제고할 것"이라며 SK하이닉스는 "올해 고객들의 투자가 증가하며 AI향 서버 수요와 더불어 일반 서버의 수요도 회복할 것으로 전망된다"며 "이에 맞춰 고용량 DDR5는 128GB 제품뿐 아니라 최근 수요가 증가하고 있는 256GB까지 고객사 요구에 맞게 제공할 것"이라고 밝혔다.

2024.02.11 09:31장경윤

獨 머크 "AI 반도체가 향후 10년간 성장동력 …삼성·하이닉스 적극 지원"

독일 머크가 삼성전자 등 국내 반도체 공급망과 기술력 강화를 위한 협업에 적극 나서겠다는 의지를 드러냈다. 머크는 반도체 및 디스플레이 제조용 화학·가스 소재에 강점을 둔 기업으로, 오는 2025년까지 국내에 6억 유로(한화 약 8천600억원)를 투자할 계획이다. 2일 머크는 서울 강남 소재의 신라스테이 호텔에서 반도체 비즈니스 간담회를 열고 회사의 한국 사업 및 투자 전략에 대해 발표했다. 이날 행사는 반도체 소재, 특수가스, 박막필름, 디지털 솔루션 등 머크의 주요 사업 현황과 한국에서의 투자 전략 등을 발표하고자 마련됐다. 김우규 머크코리아 대표, 아난드 남비어 머크 수석부사장을 비롯해 각 사업부의 주요 임원이 참석했다. 머크는 국내 반도체 주요 고객사와의 협업을 위한 투자를 적극 진행할 예정이다. 머크는 전자산업부 역량 강화를 위해 오는 2025년까지 전 세계적으로 총 60억 유로를 투자하기로 한 바 있다. 이 중 6억 유로가 국내 투자에 활용된다. 최첨단 반도체 제조에 쓰이는 High-K(고유전율) 전구체 분야의 기술력을 보유한 국내 소재업체 엠케미칼을 지난해 1월 인수 발표한 것이 대표적인 사례다. 또한 머크는 국내에 첨단 반도체 기술력 강화를 위한 R&D(연구개발) 센터를 설립을 추진하고 있다. 머크가 이처럼 반도체 산업에 적극 투자하는 이유는 시장의 성장성에 있다. 아난드 남비어 수석부사장은 "반도체 시장이 현재 5천억 달러 수준에서 향후 7~10년 뒤에는 1조 달러를 기록할 것"이라며 "전세계 여러 거점에서 반도체 공정 전반에 필요한 소재, 장비를 공급할 수 있는 체계를 갖춘 것이 머크의 강점"이라고 설명했다. 김우규 대표는 "한국 반도체 산업은 메모리 산업의 최강국으로, 주요 기업 2곳이 수십년간 리더십을 유지해왔다"며 "앞으로도 머크는 주요 시장인 한국 고객사의 활발한 투자에 발맞출 수 있도록 노력할 것"이라고 밝혔다. 국내 주요 고객사 중 한 곳인 삼성전자와의 협력 강화 의지도 드러냈다. 아난드 남비어 수석부사장은 "지난달 열린 CES 행사에서 경계현 삼성전자 대표가 직접 머크 부스를 방문해 AI 산업 발달에 따른 반도체 시장의 기회를 논했다"며 "AI 어플리케이션이 반도체 업계에 향후 10년간 성장동력이 될 것이기 때문에, 삼성전자의 공급망 강화에 적극 지원할 것"이라고 말했다.

