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"습도 제어로 반도체 수율 향상"…저스템, 고객사·제품군 확대 박차

저스템이 반도체 수율 향상에 기여하는 습도 제어 시스템으로 회사 성장을 가속화한다. 현재 미국 고객사와 1세대 제품 공급을 위한 평가를 진행 중이며, 최근 출시한 2세대 제품도 국내 고객사의 첨단 메모리 전환 추세에 맞춰 공급량을 본격 확대할 계획이다. 임영진 저스템 대표는 최근 서울 강남 모처에서 기자들과 만나 회사의 올해 핵심 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 습도 제어로 반도체 수율 향상…미국 고객사 확보 목전 저스템은 지난 2016년 설립된 반도체·디스플레이 장비업체다. 삼성전자, 주성엔지니어링 등에서 기술력을 쌓은 임 대표가 설립했다. 질소(N2)를 통한 공정 내 습도제어가 회사의 핵심 기술로 꼽힌다. 반도체의 주 소재인 웨이퍼는 공정 내에서 용기(풉; POUP)에 담겨 진공·대기 환경을 오간다. 그런데 대기 환경에서 습도가 너무 높을 경우, 웨이퍼에 잔존한 가스 물질이 습도와 반응해 부식 반응을 일으킬 수 있다. 이는 반도체 수율 저하로 직결된다. 때문에 선폭 20나노미터(nm) 이하의 미세 공정에서는 습도 제어의 필요성이 높아진다. 저스템은 질소를 기반으로 습도를 45%에서 5% 이하로 감소시키는 기술을 국내 최초로 개발해, 모듈 형식으로 반도체 소자업체에 공급해 왔다. 1세대 제품은 국내를 비롯해 대만, 일본, 싱가포르 등 해외 시장에도 상용화됐다. 임 대표는 "저스템의 습도 제어 시스템을 도입하면 생산성이 약 2% 정도 향상되고, 이를 금액적으로 환산하면 1기 팹에서 연간 1천억원 정도의 이득이 있다"며 "이에 주요 IDM(종합반도체기업) 3개사가 저스템 시스템을 채용 중으로, 시장 점유율은 85~90% 수준"이라고 설명했다. 미국 주요 메모리 기업과의 협업도 기대된다. 현재 해당 기업에 모듈을 공급해 퀄(품질) 테스트를 진행 중으로, 올해 상반기 양산 공급을 확정짓는 것이 목표다. 2·3세대 모듈로 성장 본격화…하이브리드 본딩 시대도 준비 나아가 저스템은 지난해 양산을 시작한 2세대 제품 'JFS'의 시장 확대를 추진 중이다. JFS는 습도를 최대 1%까지 낮출 수 있어 10나노급 반도체에 대응할 수 있다. 특히 국내 주요 고객사가 1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램 전환을 가속화하고 있어, 수요가 크게 늘어날 것이라는 게 저스템의 시각이다. 임 대표는 "JFS는 지난해에만 600개를 출하했고, 국내 주요 고객사 중 한 곳에도 실장됐다. 1세대가 6천개가량 도입된 걸 감안하면 2세대도 최소 그 이상의 성장 잠재력이 있다"며 "다른 한 곳도 실장 협의가 끝나 올해 상반기 중으로 본격적인 도입이 가능할 전망"이라고 밝혔다. 오는 19일부터 개최되는 '세미콘 코리아 2025'에서는 3세대 제품도 공개한다. 3세대는 이전 세대 대비 습도 제어 범위를 넓혀, 풉의 뚜껑을 열어도 웨이퍼 주변의 습도를 1%로 유지할 수 있도록 하는 것이 특징이다. 임 대표는 "3세대 제품은 내부 개발이 끝나, 일부 고객사 평가를 준비하고 있다"며 "이르면 내년 하반기나 내후년부터 본격적으로 시장에 공급될 것"이라고 강조했다. 한편 저스템은 차세대 HBM(고대역폭메모리)에 적용될 하이브리드 본딩 관련 장비도 준비하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩을 직접 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 저스템은 칩 간의 연결성을 높일 수 있도록, 플라즈마로 웨이퍼 표면에 미세한 굴곡을 만드는 장비를 개발하고 있다.

2025.02.17 13:51장경윤 기자

[단독] 두산테스나, 평택 신공장 건설 전면 '보류'…삼성電 부진 여파

국내 주요 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 두산테스나가 평택 내 신공장 건설 속도를 늦춘다. 두산테스나는 최근 관련 시설투자 계획을 취소한 것으로 파악됐다. 주요 고객사인 삼성전자의 시스템반도체 사업 부진이 악영향을 끼쳤다는 분석이다. 16일 업계에 따르면 두산테스나는 본사 인근에 신설하기로 했던 평택 제2공장의 착공 계획을 잠정 보류하기로 했다. 앞서 두산테스나는 경기 평택시 브레인시티 일반산업단지 내에 제2공장을 건설하기로 한 바 있다. 공장 규모는 총 4만8천㎡로, 기존 두산테스나의 평택 및 안성시 소재 공장 3개를 합친 것보다 넓다. 이에 따라 두산테스나는 지난 2023년부터 공장 건설을 위한 기초 공사를 진행해 왔다. 지난해에는 일차적으로 2천200억원을 투자해, 1만5천870㎡ 규모의 공장 및 클린룸을 건설하겠다는 구체적인 계획도 발표했다. 그러나 두산테스나는 최근 내부 회의를 통해 평택 신공장의 착공 일정을 연기하는 방향으로 가닥을 잡았다. 이와 관련된 건설 업무 의뢰 및 설비 투자도 모두 중단된 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "두산테스나가 지난해 말까지 평택 신공장을 착공하기로 했었으나, 뚜렷한 재개 일정 없이 계획을 보류시킨 것으로 안다"며 "핵심 협력사인 삼성전자의 부진이 여파를 미친 것으로 보인다"고 말했다. 두산테스나는 국내 주요 OSAT 기업 중 하나다. 이미지센서(CIS), AP(애플리케이션 프로세서), 메모리 컨트롤러 등 주로 시스템반도체의 후공정 처리를 담당하고 있다. 평택 신공장 역시 각종 시스템반도체 패키징용으로 설계됐다. 핵심 고객사는 삼성전자다. 그러나 삼성전자의 시스템반도체 사업은 IT 시장의 전반적인 수요 부진, 최첨단 AP인 '엑시노스 2500'의 최신형 갤럭시 스마트폰 탑재 불발 등으로 지난해 큰 부진을 겪었다. 이로 인해 두산테스나를 비롯한 OSAT 업계들의 실적도 당초 예상 대비 감소했다. 실제로 두산테스나의 지난해 4분기 실적은 매출 822억원, 영업손실 11억원으로 집계됐다. 증권가 컨센서스인 매출액 950억원, 영업이익 146억원을 크게 하회한 수준이다. 올 1분기에도 적자를 지속할 가능성이 높다. 때문에 두산테스나는 시황 및 주요 고객사의 사업 현황을 고려해 설비투자 속도를 늦추려는 것으로 관측된다. 한편 두산그룹은 반도체 사업 강화에 적극적인 투자 의지를 밝혔으나, 최근 당초 계획에 난항을 겪고 있다. 두산은 지난 2022년 4월 테스나 최대주주인 에이아이트리 유한회사의 지분 전량(38.7%)을 4천600억원에 인수하며 반도체 사업을 회사 포트폴리오에 추가했다. 이후 2023년 삼성전자의 디자인하우스 협력사인 세미파이브에 전략적 투자자로 합류했다. 나아가 지난해에는 두산테스나를 통해 이미지센서 후공정 전문업체인 엔지온을 인수하고, 회사와의 흡수합병을 결정했다. 지난 2월 두산테스나는 세미파이브를 인수하려고도 했으나, 시황 등의 이유로 성사되지는 않았다.

2025.02.16 09:11장경윤 기자

이강욱 SK하이닉스 부사장 "올해 HBM용 패키징 고도화·칩렛 기술 확보"

SK하이닉스가 미래 메모리 시장을 주도하기 위한 핵심 과제로 HBM(고대역폭메모리) 패키징 기술 고도화, 칩렛 기반의 이종 결합 기술 확보 등을 제시했다. 14일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)이 지난 13일 강원도 정선에서 열린 제32회 한국반도체학술대회(KCS)에서 제8회 강대원상(소자/공정 분야)을 수상했다고 밝혔다. 모스펫, 플로팅게이트 개발 등 반도체 산업에 기념비적 발자취를 남긴 故 강대원 박사의 업적을 기리고자 제정된 이 상은 그동안 반도체 전공정인 소자 및 공정 분야의 저명한 교수들에게 수여돼 왔다. 올해는 후공정인 '반도체 패키징 분야의 기업인'에게 최초로 수여돼 많은 관심을 받고 있다. 이 부사장은 글로벌 학계 및 업계에서 3차원 패키징 및 집적 회로 분야에 대한 연구 개발을 27년 이상 이어 온 반도체 패키징 분야의 최고 기술 전문가다. 2000년 일본 도호쿠 대학에서 박사 학위를 받은 그는 미국 렌슬리어 공과대학 박사 후 연구원, 일본 도호쿠 대학 교수를 거쳐 2018년 SK하이닉스에 합류했다. 국내 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술 개발에 성공한 이 부사장은 SK하이닉스 입사 후 HBM2E(3세대 고대역폭메모리)에 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 적용하며 'AI 메모리 성공 신화'의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다. 이 부사장은 "SK하이닉스의 독자적 패키징 기술인 MR-MUF는 고난도의 HBM 제품을 높은 제조 수율과 양산성을 가지고 안정적으로 대량 생산할 수 있도록 해줬고, 핵심 특성인 열 방출 성능도 개선해 줬다"며 "HBM3 및 HBM3E에도 성공적으로 적용되면서, SK하이닉스가 HBM 시장 우위를 굳건히 하는 데 큰 힘이 됐다"고 밝혔다. 그는 굵직한 공적만큼 특출한 수상 이력도 자랑한다. 지난해에는 한국인 최초로 'IEEE EPS 어워드 전자제조기술상'을 받기도 했다. 올해는 강대원상이라는 이력을 추가했는데, 그는 이번 수상이 특히 각별하다는 소감을 전했다. 이 부사장은 “업계에서도 의미가 큰 상을 받게 돼 영광이다. 무엇보다 SK하이닉스의 위상 그리고 PKG개발 조직의 높은 역량을 인정받은 듯해 보람차다"며 "과분한 상이지만 반도체 산업 발전에 더 많이 기여하라는 뜻으로 생각하고, 함께 노력해 준 PKG개발 구성원분들에게도 감사 인사를 전한다"고 말했다. 한편 이 부사장은 미래 시장에 대응하기 위해 두 가지 계획을 마련해 뒀다. ▲HBM 패키징 기술 고도화 ▲칩렛 기반 이종 결합 기술의 확보 등이다. 이 부사장은 “AI 시스템의 대용량·고성능·에너지 효율화 요구를 충족하려면 HBM 패키징 기술의 지속적 혁신이 필요하다. 이를 위해 MR-MUF 기술 고도화, 하이브리드 본딩 등 차세대 기술 개발에 역량을 쏟고 있다"며 "중장기적으로는 칩렛 기술로 2.5D, 3D SiP(시스템-인-패키지) 등을 구현해 메모리 센트릭에 대응할 것"이라고 강조했다. 그는 이어 "이 과정에서 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징, 하이브리드 본딩 등으로 칩 간 연결성을 높여 성능을 향상시키고 에너지 효율을 높이는 '첨단 패키징 기술'을 확보해 나가고자 한다"고 덧붙였다.