2024.02.02 13:43장경윤

D램·낸드 가격 4개월 연속 상승…삼성·SK 실적 개선 '청신호'

D램, 낸드플래시 등 메모리반도체 가격이 지난달 말까지 4개월 연속 증가세를 이어간 것으로 나타났다. 특히 D램의 경우 올 1분기 내에 추가적인 가격 상승도 가능할 것으로 관측된다. 1일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 D램 1월 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz) 고정거래가격은 전월 대비 9.09% 증가한 1.80 달러로 집계됐다. 최신 D램 규격에 해당하는 DDR5도 이달 견조한 흐름을 보였다. 8GB(기가바이트) 모듈 기준, 평균 계약 가격이 전월 대비 약 17% 증가한 20.5 달러를 기록했다. 디렘익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "D램 공급사들이 모듈 가격 인상에 대한 확고한 입장을 유지하면서, PC용 D램의 1분기 계약 가격이 전분기 대비 10% 이상 상승했다"며 "이달 하순에 거래가 재개되면 추가 상승의 여력도 존재한다"고 설명했다. 같은 기간 낸드 메모리카드·USB용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)는 전월 대비 8.87% 증가한 4.72 달러를 기록했다. 주요 공급사들의 적극적인 감산 전략과 저용량 제품의 수요가 일부 회복된 것이 영향을 미쳤다.

2024.02.01 08:36장경윤

"삼성, 올해도 TSMC 제치고 설비투자 규모 1위 전망"

"삼성전자는 올해 333억 달러의 설비투자로 모든 종합반도체기업 및 파운드리 중에서 1위를 기록할 것으로 전망된다. 지난 2010년부터 1위를 유지하고 있는 것으로, 매우 고무적인 일이다." 31일 안드레아 라티 테크인사이츠 디렉터는 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기자간담회에서 전 세계 반도체 설비투자 현황에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 소재의 반도체 전문 시장조사기관이다. 테크인사이츠는 올해 반도체 시장 규모가 6천370억 달러로 전년 대비 15% 성장할 것으로 내다봤다. 분야 별로는 D램, 낸드 등 메모리반도체의 성장이 가장 두드러질 전망이다. D램은 올해 770억 달러로 전년 대비 50%, 낸드는 520억 달러로 전년 대비 32%의 성장세가 예상된다. 로직, 차량용 반도체 등이 10%대로 성장하는 것에 비해 가파르다. 올해 전 세계 반도체 기업들의 설비투자 규모는 전년 대비 2% 증가한 1천587억 달러를 기록할 것으로 추산된다. 지난해 투자 규모는 반도체 시장 및 거시경제 악화로 전년 대비 9% 감소한 바 있다. 기업별로는 삼성전자가 지난해에 이어 올해에도 가장 큰 규모의 투자를 진행할 것으로 분석된다. 삼성전자의 투자 규모는 지난해 347억 달러, 올해 333억 달러로 추산된다. 2위 TSMC는 올해 305억 달러, 내년 300억 달러를 투자할 전망이다. 안드레아 라티 디렉터는 "삼성전자는 지난 10년간 가장 많은 반도체 설비투자를 집행해 왔다는 점에서 고무적"이라며 "상위 5개 기업(삼성전자, TSMC, 인텔, SMIC, SK하이닉스)가 전체 투자의 3분의 2를 차지하고 있다"고 밝혔다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터도 주요 기업들의 활발한 설비투자로 반도체 장비 시장이 견조한 성장세를 보일 것으로 예상했다. 클락 청 디렉터는 "세계 반도체 장비 매출액은 지난해 1천9억 달러에서 올해 1천53억 달러로, 내년에는 1천241억 달러로 성장할 것"이라며 "세계 각국의 공급망 강화 전략 및 인센티브 정책 등으로 중장기적인 성장세가 예견된다"고 설명했다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 이번 행사는 글로벌 반도체 산업 관계자들이 한 자리에 모여 첨단 반도체 기술 및 시장 현황에 대해 짚고자 마련됐다. 올해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 반도체 제조기업과 소부장 기업들이 500여곳이 참여했다.