2025.02.14 14:34장경윤 기자

ICT 수출 부진...메모리 반도체만 고공 성장

지난달 ICT 분야 전반적인 수출 부진 속에 반도체와 컴퓨터 주변기기가 꾸준한 수출 증가세를 이어갔다. 13일 과학기술정보통신부의 ICT 수출입통계에 따르면 1월 ICT 수출은 162억9천만 달러, 수입은 134억5천만 달러, 무역수지 28억3천만 달러로 잠정 집계됐다. 이같은 ICT 수출액 규모는 전년 동월 대비 0.4% 후퇴한 수치다. AI 시장 성장 영향으로 반도체 분야 수출 실적은 꾸준히 크게 늘어 지난달 101억4천만 달러를 기록했다. AI 서버 투자 확대에 따라 고부가가치 품목인 HBM 수요 증가가 결정적인 요인이다. 메모리 반도체와 달리 시스템 반도체 수출은 감소했다. SSD 수출 확대로 컴퓨터 주변기기 수출액은 9억3천만 달러를 기록, 전년 동월 대비 10.0% 증가했다. 디스플레이 수출액은 16.1% 감소한 12억6천만 달러를 기록했다. TV와 PC 등의 완제품 수요 부진으로 10억 달러 수준도 위협받고 있다. 휴대폰 수출액은 8.8% 감소한 10억1천만 달러를 기록했다. 카메라 모듈과 같은 부분품 수출이 중국 대상으로 늘었지만 다른 지역에서는 수출이 감소했다. 통신장비 수출액은 20.9% 감소한 1억6천만 달러를 기록했다. 중소기업과 중견기업의 ICT 수출은 전 분야가 줄어들며 전년 동월 대비 12.7% 감소한 41억6천만 달러에 그쳤다.

2025.02.13 11:00박수형 기자

中 CXMT, 연내 15나노 D램 개발 노린다…삼성·SK 추격 속도

중국 CXMT(창신메모리)가 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 최근 상용화한 첫 DDR5 제품에 기존 계획대로 17나노미터(nm)를 적용하는 대신, 한층 진보된 16나노를 채용했다. 이에 더해 차세대 기술인 15나노 역시 기존 공정을 토대로 개발에 뛰어든 상황이다. 연내 개발이 목표로, 이르면 내년 하반기에 해당 공정을 상용화할 수 있을 것으로 전망된다. 최근 최정동 테크인사이츠 박사는 기자와의 서면 인터뷰에서 CXMT 최신 D램 기술력에 대해 이같이 평가했다. 앞서 테크인사이츠는 지난달 중국 메모리 판매사 글로웨이가 출시한 DDR5 모듈(16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)을 분해했다. 그 결과 해당 제품에서는 CXMT가 제조한 16Gb(기가비트) DDR5 16개가 발견됐다. CXMT의 16Gb DDR5 칩 사이즈는 66.99mm2로, 비트 밀도는 0.239Gb/mm2다. 비트 밀도는 메모리 단위 면적당 저장되는 데이터의 양을 나타낸다. 밀도가 높을 수록 메모리의 성능 및 효율성이 향상된다. 또한 CMXT DDR5의 회로 선폭은 16나노미터(nm)로 추산됐다. CXMT는 해당 공정을 'G4'로 표기한다. 이전 세대인 G3(18나노) 대비 D램의 셀 크기를 20% 줄였다. 삼성전자·SK하이닉스 등은 지난 2016년 16나노 D램을 상용화한 바 있으며, '1y'로 표기한다. G4 양산 16나노로 앞당긴 CXMT…기술 자신감 CXMT는 중국 정부의 지원 하에 그동안 첨단 D램 개발 및 생산능력 확대를 적극적으로 추진해 온 기업이다. 주력 생산제품은 17~18나노 공정 기반의 DDR4·LPDDR4X 등 레거시 제품이었으나, 지난해 11월 자국 최초로 LPDDR5를 공개했다. 나아가 올해 초에는 DDR5 상용화에도 성공했다. 특히 CXMT는 이번 DDR5에 적용된 G4 공정에서 자신감을 확보했다는 분석이다. 당초 계획 대비 차세대 공정 개발 속도가 빨라진 것으로 나타났다. 최 박사는 "CXMT는 17나노와 16나노 공정 개발을 동시에 진행해 왔고, 17나노 개발 후 자신감을 갖고 16나노를 연이어 개발 완료할 수 있었다"며 "때문에 G4 공정을 17나노로 양산하지 않고, 애초에 내부적으로 'G5'로 계획했던 16나노를 G4로 양산한 것"이라고 설명했다. 다음 타깃은 15나노…연내 개발·내년 상용화 가능성 이에 따라 CXMT의 G5 공정 개발 목표는 15나노가 될 것으로 예상된다. 미국의 첨단 반도체 제조장비 수출 규제로 EUV(극자외선) 등 첨단 제조장비를 도입할 수는 없으나 , 기존 보유한 장비로도 차차세대 공정까지 충분히 개발 및 양산이 가능할 전망이다. 최 박사는 "기존 장비들로 셀 면적을 더 줄이면 원가 경쟁력에 큰 문제가 없기 때문에, 향후 G5와 G6 등도 기존 공정을 활용한 개발 및 양산이 이뤄질 것"이라며 "마이크론 역시 13나노급 첨단 D램 공정까지도 EUV를 사용하지 않고 있다"고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스가 '1z'라 부르는 15나노 D램을 개발한 시기는 2019년이다. 현재 양사는 1b(12나노급 D램)의 양산에 집중하고 있다. 이를 고려하면 한·중간 메모리 격차는 여전히 존재하나, 중국 기업들의 추격이 점점 거세지고 있다는 점은 경계할 필요가 있다는 지적이 나온다. 최 박사는 "CXMT의 G5 공정은 올 연말까지 개발하는 것이 목표고, 내년도 샘플링이 완료되면 내년 하반기 시중에서 G5 공정을 확인할 수 있을 것으로 예상한다"며 "물론 초기 수율이 좋지 않을 수 있다"고 말했다. 물론 CXMT에게도 난관은 있다. 첨단 D램 제조에는 EUV와 같은 노광 외에도 HAR(고종횡비), 극저온 식각 등 여러 첨단 공정이 필요하다. 이들 장비 역시 미국의 규제로 수급에 어려움이 있어, 현재 중국 기업들은 기존 장비의 공정 최적화, 국산화 등을 적극 추진하고 있다.

2025.02.12 10:03장경윤 기자

SK하이닉스, 업계 최초 글로벌 자동차 정보 보안 인증 'TISAX' 획득

SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 글로벌 자동차산업 정보 보안 인증인 TISAX(Trusted Information Security Assessment Exchange)를 획득했다고 6일 밝혔다. TISAX는 독일 자동차산업협회(VDA)가 만든 평가 기준을 기반으로 유럽자동차제조·공급협회(ENX)가 운영하는 글로벌 정보 보안 인증 체계다. SK하이닉스는 "경기도 이천과 분당, 충북 청주에 위치한 국내 모든 사업장이 TISAX 인증을 받아 글로벌 자동차업계가 요구하는 보안 역량을 국제적으로 인정받았다"며 "이를 계기로 AI 기반의 미래 자동차 기술 구현에 필수적인 고성능 메모리 설루션 개발을 가속화하겠다"고 말했다. 글로벌 자동차산업은 전기차 시장 확대와 자율주행, 커넥티드카 기술 발전에 따라 전장 비중이 급격히 커지고 있다. 이러한 변화에 맞춰 차량용 반도체는 미래 모빌리티 산업의 핵심 부품으로 주목받고 있다. 특히 차량용 반도체는 ADAS(첨단 운전자 지원 시스템) 브레이크 시스템, 엔진 제어 등 자동차 안전 시스템에 적용되고 있어, 일반 반도체보다 높은 수준의 신뢰성이 요구된다. 최근 자동차를 대상으로 한 해킹, 악성코드 공격도 증가하면서 반도체 자체의 성능은 물론, 제조 과정에서의 체계적인 보안 관리가 강조되고 있다. 이에 SK하이닉스는 글로벌 완성차 고객들이 필수 요건으로 제시하고 있는 TISAX 인증을 전문 기관 검증을 거쳐 확보했다. 회사는 이번 인증 결과를 여러 협력사와 공유할 수 있어 중복 비용을 최소화하고, 협력사들과 장기적인 비즈니스 추진에도 도움이 될 것으로 전망했다. 김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM개발 담당)은 "이번 인증 획득을 계기로 글로벌 자동차 제조사 및 주요 부품사들과의 협력을 더욱 강화해 나가겠다"며, "철저한 보안 체계를 바탕으로 고객과 신뢰 관계를 구축해 차세대 자동차용 메모리 반도체 시장을 선도해 나가겠다"고 말했다.

2025.02.06 08:46이나리 기자

삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"