2024.01.31 16:43장경윤

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

삼성전자 "올해 메모리 시황 회복 기대...갤S24로 AI폰 시장 선점"

삼성전자가 올해 메모리 시황과 IT 수요 회복이 기대되는 가운데 AI 반도체에 적극 대응해 시장 선점을 추진하겠다고 밝혔다. 동시에 프리미엄 리더십과 2나노미터(mn) 등 첨단공정 경쟁력을 강화해 미래기술 준비도 병행할 방침이다. 단, 거시경제 불확실성과 제품별 회복 속도 차이에 따라 전사적으로 '상저하고(上低下高)'의 실적이 예상된다. ■ DS 부문 첨단공정 프리미엄 수요 적극 대응...수익성 개선 DS부문에서 메모리는 첨단공정 기반의 프리미엄 제품 수요에 적극 대응하며 수익성 확보를 추진할 계획이다. 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 도입으로 고용량 DDR5 시장에서의 리더십을 제고하고 차세대 HBM3E 적기 양산 및 하반기 12단 전환 가속화 등을 통해 HBM 선도 업체로서의 경쟁력을 강화할 방침이다. 시스템LSI는 AI 모멘텀을 활용해 미래 성장 동력을 확보하고 ▲시스템온칩(SoC) ▲이미지센서 ▲LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. ■ 갤럭시S24 앞세워 AI폰 시장 선점..."AI 글로벌 스탠더드 자리매김" DX부문에서 MX는 혁신적인 갤럭시 AI를 탑재한 갤럭시S24 시리즈를 통해 AI 스마트폰 시장을 선점하고, 폴더블 스마트폰도 폼팩터에 최적화된 AI 경험으로 사용성을 극대화할 계획이다. 이를 통해 연간 플래그십 출하량 두 자릿수 성장과 시장 성장률을 상회하는 스마트폰 매출 성장을 추진하고 갤럭시 AI 생태계를 확대해 갤럭시 AI가 '모바일 AI의 글로벌 스탠다드'로 자리잡도록 할 방침이다. 네트워크는 주요 해외 사업에 적기 대응해 매출 성장을 추진하고 ▲5G 핵심칩 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 등 기술 리더십을 지속 강화할 예정이다. VD는 프리미엄 및 라이프스타일 중심으로 제품 혁신과 라인업 다변화를 추진해 다양한 소비자 수요를 공략할 예정이다. 또 차세대 AI 프로세서와 타이젠 OS를 바탕으로 초연결 경험과 서비스 혁신을 지속해 'AI 스크린 시대'를 선도해 나갈 방침이다. 생활가전은 스마트싱스와 AI 기술 기반의 차별화된 사용 경험을 통해 프리미엄 제품 판매를 확대하고 고부가 사업 활성화로 매출 성장과 사업 구조 개선을 가속화할 계획이다. 하만은 전장에서 차량 내 경험 역량 강화로 신규 분야 수주를 확대할 계획이다. 소비자 오디오에서는 포터블 등 주요 제품 리더십을 강화하고 삼성전자와 하만 간 협업을 통한 제품 차별화를 추진할 방침이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 분야에서 차별화된 기술과 성능을 바탕으로 판매 확대에 주력하고 IT 및 차량 분야 등 미래 성장동력을 굳건히 다질 계획이다. 대형은 제품 믹스 개선, 생산 효율 향상 등을 통해 손익 개선을 추진할 방침이다. 한편, 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다고 31일 공시했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 동기 대비 3.8% 감소했고, 전 분기 대비 0.56% 증가했다.

2024.01.31 09:44이나리

삼성전자, 작년 반도체 적자 14.8兆...4Q D램 흑전

삼성전자가 소비 시장 침체와 메모리 불황 장기화로 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 동기 대비 3.8% 감소했고, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. ■ 4분기 반도체 영업손실 2.1조원...D램 흑자 전환, 파운드리 부진 삼성전자의 4분기 실적은 연말 성수기 경쟁이 심화되면서 스마트폰 출하량은 감소했지만 메모리 가격 상승과 디스플레이 프리미엄 제품 판매 호조로 전사 매출이 전 분기 대비 증가했다. 영업이익의 경우 세트 제품 경쟁이 심화되고 플래그십 스마트폰 출시 효과가 감소한 가운데 메모리 실적이 큰 폭으로 개선됐고, 디스플레이 호실적이 지속된 것으로 파악된다. 다만, 4분기 환영향 관련 달러화, 유로화 및 주요 신흥국 통화가 전반적으로 평균 환율 변동이 크지 않아 전분기 대비 전사 영업이익에 대한 영향은 미미했다. 지난해 4분기 사업부별 실적은 다음과 같다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스솔루션)부문 매출은 21조6900억원, 영업손실 2조1800억원을 기록했다. DS부문은 지난해 4개 분기 연속 적자를 기록하면서 누적 영업손실은 14조8800억원이다. DS 부문은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록했다. 다만, 4분기에 D램 사업은 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 시스템LSI는 스마트폰 재고 조정이 마무리되면서 부품 구매 수요가 증가하고 '엑시노스 2400'이 주요 고객사 플래그십 모델에 적용되면서 3분기 대비 매출과 손익이 모두 개선됐다. 파운드리는 고객사 재고 조정과 글로벌 경기 회복이 지연되면서 시장 수요가 감소해 실적 부진이 지속됐으나 2023년 연간 최대 수주 실적 달성으로 미래 성장 기반을 공고히 했다. 또 3나노 및 2나노 GAA(Gate All Around) 기술을 지속 개발하고 첨단 공정 기반 사업을 확장해 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 판매 비중 및 신규 수주가 증가했다. ■ DX 부문은 매출 39조5500억원, 영업이익 2조6200억원 DX(디바이스 경험)부문은 매출 39조5500억원, 영업이익 2조6200억원을 기록했다. MX(모바일 경험)는 시장 인플레이션 및 불안정한 국제 정세가 지속되는 가운데 스마트폰 시장은 프리미엄 제품 중심으로 소폭 성장했다. 4분기는 신모델 출시 효과가 둔화되면서 스마트폰 판매가 감소해 전분기 대비 매출 및 이익이 감소했다. 단, 태블릿 제품은 프리미엄 신제품을 중심으로 출하량이 증가했으며 웨어러블 제품도 연말 성수기를 활용해 견조한 판매를 유지했다. 또한 설계 최적화 및 지속적인 리소스 효율화롤 통해 견조한 두 자릿수 수익성을 유지했다. 네트워크는 국내 및 북미, 일본 등 해외시장 매출이 증가했다. VD(Visual Display)의 경우 전반적인 TV 시장 수요 정체와 경쟁 심화에 따른 제반 비용 증가로 전년 및 전분기 대비 수익성은 소폭 감소했다. 삼성전자는 ▲Neo QLED ▲OLED ▲75형 이상 대형 TV와 같은 고부가 제품 중심으로 지역별 성수기 수요에 선제적으로 대응해 판매 구조를 개선하고 프리미엄 시장 리더십을 확대했다. 생활가전은 시스템에어컨 중심으로 B2B 사업이 성장하고 비스포크 등 프리미엄 제품 중심으로 판매 비중이 개선됐으나 수요 역성장 속에 경쟁이 심화되면서 실적은 둔화됐다. 하만 매출은 3조9200억원, 영업이익 3400억원을 기록했다. 하만은 소비자 오디오 제품의 성수기 판매가 증가해 매출이 증가했으며 연간 기준 전년 대비 성장이 지속됐다. 삼성디스플레이는 매출 9조6600억원, 영업이익 2조100억원을 기록했다. 디스플레이는 중소형 패널의 경우 주요 고객사 신제품에 적기 대응하고 하이엔드 제품 비중을 확대해 견조한 실적을 달성했다. 대형의 경우 경기부진으로 수요 약세가 지속됐으나 연말 성수기 TV 판매 증가로 매출이 증가하고 적자폭이 완화됐다. 한편, 삼성전자는 지난해 4분기 미래 성장을 위해 연구개발비에 7조5500억원을 투자했다고 밝혔다. 이는 분기 최대 규모다. 시설투자는 16조4000억원으로 분기 최대 규모의 투자를 집행한 2022년 4분기(20조2000억원)에 이어 두 번째로 많은 수치다.