삼성전자가 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올 1분기 반도체 사업의 약세가 지속될 것으로 내다봤다. 특히 시스템반도체 분야가 부진할 전망으로, 엑시노스 2500의 상용화 지연이 영향을 미친 것으로 풀이된다. 이에 삼성전자는 올해 메모리 분야에서는 첨단 공정 기반의 고용량 메모리 비중을 확대하고, HBM(고대역폭메모리) 사업을 강화할 계획이다. 시스템반도체 분야에서는 플래그십 SoC(시스템온칩)의 적기 개발, 2나노 공정 양산 및 안정화 등을 추진할 계획이다. ■ 1분기 첨단 메모리 전환 집중…파운드리·LSI는 부진 지속 올 1분기는 반도체 분야 약세가 지속되면서 전사 실적 개선은 제한적일 것으로 예상되나, 세트 부문에서 AI 스마트폰과 프리미엄 제품군 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. DS부문의 경우, 메모리는 모바일 및 PC 제품의 경우 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 고사양 및 고용량 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환을 가속화할 방침이다. D램은 1b 나노 전환을 가속화해 DDR5 및 LPDDR5X(저전력 D램) 공급 비중을 확대하고, 낸드는 V6에서 V8로 공정 전환을 진행하고 서버용 V7 QLC(쿼드레벨셀) SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 실적 부진이 지속될 것으로 전망된다. 엑시노스 2500 등 플래그십 SoC(시스템온칩)의 시장 진입 실기가 주된 영향을 끼쳤다. 다만 플래그십 스마트폰 출시로 이미지센서, DDI(디스플레이구동칩) 등 제품 수요는 증가할 것으로 예상된다. 파운드리는 모바일 수요 부진 및 가동률 저하에 따라 실적 부진 지속이 예상되지만, AI·HPC 등 응용처 및 첨단 공정 수주 확대를 위해 공정 성숙도 향상에 집중할 계획이다. DX부문의 경우, MX는 신모델 출시 효과로 스마트폰 출하량 및 평균판매단가가 상승할 전망이다. 태블릿 출하량은 전분기 대비 동등 수준을 유지할 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 갤럭시 S25 등 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 새로운 AI 경험과 제품 경쟁력을 적극 소구하고, 거래선과 협업을 강화해 AI 스마트폰 시장을 주도할 계획이다. 네트워크는 국내 이동통신사의 망 투자 축소로 매출은 전분기 대비 소폭 감소할 전망이다. VD는 계절적 비수기 진입으로 수요 감소가 예상되는 가운데 ▲QLED ▲OLED ▲초대형 TV 등 고부가가치 제품 시장 수요는 견조할 것으로 전망된다. 차별화된 개인화 경험을 제공하는 '삼성 비전 AI'를 적용해 전략 제품 중심으로 판매를 확대하고 수익성을 강화할 계획이다. 생활가전은 비스포크 AI 프리미엄 제품 판매를 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. 또한 하만은 오디오 제품 중심으로 판매를 확대해 전년 대비 매출 성장을 추진할 방침이다. 디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 시장 수요 약세가 예상됨에 따라 실적은 보수적으로 전망하고 있으며, 대형은 향상된 성능의 TV와 고해상도 모니터 등 신제품들을 본격 출시할 예정이다. ■ 올해 반도체 사업 경쟁력, HBM·2나노 등에 초점 메모리는 2분기부터 메모리 수요가 회복세를 보일 것으로 예상되는 가운데, D램과 낸드 모두 시장 수요에 맞춰 레거시 제품 비중을 줄이고 첨단 공정으로의 전환을 가속화할 방침이다. 또한 첨단 공정 기반 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲GDDR7(그래픽 D램) ▲서버용 SSD 등 고부가가치 제품 비중을 늘려 사업 경쟁력 강화에 집중할 계획이다. 시스템LSI는 플래그십 SoC를 적기에 개발해 고객사의 주요 모델에 신규 적용을 추진할 계획이다. 센서 부문은 2억 화소 등 고화소 수요에 적극 대응해 다양한 응용처로 사업을 확장해 나갈 예정이다. 파운드리는 2나노 공정 양산과 안정화를 통해 고객 수요를 확보하고, 4나노 공정도 경쟁력 있는 공정과 설계 인프라를 강화해 나갈 방침이다. MX는 갤럭시 S25 시리즈의 출시를 통해 차별화된 AI 경험으로 모바일 AI 리더십을 공고히 하고 폴더블은 S25의 AI 경험을 최적화하고 라인업을 강화해 판매를 확대할 방침이다. ▲태블릿 ▲노트 PC ▲웨어러블 ▲XR(eXtended Reality)도 고도화된 갤럭시 AI 기능을 적용해 더욱 풍부한 고객 경험을 제공할 계획이다. 제품 경쟁력 강화와 스펙 향상 등으로 주요 원자재 가격 상승이 예상되나, 갤럭시 AI 고도화와 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성 개선에 집중할 방침이다. 네트워크는 주요 사업자의 추가 망 증설과 신규사업자 수주를 확보하고 ▲vRAN(virtualized Radio Access Network) ▲ORAN(Open Radio Access Network) 도입을 확대해 실적 개선을 추진할 계획이다. VD는 주요 이머징 마켓 중심으로 TV 수요가 소폭 증가할 것으로 전망된다. 'Home AI' 비전 아래, 스마트싱스(SmartThings) 기반 연결 경험에 AI 기술을 결합하고 보안 솔루션인 '삼성 녹스(Samsung Knox)'를 확대 적용해 AI 스크린 시장을 주도해 나갈 계획이다. 생활가전은 2025년형 AI 혁신 제품 론칭과 사업구조 개선 등을 통해 수익성 개선에 집중할 계획이다. 하만은 전장 고객사를 다변화하고 성장세가 높은 오디오 제품군 판매 확대를 통해 매출 성장을 추진할 계획이다. 디스플레이는 중소형의 경우 제품 경쟁력 강화로 프리미엄 스마트폰 시장 리더십을 유지하고 대형은 다양한 고성능 TV와 모니터의 판매를 확대할 계획이다.