2024.01.31 09:28이나리

SK하이닉스·NTT·인텔, 차세대 광통신칩 개발 협력

일본 통신업체 NTT가 미국 인텔, 국내 SK하이닉스와 협력해 광학 기반의 차세대 반도체 양산 기술을 개발할 예정이라고 닛케이아시아통신이 29일 보도했다. 해당 기술은 반도체 내부의 신호 전달 방식을 기존 전기에서 광자(Photon; 빛의 최소 단위)로 바꾼 것이 주 골자다. 광자를 적용하면 이론상 데이터 전송 속도를 기존 대비 수십 배 이상 빠르게 할 수 있고, 전력 효율성도 크게 높일 수 있다. 업계에서는 실리콘 포토닉스(Silicon Photonics)라고도 부른다. 대표적인 적용 사례가 데이터센터에 필수적으로 쓰이는 '광통신'이다. 현재 데이터센터는 광섬유를 통해 빛으로 데이터를 주고받은 뒤, 광트랜시버라는 부품을 통해 수신된 정보를 전기적 신호로 변환하는 과정을 거친다. 이후 변환된 전기 신호는 서버 내부의 반도체로 전달된다. 만약 반도체 회로에도 광통신이 적용되면, 반도체 칩 및 데이터센터의 성능과 효율성을 동시에 높일 수 있게 된다. 특히 AI 산업의 발달로 반도체에 요구되는 데이터 처리 성능이 급격히 높아지는 추세에 대응할 수 있을 것으로 기대된다. 일본 정부도 이를 첨단 전략기술로서 주목하고 있으며, 약 450억 엔(한화 약 4천억 원)을 지원할 예정이다. NTT와 인텔, SK하이닉스는 오는 2027년까지 해당 기술이 적용된 반도체 소자 생산과 테라비트(Tb) 급으로 처리된 데이터를 저장할 수 있는 메모리 기술을 확보하는 것을 목표로 하고 있다.

2024.01.30 09:20장경윤

온디바이스 AI 시대, HBM도 '저전력' 맞춤 설계 주목

최근 IT 시장에 온디바이스 AI 기술이 빠르게 도입되면서, 미래 HBM(고대역폭메모리) 시장에도 변화가 감지된다. HBM의 성능을 다소 낮추더라도 저전력(LP)에 특화된 맞춤 제품에 대한 수요가 최근 증가하고 있는 것으로 파악된다. 29일 업계에 따르면 일부 IT 기업들은 온디바이스AI 시장을 겨냥해 저전력 특성을 높인 HBM 설계를 요청하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 첨단 메모리다. 전기 신호를 통하게 하는 입출력 단자(I/O)를 1천24개로 기존 D램(최대 32개) 대비 크게 늘려, 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. 대역폭이 높으면 데이터 처리 속도가 빨라진다. 현재 HBM은 고용량 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 엔비디아·AMD 등이 설계하는 서버용 GPU(그래픽처리장치)와 여러 개의 HBM을 집적한 AI 가속기가 대표적인 사례다. 나아가 HBM 시장은 향후 온디바이스 AI 등 저전력 특성이 강조되는 시장에 맞춰 설계될 수 있을 것으로 기대된다. 반도체용 소프트웨어 업계 관계자는 "최근 복수의 잠재 고객사들이 HBM의 대역폭을 낮추더라도 저전력 특성을 강화하는 방안을 제시해 왔다"며 "서버 만큼의 성능은 아니지만, 일부 엣지 단에서 HBM을 쓰고자 하는 요청이 적지 않다"고 밝혔다. 온디바이스 AI는 클라우드 및 데이터센터를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 삼성전자, 퀄컴, 인텔 등이 최근 온디바이스 AI 성능이 강조된 칩셋 및 제품을 잇따라 공개하면서 시장 안착에 속도를 붙이고 있다. 온디바이스 AI의 실제 구동 환경에서는 클라우드와 엣지 네트워크를 동시에 활용하는 '하이브리드 AI' 운용이 필요할 것으로 관측된다. 이에 전 세계 주요 IT기업들도 엣지 분야에서 HBM을 활용할 수 있는 방안을 강구하고 있다. AI 반도체 기업 고위 임원은 "모바일이나 오토모티브 등을 겨냥한 엣지용 AI 칩셋도 향후 HBM과 결합될 가능성이 충분히 높다고 본다"며 "아직까진 설계 초기 단계이기는 하나 막연하게 먼 미래가 아닌 시장에서 가시적으로 실체가 나타나고 있는 상황"이라고 말했다.