2025.01.31 10:12장경윤 기자

삼성전자, 지난해 설비투자 53.6조원…업황 부진에도 역대 '최대'

삼성전자가 지난해 역대 최대 규모의 시설투자를 진행했다. HBM(고대역폭메모리) 등 첨단 메모리와 중소형 디스플레이 사업 경쟁력 강화에 집중한 것으로 풀이된다. 삼성전자는 지난해 4분기 시설투자에 17조8천억원을 투자했다고 31일 밝혔다. 전분기 대비로는 5조4천억원 증가한 규모다. 사업별로는 DS(반도체) 부문이 16조원, 디스플레이 사업에 1조원이 할당됐다. 이로써 삼성전자는 지난해 연간 설비투자 규모로 53조6천억원을 투입하게 됐다. 역대 최대 규모였던 지난 2022년(53조1천153억원)을 넘어섰다. 사업별로는 DS에 46조3천억원, 디스플레이에 4조8천억원이 투자됐다. 메모리는 미래 기술 리더십 확보를 위한 연구개발비 집행과 HBM 등 첨단 공정 생산능력 확대를 위한 투자를 지속해 지난 분기 및 연간 대비 투자가 모두 증가했다. 반면 파운드리는 시황 악화로 전년 대비 연간 투자 규모가 감소했다. 디스플레이는 중소형 디스플레이를 중심으로 경쟁력 우위 확보를 위한 투자를 지속하며 전년 대비 연간 투자 규모가 증가했다. 삼성전자는 "2025년 세부적인 투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 메모리 투자는 전년 수준과 유사할 것으로 전망된다"며 "앞으로도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 연구개발비 투자를 꾸준히 이어갈 방침"이라고 밝혔다.

2025.01.31 09:33장경윤 기자

SK하이닉스, 작년 영업익 23조원 '역대 최대'…HBM·eSSD 효과

SK하이닉스가 HBM, eSSD 등 AI용 고부가 메모리 사업의 확대로 분기, 연간 모두 최대 실적을 달성하는 데 성공했다. SK하이닉스가 지난해 연 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조 4천673억원(영업이익률 35%), 순이익 19조7천969억원(순이익률 30%)으로 창사 이래 최대 실적을 경신했다고 23일 밝혔다. 매출은 기존 최고였던 2022년(약 44조원)보다 21조원 이상 높은 실적을 달성했고, 영업이익도 메모리 초 호황기였던 2018년(약 20조원)의 성과를 넘어섰다. 특히 4분기 매출은 전 분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익 또한 15% 증가한 8조828억원(영업이익률 41%)에 달했다. 순이익은 8조65억원(순이익률 41%)을 기록했다. SK하이닉스는 “AI 메모리 반도체 수요 강세가 두드러진 가운데 업계 선두의 HBM 기술력과 수익성 중심의 경영을 통해 사상 최고의 실적을 달성했다”고 설명했다. 회사는 이어 “4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD)도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다. 회사는 AI 메모리 수요 성장에 따라 고성능, 고품질 중심의 메모리 시장으로 전환되는 상황을 설명하며 “이번 실적은 고객의 요구 수준에 맞는 제품을 적기에 공급할 수 있는 경쟁력을 갖추면 안정적인 이익 창출이 가능하다는 것을 확인했다는 점에서 의미가 있다”고 강조했다. 이 같은 실적을 바탕으로 2024년 말 SK하이닉스의 현금성 자산은 14조2천억원으로 전년 말 대비 5조2천억원 증가했으며, 차입금은 22조7천억원으로 같은 기간 6조8천억원 감소했다. 이에 따라 차입금과 순차입금 비율도 각각 31%와 12%로 크게 개선됐다. SK하이닉스는 빅테크들의 AI 서버 투자가 확대되고 AI 추론 기술의 중요성이 커지면서 고성능 컴퓨팅에 필수인 HBM과 고용량 서버 D램 수요가 계속 확대될 것으로 전망했다. 일부 재고 조정이 예상되는 소비자용 제품 시장에서도 AI 기능을 탑재한 PC와 스마트폰 판매가 확대돼, 하반기로 갈수록 시장 상황이 개선될 것으로 내다봤다. 이에 회사는 올해 HBM3E 공급을 늘리고 HBM4도 적기 개발해 고객 요청에 맞춰 공급할 계획이다. 또, 안정적인 수요가 이어지는 가운데 경쟁력을 보유한 DDR5와 LPDDR5 생산에 필요한 선단 공정 전환을 추진해 나갈 방침이다. 낸드는 작년에 이어 수익성 중심 운영과 수요 상황에 맞춘 유연한 판매 전략으로 시장에 대응해 나갈 계획이다. 한편 SK하이닉스는 연간 고정배당금을 기존 1천200원에서 1천500원으로 25% 상향해 총 현금 배당액을 연간 1조 원 규모로 확대했다. 이에 회사는 향후 배당시 고정배당금만 지급하고, 기존 배당정책에 포함됐던 연간 잉여현금흐름(FCF, Free Cash Flow)의 5%는 재무건전성을 강화하는데 우선 활용할 방침이다. 김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고부가가치 제품 매출 비중을 크게 늘리면서 시황 조정기에도 과거 대비 안정적인 매출과 이익을 달성할 수 있는 사업 체질을 갖췄다”며 “앞으로도 수익성이 확보된 제품 위주로 투자를 이어간다는 원칙을 유지하면서 시장 상황 변화에 맞춰 유연하게 투자를 결정할 것”이라고 말했다.