2024.01.29 14:48장경윤

삼성전자, 美 캘리포니아 폴섬에 신규 반도체 R&D 거점 마련

삼성전자가 미국에 신규 연구개발(R&D) 거점을 마련했다. 이곳에서는 데이터센터, 오토모티브 산업을 위한 첨단 컴퓨팅, 메모리 컨트롤러 개발 등을 중점적으로 수행할 것으로 알려졌다. 지난 27일 한진만 삼성전자 미주총괄(DSA) 부사장은 사회관계망서비스(SNS) 링크드인에 미국 신규 R&D 사무실 개소를 알렸다. 미국 캘리포니아주 폴섬 시에 위치한 신규 R&D 사무소에는 현재 약 50명의 직원이 근무하고 있다. 기존 삼성 반도체 미국 R&D 연구소의 '첨단컴퓨팅연구소(ACL)'와 메모리연구소 내 '첨단컨트롤러개발실' 등이 소속돼 있다. 이들 팀은 클라우드 및 데이터센터, 오토모티브 등 첨단 산업을 위한 솔루션을 중점적으로 개발할 것으로 알려졌다. 한진만 부사장은 "인근 지역에 위치한 풍부한 하드웨어 및 소프트웨어 엔지니어 인재들과 지역 접근성을 고려해 폴섬 시를 삼성전자의 신규 R&D 거점으로 선택했다"고 설명했다. 최근 진행된 개소식에는 한진만 부사장을 비롯해 마이크 코즐로브스키 폴섬 시장, 로저 니엘로 캘리포니아주 상원의원 등 현지 주요 정부 관계자들이 참석했다.

2024.01.29 09:44장경윤

티에스이, 국내 최초 'STO-ML' 개발 성공

반도체 및 OLED 검사 전문기업 티에스이는 '세미콘 코리아(SEMICON Korea) 2024'에서 국내 최초로 개발된 STO-ML(Space Transformer Organic-Multi Layer) 등 다양한 반도체 테스트 솔루션 제품을 선보인다고 29일 밝혔다. STO-ML는 CPU, GPU, HBM 등 초고속 반도체 검사용 버티컬 프로브 카드 및 테스트 인터페이스 보드에 필요한 초미세 피치의 기판이다. 티에스이는 자회사인 타이거일렉과 협력해 50um 피치의 STO-ML을 지난해 하반기 국내 최초로 개발했다. 또한 티에스이는 2021년도에 STO-ML을 대량 생산하기 위해 자회사인 타이거일렉과 함께 베트남에 초정밀 빌드업 기판 공정 능력을 가진 메가일렉을 설립하고, STO-ML제품을 공급할 수 있는 양산 시설을 갖췄다. 이곳에서 생산된 STO-ML은 티에스이의 버티컬 프로브 카드에 자체 적용될 뿐만 아니라, 전세계 버티컬 프로브 카드 제작사에도 공급될 예정이다. 티에스이가 개발 성공한 50마이크로미터(um) 피치 STO-ML은 해외 몇 회사만 생산할 수 있는 제품이다. 티에스이가 금번 자회사인 타이거일렉과 함께 국산화에 성공함으로써, 소재 부품에 대한 대외 의존에서 벗어나게 됐다. 티에스이는 오는 31일부터 내달 2일까지 서울 코엑스에서 진행되는 '세미콘 코리아 2024'에서 STO-ML을 소개한다. 티에스이 전시장 부스는 1층 A홍 A704에 위치한다. 한편 티에스이는 1994년 당시 미국과 일본으로부터 전량 수입하던 메모리 반도체 검사용 테스트 인터페이스 보드, 테스트 소켓 및 핸들러 체인지 키트 국산화를 위해 설립됐다. 2006년 이후 테스트 인터페이스 보드 분야 국내 40% 이상의 시장점유율과 점유순위 1위를 꾸준히 유지하고 있으며, 2011년 이후에는 비메모리 반도체 검사 영역에 적극적으로 뛰어 들었다. 티에스이는 "비메모리 반도체 검사장치의 2022년도 매출액이 전년 대비 100% 넘게 성장했고, 올해에도 50% 이상의 고속 성장을 기대하고 있다"며 "지난 5년간 테스트 인터페이스 보드, 테스트 소켓, 프로브카드 등의 분야에서 100여건이 넘는 특허를 출원하는 등 독보적인 기술력 확보에 최선을 다하고 있다"고 밝혔다.

2024.01.29 09:04장경윤

'흑전' SK하이닉스, AI향 고성능 HBM으로 미래 성장 다진다

SK하이닉스가 지난해 4분기 3천460억원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자의 늪을 5분기만에 벗어난 것이다. SK하이닉스는 메모리 반도체 업황 반등과 수익성 높은 고대역폭메모리(HBM) 공급 물량 확대에 따라 실적이 개선된 것으로 분석된다. 올해도 SK하이닉스는 AI와 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 고성능 제품 공급을 늘리고 투자에 집중한다는 계획이다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 지난해 4분기 매출 11조3천55억원으로 전년 보다 25% 증가하고, 영업이익은 3천460억원으로 흑자전환했다고 밝혔다. 영업이익률은 3%이며 순손실은 1조3천795억원, 순손실률 12%이다. 지난해 연간 매출은 32조7천657억원으로 전년 보다 27% 감소했고, 연간 영업손실 7조7천303억원(영업손실률 24%)으로 적자전환했다. 이는 증권가 전망치(연간 영업적자 8조242억원)를 밑도는 실적이다. 연간 순손실은 9조1천375억원(순손실률 28%)을 기록했다. SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “특히 지난해 주력제품인 DDR5와 HBM3 연 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다”고 말했다. 낸드 또한 지난 1년여 이상 공급사들의 고강도 감산에 따른 영향으로 작년 4분기부터 가격 상승에 따른 수익성이 개선되고 있다. 낸드는 프리미엄 제품 비중이 높이면서 지난해 4분기 ASP(평균판매가)가 전분기 대비 40% 이상 상승했다. 올해 메모리 수요 본격 상승세…AI향 메모리 공급에 주력 SK하이닉스는 올해 메모리 시장 환경은 여전히 불확실성이 존재하지만 작년 하반기부터 수급 상황이 개선되며 극심했던 불황기를 벗어나 본격적인 성장세로 전환했다고 밝혔다. 그러면서 올해 D램과 낸드 수요 증가율은 각각 10% 주후반대로 예상했다. 또 메모리 재고가 정상화되는 시점으로 D램은 올해 상반기, 낸드는 하반기로 내다봤다. 아울러 수급 상황에 따라서 2025년까지 메모리 시장의 상승세가 유지될 가능성도 기대된다. SK하이닉스는 시장 성장에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획이다. 감산이 필요했던 레거시 제품의 생산은 계속 감소하는 반면 수요가 증가하는 프리미엄 제품 중심으로는 투자를 지속해 생산량을 증가시킨다는 목표다. 김우현 SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E를 올해 상반기에 양산하고, HBM4 개발을 순조롭게 진행할 계획”이라며 “서버와 모바일 시장에 DDR5는 128GB뿐 아니라 최근 수요가 증가하고 있는 256GB까지 제공하고, LPDDR5T도 16GB에서 24GB에 이르는 고용량 제품을 적기에 공급하겠다”고 말했다. 또 SK하이닉스는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스 AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. AI PC의 경우 기존 PC 보다 2배 이상 D램 용량이 탑재돼야 하고, AI 스마트폰은 기존 스마트폰 보다 최소 4GB D램 용량이 필요하다. SK하이닉스는 “온디바이스 AI 출시로 시장은 올해부터 증가하나 실질적인 출하량 증가는 내년 이후로 전망한다”고 말했다. 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. SK하이닉스는 “AI형 메모리 수요가 본격화되면서 당사는 앞으로의 경쟁은 물량 기반의 점유율보다는 고객에게 필요한 가치를 시기적절하게 제공해 주면서 그에 상응하는 합리적인 가격을 통해 지속적으로 매출과 이익을 성장시키는 데 있다고 생각한다”라며 “토탈 AI 메모리 프로바이더(공급업체)로 입지를 강화해 나가겠다”고 강조했다. HBM 수요 연평균 60% 성장 전망… TSV 캐파 2배 확대 SK하이닉스는 작년에 이어 올해도 투자비용(CAPEX) 증가를 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. 다만 상대적으로 수요가 높은 HBM, DDR5 등에는 투자를 아끼지 않겠다는 방침이다. SK하이닉스는 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 TSV(실리콘관통전극) 생산능력을 2배 확대할 것”이라고 밝혔다. HBM은 일반 D램 제품과 달리 TSV 공정이 추가적으로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다. 또 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다. SK하이닉스는 “최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다”라며 “AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다”고 말했다. 이어서 “당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다”라며 “이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다”고 덧붙였다. 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 4세대(1a) 나노미터(nm)로 전환하는 방안도 추진한다. 지금까지 우시 공장은 1a D램 보다 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 생산해왔다. SK하이닉스는 “우시 팹은 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다. 우시 공장은 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정된 데 따라 선단공정 생산이 기능해졌다. SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하겠다”고 밝혔다.