2025.01.23 08:55장경윤 기자

'저전력' AI칩에 힘 주는 엔비디아…삼성·SK, LPDDR 성장 기대감

엔비디아가 인공지능(AI) 반도체 시장 영역을 자율주행·로봇·개인용 PC 등으로 적극 확장하기로 하면서 고성능 데이터 연산과 동시에 '저전력' 특성이 중요한 삼성전자, SK하이닉스의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 관측된다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 지난 6일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 IT 박람회 'CES 2025′ 기조연설을 진행했다. 이날 젠슨 황 CEO는 ▲ 휴머노이드 로봇 및 자율주행용 컴퓨터인 '젯슨 토르' ▲ 물리적 AI 개발 플랫폼인 '코스모스' ▲ 개인용 AI 슈퍼컴퓨터를 위한 'GB10' 슈퍼칩 등 차세대 AI 시장을 선점하기 위한 솔루션을 대거 공개했다. 엔비디아 신규 솔루션, 물리적 AI 등 '저전력' 초점 물리적 AI는 실제 물리적 환경에서 센서와 구동기를 통해 작업을 수행하는 AI를 뜻한다. 자율주행과 로봇 등이 대표적인 응용처다. 기존 서버 중심의 LLM(거대언어모델) 대비 빠른 응답 속도와 다양한 환경 변수 처리 성능이 필요하다. 물리적 AI를 제대로 구현하기 위해서는 기기 자체에서 AI 연산을 처리하는 온디바이스 AI가 필수적이다. 이에 일반 메모리 대비 전력 효율성이 높은 LPDDR(저전력 D램)의 수요가 촉진될 것으로 관측된다. 구체적으로 엔비디아는 올 상반기 중 젯슨 시리즈의 신규 제품 '토르'를 출시할 예정이다. 젯슨은 엔비디아가 로보틱스 및 엣지 컴퓨팅 시장을 겨냥해 개발한 제품군이다. 토르의 경우 최대 800테라플롭스(1테라플롭스는 초당 1조번 연산 수행)의 AI 처리 성능과 엔비디아의 차세대 GPU인 블랙웰을 탑재한다. 젯슨 시리즈가 LPDDR을 채용해온 만큼, 토르 역시 최첨단 LPDDR 제품이 쓰일 것으로 전망된다. GB(그레이스블랙웰)10 슈퍼칩은 엔비디아가 대만 주요 팹리스 미디어텍과 개발한 개인용 AI 슈퍼컴퓨터 '프로젝트 디지트(Digits)'에 채용된다. 프로젝트 디지트는 오는 5월 출시 예정이다. GB10 슈퍼칩은 FP4 정밀도에서 최대 1페타플롭스(1초당 1천조번 연산)의 AI 성능을 제공한다. 또한 GB10 내부의 '그레이스' CPU는 128GB(기가바이트) 용량의 LPDDR5X를 채용했다. 그레이스는 엔비디아가 서버 시장을 겨냥해 자체 개발한 CPU다. 향후 노트북 등 개인용 PC에도 적용될 예정이다. 메모리반도체 업계 관계자는 "엔비디아가 이전부터 AI 시장의 영역을 슈퍼컴퓨팅에서 온디바이스AI, 물리적 AI 등 에지 영역으로 확장하겠다는 계획을 발표해 왔다"며 "현재로선 저전력 구동에 LPDDR 제품이 필수불가결하기 때문에 수요가 늘어날 것이고, 향후 AI 기술이 고도화되면 이에 맞춰 차세대 메모리가 상용화될 것"이라고 설명했다. LPDDR·LPCAMM 중요성 높아져…삼성·SK 기회 이 같은 추세는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업의 고부가 메모리 사업에도 긍정적인 영향을 미칠 전망이다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔다. 가장 최근 상용화된 7세대 LPDDR5X은 삼성전자, SK하이닉스와 미국 마이크론만이 상용화에 성공한 고부가 제품에 해당한다. CXMT(창신메모리) 등 후발 주자들은 지난 2023년 말 기준 LPDDR5 양산에 돌입했다. LPCAMM도 차세대 메모리로서 상용화가 기대된다. LPCAMM은 기존 LPDDR 모듈 방식인 So-DIMM(탈부착)과 온보드(직접 탑재)의 장점을 결합한 기술이다. 기존 방식 대비 패키지 면적을 줄이면서도 전력 효율성을 높이고, 탈부착 형식으로 제작하는 것이 가능하다. 이에 주요 메모리 기업들은 지난 2023년께 2세대 LPCAMM인 LPCAMM2을 앞다퉈 개발하는 등 시장 선점을 준비해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "젠슨 황 CEO의 이번 발표는 엔비디아가 GB 플랫폼의 중심을 저전력으로 변화시키고 있다는 것을 보여준다"며 "엔비디아도 PC 시장을 위한 차세대 솔루션에서 LPCAMM을 채용하는 방안을 검토하고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2025.01.09 13:57장경윤 기자

엔비디아 젠슨황 "삼성 HBM 성공 확신...설계는 새로 해야"