2024.01.25 13:55이나리

SK하이닉스, 中 우시 공장 '1a D램' 전환 추진

SK하이닉스가 중국 우시 공장의 D램 생산라인을 1a 나노미터(nm)로 전환하는 방안을 추진한다. SK하이닉스는 25일 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "우시 팹은 궁극적으로 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 할 것"이라며 "공장의 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각을 가지고 있다"고 밝혔다. 1a D램은 4세대 10나노급 D램으로, 비교적 선단 공정에 속하는 D램이다. SK하이닉스는 1a D램부터 일부 레이어에 첨단 반도체 제조기술인 EUV(극자외선) 공정을 적용하고 있다. SK하이닉스의 우시 공장은 1a D램에 1, 2세대 뒤처진 레거시 제품을 주력 생산하고 있다. 선단 공정으로의 전환이 필요한 시점이지만, 미국 정부는 지난 2022년 10월부터 중국에 18나노 공정 이하 D램 제조를 위한 첨단 장비 기술 수출을 금지하고 있다. EUV 장비 역시 2019년부터 중국 수출이 불가능하다. 다만 SK하이닉스는 지난해 하반기 미국 정부로부터 예외적으로 장비 반입을 허용하는 '검증된 최종사용자(VEU)'로 지정됐다. EUV 장비는 여전히 반입할 수 없으나, EUV 공정만 국내에서 처리하는 등의 대안을 선택할 수 있다. SK하이닉스는 "과거와 달리 생산능력 증가를 위한 투자보다는 전환 투자 및 공정 효율화에 집중할 것"이라며 "이러한 기조 하에 국내는 M15와 M16 내 유휴 공간을 활용하고, 중국 우시 팹도 1a 전환을 추진할 것"이라고 밝혔다.

2024.01.25 11:30장경윤

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