세계 최고 인공지능(AI) 반도체 기업 미국 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)가 삼성전자 고대역폭메모리(HBM)에 대해 “새로 설계해야 한다”고 말했다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 메모리 반도체다. SK하이닉스와 미국 마이크론이 엔비디아에 공급하고 있다. 삼성전자는 납품에 앞서 품질 테스트 중이다. 황 CEO는 7일(현지시간) 세계 최대 가전·정보기술(IT) 전시회 'CES 2025'가 개막한 미국 라스베이거스 퐁텐블루호텔에서 열린 기자간담회에서 '삼성전자 HBM을 왜 이리 오래 시험하느냐'는 물음에 “오래 걸리는 게 아니다”라며 “한국은 서두르려 한다”고 답했다. 황 CEO가 삼성전자 HBM을 공개적으로 지적한 일은 이번이 처음이다. 다만 그는 “엔비디아가 처음 쓴 HBM은 삼성전자가 만든 것이었다”며 “내일(8일)이 수요일이라고 확신할 수 있듯 삼성전자 성공을 확신한다”고 덧붙였다. 황 CEO는 소비자용 그래픽처리장치(GPU) 신제품 '지포스 RTX 50'에 마이크론 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7을 쓴다고 밝힌 이유도 언급했다. 그는 “삼성전자와 SK하이닉스는 그래픽 메모리가 없는 것으로 안다”며 “그들도 하느냐”고 되물었다. 이어 “삼성전자와 SK하이닉스는 엔비디아의 가장 큰 공급업체 중 두 곳”이라며 “매우 훌륭한 메모리 반도체 기업”이라고 평가했다. GDDR7은 영상과 그래픽을 처리하는 초고속 D램이다. 마이크론뿐 아니라 삼성전자와 SK하이닉스도 생산한다. 한편 황 CEO는 곧 최태원 SK그룹 회장과 만날 것으로 보인다. '이번 CES 기간 최 회장을 만나느냐'는 질문에 황 CEO는 “만날 예정”이라며 “기대하고 있다”고 답했다.

2025.01.08 11:13유혜진 기자

'AI 인프라'에 수백조 쏟는 빅테크…삼성·SK AI 메모리 훈풍 불까

글로벌 빅테크 기업들이 새해 인공지능(AI) 인프라 확충에 적극 나서고 있다. 마이크로소프트, 아마존 등이 최근 조 단위의 AI 데이터센터용 설비투자 계획을 잇따라 발표했다. 이에 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 메모리 업계도 긍정적인 효과를 거둘 수 있을 것으로 분석된다. 6일 업계에 따르면 해외 주요 클라우드서비스제공자(CSP)들은 새해 AI 데이터센터 구축에 막대한 비용을 투자할 계획이다. 마이크로소프트(MS)는 회계연도 2025년(지난해 7월~올해 6월)에만 800억 달러(한화 약 118조원)에 이르는 대규모 투자를 AI 데이터센터에 투자한다. 전년 전체 자본지출 규모인 557억 달러 대비 43% 가량 많다. 브래드 스미스 MS 부회장 겸 사장은 지난 3일 회사 블로그를 통해 "AI 모델을 훈련하고, 전 세계에 AI 및 클라우드 기반 서비스를 지원하기 위한 AI 데이터센터 구축에 약 800억 달러를 투자할 예정"이라며 "이 중 절반 이상이 미국에 투자될 것"이라고 밝혔다. 아마존도 올해 최소 800억 달러의 설비투자가 예상된다. 앤디 재시 아마존 최고경영자(CEO)는 지난해 "2024년 설비투자에 750억 달러를 지출하고, 2025년에는 더 많은 비용을 지출할 것"이라며 "생성형 AI에 의해 주도되는 투자로, 일생에 한 번 있을까 말까 한 기회"라고 강조한 바 있다. 지난해 12월에는 미국 오하이오주 소재의 AWS(아마존웹서비스) 데이터센터 구축에 100억 달러를 추가 투입하겠다고 발표했다. AWS는 오하이오주 데이터센터에 2020년까지 60억 달러를 투자했으며, 2023년에도 79억 달러의 추가 투자를 확정했다. 이번 발표로 해당 데이터센터에 대한 AWS의 투자 규모는 230억 달러를 넘어서게 된다. 이외에도 메타, 구글 등이 올해 자본지출 규모의 증가를 예상하고 있다. 이들 4대 CSP의 지난해 설비투자 규모는 2천억 달러를 넘을 것으로 관측되고 있다. 이를 고려하면 올해 역시 2천억 달러를 웃도는 설비투자가 이뤄질 전망이다. 글로벌 빅테크의 데이터센터를 비롯한 AI 인프라 투자는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 기업들에게도 수혜로 작용할 전망이다. 데이터센터에는 GPU, CPU 등의 시스템반도체와 D램, SSD 등 메모리반도체가 대거 탑재되기 때문이다. 최근 메모리반도체 시장은 스마트폰, PC 등 IT기기 수요 부진으로 범용 제품의 가격 하락세가 심화되는 추세다. 다만 서버용 고성능 DDR5, eSSD(기업용 SSD) 등은 비교적 견조한 수요를 나타내고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 1분기 서버용 D램 가격은 전분기 대비 3~8% 하락할 것으로 예상된다. 범용 D램이 8~13% 하락하는 데 비해 낙폭이 적다. 낸드는 범용 제품이 10~15% 하락하나, eSSD는 5~10% 수준으로 하락할 전망이다. 또한 삼성전자, SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 사업 확대에도 적극적으로 나서고 있다. HBM은 AI 업계를 주도하는 엔비디아와 자체 ASIC(주문형반도체)를 개발하는 CSP 기업들로 인해 수요가 급증하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "비용에 대한 부담으로 AI 관련 기업들이 설비투자를 줄일 수도 있다는 우려가 제기되기도 했으나, 낙관적인 전망이 꾸준히 확인되고 있다"며 "국내 메모리 기업들에게도 긍정적으로 작용할 것"이라고 말했다.

2025.01.06 10:58장경윤 기자

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